FISICA ELECTRONICA

La materia que nos rodea est constituida de partculas muy

pequeas donde la ms pequea es el tomo .El tomo est constituido a su
vez de un ncleo donde entre otras estn los Protones de carga elctrica
positiva y los Neutrones con carga elctrica neutra. Al rededor del ncleo
giran partculas de cargas elctrica negativa. Estos cuerpos estn en estados
energticos bien definidos, lo anterior quiere decir que los electrones no
pueden estar en cualquier lugar con respecto del ncleo. Estas distancias
estn definidas con los niveles energticos.
Cuando un electrn cambia de estado energtico se dice que el
electrn est excitado, ste cambio se produce cuando se le agrega algn
tipo de energa por ejemplo temperatura.
Los niveles de energa estn definidos por capas y niveles, las capas
son designadas por las letras: K, L, M, N, O. Donde cada capa est
constituida por sub niveles, los cuales se designan por las letras: s , p , d , f ,
g . La siguiente tabla indica la relacin entre la capa, los niveles y la
cantidad de electrones.
La cantidad de electrones por capa se puede conocer por la siguiente
ecuacin:
N (e) = 2* n 2 , donde, n corresponde al n de niveles.

Capa

N de Nivel (n)

N de electrones

18

32

50

La tabla que se indica a continuacin muestra la cantidad de electrones por

capa y nivel

Capa
Electrones

Cantidad de
Niveles

Electrones por
Nivel

Total de
Por Capa

s
p

2
6

s
p
d

2
6
10

18

s
p
d
f

2
6
10
14

32

s
P
d
f
g

2
6
10
14
18

50

A todos los elementos se le puede obtener la configuracin

electrnica, que consiste en distribuir los electrones por capa y niveles, lo
anterior se utiliza para determinar el nivel mas alejado del ncleo (el mas
cerca es la capa K, nivel s y el mas lejano es la capa O nivel g), el cual
se utiliza para determinar las caractersticas de la materia, por ejemplo si es
buen conductor de la corriente elctrica aislante entre otras. Al nivel ms
alejado se conoce con el nombre de nivel de valencia.
La banda de conduccin corresponde a un estado en la cual el
electrn perdi la fuerza de atraccin con respecto del ncleo y se
encuentra en un estado en que se puede mover con libertad.
El estado prohibido corresponde a un estado donde no puede existir
ningn electrn, vale decir, los electrones estn en niveles de energa
discreto y no en cualquier estado.
La materia se puede clasificar en:
Conductores de la corriente elctrica y los que no conducen la
corriente elctrica, vale decir, los aislante, pero aparece en esta
clasificacin un tercer elemento que son los materiales semiconductores,

como su nombre lo indica son materiales conductores bajo ciertas

condiciones y en otra son materiales aislantes.
Los siguientes grficos indican la situacin de los conductores,
aislantes y semi conductor de acuerdo a los estados de energa.
Energa

CONDUCTOR

Banda de Conduccin
Banda de Valencia

Energa

Grafico Fig (1)

AISLANTE

Banda de Conduccin

Banda Prohibida ( > 4 eV)

Banda de Valencia

Grafico Fig(2)

Energa

SEMICONDUCTOR

Banda de Conduccin
Banda Prohibida

Grafico Fig (3)

Banda de Valencia

De acuerdo a la Fig. (1), la caracterstica de las materiales buenos

conductores de la corriente elctrica la banda de conduccin se traslapa con
la banda de valencia, esto quiere decir que a muy pequea cantidad de
energa los electrones de valencia pueden pasar a la banda de conduccin, y
estar en libertad para poder moverse (a t ambiente basta para que sta
situacin suceda).
De acuerdo a la Fig. (2), para que pueda pasar un electrn de la zona
de valencia a la banda de conduccin se necesita una cantidad de energa
equivalente a 4 eV, cantidad muy elevada para que a t amb. un poco
mayor los electrones puedan vencer la fuerza de atraccin con su ncleo y
puedan quedar en libertad y pasar a la zona de Conduccin.
El grfico n3, nos indica que la zona de Conduccin y la zona de
Valencia estn cercanas. Para el Silicio se requiere una energa equivalente
a 1,2 eV y para el Germanio 0,8 eV, en ambos casos para vencer la fuerza
de atraccin con su ncleo y pasar a la banda de Conduccin.
La caracterstica de un material conductor es que tiene la banda de
valencia con pocos electrones (no est llena) y bastantes electrones en la
banda de conduccin.
Un material Aislante es aquel en que la zona de valencia est
completa (llena) y la banda de conduccin prcticamente vaca.
Un material Semiconductor Fig. n3, la zona de valencia y
conduccin estn mas cercanas, esto quiere decir que a la t amb, existen
electrones en la banda de conduccin por lo tanto es conductor de la
corriente elctrica, a 0 K (-273 C) no hay electrones en la zona de
conduccin por lo tanto se comporta como un aislante.

SEMICONDUCTOR INTRINSICO
Los materiales que se utilizan en la construccin de los
semiconductores son el Silicio (Si) y el Germanio (Ge), ambos tienen 4
electrones de valencia
Un cristal de semiconductor puro, se dice que es intrnseco. Si en
dicho material hay pocos electrones disponibles para la conduccin, cuando
la temperatura es baja, ya que son pocos los electrones que adquieren
energa suficiente para pasar de la banda de valencia a la banda de
conduccin. Por lo tanto el material se comportar como un aislante, con
todos los electrones de valencia estrechamente ligados entre ellos,
formando los enlaces covalentes, como se indica en la Fig. (4). Sin
embargo, si la temperatura aumenta, algunos electrones sern capaces de
romper la fuerza de los enlaces, entre ellos y pasar a la banda de
conduccin (disminuye la resistividad)

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Fig (4)

En la figura N4, cada tomo de germanio aporta sus electrones de

valencia (4 electrones). El tomo en particular esta rodeado por 4 tomos
vecinos, el tomo que esta rodeado por sus vecinos hace el aporte de sus 4
electrones de valencia y sus vecinos aporta 1 e, cada uno, de forma que
esto se repite en toda la red del cristal, por lo que ahora cada tomo tiene su
nivel completo con 8 electrones, por lo tanto esta en estado estable.
Si, ahora se le aplica energa (por Ej. T), se rompern algunos
enlaces, con lo cual se genera un par hueco-electrn (+h , e). El electrn
libre que tenga carga elctrica negativa pasa a la banda de conduccin,
quedando como un portador de carga negativa y el hueco que una ausencia
de masa, tiene carga positiva y se desplaza en la estructura del cristal y se
utiliza como portador de carga positiva. El hueco tiene igual carga que el
electrn pero opuesta. Si por alguna razn se junta un electrn y un hueco

stos se cancelan, quedando la red del cristal en el estado original. El hueco

es ocupado por algn electrn vecino quedando, el hueco ahora en la zona
de donde vino el electrn que ocupo dicho hueco.
Si el cristal no tiene ningn potencial aplicado, los electrones se
desplazan sin ninguna direccin definida en la banda de conduccin. Si se
le aplica un potencial a los extremos del cristal, ahora si se orientan en una
direccin definida. Los electrones se orientan hacia el positivo de la fuente
externa y los huecos se orientan hacia el terminal negativo del potencial
aplicado.La siguiente Fig. explica la situacin de movimiento de
portadores en un semiconductor intrnseco.

SEMICONDUCTOR INTRINSECO

h+

+
e

Del esquema se puede concluir que los electrones se desplazan por el

exterior del circuito y los huecos lo hacen por el interior del cristal.
En este tipo de conduccin que implica solo la generacin de pares
hueco electrn se denomina CONDUCCION INTRINSECA
En este tipo de conduccin la cantidad de portadores de hueco
(cargas positiva) es igual al de portadores con electrones (cargas negativas)

SEMICONDUCTOR DOPADO
Supongamos que a una masa de Ge fundido, le agregamos una
pequea cantidad de una impureza pentavalente como por ejemplo el
Arsnico (As), este elemento tiene 5 electrones en la banda de valencia.
Cuando el lquido se solidifica (cristal), los tomos de As se encuentran
distribuidos de modo uniforme en toda la estructura cristalina.

Como hay muchos ms tomos de Ge que de As, cada tomo de As

se encontrar rodeado por 4 tomos de Ge dando lugar a la formacin de
una estructura bsica dibujada en el plano, como lo indica el siguiente
esquema. No olvidar que lo anterior se desarrolla en el espacio, por lo tanto
la estructura bsica es un cubo.

Ge

Ge

As

Ge

Ge
Representacin en el plano de la estructura de un semiconductor dopado
con impurezas pentavalente

De acuerdo al anlisis anterior, ahora en el enlace covalente sobra un

electrn, el motivo es que el As aporta 5 electrones y cada tomo de Ge
aporta 1 electrn. El quinto electrn del As, queda dbilmente ligado a la
estructura, puesto que no forma parte de ningn enlace covalente.
A los tomos de As, puesto que donan un electrn a la estructura, se
les denomina Impurezas o tomos DONADORES.
La presencia del As en la red cristalina tiene el efecto de crear una
estrecha banda de energa permitida que est situada justamente debajo de
la banda de conduccin, ala que se le denominaNIVEL DE
DONADORES. El siguiente esquema representa tal situacin.

Banda de Conduccin

Nivel de Donadores

Banda de Valencia

Los electrones adicionales proporcionados a la estructura, pasan a la

banda de donadores y bastar una pequea cantidad de energa para
llevarlos ala banda de conduccin. Como tomos de impurezas, puede
usarse tambin el Fsforo o el Antimonio que son elementos pentavalente.
Si el electrn que dbilmente estaba ligado a la estructura al alejarse
del tomo de As, quedar en la estructura y dbilmente ligado al tomo de
As un in de As cargado positivamente.
Es importante hacer notar que ste electrn (5), al pasar a la banda
de conduccin no deja hueco alguno.
Resumiendo, el hecho de agregar una impureza pentavalente
(donadora) a un semiconductor puro, nos produce un semiconductor, en el
cual existe una gran cantidad de electrones libres, capaces de servir como
portadores de energa. A este tipo de semiconductor se le denomina
semiconductor TIPO N.
Por otra parte, debido a la temperatura ambiente, algunos de los
enlaces que conforman la estructura adquieren suficiente energa, se genera
un par ( hueco-electrn).
Estos huecos generados trmicamente son pocos si se les compara con la
gran cantidad de electrones libres que existen en el cristal, por tal motivo
se les denominaPORTADORES MINORITARIOS. A los electrones se
les denomina PORTADORES MAYORITARIOS
Si en lugar de agregar una impureza pentavalente a la estructura del
Ge, se le adiciona una pequea cantidad de impurezas trivalente, como por
ejemplo el Aluminio
(Al), se obtiene una estructura bsica como se indica en la figura

Ge

Ge

Al

Ge

Ge
Representacin en el plano de la estructura bsica
de un Semiconductor dopado con impurezas trivalente

Energa

Banda de Conduccin

Nivel de Aceptores
Banda de Valencia

A los tomos de la impureza que hacen aparecer un hueco en la

estructura, el que podr ser ocupado por un electrn, se les denomina
impureza o tomos ACEPTADORES.
La presencia del aluminio en el cristal, crea una estrecha banda
permitida justo por encima de la banda de valencia, como se indica en la
figura anterior.

En este caso tan pronto, como el hueco es ocupado por un el

electrn, el tomo de impureza se convierte en un in negativo, luego el
hueco original ha sido neutralizado, pero aparece otro hueco en la zona de
donde vino el electrn.
Con una pequea cantidad de energa para alejar un electrn de la
banda de valencia, al nivel aceptor, lo cual deja un hueco en la banda de
valencia, al que se puede considerar como un portador de carga positiva,
los cuales en este caso son los PORTADORES MAYORITARIOS en este
tipo de semiconductor.
A este tipo de semiconductor lo llamaremos TIPO P, ya que posee
gran cantidad de huecos libres, capaces de servir como portadores de
corriente, a los electrones se les denomina PORTADORES
MINORITARIOS, ya que su nmero es muy pequeo comparado con la
cantidad de huecos libres.
Todo lo explicado anteriormente, que fue echo en funcin del Ge, es
valido si se realiza con el Si , la diferencia radica que los portadores
minoritarios son mayores, a una temperatura dada, cuando se trabaja con el
Ge, debido a la menor energa que se necesita para romper los enlaces
covalentes.
JUNTURA PN
Una juntura PN, se construye a partir de un semiconductor Tipo N y
otro Tipo P en dicha juntura se produce un fenmeno de recombinacin de
carga, tambin conocido como Barrera de Potencial. Cuando un electrn
deja el material Tipo N, deja tras si un in positivo , la misma situacin
ocurre cuando un hueco del material Tipo P, pasa al material Tipo N , deja
tras si un in negativo este proceso tambin detiene la recombinacin de
carga en el sistema.

Tipo N

Tipo P

- - - -

+ + + +

- - - -

+ + + +

- - - -

+ + + +

cargas
libres

+
in (+)

cargas
libres

in(-)

Vp

En la figura anterior se indica la situacin grfica de lo que ocurre al

juntar un material P y N. Las cargas libres deben vencer la barrera de
potencial para llegar a la carga libre de polaridad opuesta y cancelarse, por
lo tanto, esto no es posible, o sea que la recombinacin sea completa dentro
del material, a medida que aumenta la recombinacin tambin lo hace la
barrera de potencial que es finalmente quin detiene esta recombinacin,
para el Germanio el potencial que hay que vencer es de 0,2 (volt), y para el
Silicio se necesita una energa de 0,6 (volt).
EL DIODO DE JUNTURA
El diodo de juntura esta construido por un material semiconductor
Tipo N y Tipo P, que tiene el siguiente comportamiento cuando se le aplica
un potencial externo.
POLARIZACION DE UNA JUNTURA PN
Polarizacin Directa. Significa conectar una batera donde el
potencial positivo se le aplica al material P, y el extremo negativo de la
batera al material N. En este caso entre los extremos del material
semiconductor y la batera se repelen las cargas , por ser de igual signo ,
por lo que las cargas se concentran en la juntura el potencial externo
supera a la barrera de potencial y las cargas atraviesan la juntura se produce
algunas recombinaciones , pero la mayora de las cargas libres llegan a las
polaridades de la batera, las cargas positivas son atradas por el polo
negativo de la batera y las cargas negativas son atradas por el polo
positivo de la fuente , en es te caso se produce una elevada circulacin de
corriente electrnica, que debe ser controlada por una carga externa de lo
contrario aumenta rpidamente la temperatura en la juntura la cual ser
destruida.
Polarizacin Inversa. En este caso se invierte los terminales de la
batera, el positivo de la batera al material Tipo N, el terminal negativo de
la batera al material Tipo P, en este caso las cargas son atradas por las
polaridades de la batera, con esto aumenta la zona vaca en la juntura, lo
que es muy difcil que las cargas libres crucen la juntura, por lo tanto la
corriente electrnica es muy pequea del orden de los micro amperes. Por
lo tanto el circuito se comporta como un circuito abierto.

Algunas aplicaciones tpicas con el Diodo de Juntura.

Circuito Rectificador de Media Onda. Esta aplicacin se realiza cuando se
necesita obtener una tensin pulsante a partir de una seal alterna como una
seal de entrada.
Circuito de aplicacin
.

Vi
t
0

V0
V dc
0

Calculo de la tensin media en la carga (V m)

1

V mx.

a) Vm = -----
v mx. sen d = ------- * { Vmax sen d
0

0
Vmax
Vmax
= - [ ------ { cos 180 - cos 0 } ] = - --------- [ - 2 ]

Vmax
Vm = -------- ( volt) = (220* 2 /)= 99 ( volt)

b) T carga = T red

f (carga) = f (red)
c) V diodo = Vmx = 220 2 = 311 (volt)
d) P carga = (Vm) 2 / R = (99) 2 / 25

FILTROS PASIVOS

Filtro Capacitivo

Filtro Inductivo

Los Filtros que se muestran en las figuras son filtros pasa bajo, vale
decir que dejan pasar a la salida solo las componentes de baja frecuencia.
En el caso del filtro de condensador las componentes de alta frecuencia
pasan a travs de la reactancia del condensador, debido a que:
Xc = 1 / ( 2 f C)
Para altas frecuencias la reactancia tiende a cero, por lo tanto se
comporta como un corto circuito para dichas frecuencias. Para bajas
frecuencias, vale decir, vale decir seales de componentes continua pueden
pasar hacia la carga.
Para el filtro con inductancia la reactancia, vale en este caso:

XL= 2Lf

()

En este caso para altas frecuencias la reactancia tiende a un valor

muy elevado por lo que la seal no puede llegar a la carga. En cambio si la
frecuencia es baja, vale decir componentes continuas estas pueden pasar
hacia la carga con facilidad.

