Clave y Materia: 6T4 Microcontroladores Hora: 12:00 -13:00 Profesor: Mndez Gamboa Marcos Alonso
Fecha: 29/septiembre/2014
H. VERACRUZ, VER. Agosto-Diciembre 2014
CLASIFICACIN DE MEMORIAS Objetivos Comprender y utilizar en forma correcta la terminologa asociada con los sistemas de memoria. Describir la diferencia entre memoria de lectura/escritura y memoria de slo lectura. Hablar sobre la diferencia entre memoria voltil y no voltil. Explicar la diferencia entre SRAM y DRAM. Comparar las ventajas y desventajas relativas de la EPROM, EEPROM y la memoria flash. Describir los tipos especiales de memorias, como las LIFO y FIFO. Describir la diferencia entre los discos magneto-pticos y magnticos. Introduccin Una de las principales ventajas de los sistemas digitales sobre los analgicos es su habilidad para almacenar con facilidad grandes cantidades de informacin y datos digitales, durante periodos cortos y largos. Esta capacidad de memoria es lo que hace a los sistemas digitales tan verstiles y adaptables a muchas situaciones. Los registros de FF son elementos de memoria de alta velocidad, los cuales se utilizan mucho en las operaciones internas de una computadora digital, en donde la informacin digital se desplaza continuamente de una ubicacin a otra. Los avances en las tecnologas LSI y VLSI han hecho posible colocar grandes cantidades de FFs en un solo chip, ordenados en diversos formatos de arreglos de memoria. Estas memorias son los dispositivos de memoria ms veloces disponibles, y su costo se ha ido reduciendo en forma continua, a medida que mejora la tecnologa LSI. Los datos digitales tambin pueden almacenarse como cargas en capacitores; y un tipo muy importante de memoria semiconductora utiliza este principio para obtener un almacenamiento de alta densidad con niveles bajos de requerimiento de energa. Las memorias semiconductoras se utilizan como memoria principal de una computadora (figura 1), en donde la operacin rpida es importante. La memoria principal est en comunicacin constante con la unidad central de procesamiento a medida que se ejecuta un programa de instrucciones. La RAM y la ROM forman esta memoria principal. La memoria auxiliar es otra forma de almacenamiento en la computadora (figura 1), esta memoria auxiliar est separada de la memoria de trabajo principal y tiene la capacidad de almacenar cantidades masivas de datos, sin necesidad de energa elctrica. Opera a una velocidad mucho ms lenta que la memoria principal; almacena programas y datos que la CPU no utiliza en ese momento.
Figura 1.- Un sistema computacional utiliza por lo general, memoria principal de alta velocidad y memoria auxiliar externa ms lenta. CONEXIONES ENTRE CPU Y MEMORIA La memoria principal de una computadora est compuesta por CIs tipo RAM y ROM, los cuales se conectaran a la CPU a travs de tres grupos de lneas de seal o buses, los cuales se representan en la figura 2 como: Bus de direccin. Este bus unidireccional transporta las salidas de la direccin binaria del CPU hacia los CIs de memoria, para seleccionar una ubicacin de memoria. Bus de datos. Este bus bidireccional transporta los datos entre el CPU y los CIs de memoria. Bus de control. Este bus transporta las seales de control (tales como la seal R/W) desde el CPU hacia los CIs de memoria. Cada uno de estos buses consiste de varas lneas, y el nmero de lneas en cada bus varia de una computadora a otra.
