ELECTRNICA DE POTENCIA

Ing. ROBERTO TRIVIO

INTEGRANTES:
Riki Acosta
Marcos Peralvo
Carlos Jaramillo

FECHA: 29 de Enero de 2015

NDICE GENERAL

TEMA: CONTROL DE POTENCIA USANDO TIRISTOR_________________3

OBJETIVOS:____________________________________________________________3
OBJETIVO PRINCIPAL:_______________________________________________________3
OBJETIVOS ESPECIFICOS:___________________________________________________3

MATERIALES Y EQUIPOS______________________________________________3
MARCO TERICO______________________________________________________3
PLANO ELECTRONICO________________________________________________9
CALCULOS_____________________________________________________________9
PROCEDIMIENTO____________________________________________________11
CONCLUSIONES______________________________________________________12
BIBLIOGRAFIA_______________________________________________________12

TEMA: CONTROL DE POTENCIA USANDO TIRISTOR

OBJETIVOS:
OBJETIVO PRINCIPAL:
Implementar un circuito de potencia usando tiristor.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

Identificar los materiales y equipos a utilizar.

Verificar el control de potencia por angulo de disparo.
Medir las caracteristicas de las seales en los diferentes puntos de prueba.
Comparar datos reales, simulados y calculados.

MATERIALES Y EQUIPOS
MATERIALES:

Tiristor
Transformador, capacitores, resistencias y diodos
Luminaria de 40W
Cables, puntas de osciloscopio y material fungible

HERRAMIENTAS

Multmetro
Osciloscopio
Cautn, pinzas

MARCO TERICO
TIRISTORES
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se
utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables,
pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los
tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y
limitaciones.

Caractersticas de los tiristores:

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres
terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones
pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J 1 y J3 tienen polarizacin directa o
positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se
dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente
fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente
grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin

directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa
del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.

Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el
rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin
SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura
siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.
Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con
la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o
de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea
la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve V BO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de
ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse
mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su
corriente caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse,
sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces
mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.

Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de
control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en
clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A.
Un SCR.
1. Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO
2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente iG, presente en el SCR

3. Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de IH

4. Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.

TIPOS DE PROTECCIONES DE LOS TIRISTORES

El tiristor puede daarse si no se toman algunas precauciones.

Proteccin contra incrementos bruscos de corriente (di/dt)

"La derivada de la corriente con respecto al tiempo".
La di/dt mxima es especificada por el fabricante.
Este problema aparece cuando se tiene una carga capacitiva (tiene el comportamiento de
uncapacitor).
Un capacitor descargado se comporta inicialmente (al ser conectado) como un corto
circuito y la gran demanda de corriente tiene que atravesar el tiristor.
Para evitar este problema se pone en serie con la carga un inductor (ver diagrama) de poco
valor, para retardar el incremento de la corriente a un valor aceptable.
Acordarse que el inductor se opone a cambios brusco de corriente.

Proteccin contra cambios bruscos de tensin (dv/dt).

"La derivada del voltaje con respecto al tiempo".

Los cambios bruscos de tensin entre el nodo (A) y el ctodo (K = C), pueden producir cebados no deseados, causando con
ello que el tiristor se dispare y empiece a conducir.
El dv/dt mximo es especificado por el fabricante.
A veces por diferentes motivos, la tensin entre los terminales del SCR pueden cambiar en forma repentina y de manera
evidente (el cambio de tensin es grande)
Para evitar este inconveniente, se utiliza un circuito RC en paralelo con el tiristor como se muestra en el grfico de la derecha.

Este circuito limita la velocidad de subida de la tensin en los terminales del tiristor. Acordarse que el capacitor se opone a
cambio bruscos de tensin.

APLICACIONES INDUSTRILES DE CONTROL DE POTENCIA

Las principales aplicaciones de los convertidores electrnicos de potencia son las siguientes:

Fuentes de alimentacin: En la actualidad han cobrado gran importancia un subtipo de fuentes de alimentacin
electrnicas, denominadas fuentes de alimentacin conmutadas. Estas fuentes se caracterizan por su elevado rendimiento y
reduccin de volumen necesario. El ejemplo ms claro de aplicacin se encuentra en la fuente de alimentacin de
los ordenadores.

Control de motores elctricos: La utilizacin de convertidores electrnicos permite controlar parmetros tales como la
posicin, velocidad o par suministrado por un motor. Este tipo de control se utiliza en la actualidad en los sistemas de aire
acondicionado. Esta tcnica, denominada comercialmente como "inverter" sustituye el antiguo control encendido/apagado
por una regulacin de velocidad que permite ahorrar energa. Asimismo, se ha utilizado ampliamente en traccin
ferroviaria, principalmente en vehculos aptos para corriente continua (C.C.)durante las dcadas de los aos 70 y 80, ya que
permite ajustar el consumo de energa a las necesidades reales del motor de traccin, en contraposicin con el consumo que
tenan los vehculos controlados por resistencias de arranque y frenado. Actualmente el sistema chopper sigue siendo
vlido, pero ya no se emplea en la fabricacin de nuevos vehculos, puesto que actualmente se utilizan equipos basados en
el motor trifsico, mucho ms potente y fiable que el motor de colector.

