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~ LIMU 5J.1
ta obra comprende los siguientes
Gas:
Descripcin de los cristales
Determinacin de la estructura
Deformacin plstica de los cristales
metlicos
Dislocaciones
Vacancias
Difusin
Intercaras
Nucleacin
Solidificacin
Recuperacin y recristalizacin
Precipitacin a partir de soluciones s-
lidas
:recimiento controlado por difusin
de los precipitados en equilibrio
fransformaciones martens'ticas
I\lgunas aplicaciones de la metalurgia
fsica
FUNDAMENTOS
DE METALURGIA
FSICA
FUNDAMENTOS
DE METALURGIA,
,
FISICA
Joho D. Verhoeven
Departamento de Metalurgia
Iowa State University
Ames, Iowa


EDITORIAL LIMUSA
MXICO ESPAA VENEZUELA ARGENTINA
COLOMBIA PUERTO RICO
Versin autorizada en espaol
de la obra publicada en ingls por
John Wiley & Sons, Inc., con el ttulo:
FUNDAMENTALS OF PHYSICAL METALLURGY
John Wiley & Son s, Inc.
ISBN 0-471-90616-6
Versin espaola:
OSVALDO SIL V A LUNA
Qumico Industrial de la Universidad Autnoma de Nuevo Len.
Maestra en Ciencias de Materiales del Instituto Politcnico
Nacional de Mxico.
Revisin:
GUILLERMO SALAS BANUET
Ingeniero Qumico Metalrgico y Profesor de Carrera de la
Facultad de Qumica de la Universidad Nacional Autnoma de
Mxico. Especialidad en Fundicin obtenida en el Curso
Panamericano de Metalurgia, OEA.
Tipografa: SISTEMAS EDITORIALES TECNICOS, SAo de C. V
La presentacin y disposicin en conjunto de
FUNDAMENTOS DE METALURGIA FISICA
son propiedad del editor. Ninguna parte de esta obra
puede ser reproducida o transmitida, mediante ningn sistema
o mtodo, electrnico o mecnico (incluyendo el fotocopiado,
la grabacin o cualquier sistema de recuperacin yalmacenamier:ro
de informacin), sin consentimiento por escrito del editor.
Derechos reservados:
1987, EDITORIAL LIMUSA, S. A. de C. V.
Balderas 95, Primer piso, 06040 Mxico l. D. F.
Miembro de la Cmara Nacional de la
Industria Editorial. Registro Nm. 121.
Primera edicin 1987.
Impreso en Mxico
(3954)
ISBN 968-18-1943-8
A Liz
Prlogo
Este libro ha sido el resultado de un curso para los primeros niveles sobre meta-
lurgia fsica que yo he enseado durante varios aos. El objetivo del libro es pre-
sentar una slida introduccin a los fundamentos de metalurgia fsica para los
estudiantes que han llevado un curso introductorio de metalurgia o ciencia de ma
teriales usando libros como el de Van Vlack o la serie de Wulff y otros (vase la
lista de referencias para el captulo 1). Nuestra experiencia en el estado de Iowa
ha sido, y yo creo que es bastante comn en los Estados Unidos, que un gran
nmero de estudiantes que inician estudios de posgrado en metalurgia vienen de
las carreras de fsica, qumica, ingeniera mecnica o ingeniera qumica. Se espe
ra que este libro sea til para estos estudiantes en un curso introductorio o para
los autodidactas y,tambin, que sea til en la preparacin de los que an no se
gradan en metalurgia al ofrecerle al estudiante una firme comprensin de los
fundamentos de la metalurgia fsica en los primeros cursos.
La meta principal del libro es proporcionar una base terica para la compren
sin de cmo controlar la estructura; tambin, se explica cmo la estructura a su
vez controla las propiedades mecnicas. Consecuentemente, el libro servir como
una base para un enfoque ms terico que prctico de la metalurgia fsica. Sin
embargo, los tratamientos tericos han sido dirigidos hacia la presentacin de m-
todos simples de primer orden en la forma ms clara y sencilla que sea posible;
en los ltimos captulos se han incluido algunas aplicaciones de las ideas enfoca-
das al control de las propiedades mecnicas.
EI1ibro intenta presentar el tema de la metalurgia fsica de una manera ms
estructurada que los libros de texto sobre el mismo tema. Mi experien
cia indica que este olanteamiento es una ayuda pedaggica muy til. La primera
mitad del libro (captulos 1-8) se dedica 1 las ideas bsicas de fsica y de qumica
sobre las cuales se sostiene la metalurgia fsica. El primer captulo presenta algu-
Prlogo
nos conceptos sobre empaquetamiento atmico que se desarrollan en captulos
posteriores. Se incluyela proyeccin estereogrfica con el objeto' de utilizar des-
pus esta importante herramienta y para dar al estudiante alguna experiencia en
su uso. La mayora de los estudiantes no aprenden este tema hasta que estudian
difraccin de rayos X, lo cual es a menudo en una poca posterior. El captulo
sobre determinacin estructural enfatiza la tcnica de Laue ilustrando ideas con-
cernientes a la orientacin de un cristal, un tema que con frecuencia es importante
en las aplicaciones de la metalurgia fsica. Se incluye una introduccin a los mi-
croscopios electrnicos de transmisin y de barrido debido a su creciente impor-
tancia en la evaluacin estructural de los metales. El captulo sobre dislocaciones
ha sido precedido por un captulo sobre plasticidad de monocristales debido a
que he hallado que un estudio de las dislocaciones es ms importante para el es-
tudiante si puede ver primero un fenmeno macroscpico en el que intervengan
estos defectos. Por razones similares, el captulo sobre difusin va desde la con-
cepcin fenomenolgica hasta la atomstica. Se ha incluido un captulo sobre zonas
interfaciales con el objeto de destacar la importancia de este tpico. Las ideas de
este captulo estn usualmente dispersas entre la mayor parte de los libros de texto
sobre metalurgia fsica. Siento que tratarlas como un tpico distinto ayuda al
estudiante a ver su amplia aplicabilidad en todas las transformaciones de fase. La
segunda parte del libro (los ltimos 6 captulos) se dedican a las transformaciones
de fase, con nfasis en cmo stas pueden ser utilizadas para el control de las pro-
piedades mecnicas de los metales.
Los muy importantes temas de la descripcin de la estructura cristalina y los
diagramas de fase no se han cubierto en los primeros captulos debido a que es-
tos temas son generalmente un tpico principal de los libros introductorios en los
que esta obra se basa. Sin embargo, he encontrado que los estudiantes no dominan
generalmente estos temas despus de un curso introductorio, pero que se capaci-
tan r4pidamente para hacerlo trabajando con ejercicios. En los primeros cuatro
captulos se ha incluido cierto nmero de problemas que implican el uso de
nmeros direccionales, ndices de Miller, planos y direcciones de una forma, y en
los captulos 6, 9, 11 Y 12 se incorporan varios problemas sobre diagramas de
fase. Recomiendo en gran medida que los estudiantes que no tengan bases sobre
dichos temas, los estudien en los libros in troductorios como de referencias 1 y 2
del captulo uno_
Al final de cada captulo se encuentran algunos problemas porque he hallado
que la resolucin de problemas es esencial para que el estudiante alcance un ab-
soluto dominio del tema. En varios captulos (por ejemplo captulo 6) he utili-
zado los problemas para presentar las aplicaciones prcticas de las ideas expresadas
en el captulo (por ejemplo, captulo 6). El nmero de problemas original se re-
dujo a la mitad con el objeto de bajar los costos de publicacin, pero los problemas
adicionales se enviarn sobre pedido. Por el mismo motivo se minimiz el nme-
ro de fotografas utilizadas en el libro. Consecuentemente, se usaron esquemas
donde fueron adecuados, remitindose al estudiante a una o ms referencias para
las fotografas reales.
Prlogo 9
No se incluy un captulo sobre fsica de los metales como se hace a menudo
en libros de texto sobre metalurgia fsica debido a que siento que es imposible
hacer justicia a este tema tan complejo en un simple captulo. No se intenta desa-
nimar al estudiante indagador presentando este material demasiado breve como
para que l logre una slida comprensin, se omite para animarlo a tomar un cur-
so introductorio a la fsica del estado slido. En relacin con esto se notar que
he hecho nfasis en la aplicacin de la metalurgia fsica al control de las propie-
dades mecnicas y muy poco sobre el de las propiedades electromagnticas. Esta
limitacin se indica en la Introduccin (pgina 2), y se justifica parcialmente aqu.
Tambin es resultado de algunas de m is inclinaciones al creer que las principales
contribuciones al desarrollo del control de las propiedades mecnicas por aque-
llos que han estudiado en los Estados Unidos han sido hechas por los que se han
especializado en el rea de metalurgia tradicional, mien tras que los avances ms im-
portantes en el control de las propiedades electromagnticas de los metales las han
hecho individuos que han estudiado fsica.
Parece evidente ahora que las asociaciones cien tficas y tecnolgicas lograrn
la adopcin de un sistema uniforme de unidades. Estas son las del Sistema Inter-
nacional de Unidades (Systeme InternfltiOnfll d' Unites), a las cuales se refiere co-
mnmente como unidades SI. En el apndice A se presenta un breve anlisis de
las unidades SI encontradas comnmente en metalurgia fsica.
Estoy particularmente agradecido a la Universidad del Estado de lowa y su
departamento de Metalurgia por haberme dado la oportunidad de ensear meta-
lurgia fsica a los estudiantes de nivel de licenciatura por varios aos, oportunidad
que condujo al desarrollo de este libro. Me gustara agradecer tambin a algunos
de mis colegas la revisin de diferentes captulos, DI'. Tom Scott, Dr. Rohit
Trivedi, Dr. Ken Kinsman, Dr. Frank Kayser, Dr. Monroe Wechsler y Dr. John Pat-
terson. Adems, me gustara asimismo agradecer a tres de mis primeros profesores
en la Universidad de Michigan quienes motivaron mi inters en la metalurgia fsica,
Dr. Edward E. Hucke, Dr. David Y. Ragone y Dr. Maurice J. Sinnott. Finalmente, le
estoy muy agradecido a mi excJlente secretaria, Miss Yerna Thompson por la
preparacin y arreglo para la publicacin del manuscrito mecanografiado, y a Mr.
Harlan Baker por la preparacin de varias de las fotomicrografas que aparecen
en el libro.
Ames,lowa
Octubre de 1974
John D. Verhoeven
Contenido
Introduccin
Captulo 1 Descripcin de los cristales
1.1 Empaquetamiento atmico en cristales ccc
a
y ehc
1.2 La proyeccin estereogrfica
Captulo 2 Detenninacin de la estructura
2.1 Difraccin de rayos X
2.2 Microscopio electrnico de transmisin (MET)
2.3 Microscopio electrnico de barrido (MEB)
Captulo 3 Defonnacin plstica de los cristales mtalicos
3.1 Sistemas de deslizamiento
3.2 Esfuerzo cortante resuelto (factor de Schmid)
3.3 Pruebas de tensin en monocristales (ccc
a
)
3.4 Relacin con la deformacion policristalina
3.5 Resistencia terica de los metales
11
15
19
20
29
47
48
56
61
71
73
76
81
84
88
12
Captulo 4 Dislocaciones
4.1 La dislocacin de borde
4.2 La dislocacin de tornillo
4.3 Dislocaciones mixtas
4.4 Tenninologa de dislocaciones "torcidas"
4.5 Lazos de dislocacin
4.6
4.7
4.8
4.9
4.10
4.11
4.12
4.13
4.14
4.15
4.16
Dislocaciones mviles en cristales reales
Observacin de dislocaciones
Energa de deformacin elstica
Energa de dislocaciones
Fuerzas en las dislocaciones
El campo de esfuerzos producido por dislocaciones
Tensin lineal
Dislocaciones extendidas
Dislocaciones en metales ccc
a
Generador de Frank -Read
Interpretacin del flujo plstico en trminos del
movimiento de dislocaciones
Captulo 5 Vacancias
5.1 Formacin de vacancias
Captulo 6 Difusin
6.1 Enfoque fenomenolgico
6.2 Enfoque atomstico
Captulo 7 Intercaras
7.1 Clasificacin, geometra y energa de intercaras
7.2 Tensin y energa libre superficial de intercaras
7.3 La forma de los granos en dos y tres dimensiones
7.4 Segregacin en lmites de grano
7.5 Movimiento de lmites de grano
Captulo 8 Nucleacin
8.1 NucIeacin homognea
8.2 Nuc1eacin heterognea
Contenido
93
93
101
104
105
107
109
110
112
113
115
120
122
124
130
137
139
147
149
157
158
176
189
189
201
218
220
222
237
240
247
Contenido
Captulo 9 Solidificacin
9.1 Nucleacin
9.2 Solidificacin de metah,s puros
9.3 Solidificacin de aleaciones
9.4 Solidificacin de aleaciones eutcticas
9.5 Metales colados
Captulo 10 Recuperacin y recristalizacin
10.1 Energa almacenada
10.2 Liberacin de energa almacenada durante el recocido
10.3 Cintica de la recuperacin
10.4 Mecanismos de nucIeacin para la re cristalizacin
10.5 Cintica de la recristalizacin
10.6 Control de la temperatura de recristalizacin y el tamao
del grano
10.7 Temas afines
Captulo 11 Precipitacin a partir de soluciones slidas
11.1 Revisin de los diagramas energa libre-composicin
11.2 La transformacin por precipitacin
11.3 NucIeacin en el estado slido
11.4 Cintica de las reacciones de precipitadn
11.5 Endurecimiento por precipitacin
","1
Captulo 12 Crecimiento controlado po,: difusin de los precipitados
en equilibrio
12.1 Precipitados monofsil:os
12.2 Transformacines eutectoides
12.3 Precipitacin discontinua
Captulo 13 Transformaciones martensticas
13.1 MacIado
13.2 Cristalografa de transformaciones martensticas
13.3 Algunas caractersticas de las transformaciones
martensticas
13
253
253
258
265
285
300
347
349
351
357
359
362
371
37)
385
385
396
404
422
429
445
445
452
470
481
483
493
503
14
13.4 Tennodinmica
13.5 Martensitas tennoelsticas
13.6 Caractersticas adicionales de las transfonnaciones
martensticas
13.7 Nuc1eacin de la martensita
13.8 Resumen y comparacin con las transfonnaciones masivas
13.9 Bainita
Captulo 14 Algunas aplicaciones de la metalurgia fsica
14.1 Mecanismos de refuerzo
14.2 Resistencia y ductilidad
14.3 La metalurgia fsica de algunos aceros de alta resistencia
Apndice Unidades SI
Indice
Contenido
513
515
519
523
525
526
541
545
550
583
587
Introduccin
Los metales han sido siempre fundamentales en el desarrollo de la es-
pecie humana, como bien se ilustra por el hecho de que los arquelogos se refie-
ren a una edad de bronce y a ulia edad de hierro en su clasificacin de las etapas
de la evolucin del hombre. Este papel dominante es particularmente cierto para
la industrializacin de los ltimos 120 aos que ha cambiado tan drsticamente
nuestras vidas cotidianas desde aquellas de nuestros bisabuelos y bisabuelas. Para
ilustrar este hecho considere nuestros vehculos de transportacin. Por ejemplo,
cmo fabricara cualquiera de los artculos siguientes sin el uso de los metales?:
automviles, trenes, aeroplanos, tractores, barcos, bicicletas, patinetas, etc. Est
claro que los metales tienen una funcin importante en estos vehculos, particular-
mente en las mquinas que les proporcionan energa. Esta dependencia notable
hacia los metales es tambin bastante obvia cuando uno recorre alguna planta in-
dustrial, sea qumica, mecnica, elctrica, nuclear o de cualquier otro tipo. Sin
embargo, a menos de que uno reflexione un poco, no es evidente que los metales
desempearan funciones clave eri los cambios que han ocurrido en nuestros pro-
pios hogares. Considere los siguientes elementos que nosotros tenemos por co-
munes, los cuales eran desconocidos en los hogares de nuestros bisabuelos del si-
glo XIX:
Instalaciones sanitarias
Luz elctrica y alumbrado
Estufas elctricas
Refrigerad ores
Lavadoras y secadoras
Lavadoras de platos y elimim.dores de basura
Horno y ductos (o tuberas)
15
16
Radio y televisin
Marcos de aluminio para ventanas
Sistema de aire acondicionado.
In troduccin
En alguna etapa' de todos estos artculos, los metales cumplen un papel im-
p.ortante de modo que sera muy difcil y, frecuentemente imposible, producirlos
Sin el uso de metales. Desde luego, adems de los metales, otros materiales tienen
funciones clave en la manufactura de muchos artculos en nuestra moderna tecno-
loga. Por ejemplo, considere el papel del hule en las llantas de los automviles
y el del vidrio en las ventanas transparentes.
El ingeniero proyectista selecciona los materiales que tienen las propiedades
fsicas deseadas y que son los ms econmicos. Existen esencialmente tres propie-
dades fsicas principales de los metales que explican su papel clave en el desarro-
llo del hombre. Estas son:
1. Formabilidad. Casi todos los objetos metlicos que usted usa han sido me-
cnicamente formados. Slo aproximadamente el 20% se usan directa-
mente en su forma de colada.
2. Resistencia sin fragilidad. Muchos materiales. como el vidrio, son muy
fuertes, pero tambin extremadamente frgiles, por lo que uno nunca so-
fiara en disefiar un ala de aeroplano hecha de vidrio aun cuando su resis-
tencia a la cedencia es 7 veces ms alta que la de nuestras mejores aleaciones
de aluminio.
3. Propiedades elctricas y magnticas. Las propiedades ms importantes
aqu son la relativamente baja resistividad elctrica de los metales y la mag-
netizacin de los metales ferrosos.
. La metalurgia fsica se relaciona ms con el efecto del arreglo atmico y la
mlcroestructura del metal y no con sus propiedades fsicas. Se pueden resumir
estas relaciones en la siguiente tabla.
Propiedad fsica
Mecnica
Elctrica
y
trmica
{
rcsistcnl'ia
du<.:tilidad
{
resistividad
magnetizacin
conductividad
rcsistenl'a a
la l"<lTrosin
potencial
cataltico
Influencia del arreglo
y los defectos atmicos
muy fuerte
poca
poca
Influencia de la
microestructura
muy fuerte
de ligera .... fuerte
ligera .... moderada
In troduccin
17
Como puede observarse en la tabla, si se controla el arreglo atmico y la mi-
croestructura se pueden controlar todas las propiedades fsicas del metal, pero
particularmente las propiedades mecnicas. Entonces, el estudio del control de las
propiedades mecnicas de los metales se har en los ltimos captulos de este libro.
El metalurgista es capaz de controlar el arreglo atmico y la microestructura por
medio de procesos tales como colado, conformado y tratamiento trmico. Una
de las metas de este libro es ofrecer las bases tericas que permitan a uno compren-
der cmo y por qu dichos procesos controlan el arreglo atmico y la micro es-
tructura en la forma que lo hacen.
CAPTULO 1
Descripcin de los cristales
Si el lector examina la mayora de los materiales slidos no metlicos con los cua-
les diario est ~ contacto, encontrar que no hay una diferencia caracterstica
entre su forma externa y la de casi todos los objetos metlicos. De aqu que
resulte bastante sorprendente para la mayora de la gente saber que los metales
tienen una estructura cristalina, mientras materiales como madera, plsticos, pa-
pel, vidrio y otros no la tienen. En vista de que esta estructura cristalina de los
metales ejerce una influencia muy fuerte sobre sus propiedades, es indispensable
comprender bien algunos de los conceptos elementales de los cristales.
Decir que los metales son cristales significa que sus tomos estn acomoda-
dos en una disposicin geomtrica repetida peridicamente. Como se muestra en
libros de texto introductorios1,2 sobre materiales, las estructuras cristalinas se
describen por referencia a sus retculas de B ravais. Los metales tienen estructuras
particularmente sencillas. De las 14 retculas de Bravais, todos los metales, excepto
cuatro. se forman en una de las muy sencillas estructuras siguientes: 1 ) cbica
centrada en las caras (ccc
a
), 2) cbica centrada en el cuerpo (ccc), 3) empaqueta-
miento hexagonal compacto y 4) tetragonal. Muchos metales existen en ms de
una estructura cristalina dependiendo de la temperatura, pero en la mayora de los
casos, las transiciones estn entre estas cuatro estructuras cristalinas.
Se supone aqu que el lector ya est familiarizado con la geometra de estas
estructuras cristalinas. Tambin se supone que est familiarizado con la simetra
rotacional de estas estructuras, el uso de los nmeros direccionales [xyz] y de los
ndices de Miller (hkl) para describir direcciones y planos en los cristales, y direc-
ciones de la forma (xyz) y planos de la forma {hk/} (ver, por ejemplo, la referencia
1, pginas 74-89, o la referencia 2, pgina 45-50 y 208-214). El propsito de los
primeros siete problemas es dar una revisin de estos conceptos.
1
20 Descripcin de los cristales
1.1 EMPAQUETAMIENTO ATOMICO EN CRISTALES CCCa y EHC
En el enfoque anterior la estructura atmica de los cristales metlicos se describe
refIriendo la disposicin atmica a una retcula espacial. Se puede describir tam-
bin la estructura atmica de los cristales desde un enfoque diferente, el cual es
bastante til para las estructuras cristalinas sencillas, tales como las que poseen
los metales. Considrense los tomos de los cristales como esferas del mismo ta-
mao. Considerar los tomos como esferas es, desde luego, una aproximacin,
pero una aproximacin de primer orden que en algunos casos es bastante til.
Los enlaces metlicos que mantienen unidos a los tomos del metal tienen
muy poca direccionalidad preferencial. Desde luego, se podra esperar que esta
fuerza atractiva que jala a los tomos entre s haga que se empaquen igualmente
en todas direcciones, a fin de dejar la cantidad mnima de espacio vaco entre ellos.
Al considerar a los tomos como esferas, surge la pregunta: de cuntas maneras
se pueden acomodar esferas de igual tamao y minimizar los espacios vacos entre
ellas? La estructura resultante se llama "estructura de empaquetamiento compac
to" por razones obvias. Para contestar la pregunta, se procede como sigue. Primero
se determina cmo pueden acomodarse las esferas en dos dimensiones para dar
una disposicin planar de empaquetamiento compacto. Luego se determina c-
mo se pueden apilar estos planos de empaquetamiento compacto en la forma ms
estrecha posible para construir un arreglo tridimensional de empaquetamiento
compacto. Considrense las dos filas de tomos en la figura l.la. Es evidente que
si las dos filas se mantienen unidas y la fila superior es empujada hacia la posicin
de la fIgura 1.1 b, las dos filas estarn tan cerca una de la otra como es posible.
Si se dibuja de nuevo la figura 1.1 b como en la figura 1.2, se ve que los tomos
tienen sus centros dispuestos sobre una malla hexagonal en un empaquetamiento
compacto bidimensional. A fin de considerar el apilamiento de estos planos de
empaquetamiento compacto uno sobre otro, vase la regin hexagonal mostrada en
la fIgura 1.2b. Obsrvese que esta malla unitaria hexagonal puede imaginarse ca
mo seis tringulos equilteros y que los centros de los seis tringulos coinciden
con los centros de los seis huecos en el empaquetamiento. La figura l.3a muestra
que los seis huecos pueden dividirse en dos grupos, B y C, los cuales forman trin-
gulos equilateros; y la distancia entre los huecos en cada grupo iguala exactamente
la distancia entre los tomos en la malla. De aqu que al apilar la segunda malla
(a) (b)
Figura 1.1 Empaquetamiento bidimensional.
Empaquetamiento atmico en cristales CCCa y EHC
21
(a)
(b)
Figura 1.2 Forma hexagonal en empaquetamiento compacto bidimensional.
de tal modo que sus tomos caigan en los huecos B, se obtiene un apilamiento
tridimensional de empaquetamiento compacto segn se muestra en la figura l.3b.
Alternativamente, se puede apilar la segunda malla en las posiciones C para obte-
ner el empaquetamiento compacto tIidimensional mostrado en la figura 1.3e. Si
las posiciones de los tomos soore la malla inferior se denominan posiciones A,
entonces la figura l.3b es un apilamiento A -B Y la figura 1.3e es un apilamiento
A-e. Para obtener un modelo de estructura cristalina, las mallas de los tomos
deben apilarse para obtener un orden de largo alcance. Hay cuatro posibilidades
obvias: 1) -A-B-A-B-A-B-, 2) -A-C-A-C-A-C-, 3) -A-B-C-A-B-C, 4) -A-C-B-A-C-B-.
La diferencia entre las secuencias de apilamiento 1 y 2 en dos cristales diferentes
no se podra distinguir. Lo mismo es cierto para 3 y 4. Por lo tanto, hay dos tipos
sencillos de empaquetamiento compacto. En el primero las mallas se repiten cada se-
gundo plano, -A-B-A-B-A-B-, yen el segundo, cada tercer plano, -A-B-C-A-B-C-.
Las estructuras cristalinas ehc y ccCa de empaquetamiento compacto; co-
rresponde a los tipos de secuencias y apilamiento discutidas aqu. En la estruc-
tura ehc los planos basales son los planos de empaquetamiento compacto. En
(a)
malla A
~
I
\ 1\1
\ I \ /mallaS
\ / \ I
"------y
(b)
(e)
Figura 1.3 Situacin de huecos y apilamiento de mallas bidimensionales.
22
Descripcin de los cristales
(a) ,
Figura 1.4 Planos compactos en cristales ceca.
la figura 1.9 se puede ver que los tomos sobre estos planos se apilan directamen-
te uno sobre otro con solamente un plano de empaquetamiento compacto entre
ellos, el plano (0002). De aqu que la secuencia de apilamiento sea -A-B-A-B- en
la ehc, En la estructura cCCa, los planos (I 11) son los planos de empa-
quetamiento compacto. La figura l.4a muestra la traza de dos de estos planos
sobre la celda unitaria. Si se ven estos dos planos de arriba hacia abajo a lo largo
de la diagonal del cuerpo mostrada, el resultado es como se muestra en la figura
l.4b. Es evidente que estos dos planos son vecinos de planos de empaquetamien-
to compacto y se les llamar mallas By C respectivamente. Los dos tomos de la
esquina sobre la diagonal del cuerpo yacen en planos paralelos (I 11), y queda
claro que estos planos estaran en sitios A ya que los tomos yacen sobre el hueco
remanente en By C. Por lo tanto, la secuencia de apilamiento de la estructura
cCCa es -A-B-C-A-B-C-A-.
La estructura cCCu no es una estructura de empaquetamiento compacto. En
esta estructura, los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo, y usan-
do ste se puede mostrar que esta estructura contiene ms espacio vaco que las
estructuras de empaquetamiento compacto (ver el problema 1.7).
A. Localizacin de los huecos' en el apilamiento
El radio efectivo de un tomo de carbono en acero es de 0.7 A comparado con
1.24 A para el radio de los tomos de hierro. El carbono se puede disolver en hierro
reemplazando los tomos de hierro en los sitios reticulares (soluto
o entrando a presin en los espacios vacos intersticiales entre los tomos de hie-
rro (soluto intersticial). Debido a su tamao ms pequeo, el carbono se disuelve
intersticialmente, tal como lo hacen el nitrgeno, el hidrgeno y el oxgeno. Es-
tos tomos producen un efecto muy marcado sobre las propiedades mecnicas de
los metales, particularmente de los metales ccc
u
, por lo que es bastante til en-
tender bien el tamao y las localizaciones de los huecos intersticiales entre las es-
feras de estos modelos de esfera de los cristales.
Empaquetamiento atmico en cristales CCC
a
y EHC 23

(a) (b)
Figura I.S Esfera de tamao mximo en un hueco bidimensional.
Los huecos se caracterizarn por su nmero de coordinacin. El nmero de
coordinacin se define aqu como el nmero de tomos vecinos ms prximos.
Al considerar el tomo del centro de una celda unitaria ccc
u
resulta evidente que
cada tomo del cristal tiene un nmero de coordinacin de 8. El nmero de coor-
dinacin de un hueco se determina en forma similar localizando primero el centro
del hueco y luego determinando el nmero de tomos vecinos ms prximos al-
rededor de este punto. Como un ejemplo sencillo, considrense los huecos en los
planos de empaquetamiento compacto de la figura 1.2. Cada hueco tiene tres to-
mos vecinos ms prximos y de ah que su nmero de coordinacin es tres. Desde
luego, dichos huecos podran llamarse huecos triangulares. Una pregunta intere-
sante es: cul es la esfera de mayor tamao que podra ser colocada en el hueco,
como se muestra en la figura 1.5? Sean R el radio de las esferas de la retcula y r
el radio de la esfera intersticial, se puede mostrar por simple geometra, como en
la figura 1.5b, que el valor mximo de r es de O.l55R.
En las dos estructuras cristalinas de empaquetamiento compacto existen jus-
tamente dos huecos intersticiales, como se muestra en la tabla 1.1. Los centros
de los cuatro tomos que rodean el hueco tetragonal se conectan entre s para
formar un tetraedro regular (todos los lados son iguales). De modo semeiante, si
Las esfera3 se tocan
en los bordes de los
poliedros respectivos
Figura 1.6 Los huecos tetradricos y octadricos en empaquetamiento compacto.
24 Descripcin de los cristales
Tabla 1.1 Los huecos en cristales ccc
a
, ehc, y cCCu.
Nmero de
Cristal Hueco coordinacin Valor mximo de r
empaquetamiento tetragonal 4 O.225R
compacto
empaquetamiento octadrico 6 O.414R
compacto
ccc
u
tetragonal 4 O.291R
ccc
u
octadrico 6 O.154R
se conectan los centros de los seis tomos que rodean un hueco octadrico se for-
ma un octadro regular. Estos poliedros se esquematizan en la figura 1.6 para
ayudar a ilustrar la geometra. El hueco en s est al centro de estas figuras, y es
un interesante problema de geometra determinar la esfera de tamao mximo
que llena los huecos, como se da en la tabla 1.1. Ntese que se han utilizado po-
liedros slo para localizar y el hueco. Los huecos no son poliedros
sino slo los hoyos al centro de los poliedros.
Si se quita un tomo de una estructura de empaquetamiento compacto se
obtiene un hueco de nmero de coordinacin 12. Este no es un hueco intersti-
cial, ya que yace directamente sobre un sitio reticular. Este tipo de hueco es un
defecto en la estructura cristalina y se llama vacancia.
La situacin de los tetraedros que rodean dos huecos tetradricos en la cel-
da unitaria cCCa se muestra en la figura 1.7. Al examinar la figura se puede ver
Figura 1.7 Situacin de dos de los huecos tetradricos dentro de una celda uni-
taria ceca.
Empaquetamiento atmico en cristales CCC
a
y EHC 25
que, con relacin al tomo A, el centro del hueco superior se localiza a -t, -t,
-t y, por lo tanto, est sobre la diagonal del cuerpo. Ahora la pregunta es, cun-
tos de estos huecos tetragonales estn contenidos dentro de la celda unitaria? La
pregunta se contesta fcilmente utilizando la simetra de rotacin de orden cua-
tro del cristal cCCa. Aplicando la operacin de rotacin cuatro alrededor del eje
vertical, ambos huecos mostrados generarn cada uno tres huecos ms dentro de
la celda unitaria para un total de ocho.
Los cristales que son cCCa tienen un hueco octadrico situado directamente
en el centro de la celda unitaria, segn se muestra en la figura 1.8. El otro hueco
octadrico mostrado en la figura se localiza en el centro de un borde de la celda
unitaria. De nuevo, usando la simetra de orden 4 de los cristales cCCa, es fcil
que un hueco octadrico debe estar centrado en cada uno de los 12 bordes de la
celda unitaria. Ahora surge la pregunta: cuntos huecos octadricos estn con-
tenidos dentro de la celda unitaria cCCa? Demustrese que la respuesta es cuatro.
En la figura 1.8 puede verse que un hueco tetradrico est acomodado entre
los dos huecos octadricos en el lado derecho inferior del frente de la celda uni-
taria. Si se trazan los octaedros para los otros huecos octadricos en la figura 1.8, se
ver que los tetraedros de los huecos tetradricos encajan bien entre los octaedros,
de modo que no queda espacio libre. Esto muestra que el espacio puede llenarse
completamente apilando juntos tetraedros y octaedros regulares de la misma lon-
gitud lateral. Cuando los octaedros tocan borde con borde, el apilamiento co-
rresponde a la disposicin de huecos en los cristales ccc
a
. En la figura 1.9 se
muestran los tetraedros que rodean tres huecos tetradricos dentro de una celda
unitaria ehc. Aplicando la inversin de rotacin de orden seis de los cristales ehc,
se puede ver rpidamente que dentro de la celda unitaria estn contenidos ocho
Figura 1.8 Situacin de dos huecos octadricos con relacin a la celda unitaria ccc
a

26
Descripcin de los cristales
Figura 1.9 Situacin de tres huecos tetradricos en la celda unitaria ehc.
huecos tetradricos, dos de los cuales se tocan a lo largo de una cara de sus tetrae-
dros circundantes.
Por una figura similar a la 1.9 se pueden localizar los huecos octadricos en el
cristal ehc y de nuevo se halla que los tetraedros y los octaedros se acomodan en-
tre s para llenar el espacio. Sin embargo, en el caso de la estructura ehc los octae-
dros se tocan cara con cara en la direccin del eje e y borde con borde en otras
direcciones. De esta explicacin es obvio que el espacio puede ser llenado comple-
tamente apilando juntos tetraedros y octaedros regulares en dos diferentes formas.
Una forma corresponde a la disposicin de huecos en cristales ehc y la otra a la
disposicin en cristales cCCa
/
///
//
/
I
I
I
I
I
I
J..--
,-<--a-_"
octadrico
Figura 1.10 Situacin de los huecos octadricos y tetradricos en cristales cccu
Empaquetamiento atmico en cristales CCC
a
y ERC 27
La figura 1.10 sita los huecos tetradricos y octadricos en los cristales ccc
u
.
Obsrvese que los poliedros formados al conectar los tomos vecinos ms prxi-
mos son poliedros irregulares: algunos de los lados tienen longitud a y otros lon-
gitud 0.866a. Los huecos octadricos se sitan en el centro de cada cara y en el
centro de cada borde de la celda unitaria y en cada cara de la celda unitaria hay
cuatro sitios tetradricos. Obsrvese que, a diferencia de los cristales de empa-
quetamiento compacto, los tetraedros estn realmente contenidos dentro de los
octaedros. Entonces uno se preguntara: porqu el hueco tetradrico no se con-
sidera simplemente como una porcin del hueco octadrico? La razn es que si se
coloca una esfera de mximo tamao en un sitio tetradrico queda atrapada ah.
No puede moverse a los sitios octadricos prximos a menos que empuje a sus
tomos vecinos cercanos, separndolos. A partir de la tabla 1.1, se puede deducir
que los huecos tetradricos aceptarn una esfera de mayor tamao que los hue-
cos octadricos.
Desde un punto de vista prctico, los huecos en los metales ccc
u
son proba-
blemente ms importantes que en los metales cCCa ya que los tomos intersticiales
desempean una funcin ms importante en las propiedades mecnicas de los me-
tales ccc
u
. Esto se debe parcialmente a que los tomos vecinos prximos forman
poliedros irregulares y, por lo tanto, cuando un tomo intersticial se mueve entre
los huecos causa una deformacin asimtrica del cristal.
B. Fallas en el apilamiento
En cristales de empaquetamiento compacto una interrupcin en la secuencia de
apilamiento de largo alcance puede producir dos tipos comunes de defectos cris-
talinos: 1) una regin de macla y 2) una falla de apilamiento. Un cambio en la
secuencia de apilamiento sobre muchos espaciamientos atmicos produce una
macla, mientras que un cambio en unos pocos espaciamientos atmicos produce
una falla de apilamiento. Se ilustrar esto para los cristalinos cCCa.
1. Macias. Considrese una secuencia de apilamiento como la que sigue:
,

: -Punto donde cambia la secuencia
de apilamiento
Con el objeto de describir el efecto de este cambio enla secuencia de apilamien-
to sobre la geometra de la estructunl cristalina, es til dibujar una vista de borde
de los planos compactos (111). La figura 1.11 a muestra la traza de los planos
(111) y ( + + +) sobre la cCCa. Si se ve esta celda unitaria desde aba-
jo a lo largo de la direccin [110], se ve el borde de los planos (I 11) Y los planos
(TI O) se ven a ngulos rectos. Esta vista del plano (TI0) se muestra en la figura
1.11 b. El plano (111) se llamar plano B y el plano + +) plano C. Entonces
los planos paralelos a travs de los tomos 1 y 3 de la figura 1.11 b sern planos A.
28
traza (110)
(
1. 1.1.,
2 2 2
traza
(111'
traza
(a)
Descripcin de los cristales
(111) traza
pianoS
2 '1
\
,
\
\
,
\
\
,
,
(b)
Figura 1.11 a) Una celda unitaria ccc
a
en la que se aprecia la traza (TI O). b) La
traza (110) da una vista de borde de los planos compactos.
Ahora se toma la seccin rectangular del plano (110) de la figura 1.11 b Y se gira
de modo que los planos (I 11) estn horizontales como en la figura 1.12. Consid-
rense los cuatro planos (111) inferiores de la figura 1.12. Estos son los cuatro
planos (111) que tocan la celda unitaria de la figura 1.11 b Y los tomos sobre
estos planos definen la localizacin de los sitios A, B Y C. Ahora el problema es
producir un cambio en la secuencia de apilamiento, como se muestra a la izquier-
e
A
B
Punto donde <;ambia
la secuencia de
apilamiento \ e
Plano de macla. __ t-A -
e
B
A
7
\
'"
\
// \
\
,
\
\
\
'//
V
"'"
2
V
K
~ vi
ca (J "'t
'" '" '"
o o o
. ., . ., . .,
.; .; .;
\
\
\
'"
/
~ 4
V
ca (J
'" '" o o
. ., . .,
.; .;
Figura 1.12 Un cambio en la secuencia de apilamiento.
La proyeccin esterogrfica 29
da de la figura 1.12. Para transformar cualquier plano en un plano B, pngase
simplemente tomos de este plano directamente sobre los sitios B. Por lo tanto,
el cambio deseado en el apilamiento se produce colocando los tomos superiores
como se muestra. Ntese que los tomos sobre el plano marcado como plano de
macla forman una imagen de espejo de los tomos bajo este plano. De aqu que la
estructura cristalina sobre este plaao es un gemelo de la que est debajo y el cam-
bio en la secuencia de apilamiento ha producido una regin gemela sobre el pla-
no de macla.
2. Fallas de apilamiento. Considrese una secuencia de apilamiento como la que
sigue:
I I
-A -8 -C -A -8 -C -A" -8 ~ ~ A -8 -C -A -8 -C-
~ Ifmites de macla ----
A partir de 10 anterior, es obvio que la regin 11 tendr una orientacin de ma-
cla respecto a las regiones 1 y I1I, las cuales tienen orientaciones idnticas. La re-
gin 11 est separada de las regiones 1 y III por dos fronteras llamadas lmites de
macla. Si estos lmites estn separados por unos pocos milmetros, la regin 11 se
llamar macla. Sin embargo, si estos lmites estn separados slo por unos cuantos
espaciamientos atmicos, como se muestra en el modelo anterior, a dicha regin
se la llamar falla de apilamiento. En otras palabras, si la separacin entre los l-
mites es tan pequea que no es fsicamente distinguible, la regin es una falla de
apilamiento. En cierto sentido la falla de apilamiento es dos lmites de macla. El
caso extremo de una falla de apilamiento es cuando simplemente se elimina un pIa-
no en un apilamiento que de otro modo sera perfecto: -A-B-C-A-B-I-A-B-C-A-B-C-.
1.2 LA PROYECCION ESTEREOGRAFICA
Con el objeto de poder discutir ideas que implican direcciones y planos especfi
cos dentro de un cristal, es muy til tener alguna especie de mapa sobre el cual se
pueda mostrar estas direcciones y planos. La proyeccin estereogrfica propor-
ciona tal mapa y es ampliamente usado en la literatura metalrgica. El esquema
completo de la proyeccin estereogrfica es como sigue:
1. Se representan los planos en un cristal por sus normales.
2. El cristal se coloca en el centro de una esfera y stas normales se proyec
tan hacia afuera hasta la interseccin con la esfera.
3. Luego las intersecciones de las normales con la esfera se mapean sobre un
plano para obtener la proyeccin deseada.
30 Descripcin de los cristales
La proyeccin estereogrfica resultante es una herramienta muy til que, en-
tre otras cosas, facilita los medios de:
l. Visualizar y discutir las relaciones entre los planos y las direcciones en un
cristal.
2. Ayudar en el anlisis de rayos X y patrones de difraccin producidos por
haces de electrones.
3. Representar esquemticamente la simetra de una red, y
4. Determinar ngulos entre planos y direcciones en el cristal.
Con el objeto de introducir la proyeccin estereogrfica es muy til usar la
celda unitaria como un "cubo de referencia". El procedimiento es como sigue:
l. Colquese el origen de un sistema de coordenadas en el centro de una cel-
da unitaria.
2. Construya desde este origen lneas que sean perpendiculares a los planos
principales del cristal, formando as sus normales.
3. Marque la interseccin de estas normales en la celda unitaria con el sm-
bolo de simetra del plano representado.
La figura 1.13 presenta este esquema con la interseccin de cada normal mar-
cada con el plano representado y su smbolo de simetra. La ventaja de usar tal
cubo de referencia es que el cubo tiene una geometra extremadamente sencilla,
y desplegando las normales de plano sobre esta geometra sencilla se visualiza la
relacin espacial entre los planos representados.
Ahora se coloca el cubo de referencia en el centro de una esfera y las norma-
les de los planos se extienden hacia afuera para intersectar la superficie de la esfe-
ra, segn se muestra por un octante de la esfera en la figura 1.14. Las intersecciones
de las normales sobre la esfera se llaman polos. De la geometra del cubo, resulta-
11 00: planos : 11 O: planos :111: planos
Figura 1.13 Cubos de referencia en los que se aprecian las tres familias de planos
en los cristales cbicos.
La proyeccin estereogrfica
31
001
y
Figura 1.14 Proyeccin de la normal del plano sobre la esfera.
r obvio que los tres polos {lO 1} yacern sobre 1 neas a 45 de los ejes
de coordenadas.
El problema ahora es cmo mapear esta esfera de referencia sobre un plano.
En la figura 1.15 se muestran tres mtodos diferentes para mapear la mitad supe-
rior de la esfera de referencia sobre un plano. En esta figura, los puntos A y B se
ven proyectados a diferentes puntos sobre el plano, dependiendo de la situacin
del foco de proyeccin. Cuando el foco de proyeccin se localiza en el centro de
la esfera, la proyeccin se llamagnomnica; si se halla Pon la base de la esfera. se lla-
ma estereogrfica; y si est en el infmito, se llama ortogrfica. La mayora de los es-
tudiantes de ingeniera estn muy familiarizados con proyecciones ortogrficas desde
sus cursos sobre grficas. La proyeccin estereogrfica es bastante similar a la pro-
yeccin ortogrfica en apariencia. Una propiedad importante de la proyeccin
3 3
1 Gnomnica
2 Estereogrfica
3, Ortogrfica
Figura 1.15 Diferentes mtodos de proyeccin.
32 Descripcin de los cristales
estereogrfica que se encontrar til es: los ngulos entre los polos sobre la pro
yeccin siempre son los ngulos verdaderos entre las normales de los planos re-
presentados por los polos. El ngulo entre las normales de planos es tambin el
ngulo entre los planos representados por estas normales. Por lo tanto, determinan-
do los ngulos entre los polos se obtienen los ngulos entre los planos. La siguiente
tcnica se usa para poder proyectar fcilmente la esfera en forma estereogrfica y
para medir los ngulos sobre la proyeccin. Se trazan las lneas de longitud y lati-
tud sobre una esfera (por lo general, a intervalos de 2). Estas lneas de latitud y
longitud se proyectan entonces estereogrficamente hacia el plano para obtener
la malla mostrada en la pgina 33. Esta malla con frecuencia se llama red de Wulff.
Por analoga con el globo terrestre, la parte superior de la red se llamar el polo
norte y el eje horizontal (eje este-oeste) se llamar el ecuador. Entonces, las l-
neas que corren verticalmente son longitudes y las lneas horizontales son latitu-
des. Con el uso esta malla se puede situar cualquier punto sobre la proyeccin si
se conocen sus coordenadas de longitud y latitud. Tambin se pueden utilizar las
lneas de la malla para medir ngulos entre los polos.
Los ngulos pueden medirse contando los grados a lo largo de una latitud o
a lo largo de una longitud, y es muy importante percatarse de la diferencia que
existe aqu. Considrense los tres puntosA, B, Cmostrados en la figura 1.16a so-
bre los 0 de longitud y 40 latitud N; 60 longitud E y 40 latitud N; y 60
0
10ngi-
tud E y 1 OOlatitud N. La figura 1.16b muestra una vista tridimensional del cuadran-
te derecho superior de la figura 1.16a con los mismos tres puntos localizados. Con
la red de Wulff en la posicin de la figura 1.16a se puede medir un ngulo entre
A y B movindose a lo largo de los 40 latitud N y contando las marcas de gra-
dos sobre la red. Se obtiene un ngulo de 60 y, de la figura 1.16b, quedar claro
que ste es el ngulo a'. Ntese que si A y B son polos, entonces este ngulo a
no es el ngulo entre los planos representados por los polos. Ese ngulo se mues-
N
s

