Conductor elctrico

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Conductor elctrico de cobre.
Un conductor elctrico es un material que ofrece poca resistencia al paso de la
electricidad. Generalmente son aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten
el movimiento de cargas.
Contenido
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1 Descripcin
2 Usos
3 Vase tambin
4 Referencias
5 Enlaces externos
[editar] Descripcin
Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores
conductores elctricos son los metales y sus aleaciones, aunque existen otros materiales no
metlicos que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad, como el grafito o las
disoluciones y soluciones salinas (por ejemplo, el agua de mar) o cualquier material en
estado de plasma.
Para el transporte de energa elctrica, as como para cualquier instalacin de uso domstico
o industrial, los mejores conductores son el oro y la plata, pero debido a su elevado precio,
los materiales empleados habitualmente son el cobre (en forma de cables de uno o varios
hilos), o el aluminio; metal que si bien tiene una conductividad elctrica del orden del 60%
inferior es, sin embargo, un material tres veces ms ligero, por lo que su empleo est ms
indicado en lneas areas de transmisin de energa elctrica en las redes de alta tensin
1

La conductividad elctrica del cobre puro fue adoptada por la Comisin Electrotcnica
Internacional en 1913 como la referencia estndar para esta magnitud, estableciendo el
International Annealed Copper Standard (Estndar Internacional del Cobre Recocido) o
IACS. Segn esta definicin, la conductividad del cobre recocido medida a 20 C es igual a
58.0 MS/m.
2
A este valor es a lo que se llama 100% IACS y la conductividad del resto de
los materiales se expresa como un cierto porcentaje de IACS. La mayora de los metales
tienen valores de conductividad inferiores a 100% IACS pero existen excepciones como la
plata o los cobres especiales de muy alta conductividad designados C-103 y C-110.
3

[editar] Usos
Aplicaciones de los conductores:
Conducir la electricidad de un punto a otro (pasar electrones a travs del conductor;
los electrones fluyen debido a la diferencia de potencial).
Establecer una diferencia de potencial entre un punto A y B.
Crear campos electromagnticos (como en las bobinas y electroimanes).
Modificar el voltaje (con el uso de transformadores).
Crear resistencias (con el uso de conductores no muy conductivos).
[editar] Vase tambin
Conductividad elctrica
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La conductividad elctrica es la capacidad de un cuerpo o medio para conducir la
corriente elctrica, es decir, para permitir el paso a travs de l de partculas cargadas, bien
sean los electrones, los transportadores de carga en conductores metlicos o semimetlicos,
o iones, los que transportan la carga en disoluciones de electrolitos.
La conductividad es la inversa de la resistividad, por tanto , y su unidad es el S/m
(siemens por metro) o
-1
m
-1
. Usualmente la magnitud de la conductividad () es la
proporcionalidad entre el campo elctrico y la densidad de corriente de conduccin :

No confundir con la conductancia (G), que es la facilidad de un objeto o circuito para
conducir corriente elctrica entre dos puntos. Se define como la inversa de la resistencia:
.
denomina de alta conductividad (H.C. por sus siglas inglesas).
[editar] Algunas conductividades elctricas
Metales
Conductivi
dad
Elctrica
(S m
-1
)
Temperatura
(C)
Apuntes
Plata 6,30 10
7
20
La conductividad elctrica ms alta de cualquier
metal
Cobre 5,96 10
7
20

Cobre
Recocido
5,80 10
7
20
Se refiere a 100% IACS (Standard Internacional
de Cobre Recocido, de sus siglas en ingls:
International Annealed Copper Standard). Esta
es la unidad ms comun usada para medir la
conductividad de materiales no magnticos
usando el metodo de las corrientes de Foucault
(corrientes parasitas)
Oro 4,55 10
7
20-25

Aluminio 3,78 10
7
20

Tungsteno 1,82 10
7


Hierro 1,53 10
7


Semiconduct
ores
Conductivi
dad
Elctrica
(S m
-1
)
Temperatura
(C)
Apuntes
Carbono 2,80 10
4


Germanio 2,20 10
-2


Silicio 1,60 10
-5


Aislantes
Conductivi
dad
Elctrica
Temperatura
(C)
Apuntes
(S m
-1
)
Vidrio 10
-10
a 10
-14