Figura 2.- Tres buses conectan a las CIs de la memoria principal con la CPU. OPERACIONES BSICAS DE LAS MEMORIAS Operacin de escritura Para almacenar un byte de datos en memoria, se introduce en el bus de direcciones un cdigo que se encuentra almacenado en el registro de direcciones, una vez que el cdigo de direccin est ya en el bus, el decodificador de direcciones decodifica la direccin y selecciona la posicin de memoria especificada. La memoria recibe entonces una orden de escritura y os datos almacenados en el registro de datos se introducen en el bus de datos y se almacenan en la direccin de memoria especificada, completndose as la operacin de escritura. Cuando se escribe un nuevo byte de datos en una direccin de memoria, se sobrescribe y destruye el byte de datos almacenado actualmente en esa direccin. Operacin de lectura Se introduce en el bus de direcciones un cdigo almacenado en el registro de direcciones, una vez que el cdigo de direcciones se encuentra en el bus, el decodificador de direcciones decodifica la direccin y selecciona la posicin especificada de la memoria. La memoria recibe entonces una orden de lectura, y una copia del byte de datos almacenado en la direccin de memoria seleccionada se introduce en el bus de datos y se carga en el registro de datos, finalizando as la operacin de lectura.
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM) La memoria de solo lectura es un tipo de memoria semiconductora que mantiene de forma permanente o semipermanente los datos almacenados, que pueden ser ledos de la memoria pero, o no se pueden cambiar en absoluto, o se requiere un equipo especial para ello. Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en las aplicaciones, tales como tablas, conversiones o instrucciones programadas para la inicializacin y el funcionamiento de un sistema. Las ROM mantienen los datos almacenados cuando se desconectan la alimentacin y son por tanto, memorias no voltiles. Al proceso de introducir datos se le llama programacin o quemado de la ROM. Algunas ROM no pueden cambiar sus datos una vez programadas; otras pueden borrarse y reprogramarse tantas veces como se requiera. ARQUITECTURA DE LA ROM Hay cuatro partes bsicas arreglo de registros, decodificador de fila, decodificador de columna y bferes de salida.
Figura 3.- Arquitectura de una ROM de 16x8. Cada registro almacena una palabra de ocho bits. Arreglo de registros En arreglo de registros almacena los datos que se programan en la ROM. Cada registro contiene varias celdas de memoria que equivalen al tamao de palabra. En este caso, cada registro almacena una palabra de ocho bits. Decodificacin de direccin Determina que registro en el arreglo se habilitar para colocar su palabra de datos de ocho bits en el bus. Solo habr un registro en la fila y la columna seleccionadas por las entradas de direccin. Bferes de salida El registro que se habilite mediante las entradas de direccin colocar sus datos en el bus de datos. Estos datos se alimentan hacia los bferes de salida, los cuales pasarn esos datos hacia las salidas de datos externas, siempre y cuando CS (seleccin del chip) permanezca en BAJO. Si CS cambia a ALTO, los bferes de salida se colocarn en el estado Hi-Z y las salidas D 7 a D 0 estarn flotando.
TIPOS DE ROMS ROM programada por mscara Es una memoria programada de forma permanente durante el proceso de fabricacin, para proporcionar funciones estndar de uso extendido, tales como conversiones populares, o para proporcionar funciones especificadas para el usuario. El proceso utiliza una mscara para depositar metales en el silicio, los cuales determinan en dnde se forman las conexiones de una manera similar al uso de patrones y pintura en aerosol, pero en una escala mucho ms pequea. La mscara es muy precisa y costosa, y debe fabricarse de manera especfica para el cliente, con la informacin binaria correcta. En consecuencia, este tipo de ROM es econmica slo cuando se van a fabricar muchas ROMs con la misma informacin exacta. Por lo general, a las ROMs programadas por mscara se les conoce slo como ROMs. ROMs programables (PROMs) Las PROM utilizan un mecanismo de fundicin que el usuario manipula segn sus necesidades, donde un hilo de memoria se funde o queda intacto para representar un 1 o un 0. El proceso de fundicin es irreversible. Los tres tipos bsicos de tecnologas de fusibles utilizados en las PROM son: Conexiones de metal: se realizan con materiales como nicromo. Cada bit de la matriz de memoria se representa mediante una conexin separada. Durante la programacin, la conexin puede fundirse o quedar intacta. Bsicamente esto se realiza direccionando primero una determinada celda, y luego aplicando una cantidad de corriente suficientemente alta como para hacer que la conexin se abra. Conexiones de silicio: estn constituidas por tiras estrechas y alargadas de silicio policristalino. La programacin de estos fusibles requiere que las conexiones se funda por el paso de una cantidad de corriente adecuado a travs de ellas. Esta cantidad de corriente hace que aumente la temperatura en el fusible, lo que origina que se oxide el silicio, formando un aislante alrededor de la conexin que ahora est abierta. Uniones PN: consiste bsicamente en dos uniones PN dispuestas una frente a la otra. Durante el proceso de programacin, una de las uniones de los diodos entra en avalancha, y el voltaje y el calor resultantes hacen que los iones de aluminio migren y cortocircuiten la unin. La unin restante se utiliza posteriormente como diodo polarizado en directa para representar un bit de datos.