Circuito Rectificador con Filtro a Condensador

La ecuacin para calcular la tensin media en la carga es:

Vmedia
V media = --------------------------------1 + 1 / ( 2 * R* f * C)
Para calcular la componente alterna peak to peak en la carga la
ecuacin es:
Vmx
Vac (ptp) = --------------f*R*C
Para calcular la componente efectiva en la carga la ecuacin es:
V mx
Vrms = -----------3

Vi

Vo
Vmedia
0

t1

Par el circuito de la figura, si la tensin alterna corresponde a la

salida de un transformador reductor de 220 v a 12 v, el filtro a
condensador tiene un valor de 100 f, la resistencia de carga de valor 3, 25
K. Se pide calcular:
a) la tensin media en la carga
12 2
V media = ------------------------------------------------ = 16, 6 (volt)
(( 1 + 1 / ( 2*3,25*103 *50*100*10 -6 ) )
16,6 v
V ac ptp = ----------------------------------- = 1, 02 v
50 * 100* 10-6 * 3,25 *10 2
V ac peack = 0,51 v
0,51 v
V ac rms = ------------ = 0,29 v
3

El diodo Zener
El diodo Zener es un diodo estabilizador de tensin, trabaja en la
zona de ruptura, pero sin destruirse. Como todo diodo hay que limitar la

corriente de trabajo de lo contrario ste se destruye por aumento de la

temperatura en la juntura.
El smbolo del diodo zener es:

nodo

Ctodo

Caracterstica tensin corriente

V
Vz

I
I z (mn)

I z ( mx)

Circuito de Trabajo como Estabilizador de Tensn

Para el circuito de la figura anterior, si el diodo zener es de 1 watt, 9

volt y la corriente de trabajo del diodo zener es del 80 %.
Desarrollo
Pz = Vz * Iz

I mx = (Pz / Vz ) = 1 / 9 = 111 mili amper

Izt = 111 mili-amper * 0,8 = 88,9 mili amper ; corriente de trabajo del
diodo zener
V (R lim) = (20 v 9 v) / 88,9* 10 -3 = 123,8 () ; tensin en la resistencia
limitadora
P disip = (88,9*10 -3 ) 2 * 123,8 = 0,98 ( watt) ; potencia disipada en (R
Lim)
Si la corriente mnima del diodo zener es de 5 mili Amper, la
resistencia de carga R C es de 400 que se conecta entre los puntos a y b.
Se pide calcular
a) La corriente por la resistencia limitadora
b) La corriente por diodo zener
c) La corriente por la resistencia de carga
a) I (R lim) = I z + I (Rc) = 88,9 mili amper
c) I (Rc) = Vz / R c = 9 v / 400 = 22,5 mili amp
La corriente por el Diodo Zener es:
b) Iz = I(R lim) I Rc = 88 , 9 mili amper - 22, 5 mili amper = 66 , 4
mili amper
Como la corriente del diodo Zener, es mayor a la corriente mnima,
el diodo esta trabajando en la zona de trabajo como estabilizador de
tensin.
Si, ahora se cambia el valor de la resistencia de carga por un valor de
105 . Calcular la corriente por el diodo Zener.
I Rl = Vz / R l = 9 v / 105 = 85, 7 mili amper
La corriente por diodo Zener es:
Iz = I Rlim - I Rc = ( 88,9 - 85,7) mili amper = 3,2 mili amper
En este caso la corriente del diodo es menor que el valor mnimo por
lo tanto se sale da la zona de trabajo, y el diodo no estabiliza la tensin en
la carga.

Que ocurre con las corrientes del circuito si se arma el circuito sin tomar
en cuenta las condiciones de diseo y se pone una Rlim = 95 y R c =
350 ?.
La corriente en la resistencia limitadora es:
I Rlim = Vz / R c = 9 v / 350 = 25,7 mili amper
La corriente por el diodo zener es:
Iz = I Rlim - I Rl = (115 - 25 , 7) mili amper = 89, 9 mili amper
Con los valores obtenidos el circuito aparentemente trabaja en
condiciones normales.
Pero que sucede si por algn motivo se desconecta la carga?
Como se sabe en este caso la corriente del diodo es igual a la
corriente de la resistencia limitadora, por lo tanto:
Iz = I Rlim = 115 mili amper
Pero en los clculos iniciales se obtuvo que la corriente mxima del
diodo zener era igual a:
I Z mx = 111 mili amper
El Diodo Zener se ha destruido !
La conclusin que se puede obtener, es que en los diseos se deben
tomar en cuenta las condiciones de diseo de lo contrario, se corre el riesgo
de cometer errores, los cuales pueden provocar problemas de costo muy
alto, en todo sentido.

El

LED (diodo electro-luminoso)

Es un diodo que se utiliza para indicar el estado de una salida

determinada se utiliza comnmente en los circuitos de electrnica, ya sea,
en los transistores como circuitos lgicos de acuerdo al color de la luz que
emite el led es la sensibilidad en corriente que soporta el Led. Para
aplicaciones practicas el Led emite una luz adecuada si por l circula una
corriente de 15 a 20 mili amperes, por lo tanto se debe conectar en serie al
Led una resistencia que limite la corriente de lo contrario el Led se
destruye.

El Led como es un diodo tiene terminales denominados nodo y

ctodo por lo que se debe polarizar de forma correcta para su adecuado
funcionamiento, el nodo debe ser positivo con respecto del ctodo.
Cuando hay problema para identificar el nodo del ctodo se utiliza el
tester en funcin Diodo y se procede como un diodo rectificador, el led
polarizado de forma directa soporta una tensin de 1.5 volt
aproximadamente.
Calcular la resistencia limitadora, si la tensin en la salida es de12
volt

12 volt = I * R lim + V led = 20 E3 * R lim + 1. 5 volt

(12 - 1. 5) volt
R lim =

= 520
20 E3

TRANSISTORES BIPOLARES

Introduccin
Los transistores bipolares son componentes semiconductores
constituidos por la unin de tres cristales de Silicio (Si) o Germanio (Ge)

con algn tipo de impureza. El orden de la ubicacin de los cristales npn o

pnp da el nombre a los dos tipos de transistores bipolares existentes. Tanto
los transistores pnp como los npn son dispositivos electrnicos de tres
terminales, conectados internamente a cada uno de los cristales que lo
constituyen, que son conocidos con los nombres de Emisor, Base y
Colector. En la siguiente figura se muestran los smbolos para representar
los dos tipos de transistores.

C
B

E
B

E
Transistor
NPN

C
Transistor
PNP

El emisor recibe este nombre porque es el que se encarga de emitir

las cargas mviles (electrones o huecos, segn sea el tipo) que atraviesan el
transistor. El colector es aquella parte del componente que recibe la mayor
parte de las cargas que parten del emisor. La base se encuentra entre el
emisor y el colector y recibe este nombre porque constitua el soporte de
ambos cuando los transistores se fabricaban por el procedimiento de
aleacin. En la actualidad se efectan por el procedimiento denominado
Difusin. El transistor es un solo cristal (p o n), en el cul se efectan dos
difusiones para obtener tres capas diferentes.

TIPOS DE CONFIGURACIONES
El transistor en aplicaciones que se analizarn mas adelante, pueden
funcionar en tres configuraciones o montajes diferentes, denominados:
Emisor Comn (EC), Base Comn (BC), y Colector Comn (CC), cada una
de estas tres configuraciones tiene distintas caractersticas elctricas las
cuales hacen que tengan distintas aplicaciones.
La configuracin BC la seal de entrada procedente de un generador
se aplica entre el emisor y la base, la resistencia de carga se conecta entre el
colector y la base. La corriente de salida es prcticamente la misma que la
entrada, por lo tanto no hay ganancia de corriente, en este caso es igual a la
unidad (la ganancia se define como el cuociente entre la variable de salida

con respecto de la entrada). La resistencia de entrada es muy pequea y la

de salida muy elevada.
La configuracin CC la seal de entrada se aplica entre la base y el
colector, la carga se acopla entre emisor y el colector. La ganancia de
corriente en este caso es elevada, la resistencia de entrada es muy grande y
la resistencia de salida es pequea.
Por ltimo se tiene la configuracin EC, la seal de entrada se aplica
entre la base y el emisor, la carga se conecta entre colector y emisor, la
ganancia de corriente es elevada del mismo modo que el de CC, la
resistencia de entrada es pequea y la resistencia de salida es muy elevada.
El montaje que ms se aproxima a un circuito amplificador ideal de
corriente es el EC y por consiguiente es el que mas se utiliza para
amplificar. Las otras se utilizan para acoplar resistencias.
La configuracin BC, para adaptar una fuente de baja resistencia con
una resistencia de carga de alto valor.
La configuracin CC, para adaptar una fuente de alta resistencia y
una resistencia de carga de bajo valor.
C
B
Circuito de
Entrada

Circuito de
Salida

Configuracin Emisor Comn

Circuito de
Entrada

Circuito de
Salida
Configuracin
Base Comn

E
B
Circuito de
Entrada

Circuito de
Salida

Configuracin
Colector Comn

CONFIGURACION EMISOR COMN

Polarizacin de un circuito emisor comn con dos fuentes de
alimentacin

Ic

Ib

Ie

Ecuaciones del circuito

1.-

Para el circuito de base, planteando una ecuacin de malla se tiene:

Vb = Ib * Rb + V be
De esta ecuacin se puede despejar la corriente de base, Ib
Vb - Vbe
Ib =
Rb
Para el circuito de colector, planteando una ecuacin de malla, se

tiene:
2.-

Ve = Ic * Rc + V ce
Ic

3.-

Se define como el factor de amplificacin de corriente, =

Ib

4.- El punto de trabajo, Q corresponde a un punto dado por la corriente

de colector y la tensin entre colector y el emisor, Vce de otra forma, Q
(Vce; Ic).

Zonas de Trabajo del Transistor

Las zonas tpicas de trabajo del transistor son:
1.- Zona Lineal, Trabaja como amplificador de seal
2.- Zona de saturacin, se reconoce porque la corriente de colector es
mxima y la tensin de colector emisor es cero.
3.- Zona de Corte, se reconoce porque la corriente de colector es mnima
y la tensin de colector- emisor es igual a Vc.
Las zonas de corte y saturacin es donde el transistor funciona como
interruptor.
Identificacin de las zonas de funcionamiento del transistor
Ic
Zona de
saturacin
Zona
Lineal

R de C

Zona
De corte

Vce

La recta de carga corresponde a todos los puntos de trabajo que

puede funcionar el transistor.

Circuito de polarizacin con fuente nica

Para realizar el estudio del circuito y conocer las corrientes para conocer la
zona de trabajo del circuito es ms adecuado obtener un circuito
equivalente. Para lo cual se obtendr un circuito equivalente thevenin en
circuito de base. El cual queda de la siguiente forma.

Re

Donde :

R1* R2
Rb =

R2
;

R1 + R2

V th = V cc *
R1 + R2

Para obtener la resistencia equivalente se dejan las fuentes de tensin en

corto circuito, el transistor queda desactivado para esta situacin.

La tensin equivalente se obtiene de la tensin en R2, debido a que la

corriente que se drena hacia la base es muy pequea si se compara con la
corriente en R2.
Las ecuaciones del circuito son:
Vth = Ib * Rb + Vbe + Ie * Re
Ie = Ic + Ib , como Ic >> Ib. se tiene que Ic = Ie
Haciendo el reemplazo se tiene:
Ic
Vth = Ib * Rb + Vbe + Ic * Re

Ib =

Dejando la ecuacin solo en funcin de Ic

Ic
Vth =
* Rb + Vbe + Ic * Re

Rb
Vth = I c (
+ Re ) + Vbe

Despejando la corriente de colector:

Vth - Vbe
Ic =
Re + Rb/
Para que la corriente Ic, se haga independiente de las variaciones del factor
, en caso de reemplazar el transistor, se hace que:
Re >> Rb/ ,

para realizar un diseo se considera:

Re = 10 (Rb / ), como un criterio de diseo

Ejemplos resueltos N 1
1.- Para el circuito de la figura
Si Vcc = 15 v, transistor de silicio, factor de
amplificacin = 100, Rb = 100 K, Rc = 1K.
Calcular:
a) Las corrientes del circuito
b) Punto de trabajo
c) Graficar la recta de carga
d) Indicar el punto de trabajo
e) Indique en que zona funciona el transistor

Desarrollo
Vcc - Vbe
a) Vcc = Rb * Ib + Vbe,

Ib =

15v 0.6v
=

Rb

= 144A
100 K

Ic = * Ib = 100 * 144 *10 -6 = 14.4 mili amper

b) Vcc = Rc * Ic + V ce
Vce = Vcc Ic * Rc = 15v 14.4 *10 3 * 1 *10 -3 = 15 v 14.4v = 0.6v
Por lo tanto el punto Q de trabajo queda dado por los valores
Q ( 0.6 V ; 14.4 mili amp)
c) Para graficar la recta de carga se necesitan como mnimo dos puntos que
por ella de pasar la recta de carga. Para encontrar estos puntos se trabaja de
la siguiente manera, los cuales se graficaran en los ejes corriente de
colector (IC) y la tensin de colector y emisor ( Vce).
Para el estudio se trabaja con la ecuacin de salida
Vcc = Rc * Ic + Vce, si hacemos Vce = 0 y se pone esta condicin en la
ecuacin original. Se tiene:
Vcc = Rc * Ic, de donde se puede encontrar el otro valor buscado
Ic = Vcc / Rc = 15v/ 1 K = 15 mili amper
Por lo tanto se tiene el primer punto para graficar le recta de carga:
A (0v; 15 mili amper)
El punto B se encuentra haciendo, ahora, Ic = 0
Vcc = Ic * Rc + Vce, como Ic = 0; se tiene que: Vce = Vcc = 15 v
Punto B (15 v; 0 mili amper)
Llevando esta informacin al grfico se obtiene lo siguiente

Ic(mili amp)
A

15

15

Vce(volt)

De acuerdo al grfico el punto de trabajo, Q esta desplazado hacia la zona

de mxima corriente y mnima tensin, la cual corresponde a la zona de
saturacin, por lo analizado anteriormente, cuando se estudiaron las zonas
de trabajo del transistor.
Otro grfico importante es cuando al grfico anterior se le agrega la
variable de entrada que es la corriente de entrada.
Ic

Ib5
Ib4
Q

Icq

Ib3=Ibq
Ib2
Ib1
Ib0

Vce
Vce q

Se cumple para transistor NPN que: Ib0 < Ib1 < Ib2 < Ib3

En este caso el punto de trabajo Q, queda definido por la Vceq, la corriente

Icq y la corriente de base Ibq.

Ejemplo N 2
Para el circuito de la figura anterior, si el punto de trabajo es: Ic q = 8 mili
amp, la tensin Vce q = 8 volt. Se pide calcular en valor de las resistencias
de colector y emisor.
Vcc = Rc * Ic + Vce, despejando la resistencia Rc, se tiene
Vcc - Vce
15v 8v
Rc =
=
= 875
-3
Ic
8 *10
8 *10 -3

Ic
La corriente de base es: Ib =

= 80 a
100

En la ecuacin de base se puede plantear la siguiente ecuacin

Vcc = Ib * Rb + Vbe
Vcc Vbe
Rb =
=
Ib

15v 0.6v
= 180 K
-6

80 * 10

Ejemplo N 3
Para el circuito de la figura, si la Vceq = 6v, Icq = 15 mili amp, = 150, la
Re = Rc
La ecuacin en colector esta dada por
Vcc = Ic * Rc + Vce + Ic * Re
Vcc = Ic * 4 Re + Vce + Ic * Re
Vcc = Ic * 5 Re + Vce
Vcc - Vce
12v 6v
Re =
=
= 80
-3
5 Ic
5 * 15*10

Rc = 4* Re = 4 * 80 = 320
Para calcular las resistencias R1 y R2, se har el circuito equivalente en el
circuito de base.
R1* R2
Rth =

(*)
R1+ R2

Vth = Vcc * R2/ (R1+R2) (**)

Re = 10 ( Rth/)
Rth = Re * /10
Rth = 80 * 150/10 = 1200
Plantear la ecuacin en circuito de base:
Vth = Ib * Rth + Vbe + Ic * Re ; Ib = Ic / = 15 *10-3/ 150 = 100a
Vth = (100*10-6 * 1200)v + 0.6 v + (15*10-3 * 80) v = 1.92 v
Si se multiplica la ecuac (**) por R1, se tiene:
Vth * R1 = Vcc* R1 * R2 / ( R1+R2) (***)
Igualando las ecuaciones (*) y (***) se tiene:
(Vth/Vcc) * R1 = Rth, despejando la resistencia R1, se tiene:
R1 = Rth ( Vcc/ Vth) = 1200 * (12/1.92)= 7500
Calculo de R2, se puede despejar de las ecuaciones (*) o (**)
Trabajando con la ecuacin (**)
(R1+R2)*Vth = Vcc* R2
R1 + R2 = (Vcc/ Vth)*R2

R1 = R2 ( (Vcc/Vth)- 1)
R2 = R1 / ( Vcc/Vth) -1)) = 7500 / (12/1.92) -1) = 1428,6

Ejemplo N 4
Para el circuito de polarizacin universal de la figura anterior, si:
R1 = 7500 , R2 = 1428,6 , Rc = 320 , Re = 80
Calcular el punto de trabajo Q
7500 * 1428,5
Rth =

= 1200
(7500 + 1428,5)
1428,5

Vth = 12v *

= 1,92 v
(7500 +1428,5)

Planteado la ecuacin en circuito de base, se tiene:

Vth = Rb * Ib + Vbe + Ic* Re

, como Ic = *Ib, reemplazando:

Vth = Rb * Ib + Vbe + Ib Re
Vth Vbe = Ib ( Rb + Re )
( 1,92 0,6)v
Ib =

= 100 a
1200 + 150 * 80

Ic = * Ib = 150 * 100*10 -6 = 15 mili amper

Planteando la ecuacin de tensin en circuito de colector se tiene:
Vcc = Ic *Rc + Vce + Ic* Re = Ic ( Rc + Re) + Vce
Vce = Vcc Ic ( Rc + Re ) = 12v- 15*10-3 (320 + 80 ) = 6 v

Transistor en Corte y Saturacin

(Conmutacin)
El transistor en este caso funciona en los extremos de la zona de
trabajo, vale decir, se sale de la zona lineal. Se dice que trabaja como un
interruptor, cuando el transistor esta en saturacin el interruptor esta
cerrado y cuando el transistor no conduce se dice que el interruptor esta
abierto. La siguiente figura representa el transistor en corte y saturacin

Ic

Ib

Para disear el circuito existen al menos dos mtodos

Si Rb = 100 K, Rc = 10K, Vcc = 20v y Vbb = 10v, Transistor
de silicio, = 50.

