DIODOS DE POTENCIA

Indice

El diodo de potencia.

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo.

Parmetros en conduccin.

Modelos estticos de diodo.

Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso.

Influencia del trr en la conmutacin.

Tiempo de recuperacin directo.

Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (Pmx).

Potencia media disipada (PAV).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).

Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM).

Caractersticas trmicas

Temperatura de la unin (Tjmx).

Temperatura de almacenamiento (Tstg).

Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc).

Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd).

Proteccin contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades.

Organos de proteccin.

Parmetro I2t.

El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una
pequea intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo.

A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las

cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.

Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.

Potencias:
o Potencia mxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.

Caractersticas trmicas.

Proteccin contra sobreintensidades.

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Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos
de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada
una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.

Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms
el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.

Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en

estado de bloqueo.
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Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de

impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20
ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cpsula (normalmente 25).

Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad

aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se

encuentra en el estado de conduccin.
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Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se

representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin
que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms
complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen
ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras
del programa.
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Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta

instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la
zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta
mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una
tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre
nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo
tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un
valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores.
o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso
por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
o tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele
medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de
ste.
o trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

o Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea

negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
o Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

De donde :

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos
siguientes casos:
o Para ta = tb trr = 2ta
o Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

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Influencia del trr en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :
o Se limita la frecuencia de funcionamiento.
o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr :
o A mayor IRRM menor trr.
o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor
ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.
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Tiempo de recuperacin directo
tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante
en que la tensin nodoctodo se hace positiva y el
instante en que dicha
tensin se estabiliza en el
valor VF.
Este tiempo es bastante
menor que el de
recuperacin inversa y no
suele producir prdidas de
potencia apreciables.
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Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (Pmx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo
con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de
trabajo.
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Potencia media disipada (PAV)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de
conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la

potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la

intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz
dividida entre la intensidad media).
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Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
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Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el
dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas
comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
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Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En
caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta

refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc).
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Proteccin contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito
en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de
corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condesadores, utilizacin en
rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que
es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi instantnea al
estado de cortocircuito (avalancha trmica).
Organos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo
"ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn
compuestos y tienen sus caractersitcas indicadas en funcin de la potencia que pueden
manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente,
sino incluso con su I2t y su tensin.
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Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caractersitca de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se
indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible
el que se destruya y no el diodo.
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