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化工製程安全

半導體製程風險評估

王世煌
工研院環安中心經理

害 :
一、剛昌
(1) 危險性化學品的外洩或空氣漏入製程單
元 造成火災爆炸。例如化學加熱槽、維
近年來國內外半導體市場因電腦及其週
,
,
邊產品材料之需求而蓬勃發展
我國的積體 修時之排放操作、使用真空葉之單元反應
電路產業經過長期的投入與努力
, 已在全球 室的廢氣排放及通風與廢氣處理系統等之
的市場競爭下佔有一席之地 可以預期於政
, 操作或控制失效。
, (2) 毒性化學品的洩漏曝露。半導體製程使用
府大力推動、其他產業之業主的陸續投資
及各製造廠商不斷擴充新技術晶圓廠下
, 將
,
有毒性的化學品 例如氫氣酸 (HF)
使我國積體電路產業發展與前景無可限量。 蝕刻、薄膜等製程所使用之有毒特殊氣
基本上
, 積體電路製作流程非常的複雜
, 所 體
, 或洩漏時會分解產生毒性副產物之設
,
涉及的技術幾乎含蓋所有人類近代科學發展 備 若操作、維修、裝卸、機械處理或設
上最重要且關鍵的科技與發明。半導體工業 計等異常
, 皆有可能發生毒性化學物質曝
,
不但是一項尖端科技的產業 也是一項需要 露之危害。
龐大資金以便能維持其繼續發展的高風險性 (3) 游離輻射。半導體製程單元 , 例如離子植
, 、產生離子束 (ion
產業。然而 由於半導體製造技術愈趨複雜 入機 ( ion implanter)

, 所潛在的職業危害與財產損失也愈來愈 beam) 、 X-ray 或光能之單元設備及使用
複雜
, 舉凡半導體製程中的磊晶、擴散、離 放射線物質於洩漏偵測之儀器等 皆有潛
,
子植入、化學氣相沈積、蝕刻和微影等製程 在發生游離輻射之危害。游離輻射為具有
單元所常使用的化學品
, 雖然儲存量與使用
,
足夠能量的電磁輻射 對曝露的人體具傷
,
量皆遠小於化學或石化工業所處理與使用 害細胞效應 預防與控制措施可從三方面
,
量 但是由於具有著火性、可燃性、毒性、 著手 :
腐蝕性等本質危書特性 故廠房充滿了火
, A. 降低或限制人員曝露時間。
, B. 增加輻射源與操作人員的距離。
災、爆炸、中毒、缺氧等潛在危害 製程單
元一旦發生洩漏或操作異常 除了導致人員
, c. 強化輻射源與操作人員之保護屏障。
,
傷亡外 甚至可能造成重大財產損失。例如 依據實務控制游離輻射的觀點
, 限制
1996 年發生的華邦三廠火災及 1997 年發生 曝露時間是困難實施的
, 增加距離也是不
的聯瑞火災事件即為鮮明的例證。 切實際的
, 因此最好的控制預防方法為建
一般說來 , 半導體製程有下列的潛在危 立良好的工程實務標準 ' 以作為設計適切

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 103
而且足夠的保護屏障之依據。 ductor Equipment and Materials International,
(4) 非游離輻射。半導體製程有潛在發生非游 SEMI) 於 2000 年公布的「半導體製造設備
離輻射之危害源包括 : 安全指引標準 J SEMI S2-0200 有關於危害
A. 蝕刻機 ( etching) 、游鍍機 ( sputter- 分析 ( Hazard Analysis) 一章中特別強調新
ing) 等之 RF 產生器。 設備在裝機使用前應先以 S2-0200 標準進行
B. 製程單元之加熱用燈 (heat lamps) 產 評估
, 除非能 100 % 的符合 S2-0200 的標準
生紅外線 (IR) 要求
, 否則應執行系統危害分析
, 即已明確
C. 製程單元所使用水銀蒸氣燈 ( mercury 指出半導體製程風險評估的重要性。
vapor lamps) 產生紫外線 (UV) 等。 而我國相關法規要求須執行製程安全評
非游離輻射會造成眼睛與皮膚傷害
, 估者羊毛危險性工作場所
, I
勞動檢查法施行
或引起令人惡厭之電效應干擾重要設備的 細則」對於危險性工作場所的定義與高科技
操作功能
,
或發生靜電火花等。就如同前 產業有關者可能僅止於磊品、DRAM 、品圓
, 代工、 TFT - LCD 、神化館、部份 LED 光電
項 c 所提及 最有效的預防非游離輻射之
方法為建立良好的工程實務標準 以作為
, 製程等
, 如表一所整理者為目前「勞動檢查
設計適切而且足夠的保護屏障之依據。 法施行細貝。」附表一、附表二所列製造、處
(5) 機械危害。半導體製程有使用機械人 (Ro- 置、使用危險物、有害物之數量達中央主管
botics) 與自動化操作之相關製程單元有 機關規定數量之高科技產業工作場所。但以
潛在對相關人員發生機械危害之虞
, 例如 近日所發生的汐止東方科學園區大火一案為
設備元件之功能異常與移動部份對人員所 例
, 雖直接曝露了緊急應變計畫及指揮系統
發生之撞擊夾捲等機械性危害。 的問題
, 但更為人所質疑和詬病者可能是防
國際半導體設備與材料協會 ( Semicon- 火區隔的變更、消防設備的變更乃至於雌幕
表一 半導體及光電製程法定危險性工作場所相關危害物及管制量