Lucita < 10
-13


Mica 10
-11
a 10
-15


Tefln < 10
-13


Cuarzo 1,33 10
-18


Solo si est fundido, en estado slido es un
semiconductor.
Parafina 3,37 10
-17


Lquidos
Conductivi
dad
Elctrica
(S m
-1
)
Temperatura
(C)
Apuntes
Agua de mar 5 23
Ver
http://www.kayelaby.npl.co.uk/general_physics/
2_7/2_7_9.html para ms detalles sobre las
distintas clases del agua marina.
5(S m
-1
) para una salinidad promedio de 35 g/kg
alrededor de 23(C) Los derechos de autor del
material enlazado se pueden consultar en
http://www.kayelaby.npl.co.uk/copyright/
Agua potable
0,0005 a 0,0
5
Este rango de valores es tpico del agua potable
de alta calidad mas no es un indicador de la
calidad del agua.
Agua
desionizada

Dielctrico
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Se denomina dielctricos a los materiales que no conducen la electricidad por lo que
pueden ser utilizados como aislantes elctricos. Adems, si son sometidos a un campo
elctrico externo puede establecerse en ellos un campo elctrico interno, a diferencia de los
materiales aislantes con los que suelen confundirse. Todos los dielctricos son aislantes
pero no todos los aislantes son dielctricos.
1

Algunos ejemplos de este tipo de materiales son el vidrio, la cermica, la goma, la mica, la
cera, el papel, la madera seca, la porcelana, algunas grasas para uso industrial y electrnico
y la baquelita.
[editar] Aplicaciones
Los dielctricos se utilizan en la fabricacin de condensadores, para que las cargas
reaccionen. Cada material dielctrico posee una constante dielctrica k. Tenemos k para los
siguiente dielctricos: vaco tiene k = 1; aire (seco) tiene k = 1,00059; tefln tiene k = 2,1;
nylon tiene k = 3,4; papel tiene k = 3,7; agua (Qumicamente pura) tiene k = 80.
Los dielctricos ms utilizados son el aire, el papel y la goma. La introduccin de un
dielctrico en un condensador aislado de una batera, tiene las siguientes consecuencias:
Disminuye el campo elctrico entre las placas del condensador.
Disminuye la diferencia de potencial entre las placas del condensador, en una
relacin Vi/k.
Aumenta la diferencia de potencial mxima que el condensador es capaz de resistir
sin que salte una chispa entre las placas (ruptura dielctrica).
Aumento por tanto de la capacidad elctrica del condensador en k veces.
La carga no se ve afectada, ya que permanece la misma que ha sido cargada cuando
el condensador estuvo sometido a un voltaje.
Normalmente un dielctrico se vuelve conductor cuando se sobrepasa el campo de ruptura
del dielctrico. Esta tensin mxima se denomina rigidez dielctrica. Es decir, si
aumentamos mucho el campo elctrico que pasa por el dielctrico convertiremos dicho
material en un conductor.
Tenemos que la capacitancia con un dielctrico llenando todo el interior del condensador
esta dado por: C = kEoA / d (Donde Eo es la permitividad elctrica del vaco).
Este invento se Realizo en panama
Semiconductor
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Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la
presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla
adjunta.
Elemento Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd 12 2 e
-

Al, Ga, B, In 13 3 e
-

Si, C, Ge 14 4 e
-

P, As, Sb 15 5 e
-

Se, Te, (S) 16 6 e
-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los
de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a
todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
Contenido
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1 Tipos de semiconductores
o 1.1 Semiconductores intrnsecos
o 1.2 Semiconductores extrnsecos
1.2.1 Semiconductor tipo N
1.2.2 Semiconductor tipo P
2 Vase Tambin
3 Enlaces externos
4 Semiconductores y electrnica
[editar] Tipos de semiconductores

