Electrnica Industrial

Actividad 12
Conferencia: Revisin y anlisis primera evaluacin.
Semiconductores definiciones y conceptos bsicos,
estructura, smbolo, funcionamiento, caractersticas.
Materiales semiconductores. Tipos de diodos.

Objetivo:
Definir el funcionamiento de los semiconductores y el empleo de los
mismos en la creacin del diodo.

Sumario:
Niveles atmicos de los conductores y semiconductores
Semiconductores
Semiconductores intrnsecos
Tipos de semiconductores
Tipos de diodos

Bibliografa:
Principios de Electrnica . Sexta edicin. Albert Paul. 1999.(1)
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos Electrnicos. Octava edicin.
Robert Boylestad y Louis Nashelsky. (2)
Electrnica Integrada, Circuitos y sistemas analgicos y digitales. Jacob
Millman y Cristos C. Halkias.(3)

Niveles atmicos de los semiconductores

Orbitales estables
Parte interna
Electrn libre

Orbitales estables

El ncleo atmico atrae a los orbitales estables, estos no caen al ncleo

debido a la fuerza centrifuga (hacia afuera) creada por su movimiento
orbital

Cuando un electrn se halla en un orbital estable, la fuerza centrifuga

equilibra exactamente la atraccin ejercida por el ncleo.

Orbitales estables

Cuanto ms lejana es la rbita de un electrn menor es la atraccin del

ncleo. Los electrones de los orbitales ms alejados del centro se mueven
a menor velocidad, produciendo menos fuerza centrfuga. El electrn ms
externo viaja muy lentamente y prcticamente no se siente atrado hacia
el ncleo.

Parte Interna
En electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior el cual tambin se
denomina orbital de valencia.
Es el orbital exterior el que determina las propiedades elctricas del tomo.

Electrn libre
Como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la parte
interna del tomo, una fuerza externa puede arrancar fcilmente este
electrn al que se le conoce como electrn libre.
El cobre es un buen conductor incluso la tensin ms pequea puede
hacer que los electrones libres de un conductor se muevan de un tomo
al siguiente.
Los mejores conductores son el oro la plata y el cobre.

Semiconductores
Estructura de las bandas de energa
Cristales de silicio
Recombinacin

Semiconductores
Los mejores conductores tienen un orbital de valencia, mientras que los
mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia.
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de
un conductor y las de un aislante. Los mejores semiconductores tienen
cuatro electrones de valencia.
Los rayos X y otros estudios han demostrado que la mayor parte de los
metales y los semiconductores tienen estructuras cristalinas.
Un cristal consiste en un espacio ordenado de tomos o molculas.
Cuando los tomos forman un cristal los niveles de energa de los
electrones ms interiores no se ven afectado, en cambio los niveles de
electrones ms exteriores cambian extraordinariamente ya que los
electrones estn solicitados por mas de un tomo de cristal.

Estructura de las Bandas de energa para un

aislante un conductor y un semiconductor

Cristales de Si

Cristales de Si
Saturacin de valencia: n=8
A temperatura mayor de cero, los tomos del cristal vibran y
ocasionalmente un electrn se desliga del orbital de valencia, ganando
energa suficiente para situarse en un orbital de nivel energtico mayor, el
electrn se convierte en un electrn libre. La salida del electrn deja un
hueco en el orbital de valencia.

Recombinacin
En un cristal de Si puro se creara igual numero de electrones que de
huecos
Los electrones se mueven de forma aleatoria a travs del cristal. En
ocasiones un electrn libre se aproxima a un hueco y ser atrado y caer
hacia l. Esta unin se denomina recombinacin.
El tiempo de vida transcurre entre unos nanosegundos a milisegundos.

Resumen
En el cristal de Si se crean igual nmero de electrones libres que de
huecos, por la accin de la energa trmica.
Otros electrones libres y huecos se estn recombinando.
Algunos electrones libres y huecos existen temporalmente esperando
recombinarse.

Semiconductor Intrnseco
Flujo de electrones libres y de huecos
Dos tipos de flujo
Dopaje de un semiconductor.

Semiconductor intrnseco

Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro.

A temperatura ambiente un cristal de silicio se comporta mas o menos

como un aislante ya que solo posee cuatro electrones libres y sus huecos
correspondientes producidos por la energa trmica que posee dicho
cristal.

Flujo de electrones libres y de huecos

El electrn se desplaza hacia la izquierda y el hueco se desplaza a la

derecha.

Dos tipos de Flujos

Un semiconductor intrnseco tiene el mismo nmero de electrones que de

huecos.
Esto se debe a que la energa trmica produce los electrones libres y los
huecos por pares.
La tensin aplicada forzara a los electrones libres a circular hacia la
izquierda y a los huecos hacia la derecha.
Cuando los electrones libres llegan al extremo izquierdo del cristal, entran
al conductor externo y circulan hacia el terminal positivo de la batera

Dos tipos de Flujos

Por otra parte los electrones libres en el terminal negativo de la batera

circulan hacia el extremo derecho del cristal.
En este punto entran en el cristal y se recombinan con los huecos que
llegan al extremo derecho del cristal.
As, se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del
semiconductor.
No existe flujo de huecos por fuera del semiconductor.

Dos tipos de Flujos

Los electrones libres y los huecos se mueven en direcciones opuestas.

