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Electrnica

Unidad IV

DIODOS SEMICONDUCTORES

1.

MATERIALES SEMICONDUCTORES
Son materiales que tienen una resistencia elctrica intermedia entre los
conductores y los aislantes. Por efectos de temperatura en estos materiales
hay electrones que se desligan de sus tomos quedando un electrn y un hueco
(tomo sin electrn) que se constituyen en portadores de carga, el movimiento
de estos portadores cuando se aplican voltajes constituye una corriente elctrica.
Es un material conductor intrnseco.

A mayor temperatura existen ms portadores de carga, las corrientes son

mayores, por tanto la resistencia es menor, se usan como elementos para medir
temperaturas (termistores).
Los semiconductores ms usados son el Silicio y el Germanio. Cuando al
semiconductor intrnseco se adicionan tomos de otros elementos (impurezas)
por cada tomo adicionado se forma un portador de carga.
Al usar materiales del grupo III de la tabla qumica se forman huecos quedando
un semiconductor con ms huecos (portadores mayoritarios) y se obtiene un
semiconductor extrnseco tipo P.

Al usar impurezas del grupo V quedan electrones libres y el material va a tener

portadores mayoritarios electrones y portadores minoritarios huecos formando un
material semiconductor extrnseco tipo N. El dopado es una medida de la
cantidad de impurezas por unidad de volumen y determina fuertemente
la conductividad del material. El proceso de dopado se hace en hornos de
vaco a alta temperatura, los semiconductores usados en electrnica son
monocristalinos, es decir, en su estructura no aparecen lmites de grano.

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2.

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EL DIODO
Un diodo es la unin de dos zonas de material semiconductor, una de tipo
N y la otra de tipo P, entre las dos se forma una zona llamada de
agotamiento (Z.A.) donde es mnima o nula la presencia de portadores de
carga. Tanto en la zona P como en la zona N existen portadores de carga
minoritarios del signo contrario.
A la zona P se le llama nodo (A) y a la zona N se le llama ctodo (K).

Diodo en directo: Se comporta como un interruptor cerrado.

Diodo en inverso: Se comporta como un interruptor abierto.

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POLARIZACIN DE UN DIODO
Un diodo trabaja unido a un circuito elctrico el cual le aplica un voltaje. Se
presentan dos posibilidades:

POLARIZACIN DIRECTA
El voltaje positivo aplicado al nodo empuja los huecos hacia la zona de
agotamiento, lo mismo hace el voltaje negativo sobre los electrones del ctodo.
Cuando el voltaje es pequeo y va aumentando la zona de agotamiento se va
estrechando al llegar a un valor llamado voltaje de umbral la zona de
agotamiento desaparece y los huecos y electrones se recombinan y el circuito
externo empieza a aportar huecos a la zona P y electrones a la zona N
apareciendo una corriente elctrica a travs del diodo, se dice que el diodo est
en conduccin.
El voltaje umbral es 0.2 voltios para germanio y 0.6 voltios para silicio. La
corriente del diodo en conduccin crece fuertemente con un crecimiento pequeo
del voltaje (dcimas de voltio). Se considera entonces para un diodo de silicio
siempre que est en conduccin su voltaje es de 0.7 voltios.

Si los voltajes en el circuito son mucho mayores a 0.7v si el diodo es de material

de SILICIO Y DE 02 si es de GERMANIO, el voltaje del diodo se considera 0
y se asimila a un interruptor cerrado.

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POLARIZACIN INVERSA
El voltaje negativo aplicado al nodo atrae los huecos y el voltaje positivo
aplicado al ctodo atrae los electrones por lo que la zona de agotamiento se
ensancha, sobre los portadores minoritarios ocurre el fenmeno contrario, stos
hacen recombinacin y forman una corriente muy pequea (nA a A) que en el
caso prctico se considera nula. Se dice entonces que el diodo se comporta como
un interruptor abierto.

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El voltaje en el diodo ser el que el circuito aplique y puede llegar a

cualquier valor, en la prctica cientos de voltios para diodos rectificadores.
Cuando el voltaje inverso aplicado llega a cierto valor la atraccin entre huecos y
electrones crece tanto que rompen la resistencia de la estructura del
semiconductor y viajan a gran velocidad recombinndose y formando una
corriente que crece rpidamente, se llama fenmeno de avalancha y a ese
voltaje se llama Zener o de avalancha. En diodos rectificadores este
voltaje es de cientos de voltios y si el diodo llega a ese voltaje
normalmente se daa por una elevacin muy rpida de temperatura.
PRUEBA DE UN DIODO
Con un multmetro anlogo un diodo se prueba en la escala de resistencia,
colocando la punta roja (+) al nodo y la punta negra (-) al ctodo debe marcar
un valor pequeo de resistencia (<200W) y al conectar al contrario debe marcar
un valor grande (>1MW) en la escala ms alta (R*1k). Con un multmetro digital
en directo debe marcar el voltaje de umbral (0.5 a 0.7v para silicio) y en inverso

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debe marcar circuito abierto indicado en la mayora de multmetros con una "1" a
la izquierda del display.
POTENCIA DE UN DIODO
Cuando un diodo conduce igual que una resistencia disipa potencia que se
convierte en calor y eleva la temperatura del diodo, si la temperatura sube por
encima de unos 300C la estructura del semiconductor se agrieta y el diodo se
daa ("quema"). La disipacin de potencia: PD = VD*ID se debe mantener
por debajo de un lmite que depende del tamao del diodo y su estado de
disipacin de calor.
En directo entonces se tiene un valor mximo de corriente:

Para diodos rectificadores en inverso el lmite est dado por el voltaje avalancha
que se llama entonces voltaje pico reverso VRP, por ser normalmente mayor a
100v la corriente de avalancha para llegar al lmite de potencia es tan pequea
que se puede decir que instantneamente sube la temperatura y el diodo se
quema.
Para diodos Zener en zona de avalancha se tendr un mximo de corriente:

3.