N 1 Mtodo del Absurdo

Consiste en suponer que el transistor funciona en zona lineal (activa),
luego se analiza dicha suposicin.
1.- Suponer zona activa
2.-Realizar los clculos
3.-Si surge respuesta falsa, la suposicin es falsa
Vbb Vbe
10v - 0,6v
Ib =
=
= 94 a
Rb
100k
Ic = Ib = 50 * 94 a = 4,7 mili amper

Vcc = Ic * Rc + Vce implica que Vce = Vcc Ic * Rc

Vce = 20v 4, 7 *10-3 * 10 * 103 = - 27v
De los valores obtenidos se puede concluir que el transistor no
funciona en zona lineal. Por lo tanto se puede decir con propiedad que el
transistor esta funcionando en zona de conmutacin.

Mtodo N 2
En este caso se asume que el transistor esta en zona de saturacin,
por lo tanto:
Vce = 0v, de esta condicin se tiene:
Ic = Vcc/ Rc = 20v/ 10k = 2 mili amper, valor mximo de corriente
Por la malla en cto de base se tiene que:
Ib = 94 a, la corriente de colector es
amper, valor si que estuviera en zona lineal.

Ic = 50* 94a = 4,7 mili

Como el valor, ltimo calculado es mayor que el valor mximo

calculado en colector, tambin se puede decir que el transistor no esta
trabajando en la zona lineal.

Mtodo N 3
El tercer mtodo se conoce como saturacin fuerte y se aplica la
siguiente condicin.
Ib = 0,1 Ic, tambin que la Vce = 0v
Utilizando el mtodo N 3, disear el circuito para que el transistor
funcione en conmutacin. Si la corriente en colector es de 20 mili amper,
siendo el transistor de silicio.
Vcc = Rc * Ic + Vce
Rc = Vcc/ Ic = 20v / 20*10-3 = 1 K
Ib = 0,1* Ic = 0,1 * 20 mili amper = 2 mili amper

Vbb = Rb *Ib + Vbe

Vbb Vbe
Rb =

10v - 0,6v
=

Ib

9,4v
=

-3

2* 10

= 4,7 k
-3

2* 10

El Transistor Bipolar como Amplificador

El transistor como amplificador en configuracin Emisor Comn se
representa en la siguiente figura.

Esta configuracin se utiliza como amplificador debido a que tiene

tanto ganancia de corriente como tensin, o sea, tiene una buena ganancia
de potencia. En esta aplicacin como se puede observar en el esquema
existen dos tipos de energa, una es la Vi , que es una seal alterna la cual
se desea amplificar, esta seal puede provenir por ejemplo de un sensor
( aunque como se ver mas adelante existen otros dispositivo con
caractersticas mejoradas para cumplir dicha tarea), tambin est la tensin
Vcc que es una tensin continua que se utiliza en parte para polarizar el
transistor, vale decir fijar la zona de trabajo, en este caso debe ser sin
ninguna duda la zona lineal .
Tambin existen tres condensadores: Ci , C e y Co
El Ci, se conoce con el nombre de Condensador de Acoplo de
entrada, su funcin es dejar pasar la seal alterna, pero al mismo tiempo
bloquear la componente continua hacia el generador Vi, por lo tanto, el
valor del condensador debe estar en funcin de la frecuencia de la seal
alterna que se quiere procesar, un valor no adecuado puede atenuar en
demasa la seal de Vi.
El Co, se conoce con el nombre de Condensador de acoplo de
salida, su funcin es conectar la seal alterna a la carga y tambin
bloquear la componente continua hacia la carga, si pasa la componente
continua a la carga, lo que va a ocurrir es que se va a modificar el punto de
trabajo del transistor y la consecuencia probable es que se produzca
distorsin en la seal de salida.
El Ce, se conoce con el nombre de condensador de desacoplo de la
Re, la funcin de ste es dejar parar por l las componentes alternas que no
alcancen el circuito de carga y deban volver al generador, Vi si no esta el
condensador el retorno lo debe hacer por la Re y esto modificar el punto
de trabajo (aumenta la VRe).
Ecuaciones aproximadas para calcular los valores de los
condensadores y algunas consideraciones.

Para condensador Ci

Se debe tomar en cuenta que: R in >> X ci de tal forma que la seal

de Vi se refleje en su gran mayora en Rin, donde Rin es la Resistencia de
entrada del amplificador para simplificar el estudio se va a asumir que la
resistencia de entrada corresponde a la resistencia de base.
Rin = Rb // hie

; hie = 1K ,

Rb = R1//R2

La relacin de 50 veces se utilizar para hacer que uno sea mucho

mayor que el otro.
1
Xc =
;
50 * Xci = Rin
2 * f *Ci
(

1
2* f* Ci

) * 50 = Rin

50
Ci =

( F)

, si R en (ohm ) y frecuencia en (Hz)

2* f * Rin

Para calcular Ce:

La relacin aplicada anteriormente es tambin vlida

50
1 * 50 = Re ; el valor de Ce =
2*f*Ce
2* f * Re

Para calcular el Co
Para el clculo del condensador de desacoplo de salida, se compara
el valor de la resistencia de colector, con la reactancia del condensador Co
de modo que se cumpla, la siguiente relacin:
Rc >> Xco
50
Rc =
2*f * Co
Co =

50
2*f*Rc

de donde se obtiene:
( F)

GUIA DE PROBLEMAS

PROBLEMA N1
Se tiene un circuito rectificador de media onda, el cual se alimenta
con una tensin mxima de 200 (v), frecuencia de 30 (hz). La resistencia de
carga es de 10 (ohm). Se pide calcular:
a) La potencia media disipada en la carga
b) La corriente media en la carga
c) El tiempo que conduce el diodo
PROBLEMA N2
La potencia media disipada en la carga de 15 (ohm) es de 100 (w),
para un circuito rectificador de media onda. Se pide calcular:
a) La corriente media en la carga
b) La tensin mxima con la cual se alimenta el circuito
c) La tensin inversa que soporta el diodo

PROBLEMA N 3
En un circuito rectificador de media onda con filtro a condensador. Si
el circuito se alimenta con una tensin mxima de 250 (v), frecuencia de
60 (hz), Resistencia de carga de 100 (ohm), condensador de 220( microFaradio). Se pide calcular:
a) La tensn media en la carga
b) La tensin inversa que soporta el diodo
c) La corriente media en la carga
PROBLEMA N4
En un circuito rectificador de media onda con filtro a condensador.
Si la tensin media es de 200 (v), la tensin mxima de alimentacin es de
300 (v), la frecuencia de 50 (hz), la resistencia de carga es de 100 (ohm).
Se pide calcular el valor del condensador.

PROBLEMA N 5

Se tiene un circuito estabilizador de tensin con diodo Zener. El

diodo Zener tiene las siguientes caractersticas 9(v), 2 (W). La tensin de
alimentacin es de 12 (v). Calcular, para una corriente de trabajo del 65 %
a) La corriente mxima del diodo Zener
b) La corriente de trabajo del diodo Zener
c) El valor de la resistencia limitadora

PROBLEMA N 6
Para el problema N, si la corriente mnima del diodo Zener es de 25
( mili-amp). Se conecta una resistencia limitadora de 150 (ohm) El diodo
Zener trabaja como estabilizador de tensin? Justifique la respuesta.
PROBLEMA N 7
Si al circuito del problema N 5, se conecta una resistencia de carga
de 150 (ohm), la corriente mnima del diodo Zener es de 30 ( mili-amp).
Calcular
a) La corriente que circula por diodo Zener
b) La corriente por la resistencia de carga
c) El diodo Zener funciona como estabilizador de tensin? Justifique
la respuesta
PROBLEMA N 8
Para el circuito del problema N 7 Cual es el valor mnimo de la
resistencia de carga? de modo el diodo Zener funcione como estabilizador
de tensin.

GUIA DE PROBLEMAS
(Transistores)
PROBLEMA N 1
Para el circuito de la figura. Si el punto de trabajo dado por : Ic =
0,95 ma;
Vce = 14,3 v Beta = 60, Transistor de Silicio, Vcc = 20 v.
Se pide calcular:
Las resistencias de polarizacin. Suponer que VRe = 10% Vcc.

PROBLEMA N 2
Para el circuito de la figura se pide. Calcular
a) el punto de trabajo
b) Graficar el punto de trabajo
c) En que zona trabaja el transistor?

Datos: Transistor de Silicio, = 100

PROBLEMA N3
Para el circuito de la figura es pide:
a) Calcular las corrientes de : Base , Colector ; Emisor
b) Graficar el punto de Trabajo
c) Indique la zona de trabajo del transistor
Datos: Transistor de Silicio, = 150

PROBLEMA N 4
Repita las preguntas del problema N 3. Si Rc = 1 K , Re = 100 ,
R 1 = 10 K y R 2 = 3.3 K

GUIA DE AMPLIFICADORES Y TRANSISTORES

SATURACION

EN CORTE Y

Con el circuito de la Fig. N 1, responda las siguientes preguntas

FIG. N 1
PROB N 1

Cul es la funcin de los condensadores C i , Co , Ce

PROB N 2

Si la seal de entrada alterna, Vi. Dibuje la seal de salida (Vo) en

sincronismo con la seal de entrada (Vi).

PROB N 3

El circuito de la figura N2, representa el circuito equivalente de

entrada del circuito amplificador de la fig N1, a partir de l .Calcular el
valor de la componente alterna (modulo), que se refleja en Vx.
Datos : R1 = 15 K ohm , R2 = 2 , 7 K ohm , Rb = R2//R1 ,
Vi = 1 ( volts) , f = 150(hz)

FIG. N 2
Rpta: 970 mv

PROB N4

Si la seal de salida es de 10 (volts), Vx = 970 (mv), Vi = 1 (volts).

Calcular la ganancia de tensin con respecto de Vx y Vi .
Rpta : a) 10 , 3

b) 10

Los siguientes problemas se deben resolver en funcin del circuito de

la figura N 3

FIG. N 3

Datos: Transistor de Silicio, Vce sat = 0,3 (volts) , Vbe sat = 0,7 (volts)

PROB N 5

Para el circuito de la Fig. n 3. Si Vb = 5 (volts), Vcc = 12 (volts),

Ic = 15 (ma) .Disear el circuito para que funcione en corte y
saturacin.
Rpta : Rc = 780 (ohm) , Rb = 2867 ( ohm)

PROB N 6

Para el circuito de la fig (3), si Vb = 3 (volts), Vcc = 9 (volts), Ib = 1

(ma).
Disear el circuito
Rptas : Rb = 2,3 ( K ohm ) , Rc = 870 ( ohm )

PROB N 7

Parar el circuito de la fig (3). Si Vb = 2,5 (volts), Vcc = 5 (volts),

Rb = 2,7 (K ohm) Rc = 705 (ohm). En que zona funciona el circuito?
Justifique la respuesta

Amplificadores Diferencial (AD)

Introduccin
El amplificador Diferencial
El amplificador diferencial es conocido como amplificador de
acoplamiento directo por la forma en que se encuentran conectados los
elementos activos que lo forman y tambin como amplificador de corriente
continua por que es capaz de amplificar seales de frecuencia cero.
La configuracin tpica de un amplificador diferencial es aquella que
esta formado por dos transistores con sus respectivas resistencias de
colector y una resistencia de emisor como se muestra en la figura.

vb

Entre colector y emisor de ambos transistores existe una cada de

tensin, Vce de valor constante en ausencia de seal en las bases de los
transistores.
El AD consta de dos entradas y dos salidas. Cuando las tensiones
variables v1 y v2 aplicadas a las entradas son cero o iguales, la ddp entre
las dos salidas es nula.
Cuando se aplica tensin a las entradas, en las salidas aparecen unas
seales cuyos valores son:
va = Ad ( v2 v1 ) , ( ec 1)
vb = Ad ( v1 v2) , ( ec 2)
donde Ad es la ganancia diferencial de cada una de las dos etapas.

El nombre de amplificador diferencial se debe a que la tensin de

salida es proporcional a la diferencia de las tensiones de entrada en las
respectivas bases.
La diferencia de potencial entre las salidas de ambos transistores esta
dada por la expresin:
vb va = Ad ( v1 v2) Ad ( v2 v1)
vb va = Ad( v1 v2 v2 + v1)
vb va = 2Ad ( v1 v2 )
En los AD se suele utilizar una de las dos salidas, por tal razn se
utilizara la salida vb para todos los anlisis que se requieran.
Si v2 = 0 y v1 > 0, el valor de vb ser:
vb = Ad v1
De manera similar si ahora hacemos: v2 > 0 y v1 = 0, el valor de
vb es:
vb = - Ad v2
Del anlisis anterior, se tiene que:
v1= es la entrada de la seal no inversora
v2 = es la entrada de la seal inversora
Ganancia Diferencial y Ganancia en Modo Comn
La forma ms general de expresar el valor de la tensin de salida en
funcin de las entradas es la siguiente:
vb = Ad vd + Ac vc
donde Ac, es la ganancia en modo comn, vd es la seal en modo
diferencial. Ad ganancia en modo diferencial , vc seal en modo comn. En
general se pide que la seal diferencial sea muy alta y el modo comn sea
muy pequea para hacer la seal de entrada independiente de la seal de
ruido.
Los valores de vd y vc estn dados por las siguientes ecuaciones:
vd = v1 v2
vc = (v1 + v2)

Los valores de Ac y Ad se pueden evaluar con las siguientes

ecuaciones:
Ac = vb / vc Rc / 2Re
Ac = vb / vd (hfe* Rc ) / 2*hfe

Factor de Mrito
En un amplificador diferencial lo que se persigue es que la seal de
salida dependa exclusivamente de la seal diferencial aplicada en sus
entradas, pero como se ha dicho en las entradas tambin depende de las
seales de modo comn. Par medir la calidad del AD se establece un
nmero de mrito que se denomina Relacin de Rechazo en Modo Comn
(RRMC), que se puede evaluar con la expresin:
RRMC = Ad / Ac
Para que un AD, tenga buenas caractersticas, el nmero de mrito
debe ser como mnimo 1000.