W
Figura 1.16 Relacin de la red de Wulff a) con la esfera de referencia b).
La proyeccin estereogrfica
33
tra como a en la figura 1.l6b, el ngulo entre las normales de los planos, el cual
se debe originar en el centro de la esfera. Considrense ahora los puntos By C.
Con la red de Wulff en la posicin de la figura I .l6a, se puede medir fcilmente
un ngulo entre B y C movindose a lo largo de los 60 longitud E y contando
las marcas de grados sobre la red. Se obtiene un ngulo de 30 , el cual correspon
de al ngulo en la figura 1.16b. Si los puntos B y C son polos, entonces este
= 30 co;responde al npulo verdadero entre los planos de estos polos
debIdo a que es el angula entre sus normales. Ntese que en el primer caso se mide
el ngulo entre A y B movindose a lo largo de una latitud, mientras que en el
segundo caso el ngulo entre B y e se midi a lo largo de una longitud. La pre
gunta es ahora cmo podra medirse el ngulo a entre A y B con una red de
Wulff? Supngase que se fuese a pasar un plano a travs de la esfera de la figura
1.16b, el cual contuviese el origen y los puntos A y B. La traza de este plano so-
o
La red de Wulff
34
Descripcin de los cristales
bre la esfera sera un gran crculo. Lo sera debido a que el centro de esta traza
de crculo sera tambin el centro de la esfera. Si se pudiesen medir grados a lo
largo de este gran crculo, entonces se podra medir a. De la figura 1.l6b podr
deducirse que todas las longitudes son grandes crculos; pero ninguna latitud
lo es, excepto el ecuador. De aqu se deduce un punto importante concerniente
al uso de las redes de Wulff: los ngulos verdaderos entre planos representados
por polos pueden medirse a lo largo de grandes crculos (longitudes y ecuador) pe-
ro no a lo largo de pequeos crculos (latitudes). Para medir el ngulo entre los
polos A y B se coloca primero una hoja de papel translcido (por ejemplo, alba-
nene) sobre la red de Wulffy se sitan A y B sobre esta hoja. Luego se coloca un
almer en el origen de la red de Wulff y se gira el papel translcido sobre la red de
Wulff hasta que ambos puntos caigan sobre alguna lnea longitudinal. El ngulo
verdadero, a, puede entonces medirse a lo largo de esa longitud.
Con el objeto de ilustrar el uso de la red de Wulff, se presentarn tres ejemplos.
1. Construir una proyeccin estereogrfica estndar (001). Una proyeccin este-
reogrfica hkI es una proyeccin de la esfera de referencia con el polo hkl en el
centro de la proyeccin y generalmente con los polos desplegados {lOO}, {lll }
y {011} por lo menos. Para hacerlo se coloca una hoja de papel translcido sobre
una red de Wulff y se pone el polo (001) en el centro. A partir de la figura 1.17 a
se puede deducir que el polo (IOO) estara en el polo sur de la proyec'cin y que
el polo (O 1 O) al extremo Este del ecuador segn se muestra en la figura 1.17 b.
Enseguida considrese el plano de la figura 1.17 a, el cual contiene el origen, el
polo (100) y el polo (011). Habr de notarse, por la geometra de la figura 1.17 a,
x
N
o -+---..,---Pl<t::..::..:.-flt..::...:...'--1tt"01 o E
100
S
~ ~
Figura 1.17 Construccin para el problema-ejemplo # 1.
La proyeccin estereogrfica 35
111 IV
Figura 1.18 Proyeccin estereogrfica (001) estndar para cristales cbicos.
que este plano hace una traza sobre la esfera, la cual se mostrar sobre la proyec-
cin como 45 longitud E, segn se ve en la figura 1.17 b. Tambin deber notarse
que el polo (011) estar situado en la interseccin de esta longitud con el ecua-
dor, como se muestra en la figura 1.17 b. El polo (11) yace sobre esta longitud
(45 E), como puede verse en la figub 1.17a. El polo( 111) tambin debe estar so-
bre el gran crculo a travs de los polos (001) Y (I 10). Este crculo ser una lnea
recta sobre la proyeccin, y el polo (111) se localiza en la interseccin entre esta
lnea y los 45 longitud E, como se muestra en la figura 1.17 b. El resto de la pro-
yeccin (001) se construye fcilmente considerando la simetra cudruple de los
cristales cbicos; el resultado se muestra en la figura 1.18. Es muy til darse cuen-
ta que cualquier polo en el cuac\rante 1 debe tener ndices de signo {hkl}; y para
los otros cuadrantes se tiene, II - {hkl}, III {hkl} Y IV {hkl}.
2. Localizar el polo (132) sobre una proyeccin estndar (001). Para resolver
este problema, se situar primero el polo (130) y luego el polo (132) por razones
que se harn obvias a medida que se avance. La figura 1.19 muestra un esquema
de ambos planos sobre una celda unitaria. Ntese que los dos planos se intersec-
tan a lo largo de la direccin [310]. El plano (130) es paralelo a la direcccin
[OOIJ Y consecuentemente su polo debe estar sobre el crculo exterior de la pro-
yeccin estereogrfica. Ntese, en la figura 1.18, que todos los polos sobre el crcu-
lo exterior tienen un ndice de Miller I de valor' cero. Para situar el polo se usar
la tabla 1.2, la cual en lista los ngulos entre los planos en el sistema cbico. Pue-
de verse que cada plano {3 I-Q} forma ngulos de 18.4, 71.6 Y 90 con los pla-
nos {IDO}. De lo anterior debe estar claro que el polo (I:fO) estar sobre el borde
36 Descripcin de los cristales
(i30)..... ...... .....:
............
1 ...... /
1 ............
Tomado como origen
Figura 1.19 Construccin para el problema-ejemplo # 2.
externo del cuadrante 11 de la proyeccin estereogrfica, segn se muestra con la
lnea continua en la figura 1.20a. Cualquier polo sobre esta lnea estar a 90 del
polo (001). Por lo tanto, el polo (130) debe estar sobre esta lnea a 18.4 ya sea
del polo (010) o del (100). Vista desde arriba la figura 1.19, se observar que el
polo (130) debe estar ms cercano al polo (OTO) que al (100). Desde luego, se
localiza el polo a 18.4 del (oTo) contando las marcas de grados sobre el crcu-
lo exterior de la red d ~ Wulff.
Para situar el polo (132) obsrvese, en la figura 1.19, que si se gira el plano
(130) 90 con respecto a la direccin [310] su polo se mover en la esfera de re-
ferencia a lo largo de la lnea discontinua de la figura 1.20a hasta caer sobre el
polo (001). Despus de una rotacin de algo menos de 90 ,el plano coincidir
con el plano (132). Por consiguiente, el polo (132) debe estar a lo largo de esta
lnea discontinua en algn lugar del cuadrante 11. En la tabla 1.2 se ve que cada
plano{321} forma ngulos de 36f, 57.7 y 74.5 con los planos {lOO}. De ah
- t
100/
/
/
I
I
/
001
100
001
010
~ ~
Figura 1.20 Construccin para el problema-ejemplo # 2.
La proyeccin estereogrfica
37
100
510 510
lOO
Figura 1.21 Una proyeccin estereogrfica (001) de planos en el sistema cbico.
que el polo debe estar sobre la lnea discontinua a 36.7, 57.7
u
74.5
u
del polo
(001), segn se muestra por los puntos A, B Y e de la figura 1.20b. Ahora se lo-
calizan estos tres puntos usando la red de Wulff. Enseguida se miden los ngulos
entre estos tres puntos y el polo (100), midiendo a lo largo de una longitud, y se
encuentra que slo el punto B forma uno de los ngulos restantes, 74.5 . Una
medicin posterior muestra que el punto B forma el ngulo de 36.7 con el polo
(010) y, por lo tanto, el punto B es la situacin del polo (132).
De esta manera, se pueden lpcalizar todos los polos sobre la proyeccin. Sin
embargo, es muy til tener una proyeccin estndar (001) completa a su dispo
sicin cuando se utilice la proyeccin estereogrfica, y una proyeccin como esa
se presenta en la figura 1.21. Ntese la localizacin de los polos (130) y(I32) so-
bre esta proyeccin.
38
Descripcin de los cristales La proyeccin estereogrfica 39
Tabla 1.2 Angulos entre los planos cristalogrficos en el sistema cbico (en gra-
Tabl2 1.2 Contina
dos).
221 221 0.00 27.27 38.94 63.51 83.62 90.00
HKL hkl
310 32.51 42.45 58.19 65.06 83.95
100 100 0.00 90.00
311 25.24 45.29 59.83 72.45 84.23
110 45.00 90.00
320 22.41 42.30 49.67 68.30 79.34 84.70
111 54.74
321 11.49 27.02 36.70 57.69 63.55 74.50 79.74 84.89
210 26.56 63.43 90.00
310 310 0.00 25.84 36.87 53.1-3--72.54 84.26
211 35.26 65.90
311 17.55 40.29 55.10 67.58 79.01 90.00
221 48.19 70.53
320 15.26 37.87 52.12 58.25 74.74 79.90
310 18.43 71.56 90.00
321 21.62 32.31 40.48 47.46 53.73 59.53 65.00 75.31
311 25.24 72.45
85.15 9C.00
320 33.69 56.31 90.00
321 36.70: 57.69 74.50
311 311 0.00 35.10 50.48 62.96 84.78
320 23_09 41.18 54.17 65.28 75.47 85.20
110 110 0.00 60.00 90.00
321 14.76 36.31 49.86 61.09 71.20 80.72
111 35.26 90.00
210 18.43 50.77 71.56
320 320 0.00 22.62 46.19 62.51 67.38 72.08
211 30.00 54.74 73.22 90.00
321 15.50 27.19 35.38 48.15 53.63 58.74 68.24 72.75
221 19.47 45.00 76.37 90.00
77.15 85.75 90.00
310 26.56 47.87 63.43 77.08
321 321 0.00 21.79 31.00 38.21 44.41 49.99 64.62 69.07
311 31.48 64.76 90.00
73.40 85.90
320 11.31 53.96 66.91 78.69
321 19.11 40.89 55.46 67.79 79.11
111 111 0.00 70.53
3. Localizar la posicin del polo (130) despus de una rotacin de 90 (en el
210 39.23 75.04
211 19.47 61.87 90.00
sentido de las manecillas del reloj) respecto al polo (132). Con el fin de girar un
221 15.79 54.74 78.90
polo con respecto a otro, resulta muy til llevar uno de los polos a la posicin
310 43.09 68.58
(001) de una proyeccin (001). En este problema se girar el polo (132) hasta la
29.50 58.52 79.98
posicin del polo (001) y entonces se girar el polo (130) con respecto a l. Queda
320 36.81 80.78
que con el polo (132) en la posicin (001) la rotacin causar que el polo
321 22.21 51.89 72.02 90.00
( 13 O) se mueva a lo largo de un crculo sobre la proyeccin, cuyo centro se en-
210 210 0.00 36.87 53.13 66.42 78.46 90.00
cuentra en la posicin central de la proyeccin. Este problema puede resolverse
211 24.09 43.09 56.79 79.48 90.00
por medio del siguiente procedimiento:
221 26.56 41.81 53.40 63.43 72.65 90.00
310 8.13 31.95 45.00 64.90 73.57 81.87
1. Localizar los polos (130) y (132) sobre la proyeccin, segn se describe
311 19.29 47:61 66.14 82.25
antes, y la proyeccin con respecto a su centro para transpor-
320 7.12 29.74 41.91 60.25 68.15 75.64 82.87
tar el polo (1 3 2) al ecuador de la red de Wulff, como se muestra en la fi-
321 17.02 33.21 53.30 61.44 68.99 83.14 90.00
gura 1.22.
211 211 0.00 33.56 48.19 60.00 70.53 80.40
2. El polo (132) est a 57.7 del polo (OOI). Moviendo el polo (132) arri-
221 17.72 35.26 47.12 65.90 74.21 82.18
ecuador de la red de Wulff hacia la posicin (001) subir el polo
310 25.35 40.21 58.91 75.04 82.58
(13 O) sobre el ecuador por 57.7, de modo que ahora se ubica a lo largo
311 10.02 42.39 60.50 75.75 90.00
de la red de Wulff a 32.3 del polo (001), como se muestra en la etapa 2 de
320 25.06 37.57 55.52 63.07 83.50
la figura 1.22.
321 10.89 29.20 40.20 49.11 56.94 70.89 77.40 83.74
3. Ahora se gira el polo (130) 90 en el sentido de las manecillas del reloj
90.00
con respecto a la posicin del polo (001) usando un comps. Puesto que
40 Descripcin de los cristales
ecuador de la
proyeccin
Figura l.22 Construccin para el problema-ejemplo # 3.
el ngulo es exactamente de 90, la nueva posicin del polo (130) estar
sobre el eje N-S de la red de Wulff fundamental.
4. Ahora se gira el polo (132) de nuevo hacia abajo del ecuador de la red de
Wulff 57.7 hacia su posicin original. Al hacer esta rotacin, es til con-
siderar lo que est sucediendo en la esfera de referencia. Esta rotacin
causa que la esfera de referencia gire con respecto a su correspondiente
eje N-S (ver la figura 1.17 para situar el eje N-S sobre esfera y proyeccin).
Tal rotacin causar que los puntos proyectados se muevan de este a oes-
te a lo largo de las latitudes de la red de Wulff. Por ejemplo, considere el
lector la forma en que se mueven los puntos de un globo a medida que lo
gira. Por lo tanto, esta rotacin causar que la posicin del polo (130) se
mueva de 57.7 hacia el oeste a lo largo de la latitud, recorrindola toda
como se muestra en la figura 1.22.
5. Ahora se quita la proyeccin de la red de Wulff y el polo (130) est en la
posicin girada apropiada.
Un error comn al girar polos es moverlos a lo largo de una longitud. Ntese
que la rotacin de un globo con respecto a su eje norte-sur hace que todos los
puntos se muevan a lo largo de latitudes. Para las rotaciones podra ser til imagi-
nar que la proyeccin es una esfera que se observa desde cierta distancia. La rota
cin de un punto se logra por rotacin de la esfera con respecto de sus ejes. Si se
gira la esfera con respecto a su eje este-oeste, cmo se mueven los puntos de la
esfera en el plano de proyeccin? No se pueden mover a lo largo de la longitud de
La proyeccin estereogrfica 41
la red de Wulff fundamental, ya que esto provocara que todos los puntos sobre la
esfera se colapsaran hacia el polo norte. Grese el eje norte-sur de la red de Wulff
para que quede bajo el eje este-oeste de su proyeccin. Ahora, la rotacin con
respecto a los ejes de la proyeccin este-oeste hace que los puntos de la proyec
cin se muevan a lo largo de las latitudes de la red de Wulff fundamental.
Hasta ahora se ha restringido la atencin a describir planos cristalinos con la
proyeccin estereogrfica. La proyeccin estereogrfica puede usarse convenien
temente para mostrar direcciones en los cristales. Se traza una lnea en la direc
cin deseada hacia la esfera de referencia y su interseccin se proyecta sobre el
plano. As, cualquier direccin en un cristal ser representada por un punto en la
proyeccin estereogrfica.
Con frecuencia se utiliza slo una pequea seccin de la proyeccin estereo
grfica. La pequea seccin que se despliega usualmente es la regin triangular
que se muestra en la figura 1.23 y se llama el tringulo patrn. El tringulo patrn
se usa a menudo para indicar la orientacin de cristales o de granos. Supngase
que se dijo que el eje de un alambre de monocristal estaba indicado por el polo
P sobre el tringulo patrn en la figura 1.23. Cmo podra visualizarse la orien-
tacin de este cristal?: una forma conveniente de hacerlo es con el uso del cuho
de referencia. La figura 1.24 muestra la posicin del tringulo patrn en el cubo de
referencia con la direccin P indicada sobre l. Si uno se imagina que el cubo de re-
ferencia de la figura 1.24 es un gran monocristal con la orientacin mostrada, en-
tonces el alambre de monocristal sera un delgado corte cilndrico de este bloque
a lo largo de la lnea desde P hasta el centro, cerno se muestra en la figura 1.24.
/'
001
011
tringulo
>:oatrn
Figura 1.23 Un tringulo patrn en el sistema cbico.
42
[100]
I
I
I
I
[001]
Descripcin de los cristales
i alambre del
r'-------Ic---+----r monocristal
I
I
1 [010]
I
{I
/ I
/ ../J----- ----------
~ I
-;
/'-----.....J
/' ---
..- --
/;::::.----
Figura 1.24 Proyeccin del tringulo patrn sobre el cubo de referencia.
A menudo es conveniente hablar acerca de la traza de un plano sobre la pro-
yeccin estereogrfica. Si se extiende cualquier plano (hkl) hacia la esfera de re-
ferencia, intersecar a sta a lo largo de un gran crculo. Este gran crculo es la
traza del plano y puede definirse simplemente como la situacin de los puntos
que se hallan a 9 0 ~ ~ e l polo e l plano. La figura 1.25 muestra los polos y las tra-
zas de los planos (111) Y (O 11). Queda claro que el polo est a 90 de cada pun-
to a lo largo de la traza.
Se dice qu.e los planos que se intersecan a lo largo de una lnea comn per-
tenecen a la mIsma zona y se llaman planos de una zona. La lnea comn se lla-
traza de (011)
Figura 1.25 Traza de planos sobre la proyeccin estereogrfica.
Problemas 43
ma eje de zona. Supngase que se ha pedido determinar la direccin del eje de
zona para los dos planos (111) y (011). Dibujando la traza de estos planos sobre
una proyeccin estereogrfica como en la figura 1.25, el punto de interseccin
se hace evidente de inmediato y se ve que el eje es la direccin [011]. Ntese que
los 45 longitud O est a 90 de la direccin [O 111. Por lo tanto, todo polo sobre los
45 longItud O representa un plano de la zona [011], por lo que esta longitud
puede llamarse crculo de zona [011]. Las lneas dibujadas sobre la proyeccin es-
tndar en la figura 1.18 se refieren a menudo como los crculos principales de zona.
Una propiedad de la proyeccin estereogrfica que algunas veces resulta til
es la siguiente. Cualquier crculo sobre la esfera de referencia aparecer sobre la
proyeccin estero grfica como un 'crculo verdadero. En las referencias 3 y 4 se
puede encontrar informacin acerca de este punto as como de las proyecciones
gnomnica y estereogrfica .
REFERENCIAS
1. L. H. Van Vlack, Materials Science for Engineers, Addisson-Wesley, Reading,
Mass., 1970, captulo 5.
2. W. G. Moffatt, G. W. Pearsall y J. Wulff, The Structure and Propierties of
Materials, Vol. 1, Wiley, Nueva York, 1964, captulo 3 y apndice 3.
3. B. D. Cullity, Elements of X-ray Difraction, Addison-Wesley, Reading, Mass.,
1956, captulo 2.
4. C. S. Barrett, Structure of Metals, McGraw-Hill. Nueva York, 1943, captulo 2.
PROBLEMAS
1.1 Los tomos de un cristal yacen sobre los puntos de una retcula tetragonal
con a = b y e = tao Un plano intercepta el cuarto tomo desde el origen sobre el
eje Z, el segundo tomo sobre el eje Y y el sexto tomo sobre el eje X. Cules
son los ndices de Miller en este plano?
1.2 Demuestre que la direccin [111] es perpendicular a los planos (111) en el
sistema cbico. Se mantendra esta relacin en el sistema tetragonal?
1.3 Los planos { 111} del sistema cbico forman un octaedro y por ello algunas
veces se llaman planos octadricos. Enliste todos los ndices de Miller de estos pla-
nos { 111}. Por medio de un esquema muestre el octaedro que forman estos planos
dentro de la celda unitaria de la retcula cbica. Rotule los planos en su esquema.
1.4 a) Haga un dibujo seccionado a travs del plano (111) de la celda unitaria
cCCa mostrando las posiciones atmicas.
b) Sobre la seccin, muestre las direcciones [101], [O 11], [112] y [211].
1.5 Muestre una traza del plano (1012) sobre una celda unitaria del sistema he-
xagonal, a tamao completo. Tambin muestre las direcciones [1120] y [1011].
Enliste los ndices de Miller de todos los planos { 101 2}.
1.6 Se da la siguiente informacin como descripcin de la estructura cristalina
del estao (3 en la pgina 235 del volumen 8 del ASM Metals Handhook: tetrago-
44 Descripcin de los cristales
nal centrado en el cuerpo, cuatro tomos por celda en O O O,.!. 1.. 1... O 1.. 1... Y
1 3 _ . _ .-.. ' ' , '2'2'2' '2'4'
2,0'4' a - 5.83 Ay c- 3.18A.
a) A partir de esta informacin, dibuje una celda unitaria para el estao (jo
b) Enliste todas las direcciones en la red del Sn que tienen simetra de rota-
cin de orden dos.
1.7 Calcule la eficiencia de empaquetamiento (porcentaje del volumen de un cris-
tal que est ocupado por tomos) para los cristales ccc
u
y ccc
a
suponiendo el
modelo de esfera dura. .
1.8 Muestre que la razn c/a en un cristal ehc de esferas perfectas es 1.633.
1.9
Empaquetamiento Coordinacin Radio del hueco/Radio de la esfera
Empaquetamiento
! ("tnOdri,o)
0.155
compacto 0.225
!5 (octadrico) 0.414
12 1.0
cbico centrado
{ Hu"o ',""drioo
0.291
en el cuerpo Hueco octadrico 0.154
8 1.0
La tabla anterior da la relaci6n de radio del hueco a radio de la esfera para dos
diferentes clases de empaquetamiento. Deduzca las relaciones dadas para los hue-
cos tetradricos en ambos casos.
1.10 a) El acero es una solucin de carbono en hierro. Puesto que los tomos
de carbono son considerablemente ms pequeos que los tomos de hierro, se espe
ra que el carbono se halle en los huecos intersticiales (solucin slida intersticial)
de la retcula del hierro. Con base en su respuesta al problema 1. 7, se esperara que
el hierro a (ccc
u
) admitiera ms carbono que el hierro r (ccc
a
) o viceversa?
b) A partir de datos de rayos X, hay una fuerte evidencia de que los radios
del hierro y del carbono estn dados como
'Fe (fase r) = 1.25 A
rFe (fase a) = 1.24A
re = 0.7 A
Con base en el modelo de esfera dura,
1. En cules huecos intersticiales se esperara hallar a los tomos de C en el
hierro a y en el r?
2. Cul cree que disuelva ms carbono, la fase a o la fase r?
1.11 En algunos problemas acerca de C""stales metlicos es til conocer la den-
sidad de tomos cuyos centros yacen sobre los planos (hkl). Esta densidad puede
caracterizarse por una eficiencia de empaquetamiento de rea, la cual se calcula
como el porcentaje de rea del plano (hkl) ocupada por tomos cuyos centros se
encuentran sobre ese plano. Utilizando el modelo de esfera dura se obtiene el si-
guiente resultado:
Problemas
Eficiencia de empaquetamiento de rea
Red
ccc
u
ccc
a
(lOO)
58.9
78.4
(110)
83.4
55.5
(I11)
33.5
90.6
45
Calcule la eficiencia de empaquetamiento de rea para los planos 00) de la ret-
cula ccc
u
.
1.12 Los siguientes datos se dan en la tabla 1.2.
1. El ngulo entre el plano (210) Y el plano (100) es de 26.56 .
2. El ngulo entre el plano (211) Y el (100) es de 35.26 Y entre el (211) Y
Y el (110) es de 30.00.
Construya una proyeccin estereogrfica estndar (001) colocando un papel
transparente sobre una red de Wulff. Sea el polo sur el (100) y el polo este el (01 O).
Usando la anterior informacin y su conocimiento de la estructura cristalina, lo-
calice los polos de los planos (210) Y (211) sobre su proyeccin. Cul es el ngulo
entre estos dos planos? Identifique y localice el polo del eje de zona al cual per-
tenecen estos dos planos.
1.13 El polo A, cuyas coordenadas son 20 latitud N, 50 longitud E, va a ser
girado con respecto a los ejes que se muestran a continuacin. En cada caso, en-
cuentre las coordenadas de la posicin final del polo A y muestre el camino tra-
zado durante la rotacin.
a) rotacin de 60 con respecto a un eje normal al plano de proyeccin, en
sentijo horario para el observador.
b) de 60 con respecto a un eje B inclinado cuyas coordenadas son
10 latitud S, 30 longitud O, en sentido horario para el observador.
Respuesta: a) 27 S, 48 E; b) 39 S, 61 E.
1.14 El estao blanco tiene la estructura tetragonal con c/a = 0.545. En liste
los planos de la forma {OO 1}, {l 001}, {ll O}, {O 11 }, {lll}. Dibuje la proyeccin es-
tndar 001 para el estao blanco e indique los polos de los anteriores planos con
sus propios smbolos de simetra.IMuestre los crculos de zona importantes. (Los
principales crculos de zona para el caso cbico son los grandes crculos mostra-
dos en la figura 1.18).
1.15 El polo A se localiza a 20 latitud S y 40 longitud O, y el polo B se lo-
caliza a 10 latitud N y 10 longitud E. Localice la posicin del polo B despus
de haber sido girado 90 en sentido horario para el observador con respecto al
polo A. Trabaje el problema en tres formas girando el polo A hasta el origen de
la proyeccin en tres formas diferentes.
a) Gire primero el polo A hacia el ecuador de su proyeccin y luego a lo lar-
go del ecuador hacia el origen. No use un comps para la primera rotacin, sino
grelo a lo largo de una latitud o de una longitud (cualquiera es correcto) bajo su
proyeccin.
b) Repita esa parte utilizando un comps para la primera rotacin.
c) Gire la red de Wulff respecto al origen (deje estacionaria la proyeccin)
hasta que el ecuador de la red de Wulff se halle directamente bajo A. Ahora gire
46
Descripcin de los cristales
A sobre su proyeccin directamente hacia el origen a lo largo del ecuador de la
red de Wulff subyacente.
Note que despus de haber girado el polo A hacia el origen, la posicin del
polo B es diferente en cada uno de los tres casos, pero el ngulo entre los dos po-
los es el mismo. Esto ilustra el verdadero carcter angular de la proyeccin este-
reogrfica.
CAPTULO 2
Determinacin de la estructura
En la tabla de la pgina 16 de la introduccin se seala que las propiedades fsicas
de los metales estn influidas tanto por la microestructura como por el arreglo
atmico del metal.
Microestructura. Cuando se examina un metal a escala microscpica con un mi
croscopio ptico despus de pulir y atacar con cido en forma conveniente la
superficie, se observa una amplia variedad de estructuras dependiendo de la com-
posicin y preparacin de la aleacin. En la figura 2.1 se ilustra un ejemplo de
una estructura colada. Esta fotografa es de una soldadura de plomo-estao com-
puesta de dos fases; la fase brillante es una solucin slida de estao tetragonal
centrada en el cuerpo (tcc
u
)' y la fase obscura es una solucin slida de plomo
ccc. La microestructura de la aleacin se describe identificando los tipos de fases
presentes y describiendo sus distribuciones de forma y tamao. La herramienta
metalrgica ms til en la caracterizacin de microestructuras es el microscopio
ptico. En aos recientes se han desarrollado otros dos microscopios muy tiles,
el microscopio electrnico de transmisin (MET) y et microscopio electrnico
de barrido (MEB). Estos microscopios dan al metalurgista un medio de caracte-
rizar microestructuras en detalles mucho ms fmos que lo que es posible con el
microscopio ptico. En este captulo se presentar una breve introduccin a los
principios de los microscopios MET y MEB. Sin embargo, no se estudiar el mi-
croscopio ptico, porque se supone que el estudiante ya sabe el manejo de los
microscopios pticos.
Arreglo atmico. Cada una de las regiones blancas de la figura 2.1 es individual-
mente un monocristal casi perfecto de estao, y las regiones blancas ms grandes
(dendritas) tienen todas un eje (11 m casi normal al plano de pulido. La orienta-
48
Determinacin de la estructura
Figura 2.1 Aleaci6n de plomo-estao que tiene dendritas de estao en una matriz
eutctica (125 X).
cin cristalogrfica de tales microconstituyentes tiene amenudo una fuerte influen-
cia sobre las propiedades fsicas de la aleacin. Adems, la presencia y extensin de
defectos en los cristales individuales que son metlicos juegan un papel importame
en el control de las propiedades fsicas. La herramienta metalrgica ms til para
determinar orientaciones cristalogrficas y la naturaleza y extensin de la imper-
feccin cristalina ha sido la difraccin de rayos X. Sin embargo, con el adveni-
miento de las microscopas METy MEB, la difraccin de electrones directamente
dentro del microscopio se ha convertido en una herramienta muy poderosa para
estos propsitos. La difraccin de rayos X y de electrones se analizarn en este
captulo.
2.1 DIFRACCION DE RAYOS X
Cuando un haz de rayos X incide sobre un metal se produce un cierto nmero de
diferentes e interesantes interacciones. Una de estas interpretaciones, conocida
como dispersin de Thomson; provoca que los electrones de los tomos del cris-
tal emitan radiacin electromagntica de la misma longitud de onda, A, que el haz
incidente, lo que produce un efecto de difraccin.
Difraccin de rayos X
longitud de onda
de la radiacin = A
rayo difractado
'"
Figura 2.2 Dracci6n.
49
planos de tomos
espaciados
una distancia d
hkl
La figura 2.2 muestra una vista de borde de un cristal que tiene planos atmi-
cos con un espaciamiento de d
hkl
. Los planos son perpendiculares a la pgina. Un
haz de radiacin de longitud de onda "JI. incide sobre el cristal en algn ngulo (J
La difraccin debida a la dispersin de Thomson producir una fuerte reflexin
desde el cristal en un ngulo o: si se cumplen las condiciones siguientes:
1. Solamente es posible un ngulo de 0:, o: == (J
2. Debe satisfacer la ecuacin de Bragg, o sea
nA
--=sen(J
2d
hk1
n = entero == 1, 2, 3, ... (2.1)
A valores mayores de n, la intensidad de la reflexin se reduce rpidamente.
Por lo tanto, se tomar n = 1 al menos que se indique otra cosa.
3. Es posible que los tomos que se localizan entre los planos difractantes
estn colocados en tal forma que se destruya el haz difractado. Por lo tanto,
para cualquier estructura cristalina ciertos planos no difractarn aun cuan-
do se cumplan las condiciones 1 y 2. En la tabla 2.1 se enlistan los planos
difractantes para cristales cbicos.
En varios libros de texto,I-3 puede hallarse una deduccin de la ecuacin de
Bragg. La referencia 1 da una excelente presentacin. Para el propsito del libro,
la ecuacin de Bragg se utiliza para analizar las estructuras y no se considera aqu la
teora de la difraccin. La difraccin de rayos X ha probado ser extremadamente
til en metalurgia. Considrense los siguientes ej emplos.
l. La ley de Bragg puede escribirse como d
hkl
= nA/(2osen (J). Cuando se co-
noce A y se determina el valor de (J que produce reflexin, puede hallarse
el espaciamiento interplanar, d
hkl

2. La ley de Bragg puede escribirse como (J = sen-
I
(nA/2d
hkl
). Cuando se
conocen d
hkl
y A, los valores medios de (J permiten determinar la orien-
tacin de los planos cristalinos con relacin al haz.
so Determinacin de la estructura
3. El anlisis de la fonna del haz difractado suministra infonnacin sobre
la perfeccin del cristal.
4. Hay otros numerosos ejemplos; vase la referencia 1.
Hay tres tcnicas principales de anlisis por rayos X utilizadas comnmente
por los metalurgistas.
Nombre de la tcnica
Laue
polvos
difract6metro
Longitud de onda, A
variable
fija
fija
8
fijo
variable
variable
Si la radiacin tiene slo una longitud de onda se denomina monocromtica;
si es variable se llama radiacin blanca.
A. Mtodo de Laue
En esta tcnica se usa radiacin blanca y los haces difractados se miden como puno
tos sobre una placa fotogrfica. Cuando la placa se halla en el mismo lado que la
muestra con respecto a la fuente del haz, la radiacin pasa primero a travs de
la placa y los haces difractados regresan a la placa. Esta se llama una fotografa
de retrorreflexin, y cuando la placa se halla en el lado opuesto de la fuente se llama
fotografa de transmisin. Para ilustrar esta tcnica considrese el arreglo para trans-
misin que se muestra en la fJgura 2.3. La radiacin blanca se dirige paralelamente
a la direccin [010] del cristal cbico ccc
a
segn se muestra. Ahora, la pregunta
[001]
traza del
plano (1011
sobre la
pellcula

[100]
Figura 2.3 ArreglO de transmisin de Laue.
Difraccin de rayos X
Tabla 2.1 Indices de los planos de reflexin para las estructuras cbicas.
Cbico
simple
{lOO}
{UO}
{1U}
{200}
{21O}
{211}
{220}
{221}
{300}
{311J}
{311}
{222}
{320}
{321}
{400}
{322}
{410}
{330}
{411}
{331}
{420}
{421}
{332}
Cbico centrado
en el cuerpo
{IIO}
{200}
{211}
{220}
{310}
{222}
{321}
{400}
{330}
{411}
{420}
{332}
Cbico centrado
en las caras
{111}
{200}
{220}
{311}
{222}
{400}
{331}
{420}
SI
cul es el modelo geomtrico que aparecer sobre la placa debido a difraccin
por los planos {111 }? Primero hay que determinar si ocurre u no difraccin desde
los cuatro planos {111}. Ya que aqu A es una variable, es evidente que se cumplir
la ecuacin de Bragg para todos los valores de 8 . La tabla 2.1 indica que los planos
{111} producen reflexiones en los cristales CCC
a
, de modo que se puede esperar
un punto para cada uno de los cuatro conjuntos de planos {111}. Resulta eviden-
te, de la inspeccin de la figura 2.2, que los rayos incidente y difractado estn en
un plano perpendicular a los planos de difraccin. Este hecho es muy til para
visualizar la difraccin: los rayos incidente y difractado deben estar en el mismo
plano que la normal de los planos de difraccin_
Ahora la pregunta es: -cul es el plano que contiene el rayo incidente y la
nonnal al plano (1J1)? Este plano estara deCmido por las direcciones y
[111], y puede verse en la fIgura 2.3 que estas dos lneas definen !,l plano (10 1).
Por lo tanto, el haz difractado debe estar en algn lugar del plano (101). Si se pro-
longa este plano (T01) hacia afuera de manera que corte la pelcula fotogrfica,
52 Determinacin de la estructura
(111)
haz difractado
(101)
(i01)
1 3
k-a-J
(a) (b)
Figura 2.4 Relacin geomtrica entre el haz de rayos X y los planos de difraccin.
forma una traza recta sobre la placa a un ngulo de 45 sobre la horizontal. V a-
se la figura 2.3. Luego, con el fin de localizar la posicin en donde aparece el
rayo difractado sobre esta traza, se debe determinar el ngulo al cual dicho haz
deja el cristal. La fIgura 2.4 a sita los planos (111) y (101) en la celda unitaria;
su interseccin se marca con la lnea discontinua 1.2. La figura 2.4 b es una vista
normal al plano (101). En esta vista, el plano de difraccin (111) es perpendicular
a la pgina y va desde .el punto 1 al punto 2. Por lo tanto, el ngulo de incidencia
y de difraccin, 8, debe aparecer directamente sobre esta vista como se indica.
Ntese que el rayo difractado se proyecta hacia arriba con un ngulo de 28 desde
la lnea de radiacin incidente. Por la geometra de la celda unitaria, se ve que la
tangente de 8 es la mitad de la diagonal de la cara dividida entre el borde del cubo
de modo que 28 = 70.6
En fotografa de Laue en las que se utiliz radiacin X, la mayor parte de la
radiacin que llega pasa directamente a travs de la muestra, produciendo una
mancha muy marcada en el centro de la pelcula, la cual puede usarse como punto
de referencia. Sea R la distancia desde este punto central con la cual el haz difracta-
do toca la pelcula. Si la distancia desde la muestra a la pelcula es S, la distancia
R se calcula como se indica en la fIgura 2.5 a. Ahora se sabe que el punto de di-
fraccin debido al plano (111) debe estar sobre la traza a 45 a una distancia R
del punto central, as que se sita sobre la pelcula. Vase la fIgura 2.5b. Con un
anlisis similar al anterior se puede demostrar que los otros tres puntos { 111 }se
localizan donde lo muestra la fIgura 2.5b.
Ahora se indicar cmo resolver este problema en forma muy simple usando
la proyeccin estereogrfica. En la fIgura 2.4b se observa la siguiente condicin
general: los rayos incidente y difractado forma un ngulo de 90-8 con la nor-
mal a los planos de difraccin.
Para empezar, imagnese que los sitios del cristal estn en el centro de la es-
fera de referencia y que la radiacin entra a la esfera a lo largo de la direcci
Difraccin de rayos X
pelfcula
1
R
muestra


(a)
,
\
(11'1)
(b)
53
mancha del
haz que no se
ha dispersado
Fig'J.l'a 2.5 Localizacin de los puntos {III} sobre la pelcula.
,
[010] en el polo (010) como se muestra en la figura 2.6. Se considerar que el
cristal acta como un foco Duntual y los haces difractados aparecern como pun-
tos sobre la esfera. Se localizar prirhero el haz difractado porlos planos (11 1). Se
sabe que el plano que contiene este haz difractado :.star defmido por el eje E- O de
la proyeccin (direccin del haz) y por el polo (111) (normal de los planos de di-
fraccin). Este plano es el crculo grande mostrado como en la figura 2.6 que pasa
a travs del eje E-O y del polo (111). Como el haz entra la esfera en
el polo [010], se sabe que el ngulo entre'el polo (111) y el polo [010] es igual a
90-8. Con la tabla 2.1 se determina que este ngulo es de 54.7 ,por lo que el
ngulo 28 queda determinado como 70.6 por la simple inspeccin de la proyec-
cin estereogrfica. Tambin, se observa que el haz difractado debe estar a lo largo
de la longitud de la figura 2.6 con un ngulo de 90 -8 =54f del polo (111). Vase
la fIgura 2.6.
OiO 010

haz incidente
100
haz difractado
de (111)
Figura 2.6 Uso de la proyeccin estereogrfica para localizar los puntos de difrac-
ci6n.
S4 Determinacin de la estructura
Figura 2.7 Patrn de Laue de un cristal de vanadio (ccc
u
) orientado en una direc-
cin [O 11] casi paralela al haz de rayos X (cortesa de Don Bailey).
En la 2.7, se muestra una fotografa de Laue de retrorreflexin de un
monocristal de vanadio (ccc
u
a = 3.039 A). Se us la distancia estndar pelcu-
la-muestra de 3 cm y el cristal se orient con un eje (011) paralelo al rayo. Se
distinguen los planos que producen algunos de los puntos y algunos de los restan-
tes. (Nota: fotografa reducida por 0.66.)
B. Mtodo de polvos
El mtodo de polvos puede explicarse con el uso de la proyeccin estereogrfica.
En este caso, se imagina una muestra pulverizada en el centro de la esfera de refe-
rencia y se dirige una radiacin monocromtica hacia ella a 10 largo del eje E-O
de la esfera de referencia. Cda pequea partcula en el polvo actuar como un
monocristal y contribuir al patrn de difraccin. Idealmente, habr un nmero
suficiente de partculas orientadas aleatoriamente en la muestra de modo que estn
representadas todas las orientaciones posibles de dichos pequeos cristales con
relacin al haz. Cul es la posicin, sobre la esfera de referencia, de los puntos
formados por los haces difractados por los planos {lll}? Ntese que A. y d
hkl
son
fijos para este problema. Por lo tanto, la ecuacin de Bragg se escribe as:
8
- 1 (n'\J3)
-sen 2a
(2.2)
Difraccin de rayos X ss
donde a es el parmetro de la red, y la distancia entre los planos (111) se determina
a partir de la relacin:
(2.3)
la cual es vlida para cristales cbicos. La ecuacin 2.2 dice que slo habr difrac-
cin para algunos 8 fijos, por ejemplo 30. Entonces, todas aquellas partculas
cuyos planos {lll} forman un ngulo de 30 con el haz incidente producirn un
haz difractado debido a los planos {lll} Y las partculas restantes no lo habrn.
Las normales a estos planos de difraccin {lll} estarn a 90- 8, es decir, 60 del
haz incidente. Por lo tanto, las normales a los planos {lll}en los cristales que
producen difraccin deben encontrarse todas a lo largo de la lnea de latitud
60 desde el punto donde entra el haz a la esfera de referencia, segn se seala en
la figura 2.8a. Ntese en la figura 2.4b que el haz difractado se sita a (I80 - 28)
del haz incidente, el cual en este caso es de 120 , ya que 8 = 30 . De aqu que la
mancha causada por cualquier plano {111} dado que produce difraccloli se locali-
zar sobre la esfera a 120
0
de la mancha del haz incidente, en el plano definido
por el haz incidente y la normal a los planos {111}. Estar claro que la localizacin
de tales manchas ser la latitud a 120 de la manc.ha del haz incidente. Vase la
figura 2.8. Como todos los haces difractados se originan en el centro de la esfera,
la localizacin de los haces difractados es un cono, cuyo eje cnico es colineal
con el haz de rayos X. En la figura 2.8b se intenta ilustrar lo anterior. Si la muestra
est rodeada por una pelcula esfrica, los haces difractados de cada grupo {hkl}de-
bern producir un crculo sobre esta pelcula. La pelcula esfrica no es prctica
y para la tcnica de polvos se coloca la muestra pulverizada al centro de un cilin-
dro con una banda de pelcula a lo largo de la superficie interna del clndro. La
banda de pelcula interseca un pequeo segmento del cono de difraccin y genera
localizacin de los
polos (111) que
producen difraccin
----.--.
(a)
localizacin de haces
difrabados por planos
de difraccin (11 1)
rayos X -+ __
(b)
Figura 2.8 Uso de la proyeccin estereogrfica para localizar los haces dractados
de una muestra de polvos.
56 Determinacin de la estructura
pelfcula extendida
(b)
(a)
Figura 2.9 La tcnica de polvos:
dos lneas por cada grupo {hkl} , como se seala en la figura 2.9. Conociendo el
radio de la pelcula y midiendo la distancia entre los pares de lneas sobre la
misma se puede calcular el ngulo del vrtice del cono y, de ah, determinar O.
Con la ecuacin de Bragg se tiene una medida de d
hk1

C. Mtodo del difract metro
En este mtodo se puede utilizar un polvo o un monocristal. El valor de 20 que
el haz difractado forma con el haz incidente se determina simplemente por me-
dicin directa con un tubo Geiger que se mueve en un arco. El mtodo no presenta
complicaciones y el estudiante puede recurrir a las referencias 1.3 para obtener
una descripcin.
2.2 MICROSCOPIO ELEClRONICO DE lRANSMISION (MET)
En el MET se forma la imagen de la muestra por el enfoque de un haz de electro-
nes el cual se transmite directamente a travs de la muestra_ El haz se genera ace-
lerando los electrones a travs de un potencial, V; stos emergen como un haz
esencialmente monocromtico con una longitud de onda dada aproximadamente
por A y150/V (donde V est en volts y A en ngstroms). Como los electrones
estn cargados pueden ser enfocados por un campo magntico o elctrico que sea si-
mtrico. Los microscopios electrnicos utilizan campos magnticos simtricos co-
mo lentes, y sus distancias focales pueden modificarse con un simple cambio de la
corriente en las bobinas que producen el campo magntico. Una vista esquemtica
de un MET tpico se muestra en la flgura 2.10. Despus de salir del can, el haz de
electrones pasa a travs de dos lentes condensadoras. Estas lentes se ajustan para
enfocar el haz sobre la muestra y para controlar el tamao del haz electrnico
sobre la misma. La distancia focal de la lente objetivo se ajusta para formar una
imagen aumentada de la muestr en el plano de abertura intermedia. La funcin
Microscopio electrnico de transmisin (MET)
can de electrones
lente condensadora 1
lente condensadora 2
muestra
lente obJetivo
plano focal trasero
del objetivo
- - plano de la imagen del objetivo y
plano de abertura intermedia
pantalla fluorescente
d:::=====::!:J placa totogrfica
Figura 2.10 Vista esquemlltica de la columna MET.
57
de las dos lentes proyectoras restantes es simplemente aumentar ms la imagen de
la lente objetivo y enfocarlas sobre la placa fotogrfica. El uso de dos lentes
proyectoras en vez de una y de dos lentes condensadoras en vez de una da alMET
mayor flexibilidad de operacin. (Para una explicacin posterior vanse las seccio-
nes 7.5 y 7.9 de la referencia 5). En esencia, el MET consiste, por lo tanto, de lentes
condensadoras que sirven para condensar el haz de electrones hasta un pequeo
dimetro sobre la muestra, una lente objetivo que forma una imagen agrandada
de la muestra, y finalmente, lentes proyectoras que aumentan aun ms y proyec-
tan la imagen la muestra sobre la placa fotogrfica o la pantalla.
El ltimo aumento til en el MET y en el microscopio ptico es inversamente
proporcional a la longitud de onda de la radiacin (vase p. 69 de la referencia 6 y
p. 8 de la referencia 7). Utilizando luz verde [A. = 5200 A (520 nm) J, el microsco-
pio ptico es capaz de resolver una distancia mnima de 0.2 Jm.6,7 La mayora
58 Determinacin de la estructura
de 10$ MET en uso actualmente en laboratorios metalrgicos, operan ya .sea a
100 a 200 kV. A estos voltajes, la longitud de onda se halla en el rango de
0.025-0.037 A (2.5-3.7 pm) y se debe principalmente a estas longitudes de onda
mucho ms pequeas que puedan lograrse mayores aumentos que con los micros-
copios pticos. Un MET bien ajustado en el laboratorio de investigacin es gene-
ralmente capaz de resolver distancias sobre especmenes metalrgicos menores a
1 nm (10 A).
A. Microestructura
No es posible examinar directamente la superficie tratada con cido de una muestra
metlica por medio de esta tcnica debido a que el haz de electrones viaja a travs
de la muestra. Sin embargo, se pueden examinar tales superficies por medio de
una tcnica indirecta conocida como la tcnica de la rplica. En esta tcnica se
forma primero una delgada pelcula de plstico, carbn u xido, sobre la superfi-
cie. Luego, cuidadosamente, se desprende esta pelcula de la superficie,formando
as una rplica de la topografa superficial. La variacin en espesor ,la forma de
la rplica debida a la t,?pografa superficial o ambas producen variaciones de con-
traste en el MET que revelan la topografa de la superficie de la muestra original
(ver pginas 191 y 277 de la referencia 6). La tcnica de rplica probablemente
sea reemplazada por la ms recientemente desarrollada MEB, ya que con sta l-
tima es ms fcil obtener las fotografa y su interpretacin, aunque la resolucin
no es tan buena.
Es posible examinar laminillas de metales en el MET produciendo lminas lo
bastante delgadas como para permitir la penetracin del haz electrnico. En m
quinas de 100 kV, las lminas deben adelgazarse hasta espesores del orden de
0.05 - 0.5 J,Lm, dependiendo del nmero atmico del metal (a manera de compa-
racin, las lminas de aluminio comercial tienen un espesor del orden de 50 J,Lm).
Esta tcnica de pelcula delgada, que se desarroll despus de la tcnica de rplica
a mediados de los aos cincuenta, ha probado ser unlt herramienta de investiga-
cin extremadamente poderosa. No slo revela detalles microestructurales, sino
que tambin proporciona informacin sobre la estructura del defecto y la orien-
tacin cristalogrfica de regiones bastante pequeas de la muestra. Ya que la lami-
nilla es cristalina, el haz de electrones puede difractarse al irIa atravesando. Tal
como con la difraccin de rayos X, el haz se difracta si existe alguna familia de pla-
nos (hkl) que satisfagan la ecuacin de Bragg. La figura 2.11 ilustra cmo se pro-
duce el contraste en la imagen por dicha difraccin. Los rayos difractados por la
laminilla son bloqueados fuera de la imagen transmitida por la abertura del objetivo,
la cual se sita en el plano focal trasero de la lente objetivo. Consecuentemente, si
se estuviese viendo cierto nmero de gramos pequeos, aquellos orientados en
forma tal que una familia (hU) satisfaciese la relacin de Bragg, aparecern ms
obscuros en la imagen debido a la prdida de rayos difractados de la imagen. Este
efecto se ilustra por unos pocos de los subgranos que se muestran en la fotogrdfa
MET de la figura 2.12. Las lneas cortas y obscuras dentro de algunos de los sub-
Microscopio electrnico de transmisin (MET)
plano principal ce
la lente objetivo
rayos
difractados del
obJetIVO
--- ----
--- --- -- -----
---- ------
laminilla metlica
rayos
transmitidos
lentes
objetivos
","O ,,," .... " d.
la lente objetivo
59
Figura 2.11 Diagrama de rayos a travs de la lente objetivo que ilustra el origen
del contraste de difraccin.
Figura 2.12 Una fotografa MET de una pelcula delgada de una aleacin Fe-Si
en donde se observa que 13 estructura subgranular contiene contiene algunas dis-
locaciones (50,000 X).
60
lIrea seleccionada
por la abertura
intermedia
-
rayos
difractados
plano principal
de la lente
objetivo
lentes objetivos
Determinacin de la estructura
abertura
intermedia
, ____ I
I plano focal:::::: ----.:::: I
de la lente objetivo t-'
plano de la
imagen de la
lente objetivo
Figura 2.13 Diagrama de rayos a travs de la lente objetivo que ilustra la seleccin
del rea para la difraccin por abertura intermedia.
granos son dislocaciones. Estas imgenes de dislocaciones se producen tambin
por contraste de difraccin y se analizarn despus en la seccin 4.7.
B. Difraccin
Considrese una regin monocristalina en la muestra. Supngase que una, familia
de planos (hkI) de esta regin difracta el haz en un cierto ngulo, tal como se
muestra en la figura 2.13. Estos rayos difractados se enfocarn en el plano focal
trasero de la lente objetivo como se indica en la figura 2.13 para rayos difractados
por alguna familia thk1). De aqu que el plano focal trasero contenga un arreglo
de puntos de difraccin, siend9 producido cada punto por una familia (hkf) que
satisface la ecuacin de Bragg. Para observar este patrn de difraccin en la pan-
talla, slo se requiere cambiar la lente proyectara .intermedia, PI. Usualmente,
se pone PI para proyectar el' plano de la imagen de la lente objetivo sobre la
pantalla. El patrn de difraccin se observa incrementando la longitud focal
de PI hasta enfocarlo sobre el plano trasero del objetivo en lugar del plano de
imagen del objetivo. Se inserta una pequea abertura en el plano de imagen
de la lente objetivo para restringir el rea sobre la cual se observar difraccin de
la muestra, segn se ilustra con el diagrama de rayos de la figura 2.13. Con esta
tcnica es posible obtener patrones de difraccin a partir de reas seleccionadas
de la muestra con dimensiones tan pequeas como 0.5 -1 Ilm. La figura 2.14a
presenta una micrografa de una matriz de aluminio que contiene el precipitado
e' (Cu-A!), y la figura 2.14bun patrn de difraccin de un rea seleccionada de
esta regin. En la misma form que los patrones de Laue estudiados en la seccin
;
Microscopio p.lectrnico de barrido (MEE) 61
Figura 2.14 a) El precipitado e' (Cu-Al) en la matriz de aluminio. b) Patrn de
difraccin de la correspondiente rea seleccionada a partir de a) (cortesa de David
Pearson).
anterior sobre rayos X detenninan la orientacin del cristal, el anlisis de patrones
de difraccin, como el de la figura 2.14b, permite determinar la orientacin cris-
talogrfica del rea seleccionada que produce el patrn. (Ver pgina 222 de la
referencia 6, y pgina 148 de la referencia 7). Entonces, se puede determinar la
micrografa MET, como los lmites inte.faciales V las dislocaciones. Por ejemplo,
a partir del patrn de difraccin de la figura 2.14/1 se determinaron las direccio-
nes cristalogrficas y planos de la laminilla como se indica en la figura 2.14a. Se
halla as que el precipitado e' se encuentra a lo iargo de los planos {001} de la
matriz de Al. Los puntos muy pequeos en el patrn de difraccin son producto
de una doble difraccin entre la matriz de Al y los precipitados e'.
2.3 MICROSCOPIO ELECTRONICO DE BARRIDO (MEB)
El MEB funciona de una forma muy similar a la de la televisin comercial; vase
la figura 2.15. Se hace que un haz de dimetro pequeo de electrones trace (barra)
una regin cuadrada (un patrn de rastreo) sobre la superficie de la muestra. Al
mismo tiempo, se traza un patrn de rastreo en sincrona sobre un tubo de rayos
catdicos (TRC). Los electrones de baja energa son expelidos desde la superficie
de la muestra por el haz de electrones, siendo la intensidad una funcin del ngulo
entre el haz y la superficie local de la muestra. La intensidad del haz sobre el TRC
se vara electrnicamente en proporcin al nmero de electrones de baja energa
lanzados desde la muestra. Esto provoca la formacin de una imagen de la topo-
grafa de la superficie sobre el TRC conforme se traza el patrn de rastreo, y esta
62
caMn de
electrones
L1D ==1= O
lentes magnticas 1 O
. L2D ==1=
I
bobinas de rastreo
muestra
Determmacin de la estructura
imagen
amplificador
Figura 2.15 Descripcin esquemtica de un MEB.
imagen puede ser vista y fotografIada. Entonces, mientras que el MET produce
una imagen directa de la muestra, en un MEB se ve una imagen indirecta. El poder
de resolucin del MEB se determina por medio del tamao del haz de electrones
sobre la superficie del espcimen. La distancia resoluble mnima es casi igual al
tamao del haz en la superficie, por lo cual es de desear el tamao ms pequeo
posible del haz. El can de electrones acta como una lente electrosttica for-
mando una imagen del filamento de casi 60 .Lm de dimetro. Esta imagen acta
como el objeto de la primer lente condensadora, y las tres lentes en el MEB tienen
la funcin de reducir el tamao del haz. (Algunos MEB utilizan solamente dos
lentes). Tambin, es funcin de la tercera lente, L3, enfocar el haz sobre la super-
ficie del espcimen, y en ese punto, el dimetro del haz ha sido disminuido por
las tres lentes a tamaos tan pequeos como 10 nm (lOO A). El haz se muestra
en la figura 2.15 como una nea y, como consecuencia, no se ve la accin de en-
foque de las lentes. Sin embargo, la figura 2.15 ilustra cmo deflectan el haz las
dos bobinas de rastreo para generar el patrn de rastreo sobre la superficie de la
muestra. El aumento es igual al ancho del patrn de rastreo en el TRC dividida
entre el ancho del patrn de rastreo en la superfIcie de la muestra. El ancho sobre
el TRC es constante, mientras que la anchura del patrn de rastreo sobre la su-
perficie de la muestra se controla por la corriente de las bobinas de rastreo.
A. Microestructura
Las superficies de especmenes metlicos atacadas por cido pueden examinarse
fcilmente en el MEB a aumentos desde 10 hasta 40,000 X. Sin embargo, ya que
la mayor parte de las muestras metalrgicas son relativamente planas, el MEB no
aventaja al microscopio ptico en tales muestras, excepto en aumentos de alrede-
dor de 400 X y mayores. Actualmente, los mejores MEB de investigacin que
Microscopio electrnico de barrido (MEB) 63
Tabla 2.2 Caractersticas de resolucin de los microscopios.
Microscopia
Optico
MEB
MET
Distancia m {nima de reso-
lucin en la prctica
0.2 .Lm (200 nm)
100 A (10 nm)
10 A (1 nm)
Aumento mximo, arriba
del cual no se define ningn
detalle adicional
1,000 X
20,000 X
200,000 X
operan en laboratorios son por lo general capaces de resolver distancias mnimas
de 100 A (10 nm). La tabla 2.2 ilustra el poder de resolucin de los tres micros-
copios de m3yor uso entre los metalurgistas.
El MEB ofrece dos ventajas principales sobre el microscopio ptico: a) aumen-
tos mayores hasta 20 veces, y b) una profundidad mayor de foco de alrededor de
300 veces. Esta ltima caractersti9 se ilustra en la fIgura 2.16. Dos mallas del
# 200 se hallan encima de una malla del # 1000. En la fIgura 2.l6a el MEB se
enfoc slo en la malla del centro y las otras dos se encuentran an en foco. La
figura 2.16b se tom desde un micrbscopio metalrgico estndar que se ha enfo-
cado sobre la malla central, y las otras mallas ya no estn en foco. La profundidad
de foco, mucho mayor del MEB, es extremadamente valiosa para examinar super-
fIcies con gran relieve, en particular superfIcies de fractura. La mayor profundi-
dad de foco es consecuencia del modo de formacin de la imagen con un haz de
pequea divergencia. Para estudio posterior de este y otros aspectos del MEB,
vanse las referencias 8 y 9."
B. Orientacin cristalogrfica
Se ha encontrado recientemente que en el MEB se presenta un efecto tipo difrac-
cin que permite determinar orientaciones cristalogrficas de las caractersticas
pequeas sobre la superfIcie. Ntese en la figura 2.15 que el arreglo de bobinas
de rastreo de doble deflexin hace que el haz cruce el eje de la columna en un
punto fijo en la lente L3. Mediante ajustes convenientes de la corriente de la bo-
bina de rastreo y de la lente L3, se puede mover este punto de reduccin del haz
sobre la muestra, como se ilustra en la fIgura 2.17. Para los planos (hkl) casi coli-
neales con el eje de columna, el haz pasar a travs del ngulo de Bragg a cada lado
del eje de columna, segn se seala en la fIgura 2.17. Cuando sucede esto, cambia
la intensidad de los electrones expulsados debido a un efecto relacionado con la
difraccin, y este cambio en los dos ngulos de Bragg produce una banda en el
TRC. Cada familia (hkl) que ocasiona el efecto de difraccin produce una banda
cuyo punto medio corresponde a la traza del plano (hkl) sobre la imagen. La am-
plitud de banda es una funcin del ngulo de Bragg. La figura 2.18 muestra el
64 Determinacin de la estructura
Figura 2.16 Micrografas de dos mallas 200 que se hallan sobre una malla 1,000.
a) MEB enfocado sobre el tamiz central (240 X). b) microscopio 6pticoenfocado
sobre el tamiz central (240 X).
Microscopio electrnico de barrido (MEB)
ngulos de Bragg
para el grupo (hkf)
planos (hkf)
Figura 2.17 Condiciones de barrido para canalizacin del rea seleccionada.
6S
patrn de bandas que aparecera debido a los principales planos difractantes de un
cristal cCC
a
cuyo eje cristalogrfico (el cual es colineal al eje de la columna de
electrones) tiene cualquier orientacin dentro del tringulo patrn. Por ejemplo,
un crist;:} orientado con una direccin < 110> colineal con el eje de columna pro
ducir un patrn similar al mostrado alrededor del polo [011] de la figura 2.18. El
cambio en la intensidad de los electrones expelidos que ocurre en el ngulo de
Bragg es similar a ciertos efectos de canalizacin y, por esta razn, a estos patrones
de bandas se les llama patrones d,:: canalizacin (vase la pgina 613, referencia 8).
Pueden obtenerse patrones de canalizacin de rea seleccionada (PCAS), tomados
segn el esquema mostrado en la figura 2.17 de reas menores a 2 m Como ejem-
plo, la figura 2.19a ilustra una banda de macla estrecha en Cu subiendo hacia la
izquierda del lector. La tcnica del PCAS puede usarse para medir la orientacin
cristalogrfica de la banda de macla relativa a los granos vecinos. En la figura
2.19 b se muestra un PCAS de la regin. El ej e cristalogrfico de esta regin se lo-
caliza cerca del polo [013] como se indica con el punto en la figura 2.18. Pueden
identificarse las diferentes bandas en la figura 2.19 b por comparacin con la figura
2.18, y pueden ser identificadas todas las otras direcciones cristalogrficas.
66 Determinacin de la estructura
Figura 2.18 Mapa de canalizacin donde se sealan los patrones de canalizacin
esperados para todas las orientaciones dentro del triniulo patrn. Cobre, 20 kV.
Figura 2.19 a) Bandas de macla en Cu. Fotografa tomada con MEB de manera
normal. b) Patrn de canalizacin del tirea seleccionada correspondiente a 20 kV.
Referencias 67
C. Composicibn qumica
A mediados de los aos cincuenta, se desarrollaron instrumentos de haces de elec-
trones que permitan medir la composicin qumica de regiones microscpi-
cas. Estos instrumentos, llamados microsondas electrnicas, estn siendo ahora
sustituidos por los MEB debido a que con un MEB puede llevarse a cabo la misma
funcin. Cuando el haz de electrones choca con la superficie del metal puede
provocar que los electrones internos de los tomos (o sea los electrones en K y
en L). Al regresar los electrones a sus rbitas vacas, se emite radiacin X con cierta
longitud de onda, la cual es caracterstica del nmero atmico de los tomos im-
plicados. Se aade un espectrmetro de rayos X a la cmara de la muestra en un
MEB. Explorando las longitudes de onda de los rayos X producidos por el haz de
electrones en una partcula dada, se pueden determinar los elementos que estn
presentes en la partcula. Comparando la intensidad de la radiacin caracterstica
de un elemento dentro de una partcula con modelos, se puede determinar cuan-
titativamente la cantidad de elemento presente en dicha partcula. Con esta tcnica
k es posible determinar la composicin de regiones tan pequeas como son unas
pocas micras. Esta tcnica es particularmente til para determinar las variaciones
de la composicin qumica en una microestructura dada e identificar las diferen-
tes fases en una microestructura.
REFERENCIAS
1. B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, Addison-Wesley, Reading,
Mass., 1956, captulo 3.
2. R. E. Reed-Hill, Physical Metallurgy PrincipIes, D. Van Nostrand, Nueva
York, 1964, captulo 2.
3. A. G. Guy, Elements of Physical Metallurgy, Addison-Wesley, Reading, Mass.,
1960, captulo 4.
4. E. A. Wood, Crystal Orientation Manual, Columbia University Press, Nueva
York,1963.
S. C. E. Hall. Introduction to Electron Microscopy, McGraw-Hill, Nueva York,
1966, captulo 7.
6. H. Modin y S. Modin, Metallurgical Microscopy, Butterworths, Londres,
1973, captulos 2 y 7.
7. R. E. Smallman y K. H. G. Ashbee,Modern Metallography, Pergamon, Nue-
va York, 1966, captulos 1 y 7-9.
8. S. Amelinckx y colaboradores (editores), Modern Diffraction and lmaging
Techniques in Material Science, pgina 553-682; G. R. Booker, Scanning
Electron Microscopy, Nort-Holland, Amsterdam, 1970.
9. C. W. Oatley, The Scanning Electron Microscope, Cambridge Univ. Press,
Cambridge, 1972.
PROBLEMAS
2.1 Se hace un patrn de transmisin de Laue de un cristal cbico que tiene un
parmetro de red de 4.0 A. El haz de rayos X es horizontal. El eje [010] del cristal
68 Determinacin de la estructura
apunta a lo largo del haz hacia el tubo de rayos X, el eje [T 00 j apunta verticalmen.
te hacia arriba, y el eje [001] es horizontal y paralelo a la pelcula fotogrfica. La
pelcula est a 5 cm del cristal.
a) Cul es la longitud de onda de la radiacin que sufre una difraccin de
primer orden por los planos (3IO)?
b) Dnde golpear la reflexin (310) a la pelcula fotogrfica?
2.2 Se obtiene un patrn de retro flexin de Laue de un cristal cbico'en la orienta-
cin del problema 1. Dibuje una proyeccin estereogrfica estndar (001) sobre
papel translcido situando el polo (lOO) en el polo sur. Sobre esta proyeccin lo-
calice los polos de los planos (l2"0), (12"3) y (121) usando las tablas de ngulos
de la tabla 1.2. Cul es el eje de zona de estos tres planos? Sobre la proyeccin
estereogrfica localice los puntos donde los haces difractados de cada uno de estos
planos intersecan su esfera de referencia. Una de las manchas de difraccin se ha-
llar en la mitad inferior de la esfera de referencia. Seale esta mancha con pro-
yeccin ortogrfica simple hasta la mitad superior de su esfera de referencia. Los
haces difractados de los planos de una zona caen sobre un cono cuyo eje es el eje
de zona. Dibuje el eje de zona de los tres planos anteriores sobre su proyeccin
estereogrfica y muestre que los haces difractados yacen sobre un cono cuyo eje
es el eje de zona Cul es el ngulo del pice del cono formado' por los haces di-
fractados de esta zona? Respuesta: 127
0