物質名稱 化學式 限量(公斤) 目前一般業者是否可能超過限量


E君
矽甲院 SiH4 50 主E

過氧化氫 HzOz 5,000 是

氫氣 Hz 20,000 否

氯 Clz 5,000 否

磷化氫 PH3 50 是
E君
氣化氫 HF 1,000 主E

氯 NH3 50,000 否

氯化氫 HCI 5,000 否

臭氧 03 100 否
E司
神化氫 AsH3 50 7E

澳 Brz 1,000 否

註 : 50 公尺內所有設備機台總量計算

104 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
表二 毒性物質曝露等級

毒性物質曝露指數範闇 毒性物質曝露等級

0-5 O

6 - 15

16 - 35 2

36 - 70 3

> 70 4

高樓灑水系統因不當理由調整後之功能不足 製程機型執行初步危害分析 ( Preliminary


Hazard Analysis) ,
或完全失去原設計應有之功能。所以風險評 篩選出高潛在危害的機
估與變更管理不獨對於危險性工作場所至為 台製程
, 再利用以危害與可操作性分析
重要
,
事實上幾乎所有的意外事故皆與風險 ( Hazard and Operability Study, HazOp ) 或
,
評估和變更管理之不足 及未能正確依循既 失誤模式與影響分析 (Failure Modes and
定設計或作業標準有關。 Effects Analysis, FMEA) 為主的方法進行
進一步的評估 , 以提昇評估的效率 , 評估流
二、半導體製程安全評估流程
程如圖 - 0

半導體製程安全評估除如前文說明外
,
三、初步危害分析 : 半導體機台相對危害
歸納起來具有以下的多重目的 :
等級分析法
(1) 符合危險性工作場所審查暨檢查法規之
要求。 由於至 1997 年半導體產業界尚未發展
(2) 客觀指引出重大潛在危害之製程單元。 出簡易的初步風險評估工具 工研院環安衛
,
(3) 風險管理的一環。 中心乃參考陶氏 ( Dow ) 化學公司所發展之
(4) 提供工程人員檢核設備機台構造與設計 ,
化學曝露指數 (CEI) 針對半導體製程、
原理的機會。 機台及廠務特性加以研究修正後 藉由一種 ,
(5) 辨識硬體設計的盲點。 ,
可相互比較和量化的方式 表達成為簡單、
(6) 辨識安全管理措施的需求。 經驗式的等級
, 發展為半導體機台相對危害
(7) 作為風險控制決策的重要參考指標。 ,
等級分析方法 目的在於提供快速而簡便的
早期我們在國內推行製程安全評估的觀 定量評估方法來計算各機台之相對風險
, 藉
念和做法主要的對象是傳統的化學工業與石 此可作為風險排序的依據。
化廠
, 但自 1997 年以後因國內產業結構已 半導體機台相對危書等級分析乃是考量
發生變化及法規的要求
, 我們將在石化廠的 因半導體機台化學物質外洩所造成之危害性
經驗逐步修改移轉至半導體工業製程
, 且成 大小的一種評估方法。根據過去意外事故的
功的發展出兩階段式的半導體製程安全評估 統計
, 造成半導體廠損失的最主要因素為化
模式。首先我們參考陶氏化學公司的化學曝 學物質外洩 而化學物質所造成的危害可分
,
露指數 ( Chemical Exposure Index, CEI ) 發 為兩類 : 火災與毒性。本方法即綜合考量化
展了“半導體機台相對危害等級分析 " 方 學物質外洩所造成之火災爆炸及毒性危害
,
,
用以評定各機台之相對危害等級大小
, 作為
法 以此較簡易的方法對為數眾多的半導體

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 105
製程資訊調查

初步危害分析

失誤模式與影響分析 (FMEA) 或
危害與可操作性分析 (Haze)

改善建議追蹤


半導體製程安全評估模式

確立後續所需評估頻率和深度的基礎。 害等級。
本方法考慮了五種因子
, 這些因子會影 (4) 將評估所得之五項危害等級數相乘即可
響化學物質外洩所造成之危害的嚴重性或可 得到毒性物質曝露指數。
能性 : (5) 根據表二可將毒性物質曝露指數轉換為
(I) 物質本質危害 ( 立即健康危害 / 物質火 毒性物質曝露等級。
災爆炸本質危害 ) (6) 辨識出該機台所使用之化學物質中易燃
(2) 蒸氣量 性 (Nf) 或反應性 (Nr) 最高之物質
(3) 通風系統 作為評估火災爆炸危害之物質。
(4) 製程危書 (7) 根據 3.2 節火災爆炸危害指數所考慮之
(5) 人員 / 設備財產曝露 五項危害因子分別評估每一項因子之危
本方法經由科技專案業界合作計畫之研 害等級。
發及在實際之八吋晶圓廠進行試評後多次修 (8) 將評估所得之五項危害等級數相乘即可
,
正而成 所以己考慮了現場實務。本方法若 得到火災爆炸危害指數。
, (9) 根據表三可將火災爆炸危害指數轉換為
使用於廠務系統 其風險有低估之虞。圖二
,
為其評估流程 步驟說明如下 : 火災爆炸危害等級。
(I) 選擇一個真有潛在火災、爆炸及毒性物 ao) 取毒性物質曝露等級與火災爆炸危害等
質外油之機台。 級較高者為機台相對危害等級 ; 若毒性
(2) 辨識出該機台所使用之化學物質中毒性 物質曝露等級與火災爆炸危害等級兩者
( 立即健康危害因子 ) 最高之物質作為評 均大於或等於 3 ' 則取較高之等級加 l
估毒性物質曝露之物質。 作為機台相對危害等級。
(3) 根據 3.1 節毒性物質曝露指數所考慮之 ω根據表四可將機台相對危害等級對應出
五項危害因子分別評估每一項因子之危 此機台之危害程度。

