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Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G.

Domnguez Prctica 7
Trabajo Preparatorio
Laboratorio de Dispositivos Electrnicos
Practica No 4
Nombres:
Buitrn Ricardo
Domnguez Gabriela
Fecha: 15 de diciembre del 2!
"ecti#icacin de media $ de onda completa
%bjetivo:
Lograr ue el estudiante se !amiliarice con el proceso de la recti!icacin" # aprenda a
considerar # reconocer todos los !actores ue en ella intervienen.
Desarrollo:
1& 'ons(ltar en (n man(al los datos de los diodos a (tili)ar&
Diodo de silicio *i" $%% PR&" '.( ).
Descripcin $ +plicacin: Propsito general es como recti!icador&
"an,os -./imos
"an,o *0mbolo 1N41 2nidad
&olta*e Pico +nverso Repetitivo
&olt. Pico +nver. Rep. de ,peracin
&olta*e de D- de bloueo
&
RR.
&
R/.
&
R
$%%% &
&olta*e Pico +nverso no Repetitivo &
R0.
$'%% &
&olta*e +nverso e!icaz &
R1rms2
7%% &
"an,o *0mbolo 1N41 2nidad
-orriente directa recti!icada
Promedio1 una sola !ase" carga
resistiva" 3% 4z" 5
)
6 7( 7-2
+
o
$ )
-orriente transitoria pico no repetitiva
1 transitoria aplicada en condiciones de
carga nominales2
+
80.
9% 1para un
ciclo2
)
Rango de temperatura de la unin de
operacin # de almacenamiento
5*"
5
almace.
:3( a ; $7( 7-
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
'aracter0sticas El3ctricas
"an,o *0mbolo 1N41 2nidad
.<ima cada instantnea de volta*e
directo 1 i
8
6$ )" 5* 6 '(7-2
&
8
5pico= %.>9
.<imo= $.$ &
.<ima cada de volta*e promedio de
ciclo completo 1 i
o
6$ )" 5
L
6 7(7-?
conductores de $ pulgada2
&
8PR,.
.<imo= %.@ &
.<ima corriente inversa 1volta*e de
D- nominal2
5* 6 '( 7 -

5* 6 $%% 7 -
+
R
Tj 4 255 '
5pico= %.%(
.<imo=$%
Tj 4 15 '
5pico=$
.<imo=(%
A)
.<ima corriente inversa promedio de
ciclo completo 1 i
o
6$ )" 5
L
6 7(7 - ?
conductores de $ pulgada2
+
RPR,.
.<imo= 9% A)
2& Dise6ar los circ(itos recti#icadores de media onda7 onda completa en toma
central $ onda completa tipo p(ente& +s(mir 8(e el trans#ormador entre,a
1 9 :rms; por bobina sec(ndaria&
"ecti#icador de -edia %nda
9 sec(ndario:
7 & 1rms2
>.@> & 1m<.2
1er *emiciclo: 2do *emiciclo
Diodo -onduce Diodo no conduce
Polarizacin Directa. Polarizacin +nversa
&o 6 >.@> & 1ideal2 &o 6 % &
&o 6 >.@> B %.7 6 >.$> & 1real2
D1
1N4007GP
R1
100ohm
A B
T
G
XSC1
XFG1
T1
NLT_PQ_4_20
. .
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
"ecti#icador de %nda completa con toma central
9 sec(ndario:
7 & 1rms2
>.@> & 1m<.2
1er *emiciclo: 2do *emiciclo
D$ -onduce D' -onduce
Polarizacin Directa Polarizacin Directa
D' no conduce D$ no conduce
Polarizacin +nversa Polarizacin +nversa
V
V
Vo >( . C
'
ma<
= =
1ideal2
V
V
Vo >( . C
'
ma<
= =
1ideal2