2.3 Un cristal cbico simple (a = 2.86 A) est acomodado con su direcci6n [001]
vertical. Se hace llegar un estrecho haz de radiacin X monocromtico (A = 5.36 A)
sobre el cristal en ngulos rectos con la direccin [001], y se coloc perpendicular-
mente al haz incidente una placa fotogrfica grande a una distancia de 2 pulg del
cristal. La placa se coloca del mismo lado del cristal que el haz incidente de modo
que se tiene un arreglo del tipo de retroflexibn. Luego, el cristal se gira con res-
pecto a su direccin [001). Esto provocar que aparezcan manchas o lneas sobre
la placa debidas a todas las diferentes familias de planos paralelos. Considerando
solamente los planos {001}:
a) Aparecern manchas o rayas sobre la placa debidas a estos planos? Expli-
que su razonamiento.
b) Localcense todas las marcas sobre la placa (con relacin al haz central)
producidas por los rayos difractados por estos planos. Considrese solamente la
difraccin de primer orden.'
2.4 Un haz de radiacin blanca entra a un cristal cbico simple a lo largo de su
eje [011].
a) Sobre una proyeccin estereogrfica estndar (001) mustrese el punto
de emergencia del haz difractado debido a 1) los planos (111), y 2) los planos
(101). Use papel translcido y una red de Wulff.
b) Si una pelcula fotogrfica en forma circular con un radio de 20 cm se co-
locara a 10 cm del cristal, apareceran los haces difractados de alguno de estos
planos sobre la placa? Sup6ngase un arreglo de transmisin de Laue.
2.5 Se obtiene un patrn de Laue de un mono cristal cbico. La direcci6n(01 O] de)
cristal apunta a lo largo del haz de rayos X hacia el tubo de rayos X. Sobre una
proyeccin estereogrfica estndar (001) localcese la posicin del haz de rayos X
incidente. Tambin, localcense las posiciones de los polos (110), (112) y el (221).
a) Los tres planos anteriores pertenecen todos a la misma zona. Localcese
el eje de zona sobre el estereograma y determnese su direccin.
Problemas
69
b) Sobre el estereograma, localicese la posici6n de los haces difractados de
cada uno de los tres planos anteriores y mustrese que se encuentran sobre la su-
perficie de un cono cuyo eje es el eje de zona de los tres planos.
e) Cul de los tres haces difractados podra ser posiblemente captado ca
la tcnica de retroreflexin?
CAPTULO 3
Deformacin plstica de los
I
cristales metlicos
Ya se mencion que de todas las fsicas de los metales, la resistencia
y ductilidad son las propiedades ms fuertemente controladas por la estructura
atmica y la microestructura del metal. Uno de los propsitos principales del
libro es explicar con la mayor claridad el mecanismo de este control. Para esto
se considerar la defonnacin de monocristales, primero desde el punto de vista
macroscpico o fenomenolgico, y luego desde el punto de vista atomstico en
el siguiente captulo.
Para empezar, se revisarn brevemente algunos conceptos elementales. Las
propiedades mecnicas de un metal pueden representarse por un diagrama es-
fuerzo-deformacin, el cual, para los metales policristalinos, se asemeja a menudo
al de la Hgura 3.1a. Si el esfuerzo aplicado es menor que el lmite elstico (el
cual se mide estrechamente por el esfuerzo a la cedencia), se dice que la defor-
macin es elstica. A niveles de esfuerzo iguales o mayores que el esfuerzo de
cedencia, el metal se defonna plsticamente, y a cualquier nivel de esfuerzos
arriba del esfuerzo de cedencia se le llama esfuerzo de flujo. La distincin entre
deformacin elstica y plstica puede definirse formalmente como sigue. 1) De-
fonnacin elstica: defonnacin recuperable completamente al eliminar el es-
fuerzo. 2) Deformacin plstica: deformacin no recuperable al eliminarse el
esfuerzo.
El nivel de esfuerzos del lmite elstico es difcil de medir experimental-
mente y por eso se define un esfuerzo de cedencia (llamado tambin a veces
esfuerzo de prueba), el cual se puede medir con ms facilidad. La diferencia
entre el lmite elstico y el esfuerzo de cedencia es pequea por lo que no se
tomar en cuenta aqu (ver la pgina 9, referencia 1). A bajos esfuerzos, la fun-
cin esfuerzo-deformacin es lineal y se dice que sigue la ley de Hooke, a =EE,
donde la constante de proporcionalidad, E, es el mdulo de Young. Para el caso
7]
72
Q)
"
N U
- e Q) Q)
.;!"
!I) Q)
" u

o
e
O
N
Q;
.;!
!I)
Q)
deformacin, o 'Y (gamma)
(a)
Deformacin plstica de los cristales
:.
-'
I
T ______ {,
)
-1
'(
I
" T'
I I
} {,
I I
{, {.
I I
(b)
)'
I
),
T
I
,}
I
)'
I
J,
T
I
{,
I
-
_T
-
Figura 3.1 a) Diagrama esfuerzo-deformacin. b) Desplazamiento atmico pro-
ducido por un esfuerzo cortante T.
de esfuerzos de corte, T , en vez de esfuerzo de tensin o de compresin, a, se
escribe esta relacin, T = Gr, donde G es el mdulo de corte y r la deformacin
por corte. Si se aplica un esfuerzo a un metal en el punto 1 de la fgura 3.1a y
luego se elimina dicho esfuerzo, el metal volver esencialmente a su forma origi-
nal. Sin embargo, si se fuera a eliminar el esfuerzc en el nivel mostrado por el
punto 2, el metal retendra un alargamiento permanente mostrado como ti en la
figura 3.1a. Es importante comprender la diferencia entre estos dos modos de
deformacin a escala atmica. Si se aplica un esfuerzo de corte a un cristal, los
tomos se desplazarn de sus posiciones de equilibrio (sus sitios reticulares nor-
males) como se muestra en la figura 3.1b. Si el esfuerzo de corte es pequeo, los
tomos no se desplazarn muy lejos de sus posiciones de equilibrio, y al eliminar
el esfuerzo los enlaces entre los tomos los hace regresar a sus sitios reticulares
originales. As se tiene deformacin elstica sin desplazamiento atmico perma-
nente. Supngase, sin embargo, que el esfuerzo de corte fuese lo bastante grande
como para causar que la regin superior de tomos se desplazara a una distancia
a. Estos tomos se hallaran ahora en nuevas posiciones de equilibrio (sitios re-
ticulares), de modo que al eliminar el esfuerzo, simplemente retendran su despla-
zamiento permanente. Este permanente de los tomos de metal
ocurre durante la deformacin plstica por cuatro mecanismos principales:
l. deslizamiento
2. maclado
3. deslizamiento en los lmites de grano
4. termofluencia difusional
El mecanismo 1 es con mucho el modo de deformacin ms importante y este
captulo estar restringido a este mecanismo. El mecanismo 2 generalmente opera'
Sistemas de deslizamiento
73
a bajas temperaturas y es significativo a bajas temperaturas en metales ehc. Los
mecanismos 3 y 4 se vuelven significativos a altas temperaturas.
3.1 SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO
El mecanismo de deslizamiento puede definirse formalmente como sigue: el
movimiento paralelo de dos regiones cristalinas adyacentes, una respecto a la
otra, a travs de algn plano (o planos).
Si se electropule un trozo liso de lmina de aluminio, su superficie tendr la
apariencia de un espejo de buena calidad. El doblar la tira de aluminio hasta un n.
gula de 10 a 30 hace que aparezca la estructura de grano real de la tira de alu-
minio a la vista, y si el tamao de grano es lo bastante grande aparecer una
estructura como la de la figura 3.2a. Al examinar al microscopio a una amplia-
cin de alrededor de 100 X, se aprecian muchas lneas paralelas dentro de cada
grano; ver la figura 3.2b. Estas familias de lneas paralelas en cada grano, en reali-
dad son liberadas en la superficie debido a deslizamiento provocado por la defor-
macin plstica producida por el doblez. En la figura 3.2c puede verse que la de.
formacin de cada grano se lleva a cabo por deslizamiento de pequeos bloques
del cristal, uno con respecto a otro, a lo largo de familias de planos paralelos.
El deslizamiento no se produce sobre un plano solamente, sino sobre pequeas
de paralelos llamadps bandas de deslizamiento o lneas de desli-
zamIento, dependiendo de sus espesores (vase la figura 3.2c). Puesto que todas
las lneas de deslizamiento estn en grupos paralelos dentro de cada monocristal
(cada grano), deben corresponder la misma familia de planos (hkl) ocupados
del grano particular. A partir de mediciones sobre especmenes de monocrista-
les de orientaciones conocidas se pueden determinar 1) los planos sobre los cuales
se produce deslizamiento y 2) la direccin de deslizamiento dentro de estos pIa-
nos. Tales experimentos han revelado el hecho muy fascinante de que el desli-
zamiento en los cristales ccca siempre se produce sobre los planos {1 11} pero
solamente en las direcciones (I1O). Esto significa que si se produce el desliza-
sobre un plano (1 1 1) ser en alguna de las tres direcciones [ 101], U 10],
[O 11]; vase la figura 3.3a. La siguiente definicin ha sido aceptada:
Sistema de deslizamiento: la combinacin de un plano y una direccin que
se halla sobre el plano a lo largo del cual se produce el deslizamiento.
La 3.3a muestra_tres sistemas de deslizamiento para los cristales
ccca' (111)[110], (111)[101] Y (111)[011]. Los sistemas de deslizamiento
pueden determinarse muy fcilmente a partir de una proyeccin estereogrfica.
La figura 3.3b muestra la traza del plano (111) y se ve que sobre esta traza estn
tres direcciones .(1 lO) y. desde luego, representan direcciones que yacen sobre
este plano. Los cristales ccc
a
tienen 12 sistemas de deslizamiento debido a que
tienen cuatro grupos {1 11} con tres direcciones (I lO) en cada una. Los 12 sis-
temas de deslizamiento pueden identificarse rpidamente en la figura 3.3b. El
examen del grano del lado derecho de la figura 3.2b revela que ha ocurrido des-
74 Deformacin plstica de los cristales
lizamiento en tres de los cuatro posibles grupos {III}, mientras que en elgrano
del lado izquierdo el deslizamiento ha sido predominantemente en solo un gru-
po de planos {111}. Es interesante notar que ha ocurrido deslizamiento a travs
del lmite entre el grano del lado izquierdo y el superior, indicando as que el n-
gulo de disconformidad en la orientacin a travs del lmite es bastante pequeo.
En otras estructuras de cristales metlicos, los sistemas de deslizamiento
tienen ms variabilidad, segn se muestra en la tabla 3.1. En los metales ccc
u
las
lneas de deslizamiento tienen una apariencia ondulada. En estos cristales el des-
lizamiento se produce predominantemente en los sistemas (111) {110} Y la
apariencia ondulada se debe aparentemente a deslizamiento simultneo sobre los
otros dos posibles sistemas de planos {211} Y {321}. En cristales ehc reales, la
relacin c/a no es igual al valor ideal de 1.633 del modelo de esfera dura (ver el
problema 1.8). Para los metales que tienen c/a> 1.63 hay alguna preferencia
para el deslizamiento sobre el plano basal, (1120) (0001), mientras que para
aquellos metales con c/a<1.63 los sistemas de deslizamiento preferidos son los
otros dos. En la referencia 1 se describen en forma detallada estos puntos. Tres
observaciones generales son de gran valor:
(a)
material
monocristalino de
una misma ori"ntaci6n.
Secci6n A-A
(e)
Hnea de
deslizamiento
'" 200
Figura 3.2 a) Macrovista de estructura de grano revelada por lneas de desliza-
miento. e) Intersecciones de lneas de deslizamiento en la superficie de una tira
de Al.
Sistemas de deslizamiento
75
F' 3
t
IgUdra .2 b) Microfotografa a IOOX mostrando lneas de deslizamiento y 11'm'
es e grano en AL 1-
In 1) traza
(a)
(b)
Figura 3.3 Sistemas de deslizamiento en cristales ccc
a
76 Deformacin plstica de los cristales
Tabla 3.1 Sistemas de deslizamiento observados en estructuras cristalinas de me-
tales comunes.
Direccin de Planos de
Estructura deslizamiento deslizamiento Ejemplos
ccCa
(110) {lll[ Cu, Al, Ni, Pb, Au, Ag, Fe
ccc
u
(111) {110} Fe, W, Mo, latn, Nb, Ta
ccc
u
(I 11) {211} Fe, Mo, W, Na
cCC
u
(111) {321} Fe,K
ehc (l120) (0001) Cd, Zn, Mg, Ti, Be, Co
ehc (l120) {lOrO} Ti, Mg, Zr, Be
ehc (1120) {lOrl} Ti,Mg
1. Las direcciones de deslizamiento siempre SOI1 en la direccin de empaca-
miento compacto. Existen aparentemente algunas excepciones, por
ejemplo, mercurio slido. .
2. El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayora de los planos com-
pactos. Esta observacin parece estar relacionada con el hecho de que los
planos empaquetados ms densamente tambin son el grupo de planos
(hkl) ocupados que tienen el espaciamiento ms amplio. Consecuente-
mente, se puede esperar que estos planos ofrezcan la mnima resistencia
al corte.
3. El deslizamiento se produce primero sobre el sistema de deslizamiento
que tiene el mayor esfuerzo de corte a lo largo de su direccin de desli-
zamiento.
3.2 ESFUERZO CORTANTE RESUELTO (F ACTOR DE
SCHMID)
Supngase que se tiene un monocristal de un metal ccc
a
y se le pone en tensin
como se muestra en la figura 3.4. Se sabe que el deslizamiento ocurrir en los
planos (I 11) de este crist;.l, lo cual se muestra en la figura. La fuerza que causa
este deslizamiento no es una fuerza de tensin sino una fuerza de corte en los
planos (I 11) a lo largo de una de las tres direcciones de deslizamiento. Por lo
tanto, se debe resolver la fuerza de tensin en el plano (111) a lo largo de las
tres direcciones (11 O) en ese plano. Conociendo el rea del plano (Ill), se
puede determinar entonces el esfuerzo cortante que podra causar deslizamiento
a lo largo de una de estas tres direcciones. Este procedimiento se ilustra mejor
con una vista de un monocristal cilndrico, segn se muestra en la figura 3.5. En
esta figura la orientacin de los planos (111) se caracteriza por su normal, la cual
forma un ngulo rp con el eje de tensin. Se muestran las tres direcciones de des-
lizamiento posibles en el plano (I 11), Y al ngulo agudo entre cualquiera de estas
Esfuerzo cortante resuelto (factor de SChmid)
N
,;
planos (111)
monocristal
~
fuerza cortante en
los planos (111)
Figura 3.4 Monocristal puesto en tensin.
F
N
F
(b)
Figura 3.5 Geometra para determinar el esfuerzo cortante resuelto.
77
78 Deformacin plstica de los cristales
direcciones de deslizamiento y el eje de tensin se le llama A. El dimetro dl,ci.
lindro se toma como Q. Cul es el esfuerzo cortante en la direccin 1l01]? Sea
r,. el esfuerzo cortante (fuerza/rea) resuelto en esta direccin. La fuerza en la
direccin [IO 1] es simplemente F cos A. Debido a que los planos (111) intercep.
tan al cilindro en un ngulo diferente a 90, sus intersecciones forman una elipse
de eje mayor b y eje menor a, como se muestra en la figura 3.5b. De aqu que el
rea del plano de deslizamiento es (rr/4)a b, y se tiene r,. = F' cos X/(rr/4)a b.
De la geometra de la figura 3.5b, es evidente que b = a/cos 1/>. Si al rea de la
seccin transversal del cilindro, (rr/4)a2, se le llama A, se obtiene la forma usual
del esfuerzo cortante resuelto:
F
1", = A (cos A cos cf (3.1)
Esta ecuacin da el esfuerzo cortante a lo largo de una direccin en un ngulo X
con el eje de tensin en el plano cuya normal forma un ngulo 1/> con el eje de
tensin. Aqu, al trmino entre parntesis se le llamar factor de Schmid, en ho
nor a uno de los autores que formularon primero esta ecuacin.
3
El esfuerzo cor-
tante resuelto es simplemente el esfuerzo de tensin aplicado (o esfuerzo de
compresin), F/A, multiplicado por el factor de Schmid. Por lo tanto, el esfuer-
zo cortante resuelto de cualquier sistema de deslizamiento es proporcional a su
factor de Schmid y, por ello, es til reconocer el intervalo permisible de este
factor. Para cualquier 1/> dado, el mximo factor de Schmid es en X = 90 - 1/>. De
aqu que el mximo factor de Schmid coincide con el mxim de la funcin
cos (90 - 1/' cos 1/>, el cual se obtiene al/> = 45. Esto demuestra que el mximo
esfuerzo cortante resuelto est directamente sobre un plano a 45 del eje de ten
sin y que el valor mximo posible del factor de Schmid es 1/2.
Se ha encontrado que en un sistema de deslizamiento se producir el desli-
zamiento cuando el esfuerzo cortante resuelto en ese sistema alcance cierto valor
crtico. Al esfuerzo cortante resuelto requerido para iniciar el deslizamiento so-
bre un sistema de deslizamiento dado se le llama a menudo el esfuerzo cortante
crtico resuelto, ECCR, y su valor depende en gran medida de la pureza del metal.
Los valores del ECCR estn bien definidos en los cristales ehc de alta pureza, pero
hay alguna ambigedad en el punto de deslizamiento inicial en metales cbicos.
l
La existencia del ECCR demuestra que en un metal puro hay cierta resistencia
inherente de la red al deslizamiento, la cual es vencida a Un esfuerzo cortante
reproducible. En la tabla 3.2 se muestran valores medidos del ECCR.
Si un monocristal de un metal ccc
a
es puesto en tensin, se iniciar el desli-
zamiento sobre el primero de los 12 sistemas de deslizamiento que logre un es-
fuerzo cortante resuelto igual al ECCR. Supngase que el eje de tensin est
alineado con la direccin [001] del cristal y que se quiere determinar el sistema
de deslizamiento sobre el cual se iniciar el deslizamiento. El problema, enton-
ces, es determinar cul de los 12 sistemas de deslizamiento tiene el mximo factor
de Schmid. Los 12 sistemas de deslizamiento estn representados geomtricamen-
te en la mitad superior del octaedro mostrado en la figura 3.6a. Las caras del
Esfuerzo cortante resuelto (factor de Schmid)
79
Tabla 3.2 E-l-esfuerzocortantecrtico resuelto para varios metales.
ECCR
Sistema de des-
Metal
Retcula
Ib/pulg
2
(MN/m
2
)
lizamiento
Ag ccca
54
0.37
{111}(110)
Al
114
0.79
Cu
11
71
0.49 11
Ni
470-1040
3.24-7.17
"
Mg
ehc 57-72
0.39-0.50
{0001}(1120)
Mg
5900
40.7
{lOIO}(1120)
Be
200
1.38
{0001}(1120)
Be
7600
52.4
{lOIO}(1120)
CO
93-100
0.64-0.69
{0001}(1120)
Ti
1850
12.8
{lOIO}(1120)
Zr
93-100
0.64-0.69
{lOIO}(1120)
Fe
cCCu 4,000
27.6
{110}, {1l2}(1l1)
Mo
14,000
96.5
{110}, {1l2}(H 1)
Nb
4,900
33.8
Ta
6,000
{1l0}
(111)
41.4
{110}
(111)
(Reimpreso con autorizacin de MacMillan Publ
1966 por WiIliam John McGregor Tegart). . Co., Inc. de la referencia 1, Copyright
octaedro son los planos {III} y los bordes son las direcciones (lID). El exa.
men de la geometra muestra que
1. 1/> es el mismo para todos los planos {IIl} 54.70
[Iol), [Oll],[OIl],450.
. es 90 y el factor de Schmld es O para las otras dos direcciones
(I1O).
N'
. otese que estas relaciones se desglosan en forma bastante obv .
(001). Por lo tanto, se concluye que hay
des lZamlento con el mismo factor de Schmid y cuatro con un factor de Sch
mI -
1 ahora un espcimen en tensin de un monocristal el cual tiene
a onentaCI n la figura ?6b: De la geometra mostrada en :sta figura se
espera que la dIreCCIn de des]zamlento sea [O 11] [ID 1] o [110] l'
tres direc . '., ' ya que as otras
clones. estan casI a angulos rectos con el eje de tensin. Calculando el
de Schmld para todos los sistemas de deslizamiento se puede dete .
el sIstema de deslizamiento particular con el esfuerzo resuelto
Los resultados para las dos direcciones A y B de la figura 3.6b son .
A.: con el factor de Schmid ms alto = (111)[fOl]
B. sIstema con el factor de Schmid ms alto =(Ifl}[OI 1]
80
LJeformacin plstica de los cristales
B A
[OOlJ
(a)
(h)
Figura 3.6 Ilustracin de los posibles sistemas de deslizamiento para diferentes
orientaciones del eje de tensin.
Ntese que la direccin A puede representarse por el puntoA dentro del trin-
gulo inferior de la proyeccin estereogrfica mostrada en la figura 3. 7a. Si se mueve
el punto A a cualquier otra posicin dentro del tringulo inferior, el sistema
de deslizamiento, (III)[I O 1 l, tiene siempre el mayor factor de Schmld, lo cud
se indica en la figura 3.7a. Un monocristal cuyo eje de tensin se halla a lo largo
101
el sistema de
deslizamiento activo
en este tringulo es
dil) [0111.
el sistema de
deslizamiento
activo en este
tringul9 es
(111) [101J
001 011
(a)
(h)
!,'igura 3.7 Sistemas de deslizamiento activo en cristales ccca [La parte. reim-
presa con autorizacin de MacMillan Publishing Ca. Inc., de la referencIa l. De-
rechos de 1966 para William Joahn Mc Gregor Teegart].
Pruebas de tensin en monocristales (ccc
a
) 81
de la lnea que va desde el polo (00 1) hasta el (f 11) tendr dos SIstemas de des-
lizamiento con un factor de Schmid mximo, y stos son los sistemas de desliza-
miento de los dos tri'ngulos circundantes, es decir, (111)[10 1 J y (Ir 1) 11 l. Los
sistemas de deslizamiento activos (sistema de deslizamiento con el mayor factor
de Schmid) para todas las orientaciones se pueden mostrar en una proyeccin
estereogrfica como la de la figura 3. 7b. 2 Las letras A y D especifican los polos
del plano de deslizamiento activo y los numerales I a VI la direccin de desli-
zamiento. A orientaciones a lo largo de los crculos de zona de este estereogra-
ma, los dos sistemas de deslizamiento en las reas adyacentes tienen el ms alto
factor de Schmid. A orientaciones donde se intersecan los crculos de zona los
sistemas de deslizamiento que tien'en el ms alto factor de Schmid, se identifican
en las reas adyacentes al punto de interseccin. Por ejemplo, ya se demostr
que un espcimen tiene en la orientacin [00 l locho sistemas de deslizamiento
de igual y mximo factor de Schmid. Estos ocho sistemas de deslizamiento estn
dados por las ocho reas que rodean al polo (001) en la figura 3.7b.
3.3 PRUEBAS DE TENSION EN MONO CRISTALES (ceca)
Supngase que cuatro monocristales diferentes de un ,cristal metlico cee estn
a
siendo sujetos a una prueba de tensin o de compresin con el eje de tensin
orientado a lo largo de diferentes cristalogrficas en cada uno de los
cuatro cristales. La orientacin de la direccin del eje de tensin est reprt::sen-
tada por los cuatro puntos A, B, e y D sobre el tringulo patrn de la figura 3.80,
e
(a)
Q)
e
e
o
u
o
N
Q;
.2
(Jl
Q)
I
I
I
I
I
- 11 1..,
I
deformacin cortante. y
(h)
A and B
e
D
111--
Figura 3.8 Relaciones esfuerzo-deformacin para monocristales ccc
a
_
82 Deformacin plstica de los cristales
donde el punto D es cualquier posicin en el rea sombreada. En la fIgura 3.8b
se muestra el diagrama esfuerzo-deformacin resultante para los cualro-cristales.
Ntese que para un espcimen de orientacin D se ha producido una considerable
cantidad de flujo plstico antes de que el metal empiece a endurecerse por tra-
bajo, mientras que las otras tres orientaciones muestran considerable endureci-
miento por trabajo tan pronto como se excede el esfuerzo de cedencia y prin-
cipia el flujo plstico. Esta diferencia est relacionada con el hecho de que en las
orientaciones D los cristales tienen solamente un sistema de deslizamiento acti-
vo, mientras que las ot;as tres orientaciones tienen ms de un sistema de desliza-
miento activo, o sea ms de un sistema de deslizamiento con el mismo factor de
Schmid mximo. La figura 3.7 b muestra que la orientacin A tiene ocho sistemas
de deslizamiento activo, B seis y e cuatro sistemas de deslizamiento activo.
Para analizar lo que sucede en el espcimen D, es necesario comprender
primero lo que le est sucediendo fsicamente al espcimen de monocristal en
la mquina de La fgura 3.9a localiza los planos de deslizamiento y la
direccin de deslizamiento en el cristal antes de aplicar la fuerza de tensin. Si
las mordazas de la mquina de tensin pudiesen moverse de alguna manera, sin
friccin en la direccin lateral, el espcimen se deformara como se muestra en la
figura 3.9b. Sin embargo, las mordazas de tensin no permiten movimiento late-
ral de los extremos del espcimen. Imagnese que el espcimen de la figura 3,9b
es bastante largo y que luego se mueven los extremos hacia atrs en lnea con el
eje de tensin original. Este movimiento puede realizarse en la regin central por
una simple rotacin de la red. mientras que se produce cierto doblez y la conse-
(o) (b)
(e)
Figura 3.9 Cambios fsicos en un monocristal aerormado en una mquina de
tensin.
Pruebas de tensin en monocristales {ccc
a
}
83
(o)
(b)
Figura 3.10 Representacin sobre una proyeccin estereogrfica de una rotacin
de un cristal inducida por deformacin.
cuente distorsin de la red cerca de las mordazas, como se indica en la figura 3.9c.
Aqu interesa solamente la rotacin de la red en la seccin central.
El espcimen D tiene el sistema de deslizamiento activo (111)[101J. La fi-
gura 3.lOa muestra la situacin de la direccin de deslizamiento, [101], el eje de
tensin, D, y la normal al plano de deslizamiento, (I 11), sobre una proyeccin
estereogrfica. Ntese que los ngulos A y I/J de la figura 3.5a se despliegan direc-
tamente sobre la proyeccin. Esto demuestra que la proyeccin estereogrfIca
constituye un medio conveniente para determinar el factor de Schmid. La fuerza
de tensin hace que la direccin dJ deslizamiento del cristal gire hacia el eje de
tensin, y estara bien mostrar esta rotacin sobre la proyeccin. La rotacin
de la direccin de deslizamiento hacia el eje de tensin hace que disminuya el
ngulo A. Se puede representar esta rotacin 1) moviendo D hacia la direccin
[101] a lo del gran crculo entre D y [101J o 2) dejando D estacionario y
moviendo el [10 1] hacia D, a lo largo de este gran crculo. Ntese que este segun-
do mtodo mueve todos los polos y direcciones del cristal. Se utilizar el mtodo
1), ya que este mtodo requiere mover slo un punto sobre la proyeccin, el
eje de tensin D. A medida que se incrementa la deformacin, la rotacin de la
red hace que disminuya A y la fIgura 3.lOb muestra que, despus de una rotacin
desde D hacia el punto 2, el espcimen se ha orientado en forma tal que dos sis-
temas de deslizamiento, el (111)[10 1] y el (JI 1)[011] tienen el mismo factor de
Schmid mximo. Por 10 tanto, se espera que en este punto se produzca un desli-
zamiento simultneo en dos sistemas. Es costumbre dividir el diagrama esfuer-
zo-deformacin de un espcimen qUe tiene una orientacin D, en tres secciones
llamadas etapas 1, II y III, como se muestra en la figura 3.8b. Los experimentos
han demostrado que la etapa II empieza en el punto donde comienza el desliza-
miento en el segundo sistema de deslizamiento. La etapa I se llama usualmente
etapa de "deslizamiento fcil" debido a Que se produce considerable flujo plstico
84 Deformacin plstica de los cristales
con muy poco esfuerzo, y las etapas 11 y 111 se llaman la etapa de endurecimien-
to lineal y de endurecimiento parablico por trabajado, respectivamente. Estar
claro que el endurecimiento por conformado requiere deslizamiento en ms de
un sistema de deslizamiento. Esto, parece razonable debido a que se sospecha
intuitivamente que el deslizamiento sobre planos de deslizamiento que se inter-
secan podran interferir con el deslizamiento adicional y tal vez bloquearlo.
Ahora pueden sacarse dos conclusiones basadas en lo anterior:
1. El deslizamiento ocurre en forma relativamente fcil (con bajo T
r
) sobre
un sistema de deslizamiento sencillo.
2. El deslizamiento es mucho ms difcil cuando se produce sobre muchos
sistemas de deslizamiento diferentes simultneamente.
La anterior discusin se limit a cristales ccc
a
por facilidad de presentacin.
Se ha hallado un comportamiento similar para cristales ccc y ehc. El estudiante
debe remitirse a la referencia 1 para una discusin ms detallada y tambin para
una consideracin de los efectos de temperatura y pureza.
3.4 RELACION CON LA DEFORMACION POLICRISTALINA
En la vasta mayora de las aplicaciones, los metales se utilizan'en forma policris.
talina. Es un hecho que los mono cristales de los metales se obtienen solamente
con cierta dificultad. El tamao de grano en los metales policristalinos anda usual
mente alrededor de 0.025 a 0.150 mm. Cuando tal metal policristalino sufre de-
formacin plstica. el camino a 10 largo del cual se produce el deslizamiento a
travs del metal es complejo en comparacin con la deforma
cin de un monocrista!. En ausencia de deslizamiento en lmites de grano, el cual
generalmente slo se produce a altas temperaturas, los granos permenecen cohe-
rentes a travs de sus lmites de grano. Esto significa que un grano individual se
debe deformar para acomodar la deformacin de cada uno de sus granos vecinos.
Se ha demostrado que para que un cristal sufra tal deformacin homognea por
deslizamiento, se requieren al menos cinco sistemas de deslizamiento independien-
tes.
l
, 4 Se ha demostrado que existen 12 sistemas de deslizamiento en cristales
ccc
a
y se deja como un ejercicio demostrar que hay 12 sistemas de deslizamiento
de la forma {l10} (I 11) , en cristales ccc
u
y tres sistemas de deslizamiento de la
forma (0001) (I120) en cristales ehc. No todos estos sistemas de deslizamiento
son independientes
l
; no obstante, resulta, como podra esperarse, que al menos
cinco sistemas de deslizamiento independientes estn presentes en cristales ceca
y ccc
u
pero no' en cristales ehc. Debido a esta falta de sistemas de deslizamiento
en cristales ehc el maclado es un modo importante de deformacin en estos cris-
tales. Debido en gran parte a su estructura cristalina ehc,las aleaciones de titanio
han demostrado ser muy difciles de formar.
Los experimentos han demostrado que, aun a deformaciones muy bajas,
cada grano se deforma claramente en varios sistemas de deslizamiento.
4
El desli-
Relacin con la deformacin policristalina
8S
zamiento probablemente se inicia sobre aquel sistema de deslizamiento en un
grano dado que tiene el ms alto factor de Scrunid (FS) (ver la ecuacin 3.1),
pero luego es requerido pronto en otros sistemas de deslizamiento dentro de ese
grano con objeto de acomodar la deformacin en granos vecinos. Si se supone
que el deslizamiento se produce en un grano dado en el punto del ECCR, como
se midi en monocristales, el esfuerzo de cedencia del policristal se obtiene de
la ecuacin 3.1,
a =
ECCR
FS
(3.2)
donde FS es el factor de Schmid promedio de las orientaciones de todos los
granos. Los tratamientos tericos
l
, 4 dan FS = 1/3.1 para los metales ccc
a
y 1/2
para los metales cccu . Se tomar el valor de 1/2 en metales ccc
u
como el valor
mximo del FS. Esto indica que en estos metales hay una alta probabilidad de que
clda grano tenga uno de sus sistemas de deslizamiento orientado muy cerca del
FS mximo. Este resultado se debe al alto nmero de sistemas de deslizamiento
y lo fcil del deslizamiento transversal hacia los otros sistemas de deslizamien-
to en metales cccu . Estos tratamientos tericos 1,4 suponen que las deformacio-
nes totales son exclusivamente plsticas, la cual no es muy buena suposicin
a bajas deformaciones.
5
No obstante, para una muy buena aproximacin, el
esfuerzo de cedencia de los metales ccc
a
policristalinos debera ser del orden
de tres veces los valores del ECCR. Por ejemplo, los esfuerzos de cedencia de
las aleaciones de aluminio comercial varan desde valores alrededor <le 6,000
Ib/pulg
2
(41 MN/m
2
) para ciertas aleaciones coladas hasta alrededor de 80,000
Ib/pulg
2
(552 MN/m
2
) para las aleaciones tratables trmicamente de la serie
7,000. Los valores correspondientes del ECCR, segn se calcularon de la ecuacin
3.2 para estas aleaciones, variaran desde 2,000 hasta 27 ,000 Ib/pulg
2
(I4 - 186
MN/m
2
). El valor del ECCR para el aluminio puro se enlista en la tabla 3.2 como
114 Ib/pulg
2
(0.79 MN/m
2
). La resistencia mucho mayor de las aleaciones co-
merciales se logra a travs de una variedad de mecanismos de endurecimiento, que
inhiben el deslizamiento. Estos mecanismos incluyen el bloqueo de deslizamien-
to ante lmites de grano y partculas de precipitado y otros que se estudiarn
despus.
A. Textura
Como ya se dijo, cuando un mono cristal se deforma plsticamente, el cristal gira
en forma tal que la direccin de deslizamiento se aproxima al eje de tensin. De
modo semejante, cuando se deforma plsticamente un metal policristalino, todos
los granos individuales girarn. Sin embargo, la rotacin est restringida debido al
requisito de coherencia en los lmites de grano. Conforme Ocurre la deformacin
los granos se alargan, y se ha hallaqo que a deformaciones mayores del 4(ffo
metales ccca y cccu y mayores del1 0% en metales ehc hay evidencia de una orien-
tacin preferencial. 1 A estas orientaciones preferenciales por lo general se les
86 Deformacin plstica de los cristales
conoce como texturas. En alambres, los granos tienden a girar de tal mod que
quede alineada una direccin cristalogrfica especfica parlelaal eje-del-lambre,-
al cual a menudo se le conoce como el eje de fibra. Los metales cCCg tienen una
textum de fibra [110], Y los metales ccc
a
tienen a menudo una textura de fibra
doble,
6
teniendo algunos granos las direcciones [111] Y otros las direcciones
[lOO] paralelas al eje. La deformacin por rolado hace que los granos desarrollen
una direccin cristalogrfica preferencial paralela a la direccin de laminado y
un plano cristalogrfico .preferencial paralelo al plano de laminado. En algunos
metales ccc
a
la textura de laminado principal es (110)[112]/ lo cual significa
que los planos {110} yacen paralelos al plano de laminado y las direcciones
(112) yacen pamlelas a la direccin de laminado. La tabla 3.3, tomada de la
referencia 4, ilustra algunas texturas comunes producidas por conformado en fro.
A menudo se describe una textura con una figura polar sobre una proyeccin
estereogrfica. Supngase que todos los granos estuviesen orientados al azar. Si
se fuesen a gmficar los polos {lOO} de estos granos sobre una proyeccin este-
reogrfica, se obtendra un modelo de "perdigonada", como se muestra en la
figura 3.11a, donde DL y DT se refieren a la direccin de laminado y direccin
transversal, respectivamente. Supngase que el laminado provoc una textura
Tabla 3.3 Textums comunes de laminado y de alambres.
Estructura
cristalina
ccc
a
cCCg
Modo de conformado
Estirado y extrusin
del alambre
Estirado y extrusin
del alambre
ehc Estirado y extrusin
del alambre
ccc
a
Laminad0
ccc
u
Laminado
ehc Laminado
(l11)
(lOO)
(lID)
ODIO}
{llO}
012}
{001}
(110)
{000l}
(120)
Textura
Paralelo al eje del alambre
Paralelo al eje del alambre
Paralelo al eje del alambre
Paralelo al plano de
laminado
Paralelo al plano de
laminado
Paralelo al plano de
laminado
Paralelo a la direccin de
laminado
i
Paralelo al plano de
laminado
Paralelo a la direccin de
laminado
Nota: Estas texturas son idealizadas. En la prctica ocurre considerable dispersin, y muy
frecuentemente estn presentes otras texturas.
(De la referencia 4, usada con autorizacin de Sto Martin's Press, Inc., Edward Arnold Ltd.)
Relacin con la deforrruzcin policristalina
87
DR
DR
I - - - - - - - - - ~ DT
(a)
(b)
Figura 3.11 Figuras de polo (100) esquemticas.
(100)[001]. La figura polar (lOO) aparecera entonces como se muestra en la fi-
gura 3.11b. Esta textura se llama la textura cbica.
En la figura 3.12 se muestra una figura polar {l11} para un latn 0:.
4
La
textura ideal {l1 O} (1 12) del latn o: est representada por los tringulos de
esta figura. No todos los granos tienen sus normales {111} en estas posiciones
ideales. Los contornos sobre la figura polar representan la localizacin de pun-
tos, a lo largo de la cual la intensidad de rayos X difractados por los planos
{lII} fue igual. Los nmeros que marcan los contornos son las intensidades de
rayos X relativas debidas a la difraccin por los planos {I II} ; estos nmeros
dan una idea cualitativa del porcentaje de granos que tienen las normales de
los planos {1Il}en la orientacin {II0}(1l2}. Estos contornos muestran que
DR
DT
Figura 3.12 Una figura polar (11 J) medida por latn o: (de la referencia 4, usada
con autorizacin de St. Martin's Press Inc., and Edward Amold Ltd).
88 Deformacin plstica de los cristales
las1!Qrmales {lll} de los granos exhlben una fuerte preferencia por la textura
{llO}(1l2). La referencia 7 da una buena explicacin dela'tcntea de. fayosX
utilizada para generar las figuras de polo como la de la figura 3.12. .
La formacin de textura es un fenmeno extremadamente importante desde
un punto de vista comercial, ya que da origen a propiedades fsicas
anisotrpicas en materiales como alambre y lmina. Esta anisotropa puede ser
daifll o benfica y se estudiar en el captulo 10, donde se considera el efecto
de la re cristalizacin sobre la textura.
3.5 RESISTENCIA TEORICA DE LOS METALES
Es posible estimar la resistencia terica de un metal a partir del conocimiento de
su mdulo de corte utilizando un modelo muy simplificado. La figura 3.13 mues-
tra esquemticamente cmo se genera el deslizamiento por un'esfuerzo cortante.
El esfuerzo cortante aplicado, T, de la figura 3.13a produce el escaln mostrado
linea de deslizamIento
sobre la superficie
\1 '