El Amplificador Operacional (AO)

El Amplificador operacional es un dispositivo integrado en un solo
Chip, cuya principal caracterstica es su elevada ganancia de tensin. El
nombre de Operacional deriva de sus aplicaciones en los clculos
aritmticos en los primeros computadores anlogos.
El AO es un dispositivo con entradas diferencial, esto quiere decir
que, tiene dos entradas con inversin de fase, de forma similar que un AD.
En ambas entradas, la inversora (-) y la no inversora (+), se pueden ingresar
seales positivas y negativas.
El AO est constituido bsicamente por varias etapas diferenciales y
por una salida. Las entradas (+) y (-) del circuito son las que corresponden
a la primera etapa diferencial, esta etapa le confiere una elevada resistencia
de entrada al AO. La figura N 1, indica el smbolo de un AO

Fig N 1
Caractersticas del AO
Caractersticas ideales:
1.- Ganancia de tensin a lazo abierto. Infinita
2.- Resistencia de Entrada. Infinita
3.- Resistencia de Salida. Cero
4.- Ancho de Banda. Infinito
Offset

NC

LM741
Entrada no Inv

+Vcc
Salida

-Vcc

Offset
Encapsulado del AO 741

Anlisis
Realimentado.

de

un

Amplificador

Operacional

como

Circuito

La configuracin bsica de un AO, se indica en la siguiente figura

If
Fig (1)
Ii

En el circuito de la figura N 1, como se dijo que el AO tiene una

muy alta Resistencia de entrada, lo que quiere decir que la corriente hacia
el AO es prcticamente cero, esto hace que se reflejen los potenciales del
punto comn y Va. Este concepto que se conoce con el nombre de Tierra
Virtual es muy til en los anlisis de circuito para obtener las ecuaciones
de salida, las cuales sern utilizadas para tal efecto.
Planteando, las ecuaciones en el nodo Va, se tiene:
Ii + If = 0
(Vi Va)/ Ri + ( Vo Va)/ Rf = 0

(1)

De acuerdo al concepto de tierra virtual, se tiene que : Va = 0

Aplicando esta condicin a la ecuacin (1), se tiene:
Vi / Ri + Vo / Rf = 0
Vi / Ri = - Vo / Rf
La relacin Tensin de Salida con respecto de la Tensin de Entrada,
se conoce con el nombre de Ganancia de Tensin (Av.). Obteniendo la Av,
se tiene:
Av = Vo / Vi = - Rf / Ri
;
(2)
De la ecuacin (2), se puede concluir que:

1.- La ganancia de tensin se puede modificar variando la resistencia, Rf

2.- El signo (-) de la expresin nos dice que existe un desfase de 180 entre
la tensin de salida con respecto a la tensin de entrada.
3.- Para disear esta configuracin se debe dar un valor de resistencia
por ejemplo Ri y calcular Rf
4.- Por la razn dada anteriormente, esta configuracin se conoce con el
nombre de Amplificador de Tensin en Configuracin Inversor.
Analizar la siguiente Configuracin

Ia
Ib
Fig (2)

Planteando las ecuaciones del circuito en nodo Va, se tiene:

Ia = Ib

Ia = Va / Ri

Ia = Vi / Ri

(1)
por concepto de tierra virtual ; Va = Vi
;

(2 )

Ib = ( Vo Va) / Rf = ( Vo Vi ) / Rf

(3)

Reemplazando las ecuaciones (2) , (3) en (1) se tiene:

Vi / Ri = Vo / Rf - Vi / Rf
Vi ( 1/ Ri + 1 / Rf ) = Vo / Rf
Av = Vo / Vi = ( 1 + Rf / Ri )

(4 )

De la ecuacin (6), se tiene que la ganancia de tensin, en modulo es

uno mas la ganancia del amplificador Inversor. Pero en este caso no existe
desfase entre la seal de salida con respecto de la seal de entrada.
Por lo tanto se puede concluir que la configuracin analizada en un
Amplificador de Tensin configuracin No Inversor.

Circuito en Configuracin Sumador

I1
If
I2
I3

Las tensiones V1, V2, y V3 estn medidas con respecto al comn.

Planteando las ecuaciones de corriente en nodo Va, se tiene:
I1 + I2 + I3 + If = 0

, tambin se toma en cuenta el concepto de

Tierra virtual.
.

V1/ R1 + V2/ R2 + V3 / R3 + Vo / Rf = 0
Vo / Rf = - ( V1/ R1 + V2/ R2 + V3 / R3 )
Vo = - Rf ( V1 / R1 + V2 / R2 + V3 / R3 )
Vo = - { V1 ( Rf / R1) + V2 ( Rf/ R2) + V3 ( Rf / R3)}

(1)

Si se dan las siguientes condiciones:

R1 = R2 = R3 = R

la ecuacin (1) queda como:

Vo = - { V1( Rf/R) + V2(Rf/R) + V3(Rf/R) }

Vo = - Rf/R { V1 + V2+ V3 }

(2)

La ecuacin (2) , nos dice que el circuito es capaz de sumar

tensiones, con una ganancia dada por : Rf / R
Si Rf / R = 1

Vo = - ( V1 + V2 + V3 )

la ecuacin (2) nos queda como:

;

(3)

Circuito en configuracin Sustractor

En esta aplicacin se conecta una fuente de tensin, de entrada Vi,

sin conexin a tierra, a esta tipo se le conoce como una fuente flotante.
Anlisis del circuito para obtener una ecuacin de Vo.
1.- Plantear una ecuacin de tensin en Vi (LKV)
Vi = R1*i + R2*i = i ( R1 + R2 ) de donde se obtiene la siguiente
ecuacin.
2.- i = Vi / ( R1 +R2) ; por concepto de tierra virtual , Va = Vb
3.- Aplicando un divisor de tensin en funcin de Vo, se tiene:

4.- Va = Vo* R4/ ( R3 + R4) ; como

i = i 3 , se tiene:

5.- i3 = ( Va Vo) / R3
Igualando las ecuaciones (2) y (5) , se tiene:
6.- Vi / ( R1 + R2) = ( Va Vo)/ R3
Reemplazando la ecuacin (4) en (6), y trabajando algebraicamente
se tiene:
Vi / ( R1 + R2) = Vo {R4 / (R3+R4) - 1}/ R3
Para obtener la ganancia de tensin, se tiene:
R3
Vo / Vf =
(R1+R2)[(R4 /(R3+R4)) - 1]
( R3 + R4 )
Vo / Vf = ( R1 + R2 )
La tensin de salida, Vo es:
R3 + R4
Vo = - Vf [

]
R1 + R2

Si se cumplen las siguientes condiciones:

R1 = R2

R3 = R4, se tiene:

Vo = - Vf ( R3 / R1)
En caso que se conectan dos fuentes de tensin V1 y V2 con
terminal comn a tierra, como se indica en la figura:

i2
i1
Vb
Va
i3

Analizar el circuito para obtener la ecuacin de salida, Vo.

Ecuaciones bsicas:
1.- Va = V2 * R2 / ( R1+R2)
2.- i1 = ( V1 Vb) / R1

Va = Vb

3.- i2 = (Vb Vo) / R2

i1 = i2

Trabajando algebraicamente de forma adecuada se tiene:

Vo = (R2 / R1)*(V2 V1)

CIRCUITOS COMPARADORES

La funcin de un circuito comparador se puede realizar mediante

dispositivos digitales, para establecer la relacin existente entre dos
palabras de un determinado nmero de bits, pero tambin es posible
comparar con tensiones analgicas para determinar cuando alcanza el
mismo valor.
Normalmente una de las entradas se conecta a una tensin de
referencia, tal como se muestra en la fig (1) , y la otra se le aplica la tensin
variable que se desea comparar. Mientras la vi es menor que la de
referencia, la seal del AO estar al nivel ms bajo de la tensin de
alimentacin. Cuando el valor de v i sobrepasa levemente al aplicado a la
entrada negativa , el comparador conmuta y la salida v 2 pasa a tener un
valor positivo, aproximadamente igual al de alimentacin.
Vi
t
Vo
t

Fig (2)

Fig (1)

El circuito de la Fig (1) es un comparador no inversor, ya que la

tensin de entrada a comparar est entrando por la entrada positiva,
significa que, cuando v i es mas positivo que la tensin de referencia que
est presente en la entrada negativa, la tensin de salida v2 se hace positiva,
cuyo valor es igual a + Vsat (tensin de saturacin), por el contrario si, vi
es menor que la referencia la tensin de salida se va al valor de Vsat
Si, ahora la referencia se conecta a la entrada positiva del AO y la
tensin de entrada variable vi entra a la entrada negativa. El
funcionamiento es como sigue:

Si vi es mas positiva que la referencia la tensin de salida, v2 se hace

negativa cuyo valor ser igual a -Vsat . Si la tensin vi empieza a
disminuir y se hace levemente negativa con respecto a la tensin de
referencia, la tensin de salida v2 cambia rpidamente hacia el valor
positivo dado por + Vsat. El circuito y las formas de onda se muestran en
las figuras (3) y (4)
Vi

t
Vi
t

Fig (3)

Fig (4)

Si la referencia se hace igual a cero , vale decir se conecta

directamente a tierra el cambio se har justo cuando la seal de entrada , vi
pase por cero. Esta aplicacin es muy importante en los circuitos de
control para saber en que instante la seal de entrada pasa por cero, por lo
tanto esta unidad se conoce como detector de cruce por cero.
Este circuito comparador tiene sus limitaciones para algunas
aplicaciones de control como por ejemplo un control de nivel de un
estanque , para estas aplicaciones se requiere un comparador con zona
muerta , significa que la seal controlada estando en esta zona nohay
cambio en la salida por lo tanto el circuito de control no acta , con esta
nueva situacin se pueden ajustar por ejemplo un nivel inferior y otro
superior .
Con el comparador que no tiene esta caracterstica , que es el caso de
los comparadores analizados anteriormente no es posible hacer este tipo de
control , el control que puede hacer es con un solo nivel y el sistema sera
muy inestable, desde el punto de control sera muy pobre.

Comparadores con Histresis

La zona muerta , tambin se conoce como ciclo de Histresis , el
circuito que representa esta situacin se muestra en el circuito de la fig(5).

Vi
Vr 1

Vr 2
Vo

Fig (5)

Fig (6)

El circuito de la fig(5) , es un circuito comparador inversor,con

histersis . El funcionamiento es el siguiente:
Si vi es una seal que est variando en el tiempo (senoidal) ,
hagamos que sta tensin muy positiva ,de tal forma que sea mayor la
tensin de referencia la cual se obtiene como un divisor de tensin entre la
tensin de salida ,v2 y las resistencias R1 y R2 ,la ecuacin para calcular la
tensibn de referencia Vx es:
Vx = V2 * ( R2 / [R1+R2])
Esta tensin de referencia ,Vx puede ser positiva o negativa , y va a
depender si la salida , V2 se est en estado alto ( + Vsat ) , o en estado bajo
(-Vsat) , pero en nuestro analiss se dijo que Vi era muy positiva por lo
tanto sta tensin ser ms positiva que la referencia , por lo tanto , la
salida se va al valor bajo , en estas condiciones la tensin de referencia
tendr el valor igual a:
Vx = - V2 * ( R2/[R1+R2])

Como la salida esta cambiando, en algn momento tendra que

disminuir y pasar al semiciclo negativo, cuando ahora se compare con la
referencia , que en ente instante es negativa y se haga negativa con
respecto a esta referencia se va la salida a un valor positivo , ahora se
tendra una referencia positiva , cuyo valor estar dado por :
Vx = + V2 * ( R2/[R1+R2])
Resumiendo, el funcionamiento es similar al circuito comparador sin
histersis ,la diferencia es que el circuito comparador con histersis
funciona o trabaja con dos referencias , estas referencias se pueden alterar
modificando los valores de las resistencias del circuito.
Otra aplicacin de ste circuito es para obtener un circuito generador
de onda cuadrada simetrica.

GUIA DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Para desarrollar los siguientes los problemas haga uso del circuito de la
Fig. (1)

Fig. N1

Prob. N 1
Si R1 = 10 Kohm , R2 = 33 Kohm , Vi = 2.5 ( V) . Se pide calcular
a) La ganancia de tensin del circuito.
Rpta: 3.3
b) La tensin de salida, Vo

Rpta : - 8. 25 ( V)

Prob. N 2
Si la ganancia de tensin del circuito es igual a 10 . Disee el circuito de la
Fig.(1)
Rpta : R1 = 1 Kohm ; R2 = 10 K ohm
Prob. N 3
Si la seal de entrada es una seal senoidal, como se indica a partir de ella
graficar
la tensin de salida, Vo .
Prob. N 4
Para el circuito de la Fig. N 2 , se pide calcular la tensin de salida, Vo.
Cuando Vi = 10v

Fig. N 2

Rpta: - 0,8 ( v)
Los siguientes problemas se desarrollan, tomando en cuenta el circuito
de la Fig (3)

Fig. N 3
Prob N 1
Que nombre recibe el circuito de la figura n 3 ?

Prob N 2
S i R1 = 2.2 K ohm , R2 = 15 K ohm , Vi = 3 (v) , +V cc = 15 (v) , - Vcc
= 15 (v)
Calcular la ganancia del circuito
Rpta : 7. 82
Prob N 3
Calcular la tensin de salida, Vo.

Rpta : 23 , 46 (V)

Prob N4
Existe saturacin de tensin de salida? Justifique la respuesta.

Prob N 5
Si la ganancia de tensin del circuito es igual a 8, disear el circuito, si R1
= 10 K ohm.
Rpta:

R1 = 10 K ohm , R2 = 70 K ohm .

Si la tensin de salida es igual a 5. 5 (v). Calcular la tensin de entrada, Vi

Rpta : 688 ( mv)
Prob N 5
Si la tensin de entrada es senoidal, graficar la tensin de salida, Vo
Utilizar el circuito de la Fig. N 4 , para responder las siguientes
preguntas.

Fig. N 4

Preg N1
Si , V1= 1(v) , V2 = - 2 (V) , V3 = 3(V) ; R1 = R2 = R3 = 10 K ohm , R4
= 22 K ohm
Calcular la tensin de salida, Vo
Rpta : - 4. 4 ( v)

Preg N 2
Si , V1 = 1, 5 (v) ; V2= 800 mv ; V3 =1, 8 (v) ; R1 = 1,5 Kohm .
R2 = 2,2 Kohm , R3=3,3Kohm , R4=4,9Kohm.Calcular Vo.
Rpta : 7.7 (v)
Preg N 3
Calcular la corriente It = I1+I2+I3 del circuito.
2. 36 ( ma)

Rpta :

Para el circuito de la Fig. (5), responda las siguientes preguntas

Fig. N 5

Prob N1
Si R1 = R2 = 5 K ohm ; R3 = R4 = 15 Kohm
a) Calcular la tensin de salida , Vo
b) Calcular la corriente , I3, (en R3)
c) Calcular la tensin , Vb
Rpta: a) - 6, 6 (v) ; b) 0,22 ( ma) ; c) - 3,3(v)
Prob N2
Si R1 = 1, 5 Kohm ; R2 = 1 Kohm ; R3 = 10 K ohm ; R4 = 6,8 Kohm
a) Calcular la tensin de salida , Vo
b) Calcular la tensin en el punto b
Rpta: a)

(v) ;

b)

(v)

Para el circuito de la fig. (6) , responda las siguientes preguntas

Fig. N 6

Prob N1
Si Rc y Re son iguales a 5 Kohm , hfe = 80 , hie = 1 Kohm. Las seales
aplicadas a las
entradas (base de cada transistor) son: V1 = 520 (mv) , V2= 480 (mv). Se
pide calcular:
a) Ganancia a modo comn (Ac)
b) Ganancia diferencial ( Ad)
c) Relacin de Rechazo a Modo Comn (RRMC)
d) Tensin a modo comn (vc)
e) Tensin diferencial (vd)
f) La tensin de salida ( v 2)
Rpta: a) 0,5 ; b) 200 ; c) 400 ; d) 500 mv ; e) 40 mv ; f) 8250 mv
Prob N2
Si la RRMC , aumenta a 4000 , mantenindose la Ad en 200 , se pide
a) La ganancia a modo comn (Ac)
b)La tensin de salida v2
Rpta: a) 0,05
Prob N3

b) 8025 mv

En cual de las dos situaciones: Prob. (1) o Prob. (2), el amplificador

diferencial tiene mejores caractersticas. Justifique la respuesta
Utilizando el circuito de la fig (7), desarrolle los siguientes problemas

Fig. N 7

Prob N1
Si E = 10 (v) , R1 = 2,2 K ohm , R2 = 6,8 K ohm , +V = 12 (v) , -V =
-12 (v) . Vi es una seal alterna de valor mximo igual 5 (v) . Se pide:
a) Graficar la seal de entrada y salida en funcin del tiempo, agregar
valores en los puntos adecuados.
b) Graficar la caracterstica de transferencia
Prob N2
Si E = - 10 (v) , R1 = 5,8 (v) , R2 = 5,6 (v) , + V = 10 (v) , - V = - 10
(v). Si Vi es una seal alterna de valor mximo igual a 6 (v).Se pide:
a) Responda las preguntas del prob. (1).
Prob N 3
Si E = 12 (v) , R1 = R2 = 5 K ohm , +V = 12 (v) , - V = -12 (v) . Si Vi
es una seal alterna de valor mximo 3 (v). Se pide:
a) Responda las preguntas anteriores ( Prob n 1)
Desarrolle los siguientes ejercicios, haciendo uso del circuito Fig. ( 8).