V V
V
Vo
B
'( . C 7 . % >( . C
'
ma<
= = =
1real2
V V
V
Vo
B
'( . C 7 . % >( . C
'
ma<
= = =
1real2
D1
1N4007GP
D2
1N4007GP
R1
100ohm
A B
T
G
XSC1
XFG1
T1
TS_AUDIO_VIRTUAL
"ecti#icador Tipo P(ente de %nda 'ompleta
9 sec(ndario:
7 & 1rms2
>.@> & 1m<.2
1er *emiciclo: 2do *emiciclo
D$ -onduce D' -onduce
Polarizacin Directa Polarizacin Directa
D' no conduce D$ no conduce
Polarizacin +nversa Polarizacin +nversa
V V Vo @> . > ma< = = V V Vo @> . > ma< = = 1ideal2
V V V Vo
B
C> . @ C . $ @> . > ' ma< = = =
1real2
V V V Vo
B
C> . @ C . $ @> . > ' ma< = = =
1real2
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
A B
T
G
XSC1
XFG1
R1
100ohm
1
2
4
3
D1
MDA2501
T1
NLT_PQ_4_10
. .
!& Dib(jar en papel milimetrado las #ormas de onda esperadas&
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
4& *im(lar cada (no de los circ(itos&
"ecti#icador de -edia %nda
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
"ecti#icador de %nda completa con toma central
"ecti#icador Tipo P(ente de %nda 'ompleta
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
5& 'onsiderando los elementos 8(e se (saran en la pr.ctica7 calc(lar los
valores instant.neos de los componentes ac $ dc de voltaje $ corriente 8(e
se esperaban obtener en el laboratorio&
"ecti#icador de -edia %nda
"ecti#icador de %nda completa con toma central
"ecti#icador Tipo P(ente de %nda 'ompleta
<& E/pli8(e como obtendr0a en el laboratorio:
a& El .n,(lo de cond(ccin del diodo&
Para calcular el ngulo de conduccin en el laboratorio debemos tomar en
cuenta el tipo de diodo ue es #a ue necesitamos el volta*e de barrera. En
este caso es de silicio por lo ue el volta*e de barrera es de %.7 &" luego
vemos el valor del volta*e m<imo en el osciloscopio con lo ue podemos
aplicar la !rmula=

=

Vm
V
sen
B $
'
b& La corriente 8(e pasa a trav3s del diodo&
Para saber la corriente del diodo primero sacamos el volta*e de salida # luego
la dividimos para el valor de la resistencia ue utilicemos en la prctica.
L
D
R
Vin
i =
$
c& El voltaje 8(e soporta el diodo en polari)acin inversa&
5enemos ue tomar en cuenta ue estamos traba*ando con diodos reales
entonces la !orma de calcular el volta*e pico inverso es=
B O
V Vm VPI + =
1& Para cada (no de los circ(itos previamente est(diados7 indi8(e los valores
8(e tendr.n los par.metros anali)ados en el p(nto anterior&
"ecti#icador de -edia %nda
"ecti#icador de %nda completa con toma central
"ecti#icador Tipo P(ente de %nda 'ompleta
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7


*(stentacin Terica
'irc(itos Limitadores $ s(jetadores con diodos&
Los circuitos con diodos se utilizan algunas veces para recortar porciones de volta*es de
seDal arriba o deba*o de ciertos niveles= a estos circuitos se les denomina limitadores o
recortadores. ,tro tipo de circuitos con diodos se usa para restaurar un nivel de D- de
una seDal elEctrica? a Estos se les denomina su*etadores. En esta seccin se estudiaran
ambos circuitos" limitadores # su*etadores con diodos.
Limitadores con diodos&
-omo se muestra en la siguiente !igura= un circuito recortador o limitador con diodos
ue limita la parte positiva del volta*e de entrada. -uando la seDal de entrada se Face
positiva" el diodo se polariza directamente. -omo el ctodo se encuentra en potencial de
tierra" el Gnodo no puede e<ceder de %.7 & 1 suponiendo ue sea de silicio 2. )s" el
punto ) se limita a ;%.7 &" el diodo se polariza inversamente # aparece como circuito
abierto. El volta*e de salida es seme*ante a la parte negativa de la entrada" pero con una
magnitud determinada por el divisor de volta*e R
0
# R
L
" como se muestra a
continuacin=
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ENT
L S
L
SAL
V
R R
R
V