Figura 3.13 Escaln producido por un esfuerzo cortante.
en la figura 3.13b. Al principio del captulo se hlzo notar que este deslizamien-
to hace que todos los tomos que se hallan encima (o debajo) del plano de desli-
zamiento se desplacen permanentemente desde un conjunto de sitios reticulares
hasta nuevo conjunto de sitios reticulares. Ahora, cul es el esfuerzo cortan-
te terico necesario para producir un desplazamiento permanente de los tomos?
Cuando un tomo se halla directamente sobre su sitio reticular, est en una
posicin de energa mnima. Si el tomo se mueve fuera de su sitio reticular, se
incrementa su energa; por lo tanto, la variacin de energa potencial de un to-
mo en una red se puede representar como se muestra en la figura 3.14a. La fuerza
requerida para mover los tomos se da por la derivada de la curva de
F = dE/dx. de modo que se obtiene la curva de fuerza que se muestra en la parte
baja de la curva de la figura 3.14a. Considrese ahora el esfuerzo cortante aplica-
do a los cuatro tomos de la figura 3 .14b. La variacin en el esfuerzo cortante
requerido para desplazar los tomos superiores con respecto a los inferiores debe
seguir una curva similar a la curva de fuerza de la figura 3.14a.
Suponiendo que la variacin es tal como se muestra en la partelbaja deJa
figura 3.14b, se ve que si el esfuerzo cortante alcanza un valor igual a, o mayor.
Resistencia te.rica de los metales
.,

Q)
c:
Q)
r
t
I
I
I
I
I
I

89
'. I (a) . , , (b)
Figura 3.14 La funcin fuerza peridica para f desplazamiento relativo de to-
mos en un cristal. ;'
que T m, los tomos que estn encima del plano de podrn moverse
a sus nuevos sitios reticulares a su derecha. Luego, el problema es determinar la
funcin de esfuerzos de la figura 3.14b. Se utilizar la aproximacin que hizo
Frenkel en 1926:
8
l supuso que el esfuerzo cortante es una funcin senoidal
de la posicin, x, y que el cortante obtiene su valor mximo a un des-
plazamiento de 1/4 b:
T =T
m
se
(3.3)
a valores de desplazamientos suficientemente pequeflos, se puede escribir
X
1"=1"", . 21T
h
(3.4)
ya que el seno de un argumento es igual al argumento a valores pequeos. De
acuerdo con el modelo de la figura 3.14b, la deformacin cortante es "{ =x/a. A
suficientemente pequeos del desplazamiento es vlida la ley de
de modo que se puede escribir
x
1"= G"{= G- (3.5)
a
90 Deformacin plstica de los"cristales
Al comparar las ecuaciones 3.4 y 3.5, se tiene
(3.6)
En la tabla 3.4 se enlista el mdulo de corte en las direcciones compactas (di-
recciones de deslizamiento) para algunos metales y el valor de T m calculado' a
partir de la ecuaci6n 3.6 suponiendo b = a. El ECCR es el valor medido de T
m
,
y es evidente que estos valores medidos son ms bajos que los valores tericos
por tres a cuatro rdenes de magnitud. Se puede cuestionar la validez de suponer
una funcin senoidal simple para la variacin del esfuerzo cortante con respecto
a la posicin. Se han considerado modelos detallados para esta funcin de esfuer-
zos y los resultados dan un valor de T
m
inferior al obtenido con la ecuacin 3.6
por un factor de 10 a lo sumo.
9
Por lo tanto, el esfuerzo de cedenciaterico para
el modo de corte en los metales es mayor que los vruores medidos por un factor
de 100 a 1000. La pregunta de porqu los metales son mucho ms dbiles que
sus resistencias tericas ha sido resuelta con la prediccin y observacin de las
dislocaciones. Sin embargo, el problema de cmo se podra disear un metal
para alcanzar su resistencia terica por el control de las dislocaciones sigue sien-
do un reto y una intriga los metalrgicos.
Tabla 3.4 Comparacin del esfuerzo cortante terico para el deslizamiento a va-
lores medidos del ECCR.
Modulo de corte en la
direccin de deslizamiento
Metal (X 10
6
lb/pulg
2
) Tm (lb/pulg
2
) ECCR (lb/pulg
2
)
Al 3.54 556,000 114
Ag 3.63 577,000 54
Cu 5.91 940,000 71
a-Fe -10 -1,590,000 4000
Mg 2.39 381,000 57
REFERENCIAS
1. W. J. M. Tegart, Elements of Mechanical Metallurgy, Macmillan, Nueva York,
1966, captulos 5 y 6.
2. L. M. Clarebrough y M. E. Hargreaves, Progress in Metal Physics, Vol. 8, B.
Chalmers y R. King, Eds., Pergamon, Nueva York, 1959.
3. E. Schmid y G. Siebel, Z. Electrochem. 37,447 (1931).
4. R. W. K. Honeycombe, The Plastic Deformation of Metals, Sto Martin's
Press, Nueva York, 1968, captulos 9 y 12.
5. J. E. Dorn y J. D. Mote, Materials Science Research, Vol. 1, H. H. Stadel-
maier y W. W. Austin, Eds., Plenum. Nueva York, 1963.
Problemas
91
6.
7.
8.
9.
C. S. Barrett, Structure of Metals, McGraw-Hill, Nueva York, 1952, cap-
tulo 9.
B. D. Cullity, Elements of X-Ray Diffraetion, Addison-Wesley, Reading,
Mass., 1956, secci6n 9-9.
J. Frenkel, Z. Phys. 37,572 (1926).
A. H. Cottrell, Dislocations and Plastic Flow in Crystals, Oxford Univ. Pr.,
Oxford, Inglaterra, 1952, seccin 2.4.
LECTRASRECOMENDADAS
1.
2.
H. W .. Hayden, W. G. Moffatt and J. Wulff, The Structure and Properties of
Materuzls, Vol. IIl, Mechanical Behavior, Wiley Nueva York 1965 c '_
tul0 5. " , apI
R. E. Smallman, Modern Physical Metallurgy, Butterworths Londres 1962
captulo 5. ' "
PROBLEMAS
3.1 a) Un mono cristal es puesto en tensin a lo largo de su eje [131 l. Por
el uso de una proyeccIOn estereogrfica, determnese el esfuerzo cortante re-
suelto los siguientes sistemas de deslizamiento, (111)[011], (11)[10 1 1 y
(111)[ 110], para un esfuerzo de tensin de 100 lb/pu1g
2

. b) la ayuda de la figura 3.7 b, especifquense el sistema (o sistemas) de
deslizamIento sobre el cual (los cuales) este cristal sufrir deslizamiento inicial.
Calclese el esfuerzo cortante resuelto para este sistema.
3:2 Se sabe que en los cristales ccc
u
, el deslizamiento se produce en las direc-
.(11) Y que un conjunto de planos de deslizamiento activos bajo ciertas
condICIOnes es el de planos {l.12}. Al examinar la geometra de la red cCCu, de-
termnese el nmero total de sIstemas de deslizamiento diferentes para el desliza-
.en la (111 > sobre los planos {112}. Este pro blema se resuelve
mus fcilmente utilizando la proyeccin estereogrfica.
3.3 que se estuviese realizando una prueba de compresin sobre un
de Be y se quisiese que el cristal se deslizase sobre los planos prism-
y no sobre los planos basales, {0001}. Para la prueba inicial se
deCIde orIentar el eje del de modo que se halle en el plano formado
las normales (0001) y (1010). Cules ngulos podra formar el eje del esp-
con el plano para asegurar el deslizamiento sobre el sistema de des-
lizamIento (I 100)[ 1120]? Use los datos de la tabla 3.2.
3.4 a,> Utilizando red de Wulff, hgase una proyeccin estereogrfica para
un crIstal ehc como sIgue:
,
1. Colquese el polo (000 1) en el centro de la proyeccin.
2. Localcense las direcciones al ,a2 Y a3, sobre la proyecci6n.
3. Localcense los polos (I 100); (loIo) y (01 10) sobre la proyeccin.
92 Deformacin plstica de los cristales
b) Un monocristal de un metal ehc est orientado con su eje de compresin
en el plano formado por las normales de los planos (0001) y (1100). El eje de
compresin forma un ngulo a con el plano basal. Para a = 30 localcese la po-
sicin del eje de compresin sobre la proyeccin anterior y, utilizando la proyec-
cin con una red de Wulff, determnese el factor de Schmid para el deslizamiento,
sobre el sistema (01 IO)[2IIo).
e) Supngase que el esfuerzo cortante crtico resuelto para el deslizamien-
to sobre este sistema (0110)[2110] es de 400 Ib/pulg
2
y que el ECCR para el
deslizamiento sobre el sistema (0001)[2110] es solamente de 100 lb/pug2. Para
cules ngulos de a se producira el deslizamiento sobre el sistema (0110)[2 nO]?
3.5 a) Localcense los siguientes polos sobre una proyeccin estndar (001) de
un cristal cbico, (111), (111), (1 11), a10, (112), (110).
b) Efectuando las rotaciones convenientes, localcense las posiciones de los
cuatro polos {lll} cuando el polo (110) est en el centro de la proyeccin y el
polo (112) en el polo norte (parte superior) de la proyeccin.
c) El latn a tiene una textura de laminado {ll O }(1l2). Se hizo una figura
polar con la direccin de laminado en el polo norte y la direccin transversal en
el polo este (esto significa que el plano de la hoja se halla en el plano de la pro-
yeccin). Sobre la proyeccin estereogrfica, mustrense claramente todas las
posiciones donde los polos {l11} apareceran sobre una figura polar 111 para
una hoja de laminado de latn a que tiene una textura perfecta {110}(112).
(Sugerencia: con la direccin [112] a lo largo de la direccin de laminado, el
polo (110) puede hallarse tambin en el centro de su proyeccin).
3.6 Supngase que una superficie de un monocristal de CU (ceca) es exactamen-
te paralela a los planos (001) del cristal. El cristal se hizo deslizar sobre todos los
planos de deslizamiento posibles y las correspondientes lneas de deslizamiento
aparecen sobre la superficie anterior. Mustrese con un esquema el patrn de
lneas de deslizamiento que se esperara ver sobre la superficie e indquense los
ngulos entre las lneas. Reptase el problema para el caso de los planos (111)
paralelos a la superficie.
CAPTULO 4
Dislocaciones
En los captulos 1 y 2 se estudi la estructura de los cristales metlicos suponiendo
una disposicin tridimensional de repeticin perfecta. Los cristales de los metales
reales tienen varios defectos diferentes en esta disposicin perfecta de tomos, los
cuales explican muchas de las interesantes propiedades de los metales. La dislo-
cacin es probablemente el ms importante de estos defectos. El concepto
de dislocacin se introdujo en 1934 en tres monografas diferentes, no muy
independientes, entre S.
1
-
3
En la referencia 4 se presenta la historia del desa-
rrollo de las ideas que condujeron a estos trabajos. En los Estados Unidos, muchos
ingenieros metalrgicos se rehusaron a admitir la dislocacin como algo ms que
un improbable concepto terico an a principios de la dcada de los 50. Sin em-
bargo, con el desarrollo de la tcnica del microscopio electrnico de transmisin
a fines de dicha dcada, la evidencia experimental demostr concluyentemente
que la resistencia y la ductilidad de los metales estn controladas por estos de-
fectos llamados dislocaciones.
4.1 LA DlSLOCACION DE BORDE
La dislocacin de borde puede visualizarse muy fcilmente como un medio plano
extra de tomos en una retcula. Esto se muestra en dos dimensiones en la figura
4.1a y en tres dimensiones en la figura 4.lb. A la disloca"cin se le llama defecto
lineal debido a que la localizacin de los puntos defectuosos producidos en la
retcula por la dislocacin se halla a lo largo de una lnea. Esta lnea corre a lo
largo de la parte baja del medio plana extra mostrado en la figura 4.1b.
Si se aplica un esfuerzo cortante T a un cristal que contiene una dislocacin,
como se muestra en la figura 4.la, el medio plano extra de tomos es empujado
hacia la derecha hasta que por ltimo emerge sobre la superficie formando el
94
-
-
-
---
\
-
-_T
1.
(a)
Figura 4.1 La dislocacin de borde
4L 3L
_n.
plano extra en la
posicin 1

plano extra en la
posicin 2
.""
-----,}".
."1
(h . ..,
2L 1L 1R
2R
n.. k. -"1
n..
3R
('1.,
!....j
--
-l!
3
i-
-
I-!
5
5
1
---a __
<t
I
movimiento de tomos 1 L, 2 L, ..
L R
1
! -+! 1-+1.
2 3 3 2
2

3 5
i-+t
3 i -+ O o-+i
Dislocaciones
(b)
Figura 4.2 Un dibujo simplificado del movimiento atmico asociado con el mo-
vimiento de una dislocacin de borde.
La dislocacin de borde 95
principio de una lnea de deslizamiento, como se muestra en la figura 4.8b y
4.12a. Ahora se considera la que implica realtnente el movimiento de la dislo-
cacin. Los crculos obscuros de la figura 4.2 muestran la situacin de los tomos
cuando el medio plano extra se sita en la posicin 1 . En este esquema simplifi-
cado, el medio plano extra de tomos yace sobre un plano situado simtricamente
entre los dos tomos inferiores y ha empujado sus primeros vecinos ms prxi
mas, 21 y ID, fuera de sus sitios reticulares por 1/3a, los segundos vecinos ms
prximos, 31 y 2D, por l/Sa y los terceros vecinos, 41 y 3D, no son afectados. Si
un esfuerzo cortante hace que todos los tomos se muevan slo un poco hacia
las posiciones de los crculos en blanco mostradas en la figura, el medio plano
extra estar ahora a una longitud de un parmetro de retcula, a, a la derecha en
la posicin 2. Ntese que despus de que el medio plano extra de tomos se ha
movido a la posicin 2, est compuesto ,de tomos diferentes en su totalidad.
Los tomos que formaban el medio plano extra en la posicin 1 se han despla-
zado slo una pequea distancia, 1/60, y al hacerlo se han desplazado fuera del
plano de simetra, mientras que los tomos en ID se desplazaron 1/60 hacia
el plano de simetra y forman ahora el medio plano extra en la posicin 2. Con-
sidrese el tomo 3D. Conforme el medio !.'lano extra se desplaza hacia la dere-
cha, este tomo se cambiar progresivamente hacia su derecha. El tomo 3D se
cambiar hacia la derecha por 1/20 ouando el plano extra se halle encima de l, y
se cambiar a la derecha por exactamente a despus de que el plano extra lo ha
pasado por completo. Por consiguiente, el efecto neto del paso de la dislocacin
es cambiar los tomos superiores hacia la c.erecha por a. Ntese que este cambio
se reliza por una alteracin local, restringido a la regin que rodea inmediata-
mente la dislocacin, en forma simila: al movimiento de una onda sobre la super-
ficie del agua estancada. Por analoga, considrese una persona que trata de jalar
una pesada alfombra sobre el piso. Ejerciendo un jaln estacionario la alfombra
puede moverse con gran esfuerzo. Si, de otro modo, se latiguea la alfombra con-
forme l la jala, una onda pasar debajo de la alfombra y puede mo-
verse sta en pequeos saltos con esfuerzo considerablemente menor. Millones
de personas hacen uso diariamente de las ondas propagantes para extender las
sbanas y las cobijas de las camas. Otras dos analogas interesantes sobre las dis-
locaciones las ha hecho notar Orowon.
4
Un gusano se impulsa extendiendo una
seccin de su cuerpo moviendo as su cabeza hacia adelante como se muestra en
la figura 4.3a. Moviendo la seccin que est en tensin a lo largo de su cuerpo
hasta la cola se impulsa todo el cuerpo hacia adelante. La vlbora jala su cola
hacia adelante generando una regin de compresin, la cual corre entonces hasta
su cabeza moviendo de esa forma todo su cuerpo hacia adelante, como se mues-
tra en la figura 4.3b. La naturaleza parece tener muchos ejemplos de movimiento
anlogo al movimiento de la dislocacin.
Ahora se considerar la cantidad de energa necesaria para mover una dislo-
cacin. Regrsese a la figura 4.2 y ntese que el movimiento de los tomos es
simtrico con respecto al centro de lnea, como se muestra en el cuadro de la
parte baja de la figura. Por ejemplo, el movimiento del tomo 11 con relacin
96
e
\ \-

tensin/
(a)
Dislocaciones

-----'-,..)
compresin
(h)
Figura 4.3 Analogas de dislocacin.
a la red circundante es igual y opuesto al movimiento del tomo ID. De aqu
que si un enlace qumico de un tomo 11 es extendido por una cierta cantidad,
el correspondiente enlace al tomo 1 D se comrae por la misma cantidad. Desde
luego, la energa requerida para extender enlaces durante este movimiento ser
compensada por la energa liberada en contraer enlaces. Por lo tanto, este modelo
simplificado muestra que en primera aproximacin la energa para mover una
dislocacin ser cero. Esto explica porqu los metales son ms dbiles que lo
que indican sus resistencias tericas. Si existen dislocaciones en los sistemas de
deslizamiento, su movimiento ocurrir a esfuerzos cortantes muy bajos y sumo-
vimiento causar deslizamiento.
En la figura 4.4 se ilustra cmo el movimiento de las dislocaciones requiere
un esfuerzo cortante finito. La parte superior de esta figura muestra una red con
(1 )
E
1 1
f
(1.5) (2)

o a
2"
a
Figura 4.4. Variacin de la energa de la retcula con la posiCin de una disloca-
cin de borde. (Reimpreso con autorizacin de MacmillanPublishing Co., Inc.,
de la referencia 6., Copyright Macmillan Publishing Co., Inc., 1964.)
La dislocacin de borde
97
una movindose hacia la derecha. Las tres configuraciones de la parte
de que muestran el plano extra de tomos corresponden a las posiciones
l. y 2 de la 4.2 y tambin a una posicin intermedia entre stas dos posi-
cIOnes. aqUl que las tres configuraciones representan un movimiento del plano
extra hacIa la derecha por un vector de red, a. La energa asociada con la dislo.
cacin ser la misma en las posiciones 1 y 2. La energa ser la misma en una
posic;n i.nte:-n:edia solamente si el movimiento de los tomos ha sido comple.
tamente s
l
metnco, conforme la dislocacin se movi a la posicin intermedia. El
simtrico descrito antes (figura 4.2) es solamente una aproo
XlmaClOn de pnmer orden. Consecuentemente, la energa de la dislocacin en
posiciones intermedias se incremeptar sobre sus energas en las posiciones 1 y
2. Las curvas de la figura 4.4 muestran dos posibles curvas de energa que dan
la energa de la dislocacin en todas las posiciones intermedias desde 1 hasta 2
Si la funcin energa tiene un valor mnimo cuando la dislocacin se sita
los puntos 1 y 2, como se muestra para ambas curvas, entonces se requierir
una fuerza para moverla fuera de sus situaciones simtricas en las posiciones 1
2. Esta fuerza que se requiere para mover una dislocacin es la fuerza de Peierls
o fuerza de PeierIsNabarro. Los valores calculados de la fuerza de Peierls COIl-
cuerdan razonablemente bien con los valores medidos del ECCR en cristales ini-
cos, pero se ha hallado que son algo mayores que los ECCR medidos en metales.
. Ahora se la dislocacin de borde desde un punto de vista un poco
dIferente. Supongase que se aplica una fuerza a la mitad superior del lado derecho
del monocristal que se muestra en la figura 4.5. La fuerza hace que los tomos
la del lado se deslicen hacia la izquierda por un espa-
cIamIento ato mIco y el movImIento se muestra por el vector de deslizamiento
en la figura. Debido a que los tomos sobre la superficie del lado izquierdo no
se han desplazado hacia la izquierda, este movimiento debe necesariamente
generar un medio plano extra de tomos como se muestra en la figura. Consi-
drense las siguientes definiciones:
linea de dislocacin plano extra
..1
plano de deslizamiento
fcil (plano de deslizamiento)
Figura 4.5 La dislocacin de borde.
98 Dislocaciones
Lnea de dislocacin: la lnea que va a lo largo de aquel borde del plano
-extra de tomos que-termina dentro del-cristal. . , . ---
Plano de deslizamiento: el plano definido por la lnea de dislocacin y el vec-
tor de deslizamiento. Si la dislocacin se mueve en la direccin del vector de. des-
lizamiento, se dice que se mueve propiamente por deslizamiento, y la lnea de
dislocacin se mueve a lo largo del plano de deslizamiento.
Smbolo: las dislocaciones de borde se simbolizan convenientemente con
un signo de perpendicular, 1. Cuando el signo apunta hacia arriba, 1, el plano
extra de tomos est sobre el plano de deslizamiento y a la dislocacin se le
llama positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, T, el plano extra est bajo
el plano de deslizamiento y la dislocacin es negativa.
Vector de deslizamiento: el vector de deslizamiento se llama generalmente
vector de Burgers y se define formalmente como sigue:
A. Defnase una direccin positiva lo largo de la lnea de dislocacin. Esta
direccin se escoge arbitrariamente.
B. Constryase un plano perpendicular a la lnea de dislocacin, como el
de la figura 4.6.
C. Trcese un camino alrededor de la lnea de dislocacin en este plano mo-
viendo n vectores de retcula en cada una de las cuatro direcciones mu-
tuamente perpendiculares. Avncese en sentido de las manecillas del
reloj mientras se ve abajo el sentido positivo de la lnea de dislocacin. *
Esto se llama frecuentemente circuito de Burgers.
sentido
positivo
:.....-

.l../
linea ae
dislocaci 6n
4(
3(
21
V 1 (
b
1 2 3 4

)1
)2

)3
)4
---...- ---...-
""---'"
4 3 2 1
Figura 4.6 El circuito de Burgers para una dislocacin de borde.
*Hay desacuerdo con respecto al sentido de las manecillas del reloj. La referencia 6 usa esta
definicin, mientras que la referencia 7 usa una rotacin contraria a la de las manecillas
reloj. -
La dislocacin de borde
99
1)' Si este camino no cierra, indica una El vector de Burgers, b,
es el vector necesario para lograr el cierre; vase la figura 4.6. El vector
de Burgers es igual al vector de deslizamiento.
Como se mencion antes, el movimiento de la dislocacin en la direccin
del vector de Burgers se llama movimiento por deslizamiento. Cuando la l-
nea de dislocacin se mueve en ngulos rectos con el vector de Burgers, el mo-
vimiento se llama trepado de dislocacin. Considerando la figura 4.5, estar
claro que el movimiento de la lnea normal al vector de deslizamiento har que
el medio plano extra se haga ms y ms corto o ms y ms largo. La figura 4.7
muestra el medio plano extra hacindose ms corto. La vacancia de la red emigra
a la parte baja del plano extra de tomos y al hacerlo provoca que dicho plano se
mueva hacia arriba un vector de retcula. Ntese que para mover el plano extra
de tomos completo hacia arriba, una fila completa de vacancias debe emigrar
hacia la lnea de dislocacin.
l. El movimiento de dislocacin que requiere el movimiento de tomos y
vacancias se llama movimiento no conservador. De aqu que el movi-
miento de trepado de las dislocaciones de borde es no conservador y el
movimiento por deslizamiento es conservador.
2. El movimiento de trepado requiere ms energa que el movimiento por
deslizamiento debido a la migracin de vacancias requerida.
3. El Illovimiento de trepado que reduce el tamao del medio plano se llama
trepado positivo, mientras que el movimient0 que incrementa su tamao
se llama trepado negativo.
4. El trepado positivo hace quP las vacancias se anulen, mientras que el tre-
pado negativo hace que se generen vacancias.
5. El movimiento de trepado puede ser ayudado por los esfuerzos. Consid-
rese por ejemplo la aplicacin del esfuerzo compresivo a uno u otro lado
de la figura 4.7. Este esfuerzo tiende a comprimir la dislocacin empu-
jndola hacia arriba. En realidad, esto se lleva a cabo incitando el mov-
---
--
I
. 1
"tr
............



...... l--......
2 1

vacancia
esfuerzo
-- . compresIvo
--
Figura 4.7 Movimiento de trepado de dislocaciones de borde.
100 Dislocaciones
miento de las vacancias hacia la lnea de dislocacin. Por lo tanto, un
esfuerzo de compresin provoca un trepado positivo y una fuerza- de ten-
sin causa un trepado negativo.
Hay un punto por recalcar antes de explicar las dislocaciones de tomillo.
El deslizamiento de la dislocacin hace que los tomos de un lado del plano
de deslizamiento se desplacen un vector de Burgers con relacin a los tomos del
lado opuesto del plano de deslizamiento.
La figura 4.8a muestra la localizacin de una dislocacin de borde y su plano
de deslizamiento en un cristal. La letra A est incrita sobre la superficie de modo
que corta al plano de deslizamiento, como se muestra, y se aplica un esfuerzo cor-
tante haciendo que la dislocacin se mueva hacia la derecha por deslizamiento.
La figura 4.8b ilustra que el efecto neto del paso de esta dislocacin es simple-
mente un traslado de la mitad superior del cristal por un vector b con relacin
a la mitad inferior del cristal.
Ahora se resumen algunas de las propiedades ms significativas de la dislo-
cacin de borde.
1. La dislocacin de borde puede visualizarse como un medio plano extra
de tomos.
2. El vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.
3. El plano de deslizamiento se define por la lnea de dislocacin y el vec-
tor de Burge.rs.
4. El movimiento por deslizamiento hace que los tomos sobre el plano
de deslizamiento se desplacen un vector de Burgers con relacin a los
tomos bajo el plano de deslizamiento.
plano de
deslizamiento
(a)
letra A
inscrita sobre
la superficie
(b)
Figura 4.8 Desplazamiento relativo de retcula producido por el movimiento de
desliza.miento de una dislocacin de borde.
La dislocacin de tornillo
101
5. El movimIento de trepado ocurre cuando cambia el tamao del medio
plano extra y es acompaado por generacin o aniquilacin de vacancias.
4.2 LA DISLOCACION DE TuRNILLO
Hay un segundo tipo fundamental de dislocacin, la dislocacin de tornillo, la
cual es ms difcil de visualizar geomtricamente. El origen de la dislocacin de
tomillo se atribuye frecuentemente a B urgers en 1939.
8
Supngase que se to-
mase una placa y se le aplicase un esfuerzo cortante en el extremo como se
muestra en la figura 4.9a. Este esfuerzo cortante podra hacer que la placa
se en fo.ma muy parecida a como se rompe un pedazo de papel a
la mItad, segun se ve en la figura 4.9b. El desplazamiento mostrado en la figura
4.9b es una representacin de la geometra de una dislocacin de tomillo. Ntese
mitad superior del bloque se mueve (se disloca) con respecto a la mitad
mfenor por un vector de deslizamiento fijo a travs de algn plano de desliza-
miento. lnea de la dislocacin de tornillo se sita en el borde principal de
la alteraclOn del bloque y es paralela al vector de deslizamiento. La dislocacin
de tornillo se simboliza algunas veces con una S entre la lnea, como se muestra
la 4.9b. En .la 4.9 no se puede apreciar claramente porqu la
dlslocaclOn se llama dlslocaclOn de tornillo. La figura 4.l0a muestra un cilindro
con dislocacin de tornillo oprimiendo su centro. Los planos del cilindro per-
pendIculares a su eje y espaciados una distancia b se habrn conectado entre s
para formar una hlice como un resultado del desplazamiento de la dislocacin
o sea, una rosca de tornillo. '
vect.or deOBurgers (vector de deslizamiento) se define como se hizo para
las dIslocaCIOnes de borde. Esto puede ilustrarse muy bien utilizando la cara fron-
tal del cristal de la figura 4.9 como el plano perpendicular a la lnea de dislocacin
La figura 4.10b muestra el circuito de Burgers en este plano en sentido de
(a)
4.9 la dislocacin de tornillo.
102
(a)
I
4-
I

Dislocaciones
-_ .... --,
I
t
I
_ .. _...J
(b)
I
;
I
b
Figura 4.10 a) El desplazamiento helicoidal producido por dislocaciones de tor-
nillo. b) Un circuito de Burgers para una dislocacin de tornillo.
manecillas del reloj mirando hacia abajo el sentido positivo de la lnea de dislo-
cacin. El vector de Burgers es paralelo a la lnea que apunta hacia el observador.
Ntese que mirandc abajo el sentido positivo de la 1 inea de dislocacin, un movi-
miento en sentido de las manecillas del reloj sobre los planos perpendiculares a la
lnea provoca un avance de alejamiento desde el observador_ Por ello a la disloca-
cin de la figura 4.10 se le llama a veces dislocacin de tornillo derecho. Para la
convencin de sentido de las manecillas del reloj, del circuito de B urgers, se t,iene:
Dislocacin de tornillo derecho: el vector de Burgers apunta en el sentido
negativo de la lnea. .
Dislocacin de tornillo izquierdo: el vector de Burgers apunta en el sentido
positivo de la lnea.
Se dice que las dislocaciones de tornillo derecho y de tornillo izquierdo son
de sentido opuesto, y": en forma similar las dislocaciones de borde positivas y
negativas son de sentido' opuesto. "
Se enlistan ahora algunas propiedades de la dislocacin de tornillo.
l. El vector de Burgers es paralelo a la lnea de dislocacin. Por lo tanto, el
plano de deslizamiento no se especifica al especificarse la lnea de dislo-
cacin y el vector b, como ocurre con una dislocacin de borde.
2. El movimiento por deslizamiento hace que la lnea de dislocacin se mue-
va en ngulos rectos con la direccin de deslizamiento. Desde luego, el
movimiento de la lnea es en ngulos rectos con el vector de esfuerzos y
el deslizamiento producido por el esfuerzo.
3. No hay forma de visualizar esta dislocacin como un plano extra de
tomos.
La dislocacin de tornillo
e
plano de
desliza m il!nto
nuevo
plano de
desliza miento
a"terior
(b)
103
'.J.... ____ __ --'
b
Figurd a 4.1)1 Un .cambi?, de plano de deslizamiento para: a) una dislocacin de
or e y b una dlslocaclOn de tornillo.
4_ El paso de la lnea de dislocacin causa un movimiento de tomos a tra-
vs del plano de deslizamiento por un vector b de uno con relacin a
otro, anlogo al de la figura 4_8 e ilustrado en la figura 4.12b.
Una de las diferencias ms significativas entre una dislocacin de borde y
una de tornillo se da en el punto 1 anterior. La figura 4.1 la muestra una dislo-
cacin de borde movindose hacia la derecha a lo largo del plano de desliza-
miento Supngase ahora que esta dislocacin fuese a cambiar su plano
de deslIzamIento a A-E-F-D. El movimiento de deslizamiento a lo largo de este
plano de deslizamiento requerira girar el plano extra para hacerlo perpen-
dIcular ,al nuevo plano de deslizamiento_ Esta rotacin a su vez requerira difusin
de los atomos y desde luego sera lenta y necesitara un gasto de energa relativa-
mente alto. Por consiguiente, el movimiento de deslizamiento de la dislocacin
de borde est restringido al plano de deslizamiento definido por su lnea y el
vector b_ Las dislocaciones de tornillo no implican un plano extra de tomos y,
por .10 to, no restriccin inherente para la localizacin de sus planos de
La fIgura 4_llb es un intento de mostrar las implicaciones en el
cambIO del plano de deslizamiento para una dislocacin de tornillo. Supngase
una dislocacin de borde que se mueve a lo largo de algn plano de desliza-
mIento queda anclada. El incremento del esfuerzo de corte puede causar mo-
vimiento continuo de la dislocacin, ya sea venciendo el esfuerzo de anclaje o
provocando trepado; ambos procesos requieren mucha energa. Sin embargo,
si la dislocacin fuese una dislocacin de tornillo pura, quiz el movimiento de
deslizamiento continuo podra ocurrir sobre un plano de deslizamiento in terse-
cante, con un gasto ele energa considerablemen te menor, ya que el movimiento
de la dislocacin de tornillo no est restringido a su plano de deslizamiento.
Es un punto p,!rticularmente interesante la deformacin macroscpica pro-
ducida por el movimiento de la dislocacin; esto se ilustra muy bien en la figura
4.12 tomada de De Wit
9
El esfuerzo cortante y la deformacin final en a) y b)
son idnticos, pero ntese que la lnea se mueve en la direccin del par de esfuer-
104
Dislocaciones
(a)
(b)
(b)
(e)
Figura 4.12 a) Deformacin macroscpica por deslizamiento de dislocacin de
borde. b) Deformacin macroscpica por deslizamiento de dislocacin de tor-
nillo. c) Deformacin macroscpica por trepado de dislocacin de borde. (De
la referencia 9, utilizado con autorizacin de R. de Wit.)
zos en a), y en ngulos rectos con el mismo en b). 1 ambin ntese que el trepaolJ
de las dislocaciones de borde produce un tipo de deformacin diferente. No hay
movimiento de trepado para las dislocaciones de tornillo.
4.3 DISLOCACIONES MIXTAS
Si el vector b es perpendicular a la lnea de dislocacin, es una dislocacin de
borde. pura; si el vector b, es paralelo a la lnea, es una dislocacin de tornillo
pura. A otros ngulos entre el vector b y la lnea, es una dislocacin mixta. La
Terminologa de dislocaciones "torcidas"
pura
vector de
deslizamiento, b
(a)
vista superior
~
b comp. de
" .. ~ b o r d e
linea " c d
'" omp. e
tornillo
mixta
(b)
Figura 4.13 Una dislocacin mixta.
lOS
de borde pura
figura 4.13a muestra un bloque en el cual se ha producido un escaln similar al
de la figura 4.5. El escaln ha provocado que todos los tomos situados sobre
el rea A-e-B sean trasladados por el vector de deslizamiento en relacin con ls
tomos de abajo. El lmite de este '.raslado de tomos dentro del cristal es la
curva que va de A a e, la cual se muestra mejor en la figura 4.l3b. Esta curva,
que delinea el lmite del traslado, es la lnea de dislocacin. Puesto que el vector
de traslado (equivalente al vector b) es el mism0 en cualquier punto, el vector
b de la lnea de dislocacin es el mismo en todos los puntos a lo largo de la lnea.
La figura 4.13b muestra que cerca de A la dislocacin es de tornillo pura, cerca
de e es de borde pura, y en cualquier otro lado es mixta. Ntese que la dislo-
cacin mixta se puede resolver. en un componente de borde y uno de tornillo,
de lo cual a veces se hace referellcia como el carcter de borde y carcter de
tornillo de la dislocacin.
La geometra de las disloc"lciones mixtas es bastante difcil de.visualizar. La
figura 4.14 presenta una vista en planta de la dislocacin curveada de la figura
4.13, mostrando las situaciones de los tomos. Los crculos en claro representan
los tomos justo arriba del plano de deslizamiento y los crculos slidos repre-
sentan tomos justamente debajo. En la posicin e se ve una vista en planta de
una dislocacin de borde pura y en A la vista en planta de una dislocacin de tor-
nillo pura y la vista en planta de una dislocacin mixta en los puntos interiores.
4.4 TERMINO LOGIA DE DISLOCACIONES "TORCIDAS"
Las dislocaciones tienen a menudo un marcado rompimiento en sus lneas de
dislocacin de una longitud de slo unos pocos espaciamientos atmicos. Estos
rompimientos o desviaciones se clasifican en dos categoras, como sigue:
106 Dislocacio nes
. -<)- -0000 -( }--{}--{
}----<)--
)--{
)-0-(
.-< .0-(

A R
Figura 4.14 Una vista superior de la dislocacin mixta mostrando posiciones
atmicas. Los tomos encima del plano de deslizamiento son los crculos abier-
tos y los tomos de abajo son crculos slidos. (De referencia 10, Copyright 1953,
McGraw-Hill Book Co., usado con autorizacin de McGraw-Hill Book Co.)
Doblez fuera del plano: una marcada desviacin de la lnea de dislocacin,
movindose fuera del plano de deslizamiento.
Doblez en el plano: Una marcada desviacin en la lnea de dislocacin sin
salirse del plano de deslizamiento.
La figura 4.15a muestra el doblez dentro y fuera del plano en una dislo-
cacin de borde. Ntese que el segmento de doblez en el plano es en s una dis-
e" el plano
(b)
doblez en el plano doblez fuera del plano
Figura 4.15 llustraciones de dobleces fuera del plano y dentro del plano en a)
dislocaciones de borde v b) dislocaciones de tomillo. .
Lazos de dislocacin
107
locacin de tornillo. El segmento de doblez fuera del plano sigue siendo una
dislocacin de borde pero con un nuevo plano de deslizamiento. En la figura
4.l5b se muestran el doblez dentro y fuera del plano en una dislocacin de tor-
nillo; en este caso, ambos st!gmentos tienen carcter de borde puro. Ntese que
el movimiento de stos, de doblez fuera y dentro del plano hacia atrs y hacia
adelante a travs del cristal puede hacer que avance la lnea de dislocacin com-
pleta. Por ejemplo, el movimiento del segmento doblado en el plano en a) hacia
el lector hace que la dislocacin de borde se deslice hacia la derecha, mientras
que el movimiento del segmento doblado fuera del plano hacia el lector produce
un trepado positivo.
4.5 LAZOS DE DISLOCACION
Puede ocurrir que una lnea de dislocacin no termine dentro de un cristal.
Por lo tanto, las lneas de dislocacin terminarn en una superficie libre o en una
superficie interna tal como un lmite de grano, o bien, formarn lazos. La figura
4.16a muestra un lazo de dislocacin circular y su plano de deslizamiento. Esta es
una dislocacin mixta, excepto en los dos puntos donde el vector b es perpen-
dicular a la lnea y en los dos puntos donde es paralelo a la lnea. Si se aplica un
par cortante en la direccin del vector b, como se muestra en la figura 4.160,
suceden dos cosas muy fascinantes: 1) la lnea de dislocacin se expande hacia
afuera en todas direcciones normales a la lnea debido al movimiento de desli"
zamiento, segn lo muestran las flechas en ngulos rectos con la lnea. 2) Despus
de que la dislocacin ha alcanzado los bordes externos del cristal, el efecto neto
es un traslado de la parte de arriba del cristal por un vector b con a la
parte de abajo (figura 4. I 6b). Con el objeto de comprender lo que est suce.
diendo aqu considrese el lazo cuadrado de dislocacin mostrado en vista en
planta en la figura 4. I 7.
Primero hay que preguntarse: 4u debe suceder en un cristal perfecto para
//" I ......
/" I
/ I
I
.J---------- __ 000 __ _
/
,//;,,/
(al
I
plano de /-_000000 __ 000000 ___ 000000_000_
deslizamiento /T----------- 000000000_
I
" I
I
//
//
,,"
)-000 _________ 000_000_000
(b)
Figura 4.16 a) Un lazo de dislocacin. b) escaln producido por la accin de
un esfuerzo cortante T sobre el lazo mostrado en a).
108
B
A
IV
r-- ---,
'III
A
B
Dislocaciones
III
sentido positivo a lo
largo de la linea
Figura 4.17 Vista supenor de un lazo de dislocacin cuadrado.
que se produzca este lazo? Podra ser generado al trasladar todos los tomos.?e
un cristal perfecto que estn sobre el plano de deslizamiento Y dentro de la r:gJ()n
cuadrada, por una longitud de un vector b, en relacin con los tomos debajo del
plano de deslizamiento. Esto empujara los arriba dentro del lazo hasta
la lnea discontinua de la figura 4.17. La 10cahzaclOn de los puntos sobre el pla-
no de deslizamiento que delinea al lmite de este traslado es la lnea de disloca-
cin, la cual, en este caso, es un lazo cuadrado. Considrese ahora el efecto de
este traslado sobre los tomos en el plano B-B, el cual es perpendicular al plano
de deslizamiento. Este traslado tender a "romper" este plano, como se muestra
en la figura 4.18. Las dos dislocaciones producidas en I y II son de
tornillo, y quedar claro, de la figura 4.18, que el de de.slizamlento
de estas dislocaciones har que sus lneas se muevan aleJandose duectamente
una de otra hacia los bordes externos del cristal. El sentido positivo de la lnea
de dislocacin se toma como en la figura 4.17, Y los circuitos de Burgers de
ambas dislocaciones dan el mismo vector b, segn se muestra en la figura 4.18.
Ambas dislocaciones deben tener el mismo vector b, ya que ambas fueron
..... ,
/ '
/ '
! / ...
L---{---r/<:....,-?f!.,b_
JI I /1
\
\
'\ I
, /
....

/ "
" ", / \
/ \
-:::.,,{../----+-, ----1 B
1
.......... -..ooE-_ .... "
+
11
/
/
!
Figura 4.18 Efecto de introducir un lazo de dislocacin en los planos atmi-
cos B-B.
Dislocaciones mviles en cristales reales 109
I \ I
\
b
A
/
/+
V
/
A
V1
/[7 I
/
Vb
\
V
\

I
111 IV
+
Figura 4.19 Efecto de introducir un lazo de dislocacin en los planos atmi-
r0S A-A.
generadas por el mismo vector d" deslizamiento. Ntese que la dislocacin I e
un tornillo derecho y II un tornillo izquierdo.
Ahora considrese el efecto del cambio en la retcula sobre los tomos en
el plano A-A. El cambio pr0duce un plano ex tra de tomos sobre el plano de
deslizamiento en IV y deja un plano extra de tomos debajo del plano de desli-
zamiento en IIl; vase la figura 4.19. Por lo tanto, estas dos dislocaciones de bor-
de son en sentido opuesto y el esfuerzo cortante har que se muevan alejndose
directamente la una de la otra hacia los bordes del cristal. Usando el sentido
positivo de la lnea de dislocacin seleccionada en la figura 4.17, se ve en la figura
4.19 que ambas dislocaciones dan el mismo vector b, segn se requera. Ntese
que donde la dislocacin III encuentra el borde del cristal, el plano extra pasa
por debajo del plano de deslizamiento, y donde IV encuentra el borde dd cristal
pasa por encima del plano de deslizamiento, de modo que se obtiene el escaln
de la figura 4.l6b. El mismo esfuerzo cortante ha hecho que las dislocaciones
III y IV se muevan alejndose directamente una de otra y, tambin, que las dis-
locaciones I y II se muevan alejndose directamente una de otra debido a que
ambos pares son de sentido opuesto. Por analoga, entonces, el lazo circular de
la figura 4.l6a se expande hacia afuera en todas direcciones normales a la lnea
bajo al mismo esfuerzo cortante debido a que el sentido y el carcter de la dis-
locacin cambill conforme se avanza alrededor del lazo.
4.6 DISLOCACIONES MOVILES EN CRISTALES REALES
Considrese un vector b en un cristal ccc
u
que va a lo largo de la diagonal del
cuerpo desde un tomo de una esquina hasta el tomo del centro. Las compo-
110
Dislocaciones
Tabla 4.1 Dislocaciones que producen deslizamiento en las tres
redes cristalinas importantes.
Sistema de
Dislocacin mvil
Planos de
Cristal
deslizamiento
Vector b
deslizamiento
ccca
(110){111}
a/2(110)
{111}
ccc
u
(1l1){110}
a/2(111)
{11O}
ccc
u
(111){21l}
a/2(111)
{211}
ccc
u
(111){321)
a/2(111)
{321}
ehc
(1120)(0001)
a/3(1120)
(0001)
ehc
(1120){1010}
a/3(1120)
{l010}
ehc
(1 t20){101 1}
a/3(1120)
{1011}
nentes de este vector b podran ser 1/2a, 1/2a, 1/2a. Es costumbre especificar tal
vector b como b = a/2[1ll]. Esta es una convencin muy til debido a que la
direccin del vector b aparece en su forma de enteros ms bajos dentro de los
parntesiS.
En cualquier metal real podra haber un nmero muy grande de dislocaciones
con diferentes vectores b presentes despus de que el metal fundido solidifica.
Sin embargo, existen algunas limitaciones, las cuales se tratarn con ms detalle
en seguida.
l. Los vectores b de las dislocaciones estables se extienden desde un tomo
a su tomo vecino ms prximo. Tales dislocaciones se llaman unitarias.
2. Las dislocaciones unitarias tienden a tener la energa ms baja cuando sus
vectores b se extienden a lo largo de una direccin compacta.
3. En general, las dislocaciones de energa ms baja tienen la mayor mo-
vilidad.
Consecuentemente, se esperara que en los cristales cCCa se encontrara que
las dislocaciones ms tengan los vectores b en las direcciones 01 O} con
longitudes de la mitad de una diagonal de cara, o sea, b = a/2 OIO}. El movi-
miento fcil de estas dislocaciones ms mviles es lo que produce deslizamiento.
El hecho de que el deslizamiento en los cristales ccca siempre ocurre en los
planos {lll} significa que las dislocaciones mviles tienen planos de movimiento
fcil {ll!} en los cristales ccc
a
. Las dislocaciones que se han observado como
causantes del deslizamiento se enlistan en la tabla 4.1.
4.7 OBSERVACION DE DISLOCACIONES
Hay varias tcnicas disponibles actualmente para observar las dislocaciones en
metales. Se describirn en breve los dos mtodos que sern de mayor uso poste-
Observacin de dislocaciones
111
riormente; el estudiante debe remitirse al captulo 2 de la referencia 7 para una
explicacin ms completa.
Se ha asentado que una dislotacin es un defecto en una retcula. Cuando
una lnea de dislocacin interseca una superficie, la regin de la retcula de esta
se distorsionar a la presencia de la Qlslocacin. Por lo tanto,
SI se ataca la superficie con un reactivo apropiado, es posible separar los tomos
ms de la regin donde la dislocacin interseca la superficie; en con-
secuenCIa, se formar una pequea picadura en la interseccin. Esta tcnica se
llama tcnica de ataque por picado y revela las localizaciones de las intersecciones
de las lneas de dislocacin con la superficie.
. La tcnica ml> verstil para observar dislocaciones es la microscopia electr-
mca de transmisin de laminillas. El doblez local de los planos de la retcula
cerca oe las dislocaciones puede causar una correspondiente difraccin local
del haz de electrones si ste forma el ngulo apropiado con la laminilla. La dis-
locacin aparece entonces como una lnea obscura en la imagen debido al con-
traste del mecanismo de difraccin que se estudi en la seccin 2.2. La figura
muestra un espcimen de una laminilla que contiene una falla de apila-
mIento en la esquina izquierda trasera y tres dislocaciones que van desde la parte
de arriba a la de abajo de la laminilla a lo largo de un plano comn en la esquina
derecha frontal. Las imgenes de la dislocacin apareceran en la imagen trans-
mitida como se muestra en la figura 4.20b, y con la micrografa MET de la
figura 2.12 se pueden ver algunas dislocaciones reales. La falla de apilamiento
interacta con el haz de electrones de una manera que puede producir un patrn
muy sorprendelllt! de la imagen transmitida, llamada patrn marginal, como se ve
en la figura 4.20b. Estos patrones marginales se producen a partir de intercaras
bidimensionales tales como fallas de apilamiento, lmites de macla y lmites de
grano. Un examen cuidadoso de los subl:mites de la figura 2.12 muestra que
algunos de ellos producen pa trones marginales.