Fig. N 8

Prob N 1
Si E = 6 (v) , R1 = 1 K ohm , R2 = 2 K ohm , +V = 12 (v) , - V = - 12 (v) .
Si Vi es una seal alterna de valor 5 (v) de valor igual a 5(v) medida con
respecto del comn. Se pide
a) Responda las preguntas anteriores (Prob n 1)
Prob N 2
Si E = - 9 (v) , R1 = 2,2 K ohm , R2 = 3,7 K ohm , +V= 15 (v) , -V = -15
(v) . Si Vi es una seal alterna de valor mximo igual a 10 (v). Se pide
a) Responda las preguntas anteriores ( Prob n1)
Prob N 3
Si E = 10 (v) , R1 = 5 K ohm , R2 = 10 K ohm , +V = 15 (v) , - V = -15
(v) .Si Vi es un seal alterna de valor mximo igual a 6 (v) . Se pide
a) Responda las preguntas anteriores ( Prob n1)

Desarrolle los siguientes ejercicios utilizando el circuito de la fig. ( 9 ).

Fig . N 9

Prob N1
Si R1 = 5 K ohm , R2 = 10 K ohm , +V = 12 (v) , - V = - 12 (v) . Si Vi
es una seal alterna de valor mximo igual a 8 (v) . Se pide
a) Graficar las formas de ondas de entrada y salida en funcin del
tiempo
b) Graficar la caracterstica de transferencia.
c) Mida la tensin de Histresis
Obs: Agregar los valores correspondientes en los grficos.

Prob N2
Si R1 = 6,8 K ohm , R2 = 8 K ohm , + V = 15 (v) , - V = 15 (v) . Si Vi es
una seal alterna de valor mximo igual a 10 (v). Se pide
a) Responda las preguntas del problema anterior
Prob N 3
Si R1 = 2 K ohm , R2 = 4 K ohm , +V = 9 (V) , - V = - 9 (v) . Si Vi es
una seal alterna de valor mximo igual a 7 (v) . Se pide :
a) Graficar las seales de entrada y salida en funcin del tiempo.
b) Graficar la caracterstica de transferencia.
c) Cual es el valor mnimo de Vi de entrada para que la seal de
salida cambie de estado positivo al estado negativo.

PROB N4
Para el circuito de la figura (10), si Vcc = +12 (v), Vcc = -12 (v), Vt = 10
(v)
Ra = 2 K ohm , Rb = 4 K ohm . La tensin de entrada Vi es una tensin
alterna cuyo valor mximo es de 15 (v), se pide:

a) Determinar los valores V1 y V2 que producen los cambios de tensin

en la salida ,Vo
b) Graficar la forma de onda Vo en funcin del tiempo
c) Graficar la caracterstica de transferencia ( Vi , Vo)
d) Determinar la tensin de histresis
Rptas: a) V1 = 3, 17 (V) ; V2 = 10,17 (v)

d) V h = 7 (v)

SISTEMAS NUMERICOS
INTRODUCCION
Todos conocemos el Sistema Decimal , que utiliza los smbolos:
0,1,2,3,4,5,6,7,8,9 . El sistema decimal entrega un valor de posicin
caracterstico. Consideremos el nmero 238. El nmero 8 esta en la
posicin de las unidades, el nmero 3 en la posicin de las decenas y el 2
en la posicin de las centenas.
Las 8 unidades, valor posicional mnimo
Las 3 decenas corresponden a 30 unidades
Las2 centenas corresponden 20 decenas y 200 unidades
Sumando se tiene : 200 + 30+ 8 , se tiene un nmero decimal igual a 238.
El sistema decimal, tambin se llama sistema de base 10, ya que
tiene 10 smbolo diferentes.
El nmero 238, utilizando la base 10, tambin se puede representar como la
serie:
238 =.. 2* 102 + 3* 101 + 3* 100
El sistema decimal es el sistema numrico utilizado por las personas
en su vida cotidiana. Pero no es el nico sistema numrico que existe.
Tambin existen entre otros:
Hexadecimal , el cual tiene 16 smbolos , que son:
0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F tambin conocido como sistema numrico
base 16.
Por ltimo esta el sistema binario, el cual tiene dos smbolos para
representar las cifras, que son: 1 ,0. Este ltimo Sistema se conoce como
lenguaje de Mquina debido, por que es el lenguaje que ocupan, por
ejemplo los computadores para realizar todas sus operaciones internas
desde el control hasta el sistema de cmputo.
Existen otros sistemas numricos, pero los ms representativos son
los que se han indicado.
La siguiente tabla indica la equivalencia entre los nmeros: Decimal,
Binario y el Hexadecimal

Decimal
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

Binario
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

Hexadecimal

0000
0001
0010
0011
0100
0101
0110
0111
1000
1001
1010
1011
1100
1101
1110
1111

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F

Tabla fig 1

De la tabla de la fig (1)

E l numero decimal 5 equivale al nmero binario 0101

El nmero decimal 11 equivale al nmero hexadecimal B
Convertir un Nmero Binario a Decimal

Binario
Decimal

1 0 0 1 1
1 * 2 4 + 0 * 2 3 + 0 * 22 +1 * 21 + 1 * 2 0
16

Por lo tanto el valor es 19

L a forma de representar la operacin es:
10011 2 equivale a

19 10

Convertir un Numero Decimal a Binario

+ 1

Se utiliza el mtodo de divisin sucesiva por 2. Convertir el

Decimal 19 a un equivalente en Binario
19 :
1

2 = 9

, el resto es 1

Se toma el cuociente y se divide por 2

9 :
1

2 = 4

, el resto es

Se contina con el proceso

4 : 2 = 2
0
2 : 2 = 1
0

1 : 2 = 0 ,
1

el resto es

el resto es 01
el resto es

El nmero binario se construye, haciendo una serie con los restos de

cada divisin, donde la posicin ms significativa de la cifra corresponde
al nmero originado por la ltima divisin, por lo tanto se tiene como
resultado:
19 10

equivale a

10011 2

Convertir Hexadecimal a Decimal

En este caso se utiliza una serie uso de la base 16.
Convertir
2 B 6

2B6

16

equivale a

10

equivale a 2 *16 2 + B * 16 1 + 6 * 16 0
2 * 256 + 11 * 16 + 6 * 1

512

176

+ 6

694

Por lo tanto: 2 B 6 16 equivale a

694 10

Convertir Decimal a Hexadecimal

Un mtodo es divisin sucesiva por la base 16, mtodo similar al

utilizado cuando se trabaj en la conversin de Decimal a Binario
Convertir

45

a su equivalencia en X

16

45 : 16 = 2
13

, resto R o = 13

D = 13

2 : 16 = 0
2

, resto R 1 = 2

10

45 10 equivale a 2 D 16

Convertir Hexadecimal a Binario

En este caso, cada smbolo de la cifra Hexadecimal se reemplaza por

un grupo de 4 bits.
Convertir 1 A 16 equivale a X 2
1 equivale a 0001
1 A 16 equivale a

;
00011010 2

A equivale a 1010

Convertir Binario a Hexadecimal

Se renen grupos de 4 BIT de derecha a la izquierda, donde cada

grupo corresponde al equivalente a un numero Hexadecimal
Convertir 11010011 2 equivalente a
1101 equivale a D
1100 equivale a 3

X 16

11010011 2 equivale a D3 16
CODIGOS
Cualquier informacin que se desea, procesar, almacenar mediante
un sistema digitales, deber ser traducida o codificada en un tipo de
lenguaje apropiado. La forma correcta de hacerlo es convertir nmero,
signo, instruccin u operacin en un conjunto de seales elctricas digitales
que ser diferente en cada caso. Cada una de estos datos estar constituida
por una serie de unos y ceros que indicar niveles altos y bajos de tensin
respectivamente. Algunos de estos cdigos son: BCD, GRAY y ASCII
Por ejemplo el nmero decimal 9, podr ser codificado en BCD por
1001.El 1,0 se conocen como un Bit.
La tabla de la Fig.(2), representa la codificacin de un nmero decimal en
Cdigo GRAY

DECIMAL
0
1
2
3
4

GRAY
0000
0001
0011
0010
0110

5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

0111
0101
0100
1100
1101
1111
1110
1010
1011
1001
1000

CODIGO ASCII
Es un cdigo Alfanumrico (American
Standard Code For
Informacin Inter- change). Existen cdigos de 6 y 7 bits. Permite
representar cifras decimales, caracteres alfabticos, signos especiales y
diversas rdenes de control para perifricos como Impresoras, Pantallas,
etc.
Formato

P b 7 b 6 b 5 b 4 b 3 b2 b1

b 7 : Representa el BIT de mayor peso o mas significativo

P : Representa el BIT de paridad
Utilizando la tabla de la figura (3), representar la letra A en cdigo ASCII
A equivale a

1000001

La instruccin SUB , equivale a 0011010 en cdigo ASCII

ARITMETICA

Suma y Resta Binaria .Para realizar dichas operaciones se aplica el

mismo algoritmo que es aplica cuando se opera con el sistema decimal.
SUMA
Tambin es posible aplicar la siguiente tabla que resume los pasos
bsicos de esta operacin. Para sumar dos nmeros de un BIT cada uno.
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Suma
0
1
1
0

Reserva
0
0
0
1

Realizar la siguiente suma

0

0
+

1 0 0
0 1 0 1
1

1 1 1 1 1
+ 1 1 0 0 1

0 0 1

1 1 0 1 0

Complemento de un Nmero
Los complementos tpicos de un nmero son:
Complemento a uno
Complemento a dos
El complemento a uno de un nmero se obtiene con solo cambiar los
unos por cero y los ceros por unos de una cifra binaria.
Si el nmero binario es 1 1 0 1 0 1 el complemento a uno es 0 0
101 0
El complemento a dos de un nmero binario se puede realizar al
menos de dos formas:
Mtodo N1
Obtener el complemento a uno del nmero binario y se le suma un
uno en la posicin del BIT menos significativo.
Mtodo N 2
Al nmero binario en cuestin, se repite la cifra de derecha hacia la
izquierda hasta el primer uno que encuentra y a continuacin se continua
con complemento a uno.
Obtener el complemento a dos de : 0 1 0 1 1
1 Complemento a uno:

1 0 1 0 0

2 Sumarle un uno

1 0 1 0 0
+
1
1 0 1 0 1
El segundo mtodo se aplica la definicin en forma directa y el
resultado se obtiene en menor tiempo.
Los complementos se utilizan para realizar las restas de nmeros
binarios, llevando la resta a una suma de nmeros, por lo tanto se aplica
siempre un solo procedimiento independiente, si se trata de una suma o
resta de nmeros binarios.
RESTA BINARIA
Aplicando procedimiento, explicado anteriormente se desarrolla el siguiente ejemplo
1 0 1 0
- 0 1 1 1
1

(minuendo)
( sustraendo)
( resultado )

Se toma el sustraendo, y se hace el complemento a dos, es resultado parcial es

1 0 0 1

2 Ahora, se realiza la suma entre el minuendo y el sustraendo complementado

1 0 1 0
+1 0 0 1
3 El resultado de la suma es :

1 0 0 1 1

E l rebalse del 5 BIT, indica el signo del resultado.

Si es 1 , el resultado es positivo.
Si es 0 , el nmero es negativo. Pero el resultado final se obtiene
complementando el resultado parcial.

SUMA HEXADECIMAL
Para desarrollar, estas sumas se aplican los mismos pasos que se
aplica en las sumas con nmeros decimales

Al desarrollar los siguientes ejemplos, los resultados son los

siguientes

5
8
D

LISTADO DE EJERCICIOS
A)

Conversin de Base de los siguientes nmeros

1.- Convertir un nmero Binario a Decimal

a) 1 1 0 1 1
b) 1 0 1 1
c) 1 0 1 1 1
d) 1 1 0 1 1 0
2.- Convertir un nmero Decimal a Binario
a) 27
b) 11
c) 23
d) 54
3.- Convertir un nmero Hexadecimal a Decimal
a) AB
b) 1 D
c) 4 F 1
d) 6 C 2
4.- Convertir un nmero Decimal a Hexadecimal
a) 171
b) 49
c) 1265
d) 1730
5.- Convertir un nmero Hexadecimal a Binario
a) 1 C
b) 2 A 1
c) 5 D
d) 1 F
6.- Convertir un nmero Binario a Hexadecimal
a) 0 0 0 1 1 1 0 0
b) 1 0 1 0 1 0 0 0 0 1
c) 0 1 0 1 1 1 0 1

8
+ B
13

d) 0 1 1 1 1 1
B) Obtener los complementos a uno y a dos de los siguientes nmeros Binarios
a)
b)
c)
d)

1 10 0
1010
1001
10101

C) Realizar las siguientes operaciones

1 1 0 1
+1 1 0 1

1 1 0 1
- 1 0 1 1

6
+4

1 1 0 1 0
0 1 1 1 0

1 0 1 0 1 1
+ 1 1 0 1 1 0

0 1 1 1
1 1 0 1

0 1 0 1 1
- 1 0 1 0 0

1 C
+1 2.

1 6
+ 1 F

ALGEBRA DE BOOLE

Introduccin

El lgebra de Boole, como el lgebra convencional, tiene en

principio como objetivo definir una serie de smbolos para representar
objetos o fenmenos que encadenados convenientemente dan lugar a
expresiones matemticas ms complejas denominadas funciones. Existen
leyes que gobiernan tales funciones, as como relaciones entre ellas.
El lgebra de Boole funciona como relaciones lgicas.
En el lgebra de Boole las variables binarias pueden tomar
solamente dos valores distintos: verdadero o falso, con 1 y
0
respectivamente.
Un diodo, transistor, lmpara, motor pueden estar en dos estados
estables de funcionamiento.
lmpara: encendida o apagada
motor : gira no gira
diodo . conduce no conduce
Se define como una funcin lgica o Booleana a toda variable binaria cuyo
valor depende de una funcin algebraica formada por otras variables
binarias relacionadas mediante los signos mas (+) y/o por (*) .
El signo (+) : Se debe interpretar como la conjuncin o.
El signo (*) : Se debe interpretar como la conjuncin y.
Como ejemplo la funcin lgica puede ser :
S= a*b + b*c
a
a

b
b

Funcin Y

Funcin O

La representacin de la funcin S con lgica de contactos es:

+V

S
c

Funcin Igualdad: Es la mas elemental de todas ellas. Interviene

exclusivamente una variable, la expresin matemticamente es:
S=a

La tabla de verdad es :
a
0
1

S
0
1

Circuito Equivalente
a
+V

1
0

: Hay Tensin
: No hay tensin

Funcin Unin: Tambin conocida como funcin Suma, O (OR). La

expresin matemtica es:
L a tabla de verdad es:

S= a + b

a
0
0
1
1

Circuito Equivalente
a
+V

S
b

b
0
1
0
1

S
0
1
1
1

Funcin
Interseccin:
Se conoce con el nombre de funcin
Producto o Funcin Y (AND). Su expresin matemtica es:
La tabla de verdad es :

S= a * b

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

S
0
0
0
1

Circuito Equivalente:
a
+V

S
b

Funcin Negacin: Es conocida como complemento o Funcin No

(NOT). Su expresin matemtica es:
La tabla de verdad es:

S= a

a
0
1

Circuito Equivalente:
+V

Ejemplo: Llevar a lgica de contacto la siguiente funcin

S=(a + b)* (a + b)

a
S
S

+V

S
1
0

Otras Funciones Bsicas Importantes:

Funcin No Y Nand ;
Funcin No O Nor
;
Funcin O exclusivo
Funcin Nand

Funcin Nor

Funcin Or Ex

Y negada
O negada

.
.
S= a*b

Tabla de verdad

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

S
1
1
1
0

.
.
S= a + b

Tabla de verdad

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

S
1
0
0
0

Tabla de verdad

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

S
0
1
1
0

.. ..
S= a*b + a*b

Propiedades Bsicas del lgebra de Boole

Conmutativa:
Asociativa :
Distributiva :

a + b = b + a
;
a + b + c = a + (b + c)
a * ( b + c) = a * b + a * c ;

a * b = b * a
;
a * b * c = a * ( b * c)
a + b * c = ( a + b ) * ( a + c)

Teoremas
Ley de absorcin:

a + a*b = a
;
.
.
.. ..
Ley de De Morgan :
a + b = a * b

a + a * b = a+b
.
.
..
..
a * b = a + b

Forma Cannica de una Funcin Booleana

..
.. ..
.. .. ..
S1 = a * b * c + a * b * c + a * b * c
..
..
..
S2 = ( a + b + c ) * ( a + b + c ) * ( a + b + c )

La funcin S1, se conoce como Suma de Productos, o funcin de

Mini trminos
La funcin S2, se conoce como Productos de Suma, o funcin de
Maxiterminos
Para transformar una funcin de Maxiterminos en una funcin de
Miniterminos Se aplica el siguiente procedimiento.
1 ) Se cambian todos los signos (+) por (*) y los signos (*) por (+)
2 ) Se niegan todas las variables por separado
3) Se operan con las negaciones de las variables, las doble negaciones se
cancelan
4) Por ltimo se niega toda la variable.
Ejemplo: Transformar la funcin de Maxiterminos en una funcin de Mini
trminos

Y = ( A+ B + C ) * ( A + B + C )
Y= (A * B * C ) + ( A * B * C )
Y= (A * B * C ) + ( A * B * C )
Y = (A * B * C ) + ( A * B * C )

Y = ( A * B * C) + ( A * B * C )
Y = ( A * B * C ) + ( A * B * C )

Con este procedimiento hemos transformado una funcin de

Productos de Suma en una funcin de Suma de productos. Esta herramienta
es de suma importancia cuando se desean cambiar de lgica en los
circuitos de Sistemas Digitales en forma prctica, con el motivo de tener
ojal un solo tipo de compuertas en el diseo. Con esto se facilita el
mantenimiento del circuito a reparar, con respecto de la cantidad de
diferentes tipos de compuertas lgicas.
Para transformar una funcin de Mini trminos a Maxiterminos, el
procedimiento es muy similar.
Queda como ejemplo, tomar la funcin resultado del ejemplo
anterior que ahora ha quedado en Mini trmino y obtener la funcin en
Maxiterminos, el resultado correcto debe ser el ejemplo con el cual se
empez el ejercicio original.

