Instituto Tecnolgico de Los Mochis.

Carrera:
INGENIERA MECATRNICA







Asignatura:
ELECTRNICA ANALGICA


Facilitador:
ING. HUGO CASTILLO MEZA

Grupo:
M-51


Estudiante:
VCTOR DE JESS BERNAL SANDOVAL


UNIDAD 3.
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) Y DE EFECTO DE CAMPO (FET)


29 DE SEPTIEMBRE DEL 2014
TRABAJO
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
ELECTRNICA ANALGICA
Ing. Hugo Castillo Meza
Alumno: Bernal Sandoval Victor de Jess
N de Control: 12440123
pg. 2

3.1 Transistor bipolar (BJT)
El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell
Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la
direccin de William Shockley. La versin de juntura, inventada por
Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito
en diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de
TBJ ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de
circuitos digitales integrados.
La estructura bsica de un transistor de unin bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor) determina
sus caractersticas de operacin. Es decir las forma en que se utilizan los materiales
semiconductores para formar un BJT.

3.1.1 Construccin interna y polarizacin
El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres
regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn,
como lo muestra la estructura plana epitaxial. Las tres
regiones se llaman emisor, base y colector. Existen dos tipos
de representaciones fsicas de tipos de BJT. Un tipo se
compone de dos regiones n separadas por una regin p (npn)
y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una regin n (pnp). El trmino bipolar se
refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura
de transistor.
Con la polarizacin, las terminales se identificaron por medio de las letras maysculas E para
emisor, C para colector y B para base. La conveniencia de esta notacin se pondr de manifiesto
cuando analicemos la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction
transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho
de que huecos y electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material opuestamente
polarizado. Si se emplea slo un portador (electrn o hueco), se considera que es un dispositivo
unipolar. El diodo Schottky pertenece a esa clase.
Corrientes del transistor
Las correspondientes a un transistor pnp se muestran la flecha en el emisor en el interior de los
smbolos de transistor apunta en la direccin de la corriente convencional. Estos diagramas
muestran que la corriente de emisor (I
E
) es la suma de la corriente de colector (I
C
) y la corriente de
base (I
B
)
I
E
= I
C
+ I
B

La corriente I
B
es muy pequea comparada con I
E
o I
C
. El subndice de letra mayscula indica
valores de cd.
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La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (I
C
)
entre la corriente de cd de la base (I
B
) y se expresa como beta de cd (
CD
).

El cociente de la corriente de cd del colector (I
C
) entre la corriente de cd del emisor (I
E
) es el alfa de
cd (
CD
). La alfa es un parmetro menos utilizado que la beta en circuitos con transistores.

3.1.2 Configuraciones
3.1.2.1 Base comn
La terminologa en base comn se deriva del hecho de
que la base es comn tanto para la entrada como para
la salida de la configuracin. Adems, la base por lo
general es la terminal ms cercana a, o en, un
potencial de tierra. Las direcciones de la corriente se
referirn a un flujo convencional (de huecos) y no a
uno de electrones. Esta opcin se bas principalmente
en el hecho de que la mayor parte de la literatura
disponible en instituciones educativas e industriales
emplea el flujo convencional, y las flechas en todos los
smbolos electrnicos tienen una direccin definida de
acuerdo con esta convencin. Para el transistor:
La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del
emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.
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Todas las direcciones de la corriente son las
direcciones reales como las define el flujo convencional.
Observe en cada caso que I
E
= I
C
+ I
D,
y tambin que la
polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es tal como para
establecer corriente en la direccin indicada en cada rama. Es
decir, compare la direccin de I
E
con la polaridad de V
EE
con
cada configuracin y la direccin de I
C
con la polaridad de V
CC
.
Para describir plenamente el comportamiento de un
dispositivo de tres terminales como el de los amplificadores
en base comn, se requieren dos conjuntos de
caractersticas, uno para los parmetros de entrada (punto de
manejo) y el otro para el lado de salida. El conjunto de
entrada para el amplificador en base comn relaciona una
corriente de entrada (I
E
) con un voltaje de entrada (V
BE
) para
varios niveles de voltaje de salida (V
CB
).
El conjunto de salida relaciona una corriente de
entrada (I
C
) con un voltaje de salida (V
CB
) para
varios niveles de corriente de entrada (I
E
). La salida
o conjunto de caractersticas del colector ofrece
tres regiones bsicas de inters, las regiones
activa, de corte y saturacin. La primera es la
regin que normalmente se emplea para
amplificadores lineales (sin distorsin). En
particular:
En la regin activa la unin base-emisor se
polariza en directa, en tanto que la unin colector-
base se polariza en inversa.
Observe que a medida que la corriente en el emisor se incrementa por encima de cero, la
corriente del colector aumenta a una magnitud igual en esencia a la de la corriente del emisor,
como lo determinan las relaciones de corriente bsicas para el transistor. Observe tambin el
efecto casi insignificante de V
CB
en la corriente a travs del colector para la regin activa. Las
curvas indican con claridad que una primera aproximacin a la relacin de I
E
e I
C
en la regin activa
est dada por