- 2000 A
tres dislocaciones
sobre el plano de
deslizamiento
(a)
T
traza del plano de
deslizamiento sobre
la laminilla
patrn ele franjas de
la falla de apilamiento
imagen transmitida
(,)
Figura 4.20 Imgenes de dislocaciones y de fallas de apilamiento producidas en
el microscopio electrnico de transmisin.
112 Dislocaciones
4.8 ENERGIA DE DEFORMACION ELASTICA
En una retcula perfecta, todos sus tomos estn situados en sus sitios de equi-
librio. Si se aplica un esfuerzo de tensin, a, a la retcula los tomos se movern
ligeramente fuera de sus sitios de equilibrio y este desplazamiento se denomina
una deformacin. A la energia introducida en la retcula por la accin del esfuerzo
para producir una deformacin se le llama energa de deformacin elstica. En
consecuencia, siempre y cuando se desplacen los tomos de sus sitios de equi-
librio por alguna fuerza, se introduce una energa de deformacin elstica en el
cristal. Ahora bien, cunta energa se introduce cuando se deforma elstica-
mente un metal? Considrese el caso muy simplificado de una barra de longitud
I y rea de seccin transversal A puesto en tensin uniaxial, como se muestra en
la figura 4.21a. La regin elstica del diagrama esfuerzo-deformacin para este
material se muestra en la figura 4.21 b. Si la fuerza aplicada F incrementa la lon-
gitud por dI, la energa de deformacin elstica correspondiente es simplemente
dE = Fdl. Se toma el esfuerzo como a = F/A, la deformacin como de = dl/l, y
el volumen de la barra como V = A 1, y se obtiene por substitucin directa
dE = aVdl/1. Puesto que el volumen de la barra permanece casi constante, se
obtiene
(4.1)
Esto muestra que la energa de deformacin por unidad de volumen es sim-
plemente el rea bajo la curva esfuerzo-deformacin, figura 4.20b. Ya que la ley
de Hooke se aplica en la regin elstica, se puede escribir a = E e, y se halla que
(4.2a)
a
F -- LI ____ ...... 1--+ F
(a)
(b)
Figura 4.21 Relacin esfuerzo-deformacin.
Energa de dislocaciones
113
para esfuerzo de tensin o de compresin uniaxial y
(4.2b)
para corte simple, donde = Gl . En libros sobre elasticidad se demuestra que es
aplicable el principio de superposicin y la relacin general se obtiene como
donde los componentes de esfuerzo se definen en la figura 4.25. Este resultado de-
muestra claramente que siempre y cuando una red contenga un componente
de deformacin simple, e, poseer una energa de deformacin por unidad de
volumen de simplemente I nE e
2
. Resultar obvio que una dislocacin tendr
una cierta energa de deformacin asociada, ya que al distorsionar la red debe,
~ s e !uego, introducir deformacin en sus contornos. Cualquier defecto que
distorSIOne la retcula cristalina introducir un campo de deformacin en la
retcula y, como se ver despus, tales campos de deformacin ejercen una
fuerte influencia sobre el movimiehto de las dislocaciones.
4.9 ENERGIA DE DISLOCACIONES
Una dislocacin introduce desplazamientos a tmicos en la retcula, los cuales
son mximos en la lnea de dislocacin. Dentro de algn radio ro de la lnea de
dislocacin los desplazamientos son lo suficientemente grandes como para que
la ley de Hooke no sea aplicable. Por lo tanto, la energa de una dislocacin
se separa en dos partes,
E = E ncleo + E deformacin
donde Encleo se llama energa del ncleo y se refiere a la energa dentro de la
regin donde los, desplazamientos son demasiado grandes como para aplicar
la ley de Hooke.
La dislocacin de tornillos implica solamente una deformacin cortante
simple y, por lo tanto, es posible presentar una derivacin simple para su energa
de deformacin. El anlisis se realiza sobre el elemento de volumen diferencial
cilndrico de la figura 4.22a. Este elemento de volumen se extrae del cilindro
de la figura 4.1Oa y contiene el escaln b producido por la dislocacin de tor-
nillo que oprime su centro. Para empezar, se debe poder determinar la deforma-
cin elstica cortante, r, producida en el elemento por el desplazamiento debido
a la dislocacin de tornillo. Si se extiende el elemento como se muestra en la
figura 4.22b, se ve que la deforma;ill ccrtante puede tomarse como r = b/21Tr.
114
Dislocaciones
~ L ~
(b)
Figura 4.22 Efecto del desplazamiento de la dislocacin de tornillo sobre un
elemento de volumen diferencial cilndrico.
De las ecuaciones 4.2 se tiene dE = 1/21'r dV, y para el elemento de volumen se
tiene dV = 21Tr dr L. Tomando T = Gr se obtiene por sustituciones
rE/L(dE)= r Gb
2
dr
Jo L Jo 47T r
(4.4)
'o es algn pequeo radio dentro del cual falla la ley de Hooke, y esta energa
se considera por un trmino separado como se explic antes:
(
) = Gb
2
In .!:.+ ()
L se 47T ro L ncleo
(4.5)
Ntese que la energa se evala por unidad de longitud de la lnea de dislocacin
y tiene unidades de ergs/cm. Esto refleja simplemente el hecho de que las dislo-
caciones son defectos lineales.
El campo de esfuerzos alrededor de una dislocacin de borde es ms com-
plejo, y es necesario utilizar la teora de elasticidad formal para determinar su
energa de deformacin. Se obtieneS, 6 la siguiente expresin:
(
) Gb2 In .!:.+ ()
L borde47T(1-v) ro L ncleo
(4.6)
donde v es el mdulo de Poisson. Con base en estas ecuaciones, es posible sac;ar
algunas conclusiones.
1. Puesto que la energa de deformacin elstica de una dislocacin es pro-
porcional a In r, se incremente lentamente con el radio. Por lo tanto, las
Fuerzas en las dislocaciones
I1S
dislocaciones poseen ur.. campo de deformacin elstica de largo alcance.
Los esfimados de la energa del ncleo muestran que este campo es me-
nor de un quinto de la energa total para r > 10-
4
cm en las ecuaciones
4.5 y 4.6 y, por lo tanto, la energa del ncleo a menudo se pasa por alto.
2. La energa de deformacin es igual al cuadrado del vector de Burgers.
Con,secuentemente, las dislocaciones estables en los cristales metlicos
sern aquellas que tienen el ms bajo vector b debido a que tambin
tendrn la ms baja energa de deformacin.
3. Por qu una burbuja en un vaso de cerveza toma siempre la forma de
una esfera? Debido a que la geometra esfrica produce la mnima rea
para un volumen fijo, y minimizando su rea, la burbuja minimiza su
energa superficial. La dislocacin tiene una energa por unidad de lon-
gitud la cual se podra llamar energa lineal por analoga con las super-
ficies. En consecuencia, una dislocacin recta entre dos puntos tendr
menor energa que una dislocacin curveada, de modo que las dislo-
caciones rectas son ms estables. Se definir despus una tensin lineal,
la cual es anloga a la tensin superficial.
4.10 FUERZAS EN LAS DISLOCACIONES
Al estudiarse los lazos de dislocacin se hall que un esfuerzo cortante externo
hace que la lnea de dislocacin se mueva hacia afuera en una direccin normal
a la lnea. Se podra imaginar entonces que el esfuerzo cortante aplicado ha
producido una fuerza en ngulos rectos con la lnea de dislocaciones que hace
que sta se mueva. Se puede definir esta fuerza que la dislocacin siente, F, como
el trabajo requerido para moverla una unidad de longitud, F = dW/dl. Supngase
que se mueve un bloque sobre el piso aplicando un esfuerzo cortante T, como
se muestra en la figura 4.23a. El trabajo requerido para mover el bloque a travs
de una distancia X, puede escribirse como W = (rea del bloque) X.
Ahora supngase que un esfuerzo cortante aplicado hace que el segmento
de dislocacin de longitud ds se deslice por una distancia dI, como en la figura
4.23b. El movimiento de este segmento de la lnea hace que la parte de arriba
del cristal sobre el rea dA sea transladada una distancia b por un vector b con
relacin a la parte de abajo. En consecuencia, por analoga con el bloque, se pue-
de escribir para el trabajo requeridb para mover el segmento, dW = (dA) b,
donde es la componente del esfuerzo cortante en la direccin del vector de
deslizamiento. (Es interesante notar que no se halla necesariamente en la direc-
cin del movimiento de la lnea de la dislocacin. Solamente sucede as para dis-
locaciones de borde puras). El factor dA es el rea transladada y b es la magnitud
del cambio. Puesto que dA = di . ds, se puede escribir
dW
-=1" ds' b=F
di
(4.7)
116 Dislocaciones

Figura 4.23 a) Esfuerzo cortante moviendo un bloque sobre una superficie.
b) movimiento del segmento lineal de dislocacin ds a travs de una distancia dI.
Es ms conveniente considerar la fuerza por unidad de longitud de la lnea de
dislocacin, de modo que se escribe
F
-=Fd='Tb
ds
(4.8)
donde Fd es la fuerza por unidad de longitud. La ecuacin 4.8 da la fuerza por
unidad de longitud que siente una dislocacin debido a una componente de
esfuerzo cortante, T, en la direccin del vector b. Esta fuerza siempre acta en
ngulos rectos con la lnea de dislocacin en el plano de deslizamiento, indepen-
dientemente del ngulo que fonne la lnea con el vector de esfuerzo cortante. Por
ejemplo, en una dislocacin de tornillo, la fuerza experimentada por la lnea, Tb,
acta en ngulos rectos con la direccin del esfuerzo cortante, como se ve en la
figura 4.24. Puede demostrarse que la fuerza por unidad de longitud que causa el
trepado en las dislocaciones de borde est dada pr ab, donde a es el esfuerzo
de tensin o de compresin aplicado normalmente a la lnea dedislcacin.
Sera bueno que se pudieran describir las fuerzas entre dislocaciones en una
forma ms general. En cursos de Ingeniera mecnica se demuestra que con objeto
b
-
'T
-
I
I
I
I
I
J
Figura 4.24 Relacin geomtrica de la fuerza experimentada por una lnea de
dislocacin de tomillo pura y el esfuerzo cortante que causa la fuerza.
Fuerzas en las dislocaciones
117
(a)
(b)
Figura 4.25 Definicin de las componentes de esfuerzo en a) coordenadas rec-
tangulares y b) coordenadas cilndricas.
de describir el estado de esfuerzos en un material, se deben especificar tres com-
ponentes de esfuerzos de tensin y tres de esfuerzos cortantes. La figura 4.25
las tres componentes en coordenadas rectangulares y en coordenadas
clhndncas. El primer subndice en los componentes de corte denota la direccin
la normal al plano en el cual acta el esfuerzo cortante y el segundo subn-
la direccin del esfuerzo cortante_ Considrese una lnea de dislo-
caClon ahneada en la direccin X con un vector b mixto alineado en el plano
X- y como se muestra en la figura 4.26. Cul es la fuerza experimentada por
esta dislocacin debida a las componentes del esfuerzo mostradas en la figura
4.25a? Se sabe que est:! fuerza actuar en ngulos rectos con la lnea, de modo
componente de
tornillo
linea de
dislocacin
k----..:......,....--- _
y
La configuracin de dislocacin seleccionada arbitrariamente para la
denvaclOn de la ecuacin 4.10.
118 Dislocaciones
que tendr slo componentes 7 y k. puesto que la dislocacin es mixta, se re-
suelve en sus componentes de borde y de tornillo, y se escribe
E. = [(Fy) borde + (Fy)t lT+[(F.) borde + (Fz)tlk (4.9)
donde (f)I )borde es la fuerza sobre la componente de borde en la direcc.in Y y
los otros trminos se definen en forma similar. La direccin positiva de la lnea
de dislocacin se toma como la direccin positiva del eje X. Considrese primero
la parte de dislocacin de borde, by. Esta se mueve en la direccin Y por desli-
zamiento. Puesto que su vector de deslizamiento (vector b) yace en la direccin
Y, el esfuerzo cortante que provoca al movimiento de deslizamiento debe ha-
llarse en la direccin Y. Al comparar la configuracin de la dislocacin de la.
figura 4.26 con las componentes de esfuerzos de la figura 4.25a, se ve que el
esfuerzo cortante que provoca el movimiento de deslizamiento de la compo-
nente de borde debe ser T xy o T zy' El plano de deslizamiento de la componente
de borde es el plano X- Y. Debido a que el par de esfuerzo cortante de T zy acta
a travs de este plano y no el de T xy, se concluye que el esfuerzo T zy es la com-
ponente que provoca el deslizamiento de la componente de borde. Esta disloca-
cin puede ser positiva o negativa, dependiendo del sentido que le d el vector
b en el sentido positivo del eje Y, como 10 requiere la geometra de la figura
4.26. Si se construye un circuito de Burgers como en la figura 4.27a, se encuen-
tra que el sentido debe ser negativo, segn se muestra. Desde luego, el esfuerzo
cortante T zy causa el movimiento en el sentido negativo de Y. Por lo tanto,
la fuerza debe ser negativa y, puesto que T zy y by son positivos, se escribe
(F)borde = - T zyb
y
. La parte de borde se movera en la direccin Z por trepado,
y el esfuerzo de tensin que provoca este movimiento sera U
yy
segn se muestra
en la figura 4.27b. Se puede escribir (Fz)borde = uyyby , ya que este esfuerzo pro-
voca el movimiento en el sentido positivo.
Los esfuerzos cortantes que causan el movimiento de la componente de tor-
nillo deben estar en la direccin b de esta componente, o sea, en la direccin X.
....
I ,
, ,
t (F.) borde
I I
I I
(Fy)bordel I
-+- r ..
I I
I I
, I
,
'--.---' by

T

-.-
T.y
(a) (h)
Figura 4.27 Determinacin del sentido correcto de la componente de borde en
la figura 4.26.
Fuerzas en las dislocaciones
119
-- /
/
r
+
+
(a)
(h)
Figura 4.28 Determinacin del t'd
sen 1 u correcto de la componente de tornill<
en la figura 4.26.
De aqu que se deban considerar T zx y T yx' Primero, considrese el par cortante
T zx' El plano X- y debe ser el plano de deslizamiento de la dislocacin de tornillo
afectada por T zx. ya que el par T zx acta a travs del plano X- Y. Por lo tanto la
T zx mover a la componente de tornillo en el sentido + Y o el
sentIdo - Y d:1 sentido que tenga T zx' La figura 4.28a muestra que
debe moverse hacJa la IzqUlerda para dar el signo apropiado de b
x
de modo que
se tenga (Fy)t = - T zx bx ' El otro esfuerzo cortante en la direccin X T mo
, I ' yx, -
vera. a componente de tornillo en el sentido + Z o en el- Z y se halla como en
la fIgura 4.28b. que la mueve en el sentido + Z desde luego (F) = T b
S t
't d " Z t yx x
us luyen o estas expresiones en la ecuacin 4.8. se obtiene
(4.10)
d
lae cpual hesKunahIforma limitada de una ecuacin llamada comnmente ecuacin
eac - oe er La ecu ., 4 1 O .
. aClOn. requIere que la dislocacin de inte '
: la direccin X. Esta limitacin puede relajarse utilizando una
vectonal , los propsitos de este libro, la ecuacin 4.1 O es suficiente
resl.stencla y ductilidad de los metales se controlan por el movimien'to
de y el movimiento de dislocaciones se controla por las fuerzas
actuan s.obre ellas. Consecuentemente. la ecuacin 4.1 O es una ecuacin
De la fsica se puede obtener una analoga interesante
uerza sobre una partcula de carga, q, se puede escribir .
F=qE= q[Exi + E,T+ E. k]
(4.11)
120 Dislocaciones
donde Ex, Ey Y Ez son las componentes del vector del campo elctrico E. De
aqu que un campo elctrico produce una fuerza sobre una partcula de carga
q, segn se da por la ecuacin 4.11. Similarmente, un campo de esfuerzos
produce una fuerza sobre una dislocacin de "resistencia b", como se da por la
ecuacin 4.10. Considrese una dislocacin simple en un cristal perfecto. Esta
dislocacin experimentar una fuerza cero debido a que el campo de esfuerzos
en un cristal perfecto es cero. Si se genera un campo de esfuerzos en el cristal
por cualquier medio, la dislocacin experimentar una fuerza que puede deter-
minarse sustituyendo las componentes del esfuerzo generado en el punto de la
dislocacin en la ecuacin 4.1 O. Se puede generar un campo de esfuerzos en el
punto de la dislocacin aplicando un esfuerzo externo o introduciendo defectos
en la retcula. Defectos tales como partculas de precipitado, tomos de solu-
tos y, en particular, otras dislocaciones generarn un campo de esfuerzos en la
dislocacin de inters y de aqu que estos defectos ejercern una fuerza sobre
esta dislocacin.
4.11 EL CAMPO DE ESFUERZOS PRODUCIDO POR
DISLOCACIONES
El campo de esfuerzos (o campo de desplazamientos) producido por una dislo-
caCin de tornillo es muy fcil de calcular debido a que la dislocacin de tornillo
implica slo un corte simple. Considrese una dislocacin de tornillo que yace en
la direccin X de la figura 4.25b. El vector b estara alineado e'n la direccin X
y el esfuerzo cortante que produce deslizamiento sera Tex. Por lo tanto, se tiene
b
Tex = G'Yex = G -2
7Tr
(4.12)
donde el esfuerzo cortante se demostr previamente que es b/21rr (pgina 113) y
las componentes de esfuerzo restantes de la figura 4.25b son cero.
A partir de la teora de elasticidad se pueden derivar expresiones anal-
ticas para el campo de esfuerzos alrededor de una dislocacin de borde. Como
antes, el anlisis supone una dislocacin recta aislada en un cristal isotrpico.
Para una dislocacin de borde positiva alineada en la direccin X de la figura
4.25b se encuentra
G b senO
.0""= aee =27T(1-v) r
(4.13)
-G bcos8
T.e=Te'='27T(1_V) r
donde O se mide haCia arriba del plano de deslizamiento horizontal y todas las
componentes de esfuerzo restantes son cero. Las ecuaciones 4.13 suponen que
El campo de esfuerzos producido por dislocaciones
121
la direccin positiva de la lnea de dislocacin se halla en el sentido positivo de
X. Como SP. ilustra en la figura 4.27a, la convencin requiere entonces que el
medio plano extra de la dislocacin de borde se halle abajo del plano de desli-
zamiento. Ntese ahora, de las ecuaciones 4.13, que cuando 8 tiene un valor
entre 0
0
y 180
0
, urr y T ee son posi(vos, mientras que para 8 entre 180
0
y 360
0
ambos son negativos. Esto significa que arriba del plano de deslizamiento los
esfuerzos son de tensin y abajo son de compresin. En consecuencia, los es-
fuerzos de compresin se producen en la regin del plano extra y los esfuerzos
de tensin se producen por encima de esta regin. Es de esperarse este resultado
si se considera el tipo de desplazamientos producidos en una retcula cuando se
inserta un plano extra de tomos.
Frecuentemente resulta til usar los campos de esfuerzos alrededor de dis-
locaciones en coordenadas rectangulares. Estas ecuaciones se dan aqu como
referencia. Los esfuerzos alrededor de una dislocacin recta alineada en la di-
reccin X son como sigue:
l. Dislocacin de tornillo:
2. Dislocacin de borde:
Ty, = T,y =0
Gb z(3/+ Z2)
ayy
27T(1- v) 'y2... Z2)2
_ -Gb Z(y2_Z2)
a" - 27T(1- v) (/+ z
2
r
-Gb }'(y2 __ Z2)
T
y
, = T,y 27T(1- v) (/+ Z2)2
Tyx = Txy -= Tzx = T
xz
= O
(4.14)
(4.15)
Enseguida se formulan dos problemas y se recomienda resolverlos en este
momento para comprender mej or los conceptos anteriores.
* b 2
~ ~ I f
+-b __ -- I z
1 -- I I
.l-::::A ______ J-L
1.. y ,..j
122 Dislocaciones
l. Dos dislocaciones de borde paralelas y del mismo sentido se hallan en dos
planos de desliZamiento paralelos, como se muestra en la figura. A partir
del campo de esfuerzos que rodea una dislocacin de borde dado y de la
relacin de Peach-Koehler, determinar:
a) La fuerza que ejercen una sobre otra las dos dislocaciones en la direc-
cin de deslizam;ento.
b) Demustrese que el valor de esta fuerza se va hasta cero a (J = 45 Y
(J = 90.
c) Para valores de 1) 0 < (J < 45 Y 2) 45 < (J < 90, la fuerza anterior
tender a unir las dislocaciones o a separarlas?
d) Cul es la respuesta a la parte c si la dislocacin 2 tiene el sentido
opuesto del de la dislocacin 1?
2. Para el caso en que las dislocaciones anteriores son de tornillo puras y del
mismo sentido, utilcese la relacin de Peach-Koehler y las ecuaciones
anteriores para los esfuerzos elsticos producidos por una dislocaci'n de
tornillo, y demustrese que la fuerza que acta a lo largo de la lnea entre
las dislocaciones
donde r es la distancia entre las dos dislocaciones.
Para resolver el problema 1 considrese que la dislocacin 2) est colocada
en un cristal perfecto. La fuerza sobre ella ser cero. Ahora introdzcase la dis-
locacin 1) y pregntese qu fuerza siente la dislocacin 2) debida al campo de
esfuerzos producido por la dislocacin 1). Con base en la respuesta al problema
1, considrese cmo sera de esperarse que se acomodaran las dislocaciones en
los cristales con objeto de minimizar las fuerzas que las afectan.
4.12 TENSION LINEAL
En forma similar a la tensin superficial, la tensin lineal de una dislocacin pue-
de definirse como el trabajo requerido para generar una lnea de dislocacin de
longitud unitaria. La tensin lineal de una dislocacin recta estara dada entonces
esencialmente por las ecuaciones 4.5 y 4.6. Para una dislocacin curveada, la
tensin lineal tiene la forma
Gb
2
r R ]
T= 4'7TK In r;;+const = kGb
2
(4.16)
Tensin lineal
123
T
::/ --
Tb ---r dS
------.------. -- I

T
Figura 4.29 Fuerzas actuando sobre un segmento de lnea de dislocacin.
donde R es el radio de curvatura, K = I para una de tornillo y K = (I - V) para
una de borde, y const depende de la forma de la lnea, Tomando k = 1/2 se tiene
una buena aproximacin de la tensin lineal. La tensin lineal tiene unidades de
energa sobre longitud, las cuales sOn las mismas que para fuerza. Por lo tanto
la tensin lineal puede imaginarse como una fuerza en la direccin de la lnea
forma similar a la fuerza que acta a lo largo de un eje de una banda de hule
estirada.
Considrese un segmento de dislocacin de longitud dS que tiene un radio de
curvatura R, como se muestra en la figura 4.29. La tensin lineal que acta a lo
largo de la lnea de dislocacin tiende a mantenerla recta, de modo que se debe
aplicar una fuerza normal a la lnea con el objeto de curvearIa. Esta fuerza nor-
mal por longitud de lnea sera Fd = rb y doblara la lnea de dislocacin hasta
que estuviera balanceada por las componentes de la fuerza de tensin lineal. La
fuerza total a la derecha sobre el segmento dS sera rb dS. La fuerza equilibrante
a la izquierda debida a las componentes de la tensin lineal puede demostrarse
por una pequea geometra que es T d(J en el lmite de un pequeo d(J. Reco-
nociendo que dS = Rd(J , se obtiene
T Gb
2
Tb=-=--
R 2R
(4.17)
Este resultado demuestra que si un esfuerzo cortante produce una fuerza rb so-
bre una dislocacin que no est libre para moverse (anclada o parcialmente res-
tringida), entonces la dislocacin se doblar hasta un radio de curvatura R dado
por la ecuacin 4.17. Este resultado es til para la comprensin del
de dislocaciones ancladas.
124
Dislocaciones
4.13 DISLOCACIONES EXTENDIDAS
Considrese el modelo muy simplificado de una dislocacin de borde donde el
"plano extra de tomos" consta de dos semiplanos de en una
{lOO}, como se muestra a la izquierda de la figura 4.30. SI los dos semlplanos
extras se repelen el uno al otro a lo largo del plano de deslizamiento, probable-
mente se separen para fonnar dos dislocaciones, b2 y b3 , segn se muestra a la
derecha, cada una con un vector de Burgers de solamente la mitad del de la dislo-
cacin original. Se puede llamar a esta separacin una reaccin de dislocacin, la
cual puede representarse por analoga con las reacciones qumicas como
(4.18)
Tal como ocurre con las reacciones qumicas, el que esta reaccin proceda hacia
la derecha o se mantenga hacia la izquierda depende de la configuracin que
tenga la energa libre de Gibbs. Se escribe el cambio de .energa libre al
ir de izquierda a derecha, por convencin, como I:::..G = G2 + G3 - GI Y SII:::..G es
negativo las dislocaciones separadas tendrn la ms baja energa libre y, por 10
tanto ser la configuracin ms estable. En una buena aproximacin, se puede
la energa libre de una dislocacin con su energa de defonnacin els-
tica. As, de la expresin para la energa de deformacin elstica por longitud
de la lnea de dislocacin, se tiene
AG= = bi]
(4.19)
Para el ejemplO anterior, se halla I:::..G = k[a
2
+ a
2
- 4a
2
] = - k2a
2
; o sea, las
dislocaciones separadas son la configuracin estable, ya que tienen una ms baja

b
1
=2a b3 =a
Figura 4.30 Disociacin de una dislocacin de borde que contiene dos planos de
tomos adyacentes.
Dislocaciones extendidas 125
energa de defonnacin elstica por unidad de longitud. De aqu que se excluya
la dislocacin compuesta de dos semiplanos extras para disociarla en dos dislo-
caciones con semiplanos extra simples.
Por extensin de los anteriores argumentos, se puede ver que cualquier dislo-
cacin que tiene dos o ms planos de tomos como "planos extra de tomos"
sera inestable y deber descomponerse en una serie de dislocaciones, teniendo
cada una un semiplano extra de tomos simple. Una dislocacin con un vector
de Burgers de n a se descompondra en n dislocaciones teniendo cada una vec
tores de Burgers a. Extendiendo este argumento an ms, se podra esperar que
la dislocacin que tiene un plano extra de tomos y un vector de Burgers a se
descompondra de algn modo en dos dislocaciones, cada una de ellas con un
vector de Burgers menor que a, por ejemplo 1/2 a. Por analoga con los argu
mentos anteriores, la energa de deformacin elstica combinada de las dos dislo-
caciones resultantes sera menor que la de la dislocacin madre. Sin embargo, en
este caso resultar una complicacin adicional. Se vio al principio que el movi-
miento de deslizamiento de una dislocacin produce un movimiento relativo del
cristal a travs del plano de deslizamiento de una magnitud y direccin dados
por el vector b. Considrese el movimiento de deslizamiento de la dislocacin
de la figura 4.30, el cual tiene un vector b de n a. Despus de que la disloca
cin pasa un punto dado, la parte de arriba del cristal se desplaza por n . a con
relacin a la parte de abajo. Es evidente que si n no es un entero, el paso de la
dislocacin producir una falla planar en la estructura cristalina justo sobre el
plano de deslizamiento. Por ejemplo, si n fuese 1/2, el paso de la dislocacin
movera la parte de arriba del cristal por 1/2 a con relacin a la parte de abajo.
La falla producida sobre el plano de deslizamiento se muestra en la figura 4.31.
A cualquier dislocacin cuyo movimiento de deslizamiento produce una
falla en el cristal se le llama una dislocacin parcial, contrario a lo que ocurre a
una dislocacin perfecta. Puede verse que para una dislocacin perfecta el vector
de Burgers debe extenderse entre dos tomos del cristal dados, mientras que
esta regla no se aplica para una dislocacin parcial. Ahora considrese la descom-
posicin de la dislocacin perfecta, b I = a, en dos dislocaciones parciales, b2 = 1/2a
y b
3
= 1/2a. El efecto de esta reaccin sobre la red se muestra en la figura 4.32.
plano de deslizamiento

I
Figura 4.31 Falla producida sobre el plano de deslizamiento por el movimiento
de deslizamiento de una dislocacin con vector de Burgers 1 /2a.
126 Dislocaciones
Si se imagina que b
2
es estacionaria, entonces, conforme b
3
se desliza alejndose
(le b2 genera una regin de falla a lo largo del plano de deslizamiento. Se puede
representar esquemticamente esta reaccin como en la figura 4.33, donde' la
regin alterada entre las parciales se representa por la parte sombreada. Esta com-
binacin de dos dislocaciones parciales ms la falla se llama una dislocacin
extendida. En trminos de una ecuacin se puede escribir,
(4.20)
" Para determinar en qu direccin se efectuar esta reaccin, debe conside-
rarse la contribucin de energa libre de la falla. Nuevamente, la energa libre
de la dislocacin se tomar simplemente como la energa de deformacin els-
tica. Refirindose a la figura 4.32, hay que notar que en la regin alterada la
retcula no est deformada. debido a que los tomos yacen 'en sitios de equilibrio
metaestables a medio camino entre los tomos ms bajos. La energa de la regin
alterada no es el resultado de una deformacin elstica de la retcula; ms
bien, resulta de diferentes energas de enlace producidas por la diferente con-
figuracin atmica a lo largo del plano alterado. Es del mismo tipo de energa
producida por una falla de apilamiento. Sea Er la energa por unidad de rea de
la falla, entonces, si la distancia entre las dislocaciones parciales est dada por re'
para el cambio de energa libre de la anterior reaccin por longitud de lnea
se tiene
.:1G= kM+ Efr.- kbi
= Efr. (4.21)
Para el ejemplo consi4erado aqu se tiene!l.G = - 2ka'J. + Erre' Por lo tanto,la
dislocacin se disociar en parciales si'Er'e < 2ka
2
En otras palabras, si la regin
de falla tiene una baja energa de falla, entonces las dislocaciones estables sern
las dislocaciones parciales. Por lo tanto, se puede conclu'ir, que si no se forman dis-
locaciones parciales en un cristal, las dislocaciones estables sern aquellas dislo-
caciones perfectas que tienen el vector de Burgers Ms pequeo.
En los cristales de empaquetamiento compacto se forman dislocaciones
parciales y, por lo tanto, se estudiarn en ms detalle. En particular, ahora se
ver cmo puede determinarse la distancia de separacin, re' Puede verse que las
dislocaciones parciales sobre el mismo plano de deslizamiento se repelen una a
otra debido a la interaccin de sus campos de esfuerzos con una fuerza por uni-
dad de longitud
(4.22)
Dislocaciones extendidas
/ J
v/
- b = a
dislocacin
____ ______________________
\
parciall
- -

-
/
I
\
/
'V
-- --
...

J
zona central de falla
__
"
/
I I
I
I
/
--
/rparcial
-
I

/
'/
\
I
V
--
--

-
b3 =f
127

4.32 Formacin de dos dislocaciones parciales a partir de una dislocacin
urutana.
J
b = a
Figura 4.33 Representacin esquemtica de la disociacin de una dislocacin
unitaria en dislocaciones parciales,
128 Dislocaciones
Figura 4.34 Extensin de segmento de una falla bidimensional (rea).
(vase el problema 4.6), donde b 2 b 3 es el producto punto de los vectores de
Burgers de las dos dislocaciones. Esta fuerza de repulsin est contrabalanceada
por una fuerza de atraccin que resulta de la regin de falla generada entre las
dos dislocaciones parciales conforme ellas se separan. Supngase que la regin
de falla tiene una tensin superficial de 'Yen unidades de dinas/cm. La tensin su-
perficial se define como el trabajo necesario para generar un rea unitaria del
plano de falla, 'Y = dw/dA. Considrese una longitud ds a lo largo del lmite
del rea fallada. El trabajo necesario para extender esta longitud hacia afuera por
la distancia dr, como se muestra en la figura 4.34, es
F
dW=- ds dr
1
donde F/l es la fuerza por unidad de longitud ejercida sobre el lmite para mo-
verlo hacia afuera. De aqu que se tiene
como definicin de 'Y. Por lo tanto, la tensin superficial 'Y puede imaginarse
como una fuerza por unidad de longitud actuando hacia adentro a lo largo del
lmite, de modo que con objeto de extender el lmite hacia afuera se debe ejercer
una fuerza por longitud de lmite hacia afuera que sea'mayor que 'Y. Puede de-
mostrarse que la tensin superficial de un rea es aproximadamente la misma
que la energa por unidad de rea,11 'Y = Ef (ver la pgina 203).
Se puede regresar al problema de calcular re. Puede verse en la figura
que la fuerza por unidad de longitud que hace que se repelan las dislocaciones
parciales cae conforme se separan las dislocaciones. Cuando la fuerza cae debaio
de El' ya no ser lo bastante fuerte como para generar regin fallada. Por .consi-
Dislocaciones extendidas
129
guiente las dislocaciones se separarn hasta que la fuerza repulsiva sea balanceada
por la tensin superficial:
(4.23)
El espaciamiento de equilibrio de las dislocaciones parciales puede determinarse
entonces como
r = G(b2 b3 )
e 27TE
f
(4.24)
Supngase que las dislocaciones en dos que tienen la misma estructura
cristalina se separan en dos parciales, y que el mdulo G de los dos metales es
casi el de modo que la fuerza repulsiva entre las parciales (ecuacin 4.22)
es aproxunadamente la misma. Sin embargo, la energa de falla de la regin entre
las parciales es mucho mayor en el metal 2 que en el metal l. Es de esperarse
que la distancia de separacin de equilibrio sea menor en el metal 2, ya que la
no podr dispersar las dislocaciones tan lejos debido a la gran
tenslOn superficial de la falla en el mctal 2. Esto se muestra grficamente en la
figura 4.35a. Si se aplica un esfuerzo cortante de la orientacin apropiada, se
puede hacer que las dislocaciones parciales se junten de nuevo. Por razones que
luego se harn obvias, sera convenien te conocer las cantidades relativas de energa
I
I
I
I
I
I
---1---- - ___ _
I
I
I
(r, ),
distancia de de las parciales. ,
(,TI
<Ji
Q)
m

ro
c.
"'

Q)
"O
e
<>
.C:;
ro
;
c.
:
Q)
"O
ro
.C:;
e

"' 'O
(r, ),
fuerza repulsiva neta sobre las parciales
Figura 4.35 a) Diagrama que ilustra el espaciamiento de equilibrio de dos dislo-
caciones parciales b) Fuerza neta sobre las parciales como una funcin de la dis-
tancia de separacin.
130
Dislocaciones
necesaria para recombinar las dislocaciones parciales en los metales I y 2. Consid-
rense las parciales en el metal 1. Cuando se separan por alguna distancia, r, menor
que su espaciamiento de equilibrio, (r
e
)1, habr una fuerza repulsiva neta sobre las
parciales dada como [(G b
2
b 3/21rT') - (Ef)J Esta fuerza repulsiva neta se
muestra como una funcin de la distancia de separacin r en la figura 4.35b.
Para colapsar dos dislocaciones parciales en la dislocacin madre, el esfuerzo
cortante aplicado externamente debe sobreponerse a esta fuerza repulsiva neta.
De aqu que se pueda escribir la energa requerida para colapsar la dislocacin
extendida como
EcolaPSO = - r (fuerza repulsiva neta) dr
(4.25)
De esta ecuacin se ve que la energa que colapsa las dislocaciones extendidas
es simplemente el rea bajo las dos curvas de la figura 4.35b. Resulta obvio que
toma menos energa colapsar la dislocacin extendida estrecha en el metal 2
que la dislocacin ms amplia en el metal 1. Por lo tanto, las ms bajas energas
de falla tendern a producir dislocaciones parciales ms estables debido a que
ser ms difcil colapsarlas de nuevo a su forma perfecta.
4.14 DISLOCACIONES EN METALES CCCa
Por razones de simplicidad, se centrar la atencin en las dislocaciones en metales
ceca' ya que estos metales han sido bien estudiados y tienen quizs los arreglos
de dislocaciones ms interesantes. Como se mencion antes, en estos cristales
las dislocaciones mviles tienen un vector b de a/2 ooT>. La figura 4.36a muestra
las situaciones de los tomos sobre la seccin del plano (111) contenido en la
celda unitaria. En forma similar a la figura 1.11, los tomos sobre el plano (111)
se marcan como tomos B, los tomos en el siguiente plano compacto, (1/2 1/2
li2), se marcan como tomos e, y los tomos de las esquinas son los tomosA.
Considrese una dislocacin que se desliza a lo largo del plano entre B y e c<?n
un vector b que se extiende del tomo e' al e. Este vector b sera a/2[ 1 01]. El
movimiento de deslizamiento de esta dislocacin hace que todos los tomos que
se hallan sobre el plano de deslizamiento sean trasladados por el vector b en rela-
cin con los tomos inferiores, de modo 'que el tomo en e' se mover hasta e.
Adems de una trayectoria directa desde e hasta e, se puede ver en la figura
4.36a que el movimiento podra efectuarse por una trayectoria de dos pasos,
yendo desde e hasta A y luego desde A hasta C. Si el movimiento ocurre por
esta trayectoria de dos pasos, la dislocacin perfecta podr a degenerar en las dos
dislocaciones parciales mostradas en la figura 4 .36b.
[10I] [2II]+ falla
(4.26)
Dislocaciones en metales CCC
a
[101)
8
f [211)
/"
\
C
------'---8
(a)
Figura 4.36 Dislocaciones en cristales ceca.
C'
I
:
I
JA

6
(b)
131
A las dos dislocaciones parciales se les llama comnmente dislocaciones parcia-
les de Shockley, ya que fueron propuestas por primera vez por Heidenreich y
Shockleyen 1948.
12
Estas dislocaciones juntas forman una dislocacin extendida.
Supngase que una dislocacin de Shockley a/6[ 112] se desliza a lo largo
del plano entre B y e de la figura 4.36a. Este movimiento traslada el cristal com-
pleto sobre el plano de deslizamiento por el vector a/6 [112]. Por lo tanto, el
tomo en e se mueve a A y todos los tomos en sitios e se mueven a sitios A.
Regresando a la figura 1. 11 b, se tiene una vista de borde de los planos B y e.
Estos planos se dibujan de nuevo en la figura 4.37 y entonces se deja que todos
los tomos que estn encima del plano de deslizamiento se muevan por a/6 [112].
Ntese que esto traslada todos los tomos encima del plano de deslizamiento
produciendo desplazamientos desde e hasta A, desde A hasta B, y desde B hasta
C. Por lo tanto, el movimiento de dislocacin parcial de Shockley produjo
una falla de apilamiento de una capa
El que la dislocacin extendida del lado derecho de la ecuacin 4.26 exista
o no depende de la energa de la regin alterada. En este caso, la falla es muy
simple, una falla de apilamiento por lu tar.to, tiene relativamente poca energa.
La energa de la falla de apilamiento en Al es alrededor de 200 ergs/cm
2
y en
A u alrededor de 10 ergs/ cm
2
. A partir de la ecuacin 4.24 se calcula el espacia-
miento de equilibrio, re, para el Al como de 1 - 2 dimetros atmicos y para el
Au de aproximadamente 30 dimetros atmicos. Por lo tanto, se esperara que
las dislocaciones perfectas formaran dislocaciones extendidas en Au pero no en
Al. Resulta evidente que la energa de la falla de apilamiento controla si se han
de formar o no las dislocacio!1es extendidas en cualquier metal ceca dado.
Las dislocaciones extendidas pueden observarse en microscopios electr-
nicos de transmisin y se observa el comportamiento esperado. La figura 4.38
132
plano de
deslizamiento
A -+ B
C-+A
B
A
,
CI:)
(J)
o
';;
';

"l:
(J) (J)
o o
';; ';;
'; ';
Dislocaciones
t I
t
_[112]
-
I
I
-t-
I
+
1 \
CI:) "l: CI:)

(J) (J)
(J) (J)
o o
o .g
';; ';;
';;
'; ';
'; ';
Figura 4.37 El atmico causado por deslizamiento de la
parcial de Shock1ey [112 ]0/6 (ver las figura 1.11 y 1.12 para la construcclOn de
este diagrama).
muestra una laminilla que contiene las dislocaciones extendidas de la ecuacin
4.26 sobre un plano (111) de la laminilla. La falla de apilamiento entre .dis-
locaciones extendidas aparece en la imagen del haz de electrones transmItIdos
como un patrn marginal. Se observa que la aplicacin de un esfuerzo. que
las dos dislocaciones parciales se muevan a travs del plano de deshzamlento
como un par acoplado con la falla entre ellas. .
El que las dislocaciones parciales de un metal cCC
a
sean extendIdas o no pue-
de influir mucho en su comportamiento plstico. El deslizamiento ocurre por el
movimiento de muchas dislocaciones sobre un plano de deslizamiento dado.
patrn de franjas de
la falla de apilamiento
imagen transmitida
(a)
(b)
Figura 4.38 Evidencia de una dislocacin extendida en el MET.
Dislocaciones en metales CeCa 133
falla
Figura 4.39 Representacin esquemtica de la disociacin de una dislocacin
de tornillo en parciales de Shockley en una retcula ccc
a
.
Supngase que el deslizamiento estaba ocurriendo sobre el plano (I 11) en la
direccin (101] por el movimiento de las dislocaciones de tornillo y que este
deslizamiento se bloque de alguna manera. Si un esfuerzo adicional hace que
contine el deslizamiento en direccin [101] pero sobre el plano de desliza-
miento intersecante, (111), se tiene lo que se conoce como deslizamiento
crnzado. Puesto que estn implicadas las dislocaciones de tornillo, este desli-
zamiento cruzado podra ocurrir fcilmente. Sin embargo, si estuviesen im-
plicadas las didocaciones de borde, el deslizamiento cruzado sera mucho ms
difcil debido a que no pueden cambiar fcilmente de planos de deslizamiento,
Pero, supngase que las dislocaciones Ide tornillo se hubiesen disociado en dislo-
caciones extendidas como se muestra en la figura 4.39. Ntese que ni una otra
de las dislocaciones parciales son pura, de tornillo, Quedar claro que no hay ma-
nera de que ambas dislocaciones parciales de Shockley lleguen a ser de tornillo,
Por lo tanto, el deslizamiento cruzado requiere que las dislocaciones extendidas
se contraigan primero en dislocaciones perfectas y luego se deslicen transversal
mente sobre el nuevo plano, Anteriormente se demostr que mientras ms amplia
es la respiracin de las parciales mayor es la energa requerida para contraerlas,
Consecuentemente, se ve que el deslizamiento cruzado debera ser ms difcil
si se pudiese bajar la energa de la falla de apilamiento, ya que esto incrementa
la separacin de las parciales, re'
Para resumir:
1. El deslizamiento cruzado requiere dislocaciones de tornillo puras,
2, Las parciales deben contraerse primero en la forma no extendida para
permitir el deslizamiento cruzado.
3, Cuanto ms amplia es la extensin, ms difcil es el deslizamiento cruzado.
Las dislocaciones se clasifican a menudo de acuerdo con su movilidad como
sigue:
Deslizante: las dislocaciones que se pueden mover fcilmente por desliza-
miento.
134 Dislocaciones
Ssil: Las dislocaciones que no se mueven fcilmente por deslizamiento.
Algunas dislocaciones ssiles se pueden mover por trepado.
El movimiento de las dislocaciones parciales est restringido al plano de su
falla. El movimiento fuera de su plano de falla no ocurre, ya que requiere tanta
energa que por lo general se movern otras dislocaciones y relajarn el esfuerzo
antes de que la parcial se mueva fuera del plano de falla. En consecuencia, la
dislocacin parcial de Shockley se clasificara como una dislocacin deslizante,
puesto que su plano de falla tambin es su plano de deslizamiento.
existe otra dislocacin parcial importante en metales ccc
a
la cual es una dlslocaclon
ssil. La figura 4.400 muestra una vista de borde de los planos compactos en un
cristal ccc
a
. Imagnese que se quitan los tomos del plano C, formando as un disco
de vacancias sobre este plano, el cual luce una vista de borde como en la figura
4.4<Xz. Si el dimetro del disco de vacancias crece ms de unas cuantas distancias
atmicas, la retcula circundante no puede soportar el espacio vaco producido y
se colapsa en el rea del disco de manera similar a la figura 4.40b; as se forma
una falla de apilamiento -A-B-C-A-BM-B-C- a travs del rea del disco de vacan-
cias. Ntese que ahora aparecen dos dislocaciones de borde en el lmite exterior
del disco de la figura 4.40b. Estas dos dislocaciones de borde son realmente slo
una dislocacin llamada dislocacin parcial de Frank, la cual forma un lazo al-
rededor del lmite exterior de la regin del disco de vacancias. El vector b debe
ser perpendicular a los planos (111) y su longitud es la distancia entre los pla-
nos (111). Por inspeccin de la figura 1.l1b, se halla que esta distancia es una
tercera parte de la diagonal &1 cuerpo y as los vectores b de las parciales de
Frank son a/3 (111) y estas dislocaciones son de borde puras. Esta dislocacin
parcial se puede mover solamente cambiando el tamao de su plano extra de
tomos, o sea por trepado, puesto que su movimiento est restringido a su plano
de falla. En consecuencia, las parciales de Frank son dislocaciones ssiles.
Cuando se encuentran dos dislocaciones paralelas en un cristal se combinan
para formar una tercera dislocacin y se tiene entonces una reaccin de disloca-
cin. Las dislocaciones y las reacciones de dislocacin en los cristales cCC
a
pueden
B-------------------
B_ B
A-------------------
A_
A
-

B
e
--1",

B
disco la
vacancia 11111
B-
A
A-
(a) ...L11121 (h)
Figura 4.40 Formacin de la dislocacin parcial de Frank sobre los planos
en una red ccc
a
_
-
{lll}
Dislocaciones en metales CCC
a
13S
B..",,"'-----_..Y
B
(a)
(h)
Figura 4.41 a) Un tetraedro de referencia de Thompson. b) Dislocaciones impli-
cadas en la formacin del anclaje de Cottrell-Lomer.
ilustrarse muy bien haciendo uso de cualquiera de los tetraedros que rodean los
huecos tetradricos que se estudiaron en el captulo 1. Uno de estos se muestra
en la figura 4.41 con los cuatro pices marcados A, B, C Y D. El centro de la
cara opuesta al pice A est marcado como a, el centro de la cara opuesta a B
es {3 y as sucesivamente. Obsrvese lo siguiente:
1. AB =
2. AS
SB =
3. Aa
dislocacin unitaria = a/2[1 01].
dislocacin parcial de Shockley = a/ 6[ 112].
dislocacin parcial de Shockley = a/6[21 1].
dislocacin parcial de Frank = a/3[ 111].
Quedar claro que en el tetraedro estn representadas todas las orientaciones
posibles de los tres tipos anteriores de dislocaciones; dicho tetraedro se conoce
come el tetraedro de referencia de Thompson.
Las reacciones de dislocacin se describen fcilmente con ayuda del tetraedro
de referencia de Thompson. Por ejemplo, en la figura 4.41 se puede ver que la
suma vectorial AS ms SB daAB, la cual es la reaccin de dislocacin de la ecua-
cin 4.26. Considrese la reaccin: dislocacin unitaria, AB + parte de Shockley,
Ba -+ de Frank, Aa, la cual se escribira
[121J - [111] (4.27)
,
Esta reaccin ilustra el uso del tetraedro de referencia para describir las reac-
ciones de dislocacin. Tambin ilustra que dos dislocaciones deslizantes pueden
reaccionar para formar una dislocacih ssil. Tales reacciones son importantes
ya que representan un mecanismo para hacer que el movimiento de las disloca-
ciones se haga ms difcil, lo cual es desde luego un mecanismo de endurecimiento.
136 Dislocaciones
Un tipo de .reaccin de dislocacin algo similar, considerada primero por
Lomer, es la combinacin de dos dislocaciones unitarias paralelas de vectores
b, AB Y BD para dar AD,
(4.28)
La dislocacin AB se deslizara a lo largo del plano (111) Y la dislocacin BD
a lo largo del plano (1 TI), teniendo ambas sus lneas paralelas a la interseccin
de sus planos de deslizamiento, B-e. Por consiguiente, la dislocacin resultante
a/2 [110] sera de borde pura, ya que su vector b es perpendicular a B-e. Esta
dislocacin debe tener un plano de deslizamiento (001), y puesto que las dislo-
caciones mviles en los cristales ccc
a
deben tener planos de deslizamiento (I 1 1),
esta dislocacin es una dislocacin ssil. Por lo tanto, la reaccin de Lamer
proporciona un medio de atrancar el movimiento de las dislocaciones unitarias
mviles de los cristales cCC
a
en las intersecciones de los planos de deslizamiento.
Posteriormente, Cottrell reexamin la reaccin de Lamer y se pregunt: qu
sucedera si las dos dislocaciones AB y BD se extendiaran?, segn se muestra en
la figura 4.41b. Si estas dos dislocaciones extendidas se movieran la una hacia la
otra sobre sus planos de deslizamiento, se encontraran en la interseccin B-C, tal
como en la reaccin de Lamer. Slo en este momento las dislocaciones parciales
SB y Ba reaccionarn y formarn una nueva dislocacin parcial Sa, de acuerdo
a la ecuacin
Sa (4.29)
y se puede demostrar que esta reaccin reduce la energa de deformacin. Para
terminar, se tienen tres dislocaciones parciales como se muestra a la derecha de
la reaccin completa,

