Universidad de Oriente

Ncleo de Sucre
Departamento de Fsica
Laboratorio II de Fsica

Informe de la Prctica 1.
MANEJO DEL INSTRUMENTAL ELCTRICO
Y DETERMINACIN DE LAS CARACTERISTICAS I-V
DE ALGUNOS DISPOSITIVOS

Prof. Orangel Moreno Pea

Elaborado por:
Karina del C. Marn J. C.I.: 17.762.822
Antonio M. Alcal F. C.I.: 17.447.571

Cuman, abril de 2004

INDICE

Objetivos
Introduccin
Marco Terico
Parte Experimental
a. Procedimiento experimental
b. Tabla de datos de la Resistencia
c. Tabla de datos de la Diodo Semiconductor
d. Tabla de resultados del Resistencia
e. Tabla de resultados del Diodo Semiconductor
f. Graficas de resultados.
Anlisis y discusin de resultados experimentales
Conclusiones
Bibliografa
Anexos.

1
2
4
7
7
9
10
11
12
13
14
15
16
17

OBJETIVOS

Aprender a utilizar los instrumentos elctricos de medida y a realizar montajes de

circuitos elctricos.

Obtener la caracterstica i-v de una resistencia y un diodo semi-conductor, y determinar

si cumplen o no la Ley de Ohm.

INTRODUCCION

George Simon Ohm en 1820 formul La ley de Ohm, la cual expresa que la
diferencia de potencial entre los extremos de un conductor metlico cuya temperatura
permanece constante es directamente proporcional a la intensidad de corriente que circula
por el conductor.
La intensidad de una corriente elctrica es una magnitud que se mide por la cantidad
de carga que pasa por la seccin transversal del conductor en una unidad de tiempo.
Cuando se cumple la ley de Ohm, la resistencia es independiente de V y de I, y se le
llama resistencia ohmica. En caso contrario se llama no ohmica.
La resistencia de un conductor viene determinada por una propiedad de la sustancia
que lo compone, conocida como conductividad, por la longitud por la superficie transversal
del objeto, as como por la temperatura. A una temperatura dada, la resistencia es
proporcional a la longitud del conductor e inversamente proporcional a su conductividad y
a su superficie transversal. Generalmente, la resistencia de un material aumenta cuando
crece la temperatura.
El trmino resistencia tambin se emplea cuando se obstaculiza el flujo de un fluido
o el flujo de calor.
Hay elementos cuya resistencia varia con la intensidad o con el voltaje

(elementos

no lineales); uno de estos elementos es el diodo semiconductor, en cuyo seno se ha

introducido uniformemente una cantidad, cuidadosamente controlada y muy pequeo de
otro elemento. El material bsica es el silicio este elemento es semiconductor, por lo que a
temperatura ambiente posee relativamente pocas cargas libres (comparado con el nmero
prcticamente ilimitado de cargas libres en un conductor como el cobre ).

En esta prctica de laboratorio se estudiaran las caractersticas de intensidad y

voltaje de dos dispositivos, en este caso diodo semi-conductor y una resistencia, con la
finalidad de determinar si en estos se cumple con la Ley de Ohm. Para realizar las
mediciones se utiliz el instrumento MULTIMEDIDOR KEITHLEY 175, en sus modos de
voltmetro y ampermetro.

MARCO TERICO

Cuando a travs de un rea cualquiera existe un flujo neto de carga, se dice que
dicha rea esta atravesada por una corriente. La cual se define cuantitativamente

como la

carga neta que fluye a travs de un rea por unidad de tiempo:

I

q
t

La intensidad es una magnitud escalar macroscpica que posee una densidad de

corriente microscpica relacionada con ella y se define:
J

I
A

La unidad de medida es el sistema MKS de intensidad es el culombio por segundo;

se denomina amperio (1A), en honor al fsico francs Andre Marie Ampere.
Resistividad:
La densidad de corriente de un conductor depende del campo elctrico y de la
naturaleza del conductor. La forma en que j depende de E puede ser, en general , muy
complejo, pero para ciertas sustancias, especialmente los metales, es posible representarla
muy bien mediante una proporcionalidad directa.
Para tales sustancias la razn de E a j es constante. Se define entonces la
resistividad como la razn del campo elctrico a la densidad de corriente.
Resistencia elctrica:
Es la propiedad de un metal que caracteriza su oposicin al paso de una corriente
elctrica. En efectos del voltaje y la corriente que circula, la resistencia se define:
R

Y su unidad es v / A ; es decir a un OHM ().

