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20 INVESTIGACIN Y CIENCIA, marzo, 1996

L
a capacidad de almacenar y pro-
cesar informacin de mil ma-
neras ha sido esencial para el
progreso de la humanidad. Desde las
remotas incisiones en arcilla de las
tablillas sumerias hasta la imprenta
de Gutenberg, el sistema decimal de
Dewey y los semiconductores, el al-
macenamiento de la informacin ha
constituido el catalizador de sistemas
legales, polticos y sociales de com-
plejidad creciente. Tambin la ciencia
moderna est estrechamente vinculada
al procesamiento de la informacin,
con el cual mantiene cierta simbiosis.
Los avances cientficos han permi-
tido almacenar, extraer y procesar
cada vez ms informacin, gracias a
cuyo bagaje se han producido nuevos
progresos.
La fuerza motriz de este empeo
decisivo, la que abri una nueva
era en los ltimos decenios, fue la
elec trnica de semiconductores. Los
circuitos integrados originaron no slo
ordenadores personales que han trans-
formado el mundo empresarial, sino
tambin sistemas de control para el
mejor funcionamiento de las mqui-
nas y sistemas de ayuda mdica que
salvan vidas humanas. De paso, han
hecho brotar industrias que cifran sus
ingresos en billones de pesetas y dan
trabajo a millones de personas. Estas
y otras muchas ventajas derivan, en
buena parte, de la capacidad de in-
tegrar cada vez ms transistores en
una pastilla (chip), a unos costes
en continuo descenso.
Esa capacidad, sin precedentes en
la industria, se halla tan arraigada
en el sector de los semiconductores,
que se toma como una autntica ley.
No obstante, de vez en cuando se
expresan temores de que los obst-
culos tcnicos y econmicos lleguen
pronto a frenar la evolucin. Muchas
veces los expertos han vaticinado el
inminente fin del espectculo, pero
la creatividad y el ingenio de otros
colegas han echado por tierra sus
predicciones.
En este momento, cuando el coste
de construir una nueva planta de
semiconductores roza el billn y la
densidad de transistores se aproxima
a los lmites tericos impuestos por
las tcnicas utilizadas, muchos se
preguntan qu va a ocurrir a la in-
dustria cuando finalmente tropiece con
barreras de veras insalvables.
En 1964, a los seis aos de la in-
vencin del circuito integrado, Gordon
Moore observ que el nmero de
transistores que podan integrarse en
una pastilla se duplicaba a un ritmo
anual. Moore, uno de los fundado-
res de Intel Corporation en 1968,
predijo con acierto que esa tasa se
mantendra en el futuro inmediato,
lo que ha venido a llamarse ley de
Moore y ha trado consecuencias de
largo alcance.
Dado que la densidad doble no
implicaba mayor inversin, el coste
por transistor se reduca a la mitad
en cada tanda de duplicacin. Al
multiplicar por dos los transistores, la
pastilla de memoria puede almacenar
el doble de datos. Con mayores ni-
veles de integracin se puede aunar
un mayor nmero de funciones en
la pastilla; una disposicin espacial
comprimida de los componentes, de
los transistores por ejemplo, faci-
lita una interaccin ms clere. Los
usuarios han podido as obtener por
el mismo dinero una potencia in-
formtica acrecentada, lo que ha
estimulado tanto las ventas de
microcircuitos como la demanda
de potencias de procesamiento
crecientes.
Para asombro de muchos
expertos, incluso del pro-
pio Moore, la integracin
continu creciendo a un
ritmo sorprendente. Cierto es
que, al final de los setenta, se ha-
ba desacelerado el paso; el nmero
de transistores se duplicaba cada 18
meses. Pero desde entonces el ritmo
se ha mantenido y hoy en da existen
en el mercado circuitos integrados
con ms de seis millones de tran-
sistores y componentes electrnicos
de 0,35 micrometros de dimensin
transversal. Se espera que se vendan
pronto pastillas con diez millones o
ms transistores y de 0,25 e incluso
de 0,16 micrometros.
No vaya a creerse que ha sido
fcil llegar hasta los microcircuitos
actuales; los fabricantes han tenido
que superar, en una carrera erizada
de obstculos, notables limitaciones
en sus equipos y procesos de pro-
duccin. Ninguno de estos problemas
result ser la temida barrera final
cuya superacin exigiera costes tan
ele vados como para detener o por
lo menos frenar el avance de la
tcnica y, por tanto, el desarrollo de
este sector industrial. Los sucesivos
impedimentos, empero, han sido cada
vez ms imponentes por razones li-
G. DAN HUTCHESON y JERRY D.
HUTCHESON han consagrado su vida
profesional al progreso de la fabrica-
cin de semiconductores. Jerry, fsico
de formacin, trabaj desde 1959 en
RCA, Motorola y otras empresas. En
1976 fund la compaa consultora
VLSI Research, Inc. Su inters se
centra en las interacciones de la tc-
nica y la economa en la fa bricacin
de semiconductores. Su hijo Dan es
economista. En 1981 desarro ll el
primer modelo de simulacin basado
en costos del proceso de fabri cacin
para orientar a las empresas en la
eleccin del equipo necesario.
