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Instituto Politcnico Nacional

Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniera


y Tecnologas Avanzadas
UPIITA

Electrnica
Ing. Laura Lpez Gonzlez

Materiales semiconductores
El termino semiconductor revela por si mismo una idea de sus
caractersticas. El prefijo semi suele aplicarse a un rango de niveles situado
a la mitad entre dos lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo
generoso de carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud elevada
se aplica a travs de sus terminales.
Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad
bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada.

Un semiconductor, es un elemento con propiedades elctricas entre las de


un conductor y las de un aislante. Como cabria esperar, los mejores
semiconductores son tienen cuatro electrones de valencia.

Germanio
Tiene cuatro electrones en su orbita de valencia, hace unos aos el
germanio era el nico material adecuado para la fabricacin de
dispositivos semiconductores.
Sin embargo estos dispositivos de germanio tenan un gran inconveniente,
que no puede ser resuelto por los ingenieros: su excesiva corriente inversa

Silicio
Despus del oxigeno, el silicio es el elemento mas abundante de la tierra,
sin embargo existieron algunos problemas que impidieron su uso en los
primeros das de los semiconductores.
Una vez resueltos, las ventajas del silicio lo convirtieron inmediatamente en
el semiconductor a elegir. Sin l, la electrnica moderna, las
comunicaciones y los ordenadores serian imposibles.

Pertenecen al grupo IV de la tabla peridica, tienen 4 electrones en el


ltimo nivel de energa (nivel de valencia)

Los semiconductores se clasifican en intrnsecos y extrnsecos

Qu significa los niveles de valencia?


Los electrones que se encuentran en los mayores niveles de energa de
determinado tomo son llamados electrones de valencia. Son los que
posibilitan la reaccin de un tomo con otro, del mismo elemento o de
elementos diferentes, ya que tienen facilidad o predisposicin para
participar en los enlaces. Slo los electrones que se encuentran en la
superficie externa del tomo son capaces de interactuar con electrones
de otro tomo, stos son los electrones de valencia.

Semiconductor extrnseco
Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un
pequeo porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es,
posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice
que el elemento est dopado.
Dependiendo de si est dopado de elementos trivalentes, o
pentavalentes, se diferencian dos tipos:

Tipo N
Se crea a travs la introduccin de elementos de impureza que posee
cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio,
arsnico y fosforo. El efecto de estos elementos impuros se indica en la
siguiente figura.

Tipo P
Se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio
con tomos de impurezas que poseen tres electrones de valencia. Los
elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propsito son el
boro, galio, e indio. El efecto de alguno de estos elementos, como el boro
sobre el silicio se indica en la siguiente figura.

Semiconductor intrnseco
Los elementos semiconductores por excelencia son el silicio y el germanio,
aunque existen otros elementos como el estao, y compuestos como el
arseniuro de galio que se comportan como tales. Son puros en naturaleza.

El diodo ideal
El primer dispositivo electrnico mas sencillo de los dispositivos
semiconductores, pero que desempea un papel muy importante el los
sistemas electrnicos.
Las caractersticas son muy similares al de un interruptor sencillo, aparece
en una amplia variedad de aplicaciones que van desde las mas sencillas
hasta las mas complejas
Las caractersticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que
puede conducir corriente en una sola direccin

Simbologa y forma fsica


El smbolo que se maneja para este elemento es el siguiente:

Su forma fsica donde es representada la parte positiva y negativa

Diodo semiconductor
Anteriormente se presentaron los materiales tipo n y tipo p. El diodo se
forma con solo juntar estos materiales segn se muestra en la figura,

En el momento que son unidos los dos materiales, los electrones y los
huecos en la regin de unin se combinan, dando por resultado una falta
de portadores en la regin cercana a la unin
A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin
de agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta regin

Polarizacin del diodo


Para este tipo de dispositivo, tenemos dos polarizaciones: directa e inversa.
Para ello se deben de cumplir ciertas condiciones
Sin polarizacin = 0
Polarizacin directa > 0
Polarizacin inversa < 0

Sin polarizacin aplicada ( = 0 )


En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga
en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.
Condicin de polarizacin inversa ( < 0 )
Ala corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin inversa se le
llama corriente de saturacin inversa, y se representa mediante
Condicin de polarizacin directa ( > 0 )
Un diodo semiconductor tiene polarizacin directa cuando se ha establecido
la asociacin tipo p positivo y tipo n negativo
Cada una es un resultado que el usuario deber comprender con claridad
para que el dispositivo se aplique de forma efectiva.

Cabe mencionar que dependiendo del material del diodo con el que esta
hecho, este requiere un mnimo de tensin para poder trabajar. Esto es
que el diodo de silicio requiere por lo menos 0.7V para estar activo;
mientras que el diodo de germanio requiere por lo menos 0.3V para estar
activo.
Con mayor frecuencia se trabaja ms con los diodos de silicio ya que El de
Silicio puede trabajar a una temperatura mxima mucho ms alta que el
de Germanio. El de Silicio tiene una Corriente Inversa mucho ms baja que
el de Germanio. Nano Amperios frente a Micro Amperios. Idealmente la
Corriente Inversa debe ser nula. La Capacidad del de Silicio es mucho ms
alta del de Germanio. Idealmente la capacidad debe ser nula.

Prueba de diodos.
La condicin de un diodo semiconductor se puede determinar con
rapidez utilizando: un multmetro digital con una funcin de verificacin de
diodos, la seccin de medicin de ohms de un multmetro y por ultimo un
trazador de curvas. En el caso de un trazador de curvas solo lo
mencionamos como otra opcin, ya que usualmente es mas practico
hacer las primeras dos pruebas en los diodos

Funcin de verificacin de diodos


En la siguiente figura se ilustra un multmetro con la capacidad de
verificacin de diodos. Cuando se coloca en esta posicin como se
muestra en la figura, el diodo debe de estar en encendido y en la
pantalla le indicara el voltaje de polarizacin directa tal como 0.67 (para
Si)

Prueba con un hmetro


Mencionando que el diodo posee una resistencia en polarizacin directa
para un diodo semiconductor es bastante baja comparado con el nivel
de polarizacin inversa.

Primera aproximacin (ideal)


Cuando el diodo se analiza de forma ideal se dice que acta como un
interruptor:

Segunda aproximacin
En la segunda aproximacin, el diodo es representado como una
pequea fuente de 0.7V (para el caso de silicio) y 0.3V (para el caso de
germanio) que es el consumo mnimo que requiere para su
funcionamiento.

Curva caracterstica
Tensin umbral, de codo o de
partida (V ).
La tensin umbral (tambin
llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en
valor con la tensin de la zona de
carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera
de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente,
Corriente mxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente
mxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto
Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre
todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).


Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la
temperatura
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial
de fugas

Tensin de ruptura (Vr ).


Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse
el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente
inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan


pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la
tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su
vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de
valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando
el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser
grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo
puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la
corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Aplicaciones
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa