BANDAS DE ENERGIA

QU 111- N
FIEE UNI FIEE UNI
APUNTES/CLASE
Dra. Lupe Pizan
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe
Son materiales de conductividad intermedia entre la
de los metales y la de los aislantes, que se modifica
en gran medida por la temperatura, la excitacin
ptica y las impurezas.
Estructura atmica del Carbono (6 electrones)
1s
2
2s
2
2p
2
Estructura atmica del Silicio (14 electrones)
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
2
Estructura atmica del Germanio (32 electrones)
4 electrones en la ltima capa
-
2s
2
-
2p
2
4 estados vacos
- -
Distancia interatmica
Estados discretos
(tomos aislados)
-
2s
2
-
Banda de estados
1s
2 - -
E
n
e
r
g

a
- -
- -
-
-
-
-
- -
- -
Distancia interatmica
E
n
e
r
g

a
- -
Grafito:
Hexagonal, negro,
blando y conductor
-
-
Diamante:
Cbico, transparente,
duro y aislante
- -
- -
Banda prohibida
E
g
=6eV
- -
Banda de
conduccin
4 estados/tomo
E
n
e
r
g

a
Si un electrn de la banda de valencia alcanzara la energa
necesaria para saltar a la banda de conduccin, podra moverse al
estado vaco de la banda de conduccin de otro tomo vecino,
generando corriente elctrica. A temperatura ambiente casi ningn
electrn tiene esta energa.
Es un aislante.
Banda de valencia
4 electrones/tomo
-
-
-
-
Banda de
Banda de
conduccin
4 estados/tomo
-
-
-
-
E
n
e
r
g

a
No hay banda prohibida. Los electrones de la banda de
valencia tienen la misma energa que los estados vacos
de la banda de conduccin, por lo que pueden moverse
generando corriente elctrica. A temperatura ambiente
es un buen conductor.
Banda de
valencia
4 electrones/tomo
- -
E
g
=0,67eV
Banda prohibida
- -
Banda de
conduccin
4 estados/tomo
E
n
e
r
g

a
Si un electrn de la banda de valencia alcanza la energa necesaria
para saltar a la banda de conduccin, puede moverse al estado
vaco de la banda de conduccin de otro tomo vecino, generando
corriente elctrica. A temperatura ambiente algunos electrones
tienen esta energa. Es un semiconductor.
Banda de valencia
4 electrones/tomo
-
-
-
-
E
g
Banda de
valencia
Banda de
conduccin
Aislante
Semiconductor
E
g
Banda de
valencia
Banda de
conduccin
Banda de
valencia
Conductor
Banda de
conduccin
A 0K, tanto los aislantes como los semiconductores no conducen,
ya que ningn electrn tiene energa suficiente para pasar de la
banda de valencia a la de conduccin. A 300K, algunos electrones
de los semiconductores alcanzan este nivel. Al aumentar la
temperatura aumenta la conduccin en los semiconductores (al
contrario que en los metales).
Aislante
E
g
=5-10eV
Semiconductor
E
g
=0,5-2eV
Conductor
No hay E
g
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a
que los electrones de la banda de valencia no
pueden saltar a la banda de conduccin.
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Situacin del Ge a 0K
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
300 K (I)
Hay 1 enlace roto por cada 1,710
9
tomos.
Un electrn libre y una carga + por cada
enlace roto.
ATE-UO Sem 10
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Situacin del Ge a 300 K (II)
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Generacin
-
-
+
Recombinacin
Generacin
-
++
-
-
Recombinacin
Generacin
Muy
importante
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Recombinacin
Siempre se estn rompiendo (generacin) y
reconstruyendo (recombinacin) enlaces. La vida media
de un electrn puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos.
++
+

+

+

+

+

+

+

-
-
-
-
-
-
G G G G
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Aplicacin de un campo externo (I)
-
-
-
-
+
-
+

+

+

+

+

+

+

-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
El electrn libre se mueve por accin del campo.
Y la carga + ?.
G G G G
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+

+

+

+

+

+

+

-
-
-
-
-
Aplicacin de un campo externo (II)
-
+
-
-
Muy
importante
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
-
+

+

+

+

+

+

+

-
-
-
La carga + se mueve tambin. Es un nuevo
portador de carga, llamado hueco.
Mecanismo de conduccin. Interpretacin
en diagrama de bandas
tomo 1
-
tomo 2
tomo 3
-
-
-
-
-
-
-
-
+
-
-
-
-
+ -
Campo elctrico
+
-
Movimiento de cargas por un campo
elctrico exterior (I)


+

+

+

+

+
-
-
-
-
-
-
+
-
-
+
-
-
+
-
-
+
-
-
+
-
-
+
-
-
+
-
-
+
-
-
+
-
-
+
j
p

j
n

Existe corriente elctrica debida a los dos portadores de carga:
j
p
=q
p
p es la densidad de corriente de huecos.
j
n
=q
n
n es la densidad de corriente de electrones.