Futuro de la industria
de los semiconductores
Tal vez estn contados los das de desarrollo vertiginoso,
pero ello puede obligar a los fabricantes
a ofrecer una diversidad mayor
G. Dan Hutcheson y Jerry D. Hutcheson
INVESTIGACIN Y CIENCIA, marzo, 1996 21
gadas a las tcnicas en que se funda
la fabricacin de semiconductores.
Se construye un microcircuito
creando e interconectando transisto-
res sobre una lmina de silicio para
formar sistemas electrnicos comple-
jos. El proceso de fabricacin consta
de una serie de etapas, o capas de
mscara, en las que se depositan
sobre el silicio pelculas de diversos
materiales algunos de ellos fotosen-
sibles y se exponen luego a la luz.
Tras la deposicin y el tratamiento
litogrfico, se procesan dichas capas
para grabar los patrones que, en
alineacin exacta y combinados con
los de las capas sucesivas, producen
los transistores y sus conexiones.
Suelen obtenerse 200 o ms pastillas
a la vez sobre un delgado disco u
oblea de silicio.
En el primer juego de capas de
mscara, se depositan pelculas ais-
lantes de xido para formar los tran-
sistores. A continuacin se extiende
sobre esas pelculas un revestimiento
fotosensible. Mediante una mquina
posicionadora por pasos, similar a una
ampliadora fotogrfica, se ex-
pone ese polmero fotosensi-
ble. La mquina posicionadora
emplea un re tculo o mscara
para proyectar un patrn sobre
el polmero fotosensible. Una vez
expuesto, el polmero se desarrolla,
y perfila as los espacios ventanas
de contacto, donde se interconectan
las diferentes capas conductoras. Un
agente grabador ataca entonces la
pelcula de xido al objeto de que
puedan establecerse los contactos elc-
tricos con los transistores. Se elimina
el polmero fotosensible.
Ms juegos de capas de mscara,
con etapas de deposicin, litogra-
fa y ataque muy similares, crean
las pelculas conductoras de metal
o polisilicio necesarias para enlazar
transistores. La fabricacin de una
pastilla requiere, en total, unas 19
capas.
L
a fsica subyacente bajo estos pro-
cesos de fabricacin induce a
imaginar posibles obstculos que se
opondran a un progreso continuo.
En primer lugar, el relacionado con
el lmite de resolucin de Rayleigh,
as llamado en honor del premio
Nobel John William Strutt, tercer
barn de Rayleigh. En virtud de ese
lmite, el tamao de las caractersticas
ms pequeas que puede distinguir
un sistema ptico de abertura circu-
lar es proporcional a la longitud de
onda de la fuente luminosa dividida
por el dimetro de la abertura del
objetivo. En otras palabras, cuanto
ms corta sea la longitud de onda
y mayor la abertura, ms fina ser
la resolucin.
Dicho lmite constituye una ley fun-
damental para este sector de la indus-
tria, puesto que sirve para determinar
el mnimo tamao de los transistores
materializados en una pastilla. En la
litografa de los circuitos integrados la
fuente de luz al uso es la lmpara de
mercurio. Sus rayas espectrales ms
tiles para estos fines se producen
a los 436 y 365 nanmetros, las
llamadas rayas g e i del mercurio.
La primera de ellas es visible para
1. MAQUETA DE CIRCUITOS. Registra el diseo
de una pastilla (chip). Las distintas capas de la
pastilla se muestran en colores diferentes. La imagen
ilustra parte de los planos del futuro microprocesador
Power PC 620 de Motorola.
22 INVESTIGACIN Y CIENCIA, marzo, 1996
el ojo humano, y la ltima apenas
sobrepasa la visibilidad en el ultravio-
leta. Las aberturas numricas varan
desde un extremo bajo cercano a 0,28
micrometros para lentes industriales
corrientes hasta un valor de unos 0,65
para las de herramientas litogrficas
de punta. Considerando estos valores
junto con otros aspectos derivados
de las demandas de la fabricacin
en masa, se obtiene una resolucin
lmite en torno a 0,54 micrometros
para lentes de raya g y de 0,48 para
las de raya i.
Hasta mediados de los ochenta se
acept como lmite prctico el funcio-
namiento en la raya g. Pero uno tras
otro se fueron allanando los obs tculos
que impedan el funcionamiento en la
raya i; ocurri de una manera que
ilustra las complejas relaciones entre
economa y tcnica en la industria. Las
barreras de orden tcnico se salvaron,
y aparecieron otras que no eran sino
simples consecuencias del nivel de
riesgo tolerado por la empresa. Esta
historia tiene mucho que ver con
la actual situacin de la industria,
prxima a los lmites prcticos del
funcionamiento en raya i.
Una de las dificultades para el
funcionamiento en la raya i estribaba
en que casi todos los vidrios de las
lentes son opacos a esas frecuencias,
lo que obligaba a utilizar el cuarzo.
Aunque las lentes de cuarzo eran rea-
lizables, se aduca que sera difcil
comprobar la alineacin de configura-
ciones que no son visibles. Adems,
solamente un 70 % de la radiacin en
raya i atraviesa el cuarzo; el resto se
convierte en calor en la lente, con
la posible distorsin consiguiente de
la imagen.
Tampoco acababan ah los pro-
blemas. El lmite de Rayleigh fija
tambin el intervalo dentro del cual
se mantiene enfocado el patrn pro-
yectado por la lente. La restriccin
de la profundidad de enfoque va en
contra de los lmites de resolucin; a
mejor resolucin, menor profundidad
de enfoque. Para una lente como la
descrita, la profundidad de enfoque
2. LAS PASTILLAS SE FABRICAN en ciclos de etapas
repetidas hasta veinte veces. De una oblea de silicio con
recubrimiento fotosensible se obtienen muchas pastillas a la
vez (1). En cada ciclo se proyecta repetidamente un patrn
distinto en la oblea (2), formndose una pastilla en cada po-
sicin de la imagen. El recubrimiento fotosensible se elimina
(3); se atacan con gases las zonas expuestas a la luz (4).
Dichas zonas se bombardean con iones (dopado), creando
transistores (5). Estos se conectan luego al aadir capas de
metal y de aislante en sucesivos ciclos (6).
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es de unos 0,52 micrometros en las
mejores lentes de raya g y de 0,50
en las de raya i. Profundidades tan
exiguas exigen que la superficie de
la oblea sea extremadamente plana,
mucho ms de lo que hace pocos
aos poda conseguirse a lo largo de
la diagonal de una pastilla grande con
el mejor equipo disponible.
P
ara superar tales inconvenientes,
se idearon soluciones nuevas; por
ejemplo, mtodos de aplanamiento
que aseguraban superficies ptica-
mente planas. Mediante ajustes finos
en los bordes de los patrones en el
retculo se pudo desplazar de fase
la radiacin de raya i entrante. Ello
permita definiciones ms ntidas de
los bordes y, por tanto, dimensiones
menores, con lo que se obviaba as
el lmite de Rayleigh. Uno de los
ltimos ajustes consisti en aceptar
un valor ms bajo de la constante de
proporcionalidad, que guarda relacin
con el grado de contraste de la ima-
gen proyectada en la oblea durante
la litografa. Para el funcionamiento
en raya i los fabricantes se armaron
de coraje y aceptaron una constante
de proporcionalidad inferior a la que
hasta entonces se haba considerado
prctica. Esto implicaba unos mrge-
nes ms reducidos durante la fabrica-
cin, y exiga controles ms rgidos
sobre los procesos de litografa, de-
posicin y ataque para mantener alto
el nmero de pastillas aceptables por
oblea (el rendimiento). Gracias a tales
innovaciones, se exponen ahora de
forma rutinaria en raya i dimensiones
de 0,35 micrometros.
En este ltimo ejemplo, lo que
real mente se discuta era la prdida
de contraste que el fabricante estaba
dispuesto a tolerar. Con un contraste
perfecto, la imagen creada en el pol-
mero fotosensible es ntida. Lo mismo
que tantas otras limitaciones en la
industria, la relacin de contraste
se presentaba como barrera tcnica
cuan do en realidad entraaba una
decisin arriesgada. Se comprob que
con una menor relacin de contraste
no se rebajaban los rendimientos, si en
otras partes del proceso se aplicaban
controles ms estrictos.
Es difcil predecir cundo se ago-
tar, si es que ello ocurre, esta vena
de creativas mejoras. No obstante,
antes de topar con autnticas barreras
tcnicas se dejar sentir la repercusin
econmica de esa aproximacin a
las mismas. Sabido es que los cos-
tes implicados en la consecucin de
niveles ms elevados de prestaciones
de la pastilla crecen con gran rapi-
dez conforme nos acercamos a los
lmites de determinada tcnica de
fabricacin, sobrepasados luego. Los
costes en aumento podran arrastrar
los precios hasta ms all de lo que
los compradores estaran dispuestos a
tolerar, provocando el estancamiento
del mercado antes de tropezar con
las barreras tcnicas.