106 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
決定物質火災爆炸
危害等級

決定人員 / 設備財產
曝露等級

決定火災爆炸危害等級

圖二 半導體機台相對危害等級分析流程圖

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 107

一一一

火 災 爆 炸 危 害 等級
火災爆炸危害指數範圍 火災爆炸危害等級
。一10 。

11 - 35

36 - 60 2

61 - 100 3

> 100 4

3.1 毒性物質曝露指數 HF) , 則取等級數為其 Nh 值


, 而蒸氣量
C1) 立即健康危害 則取其最大洩漏量。
立即健康危害受到以下兩種因素的影 (2) 蒸氣量
, 物質在可能之“最壞狀況 " 15 分鐘內
響 即物質具有之立即性毒性濃度及產生驅
動力使其揮發並將物質維持於大氣中的蒸氣 會以氣態洩漏或蒸發的最大量。選擇可能之
壓。針對此等級數的目的 以 ppm 表示之
, 壓力、溫度、機械故障、失控反應、污染或
緊急應變計畫指數 ( ERPG-2 ) 用來作為毒 人為失誤的最壞狀況
, 但不要任意假設 100
; ,
性量度 揮發性由蒸汽壓來量度 蒸氣壓以 % 的內合物在 15 分鐘內會洩光並完全蒸發。
mmHg 為單位 , 於 25 C 下最高至 760mmHg 4 一
> 10 kg
立即健康危害因子為將 ERPG-2 濃度乘上 3 - 1 1 0 kg
760 再除以蒸氣壓求出 , 即下列公式 :
'"

2 - 100g"'999 g

l < 100 g
,
立即健康危害因子 = ERPG-2 (ppm) x760 ※若物質於常溫常壓下為液態且具腐蝕性
(mmHg) / 蒸氣壓 ( mmHg ) 則蒸氣量取其最大洩漏量。
(3) 通風系統
立即健康危害因子依下列範團來指定其 物質之擴散直接受到所在地點之通風系
等級數 : 統的影響。
5 - 0"'0.99 立即健康危害因子 2 一一般室內通風系統 , 如化學品庫房、
4 - 1 "'9.9 立即健康危害因子 氣體房等。
3 - 10"'99 立即健康危害因子 1.5 一回風區 (RAP 或 SUB-FAB) 內有
2 - 100"'999 立即健康危害因子 強制通風對流
, 氣流直接經由側面
1 - 1000", 100,000 立即健康危害因子 之回風系統排出
, 因此洩漏的物質
O 一
>
立即健康危害因子 100,000 易被稀釋且不易滯留。
※若物質無ERPG-2
,
值 可取物質之短時間 1 - F AB 內有強制通風對流 , 氣流直接
時量平均容許濃度 (STEL) 或最高容許 經由高架地板帶至下層之回風系統
,
濃度 (CEILING)' 亦可採用時量平均 因此洩漏的物質易被稀釋且不易滯
容許濃度 (TWA) 之 3 倍。 留。
※若物質於常溫常壓下為液態 且其 NFPA
, l 一室外 , 洩漏的物質易被稀釋且不易滯
危害等級中的 Nh ( 健康危害性 ) 為 4 ( 如 留。

108 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
表四 機台危害程度

機台相對危害等級範圍 危害程度
。一l 低度

2-3 中度
4-5 局度

(4) 製程危害 ,
員、維修人員或其他相關人員工作
A. 若系統之壓力超過 10 psig (1.75 絕對 可考量為人員最可能曝露的區域。
大氣壓 ) , 因子值取 2 。
2 一回風區(RAP 或 SUB-FAB) 有部份作
B. 若物質在 100 C 以下為熱不安定或可能 業人員在內工作
, 且設備維修人員須
具有熱不安定性
, 或與一般物質如空 執行 PM 工作。
氣、水或其他可能之污染物等接觸會起 l 一化學品庫房/ 氣體房內作業人員需更換
,
反應 則因子值取 2 。
酸桶/ 鋼瓶
, 有一些例行性操作。
C 若物質於機台中為液態、且有加熱裝置 ,
則因子值取 2 。若有上述兩種因子存 3.2 火災爆炸危害指數

, 因子值取 3 ; 若有上述三種因子存 (1) 物質火災爆炸本質危害
,
在 因子值取 4; 若上述因子均不存 質之NFPA 危害等級中的 Nf( 易燃性 )
,
在 則因子值取 1 。
值為其因子值
, 其數值範圍為 0 ,4, 數值
D. 若機台之操作採人工方式且人員有直接 愈大代表危害性愈高。若物質之 Nr ( 反應
接觸化學物質之虞者
, 則因子值取 4 。
性 ) 值三三 3 ' 則取 Nf 與 Nr 數值較大者為其
(5) 人員曝露 因子值。若物質無法查得其 Nf 值 可依下
,
曝露量所評估的單元或機台發生洩漏 表決定其 Nf 值。下表為 NFPA-J18 對於易

, 附近人員曝露的可能。 燃性之定義 :
3 - FAB 內由於一天 24 小時皆有作業人
Nf{vô 條件

1.易燃性氣體。
4 2.自燃性物質。
3.閃火點< 22.8°C(73°F)Nl¸žÞ< 37.8°C(100°F)NKriŒê0

1.閃火點< 22.8°C (73°F)Nl¸žÞQh37.8°C (lOO°F)NKm²šÔ0


3
2.•ƒpkžÞ•22.8°C ((73°F)Nl¸žÞ< 37.8°C (lOO°F)NKm²šÔ0

2 37.8°C (lOO°F) <閃火點< 93.4°C (200°F)NKm²šÔ0

閃火點> 93.4°C (200°F)NKm²šÔ0

。 非可燃性。

(2) 蒸氣量 壓力、溫度、機械故障、失控反應、污染或


,
物質在可能之“最壞狀況 " 15 分鐘內 人為失誤的最壞狀況 但不要任意假設 100
會以氣態洩漏或蒸發的最大量。選擇可能之 % 的內合物在 15 分鐘內會洩光並完全蒸發。