Como su nombre lo dice, la regin de corte se define como aquella donde la corriente en el
colector es de 0 A. Adems:
En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se polarizan en
inversa.
La regin de saturacin se define como aquella regin de las caractersticas a la izquierda de
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V
CB
= 0. La escala horizontal en esta regin se ampli para mostrar con claridad el
cambio dramtico de las caractersticas en esta regin. Observe el incremento exponencial de la
corriente del colector al incrementarse el voltaje V
CB
hacia 0 V.

En la regin de saturacin las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.

Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 revelan que para valores fijos de voltaje en el
colector (V
CB
), a medida que se incrementa el voltaje base a emisor, la corriente del emisor se
incrementa en una forma muy parecida a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles cada
vez mayores de V
CB
tienen un efecto tan pequeo en las caractersticas, que como una primera
aproximacin el cambio producido por los cambios de V
CB
puede ser ignorado y entonces trazar las
caractersticas. Si aplicamos el mtodo lineal por segmentos resultan las caractersticas. Si damos
un paso ms adelante e ignoramos la pendiente de la curva y, por consiguiente, la resistencia
asociada con la unin polarizada en directa. Una vez que un transistor se enciende,
supondremos que el voltaje base-emisor ser el siguiente:

En otras palabras, el efecto de las variaciones producidas por VCB y la pendiente de las
caractersticas de entrada se omitirn cuando analicemos redes con transistores para obtener una
respuesta real sin que nos involucremos demasiado con variaciones de parmetros de menor
importancia.

Polarizacin

La polarizacin apropiada de la configuracin de base comn en
la regin activa se determina de inmediato con la aproximacin

y suponiendo por el momento que

ACCIN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR



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3.1.2.2 Emisor comn
La configuracin de transistor que ms
frecuentemente para los transistores
pnp y npn. Se llama configuracin en
emisor comn porque el emisor es
comn o sirve de referencia para las
terminales de entrada y salida (en este
caso es comn para las terminales base
y colector). De nueva cuenta se
requieren dos conjuntos de
caractersticas para describir
plenamente el comportamiento de la
configuracin en emisor comn: uno
para el circuito de entrada o de base-
emisor y uno para el circuito de salida o
de colector-emisor.

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Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional
real. Aun cuando la configuracin del transistor cambi, las relaciones de corriente previamente
desarrolladas para la configuracin en base comn siguen siendo vlidas. I
E
= I
C
+ I
B
e I
C
= I
E

En la regin activa de un amplificador en emisor comn, la unin base-emisor se polariza en
directa en tanto que la unin colector-base est en inversa.


Para propsitos de amplificacin lineal (distorsin mnima), I
C
= I
CEO
define el corte para la
configuracin en emisor comn.

Polarizacin
La polarizacin correcta de un amplificador en emisor comn se determina de manera parecida a
la de la configuracin en base comn. Supongamos que tenemos un transistor npn al que
debemos aplicar la polarizacin correcta para situar al dispositivo en la regin activa.


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3.1.2.3 Colector comn.
La tercera y ltima configuracin del
transistor es la configuracin en colector
comn, con las direcciones de la
corriente y notacin de voltaje
correctas. La configuracin en colector
comn se utiliza sobre todo para igualar
impedancias, puesto que tiene una alta
impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida, lo contrario de las
configuraciones en base comn y en
emisor comn.
Una configuracin de circuito en
colector con el resistor de carga conectado desde el emisor a tierra.
Observe que el colector est unido a tierra aun cuando el transistor
est conectado del mismo modo que en la configuracin en emisor
comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere un
conjunto de caractersticas en colector comn para seleccionar los
parmetros del circuito. Se puede disear utilizando las
caractersticas en emisor comn. En la prctica, las caractersticas de
salida de la configuracin en colector comn son las mismas de la
configuracin en emisor comn. Para la configuracin en colector
comn las caractersticas de salida son una grfica de I
E
contra V
CE
con
un rango de valores de I
B
. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con las
caractersticas en emisor comn como en colector comn. Por ltimo, ocurre un cambio casi
imperceptible en la escala vertical de I
C
de las caractersticas en emisor comn si I
C
se reemplaza
con I
E
para las caractersticas en colector comn (puesto que ). Para el circuito de entrada de
la configuracin en colector comn bastan las caractersticas bsicas en emisor comn para
obtener la informacin requerida.


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