Pero cuando por fin se asienta
una nueva tcnica de fabricacin,
los costes de las pastillas comien-
zan a descender. En ese momento
la industria ha pasado de una curva
coste-prestaciones asociada a la tc-
nica antigua a otra curva propia del
nuevo proceso. En efecto, el salto
de una tcnica a otra hace que la
curva de costes descienda, y aleja
ms los lmites tcnicos. Cuando tal
cosa sucede se pueden conseguir ni-
veles de prestaciones ms altos sin
elevar los costes, lo cual mueve a
los compradores a sustituir sus viejos
equipos. Lo sabe muy bien la indus-
tria electrnica, donde los productos
suelen quedarse anticuados antes de
su total desgaste.
L
os principios hasta aqu expues-
tos se aplican a toda clase de
pastillas, pero las de memoria son
las que cubren un mayor volumen
de negocio y, por varios
conceptos, las ms repre-
sentativas. En 25 aos el
precio de un megabyte de
memoria de semiconducto-
res ha descendido desde
70 millones a menos de
5000 pesetas. Pero en el
mismo perodo el costo de
construir una fbrica para
producir estas pastillas de
memoria se ha elevado
desde menos de 500 mi-
llones hasta los 150.000
millones de pesetas, con
lo que slo unas pocas fir-
mas muy importantes pue-
den abordar esta actividad.
La imparable ascensin de
estos costes, sobre todo dis-
parada por los gastos de
superar barreras tcnicas
cada vez ms formidables,
obliga de nuevo a centrar
la atencin en los lmites
de la industria de los se-
miconductores.
No es probable que esta
industria sufra un parn
a corto plazo. Pero nos
acercamos a barreras tan
elevadas que el superarlas
probablemente exigir cam-
bios mucho ms drsticos
que en ocasiones anterio-
res. Un breve anlisis de
los obs tculos permitir comprender
las razones.
En su mayor parte, provienen de
las estructuras de pelcula delgada
que componen el circuito integrado o
de las fuentes de luz necesarias para
formar las finsimas pistas conducto-
ras, o de la propia anchura de dichas
pistas. En ciertos casos se relacionan
con la constante dielctrica de la pe-
lcula aislante. La constante die lc trica
nos indica la capacidad que posee una
pelcula aislante de evitar corrientes
de fuga entre las pistas conductoras,
sumamente prximas, de la pastilla.
Cuantos ms transistores se integren
en la pastilla, ms densamente agru-
padas estarn las pelculas, y con
ello aumentar la diafona entre las
pistas que conducen seales.
Para evitarlo podra reducirse el va-
lor de la constante dielctrica, lo que
har ms impermeable a la diafona el
aislante. Pero esto, a su vez, origina
una doble bsqueda: por un lado, de
materiales nuevos de ms baja cons-
tante dielctrica y, por otro lado, de
nuevas estructuras peliculares capaces
de reducir todava ms la constante
dielctrica total. Se est investigando
la posibilidad de sembrar la pelcula
aislante con diminutos huecos para
P
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I
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PRESTACIONES DEL PRODUCTO
Barreras
econmicas
Barreras
tcnicas
RELACION PRECIO A PRESTACIONES
CURVAS DE COSTE
DE FABRICACION
SALTO
TECNICO
LIMITE SUPERIOR
DE PRECIOS
FUENTE: VLSI Research, Inc.
E
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2
3. LA CURVA DE COSTES caracteriza un sistema
de fabricacin de pastillas. En las barreras tcnicas
T
1
y T
2
una pequesima mejora de prestaciones
requiere un enorme aumento de costo. Pero mucho
antes se tropieza con las barreras econmicas, E
1

y E
2
, en la interseccin de las curvas con la lnea
que representa los precios mximos tolerados por
los usuarios. Los saltos tcnicos hacen descender la
curva a la posicin de color ms oscuro. Entonces
mejoran las prestaciones, y las barreras pasan a
ser E
2
y T
2
.
24 INVESTIGACIN Y CIENCIA, marzo, 1996
D
urante sesenta aos la mayora
de las empresas se sirvieron
del mismo modelo para registrar los
rendimientos financieros de sus in-
versiones en equipos, investigacin,
gestin de mercados y todos los
dems conceptos. Desarrollado por
Donaldson Brown de Du Pont en el
umbral de la primera guerra mundial,
la primera empresa en aplicarlo fue
General Motors en su esfuerzo por
sobrepasar a Ford Motor Company
como lder del mercado de auto-
mviles.