Figura 4.- Las PROMs utilizan enlaces de fusible; el usuario puede abrir estos enlaces en forma selectiva para programar un 0 lgico en una celda.
ROM programable y borrable (EPROM) A diferencia de una PROM ordinaria, una EPROM puede ser reprogramada si antes se borra el programa existente en la matriz de memoria. Una vez programada, la EPROM es una memoria no voltil que almacenar sus datos en forma indefinida. Los dos tipos de fundamentales de memorias PROM borrables son: UV EPROM: se puede reconocer por la ventana de cuarzo transparente de su encapsulado, como se muestra en la figura 4. La puerta aislada del FET de una EPROM ultravioleta est flotando dentro del material xido aislante. El proceso de programacin hace que los electrones sean eliminados de la puerta flotante. El borrado se realiza mediante la exposicin del chip de la matriz de memoria a una radiacin ultravioleta de alta intensidad, a travs de la ventana de cuarzo en la parte superior del encapsulado. La carga positiva almacenada en la puerta neutraliza despus de un periodo de tiempo se entre unos minutos una hora de exposicin. Las principales desventajas de las UV-EPROMs son que deben removerse del circuito para programarse y borrarse.
Figura 5.- encapsulado de una UV-PROM Las desventajas de la EPROM se solucionaron con el desarrollo de la PROM programable y borrable elctricamente. EEPROM: las PROM borrables elctricamente se pueden borrar y programar mediante impulsos elctricos, esto logra que las EEPROM se pueden programar rpidamente dentro del propio circuito final con fines de reprogramacin. La capacidad de borrar bytes de la EEPROM y su alto nivel de integracin incurren en dos faltas: densidad y costo. Una EEPROM de 1 Mbit requiere casi el doble de silicio que una EPROM de 1 Mbit. CD-ROM El disco compacto (CD) es un tipo muy prominente de almacenamiento de slo lectura que se utiliza en la actualidad en los sistemas computacionales. Los discos se fabrican con una superficie altamente reflectiva. Para almacenar datos en los discos, un rayo lser muy intenso se enfoca en un punto muy pequeo del disco. Este rayo quema un pozo difractor de luz en ese punto de la superficie del disco. Los datos digitales se almacenan en el disco un bit a la vez, mediante el proceso de quemar o no quemar un pozo en el recubrimiento reflectivo. La informacin digital se ordena en el disco como una espiral continua de puntos de datos. Para poder leer los datos se enfoca un rayo lser mucho menos poderoso, que el utilizado para almacenar, en la superficie del disco. En cualquier punto, la luz reflejada se detecta ya sea como un 1 o como un 0.
MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO RAM Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden escribir o leer en cualquier direccin seleccionada en cualquier secuencia. Cuando se escriben los datos en una determinada direccin de la RAM, los datos almacenados previamente son remplazados por la nueva unidad de datos. Cuando una unidad de datos se lee de una determinada direccin de la RAM, los datos de esa direccin permanecen almacenados y no son borrados por la operacin de lectura. La RAM se utiliza en las computadoras para el almacenamiento temporal de programas y datos. La principal desventaja de la RAM es que es voltil y perder toda la informacin almacenada si se interrumpe o se desconecta la energa. Desde luego que la principal ventaja de la RAM es que se puede escribir en ella y leer de ella con la misma rapidez y facilidad. TIPOS DE RAM RAM ESTTICA (SRAM) Todas las RAM estticas se caracterizan por las celdas de memoria latch. Cuando se aplica alimentacin continua a una celda de memoria esttica se puede mantener un estado 1 o 0 indefinidamente. Si se retira la alimentacin, el bit de datos almacenado se perder. En esencia, las celdas de memoria de la RAM esttica son flip-flops que permanecern en un estado dado de manera indefinida, siempre y cuando no se interrumpa la energa del circuito. Existen dos tipos: SRAM ASINCRONA BASICA: es aquella que su funcionamiento no est sincronizado con un reloj de sistema SRAM SINCRONA DE RAFAGA: a diferencia de la asncrona, una SRAM sncrona est sincronizada con el reloj del sistema, es decir, utiliza registros con seal de reloj para sincronizar todas sus entradas con el reloj del sistema.
RAM DINMICA (DRAM) Las celdas de las memorias dinmicas almacenan un bit de datos en un condensador en lugar de en un latch. La ventaja de este tipo de celda es que es muy sencilla, lo que permite construir matrices de memoria muy grandes en un chip, a un coste por bit ms bajo que el de las memorias estticas. La desventaja es que con el condensador de almacenamiento no puede mantenerse cargado ms que un periodo de tiempo, y el dato almacenado se pierde a no ser que su carga se refresque peridicamente. Sus capacidades mucho mayores y su consumo de energa mucho menor hacen de las DRAMs la mejor opcin para memoria en sistemas en donde las consideraciones de diseo ms importantes son mantener un tamao reducido, un bajo costo y bajo consumo de energa. Existen varios tipos: DRAM FPM (Fast Page Mode): La idea bsica del FPM DRAM se basa en la probabilidad de que las siguientes direcciones de memoria a las que haya que acceder se encuentren en la misma fila. Afortunadamente, esto sucede en un gran porcentaje de las veces. DRAM EDO (Extended Data Output): Las DRAMs con salida de datos extendida (EDO) ofrecen una mejora en comparacin con las DRAMs FPM. Para los accesos en una pgina dada, se detecta el valor de datos en la ubicacin de memoria actual y se fija en las terminales de salida. Permite al controlador de memoria enviar como salida la siguiente direccin al mismo tiempo que se lee la palabra actual. DRAM BEDO (Burst Extended Data Output): es una EDORAM con la capacidad de generar rfagas de direcciones. La funcin rfaga de direcciones permite generar internamente hasta cuatro direcciones a partir de una nica direccin externa, lo que ahorra tiempo de acceso. SDRAM: La operacin de la memoria SDRAM esta sincronizada con el reloj del sistema, con el que tambin opera el microprocesador de un sistema informtico, con la operacin de tipo sncrono, la DRAM enclava las direcciones, los datos y la informacin de control generados por el procesador bajo control del reloj de sistema. Esto permite al procesador gestionar otras tareas mientras se estn realizando las operaciones de lectura o escritura en memoria. DDRSDRAM: La SDRAM de doble velocidad de transferencia de datos ofrece una mejora en comparacin con la SDRAM. Esta tecnologa transfiere datos en los flancos positivo y negativo del reloj del sistema, duplicado con efectividad la velocidad potencial de la transferencia de datos. SLDRAM: Puede operar a velocidades de bus de hasta 200 MHz y aplica pulsos de reloj a los datos en forma sncrona, en los flancos positivo y negativo del reloj del sistema.