V
I

Resistor:
Es un componente que tiene como propsito tener resistencia con un coeficiente de
temperatura pequeo, es decir, la variacin porcentual de la resistencia por grado de
temperatura es pequea.
Potencia:
Si en un intervalo de tiempo t se ha realizado un trabajo w, la potencia media se
define como:
P

W
t

La potencia mxima en un resistor siempre que una corriente elctrica circula por el
mismo se disipa energa en forma de calor (efecto Joule) en el mismo . la tasa de
produccin de calor o potencia disipada es P = I. R 2 . Esto hace que suba la temperatura en
el resistor y si no se evita sobrepasar el lmite de temperatura mxima, se puede destruir el
resistor. A travs de este valor mximo de P, se puede determinar la mxima corriente i ma , o
la mxima cada de potencial v

max

que puede soportar el resistor sin daarse emplendose

la relacin :
2
PMAX R.I MAX

2
VMAX
R

LEY DE OHM:
En 1820 GEORGE SIMON OHM , demostr experimentalmente que la
resistencia R de ciertos conductores ( metales ) bajo condiciones de temperaturas constantes
es independiente de la diferencia de potencial v aplicada a sus extremos y de la intensidad
de corriente i que circula a travs de ellos.
En forma de ecuacin, lo anterior se expresa as:
R

V
I

Debido a que esta ley slo se cumple para los metales se dice que la misma no
describe una propiedad general de la materia, sino una caracterstica particular de cierta
sustancia.

LEY DE FARADAY:
La fem inducida en un circuito es igual a la rapidez del cambio del flujo a travs
del circuito excepto por un signo negativo. Si el ritmo de cambio de flujo se expresa en
weber / segundo, la fem estar expresada en volts. En forma de ecuacin:

d B
dt

PARTE EXPERIMENTAL
a. Procedimiento Experimental.
Experiencia # 1: Caractersticas i-v de la Resistencia.
Con conocimiento previo del uso de los instrumentos MULTIMEDIDORES
KEITHLEY (175 Y 179) y con la teora ya conocida sobre circuito y corriente se procedi
a realizar la prctica.
En primer lugar se hizo el montaje del siguiente circuito (Fig. 1)

int.

Figura 1. Circuito de la
Experiencia # 1

Se conect en serie la fem (E) con el ampermetro (A) y la Resistencia (R). Paralelo
a esta resistencia se conect un voltmetro. La fuente era variable y de corriente directa.
Como ampermetro se utiliz un MULTIMEDIDOR KEITHLEY 175 teniendo la debida
precaucin de medir en los rangos correctos de lectura y con respecto al voltaje este
tambin fue medido en un MULTIMEDIDOR KEITHLEY 175 en su modo AUTO.

Experiencia # 2 : Caractersticas de un Diodo semi-conductor.

En esta experiencia se hizo el montaje del siguiente circuito:

int.

+
-

Figura 2. Circuito de la
Experiencia # 2

Se conect en serie la fem (E) con el ampermetro (A), el diodo semi-conductor y la

Resistencia (R). Paralelo al diodo se conect un voltmetro. La fuente era variable y de
corriente directa. Como ampermetro se utiliz un MULTIMEDIDOR

KEITHLEY 175

teniendo la debida precaucin de medir en los rangos correctos de lectura y con respecto al
voltaje este tambin fue medido en un MULTIMEDIDOR KEITHLEY 175 en su modo
AUTO.
Por ultimo se graficar los datos de ambas experiencias con el fin de observar cual
cumple una relacin lineal entre la intensidad y el voltaje, de manera que se observe donde
se cumple la Ley de Ohm. Luego se realizaran los clculos necesarios mediante el mtodo
de los mnimos cuadrados para obtener la lnea de ajuste para el caso respectivo.

b. Tabla de datos de la Resistencia.