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 109
一 , 附近人員 / 設備財產曝露的可能。
4 > 10 kg 時
3 - 1 1 0 kg
"-
3 - F AB 內由於一天 24 小時皆有作業人
2 - 1 00g"-999 g 員、維修人員或其他相關人員工作
,
l 一
< 100 g 可考量為人員最可能曝露的區域。
, 則 FAB 內各式機台排列密集 , 財產價值
※若物質火災爆炸本質危害考量反應性
蒸氣量取其最大洩漏量。 昂貴。
(3) 通風系統 2 一回風區 (RAP 或 SUB-FAB) 有部份作
物質之擴散直接受到所在地點之通風系 業人員在內工作
, 且設備維修人員須
統的影響。 執行PM 工作。回風區內有部份機台、
2 一一般室內通風系統 , 如化學晶庫房、 鋼瓶及設施 財產價值較高。
,
氣體房等。 l 一化學品庫房 / 氣體房內作業人員需更
,
1.5 一回風區 (RAP 或 SUB-FAB) 內有強制 換酸桶 / 鋼瓶 有一些例行性操作。
,
通風對流 氣流直接經由側面之回 化學品庫房 / 氣體房內僅有供酸機台
,
風系統排出 因此油漏的物質易被 或氣瓶植
, 財產價值較低。
稀釋且不易滯留。 表五為 PECVD 製程利用此方法評估的結果
1 - FAB 內有強制通風對流 , 氣流直接 之範例。
經由高架地板帶至下層之回風系統
,
四、危害與可操作性分析應用於半導體製
因此洩漏的物質易被稀釋且不易滯

留。
l 一室外 , 洩漏的物質易被稀釋且不易滯 危害與可操作 1 生分析 ( HazOp ) 原是
留。 ICI 化學公司在 1960 年代為評估其高潛在
※若物質具有自燃性則此項危害點數取 3 。
危害製程所發展出的評估方法 其特色是利
,
(4) 製程危害 用偏離引導字 ( guidewor 由 ) 與製程參數組
A. 若系統之壓力超過 10 psig (1.75 絕對 合後發展出有意義的製程偏離 ( process de-
) , viation) ,
大氣壓 因子值取 2 。
以檢驗製程區段之異常偏離是否
B. 若物質在 100 C 以下為熱不安定或可能 會發生 ? 發生的原因為何 ? 發生後的後果是
具有熱不安定性 或與一般物質如空 什麼 ? 有什麼危害 ? 並辨識系統既有的防護
,
氣、水或其他可能之污染物等接觸會起 措施和設計 , 是否足以保護 ? 風險是否可接
反應 則因子值取 2
, 。

受 ? 此一過程須結合各種專業工程人員組成
c. 若所考量的易燃性物質本身也具有毒性 , ,
評估小組 透過會議研討的方式 進行腦力
特性 (Nh 孟 2) ,
於發生洩漏時恐會影 ,
激盪 將專業知識、工程原理、標準規範及
響緊急處置能力
,則因子值取 2 。若有
,
個人的工業經驗交流彙整後 辨識出所有可
上述兩種因子存在
, 因子值取 3 ; 若有 能的作業危害
, 但因為採用引導字以規範會
上述三種因子存在
,
因子值取 4; 若上 議研討的模式
, 因此是一種結構化的腦力激
述因子均不存在
, 則因子值取 1 。
盪。在評估前須儘可能的收集與準備下列資
,
D. 若物質於機台中為液態且有加熱裝置 料以便利於評估風險 :
則因子值取 4 。 (1) 更新的管線儀器圖 ( P &ID )
(5) 人員 / 設備財產曝露 (2) 製程流程圖 ( PFD )
為考量所評估的單元或機台發生洩漏 (3) 聯鎖 / 警報作動序列

110 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
表五 PECVD 製程初步危害分析表

工廠:一 評估人員:一
j!}D:T/F 毒性物質: PH3 可燃性物質: Si
機台: PECVD 一、毒性物質曝露 二、火災爆炸危害

1.立即健康危害(0
- 5) /物質火災爆炸本質危害
5 4
(0-4)

2.„¸l#‘Ï(1-4) 2
3.•˜¨|û}q(1-3) 3
4.ˆýzSq[³(1-4) 3 3
5.人員/設備財產曝露(1-3) 3 3
毒性物質曝露指數/火災爆炸危害指數 45 216

毒性物質曝露等級(0-4)/火災爆炸危害等級(0
3 4
- 4)
機台相對危害等級(0-5) 5
機台危害程度 局度

(4) 製程描述 ﹒每一條氣體或化學品供應管線皆為一


(5) 操作手冊 / 程序 節點。
(6) 物質安全資料表 ( MSDS ) . Chamber 、 Exhaust
( 含真空菜 ) 及
(7) 工廠配置圖 Local Scrubber 各為一節點。
(8) 相關之意外事故報告書 (2) 濕式清洗系統 ( Wet Bench)
(9) 相關之工業標準規範 , 如 SEMI 、
﹒因屬批式的內循環系統
, 各酸槽間以
NFPA FM . . {I 、 、