LISTADO DE EJERCICIOS
1.- Construir por medio de lgica de contactos las siguientes funciones
..
..
S1= a * b + a * b
..
..
S 2= ( a * b * c ) + ( a * c ) * d
..
..
S3 = ( a + b + b * c ) * d
..
..
S4 =(a * b + c * b )* (a * c )
..
.. ..
S5 =(a * b + b * c + c * a )
2.- Comprobar la tabla de verdad de las funciones: S 1 ; S
3.- Indique para que condicin de a y

; S5

b , la salida es cero.

4.- Si la salida de la funcin S 5 corresponde a un motor, para que condicin de

b y c , el motor no funciona.

a ,

5.- Obtener la tabla de verdad de la funcin, S 1 y a partir de ella obtener las funciones
en: Maxitrminos y Minitrminos.
..
..
..
..

6.- La funcin Booleana Y = A * B * C + A * B * C + A * B * C , la cual

esta expresada en mini trminos , hacer la transformacin a una funcin
de
Maxiterminos.

POSTULADOS DEL ALGEBRA DE BOOLE

1.- La suma lgica de una variable ms un 1 lgico equivale a un 1 lgico
a + 1=1
2.- La suma lgica de una variable ms un cero lgico equivale al valor de la variable
a + 0=a
3.- El producto lgico de una variable por un 1 lgico es igual al valor de la variable
a*1=a
4.- El producto lgico de una variable por un 0 lgico es igual a 0 lgico
a*0=0
5.- La suma lgica de dos variables iguales equivale al valor de dicha variable
a + a =a
6.- El producto lgico de dos variables iguales equivale al valor de dicha variable
a * a=a
7.- La suma lgica de una variable ms la misma pero negada equivale a un 1 lgico
..
a + a =1
8.- El producto lgico de una variable por la misma pero negada equivale a un 0 lgico
..
a * a =0

9.- Si una variable lgica es negada dos veces sta no se altera

..
..
a = a
10.- Si se niegan ambos miembros de una igualdad lgica, sta no sufre ninguna varia
cin.
.. .
.
S=a + b
S= a + b
.. .
.
S= a * b
S= a * b

SIMPLIFICACIONES DE FUNCIONES
INTRODUCCION

En el diseo de circuitos digitales resulta de mayor inters

simplificar minimizar las funciones obtenidas de las Tablas de Verdad
directamente del enunciado de un problema. Cuando ms simplificada es la
funcin, menor ser el nmero de componentes necesario para su
implementacin con componentes lgicos.Existen bsicamente dos formas
de realizar estas simplificaciones son:
a) Un tipo de simplificacin en la cul se utiliza el lgebra de Boole en la
cual se deben aplicar de forma adecuada los Teoremas, Postulados y las
Leyes de dicha lgebra. Es un mtodo lento y hay que ser muy hbil con
dicha lgebra para obtener un resultado ptimo.
b) La otra forma de realizar la simplificacin es utilizar un mtodo grfico,
llamado Karnaugh. Este es un mtodo sencillo de aplicar, para
simplificar funciones lgicas de 2, 3 y 4 variables.
Para aplicar ste mtodo se debe construir un cuadriltero que
divide a su vez en 2 n cuadrados elementales , donde el exponente n
, es el nmero de variables de la funcin .
En la siguiente figura se indican los grficos para 2, 3 y 4 variables
0
0

Para n = 2

22 = 4

Variables : a y b

00

01

11

10

Para n = 3 ; 2 3 = 8
Variables : a , b y c

00
00

01

11

10
Para n = 4

2 4 = 16

Variables : a , b , c , d
01
11
10

Para aplicar ste mtodo, la funcin Booleana, debe estar

representada en mini trminos (suma de productos). Estos mini trminos se
deben entrar al diagrama, en la ubicacin correspondiente, no pueden
existir dos mini trminos en una misma posicin.
Para realizar las simplificaciones dentro del diagrama se deben tomar
ciertas consideraciones, reuniendo una cierta cantidad de mini trminos de
acuerdo a ciertas reglas.
1 Se pueden reunir dos mini trminos que sean adyacentes, en filas
columnas.
2 Se pueden reunir 4 mini trminos en una sola fila en una sola
columna en
una mezcla de filas y columnas.

3 Se pueden reunir 8 mini trminos en dos filas en dos columnas

OBERVACIONES
a) Una simplificacin no vlida es cuando cambian las dos variables
al mismo tiempo.
b) Se debe respetar el orden de las variables dentro del grfico con
respecto del mini trmino de la funcin Booleana.
c) Se puede ocupar un mini trmino las veces que uno quiera en el
proceso de simplificacin.
d) Mientras ms mini trminos se renan de una sola vez ms
simplificada ser la funcin reducida.
Procedimiento para ingresar los mini trminos en el grfico
....
.. ..
.... ..
F ( a,b,c ) = a b c + a b c + a b c + a b c
= m1 + m2 + m3 + m4
00

01

m 4

m1

m2

11

m3

10

Fig ( 1 )

Procedimiento de Simplificacin
1 Reunir: m 4 y m 1
2 Reunir : m 4 y m 2
3 El mini trmino m 3 no se puede reducir ya que no es adyacente con
ningn con otro.
Entre m 1 y m 4 se elimina aquella variable que cambie de
estado lgico , entre las variables b y c , cambia la variable c del estado
0 a 1 lgico . Por lo tanto la reduccin de esta reunin es : a b
Entre m 4 y m 2 , aplicando mismo procedimiento , la variable
que cambia de estado lgico es la variable a de 0 a 1 lgico . Por lo
tanto la reduccin de esta reunin es:
.. ..
b c.
El mini trmino, m 3 como no se puede simplificar, sale del grfico tal como entr .Por
lo tanto la funcin reducida es la serie de las reducciones parciales, quedando de la
siguiente forma:
.... .. ..
F (a , b , c ) = a b + b c + a b c

Esta simplificacin es posible realizarla, aplicando el lgebra de

Boole.
....
....
......
F ( a ,b, c) = a b c + a b c + a b c + a b c
....
..
.. ..
= a b (c + c) + a b c + a b c
....
....
= a b + a b c + a b c
.. ..
..
= b (a + a c) + a b c
..
..
.. ..
= b ((a + a ) * (a + c)) + a b c
..
.. ..
= b (1*(a + c)) + a b c
.. ..
..
= b (a + c) + a b c
.... ....
= a b + b c + a b c

Simplificar una funcin de 4 variables.

F( a , b , c , d ) = a b c d + a b c d + a b c d + a b c d + a b c d + a b c d + a b c d
+ abcd
= m1 + m2 + m3 + m4 + m5 + m6 + m7 + m8
00
00

m1

01

01
m3

m2

m7

m8

11

10

m4

Simplificacin

11

m5

0 1
m 6

1 Reunin (4 mini trminos) : m 1 , m 3 , m 2 y m 6 . Las variables c d, las

dos cambian de estado lgico, por lo tanto se eliminan. El resultado parcial de esta
reunin es: a b
2 Reunin ( 4 mini trminos ): m 3 , m 2 , m 7 y m 8 . De las variables c d ,
cambia c , de 0 a 1 lgico, por lo tanto se elimina. En las variables a b, cambia b de
0 a 1 , por lo tanto se elimina. El resultado parcial de esta reunin es: a d
3 Reunin ( 4 mini trminos ) : m 1 , m 3 , m 4 y m 5 . En las variables c d
cambia de estado lgico, la variable d de 0 a 1 por lo tanto sta se cancela. En las
variables a b , cambia de estado lgico la variable a de 0 a 1 , por lo tanto esta
variable se cancela, el resultado parcial es : c d
La funcin reducida queda de la siguiente forma:
.... ..
....
F( a , b , c , d) = a b + a d + c b

COMPUERTAS LGICAS
Como una introduccin a las compuertas lgicas , diremos , que es
una simbologa real de las operaciones de : Suma y Multiplicacin
( Unin , Interseccin ) lgicas , con sus respectivas ecuaciones y tablas de
verdad , necesarias para disear circuitos digitales
Los pasos a seguir son:
a) Traducir el problema a una tabla de verdad
b) Extraer de La tabla de verdad la funcin lgica de forma de Mini
trminos
c) Simplificar la funcin con el mtodo ms oportunos
d) Construir el circuito con los dispositivos ms adecuados.
La ecuacin de un circuito lgico se puede realizar con lgica de
contactos, diodos, transistores. Sin embargo lo ms prctico y fiable es la
utilizacin de compuertas lgicas Integradas, construidas con tecnologa
SSI (Integracin a Media Escala).
Existen un amplio nmero de compuertas clasificada por Familias,
las cuales presentan distintas caractersticas, dependiendo de la tecnologa
con la que estn constituidas.
Son muchas las tecnologas de fabricacin de circuitos digitales
integrados, sin embargo, nos referiremos a dos familias principalmente que
son: Familias TTL ( Lgica transistor Transistor) y la familia CMOS, en
este caso se utiliza un transistor MOS (Metal Oxido- Semiconductor)

Familia Lgica TTL

Estas compuertas estn constituidas mediante resistencia, diodos y
transistores bipolares,
Esta familia es la ms popular debido a su bajo costo y gran
variedad de circuitos que se han desarrollado por la totalidad de los
fabricantes de Semiconductores.
La Familia TTL comprende de varias serie que han sido
desarrollados progresivamente para mejorar algunas de las caractersticas
de los fabricantes anteriormente.
La primera serie fue la TTL Standard conocido como la serie 54 /
74. Cuyas caractersticas son:
- Tensin de Alimentacin comprendidas entre : 4 , 5 y 5, 5 (v)
- Temperatura de trabajo : 0 a 70 c
- Disipacin de Potencia : 10 mili Watts
- Tiempo de Propagacin medio : 10 mili seg
La serie 54 presenta las mismas caractersticas, la diferencia es la T
de trabajo, que en este caso est comprendida entre: - 55 c y +125 c , su
precio es ms elevado.
La serie 54 / 74 S ( S chottky), mejora el tiempo de conmutacin, 3 nano
segundo, disipacin de potencia por funcin por funcin es 10 mili watts.
La serie 54 / 74 LS (Low Power Schottky), cuya potencia por funcin es 2
mili Watts y tiempo de conmutacin, 5 nano segundo.
La serie 54 / 74 F ( Fast), con una disipacin por funcin de 4 mili-watts y
tiempo de propagacin de 3 nano segundo.

Familia Lgica CMOS

Los circuitos integrados de la familia CMOS ofrecen una fuerte
competencia a las de Tecnologa TTL, debido a las mejores caractersticas
que presentan en algn aspecto. La principal la menos disipacin de
potencia por funcin, la que se supone una mayor densidad de integracin.
Por otro lado esta familia tiene una mayor inmunidad al ruido elctrico que
la familia TTL. Por el contrario, los tiempos de propagacin, en general son
superiores.
La tecnologa CMOS es la sntesis de otras dos familias que utilizan
el transistor MOS como elemento bsico. Estos son los NMOS,
constituidos por transistor de canal N, los PMOS cuyo elemento
fundamentalmente es el transistor transistor MOS de Canal P .
La letra C que es parte de la sigla C MOS es la abreviatura de COS
(Simetra Complementaria).

Las caractersticas ms importantes de la Familia C MOS en general son:

- Tensin de alimentacin entre : 3 y 18 volts
- Rango de Temperatura de trabajo : - 40 c
y + 85 c
- Gran Inmunidad al ruido elctrico
- Potencia disipada por puerta es 10 nano Watts
La familia C MOS bsica aparece en el catlogo como la serie 4000
Clasificacin de compuertas Bsicas
Nombre

Simbolo

AND

OR

Ecuc. Lgica

Y
s

Y=a * b

Y= a + b

Y =a

NOT
0

Tabla de Verdad
a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
0
0
0
1

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
0
1
1
1

Nombre

NAND

NOR

OR Ex

Smbolo

Ecuacin Lgica

Y=a *b

Y=a+b

a
b

Y= a + b
Y=a*b+a*b

NOR Ex

a
b

Y= a

Y= a *b + a * b

Tabla de Verdad
a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
1
1
1
0

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
1
0
0
0

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
0
1
1
0

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
1
0
0
1

Ejemplo (1)
Dibujar el circuito lgico utilizando compuertas adecuadas para
representar la siguiente funcin lgica,
.. ..
Y= (a*b*c + a *c)*d

.
.
.
Y= (a + b )

Ejemplo (2)

.
..
..
b * c

Obtener la Ecuacin Lgica de una Tabla de Verdad (T. de V.)

Dada la siguiente T de V que representa la condicin de un determinado
problema
Obtener :
a) La ecuacin Booleana en Mini trminos
b) La ecuacin Booleana en Maxi trminos

a
0
0
0
0
1
1
1
1

b
0
0
1
1
0
0
1
1

c
0
1
0
1
0
1
0
1

Y
0
1
1
0
1
0
0
1

....
ab
a b
..
a b

c
c
..
c

a b c

Para obtener dicha funcin se observan todas las salidas que estn en
nivel alto ( 1 lgico). Se multiplican todas las variables de esa fila, en este

caso son 4, que indica en la tabla, en la primera columna de la derecha,

ahora sumamos estos trminos, como se indica en la siguiente ecuacin.
.. ..
..
..
.. ..
F( a,b,c) = a b c + a b c + a b c + a b c

Para obtener la funcin en Maxitrminos, ahora se observan las

salidas de la T de V que estn en nivel bajo (0 lgico). Se niega cada
variable por separado y se suman por cada fila por separado, ahora bien
estos cuatro trminos se multiplican, quedando como se indica en la
ecuacin.
..
..
..
..
..
..
F (a,b,c) = (a + b + c) * ( a + b + c) * (a + b + c) * (a + b + c)

Ejemplo ( 3 )
A partir de la siguiente T de V , se pide
a) Obtener la ecuacin lgica en mini trminos
b) Simplificar la ecuacin
c) Implementar el circuito con compuertas lgicas
Tabla de Verdad

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
0
1
1
0

..
..
Aplicando procedimiento anterior, se tiene : Y = a b + a b + a b
Sin simplificar la ecuacin, el circuito queda de la siguiente forma:

Simplificando la ecuacin, aplicando el mtodo de Karnaugh en dos

variable

b
0

1
1

0
1

La funcin Simplificada queda de la siguiente

forma:
Y = a +

Implementacin del circuito:

Aplicando la funcin de Maxi trminos

Sacando la ecuacin de la T de V
..
..
Y=(a + b )*(a + b)

Implementando el circuito con las compuertas adecuadas se tiene:

La ecuacin en Maxiterminos se puede transformar en minitrminos se tiene:

..
..
Y=(a * b)+ (a * b)
..
..
.. ..
..
..
Y=(a * b)+ (a * b)

.
.. ..
..
..
.. ..
Y=(a * b)+ (a * b)
.
.
..
..
Y=(a * b)+ (a * b)

La implementacin del circuito con las compuertas adecuadas corresponde

a:

Se puede concluir que cuando se disea un circuito a partir de una T

de V, siempre se obtiene la ecuacin lgica, con la menor cantidad de
trminos, los que pueden ser, mini trminos o maxi trminos, esto se logra
observando las salidas de la T de V. Si hay una menor cantidad de 1 lgicos
se trabaja con mini trminos, de lo contrario se traba en funcin de maxi
trminos.
Ejemplo (4)
Para la tabla de verdad de la funcin AND. Se pide obtener:
a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
0
0
0
1

a) Obtener la ecuacin lgica del circuito en funcin de mini trminos y

maxi trminos
b) Implementar el circuito con compuertas lgicas para ambos casos
Desarrollo

a) La ecuacin del circuito en mini trminos es:

b) La implementacin del circuito es:

Y = a * b

c) Usando maxi trminos sin simplificar la ecuacin es :

..
..
S=(a + b)*(a + b)*(a + b)

La implementacin del circuito lgico es:

Transformar la ecuacin de mini trminos en maxi trminos se tiene:

..
..
Y=a*b + a*b + a*b
..
..
.. ..
.. ..
.. ..
Y=a*b + a*b + a*b
.
.
..
..
.. ..
.. ..
.. ..
Y=a*b + a*b + a*b
.
.
.. ..
..
..
Y= a*b + a*b + a*b
Para simplificar la ecuacin mtodo de Karnaugh, no se tomar en cuenta la
negacin de la funcin, se pondr la negacin a la funcin simplificada
b
a
0
1
1
1
.
.
0
..
..
1
Y = a + b
1

El circuito implementado con funcin en maxi trminos es:

CIRCUITOS COMPARADORES
Son circuitos que permiten comparar palabras binarias de uno ms
bits. Se pueden realizar los circuitos con compuertas bsicas o con circuitos
integrados. El circuito integrado utilizado para estos fines es el CI 7485,
que es un comparador de palabra de 4 bits.
Anlisis de un circuito con compuertas bsicas, se comparan dos
palabras a y b de un bit cada una.
La tabla de verdad es la siguiente:
entradas
a
b
0
0
0
1
1
0
1
1

S1
a=b
1
1

S2
a>b
1

S3
a<b
1
-

Las ecuaciones lgicas son:

.. ..
S1 = a * b + a * b
..
S2 = a * b
..
S3 = a * b

Implementacin del circuito con compuertas bsicas

COMPARADOR 7885
Es un comparador de palabras de 4 bits cada palabra. Este circuito
integrado se puede conectar de forma de comparar palabras de 8 bits.