[011] [112]
(4.30)
Las tres dislocaciones parciales se llaman dislocaciones de Cottrell-Lomer. La
lnea de dislocacin Sa yace a lo largo de la interseccin BC, y las lneas de las
dos parciales de Shockley, AS y SD se separan de ella por las dos fallas de apila-
miento. La lnea de dislocacin Sa parece mantener juntas las fallas en forma
muy parecida a como una varilla sujeta una alfombra pegada a una escalera. De
aqu que la dislocacin Sa se ha denominado dislocacin de varilla de sujecin.
Esta dislocacin a/6[11 O] es una dislocacin de borde similar a la dislocacin de
Generador de Frank-Read
137
Lomer y tiene un plano de deslizamiento (001). Consecuentemente, las tres dis-
parciales tienen cada una diferentes pla:lOs de deslizamiento y as la
dIslocaclOn de Cottrell- Lomer se llama algunas veces dislocacin superssil, debido
a que no se puede mover sin disociacin. La dislocacin de Cottrell-Lomer se
conoce. a como el anclaje de Cottrell-Lomer, ya que bloquea
el mOVImIento de dIslocaciones sobre uno u otro de los dos planos de desliza-
miento {I 1I} intersecantes. Las dislocaciones de Cottrell-Lamer se han observado
en cristales ccca e ilustran un mecanismo de bloqueo del movimiento de disloca-
ciones y as produce endurecimien to por deformacin en los metales ccc
a
.
4.15 GENERADOR DE FRANK-READ
La densidad de dislocaciones en un cristal se caracteriza al dar el nmero de dis-
locaciones que pasan a travs de un rea unitaria. Los metales recocidos contienen
densidades de dislocaciones del orden de 10
7
por centmetro cuadrado y los me-
tales trabajados en fro las tienen del orden de 10
11
por centmetro cuadrado. Es
evidente que el conformado mecnico incrementa en gran medida el nmero de
en metal. Se han propuesto varios mecanismos para la multipli-
de dentro de los cristales,7 y aqu se estudiar el mejor
conOCIdo de estos, el generador de Frank-Read. Considrese la lnea de disloca-
cin A-B-C-D de la figura 4.42a. Supngase que slo la porcin de B a C yace
sobre un plano de deslizamiento, como se muestra, de modo que las porciones
A-B y C-D son ssiles. Si se aplica el esfuerzo cortante T paralelo al vector b,
la dislocacin siente una fuerza normal Tb y la porcin deslizante B-C se em-
pieza a mover sobre el plano de deslizamiento pero permanece fija en los puntos
B y e. La figura 4.42b muestra cinco posiciones sucesivas del segmento B-C
conforme se mueve bajo la accin del esfuerzo cortante T. Ntese el interesante
hecho de que en la posicin 5 la dislocacin se ha roto en dos partes, una que est
Tb
deslizamiento
t
b
(a)
(b)
Figura 4.42 El generador de Frank-Read.
138 Dislocaciones
conectada an a los puntos B y e y la otra que se ha convertido en un lazo cerra-
do circundante. El lazo cerrado crecer hasta las extremidades del cristal, como
se describi antes. La porcin conectada an a los puntos B y e regresar a la
posicin 1 y luego continuar hasta [a posicin 2 y hasta la 5 generando ms y
ms lazos conforme se repite este ciclo. Esta accin puede comprenderse notando
los siguientes puntos.
1. Independientemente de la posicin a lo largo de la lnea de dislocacin,
el vector b es el mismo siempre. Es invariante.
2. La fuerza sobre la lnea, Tb, siempre acta en ngulos rectos con la misma,
como se muestra en la posicin 5.
3. La direccin positiva de la lnea se muestra en la posicin 4; es consis-
tente con el vector b y la situacin del plano extra mostrado en la figura
4.42a. Ntese que:
a) En los puntos IV y lila dislocacin es de borde pura con el plano extra
bajo el plano de deslizamiento en IV y sobre l en II. Por lo tanto, es-
tos dos segmentos son de sentido opuesto y se alejarn uno de otro
bajo la accin del esfuerzo cortante T.
b) En los puntos 1, IlI, V Y VI la dislocacin es de tornillo pura. El tornillo
es izquierdo en I y V Y derecho en III y VI. Desde luego, puesto que
I y VI son de sentido opuesto, se movern en direcciones opuestas
acercndose la una hacia la otra, y cuando se encuentran se aniquilan
a lo largo de su interseccin haciendo que la lnea se rompa en dos
partes, como se muestra en la porcin punteada de la posicin 5.
Resulta bastante fascinante el hecho de que al mismo tiempo que la lnea
se ha curveado hasta la posicin 4, el segmento de borde en el punto JI tiene su
plano extra encima del plano de deslizamiento, mientras que la dislocacin de
borde original tiene su plano extra debajo del plano de deslizamiento. Es difcil
visualizar cmo se produce este movimiento atmico, pero se puede hallar una
buena explicacin de este punto en la referencia 10.
Anteriormente se mostr que un esfuerzo cortante T doblar una disloca-
cin hasta un radio de curv:atura R dado por
Gb
T=-
2R
(4.31)
Sea X la distancia de B a e, entonces ~ la posicin 1 el radio de curvatura es
infinito. En la posicin 2, R == 1/2 X Y en la posicin 3 el radio de curvatura
medio es mayor de 1/2 X. El radio de curvatura medio empieza en el infinito,
alcanza un valor mnimo de 1/2 X en la posicin semicircular, 2, y luego se
incrementa al ir hacia la posicin 3. Por consiguiente, la posicin semicircular
2, es una posicin crtica, ya que produce el radio de curvatura mnimo, y, por
Interpretacin del [lujo plstico 139
[o cual, requiere el esfuerzo cortante mximo. De la ecuacin 4.31 se ve que,
con el objeto de empujar la dislocacin de la posicin 1 a la 2, el esfuerzo debe
incrementarse desde O hasta eb/X, y el esfuerzo para empujarla de 2 hasta 3
ser menor de eb/x. Por lo tanto, se encuentra un esfuerzo cortante crtico,
TeR == eb/X, requerido para "operar" el generador de Frank-Read. Si T < TeR'
la lnea de dislocacin se encorvar hasta una posicin intermedia entre las
posiciones 1 y 2. Si T > TeR' la .dislocacin pasa a travs de la posicin 2 y
despus puede proseguir a todas las posiciones sucesivas produciendo de esa
manera lazos.
Hay disponibles bellas fotografas de microscopio electrnico de generadores
de Frank-Read operantes en semiconductores y sales (figura 8 referencia 7). Sin
embargo, slo en muy raras ocasiones se han observado estos generadores en los
metales. Parece que en los metales la mayora de las dislocaciones se generan en
los lmites de grano.
4.16 INTERPRETACION DEL FLUJO PLASTICO iN TERMINOS
DEL MOVIMIENTO DE DISLOCACIONES.
En el captulo 3 se examin el flujo plstico de monocristales desde un punto
de vista macroscpico. Ahora se reexaminar la curva esfuerzo-deformacin del
espcimen D mostrado en la figura 3.8b Y se ver cmo es controlado este com-
portamiento por e[ movimiento de dislocaciones.
Estado 1. Conforme se incrementa el esfuerzo, el esfuerzo cortante crtico resuelto
se obtiene sobre el sistema de deslizamiento activo. En este punto, el esfuerzo cor-
tante que acta sobre las dislocaciones del sistema de deslizamiento activo puede
vencer la fuerza de Peierls-Nabarro y cualquier fuerza adicional que sostenga las
dislocaciones, de modo que stas se empiezan a mover, provocando deslizamiento.
Una cantidad suficiente de dislocaciones nuevas es generada por mecanismos
fuente tales como el generador de Frank-Read para producir [a deformacin
relativamente grande del estado 1. Esta generacin y movimiento de dislocaciones
durante el estado 1 ocurre con muy poco impedimento y por eso el esfuerzo no
se eleva mucho.
Estado n. Se ha VIsto que el estado JI empieza cuando el cristal ha girado lo sufi-
ciente como para producir deslizamiento sobre un sistema in terse can te. Esto
significa que las dislocaciones sobre los sistemas de deslizamiento intersecantes
se empezarn a intersecar una con otra a medida que se mueven. Esta interaccin
hace que muchas de las dislocaciones se anclen, por lo cual el metal empieza a
endurecerse debido a que se vuelve ms difcil e[ movimiento de las dislocaciones.
Una dislocacin anclada evita que otras dislocaciones del mismo sentido se mue-
van pasndola sobre el mismo plano de deslizamiento, ya que el campo de
esfuerzos de la dislocacin anclada produce una fuerza repulsiva sobre las dis[o-
140 Dislocaciones
dislocacin frontal
JI
1

origen
(a) (I>!
Figura 4.43 a) Apilamiento de dislocaciones tras una dislocacin anclada. b) Mo-
vimiento continuo de una dislocacin por deslizamiento cruzado doble.
caciones que se acercan, segn puede calcularse a partir de la ecuacin de Peach-
Koehler. Esta fuerza repulsiva de la dislocacin anclada har que la fuente que
produjo la dislocacin anclada quede sin operar, segn se muestra esquemtica-
mente en la figura 4.43a. Los mecanismos de anclaje posibles pueden ser tales
como:
1. Formacin de anclajes de Cottrell-Lomer en los planos de deslizamiento
intersecantes.
2. Formacin de dobleces fuera del plano en las dislocaciones que se mueven,
lo cual reduce la movilidad de la dislocacin (ver el problema 4.1).
3. Formacin de maraas de dislocaciones.
Estado 111 Finalmente, el esfuerzo se vuelve suficientemente alto para hacer que
se muevan las dislocaciones ancladas, y la velocidad de endurecimiento por tra-
bajo cae un poco al empezar el estado IlI. Parece que el mecanismo de desliza-
miento cruzado es el principal causante del movimiento de las dislocaciones
ancladas. En la figura 4.43b se ilustra el proceso de deslizamiento cruzado do-
ble. Aqu, las dislocaciones son capaces de seguir movindose sobre el mismo
sistema de deslizamiento simplemente trasladndose por deslizamiento cruzado
a un plano de deslizamiento paralelo. Se puede hallar informacin ms detallada
de estos conceptos en las referencias 13 y 14.
Quiz 10 anterior ilustre cmo son controladas la resistencia y la plasticidad
de los metales por la movilidad de las dislocaciones. En aleaciones policristalinas
la situacin es considerablemente ms compleja debido a la presencia de tantos
granos de orientaciones diferentes y al requisito de coherencia en los lmites de
grano; sin embargo, se aplican los mismos principios. Se puede hallar una expli-
cacin de los metales policristalinos en las referencias 13 y 14. En la pgina 72
se hizo notar que hay cuatro mecanismos primarios de flujo plstico en los ma-
teriales. El movimiento de dislocaciones juega un papel importante, aunque no
bien definido, en los otros tres mecanismos aparte del de deslizamiento. Por lo
tanto, cualquier mecanismo de reforzamiento que pueda esperarse que se desa-
rrolle estar relacionado en algn nivel con una interaccin de dislocaciones, y
esta interaccin controla el movimiento de dislocaciones. En consecuencia, lo que
aqu interesa es comprender la naturaleza de las dislocaciones y su movimiento,
aun cuando en la mayora de los sistemas prcticos los arreglos e interacciones de
dislocaciones son demasiado complejos como para describirse cuantitativamente.
Referencias
141
En el presente captulo se ha remarcado la importancia de las dislocaciones
para el de propiedades mecnicas de los metales. Sin embargo, se har
notar que la de las dislocaciones sobre las propiedades electromagnticas
de los metal.es y semIconductores tambin puede ser muy importante. Por ejem-
plo, los alambres superconductores duros disponibles en el mercado
hacen uso altas densidades de dislocacin para anclaje de flujo, y el control
d.e las de dislocacin puedelser decisivo en la fabricacin de disposi-
tIvos semIconductores.
REFERENCIAS
1. G. 1. Taylor, Proc. Roy. Soco 14SA, 362 (1934).
2. E. Orowon, Z. Phys. 89 605,614,634 (1934).
3. M. Polanyi, Z. Phys, 89 660 (1934).
4. E. D!slocations in Metals, M. Cohen, Ed., American Institute Me-
tallurglcal Engmeers, Nueva York, N.Y., 1954.
5. A. H. Cottrell, Dislocations and Plastic Flow in Crystals Oxford U' P
Oxford, 1952. ' mv. f.,
6. J. Weertman y 1. R. Weertman, Elementary Dislocation Theory Macmill
Nueva York, 1964. ' an,
7. D. Hull, Introduction to Dislocations, Pergamon Nueva York 1965
8. 1. M. Proc. Kon. Ned. Akad. Wet. 42,293,378 (I939). .
9. R. de Wlt, Theory of Dislocations: An Elementary Introductions NBS
Monograph 59, pgs. 13-34, U.S. Dept. of Commerce, 1963. '
;0. W.T. Read,. Ir., Dislocations McGraw-Hill, Nueva York, 1953.
1. R. A. Swalin, Thermodynamzcs of Solzds. Wiley Nueva York 1962 C 't
10 12. " . apl u-
12. LoR. D. Heidenreich y W. Shock ley , Bristol Conference Physical Society
ndres, 1948. "
:. R. E. Smallman, Modern Physical Me ta llurgy , Butterworth, Londres, 1962.
. R. W. K. Honeycombe, The Plastic Deformaton of Metals St Martins P
Nueva York, 1968. ,. ress,
PROBLEMAS
4.1
Ahora se muestran dos dislocaciones puras de tornillo, una de las cuales contiene
un doblez dentro del plano y otra un doblez fuera del plano. Tmese la direccin
142
Dislocaczones
de las lineas como se muestra por las Hechas. Ambos segmentos de dobleces den-
tro y fuera del plano son dislocaciones puras de borde.
a) Dibjese de nuevo la dislocacin doblada dentro del plano y mustrese
en el dibujo la situacin del plano extra de tomos para ambos segmentos
doblados dentro del plano. Asegrese de dar el sentido correcto a am-
bos segmentos.
b) Rep tase a) para la dislocacin doblada fuera del plano.
e) Supngase que el plano de deslizamiento mostrado arriba fuese un pla,no
(111) en un cristal ccc
a
. Cul de los dos pares de segmentos podnan
eliminarse ms fcilmente movindose por deslizamiento ellos mismos?
Explquese. .
d) Explquese cmo podra producir vacancias el movimiento de desliza-
miento de las dislocaciones de tornillo que contienen dobleces fuera del
plano.
4.2 Un cristal metlico est compuesto de tomos A Y B distribuidos al azar en
una red ccc . Con tratamiento trmico apropiado, los tomos se acomodan a s
mismos en arreglo en la retcula, estando los tomos A en la posicin O, O, O,
y los tomos B en 1/2, 1/2, 1/2. Las dislocaciones se movern en las direcciones
<I 11) de los planos {11 O}.
o) Constryase un esquema de los planos de la que sean perpendicu-
lares al plano (101) y contengan la direccin [111]. Represntense los
tomos A del esquema con puntos y los tomos B con crculos pequeos.
b) Haga un esquema del plano anterior para el cristal que contiene una dis-
locacin de borde pura deslizndose sobre el plano (101) en la direc-
cin [111].
c) El movimiento de esta dislocacin por deslizamiento crea una interrup-
cin del orden perfecto de la retcula. En un esquema de los planos de la
parte a), mustrese el rea interrumpida que se produjo de esa forma.
Estas reas se llaman lmites de antifase (LDA).
d) Se ha observado que en estas aleaciones ordenadas las dislocaciones se
mueven en pares, o sea, dos dislocaciones estrechamente paralelas. Por
qu esta configuracin de pares resulta estable?
4.3 Supngase que una dislocacin de borde tiene un vector de Burgers en la
direccin [010] y se desliza en el plano (00).
o) . se doblar esta dislocacin dentro o fuera del plano si la cruza otra dis-
de borde con vector b en la direccin [O 1 O] y movindose en el
plano (001)? ." .
b) Se doblar dentro y fuera del plano si la cruza una dlslocaclOn de tornillo
con vector b es la direccin [100] que se desliza en el plano (001)?
4.4 El LiF forma un cristal inico de estructura como la del NaCI. Los ?tomos
de Li estn en las esquinas y en los centros de las caras de la celda umtaria. y
los' tomos de F estn en la mitad de cada borde de la celda unitaria y uno de
Problemas 143
ellos en la posicin central del cuerpo. Por lo tanto, hay ocho tomos por celda
unitaria.
Se sabe que los planos de deslizamiento del LiF son los planos {II O}. Hllese
el vector de Burgers de la dislocacin que sera la causante de este deslizamiento.
Recurdese que ste es un cristal inico y habr una fuerte repulsin entre to-
mos del mismo tipo. Explquese completamente el razonamiento.
4.5 Si una dislocacin total en una red cCC
a
tiene un vector de Burgers [110]a/2
y yace en un plano {111}, indquense los vectores b de todos los pares de dislo-
caciones parciales de Shockley en las cuales se puede disociar.
4.6 o) La 01]0/2 ha disociado en dos dislocaciones parciales de
Shockley, [112]0/6 y [211]a/6. Utilizando la relacin de Peach-Koehler
y las ecuaciones para el estado de esfuerzos alrededor de dislocaciones
calclese la fuerza que acta en el plano de deslizamiento entre las
dislocaciones parciales para los siguientes casos.
- Gb
2
[2 -3V]
1. [101 ]a/2 es de tornillo pura; respuesta, -- ---
87Ty 1 - v
2. [101]0/2 es de borde pura; respuesta, Gb
2
[2 + v J
81TY I - v
donde b es la longitud de las dislocaciones parciales y y es su distancia de
separacin. El esfuerzo alrededor de una dislocacin est dado por la
suma de los esfuerzos debido a los componentes de borde y al compo-
nente de tornillo.
b) Si la energa de la falla de apilamiento es de 10 ergs/cm
2
, el mdulo en
corte, 7 X 10
11
dinas/cm
2
, el parmetro de la retcula 3.0 A y la razn
de Poisson 1/3, determnese el espaciamiento de equilibrio entre las dislo-
caciones parciales para las dos orientaciones anteriores.
e) Calclese la energa por unidad,de longitud de la lnea de dislocacin que
se requiere para colapsar las dos dislocaciones anteriores desde su espacia-
miento de equilibrio hasta un espaciamiento de 1 A.
4.7 En cules dislocaciones parciales se esperara que se disociase la dislocacin
total de vector de Burgers [1120]a/3? La respuesta deber darse en notacin
vectorial; supngase que el deslizamiento ocurre en el plano basal.
La dislocacin de vector de Burgers [101 ]0/2 se mueve a lo largo del plano
(11) de un cristal ccc
a
e interacta sobre el plano (11 n con una dislocacin
paralela de vector de Burgers [110]0/2. La interaccin forma una dislocacin de
Cottrell-Lomer. Determnense las tres dislocaciones parciales que constituyen la
dislocacin de Cottrell-Lomer. Cul de estas tres dislocaciones es la dislocacin
de varilla de sujecin? Nota: puede ser til hacer uso del tetraedro de referencia de
Thompson para este problema.
4.9 dislocacin unitaria en la direccin [101] de un metal ccc puede
combinarse con una dislocacin parcial de Shockley en la direccin [121] para
formar una dislocacin parcial de Frank.
o) cul es el vector de Burgers de la parcial de Frank resultante?
b) porqu se le llama ssil a t::sta dislocacin?
e) Determnese si la reaccin es enrgicamente favorable o no.
144
o

Q)

(/)
w
Dislocaciones
Deformacin
4.10 Aqu se muestra un diagrama esfuerzo-deformacin para un metal policris-
talino.
a) Supngase que la densidad de dislocaciones del metal no deformado fuese
de 10
7
dislocaciones por cm
2
. Hgase una estimulacin cualitativa de
la densidad de dislocaciones en el nivel de esfuerzo de la ley de Hooke,
A, en el del esfuerzo de cedencia, B, y en el de los dos esfuerzos de flu-
jo, Cy D.
b) De acuerdo con la teora de las dislocaciones, qu sucede en el metal
conforme el esfuerzo so brepasa el punto de cedencia B?
e) El metal se vuelve ms fuerte conforme el esfuerzo pasa del punto B al
C y al D. Este fenmeno se llama endurecimiento por trabajo. Cmo
explica este incremento en la resistencia la teora de las dislocaciones?
d) Las aleaciones de aluminio se refuerzan por la preCipitacin de una se-
gunda fase. Cmo se explica esta fuente de resistencia en trminos de
la teora de dislocaciones?
e) Se pueden explicar todos los mecanismos de reforzamiento en trminos
de dislocaciones? Esto es, existen mecanismos de flujo plstico que no
impliquen dislocaciones?
f) Es posible determinar el esfuerzo cortante crtico resuelto a partir del
diagrama esfuerzo-deformacin anterior para un metal policristalino? Si
es as, explquese cmo; si no lo es, explquese por qu no.
4.11 Supngase que el sistema de deslizamiento activo en un cristal ccc
a
es
[TlO] (I11).
a) Encuntrese el vector de Burgers para la dislocacin unitaria que causa el
deslizamiento y explquese cmo se sabe esto.
b) Encuntrese la direccin de la lnea de dislocacin cuando el deslizamiento
ocurre por el movimiento de las dislocaciones puras de borde unitarias.
e) Encuntrese la direccin de la lnea de dislocacin si el deslizamiento
ocurre por el movimiento de dislocaciones de tornillo puras.
t'roblemas
145
4.12
d) Encuntrese la direccin en la cual se movera la lnea de dislocacin
durante el deslizamiento indicado en los incisos b) Y e) anteriores
e) Supngase_ que un esfuerzo de 100 lb/pulg
2
, acta el
plano (I 11 ) en la direccin [11 O]. Calclese la direccin y la magnitud
de la fuerza por unidad de longitud que ejerce el esfuerzo cortante sobre
1) u?a pura de borde unitaria y 2) una dislocacin pura de
tornillo urutana. Tomese el parmetro de la retcula. a, como 2 A.
b
A. t e B
-X ?I
b
Ce t eD
-X ?I
se dos dislocaciones de borde ancladas, A-B y C-D, ambas con
la mlsma longItud, X, con el mismo sentido y con el mismo vector de Burgers.
Cada segmento de dislocacin actuar como un generador de Frank-Read.
a) Mustrense las dislocaciones en posiciones sucesivas e indquese lo que
sucede cuando las dislocaciones interactan unas con otras.
b) en los diagramas si las interacciones de los lazos en expansin
haran que se ancle el movimiento de las dislocaciones, o si formarn una
gran fuente de Frank-Read.
e) Si se produce una gran fuente, cul es el esfuerzo cortante crtico que
la opera? Tmese la distancia de A a D como Sx.
d) Contstese la parte b) para el caso en que la dislocacin de borde A-B
tiene sentido opuesto al de la dislocacin de borde C-D.
CAPTULO 5
Vacancias
En el estudio de la metalurgia fsica, interesa saber muy a menudo, si ocurrir o
no cierto proceso fsico. En el captulo anterior se quera saber si una dislocacin
con dos planos extra de tomos se separara en dos dislocaciones parciales, cada
una con un plano extra. En este captulo se desea saber si un metal que contiene
un gran nmero de vacancias reticulares desvanecer estas vacancias hasta llegar a
ser una red atnca lo ms aproximadamente perfecta. Para contestar estas pre-
guntas apropiadamente se utilizaron algunos principios de la termodinmica.
Supngase que se est considerando un proceso fsico como alguno de los ante-
riores, y se desea saber si se llevar a cabo espontneamente. La segunda ley de la
termodinnca dice que el cambio de entropa para cualquier proceso espontneo
ms el cambio de entropa en el medio afectados por el proceso debe ser positivo.
Por lo tanto, el proceso ocurrir espontneamente si LlSproceso +LlS
medio
> O. Es-
te criterio no es adecuado, por lo que en vez de l se utiliza la funcin de energa
libre para deternnar si un proceso se realiza espontneamente. La energa libre
de Gibbs se defme como G = E + PV - TS. Combinando la definicin de entropa
con la primera ley de la termodinmica, se obtiene dG = V dP - S dT. Puede
demostrarse a partir de esta relacin y de la segunda ley que:
Para cualquier proceso espontneo en el cual los productos y los reactivos
estn a temperatura y presin constantes y en el cual no se hace otro trabajo ms
que el que se realiza contra la presin, disminuye la energa libre de Gibbs, LlG < O.
(Vase por ejemplo la referencia. 1, Pg. 187 o la 2, Pg. 80). Por lo tanto, la ter-
modinnca dice que si LlG > O para un proceso dado, ste no se verificar; y si
147
148 Vacancias
< O el proceso debe llevarse a cabo espontneamente. Es importante perca-
tarse de que el hecho de que para algunos procesos < O no garantiza que el
proceso ocurrir espontneamente. Por ejemplo, cuando un metal es templado a
una temperatura muy baja la movilidad de los tomos se hace muy pequea, de
modo que aun cuando < O para algn movimiento atmico preferente, el
movimiento se produce tan lentamente que el fenmeno puede no tener lugllf en
nuestro tiempo de vida. Debe hacerse notar que la termodinmica proporciona
otras funciones para utilizarse como criterios de estabilidad. Por ejemplo, la ener-
ga libre de Helmholtz, A = E - TS, para procesos espontneos a temperatura y
volumen constantes, es negativa. La energa libre de Gibbs es generalmente ms
conveniente, ya que muchos procesos ocurren iso trmicamente a presin atmsfe-
rica (T y P constantes).
La espontaneidad de un proceso depende de la funcin = - P V -
T para dicho proceso, En la mayora de los procesos que implican sJidos y
lquidos a presin atmosfrica el trmino P Ves muy pequeo, de modo que se
tiene:
(5.1)
Supngase que se estuviese considerando algn proceso que provoc una gran
disminucin de energa. Intuitivamente se podra sospechar que tal proceso
ocurrira espontneamente puesto que con ello el sistema apreciable-
mente su energa, tal como una pelota que rueda colina abajo o una onda que se
amortigua en un lago. Sin embargo. la ecuacin 5.1 establece que se debe consi
derar el trmino de entropa T Si la gran reduccin en energa se acompaa por
una correspondiente disminucin en entropa, entonces el proceso quiz no se
produzca .espontneamente. .
En estudios de mecnica estadstica se demuestra que la entropa puede ex-
presarse como:
S=k lnn (5.2)
donde k es la constante de Boltzman y ri es el nmero de microestadbs por> ma-
croestado. El macroestado es simplemente el estado observable del' sistema. El
de microestados puede significar diferentes cosas. Considrense dos
ejemplos: a) el nmero de microestados puede significar el nmero de formas en
que se pueden llenar los estados cunticos de los niveles de energa en un metal, b)
tambin, puede significar el nmero de formas en que se pueden distribuir los
tomos de carbono en los sitios intersticiales del acero. El primer ejemplo est re-
lacionado con una distribucin de energas y el segundo implica tina distribucin
geomtrica. 'La entropa se separa frecuentemente en dos partes relacionadas
estos dos tipos de distribuciones, y se les llama entropa vibracional y entropa
configuracional, respectivamente. Si el "nmero de formas" en que se puede sa-
tisfacer la distribucin es grande, se dice que el sistema tiene una gran aleatoriedad,
y si es pequeo, el sistema tiene un gran orden (ausencia de aleatoriedad).
Formacin de vacancias
149
Por lo tanto, se llega a las siguientes conclusiones: 1) el trmino entro-
pa favorece un. proceso si es positivo. (Esto contrasta con el cambio de energa,
el cual es negatlvo para un proceso favoreCido). 2) Los procesos que introducen
orden disminuirn la aleatoriedad y de ah que tendrn un cambio de entropa
negativo (desfavorable). En consecuencia, si un proceso introduce orden, el
cambio de entropa acta para evitar el proceso. 3) Si el para un proceso es
negativo, el proceso siempre tendr un negativo si se destruye el orden. Sin
embargo, si el proceso introduce orden, el puede ser positivo a pesar de la re-
duccin de energa, debido al trmino entrpico. Hay muchos procesos en los
cuales el trmino entrpico, T es relativamente pequeo y puede despreciarse,
tal como la reaccin de dislocacin mencionada antes. Sin embargo, debe hacerse
primero una estimacin de la magnitud de con el objeto de conocer esto. En
este captulo se considera un proceso, la formacin de vacancias, en el cual es
muy importante el trmino de la entropa.
5.1 FORMACION DE VACANCIAS
En un cristal perfecto, todos los sitios reticulares estn ocupados por tomos, as
que no hay vacancias presentes. Si ahora s(, tiene cierto nmero de vacancias en
la red al quitar tomos, estas vacancias permanecern en la red como un defecto
estable, o emigrarn espontneamente hacia la superficie restaurando la perfeccin
de la red? El problema se analiza considerando el efecto de las vacancias sobre la
energa libre de Gibbs de la red. Dada una red de N sitios reticulares, cmo cam-
bia la energa libre de Gibbs en funcin del nmero de vacancias, n, introducidas en
ella? Si la introduccin de n vacancias hace disminuir G, entonces. las vacancias
sern tennodinmicamente estables y viceversa.
Sea = G - G (perfecta) el cambio de energa libre debida a la introducin
de n vacancias: donde G (perfecta) es la energa libre de la red perfecta. Se escribe:
= G - G (perfecta) "'" - T
(5.3)
Ahora,
Ev = energa por vacancia
Sv = entropa vibracional por vacancia
Se = entropa configuracional del cristal completo
Por lo tanto, se tiene
LlG = n tlEv - T(n tlS
v
+ tlSc)
(5.4)
150 Vacancias
Se considerar cada trmino de la ecuacin 5.4 empezando con la entropa
configuacional. ,Sc' EI'proceso que se describe es la introduccin de n vacancias
en una red de N sitios. Para este proceso hay una entropa configuracional, puesto
que hay muchas formas geomtricas diferentes en las cuales se pueden arreglar
las vacancias en la red. El valor de ,Sc se determina a partir de la ec, 5.2 de
donde se tiene
Macroestado: Un cristal con n vacancias
Microestado: Un arreglo particular de n vacancias en los N sitios reticulares.
De lo n es simplemente el nmero de formas diferentes y distinguibles
en que las n vacancias se pueden acomodar en los N sitios reticulares.
El clculo de n es simplemente un problema de permutaciones y combina-
ciones. Para determinar n se considera un problema anlogo: Dados 100 sitios
reticulares y los tres tomos Fe, Ca, y Ni, en cuntasformas diferentesy diferen-
ciales entre s se pueden colocar estos tres tomos sobre los puntos de la red?
Supngase que se colocan en la secuencia: primero el tomo de Fe, luego el de
Ni y al final el de Co. Hay 100 sitios diferentes sobre los cuales se puede colocar
el tomo de Fe. Para cada una de estas 100 alternativas el tomo de Nise puede
colocar en cualquiera de los 99 sitios restantes, y para cada una de stas 99 al-
ternativas se pueden colocar los tomos de Ca en cualquiera de 98 sitios. Por
lo tanto, se tiene:
El tomo de Fe puede estar en cualquiera de 100 lugares.
Para cada uno de estos el tomo de Ni puede estar en 99 lugares.
Para cada uno de estos el tomo de Co puede estar en alguno de 98 lugares;
De modo que la respuesta a la pregunta es simplemente:
lOO! lOO!
1009998= 97! = (100-3)! 970200
Cul es la respuesta a la pregunta anterior si los tres tomos son de Fe? Con-
sidrense dos de los 970,200 arreglos para el caso de los tres .tomos diferentes:
Fe Ni Co
-+ 100
Ni Fe Co
-+ 100
Donde los tres tomos se acomodan en el mismo conjunto de tres posiciones
segn se indica. Ntese que si los tres tomos fuesen de hierro no se P?dra dis-
tinguir entre los dos arreglos. Ahora bien, para cada uno de estos conjuntos. de
tres sitios, tal como el mostrado, en cuntas formas diferentes, que sean dlfe-
Formacin de vacancias
151
renciables entre s, se pueden acomodar los tomos de Fe, Ni y Co? La respuesta
es 3! porque
Los tomos de Fe pueden ir a 3 lugares:
Para cada uno de estos los tomos de Ni pueden ir a 2 lugares.
Para cada uno de esto los tomos de Ca pueden ir a 1 lugar.
I
Por lo tanto, para cada conjunto de 3 sitios hay 3! permutaciones de los tres
tomos. Si los tres tomos son iguales, stas 3! permutaciones no sern diferen-
ciables. Por consiguiente, hay que dividir entre 3! puesto que ste nmero es dema-
siado grande para cada conjunto de tres lugares. Por lo tanto, para el caso en el
que los tres tomos sean de Fe (indiferenciables) la respuesta es
lOO! lOO! - 6 O *
97! 3! = (100-3)! 3! -1 1 7 O
Las vacancias son indistinguibles una de otra, de modo que el clculo de n
es anlogo al ltimo de los ejemplos anteriores. Por analoga, se tiene:
N!
(N-n)! n!
donde N es el nmero total de sitios reticulares y n es el nmero de vacancias. En-
tonces, para la entropa configuracional se tiene:
,Sc == Sen vacancias) - seo vacancias)
= k In On - k In 0
0
N!
1Sc =kln(N_ )1 1
n . n.
(5.5)
y ya que los valores de N y n son bastante grandes, se puede aplicar una relacin
matemtica conocida como la de Stirling,
In X! == X In X - X para un valor grande de X
Despus de algunas op.eraciones algebraicas se obtiene:
1Sc =-k Nln--+nln--
[
N-n n ]
N N-n
(5.6)
* O Tambin: Las 970200 permutaciones consideran cada conjunto de sitios 3! veces.
Si X es el nmero total de conjuntos de 3 sitios, entonces se debe tener X 3! = 970,200 =
100!/97!
152 Vacancias
Ntese lo siguiente:
N-n No. de tomos en la red
<1 ---=
N
No. de sitios resticulares
n No. de vacancias en la red
---= <1
N-n No. de tomos en la red
As, de la ecuacin 5.6, S
c
debe ser positivo, lo cual significa que el cambio de
entropa configuracional para el proceso de introducir vacancias en una red pero
fecta es positivo, es decir se favorece el proceso.
Adems de la entropa configuracional se debe considerar la entropa vibra-
cional, la cual se relaciona con las formas en las cuales se ocupan los niveles de
energa en el slido. Este es un problema mucho ms difcil y se establecer sim-
plemente que a partir de un estudio de mecnica estadstica que parta bsicamen-
te de la ecuacin 5.2 se puede demostrar que una forma aproximada de la entro-
pa vibracional por tomo est dada por:
S
y
=3k In ~ ) (5.7)
donde v 1 es la frecuencia final de los tomos que rodean la vacancia y v es su freo
cuencia original. La vacancia tiende a aumentar la amplitud de la vibracin y a
disminuir v, de modo que v/v '> 1 Y S
v
es positivo. Por lo tanto, el cambio de
antropa total asociado con la introduccin de vacancias, S
c
+ n S
v
' debe ser
positivo.
Se puede visualizar una nueva vacancia como el resultado de la eliminacin
de un tomo de una superficie o de una intercara, como un lmite de grano. Este
proceso requirir energa, de modo que flEv debe ser positivo. Ahora es posible
evaluar cada trmino en la ecuacin 5.4. La figura 5.1 es una grfica de los tr-
minos de la ecuacin 5.4 como una funcin del nmero de vacancias, n. Puede
verse que el trmino de la energa eleva la energa libre, pero la energa libre total
baja realmente al principio debido al incremento de entropa que resulta de la
formacin de vacancias. La funcin de energa libre tiene un mnimo. En este
mnimo se obtiene la mxima disminucin de energa libre, de modo que este
punto representa la condicin de equilibrio, y el valor de n en este mnimo es el
nmero de vacancias de equilibrio, neo Para determinar ne la derivada de la fun-
cin de energa libre se hace igual a cero
(5.8)
Formacin de vacancias
153
11 ---7-
FIGURA 5.1 Una grfica de los trminos del cam bios de energa libre por forma-
cin de vacancias c,omo una funcin del nmero de vacancias formadas.
La derivada de S
c
se calcula a partir de la ecuacin 5.6 Y se encuentra que
n, = exp (_ E
y
+ S y )
N kT k
(5.9)
Con objeto de determinar el o'rden de magnitud de ne se deben obtener va.
lores de Ey y Sy. Dichos valores pueden obtenerse de dos tipos de experimen-
tos, los cuales se describen en detalle en la referencia 3 Los valores de E van
desde 20 hasta 30 kcalfmol (80 a 160 kj/mol) y lo de Syl k van desde 1.0 hasta
2.0. Tomando el Cu como ejemplo especfico (Sv!k = 1.5, Ey = 113 kJ/mol)
se determina nelN a partir de la ecuacin 5.9 Y se aproxima el nmero de tomos
por unidad de volumen a partir de la densidad 5 X 10
22
sitios/cm
3
. Entonces, se
halla que el nmero de vacancias por centmetro cbico es:
Temperatura
1000C
22C
Vacancias/cm'
5 X 10
18
2 X 10
3
Este resultado ilustra dos cosas interesantes. 1) Un metal perfecto no es termo-
dinmicamente estable. Cuando se aaden vacancias disminuye la energa libre;
el nmero de vacancias al equilibrio es bastante grande, aunque an es una pe-
quea fraccin del nmero total de sitios reticulares. 2) El nmero de vacancias
es una funcin de la temperatura. Este hecho, como se ver despus, es un factor
primordial en el xito de muchas operaciones de tratamiento trmico.
154 Vacancias
En general, un metal puro contendr numerosos defectos en su estructura
cristalina; estos defectos se enlistan sistemticamente como sigue:
1. Un tomo extrao colocado en forma substitucional
2. Un tomo extrao colocado en forma intersticial
3. Atomos del metal base colocados en forma intersticial
4. Vacancias
5. Maclas o fallas de apilamiento
6. Lmites de grano
7. Dislocaciones
8. Huecos
9. Inclusiones
Se ha vuelto una costumbre clasificar estos defectos como defectos puntuales, li-
neales y planares. Los primeros cuatro son defectos puntuales, la dislocacin es
el nico defecto lineal y los defectos 5 y 6 son defectos planares. Los defectos
8 y 9 son tan grandes en relacin con la red que quiz se podran llamar defectos
de volumen.
Para cada uno de estos defectos se puede efectuar un anlisis similar al an-
terior para determinar si son termodinmicamente estables. Para los defectos
puntuales se obtiene una ecuacin similar a la 5.9 demostrndose que todos los
defectos puntuales tienen una de equilibrio cuya magnitud se de-
termina principalmente por el E de formacin del defecto. De aqu se tiene el
interesante resultado de que un metal puro es en realidad termodinmicamente
inestable con respecto a los tomos de impureza.
Se considerar brevemente el defecto 3. Un tomo de Cu intersticial en Cu
puro sera un ejemplo de este tipo de defecto. Intuitivamente, no se esperan mu-
chos defectos de este tipo, ya que un tomo de Cu intersticial en su propia red
sera un defecto relativamente grande y, por lo mismo, producira una deformacin
severa en la red circundante. Los clculos aproximados de mecnica cuntica dan
E (intersticial) = 7 E (vacancia) en Cu. Entonces, a partir de la ecuacin 5.9
l 1 l f
" d' t" 10-35400/T
para los dos defectos, se ca cu a que a racclOn e mters ICIOS es veces
la fraccin de vacancias. As, a 1000
0
C se tendra slo un intersticial por cada
10
10
gramos de Cu. Desde luego. tales defectos generalmente no son importantes.
Si se lleva a cabo este mismo clculo para dislocaciones se halla tambin
4
que no se esperara que ocurriesen dislocaciones en los cristales. Como se men-
cion previamente, es muy dificil producir un metal con menos de 10
4
dislocacio-
nes por cm
2
Por lo anterior:" aun cuando la energa libre de un metal podra
disminuir al quitar todas las dislocaciones, no puede hacerse. Aparentemente, se
debe a que un esfuezo. aun extremadamente pequefio, genera dislocaciones en
los metales y no se ha encontrado ninguna forma para cristalizar los o recocerlos
sin introducir en ellos una cantidad importante de dislocaciones. Sin embargo,
ha sido posible obtener materiales semiconductores, como Ge y Si, desprovistos
esencialmente de dislocaciones.
Problemas
155
REFERENCIAS
1. L.S. Darkend y R. W. Gurry, Physical Chemistry of Meta/s, McGraw-Hill,
Nueva York, 1953. .
2. 1. Mackowiak, Physical Chemistry for Metallurgists, Allen and Unwin Ltd.,
Londres, 1965.
3. P. G. Shewmon, Diffusion in Solids, McGraw-Hill, Nueva York, 1963.
4. A. H. Cottrell, Dislocations and Plastic Flow in Crystals, Oxford Univ, Pr.,
Oxford, 1953.
PROBLEMAS
5.1 En un problema previo se consider una aleacin ccc
u
cuerpo en la cual todos
los tomos A estaban en las esquinas y todos los tomos B en los centros de los
cubos. Cuando los tomos se ordenan, en muchas aleaciones binarias disminuye
la energa del sistema, de modo que AEorden es negativo. Sin embargo, las alea-
ciones nunca tinen ordenamiento, excepto a bajas temperaturas, Si el E para el
ordenamiento es negativo, Por qu el metal no se ordena a todas las tempera-
turas? Explquese la respuesta con detalle.
5.2 Tmese la energa necesaria para formar un mol de vacancias en Cu como
20 000 caloras, y la entropa vibracional como 1.0 k, donde k es la constante de
Boltzman. Calclese el nmero de vacancias por centmetro cbico de Cu a 20 C
ya su temperatura Oe fUSIn. Supngase la densioad del Cu como 8.94 g/cm
3
.
5.3 Supngase que se est efectuando un proceso de tratamiento trmico a una
pieza de acero recocindola a 850C y, luego, templndola hasta la temperatura
ambiente. Si la energa por mol de vacancias en el hierro es de 25 000 caloras
calclese cuntas veces se incrementara el nmero de vanciacias despus de
lentar desde 20C hasta 850C.
Explquese en un par de frases qu ocurrira con estas vacancias "extra" des-
pus de templar hasta la temperatura ambiente.
CAPTULO 6
Difusin
Considrese el sencillo experimento de la figura 6.1. Un tubo vertical de vidrio
contiene una columna de agua limpia sobre otra de agua con tinta separadas una
de otra por un diafragma delgado. En el tiempo cero se quita el diafragma muy
suavemente, de manera que el agua permanezca sin mezclarse. Ahora bien, qu
le sucede a la tinta conforme transcurre el tiempo? Se observa que el color obs
curo de la tinta sube lentamente de nlodo que, despus de 5 horas, la columna
podra verse como en la figura 6.1. De alguna manera, las molculas que propor-
cionan el color obscuro de la tinta han emigrado hacia arriba. El agua ha perma-
necido sin movimiento de manera que esta migracin debe haberse llevado a cabo
por una migracin seleccionada real de las molculas de tinta; el efecto se debe a
un movimiento molecular. Esta es una forma de transporte de masa y se le llama
difusin. El transporte de masa en gases y lquidos se origina generalmente de-
bido a una combinacin de conveccin (movilizacin de fluido) y difusin. En
los slidos no se produce la conveccin, por 10 cual, la difusin es generalmente
el nico mecanismo disponible de transporte de masa; desde luego, es un meca-
nismo importante para el control de muchos procesos fsicos de inters.
Es posible estudiar la difusin desde dos enfoques generales.
1. Enfoque fenomenolgico. Cmo se puede describir la velocidad y, por
consiguiente, el transporte de masa, en trminos de parmetros que se
puedan medir? Este enfoque es importante para el control de procesos
como la carburizacin, nitru'racin, revenido, homogeneizacin de co-
lados y otros similares.
2. Modelo atomstico: cul es el mecanismo atmico debido al cual se
mueven los tomos? Este enfoque es importante para comprender cmo
intervienen los mecanismos de difusin en procesos como el endurec-
157
158
agua
limpia
agua
con tinta
t:'===+- diafragma
Tiempo = O Tiempo = 5 hr
Fi2Ura 6.1 Difusin de tinta en agua.
Difusin
miento por precipitacin. Se estudiar la difusin en relacin con estas
dos categoras mencionadas.
6.1 ENFOQUE FENOMENOLOGICO
En la figura 6.2 se ilustra un experimento de difusin unidireccional simplificado,
en el cual intervienen slidos. Una barra de hierro puro se suelda a tope a una
barra de acero que contiene 1 % en peso de carbono y este "par de difusin" se
calienta a 700C para que la difusin se produzca a una velocidad notable. Des-
pus de estar algn tiempo a esa temperatura, el par de difusin es enfriado r
Fe + 1 % e hierro puro

..
.,
c.
c:
CD
o
c:
o
-e
'"
u
CDr------------
"O \
\
,
,
11
>("
O Posicin, Z
,
"
' ......
Figura 6.2 Un par de difusin y variacin de la composicin con la posicin y el
tiempo.
Enfoque fenomenolgico
159
pidamente hasta la temperatura ambiente y, luego, se determina la composicir
de carbono a lo largo de la barra mediante anlisis qumico. El perfil de compo.
sicin podra verse como la curva de guiones marcada como t = t en la figura
6.2. Despus de un tiempo infinito, la composicin se volver constante y de un
valor promedio. El problema es hallar la velocidad a la cual se mueven los tomos
de carbono hacia la derecha. Este tipo de problema de difusin lo analiz Adolf
Fick en un artculo publicado en 1855.
1
Encontr que el flujo de tomos era
proporcional al gradiente de concentracin volumtrico, de modo que se tiene:
,
l=-D (6.1)
I
A esta ecuacin se le llama la primera ley de Fick de la difusin. Deben notarse
los siguientes puntos.
1. JI se define como el flujo de tomos 1 (en este caso, los tomos de car-
bono), y tiene unidades de g/cm
2
-seg o de tomos/cm
2
-seg. Puede decirse
que el flujo es la velocidad a la cual cruzan los tomos un rea unitaria, es
decir, tomos por segundo/cm
2

2. DI es simplemente la constante de proporcionalidad y se le llama coefi-
ciente de difusin. Sus unidades son cm
2
/ seg.
3. CI es una concentracin volumtrica del componente 1, ya sea en g/cm
3
o en tomos /cm
3
Ntese que un qumico no mide directamente la con-
centracin en volumen, sino ms bien, el porcentaje en peso de carbono,
la cual es una concentracin fraccional que se simbolizar con Xl . La
relacin entre stas dos concentraciones es simplemente C
l
= Xl (densi-
dad), donde la densidad es una densidad de masa o una atmica dependien-
do de las unidades que se utilicen para la concentracin volumtrica. (En
este texto se usarn los trminos composicin y concentracin en forma
intercambiable).
4. Se requiere el signo negativo, ya que los tomos fluyen hacia las concen-
traciones ms bajas. Ntese que en la figura 6.2, los tomos se mueven
hacia la derecha, la cual es la direccin positiva. Sin embargo, el gradiente
de concentracin que los hace emigrar es negativo; vase la curva para
t = t. Por lo tanto, para hacer el flujo positivo en la ecuacin 6.1 se debe
usar un signo menos para compensar el gradience negativo.
De lo anterior se concluye que siempre que est presente un gradiente de
concentracin en un metal se producir un fluj o de difusin. Despus se ver
que esto es generalmente cierto, pero no ucurre siempre. Ahora el problema es
cmo se determina realmente D? Considerndo el experimento de la figura 6.2
se ver que no se pueden medir directamente JI o DI. Lo que se puede medir es
el perfil de composicin a diferentes tiempos, de tal manera que se mide la COm-
posicin como una funcin deZ y t. El gradiente de concentracin de la ecuacin
6.1 variar con la posicin y el tiempo y, por consiguiente, tambin 10 har el
160
Difusin
r-dZ--j
J
e
,..

,. J.
1 2
Figura 6.3 Un elemento diferencial de volumen para difusin unidireccional.
flujo. Por lo tanto, se debe establecer una ecuacin diferencial para este proceso
de difusin. Para hacerlo, simplemente se ejecuta un balance de masa sobre un
elemento de volumen diferencial que es perpendicular a la direccin del flujo de
masa, como en la figura 6.3. Para el transporte de carbono se puede escribir:
masa que entra - masa que sale = acumulacin
(6.2)
Enfoque fenomenolgico
t.>
'"
"C
e
'" E
:;
(5
>
t ; o
e

2

e
'"
"
e
o
"
- -E-- - - o ------.;- +
distancia. Z
161
Al considerar un intervalo de tiempo, se tiene: Figura 6.4 Perfiles de concentracin en un par de difusin hierro-acero.
velocidad de entrada - velocidad de salida = velocidad de acumulacin (6.3)
Toda la masa entra en el elemento de volumen a travs del plano 1, de modo que
la velocid-ad de entrada de la masa es simplemente el flujo en 1 multiplicado por
el rea del plano l.
velocidad de entrada de masa = (JA) I
(6.4)
Puesto que dZ es una longitud diferencial, se la velocidad de salida del
elemento de volumen en el plano 2 sumando el cambio de velocidad ocurrido a
travs del elemento de volumen como
- . a(l}\)
velocidadde sahda de masa = (lA)! +-az dZ
(6.5)
Ahora se describe la velocidad de acumulacin en trminos de la concentracin
en volumen como sigue:
.. a[CA . dZ] . aC
velocidad de acumulaclOn = at .A dZ Tt (6.6)
E:lseguida, se substituyen las ecuaciones 6.4, 6.5 y 6.6 en la ecuacin 6.3, se
eliminan trminos y se obtiene: '\
al ac
--=-
(6.7)
az iJt
en la cual se ha supuesto que el rea A es constante en la direccin Z. Esta es
una ecuacin muy importante, llamada ecuacin de continuidad, la cual se limi-
t6 en esta deduccin a transporte unidireccional. Note que el tratamiento supuso
que el transporte de masa era slo en una direccin. Para el caso general en 3
la deduccin es similar y se obtiene la ecuacin 6.7 con a/az reem-
plazado por el operador. La ecuacin es vlida para todos los procesos de flujo
de material en los cuales no se genera material dentro del elemento de volumen,
por ejemplo, flujo de calor, de neutrones, de electrones y otros. En el caso pre-
sente, el flujo es de difusin de mab y, sustituyendo en la ecuacin de flujo de
difusin, ecuacin 6.1, se obtiene para la difusin monodimensional:
iJ[D ac/aZ] ac
az at
(6.8)
A esta ecuacin se le llama algunas veces segunda ley de Fick. Es una ecuacin
diferencial parcial con el como variable dependiente y Z y t como las dos varia-
bles independientes. De aqu que las soluciones de esta ecuacin darn el como
una funcin de Z, t y DI. Ya que los datos experimentales dan el = funcin (Z,
t) segn se indica en la figura 6.2, se pueden ajustar estos datos a la solucin
matemtica de la ecuacin 6.8 para diferentes valores de DI y, luego, determinar
DI calculando el valor que d el mejor ajuste.* Se presentar enseguida un ejem-
plo para ilustrar esta tcnica.
Considrese el ejemplo Fe-C mencionado antes y dibjense de nuevo los per-
files de composicin como se muestra en la figura 6.4. Aqu se grafica la con-
* Debido a la complejidad de las soluciones no es posible generalmente determinar DI como
una funcin explcita de el, Z y t Y. desde luego. no es posible resolver para DI.
162 Difusi"
Enfoque fenomenolgico
163
centracin en el volumen C contra la distancia para diferentes tiempos. Se supone
que D es una constante, por lo que la ecuacin 6.8 se vuelve una cuacin dife-
<"loo<"lt-t-O\oo_ooV)OCl\OO\t-O\V) 0\
rencial parcial lineal:
_ .... oooo .... V)o\O .... oo\Ot- .... O'<tV)
r-:
0\
0\ O ................ O\t-<"lO\<"lt-O<"lV)\Ot- 0\
DilC=aC
.... N<"l'<tV)V)\Ot-t-ooOClo\O\O\O\O\ N 0\
(6.9)
0000000000000000 o
az
2
at
Este problema se puede resolver con bastante facilidad utilizando la transforma- t-
.... O\O\Ot-O\ooOt-N<"lOOt-Ot-V)
- OOt-O\Nt-<"lO\O'<t<"l'<tO\O\<"l'<t 00
da de Laplace, si se hacen dos suposiciones adicionales, las cuales vienen a ser
N 00 O\ooooOO\O<"loo<"lt-ON'<t\Ot- C'! 0\
'"
ON<"l'<tV)V)\Ot-t-ooOClo\o\O\O\O\ N 0\
muy realistas. Supngase que:
.... 0000000000000000 o
'"
'" ..c::
o
1. En todos los tiempos t > O, la concentracin en la intercara, Z = 0, se
Q)
0\0 '<t Nt-OO\Ooo'<tO\OClOV)<"l'<t \O <"l
"t:l
ooOt-O\<"lO\\O <"l-O\ 0\ N t-t-N<"l

V)
mantiene en C
o
/2. Esta suposicin necesita que las velocidades atmicas '"
t- t-O\O\O\O\t-v)NooN\OON'<t\Ot- 0\
Q) O-N <"l '<t I/")\Ot-t-oooo 0\ 0\ 0\0\ 0\ N 0\
"t:l
0000000000000000
no dependan de la concentracin de tal manera que el decaimiento a la <el.
o
izquierda sea simtrico con la acumulacin a la derecha.
Q)
"t:l
'"
\OOO\<"lt-\O'<tV)-'<t .... _N\O .... \O 00
2. La barra es lo suficientemente larga como para que las concentraciones
t-O\\OO\'<t-O\t-\OV)\OO\V)I/") .... N
O;
N
o
\O \Ot-OClooOOt-'<t-t-N\OO\N'<t\Ot- 0\
en uno y otro extremo no sean afectadas por el proceso de difusin. Para
O .... N<"l'<tV)\Ot-t-ooooooO\O\O\O\ 0\
<;j
0000000000000000 o
>
resolver el problema se considera solamente la porcin de la barra dond
'"
Q)
Z> y se escriben como
:
'<tO<"l'<tI/"))ONt-O\'<t_O\OOt-\O Q)
-
... \Ooo\OO\I/"))N-OON\ON<"lO\_

0\
Q)
1/") V)\Ot-t-t-\O'<t ..... t-N\OO\N'<tV)t- 00
....
C(Z=O, t)= ;'''
=B
O-N<"l'<tI/")\Ot-t-OOOClOOo\o\o\o\ 0\
condiciones de frontera:
'"
0000000000000000 o
...
'"
C(Z=oo, t)=O (6.10)
p.