+

+

+

+

+ -
-
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
j
p
=q
p
p j
n
=q
n
n



Movimiento de cargas por un campo elctrico
exterior (II)
q = carga del electrn

p
= movilidad de los huecos

n
= movilidad de los electrones
p = concentracin de huecos
Ge
(cm
2
/Vs)
Si
(cm
2
/Vs)
As Ga
(cm
2
/Vs)

n
3900 1350 8500

p
1900 480 400
p = concentracin de huecos
n = concentracin de electrones
= intensidad del campo elctrico
Muy
importante
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
Semiconductores Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = n
i
Ge: n
i
= 210
13
portadores/cm
3
Si: n = 10
10
portadores/cm
3
Semiconductores Intrnsecos
Si: n
i
= 10
10
portadores/cm
3
AsGa: n
i
= 210
6
portadores/cm
3
(a temperatura ambiente)
Pueden modificarse estos valores?
Puede desequilibrarse el nmero de electrones y de
huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrnsecos
Semiconductores Extrnsecos (I)
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo V
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
1
2
5
0K
A 0K, habra un electrn
adicional ligado al tomo
de Sb
Tiene 5 electrones en la
ltima capa
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
-
2
3
4
5
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
1
2
5
0K
Semiconductores Extrnsecos (II)
300K
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
2
3
4
Sb
+
A 300K, todos electrones adicionales de los tomos de Sb estn
desligados de su tomo (pueden desplazarse y originar corriente
elctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay ms electrones
que huecos. Es un semiconductor tipo N.
-
E
n
e
r
g

a
E
g
=0,67eV
4 est./atm.
0 electr./atm.
E =0,039eV
0K
Semiconductores Extrnsecos (III)
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo N
3 est./atm.
1 electr./atm.
-
+
300K
E
n
e
r
g

a
E
g
=0,67eV
4 electr./atm.
E
Sb
=0,039eV
-
-
-
-
El Sb genera un estado permitido en la banda
prohibida, muy cerca de la banda de conduccin. La
energa necesaria para alcanzar la banda de
conduccin se consigue a la temperatura ambiente.
Semiconductores Extrnsecos (IV)
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo III
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
-1
2
0K
A 0K, habra una falta de
electrn adicional ligado
al tomo de Al
Tiene 3 electrones en la
ltima capa
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
-
2
3
Semiconductores Extrnsecos (V)
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G G G
G
e
G
e
G
e
G
e
Al
-1
2
0K
300K
Al
-
+
-
A 300K, todas las faltas de electrn de los tomos de
Al estn cubiertas con un electrn procedente de un
tomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay ms huecos que electrones. Es
un semiconductor tipo P.
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
3
Al
-
-
4 (extra)
E
n
e
r
g

a
E
g
=0,67eV
4 est./atom.
E
Al
=0,067eV
0K
-
300K
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo P
Semiconductores Extrnsecos (VI)
4 electr./atom.
0 huecos/atom.
-
-
-
-
+
3 electr./atom.
1 hueco/atom.
El Al genera un estado permitido en la banda prohibida,
muy cerca de la banda de valencia. La energa necesaria
para que un electrn alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco
en la banda de valencia.
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones
Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Resumen
Muy
importante
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.
Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.
Diagramas de bandas del cristal
Cristal de Ge con m tomos
Banda de
conduccin
4m estados
E
n
e
r
g

a
0K
-
300K
-
Banda de
valencia
4m electrones
E
n
e
r
g

a
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
Cmo es la distribucin de
electrones , huecos y estados
en la realidad?
E
g
=0,67eV (Ge)
Banda prohibida
g
c
(E)
E
E
c
E
v
Densidad de estados en las bandas
de conduccin y valencia
g
c
(E)= densidad de estados en
los que puede haber electrones
en la banda de conduccin
g
v
(E)
E
1
dE
Significado: g
v
(E
1
)dE = n de estados con energa E
1
en
los que puede haber electrones en la banda de valencia,
por unidad de volumen. Lo mismo para la otra banda
g
v
(E)= densidad de estados en
los que puede haber electrones
en la banda de valencia
f(E) es la probabilidad de que un estado de
energa E est ocupado por un electrn, en
equilibrio
1 + e
(E-E
F
)/kT
f(E) =
1
Funcin de Fermi f(E)
1
f(E)
T=500K
T=0K
T=300K
1 + e
E
F
=nivel de Fermi
k=constante de Boltzmann
T=temperatura absoluta
0
0,5
1
0 E
F
E
g
c
(E)
Estados posibles
E
c
E
Calculamos la concentracin de electrones en
la banda de conduccin, n.
n = g
c
(E)f(E)dE

E
c

En general:
Estados vacos
completamente
g
v
(E)
Estados posibles
c
E
v
f(E)
1
0,5
0
E
F
Estados completamente
llenos de electrones
f(E)
b. cond.
=0,
luego n = 0
A 0K:
E
c
Estados posibles
g
c
(E)
n electrones/vol.
E
Semiconductor intrnseco a alta temperatura
(para que se puedan ver los electrones)

n = g
c
(E)f(E)dE 0 0 0 0
E
c

E
v
Estados posibles
g
v
(E)
Electrones
f(E)
1
0,5
0
E
F
huecos
E
c
Estados posibles
g
c
(E)
1-f(E)
Electrones
E
El nivel de Fermi tiene
Calculamos la concentracin de huecos en la
banda de valencia, p.

-
p = g
v
(E)(1-f(E))dE = n
E
v
E
c
E
v
Estados posibles
g
v
(E)
Huecos
1
0,5
0
E
F
f(E)
El nivel de Fermi tiene
que ser tal que las
reas que representan
huecos y electrones
sean idnticas (sem.
intrnseco)
1-f(E)
n
1-f(E)
n
Sube el nivel
1-f(E)
n
Baja el nivel
Concentracin de electrones y huecos en sem.
intrnsecos, extrnsecos tipo N y extrnsecos tipo P
f(E)
Semiconductor intrnseco
p
f(E)
Semiconductor extrnseco tipo N
p
Sube el nivel
de Fermi
f(E)
p
Semiconductor extrnseco tipo P
Baja el nivel
de Fermi
Referencia:
Ing. Javier Sebastian Zuiga:Cursos:
Dispositivos Electrnicos (1 de Ing. Dispositivos Electrnicos (1 de Ing.
Telecomunicacin). Electrnica General (4
de Ing. Industrial). Universidad de Oviedo
Ing Jaime Caballero USACH.