130MC Iab

S.E.P. S.E.I.T. D.G.I.T.
CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN

Y DESARROLLO TECNOLGICO

cenidet

DESARROLLO E IMPLEMENTACIN DE UN
BANCO DE PRUEBAS PARA CARACTERIZAR
DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA

T E S I S

PARA OBTENER EL GRADO DE

MAESTRO EN CIENCIAS EN
INGENIERA ELECTRNICA

P R E S E N T A:

ING. IVN ALCAL BAROJAS

DIRECTORES DE TESIS

DR. ABRAHAM CLAUDIO SNCHEZ
DRA. MARA COTOROGEA PFEIFER

CUERNAVACA, MOR. MARZO 2003

S.E.P. S.E.I.T. D.G.I.T.

CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN
Y DESARROLLO TECNOLGICO

cenidet

DESARROLLO E IMPLEMENTACIN DE UN
BANCO DE PRUEBAS PARA CARACTERIZAR
DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA

T E S I S

PARA OBTENER EL GRADO DE

MAESTRO EN CIENCIAS EN
INGENIERA ELECTRNICA

P R E S E N T A:

ING. IVN ALCAL BAROJAS

DIRECTORES DE TESIS

DR. ABRAHAM CLAUDIO SNCHEZ
DRA. MARA COTOROGEA PFEIFER

CUERNAVACA, MOR. MARZO, 2003

CONTENIDO

Simbologa iii

Nomenclatura v

Captulo 1 Planteamiento del problema y justificacin

1.1 Dispositivos Semiconductores de Potencia Controlados (DSEP)
1.1.1 Caractersticas de los dispositivos semiconductores de
potencia
1.1.2 Comparacin entre los diferentes dispositivos
1.2 El tiristor de apagado por compuerta (GTO)
1.2.1 Estructura y funcionamiento
1.2.2 Caractersticas
1.2.3 Mejoras realizadas
1.3 El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)
1.3.3 Tecnologas de fabricacin del IGBT
1.4 Modos de conmutacin
1.5 Justificacin
1.6 Objetivos

Captulo 2 Metodologa abordada

2.1 Caracterizacin experimental
2.1.1 Diseo general del circuito de pruebas
2.1.1.1 Mtodo de prueba
2.1.1.2 Modo de funcionamiento
2.1.1.3 Tipo de control
2.1.2 Diseo propuesto para los circuitos de prueba
2.2 Caracterizacin mediante simulacin
2.3 tipos de fuentes
2.3.1 Flyback
2.3.2 Push-pull
2.3.3 Medio puente
2.3.4 Puente completo
2.3.5 Fuente de alta potencia
2.4 Conclusiones

i

2
3

4
6
6
8
9
11
13
13
14
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18

20
20
20
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23
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26
27
28
29
30
33

Captulo 3 Fuente de alto voltaje

3.1 Caractersticas de fuentes de alto voltaje
3.2 Diseo de la fuente de CD
3.2.1 Diseo de la etapa inversora
3.2.2 Diseo del transformador
3.2.3 Diseo de la etapa de rectificacin y filtrado
3.3 Modelo matemtico de la fuente de CD
3.3.1 Funcionamiento
3.3.2 Anlisis estacionario
3.4 Anlisis en simulacin y validacin experimental
3.5 Anlisis transitorio durante el cargado del condensador
3.6 Conclusiones

Captulo 4 Banco de pruebas

4.1 Caractersticas generales
4.2 Almacenamiento de energa
4.3 Circuito de prueba
4.3.1 Conmutacin dura
4.3.1.1 Circuito de potencia
4.3.1.2 Principio de funcionamiento
5.3.1.3 Consideraciones de diseo
4.3.2 Corto circuito tipo I
4.4 Conclusiones

Captulo 5 Pruebas y Resultados

5.1 Pruebas en conmutacin dura
5.1.1 Consideraciones en simulacin
5.1.2 Consideraciones en pruebas experimentales
5.1.3 Variacin del voltaje de alimentacin V0
5.1.4 Variacin de la corriente de carga IC
5. 2 Pruebas en corto circuito
5.3 Conclusiones

36
36
36
41
43
43
43
45
46
51
52

54
55
55
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56
57
60
61
61
62
64
64

66
66
68
69
69
78
80

Capitulo 6 Conclusiones y trabajos futuros 81

Bibliografa 85

Anexo I Anlisis en Mathcad 87

Anexo II Hojas de datos 93

ii

SIMBOLOGA

Eficiencia
( Regulacin
(1, (2 Factor de amplificacin de corriente
i Variacin de corriente
t Variacin del tiempo
Ac rea efectiva del ncleo
Ap Producto de reas
At rea de superficie
Aw(B) Tamao del alambre
Bm Densidad de flujo
C1,2,... Capacitor
CL Capacitor de filtrado
Cp Capacitancia parsita
Ct Capacitor de oscilacin
D Ciclo de trabajo
D1,2 Diodo
D1R,2R,... Diodos del rectificador
DE Diodo de emisor
di/dt Pendiente de corriente
dv/dt Pendiente de voltaje
E Energa
f Frecuencia
fosc Frecuencia de oscilacin
IA Corriente de nodo
iCap Corriente en capacitor
IC Corriente de carga
iD Corriente a la salida del rectificador
ID1,D2,... Corriente en el diodo
IG, IGQ Corriente de compuerta
Iin Corriente de entrada
IK Corriente de ctodo
iL Corriente en la carga o de salida
INS Corriente en el secundario del transformador
Io Corriente de salida
ip Corriente en el primario del transformador
Iprom Corriente promedio en el transistor
Ipt Corriente pico del transistor
IQ1,Q2,Q3 Corriente en el transistor
ireg Corriente en los IGBTs del regulador
is Corriente en el secundario del transformador
J Densidad de corriente

iii

J3, J2, J1 Uniones del dispositivo
Ke Coeficiente elctrico
Kf Coeficiente de la forma de onda
Kg Geometra del ncleo
Ku Factor de utilizacin de ventana
Lcarga Inductancia de carga
Lp Inductancia del devanado primario
Lpar Inductancia parsita
Ls Inductancia del devanado secundario
MLT Largo promedio del devado
n Relacin de transformacin
Np Nmero de vueltas en el devanado primario
Ns Nmero de vueltas en el devanado secundario
Nr Nmero de vueltas en el devanado de restablecimiento
Po Potencia de salida
Pp Prdidas en el cobre primario
Ps Prdidas en el cobre secundario
Pt Potencia aparente
Q1,2,3,4 Transistor o interruptor
QE Interruptor de emisor
QG Interruptor de compuerta
R2,... Resistencia
RG(on) Resistencia de compuerta en el encendido
RG (off) Resistencia de compuerta en el apagado
Rind Resistencia de la inductancia
RL Resistencia de carga
Rp Resistencia del devanado primario
Rpar Resistencia parsita
Rs Resistencia del devanado secundario
Rt Resistencia de oscilacin
T Periodo
t Tiempo
T1, T2 Tirirstor
td Tiempo de retardo
tf Tempo de bajada
toff Tiempo de apagado
ton Tiempo de encendido
tr Tiempo de subida
Tr1, Tr2 Transistores
ts Tiempo de propagacin o almacenamiento
tt Tiempo de la cola de apagado
V0 Voltaje de alimentacin
V1 Voltaje en el primario del transformador
V2 Voltaje en el secundario del transformador
VAK Voltaje nodo-ctodo
vCE Voltaje colector-emisor

iv

VCE(sat) Voltaje colector-emisor de saturacin
Vd Voltaje de cada del diodo
Vin Voltaje de la fuente de alimentacin o de entrada
vL Voltaje de salida o en la carga
VLcarga Voltaje en la inductancia de carga
Vo Voltaje de salida
Voc Voltaje en circuito abierto
Vp Voltaje en el primario del transformador
VS Voltaje en el secundario del trasnformador
VTR Voltaje en el transformador
Wtef Peso del ncleo

NOMENCLATURA

AUX Auxiliar
BJT Transistor bipolar
BM Behavioral modelig
CA Corriente alterna
CD Corriente directa
DAGTO Tiristor de apagado por compuerta asistido por un diodo
DSEP Dispositivos semiconductores de potencia controlados
DUT Dispositivo bajo prueba
ETO Tiristor apagado por emisor
FS Field-Stop
GTO Tiristor de apagado por compuerta
IGBT Transistor bipolar de compuerta aislada
IGCT Tiristor con compuerta conmutada integrada
JFET Transistor de efecto de campo unin
MCT Tiristor controlado por MOS
MOS Metal xido semiconductor
MOSFET Transistor de efecto de campo metal xido semiconductor
MTO Tiristor de apagado por MOS
MVA Mega volts amperes
NPT Non Punch-Through
PSpice Programa de simulacin de circuitos elctricos y electrnicos
PT Punch-Through
PWM Modulador de ancho de pulso
SIT Transistor de induccin esttico
SOA rea de operacin segura
SPT Soft-Punch-Through
ZCS Conmutacin a corriente cero
ZVS Conmutacin a voltaje cero

v

vi

Captulo 1

Planteamiento del problema y justificacin

Desarrollo e Implementacin de un Banco de Pruebas para Caracterizar Dispositivos de Alta Potencia

En este captulo se presentan en forma general los problemas a los que se enfrenta el
diseador de circuitos al seleccionar el dispositivo adecuado para la aplicacin deseada. Las
diversas aplicaciones implican requerimientos energticos particulares que demandan
ciertas caractersticas a los dispositivos. As, uno de los problemas a los que se enfrenta el
diseador, es poder seleccionar el dispositivo semiconductor de potencia que presente las
caractersticas mas adecuadas a la aplicacin, por lo cual es importante conocer bien las
caractersticas con las que cuentan los dispositivos. Este estudio inicia con una introduccin
sobre la electrnica de potencia en general.

La electrnica de potencia es una rama de la ingeniera elctrica que combina la
energa elctrica, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y
de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa elctrica tiene
que ver con el equipo de potencia esttico y rotativo o giratorio, para la generacin,
transmisin y distribucin de la misma. La electrnica se ocupa de los dispositivos y
circuitos semiconductores requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los
objetivos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la
aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa
elctrica. Algunas de sus aplicaciones son: control de calor, control de la intensidad
luminosa, controles de motor, reguladores CA y CD, calentamiento por induccin,
compensadores de VAR estticos, filtros activos y muchos ms.

El elemento base de un sistema electrnico de potencia es el dispositivo que se
utiliza para realizar la funcin de interrupcin. Hoy en da la electrnica de potencia
aprovecha los avances de la tecnologa como son: fabricacin de circuitos integrados y
dispositivos semiconductores de potencia, que trabajan bajo la supervisin de un control
electrnico. La tendencia es producir mdulos inteligentes, donde el control, la proteccin y
la etapa de potencia sean integrados en un mismo encapsulado.

1.1 Dispositivos Semiconductores de Potencia Controlados (DSEP)

La motivacin de usar dispositivos de conmutacin en un convertidor es la de
incrementar la eficiencia de la conversin, ya que dichos dispositivos se operan solo en los
estados de encendido o apagado. Un dispositivo semiconductor de potencial ideal
presentara las siguientes caractersticas:

facilidad de comando
resistencia de encendido nula
tiempos de conmutacin nulos
densidad de corriente ilimitada
tensin de bloqueo ilimitada
corriente de fuga nula

Tal dispositivo no tendra prdidas de conmutacin, de conduccin, ni de control,
por lo tanto la eficiencia del convertidor tendera a ser del 100%. Sin embargo, los
componentes reales presentan prdidas que reducen la eficiencia de los convertidores y, por

2


lo tanto, se hace necesario conocer las caractersticas de estos dispositivos para lograr su
ptima utilizacin en las diferentes condiciones de operacin [1].

1.1.1 Caractersticas de los dispositivos semiconductores de potencia

Considerando un interruptor ideal, las caractersticas requeridas de los dispositivos
semiconductores de potencia controlados se pueden resumir de la siguiente manera:

alta capacidad de bloqueo, baja corriente de fuga bajas prdidas por bloqueo
manejar alta densidad de corriente bajas prdidas por conduccin
tiempos cortos de conmutacin bajas prdidas por conmutacin
facilidad de control (control por tensin)
no necesita circuitos adicionales como snubbers insensibilidad al di/dt y dv/dt
robustez en corto circuito y estabilidad trmica
inteligencia y confiabilidad
bajos costos

Es obvio que un solo dispositivo no puede satisfacer con todos los requerimientos
de igual manera, por lo que se han desarrollado semiconductores de potencia, cuya
caracterstica se adaptan a los diferentes tipos de aplicacin.

Los requerimientos de los componentes que actan como interruptores en
convertidores electrnicos se confrontan con las leyes fsicas que impiden su realizacin en
un solo componente, por lo que se hace necesario una optimizacin del semiconductor con
respecto a su aplicacin. Sin embargo, todos los dispositivos de potencia tienen una
propiedad en comn que los distingue de los dems componentes electrnicos: disponen en
su estructura de una capa gruesa y con un dopado muy bajo para poder soportar las altas
tensiones de bloqueo. Adicionalmente, todos los semiconductores de potencia tienen una
estructura vertical, que permite un mejor aprovechamiento de la superficie y una mejor
distribucin de la corriente. En la Figura 1.1 se presenta la estructura de los dispositivos de
potencia ms relevantes. Resaltan sus propiedades comunes y sus diferencias. Las
estructuras fundamentales de dispositivos de potencia son: la estructura diodo, la estructura
tiristor, la estructura transistor y la estructura MOS.

Hoy en da, al diseador de convertidores se le ofrece una amplia gama de
componentes modernos a diferentes niveles de tensin, de corriente, as como de frecuencia
de operacin. Los dispositivos ms utilizados son: el MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) (tecnologa unipolar, frecuencias altas, potencias
bajas), el IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (tecnologa hbrida, frecuencias y
potencias medianas) y el GTO (tecnologa bipolar, frecuencias bajas, potencias altas).

3


Figura 1.1Estructura de los dispositivos de potencia ms relevantes.

1.1.2 Comparacin entre los diferentes dispositivos

Segn el mecanismo de transporte de corriente, los dispositivos de potencia se
clasifican en componentes unipolares (MOSFET, SIT) y componentes bipolares (diodo,
tiristor, GTO y transistor bipolar).

Los dispositivos bipolares realmente presentan el grupo ms amplio en la
electrnica de potencia. Su buen comportamiento en conduccin se debe a la inyeccin de
portadores en la zona n- a causa de una o dos uniones pn polarizadas directamente. En el
transporte de corriente participan tanto electrones como huecos. Por otro lado, las buenas
caractersticas en conduccin contradicen los requerimientos de una rpida conmutacin
debido a la inyeccin de portadores minoritarios (cargas almacenadas).

En los dispositivos unipolares, en cambio, participan nicamente portadores
mayoritarios en el transporte de corriente y no se modula la conductividad de la zona n-,
por lo que su resistencia est determinada solamente por su conductividad intrnseca. De
esta manera no se pueden combinar altas tensiones de bloqueo con alta capacidad de
corriente. Las ventajas de los MOSFETs consisten en un buen comportamiento dinmico
(no hay cargas almacenadas por ser dispositivos unipolares) y en su control simple y
prcticamente sin prdidas (control de campo estructura MOS) que presenta una estabilidad
trmica del dispositivo. El MOSFET aprovecha la tecnologa de alta integracin de la
microelectrnica (MOSFET de baja potencia).

Entre los nuevos semiconductores de potencia que han salido al mercado, algunos
combinan las ventajas de las dos tecnologas, bipolar y unipolar, en un solo componente
hbrido, como es el caso del IGBT.

La Figura 1.2 muestra una comparacin de los diferentes dispositivos de potencia
controlados con respecto a la potencia y la frecuencia de conmutacin. En la Figura 1.2
podemos destacar al GTO por su elevada capacidad de conmutacin, el cual es un tiristor
auto desactivado por compuerta. Este dispositivo resulta muy atractivo para la conmutacin

4


forzada de convertidores y est disponible hasta 4000V y 3000A, para frecuencias de
conmutacin hasta 1kHz. El MCT (tiristor controlado por MOS) se puede activar mediante
un pequeo pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su nodo), y
desactivar mediante un pulso pequeo de voltaje positivo. Es similar a un GTO, excepto en
que la ganancia de desactivacin es muy alta. Los MCT estn disponibles hasta 1000V,
100A y para frecuencias de hasta 20kHz. Los transistores bipolares de alta potencia son
comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores de 10 kHz y su aplicacin
es eficaz en potencias hasta 1200V/ 400A.

Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad
y estn disponibles en una especificacin de poca potencia en un rango de 1000V/ 50A y
hasta frecuencias de conmutacin de decenas de kilohertz. Los IGBT son transistores de
potencia controlados por voltaje. Por naturaleza son ms rpidos que los BJT, pero an no
tan rpidos como los MOSFET. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas
corrientes y frecuencias de hasta 20kHz en conmutacin dura. Los IGBT estn disponibles
como mdulos hasta 4500V/1000A. El SIT (transistor de induccin esttico) es un
dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Las especificaciones de uso de corriente de
los SIT puede ser hasta 1200V, 300A y la velocidad de interrupcin puede ser tan alta
como 100 kHz [2].

En los ltimos aos, algunos trabajos han sido orientados a mejorar las
caractersticas de apagado de los dispositivos GTO, esto basado en la condicin de
ganancia unitaria durante el apagado. Dentro de estos trabajos de investigacin podemos
destacar al MTO (Higt Power Bipolar MOS Thyristor), el IGTC (Integrated Gate-
Conmutated Thyristor), el ETO (Emitter Turn-off Thyristor) y el DAGTO (Diode Assisted
Gate Turn-off Thyristor) [3], [4], [5] y [6].

Figura 1.2Aplicaciones de los dispositivos de potencia controlados

5


1.2 El tiristor de apagado por compuerta (GTO)

Convertidores de alta potencia han sido altamente usados en aplicaciones de
traccin, control y administracin de la energa, sistemas de almacenamiento magntico de
la energa y convertidores industriales. Hasta la fecha, los GTOs son los dispositivos
semiconductores controlados por compuerta mas ampliamente usados a altos voltajes (VBR
c 3300 V) y altas potencias (S c 0.5 MVA) en convertidores aplicados a traccin e
inversores industriales. Algunos fabricantes ofrecen en el mercado GTOs para potencias de
conmutacin por arriba de los 36 MVA (6000V, 6000A).


La estructura del GTO es esencialmente similar al tiristor convencional. Como se
muestra en la Figura 1.3a, esta consiste de 4 capas de silicio (pnpn), tres uniones y tres
terminales (nodo, ctodo y compuerta). El funcionamiento del GTO y el tiristor son
bsicamente iguales. La diferencia en operacin entre los dos es que una seal de
compuerta negativa puede apagar al GTO, mientras la corriente de nodo del tiristor tiene
que ser reducida a cero externamente para que cese la conduccin. Para crear esta
diferencia se realizaron modificaciones en el diseo que sacrifican la calidad de algunas
caractersticas del GTO tales como reducir la capacidad de bloqueo inverso e incrementan
las perdidas en conduccin. Debido a que su funcionamiento es casi igual al del tiristor,
excepto por el apagado, describiremos principalmente la operacin del apagado.

Cuando un GTO esta en el estado de encendido, la regin de la base central es
ocupada con huecos suministrados del nodo y electrones suministrados del ctodo. Si un
voltaje inverso es aplicado al hacer la compuerta negativa con respecto al ctodo, parte de
los huecos en la capa de la base p son extrados a travs de la compuerta, suprimiendo la
inyeccin de electrones del ctodo. En respuesta a esta supresin, ms corriente de hueco es
extrada a travs de la compuerta, fomentando la supresin de inyeccin de electrones. En
el curco de este proceso, la unin emisor-ctodo (J3) es puesta completamente en un estado
de polarizacin inversa, el GTO es apagado. La Figura 1.3 ilustra la operacin de apagado,
usando un modelo de dos transistores [7].

a) b)
Figura 1.3Modelo del GTO: a) Estructura del GTO, b) Circuito equivalente

6


Suponiendo que un GTO es dividido en el transistor npn Tr1 en el lado del ctodo y
transistor pnp Tr2 en lado del nodo y estn conectados como se muestra en la Figura 1.3b.
En esta Figura, el factor de amplificacin de corriente del transistor Tr1 es llamado (1 y la
del transistor Tr2 y (2. Si una corriente inversa IGQ fluye a travs de la compuerta, la
corriente de base IB en el transistor Tr1 es reducida cuando IGQ es incrementado. Esta
relacin puede ser expresada por la siguiente ecuacin:

IB
=

(2

*

IA
-

IGQ (1.1)

En la otra mano, la corriente de electrones IRB, la cual desaparece debido a la
recombinacin en la capa de la base Tr1, puede expresarse como sigue:

IRB = (1 - (1) * IK

(1.2)
La relacin entre la corriente de nodo (IA) y la corriente de ctodo (IK) del GTO es
expresada por la siguiente ecuacin:
IA
=

IK
+

IGQ (1.3)

En el apagado del GTO, IB debe ser tan pequea como IRB. La magnitud de corriente
inversa IGQ que satisface esta condicin puede ser calculada por la siguiente ecuacin:

IGQ = ((1 + (2 1) * IA / (1

(1.4)

A) Proceso de encendido

En general el proceso transitorio de encendido del GTO es muy similar al de los
tiristores convencionales conocidos y se muestra en la Figura 1.4. Este proceso presenta
tres intervalos:

El tiempo de retardo (td), el cual es el tiempo transcurrido del comienzo del pulso
de la corriente de compuerta hasta que la corriente de nodo alcanza 10% del valor
final de IA.
El tiempo de subida (tr), el cul es el tiempo entre el 10% y el 90% de IA.
El tiempo de propagacin (ts), el cual est definido a partir del 10% de la tensin Vs
y representa el tiempo durante el cual la corriente se propaga lateralmente hasta la
terminal del ctodo.

B) Proceso de apagado

Este tambin es dividido en tres intervalos:

El tiempo de almacenamiento (ts), durante el cual el exceso de portadores de la base
p es extrado va la corriente de compuerta y todas las uniones (J1,J2 y J3) son
polarizadas. En el periodo final de almacenamiento, la corriente de nodo cae a un
valor de 90% IA y la regin de carga espacial empieza a crecer alrededor de J2.

7


El tiempo de bajada (tf) es el tiempo transcurrido del 90% al 10% de IA. Durante
este tiempo el voltaje sobreincrementa el dispositivo y los portadores minoritarios
son desalojados de la base n a la p. Al final de este periodo la unin J3 empieza a
bloquear.
El tercer periodo es una cola (tt) durante la cual la corriente a travs del dispositivo
va del 10% a cerca de cero.


El GTO tiene varias ventajas, las cuales son [8], [9], [10] , [11]:

A) altas densidades de corriente en conduccin
B) altos voltajes de bloqueo
C) alta capacidad de resistencia a fuertes dv/dt en estado de bloqueo
D) posibilidad de integrar un diodo inverso

Figura 1.4Curvas de encendido y apagado del GTO.
Superior: corriente de nodo y voltaje nodo-ctodo, inferior: corriente de compuerta [7].

8


Como desventajas se pueden resumir las siguientes:

A) Durante el transitorio de apagado, la estructura de 4 capas p-n-p-n (Figura 1.3)
causa una distribucin de corriente no homognea limitando el apagado a dv/dt
entre 500-1000V/us, lo cual requiere de circuitos de ayuda a la conmutacin
(snubbers) grandes y costosos.
B) Durante el transitorio de encendido, la estructura a 4 capas causa un problema
de crecimiento de corriente no controlada, lo que requiere de un circuito
limitador di/dt.
C) Ya que el GTO es un dispositivo controlado por corriente, su impulsor de
compuerta es complejo y disipa cientos de watts en una aplicacin tpica. El
complicado impulsor del GTO tiene como consecuencias un tiempo de
almacenamiento largo y una ganancia de apagado entre 3-5.

1.2.3 Mejoras realizadas

Actualmente, se han realizado varias mejoras a este dispositivo, haciendo un
esfuerzo por mejorar sus caractersticas dinmicas, ya que hasta el momento no han podido
ser desplazados en aplicaciones de conversin de muy alta potencia. Las mejoras realizadas
se describen a continuacin y se muestran en la Figura 1.5.

a) IGCT

El IGCT (tiristor con compuerta conmutada integrada) usa una fuente de voltaje y
un interruptor de compuerta para disminuir drsticamente la inductancia parsita del lazo de
compuerta, alcanzando as una corriente alta de conmutacin [4], [5].

La diferencia fundamental entre un GTO convencional y el nuevo IGCT es que
tiene una muy baja inductancia en la compuerta integrada y la nueva estructura de nodo
trasparente (unin pn con baja eficiencia de emisor a travs de una capa emisor muy
delgada y de dopado bajo). Lo anterior tiene como consecuencia bajas prdidas en la
tecnologa tiristor y la necesidad de menos snubbers. Para alcanzar las caractersticas
deseadas se obtuvieron los siguientes desarrollos:

Mejorar las caractersticas de conmutacin del GTO para obtener una operacin sin
amortiguamiento de dv/dt para altas densidades de corriente.
Reducir las prdidas en los estados de encendido y apagado para minimizar el
grosor del silicio
Reducir los requerimientos del impulsor de compuerta especialmente durante la
conduccin.
Desarrollar diodos antiparalelo para reducir los snubber en el apagado para altos
di/dt
Integrar el interruptor principal GTO y el diodo en un empaque semiconductor,
especialmente en baja potencia.

9


Figura 1.5 Circuitos equivalentes de los dispositivos derivados del GTO: a) IGCT b) MTO
c) ETO d) DAGTO

b) MTO

El MTO (tiristor apagado por MOS) usa solo un interruptor de compuerta QG.

Durante el apagado, el interruptor de compuerta es encendido, desviando la
corriente a travs del diodo compuerta-ctodo del GTO y realizando un apagado con
ganancia unitaria [3], [12].

El MTO es un dispositivo de conmutacin basado en el GTO. El GTO requiere una
realizacin compleja de circuitos de potencia que implican diseos cuidadosos de circuitos
impulsores y snubbers. Las mejoras realizadas al MTO son las siguientes:

Mayor velocidad de conmutacin y menores prdidas que el GTO.
Capacidad de corriente de algunos cientos de amperes, fuente de algunos miles de
amperes, capacidad de bloqueo de 6 KV.
Voltaje de saturacin en estado estable 4 V, la eficiencia en operacin de
convertidores de potencia es mejor que la eficiencia empleando IGBTs.
Tiempo de retardo similar al GTO, el tiempo de almacenamiento en el apagado es
mas bajo que el GTO. El tiempo de cada de la corriente en el apagado es de 5 s.
El comportamiento de conmutacin en el encendido es limitado por el di/dt. En el
apagado en conmutacin dura las prdidas son similares al GTO.
La utilizacin de menos snubbers en el apagado del dispositivo es limitado por la
corriente critica, por que la velocidad de subida de la corriente en el impulsor en el
apagado no es suficientemente rpida para mantener la ganancia unitaria en la
operacin de apagado.

c) ETO

El ETO (tiristor apagado por emisor) es otro tipo de tecnologa basada en
dispositivos semiconductores superiores de alta potencia, en este caso en la tecnologa
desarrollada del GTO y del MOSFET de potencia. El tiristor de pagado por emisor es un

10


dispositivo semiconductor hbrido que apaga al GTO por debajo de las condiciones de
ganancia unitaria. El ETO combina las ventajas del GTO y del IGBT: del GTO rangos de
corrientes y voltajes grandes y voltajes pequeos de saturacin, del IGBT control por
voltaje, gran velocidad de conmutacin y un ancho RBSOA (rea de operacin segura
polarizada inversamente) [13].

El ETO hace uso de dos interruptores para realizar una conmutacin de corriente
alta en el apagado. Durante el apagado, el interruptor de emisor QE es apagado mientras que
la compuerta del interruptor QG es encendida. Un voltaje tan alto como el voltaje de ruptura
de QE puede ser aplicado en el lazo de la compuerta de la inductancia parsita, realizando
una conmutacin de corriente rpida. Durante el transitorio de encendido, QE es encendido
y QG es apagado [14], [15].

Un gran pulso de corriente es inyectado en la compuerta del GTO para reducir el
tiempo de retardo de encendido y mejorar el rango di/dt de encendido.

El proceso de apagado es controlado por voltaje y el impulsor de compuerta del
ETO es muy compacto y disipa menos potencia.

d) DAGTO

El DAGTO (tiristor de apagado por compuerta asistido por un diodo) es una nueva
configuracin que ayuda al GTO a alcanzar una ganancia unitaria al apagado y la capacidad
de necesitar menos snubbers al apagado utilizando diodos discretos conectados en serie. El
DAGTO incrementa significativamente el voltaje de apagado el cual puede ser usado para
la conmutacin de la corriente [11].

El DAGTO puede realizar conmutaciones de corrientes muy grandes en el apagado
por el uso del diodo DE. La ganancia de apagado unitaria se logra rpidamente y puede ser
mantenida hasta el final del proceso transitorio de apagado.

1.3 El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)

Tal como se muestra en la Figura 1.7, el IGBT combina en un solo dispositivo la
tecnologa bipolar (el componente utilizado es el transistor bipolar pnp) y la tecnologa
unipolar (el componente empleado es el MOSFET de canal n). El objetivo de los
fabricantes era obtener un dispositivo que aprovechara las ventajas de cada uno de los
componentes mencionados: alta capacidad de corriente, cada de tensin directa (voltaje
colector-emisor de saturacin) muy baja debido a la modulacin de la zona n
-
que
proporciona la tecnologa bipolar y bajas prdidas por conmutacin as como la facilidad de
comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la tecnologa MOSFET, tratando de
mantener las mejores caractersticas dinmicas [1], [9].

Los transistores IGBT han ganado un firme lugar en el diseo de equipos
electrnicos de potencia y han desplazado a los transistores bipolares en aplicaciones de
mediana potencia. Los sistemas en los cuales los IGBT son empleados tienen las

11


caractersticas de alta densidad de potencia, alta eficiencia y buenas caractersticas
dinmicas de conmutacin. Algunas de las principales reas de aplicacin de este
interruptor son:

fuentes conmutadas de potencias mayores a 1kW
accionamiento de motores
fuentes de alimentacin ininterrumpibles
balastros electrnicos
calentamiento por induccin
vehculos elctricos

Las ventajas esenciales de los transistores IGBT son: una rea de operacin segura
(SOA por sus siglas en ingls) casi cuadrada y comandado en tensin. Los inconvenientes
principales residen en la dependencia de la temperatura y la cola de corriente al apagado.

La tecnologa del IGBT no cesa de progresar, permitiendo la fabricacin de
dispositivos a potencias cada vez ms altas. La frecuencia de conmutacin del IGBT est
limitada hasta aproximadamente 20kHz debido a su inherente cola de apagado y puede ser
aumentada hasta 100khz o ms, utilizando topologas de convertidores que permiten
conmutacin suave (a voltaje cero o ZVS y a corriente cero o ZCS). Aunque se han hecho
muchos intentos de componentes hbridos todava no se vislumbra el sucesor del IGBT por
lo que contina siendo el dispositivo semiconductor de potencia ptimo en aplicaciones en
mediana potencia.

a) b)
Figura 1.6 Modelo del IGBT: a) Estructura interna del IGBT, b) Diagrama equivalente

12



El transistor IGBT se desarroll a finales de los 80 a partir del transistor MOSFET
de estructura vertical, al cual se le agreg una unin pn del lado del drenaje. Esta unin
suplementaria realiza una estructura transistor pnp y permite beneficiarse en la conduccin
por portadores minoritarios (transporte bipolar). La Figura 1.6a muestra la estructura
interna de este dispositivo y la Figura 1.6b el circuito equivalente de la estructura del
transistor IGBT. Se puede observar que por la sucesin de 3 uniones pn la estructura del
IGBT contiene un tiristor parsito (formado por T1 y T2) cuyo encendido (mediante la
tensin que se origina por la corriente que circula por Rp) es indeseable (efecto lach-up) ya
que se llevara a la prdida del control por la compuerta. Los nuevos diseos de IGBT han
logrado eliminar este efecto (a partir de la segunda generacin).