.... O\t-'<tNO\\Ot--<"l\O_V)O\<"l\O t-
V)\OV)O\\O'1"'<t'<tI/")\OOCl<"lO_ooO V) \O
Y la condicin inicial: C(Z, 0)=0
'<t '<tlfl\O\O\Ov)<"lO\O-lflo\N'<tlflt-
r-:
00
t::
O-N<"l'<tI/")\Ot-t-ooOClOOo\o\o\O\ 0\
Q) 0000000000000000 o
u..
Se aplica la transformada de Laplace en la ecuacin 6.9 utilizando t como ... "
variable independiente y se obtiene una ecuacin diferencial ordinaria que puede
o
t::
OOO\O<"lO\I/")O-lfl\OOClO_OO\lfl 00
resolverse fcilmente para las condiciones de frontera. Se halla que la solucin
Q) <"llfllflO\\O\Ot-OOO\-'<toooo\OO\
r-:
<"l
c::
<"l
<"l'<tlfllfllfl'1"NO\lfl_V)O\_'<tlfl\o 00
O-N <"l '1" 1/")\0\0 t-000Cl00O\O\O\O\ 0\
con la transformada es:
.0
0000000000000000 o
'13
c::
c(Z, s)= e-
Zm5
]
.B
(6.11)
!:!
\Ooo<"l-lflO\'<t'1"OOOOOClOOlfl_'1"'1" '1"
Q)
N'<t'<tO\t-t-O\-<"l\OO\OlflOOlflOO lfl o
N
N<"l'<t '1" '1" )-0\ lflO V)00_<"l V) \O '.o 00
"t:l O-N<"l'1" 1/")\0 \O t-oo 0Cl 00 0\0\ 0\ 0\ 0\
c:: 0000000000000000 o

Aplicando la transformada inversa se encUentra que bajo las condiciones de la
u
'"
ecuacin 6.10 la solucin de la ecuacin 6.9 es:
;;
<"l\OlflO\ONt-t-OO\OCllflO-O\<"l <"l
J:J .......-1 ("f") C'f") 00 C(l 0\ ...... ..:::t 00 ......... \O ("t') r') \O C"") t'- \O
'"
'f"""'4N("f")C"")("t')N ........ t-
!-< O-N<"l'1"I/")\O\Ot-ooOClOOo\o\o\o\ 0\
C [ 2 ]
0000000000000000 o
C(Z, 1-- e-Y' dy
(6.12)
'l:i
2 .; o ..!!
,&J
o Ir, t- \O '1" 1/") 0\ 00 - 0\ t- N ) o <"l _ \O

ONNOOOOO<"lt-N\ONOO'<tN\O V)
-
Esta ecuacin no es tan complicada como se ve a primera vista ya que la funcin
o
O-NNNNOt-'<tO\'1" 00 .... <"l V) \O
"!
t-
O-N<"l'1"V)\Q\Ot-t-OClOOo\o\o\o\ 0\
e-y2 baja rpidamente desde 1 hasta cero. La funcin con la integral se llama
0000000000000000 o
funcin error y se define como: ,
co.
O-N<"l'1"V)\Ot-OOo\O-N<"l'1"v)
funcin error de (3 = Ferr [{3] = }; {"'e-Y' dy
0000000000""';""';""';""';""';""';
(6.13)
164
Por consiguiente, la solucin se puede escribir como
C(Z t)= CO[1_
, 2 2JDt
Difusin
(6.14)
Los valores de la funcin error se tabulan como en la tabla 6.1, de donde
puede verse que no es ms difcil evaluar una ecuacin como la 6.14 que una
que contenga la funcin seno o coseno. Ya que la suposicin 1 requiere que
haya simetra respecto a Z = O, por inspeccin se obtiene para Z < O, C(Z, t) =
C
o
- [1 + Ferr ZI2YDt] C
o
/2, la cual es idntica a la ecuacin 6.14 al simpli-
ficar. [Nota: se requiere el signo ms del trmino Ferr debido a que Ferr (- (3) =
Ferr ({3), y (3 es negativa para Z < O]. A la ecuacin 6.14 se le llama frecuente-
mente solucin de Grube, en memoria de G. Grube.
2
En la presente solucin
se ha supuesto que la concentracin original de carbono en el lado derecho es
idntica a cero. Si la concentracin de carbono del lado derecho tiene un valor
finito, er, el cual es menor que C
o
, la solucin de Grube es simplemente:
C(Z, t)= e +
2 2JDt
(6.15)
A. Carburizacin
Quiz la aplicacin ms importante en metalurgia de los principios de la difusin
es la que implica la carburizacin del acero. Supngase que una barra de hierro
puro tiene un extremo relleno con grafito como se ilustra en la figura 6.5 y que
se calienta a 700C. Despus de unos pocos minutos de calentamiento se esta-
blecer un equilibrio local en la interfase grafito-hierro. Esto significa que las
concentraciones de las dos fases que se tocan en la intercara o interfase estn
dadas por el diagrama de fases de equilibrio a una temperatura de 700C. De
la figura 6.5b se ve que a 700C el hierro o: est en equilibrio con la fase de car-
buro, Fe3C, llamada cementita. (Realmente, el Fe3C es una fase metaestable,
pero no obstante se forma usualmente). Con el objeto de establecer el equilibrio
local es necesario mezclar el grafito con un catalizador o usar ciertas atmsferas
gaseosas, pero no se analizar aqu esta dificultad. Como resultado del equili-
brio local, se forma una capa de carburo sobre la superficie del hierro y la con-
centracin de carbono C
s
a la derecha en esta interfase se determina a partir del
diagrama de fases. Fsicamente, esto significa que en la superficie del lado izquier-
do de la barra de hierro, la concentracin salta a un valor de C
s
y ah permanece.
Esto provoca la generacin de un gradiente muy grande de concentracin de
carbono en el extremo izquierdo de la barra de hierro y, por ello, el carbono
se difunde hacia dentro de la barra a una alta velocidad produciendo perfiles de
concentracin que varan con el tiempo, como se seala por ejemplo en la figura
6.5a. Para determinar estos perfiles de concentracin se debe resolver la segun-
Enfoque fenomenolgico
grafito
C
s
o
c:
o
.o
ro
(J
" 1:>
c:
'"


hierro

o
(J
(o)
165
(b)
Figura 6.5 a) Perfiles de concentracin para hierro en un proceso de carburiza-
cin. b) Porcin importante del diagrama clp. fases hierro-carbono.
da ley de Fick para las condiciones de frontera de este ejemplo. Se pueden es-
cribir estas condiciones como:
Condiciones de frontera:
y la condicin inicial:
C(Z = 0, t) = C
s
C(Z 0= 00, t) = O
C(Z, O) =0
(6.16)
donde se ha supuesto que la barra es 10 suficientemente larga como para que
no se difunda el carbono hacia el extremo de la derecha durante el recocido a
700C. que estas condiciones son idnticas a las condiciones 6.10 despus
de substltUlr Co/2 por Cs. Por lo tanto, la solucin del problema de carburiza-
ci n es:
C(Z, t) = C[l- Ferr Z/2JDt] (6.17)
Esta ecuacin est restringida a la carburizacin de una barra que no contiene
carbono. Si la barra que se ha de carburizar contiene ya una concentracin uni-
forme de carbono menor que Cs, digamos C, entonces, se puede demostrar a
partir de la ecuacin 6.15 que la solucin es:
C(Z, t) = c[ 1- Ferr Z/2JDt] (6.18)
Supngase que se define la profundidad de la capa carburizada como la pro-
fundidad hacia dentro de la barra que contiene una concentracin de carbono
arriba de algn valor arbitrario C
C
En la figura 6.5a se muestran las profundi-
dades de la capa carburizada para los tiempos tI , t
2
Y t
3
para la condicin de
Cc = Cs12. Supngase que se desea saber qu tanto se extiende la profundidad
de la capa carburizada dentro de la barra como una funcin del tiempo para la
166 Difusin
condicin Ce = C
a
/2. Si se supone que la barra no contena carbono originalmen-
te, se escribe la ecuacin 6.17 como:
C.[1- Ferr(27vt) ]
(6.19)
donde ZO.5 es la profundidad de la capa carburizada para Ce = 0.5 Cs' Acomo-
dando los trminos, se tiene:
t = Ferr
(6.20)
En la tabla 6.1 se encuentra que Ferr 0.477 = 1/2, por 10 cual se obtiene:
(6.21)
Si se hubiese tomado Ce = 0.25 C
s
se habra llegado al mismo resultado con 1.6
en vez de 0.954. El resultado general puede escribirse como:
Zc, = const . (6.22)
Este es un resultado muy importante ya que indica que el espesor de la "capa
carburizada" es proporcional a ...: A menudo, al considerar los procesos de
recocido, se desea poder estimar qu tan lejos se movern los tomos por difu-
sin en un tiempo dado. A falta de una solucin de la segunda ley de Fick para
el problema, se puede estimar la distancia de difusin simplemente como Yl5t
para una aproximacin razonable de primer orden.
Supngase que se ha calentado la barra de hierro de la figura 6.5 hasta una
temperatura TI por encima de la temperatura eutectoide como se ilustra en la fi-
gura 6.6a. En este caso se observa un hecho muy interesante cuando se examina
e,
Figura 6.6 a) Parte importante del diagrama de fases hierro-carbono. b) Perfiles
de composici6n para hierro en proceso de carburizaci6n arriba de la temperatu-
ra eutectoide.
Enfoque fenomenolgico
167
la barra. Se ve que, conforme procede la difusin, se mueve un marcado lmite
de fase por entre la barra. El equilibrio local en la intercara hierro-grafito fij la
concentracin en el extremo izquierdo de la barra en C
3
A la temperatura T, ,
el hierro con un contenido de carbono entre C
3
y C
2
debe ser hierro "1 (ccc
a
) y el
hierro con C < CI debe ser hierro C\: (ccc
u
). Dado que el contenido de carbono
en la superficie se establece en C
3
debe tenerse hierro "1 en la intercara hierro.
grafito y hierro C\: lejos de la interca,ra donde C < C
I
. Ntese en el diagrama de
fases que a una temperatura TI no es posible tener hierro de una composicin
entre CI y C2 CI es la cantidad mxima de carbono que disolver el hierro C\: y
C2 es la cantidad mnima que contendr el hierro "l. Sin embargo, la barra de
hierro podra tener una composicin promedio entre C
I
y C
2
si sta consistiese
en una mezcla de hierro ex (e = el) Y hierro "1 (e = C
2
). De aqu que en una gr-
fica de concentracin contra distancia como se ilustra en la figura 6.6b se podran
tener concentraciones entre CI y C
2
si se produjese una mezcla de dos fases.
Sin embargo, se ha observado que: En pares de difusin nunca se fonnan regio-
nes de dos fases. Por consiguiente, en pares de difusin siempre se observan l-
mites de fase definidos. Esto se ilustra ('Q la fotografa del problema 6.7. Estos
lmites de fase son puntos de equilibrio local, ya que las dos fases que estn en
contacto estn esencialmente en equilibrio una respecto a la otra a la temperatu-
ra del experimento. El lmite de fase se mueve pr la barra, y se puede calcular
la velocidad de este movimiento a partir de la sef;unda ley de Fick para este pro-
blema.
3
Esta solucin es bastante compleja y no se estudiar aqu. Despus se
analizar la razn por la cual no se forman regiones de dos fases en pares de difu-
sin. El estudiante debe trabajar sobre ls problemas 6.1 y 6.2 para que aprecie
mejor la aplicacin de los principios de la difusin a este importante problema
prctico de carburizacin.
B. Difusin substitucional
En el ejemplo de las figuras 6.2 y 6.4 se consider la difusin de C en Fe, la cual
es un ejemplo que implica la difusin de un soluto intersticial. En este caso no
se mencion el movimiento de difusin de los tomos de Fe, ya que tal movi-
miento es insignificante comparado con el correspondiente de los tomos ms
pequeos y ms mviles del carbono. Supngase, sin embargo, que el par de di-
fusin estuviese formado por Cu y Ni como se indica en la figura 6.7a. Estos
tomos son casi del mismo tamao por lo que se disuelven uno en otro Como
solutos substitucionales y se espera que su movilidad sea de casi el mismo orden
de magnitud. Por consiguiente, se deben considerar tanto la difusin del Cu ha-
cia la derecha como la del Ni hacia la izquierda. En general, los solutos substitu-
cionales no se difunden uno en otro a velocidades iguales y opuestas. Supngase
que los tomos de Ni se difunden hacia la izquierda ms rpido que 10 hacen los
de Cu hacia la derecha. Como una ayuda para determinar el efecto que tiene
este movimiento relativo sobre el par de difusin se colocan marcadores inertes
en la intercara soldada. Estos marcadores podrn ser de un material inerte como
168 Difusin
Cu
I
Ni
E lN;
.... leu
(a)
Cu
-
Ni
'J' ,
'.
(b)
Figura 6.7 El desplazamiento de Kirkendall.
alambres de Mo o Ta, o partculas de xido, o aun los pequeos huecos genera-
dos por el proceso de solddura en la intercara. Despus de que se ha producido
la difusin durante cierto nmero de horas se habr producido un transporte
neto de tomos desde la derecha de los marcadores hacia su izquierda ya que los
tomos de Ni se mueven ms rpido. Los tomos adicionales que llegan del lado
izquierdo de los marcadores harn que se expanda la red a la izquierda mientras
que la prdida de tomos del lado derecho har que la red se encoja del lado de-
recho. En consecuencia, la seccin central completa de la barra se desplazar
hacia la derecha como se seala en la figura 6.7b conforme la difusin hace que
los tomos se depositen a la izquierda y sean removidos de la derecha. Por 10
tanto, si los tomos se mueven a velocidades diferentes, es de esperarse que haya
un desplazamiento de los marcadores con respecto a los extremos de la barra
segn se indica en la figura 6.7b. Un cambio tal s ocurre. Fue reportada su exis-
tencia en los metales por Kirkendall y se le ha llamado efecto de Kirkendall. La
presencia de este desplazamiento significa que la red cristalina completa se mue-
ve realmente con respecto al observador durante el proceso de difusin. Este es
un tipo de movimiento de volumen similar al movimiento de conveccin en los
lquidos y se debe tomar en cuenta al analizar los procesos de difusin que ocu-
rren aqu. Tal anlisis lo hizo primero L. Darken
4
en 1948.
Sea
U
v
= velocidad de volumen de la red
velocidad de los marcadores = U
m
UD = velocidad debida nicamente a la difusin
velocidad de los tomos con respecto a los marcadores
As, se puede escribir Utotal = U
v
+ UD = u
m
+ UD. Anteriormente, se defini un
flujo de tomos i como la velocidad de transporte de i por unidad de rea en to-
mos por seg/cm
2
Se puede demostrar que si los tomos i tienen una concentra-
cin volumtrica e, y se mueven a una velocidad U su flujo puede escribirse
como eiu. Este es un resultado muy til ya que habr ocasin de utilizarlo. De
aqu que el flujo total de tomos 1 con respecto a un observador es simplemen-
Enfoque fenomenolgica
169
te el [Um + (UD)1 ]. Pero el (UD)1 es simplemente el flujo difusivo de tomos 1,
el cual se puede escribir como - DI del jdZ. se tiene para ambos componentes
dCI
(J)T= CVm - DI dZ
( )
dC2
12 T= C2Vm - D2 dZ
(6.23)
Darken supona que la densidad molar (tomos/cm
3
) permaneca constante, lo
cual es aqu una buena suposicin. Esto requiere que (J)T = - (J
2
)T ya que
puede ser que el proceso de difusir no cambie el nmero de tomos por unidad
de volumen. Igualando las ecuaciories 6.23 y haciendo que a) la concentracin
volumtrica i sea igual a la densidad molar multiplicada por la fraccin atmica
i, y que b) la densidad molar sea constante, se obtiene:
(6.24)
donde Xl es la fraccin molar (o atmica). Substituyendo esta ecuacin en las
ecuaciones 6.23 se obtiene
(l) - (D D) de - dCI
IT-- IX:+ 2XI dZ=-D
dz
(l) - (D D) dC
2
- de
(6.25)
2 T-- IX2+ 2
X
l dZ =-D dZ
Este resultado demuestra que se puede analizar el proceso de difusin de la figu-
ra 6.7 con la primera ley de Fick aun cuando ocurra un movimiento de la barra.
Sin embargo, la cantidad que se mide como lJ no es un coeficiente de difusin
nico, sino que est relacionado con los coeficientes de difusin nicos como se
indica en las ecuaciones 6.25. A la cantidad 15 se le llama coeficiente de difusin
mutuo. Midiendo la velocidad de los marcadores y l5 se pueden calcular los coe-
ficientes de difusin intrnsecos DI y D
2
a partir de las ecuaciones 6.24 y 6.25.
Se han hecho muchos experimentos y se ha escrito acerca del efecto de
K irkendall , la mayor parte de lo cual es principalmente de inters terico.4,s
A menudo, se quiere conocer 15 desde un punto de vista prctico, puesto que da
el flujo total con respecto al observador. Cuando se hace un anlisis de Grube
sobre difusinje un soluto el coeficiente de difusin que se mide
realmente es D. Es posible medir D por medio de un mtodo llamado tcnica
de iI2!erfase de Matano,3,6 el cual permite hacer menos rgida la suposicin de
que D es independiente de la concentracin. Esta tcnica se usa generalmente en
estudios de difusin subsfltucional; permite determinar la dependencia que de
la concentracin tiene el coeficiente de difusin. En el captulo 5 de la referen-
cia 3 y en el captulo 6 de la referencia 5 se pueden encontrar resmenes de los
resultados experimentales acerca de 15 y su dependencia de la concentracin
muchas aleaciones. La figura 6.8 seala un resultado t pico de la variacin de
D con la concentracin.
s
Estos resultados demuestran que si la difusin se pro-
duce en una amplia gama de concentraciones se debe tener mucho cuidado al
suponer que l5 es constante en hl solucin de la segunda ley de Fick.
170
8
_7
en
Q)

E 6
o

- 5
x
IQ
Difusin
o 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
% ato de Au ___
Figura 6.8 Dependencia de la concentracin en el coeficiente de difusin en al-
gunas aleaciones de oro. (De la referencia 5, utilizada con permiso de Springer-
Verlag.)
C. Fuerza impulsora de la difusin
La primera ley de Fick de la difusin se formul sobre una base emprica. Cabra
considerar el proceso de difusin desde un enfoque ms fundamental, pero para
hacerlo as se debe determinar primero una expresin para la fuerza que hace
que se produzca la difusin. Estamos acostumbrados a pensar en fuerzas mec
nicas simples o en campos de fuerzas como la fuerza elctrica, magntica o gravi
tacional. Aqu, sin embrago, se trabaja con lo que puede llamarse una fuerza
qumica. Se manifiesta en forma muy compleja como resultado de las fuerzas in
teratmicas y no puede determinarse a partir de una ecuacin de fuerzas simple
como se hace para las fuerzas de los campos anteriores. Considrese la analoga
siguiente. La parte superior de la figura 6.9 muestra una bola sobre una colina.
Se sabe que la bola est sometida a una fuerza debida al campo gravitacional y,
de la fsica, se sabe que la funcin es:
constante
Z2
(6.26)
Integrando esta funcin se determina la energa potencial como una funcin de
la altura, Z, y es:
1
z
constante
P.E. = Fabajo dZ = Z
(6.27)
enfoque fenomenolgico
-;
'
c:
Q)
o
a.

en
Q;
c:
Q)

Figura 6.9 Variacin de la energa potencIal con la posicin,
171
A de la ecuacin 6.27 s,e puede determinar la energa potencial en cualquier
P?SICIn a.lo 12rgo de la colma y, as, es posible construir una grfica de la enero
gla potenCIal cO,mo se muestra en la parte inferior de la figura 6.9.
Ahora, supongase que la parte infqrior de la figura 6.9 es toda la l'nfo "'
qu h d' 'bl rmaClOn
e. ay Ispom e y que se desea conocer la fuerza que impulsa la bola hac'a
abaJo. 1
De lo anterior, queda claro que se podra escribir:
d(E.P.)
dZ
(6.28)
A de la figura 6.9, se podra determinar que E.P. = - const/Z y de la
ecuaCIn 6.28, la funcin fuerza por diferenciacin. Se quieren dos
a este ejemplo. 1) La bola buscar la posicin de ms baja enero
gIa potencIal, y 2) la fuerza sobre la bola est dada por la derivada de la f .,
d
' . 1 . unClOn
e energla potencIa, ecuacin 6.28.
De la termodinmica, se sabe que los sistemas a temperatura y presin cons.
la energa libre de Gibbs ms baja del sistema. Para considerar la
energIa por de un cierto, tipo en el sistema se usa la energa libre
molal parcial de Glbbs, la cual a menudo se llama potencial qumico y se defi.
ne como: I
Potencial qumico del elemento i T.P.n, = IJ-
(6.29)
172 Difusin
donde G es la energ::t libre del sistema considerado, n es el de
i y n es el nmero de los otros tomos. La definicin de potencIal
'. bastante formal pero puede demostrarse que, fsicamente, Il es SIm-
11" , , 1" d t
plemente la energa libre de Gibbs de un tomo i cuando esta en so UClon en ro
de la aleacin.
Por analoga con los ejemplos anteriores se tiene ahora:
011'
Fuerza qullca por tomo i en la direccin Z = - oZ (6.30)
El signo menos no apareci en la ecuacin 6.28 debido .que la de la
ecuacin 6.27 se toma desde infinito hasta Z por convenClOn. La ecuaClOn 6:30
es un resultado fundamental que demuestra que que una gr.adlen-
te en el potencial qumico de los tomos i en una aleaclOn, expenmentaran una
fuerza que pueda hacer que se muevan.
D. Movilidad y coeficiente de difusin
Al analizar la difusin es bastante til introducir el concepto de mo.vilidad. Consi-
drese el balance de fuerzas en un paracadas como se seala en la fIgura 6. Oa. El
hombre de masa m est en un campo gravitacional y, por 10 tanto,
una fuerza gravitacional hacia abajo, Fg, proporcional a masa, Fg = mg, aonde
g es la aceleracin de la gravedad. Inicialmente, despues de su salto,
fuerza cero sostenindolo arriba. Sin embargo, conforme su velocidad haCIa abajO
se incrementa, el aire que choca con su paracad.as una fuerza de arras s-
tre hacia arriba que ser proporcional a su velocIdad, F ar:r - kv, de modo que e
tiene para la fuerza neta
(a)
F neta = Fg - Farr. = mg - kv = ma
"O
ro
"O
.
o
Qj
>
vel. terminal

tiempo
(b)
Figura 6.10 Obtencin de una velocidad terminal.
(6.31 )
ro
O
c:
ro
N
Q;
.2
Enfoque fenomenolgico
173
A una velocidad suficientemente alta, la fuerza de arrastre se hace igual a la fuer-
za gravitacional. En este punto, la fuerza neta es cero y, entonces, la aceleracin
es cero. Por consiguiente, como se muestra en la figura 6.1 Ob, se alcanza una ve-
locidad terminal en este punto de equilibrio de fuerzas. La movilidad se define
como:
Movilidad
velocidad terminal
fuerza unitaria aplicada = B (6.32)
A manera de ejemplo, considrese un electrn que se mueve a travs de un metal
bajo la accin de un campo elctrico, E. Se puede considerar que el electrn se
mueve con una velocidad terminal, la cual se logra cuando la fuerza de arrastre
de la red est en balance con la fuerza aplicada del campo elctrico. La resisti-
vidad, p, da una medida de la fuerza de arrastre y la fuerza aplicada es simple-
mente eE, donde e es la carga del electrn. Utilizando la ley de Ohm se puede
demostrar a manera de ejercicio que
1
B=--2
pne
donae n es la concentracin volumtrica de electrones.
(6.33)
La ecuacin 6.33 relaciona la movilidad de lo s electrones con la resistividad.
De igualmanera, se puede considerar la movilidad de un tomo bajo la accin
de una fuerza qullca y relacionar esta movilidad con el coeficiente de difusin.
Segn se mencion previamente, se puede escribir el flujo del componente i
como un producto de la concentracin volumtrica y de la velocidad, J = Cv.
De la definicin de movilidad, se tiene para la velocidad v = BF, donde F es
la fuerza sobre los tomos i. Utilizando la ecuacin 6.30 se obtiene:
J, = -CB,
() (6.34)
Al escribir esta ecuacin, se ha supuesto que no hay una fuerza neta ejercida
sobre los tomos i por el flujo de solutos adicionales en la aleacin. 4 Esta su-
posicin no se requiere en aleaciones binarias y, generalmente, es una buena
aproximacin en sistemas de orden mayor. De la termodinmica, se tiene para
el potencial qumico:
dfJ.,=kTdln a,
(6.35)
donde a es Id actividad de los tonios i. Substituyendo en la ecuacin 6.34 e
igualando con la primera ley de F'ick se tiene:
I
J=-CBkTdlna'=_D dC
, " dZ 'dZ
(6.36)
174 Difusin
Por simplificacin algebraica se establece que la relacin entre el coeficiente de
difusin, Di, y la movilidad, Bi, es:
(6.37)
La actividad se relaciona usualmente con la concentracin en fraccin atmica,
Xi, segn ai = 'Yixi, donde a 'Yi se le llama coeficiente de actividad. Suponiendo
una densidad molar constante, la ecuacin 6.37 viene a ser
. = B-kT[l + d In "Yi]
D" d In Xi
(6.38)
En soluciones ideales o en soluciones diluidas, 'Yi es constante, de manera que
[Di = BikT] sol. Ideal o diluida (6.39)
Estas ecuaciones demuestran que existe una relacin directa entre la movilidad
y el coeficiente de difusin. Si un tomo tiene una alta movilidad, tiene tambin
un coeficiente de difusin grande.
La ausencia de zonas de dos fases en un par de difusin puede comprenderse
con bastante facilidad a partir de la ecuacin 6.34. A alguna composicin pro-
medio dentro de los lmites bifsicos, sobre el diagrama de fases, la aleacin
estar compuesta de dos fases, cada una de las cuales tiene una composicin cons-
tante independiente de la composicin promedio. En consecuencia, en una regin
de dos fases sobre un diagrama de fases el potencial qumico, 1Lt, es constante.
La ecuacin 6.34 demuestra que si se form una regin de dos fases, el flujo a
travs de ella sera cero debido a que el gradiente de potencial qumico sera
cero en la regin. Es algo sencillo, entonces, demostrar que si se form una regin
de dos fases en un par de difusin, la difusin hacia dentro y hacia fuera de sus
lmites hara que desapareciera debido al hecho de que la difusin dentro de la
regin es cero; vase el problema 6.5.
E. Dependencia de la temperatura
El coeficiente de difusin es una funcin notable de la temperatura; virtualmen
te, siempre puede expresarse como:
D= Do exp [ - (6.40)
donde Do es una constante y Q es una constante llamada energa de activacin.
Los valores de D casi siempre se dan en unidades cgs y stas son cm
2
/seg. En la
figura 6.11 se dan valores aproximados de la dependencia de D a la temperatura.
Ntese lo siguiente: 1) los coeficientes de difusin de los solutos intersticiales
son notablemente mayores que los de los solutos substitucionales. 2) El coefi
ciente de difusin del slido en su punto de fusin (a 10 largo de la lnea solidus)
es casi el mismo para aleaciones diferentes y, en forma similar, el coeficiente de
Enfoque fenomenolgico
ci
E
$
liquido
slido
D - 10-20-10-50
solutos
substitucionales
lquido
slido
Ta D - 1Q-l<L10-30
solutos
intersticiales
175
Figura 6.11 Rango de los valores de los coeficientes de difusin cerca de las tem-
peraturas de liquidus, solidus y ambiente.
difusin del lquido a la temperatura de solidificacin (a lo largo de la lnea /i-
quidus) :s. casi el mismo para aleaciones diferentes; vase la figura 6.11 para
valores hplCOS de D. 3). La dependencia de la temperatura es muy fuerte; los
metales de elevado punto de fusin tienen los mayores valores de D a temnera-
tura ambiente, y los metales de bajo punto de fusin tienen los ms bajos valores
de D; ambos se muestran en la figura 6.11. En el captulo 5 de la referencia 3
y en el captulo 4 de la referencia 5 se encuentra una gran cantidad de datos
acerca de la dependencia de D a la temperatura.
F. Difusin interfacial
La figura 6.12a indica que en los metales policristalinos, la difusin se puede
presentar a lo largo de los lmites de grano y de la superficie, as como a travs
del volumen de los granos. Recientemente, se han hecho muchas mediciones ex.
perimentales en relacin con la difusin superficial y los lmites del grano. Es
de .que la movilidad de un tomo a lo largo del lmite de un grano o en
una sea ms alta que en el volumen del cristaL debido a que estas in.
tercaras henen una estructura ms abierta y, por lo tanto, deben ofrecer menos
al atmico. Por consiguiente, es de suponerse que los cae.
fIcIentes de difusIon en la intercara sean ms altos que los coeficientes de difusin
volumtrica ya que el coeficiente de difusin se relaciona directamente con la
movilidad, segn la ecuacin 6.39. Los resultados experimentales lo confirman
y en la figura 6.I 2b se presentan algunos datos experimentales tpicos. La difu.
sin en los lmites del grano contribuye notablemente a la difusin total slo
cuando el tamano de grano es bastante pequeo.
176 Difusin
6.2 ENFOQUE ATOMISTICO
Como se ver ms adelante, los tomos de un metal no estn fijos en sus sitios
reticulares, sino que ms bien se mueven continuamente en sus contornos. Por
consiguiente, si existe un gradiente de concentracin en un metal, el movimiento
errtico de los tomos har que desaparezca finalmente el gradiente. Desde lue20,
se puede relacionar el coeficiente de difusin de un tomo con sus propiedades
para saltar en el cristal. Considrense dos planos vecinos en un grupo de planos
(hkl) ocupados como se muestra en la figura 6.13 donde el espaciamiento entre
ellos se llama a. Ahora, defnanse los tres trminos siguientes,
a) r frecuencia de salto
nmero de veces por segundo en que un tomo dado salta a otra
posicin.
temperatura ____
15001750 2000 e
1()-6
,"".;0;.1
10-
7
10-8
/
t
10-9
Cl
c::
10-
10
t ! ! ! !
:52
~
10-
11
~
superficie
!!!
10-
12
r::
.!!
.g
10-
13 .,
"
t.J
10-
14
10-
15
(a)
10-
16
7 3
---t X 10
4
difusin de Th en W
(h)
Figura 6.12 Difusin reticular, en lmites de grano y superficial. (De la Referen-
cia 5, usada con permiso de Springer-Verlag.)
Enfoque atomistico
177
O<
I
(1) (2)
Figura 6.13 Espaciamiento de planos de la red para un modelo de difusin.
b) p probabilidad de que algn salto de un tomo promedio lo lleve del
plano 1 al plano 2.
= fraccin de Saltos para ir del p!ano 1 al plano 2.
e) nI, n2 = No. de tomos/cm
2
sobre los plaros 1 y 2.
Un tomo individual saltar del plano 1 al plano 2 p r veces por segundo. En-
tonces, se puede escribir:
No. de tomos/cm
2
del salto 1 2 en el tiempo ot =n (pr) . ot
No. de tomos/cm
2
del salto ~ I en el tiempo ot =n l. (pr) ot
No. neto de tomos/cm
2
del salto 1 2 en el tiempo ot = (ni -.:. n2) (on . ot
Si J es el flujo de tomos de 1 a 2, en tomos/seg-cm
2
, se tiene:
J St=(nt-n2) p. r St
La concentracin volumtrica en el plano 2, e
2
, se puede escribir as:
aC
C2 =C+-0
az
(6.41)
(6.42)
donde Z es la distancia normal a los planos mostrados en la figura 6.13. La con-
centracin volumtrica, e, puede relacionarse con la concentracin de rea n
como e = n/a. Substituyendo esta relacin se obtiene: ' ,
(6.43)
Combinando las ecuaciones 6.41 y 6.43 se obtiene la expresin siguiente para
el flujo:
J=-02. p. r. aC
az
(6.44)
178 Difusin
Comparando esta ecuacin con la primera ley de Fick se obtiene el resultado
final:
D=a
2
pr (6.45)
Para determinar el significado fsico de la ecuacin 6.45 se considerar la
difusin del carbono en hierro. En el problema 6.4 se pide demostrar que para
la difusin de un tomo en una red ccc
a
el coeficiente de difusin es:
D=a
2
r
12
(6.46)
donde a es el parmetro de la red. Tomando de los datos del problema 6.1 el
valor de D para carbono en austenita, se obtiene que a 925't
r 92S = 1.7 X 10
9
saltos/seg
A temperatura ambiente, se encuentra el valor siguiente de r para el carbono en
austenita retenida:
r 20"C = 2.1 X 10-
9
saltos/ seg
Este resultado resalta dos cosas muy interesantes: 1) a temperaturas elevadas los
tomos de carbono intersticial se cambian sus posiciones reticulares a una veloci-
dad fantstica, del orden de un billn de veces por segundo, y 2) la frecuencia de
salto es extremadamente sensible a la temperatura. Del anlisis anterior, resulta
evidente que el mecanismo bsico del proceso de difusin est relacionado estre-
chamente con las caractersticas de salto de los tomos implicados. Por consi-
guiente, si se lleva a cabo un anlisis estadstico que relacione el movimiento neto
de un tomo con sus caractersticas individuales de salto es posible comprender
algo ms el problema de difusin. Considrese un tomo colocado en cualquier
posicin de la red cri.stalina llamada posicin cero. Ahora,
1. Permtanse que los saltos del tomo tengan slo una longitud r.
2. Supnganse que los saltos son igualmente probables en cualquier direc-
cin, es decir, cada salto es independiente del salto que le precede.
3. Sea Rn el desplazamiento neto del tomo desde la posicin cero despus
de n saltos.
Ahora bien, cmo variar Rn con respecto a n? Puesto que los saltos son aJ
azar, se podra esperar que Rn se aproxime a cero conforme n se hace suficiente-
mente grande. Sin embargo, el anlisis estadstico demuestra que esto no es exac-
to y se encuentra
4
que:
(6.47)
donde &n es la raz cuadrada del desplazamiento cuadrado medio. De aqu se
ve que Rn = Vii r, el cual es considerablemente diferente de cero. A este se le
Enfoque atomistico 179
llama problema de caminata aleatoria y se analiza en detalle en la pgina 47
de la referencia 4.
Considrese la difusin de tomos de carbono en una barra de hierro 'Y. En
este caso, la distancia de salto, r. est relacionada cona as: r
2
= 2a
2
, y pes 1/3
de morlo que a partir de las ecuaciones 6.45 y 6.47 se obtiene:
2 6D R ~
r=-=-
r n
(6.48)
La relacin n/f' es el nmero de saltos dividido entre los saltos por segundo, lo
cual es simplemente el tiempo, t, as que se puede escribir la ecuacin 6.48 en
esta forma:
R ~ = 6 D t (6.49)
Este resultado demuestra que la raz cuadrada del desplazamiento medio es pro-
porcional a ..: Ntese la similitud de este resultado con el obtenido antes para
el problema de la profund!dad de la capa carburizada en una carburizacin: amo
bos dependen de ...;I5i". Es bastante interesante el examen del significado fsico
de la ecuacin 6.49. Supngase que se pregunta cul es la raz cuadrada del
desplazamiento medio de un tomo de carbono en hierro 'Y despus de 4 horas?
El resultado se da en la tabla 6.2 a 925C y a temperatura ambiente. La distan-
cia total que se ha movido el tomo de carbono puede calcularse multiplicando
la distancia del salto por el nmero total de saltos; estos resultados se incluyen
tambin en la tabla 6.2. Hay dos resultados evidentes de los datos de esta tabla:
1) la raz cuadrada del desplazamiento medio es bastante sensible a la tempera-
tura, y 2) los tomos deben viajar una distancia total extremadamente grande
con el objeto de obtener una raz cuadrada del desplazamiento cuadrado medio
que sea significativa.
A. Mecanismos de difusin
Se han postulado cierto nmero de mecanismos de difusin diferentes.
4
Los dos
mecanismos ms importantes, la difusin intersticial y en las vacancias se anali-
zarn aqu. En la difusin intersticial, !os tomos simplemente saltan a travs
de los huecos intersticiales de la red. bste mecanismo generalmente se realiza con
Tabla 6.2 Distancias de migracin de los tomos de carbono
en hierro 'Y durante 4 horas.
Temperatura
(OC)
925
20
1.3mm
1.4x 10-
9
mm
Distancia total
recorrida
3.9 millas (6.3 km)
cero
180 Difusin
los tomos pequeos que se encuentran en metales, tales como C, 0, N e H. En
difusin por vacancias los tomos emigran saltando hacia las vacancias vecinas
ms prximas. Este mecanismo se efecta predollnantemente en solutos subs-
titucionales y, tambin, en el caso de autodifusin. La autodifusin del metal
A se mide observando la migracin de un istopo del elemento A en un cristal del
metal A. La auto difusin se presta fcilmente para la interpretacin terica, ya
que no hay que preocuparse respecto a interacciones qumicas entre los tomos
de soluto y solvente. Ntese que en la difusin por las vacancias se tiene un flujo
en las vacancias igual y opuesto al flujo atllco. Se hizo notar anteriormente
que, cuando los flujos de las dos especies substitucionales no son iguales, se pre-
senta el desplazamiento de Kirkendall. Debe existir un flujo neto en las vacancias
en una direccin opuesta al flujo neto de tomos, ya que los flujos de tomos se
realizan por un mecanismo de las vacancias. En la figura 6.7a, por ejemplo, ha-
bra un. flujo neto en 1 ~ vacancias hacia la derecha, hacia el Ni. Esto requiere que
las vacancias se generen continuamente a la izquierda en el Cu y se anulen a la
derecha en el Ni. Esta es una conclusin muy interesante y se puede encontrar
un anlisis ms extenso en la referencia 4. Uno de los mecanismos propuestos
para la generacin continua de vacancias es el generador de Frank-Read de dis-
locaciones de borde, en la cual las dislocaciones de borde se mueven siempre
por "trepado".4
B. Datos de velocidad y la ecuacin de Arrhenius
Muy a menudo en metalurgia fsica, es necesario poder describir la velocidad de
algn proceso en una aleacin en funcin de la temperatura. Por ejemplo, en ope-
raciones de tratallento trmico es necesario tener un conocimiento de la veloci-
dad de crecimiento del grano como una funcin de la tempC!ratura con el objeto
de evitar un crecillento excesivo del llsmo; la velocidad de la termofluencia
a temperaturas elevadas en las aleaciones que se utilizan para los labes de tur-
binas y que es una propiedad crtica en el desarrollo de aleaciones tiles para
este propsito; la velocidad de difusin en funcin de la temperatura que es un
factor importante en el control del proceso de carburizacin, etc. Se observa
casi siempre que si se grafica el logaritmo de la velocidad contra una funcin in-
versa de la temperatura se observa una lnea recta como la de la figura 6.14. La
ecuacin para esta funcin lineal se llama ecuacin de Arrhenius y se escribe
como:
R=Ae-
O/RT
(6.50)
donde A es la interseccin con el eje y Q es la energa de activacin. Esta ecuacin
emprica se encontrar frecuentemente cuando se considere la dependencia de
la temperatura en los procesos de estado slido.
Al comparar las ecuaciones 6.40 y 6.50 es evidente que el coeficiente de
difusin sigue una ecuacin de Arrhenius. Usando el modelo atomstico para
describir el proceso de difusin, se puede llegar a una interpretacin fsica de
Enfoque a'omstico
181
A
....
-.....
..........
lIT
Figura 6.14 La grfica de Arrhenius.
la energa de activacin, la cual se determina a partir de la grfica de Arrhenius.
Se considerarn dos casos dependiendo de que los tomos que se difundan sean
intersticiales o substitucionales.
C. Difusin intersticial
En este caso, el so luto es un tomo intersticial que migra a saltos entre los huecos
intersticiales, por ejemplo, carbono en hierro. Primero hay que preguntarse cmo
se puede determinar una expresin para r, la velocidad a la cual cambia un to-
mo de ,posicin en la red. La figura 6.15 muestra una grfica de la energa libre
d.e .un atomo de soluto como una funcin de su posicin en la red. En las dos po.
SlClOnes mostradas, 1 y 2, su energa libre es un mlnimo. Ahora, se definen los
trminos siguientes:
l. f = fraccin de tomos que tienen suficiente energa, en cierto tiempo,
para cambiar de posicin, es decir que tienen G > G
2

2. Z nmero de huecos intersticiales vecinos ms prximos que rodean
cada tomo de soluto. Se supone que todos estn desocupados.
3. v = frecuencia de vibracin hacia cada uno de estos Z huecos.
El primer problema es c!lcular r, la velocidad a la cual cambia de posicin un
tomo de soluto dado. Si un tomo de soluto cambiara de posicin con cada
vibracin tendra r = vZ. Sin embargo, un tomo cambiar de posicin sola-
m e ~ t ~ si tiene suficiente energa para efectuar el salto. Se supondr que la pro-
bablhdad de que un tomo tenga suficiente energa para saltar, G > G
2
, est
dado por f. De aau. se tiene que:
r=lIZf
(6.51)
182 Difusin
G!-. __________ ___ _
1. 2
posicin en la retlcula
Figura 6.15 Variacin de la energa libre de un tomo con la posiCin en la red.
De nuevo, para continuar es necesario mencionar algunos estudios de mecnica
estadstica, los cuales demuestran que la distribucin de energas libres en los
tomos sigue la ley de MaxwellBoltzman. Asimismo, se tiene para la fraccin
de tomos con energa libre G > G
donde N se refiere al nmero total de tomos. Por lo tanto, se puede escribir:
n(G>G2)
n(G>G)
(6.52)
donde G
2
y G
1
se definen en la fIgura 6.15. G
1
es la energa libre del tomo
cuando se halla directamente en la retcula y, por lo tanto, es la energa libre
mnima. Desde luego, todos los tomos tienen una energa libre G > G1 Por
consiguiente, la ecuacin 6.52 da el valor de 1,
Ahora, combinando las ecuaciones 6.45, 6.51 y 6.53 se obtiene para D
D = a2p(ZvetoS/k)e-toE/kT
(6.53)
(6.54)
donde se ha tomado I1G I'::lI1E - TI1S. En general, I1S no depende mucho de
la temperatura de manera que el nico trmino sensible a la temperatura en la
ecuacin 6.54 es el trmino final. Por lo tanto, comparando la ecuacin 6.54 con
Enfoque atomistico 183
la 6.50 se observa que la energa de activacin, Q, es idntica a f),E. El anlisis
anterior demuestra que I1E es la diferencia de energa para un tomo coloca-
do en la posicin 1 a y colocado en la posicin 1 de la fgura 6.15. Para pasar de
la posicin 1 a la 2, el tomo debe pasar por la posicin de energa mxima en la.
El incremento de energa requerido para llevar al tomo a esta posicin se llama
energa de activacin, por razones obvias. De aqu que, en este caso, Q es la ener-
ga de activacin verdadera, I1E, para el proceso que se est considerando, la mi-
gracin atmica. En general, la Q de una ecuacin de Arrhenius no corresponder
directamente con la energa de activacin verdadera para el proceso de velocidad
que se est considerando. Esto puede demostrarse para el segundo caso.
D. Difusin substitucional
En este caso, el tomo de soluto es un soluto substitucional y, de aqu, est res-
tringido a m0verse en los sitios reticulares. Sea Z el nmero de retculos vecinos
ms prximcs. Hay una diferencia importante en este caso debido a que para que
haya un salto a un sitio vecino cercano, ste debe estar vacante. Tmese el nmero
de lugares vecinos cercanos que estnl vacantes como Z veces la fraccin de todos
los sitios que estn libres. Esta ltima expresin est dada por la ecuacin 5.9.
Por lo tanto, para este caso, la ecuacin 6.51 viene a ser
f= v' Z . e-toEjkT e
toSjk
f
(6.55)
donde I1Ev es la energa por vacancia y iJ.S
v
es la entropa vibracional por vacan-
cia. En este caso, la expresin para el coeficiente de difusin es:
(6.56)
En consecuencia, se obtiene Q = I1E + f),Ev. De ah que Q no es simplemente una
energa de activacin, sino que, en este caso, representa la suma de la energa de
activacin verdadera y la energa por vacancia. Q es una energa de activacin
verdadera solo para procesos muy simples y, en general, es mejor imaginarla
como una constante emprica. El anlisis anterior demuestra que una interpre-
tacin estadstica del proceso de difusin proporciona un conocimiento fsico
de los procesos atmicos reales que dan lugar al transporte de masa produci-
do por difusin.
REFERENCIAS
1. A. Fick, Poggendorff's Annalen 94, 59 (1855).
2. G. Grube yA. Jectele, Z. Elektrochem. 38.799(932).
3. W. Jost, Diffusion in Solids, Liquids, Gases. Academic, Nueva York, 1952.
4. P. Shewmon, Diffusion in Solids. McGraw-Hill, Nueva York, 1963.
5. W. Seith Y T. Heumann, Diffusion in MetaZs: Fxchange Reactions, Springer-
Verlag, Nueva York, .1955. Traduccin del alem.n por Office of Technical
Services, Dept. of Commerce, Washington 25 D.C., 1962, AEC-TR-4506.
184 Difusin
6. R. E. Reed Hill, Principies of Physical Metallurgy, Van Nostrand, Nueva
York,1964.
PROBLEMAS
6.1 Se tiene una placa de acero 1010 (0.1 de carbono en %de peso) que debe
actuar como una superficie de soporte. Para lograr la dureza necesaria se deci-
de carburizar la superficie y, luego, tratarla trmicamente. Conviene alcanzar
una dureza semejante a la de recin templado, de por lo menos 60 Rockwell C
en la capa de 1 mm ms exterior. La dureza semejante a la de recin templado
vara con el contenido de carbono, segn se indica abajo. La dureza cae a altos
contenidos de carbono debido a la retencin de austenita. El coeficiente de di-
fusin de carbono en hierro 'Y cambia segn D = 0.12 exp(-32,000/RT) donde
R = 1.987 cal/molO K y D est en unidades de cm2/seg.
a) Se carburiza por empaquetamiento (como se estudi en la pgina 164)
durante 2.4 horas a 1050C. Usando la ecuacin apropiada y el diagrama de fases
P
a;
:
.><
g
a::