Desde su adopcin universal, el
modelo en cuestin, llamado de
rendimiento de la inversin, o ROI
(return on investment), ha mante-
nido su validez en industrias con
ndices de crecimiento y de avance
tcnico relativamente pequeos. Los
autores no tienen noticia de que el
modelo se haya comportado bien
en el sector de los semiconduc-
tores, en el que hay numerosos
ndices de variacin prestaciones
del producto y coste del equipo de
fabricacin, entre muchos que
en absoluto son lineales. Desde
un punto de vista econmico, el
carcter no lineal distingue a la
industria de los semiconductores de
cualquiera otra gran industria; no
slo eso: tambin hace inadecuados
todos los dems modelos.
Las inversiones en equipos e inves-
tigacin que peridicamente necesita
este sector son bastante grandes y
crecen exponencialmente. Adems,
como en toda empresa, las inver-
siones en estos conceptos y otros
anlogos deben generar un beneficio
saneado. Pero hoy da las firmas de
semiconductores carecen de medios
para determinar con precisin qu
parte de su rendimiento financiero
procede de sus inversiones en equipo,
y ello les plantea un grave
problema. Desde hace
aos, venimos trabajando
en mtodos descriptivos
del sector que tengan en
cuenta los elementos no
lineales, con miras a mo-
dificar el modelo ROI.
En el modelo clsico,
se acude a las inversio-
nes de capital adiciona-
les cuando la capacidad
real de un fabricante no
alcanza la capacidad
prevista (entendida sta
como la capacidad que
la empresa cree nece-
saria para satisfacer la
demanda en un futuro
inmediato). Estas diferen-
cias suelen deberse al
envejecimiento del equipo
y a la prdida de perso-
nal experto. En el sector
de los semiconductores,
no slo hay que antici-
parse constantemente a
los aumentos de capaci-
dad, sino que tambin se
deben prever y planificar
los grandes avances en
la propia tcnica de fa-
bricacin.
Para dar cuenta de
este efecto de frenado
tcnico, empezamos por
considerar la relacin
del efectivo generado
en cualquier ao determinado a
las inversiones en nuevas tcnicas
del ao anterior. En este contexto,
por nuevas tcnicas entendemos
los nuevos equipos de fabricacin
y la investigacin y desarrollo. El
efectivo generado durante el ao
es el beneficio bruto resultado de
las operaciones, incluyendo el di-
nero destinado a la reinversin en
investigacin y desarrollo.
Esta relacin nos indica el incre-
mento de beneficios por incremento
de inversin, a un ao de desfase.
Constituye un exponente real del
grado de rentabilidad que alcanza una
compaa gracias a sus inversiones
en tcnicas cada vez ms costosas.
El ROI, por el contrario, mide los
beneficios incrementales durante el
ao procedentes de todas las in-
versiones, no solamente de las del
ao anterior.
Hasta aqu no hemos hecho ms
que incluir en las nuevas tcnicas
el equipo de fabricacin incorporado
y la investigacin y desarrollo. Pero
el efecto del frenado tcnico se
hace ms acentuado cuando se
separan estas dos categoras y se
dilucidan los flujos y reflujos entre
ellas. Una manera de conseguirlo
es calcular ao tras ao la razn
entre estas dos inversiones y des-
pus representarla en funcin de
la relacin antes mencionada entre
efectivo generado en el ao y las
inversiones en nuevas tcnicas del
ao anterior, como ilustra el adjunto
diagrama o carta de fase para la
compaa Intel.
Conectando los puntos marcados
en el diagrama se trazan bucles
correspondientes a ciclos de unos
seis aos. En cada uno de ellos,
Intel pasa desde un perodo de
operaciones no rentables causadas
por fuertes inversiones de capital
hasta otro perodo en el que se
consiguen grandes beneficios de-
rivados de inversiones de capital
mucho ms ligeras. En el grfico
se ve que Intel entra ahora en otro
perodo de fuerte inversin de capital.
Otras empresas de semiconductores
(y asimiladas) recorren ciclos pare-
cidos, si bien varan de una a otra
los perodos de rentabilidad y de
fuertes inversiones.
La parte inferior de cada bu-
cle es ms baja que la del bu-
cle precedente. Esto quiz sea la
informacin ms interesante que
ofrece la ilustracin: significa que
los beneficios de Intel, con relacin
a los gastos que los han generado,
descienden en cada ciclo sucesivo.
Al mostrar el ciclo completo entre
las inversiones en tcnica y su
rentabilidad, la carta de fase es un
poderoso instrumento para observar
y gestionar los ciclos de inversin
peculiares de esta singular y din-
mica industria.