El estado de conduccin es obtenido de manera similar al de un MOSFET de canal
n por la polarizacin positiva de la compuerta. La corriente del MOSFET alimenta la base
del transistor bipolar pnp y permite la inyeccin de cargas minoritarias en la zona n
-
a
travs de la unin pn polarizada en directa. En consecuencia, la cada de tensin en
conduccin esta constituida por tres componentes: la del canal MOS, una parte resistiva de
la base n
-
cuyo valor es modulado por alta inyeccin de cargas y por la cada de potencial
de la unin p
+
n
-
suplementaria. La resistencia en conduccin de un IGBT es de valor
pequeo, comparativamente a la de un MOS equivalente y favorece el paralelado gracias a
su coeficiente de temperatura positivo.


El objetivo de los fabricantes al disear el IGBT era obtener un dispositivo que
aprovechara las ventajas del transistor bipolar y del MOSFET : alta capacidad de corriente,
cada de tensin directa (voltaje colector-emisor de saturacin) muy baja debida a la
modulacin de la zona n
-
que proporciona la tecnologa bipolar y bajas prdidas por
conmutacin, as como la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la
tecnologa MOSFET, tratando de mantener las mejores caractersticas dinmicas. Las
ventajas esenciales de los transistores IGBT son: un rea de operacin segura (SOA por sus
siglas en ingles) casi cuadrada y comandado en tensin [16], [17].

El IGBT combina en un solo dispositivo la tecnologa bipolar (el componente
utilizado es el transistor bipolar pnp) y la tecnologa MOS (el componente utilizado es el
MOSFET de canal n). Este dispositivo aprovecha las caractersticas de ambas tecnologas,
las cuales son: alta capacidad de corriente, voltaje de saturacin bajo, bajas perdidas por
conmutacin, control por tensin. En la Figura 1.6a se muestra la estructura del IGBT.

Ventajas:

a) densidad de corriente mayor que un MOSFET
b) alta eficiencia
c) caractersticas dinmicas superiores a un BJT
d) rea de operacin segura

13


e) comando en tensin

Desventajas:

a) comportamiento dependiente de la temperatura
b) cola de corriente en el apagado (prdidas por conmutacin mayores a un
MOSFET)
c) prdidas en conduccin superiores a un GTO

1.3.3 Tecnologas de fabricacin del IGBT

El IGBT se fabrica actualmente en dos tecnologas bsicas, conocidas como la
tecnologa PT y la tecnologa NPT.

El IGBT ms comn es de tipo PT (Punch-Through). En esta tecnologa de
fabricacin, el dispositivo es construido en un substrato grueso tipo p
+
(300 m). El ancho
de la capa n
-
(base del BJT) construida mediante crecimiento epitaxial es relativamente
pequea. En la Figura 1.7 se puede apreciar que aparte se tiene una capa delgada n
+
entre la
base y el emisor llamada buffer que limita la expansin de la regin de carga de espacio en
estado de bloqueo (efecto Punch-Through). El IGBT de tipo PT alcanza bajas prdidas por
conduccin (resistencia baja) a travs de un coeficiente de emisor alto del BJT interno y
bajas prdidas por conmutacin por medio de un tiempo de vida de los portadores muy
reducido. Esto resulta en un transitorio de corriente en el apagado en forma de cola de gran
amplitud que decrece rpidamente y depende en gran medida de la temperatura.

Existe tambin comercialmente el IGBT de tecnologa NPT (Non Punch-Through)
que es una estructura desarrollada originalmente por la compaa Siemens. Estos
dispositivos son construidos en un substrato homogneo de tipo n
-
de aproximadamente
220 m de ancho. El emisor se realiza a travs de implantacin de una capa p
+
muy delgada
y de dopado bajo (emisor transparente) en la parte posterior del substrato (Figura 1.9). Por
lo tanto, en el IGBT homogneo se realiza la modulacin de la resistencia de base a travs
de un bajo coeficiente de emisor en combinacin con un tiempo de vida de portadores muy
alto. Aparte se tienen bajas prdidas por conmutacin a travs de la recombinacin de
superficie en el emisor transparente. Estas caractersticas conllevan a un transitorio de
corriente en el apagado en forma de cola de una amplitud reducida pero que decae
lentamente y es casi invariable con la temperatura.

La tecnologa NPT es ms robusta y la ms apropiada para dispositivos de alta
tensin de bloqueo, mientras que la tecnologa PT tiene ventajas en aplicaciones con
conmutacin suave. Sin embargo, ambas tecnologas tienen tambin desventajas, que se
han tratado de superar uniendo en una nueva estructura las ventajas del PT y NPT-IGBT
con el fin de reducir por un lado las prdidas por conduccin (reduciendo el VCE) y por otro
lado las prdidas en conmutacin (reduciendo la cola de apagado). Esta estructura, que ha
sido presentada apenas recientemente, se llama Soft-Punch-Through (SPT-IGBT) o tambin
Field-Stop (FS-IGBT) dependiendo del fabricante. La estructura SPT es muy similar a la
NPT, solo con la diferencia de que se logr reducir aun mas su grosor (reduccin de la capa

14


n
-
) a travs de la implementacin de la zona buffer n
+
tpica para la tecnologa PT. Dadas
las distintas estructuras de estas tecnologas, los IGBT de tipo PT, NPT y SPT tienen
tambin caractersticas elctricas diferentes. La Figura 1.7 muestra las estructuras
tradicionales PT y NPT, as como la nueva estructura SPT.

La tecnologa SPT permite la construccin de convertidores con un mayor rango de
potencia, fijando el estndar de voltaje en 1200 V. Estos dispositivos vienen empaquetados
en mdulos y sus caractersticas son: mayor robustez, permite la conexin en paralelo de
los mdulos, transiciones suaves en la conmutacin del dispositivo, bajo incremento de la
resistencia del modulo ante variaciones de temperatura y requerimientos de impulsores
igual que la tecnologa NPT.

ltimamente, se han aplicado para todas las tecnologas una nueva estructura de
compuerta llamada trench-gate a diferencia de la estructura convencional de compuerta
plana. Esta estructura permite reducir las prdidas en conduccin, puesto que el canal del
MOSFET se forma en direccin vertical a la superficie del chip y requiere menos rea
activa. De esta manera se aumenta la densidad de las celdas. Resumiendo, los beneficios
obtenidos con la estructura trench-gate incluyen una disminucin de la resistencia del canal
MOS y la eliminacin de la regin JFET.

Por otro lado, las aplicaciones en las cuales los IGBT han sido tpicamente
empleados son de baja y mediana potencia. Sin embargo, debido a las recientes
aportaciones tecnolgicas, actualmente existen IGBTs de alta potencia que compiten a los
GTOs, los cuales han sido tpicamente usados en aplicaciones de alta potencia. Por lo
anterior es que en este trabajo de tesis se ha propuesto el desarrollo de un banco de pruebas
para caracterizar dispositivos de alta potencia.

Figura 1.7Estructura del IGBT tipo PT, NPT y SPT

15
Punch Through (PT) Non - Punch Through (PT) Soft Punch Through (SPT)
Estructura


1.4 Modos de conmutacin

Los diferentes modos de conmutacin a los que se puede someter un dispositivo
semiconductor de potencia controlado y los cuales se pueden presentar en una aplicacin se
resumen de la siguiente manera:

Conmutacin dura

Presencia simultnea de corriente y voltaje en el lapso de tiempo que dura la fase
de conmutacin. Se puede presentar tanto en el encendido como en el apagado del
dispositivo.

Conmutacin suave natural

Ocurre cuando el voltaje o la corriente es cero al encender o al apagar el
dispositivo y por lo tanto se clasifica en:

ZVS (conmutacin a voltaje cero) La condicin para este tipo de conmutacin
se obtiene cuando el voltaje cae hasta cero y tiempo despus evoluciona la
corriente con una pendiente determinada. La conmutacin natural ZVS solo se
presenta en la fase de encendido.
ZCS (conmutacin a corriente cero) La condicin para esta conmutacin se
obtiene cuando la corriente decrece hasta cero y tiempo despus se aplica el
voltaje de bloqueo. La conmutacin natural ZCS solo se presenta en la fase de
apagado.

Corto circuito

Este tipo de conmutacin no es deseable en un convertidor, se tienen dos tipos de
cortocircuito:

Tipo I Se tiene presente un corto en la carga mientras el dispositivo es
encendido.
Tipo II Se tiene el dispositivo en estado de conduccin (manejando una cierta
cantidad de corriente) cuando se presenta un corto en la carga.

En la Figura 1.10 se muestra una comparacin entre los diferentes modos de
conmutacin que puede presentar un interruptor controlado en una aplicacin.

En la Figura 1.11 muestra el rea de operacin segura de un componente y la
trayectoria en cada uno de los diferentes modos de conmutacin de un dispositivo
semiconductor.

16


1.5 Justificacin

El estudio de los dispositivos semiconductores de alta potencia tiene varias
aportaciones originales para solucionar la problemtica abordada y la necesidad de
investigar sobre ellos tiene dos importantes aspectos.

Analizar a fondo el funcionamiento del dispositivo para poder conocer las
implicaciones al usar dispositivos de alta potencia y su proceso de conmutacin para
aprovechar al mximo sus caractersticas en las diferentes aplicaciones de alta
potencia.

Obtener informacin del GTO que nos permita entender hacia donde estn siendo
orientadas las mejoras que se han realizado en estos dispositivos.

Suministrar informacin del comportamiento de los DSEPs de alta potencia a
fabricantes y diseadores.

Figura 1.8Diferentes tipos de conmutacin existentes en un convertidor

17


Figura 1.9rea de operacin segura y la trayectoria I = f (V) para cada tipo de conmutacin

1.6 Objetivos

a) Objetivo general

Disear e implementar un banco de pruebas que permita estudiar
experimentalmente el comportamiento de los dispositivos de alta potencia en diferentes
condiciones de conmutacin dura

b) Objetivos particulares

El principal objetivo de esta tesis es disear un banco de pruebas para caracterizar
dispositivos de alta potencia, por lo que se propone lo siguiente para lograrlo:

Simulacin de los circuitos propuestos con el programa PSpice para validar los
procedimientos del diseo.
Construccin del banco de pruebas (que incluye los impulsores de compuerta, los
sistemas de control y la fuente de CD)
Realizacin de algunas pruebas para comprobar el buen funcionamiento del banco
de pruebas.

18

Captulo 2

Metodologa abordada


En este captulo se presentan las caractersticas con las cuales deben contar las
fuentes de alto voltaje de CD y diversos tipos de fuentes de alto voltaje en CD con el fin de
presentar las ventajas y desventajas que ofrece cada una de ellas, as como el mtodo para
realizar la caracterizacin de dispositivos semiconductores en forma experimental. Se
presentan tambin los requerimientos mnimos necesarios para obtener buenos resultados
mediante simulacin.

2.1 Caracterizacin experimental

Para realizar la caracterizacin experimental, es necesario disear circuitos de
prueba con una topologa sencilla, poco costosa y con una buena reproduccin de las
condiciones reales que un dispositivo presenta en una aplicacin determinada. Las
caractersticas requeridas para los circuitos de prueba son las siguientes [1]:

nmero limitado de elementos de potencia y de las fuentes
calidad en la reproduccin de las condiciones de operacin en la aplicacin del
convertidor
independencia entre los diferentes parmetros que deben de estar controlados

En la caracterizacin experimental, el trabajo consiste en realizar las mediciones de
corrientes y voltajes en el dispositivo bajo diferentes condiciones de operacin
(conmutacin dura, conmutacin suave, avalancha, etc.) con la posibilidad de realizar
variacin de los parmetros mas importantes del circuito (temperatura, tensin de
alimentacin, corriente de conduccin, inductancia parsita, etc.)

2.1.1 Diseo general del circuito de pruebas

En el diseo del banco de pruebas se toman en cuenta aspectos importantes como:

mtodo de pruebas
modo de funcionamiento
tipo de control

La seleccin depender de la calidad de reproduccin de las condiciones que
presente una aplicacin convertidor dada de tal manera que se tenga independencia en el
control de los diferentes parmetros, una limitacin del nmero de elementos del circuito y
de la potencia instalada de la fuente de alimentacin. A continuacin se describen estos
aspectos.

2.1.1.1 Mtodo de prueba

El comportamiento de un dispositivo semiconductor de potencia (DSEP) puede ser
observado en dos situaciones diferentes, ya sea directamente en la aplicacin del
convertidor mediante la realizacin de circuitos especiales.

a) Circuitos de aplicacin a convertidores

20

Metodologa abordada

Cuando se evala directamente el desempeo del componente en un convertidor, se
presentan las interacciones entre el convertidor y la carga sobre el dispositivo. La
evaluacin bajo estas condiciones presenta las caractersticas siguientes:

Son las condiciones reales: elctricas, trmicas y mecnicas (entorno real del
componente).
La potencia instalada es elevada (funcin de la aplicacin).
Los parmetros accesibles son funcin del convertidor y la naturaleza de la carga.

Globalmente, se obtiene el caso real, pero muy dependiente de la aplicacin,
tenindose poca flexibilidad y grandes dificultades para obtener y sobreponer los
resultados.

b) Circuitos especiales

Cuando se disean circuitos especiales de prueba para el estudio y la caracterizacin
de DSEP, esto permite un mejor control de las condiciones de prueba y una buena
reproduccin de las condiciones tpicas de conmutacin. En el caso de la conmutacin dura
(PWM, modulacin de ancho de pulso) los circuitos especiales de prueba han sido
ampliamente usados.

Globalmente se tiene una mayor flexibilidad en la variacin de los parmetros
externos del circuito, pero no es la aplicacin real del componente a evaluar. Algunas de las
ventajas que ofrece el usar circuitos especiales de prueba son:

Hay poca demanda de potencia, lo que permite realizar pruebas a elevadas
corrientes, sin riesgo de destruccin del dispositivo.
El dispositivo no es demandado trmicamente, ya que se considera la
temperatura de unin igual a la de encapsulado.
No hay interdependencia entre parmetros, lo que facilita el estudio del
comportamiento.

Pero tambin tiene algunas desventajas, entre las cuales son:

El aspecto trmico es abordado solo en estado estable
Se requiere de un equipo de medicin de gran memoria y alta velocidad de
adquisicin

2.1.1.2 Modo de funcionamiento

Circuitos de prueba han sido realizados con el fin de analizar el fenmeno de
conmutacin de un interruptor. Este puede ser un convertidor particular que ofrece las
condiciones correspondientes al componente a estudiar. Para lograr esto se le aaden
componentes auxiliares tales como condensadores, inductores, fuentes e interruptores, los
cuales permiten definir la condicin de prueba. Un objetivo es la limitacin del nmero de
elementos y la energa instalada. La estructura adoptada podr funcionar ya sea de forma
repetitiva o en modo impulsional.

21


a) Modo repetitivo

Cuando el modo de funcionamiento es en modo repetitivo, el control es a frecuencia
fija con un ciclo de trabajo reducido con el fin de limitar el incremento de temperatura del
componente.

Este modo de funcionamiento tiene la ventaja de ser una evaluacin muy cercana a
la realidad respecto al cableado y los aspectos trmicos, pero no es adecuado para analizar
la conmutacin propia del componente. La repeticin de ciclos permite establecer mtodos
de medicin por acumulacin y efectuar correcciones de ruido sncronos. Sin embargo esta
estrategia presenta los siguientes problemas:

Potencia instalada igual a las prdidas del componente, lo que requiere un sistema
de enfriamiento y cableado necesariamente grandes.
Interdependencia de parmetros: frecuencia, ciclo de trabajo, temperatura, etc.

b) Modo impulsional

El funcionamiento en modo impulsional es una estrategia de pruebas donde se trata
de una experimentacin en valores reales de corriente, tensin y temperatura. Adems, el
componente es sometido una sola vez a las condiciones de conmutacin lo que, como ya se
mencion, permite una limitacin en nmero de componentes y de la potencia instalada de
la fuente y por otro lado mayor compactacin de los componentes, a fin de reducir el
cableado.