Se concibe la corriente en un semiconductor como el efecto combinado
de los dos tipos de flujo: el de los electrones libres en una direccin y el de
los huecos en la opuesta.
Los electrones libres y los huecos reciben la denominacin comn de
portadores debido a que transportan la carga elctrica de un lugar a otro.

Dopaje de un semiconductor
Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es
mediante el dopaje.
El dopaje supone que, deliberadamente, se aaden tomos de impurezas
a un cristal intrnseco para modificar su conductividad elctrica.
Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco.

Aumento del nmero de electrones libres

Cul es el proceso de dopaje de un cristal de
silicio?
Fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces y cambiar el estado
del silicio de solido a liquido.
Con el fin de aumentar el nmero de electrones se aaden tomos
pentavalentes (5 electrones de valencia)
El arsnico, el antimonio y el fosforo son tomos pentavalentes.
Como estos materiales donarn un electrn extra al cristal de silicio se les
conoce como impurezas donadoras.

Al enfriarse el cristal y volver a formar la estructura cristalina solida, en el

centro se halla un tomo pentavalente rodeado de cuatro tomos de
silicio

Aumento del nmero de electrones libres

Cul es el proceso de dopaje de un cristal de
silicio?

Cada tomo pentavalente o donante de un cristal de silicio, produce un

electrn libre.
El fabricante controla as la conductividad de semiconductor dopado.
Cuantas mas impurezas se aadan, mayor ser la conductividad.

Aumento del nmero de huecos

Se emplean impurezas trivalentes; es decir las impurezas cuyos tomos
tengan solo tres electrones de valencia, como por ejemplo el aluminio, el
boro y el galio.
Como el tomo trivalente del centro comparte un electrn con a cada
tomo vecino y este tiene solo tres electrones de valencia, quedaran solo
7 electrones en el orbital de valencia y aparecera entonces un hueco en
el orbital de valencia de cada tomo trivalente.
Un tomo trivalente se denomina tambin aceptor.

Resumen

Resumen
Para que un fabricante pueda dopar un semiconductor debe producirlo
inicialmente como un cristal absolutamente puro.
Controlando posteriormente la cantidad de impurezas, se puede
determinar con precisin las propiedades del semiconductor.
Inicialmente era mas fcil producir cristales puros de Ge, posteriormente se
mejoraron las tcnicas y se comenzaron a producir cristales puros de Si.
El Si, por las ventajas que posee es el material semiconductor mas popular
y til.

Tipos de semiconductores
Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N
El silicio dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor
tipo N.
Los portadores mayoritarios son los electrones y los huecos son los
portadores minoritarios.

Semiconductor tipo N

Al aplicarse una tensin los electrones libres dentro del semiconductor se

mueven a la izquierda y los huecos a la derecha.

Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal uno de los

electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con
el hueco.
Los electrones libres circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde
entran al conductor para circular hacia el terminal positivo de la batera.

Semiconductor tipo P
El silicio dopado con una impureza trivalente se llama semiconductor tipo
P.
Los portadores mayoritarios son los huecos y los electrones son los
portadores minoritarios.

Semiconductor tipo P

Al aplicarse una tensin los electrones libres dentro del semiconductor se

mueven a la izquierda y los huecos a la derecha.

Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal uno de los

electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con
el hueco.
El flujo de portadores minoritarios dentro del semiconductor es casi
despreciable.

Tipos de diodos
Diodo rectificador.
Diodo zener.
Diodo emisor de luz.

https://www.youtube.com/watch?feature=player
etailpage&v=hsJGw_c-Nn4

Preguntas
Supongamos que una fuerza exterior arranca un electrn del orbital de
valencia de un tomo de cobre cobre? Cul ser la carga resultante si
un electrn exterior entra en el orbital de valencia del tomo de cobre?

Si un cristal puro de Si tiene un milln de electrones libres. Cuntos huecos

tiene? Que sucede con el numero de electrones y de huecos si
aumentamos la temperatura?
Un semiconductor dopado tiene 10 000 millones de tomos de Si y 15
millones de tomos pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de 25
grados Celsius. Cuantos electrones libres y huecos hay dentro del
semiconductor.

Conclusiones
El orbital exterior o de valencia determina las propiedades elctricas del
tomo.
Los conductores tienen 1 orbital de valencia, los aislantes poseen 8 y los
semiconductores 4.
El Ge y el Si, son elementos semiconductores.
En el cristal de Si puro se crea igual numero de electrones libres que de huecos
a temperatura ambiente.
Bajo la influencia de la energa trmica da paso a la formacin de electrones
libres los cuales se pueden recombinar con los huecos.
El semiconductor intrnseco es un semiconductor puro. El semiconductor
extrnseco es un semiconductor dopado para mejorar su conductividad.
Existen los semiconductores tipo N y tipo P.
Los diodos se pueden clasificar el diodos rectificadores, diodos zener y diodos
emisores de luz, entre otros.

Estudio Independiente
Realice los ejercicios 3,5,6,8,10,11,25,y,29,dela pg. 75 de la bibliografa 1
Realice los ejercicios del 1 al 5 de la pg. 78 de la bibliografa 1.
Realice los ejercicios 12,15 y 16 de la pg. 33 de la bibliografa 2.