Calentamiento por induccin: Consiste en el calentamiento de un material conductor a travs del campo generado por
un inductor. La alimentacin del inductor se realiza a alta frecuencia, generalmente en el rango de los kHz, de manera que
se hacen necesarios convertidores electrnicos de frecuencia. La aplicacin ms vistosa se encuentra en las cocinas de
induccin actuales.

Otras: Como se ha comentado anteriormente son innumerables las aplicaciones de la electrnica de potencia. Adems
de las ya comentadas destacan:sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de control del factor de potencia, balastos
electrnicos para iluminacin a alta frecuencia, interfase entre fuentes de energa renovables y la red elctrica, etc.

Las lneas de investigacin actuales buscan la integracin de dispositivos de potencia y control en un nico chip, reduciendo
costes y multiplicando sus potenciales aplicaciones. No obstante existen dificultades a salvar como el aislamiento entre zonas
trabajando a altas tensiones y circuitera de control, as como la disipacinde la potencia perdida.

CARACTERISTICAS TECNICAS

Tcnica de Difusin-Aleacin: La parte principal del tiristor est compuesta por un disco de silicio de material tipo
N, 2 uniones se obtienen en una operacin de difusin con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del
disco. En la cara exterior se forma una unin, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del nodo y ctodo se
realizan con molibdeno. La conexin de puerta se fija a la capa intermedia (tipo P) usando aluminio. Esta tcnica se
usa solamente para dispositivos que requieren gran potencia.
Tcnica "Todo Difusin": Se trata de la tcnica ms usada, sobre todo en dispositivos de mediana o baja intensidad,
el problema principal de esta tcnica reside en los contactos, cuya construccin resulta ms delicada y problemtica
que en el caso de difusin-aleacin. Las 2 capas P se obtienen por difusin del galio o el aluminio, mientras que las
capas N se obtienen mediante el sistema de mscaras de xido. El problema principal de este mtodo radica en la
multitud de fases que hay que realizar. Aunque ciertas tcnicas permiten paralelizar este proceso.
Tcnica de Barrera Aislante: Esta tcnica es una variante de la anterior. Se parte de un sustrato de silicio tipo N que
se oxida por las dos caras, despus en cada una de las 2 caras se hace la difusin con material tipo P. Una difusin
muy duradera y a altas temperaturas produce la unin de las 2 zonas P. Despus de este proceso se elimina todo el
xido de una de las caras y se abre una ventana en la otra, se realiza entonces en orden a aislar ms zonas de tipo N,
una difusin tipo P. Despus de una ltima difusin N el tiristor ya est terminado a falta de establecer las
metalizaciones, cortar los dados y encapsularlos.

BOMBILLA O FOCO

El bombillo o tambin denominado foco, es un cilindro de vidrio ensanchando en uno de sus extremos. En su interior
lleva finos filamentos de volframio o tungsteno que con el paso de la corriente, se vuelven incandescentes generando
la luz.
Su inventor fue el estadounidense Thomas Alba Edison en 1879, siendo este, su invento ms importante, debido a
que a partir de ste, se logr desarrollar la energa elctrica.

PLANO ELECTRONICO

CALCULOS
Voltaje RMS

110 v entrada de alimentacion

Voltaje Maximo

V max =

V rms
0.707

V max =

110 v
0.707

V max =155.58[V ]
Intensidad

I1 =

I1 =

V rms
RL

110 v
0.85 K

I 1 =0.12[ A ]

Ve=110
Vm=

Ve
2 2

Vm=

100
2 2

Vm=77.78[V ]

V DC =

Vm
(cos ( 180 )+ cos ())
2

V DC =

77.78
(cos ( 180 ) +cos ( 30))
2

V DC =23.10[V ]
V DC =18.56[V ]
V DC =14.52[V ]

PROCEDIMIENTO

Implementar el circuito del preparatorio.

Verificar el funcionamiento del circuito.
Realizar mediciones de voltaje en los diferentes puntos de prueba y llenar las tablas de datos.
Obtener las graficas del osciloscopio en los puntos de prueba.
Comparar los datos con los datos tericos y simulados.

CONCLUSIONES

Podemos observar que la importancia de los diodos semiconductores controlados pueden controlar la
intensidad del bombillo variando las resistencias q a su vez varia la intensidad en el circuito de control q
entra en al puerta del SCR

El ngulo de disparo del SCR es inversamente proporcional a la intensidad lumnica dela bombilla

Se observo en al fiche tcnica y se comprob en la practica que el SCR comienza a conducir cuando en su
puerta se aplica una tensin mnima de 200A

Pude concluir que para un voltaje de 120V es necesario utilizar resistencias de mayor vatiaje para que resistan
la potencia del circuito.

Tambin es conveniente resaltar la importancia del conocimiento de la funciones de control para este tipo de
dispositivos, pues permite reafirmar el conocimiento del comportamiento de dicho dispositivo.

BIBLIOGRAFIA

Muhammand H. Rashid, Electronica de Potencia, circuitos, dispositivos y aplicaciones III edicin, 2004, Prentice Hall.
Hart D. M. Electrnica de potencia, 2000, Pretice Hall.
http://www.tecnologiaindustrial.info/index.php?main_page=document_general_info&products_id=181
http://www.mitecnologico.com/Main/TiposDeErroresEnMediciones
http://tec.upc.es/el/TEMA-3%20EP%20(v1).pdf