DECODIFICADORES
Son circuitos que tienen la habilidad de seleccionar una determinada
salida dependiendo de las combinaciones binarias en su entrada.

Salidas
S0
DECOD.
S1
2:4
S2
S3

a1

a2

Entradas

Anlisis para un Circuito Decodificador de dos Entradas y cuatro Salidas.

Disear la tabla de verdad.
Entradas
a1
0
0
1
1

a0
0
1
0
1

Salidas
S3
1
1
1
0

S2
1
1
0
1

S1
1
0
1
1

S0
0
1
1
1

La tabla de verdad se activa con un nivel bajo (0 lgico).

Por ejemplo cuando, las entradas a 1 y a 0 estn en 0 lgico, se
activa la salida S0, significa que lleva a tierra un terminal de ese circuito,
por lo tanto el otro extremo de esa carga o circuito debe estar a + V, para
que quede alimentado y se active.
Las ecuaciones lgicas del circuito en Maxi trminos obtiene de la Tabla de
Verdad
S0 = a1 + a0
..
S1 = a1 + a0
. .
S2 = a1 + a0
. .
. .
S3 = a1 + a0
La transformacin de las ecuaciones en mini trminos corresponden a:
.
.
. . . .
.. ..
S0 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0 = a1 * a 0
.
.
..
..
.
.
..
..
..
.. ..
..
S1 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0
.
.
..
..
.
.
..
..
.. ..
..
..
S2 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0
.
.
..
..
.. ..
.. ..
..
..
.. ..
.
.
S3 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0 = a 1 * a 0

Se implementar el circuito con las ecuaciones de maxi trminos

Existen Decodificadores como circuitos integrados, como por

ejemplo 74 L S 42
tiene 4 lneas de entrada y 10 lneas de salidas, aplicando una combinacin
BCD a su entrada, se activa la correspondiente lnea de salida.

DECODIFICADOR BCD A SIETE SEGMENTOS

Una forma usual de representar un nmero binario en un nmero
decimal es utilizar un decodificador de siete segmentos y activar una
pantalla de siete segmentos, los segmentos se indican con las letras : a , b ,c
,d , e ,f , g . Con dichos segmentos se pueden representar los nmeros : 0 ,
1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 5 , 6 , 7, 8 , 9 . Un decodificador comercial es el CI 7447,
en la figura se indica la ubicacin de los terminales para realizar una
conexin, la entrada corresponde a la combinacin binaria y las salidas que
deben ir al Display de 7 segmentos en nodo comn

GENERADOR DE PULSOS CON EL C I 555

(Circuito Oscilador)
El C I 555, es un circuito que tiene una variada clase de aplicaciones,
dentro de las cuales esta la aplicacin de poder generar un tren de pulsos,
tambin llamado circuito oscilador, en esta oportunidad no se analizar al
interior de dicho CI, mas bien
nos abocaremos a reconocer la ubicacin de sus terminales, su funcin en
forma general, pero en forma especfica disear y armar el circuito.
Como tambin, la observacin de las formas de onda ms importante para
reconocer el buen funcionamiento del circuito.
CIRCUITO DE APLICACIN
E l condensador C*, es un condensador que se conecta entre el pin 5
y el comn su utilizacin es para eliminar seales de ruido elctrico
cuando la situacin lo aconseja, el valor de 0,01 F, lo entrega el fabricante.

Las ecuaciones bsicas del circuito son:

La frecuencia de salida, esta dada por : f = 1 ,443 / [(Ra + 2 Rb)*Ct]
La relacin de la frecuencia y el Periodo esta dada por :

f=1/ T

El periodo (T), esta dado por la suma de t 1 (tiempo de carga del

condensador) y t 2 tiempo de descarga del condensador, o sea:
T= t1 + t2

t 1 = 0,693 ( R a + R b ) * C t
t 2 = 0,693 * R b * C t
T = t 1 + t 2 = 0,693 (R a + R b)*Ct + 0,693 * Rb *Ct
Trabajando la ecuacin algebraicamente es tiene la siguiente solucin:
T = 0,693 * (Ra + 2 *R b) * Ct
T= 1/ f
El Tiempo til (D), se define como la relacin de tiempo alto (t 1) y
el periodo (T), esta razn esta dada normalmente en tanto por ciento (%)
D (%) = t1 / ( t1 + t2 ) =

t1/ T

Disear un circuito oscilador para tener una seal de 200 (hz), D =

60 % y un condensador de 0,47 F.
Con los datos dados se puede conocer el periodo (T). T = 1/ f =
1 / 200 = 5 seg.)
El tiempo de t1, corresponde al 60% del periodo: t1 = 5 (mseg) * 0,6) =
3 (mseg)
Por diferencia se puede conocer, el tiempo de descarga, t2 = T t1 =
2 (mseg)
T2 = 0,693 * Rb * Ct, despejando Rb, se tiene:
Rb = t 2 / ( 0,693 * 0,47 * 10 -6 ) = 6 ,14 K

De la ecuacin de, t 1, despejando se tiene:

R a + R b = 3 * 10 -3 / ( 0,693 * 0,47 *10 -6 ) = 9 , 21 K
R a = 9 , 21 k - 6, 14 K = 3 ,07 K

Formas de onda del condensador de carga y seal de salida.

Vc

t
Vo

LISTADO DE EJERCICIOS
1.- Implementar con compuertas bsicas, las siguientes funciones
..
..
..
f = a * b * c + a * b * c
..
..
..
f = (a + b ) * (a + b + c)
..
.. ..
..
f= a * b * c + a * b * c + a * b * c
.
.
f = (a * b * c ) + (a * c)
.
.
f = (a + b ) * ( a + b + c)
2.- Para la siguiente T de V. Se pide:
a) Obtener la ecuacin lgica en funcin de mini trminos
b) Realizar la simplificacin
c) Implementar la T de V
b) Comprobar la T de V
3.- Utilizando la T de V del problema anterior, de pide:
a) Obtener la ecuacin lgica en funcin de maxi trminos

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

Y
0
1
1
0

b) Realizar la simplificacin si es posible

c) Implementar el circuito , en funcin de la ecuacin de maxi trminos
d) Comprobar la T de V
4.- Si la T de V que representa el funcionamiento de un circuito, es la que

se indica en la figura, se pide:

a) Obtener la ecuacin lgica del circuito
en mini trminos
b) Realizar la simplificacin
c) Implementar el circuito
d) Comprobar la T de V

a
0
0
0
0
1
1
1
1

b
0
0
1
1
0
0
1
1

c
0
1
0
1
0
1
0
1

Y
1
1
0
0
0
0
1
1

5.- Simplificar a su mnima expresin la funcin

.. .. .. ..
.. ..
..
..
..
.. ..
..
..
..
..
f ( a,b,c,d) = a b c d + a b c d + a b c d + a b c d + a b c d + a b c d
.. ..
.. .. ..
..
+ a b c d +a b c d +a b c d + a b c d
6.- Simplificar a su mnima expresin la funcin
.. ..
.. ..
.. ..
.. ..
.. .. ..
f ( a,b,c ) = a b c + a b c + a b c + a b c + a b c + a b c
7.- Disear un circuito oscilador, con CI 555 , para obtener una

frecuencia de 50 (hz )
para un tiempo til (D) del 70 % , condensador de 1 F .
a)
b)
c)
d)
e)

Obtener los valores de Ra , R b

Tiempo de carga ( t1 ) y tiempo de descarga ( t 2)
Calcular el periodo
Dibujar la forma de onda del condensador y la salida
Comprobar el valor de la frecuencia en funcin de los valores de los datos
obtenidos.

ALGUNOS TIPOS DE COMPUERTAS

7400 NAND ;
7412 NAND ;

7402 NOR ; 7404 NOT ; 7408 AND ; 7411 AND

7432 OR ; 7486 EX OR ; 4049 NOT ( C MOS)

CIRCUITOS COMBINACIONALES
Un circuito combinacional es aquel que esta formado por funciones
lgicas elementales que tiene un nmero de entradas y otro de salidas, los
valores de stas dependen exclusivamente del estado que adopten las
entradas y de su constitucin interna. El proceso de diseo de un circuito
combinacional, parte con la T de V. Ejemplos de circuitos combinacionales
entre otros son: codificadores, decodificadores, multiplexores,
demultiplexores, comparadores.
CIRCUITOS SECUENCIALES

Estn constituidos por compuertas lgicas y CI de Media Escala de

Integracin y tienen una caracterstica muy singular. Por un lado la salida
depende de las condiciones de entrada de ese instante, pero tambin de los
valores que estuviesen presentes con anterioridad, stas tienen la
caracterstica de recordar, memorizar los valores de las variables de
entrada.
BIESTABLE ( Flip Flop)

Los Biestables son circuitos secunciales constituidos por

compuertas lgicas capaces de almacenar un BIT, que es la informacin
binaria ms elemental.
Existen una gran variedad de Biestables los que se pueden clasificar
de la siguiente manera.
Biestable:
a) Asincrnico: FF RS ; FF JK ; FF T
b) Sincrnico :

b.1.- Activados por Nivel: FF RS ; FF JK ; FF D

b.2.- Activados por Flanco : FF RS ; FF JK ; FF D ; FF T

BIESTABLE ASINCRONICO

El FF RS, es que constituye la base de todos los dems modelos.

En la siguiente figura se indica en forma simblica el circuito biestable RS.
Posee dos entradas denominadas Reset (R) y Set (S) y dos salidas Q 1 y
Q 2. Este dispositivo se puede constituir mediante dos compuertas NOR
dos compuertas NAND.
Caso N 1

Tabla de Verdad

R
0
0
1
1

S
0
1
0
1

Q
Q
1
1(Prohibido)
0
1
1
0
(Sin cambio)

De acuerdo con la T de V se puede concluir que se activa con nivel Bajo (

cero lgico)
El siguiente esquema que se muestra es un FF RS activado con nivel alto.
Caso N 2

Tabla de Verdad

R
0
0
1
1

S
0
1
0
1

Q
Q
(Sin cambio)
1
0
0
1
1
1(Prohibido)

En este caso de acuerdo con la Tabla de Verdad se puede decir que

se activa con nivel alto.

BIESTABLE RS SINCRONICO
La forma ms elemental de construir un circuito biestable sincrnico
es armar el circuito de la siguiente figura

Si Ck = 0 , sin importar lo que exista en R y S , no existirn

cambios en las salidas Q y Q .
Si Ck = 1 , tiene validez los cambios originados en R y S de
acuerdo a la T de V correspondiente. Por lo tanto el reloj tiene que estar en
nivel alto para que existan cambios en las salidas, en funcin de sus
entradas R y S
El siguiente anlisis grfico ayuda a comprender el funcionamiento
del circuito.
C

Q
t

BIESTABLE J K

( FF JK)

En la siguiente figura se indica el FF JK que puede considerarse

como el FF universal ya que a partir de l se pueden elaborarse otros tipos
de FF.
El smbolo indica tres entradas, donde J y K son las entradas de
datos y Ck es la entrada del reloj. Cuando se activa el reloj, los datos de las
entradas son transferidos a las salidas, que son Q y Q. El FF JK elimina
el estado prohibido que genera el FFRS

EL F F JK ASINCRONICO
El FF JK asincrnico es el FF RS, al cul se ha eliminado el
estado prohibido, este estado niega el estado anterior

T de V
J

0
0
1
1

0
1
0
1

Mantiene Estado
0
1
1
0
Niega Estado

EL FF JK SINCRONICO
Estos FF se pueden clasificar de la siguiente manera:
a) Activados por nivel .La situacin es similar al FF RS sincrnico a la
cual se le
Agregan dos compuertas AND, como se indica en la siguiente figura.
Tabla de Verdad
Ck

Mantiene

0
1
1

1
0
1

0
1
1
0
Estado

Q
Est.

Op.

e d

Ck

Q 1 1 1 0 0 1 0 1
a b c d e f g h
Q 0 0 0 1 1 0 1 0

Los FF activados por nivel tienen problema de funcionamiento

cuando trabajan en
alta frecuencia. Para mejorar esta caracterstica existen dos tipos de
solucin que a
continuacin se describen.
b) Configuracin .Activados por Flanco ( edge triggerad)
En este caso las entradas del biestable quedan abiertas cuando aparece
el frente activo de la seal de reloj. Dicho frente activo puede ser, el de
subida o el de bajada del pulso de reloj.
Configuracin. Master Slave (Maestro Esclavo)
Esta constituido por dos etapas. Para entender con mayor facilidad el
funcionamiento se utilizar el siguiente esquema, el cual esta formado por
dos biestable RS asincrnicos 4 compuertas AND y una compuerta NOT.

Cuando la seal de reloj pasa de nivel cero a nivel uno, la informacin

presente en las entradas R y S del circuito entra al primer biestable
denominado Master (Maestro) a travs de las compuertas AND n 1 y n
2 .En este estado de la seal de reloj, las entradas del 2 biestable, llamado
Slave ( Esclavo), permanecen cerrados, ya que el valor de las salidas de las
compuertas AND n 3 y n 4 son cero. Al pasar la seal de reloj a nivel
cero, la informacin almacenada en el Master, pasa al Slave, porque ahora
esta seal abre las compuertas AND n 3 y n 4. En estas circunstancias las
compuertas AND n 1 y n 2 permanecen cerradas y, en consecuencia, los
cambios producidos en las entradas principales del circuito no sern
captadas por el Master.
Un FF JK (Maestro Esclavo), comercial es el CI 7473, el cual tiene
dos biestable del tipo JK.
Este circuito posee dos entradas de datos J , K y una de entrada de
reloj independiente para cada biestable, las salidas son complementarias.
Los datos son procesados, despus de cada pulso completo de reloj,
mientras ste permanece en nivel bajo, el Esclavo esta incomunicado del
Maestro. En la transicin positiva ( bajo alto del pulso de reloj) los datos J
y K se transfieren al maestro. En la transicin negativa del pulso reloj ( alto
bajo) los datos J y K de la informacin del pasan al Esclavo. Los estados
lgicos de las entradas J y K deben mantenerse constante mientras la seal
permanece en estado alto. Los datos se transfieren a la salida en el flanco
de bajada de la seal de reloj. Aplicando un nivel a la entrada Clear (CLR)
la salida Q se pondr a nivel bajo, independientemente de los valores de las
otras entradas.

El diagrama de conexin y la Tabla de Verdad del CI 7473 es

CLR

CK

L
H
H

H
H

X
L
H
L
H

X
L
L
H
H

Q
L
QO
H

Q
H
QO
L

L
H
Toggle

BIESTABLE TIPO T (Toggle)

El FF T, se puede obtener con el FF JK, manteniendo J y K en

estado alto. Este tipo de biestable divide por dos la frecuencia de entrada.
Este Biestable tiene gran aplicacin en los circuitos contadores binarios.
El smbolo y la Tabla de Verdad es:
J=1

Ck
K= 1

0
1

Mantiene Estado
Invierte Estado

El anlisis grfico de ste biestable es:

Ck

T1

T2=2T1

NOTA:
1.- Cuando la seal de reloj no tiene el smbolo de negacin los cambios se
originan en el canto de subida del pulso de reloj, como se indica en el
anlisis grafico anterior
2.- Cuando la seal de reloj tiene el smbolo de negacin el cambio se
produce en el canto de bajada del pulso de reloj.