G. D. H. y J. D. H
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RELACION DE INVERSION
EN PLANTA Y EQUIPO A I+D
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1993
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1986
1981
1979
INVERSION CRECIENTE
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1971-75 1976-84 1985-94
1974
Cunto rinde el dinero?
LA CARTA DE FASE muestra la relacin entre
beneficios e inversiones en nuevas tcnicas, a lo
largo de distintas pocas de Intel. Uniendo los
puntos sealados se trazan bucles que representan
ciclos de alrededor de seis aos (en diferentes
colores). En cada ciclo se pasa de un perodo de
escasa rentabilidad con fuertes inversiones a otro
de muy buenos rendimientos en efectivo a partir
de inversiones mucho menores. Las flechas verdes
sealan el ao de cada ciclo en que Intel obtuvo
mayores ganancias y gast menos en equipo.
INVESTIGACIN Y CIENCIA, marzo, 1996 25
aprovechar la bajsima constante die-
lctrica del aire o del vaco.
En otros lugares de la pastilla se
necesitan materiales con la propiedad
opuesta: una elevada constante die-
lctrica. La mayora de los circuitos
integrados requieren condensadores.
En una memoria dinmica de acceso
alea torio (DRAM) cada bit se alma-
cena en un condensador, dispositivo
capaz de retener la carga elc trica.
(Un condensador cargado representa
el 1 binario; uno descargado, el 0.)
Por lo comn, la capacitancia dispo-
nible en la pastilla se queda corta.
La capacitancia es proporcional a
la constante dielctrica; por consi-
guiente, las DRAM y otras pastillas
similares requieren materiales con una
constante dielctrica elevada.
L
a bsqueda de fuentes de luz ms
avanzadas para litografa es asi-
mismo impresionante. La mayor finura
de resolucin exige longitudes de onda
ms cortas. Pero la luz de mercurio
al uso emite muy poca energa en
longitudes de onda inferiores a los
365 nanmetros de raya i. Los lse-
res excmeros descienden hasta unos
193 nanmetros, pero por debajo de
esa longitud de onda generan muy
poca energa. En los ltimos aos,
se ha aplicado la litografa por lser
excmero para fabricar algunas pasti-
llas de aplicacin especial, de altas
prestaciones, en pequeos lotes. Para
longitudes de onda an ms cortas,
las fuentes de rayos X constituyen
el ltimo recurso. Sin embargo, en
20 aos de investigacin la litografa
por rayos X slo ha producido mo-
destos resultados, y no existen en el
mercado pastillas fabricadas por tal
procedimiento.
Al aparecer obstculos tcnicos
crecen tambin las barreras econ-
micas, usualmente manifestadas en
elevaciones de coste de los equipos,
sobre todo de litografa. Los avances
en el equipo litogrfico adquieren es-
pecial importancia ya que determinan
las dimensiones mnimas que pueden
materializarse en una pastilla. Aunque
esta posible dimensin mni ma se haya
ido achicando un 14 % anual desde
los primeros tiempos de la industria,
el precio del equipo ha subido cada
ao un 28 %.
Al principio, en cada nueva gene-
racin de equipo litogrfico el coste
se decuplicaba. De entonces ac, el
desarrollo entre una generacin y otra
de alineadores de posicin ha logrado
reducir aumento tan fuerte a una
simple duplicacin de precios en cada
nuevo avance importante. Otros tipos
de equipos utilizados en fabricacin
de semiconductores han conocido un
comportamiento similar.
Por todo ello, los costes generales
de la creacin de fbricas de semi-
conductores han crecido a la mitad
del ritmo predicho por Moore, dupli-
cndose cada tres aos. Intel se gasta
el equivalente de ms de 140.000
millones de pesetas en cada nueva
planta que abre en EE.UU.; Samsung
y Siemens construyen factoras que
costarn cerca de 180.000 millones,
y Motorola proyecta una planta que
podra llegar a los 300.000 millones.
Aunque puedan construirse fbricas
ms pequeas por menos dinero, su
rendimiento no sera tan alto.
Estos enormes costes de las fbricas
confirman que nos aproximamos a
barreras tcnicas imponentes. Sin em-
bargo, nos parece infundado el temor
de que sean insalvables y fuercen
a un parn de la industria. Lo que
s puede suceder es que los precios
de los semiconductores aumenten y
se desacelere el ritmo de cambio en
este sector.
