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POLARIZACION AMPLIFICADOR DEL TRANSISTOR

FUNDAMENTO TEORICO
Polarizacin del transistor
1. Polarizacin fija

El circuito estar formado por un transistor, dos


resistencias fijas: una en la base RB (podra ser
variable) y otra en el colector RC, y una batera o
fuente de alimentacin VCC. Este circuito recibe el
nombre de polarizacin fija y determina el punto Q
de reposo del transistor para unos valores dados
del VCC, RB y RC. Es el circuito ms sencillo, pero
tambin el ms inestable con las variaciones de la
temperatura.

Recta de carga
Del circuito de arriba es fcil obtener la relacin entre la corriente de colector IC y la
tensin colector-emisor VCE del transistor, aplicando la ley de Kirchhoff resulta:

Esta expresin se conoce como ecuacin de la recta de carga. En ella VCC y RC son
constantes, y VCE e IC son variables. La interseccin entre esta recta de carga con la
curva caracterstica de salida del transistor determina el punto de reposo Q. Para
atrasar la recta en el plano
ICC =f (VCE) es suficiente con establecer los puntos de corte con los ejes de
coordenadas.
Cuando la corriente de colector es cero IC = 0, la tensin colector-emisor es igual al
potencial del generador VCE = VCC.
Por otro lado, cuando la tensin colector-emisor es igual a cero VCE = 0, la corriente de
colector vale el potencial del generador entre la resistencia de colector ICC = VCC/RC.

Sabemos que el transistor entre base-emisor se comporta como un diodo, as que la tensin
base-emisor para el silicio suele ser de 0.7 V, es decir:
VBE = 0.7
Entonces para un dado valor constante de la fuente de alimentacin VCC tenemos que la
corriente de base solo depende de RB y vale:

Sabemos tambin que existe una relacin entre las corrientes del transistor:

De la segunda ley de Kirchhoff:

La ganancia de corriente del transistor para continua se conoce como o hFE, y no tiene
unidades ya que relaciona IC/IB.

2. Polarizacin por divisor de voltaje


En la configuracin de polarizacin previa la corriente de polarizacin ICQ y el voltaje
VCEQ de polarizacin eran una funcin de la ganancia de corriente del transistor. Sin
embargo, debido a que es sensible a la
temperatura, especialmente para los
transistores de silicio y, de que el valor real
de beta por lo general, no est bien definido,
lo mejor sera desarrollar un circuito que
fuera menos dependiente o, de hecho,
independiente de la beta del transistor. La
respuesta a la que nos referimos es
configuracin de polarizacin por divisor de
voltaje.
Si los parmetros del circuito se eligen
adecuadamente, los niveles de ICQ y VCEQ pueden ser casi totalmente independiente de
beta.
Anlisis
El lado de la entrada de la red se muestra en la figura. La red equivalente de thevenin a
la izquierda de la terminal de la base puede encontrarse de la siguiente manera:

RTH: la fuente de voltaje de reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura.

ETH: la fuente de voltaje VCC regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto de


thevenin de la figura puede calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff.

Despus se vuelve a dibujar la red thevenin.

Sustituyendo IE = ( + 1)IB

Una vez que IB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la
misma manera como fueron desarrolladas antes:

EXPERIMENTO
1. Circuito 1 : polarizacin fija
Materiales
-

Resistencia 270k, 370k, 470k, 500k

Transistor 2N2222

Fuente de alimentacin 0 30V

Observacin: los valores de la resistencia R1 se elevan a valores muchos ms altos.

R1
270K
370K
470K
500K

IC
8.818mA
6.599mA
5.27mA
4.95mA

VCE
3.183V
5.4V
6.73V
7.05V

IB
42uA
31uA
24uA
23uA

209.95
212.87
219.58
215.22

2. Circuito 2: polarizacin por divisor de voltaje


Materiales
-

Resistencias: 2k, 1k, 10k, 8.2k, 12k

Transistor 2N2222

Fuente de alimentacin cd 0-30V

Observacin: la resistencia de emisor se eleva de valor

VCC
12V

R1
6.7K
8.2K
10K
12K

IB
9.33uA
7.55uA
5.9uA
4.88uA

IC
2.09mA
1.7mA
1.35mA
1.07mA

VCE
7.81V
8.6V
9.29V
9.84V

IE
224
225.17
228.8
219.26

Datasheet