BIESTABLE TIPO D

Este dispositivo posee una entrada de datos (D Datas), otro de reloj

(Ck) y dos salidas complementarias (Q y Q). Su caracterstica
fundamental reside en que el valor de la salida Q, es aquel al de la entrada
de datos (D), siempre y cuando la seal de reloj este activo (nivel alto, 1
lgico). Cuando la seal de reloj pase a estado inactivo (0 lgico) el
biestable queda enclavado con la informacin que tuviera en ese instante.
El smbolo y la Tabla de Verdad es:
D

Ck

X
0
1

0
1
1

Q
Mantiene Estado
0
1

A este tipo de Biestable se le conoce, tambin con el nombre de

Latch o Cerrojo. Su aplicacin principal es en los Registros de
Desplazamientos.
El diagrama de tiempo, ayuda a explicar el principio de
funcionamiento, indica la relacin que existe entre las seales de: Reloj,
Datos y la Salida

Ck

Un CI comercial de este tipo es el 7474, el cual tiene entradas

Sincrnica y Asincrnica. Las entradas sincrnicas son: La entrada de
Datos (D) y la Entrada del Reloj (Ck)

Las Entradas Asincrnica son: Preset (PR) y Clear(CLR)

ENTRADAS
Asincrnicas
Asincrnicas SALIDAS
PR
CLR
Ck
D
Q
Q
0
1
X
X
1
0
1
0
X
X
0
1
0
0
X
X
1
1
1
1
0
0
1
1
1
1
1
0

Definicin de algunos tipos de simbologa

: Transicin

: Transicin Positiva

: Transicin Negativa

Reset

: Borrar, llevar a cero

Preset

: Llevar a nivel alto, uno lgico

Clear

: Limpiar, llevar a cero

Set

: Llevar a uno lgico

Edge

: canto , lado

Negacin

Trigger : Disparar , activar

X

: Irrelevante

EJERCICIOS RESUELTOS

Problema N1
Aplicando la T de V correspondiente obtener los estados lgicos de las salidas de
Q y Q para las siguientes condiciones. La serie de letras: a ,b, c, d, e, f, g, h, i, j, solo
indican los instante en que se cambian las condiciones en las entradas

1 0 1 0 1 1 1 1 1 0
j i h g f e d c b a

1 1 0 0 0 0 1 1 (1) 0
a b c d e f g h i j

0 0 1 1 1 0 1 0 1 1

( ) : Indica Estado Prohibido

Problema N 2
Aplicar T de V a las condiciones dadas para obtener los estados lgicos de salida

0 1 1 0 0 1 0 1(R)
h g f e d c b a
0 0 1 0 1 0 0 0(S)

1 1 1 0 0 (1) 1 1
a b c d e f g h
0 0 0 1 1 (1) 0 0

ck

Problema N 3
a) Aplicar la T de V a las condiciones dadas para obtener los estados lgicos de salida
b) Que tipos de entradas se esta utilizando?
1(PR)

PR

1(D)

a(CK) Ck

1(CLR)

CLR

1
b

1
c

1
d

e f

1
g

Problema N 4
a) Aplicar la T de V a las condiciones dadas para obtener los estados lgicos de salida
b) Que tipos de entradas se esta utilizando?
d

1 0
X X

0
X

1(PR)
X(D)

X X

X(CK)

0 (CLR)

(1)

(1)

PR
Ck
CLR

Problema N 5
Aplicar la T de V a las condiciones dadas para obtener los estados lgicos de salida

0 (PR)

1 (D)

e d

1 0

PR
c b

a (Ck) Ck

1(CLR)

1 0 1 0 1 0 1 ( 1)
a b c d e f g h
0 1 0 1 0 1 0 ( 1)
CLR

Problema N 6
a) Aplicando la T de V del FF adecuado obtenga la salida en Q, para las situaciones
dadas.
c) Para que transicin el FF, genera los cambios en la salida?

1 0

e d

1 0 1

1(J)

c b

0 (K)

1
a

1
b

c d

EJERCICIOS PROPUESTOS
Para los siguientes ejercicios se ocuparan los mismos enunciados, solo se
cambiaran los datos de entradas, de los problemas anteriores (Prob N 1
.Prob N 6)
Problema N 1
1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 ( S)
j i h g f e d c ba
0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 (R)

1 0 1 1 0 0 1 0
h g f e d c b a
1 0 0 1 1 0 0 1

b c d e f g h i j

Problema N 2
(S)

a b c d e f g

(R)

Problema N 3
1 1 0 1 0 0 1 (D)
g f e d c b a (Ck)

Q
a

e f

Problema N 4
d c
1 1
X X
X X
0 1

b
0
X
X
1

a
1 (PR)
X (D)
X (Ck)
0 (CLR)

Problema N 5
1
1
h
1

1
0
g
1

0
1
f
0

1
0
e
0

0 0 1 1 (PR)
1 0 0 1 (D)
d c b a (Ck)
1 0 1 0 (CLR)

Q
a b

c d

e f

Problema N 6
1 1 0 0 1 0 1 (J)
g f e d c b a (Ck)
1 1 0 1 0 1 0 (K)

Q
a b

c d

e f

ALMACENAMIENTO Y TRANSFERENCIA DE DATOS

Una informacin binaria, para mantenerse en el tiempo se debe
guardar, una forma de guardar esta informacin es utilizar unos circuitos
integrados llamados memorias.
Las memorias se pueden clasificar de variadas maneras, una forma
bsica de poder llevarla a cabo es la siguiente:
Estas se pueden clasificar en memorias RAM y ROM
Las RAM (Memorias de Acceso Aleatorio), son del tipo voltil, vale,
decir la informacin se pierde, solo permanece si la memoria est
energizada, es una memoria de Lectura y Escritura.
Las ROM (Memorias solo de Lectura), la informacin viene grabada
de fabrica y no se puede alterar. Dentro de estas memorias existe otra
clasificacin que esta dada de la siguiente manera:
Memorias PROM (Memorias ROM Programables). Estas memorias
pueden ser grabadas una sola vez por el usuario. La memoria en estado
virgen corresponde a una matriz de 1 lgicos, hechos con micro fusibles al
realizar la programacin se funden los que se desean de acuerdo a la
programacin los cuales dan origen a los ceros lgicos. No es posible
reparar una mala programacin, ya que es imposible reparar los micro
fusibles que se han fundido.
Memorias EAPROM (Memorias ROM Alterable Elctricamente).
Este tipo de memorias se puede realizar muchas veces el proceso de
borrado y escritura aproximadamente unas 500 veces. El proceso de
barrado se realiza aplicando una luz ultravioleta por un tiempo
determinado.
Una memoria se caracteriza por la capacidad que ella tiene .Esta
capacidad esta dada por la cantidad de palabras que en ella se puede
guardar. En otros casos es posible dar la capacidad por la cantidad de BIT,
en este caso se multiplica la cantidad de palabras
por el largo de la palabra (expresada en BIT).
Ejemplo : 1 K 8 ; significa que la memoria en cuestin tiene
un Kilo (1024) posiciones de palabras y cada palabra tiene un largo de 8
bits.
Para llegar a una determinada posicin de memoria, se debe
direccional la memoria, que consiste en tener una cantidad de lneas por la

cual se enva una determinada combinacin binaria que corresponde a la

posicin que se desea llegar, para realizar un proceso de lectura o escritura.
Otra forma de almacenar una informacin es por medio de los
registros, los cuales no se direccional, solo se llaman por su nombre que
tiene cada uno de ellos. Cuando es posible se hacen las operaciones
utilizando los registros en vez de las posiciones de memoria el proceso de
direccionar una posicin de memoria es mas lento que llamar un registro,
esto lo tienen que tomar en cuenta las personas que se dedican a al
programacin.
La transferencia de informacin binaria (datos) se puede hacer en forma:
1) Paralela
2) Serie
Por tal motivo todos los sistemas tienen puertos serie y paralelos.
Para transferir una informacin en forma serial se utiliza un solo canal.
Para transferir una informacin en forma paralela es necesitan tantos
canales como sea el largo de la palabra: 8 bits, 16 bits, 32 bits entre otros.
Se puede concluir que transferir un dato en forma paralela es ms
rpido que la forma serie

CIRCUITOS CONTADORES
Un circuito contador, es un circuito secuencial, de aplicacin general,
cuyas salidas representan en un determinado cdigo el nmero de pulsos
que se aplican a la entrada.
Estn constituidos por una serie de biestables conectados en
cascada, de modo que las salidas de stos cambian de estado cuando se
aplican una serie de pulsos a la entrada. Los contadores tienen las
siguientes propiedades fundamentales.
1.- Un nmero mximo de cuentas (Mdulo del contador. Ejm Mdulo
(M), igual a 5
significa que cuenta de : 0,1,2,3,4).
2.- Cuenta en forma Ascendente Descendente.
Ascendente (Up): 0,1,2,3,4,5..
Descendente (Down) : 5,4,3,2,1,0

3.- Operacin Sincrnica Asincrnica

Sincrnica: Significa que a todas las entradas de las etapas de los
biestables se le aplica el mismo pulso de reloj.
Asincrnica: La etapa del biestable anterior es la seal de reloj para la
siguiente etapa y as sucesivamente.
4.- De carrera libre que desarrolle una determinada secuencia (Que se
detenga slo).
De carrera libre: Significa que toma todas las combinaciones posibles
de la cuenta.
Que se detenga slo: Significa que existe una cuenta prefijada y la
cuenta se hace una sola vez.
Los contadores digitales solo cuentan en binario. La siguiente figura
muestra la secuencia de de 0000 a 1111 en binario (0 a 15 decimal). Es un
contador M = 16.
El mdulo (M) es el nmero de veces que cuenta para llegar al
mximo de la cuenta.
Tabla Contador M = 16
cuenta
binaria
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

cuenta binaria
8 4 2 1
D C B A
0 0 0 0
0 0 0 1
0 0 1 0
0 0 1 1
0 1 0 0
0 1 0 1
0 1 1 0
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 0 1
1 0 1 0
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 0 1
1 1 1 0
1 1 1 1

El siguiente circuito, muestra un circuito contador M = 16,

asincrnico, configurado con FF JK, en FF T. En este tipo de
configuracin J = K = 1. No olvidar que en este tipo de configuracin, la
salida corresponde al estado anterior, negado (El cambio puede ser en el
canto de subida de bajada del pulso de la seal de reloj). Si la seal de

reloj es negada, el cambio se produce en el canto de bajada, si no es negada

el cambio se produce en el canto de subida.

Circuito Contador de 4 BIT

QA : Es el BIT menos significativo de la cifra binaria
QD: Es el BIT mas significativo de la cifra binaria
El siguiente esquema indica el anlisis grfico del circuito contador de 4
BIT

Reloj
QA

QB
QC
QD

10

11

Para completar el estudio de los contadores se describir el CI TTL

7493, que es un dispositivo de distinto nivel de funcionalidad y
complejidad.

Contador Asincrnico Binario 7493

Como se indica en la figura, el contador 7483 est constituido por 4
FF JK en configuracin T, disparado por flanco de bajada. El primer
biestable est desconectado de los siguientes, caracterstica que le
configura mayor flexibilidad en su aplicacin.

Diagrama de Bloque del CI 7493

El circuito contador 7493 dispone de dos entradas independiente de

relojes denominados Cpo y Cp1. El circuito puede ser utilizado como
divisor de frecuencia por dos ( solo se utiliza el primer biestable y como
contador mdulo 8 ( 0,1,3..7) , en forma simultnea .Para disear un
circuito contador mdulo 16 ( 0,1,2,3,4,5..15) , es necesario
conectar externamente la salida Qo del primer biestable con la entrada de
reloj Cp1 .
La tabla de verdad del CI 7493
Entrada de Seleccin

Salida

MR1

MR2

Qo

H
L
X

H
X
L

Q1

Q2

L
L
Contador
Contador

Q3
L

ETAPAS DE UN CIRCUITO CONTADOR

El CI 555, es el encargado de generar los pulsos (informacin binaria)
El CI 7493 es el encargado de contar dichos pulsos

El CI 7447 es el encargado de pasar la entrada binaria (BCD), en una

salida de siete segmentos, las salidas del 7447 son negadas. El ltimo
bloque, sin identificar corresponde al Display de siete segmentos
(configuracin nodo comn), para representar el nmero de la cuenta en
formato decimal.

Algunos tipos de Biestables comerciales (Flip Flop) son:

REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO
Los registros de Desplazamiento, al igual que los contadores, son
secunciales de aplicacin general. Estn constituidos por una serie de
biestables tipo D conectados en cascada (uno a continuacin del otro). De
la misma forma que los biestables pueden almacenar un bit, stos pueden
almacenar una palabra binaria, formada por tantos bits como biestable
contenga dispositivo. Adems de almacenar datos, los registros tienen la
capacidad de recibir la informacin de una forma y entregarla de otra forma
si as se desea. De acuerdo a lo anterior los registros se pueden clasificar de
la siguiente forma.
a) Entrada Serie Salida Serie
b) Entrada Paralela Salida Paralela
c) Entrada Serie Salida Paralela
d) Entrada Paralela Salida Serie
Existen tambin registros donde la informacin es posible desplazarla
en ambos sentidos (hacia la derecha hacia la izquierda). Estos reciben el
nombre de Registros Bidireccionales.
Por ejemplo un registro de entrada paralela deber tener tantos
biestables como bits tenga la informacin, entrada para seal de reloj
(controla la velocidad con que se desplaza la informacin), seal de
Borrado ( lleva a cero la salida, entrada de datos, salida de datos.
El biestable 74194, es capaz de realizar todas las operaciones descritas
anteriormente, por tal motivo se conoce con el nombre de Registro
Universal.

Registro de Entrada Serie, Salida Serie

Se analizar dicho registro, debido a que es el ms representativo,
para explicar en forma grfica la situacin.
El circuito de la figura muestra un registro constituido por cuatro
biestable tipoD activado por el flanco canto de subida.

Registro de Desplazamiento Entrada Serie-Salida Serie de 4 BIT

Las entradas de reloj (Ck) y la puesta a cero clear (CLR) son
comunes a los cuatro biestables.
El flanco de subida de la seal de reloj hace desplazar la informacin
de Izquierda a derecha ( Q1.Q4), vale decir la informacin entra al
primer FF-D(1) se desplaza al FF-D(2) ,del FF-D(2) al FF-D(3) , y del FFD(3) al FF-D(4), todo en sincronismo con la seal de reloj.
Como se puede observar, hasta el cuarto pulso de reloj no aparece en
la salida la seal aplicada en la entrada.

Ck

Entrada
H1

8
t

H2

H3

H4

H1

H2

H3

H4

H1

H2

H3

H4

H1

H2

H3

H4

H1

H2

H3

H4

Q1

Q2
Q3
Q4

NOTA: Al 4 pulso el primer BIT ( H1) ,esta presente en la salida (Q4).

Cuando ha transcurrido el pulso N 7, se tiene la informacin
completa por la Salida Serie.
Registro Entrada Serie, Salida Paralela
En este circuito cada biestable tiene su Salida hacia el exterior, a
parte de las interconexiones que hay entre ellos.
En el circuito de la figura representa tal situacin.

Anlisis Grfico para entrada Serie salida Paralela

Ck
1
Entrada
H1
Q1
H1

7
t

H2

H3

H4

H2

H3

H4

Q2

H1

H2

H3

Q3

H1

H2

Q4

H1
t

Se puede concluir que el Registro de Salida Paralela se demora

menor tiempo en tener la informacin en la salida si se compara con el
Registro
se Salida Serie.
De acuerdo al anlisis Grfico realizado se puede concluir que:
a) Al 7 pulso de reloj se tiene la informacin presente en la entrada, en
la salida para un registro de salida serie.
b) Al 4 pulso de reloj es tiene la informacin presente en la entrada, en
la salida para un registro de salida paralela.

REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO
UNIVERSAL 74194
El CI 74194 es un registro de 4 bits bidireccional, es decir, puede
desplazar la informacin de izquierda a derecha y de derecha a izquierda.
Puede ser usado para transmisin de informacin serie serie, serie
paralelo, paralelo-serie y paralelo-paralelo. A continuacin se entrega la
informacin tcnica y de control necesaria para conexionar el circuito en
algunas de las versiones y comprobar el funcionamiento.
D0, D1, D2 y D3 : Son las entradas de Datos en Paralelo
S0 y S1
: Constituyen las entradas de control (Modo)
DSR
: Es la entrada Serie (cuando se desea desplazamiento
hacia la derecha)
DSL
: Es la entrada Serie (cuando se desea desplazamiento
hacia la izquierda.
CP
: Es la entrada de la seal de reloj
CLR
: Entrada de Borrado ( el nivel activo es el bajo)
Q0, Q1, Q2 y Q3 : Son las salidas de la informacin en Paralelo.

S0

S1

Tipos de operacin

Carga la informacin presente en las entradas

D0..D3 en las salidas Q0.Q3

Desplazamiento a la izquierda (Q3 hacia Q0)

Desplazamiento a la derecha (Q0 hacia Q3)

Inhibicin de los impulsos de desplazamiento.

Tabla de seleccin del registro de desplazamiento

Universal 74194