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MEMORIAS

Todos los circuitos digitales utilizan datos binarios para funcionar correctamente, los circuitos
estn diseados para contar, sumar, separar, etc. los datos segn nuestras necesidades, pero
por el tipo de funcionamiento de las compuertas digitales, los datos presentes en las salidas de
las mismas, cambian de acuerdo con sus entradas.
TERMINOLOGIA
CELDA DE MEMORIA. Circuito electrnico que se utiliza para almacenar un solo bit (0 o 1).
PALABRA DE MEMORIA. Grupo de bits o celdas en una memoria que representa datos de
algn tipo. Varia de 4 a 64 bits.
Byte. Termino usado para una palabra de 8 bits.
Nibbles. Es dividir un byte en 2 unidades de 4 bits
Capacidad. Especifica cuantos bits puede almacenar un dispositivo de memoria. Ejemplo.
4096X20.
Significa. El 4096 es el nmero de palabras. Y el 20 es el nmero de bits por palabras.
El nmero de palabras es un mltiplo de 1024 es decir 1K = 210
DIRECCIN. Nmero que identifica la localidad de una palabra en la memoria.
LECTURA. Operacin por medio de la cual la palabra almacenada es captada y despus
transferida a otro dispositivo.
ESCRITURA. Operacin por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de
memoria.

TIEMPO DE ACCESO. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operacin de
lectura.
MEMORIA VOLTIL. Cualquier tipo de memoria que requiere la aplicacin de energa elctrica a
fin de almacenar la informacin. Al retirar la energa se pierde la informacin(RAM).
MEMORIA NO VOLTIL. La informacin existe aun desconectada la fuente (ROM)
ACCESO SECUENCIAL. La informacin almacenada es hallada por sucesin a travs de todas las
direcciones hasta que llegue a la deseada, Ejemplo una cinta de audio.
ACCESO ALEATORIO. El tiempo es el mismo para cualquier direccin de memoria, ejemplo un
cd.
A0...An (Bus de direcciones): Estos pines son las entradas para seleccionar la posicin de
memoria a escribir o leer y su cantidad define la capacidad de palabras que puede almacenar,
dada por la expresin 2, donde n es el nmero de pines.

D0...Dn (Bus de Datos): Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. En el mercado se
consiguen generalmente buses de 1, 4, 8 y 16 bits y lo ms usual es encontrar chips tengan 8
entradas de datos.
CS (Chip Select): Este pin se utiliza para seleccionar el chip de memoria que se desea acceder.
Esto en el caso del usar dos o ms memorias similares.
OE (Output Enable): Utilizado para habilitar la salida de datos. Cuando se encuentra en estado
activo las salidas tiene alta impedancia o actan como entradas.
RW (Read/Write): Entrada utilizada en las memorias RAM para seleccionar la operacin de
lectura o escritura.
VCC y GND (Alimentacin): Corresponden a los pines de alimentacin del circuito integrado.
Algunas tienen disponible tres pines para este propsito, pero por lo general son dos y el valor
de la tensin de alimentacin depende de la tecnologa de fabricacin del circuito.
TIPOS
MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL. (SAM). El tiempo de acceso no es constante.
FIFO. Es un registro serie-serie, donde el primer dato en entrar es el primero en salir.

FIFO ASINCRONAS. Dependen de las entradas en lectura y escritura.

FIFO SINCRONAS. Los accesos de lectura y escritura dependen de las seales de reloj.

APLICACIONES MEMORIAS FIFO.


Comunicacin bidireccional entre dos microprocesadores.
Generador de funciones.

Transferencia de datos.
Imagen de video.
TIPOS
LIFO. El ltimo dato en entrar es el primero en salir. Debido a si cambiamos de lectura a
escritura tambin cambia el sentido de desplazamiento del registro.

MEMORIAS DE ACCESO ALETORIO. (RAM). El tiempo de acceso es constante. Proporciona


almacenamiento a corto plazo.
ARQUITECTURA DE LA RAM. Para leer una localidad se aplica un cdigo de direccin binario. A
las entradas de direccin (A5.A0). As el dato 011010 selecciona el registro 26 para una
operacin de lectura o escritura.
Operacin de Lectura, la entrada R/W debe ser 1, y la entrada de seleccin CS debe ser cero.
Con ello se habilitan los buffers de salida.