N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20

(V V) v
0,1332 0,0002
0,3790 0,0003
1,6723 0,0007
1,8283 0,0008
4,558 0,003
7,264 0,004
8,432 0,005
11,487 0,005
14,225 0,006
17,090 0,007
19,294 0,008
19,675 0,008
22,980 0,009
25,321 0,010
27,881 0,010
30,230 0,011
32,902 0,012
33,933 0,012
35,421 0,013
36,425 0,013

(I I) mA
0,1921 0,0005
0,5531 0,0010
2,675 0,006
2,351 0,006
6,725 0,012
10,658 0,018
12,302 0,020
16,852 0,027
20,971 0,044
25,310 0,053
28,64 0,08
29,170 0,060
34,151 0,070
38,070 0,078
41,881 0,085
45,632 0,093
49,991 0,102
51,781 0,106
54,050 0,110
55,840 0,114

c. Tabla de datos del Diodo Semi-conductor

N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20

(V V) v
0,5261 0,0004
0,5755 0,0004
0,5965 0,0004
0,6078 0,0004
0,6152 0,0004
0,62410,0004
0,63340,0004
0,64620,0004
0,65490,0004
0,66220,0004
0,66400,0004
0,66720,0004
0,67100,0004
0,67540,0004
0,67700,0004
0,68000,0004
0,68230,0004
0,68530,0004
0,69030,0004
0,69360,0004

(I I) mA
0,6130 0,0029
1,6866 0,0027
2,602 0,006
3,283 0,007
3,744 0,008
4,555 0,009
5,489 0,010
7,208 0,013
8,515 0,015
9,996 0,017
10,201 0,017
10,846 0,018
11,805 0,020
12,882 0,021
13,430 0,022
14,320 0,023
15,345 0,025
16,241 0,026
18,169 0,029
19,271 0,031

d. Tabla de resultados de la Resistencia.

N
(V V) v
(I I) mA
1
0,1332 0,0002
0,1921 0,0005
2
0,3790 0,0003
0,5531 0,0010
3
1,6723 0,0007
2,675 0,006
4
1,8283 0,0008
2,351 0,006
5
4,558 0,003
6,725 0,012
6
7,264 0,004
10,658 0,018
7
8,432 0,005
12,302 0,020
8
11,487 0,005
16,852 0,027
9
14,225 0,006
20,971 0,044
10
17,090 0,007
25,310 0,053
11
19,294 0,008
28,64 0,08
12
19,675 0,008
29,170 0,060
13
22,980 0,009
34,151 0,070
14
25,321 0,010
38,070 0,078
15
27,881 0,010
41,881 0,085
16
30,230 0,011
45,632 0,093
17
32,902 0,012
49,991 0,102
18
33,933 0,012
51,781 0,106
19
35,421 0,013
54,050 0,110
20
36,425 0,013
55,840 0,114
Ecuacin de la recta de ajuste por el mtodo de los mnimos cuadrados.

Valor de la pendiente
Punto de corte
Ecuacin de la recta

m 1,526

b = 0,406
I = 1,526.V + 0,406

e. Tabla de resultados del Diodio Semi-conductor.