ELECCIN DE UN DIODO
Los diodos vienen identificados por referencias que cambian de un fabricante a
otro, pero una referencia de un fabricante es equivalente a una referencia en
cada uno de los otros fabricantes. Los fabricantes editan manuales con diferentes
niveles de informacin sobre cada una de las referencias producidas y se tienen
se tienen las guas maestras de reemplazo que sirven para conocer las
referencias equivalentes. En Colombia el mercado se gua principalmente por
Master Replacement Guide de ECG Semiconductors.
Para seleccionar un diodo se deben conocer mnimo los siguientes datos:

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Corriente que va a conducir (pico o promedio), voltaje inverso a que va

a estar sometido, frecuencia de las seales; con estos valores usando
las tablas del manual ECG se podr escoger una referencia adecuada
que soporte las condiciones de trabajo. En altas frecuencias se deben
escoger diodos Fast SW y en casos donde se requiere que un diodo
pase muy rpido de corte a conduccin se deben usar diodos Fast
Recovery.

SMBOLOS DE LOS TIPOS DE DIODOS

4.

CARACTERSTICAS TCNICAS
Como todos los componentes electrnicos, los diodos poseen propiedades que
les diferencia de los dems semiconductores. Es necesario conocer estas, pues
los libros de caractersticas y las necesidades de diseo as lo requieren. En estos
apuntes aparecern las ms importantes desde el punto de vista prctico.

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Valores nominales de temperatura

5.

Tstg

Indica los valores mximos y mnimos de la temperatura de

almacenamiento.

Tj

Valor mximo de la temperatura que soporta la unin de los

semiconductores.

TIPOS DE DIODOS
DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR.- Los ms antiguos son los de
germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicacin ms importante se
encuentra en HF, VHF y UHF. Tambin se utilizan como detectores en los
receptores de modulacin de frecuencia. Por el tipo de unin que tiene posee
una capacidad muy baja, as como una resistencia interna en conduccin que
produce una tensin mxima de 0,2 a 0,3v.
El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin
metal conductor con algunas diferencias respecto del anterior. Fue
desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios de la dcada de los
70. La conexin se establece entre un metal y un material semiconductor con
gran concentracin de impurezas, de forma que solo existir un movimiento
de electrones, ya que son los nicos portadores mayoritarios en ambos
materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma razn, la tensin de
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umbral cuando alcanza la conduccin es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una

respuesta notable a altas frecuencias, encontrando en este campo sus
aplicaciones ms frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se
refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus extremos.
El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro, de plstico o de
vidrio. De configuracin axial. Sobre el cuerpo se marca el ctodo, mediante
un anillo serigrafiado.

DIODOS RECTIFICADORES.- Su construccin est basada en la unin PN

siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos
(normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la
unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy
pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones
para potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos
termoinicos desde hace tiempo.
Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de
alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y microscopios
electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas.
En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en
puente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes
integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el
proceso de diseo de una placa de circuito impreso.
Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia
que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por
encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms elevadas
es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un
radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas
corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.
DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIN.- La
desactivacin de un rel provoca una corriente de descarga de la bobina en
sentido inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para su
activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y
elimina el problema.
El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta,
as que la frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le
llama comnmente diodo volante.

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DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION DE UN

DIODO LED EN ALTERNA.- El diodo LED cuando se polariza en c.a.
directamente conduce y la tensin cae sobre la resistencia limitadora, sin
embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensin se encuentra en
los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.
DIODOS ZENER.- Se emplean para producir entre sus extremos una tensin
constante e independiente de la corriente que las atraviesa segn sus
especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la
unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura
(tensin de zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento
brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el
aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha
corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW.
Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que
tenga que disipar.

DIODOS LED (Light Emitting Diode).- Es un diodo que presenta un

comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin embargo, su tensin
de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo.

El conocimiento de esta tensin es fundamental para el diseo del circuito en

el que sea necesaria su presencia, pues, normalmente se le coloca en
serie una resistencia que limita la intensidad que circular por el.
Cuando se polariza directamente se comporta como una lamparita
que emite una luz cuyo color depende de los materiales con los que

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se fabrica. Cuando se polariza inversamente no se enciende y adems no

deja circular la corriente.
La intensidad mnima para que un diodo LED emita luz visible es de 4mA y,
por precaucin como mximo debe aplicarse 50mA.
Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo
ser el terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el
encapsulado, normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el
que se encuentra el ctodo.
Se utilizan como seal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a
distancia.

FOTODIODO.- Son dispositivos semiconductores construidos con una unin

PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su
funcionamiento sea correcto se polarizarn inversamente, con lo que
producirn una cierta circulacin de corriente cuando sean excitados por la
luz. Debido a su construccin se comportan como clulas fotovoltaicas, es
decir, en ausencia de tensin exterior, generan una tensin muy pequea con
el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Tienen una velocidad de
respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las clulas
fotoelctricas. Actualmente, y en muchos circuitos ests ltimas se estn
sustituyendo por ellos, debido a la ventaja anteriormente citada.
DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP).- Son diodos que basan
su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa
barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de
1v.
La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV,
modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre
todo.

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6.

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TIPOS DE ENCAPSULADOS DE SEMICONDUCTORES

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7.

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APLICACIONES ELECTRNICAS

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LUZ DE EMERGENCIA

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