MEMORIA FLASH Las memorias FLASH son memorias de lectura/escritura de alta densidad no voltiles, lo que significa que pueden almacenarse datos indefinidamente en ausencia de alimentacin. En su estructura la celda de una memoria Flash es parecida a la celda simple de un solo transistor de la EPROM, slo que es un poco ms grande. Tiene una capa de xido ms delgada en la compuerta, la cual le permite la capacidad de borrarse mediante electricidad, pero puede construirse con densidades mucho ms altas que as EEPROMs. El costo de la memoria Flash es mucho menor que el de la EEPROM. Las memorias Flash se llaman as debido a sus tiempos rpidos de borrado y escritura.
TIPOS ESPECIALES DE MEMORIA Memoria tipo Primero en entrar, primero en salir (FIFO) En los sistemas de memoria FIFO, los datos que se escriben en el rea de almacenamiento de la RAM se leen en el mismo orden en el que se escribieron. La primera palabra que se escribe en el bloque de memoria es la primera palabra que se lee del bloque de memoria: de aqu que se utilice el nombre FIFO. La operacin FIFO se controla mediante registros apuntadores de direcciones especiales, los cuales llevan el registro de la ubicacin en la que se van a escribir los datos y desde dnde se van a leer. Una FIFO es til como bfer de velocidad (transferencia) de datos entre sistemas que transfieren datos a muchas velocidades distintas. Tambin puede utilizarse como bfer de transferencia de datos entre un dispositivo lento, como un teclado, y una computadora de alta velocidad. Existen 3 tipos: FIFO tipo registro de desplazamiento: En estas el nmero de palabras almacenadas es fijo (coincide con la longitud del registro) y hay un sincronismo implcito y necesario entre las operaciones de lectura y escritura. A medida que van entrando nuevas palabras dato en los registros FIFO, otras van saliendo por el otro extremo. FIFO de lectura/escritura mutuamente exclusivas: en cada momento, slo se puede leer o escribir, pero no ambas cosas. El nmero de palabras almacenadas es variable y deben satisfacerse ciertas condiciones en el cronograma entre las seales procedentes del sistema que escribe y las procedentes del sistema que lee. Es necesario un cierto nivel de sincronismo entre estos dos sistemas. FIFO de lectura/escritura concurrente: tiene un nmero variable de palabras almacenadas y posibilidad de lectura y escritura asncrona, pudiendo coexistir ambos procesos. Es decir, no hay restricciones en el cronograma de los ciclos de lectura y escritura. Son independientes y no necesitan ningn sincronismo entre ellos. Esto significa que cuando dos sistemas de distinta frecuencia se conectan a la FIFO, no necesitamos preocupamos de la sincronizacin, porque la realiza internamente el circuito Memoria tipo ltimo en entrar, primero en salir (LIFO) Este tipo de memorias tienen gran utilidad en los sistemas de computacin. Permite almacenar datos para despus recuperarlos en orden inverso. Las memorias LIFO, se implementan para formar una pila. Una pila puede estar formada por cualquier nmero de registros. En este caso la cabecera o tope de la pila seria el registro superior. El funcionamiento bsico de estas memorias es muy simple. Se carga un byte de datos en la cabecera de la pila y cada byte sucesivo empuja a este al registro siguiente. Los bytes de datos se recuperan en orden inverso, de modo que el ltimo byte introducido siempre se encuentra en el registro superior de la pila. De esta manera, cada vez que sale un dato el resto pasa a ocupar las posiciones inferiores.
Memoria Cach En muchos sistemas no es econmico utilizar dispositivos de memoria de alta velocidad para toda la memoria interna. En vez de ello utilizan un bloque de memoria cach de alta velocidad. Este bloque de memoria cach es el nico bloque que se comunica en forma directa con la CPU en alta velocidad; las instrucciones del programa y los datos se transfieren desde la memoria interna que es ms lenta y econmica, hacia la memoria cach cuando lo requiere la CPU.