機械手臂運送晶圓
, 故將之模組化
ao) 其他對評估有幫助的資訊 ( 如 HF 模組、 APM 模組、 SPM 模
評估前應依製程特性與操作原理將製程 組 ) 各為一節點。
系統劃分羊毛若干製程區段作為研討節點 (3) 氣瓶櫃 :
(Nodes) , ,
以便逐節點進行分析 而研討 .管線部份如上述機台供應管線之做
節點劃分的一般原則如下 : 法。
(1) 定義每個主要製程元件為一節點 ﹒換瓶、維修之操作程序中的每一步驟
(2) 定義每個與既存設備連接的管線為一節 各為一節點。
點 評估期間所研討之製程偏離以管線系統
(3) 定義介於每個主要節點間的管線為一節 為例如表六。HazOp 分析之全藐示意圖如
點 圖三。另評估過程中我們引用SEMI S 1 0-96
(4) 定義每一具有單一作用或目的的分支管 ,
風險評估標準以量化各製程偏離的風險 如
線為一節點 表七對於嚴重性或後果 ( Consequence) 分
針對半導體製程設備系統的特性
, 我們
,
級的定義 表八對於頻率或可能性 ( Likeli-
又將節點劃分的方式歸為幾類 : hood) 分級的定義 , 兩者的組合指標即風
(1) 機台 : 險
, 如表九之風險評估矩陣。

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 111
正面的
態度
會議領導

一一一一一--+

/"-

知識

…一原一
一一因一
叫﹁ ﹂
1|ll
圖三

危害與可操作性分析示意圖
表六

管線系統之偏離引導字

較多 較少/無 NPÅ.... ..SÉ 只有部份 相反的 –d.. . .之外

什些 流量
(More) (Less€˜0)

﹒低/無流 ﹒雜質(不
(As well as) (Part of) (Reverse) (Other

﹒錯誤物質
than)

﹒局流量 主呈
﹒錯誤組成 ﹒逆流
(Flow) 主旦 相容物) ﹒流向錯誤

壓力
﹒局壓 ﹒低壓
(Pressure)

溫度
﹒晶溫 ﹒低溫
(Tempreture)

﹒洩漏/破
結構材質

﹒閥件內漏
﹒空氣漏入
油漏 (含控制
儀器空氣
CD A)

. PurgeN
維修
完全

112 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
表七 嚴重性等級

嚴重性分類 人 貝 設備/設施 洩 漏

化學物質洩漏,具有立即或持續對環境
大重 1人以上死亡 系統或設施損失
或大眾健康造成傷害

主要次系統損失 化學物質洩漏,具有暫性對環境或大眾
2 兩度 永久失能
或設施損壞 健康造成傷書

醫療傷害或暫時 次要次系統損失 化學物質洩漏,需對外界說明事故調杏


3 中度
失能 或設施損壞 報告

非重要設備或設 化學物質洩漏,僅需例行性的清除,未
4 低度 僅需一般性治療
施損壞 執行事故調查報告

表八 可能性等級

可能性分類 預期發生頻率
A 經常的 每年超過5次

B 可能的 每年超過1次,但未超過5次

C 也許的 5年內超過1次,但未超過1年1次

D 稀少的 10年內超過1次,但5年內未超過1次

E 極不可能的 10年內未超過1次

表九 風險評估矩陣

風險評估矩陣
可能性
A B C D E

2 3 4

嚴 2 2 3 4 4

性 3 2 3 4 4 5

4 3 4 4 5 5

等為高度危害製程 ; 薄膜模組的高度危害製
五、分析結果統計與範例
程則以化學氣相沉積 (CVD) 為主 ; 黃光
圖四是我們在某晶圓廠應用“半導體機 微影區的主要危害是光阻劑及其溶劑的長期
, ,
台相對危害等級分析法" 執行初步危害分 曝露問題 致癌性和影響生育之危害 因大

, 各模組設備的結果統計。一般的經驗是 部份已知危害性的溶劑皆已被取代 且機台
,
, ,
擴散模組中的爐管製程、離子植入、部份的 之操作都為閉密式 包括更換藥品 因此未
濕式清洗機台、零件及爐管維修之清洗機台 評估出高危害機台 ; 蝕刻模組的問題在於

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 113
co 和酸性氣體之毒性與腐蝕性 ; 廠務系統 週期變動快速等產業特性
, 迫使業者必須在
的高度危害是特殊氣體的氣瓶櫃及 49 % HF 最短的時間內因應市場與製程之需而做出調
的供酸系統。此等級評估法的限制主要為以 整 ? 因此在“變更" 的常態下又必須面對因