N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20

(V V) v
0,5261 0,0004
0,5755 0,0004
0,5965 0,0004
0,6078 0,0004
0,6152 0,0004
0,62410,0004
0,63340,0004
0,64620,0004
0,65490,0004
0,66220,0004
0,66400,0004
0,66720,0004
0,67100,0004
0,67540,0004
0,67700,0004
0,68000,0004
0,68230,0004
0,68530,0004
0,69030,0004
0,69360,0004

(I I) mA
0,6130 0,0029
1,6866 0,0027
2,602 0,006
3,283 0,007
3,744 0,008
4,555 0,009
5,489 0,010
7,208 0,013
8,515 0,015
9,996 0,017
10,201 0,017
10,846 0,018
11,805 0,020
12,882 0,021
13,430 0,022
14,320 0,023
15,345 0,025
16,241 0,026
18,169 0,029
19,271 0,031

f. Grafica de Resultados

(mA)

(v)

ANLISIS Y DISCUSIN DE RESULTADOS EXPERIMENTALES

Experiencia # 1. Caractersticas i-v de un Resistor.

Podemos observar que al momento de graficar los valores correspondientes al
experimento, los puntos dados forman una recta; esto quiere decir que en esta experiencia
se cumple con la ley de Ohm, ya que los materiales hmicos poseen una relacin lineal de i
v.
La pendiente en una recta i-v en la regin lineal produce un valor real, cuyo inverso
es el valor de la resistencia utilizada para realizar el experimento.

Experiencia # 2. Caractersticas i-v de un Diodo Semiconductor.

En esta experiencia se observa al momento de graficar que los valores dados
describen una curva, por lo tanto podemos decir que es un material no ohmico; es decir que
no cumple con la ley de Ohm, ya que su relacin i-v no es una lineal. Estos materiales que
no cumplen la ley de ohm se les conoce como semiconductores.
La pendiente de su curva i-v es pequea para corrientes en una direccin positiva y
grande para corrientes en direccin opuesta, es decir, negativas.

CONCLUSIONES
Una vez obtenido los resultados en la prctica se pudo concluir que:

Los instrumentos de mediciones electrnicos son muy tiles al momento de realizar las

mediciones fsicas de circuitos elctricos, tal como se pudo observar en la prctica.

Mediante un montaje de circuitos sencillos se pudieron observar las caractersticas i v

de la resistencia y el diodo semi-conductor.

La resistencia cumple con la Ley de Ohm, debido a que su caracterstica i-v representa

una grafica de lnea recta con pendiente positiva. La resistencia esta realizada de un
material ohmico llamado tambin lineal.

El diodo semi-conductor no cumple con la Ley de Ohm, debido a que su grafica

representa una curva; es decir es no lineal, no ohmico.

BIBLIOGRAFIA
HALLIDAY, David y RESNICK, Robert. Fsica Parte II. Compaa Editorial
Continental. Mxico. 1984.
HALLIDAY, David y RESNICK, Robert. Fsica. Nueva Edicin Autorizada Parte II.
Compaa Editorial Continental. Novena Impresin. Mxico. 1977.
SERWAY, Raymond. Fsica. Tomo II. Mc Graw Hill. Mxico.
Practica de Laboratorio II de Fisica.

ANEXOS
Clculos de los errores i y v.
Nota: Todas las medidas se tomaron con el MULTIMEDIDOR KEITHLEY 175.
Experiencia # 1. Resistencia.
Voltaje
Lectura: 0,3790 V
Rango: 2 V
Precisin: 0,03% +2d
Lectura: 4,558 V
Rango: 20 V
Precisin: 0,03% +2d
Lectura: 36,425 V
Rango: 200 V
Precisin: 0,03% +2d

(0,3790)(0,03)
2

0,0003137 0,0003
100
10000

V = (0,3790 0,0003) V
(4,558)(0,03)
2

0,0033674 0,003
100
1000

V = (4,558 0,003) V
V

(36,425)(0,03)
2

0,0129275 0,013
100
1000

V = (36,425 0,013) V
Intensidad

Lectura: 0,1921 mA
Rango: 2 mA
Precisin: 0,15% +2d
Lectura: 2,351 mA
Rango: 20 mA
Precisin: 0,15% +2d

