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El descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marc el comienzo de la


era de la electrnica. En apenas 60 aos el desarrollo experimentado y el grado de
penetracin en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en da es difcil pensar en cmo sera
la vida sin los ordenadores, la telefona, la radio, la televisinY ha sido, precisamente, el
descubrimiento del transistor el culpable de esta revolucin tecnolgica.
CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR
Aunque existen otros tipos de transistores el que nos interesa es el BJT (Bipolar Junction
Transistor). El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la
corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino junction
(unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a
continuacin tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas
uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo. El transistor es un
dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo n en medio
de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener
una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de
un transistor npn.

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas
consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se representan por
la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C (colector).
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de emitir
o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o
electrones en el caso del transistor pnp. La base tiene un nivel de dopado netamente inferior
al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas
exteriores. Su misin es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados
por el emisor hacia el colector. La zona de colector, como su propio nombre indica es la
encargada de recoger o colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido
capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.

SMBOLOS Y CONVENIO DE SIGNOS


-Transistor BJT
Domnguez Reyes Carlos Ricardo

En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la representacin del transistor de
unin bipolar. Para las corrientes se han representado los sentidos reales de circulacin de
las mismas. Ahora estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unin entre las
zonas de emisor y base (que denominaremos a partir de ahora unin de emisor J E) y otra
unin entre las zonas de base y colector (de que denominaremos unin de colector J C), cada
una de las cuales puede ser polarizada en las dos formas mencionadas anteriormente. As,
desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento
posibles en funcin del estado de polarizacin de las dos uniones. De esta forma, si
polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor est trabajando en la zona
de saturacin. En el caso de que la unin de emisor la polaricemos en directa y la unin de
colector en inversa, estaremos en la zona activa. Cuando las dos uniones se polarizan en
inversa, se dice que el transistor est en la zona de corte. Por ltimo, si la unin de emisor
se polariza en inversa y la unin de colector en directa, el transistor se encuentra en activa
inversa. De las cuatro zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las ms interesantes
desde el punto de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una
zona puramente terica y sin inters prctico.

CORRIENTES EN LA ZONA ACTIVA


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Como acabamos de ver un transistor est trabajando en la zona activa cuando la unin de
emisor se polariza en directa y la unin de colector en inversa. En el caso de un transistor
pnp, para polarizar la unin de emisor en directa habr que aplicar una tensin positiva del
lado del emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo mismo una tensin VBE positiva.
De igual manera, para polarizar la unin de colector en inversa hay que aplicar una tensin
VCB negativa. Vamos a comenzar el estudio suponiendo que la unin de emisor est
polarizada en directa y que la unin de colector est sin polarizar (figura 4.4a). En este caso
estamos ante una unin pn (la formada por el emisor y la base) idntica a la que analizamos
en el captulo 2 al abordar la polarizacin de la unin pn. En este caso, aparece un campo
elctrico que tiende a arrastrar a los huecos del emisor hacia la base y a los electrones de la
base hacia el emisor. Lo que origina una corriente neta en el sentido de la zona p hacia la
zona n, es decir, de emisor hacia la base. Dado que el emisor es mucho ms ancho que la
base y adems su nivel de dopado es muy superior, la cantidad de huecos en el emisor ser
muy superior a la de los electrones en la base, con lo que el trmino de corriente
predominante ser el debido a los huecos. Es decir, la corriente tendr dos trminos, uno
debido a los electrones y otro debido a los huecos, siendo predominante el segundo sobre el
primero.

A continuacin vamos a analizar la unin de colector suponiendo que est polarizada en


inversa y que la unin de emisor est en circuito abierto(figura 4.4b). Al igual que en el
caso anterior este caso fue analizado en el captulo 2 al tratar la polarizacin inversa de la
unin pn. Ahora aparece un campo elctrico de la zona n hacia la zona p (de la base hacia el
colector) que aleja a los portadores mayoritarios en las respectivas zonas de la unin. Sin
embargo, se establece una corriente debida a los portadores minoritarios de cada una de las
zonas, los huecos de la base (por ser zona n) y los electrones del colector (zona p). De esta
forma se establece una corriente en el sentido de la base hacia el colector denominada ICO y
que corresponde a la corriente inversa de saturacin de la unin de colector.
Analicemos ahora la polarizacin simultnea de ambas zonas (figura 4.5), en este caso, los
huecos inyectados por el emisor (que dan lugar a la corriente IpE) al llegar a la base, y a
travs de un proceso de difusin, tendern a ir hacia el colector. En el momento que dichos
huecos alcancen la unin de colector, el campo elctrico que tenemos debido a la
polarizacin inversa de la unin de colector atrapar a los huecos transportndolos hacia el
colector (corriente IpC). Es decir, este campo elctrico se encarga de recolectar los huecos
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inyectados por el emisor, evidentemente no todos los huecos inyectados por el emisor
conseguirn alcanzar el colector, ya que tienen que atravesar la base (material tipo n) por lo
que algunos se re combinarn en la zona de base dando lugar a la corriente IpE IpC). Por
otra parte, seguiremos teniendo la corriente InE debida a los electrones que van de la base al
emisor por efecto de la polarizacin directa de la unin de emisor. Y en la zona de colector
tendremos la corriente ICO por estar la unin de colector polarizada en inversa.