下兩點 : 此而產生之“高風險 " 的事實是我們在此嘗


(1) 以化學性危害為主 , 噪音、游離輻射、非 試探討的關鍵性課題。
游離輻射、電氣危害、機械性危害等物理 1992 年美國政府勞工部職業安全衛生
性危害末考慮。 署 (OSHA) 制訂並公佈施行之製程安全管
(2) 化學性危害又以毒性物質外洩與火災之立 理 (PSM)
,
法案 將變更管理 ( Management
,
即性危害為主 而慢性危害未考慮。 納入立法管理 , 要求高
of Change' MOC)
,
此兩項限制的主因皆在於本評估法的設 危害性製程工廠建立制度 對製程之修改應
計背景是製程安全和危險性工作場所法規中 有正式的申請程序、核准程序、執行必要的
之列管危害物之故。關於第 (2) 項限制可於本 安全評估、相關人員必須告知 / 訓練、技術
質危害因子加入慢毒性因子之考慮予以補 資料須作必要之更新等。而我國「危險性工
,
強 而第 (1) 項限制則建議另行以 Checklist 作場所審查暨檢查辦法」亦要求訂定製程修
,
或其他方法加以辨識。 改安全計畫 有別於以往業界慣用的工程服
經由初步危害分析結果辨識之高度危害
,
務申請程序 僅作經費與時程之管控 及
,
機台製程進一步以危害與可操作性分析 ISO 9000 較著重於文件管制 , 製程變更風
( HazOp ) 進行評估 , 表十是矽甲院氣瓶植 險評估成為一項重要的管理程序。
系統之評估示範。我們除了應用 HazOp 分 依「危險性工作場所審查暨檢查辦法」
,
析系統化的優點外 另加入 SEMI S 1 0-96 評
,
附件三之規定 製程修改安全計畫至少應含
, FM
估風險 改善建議欄中則考慮 SEMI 、
下列事項 :
等標準之優良工業實務建議以加強製程安 (1) 製程修改程序
全。 (2) 安全衛生影響評估措施
(3) 製程操作手冊修正措施
六、高科技廠房變更管理需求的背景
(4) 製程資料更新措施
“危害鑑別、風險評估與風險控制之規 (5) 勞王教育訓練措施
劃" 為建立以風險為基礎的安全衛生計畫的 (6) 其他配合措施
基本模式。然而製程工廠中可能隨時會因操
七、案例研究 : HDPCVD 廢氣處理系統及
作、維修、產能、產品規格、能源節約、工
廠務排風管洩漏事件
安環保、經濟性因素或其他非經濟性因素而
進行一些修改專案、緊急變更、臨時性變 高密度電漿化學氣相沉積(HDPCVD)
, ,
更 甚致細微的零組件變更 是否會產生新 ,
是半導體製程中薄膜模組的重要製程設備
的風險 ? 異動了某些設計是否會和原系統設 其製程流程如圖五所示。本案例並非製程配
計不相容 ? 或者破壞了原來風險評估的完整 方、操作條件或者機台設備零組件的變吏
,
性與正確性 ? 在未做過適當的安全審查或影 而與反應完後之反應腔後清洗 (post-clean)
響評估是無法確認的。而往往大部份變更案 有關。既有的 CVD 後清洗採用與乾蝕刻類
,
件都有時程壓力 大家為了搶時間而跳過了 ,
似的氣體 包括 : CF4
,
C2 恥、 C4Fs 等 而

,
許多必要的管理程序 因此造成了許多潛在 這些氣體都是所謂的過氣化物 ( perfluorin-
性的風險。但高科技產業的巨額投資
, 產業 ated compounds, PFC) , ,
非常穩定 排放

114 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
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圖四 初步危害分析統計範例

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什 Fan
Scrubber Scrubber
| ←」 Line

Exhaust
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圖五 化學氣相沉積機台模組流程
, (Local Scrubber) 進行探討。表十一是 CVD
至大氣中衰解速率非常緩慢 因此是形成溫
,
室效應的因素 被列為半導體製造工業環保 製程及 RF 後清洗與微波電漿後清洗的比較
減量的對象。而目前被廣泛應用的替代程序 表 ; 表十二是各型局部排氣洗游器的主要操
是微波電漿後清洗
, 取代的氣體是三氣化氮 作條件。
( nitrogen trifluoride) 'NF 3 。但是卻因此
前述之製程變更雖不涉及反應配方與反
而致使某些廢氣處理系統的氧化燃燒管及尾 應操作條件
, 但仍引入了新的原物料
, 因此
氣抽風管破裂洩漏。本例中我們針對 Burn 亦屬於製程技術變更。有趣的是許多晶圓廠
Box CDO
、 DAS 等三型局部排氣洗游器

在運轉操作不具 H2/ NH3 配方的條件下


,

116 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
表十一 化學氣相沉積與後清洗方法

製程 主要原物料 局部排氣洗撫器
CVDlDeposition SiHJTEOS
Bum Box
RF Chamber Clean CFJC2F.,IC4Fs CDO
DAS
Microwave Chamber Clean NF3


機型 局部排氣洗游設備之主要操作條件
功A區
目匕 溫度 供應氣體
Bum Box 氧化 25°C 乾空氣

氧化 \@e¼800°C
CDO 乾空氣
洗、游 低於50°C

燃燒 \@e¼1400°C
乾空氣與LNG
洗撫 低於50°C

Burn Box 與 CDO 系統都發生了漏氣現象 , CDO without ad it on of H2/ NH3 :


但採用 DAS
系統者卻未出事。而對發生洩
, Oxidation
漏的系統的尾氣進行取樣分析 發現了 F2 NF3 (g) + O2 (g) 今
F 2 (g)

異常偏高。此事件經相關設備供應商應用材
Partial Scrubbing
料公司的調查研究找到了可能的化學反應機 今 HF (aq) + OF2 (g)

構 ,CDO 在不具也 /NH3 製程配方的條件


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下 過多的後清洗氣體 NF3 會與其所供入 /H

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的氧氣氧化反應產生 F2
' 而經水洗後僅部
份 F2 被反應成極低濃度的水溶液態 HF, 因 DAS:
此系統內存在過多的 F2 於昇溫受熱後會被 Burning
, NF3 (g) + O2 (g) + CH4 (g)
原子化 持續受熱又會被還原為 F2 ' 所以 F
Scrubbing
2 在系統中不斷被累積致高濃度。 F2 對加熱 H EI 今 HF (aq)

的氧化器不鏡鋼管有材料脆化孔蝕效應 對
, ghG

Burning
PP 材質的尾氣抽風管更有小分子穿透效應 , F +

,- (g)
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CH4
這些都是造成洩漏的原因。另 OF2 的生成
,
Burning
HF (g)
其毒性亦高於 F2 ' 造成嚴重之工安事故。 H ﹒ Scavenger '0

使用 DAS 系統的廠商在反應過程中 NF3 亦


, ,
會氧化反應生成 F2
' 昇溫受熱後被原子化 本案例的解決方案很簡單 包括 :
但天然氣中的甲 : 院分子在此扮演了清道夫的 (1) 辨識及縮短 CDO 氧化器鋼管的維修與更
, ,
角色把氣原子拿掉 F2 會不斷的被消耗 剩 換頻率。
餘微量的 F2 燃燒反應為 HF, 最後被水洗 (2) 以 DAS 或其他局部排氣洗游設備取代
掉。反應機構示意如下 : CDO 。