Ello adems tendra algn prece-
dente. Entre 1985 y 1988 el coste
por bit de memoria creci un 279 %
sin consecuencias catastrficas; antes
bien, 1988 fue uno de los mejores
aos en la industria de semiconduc-
tores. Cuan do el coste por bit inicie
una subida incesante, probablemente
sobrevendr una transformacin in-
dustrial que altere los modelos de
empresa.
72 74 76 78 80 82 84 86 88 90 92 94 96
10
9
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AO DE DISPONIBILIDAD
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A
FUENTE: VLSI Research, Inc.; Integrated Circuit Engineering Corporation
AMBITO TEMPORAL
DE LOS SISTEMAS LITOGRAFICOS
ALINEADORES POR CONTACTO
ALINEADORES POR PROXIMIDAD
ALINEADORES POR PROYECCION
PRIMERAS POSICIONADORAS
DE RAYA G
POSICIONADORAS AVANZADAS
DE RAYA G
PRIMERAS POSICIONADORAS
DE RAYA I
POSICIONADORAS AVANZADAS
DE RAYA I
PRIMERAS POSICIONADORAS
DEL UV PROFUNDO
80786
1K
4K
256K
1M
4M
16M
64M
256M
4004
8080
8086
80286
80486
PENTIUM
80386
PENTIUM
PRO
64K
16K
6800
68000
68030
68040
68020
POWER PC 601
POWER PC 604
POWER PC 620
MICROPROCESADOR INTEL
MICROPROCESADOR MOTOROLA
CAPACIDAD DE MEMORIA
(DRAM) EN BITS
2000 1970
10
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4. LAS DENSIDADES DE TRANSISTORES en los circuitos integrados han crecido
exponencialmente, como indica la grfica logartmica. Para sostener tal ritmo se
han utilizado en la fabricacin sucesivos sistemas litogrficos que proyectan en las
obleas los patrones de circuitos. La mayor regularidad y simplicidad del diseo
han conseguido elevar las densidades de las pastillas de memoria.
26 INVESTIGACIN Y CIENCIA, marzo, 1996
En la prctica, toda in-
dustria que perdure algunos
decenios habr pasado por
tales transformaciones. Pese
a su carcter singular, la
industria de los semicon-
ductores se rige tambin por
los principios eco nmicos
de la oferta y la demanda.
Podemos, pues, acudir a
la historia de sectores ms
antiguos, como la aviacin,
los ferrocarriles y la automo-
cin, para buscar episodios
ilustrativos de lo que cabe
esperar.
Como en los semiconduc-
tores, los comienzos de la
industria aeronutica fueron
muy rpidos. En menos de
cuarenta aos se pas del
monoplano de los hermanos
Wright al Clipper de Pan
Am, y a las Flying For tress
y Superfortress. Tam bin el
sector atendi primeramente
a los mercados militares an-
tes de dedicarse a la avia-
cin comercial. La industria
aeronutica sostuvo su cre-
cimiento disminuyendo los costes por
pasajero y kilmetro recorrido, a la
par que reduca los tiempos de vuelo.
Los dos objetivos son equiparables a
los tenaces esfuerzos por aumentar
la densidad de transistores en una
pastilla y mejorar as las prestacio-
nes, reduciendo adems los costes
de la pastilla.
D
urante decenios, la aviacin pro-
gres concentrando su investi-
gacin y desarrollo en aumentar la
capacidad de pasajeros y la velocidad.
Finalmente se lleg a un mximo de
capacidad con el Boeing 747 y a un
tope de velocidad con el Con corde.
El 747 tuvo un gran xito, pero sus
numerosas plazas slo se llenaban en
las rutas ms largas. El Concorde, por
su parte, vio limitada su utilizacin
por la contaminacin acstica que
creaba. Pero ambos representaron un
lmite, en el sentido de que la tcnica
no permita en condiciones realistas
obtener velocidades y capacidades
mayores. Pese a ello, la aviacin
no cay en barrena, sino que entr
en una segunda fase en la cual se
disearon aviones ms pequeos y
diversos, construidos para mercados
especficos. El foco de la investigacin
y desarrollo ya no se centraba en la
velocidad y la capacidad, sino en un
funcionamiento eficaz y silencioso y
en la comodidad del pasajero.
Hubo en los ferrocarriles tendencias
similares. Desde el siglo pasado hasta
bien entrados los setenta, la potencia
de traccin de las locomotoras fue
aumentando continuamente con el fin
de reducir los costes del transporte
de mercancas. La inversin de capital
en las locomotoras era cuantiosa, pero
la potencia de traccin creca ms
deprisa que los costes. Sin embargo,
se lleg a un punto en que los altos
costes de desarrollo forzaron a la
unin de fabricantes y usuarios. La
Union Pacific Railroad, el mayor fe-
rrocarril de su poca, se asoci con la
Divisin de Electromocin de General
Motors para crear el EMD DD-40, un
monstruo que result ser demasiado
grande e inflexible para todo lo que
no fuese transportar grandes cargas a
travs de los Estados Unidos. Tras
su fracaso, la industria ferroviaria
volvi a emplear mquinas ms pe-
queas que trabajasen por separado
con cargas pequeas y fueran capaces
de acoplarse para el transporte de
otras mayores.