2.1.1.3 Tipo de control

Para el control de la operacin de los dispositivos auxiliares, as como el disparo del
dispositivo bajo prueba, existen dos posibilidades: automtico o de tiempo preestablecido.

a) Control automtico

En este esquema de comando, el encendido y apagado de los dispositivos auxiliares
y bajo prueba se realizan automticamente a valores determinados de voltaje o corriente.
Este sistema de control permite condiciones de conmutacin que pueden ser ajustadas
independientemente de la carga. Es un sistema de control directo.

b) Tiempo preestablecido

En este tipo de comando se establecen los tiempos de encendido y de apagado de los
dispositivos. Este es un sistema de control en lazo abierto, donde los parmetros son solo
indirectamente incontrolados.

22

Metodologa abordada

2.1.2 Diseo propuesto para los circuitos de prueba

Los circuitos de prueba empleados en cada uno de los modos posibles de
conmutacin presentan las siguientes caractersticas:

modo de funcionamiento impulsional (one shot), que permite limitar la energa
solicitada a la red, lo que facilita hacer pruebas en casos extremos.
uso de un control de tiempo preestablecido capaz de asegurar por un lado su funcin
en los diferentes modos de conmutacin y por otro lado ser configurado para un tipo
de control dado en funcin de los parmetros propios del interruptor bajo prueba.
minimizacin del nmero de elementos auxiliares, de manera que los resultados
obtenidos slo se consideran que son debidos al efecto del dispositivo bajo prueba
(DUT) y no a elementos externos interdependientes que modifiquen el
comportamiento del dispositivo; esto se realiza con el fin de controlar mejor las
condiciones impuestas al dispositivo semiconductor en una aplicacin real.

El principio de diseo se plantea en la Figura 2.1, la cual considera las siguientes
partes:

el circuito bajo prueba, el cul es encargado de reproducir las condiciones de la
aplicacin

circuito auxiliar integrado por componentes pasivos e interruptores auxiliares que
debe permitir un ajuste independiente de los parmetros de las condiciones de
prueba.

En relacin a los circuitos de prueba para dispositivos de alta potencia se deben
tomar en consideracin algunos otros aspectos como son:

circuitos limitador de di/dt para controlar el crecimiento de la corriente entre el
circuito de potencia y el bus de CD (banco de condensadores)

circuitos sujetadores de voltaje para evitar sobretiros de voltaje

circuito de control para la carga y descarga de condensadores

carga y descarga del banco de condensadores de manera remota

Figura 2.1Principio de diseo de circuitos especiales de prueba

23


2.2 Caracterizacin mediante simulacin

La simulacin de circuitos electrnicos de potencia previa al diseo de prototipos se
ha convertido en una herramienta indispensable, puesto que el simulador (software)
proporciona la confiabilidad del correcto funcionamiento. Pero para poder simular
adecuadamente un circuito elctrico o electrnico en general, es necesario que se cumplan
los siguientes requerimientos [21]:

disponibilidad de un simulador de circuitos adecuado
disponibilidad de los modelos para todos los componentes del diseo
disponibilidad de los parmetros para todos los modelos de todos los componentes

a) Disponibilidad de un simulador adecuado

Se refiere a un simulador de redes elctricas o electrnicas que contenga modelos de
dispositivos electrnicos. Hoy en da existen muchos simuladores de circuitos elctricos y/o
electrnicos pero una gran parte de ellos son utilizados en las instituciones donde se
desarrollaron, es decir, no se encuentran disponibles a cualquier usuario. PSpice, que es una
derivacin de SPICE para la simulacin de circuitos electrnicos integrados, est siendo
utilizado a nivel internacional para realizar simulaciones de circuitos electrnicos de
potencia. PSpice tiene la ventaja de ofrecer una versin demo gratuita del paquete con
suficiente capacidad para analizar diseos de circuitos de potencia que no requieren de
tantos elementos como los circuitos integrados.

b) Disponibilidad de modelos para todos los componentes del diseo

Se refiere a que el simulador contenga los modelos de todos los dispositivos
utilizados en el diseo a simular. Aqu la desventaja de PSpice es que teniendo su origen en
la simulacin de circuitos integrados de baja potencia (microelectrnica) no contiene
modelos adecuados para dispositivos de potencia, con excepcin del IGBT, cuyo modelo
est disponible a partir de la versin 7.0.

De manera general los modelos se pueden clasificar segn la tcnica de desarrollo
en:

modelo de caja negra
modelo de circuito equivalente
modelo fsico

Por otra parte segn el modo de implementacin en el simulador, los modelos se
pueden clasificar en:

macromodelo de tipo BM (behavioral modeling)
macromodelo estructural
macromodelo en cdigo fuente

24

Metodologa abordada

c) Disponibilidad de los parmetros para los modelos de todos los componentes
utilizados

Se refiere a que el diseador disponga de los parmetros de los modelos para cada
componente del diseo. Hoy en da los simuladores suelen incluir extensas libreras de
modelos parmetrizados (modelos con parmetros de componentes reales) de diferentes
fabricantes, y con frecuencia los mismos fabricantes proporcionan estos modelos para sus
dispositivos en diferentes simuladores. Los parmetros de los modelos en el simulador son
los mismos para cada modelo; lo que hace diferente al dispositivo de otro fabricante o de
otras caracterstica es el valor numrico que contiene cada modelo en su respectivo
parmetro. En cambio, el nmero y clase de parmetros de un modelo dependen no slo del
dispositivo a simular, sino en gran medida del tipo de modelo utilizado para dicho
dispositivo.

Para realizar la caracterizacin mediante simulacin es necesario reproducir las
condiciones reales de funcionamiento de los circuitos de prueba, incluyendo los elementos
parsitos en el simulador. El trabajo consiste en realizar los clculos en simulacin de los
circuitos de prueba durante las conmutaciones bajo las mismas condiciones que en el caso
experimental.

2.3 Tipos de fuentes

Las fuentes de poder, que se utilizan en forma extensa en aplicaciones industriales, a
menudo requieren cumplir todas o la mayor parte de las especificaciones siguientes [2]:

1. Aislamiento entre fuente y carga
2. Una alta densidad de potencia a fin de reducir el tamao y el peso
3. Direccin controlada del flujo de la potencia
4. Alta eficiencia de conversin
5. Formas de onda de entrada y de salida con baja distorsin armnica total
6. Factor de potencia controlado si la alimentacin a la fuente es un voltaje de CA

Los reguladores en modo de conmutacin sin transformador no pueden dar el
aislamiento necesario y la potencia de salida es baja. La practica comn es utilizar
conversiones en dos pasos, CD-CA y CA-CD. En caso de entrada de CA, se trata de
conversiones en tres pasos, CA-CD, CD-CA y CA-CD. El aislamiento se consigue
mediante un transformador entre los pasos. La conversin CD-CA se puede llevar a cabo
mediante un inversor PWM o resonante.

Para la etapa del inversor (o del convertidor CD-CA) de la operacin PWM, existen
cuatro configuraciones comunes: flyback, push-pull o en contrafase, medio puente y puente
completo. La salida del inversor, que vara mediante una tcnica PWM, es convertida a un
voltaje de CD mediante un rectificador de diodos. A continuacin se describe el
funcionamiento de algunas fuentes de CD de alto voltaje [18].

25
Voc = Vin 1 +
N p |
Nr |.


2.3.1 Flyback

La topologa del circuito para el convertidor flyback se muestra en la Figura 2.2.
Cuando el transistor Q1 se activa, el voltaje de alimentacin aparece a travs del primario
del transformador y se induce un voltaje correspondiente en el secundario. Cuando Q1 esta
apagado, se induce un voltaje de polaridad opuesta en el primario por el secundario, debido
a la accin de transformacin. El voltaje mnimo del circuito abierto del transistor es Voc =
Vin. Si Iin es la corriente promedio de entrada con componente ondulatoria despreciable y el
ciclo de trabajo es D = 50%, la corriente pico del transistor es Ipt = Iin/D = 2Iin. La corriente
de entrada es pulsatoria y discontinua. Sin la presencia del diodo D2, fluir una corriente de
CD a travs del transformador. Cuando Q1 esta apagado, el diodo D2 y el condensador C
restablecen el ncleo del transformador. C se descarga a travs de R, cuando D2 est
apagado y en cada ciclo se pierde energa. Este circuito es muy sencillo y est restringido a
aplicaciones por debajo de 500 W. Se trata de un convertidor directo que requiere de un
lazo de retroalimentacin de control de voltaje.

El ncleo del transformador tambin se puede restablecer instalando un embobinado
de restablecimiento como se muestra en la Figura 2.3a , donde la energa almacenada en el
ncleo del transformador es devuelta a la alimentacin aumentando la eficiencia. El voltaje
en circuito abierto del transistor de la Figura 2.3a es

|

(2.1)

donde Np y Nr son el nmero de vueltas en los bobinados primario y de restablecimiento,
respectivamente. La relacin de vueltas de restablecimiento est relacionada con el ciclo de
trabajo segn la frmula (2.1). Para un ciclo de trabajo D = 0.8, Np / Nr = 0.8 / (1 - 0.8) = 4
y el voltaje en circuito abierto se convierte en Voc = Vin (1 + 4) = 5Vin. El voltaje en circuito
abierto del transistor es mucho ms alto que el voltaje de alimentacin. En la Figura 2.3b se
muestran los voltajes y corrientes tanto a la entrada, como a la salida

Figura 2.2Convertidor flyback

26

Metodologa abordada

a) b)
Figura 2.3Convertidor flyback: a) convertidor con bobinado de restablecimiento, b) formas de
onda de voltajes y corrientes

2.1.2 Push-pull

En la topologa del convertidor push-pull el voltaje pico de colector del transistor de
conmutacin es limitado a dos veces el voltaje de entrada. Esto es debido a la simetra del
tap central del transformador con igual numero de vueltas en el devanado primario. El
suministro de voltaje nunca es almacenado en el transformador, por lo cual mas potencia
puede ser manejada obteniendo una mas grande eficiencia y con mejor regulacin que otros
convertidores. El esquema del circuito bsico del convertidor push-pull es mostrado en la
Figura 2.4a, as como sus formas de onda de las corrientes y voltajes en la Figura 2.4b. Los
transistores de conmutacin Q1 y Q2 conducen alternadamente cada medio ciclo en un
ciclo de trabajo determinado por la entrada de la fuente de voltaje Vin, la relacin de
transformacin y el voltaje de salida deseado. As, el ciclo de trabajo mximo alcanzable es
ligeramente menor que el 50 % para el tiempo de apagado del transistor de conmutacin.

Cuando Q1 se activa, Vin aparece a travs de una mitad del primario. Cuando Q2 se
activa, Vin es aplicado a travs de la otra mitad del transformador. El voltaje del bobinado
primario oscila desde -VS. La corriente promedio a travs del transformador debera en
forma ideal ser cero. El voltaje promedio de salida es

Vo = V2 =

Ns
N p

V1 = a V1 = a Vin (2.2)

Los transistores Q1 y Q2 operan con un ciclo de trabajo del 50 %. El voltaje
en circuito abierto es Voc = 2Vin, la corriente promedio de un transistor Iprom = Iin/2 y la
corriente pico del transistor Ipt = Iin. Dado que el voltaje en circuito abierto del transistor es
dos veces el voltaje de suministro, esta configuracin es adecuada para aplicaciones en bajo
voltaje.

27


a) b)
Figura 2.4Convertidor push-pull: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de voltajes y
corrientes

2.1.3 Medio puente

La topologa medio puente es usada principalmente en convertidores fuera de lnea
donde los transistores de conmutacin no son sometidos al doble de la entrada de la fuente
de voltaje como en los convertidores de conmutacin forward o push-pull. La Figura 2.5a
muestra el esquema del circuito del convertidor medio puente y la Figura 2.5b muestra las
corrientes y voltajes del convertidor. Como se muestra, el extremo del transformador sin
punto es conectado a la terminal comn de los dos condensadores idnticos de filtrado C1 y
C2, va un condensador de bloqueo de CD Cb. El condensador de bloqueo puede ser
omitido en algunas aplicaciones. Un voltaje de cada en el primario resulta debido al
cargado de los condensadores por la corriente que fluye en el transformador. El voltaje de
la fuente de entrada Vs es dividido entre los dos condensadores de filtrado. As, la terminal
comn de los condensadores de filtrado tiene un voltaje promedio de Vin/2. El propsito
del condensador de bloqueo de CD cb es evitar los problemas de desbalance de flujo
causados por el voltaje en la terminal comn ya que no es exactamente la mitad del voltaje
de la fuente de entrada. El extremo del transformador con punto es conectado a la terminal
comn de los transistores de conmutacin configurados en una configuracin totem-pole.
Los transistores de conmutacin Q1 y Q2 conducen alternadamente cada medio ciclo del
ciclo de conmutacin. As, los dos transistores de conmutacin conectan el extremo del
transformador sin punto a Vin y tierra, mientras el extremo con punto del transformador es
mantenido en Vin/2.

28

Metodologa abordada

a) b)
Figura 2.5Convertidor medio puente: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de voltajes y
corrientes

Cuando Q2 est activo, Vin/2 aparece a travs del primario del transformador.
Cuando Q1 est activo, aparece un voltaje inverso de valor Vin/2 a travs del primario del
transformador. El voltaje primario oscila desde Vin/2 hasta Vin/2. El voltaje en circuito
abierto del transistor es Voc = Vin y la corriente pico del transistor es Ipt = 2Iin. La corriente
promedio del transistor es Iprom = Iin. En aplicaciones de alto voltaje, el circuito medio
puente es preferible al circuito push-pull. Sin embargo, para aplicaciones en bajo voltaje, es
preferible el circuito push-pull debido a las bajas corrientes de transistor.

El voltaje promedio de salida es

Vo = V2 =

Ns
N p

V1 = a V1 = 0.5 a Vin
(2.3)

2.1.4 Puente completo

La topologa puente completo es usada principalmente en convertidores fuera de
lnea donde sus transistores de conmutacin no son sometidos al doble de la entrada de la
fuente de voltaje Vin. La Figura 2.6a muestra el esquema del circuito del convertidor puente
completo y en la figura 2.6b se muestran los voltajes y corrientes de este circuito. Como se
muestra, los transistores de conmutacin son configurados una topologa puente completo o
H. Los pares de transistores de conmutacin de Q1-Q4 y Q2-Q3 son conmutados
alternadamente cada medio ciclo del periodo de conmutacin. Cuando el par de transistores
Q1-Q4 son encendidos, el extremo punteado del devanado primario es conectado a la
fuente de voltaje de entrada Vin, mientras el extremo sin punto del devanado primario es
conectado a un potencial cercano a tierra. As, todos los extremos punteados de los

29


devanados secundarios son ahora positivos con respecto al extremo sin punto. El voltaje en
el devanado secundario es una versin escalada del voltaje en el devanado primario.
Cuando el par de transistores Q2-Q3 son encendidos, el extremo sin punto del devanado
primario es ahora Vin, mientras el extremo punteado es cercano al potencial de tierra.

El voltaje promedio de salida es

Vo = V2 =

Ns
N p

V1 = a V1 = a Vin (2.4)

El voltaje en circuito abierto del transistor es Voc = Vin y la corriente pico del
transistor es Ipt = Iin. La corriente promedio del transistor es slo Iprom = Iin/2. De todas las
configuraciones, este circuito opera con los menores esfuerzos de voltaje y de corriente en
los transistores y es muy popular para aplicaciones de alta potencia por arriba de 750 W.
Una desventaja es el uso de 4 interruptores, lo cual eleva su costo.