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 117
(3) PP 材質的尾氣抽風管全部更換為 Teflon 管理的合理管制範圍之定義
, 及風險評估的
內襯的不鏡鋼管。 方法
, 表十三是我們建議高科技廠房在思考
(4) 將 NH3/ H2 引入 CDO 鋼管
, 反應機構將 建制變更管理制度時可以考慮的範圍
, 亦可
成為 : 作為初步風險評估的檢核表。

Heating 九、高科技廠房如何運作變更管理
NF3 (g) + O2 (g) + H2 (g)

要建立一套可行的變更管理制度 首先
,
Scrubbing
HF (g) 今 HF (aq)
要能了解到有那些因素可能會造成變更管理
運作困難。我們從一般事業單位或製程工廠
在此我們要探討的關鍵恐怕還不是此技 經營管理層面作一些剖析
, 大約可歸納為以
,
術層面的問題 而是管理上的盲點。我們都 下幾點 :
了解半導體製造工業現行的人員編制依功能 (1) 既有的事業單位或工廠運作文化中專業
分為製程、設備、廠務、工安等
, 本案例中 人員或專業工程師經常扮演舉足輕重的
的原物料變更與技術變更恐怕只有製程工程 角色
, 如其能經由改良流程、調整設備
師了解
,
設備工程師被告知配合 而廠務工
, 來建立其個人專業權威將更增強此種角
,
程師大概僅被告知供氣 工安工程師可能只 色
, 而制度化的變更管理會使人誤會他
有等到事故發生後再來調查追溯了。這是很 可能失去權威。
明顯的管理系統整合的問題。或許有人會認 (2) 由前文中變更管理或製程修改安全計畫
為這一類的變更如在以往完全沒有經驗的情 的要求
, 感覺上需要增加許多文書工
況下可能極難經由安全評估中檢討出來。但 作。
,
如果沒有變更管理的機制 則連任何因此而 (3) 變更管理因制度上的需要 幾乎工廠中
,
,
產生的新風險都沒有被辨識或鑑別的機會 各階層、各部門的人都可能涉入 因此
了。 考驗管理階層與操作 / 維修僚屬間的互
動關係。
八、變更管理流程
(4) 在一般工廠的操作文化中變更是經常性
變更管理中最重要的三個原則為 : 的且是必須的
, 非常頻繁。
(1) 透過正式的申請程序 , 經過安全衛生影響 (5) 管理階層及其對資源的承諾不夠。
評估或風險評估確認不會產生新的風險
, (6) 沒有現行的製程安全資訊與操作程序或
再由適當被授權的人員核准變吏。 其不完整。
(2) 在正式變更敢用作業前 , 相關人員被適度 (7) 時間不夠-變更管理將延遲工作的完成。
,
的訓練或告知以免誤用或誤操作而危及人 因此 要如何使變更管理運作容易可考慮的
員安全與健康。 方向有 :
(3) 相關的技術資料、圖表、文件定期更新 , (1) 使用既有的組織、管理、工作模式、作

以維持與現場的一致性。 業流程與溝通方式來運作變更管理。
圖六是我們依此三個原則
, 參考我國危 (2) 更新製程安全資訊 , 包括 : 管線儀器圖
險性工作場所審查暨檢查辦法、美國 OSHA (P & ID) 、設備技術文件、配置圖
PSM 法規及杜邦公司 MOC 實務上運作的方 等。
, (3) 清晰且明確的定義什麼是“變更"
法 彙整並簡化為一般業者可能可以執行的 什
模式。然而其中的關鍵性問題應該還是變更 麼是“同型替換" ( 不需變更管理 ) 。

118 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)
提出變更申請

執行相關作業 第一階段結案
執行風險評估
程序

審查及核准 試用

準備/ 草擬操 試用期滿


作程序書及必 效能評估
要之工程草圖

實施變更 / 修

相關人員訓練 正式之技術資 回復
/ 告知 料 ISO 文件更

開車前/ 敵用
第二階段結案
前安全檢查

圖六 變更管理流程圖

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 119
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(4) 使用既有的工作模式 , 並提供簡單的程 虛驚事故
序以辨識與記錄變更案件。 / 虛驚事
﹒檢討因變更而產生意外事故
(5) 整合“變更管理" 至既有的審查及核准 故的文獻或報告
程序中
, 例如 : 既有的作業申請 / 工單 ﹒以設施/ 設備的單元分類或零組件去
,
系統 及開車前安全檢查制度。 定義“變更 "
(6) 設計並使用簡單的“變更申請表" 去辨 (5) 將“變更 " 歸類為工廠人員所了解的種
識與管理變更案件。 類
, 例如 :
佇 ) 提供一可能需“變更管理" 的變更類型 ﹒操作與維修變更 ( 作業程序 )
/ 種類的表列。 ﹒製程機台、廠務系統變更 ( 設備 )
其他必須考慮的細節尚包括 : ﹒易燃性、爆炸性、毒性危害變更 ( 化
(8) 由誰負責辨識“非同型更換" 的工作之 學物質 )
發生 ? ﹒製程技術與設備變更 ( 設計 )
(9) 由誰負責審查與核准是否為“非同型更 (6) 訂定審查 / 核准變吏的管理位階和權
換" ? 責。何種位階的人與何種位階的權限可
仰是否某些種類的非同型變更己提供了己 以審查、安裝或執行? 權貴的定義必須
經核准的相關維修或安裝程序 ? 到可負責並有權的位階
, 才不致延遲整
ω何種程度的製程危害分析可滿足變更管 個程序的運作。
理的需求 ? 檢核表、 What-if 腦力激盪、 (7) 設計變更申請表。
危害與可操作性分析 ( HazOp) ? (8) 制定 MOC 程序或修正既有的變更申請
ω由誰負責組織並引導該評估 ?
,
程序 並整合步驟 (4) 至步驟 (7) 的結果
,
ω誰有權核准“變吏 " ? 需包括下列原則 :
ω如何確認己核准的“變更 " 被完成 ? ﹒不同類型變更所需的製程危害分析的
ω何種程序被引導來進行開車前或敢用前 程度
安全檢查 ? ﹒結案前的審查程序
倒在緊急狀況下如何處理非同型變更 ? .相關之檢查與測試程序
仰在夜班、週末、假日期間如何處理非同 .追蹤變更案件
型變更 ? ﹒更新文件資料
,
我們建議可參考下列步驟 循序漸進的建立 (9) 訓練工廠人員去辨認變更及了解變更管
變更管理程序 : 理的重要性
, 及正確使用“變更申請
(1) 使管理階層了解並認同變更管理的需求 表" 。