La situacin actual de la industria
de semiconductores no difiere mucho
de la reseada a propsito de las
empresas ferroviarias antes del EMD
DD-40. Cuesta tanto el desarrollo
de nuevas factoras para las futuras
generaciones de pastillas de memoria
que las empresas han empezado a
aliarse en diferentes grupos, cada uno
de los cuales atacar a su manera el
tremendo problema de la fabricacin
econmica de pastillas de altsima
densidad.
De la fabricacin de au-
tomviles pueden tambin
extraerse lecciones. En los
aos veinte, Henry Ford fue
construyendo factoras cada
vez ms eficientes, hasta cul-
minar en la planta gigantesca
de Rouge, donde empez a
fabricarse el modelo A en
1928. Parta se all del pro-
pio mineral de hierro para
producir casi todas las piezas
del coche. Pero el sector
automovilstico haba ya
cambiado, y el esfuerzo de
Ford por redu cir los costos
de fabricacin mediante la
construccin de factoras
mayores y de mejor ren-
dimiento hubo que pagarlo
sacrificando la diversidad de
productos. Como deca el
chiste, poda comprarse un
coche Ford del color que se
quisiera, siempre que fuera
negro.
Las tendencias en la fa-
bricacin de automviles se
orientaron a ofrecer ms fa-
cilidades, prestaciones y mo-
delos. Alfred E. Sloan, de General
Motors, reconoci que el rendimiento
ya no aumentaba con el tamao de
la fbrica y que las grandes plantas
eran buenas para producir grandes
series del mismo producto. Por tanto,
disgreg la empresa en divisiones
con mercados claramente definidos y
fbricas especializadas que les dieran
soporte. Los clientes prefirieron la
mayor variedad de diseos que de
ah resultara. General Motors empez
muy pronto a ganar mercado a costa
de Ford.
E
l desarrollo de los microcircui-
tos sigue pasos semejantes. Intel
diversific en ms de 30 varieda-
des su oferta del microprocesador
486, mientras que a principios de
los ochen ta slo ofreca tres ver-
siones de su microprocesador 8086
y nada ms que dos del 8088. Las
pastillas de memoria dinmica siguen
esa pauta diversificadora. Toshiba,
por ejem plo, posee actualmente 15
veces ms configuraciones DRAM de
cuatro megabit que las de 64 kilobit
que tena en 1984.
En su fase inicial todas las indus-
trias sealadas, desde las ferroviarias
a las de semiconductores, se han
esforzado por mejorar prestaciones
y reducir costos. Las tres industrias
del transporte, considerablemente ms
maduras, han pasado a una segunda
fase en la que se persigue el refina-
miento y la diversidad de productos,
5. El CIRCUITO INTEGRADO, o dado, del microproce-
sador Power PC 620 de Motorola contiene cerca de siete
millones de transistores. Se encapsula en cermica. Se
destina a estaciones de trabajo de ordenador y servidores
de ficheros.
INVESTIGACIN Y CIENCIA, marzo, 1996 27
de modo similar a lo que empieza a
verse en la fabricacin de microcir-
cuitos. Las empresas aplican ahora
la tcnica a potenciar las lneas de
productos ms que a reducir los costes
de fabricacin. Hay que destacar que
estas industrias han prosperado pese
a la subida de los costes.
Puede no faltar mucho para que la
industria de los semiconductores toque
techo. El ritmo de la integracin de
transistores declinar y los costes de
fabricacin empezarn a dispararse.
Pero como sugiere la experiencia de
la aviacin, el ferro carril y el auto-
mvil, los semiconductores pueden
prosperar aunque encuentren nuevas
barreras econmicas y tcnicas, en
gran medida infranqueables. En una
industria ms madura, el desarrollo
provendr de productos refinados con
una diversificacin mayor.
El almacenamiento de la informa-
cin, y las funciones sociales que de
l dependen, continuarn su avance.
En realidad, moderar el ritmo del pro-
greso en los semiconductores podra
acarrear inesperadas ventajas, como
la de dar tiempo a los programas y
arquitecturas informticas para que
asimilen los grandes saltos en presta-
ciones de los microcircuitos. Tambin
en la industria de los semiconductores
la veterana puede ser un grado.
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTARIA
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