(0,1921)(0,15)
2

0,00048815 0,0005
100
10000

I = (0,1921 0,0005) mA
I

(2,351)(0,15)
2

0,0055265 0,006
100
1000

I = (2,351 0,006) mA

Lectura: 28,64 mA
Rango: 200 mA
Precisin: 0,2% +2d

(28,64)(0,2)
2

0,07728 0,08
100
100

I = (28,64 0,08) mA

Experiencia # 1. Diodo Semi-conductor

Voltaje
Lectura: 0,5261 V
Rango: 2 V
Precisin: 0,03% +2d

(0,5261)(0,03)
2

0,00035783 0,0004
100
10000

V = (0,5261 0,0004) V
Intensidad

Lectura: 0,6130 mA
Rango: 2 mA
Precisin: 0,15% +2d

(0,6130)(0,15)
2

0,0029195 0,0029
100
10000

I = (0,6130 0,0029) mA

Lectura: 18,169 mA
Rango: 20 mA
Precisin: 0,15% +2d

(18,169)(0,15)
2

0,0292535 0,029
100
1000

I = (18,169 0,029) mA

Ajuste por el mtodo de los mnimos cuadrados.

I f (v ) ; donde I es la intensidad y v es el voltaje.

Por le ley de Ohm, I

V
, donde R, es la resistencia y es constante.
R

Segn la ecuacin de la recta, y mx b , entonces:

y I; x V ; m
m

V .I nV I
V nV
2

1
.
R

(13918,01552522) 20(17,556545)(26,38976)
1,526227496 1,526
(9212,53020423) 20(17,556545) 2

y m x b b y m x I mV 26,38976 (1,526227496)(17,556545) 0,406

Entonces queda la ecuacin de la recta de ajuste como:

I 1,526V 0,406

Datos de la Resistencia para el calculo de la recta de ajuste

por el mtodo de los mnimos cuadrados.
N

V2

I2

V.I

|V-Vp|

( V - Vp )2

0,1332

0,1921

0,01774224

0,03690241

0,02558772

17,423345

303,572950989025

0,3790

0,5531

0,14364100

0,30591961

0,20962490

17,177545

295,068052227025

1,6723

2,675

2,79658729

7,155625

4,47340

15,884245

252,309239220025

1,8283

2,351

3,34268089

5,527201

4,2983333

15,728245

247,377690780025

4,5580

6,725

20,77536400

45,225625

30,65255

12,998545

168,962172117025

7,2641

10,658

52,76714881

113,592964

77,4207778

10,292445

105,934424078025

8,4320

12,302

71,09862400

151,339204

103,7304640

9,124545

83,257321457025

11,487

16,852

131,95116900

283,989904

193,5789240

6,069545

36,839376507025

14,225

20,971

202,35062500

439,782841

298,3124750

3,331545

11,099192087025

10

17,090

25,31

292,06810000

640,596100

432,547900

0,466545

0,217664237025

11

19,294

28,64

372,25843600

820,249600

552,580160

1,737455

3,018749877025

12

19,675

29,17

387,10562500

850,888900

573,919750

2,118455

4,487851587025

13

22,980

34,151

528,080400

1166,290801

784,78998

5,423455

29,413864137025

14

25,321

38,07

641,153041

1449,324900

963,97047

7,764455

60,286761447025

15

27,881

41,881

777,350161

1754,018161

1167,684161

10,324455

106,594371047025

16

30,230

45,632

913,852900

2082,279424

1379,45536

12,673455

160,616461637025

17

32,902

49,991

1082,541604

2499,100081

1644,803882

15,345455

235,482989157025

18

33,933

51,781

1151,448489

2681,271961

1757,084673

16,376455

268,188278367025

19

35,421

54,05

1254,647241

2921,402500

1914,50505

17,864455

319,138752447025

20

36,425

55,84

1326,780625

3118,105600

2033,972

18,868455

356,018594087025

Suma 351,131 527,79520 9212,53020423 21030,484214 13918,01552522 216,993100 3047,884757489500

Prom 17,5565 26,38976