UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
Decana de Amrica, Fundada el 12 de Mayo de 1551

FIEE

JFET -MOSFET
PROFESOR

MEDINA CALDERN ALFREDO

ALUMNO

HEREDIA VELA OSCAR DANIEL 11190241

Ciudad Universitaria, 23 FEBRERO 2015

Transistor JFET
El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de
efecto de campo) es un dispositivo electrnico activo unipolar.

Funcionamiento bsico
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una
familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad
de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una
tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las
zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se
hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms
dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto
mayor es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre
fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al
drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente

Polarizacin y curvas caractersticas

polarizacin

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de

drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta
se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del
terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal
queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla
cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET

es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta a fuente modifican la

regin de rarefaccin (deplexin) y causan que vare el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas caractersticas del
transistor JFET. Las curvas caractersticas tpicas para estos transistores se encuentran en
la imagen, ntese que se distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de
corte y la zona de saturacin.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas
normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de
simulacin (como SPICE) permiten hacen barridos de CD bsicos para obtener las curvas,
en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms
adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin
embargo no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la
configuracin para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados,
etc.

Aplicaciones
Como se mencion con anterioridad, las aplicaciones con este tipo de transistores es muy
variada, aqu se mostrarn slo dos aplicaciones bsicas, a saber, la construccin de
osciladores para generacin de formas de onda cuadradas a determinadas frecuencias, y
el anlisis y diseo de las configuraciones fundamentales de amplificadores con JFET's.

MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor
ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales,
aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en
transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.

Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y
el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es
decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El
trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido
a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal.
El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un
nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor
NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que
se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta,
lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin
respectiva de la conductividad.4

Estructura metal-xido-semiconductor

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p

Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer

una capa de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una
capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que
eldixido de silicio es un material dielctrico, esta estructura equivale a
un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por
un semiconductor.
Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin de
cargas en el semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una
densidad de aceptores NA), p es la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco), una
tensin positiva VGB aplicada entre la compuerta y el sustrato (ver figura) crea una regin
de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la
interfaz entre el aislante de compuerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona
libre de portadores, que est constituida por los iones de los tomos aceptores cargados
negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGBes lo suficientemente alto, una alta
concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de
inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y
el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona que
los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador y el surtidor, en
un condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente mediante
generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin de portadores que estn
en la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de compuerta a la cual la
densidad volumtrica de electrones en la regin de inversin es la misma que la densidad
volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral.
Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los
cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y el surtidor.

Estructura MOSFET y formacin del canal

Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de compuerta dobla las bandas
de energa, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la compuerta (izquierda). La carga que
induce el doblamiento de bandas se equilibra con una capa de cargas negativas de iones aceptores
(derecha). Inferior: Una tensin todava mayor aplicada en la compuerta agota los huecos, y la
banda de conduccin disminuye de forma que se logra la conduccin a travs del canal.

Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en

controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est localizada
encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de
dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se
utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como
un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado con
el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y drenador),
cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del
sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y
del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato)
estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un signo '+' despus del tipo de
dopado.
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el
drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de
canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son
regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se denomina as porque es
la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal p) que
fluyen a travs del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores
de carga abandonan el canal.
La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la
posicin del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del

semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la figura,

cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda de valencia se
aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la
compuerta. Cuando se polariza todava ms la compuerta, el borde de la banda de
conduccin se acerca al nivel de Fermi en la regin cercana a la superficie del
semiconductor, y esta regin se llena de electrones en una regin de inversin o un canal
de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se
extiende entre el drenador y el surtidor, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando
se aplica un potencial entre el drenador y el surtidor. Al aumentar la tensin en la
compuerta, se incrementa la densidad de electrones en la regin de inversin y por lo tanto
se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y el surtidor.
Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes
portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea
corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor.
Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre surtidorcompuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma
anloga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando
una tensin menos negativa que la tensin de umbral es aplicada (una tensin negativa
para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de
subumbral entre el drenador y el surtidor.

Modos de operacin
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de
operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se
utiliza un modelo algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se
incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:

Corte

NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no existen portadores libres en esta zona,
debido a que los electrones son repelidos del canal.

Cuando VGS < Vth

donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la
distribucin de Boltzmann para las energas de los electrones, en donde se permite
que los electrones con alta energa presentes en el surtidor ingresen al canal y
fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es una
funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La corriente subumbral
sigue aproximadamente la siguiente ecuacin:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX
donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y
COX es la capacidad de la capa de xido.

Regin lineal u hmica

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de tipo n al lograr la inversin

del sustrato, y la corriente fluye de drenador a surtidor.

Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea
una regin de agotamiento en la regin que separa el surtidor y el drenador. Si esta
tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS,
electrones en NMOS) en la regin de agotamiento, que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una
diferencia de potencial entre drenador y surtidor dar lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de
compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por medio
de la ecuacin:

donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

es la capacidad del xido por unidad de rea,

es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.

Saturacin o activa

NMOS en la regin de saturacin.Al aplicar una tensin

de drenador ms alta, los electrones son atrados con ms
fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )

Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador
y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor no se
interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Efectos de segundo orden

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores
MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo orden,
como por ejemplo:
.Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de
puerta y la corriente de drenador no crece cuadrticamente
en transistores de canal corto.
.Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensin entre fuente y
sustrato modifica la tensin umbral que da lugar al canal de
conduccin.
.Modulacin de longitud de canal.

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones
de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.