+
=
0i R
0
es peueDa en comparacin con R
L
" entonces se tiene ue &sal

H & ent.
0i se invierte el diodo" como se muestra en la siguiente !igura" entonces se recortan la
parte negativa de la entrada. -uando el diodo se polariza directamente durante la parte
negativa de la entrada" el punto ) se mantiene en B%.7 & por la cada del diodo. )l
sobrepasar B%.7 & la entrada" el diodo de*a de estar polarizado directamente # aparece
un volta*e en R
L
" proporcional a la entrada.
+j(ste del Nivel de limitacin.:
El nivel al cual se limita un volta*e de seDal puede a*ustarse agregando un volta*e de
polarizacin en serie con el diodo" como se muestra en la siguiente !igura. El volta*e en
el punto ) debe ser igual a 9 de pol = &1 9" de modo ue todo el volta*e de entrada
por arriba de este nivel ueda recortado.
0i el volta*e de polarizacin sube o ba*a" el nivel de limitacin cambia
consecuentemente.
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0i se invierte la polaridad del volta*e de polarizacin" como se muestra en la siguiente
!igura" se limitan los volta*es por arriba de >9 de pol = &1 9" dando lugar a una !orma
de onda de salida como se muestra. El diodo se polariza inversamente slo cuando el
volta*e en el punto ) cae por deba*o de >9 de pol = &1 9&
R1
100ohm
V1
10V 1000!" 0D#$
D1
1B!%2
V2
12V
R2
200ohm
0i es necesario limitar un volta*e en el nivel negativo especi!icado" entonces el diodo u
la batera de polarizacin debern conectarse comos e muestra en la siguiente !igura. En
este caso" el volta*e en el punto ) debe ir deba*o de >9pol >&1 9 para polarizar
directamente el diodo e iniciar la accin de limitacin" como se muestra.
0i se invierte la batera" se obtiene la !orma de onda mostrada a continuacin.
*(jetadores con diodos&?
El ob*etivo de un su*etador es sumar un nivel de ID- a una seDal de )-. ) los
su*etadores algunas veces se les denominan restauradores de D-. En la siguiente !igura
se muestra un su*etador con diodos ue inserta un nivel positivo de D-. La operacin de
este circuito puede comprenderse considerando el primer semiciclo negativo del volta*e
de entrada. -uando la entrada se Face inicialmente negativa" el diodo se polariza
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
directamente" permitiendo ue el capacitor se cargue Fasta cerca del pico !de la entrada
19pent > &1 92" como se muestra en la !igura 1a2. Justamente arriba del pico negativo"
el diodo se polariza inversamente a causa de ue el ctodo se mantiene cerca de :9pent
> &1 9; por ala carga del capacitor. El capacitor slo puede descargarse a travEs de la
alta resistencia de R
L
. )s desde el pico de un medio ciclo negativo Fasta el siguiente" el
capacitor se descarga mu# poco. La cantidad en ue se descarga depende" por supuesto"
del valor de R
L
. Para una buena accin de su*ecin" la constante R- deber ser por lo
menos $% veces el perodo de la !recuencia de entrada.
El e!ecto neto de la accin de su*ecin es ue el capacitor retiene una carga
apro<imadamente igual al valor pico de la entrada menos la cada en el diodo. El volta*e
del capacitor actKa esencialmente como una batera en serie con la seDal de entrada"
como lo mostramos a continuacin 1b2. El volta*e de D- del capacitor se suma al de
entrada por superposicin 1c2=
a&
b&
c&
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
0i se invierte el diodo" entonces a la seDal de entrada se suma un volta*e negativo de
D-.
+plicaciones&?
) menudo" se utiliza la su*ecin en receptores de 5& se una como restaurador de D- un
circuito su*etador. La seDal de video" compuesta se procesa normalmente por medio de
ampli!icadores acoplados" capacitivamente" ue eliminan la componente D-"
perdiEndose as los niveles de re!erencia blanco # negro # el nivel borrado. )ntes de
aplicarse el cinescopio" estos niveles de re!erencia deben restaurarse.
@iblio,ra#0a
Dispositivos Electrnicos" 8L,LD" 5Foimas"Editoria Moriega" pag.39 : >>
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
Trabajo Preparatorio
Laboratorio de Dispositivos Electrnicos
Practica No <
Nombres:
Buitrn Ricardo
Domnguez Gabriela
Fecha: 12 de enero del 24
"e,(ladores de 9oltaje
%bjetivo:
-omprobar ue el uso de un regulador de volta*e me*ora la seDal continua ue se
entrega a la carga
Desarrollo:
1& 'ons(ltar en al,An man(al las caracter0sticas de los )ener $ del re,(lador
inte,rado&
Diodo )ener 1N151 Diodo )ener 1NB< Cnte,rado L-1D5'T
&olta*e zener= (.$ & &olta*e zener= >.$ & Posicin= &R
Potencia m<ima= %.( / Potencia m<ima= %.( / &olta*e Mominal= ( &
5olerancia= ( N 5olerancia= ( N -orriente .<ima= $ )
2& Para el circ(ito de la #i,(ra calc(lar&
C1
1000&F
D1
1N4007GP
D2
1N751A
R1
5%ohm
R2
150ohm
T1
NLT_VIRTUAL
. . V1
155.5%V %0!" 0D#$
a& El valor del voltaje $ de la corriente continAa en la car,a&
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
=
+
= =
=
=
=
97 . >
O
$%
> . > ma<
7
L
L
L
R rz
R rz
R rz R
rz
V V
V Vrms
mA
R
V
I
V Vz V
V
cf Rs R
V
Vrin
V
cf Rs R
Vm
V
L
DCL
DCL
DCL
DCin
DCin
9C
$ . (
'C . '
O 2 1
7@ . @
3% O $% O $ 2 97 . 3( 1 '
$
$
> . >
2 1 '
$
$
9
= =
= =
=
+
=
=
+
=
+
+
=

