Taller IV: Electrnica Anloga

2014
Informe 2: Transistor de unin bipolar y aplicaciones

Edel Madrid Arroyo

Correo-e: eemadrida@unal.edu.co

Introduccin:
En este informe se tiene como objetivo estudiar y
analizar experimentalmente el comportamiento de un
dispositivo electrnico conocido como transistor BJT,
el cual se puede aplicar en sistemas de conmutacin
(interruptor), amplificacin, aislamiento, regulacin,
entre otros. En sentido especfico se estudiar e
implementar con base en el funcionamiento del
transistor un sistema de polarizacin por divisin de
tensin y un regulador de voltaje tipo serie.

Teora
El transistor de unin bipolar es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones, est formado por dos
uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada comportndose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
Existen dos tipos de transistores BJT: los NPN en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores
de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores
bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la
movilidad del electrn es mayor que la movilidad de
los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin. Y los
PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son

PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor

desempeo en la mayora de las circunstancias.
Debido a que el transistor es un dispositivo de tres
terminales, tiene entonces dos uniones, una unin
entre las zonas de emisor y base y otra unin entre las
zonas de base y colector.
El transistor trabaja en una de tres regiones conocidas
como activa, corte y saturacin. Se dice que trabaja
en la regin de corte cuando la unin CE se comporta
como un circuito abierto, ya que la corriente que lo
atraviesa es cero. Trabaja en la regin de saturacin
cuando la unin CE se comporta como un cable, ya
que la diferencia de potencial entre C y E es muy
prxima a cero. Cuando un transistor no est ni en su
regin de saturacin ni en la regin de corte entonces
est en una regin intermedia, la regin activa.

Principales resultados
Circuito de polarizacin de un BJT tipo NPN por
divisin de tensin: La regin de corte se alcanz
con resistencia R2 = 1, la regin activa se alcanz
con resistencia R2 = 600, la regin de saturacin se
alcanz con resistencia R2 = 1,2K
Capacidad de amplificacin del transistor de una
seal AC de pequea amplitud: se observ que la
amplificacin se da mejor en la regin activa, debido
a que en la regin de corte no hay amplificacin y en
la regin de saturacin la seal sufre
deformaciones.
Regulador de voltaje tipo serie: se logr montar un
circuito regulador, donde el voltaje de salida tenda a
mantenerse constante a medida que se aumentaba la
resistencia

Procedimiento experimental.
Simulaciones en LT Spice
Circuito de polarizacin de un transistor NPN
referencia 2N2222 con resistencias (R1, RC, RE) de
1k, resistencia R2 variable para desplazar el punto
de operacin y fuente de voltaje DC de 20V.

Simulacin (medicin del voltaje en R3 para varios

valores de R2)

Figura 1
Simulacin de los voltajes colector base para tres
valores de resistencias en los puntos de operaciones
corto, activo y saturacin.
Grfica 2
Donde las lneas diferentes a la verde central,
corresponden a las regiones activa y saturacin, es
decir, en la nica regin donde no hay amplificacin
es en la regin de corte.
Circuito regulador tipo serie con R1=10k y R2
variable

Grfica 1: Lnea verde regin de corte (R2=1,

VCE=20V, IB=0A, Ic=0A)
Lnea azul regin activa (R2=600, VCE6,4V,
IB32,6uA, Ic6,7mA)
Lnea roja regin de saturacin
VCE0V, IB220uA, Ic9,8mA)

(R2=1,2k,
Figura 3

Circuito de amplificacin de una seal AC de

pequea amplitud (0,5V), con resistencias (R1, RC,
RE) de 1k, resistencia R2 variable para desplazar el
punto de operacin, fuente de voltaje DC de 20V y
resistencia a la salida (R3) de 10k

Simulacin (medicin del voltaje en R2 para varios

valores esta)

Grfica 3 Donde es notorio que con el aumento de la

resistencia, el voltaje de salida tiende a mantenerse
constante
Figura 2

Implementos
Protoboard, diodos, resistencias, capacitores, cables,
multmetro, fuente de voltaje directa, fuente de
voltaje alterna y osciloscopio.