與重要性。 (10) 稽核變更管理的執行情況 , 包括下列事


(2) 組織 MOC 小組或推行委員會 , 由各功 項需加以驗證 :
能部門的代表人員參與。 ﹒人員是否了解那些變更己納入 MOC?
(3) 指派 MOC 小組或推行委員會的主席或 .人員是否了解如何去依循 MOC 制度
負責人。 並運作之 ?
(4) 準備可能需 MOC 的“變更 " 表列 , 來 ﹒人員是否了解那些文件資料必須更
,
源包括 : 新 己作了那些更新 ?
﹒針對什麼是“變更 " 進行腦力激盪 ,
並定期檢討稽核結果修正制度之可行性
/
﹒檢討廠內因變更而產生的意外事故 以逐步提昇安全績效。然而除前述之推行

化工 第 48 卷第 5 期 (2001) 121
策略外
, 仍必須考慮、實務面的問題與必要
, 參考文獻
的安全標準相結合 才能落實執行。
1. SEMI S2-0200, "Safety Guidelines for
十、變更風險評估的做法與結論
Semiconductor Manufact uring Equipment",
製程變更風險評估的做法並無特定的要 Semiconductor Equipment and Material

, 常用之製程安全評估的方法都可以使 International, 2000.

, 例用 : What-if 腦力激盪法、檢核表分 2. Customer Engineering News, Subject: Flu-
析、失誤模式與影響分析 ( FMEA ) 、危害 orine Effluent Abatement, Applied Mater-
與可操作分析 ( HazOp ) 等。相對於 SEMI ials, 1998.
S2-0200 標準對於危害分析的建議方法包括 3. "Proceedings of Management of Change
What-if 、
FMEA HazOp 等亦都適用於半 、
for CAPCO" , PLG Engineers, Scientists,
導體製程設備模組。但對於特殊具敏感性的 Management Consultants, 1997.
變更案件亦可採用失誤樹分析 (fault tree 4. SEMI S10 θ 6, "Safety Guidelines for Risk
analysis) 將變更前後之潛在風險加以量化 , Assessment", Semiconductor Equipment
或針對不同的可能變更方案之風險加以量化 and Material International, 1996.
並比較之。但對於高科技廠房而言因屬於新 5. Chemical Exposure Index Guide, Dow
興產業
,
大部份的設備元件之使用在事件或 Chemical CO., 1993.
, 6.29 CFRPart 1910.119,"Process Safety Man-
損壞頻率上所累積的經驗不夠多 故於進行
頻率分析時引用元件失誤率 ( failure rate) agement of Highly Hazar dous Ma 剖te叮rials"
數據會面臨到一些困難 此時或許元件的平
, 1992.
均維修時間 ( MTTR) 、平均故障間運轉時 7. Guidelines for Hazard Evaluation Proced-
間 ( MTBF ) 資料 , 及傳統工業如核電廠、 ur 的 , Second Edition with Worked Exam-
化工廠在這方面的經驗數據可供參考。對於 pIes, AIChE, 1989.
小型的變更申請
, 例如改變設備零件規格
, 8. 勞動檢查法施行細則 , 行政院勞委會 ,
如果在相關工程資訊充份的情況下可能僅需 中華民國八十六年四月十六日第一次修
召開一次會議進行 What-if Review 即可
, 正版。
甚至與相關部門利用電話或 e-mail 溝通並 9. 危險性工作場所審查暨檢查辦法 , 行政
;
留下記錄亦可 但如工程資訊不充份且有許 院勞委會
, 中華民國八十八年六月三十
多疑點時
, 則必須進一步收集資料
, 或做必 日第二次修正版。
要之工程計算、模擬、或測試。對於大型或 10. 危險性工作場所製程安全評估訓練教材 ,
複雜的變更專案 則需運用較系統化的方
, 工研院環安中心 中華民國八十八年八
,
,
法 如 : HazOp 或 FMEA 進行逐管線 , 逐 月。
設備元件的細部評估。 11. 陳隆展 , “製程變更管理一杜邦的經
總之
, 變更管理的落實有賴管理制度的 驗" 工業安全科技第 36 期
,
中華民國
設計適當合理
, 與流程能運作順暢
, 管制範 八十九年九月。
圓具可行性且工廠人員能適應
, 所有人員具
有風險管理的共識
, 且能適當且有效的執行
變更風險評估
, 當然最重要的是能於 MOC
,
案件發生時主動提出 納入管理。

122 化工 第 48 卷第 5 期 (2001)

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