2.1.5 Fuente de alta potencia

A continuacin se describe el funcionamiento de una fuente de alta potencia, la cual
se encontr en la literatura [19], ya que de acuerdo a las caractersticas que presenta como
son su alta potencia y principalmente su elevado voltaje de salida es interesante para el
desarrollo de este trabajo, uno de los puntos mas importantes para la fuente a utilizar en el
banco de pruebas.

a) b)
Figura 2.6Convertidor puente completo: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de
voltajes y corrientes

30

Metodologa abordada

Esta fuente de CD de alta potencia, 400 kW y 50 kV en modo conmutado fue
diseada para su uso en cargas dinmicas [19]. Esta usa 4 etapas de 100 kW, convertidores
de CD-CD tipo fuente de corriente con entradas en paralelo y salidas en serie. El
convertidor de CD-CD opera a 20 kHz en un regulador de voltaje parcial y a 10 kHz en el
inversor, transformador y las partes de salida del rectificador en el circuito. IGBTs son
usados como interruptores de potencia. Tcnicas especiales son usadas para proteger la
fuente y cargas contra arcos y cortos severos. Tiene una eficiencia del 93%, un voltaje de
rizo en la salida del 1 % y una rpida respuesta dinmica y solo ocupa 1/3 del tamao de
una fuente de potencia convencional. Es regulable de 0 a 50 kV y de 0 a 400 kW.

El convertidor de CD-CD seleccionado es una versin modificada del PWM, el tipo
de fuente de corriente con un regulador separado y una seccin inversora. Esta usa una
forma de onda rectangular, la cual minimiza la necesidad de filtrado en la salida. La fuente
consiste de un rectificador en la entrada, seguida de un filtro como se muestra en la Figura
2.7. Cada convertidor CD-CD consiste de un regulador de voltaje, inductor, inversor,
transformador, rectificador y filtro. Esta empaquetado en dos partes: el modo
regulador/inversor y el mdulo rectificador/transformador.

El regulador de voltaje opera con una forma de onda cuadrada fija como se muestra
en la Figura 2.8. El transformador/rectificador contiene el transformador, rectificador y un
filtro de salida. Cada convertidor produce una salida de voltaje de 12.5 kV. Todos los
IGBTs en el regulador, as como los del inversor, tienen snubbers de la red consistentes de
un diodo, un resistor y un condensador en paralelo con ellos. Cada uno de los IGBTs Q1-
Q4 del inversor conducen por aproximadamente la mitad del tiempo a una frecuencia de 10
kHz. Los pares formados por Q1 y Q2 y por Q3 y Q4 conducen juntos. Ocurre un traslape
de 2 s cada ciclo cuando los 4 conmutan simultneamente. Este tiempo de traslape ayuda
en la trasferencia entre los pares de IGBTs y la polaridad de salida. El suministro de la red
de amortiguamiento formado por C17, CR17 y R9 limita el voltaje a travs del bus de CD
del inversor.

El transformador, rectificador y la interconexin de alambres son montados dentro
de un tanque poco tensionado y son inmersos en un fluido dielctrico de silicn para el
aislamiento elctrico y el enfriamiento. Los filtros de entrada a la red incluyen un filtro
inductor principal de 500H, el filtro de amortiguamiento de la red de 0.5 & en serie con
8000 F, y la combinacin en paralelo de condensadores de 200 F en la entrada de los 4
convertidores.

El transformador/rectificador contiene el transformador, rectificador y un filtro de
salida. El transformador tiene varios requerimientos especiales de diseo:

(1) Voltaje de entrada con forma de onda cuadrada de 520 VPK a 10 kHz, con una
relacin de vueltas de 24, una salida continua de 100 KW, un aislamiento
entre la salida y tierra de 50 kV de CD.
(2) Baja inductancia parsita con prdidas de potencia aceptables en el inversor y
encontrar el rizo de voltaje en la salida especificada, sin exceder l limite del
condensador de filtrado.

31


(3) Control de las prdidas del conductor y el ncleo en CA a 10 kHz con un nivel
aceptable.
(4) Devanado de alambre terciario para el control derivado a una seal de
retroalimentacin de voltaje para la salida del convertidor de CD-CD.

Figura 2.7. Esquema simplificado del circuito de potencia de la fuente de 400 KW [9]

El apilamiento de 4 rectificadores es usado en cada tanque transformador /
rectificador. Estos son conectados en una configuracin puente completo. Cada apilamiento
consiste de 24 diodos en serie, con apareamiento y proteccin a travs de cada diodo. Los
diodos son de recuperacin rpida, en un rango de 85 A, 1000 V y 1.6 C de carga en
recuperacin inversa. El circuito de filtrado de CD en la salida del rectificador de puente
completo consiste de un condensador de filtrado principal C1 y la red de amortiguamiento
compuesta del circuito serie formado por R2 y C2-C4. El valor de la capacitancia de
filtrado es determinado primeramente por el tiempo necesario para la transferencia del
inversor entre las polaridades de la corriente combinadas con el rizo de voltaje requeridos.

Referente al control, el reloj de las 4 fases es usado para sincronizar las compuertas
del convertidor CD-CD. Cada convertidor CD-CD tiene su circuiteria propia para generar
la variacin del tren de pulsos del ciclo de trabajo en las compuertas de los IGBTs del
regulador y la onda cuadrada en las compuertas del inversor de IGBT. El comando del ciclo
de trabajo en la compuerta del regulador de los IGBTs llega del convertidor de CD-CD
individual de la salida de voltaje del lazo de retroalimentacin. Esta seal de
retroalimentacin es derivada de un devanado del bobinado del transformador de salida
(VTR) y la corriente de salida (IO). Esta tcnica evita tener que medir en voltajes altos. La
corriente en los IGBTs del regulador (ireg) tambin son usadas en la circuiteria de
retroalimentacin para suministrar un lazo de control local en modo corriente. Este lazo

32

Metodologa abordada

compensa rpidas sobrecargas. El punto fijo de voltaje para cada convertidor CD-CD llega
de la fuente de potencia completa en el control del lazo de voltaje, la cul usa
retroalimentacin seudo-derivativa con limitaciones locales [9]. La retroalimentacin de la
fuente de potencia en conjunto viene con un divisor de voltaje 10000 a 1. Un generador de
rampa suministra una porcin del control del rizo de voltaje durante la recuperacin de una
reduccin.

Figura 2.8Formas de onda idealizadas de voltaje y corriente de la fuente de potencia:
a) potencia media, b) potencia completa [9]

2.4 Conclusiones

Se presentaron los puntos principales a considerar para el diseo de circuitos de
prueba los cuales son: mtodo de pruebas, modo de funcionamiento y el tipo de control, de
entre los cuales de acuerdo a los requerimientos de los dispositivos se ve que los circuitos
especiales de prueba, as como el tipo de funcionamiento en modo impulsional y con un
tiempo preestablecido son las condiciones en las cuales se puede estudiar el
funcionamiento del dispositivo con un menor costo y menores componentes y exigencias a
la lnea de distribucin.

33


Otro punto importante es el tener un simulador el cual debe tener los modelos de
todo componente lo mas cercano a ellos para tener resultados mucho mas cercanos a lo
realizado experimentalmente.

Referente a las fuentes de alto voltaje, se presentaron diferentes tipos de ellas
resaltando sus mayores ventajas, as como sus desventajas, de entre las cuales podemos
resaltar que las que presentan mejores caractersticas fueron la topologa puente completo y
la fuente de alta potencia, por ser las que se adecuan mas a los requerimientos exigidos,
entre los cuales se puede mencionar un alto voltaje de salida, aislamiento, etc.

34

Captulo 3

Fuente de alto voltaje

35


En este captulo se presentan las caractersticas que debe reunir la fuente de CD de
alto voltaje del banco de pruebas para caracterizar dispositivos de alta potencia, as como
todo el diseo y anlisis de cada una de las partes que conforman la fuente como son: el
inversor, la etapa de control y proteccin del inversor, el transformador elevador, el
rectificador y finalmente el filtro.

3.1 Caractersticas de fuentes de alto voltaje

Las caractersticas con las que debe cumplir una fuente de CD de alto voltaje son:

garantizar aislamiento entre la fuente y la carga
manejar un voltaje variable de 0 a 2500 V
proporcionar una potencia de 1.25 kW

Para el diseo de la fuente de CD se est tomando en consideracin la fuente de
puente completo y la fuente de la referencia [19], por ser las mas indicadas, para las
caractersticas requeridas por el banco de pruebas. Un diagrama a bloques de la fuente se
muestra en la figura 3.1. Como se muestra en la figura 3.1 consta de 4 etapas, las cuales
son: etapa inversora, etapa elevadora, etapa de rectificacin y etapa de filtrado. Cabe hacer
mencin que dentro de la etapa del inversor se deben considerar otros puntos como son: el
circuito de control PWM, la etapa de proteccin y los impulsores. Para la etapa elevadora
se tom un transformador elevador que operara a alta frecuencia mientras que en la etapa
de rectificacin consiste en diodos rpidos.

3.2 Diseo de la fuente de CD

3.2.1 Diseo de la etapa inversora

Dentro de la etapa del inversora o tambin llamada convertidor de CD a CA, se
tom el inversor monofsico en puente, que es parte del convertidor puente completo y de
la fuente de la referencia [19]. Esta etapa se muestra en la figura 3.2. A continuacin se
describen cada una de las partes involucradas en la activacin de las compuertas de los
IGBTs que se utilizan en esta etapa de la fuente de CD.

Inversor

Elevador

Rectificador Filtro

Figura 3.1Etapas de la fuente

36


En la figura 3.3 se muestra un diagrama a bloques de las partes involucradas en la
activacin de las compuertas. Para la construccin del inversor se utilizaron dos mdulos
CM100DU-24H de MITSUBISHI, los cuales contienen cada uno dos IGBTs con su
respectivo diodo en antiparalelo y tienen un manejo de corriente / tensin de 100 A/1200 V.

A) Circuito de control PWM

Para el control de los pulsos de activacin de las compuertas de los IGBTs se utiliz el
circuito integrado TL494 de Fairchild Semiconductor con la configuracin que se ilustra
en la figura 3.4. Esta configuracin nos permite tener a la salida dos pulsos desfasados 180
uno con respecto al otro, proporciona un tiempo muerto que puede ser controlado, adems
de que tambin se puede controlar la frecuencia a la que se desee trabajar.

Figura 3.2Circuito de la etapa inversora

Figura 3.3Diagrama a bloques del control y la proteccin de las compuertas

37


Figura 3.4Circuito generador de pulso

A continuacin se describe brevemente como se puede controlar la frecuencia y el
tiempo muerto en la salida de las seales proporcionadas por este integrado. La frecuencia
de oscilacin esta regida por la siguiente ecuacin:

fosc =

1.1
Rt Ct

(3.1)

La frecuencia a la cual se trabaj fue de 20 kHz y se propuso un condensador de 10
nF. Despejando Rt de la ecuacin 3.1, se obtuvo el siguiente resultado.

Rt =

1.1
fosc Ct

(3.2)
Rt =
1.1
(20kHz) (10nF )

Rt = 5.5 k&

(3.3)

(3.4)

Se opt proponer una resistencia variable de 10 k& para poder controlar la
frecuencia. Con la resistencia variable de 100 & se controla el tiempo muerto de las seales
de salida S1 y S2. Las seales obtenidas a la salida del circuito generador de pulso se
muestran en la figura 3.5.

B) Circuito de proteccin

Para la proteccin de los IGBTs se construy el circuito de proteccin que se
muestra en la figura 3.6, utilizando compuertas AND, un inversor, un flip-flop D e

38


interruptores. El circuito de proteccin opera de la siguiente forma: las seales provenientes
del circuito TL494 entran a S1 y S2 y siguen su camino a una compuerta AND, la cual
dejara pasar la seal como viene mientras se tenga un 1 proveniente del flip-flop D, en caso
contrario se tendr el inverso de la seal. Despus de la compuerta AND, se invierte la
seal y se manda al pin 2 de la primera lnea y al pin 6 de la segunda lnea, y lo mismo
sucede con la parte de abajo, su seal se manda al pin 2 de la segunda lnea y al 6 de la
primera. Del pin 3 de ambas lneas sale un pulso que, mientras este funcionando todo bien,
estar dando un 0 y pasando por el inversor dar un 1 el cual servir para activar el flip-
flop. En caso contrario, si hay un corto en el pin 3, enviar un 1 y al pasar por el inversor
dar un cero, lo cual deshabilitara al flip-flop. Para habilitar el pulso de compuerta hay que
hacer pasar un 1 por el set del flip-flop.

10 V/div

10 V/div

20 s/div

Figura 3.5Seales obtenidas del circuito generador de pulso

Figura 3.6Circuito de proteccin

39


C) Circuito Impulsor

El circuito impulsor utilizado para la activacin de las compuertas de los IGBTs es
el integrado M57959L de POWEREX y se muestra en la Figura 3.7. Las seales obtenidas
a la salida de los impulsores se muestran en la Figura 3.8

Figura 3.7 Circuito impulsor

10 V/div

10 s/div

Figura 3.8Seales de compuerta de los IGBTs

40


3.2.2 Diseo del transformador

Las especificaciones de entrada del transformador son:

1. Voltaje de entrada Vin = 500 V
2. Corriente de entrada Ip= 5 A
3. Voltaje de salida Vo = 2500 V
4. Corriente de salida Io = 1 A
5. Voltaje de cada en el diodo Vd = 1 V
6. Frecuencia de conmutacin f = 20 kHz
7. Eficiencia = 98 %
8. Regulacin ( =1%
9. Coeficiente de la forma de onda Kf = 4 (Seal cuadrada)
10. Factor de utilizacin de ventana Ku = 0.4
11. Densidad de flujo Bm = 0.35 T

Tabla 3.1 Metodologa o secuencia de diseo del transformador

41

Paso Formula general Valores Valor calculado
1.
Potencia de
salida
Po = (Vo + Vd ) Io
Vo = 2500 V
Vd = 1 V
Io = 1 A
Po = 2501 W
2.
Potencia aparente
2
Pt = Po + 2

Po = 2501 V
=0.98
Pt = 7.14 kW
3.
Coeficiente
elctrico
2 2 2 -4
Ke = 0.145 K f f Bm 10
Kf = 4
f = 20 kHz
Bm = 0.35 T
Ke = 11368
4.
Geometra del
ncleo
Kg

=

P
t
2 Ke (
Pt = 7.14 kW
Ke = 11368
( =1
5
Kg = 0.314 cm
5. Seleccin del
ncleo en funcin
de Kg y
disponibilidad

5
Kg = 1.715154 cm
4
Ap = 17.797 cm
Wtfe = 253 gr
2
Ac = 2.790 cm
MLT = 11.6 cm
2
At = 201.9 cm
Ncleo seleccionado
EC70
6.
Inductancia del
devanado primario
Po
Lp = 2
2 f I p
Po = 2501 W
Ip = 5 A
f =20 kHz
Lp = 795 H
7.
Nmero de vueltas
del devanado
primario
Lp

I

p

10
4
N

p

=
Bm Ac
Lp = 795 H
Ip = 5 A
Bm= 0.3 T
2
Ac = 2.790 cm
Np = 47 Vueltas


Continuacin de la Tabla 3.1

42
8. Densidad de
corriente
Pt

10
4
J =
K f Ku f Bm Ap
Pt = 7.14 kW
Kf = 4
Ku = 0.4
f = 20 kHz
Bm= 0.3 T
4
Ap = 17.797 cm
2
J = 358 A/cm
9. Tamao del
alambre del
devanado primario
Aw(B)

=

Ip

J
Ip = 5 A
2
J = 358 A/cm
2
Aw(B) = 0.0142 cm
10. Seleccin del
tamao del
alambre en
funcin de Aw (B)

2
Aw(B) = 0.01651 cm
re

=

104.3
&
cm
AWG # 15
11. Resistencia del
devanado primario
Rp = MLT N p re
MLT = 11.6 cm
Np = 47
re

=

104.3
&
cm
Rp = 0.056 &
12. Perdidas en el
cobre primario
2
Pp = (Ip) Rp
Ip = 5 A
Rp =0.056 &
Pp = 1.45 W
13. Inductancia del
devanado
secundario
Ps
Ls = 2
2 f Io
Ps = 2500 W
Io = 1 A
f =20 kHz
Ls = 20 mH
14. Numero de vueltas
del devanado
secundario
Ns

=
N p Vo
Vin
Np = 47 Vueltas
Vo = 2500 V
Vin = 500 v
Ns = 235 vueltas
15. Tamao del
alambre del
devanado
secundario
Aw(B)

=

I
o
J
Io = 1 A
2
J = 358 A/cm
Aw(B) = 0.00279
2
cm
16. Seleccin del
tamao del
alambre en
funcin de Aw(B)

2
Aw (B) = 0.00279 cm
re

=

531.4
&
cm
AWG # 22
17. Resistencia del
devanado
secundario
Rs = MLT Ns re
MLT = 11.6 cm
Ns = 225
re

=

531.4
&
cm
Rs = 0.858 &
18. Prdidas en el
cobre secundario
2
Ps = (Io) Rs
Io = 1 A
Rs = 0.058 &
Ps = 0.058 W


3.2.3 Diseo de la etapa de rectificacin y filtrado

Con respecto a la etapa de rectificacin se tomo como nica consideracin que los
diodos para esta etapa deberan ser diodos rpidos con una tensin de bloquo de al menos
600 V. El tipo de diodo que se escogi es el HFA16PB120, el cual soporta 1200 V, por lo
cual se necesitan solo 8 dispositivos en comparacin con 12 dispositivos que se necesitaran
al usar diodos de 600 V.