[editar] Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la
banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin.
Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de
recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos
permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
n
i
= n = p
siendo n
i
la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes
elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de
conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de
valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de
huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
[editar] Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte
de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en dia se
han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.
[editar] Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del
silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej.
fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de
un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso
los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn
extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el
semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado
tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
[editar] Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como
huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con
tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B,
In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo
tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrara en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por
la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se
ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores
son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As,
los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen
impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.
[editar] Vase Tambin
Aislamiento elctrico
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El aislamiento elctrico se produce cuando se cubre un elemento de una instalacin
elctrica con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material que
resiste el paso de la corriente a travs del elemento que recubre y lo mantiene en su
trayectoria a lo largo del conductor. Dicho material se denomina aislante elctrico.
Contenido
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1 Diferencia entre aislantes y conductores
2 Ley de Ohm
3 Notas
4 Vase tambin
5 Enlaces externos
[editar] Diferencia entre aislantes y conductores


Cinta aislante elctrica.
La diferencia de los distintos materiales es que los aislantes son materiales que presentan
gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen y los conductores tienen cargas
libres y que pueden moverse con facilidad.
De acuerdo con la teora moderna de la materia (comprobada por resultados
experimentales), los tomos de la materia estn constituidos por un ncleo cargado
positivamente, alrededor del cual giran a gran velocidad cargas elctricas negativas. Estas
cargas negativas, los electrones, son indivisibles e idnticas para toda la materia.
En los elementos llamados conductores, algunos de estos electrones pueden pasar
libremente de un tomo a otro cuando se aplica una diferencia de potencial (o tensin
elctrica) entre los extremos del conductor.
A este movimiento de electrones es a lo que se llama corriente elctrica. Algunos
materiales, principalmente los metales, tienen un gran nmero de electrones libres que
pueden moverse a travs del material. Estos materiales tienen la facilidad de transmitir
carga de un objeto a otro, estos son los antes mencionados conductores.
Los mejores conductores son los elementos metlicos, especialmente el oro, plata (es el
ms conductor),
1
el cobre, el aluminio, etc.
Los materiales aislantes tienen la funcin de evitar el contacto entre las diferentes partes
conductoras (aislamiento de la instalacin) y proteger a las personas frente a las tensiones
elctricas (aislamiento protector).
[editar] Ley de Ohm
Ley de Ohm: V = I x R
El voltaje hace que la electricidad fluya a lo largo de los alambres de cobre, mientras que el
aislamiento que cubre dichos alambres ejercen una resistencia al paso de corriente, que es
mucho menor a lo largo del alambre.
Al aplicar la Ley de Ohm al alambre, tendremos que a menor resistencia del alambre, se
tendr ms corriente con el mismo voltaje. Es importante tener presente que ningn
aislamiento es perfecto (su resistencia no es infinita), de modo que cierta cantidad de
electricidad fluye a lo largo del aislamiento a travs de la tierra. Esta corriente puede ser de
millonsimas de amperios, pero se debe medir con un buen instrumento de prueba de
aislamiento, como el meghmetro, popularmente conocido como "Megger".
En resumen, un buen aislamiento es el que no se deteriora al aumentar el voltaje y por ende,
la corriente, obtenindose una resistencia alta, la cual se debe mantener en el tiempo. Esto
se visualiza al realizar mediciones peridicas y estudiando la tendencia que provoca que un
aislamiento se deteriore.
Existen diferentes tipos de solicitaciones:
Sobretensiones en rgimen permanente, o sobretensiones permanentes o en sus
proximidades). Se caracterizan por un frente escarpado de duracin comprendida
entre microsegundos y milisegundos:
Frente lento: Frente de 20 microsegundos a 500 microsegundos, cola de hasta 20
milisegundos.
Frente rpido: Frente de 0`1 microsegundos a 20 microsegundos, cola de hasta 300
microsegundos.
Frente muy rpido: Frente menor(que haya contacto elctrico) Los materiales
utilizados ms frecuentemente son los plsticos y las cermicas.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre
las bandas de valencia y conduccin, que dificulta la existencia de electrones libres capaces
de conducir la electricidad a travs del material (para ms detalles ver semiconductor).
Un material aislante de la electricidad tiene una resistencia tericamente infinita. Algunos
materiales, como el aire o el agua son aislantes bajo ciertas condiciones pero no para otras.
El aire, por ejemplo, aislante a temperatura ambiente y bajo condiciones de frecuencia de la
seal y potencia relativamente bajas, puede convertirse en conductor.
Materiales conductores: metales, hierro, mercurio, oro, plata, cobre, platino, plomo, etc.
Materiales aislantes: plstico, madera, cermicas, etc.