Operacin de escritura se requiere que R/W = 0 y CS = 0. Esto habilita los buffers de entrada, de
tal manera que los datos de entrada se cargaran en el registro seleccionado.
Terminales comunes de entrada y salida. Durante la operacin de lectura los terminales actan
como salida de datos. Y para la operacin de escritura los terminales actan como entrada de
datos.

ARQUITECTURA DE LA RAM

DIAGRAMA LGICO
MEMORIAS RAM ESTTICA. (SRAM). Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida
con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente haba
mdulos de memoria independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de
microprocesadores y discos duros para hacerlos mas eficientes.

MEMORIAS RAM DINMICAS. (DRAM).


Es el tipo de memoria mas comn y econmica, construida con capacitores por lo que
necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado es decir recargar las celdas

de memoria, haciendo el proceso hasta cierto punto lento. El refresco se debe producir cada
8ms. Y tienen mayor capacidad que las SRAM.
Multiplicacin de direcciones. Sirve para reducir el nmero de lneas de direccin. Ya que
posee un arreglo de celdas de 128X128.
TIPOS DE MODULOS RAM.
SIMM (memoria de un acceso):Es un modulo de memoria integrado simple de 30 pines para
modelos x286 de PC a 72 pines para modelos x486-686 y algunos Pentium I y II. Trabajan a un
bus de 66 Mhz y por lo general deben estar conectados en pares (Si van en Pentium). Esto se
debe a que los buses de datos de las Pentium tienen un ancho de 64 Bits y los primero 80-486 686 tienen un bus de datos de 32 Bits. Estas memorias trabajan a 60ns,70ns u 80ns, siendo las
ms rpidas las de 60 ns .
DIMM (memoria de doble acceso). Es un modulo de memoria integrado Dual SecuencialDinmica que posee 168 pines y trabajan a buses de 66 Mhz,100 Mhz,133 Mhz,400 Mhz y 800
Mhz. Pueden ser de 3.3 Volts, 5 Volts. Trabajan a 7,8,10 12 ns siendo las de 7 ns las ms
rpidas.
Y en ltimo lugar tenemos la SO-DIMM: Son mdulos para los ordenadores porttiles, cuentan
con 144 contactos y tienen un tamao de aproximadamente la mitad de un mdulo SIMM.
TIPOS DE RAM.
MEMORIAS RAM ESTTICA. (SRAM). Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida
con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos.
MEMORIAS RAM DINMICAS. (DRAM).
Es el tipo de memoria mas comn y econmica,
construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan
almacenado es decir recargar las celdas de memoria, haciendo el proceso hasta cierto punto
lento. El refresco se debe producir cada 8ms. Y tienen mayor capacidad que las SRAM.
Memoria EDO (Extended Data Output). Tiene tiempos de accesos de 40 o 30 ns.
Es capaz de enviar direcciones a la vez pero direcciona la columna que va utilizar mientras que
se lee la informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados
de espera.
Se encuentra en los Pentium, Pentium Pro y primeros Pentium II en SIMM de 72 contactos y en
los primeros DIMM de 168 contactos, funcionando a 5 y 3,3 voltios.
Memoria SDRAM (Synchronous DRAM). Es un 20% ms rpida que la EDO. Entrelaza 2 o mas
matrices as mientras se accede, la siguiente se est preparando para el acceso.
SDRAM-II es tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM, permite leer y escribir datos a
dos veces la velocidad bus.
Es una memoria asncrona que se sincroniza con la velocidad del procesador, para obtener
informacin en cada ciclo de reloj, evitando as los estados de espera.

Es capaza de soportar velocidades del bus a 100 y 133 MHz, alcanzando velocidades por debajo
de 10 ns. Se encuentra mayoritariamente en los mdulos DIMM de 168 contactos.

Memoria DDR SDRAM


Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj, de este modo trabaja al
doble de velocidad sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj.
Se presenta en mdulos DIMM de 184.
Hay varios tipos:
PC2100 o DDR 266: funciona a un mx de 133 MHz.
PC2700 o DDR 333: funciona a un mx de 166 MHz.
PC3200 o DDR 400: funciona a un mx de 200 MHz.
Memoria DDR2-SDRAM
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten
que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo
que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Tiempo de acceso 3.5 ns.
Se encuentran en mdulos DIMM de 240 contactos.
Hay varios tipos:
PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx. de 533 MHz.
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx. de 667 MHz.
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un mx. de 800 MHz.
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un mx. de 1066 MHz.
Memoria DDR3-SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, mejora en el rendimiento a
niveles de bajo voltaje, lo que lleva a consumir menos. Tiempo de acceso 10 ns.
Los mdulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo nmero que DDR 2, pero los DIMMs son
incompatibles fsicamente porque la muesca est en distinto sitio.
Hay varios tipos:
PC3-8600 o DDR3-800: funciona a un mx. de 800 MHz
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx. de 1333 MHz.
PC3-12800 o DDR3-2600: funciona a un mx. de 2600 MHz.