Con respecto a la etapa de filtrado se estn utilizando solamente condensadores de
2200 F a 525 V. Hasta el momento se han utilizado 3 condensadores en serie,
disminuyendo su capacitancia total a 733.33 F.

3.3 Modelo matemtico de la fuente de CD

A continuacin se describe el funcionamiento de la fuente de CD en base a un
anlisis matemtico implementado posteriormente en Mathcad. El modelo se verifica
mediante simulaciones en PSpice. En la Figura 3.9a se muestra el circuito final de la fuente
de CD con todas sus etapas integradas y en la Figura 3.9b la secuencia de disparo.

3.3.1 Funcionamiento

El anlisis del comportamiento de la fuente se presenta para un solo periodo de
tiempo (0 < t < T), el cual se divide en 2 etapas. La primera etapa es de 0 < t o DT, cuando
los interruptores Q1 y Q4 estn encendidos, mientras Q3 y Q2 estn apagados. El otro
intervalo es de DT < t o T, cuando estn encendidos Q3 y Q2 y permanecen apagados Q1 y
Q2.

Etapa 1 (0 < t o TD)

En este tiempo empieza a circular una corriente positiva a travs de la inductancia
del primario llegando hasta una punto mximo de corriente y cayendo a cero
inmediatamente. Mientras esto sucede en el primario, en el secundario se empieza a
descargar la energa almacenada hasta llegar a cero. El flujo de corriente se puede apreciar
en la figura 3.10a y en la figura 3.10b se muestra la secuencia de disparo de los
dispositivos.

Etapa 2 (DT < t o T)

En este tiempo empieza a circular una corriente negativa a travs de la inductancia
del primario llegando hasta una punto mximo de corriente y cayendo a cero
inmediatamente. Mientras esto sucede en el primario, en el secundario se empieza a
descargar la energa almacenada hasta llegar acero. El flujo de corriente se puede apreciar
en la figura 3.11a y en la figura 3.11b se muestra la secuencia de disparo de los
dispositivos.

43


a) b)
Figura 3.9 Fuente de voltaje a) Circuito de la fuente de CD, b) Secuencia de disparo de los
IGBTs y formas de onda

a) b)
Figura 3.10 Fuente de voltaje: a) Flujo de corriente para la etapa 1, b) Secuencia
de disparo durante la etapa 1 y formas de onda

44


a) b)
Figura 3.11 Fuente de voltaje: a) Flujo de corriente durante la etapa 2,
b) Secuencia de disparo durante la etapa 2 y formas de onda

3.3.2 Anlisis estacionario

A continuacin se presenta el clculo de las corrientes y tensiones de la fuente de
CD en estado estable suponiendo que T = 2DT:

Variable Etapa 1 (0 < t o TD) Etapa 2 (DT < t o T)
Voltaje en el
primario
Voltaje en el
secundario
Vp = Vin

Vs = Vp n
Vp = - Vin

Vs = Vp n
Corriente en el
primario
ip

=

Vp t
Lp

ip =
Vp (t DT )
Lp
Corriente en el
secundario
is

=

Vs
Ls

(DT t)

is =
Vs
Ls

(T t)
Corriente a la salida
del rectificador
iD

=

Vs
Ls
(DT t)

iD =
Vs
4 Ls
(T t)
Corriente en el
condensador
icap

=

Vs
4 Ls

(DT t) -
n Vs
RL

icap =
Vs
4 Ls

(T t) -
Vs
RL

45


Corriente en la carga

iL =

Vs
RL

iL =

Vs
RL
Voltaje

en

la

carga

vL

=

Vs
vL = Vs

3.4 Anlisis en simulacin y validacin experimental

Se realiz un anlisis en el programa Mathcad, implementando las ecuaciones del
modelo matemtico presentado anteriormente. Para ver mas a detalle este anlisis consultar
anexo I.

Para verificar el buen funcionamiento y comprobar el anlisis realizado en Mathcad,
se procedi a la simulacin de cada una de las partes de la fuente en PSpice. El circuito
utilizado en la simulacin se muestra en la figura 3.12.

En el circuito simulado se utiliz el modelo genrico del IGBT ZbreakN, el modelo
del diodo HFA25TB60 de la librera de PSpice(de 25 A / 600 V, por lo que se necesitan 12
diodos), fuentes de pulso Vpulse para el control de la compuerta, un transformador ideal
con una relacin de 1 a 5, resistencias y condensadores. Las especificaciones de entrada
fueron Vin = 300 V, Ls = 20 mH, Lp = 795 H, RL = 5.5 k&, CL = 1100 F y f = 20 kHz.

El prototipo diseado se construy y se hicieron pruebas experimentales con una
carga resistiva midindose las corrientes y tensiones de la fuente calculados con el modelo
matemtico (voltaje y corriente en el primario, voltaje y corriente en el secundario,
corriente en la salida del rectificador y voltaje y corriente en la salida de la fuente).

A continuacin se presentan las grficas experimentales junto con las simulaciones
correspondientes obtenidas en Mathcad y PSpice.

Figura 3.12 Circuito simulado en PSpice

46


200 V/div

4 A/div

50 s/div
a)

100 V/div

2 A/div

50 s/div
b)

100 V/div

1 A/div

50 s/div
c)

Figura 3.13Voltaje y corriente en el primario del transformador (vp , ip):
a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental

47


1000 V/div

400 mA/div

50 s/div
a)

500 V/div

200 mA/div

50 s/div
b)

500 V/div

200 mA/div

0 s/div
c)

Figura 3.14Voltaje y corriente en el secundario del transformador (vs , is):

48


1000 V/div

400 mA/div

50 s/div
a)

500 V/div

400 mA/div

50 s/div
b)

500 V/div

400 mA/div

10 s/div
c)

Figura 3.15Voltaje en el secundario del transformador y Corriente en la salida del
rectificador (vs , iD): a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental

49


100 V/div
200-(7) mA/div

50 s/div
a)

400 V/div

200 mA/div

50 s/div
b)

200 V/div

200 mA/div

10 s/div
c)

Figura 3.16Voltaje y Corriente en la carga (vL , iL):

50


3.5 Anlisis transitorio durante el cargado del condensador

Despus de haber visto el funcionamiento de la fuente de voltaje de CD en estado
estable ahora se describe de manera general el funcionamiento en el periodo transitorio
mediante la ayuda de algunas simulaciones realizadas en PSpice, todo esto con la finalidad
de mostrar como en el periodo transitorio las corrientes demandadas son mucho mayores a
las corrientes en el estado estable, principalmente hablando del cargado del capacitor.

En la Figura 3.17 muestra la corriente demandada en el periodo transitorio y el
voltaje de salida desde 0 V hasta el tiempo que este tarda en llegar a su estabilizacin.

Figura 3.17 Estado transitorio y estado estable: Superior) corriente en el interruptor,
Inferior) Voltaje de salida

Como se puede apreciar en la Figura 3.17 la corriente en el periodo transitorio se
eleva de manera considerable, esto se ilustra con la intencin de ver el comportamiento de
la corriente en periodos instantneos de tiempo, lo cual se puede apreciar mejor en la Figura
3.18 que muestra el periodo de inicio en el transitorio. De ah que aunque la fuente de
voltaje este diseada para corrientes menores a 1 A, se tomo en consideracin este punto
para seleccionar los interruptores de corrientes mucho mas elevadas, con la intencin de
que soportara estas demandas de corriente en el periodo transitorio, que es el periodo que se
va a presentar principalmente durante las pruebas realizadas.

Cebe hacer mencin que durante este tiempo, es decir desde el periodo transitorio
hasta el tiempo en el cual se estabiliza el voltaje, es el tiempo que tarda el banco de
condensadores en almacenar energa, lo cual se explicara en el siguiente captulo.

51


Figura 3.17 Corriente en el interruptor en el estado transitorio

3.6 Conclusiones

Como se puede apreciar, los resultados analticos, las simulaciones y las pruebas
experimentales arrojan resultados muy similares.

La potencia mxima de salida fue de Po = 1349 W y se obtuvo para una tensin de
entrada de Vin = 380 V, con Vo = 1900 V e Io = 710 mA. como se puede apreciar en los
resultados experimentales de la Figura 3.17.

Las especificaciones planteadas para el diseo de la fuente fueron de Vo =
2500 V e Io = 1 A (Po = 2500 W), pero no se pudieron alcanzar, puesto que la fuente que se
utiliz para alimentar el bus de CD del inversor solo soporta alrededor de los 1000 W con
una tolerancia de 300 W.

200 mA/div

1 kV/div

10 s/div

Figura 3.17 Voltaje y corriente a la salida de la fuente

52

Captulo 4

Banco de pruebas


En este captulo se abordan todas las caractersticas y requerimientos que se deben
considerar para el armado del circuito de prueba para conmutacin dura y corto circuito
entre las cuales se puede mencionar el banco de condensadores, la etapa de control de los
pulsos de disparo para lograr la conmutacin deseada, as como los impulsores para la etapa
de control.

4.1 Caractersticas generales

En el diseo de un banco de pruebas se deben tomar en cuenta aspectos como:

Mtodo de pruebas (circuitos de aplicacin a convertidores o circuitos
especiales de prueba)
Modo de funcionamiento (modo repetitivo o modo impulsional)
Tipo de control (control automtico o por tiempo preestablecido)

La seleccin depender de la calidad de reproduccin de las condiciones que
presente una aplicacin convertidor dada, de tal manera que se tenga independencia en el
control de los diferentes parmetros, una limitacin del nmero de elementos del circuito y
de la potencia instalada de la fuente de alimentacin.

Las caractersticas generales de diseo del banco de pruebas se mencionan a continuacin:

Potencia que debe manejar (tomando en cuenta que los dispositivos bajo prueba
manejaran alrededor de los 2000 V y 1000 A) el banco de pruebas, ya que todas las
pruebas se realizan a altas potencias.
El control que debe manejar, que para este caso ser impulsional
Aislamiento entre fuente y carga
Los niveles de corriente y voltaje que debe manejar el circuito impulsor para activar
y desactivar al dispositivo bajo prueba y a los circuitos auxiliares.
El voltaje y corriente que debe manejar la fuente que para este caso ser de 2500 V
y 0.5 A. Se est considerando un almacenamiento de energa mediante un banco de
condensadores para manejar la corriente (1000 A)

Figura 4.1 Diagrama a bloques del banco de pruebas

54
I = C
dv
(4.1) (4.2)
E = V 2 C =
1 2

Banco de pruebas

4.2 Almacenamiento de energa

Primeramente, para poder considerar el circuito de prueba, se debe verificar el buen
funcionamiento de la fuente de voltaje de CD, esto es, que pueda dar el voltaje y la
corriente a los cuales se desea que se pueda probar el circuito.

Como se consider inicialmente, la fuente solo dara el voltaje suficiente para las
pruebas y la corriente ser proporcionada por un banco de condensadores, por lo cual se
deben considerar las siguientes ecuaciones:

V = L

di
dt

y

dt

Como se aprecia en estas dos ecuaciones, la corriente que se puede obtener depende
fuertemente del condensador que se seleccione, ya que mientras mas chico sea el valor de la
capacitancia de este, la corriente mxima que se obtenga ser pequea, as que, si se
selecciona un valor de capacitancia grande, la corriente mxima obtenida ser mayor.

Otra ecuacin, que es de mucha utilidad para los propsitos del banco de pruebas, es
la ecuacin de la energa. Con esta ecuacin, haciendo algunas igualaciones y despejes se
pueden calcular los valores mximos obtenidos en funcin de algunos parmetros.

1
2

2

I L

(4.3)

Para la obtencin de las corrientes en modo impulsional se parti de la ecuacin 4.1 y
se despejo t, la cual es:
t = L
i
V
(4.4)

este valor de t es el tiempo que tardara en almacenarse la energa en la inductancia de carga.

Utilizando la ecuacin 4.3 de la energa y despejando la corriente obtenemos la
ecuacin 4.5, la cual nos ayuda a conocer la mxima corriente que se puede alcanzar

I =

V
2
- C
L

(4.5)

4.3 Circuito de prueba

El circuito de prueba es en forma modular y se dise para realizar tanto la
conmutacin dura como el corto circuito. De esta manera, modificando nicamente la
secuencia de disparo de los interruptores auxiliares se obtienen tres tipos de conmutacin
[20]. La Figura 4.2 muestra el circuito de prueba empleado para el estudio de las
conmutaciones.

55


Como se muestra en la Figura 4.2, el circuito presenta nicamente dos interruptores
auxiliares (AUX1 y AUX2) y una inductancia de carga Lcarga de un valor elevado (se puede
considerar como una fuente de corriente de valor constante durante el tiempo que duren las
conmutaciones).

4.3.1 Conmutacin dura


En la Figura 4.3a se muestra el circuito de prueba simplificado, donde el valor de
Lcarga es igual a 20mH. Las seales de disparo de los dispositivos empleados, as como las
principales formas de onda se muestran en la Figura 4.3b.

Figura 4.2 Circuito de prueba para las conmutaciones

a) b)
Figura 4.3Conmutacin dura: a) circuito de prueba simplificado, b) secuencia de disparo y
formas de onda

56

Banco de pruebas

Los elementos crticos de diseo de este circuito de prueba son: el valor de la
inductancia de carga Lcarga, que debe tener un valor suficientemente elevado, para que la
corriente en el tiempo de prueba sea lo ms constante posible y un valor pequeo de
resistencia parsita (Rind) en el orden de miliohms (0.05&).


El funcionamiento del circuito de prueba en conmutacin dura se puede dividir en
varias etapas, las cuales se describen a continuacin.

Etapa 1- Carga lineal de la corriente (t1 < t < t2)

En el instante t1 el interruptor AUX2 es encendido y permanecen apagados los
interruptores AUX1 y el DUT. En este momento, la corriente en el inductor Lcarga se
incrementa en forma lineal. En el instante t2 el interruptor AUX2 es apagado. El flujo de
corriente de esta etapa se muestra en la Figura 4.4a y en la Figura 4.4b se muestra la
secuencia de disparo de los dispositivos.

La ecuacin que rige el comportamiento del circuito en trminos de ecuaciones
diferenciales es la siguiente:
V0 = i Rind + Lcarga
di
dt
(4.4)

Resolviendo la ecuacin (4.3), considerando que las condiciones iniciales son
I(0+)=0 (la corriente en el inductor es cero) y que la resistencia Rind es muy pequea, se
obtiene que la corriente i(t) crece en forma lineal por medio de la siguiente expresin:

VLcarga = Lcarga

di
dt

H Lcarga

i
t

despejando i:

i =

VLc arg a t
Lc arg a

(4.5)

Si Lcarga es muy grande (Lcarga >> VLcarga t), entonces iL puede ser considerada
constante durante la conduccin y las conmutaciones.