b& El voltaje $ el #actor de ri)ado&


N @ . $ %$@ . %
9 '
9' . %
97 . 3(
97 . >
O 'C . ' O
= =
= =
+
=
DCL
L
L
L
V
Vr
V
Rs R
R
Vrin Vr

c& Dib(jar en hojas milimetradas las #ormas de onda 8(e se esperan


obtener& :adj(ntos;
!& Para el circ(ito mostrado en la #i,(ra7 reali)ar los mismos calc(los
indicados en el p(nto anterior&
C1
1000&F
D1
1N4007GP
D2
1N751A
R1
5%ohm
R2
150ohm
V1
155.5%V %0!" 0D#$
D3
1N4007GP
T1
TS_VIRTUAL
a& El valor del voltaje $ de la corriente continAa en la car,a&
=
+
= =
=
=
=
97 . >
O
$%
> . > ma<
7
L
L
L
R rz
R rz
R rz R
rz
V V
V Vrms
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
mA
R
V
I
V Vz V
V
cf Rs R
V
Vrin
V
cf Rs R
Vm
V
L
DCL
DCL
DCL
DCin
DCin
9C
$ . (
$@ . $
O 2 1 '
9 . >
3% O $% O $ 2 97 . 3( 1 '
$
$
> . >
2 1 C
$
$
9
= =
= =
=
+
=
=
+
=
+
+
=

b& El voltaje $ el #actor de ri)ado&


N >( . % $% O (7 . >
9 '
$3> . %
97 . 3(
97 . >
O $@ . $ O
9
= =
= =
+
=

DCL
L
L
L
V
Vr
V
Rs R
R
Vrin Vr

4& "eempla)r el )ener del circ(ito del p(nto anterior por el 1NB< $ repetir los
c.lc(los reali)ados en el p(nto 1&
C1
1000&F
D1
1N4007GP
R1
5%ohm
R2
150ohm
D3
1N4007GP
T1
TS_VIRTUAL
D2
1N'%0B
a& El valor del voltaje $ de la corriente continAa en la car,a&
=
+
= =
=
=
=
97 . >
O
$%
> . > ma<
7
L
L
L
R rz
R rz
R rz R
rz
V V
V Vrms
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
mA
R
V
I
V Vz V
V
cf Rs R
V
Vrin
V
cf Rs R
Vm
V
L
DCL
DCL
DCL
DCin
DCin
%37 . 3
$ . >
$@ . $
O 2 1
9 . >
3% O $% O $ 2 97 . 3( 1 C
$
$
> . >
2 1 C
$
$
9
= =
= =
=
+
=
=
+
=
+
+
=

b& El voltaje $ el #actor de ri)ado&


N >( . % $% O (7 . >
9 '
$3> . %
97 . 3(
97 . >
O $@ . $ O
9
= =
= =
+
=

DCL
L
L
L
V
Vr
V
Rs R
R
Vrin Vr

5& En el circ(ito anterior7 reempla)ar el )ener por el re,(lador inte,rado


L-1D5'T& E#ect(ar los mismos calc(los del p(nto 1&
C1
1000&F
D1
1N4007GP
R1
5%ohm
D3
1N4007GP
T1
TS_VIRTUAL
V(#$
U1
LM7)05CT
IN OUT
R2
150ohm
a& El valor del voltaje $ de la corriente continAa en la car,a&
=
=
=
$%
> . > ma<
7
rz
V V
V Vrms
mA
R
V
I
V al Vno V
V
cf Rs R
V
Vrin
V
cf Rs R
Vm
V
L
DCL
DCL
DCL
L
DCin
L
DCin
99 . 9
( min
9> . %
O 2 1
'
7 .. >
3% O $% O $ 2 '%3 1 C
$
$
> . >
2 1 C
$
$
9
= =
= =
=
+
=
=
+
=
+
+
=

b& El voltaje $ el #actor de ri)ado&


Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
N 3 . $ %$3 . %
9 '
'@C . %
'%3
$(%
O 9> . % O
= =
= =
+
=
DCL
L
L
L
L
L
V
Vr
V
Rs R
R
Vrin Vr