Se mont cada uno de los circuitos mostrados

anteriormente en la parte de simulaciones con los
implementos anteriormente mostrados y se midieron
los respectivos parmetros dados por cada figura.

Regulador de voltaje tipo serie: A continuacin una

tabla con los valores del voltaje de salida para cada
cambio en la resistencia R2

R2()
V(V)

Resultados experimentales

500 1000 1500 2000 2500

3,2 8,8 9,2 9,3 9,3

Circuito de polarizacin de un BJT tipo NPN por

divisin de tensin: se pondrn todos los datos
medidos en cada una de las regiones:

Tabla 1

Corte: R2 = 1 ; VCE = 19,87V ; IB 0 ; IC 0

Circuito de polarizacin de un BJT tipo NPN por

divisin de tensin: los resultados optenidos en la
prctica son muy parecidos a los esperados en las
simulaciones, logrndose as el objetivo de montar un
circuito de polarizacin por divisin de tensin de tal
manera que el punto de operacin se moviera por las
regiones de corte, activa y saturacin. Si tomamos los
valores de la simulacin como los tericos de VCE
los porcentajes de error quedan:

Activa: R2 = 600 ; VCE = 7V ; IB = 3mA ;

6mA

IC =

Saturacin: R2 = 1,2k ; VCE = 0,04V ; IB = 7,9mA

; IC = 10,5mA
Capacidad de amplificacin del transistor de una
seal AC de pequea amplitud: se pondr una
imagen de la forma de la amplificacin en cada una
de las regiones:

Anlisis de datos

%error corte = 0,65%

%error activa = 9,3%
%error activa = lstimosamente no se puede hallar
debido a que el valorterico sera cero
Este error pudo deberse a que la variacin de la
resistencia se hizo con un potencimetro de 5k el cual
no es un dispositivo muy preciso para estas medidas,
o a falsos valores o mal estado des los dems
dispositivos.

Imagen 1. Regin de corte

Capacidad de amplificacin del transistor de una

seal AC de pequea amplitud:
Regin de corte: de la imagen 1 se concluye que no
hay amplificacin, debido a que la onda suministrada
desaparece casi por completo.
Regin activa: de la imagen 2 se concluye que hay
amplificacin y la onda suministrada es idntica (en
el sentido de la forma) a la original.
Regin de saturacin: de la imagen 3 se concluye que
hay amplificacin pero la onda suministrada no es
igual a la de salida, es decir, sufre deformaciones.

Imagen 2. Regin activa

De lo anterior se puede decir que si lo que se quiere

es solamente amplificar la onda, es mejor trabajar en
la regin activa.
Regulador de voltaje tipo serie: con solo mirar la
tabla 1 se concluye que el voltaje de salida tiende a
mantenerse constante a medida que se aumenta la
resistencia. Este error pudo deberse a que la variacin
de la resistencia se hizo con un potencimetro de 5k
el cual no es un dispositivo muy preciso para estas
medidas, o a falsos valores o mal estado des los
dems dispositivos.

Imagen 3. Regin de saturacin

Las medidas de voltaje eran dadas por el oscilocopio,

la fuente directa o la alterna, los caules son
dispositivos con mucha precisin, por lo que el error
es mnimo. Los valores de corriente por el multmetro
en una escala con incertidumbre 0,01. Los valores
de los capacitores tiene un error del 10% y la
resistencia un 5%. Se hizo lo mximo posible para

evitar errores de medicin, como tomar datos a la

ligera o mal tomados. Sin embargo, hay otros factores
que pudieron afectar a la hora de tomar buenas
medidas, como por ejemplo la calibracin de los
instrumentos de medicin, ligeros cambios de valores
de los implementos debido a cambios de temperatura
o humedad, entre otras.

Conclusiones
Se logr montar un circuito de polarizacin de un
BJT tipo NPN por divisin de tensin, pasando el
punto de operacin por la regin de corte, activa y
saturacin.
Se observ que el circuito de amplificacin se da
mejor en la regin activa, debido a que en la regin
de corte no hay amplificacin y en la regin de
saturacin la seal sufre deformaciones.
Se logr montar un circuito regulador, donde el
voltaje de salida tenda a mantenerse constante a
medida que se aumentaba la resistencia.