Etapa 2- Libre circulacin (t2 < t < t3)

En el periodo de tiempo t2 < t < t3 todos los interruptores permanecen apagados. En
esta etapa la corriente es casi constante y las prdidas son debidas solo a la resistencia
parsita del inductor y de las prdidas por conduccin del diodo. El flujo de corriente de
esta etapa se muestra en la Figura 4.5a y en la Figura 4.5b se muestra la secuencia de
disparo de los dispositivos. Esta etapa es importante para estabilizar la tensin de la fuente
(V0) y mostrar el comportamiento de recuperacin inversa del diodo al momento del
encendido del DUT.

57


a) b)
Figura 4.4Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 1, b) Formas de onda en la etapa 1

a) b)

Etapa 3- Encendido en conmutacin dura (t3 < t < t4)

En el instante t3 el interruptor bajo prueba es encendido, mientras que los
interruptores AUX1 y AUX2 permanecen apagados. En este instante se presenta el
encendido en conmutacin dura del dispositivo bajo prueba, incluyendo la recuperacin
inversa del diodo de libre circulacin (D1). El flujo de corriente de esta etapa se muestra en
la Figura 4.6a y la secuencia de disparo en la Figura 4.6b.

58

Banco de pruebas

Etapa 4- Apagado en conmutacin dura (t5 < t < t6)

En el instante t5 el interruptor bajo prueba es apagado y permanecen apagados los
interruptores AUX1 y AUX2. En este momento se presenta el apagado en conmutacin
dura del dispositivo bajo prueba. En el periodo de t5 < t < t6 se muestra la cola de corriente
en el apagado del DUT, as como una sobre tensin, debida principalmente a la inductancia
parsita de cableado. El flujo de corriente se muestra en la Figura 4.7a y la secuencia de
disparo en la Figura 4.7b.

a) b)

a) b)

59



Un punto muy importante que hay que aclarar es que la fuente de voltaje estar
encendida durante toda la prueba, lo cual nos ayuda inicialmente al almacenamiento de
energa en el banco de condensadores, esta energa ser transferida durante el tiempo en
que este encendido el dispositivo AUX2 (t1 < t < t2), lo cual har que se almacene la
energa deseada para cada prueba en particular como se aprecia en la tabla 4.1. La energa
almacenada por el banco de condensadores para un V0 igual a 900 V es de 594 J, como se
puede apreciar en la Figura 4.8 realizada en simulacin.

Figura 4.8 Energa almacenada por el banco de condensadores

Para la realizacin de la prueba en conmutacin dura se tomaron las siguientes
consideraciones:

V0 variable de 400 V a 900 V
Lcarga = 6.5 mH
C = 1467 F
IC variable de 80 A a 400 A

En funcin de estos parmetros se calcularon los tiempos que deba permanecer
encendido el dispositivo auxiliar (AUX2) para obtener la corriente deseada en el inductor
Lcarga y se representan en la Tabla 4.1.

Tabla 4.1 Valores obtenidos para las pruebas realizadas

60
Corriente (A) Voltaje (V) Tiempo (ms)
Energa (J)
100 900 0.722 32.5
200 900 1.44 130
300 900 2.17 292.5
400 900 2.88 520
300 500 3.9 292.5
300 600 3.25 292.5
300 700 2.8 292.5
300 800 2.43 292.5
100 400 1.62 32.5

Banco de pruebas

Continuacin de la Tabla 4.1

Como se puede observar en la tabla 4.1 la energa mxima utilizada fue de 520 J,
menor a la energa almacenada en el banco de condensadores y de acuerdo a la ecuacin
4.5 la corriente mxima para este arreglo es de 427 A, ya que seria la corriente a la cual se
transferira por completo la energa almacenada en el banco de condensadores.

4.3.2 Corto circuito tipo I


Los elementos crticos de diseo del circuito de prueba en corto circuito son: las
caractersticas del interruptor auxiliar (AUX1) (debe ser robusto para soportar la corriente
de corto circuito del DUT y no saturarse), el valor de la inductancia parsita de cableado (la
cul debe ser de valor muy pequeo), as como el valor de la resistencia parsita de
cableado. Es muy importante considerar los valores de estos elementos.

La Figura 4.9a, muestra el circuito simplificado para realizar un anlisis de corto
circuito tipo I y en la Figura 4.9b se muestra la secuencia de disparo de los dispositivos, as
como el voltaje y la corriente tpicas en el dispositivo bajo prueba.

a) b)
Figura 4.9Corto circuito tipo I: a) circuito de prueba simplificado,
b) secuencia de disparo y formas de onda

61
100 500 1.3 32.5
100 600 1.1 32.5
100 700 0.928 32.5
100 800 0.812 32.5
80 500 1.04 20.8
120 500 1.56 46.8
150 500 1.95 73.1



El funcionamiento del circuito de prueba bajo condiciones de corto circuito I puede
dividirse en varias etapas las cuales se describen a continuacin

Etapa 1- Corto circuito en la carga (t1 < t < t2)

En el instante t1 el interruptor AUX1 es encendido y permanecen apagados los
interruptores AUX2 y el dispositivo bajo prueba (DUT). En este momento se simula la
condicin de corto circuito en la carga. En la Figura 4.10a se muestra el establecimiento del
corto circuito en la carga pero todava no hay flujo de corriente debido a que el DUT est
abierto, y en la Figura 4.10b la secuencia de disparo.

Etapa 2- Encendido en corto (t2 < t < t3)

En el instante t2 el interruptor DUT es encendido y permanece encendido el
interruptor AUX1, mientras que el interruptor AUX2 permanece apagado. En este
momento se realiza la medicin de encendido del DUT bajo condiciones de corto circuito.
El flujo de corriente de esta etapa se muestra en la Figura 4.11a y en la Figura 4.11b se
muestra la evolucin de la corriente y la tensin.

Durante el periodo (t2 < t < t3) se presenta una cada de voltaje en el DUT debido
principalmente al valor de la inductancia parsita de cableado del circuito de prueba.

a) b)
Figura 4.10Corto circuito tipo I: a) Flujo de corriente en la etapa 1,
b) Formas de onda en la etapa 1

62

Banco de pruebas

a) b)

a) b)

Etapa 3- Apagado desde corto (t4 < t < t6)

En el instante t4 el interruptor DUT es apagado despus de un lapso de tiempo
preestablecido (5s) para que el DUT no sufra destruccin. El interruptor AUX1
permanece encendido, mientras que el interruptor AUX2 permanece apagado. En este
momento se realiza la medicin del transitorio de apagado del DUT desde el corto circuito.
El flujo de corriente en esta etapa se muestra en la Figura 4.12a y en la Figura 4.12b se
muestra la evolucin de la corriente y la tensin.

63


Durante este periodo (t4 < t < t5), se presenta una sobre tensin en las terminales
colector-emisor del DUT debido principalmente a la inductancia parsita de cableado del
circuito de prueba (entre mayor sea el valor de esta inductancia mayor es el pico de
voltaje). Para limitar esta sobretensin se utiliza una resistencia de compuerta de mayor
valor (RG(off) = 220&) que en el encendido (RG(on) = 47&). En el diseo de convertidores se
debe considerar este valor pico de tensin con fines de proteccin del dispositivo contra
corto circuito, para que de esta manera no se rebasen los lmites de operacin del mismo.


Para la realizacin de esta prueba se consideraron los siguientes aspectos:

V0 variable de 20V hacia arriba
C = 1467 F
Ic variable en funcin del voltaje V0

4.4 Conclusiones

Se presentaron las caractersticas generales con las que debe contar un banco de
pruebas de las cuales podemos resaltar el voltaje y tensin que debe manejar en modo
impulsional, adems del aislamiento entre la fuente y la carga.

Un punto importante es la obtencin de la alta corriente en modo impulsional, la
cual se logra mediante el almacenamiento de energa del banco de condensadores, la cual es
transmitida a la inductancia de carga para cada prueba en particular.

Se analiz el circuito de prueba para la conmutacin dura y el corto circuito tipo I,
de lo cual se aprecia que la nica variacin entre ellos son las secuencias de disparo.

64

Captulo 5

Pruebas y Resultados


En este captulo se presentan los resultados obtenidos con el banco de pruebas
completo. Se incluyen las graficas de corriente y tensin en el dispositivo bajo prueba, tanto
en la simulacin como en la prctica, con el fin de comparar los resultados obtenidos. Las
mediciones se realizaron con la finalidad de verificar el buen funcionamiento del banco de
pruebas.

Se realizaron pruebas en conmutacin dura, debido a que es la conmutacin mas
comn en los convertidores de potencia. Otra prueba realizada fue en corto circuito, ya que
es una prueba en la que se llevan a los limites los interruptores y se observa su
comportamiento ante tales casos.

Dentro de las pruebas experimentales se utilizaron dos mdulos de IGBT:

CM150DU-24H, el cual soporta 1200 V / 150 A y contiene dos chips de IGBTs con
su respectivo diodo en antiparalelo por mdulo
CM1000HA-28H, el cual soporta 1400V / 1000 A y contiene un solo chip de IGBT
por mdulo.

5.1 Pruebas en conmutacin dura

5.1.1 Consideraciones en simulacin

En la Figura 5.1 se muestra el esquemtico implementado en el simulador PSpice.
Con el fin de tener por un lado simulaciones ms realistas y por otro lado garantizar
simulaciones rpidas, se realizaron las consideraciones siguientes:

La inductancia de carga es sustituida por una fuente de corriente constante.
Solo se simularon los periodos de conmutacin (encendido/apagado).
Se consideran los elementos parsitos importantes (inductancia de cableado
Lpar=1 mH y capacitancia del circuito Cp= 2nF).
Se utilizaron los modelos del IGBT CM150DY-24H y del diodo HFA25HB60
disponibles en las libreras del programa PSpice 9.0

A continuacin se describe la forma en como se obtienen los elementos parsitos
utilizados en la simulacin:

Inductancia parsita de cableado

A una gran velocidad de conmutacin (pendiente de corriente), la inductancia de
cableado es un elemento muy importante en una celda de conmutacin, puesto que causa
una cada de tensin adicional. Por esto se hace un anlisis detallado en las diferentes
etapas de conmutacin dura con el fin de conocer su influencia durante las mismas.

El clculo de la inductancia de cableado se realiz usando el principio bsico de que
un inductor se opone al cambio de corriente. En la Figura 5.2 se muestran en forma ideal
los transitorios de una conmutacin dura al encendido y se aprecia como en el momento

66
1

3

VCE

Pruebas y resultados

que la corriente crece con una cierta pendiente (dic/dt), se presenta una cada de tensin en
las terminales del dispositivo (VCE). Conociendo los valores de estas variables, es posible
estimar la inductancia parsita de cableado Lpar del circuito de prueba mediante la siguiente
expresin:
Lpar = (5.1)
diC / dt

L5
{Lp}

PARAMETERS:
Ic = 150
{Ic}
I2
D9
Rg = 47
Lp = 100n
Cp = 1.92n
Vce = 500
HFA25TB60

{Vce}

Vo

Z1
Cp
R5
{Cp} CM150DY-24H

Le
10n
{Rg}
Vge
TD = 0
TF = 0
PW = 20u
PER = 40u
V1 = -15
V2 = 15
TR = 0
0

Figura 5.1Circuito utilizado en la simulacin

Figura 5.2Formas de onda para el clculo de la inductancia
parsita de cableado

Capacitancia parsita del circuito

El clculo de la capacitancia parsita del circuito se realiz en base al principio bsico
de que un condensador se opone al cambio de voltaje. En la Figura 5.3 se muestran en forma
ideal los transitorios de una conmutacin dura al apagado y se aprecia cuando el voltaje se
desarrolla con una cierta pendiente (dvCE/dt), se presenta una cada de corriente en las

67
Ic

(A) Vce

(V) ICM

(A) Vce (sat)

(V) td(on)

(ns) tr

(ns) td(off)

(ns) tf

(ns) trr


terminales del dispositivo (Ic). Esta capacitancia se puede calcular mediante la siguiente
ecuacin:
C
par
=
(5.2)
dvCE / dt

A manera de verificar el buen funcionamiento del banco de pruebas, en las pruebas en
conmutacin dura se vari el voltaje de alimentacin V0 y posteriormente la corriente de carga
IC, y se tomaron las seales en el encendido y en el apagado del dispositivo bajo prueba.

Figura 5.3Formas de onda para el clculo de la capacitancia
parsita del circuito

5.1.2 Consideraciones en pruebas experimentales

Para las pruebas se utilizaron 2 diodos HFA16PB120 en paralelo como diodos de
libre circulacin para aumentar la capacidad de corriente y la inductancia de carga fue de
6.5 mH. Adems se utiliz un control con sus respectivos impulsores para suministrar los
pulsos de compuerta tanto al dispositivo bajo prueba como al dispositivo auxiliar. Los DUT
fueron los mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H. A continuacin se describen las
caractersticas mas importantes de los dispositivos DUT para la realizacin de las pruebas
experimentales.

Dispositivo Ic
(ns)
CM150DU-24HB 150 1200 300 2.9 200 250 300 350 300
CM1000HA-28H 1000 1400 2000 3.1 800 2000 1200 650 300

IF (A) VR (V) IFSM (A) IFRM (A) trr (ns)
HFA16PB120 16 1200 190 64 30

Las pruebas que se realizaron fueron:

a) variando el voltaje de alimentacin desde 400 V hasta 900 V, manteniendo constante la
corriente de carga en 100 A para la simulacin y el mdulo CM150DU-24HB.
b) variando el voltaje de alimentacin desde 500 V hasta 900 V, manteniendo constante la
corriente de carga en 300 A para el mdulo CM1000HA-28H.

68


c) variando la corriente de carga desde 80 A hasta 150 A, manteniendo constante el voltaje
de alimentacin en 500 V para la simulacin y el mdulo CM150DU-24HB.
d) Variando la corriente de carga de 100 a 400 A, manteniendo el voltaje de alimentacin
en 900 V para el mdulo CM1000HA-28H.

5.1.3 Variacin del voltaje de alimentacin V0

a) Encendido

El tiempo de cada de vCE aumenta conforme aumenta la tensin de alimentacin V0
(Figuras 5.4a y 5.4b). En el otro mdulo CM1000HA-28H no se observa esa tendencia,
puesto que se presentan oscilaciones cuando el dispositivo entra en conduccin. Adems se
presenta una cada de tensin significante debido a que el diC/dt es mas alto, ya que IC=300
A (Figura 5.4c). Las oscilaciones de la Figura 5.4c se observan tambin en los transitorios
de la corriente iC(t), pero no se presentaron ni en la simulacin, ni en las pruebas con el
mdulo CM150DU-24HB y pueden ser causados por la interaccin de los parsitos del
circuito y los del mdulo.
En el transitorio de la corriente iC se observa un incremento en la pendiente diC/dt conforme
aumenta la tensin de alimentacin como se muestra en las Figuras 5.5a, 5.5b y 5.5c. En la
simulacin de la Figura 5.5a no se observa la recuperacin inversa del diodo debido al
modelo utilizado.

b) Apagado

El tiempo de subida de la tensin vCE aumenta conforme aumenta la tensin de
alimentacin como se aprecia en las Figuras 5.6a, 5.6b y 5.6c, pero solo en las pruebas
experimentales el tiempo de retardo al apagado aumenta tambin.
En la forma de onda de la corriente de colector iC se observa en simulacin (Figura 5.7a) un
aumento de la cola de apagado con la tensin de alimentacin mantenindose el diC/dt casi
constante. Una tendencia similar se observa con el mdulo CM150DU-24HB (Figura 5.7b),
sin embargo los resultados con el mdulo CM1000HA-28H (Figura 5.7c) muestran que la
pendiente diC/dt disminuye notablemente conforme va aumentando la tensin de
alimentacin.