CARACTERISTICAS.
Menor consumo elctrico y altas frecuencias de trabajo

PARAMETROS DE LA RAM.
Velocidad de acceso: Se mide en nanosegundos y es la velocidad mnima que tarda la memoria
en completar un acceso de memoria completo.
Velocidad de reloj: Se mide en MHz y es la velocidad que tarda el bus en completar un ciclo de
reloj.
Latencia cas: Es el tiempo transcurrido en ciclos de reloj entre que el controlador manda una
peticin para leer una parte de la memoria hasta que los datos salen a los pines de salida de la
ram.
Es decir es el tiempo para localizar un punto en la memoria llegar a el, comprobarlo, aceptarlo y
liberar la memoria para el siguiente paso.
Cas se le atribuyen las columnas, Ras las filas, y Tras tiempo de seleccin.
Por lo que la secuencia correcta es:
Cas RastoCas-Ras-Tras
4
4
4
12
5
5
5
15
3
3
3
8

Tambin la latencia se la reconoce con las siglas CL, y parten desde 2 hasta 3. (CL2, CL3), siendo
el CL2 el de mayor rendimiento. El parmetro CL hace referencia al tiempo de latencia y se
mide en ciclos de reloj. Es el numero de ciclos q han de pasar hasta poder leer/escribir en
memoria ya sea un dato suelto o en modo rfaga.
Kvr400*64C3A/512
Capacidad 512 MB
Tecnologa: SDRAM
Tipo de Forma: DIMM
Velocidad 400Mhz
Latencia Cas: CL3
MEMORIAS DE SOLO LECTURA. (ROM). Estn diseadas para retener datos que son
permanentes o que no cambian con frecuencia. Los datos que se almacenen tienen que
grabarse durante el proceso de fabricacin, otras ROM pueden grabarse elctricamente. Al
proceso de grabar elctricamente se lo conoce como programacin.
ARQUITECTURA ROM

Qu registro ser habilitado por la direccin de entrada 1101


A3A2 = 11 Activa la lnea de seleccin de la columna 3.
A1A0= 01 Activa la lnea de seleccin de regln 1
El registro habilitado es el 13.
Qu direccin habilita el registro 7.
Se debe seleccionar el regln 3 y columna 1.
Reglon 3
A1A0 = 11

Columna 1
A3A2 = 01
Direccin = 0111
ROM PROGRAMABLES (PROM). Memoria ROM que permite una programacin y
posteriormente un nmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada. El
proceso de programacin consiste en fundir las conexin a travs de la aplicacin de un pulso
de voltaje entre 10 a 30 Voltios, para producir los datos almacenados en memoria. Se reconoce
como 0 cuando se funde la conexin.

ROM PROGRAMABLES y BORRABLES(EPROM). Memoria PROM que permite reprogramacin


por medio de un dispositivo especial y borrado por medio de luz ultravioleta, la cual borra todas
las celdas al mismo tiempo. Esta compuesta por transistores Mosfet por compuerta flotante, es
decir sin conexin elctrica.
La memoria tiene dos entradas de control. Una EPROM sin grabar se lee como 0. El CE acta
como habilitacin del circuito y tambin para colocarlo en modo de espera.

INTEGRADO EPROM

ROM PROGRAMABLES y BORRABLES ELECTRICAMENTE (EEPROM).


Evolucin de las memorias EPROM que permite alterar su contenido por medio de seales
elctricas. Es decir realizar el borrado de forma elctrica. entre 100.000 y un milln de veces. Se
puede borrar un byte a la vez.

VENTAJAS (EEPROM).
Para borrar la informacin no se requiere luz ultravioleta.
No requieren programador.
Las palabras almacenadas se pueden borrar de forma individual.
El tiempo de borrado se reduce a 10ms.
Para reescribir no se necesita de un borrado previo.
Buffer. Soporta informacin que se encuentra en espera de ser procesada y una vez realizado
ese proceso, la borra para esperar nuevos datos, puede ser espacio asignado en una memorias
RAM en un disco duro.