MEMORIAS OPTICAS Y MAGNETICAS Almacenamiento magntico Disco duro magntico: son placas rgidas de aleacin de aluminio o de una mezcla de vidrio y cermica recubiertas con una capa magntica. Normalmente se apilan dos o ms discos sobre un eje o pivote comn que hace que el conjunto gire a una velocidad de miles de revoluciones por minuto(rpm)
Figura 6.- Esquema simplificado de una unidad de disco duro Discos flexibles: el nombre de disco flexible se debe a que este tipo de discos est hecho de un material de polister flexible, cubierto por ambas caras con una capa magntica.
Figura 7.- Esquema de un disco flexible Jaz: Es similar a una unidad de disco duro excepto en que las dos placas se encuentran dentro de un cartucho extrable protegido protegido por un obturador a prueba de polvo, se encuentran disponibles en capacidades de 1 o 2 GB. Zip: Es un tipo de dispositivo de almacenamiento magntico extrable que parece ser el posible recambio de los disquetes de capacidad limitada al igual que el disco flexible, el cartucho del disco Zip es un disco flexible incluido en una carcasa rgida aproximadamente del mismo tamao que el disquete, aunque ms grueso. Disco duro extrable Cinta magntica: Se utiliza para realizar copias de seguridad de datos desde dispositivo de almacenamiento masivo, es ms lenta en tiempo de acceso ya que accede a los datos en serie. 1. QIC: Es la abreviatura de quarter inch cartridge (cartucho de cuarto de pulgada) y se parece bastante a un casete de audio con dos carretes en el interior.
Figura 8.- Cinta QIC 2. DAT: Son las siglas de digital audio tape (cinta digital de audio) utiliza una tcnica denominada grabacin por exploracin helicoidal. 3. 8mm: Se dise para la industria de video, pero se adopt por la industria informtica como una forma confiable de almacenar grandes cantidades de datos de computadora, capacidades de hasta 25GB. 4. DLT: Corresponde a las siglas digital linear tape (cinta digital lineal). Bsicamente, la cinta DLT difiere en la forma en que trabaja el mecanismo de la unidad de cinta, para minimizar el deterioro de la cinta en comparacin con otros sistemas, capacidades hasta 35GB. Almacenamiento magntico-ptico Combinan las tecnologas magntica y ptica (laser). La diferencia bsica entre un disco puramente magntico y uno magneto-ptico es que la capa magntica utilizada en los discos magneto-pticos requiere calor para alterar la polarizacin magntica y es extremadamente estable a temperatura ambiente, haciendo que los datos no cambien. Almacenamiento ptico CD-ROM: La memoria de solo lectura de disco compacto (compact disc read-only memory) es un disco de 120 mm de dimetro con tres capas dispuestas en forma de sndwich: la capa inferior de plstico de policarbonato, una hoja delgada de aluminio para la reflectividad y una capa superior de laca para la proteccin. Capacidades de 680 MB. WORM: Discos de nica escritura-mltiples lecturas (wirte once-read many) son un tipo de dispositivo de almacenamiento ptico en los que se puede escribir una sola vez, despus de lo cual no se pueden borrar los datos, aunque si se pueden leer mltiples veces. CD-R: Permite mltiples sesiones de escritura en diferentes reas del disco, se emplea un lser para quemar agujeros microscpicos en una superficie con tinte orgnico. Los datos no pueden borrarse una vez escritos. CD-RW: Puede utilizarse para leer y escribir datos, utiliza un compuesto cristalino con una propiedad especial. Cuando se calienta a una cierta temperatura, al enfriarse se vuelve cristalino, pero si se calienta a una temperatura superior, se funde y se vuelve amorfo al enfriarse. DVD-ROM: El tamao de las muescas es menor que el CD-ROM, lo que permite almacenar ms datos en una pista, almacena datos por las dos caras y existen disponibles discos de mltiples caras que utilizan capas de datos semitransparentes colocadas sobre capas de datos principales, proporcionando capacidades de almacenamiento de decenas de GB.