<& "eali)ar en EorF bench las sim(laciones de cada (no de los circ(itos&
1&
2&
!&
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
4&
@iblio,ra#0a
Dispositivos Electrnicos" 8L,LD" 5Fomas" Editorial Moriega
Esc(ela Polit3cnica Nacional
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
Laboratorio Dispositivos Electrnicos
Practica No 1
Nombres:
Buitrn Ricardo
Domnguez Gabriela
Fecha: 2< de enero del 24
'(rvas 'aracter0sticas en Emisor comAn $ Polari)acin de Transistores bipolares
de j(nt(ra
%bjetivo:
Pue el estudiante se !amiliarice con los transistores bipolares mediante la obtencin de
sus curvas caractersticas #" el anlisis de sus circuitos de polarizacin.
E8(ipos $ Elementos "e8(eridos&
E8(ipos: Qna !uente de alimentacin de % a '% &.
Elementos= Qn protoboard" cables # puntas de prueba" transistores= 'M9>%C # 'M9>%3 o
euivalentes" # todas las resistencias ue se usan en los circuitos.
Desarrollo:
1& 'ons(ltar en (n man(al las caracter0sticas $ la asi,nacin de pines de los
transistores 2N!B4 $ 2N!B<&
2N!B4&? 5ransistor se silicio" aplicacin ms !recuente como apli!icador.
9
'@%
9
@E%
P
D
:Gatts;
7( 3 %.(%% 576'(R-
9
'E%
-a/& Cc :+; Frec(encia : -h);
C% %.3 9%%
2N!B<&? :compatible con 'M9>%C2 transistor de silicio" !unciona como
ampli!icador.
9
'@%
9
@E%
P
D
:Gatts;
@% ( %.3%% 576'(R-
9
'E%
-a/& Cc :+; Frec(encia : -h);
@%% $ '%%
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
2& H'omo determinar con (n hmmetro el tipo $ los terminales de (n
transistorI
!& "eali)ar el an.lisis de la polari)acin de los circ(itos indicados en las
si,(ientes c(atro #i,(ras:
+s(mir 8(e J 4 1
'irc(ito 1
Q1
2N3'04
R1
1.0*ohm
R2
270*ohm
R3
5%0ohm
V1
1%V
&
'irc(ito 2
Q2
2N3'04
R%
5%0ohm
V2
1%V
R5
100*ohm
V3
%V
R4
1.5*ohm
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
mA
k R R
V V
I
B E
BE EE
E
9> . 9
$%% S $%% (3%
7 . % 3
S
=
+

=
+

'irc(ito !
Q3
2N3'04
V4
1%V
R10
5.%*ohm
R)
3.3*ohm
R7
1.5*ohm
R'
470ohm
'irc(ito 4
Q4
2N3'04
V5
1%V
R14
470ohm
R11
270*ohm
R13
1.2*ohm
4& Cndi8(e el tipo de polari)acin de cada circ(ito&
'irc(ito 1& Polarizacin de la base
'irc(ito 2& Polarizacin del emisor.
'irc(ito ! Polarizacin mediante divisor de volta*e.
'irc(ito 4. Polarizacin mediante realimentacin del colector.
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
5& Preparar7 cada (no de los circ(itos7 la pista de medidas $ la metodolo,0a a
se,(irse en el laboratorio7 con el proKposito de tomar todos los valores
considerados en el trabajo preparatorio&
<& *im(lar cada (no de los circ(itos&
'irc(ito 1
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
'irc(ito 2
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
'irc(ito !
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
'irc(ito 4
Lab. Dispositivos Electrnicos R. Buitrn G. Domnguez Prctica 7
@iblio,ra#0a
8lo#d 5Fomas" Dispositivos Electrnicos" Editorial Moriega" pag '9% B 'C>.
.anual E-G" PFilips

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