5.1.4 Variacin de la corriente de carga IC

a) Encendido

Se observa que tanto en la simulacin, como en las pruebas experimentales (Figuras 5.8a,
5.8b y 5.8c) el tiempo de encendido aumenta conforme va aumentando IC mientras que
tanto el diC/dt, como el dvCE se mantienen casi constantes.
De la misma manera que en la variacin de V0, en el mdulo CM1000HA-28H (Figura5.9c)
se ve una cada de tensin mas notable durante el diC/dt dado por los niveles mas altos de
corriente y se mantienen las oscilaciones despus del encendido.

b) Apagado

Las formas de onda de la tensin vCE son muy similares tanto en simulacin, como en las
pruebas experimentales con los dos mdulos como se aprecia en las Figuras 5.10a, 5.10b y

69


5.10c. En las formas de onda de la corriente en la simulacin y la mediciones con el mdulo
CM150DU-24HB el diC/dt se mantiene constante, mientras que en las mediciones con el
mdulo CM1000HA-28H se observa un incremento de la pendiente de corriente conforme
va aumentando IC (Figuras 5.11a, 5.11b y 5.11c).

Variacin V0 Encendido

a)

b)

c)

Figura 5.4Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-
24HB, c) Experimental CM1000HA-28H

70


Variacin V0 Encendido

a)

b)

c)

Figura 5.5Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB,
c) Experimental CM1000HA-28H

71


Variacin V0 Apagado

a)

b)

c)

Figura 5.6Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H

72


Variacin V0 Apagado

a)

b)

c)

Figura 5.7Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)

73


Variando IC Encendido

a)

b)

c)


74



a)

b)

c)


75



a)

b)

c)


76



a)

b)

c)


77


5.2 Pruebas en corto circuito

A continuacin se presenta el diagrama esquemtico implementado en PSpice para la
prueba de corto circuito. El funcionamiento del circuito se describi en el captulo 4. Esta
prueba se realiz, puesto que es un caso extremo de conmutacin en el cual, a diferencia de
la conmutacin dura, el DUT se lleva hasta los limites de su rea segura de operacin
(SOA) y por ende la potencia demandada a la fuente es mayor.

Los resultados en simulacin y de las pruebas experimentales se presentan en las
Figuras 5.13 y 5.14:

AUX

DUT

Figura 5.12Circuito simulado para corto circuito

AUX

DUT

DUT

a) b)
Figura 5.13 Seales de compuerta de los dispositivos: a) simulacin,
b) experimental CM150DU-24HB

78


a) b)
Figura 5.14 Voltaje vCE y corriente iC en el dispositivo bajo prueba: a) simulacin,
b) experimental CM150DU-24HB (escalas 25 V y 30 A)

En la Figura 5.13 se observa la seal de control del DUT, la cual debe de garantizar
que la duracin del corto circuito dure un tiempo menor a 10 s para evitar el
sobrecalentamiento y la destruccin del dispositivo. Para el encendido en corto circuito se
utiliz una resistencia de compuerta RG(on) de 47 &, mientras que para el apagado se
utiliz otro valor RG(off) mucho mayor de 220 &, con el fin de hacer ms lento el apagado
del DUT y evitar altos picos de tensin debido a los valores elevados de diC/dt en un
apagado de corto circuito (apagado de un nivel de corriente muy alto correspondiente a la
corriente de saturacin).

En la Figura 5.13 se observa que tanto en simulacin, como en las curvas
experimentales la tensin de compuerta del DUT no alcanz el valor mximo de 15 V, ni
tampoco se mantuvo durante el periodo de 10 s, debido a una retroalimentacin de
compuerta. Esta retroalimentacin se puede explicar con el nivel bajo de tensin de
alimentacin seleccionado para esta prueba con el fin de proteger el dispositivo.

Durante el tiempo de subida del corto circuito, como se observa en la Figura 5.14 se
presenta una cada de tensin proporcional debida a la inductancia parsita de cableado la
cual no puede exceder la tensin de alimentacin menos la tensin de saturacin en
conduccin de los dos dispositivos (AUX y DUT).

V0 = Lpar diC / dt + 2VCE(sat)

Como la tensin V0 fue demasiada baja y la inductancia parsita muy grande este
efecto limita la velocidad de subida de la corriente iC durante el corto circuito, como se
observa en la Figura 5.14.

79


a) b)
Figura 5.15 Grficas realizadas a voltaje elevado a) Seal de compuerta,
b) Voltaje vCE y corriente iC

Para verificar esta suposicin, se realiz una simulacin a una tensin de
alimentacin V0 = 1000 V, correspondiente al valor nominal de tensin de bloquo del
mdulo CM150DU-24HB, la cual se muestra en la Figura 5.15.

Se puede observar que a esta tensin las formas de onda corresponden a las
esperadas para un corto circuito, es decir, el DUT enciende en un lapso corto durante el
cual el diC/dt causa una cada de tensin transitoria en sus bornes debido a la inductancia
parsita Lpar.

5.3 Conclusiones

Se realizaron pruebas en conmutacin dura tanto en simulacin, como
experimentalmente con los mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H.

Para la obtencin de la corriente impulsional necesaria dependi fuertemente de la
inductancia de carga, el voltaje de alimentacin y el tiempo del dispositivo auxiliar, pero el
parmetro mas importante fue el banco de condensadores el cual fue el que almacen la
energa a utilizar en cada una de las pruebas y siendo el parmetro que limitaba la mxima
corriente impulsional que se poda alcanzar en funcin de otros parmetros.

Como se observa en las graficas obtenidas de las pruebas realizadas con los
mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H son muy similares, sin embargo se puede
apreciar que con el mdulo CM1000HA-24H se presentaron algunas distorsiones y picos
causados por la inductancia parsita del circuito. Referente a la prueba en corto circuito tipo
I se aprecia que se presentaron problemas a bajo voltaje y debido a esto se dao el
dispositivo CM150DU-24HB.

80

Captulo 6

Conclusiones y trabajos futuros

En este trabajo se present un estudio de los diferentes dispositivos de alta tensin
que actualmente se encuentran en el mercado, con la finalidad de conocer sus
caractersticas, as como sus ventajas y desventajas. Esto ayuda saber, de acuerdo al
comportamiento que presenta cada dispositivo, cual es el DSEP ptimo a utilizar en una
aplicacin especfica para tener prdidas mnimas.

Se realiz un estudio de las diferentes topologas de tipos de fuentes mayormente
conocidas, dentro de las cuales se hizo una seleccin de acuerdo a las caractersticas
requeridas por el banco de pruebas tomando como referencia la topologa de puente
completo.

En funcin de la topologa escogida, se pas al diseo y anlisis de la fuente de CD
de alto voltaje:

Se realiz el diseo de la parte de control para suministrar los pulsos de los
interruptores, dentro del cual se contempl una parte de proteccin para cualquier
falla de los interruptores con el fin de apagar inmediatamente el control.
Se seleccionaron los dispositivos bajo prueba, lo cual se realiz en funcin de
contemplar que la fuente debera proporcionar valores elevados de corrientes de
conduccin y tensiones de bloquo, considerando su uso para un banco de pruebas
para dispositivos de alta potencia.
Se seleccionaron los impulsores mas adecuados para dichos interruptores.
Se dise el transformador elevador, el cual fue uno de los puntos ms importantes,
ya que por ser de alta frecuencia y considerando las grandes tensiones y corrientes a
soportar, se hizo un anlisis detallado y minucioso para obtener el mejor rendimiento
del mismo.
Se dise el rectificador, tomando en cuenta que los dispositivos deban ser diodos
rpidos y de alto voltaje de bloquo.


Se dise el filtro, tomando en cuenta el voltaje de salida requerido para la fuente y de
ah se seleccion un condensador de alto voltaje y tambin de alto valor de
capacitancia.

Se hizo un anlisis matemtico de la fuente de CD de alto voltaje, y se verific
mediante su implementacin en el programa matemtico Mathcad, lo cual arroj muy
buenos resultados dando seales de salida muy similares a lo que se esperaba. Las seales
que se esperaban eran formas de onda que se haban obtenido en la simulacin de la fuente
en el programa de simulacin de circuitos PSpice. En este programa se realiz la
simulacin de la fuente completa, tomando seales de las partes principales de la fuente de
CD de alto voltaje.

Despus de haber realizado el diseo y los anlisis en simulacin, se procedi a la
implementacin prctica de cada una de las partes que conforma la fuente de CD de alto
voltaje. Ya construida cada una de las etapas de la fuente, se procedi a medir formas de
onda para verificar el buen funcionamiento de la misma.

De las seales de corrientes y tensiones se apreci que los resultados obtenidos en el
anlisis matemtico en Mathcad, en simulaciones de PSpice y en la prctica fueron muy
similares. Algunas de las diferencias que se apreciaron son pequeas distorsiones de las
seales en la parte en la que se apaga un par de interruptores y se enciende el otro par. Estas
distorsiones se presentaron principalmente debido al tiempo muerto entre el encendido y el
apagado.

Las especificaciones planteadas para el diseo de la fuente fueron de Vo = 2500 V e
Io = 1 A (Po = 2500 W), pero no se pudieron alcanzar, puesto que la fuente que se utiliz
para alimentar el bus de CD del inversor solo soporta alrededor de los 1000 W con una
tolerancia de 300 W, y los valores mximos obtenidos fueron Vo = 1900 V con una
corriente de salida de 700 mA de lo cual se puede concluir que la fuente de CD de alto
voltaje diseada, analizada y construida opera conforme los requerimientos energticos
demandados. Aunque la fuente es una parte importante del banco de pruebas, este consiste
de otras partes, como lo son: el almacenamiento de energa, el control, los impulsores, los
dispositivos auxiliares y el dispositivo bajo prueba. La gran capacitancia que se requiere, es
principalmente debido a que tiene que considerar una parte referente al almacenamiento de
energa, la cual se realiz mediante los condensadores de filtrado de la fuente.

Ya construida la fuente de alto voltaje en conjunto con la etapa de almacenamiento
de energa, se procedi a implementar los circuitos de prueba con sus respectivos controles
e impulsores, dando como resultado el banco de pruebas completo.

Teniendo el banco de pruebas listo para utilizarse, se procedi a realizar pruebas de
conmutacin dura con dos dispositivos a manera de verificar el buen funcionamiento del
mismo. Las pruebas se realizaron con los mdulos CM150DU-24HA y CM1000HA-28H
variando el voltaje de alimentacin V0 y manteniendo la corriente de conduccin IC
constante y posteriormente variando la corriente de conduccin manteniendo el voltaje de
alimentacin constante.

82

Conclusiones y trabajos futuros

Se observan resultados muy similares entre las simulaciones con el mdulo
CM150DU-24HB y las pruebas experimentales del mismo. Las formas de onda obtenidas
para el mdulo CM1000HA-28H, sin embargo, muestran un comportamiento algo diferente
de este dispositivo ante la variacin de parmetros realizada. Para este mdulo no se
obtuvieron resultados en simulacin, puesto que no se contaba con su modelo en Pspice.

Los resultados obtenidos ante las variaciones de parmetros se presentan en la Tabla
6.1, que se muestra a continuacin.

Tabla 6.1 Resultados obtenidos en conmutacin dura

De acuerdo a los buenos resultados obtenidos en la prueba de conmutacin dura,
qued verificado el funcionamiento del banco de pruebas para caracterizar dispositivos de
alta potencia. Sin embargo, en base a las pruebas realizadas en corto circuito con el banco,
queda visto que se deben hacer mejoras para corregir los problemas encontrados, entre los
cuales se puede mencionar el circuito de control y los elementos parsitos del circuito.

Trabajos futuros

Como trabajos futuros para realizarse se proponen los siguientes:

Implementar un sistema de cargado de condensadores para controlar el tiempo
de carga y descarga durante las pruebas realizadas.

Agregar snubbers para controlar el di/dt.

Disminuir la inductancia parsita de cableado utilizando barras en lugar de
cables en la parte de potencia para unir todos los componentes.

Implementar un soporte mecnico robusto que resista las potencias de
conmutacin muy elevadas que se quieren manejar con este banco y evite las
posibles vibraciones mecnicas.

83
Parmetro variado Encendido Apagado
Voltaje de alimentacin
(V0)
V0
- El tiempo de caida
de vCE aumenta
- Aumenta la
pendiente diC/dt
- El tiempo de subida
de vCE aumenta
- Aumenta la cola de
apagado de iC
Corriente de conduccin
(IC)
IC
- El tiempo de
encendido aumenta
- Aumenta la
pendiente diC/dt
- Aumenta la
pendiente diC/dt


Realizar un mejor circuito de control para obtener pulsos de compuerta mas
adecuados para las pruebas a realizar, as como control de las pruebas a
distancia usando varios metros de fibra ptica

Hacer pruebas en conmutacin dura a mas altos valores de voltaje y corriente,
variando otros parmetros como son: la resistencia de compuerta, la
temperatura, el di/dt, entre otros.

Realizar pruebas en conmutacin dura, as como pruebas en casos extremos y
conmutacin suave a cero corriente y a cero voltaje con variacin de parmetros

84

Bibliografa

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parmetros para un modelo fsico de IGBT, Tesis de maestra, cenidet, Cuernavaca
Morelos, 2001.

86

Anexo I

Anlisis en Matcad
F Vo( t )
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5
Figura AII.1 Voltaje en el primario del transformador
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5
AII.2 en el del del


A continuacin se presenta las ecuaciones utilizadas en el programa Mathcad, as
como las graficas obtenidas con ellas.

F 20000 T
1

300 D 0.5 T = 5.10

5

A D.T

A = 2.5.10

5

n 5

Vp( t ) if( ( t > 0) .( t A ) , Vo( t ) , if( ( t > A ) .( t T) , Vo( t ) , Vo( t ) ) )

200

Vp( t)

0

200

t
Voltaje en el primario del transformador

Vs( t ) if( ( t > 0) .( t A ) , Vo( t ) .n , if( ( t > A ) .( t T) , Vo( t ) .n , Vo( t ) .n ) )

1000

Vs( t)

0

1000

t
Figura VoltajeVoltajesecundariosecundariotransformadortransformador

88
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5

Anexo I

Lp 795.10

6

I( t )
Vp(

t

)
.
2.Lp

t

H( t )
Vp(

t

)
.
2.Lp

( t

A )
Ip( t ) if( ( t > 0) .( t A ) , I( t ) , if( ( t > A ) .( t T) , H( t ) , 0 )

5

Ip( t)

0

5

t

Figura A11.3 Corriente en el primariodeldel transformador

Ls 20.10

3

I( t )
Vs(

t

)
.
4.Ls

( A

t )

H( t )
Vs(

t

)
.
4.Ls

( T

t )
Is( t ) if( ( t > 0) .( t A ) , I( t ) , if( ( t > A ) .( t T) , H( t ) , 0 )

0.5

Is( t)

0

0.5

t

Figura AII.4 Corriente en el secundario del transformador

89
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5
AII.5 del del y y del del
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5


5

Ip( t)
Is( t) .5
0

5

t

Figura CorrientesCorrientesprimarioprimariosecundariosecundariotransformadortransformador

Id( t ) Is( t )

0.6

0.4

Id( t)

0.2

0

t

Figura AII.6 Corriente enlos diodos del rectificador

90
R 5.48.10
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5
AII.7 el en el de filtrado
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5
Figura AII.8 la carga

Anexo I

3

C 440.10

6

Ic( t ) Id( t )
n

.Vo(

t

)

R

0.2

0

Ic( t )

0.2

0.4

t
FiguraCorrienteCorrientecapacitorcapacitor de filtrado

IL( t ) Id( t ) Ic( t )

0.2738

IL( t )

0.2736

0.2734

t

Corriente enCorriente en la carga

91
0 1 10 5 2 10 5 3 10 5 4 10 5 5 10 5
de de
0 2 10 5 4 10 5 6 10 5 8 10 5
de
dv/dtRizo de


VL( t ) n .Vo( t )

1502

1501

VL( t) 1500

1499

1498

t

t

Figura AII.9 Voltaje
salida
salida
DVL( t ) Id( t ) .R. 1 e

0.05
C .R

DVL( t)

0

0.05

t

Figura AII.10 Rizovoltajevoltaje dv/dt

92

Anexo II

Hojas de datos de los fabricantes

AI.1 Mdulo CM150DU-24HA
AI.2 Mdulo CM1000HA-28H
AI.3 Diodo HFA16PB120


AI.1 Mdulo CM150DU-24HA

94

Anexo II

95


96

Anexo II

97


AI.2 CM1000HA-28H

98

Anexo II

99


100

Anexo II

101


AI.3 Diodo HFA16PB120

102

Anexo II

103

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