Conclusin: Podemos concluir de manera concreta que las memorias las podemos clasificar: Segn sus propiedades de manejo de datos: voltiles (en el caso de las RAM) y no voltiles (en el caso de las ROM). Segn su estructura: magnticas, pticas y magneto-pticas. El avance en la tecnologa ha influido muy fuertemente sobre las memorias ya que siempre se busca hacer ms eficiente un sistema y es por eso que cada vez mas rpido una memoria se sustituye por una de nueva generacin, pues las exigencias del usuario son mayores ao con ao.
Referencias: http://www.uned.es/ca- bergara/ppropias/web_fund_sistemas_digitales/09_Memorias%20De%20Acceso% 20Secuencial/transp_mem_secuen.pdf http://robotikaii.blogspot.mx/2010/09/memorias-fifo-y-lifo.html Diseo de sistemas digitales y microprocesadores, John P. Hayes. Fundamentos de sistemas digitales, Thomas L. Floyd. Sistemas digitales principios y aplicaciones, Ronald J. Tocci y Neal S. Widmer.
Glosario 1. Celda de memoria. Un dispositivo o un circuito elctrico utilizado para almacenar un bit (0 o 1). 2. Palabra de memoria. Un grupo de bits (celdas) en una memoria, el cual representa instrucciones o datos de cierto tipo. 3. Byte. Un trmino especial que se utiliza para un grupo de ocho bits. Un byte siempre consiste de ocho bits. 4. Capacidad. Una manera de especificar cuntos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria especfico o en un sistema completo de memoria. 5. Densidad. Otro trmino para capacidad. 6. Direccin. Un nmero que identifica la ubicacin de una palabra en memoria. 7. Operacin de lectura. La operacin mediante la cual la palabra binaria almacenada en una ubicacin especifica de memoria (direccin) se detecta y despus se transfiere hacia otro dispositivo. 8. Operacin de escritura. La operacin mediante la cual se coloca una nueva palabra en una ubicacin de memoria especfica. 9. Tiempo de acceso. Una medida de velocidad de operacin de un dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operacin de lectura. 10. Memoria voltil. Cualquier tipo de memoria que requiere la aplicacin de energa elctrica para poder almacenar informacin. Si se quita la energa de electricidad se perder toda la informacin almacenada en la memoria. 11. Memoria de acceso aleatorio (RAM). Memoria en la cual la ubicacin fsica de una palabra de memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tardan las operaciones de lectura o escritura, en una ubicacin determinada. 12. Memoria de acceso secuencial (SAM). Un tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante, sino que vara dependiendo de la ubicacin de la direccin. 13. Memoria de lectura/escritura (RWM). Cualquier memoria que se puede leer, o en la que se puede escribir, con la misma felicidad. 14. Memoria de slo lectura (ROM). Una amplia variedad de memorias semiconductoras, diseadas para aplicaciones en las que la proporcin de operaciones de lectura en comparacin con las de escritura es muy alta. Toda la ROM es no voltil y almacenar los datos aunque se retire la energa elctrica. 15. Dispositivos de memoria esttica. Los dispositivos de memoria semiconductora en el cual los datos se almacenarn de manera permanente, siempre y cuando se aplique energa, sin necesidad de reescribir los datos en la memoria en forma peridica. 16. Dispositivos de memoria dinmica. Dispositivos de memoria semiconductora en los cuales los datos no se almacenarn en forma permanente, an y cuando se le aplique energa, a menos que se reescriban en forma peridica en la memoria.
17. Memoria principal. Tambin se le conoce como memoria de trabajo de la computadora. Almacena instrucciones y datos con los que la CPU est trabajando en un momento dado. Siempre es semiconductora. 18. Memoria auxiliar. Tambin se le conoce como almacenamiento masivo, ya que guarda cantidades masivas de informacin externa a la memoria principal. Siempre es no voltil. 19. CS. Significa seleccin de chip. En esencia es una entrada de habilitacin, para habilitar o deshabilitar las salidas de la ROM.