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Curvas Caracteristicas en Base Comun

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-Curvas Caractersticas en Colector Comn

-Curva de Puntos Caractersticos

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-Punto de Funcionamiento

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POLARIZACIN DEL BJT: POLARIZACIN FIJA
Los transistores tienen como funcin principal la amplificacin de seales, para lograr este
cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicacin de voltajes DC en
sus uniones B-E y B-C. Esto se consigue a travs de circuitos de polarizacin, los cuales
garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su "recta de carga" y
en su zona activa.
Existen una gran variedad de circuitos de polarizacin, dentro de los cuales podemos
identificar claramente cuatro tipos bsicos:
a) circuito de polarizacin fija (corriente de base constante)
b) circuito de polarizacin estabilizada por emisor
c) circuito de polarizacin por divisor de voltaje (tipo H o universal)
d) circuito de polarizacin por realimentacin de colector
Empezaremos analizando el ms sencillo de stos circuitos.
a) Circuito de polarizacin fija: este circuito es el ms sencillo de todos los circuitos de
polarizacin. La resistencia Rc limita la corriente mxima que circula por el transistor
cuando este se encuentra en saturacin, mientras que la resistencia de base RB regula la
cantidad de corriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que
zona se polarizar el transistor (saturacin, activa o corte).

Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con


exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor. Como se mencion al inicio, lo que se
busca es polarizar al transistor en su zona activa, sobre su recta de carga, para lograr
esto debemos hacer uso de ecuaciones caractersticas del circuito. Empezaremos por
analizar dichas ecuaciones. Para realizar esto ltimo, debemos identificar la malla de
entrada y de salida del circuito.

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Malla de entrada:
Partiendo de
, la corriente atraviesa RB, la unin B-E (produciendo el voltaje VBE)
hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuacin de malla:
= IB*RB + VBE....(1)
Por tratarse de transistores de silicio, VBE= 0,7 v
De la ecuacin (1) podemos despejar el valor de IBQ (corriente de base en el punto Q),
considerando que tenemos como datos RB, RC, beta (b) y Vcc. Entonces:
IBQ = (

- VBE)/RB ... (2)

Malla de salida: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa Rc, los terminales C-E
(produciendo el VCE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente
ecuacin:
= IC*RC + VCE ... (3)
De la ecuacin (3) podemos despejar IC:

IC = -(1/RC)*VCE + (

/RC) ... (4)

La ecuacin (4) representa la Ecuacin de la Recta de Carga, cuya grfica nos permite
encontrar dos puntos caractersticos: la corriente mxima de colector ( ) y el voltaje
colector-emisor mximo (
). Adems podemos ubicar sobre ella el punto de trabajo
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(Q) del transistor, que grficamente representa la interseccin de la Recta de carga con la
curva caracterstica.
Para: VCE= 0, tenemos:
=

= Vcc/RC (saturacin)

Para:

= Vcc, tenemos: IC= 0

Adems, conociendo IBQ podemos determinar el valor de ICQ y de IEQ, y con ello el
valor de VCEQ:
ICQ = b*IBQ
IEQ = (1+b)*IBQ
VCEQ =

- ICQ*RC

Estos valores definen el punto de trabajo del transistor y con ello su zona de trabajo. Este
tipo de polarizacin no es muy estable, pues el punto Q vara bastante a medida que el
transistor se encuentra trabajando ms tiempo. Cuando se requiere realizar el diseo de
un circuito de este tipo, es necesario tener como datos el punto Q, el
y el beta (b) del
transistor. Por ejemplo, si deseamos polarizar a un transistor 2N2222A en el punto:
ICQ= 10 mA y VCEQ= 10 v, con

= 20 v, debemos calcular el valor de RB y RC.

Considerando el beta tpico que proporciona el fabricante, b= 200. Entonces:


RB= (
Como: IBQ= ICQ/b, entonces: RB= (

- VBE)/IBQ

- VBE)/(ICQ/b) , remplazando valores:

RB= (20 - o.7)/(10/200) = 386 k


Ahora calculamos RC:
RC= (

- VCEQ)/ICQ , remplazando valores tenemos:


RC= (20 - 10 )/ 10 = 1 k

El beta tpico considerado en los clculos no necesariamente coincide con el beta real,
cada transistor posee un valor de beta diferente, a pesar de pertenecer al mismo cdigo.
Por esta razn es necesario a veces re calcular los valores inciales, cuando en las
mediciones obtenemos valores bastante alejados de los tericos.
Tambin es importante obtener el valor de RB que satura al transistor, este valor de
obtiene de la misma frmula utilizada anteriormente, solo que esta vez se evala en
saturacin, entonces:
RB= (Vcc - VBE)/(Isat/b) , entonces: hallamos primero el valor de Isat.
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= Vcc/Rc, remplazando valores tenemos:
Isat= 20/1 = 20 mA , entonces:
RB = ( 20 -0.7) /( 20/200) = 193 K

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-Transistor como Interruptor

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