50
40
30
o
porcentaje en peso de carbono
\ o
\8
\>
\
\

\0
o
o
o
2:0
Figura S/N Dureza Rockwell C como una funcin del contenido de carbono para
aleaciones hierro-carbono con dureza semejante a las recin templadas. (De A.
Litwinchuk, "Den sities, Microstructures, and Hardness of As-Quenched [ron-
Carbon Alloys," M. S. Thesis, Iowa State Univ. Library, 1973.)
Problemas
185
de la figura 9.64 (pgina 328), calclese la concentracin como una funcin de
la posicin en la regin superficial del acero. Ahora grafquese el resultado a in-
tervalos de 0.02 cm desde la superficie hasta una profundidad de 1 mm. Ense-
guida, grafquese la dureza semejante a la de recin templado que se obtendra
con el tratamiento trmico.
b) Se notar que en la superficie la dureza es ms baja que la deseada debido
a la austenita retenida. Para vencer este problema es necesario reducir el conteni.
do de carbono de la superficie durante la carburizacin. Como una alternativa a
la carburizacin por empaquetamiento se puede carburizar con gas en una atms-
fera de metano o de monxido de carbono. Controlando la relacin CH
4
/CH
2
o
CO/C02 se pueden lograr varias concentraciones superficiales en la carburizacin
con gas del valor de saturacin mostrado en el diagrama de fases.* Supn-
que se tlene una relacin suficiente para obtener una concentracin superfi-
cJal de 0.8% de C. Ahora, disese un tratamiento carburizante para alcanzar el
objetivo de una dureza semejante a la de recin templado de 60 Rockwell C en
la capa de 1 mm ms externa (es decir, especifquese temperatura y tiempo).
Nota: no debe carburizarse a temperaturas mayores que 912C pues el grano
crecer excesivamente.
, e) Si se fuese a seleccionar una temperatura entre 727C y 912C, no se po-
dna contestar la parte b) a partir de las ecuaciones desarrolladas en este captulo.
Explquese por qu no. Si se escogiese una temperatura por debajo de 727C
no se podra alcanzar el objetivo. Explquese por qu no.
seccin AA
no hay
carburizacin
en los extremos
de la placa
Una placa de hierro est empaquetada en grafito como se muestra en la fi-
gura se calienta a 740C durante 4 horas. Un examen metalogrfico revel las
fotografas bifsicas anteriores. I
a) Constryase una grfica que indique cmo podra variar la concentra-
cin carbono (en porcentaje del peso) a travs de la seccin A-A. Mrquense
reglo.nes de fase y aquellas concentraciones que se pueden determinar a par-
tIr del dJagrama de fases (figura 9.64, pgina 328).
b) Ahora se quita el grafito de la placa y se calienta de nuevo a 740C. Su-
pngase que no ocurre descarburizacin en la superficie. Sobre el diagrama de
* Tambin. es posible reducir la concentracin superficial abajo del valor de saturacin d
equilibrio en carburizacin por empacamiento. aparentemente por el control del
186 Difusin
la parte a) anterior, mustrese cmo lucira el perfil de concentracin despus
de muchas semanas a 740C (equlibrio). Explquese.
e) Si la temperatura fuese incrementada ahora a 800C, mustrese cmo
sera el perfil de concentracin despus de alcanzarse nuevamente el eauilibrio.
6.3 La ecuacin 6.8 se dedujo para el caso de dusin unidireccional a lo largo
de una barra. Supngase que una barra cilndrica fuese empacada en grafito y
que la difusin ocurriese en la direccin radial de la barra. Puesto que el movi-
miento es en la direccin radial, el rea de la seccin transversal de un elemento
de volumen en coordenadas cilndricas no es constante. Por lo tanto, la deriva-
cin de la segunda ley de Fick (ecuacin 6.8) no se aplica directamente al caso
de la difusin radial. El problema es deducir la segunda ley de Fick para el caso de
difusin radial; es decir, la variable independiente ser ahora el radio, r, en lugar
que la distancia Z.
6.4 En las pginas 176-178 se presenta una deduccin de la ecuacin D = a
2

p r, la cual relaciona el coeficiente de difusin con el espaciamiento entre los
planos, a, una frecuencia de salto, r y la probabilidad, p, de que un tomo pro-
medio al saltar. pase del plano 1 al plano 2,
a) Calcular p para un tomo de carbono que se mueve entre sitios octadri-
cos en 1) hierro ccCa y 2) hierro cCCu. Ntese que en los cristales cCCu los sitios
octadricos se localizan en los centros de las caras y en los centros de las aristas
de la celda unitaria.
b) Partiendo de la respuesta, demustrese que en trminos de sus respecti-
vos parmetros de red,

Deccu = ----"-'-2-'-4-=-
2
D = aceear
ceca 12
6.5 En la pgina 167 se estableci que una regln bifsica nunca aparece para
un par de difusin. Si apareciese una regin bifsica podra verse como la mos-
trada en el esquema siguente:
.., Fe
e
regin
bifsica
partfculas de Fe y
ex Fe
El problema es demostrar que la regin bsica desaparecer. Hgase un esquema
de lo anterior. Directamente debajo de este esquema, constryase una grfica de
la variacin del potencial qumico de carbono desde el extremo izquierdo al
derecho de la barra. Recurdese que el potencial qumico es proporcional al con-
tenido de carbono y es constante en una regin bifsica. A partir del anlisis de
esta grfica, determnese cmo se dundir el carbono con respecto a la regin
Problemas
187
bsica y explquese por qu d '
tina la difusin. esaparecera lentamente la regin bsica si con-
Lr-+ -_ -_ --J----.
nodo
ctodo
Cuando una corriente elctrica cd a
que los tomos de carbono se muevan r: de barra de acero hace
fenmeno se llama electrotransporte o a atomos Este
tomos de carbono debida a la co' l graclOn. La mOVIlidad de los
. rnente e ctrica ha'd d'd
trrnmos de la velocidad por campo el t ' "Sl o me 1 a y reportada en
c nco umtano:
Movilidad = U == __ ==.lL
campo elctrico E
a) Considrese una barra de acero 1 080
una corriente directa, j, que pasa a travs de que se calent a 1 OOOC y que tiene
donde p es la resistividad y j es la densidad e:a se muestra arriba (E == jp,
hace que los tomos de carbon ' h' e comente). La corriente directa
o mIgren aCla el ctodo Dib'
concentracin de carbono contra dist . 1 1 . Jese una grfica de
lit t' anCla a o argo de la barra t d
a lvamente cmo vara la distrib "' d mas ran o Cua-
y b) 100 horas. . UClon e concentracin despus de a) 2 horas
b) Escrbase una ecuacin para el flu' d '
una seccin transversal de la barra !O e .atomos de carbono a travs de
debe incluir un trmino por d para hempo. Sugerencia: la ecuacin
1 ca a mecamsmo de transport d
e ectrotransporte y transporte de difu " E " e e masa, es decir,
la movilidad U. SlOn. 1 ternuno electrotransporte incluir
e) Despus de un perodo muy 1 1" "'
largo. de la barra ya no cambiar con a de concentracin a lo
estaclOnario" . Pod 'li mpo. Se habra alcanzado un "estado
na exp carse por qu sucede t?
corriente elctrica (o campo elctri ) es o., es decir, por qu la
d b co ya no puede empujar ms "
e car ono hacia el extremo catdico de 1 b Y atamos
largo? a arra despus de un tIempo muy
d) A partir de los resultados de b) ) ,
para este sistema en el estado e escnbase una ecuacin diferencial
Respuesta:
Un crisol de cobre se llen con zinc uro Com " ,
te. Se calent a 5000C manten" d 1 P o se muestra en la pagma slguien-
go, se enfri en el se durante 15 horas y, lue-
se puli y atac qumicamente La reg' rf y la superficie
min en un microsco io ti . lOn In e aCIal entre el Cu y el Zn se exa-
reglbn que se muestra la la fotomicrografa a 33 X de esta
188
Difusin
': ..
: " .:,. . .
crisol de cobre
'
Se observaron cuatro intercaras distintas. A la derecha de la intercara 1, el
metal tena el color del Cu, entre las intercaras 1 y 2 el color del latn, y las otras
regiones eran incoloras. Todas las regiones son monofsicas, excepto la que est
a la izquierda de la intercara 4. (Las pequeas manchitas sobre las tres fases de
la derecha de la intercara 3 son picaduras debidas al ataque qumico).
a) Utilizando el diagrama de fases Cu-Zn dado en la pgina 343, identif
quense las fases presentes en las cinco regiones de la foto micrografa anterior.
Dnse suficientes argumentos.
b) Elabrese una grfica de la variacin de la concentracin del zinc desde
el extremo izquierdo hasta el extremo derecho de la foto micrografa anterior.
Indquense todas las concentraciones que se pueden especicar cuantitativamen-
te a partir del diagrama de fases.
CAPTULO 7
Intercaras
Virtualmente todos los metales con los cuales se tiene contacto a diario son po
licristalinos. Los metalurgistas llaman granos a las pequeas regiones cristalinas;
en la mayora de los objetos mtalicos, el tamao promedio de grano vara entre
0.015 Y 0.24 mm. Como se ver en los ltimos captulos, los granos no son mo-
nocristales perfectos, sino que estn divididos en subgranos ms pequeos que
son mono cristales casi perfectos. Los lmites de grano y de subgrano son inter-
caras entre cristales de diferente orientacin. Ya que las propiedades fsicas de
los metales dependen de las propiedades fsicas de estas intercaras, el estudio
de la naturaleza de las intercaras metlicas es muy importante en metalurgia
fsica.
7.1 CLASIFICACION, GEOMETRIA Y ENERGIA DE INTERCARAS
Con el objeto de describir la geometra de los lmites de grano se consideran
primero las redes bidimensionales. La figura 7.1a muestra dos redes que estn
orientadas en cierto ngulo una respecto a otra; ese ngulo se indica como e.
Cuando se juntan estas redes se forma un lmite de grano entre ellas. La figura
7.1b muestra dos caminos diferentes por los cuales se podra formar el lmite,
dependiendo del ngulo entre el lmite y un plano en una de las redes. Est claro
en la figura 7.1 que la especificacin del ngulo entre las redes de estos cristales
bidimensionales, e, no es suficiente para especificar el lmite. Para definir com-
pletamente el lmite, se debe especificar:
l. La orientacin de una red con respecto a la otra, e.
2. La orientacin del lmite con respecto a una red, qJ.
1110
190
(a)
-. "

(b)
Figura 7.1 Un lmite de grano en una red bidimensional.
Intercaras
El lmite puede denominarse como un lmite de dos grados de libertad ya que
puede especificarse con dos ngulos.
Para describir un lmite entre cristales tridimensionales se deben especificar
la orientacin de los cristales, uno respecto a otro, y la orientacin del lmite con
relacin a uno de los cristales. Considrese el cristal mostrado en la figura 7.2a.
Imagnese que este cristal se seccciona por el plano X-Z y que luego se gira la
seccin derecha respecto al eje X para formar un desajuste en la orientacin entre
los dos cristales como se muestra en la figura 7.2b. En general, se puede girar
respecto a cada uno de los tres ejes, X, Y y Z, de modo que para especificar la
orientacin de dos cristales se deben especificar tres ngulos. Ahora considrese
el lmite entre dos cristales de orientacin fija como se muestra en la figura 7 .2b.
En este caso el lmite yace en el plano X-Z. El plano del lmite podra cambriarse
z
z
~ ~
Figura 7.2 Un lmite de grano en una red tridimensional.
Clasificacin, geometria y energlQ de intercaras
191
(a)
(b)
Figura 7.3 Modelos de lmites de grano.
girndolo respecto a X o a Z pero no respecto a Y. De aqu que para especificar la
orientacin de un lmite entre dos cristales se deben especificar dos ngulos. Por
lo tanto, se concluye: El lmite de grano general tiene cinco grados de libertad;
tres grados especifican la orientacin de un grano respecto al otro y dos grados
especifican la orientacin del lmite resp':cto a uno de los granos.
A las intercaras que se forman en los cristales dt:bido a discordancias en la
orientacin entre regiones diferentes del cristal se les denomina lmites de grano.
Existen otras intercaras de inters, las cuales no son lmites de grano, tales como
superficies libres, fallas de apilamiento y lmites de dominios en antifase.
La figura 7.3 muestra dos modelos dife."entes para un lmite de grano. La
figura 7.3a considera que los dos cristales casi perfectos se extienden hasta una
capa delgada de tomos que tiene una estructura amorfa y acta casi como
una capa lmite lquida que separa l o ~ cristales. Este es un viejo modelo de lmite
de grano surgido de las ideas de Beilby al principio de este siglo.
l
Estudios
experimentales recientes indican que los lmites de grano se representan ms cer-
canamente por el modelo de la figura 7.3b. En este modelo los cristales casi
perfectos se extienden uno hasta el otro y se tocan en puntos irregulares. El
lmite contiene tomos que pertenecen a ambos cristales, D, Y tomos que no
pertenecen a ningn cristal, A; contiene zonas de compresin, B, y zonas de ten-
sin, C. En general se piensa que la amplitud de los lmites de grano es bastante
estrecha, de slo unos pocos ngstroms.
Intercaras
192
A. Lmites de ngulo pequeo
Si la discordancia en la orientacin entre los dos cristales es
el lmite entre ellos se llama lmite de ngulo Los de
pequeo muy simples pueden describirse por medIo de arreglos de dislocacIOnes.
La figura 7.4a muestra dos granos puestos en uno otro. Solamente
permite uno de los tres grados de desajuste en la onentacIn, 8 . La estructura
: la figura 7.4a es un esquema idealizado de la regin de En
realidad esta regin se relajar bajo la accin de las altas debIdas .al
desajuste para producir una fIla de dislocaciones borde, espacmdas una dis-
tancia D como se muestra en la figura 7 .4b. De la fIgura 7.4a se ve que deben ser
ciertas las siguientes relaciones
b
sen
b
tan 8=-
f3
(7_1)
A valores pequeos de 8 se tiene a -+ -+ D, y tambin de las ecuaciones 7.1,
8 -+ bla y 8 -+ Desde luego se tiene
(a)
b
8=-
D
(b)
Figura 7.4 Lmite de inclinacin pequea de ngulo pequeo.
(7.2)
Clasificacin, geometria y energz'a ae intercaras 193
Figura 7.5 Campo de deformaciones a lo largo de un lmite de inclinacin pe-
quea.
donde b es el vector de Burgers de las dislocaciones. A este lmite simple se le
llama limite de grano de inclinacin pequea y la ecuacin 7.2 ya ha sido verifi-
cada por experimentacin. El lmite de grano de acomodo simple es un lmite de
un grado de libertad.
La figura 7.5 muestra un arreglo de dislocaciones de borde alineadas para
formar un lmite de acomodo simple. En el captulo 6 se mostr que en este
arreglo las dislocaciones no ejercen una fuerza una contra otra en la direccin del
vector de deslizamiento, de modo que se espera que el arreglo sea estable. En la
figura 7.5 se indica esquemticamente que existe un esfuerzo de compresin
arriba de cada dislocacin y un esfuerzo de tensin abajo de cada dislocacin.
Existen regiones alternantes de tensin y de compresin a lo largo del lmite y
estos esfuerzos tendern a cancelarse unos con otros. Puede demostrarse
2
que
los campos de esfuerzos de las dislocaciones se cancelan esencialmente uno con
otro fuera de un crculo de radio D. Por siguiente, no hay campo de esfuer-
zos de largo alcance producido por el lmite de grano de acomodo simple, de
modo que los cristales alrededor del lmite pueden estar libres de esfuerzos ms
all de la distancia D .
. Ahora considrese la energa de .un lmite de inclinacin pequea. La figura
7.6 muestra tres dislocaciones de borde de un lmite d e grano de inclinacin
pequea espaciadas una distancia D en direccin hacia dentro y hacia fuera de
la pgina. Es posible determinar la energa por unidad de rea de este lmite. El
194
I

1
Intercaras
Figura 7.6 Dislocaciones de borde alineadas en un lmite de inclinacin pequea.
rea sombreada de la figura 7.6 pude imaginarse como un rea "celda unitaria"
para el lmite ya que se genera el lmite completo apilando tales reas juntas.
Desde luego, la energa por rea del lmite puede determinarse a partir de esta
rea. Del captulo 4 se tiene para la energa por unidad de longitud de las
locaciones
Gb
2
ln..!.+C
E 41T{1- v) ro
(7.3)
La energa del rea celda unitaria es simplemente E 1, donde E es la energa por
unidad de longitud de la. dislocacin que bordea esta rea. Desde luego, la
energa por unidad de rea del lmite es:
E9.=El=E (7.4)
lD D
Combinando las ecuaciones 7.2 y 7.3 con la ecuacin 7.4 se tiene
E = Gb6
9. 41T(1-v) ro b
(7.5)
Se toma, = D ya que el campo de esfuerzos se cancela ms all de la distaIlCia
D, y tambin se escoge en forma algo arbitraria,o =b. Se obtiene entonces por
lgebra
E9. = E0 8[A -In 8] . (7.6)
Clasificacin, geomtria y energza de intercaras
195
10-20
9
Figura 7.7 Energa del lmite de grano predicha contra ngulo de inclinacin pe-
quea.
donde Eo = Gbj41T(1 - v) y A = C41T(1 - v)jGb
2
En la referencia 3 se puede
hallar una derivacin ms satisfactoria de esta ecuacin. Esta ecuacin se grafica
esquemticamente en la figura 7.7. Se esperara que esta ecuacin fuese vlida
para valores pequelos de (J (2 - 3) ya que a) se supuso 8 pequelo para tomar
el seno como su argumento y b) a 8 grande los valores de D se hacen pequelos,
vase la ecuacin 7.2, de modo que la ecuacin 7.3 no puede aplicarse puesto
que, se aproxima a ro.
Hay un segundo tipo de lmite de grano simple, el cual se describe con dis-
locaciones. La figura 7.8a muestra una barra monocristJlina que ha sido cortada
(a)
(h)
Figura 7.8 El lmite torcido de ngulo pequeo.
Ifmite girado un
ngulo 6
196 lntercaras
a lo largo de una cllra. Ahora se gira la mitad interior de la barra respecto al eje
Z por una cantidad e , formando as un lmite de grano como se muestra en la
figura 7.8b. Este lmite se llama lmite torcido y tambin es de un grado de li-
bertad. Se puede demostrar que el lmite torcido se describe con un modelo de
dislocaciones consistente en una rejilla cuadrada de dislocaciones de tornillo
cruzadas.
z
,3 El lmite torcido es el lmite de grano de dislocaciones de tomi-
llo ms simple, mientras que el lmite de inclinacin pequea es el lmite de gra-
no de dislocaciones de borde ms simple.
El examen del lmite de inclinacin pequea de la fIgura 7.4 revela que el
lmite es un plano espejo entre los dos cristales. Si el plano del lmite es simple-
mente girado fuera de esta posicin de simetra se forma un lmite de inclinacin
pequea de dos grados de libertad. Un lmite as puede todava describirse por
un arreglo de dislocaciones.
z
,3 Sin embargo, si el lmite se hace mucho ms com-
plejo, es extremadamente difcil describirlo con modelos de dislocaciones y en
general se hace referencia a estos lmites ms complejos con un modelo no espe-
cfico tal como el de la figura 7 .3b. Los lmites de grano se clasifican a menudo
por un esquema que se da en forrna burda como sigue:
Lmites de ngulo pequeo
Lmites de ngulo medio
Lmites de ngulo grande
e =0-+-3a 10
e =3a 10-+-15
8 = ISO-+-
donde se hace referencia a lmites de un grado de hbertad, y e es el ngulo de
desajuste.
Existe cierto nmero de mtodos para la medicin de las energas de lmites
de grano. Estos mtodos se describen en la referencia 1 y no se tratarn aqu.
Los resultados de tales estudios se muestran en la figura 7.9 para un lmite de un
grado de libertad. Vale la pena enfatizar tres puntos respecto a este resultildo.
N
E
1
IQ

- 5_00-_6_00 _____ .-----------....... ---
Ea = EoO[A - In O]
o 20 40
O
Figura 7.9 Variacin experimental de la energa dellfmite de grano con el ngulo
de inclinacin pequea.
Clasificacin, geometria y energia de intercaras
197
,
l. La frmula de ngulo pequeo, ecuacin 7.6, da el modelo apropiado (la
forma) de la curva EB contra e hasta valores de 15 20 S' b
- . ID em argo,
no da valores absolutos correctos de Eo Y A cuando se ajusta a los
datos mas all de 5 - 6.
2. Las energas de los lmites de grano de ngulo grande son aproximada-
mente constantes y de valores de 500-600 erg/cmz .
3. En los met,ales policristalinos ms del 90% de todos los lmites de gra-
son angula alto ya que la probabilidad de que los tres ngulos de
sean bajos es muy pequea. Por consiguiente, la energa del
hmlte de grano en los metales policristalinos puede tomarse como cons-
tante alrededor de 500-600 ergs/cm
2

B. Lmites coherentes
Este. es el nombre para un tipo especial de lmite que tiene que ver con el rada
de ajuste de las redes a travs del lmite. La figura 7.1 O ilustra un lmite co g le-
tamente coherente. Hay un apareamiento uno a uno de los planos de la
lmite. Esto produce deformaciones en la red, generalmente alre;:do:
del hmlte, donde los planos de la red deben "dobl" d
. t arse para ar este aparea-
mlen o uno a uno. En un lmite incoherente no hay regularidad de a areamien-
!o :e planos de la red. a travs del lmite. Los lmites incoherentes !n lmites
e ngulo alto. En la fIgura 7.11 se muestra un lmite parcialmente coherente o
red J3
Figura 7.10 Un lmite de grallO coherente.
[001)
L
[010)
red (J
red a
.... 1""'<E-----D/2
Figura 7.11 Un limite de grano parcialmente coherente.
198 In terca ras
Figura 7.12 Regiones de coherencia A y de no coherencia B en un lmite parcial-
mente coherente.
lmite Aqu se muestran dos redes cbicas tocndose en sus
pectivos planos (001). Los parmetros de la red se toman de que aa >:ap.
Por lo tanto, se produce un efecto similar a un calibrador vernIer. Para e? eJem
plo de la figura 7.11 se produce un apareamiento de red cada seIS e.spa
ciamientos de la red (3. Ntese tambin que cada seis espactarnlentos se obtIene
un plano (3 situado directamente entre los dos planos a inferiores. En los
reales, los lmites se relajan bajo la accin de las fuerzas que hay entre los
de las posiciones de las lneas interrumpidas, en la figura 7.11, Y esto da una dIslo-
cacin de borde en el punto donde el plano (3 se sita simtricamente entre dos
planos a. De aqu que las dislocaciones de borde se obtienen con
un espaciamiento D, que para este ejemplo es D = 6. Por se
considerar un lmite semicoherente como consistente de reglones de coherencIa,
A, y regiones de no correspondencia, B, como se muestra en la figura 7.12. Un
trmino llamado la discrepancia, 5, puede definirse como

8=---,
a..
(7.7)
Es un ejercicio geomtrico simple demostrar que el espaciamiento entre las dis-
locaciones, D, est relacionado con la discrepancia de esta menera

8
(7.8)
Cuando D se hace suficientemente pequeo se obtiene discrepancia completa a
travs del lmite y, por lo tanto, un lmite incoherente.
C. Lmites de macla
Los lmites de macla son quiz los ms simples de todos los lmites de grano. Los
lmites de macla se pueden clasificar ya sea como coherentes o como parcialmen-
te coherentes. La figura 7.13a ilustra un lmite de macla coherente. Ntese que
el lmite de macla es un plano de simetra, un plano espejo. Se obtiene completa
coherencia en el lmite sin ninguna deformacin de las redes debido a que en es-
tos lmites especiales se obtiene en forma natural una per:ecta
de las redes. Si el plano del lmite de macla se gira fuera del plano de se-
gn se muestra en la figura 7.13b, se obtiene un lmite de macla parclalmente
coherente (llamado usualmente una macla no coherente). En la fig1lra 7.13b
Clasificacin, geometr'a y energ'a de intercaras
199
(a)
(h)
Figura 7.13 a) Un lmite de macla coherente. b) Un lmite de macla parcialmen-
te coherente.
se puede ver la discrepancia del lmite est dada por 5 = (al - a2)/al, la
cual es una funCIn del ngulo cf>. Este es un ejemplo de lmite con dos grados
de libertad.
D. Energa de intercaras
La energa de intercaras es una medida de la energa por unidad de rea de la re-
de la intercara menos la energa por unidad de rea de esa regin sin una
mtercara; o sea que la energa se define con relacin a una red perfecta. Fre-
cuentemente es til considerar la energa de intercaras como dividida en dos
formas, energa de deformacin elstica y energa qumica. La figura 7.14 mues-
tra una Curva hipottica de energa contra distancia para un tomo dentro de
una red cristalina, donde las posiciones S, son los sitios reticulares. Cuando un
tomo es desplazado de su sitio reticular por alguna fuerza ( o esfuerzo), se pro-
duce energa d: como se muestra en B en la figura 7.14. En el cap-
tulo 4 se mostro, ecuaClOn 4.2, que esta energa est dada por unidad de volumen
como 1/2u para esfuerzos uniaxiales. La energa qumica se muestra en la figura
7.14 como A. Puede imaginarse que esta ene:-ga resulta de enlaces qumicos no
deformados, y su magnitud depende del nmero y resistencia de estos enlaces.
Considrese ahora la intercara semicoherente de la figura 7.12. En las regiones A
se requieren desplazamientos atmicos con el objeto de producir coherencia, vase
200
Intercaras
posicin
Figura 7.14 Reparticin de energa qumica A Y energa de deformacin B.
la figura 7.11, de modo que aqu la energa interfacial es principalmente energa
de deformacin. Sin embargo, en las regiones B el nmero y la resistencia de los
enlaces qumicos con relacin a una red perfecta son afectados en los ncleos de
las dislocaciones, as que aqu la energa es principalmente qumica. Se puede re-
sumir la particin de energas en las intercaras segn la tabla 7.1. La energa
de deformacin del lmite coherente es grande debido a los desplazamientos
atmicos requeridos para el apareamiento uno a uno de la red. La energa qu-
mica del lmite de ngulo alto es grande ya que el nmero y resistencia de los
enlaces qumicos para un. tomo en el lmite son bastante diferentes de aque-
llos para un tomo que no pertenezca al lmite.
Es posible preguntar: un lmite de ngulo alto o un lmite coherente seran
ms efectivos para detener el movimiento de una dislocacin? Para detener una
Tabla 7.1 Districucin de energa para varios tipos de lmite de grano.
Tipo de intercara
Lmite de grano coherente
Falla de apilamiento y
lmite de macla coherente
Lmites de ngulo alto
E de deformacin E qumica
Alta
o
Baja
Baja
Baja
Alta
Tensin superficial y energa libre superficial de intercaras 201
dislocacin, est debe sentir una fuerza que retarde su movimiento. En el cap-
tulo 4 se demostr que los campos de esfuerzos en el cristal producen fuerzas
sobre las dislocaciones, ecuacin 4.1 O. El campo de esfuerzos del lmite coheren-
te debe ser suficiente para detener dislocaciones ya que la energa de deforma-
cin para este lmite es grande. Sin embargo, la energa de deformacin de los
lmites de ngulo alto es muy pequea, por consiguiente, estos lmites ejercern
poca fuerza sobre las dislocaciones que se deslizan entre ellos.
7.2 TENSION SUPERFICIAL y ENERGIA LIBRE SUPERFICIAL DE
INTERCARAS
Hay tres cantidades relacionadas que se pueden definir para cualquier intercara,
a saber: la tensin superficial, la energa libre superficial y el esfuerzo superfi-
cial. Se estudiar ahora cada una de ellas.
1. Tensin superficial, 'Y: el trabajo necesario para formar (crear) un rea
unitaria de superficie nueva a T, V Y JJ. constantes,
'Y =
(7.9)
Resulta evidente de esta definicin de tensin superficial que sta se relacio-
m con la energa asociada con los enlaces qumicos que deben romperse para
generar la superficie. Como una aproximacin se puede escribir:
_ [ No. de enlaces qumicos rotos ]
'Y - unidad de rea de superficie formada
. energa/enlace
A manera de ejemplo tmese una red cbica simple y considrense slo los enla-
ces entre los tomos vecinos ms prximos. La figura 7.15 muestra la situacin
de una superficie (001) y una (011) en este cristal. Se ve que la distancia entre
los enlaces a lo largo de la superficie (001) es a, mientras que en la superficie
(011) es de solamente 0.707 a. Por 10 tanto, el nmero de enlaces por unidad
de rea es ms alto a lo largo del (011) de modo que se tiene 'Yo 11 > 'YOO 1
De esta discusin se obtienen dos conclusiones importantes:
r
l. La tensin superficial en un cristal es anisotrpica.
2. Generalmente los planos de ms alta densidad atmica tienen los valores
de 'Y ms bajos.
Algunas veces es conveniente presentar una grfica polar de la tensin super-
ficial como se muestra en la figura 7.16 para un plano (lOO) de la red cbica
simple. En esta grfica el vector radio es igual a la magnitud de la tensin super-
ficial en el plano del cristal perpendicular al vector radio. Los planos de bajo
202
lntercaras
/"-

/// I
// 1--;;7
L / / --.::::: --=--f;=r=l>/rrt;'" 100'1
1
I
I
ti





......
/,;5
I
I
I
I
)
/.,/'
-;/ / superficie (O 111
Figura 7.15 Diagrama que ilustra los enlaces a traves de planos (hkl) diferentes.
[001]
________ + _____
Figura 7.16 Grfica de Wulff.
ndice tienen tensiones superficiales mucho ms pequeas y las grficas mues-
tran una discontinuidad en estos planos, usualmente llamados cspides; vase
la figura 7 .16. Este tipo de grfica polar a menudo se llama grfica de Wulff y
puede utilizarse para determinar las formas de equilibrio de las supelficies.
4
Tensin superficial y energza libre superficial de intercaras 203
2. Energa libre superficial: El cambio en la energa libre de Helmholtz
del sistema por unidad de rea de intercara generada, dA I IdA. Aqu se usa A
para la energa libre de Helmholtz con el fin de distinguirla del rea interfacial,
A. En la referencia 4 se demostr que la relacin entre la tensin superficial, r,
y la energa libre superficial para metales puros est dada por
y para aleaciones por
dA
r= dA
a V, Ty deformacin
(7.10)
(7.11)
donde i se refiere a todos los componentes constantes de la aleacin. La cantidad
dn/dA se refiere a un cambio en el nmero de tomos del componente i en los
granos debido a un cambio en el rea A del lmite de grano. Las ecuaciones 7.1 O
Y 7.11 demuestran que la tensin superficial es igual a la energa libre superfi-
cial en metales puros pero no en aleaciones.
3. Esfuerzo superficial: El trabajo necesario para deformar (extender) una
superficie.
En relacin con la figura 4.25 se hizo notar que para describir el estado
de esfuerzos en un material se deben especificar tres componentes del esfuer-
zo que son normales y tres componentes cortantes. De la misma manera, para
describir el estado de esfuerzos sobre una superficie en general, se deben especi-
ficar dos componentes de esfuerzo normales, fxx y f yy y una componente de
esfuerzo cortante, fxy. En la referencia 4 se demostr que la relacin entre es-
tos componentes de esfuerzo superficial y la tensin superficial est dada por
{xx = r + dr/dxx, fyy = r + dr/dyy y fxy = drldxy, en donde xx Y yy son
las componentes de la deformacin normal y xy es la componente de la defor-
macin cortante. Si los trminos dr/dij son cero, entonces el esfuerzo superfi-
cial es igual a la tensin superficial. Tal condicin requiere que r no cambie con
la extensin de la superficie. Como se not antes, r est relacionada con la re
sistencia de los enlaces qumicos de los tomos de la superficie. Desde luego, si
estos tomos pueden retener la misma configuracin superficial por migracin
conforme se extiende la superficie, dr/dij ser cero, y se tendr r = f. Esta igual-
dad de tensin superficial y esfuerzo superficial generalmente es vlida en lquidos,
pero en slidos nicamente 10 es para procesos que ocurren a altas temperaturas
a velocidades relativamente lentas.
Aunque hay una distincin entre tensin superficial y esfuerzo superficial
en slidos, como se hizo notar aqu, la diferencia en magnitud es generalmente
pequea y se har poca mencin posterior de esfuerzo superficial; aqu se ha
mencionado principalmente por razones de perfeccin.
204 Intercaras
A. Formas de equilibrio de superficies
Es sabido en termodinmica que en el equilibrio la energa libre de Helmholtz
para un sistema ms la de sus alrededores ser mnima para procesos que ocurran
a volumen y temperatura constantes. Considrese una barra de metal que contie-
ne un lmite de grano simple separando dos granos como se muestra en la figura
7 .17a. La regin alrededor del lmite de grano mostrada se considera como el
sistema y la parte restante de la barra se toma como los alrededores. Ahora ima-
gnese que el lmite de grano gira hasta la posicin mostrada en la figura 7.17b.
El cambio en la energla libre de Helmholtz que acompaa este proceso puede
escribirse a partir de la ecuacin 7.11 como
(dA') sist = 'Y dA + IJ-(dn)sist (7.12)
i
donde dA es el cambio del rea del lmite de grano, Jl.t es el potencial qumico de
los componentes y (dn)slst es el nmero de tomos que cruzan el lmite del sis-
tema debido a este proceso. Como se ver despus, los tomos de soluto tienden
frecuentemente a absorberse en los lmites de grano, de modo que cuando dis-
minuye el rea del lmite puede provocarse que los tomos de soluto se muevan
hacia los alrededores. El cambio correspondiente en la energa libre de Helmholtz
para los alrededores es
(7.13)
el trmino 'YdA tiene un valor de cero ya que los alrededores no contienen lmi
tes. Puesto que todos los tomos que dejan el sistema debido al cambio de rea
deben ir a los alrededores se tiene (dn)sist = - (dn)a1r' Utilizando esta relacin
se obtiene por adicin de las ecuaciones 7.12 Y 7.13
(dA')total = (dA')sist + (dA')a1r = 'Y dA (7.14)
Utilizando el principio para el equilibrio termodinmico establecido antes se
llega a la siguiente ecuacin de equilibrio,
Equilibrio = 'YdA mnimo en el sistema
= .[ J 'Y dA mnimo (7.15)
rea slst
contorno 11
~ ~
Figura 7.17 Rotacin de un lmite de grano entre dos cristales.
Tensin superficlal y energz'a libre sl,lperficial de intercaras
205
grano 2
Figura 7.18 Un desplazamiento diferencial de una conjuncin tripolar desde O
hasta P.
Este es un resultado muy importante, pues demuestra que la funcin 'YdA puede
ser imaginada como un potencial termodinmico que debe ser un mnimo para
el sistema en equilibrio. Cuando 'Y es una constante la funcin es nicamente 'YA
y por simplicidad se har referencia a este potencial termodinmico como 'YA.
Debido a que hay un inters particular en la forma de los lmites de grano
en los metales, se mostrarn ahora las restricciones que impone el resultado an-
terior sobre la conjuncin grano-lmite. Considrense los tres granos que se
encuentran en la unin comn O mostrada en la figura 7.18. Las tensiones super-
ficiales' de los lmites de grano entre los tres granos son todas diferentes y se in-
dican como 'Yl ,'Y2 Y'Y3 en la figura 7.18. La conjuncin de los tres granos en O
se llama unin tripolar y se desea determinar su configuracin de equilibrio. Para
proceder a ello se calcula el cambio en el potencial termodinmico, 'YA, de este
sistema para un cambio diferencial en la configuracin geomtrica, y enseguida
se iguala este a cero para determinar el valor mnimo de ')'A. Especficamente,
cul es el cambio en 'YA de este sistema cuando la conjuncin tripolar sufre un
desplazamiento infinitesimal desde O hasta P? Con la conjuncin en O y conside-
rando una longitud unitaria de la conjuncin normal a la pgina, se tiene
'YA(conj. en O) =')'1 00: +')'2 O{3 +')'3 08
(7.16)
206 Intercaras
Cuando la conjuncin se mueve desde O hasta P los lmites de grano entre los
granos 1 y 2 Y entre 1 y 3 girarn con respecto a los granos y consiguientemente
'}'2 y '}'3 cambiarn. Se puede considerar esto escribiendo el cambio de '}'3, por
ejemplo, como (3'}'3 /3Ol3 )dOl3' Por consiguiente se tiene para la conjuncin en P
'}'A(Conj. en P) = '}'1 . Pa+ ['}'2+ da2 + dOl3 ]P8 (7.17)
Tomando la diferencia entre las ecuaciones 7.17 Y 7.16 se tiene
0'}'2 da
oa2 2
01'3 d
+'Y3(P8-08)+P8;- a3
UOl3
En el lmite de un desplazamiento infmitesimal se puede escribir
1.
2. P8-08=-OC=-OPcos a3
3. da2=OPsena2
4. PC=P8 da3=OP sen a3
(7.18)
(7.19)
donde las relaciones 1 y 2 se obtienen por simple geometra y las relaciones 3
y 4 se siguen de la ecuacin para longitudes de arco, dS = Rd 8. Substituyendo
las ecuaciones 7.19 por la ecuacin 7.18 e igualando a cero se obtiene la siguien-
te ecuacin fundamental, la cual fue presentada primero por Herring
5
,6
(7.20)
El equilibrio termodinmico se obtiene en una conjuncin tripolar solamente
cuando se satisface la ecuacin 7.20. Ahora se enfatizan tres puntos concernien-
tes a esta ecuacin.
1. Los trminos (3'}'i/3Oli) sen Oli se llaman trminos torque. Dependen de la
variacin de '}' con la orientacin del lmite y, por lo tanto, tendrn un
valor de cero cuando '}' es isotrpica como por ejemplo, en sistemas de
lquidos.
2. Cuando los trminos torque valen cero, la ecuacin 7.20 se reduce a la
forma
(7.21)
La figura 7.19 muestra un "balance de tensin superficial" , el cual
familiar desde los cursos de fisicoqumica. Aqu se consideran las tensIO-
nes superficiales como una fuerza por unidad de longitud a la
conjuncin de lmites en O, y se ve que un balance de fuerzas SImple en
Tensin superficial y energia libre superficial de intercaras
207
o
1'3
Figura 7.19 Un balance de fuerzas de tensin superficial.
la direccin '}'1, da la ecuacin 7.21. En este punto se concluye: si los
trminos torque valen cero o son suficientemente pequeos, el equilibrio
se describe por un balance de fuerzas en la triconjuncin utilizando la
tensin superficial como la magnitud de la fuerza y los lmites como las
direcciones de los vectores fuerza.
3. Muchos libros de texto presentan el balance de la triconjuncin con la
nomenclatura de la figura 7.20, que tiene algunas ventajas obvias. Utili-
zando esta nomenclatura, la ecuacin 7.20 viene a ser
'}'12+'}'23 cos 813 + '}'13 cos 823 - 0')'23 sen 8
23
- 0'}'13 sen 6
13
= O (7.22)
0023 06
13
Tambin, si se desprecian los trminos torque puede demostrarse a partir
de un simple "balance de f'uerzas de tensin superficial" que

sen 612 sen 613 sen 623
(7.23)
Es posible estimar la magnitud de la tensin superficial a partir de la energa del
lmite. En la figura 7.9 se ha visto la magnitud de la energa del lmite de
3
1'23
2
1',2
Figura 7.20 Nomenclatura alternativa utilizada para conjunciones tripolares.
208
Tabla 7.2 Energa de lmites de macla coherentes y
parcialmente coherentes.
Metal
Cu
Fe
Coherente
25 ergs/cm
2
190 ergs/cm
2
Parcialmente coherente
440 ergs/cm
2
705 ergs/cm
2
Intercaras
grano es esencialmente constante para lmites de ngulo alto. Por lo tanto, para
lmites de ngulo alto se espera que haya poco cambio en la energa del lmite
conforme gira el plano del lmite, de modo que los trminos torque sern esen-
cialmente cero. Puesto que, como se anot antes, ms del 90% de los lmites
sern lmites de ngulo alto en metales policristalinos, los trminos torque sern
frecuentemente despreciables. En algunos casos, sin embargo, los trminos tor-
que pueden ser bastante importantes. La figura 7.13 muestra un lmite de macIa
coherente y otro parcialmente coherente. La tabla 7.2 proporciona algunos da-
tos para las energas de estos lmites. SI se graficara la energa del lmite como
una funcin del ngulo t/J mostrado en la figura 7.13; se obtendra una grfica
como la de la figura 7.21. Puede verse que el trmino torque para el lmite de
macla coherente, i}-y/at/J, es muy alto. Cuando un lmite de macla coherente gira
fuera del plano de simetra experimentar una fuerza que tiende a girarlo de
regreso y los trminos torque de las ecuaciones 7.20 Y 7.22 responden por esta
fuerza. Quedar cIaro que cualquier orientacin del lmite que produzca una
cspide en la grfica de 'Y tendr fuertes trminos torque. El lmite de macIa co-
herente y el lmite de grano de inclinacin pequea son dos ejemplos.
Figura 7.21 Variacin de la energa del lmite de macla con la rotaci6n dell-
mite.
Tensin superficial y energa libre superficial de intercaras 209
Otra aplicacin importante de la minimizacin del potencial termodinmi-
.rA, en el equilibrio, se relaciona con la naturaleza de la conjuncin de los
hmItes de grano en los bordes. El problema 7.4 muestra cuatro granos que se
en. un borde comn. Por un leve movimiento de los lmites esta con-
jUnCIOn cuadnpolar se romper en dos conjunciones tripolares. En este problema
se demuestra que el potencial termodinmico disminuye por este proceso. Por
lo tanto, se el qmy interesante resultado de que los bordes de grano son de
tres rayas (tnpolares) en el equilibrio. El examen de cualquier microestructura
policristalina revela que los bordes son virtualmente siempre de tres ravas. Las
burbujas presentan un excelente modelo de lmites de grano. Observando- las bur-
bujas de jabn, las burbujas en un bibern o las burbujas en un vaso de cerveza
se puede aprender mucho acerca de intercaras. C.S. Smith
7
describe un modelo
de burbujas de jabn simple que puede construirse fcilmente. La figura 7.22
presenta una secuencia de estas formas de burbuja conforme ocurre su creci-
Ntese que de la figura 7.22a a la 7.22b se juntaron dos conjunciones
tnpolares .a lo de. una direccin horizontal y luego se separaron a lo largo
de una drrecclOn vertIcal. Cuando se encontraron dos conjunciones tripolares
formaron una conjuncin cuadripolarJ Al observar esto se ve que inmediatamen-
te: tras esta cuadripolar se descompone en dos conjunciones
tnpolares, Ilustrando se aSI que las conj,unciones de cuatro rayas son inestables.
B. Presencia de una segunda fase
Sup.ngase que se mezclara una pequea cantidad de plomo en un bao de nquel
fundIdo y que la masa fundida se enfra a 350C. La solubilidad del Pb en el Ni
'(IIJ (b)
7.22 del lmite durante el crecimirnto de burbujas. [Reprodu-
CIdo con perm1Sode la referencia 10, American Society for Metals (1952).
210
Intercaras
es despreciable y a 350C el Pb estara presente como lquido dentro de la rea
de Ni policristalina. En la figura 7.23 se muestra que hay esencialmente cuatro
tipos de localizaciones dentro del Ni policristalino en las cuales se podra situar
el Pb. En esta figura se consideran ocho granos cbicos adyacentes del Ni y n-
tese que el Pb podra situarse en 1) una esquina de los granos, 2) una arista entre
cuatro granos, 3) una cara entre dos granos o 4) dentro del volumen de un grano.
El problema 7.4 ilustra que es termodinmicamente inestable la unin de ms
de tres granos en una arista comn. De aqu que la figura 7.23 es hipottica y se
usa solamente por su simplicidad con el objeto de ilustrar los cuatro tipos de
localizaciones. Considrese ahora la forma de equilibrio de la segunda fase, cuan-
do sta existe en cada una de estas cuatro localizaciones.
1. Volumen. Considrese un pequeo volumen de Pb dentro del volumen de un
grano y hgase la pregunta: cul es la forma esperada de este Pb? Si se despre-
cia la variacin de la tensin superficial entre el Pb y el Ni (una tensin superfi-
cial slido-lquido) con la orientacin del cristal, se ve que para minimizar 'YA
se debe minimizar A. Ya que la esfera tiene la mnima rea superficial por unidad
de volumen se espera que el Pb exista como esferas dentro de los granos. Si se
considera la variacin de 'Y con la orientacin, entonces se espera que el Pb tenga
la forma de un poliedro cuyas caras estn compuestas de los planos que tienen
bajos valores de 'Y, esto es, planos de bajo ndice; Este tipo de efecto se observa
en el revestimiento de acero inoxidable de los elementos combustibles de los
reactores nucleares. El flujo de neutrones en el reactor hace que se formen vacos
en el acero inoxidable y estos vacos tienen la forma de poliedros unidos princi-
palmente por los planos (111) y (100). Existen disponibles bellsimas fotografas
de microscopio electrntco oe estos vacos.
8
Cuando la segunda fase es un lqui-
do tambin se ha observado que la forma es polidrica ms bien que esfrica.
9
Estos ejemplos ilustran la anisotropa en la 'Y slido-vapor y en la 'Y slido-lqui-
do, respectivamente.
cara
esquina
borde
Figura 7.23 Localizacin de una segunda fase en una estructura de grano.
Tensin superficial y energa libre superficial de in tercaras 211
2. Caras. Si el Pb entrase en un lmite de grano podra aparecer tal como se
muestra en la figura 7.24a. Si se construye un plano perpendicular a la arista
de la figura 7.24a, se obtiene una vista de seccin transversal COmo la mostra-
da en la figura 7 .24b. Quedar claro que el punto marcado "arista" en la figu-
ra 7.24b es una conjuncin tripolar y se le puede aplicar la ecuacin 7.20. Se
despreciarn los trminos torque y se dibujar el balance de fuerzas de tensin
superficial para el caso de una segunda fase, (3, en un lmite de grano a - a como
en la figura 7.25. Al ngulo que forma la segunda fase entre los dos granos a,
marcado o en la figura 7.25, se le llama frecuentemente ngulo diedro. Pu:sto
que los vectores de tensin superficial que actan a la izquierda son idnticos,
'Yal3> a pltrtir de un balance de fuerzas de la figura 7.25 se obtiene
bor1e

'Yau = 2'Y"/3 cos"2
lmite de
grano
limite de
grano
(7.24)
~ r borde
(b)
Figura 7.24 Dos visitas de una segunda fase localizada en una cara de grano.
'YaIJ
a
'Y.. a
'YaIJ
Figura 7.25 Un balance de fuerzas de tensin superficial definiendo el ngulo
diedro 6
212 Intercaras
2.5
2.0
1.5
"Iafj
"10.0.
1.0
0.5
o
Figura 7.26 de la ecuacin 7.24.
En la figura 7.26 se presenta una grfica de esta ecuacin. Se ve que cuando
'Yo<o< = 'Y0<(1 el ngulo diedro S es de 120. Esta relacin sera vlida para mate-
riales monofsicos, lo cual significa que en aleaciones monofsicas los tres ngu-
los de una triconjuncin seran de 120
0
Usando un modelo de burbujas de jabn
como el que se describi antes se demuestra rpidamente que este arreglo angu
lar se obtiene en una arista que est entre tres burbujas.
En la figura 7.26 es posible ver que las siguientes condiciones son vlidas,
y para los dos casos se tiene
'Yap 'Yaa S -+ 180
0
'Yaf3:50.5'Yaa S -+ O
"sin humectacin"
"humectacin total"
La apariencia fsica de una, fase atrapada, ya sea en un lmite o en una arista,
para cada uno de los tres casos anteriores se muestra en la figura 7.27. En estos
esquemas es posible ver que la forma de la segunda fase est determinada en gran
parte por el ngulo diedro. Cuando l) = 180
0
la segunda .fase permanecer esf-
rica en una u otra localizacin. 'Esta condicin se denomina sin humectacin. Es
similar al caso en que una gota de agua forma una burbuja casi esfrica sobre un
automvil,recientemente encerado. Para este caso de una gota de lquido sobre
una superficie slida se tiene un balance de tensiones superficiales similar al de la
figura 7.25, segn se muestra en la figura 7.28. El ngulo diedro l) se defme como
se muestra y cuando es de 180
0
la gota de lquido se convierte en una esfera
Tensin superficial y energa libre superficial de in tercaras
213
oc
oc
oc
,.".-.-
ex
oc
ex
,.,,..-----
oc
oc oc
6 = O ?Z2?l7ZZZZ7Z (j 2ZZZZZ1mZ
oc
oc
limite
borde
Figura 7.27 La forma de una segunda fase para tres ngulos diedros diferentes
en un limite de grano y un borde de grano.
(despreciando la distorsin debida a la gravedad). Ntese que para una gota de
lquido sobre un slido el balance de tensiones superficiales viene a ser
'Ysv = 'YSL + 'YL V COS S (7.25)
y la condicin de no impregnacin es 'YSL ;;;a. 'Ysv + 'YL v
Para el caso en que o = O, la segunda fase "humedece" al lmite de grano, lo
cual significa que es jalado a lo largo del lmite de grano por fuerzas capilares
segn se muestra en la figura 7.27 Y la superficie del lmite de grano completa
vapor
'YLV
slido 'YSL 'YSV
Figura 7.28 El balance de fuerzas de tensin superficial definiendo el ngulo
diedro l) para una gota de lquido sobre una superficie.
214 Intercaras
queda cubierta por una capa delgada de la segunda fase. Si esta segunda fase es
lquida el metal base perder toda su resistencia y simplemente se separar. Este
fenmeno puede ilustrarse muy bien colocando una pequea pieza del metal
galio sobre una placa de aluminio. Un calentamiento alrededor de 50-100't har
que se funda el galio y penetre en los lmites de grano si se rasga la intercara
Ga-AI para romper la pelcula de Alz03 que tiene el Al. La placa de Al se rompe
entonces fcilmente y si el tamao de grano es grande se remueven granos indi-
viduales de Al.
Par1 el ejemplo de una gota de lquido como el agua sobre una superficie,
hay humectacin completa cuando la gota se dispersa libremente sobre el slido.
En la ecuacin 7.25 se puede ver que esto corresponde a la condicin
(7.26)
3. Arista y esquina. Este caso se analiza considerando lo que sucede cuando una
segunda fase empieza a penetrar a lo largo del borde de los tres granos segn se
muestra en la figura 7.29a. Imagnese que la fase {3 sube a lo largo de la arista y
que en la punta superior se tiene una esquina entre tres granos a y un grano (3.
Imagnese que hay una tensin de borde, la cual se extiende a lo largo de cada
borde. Por .lo tanto, se tienen cuatro vectores de tensin de borde extendindose
hacia fuera desde la esquina a lo largo de cada una de las cuatro aristas segn
se muestra en la figura 1.29b y estas tensiones deben balancearse en la esquina
para obtener el equilibrio. Ya que los tres vectores de tensin de borde "10<0<13
son iguales, los tres ngulos marcados X son iguales. La localizacin del ngulo
diedro l) se muestra en la figura 7 .29b. Estar claro que conforme X disminuye
el ngulo l) debe disminuir tambin, as que se espera alguna relacin funcional
entre X y l). Dentro de las anteriores limitaciones se demuestra por simple geo-
metra que las siguientes ecuaciones deben ser vlidas en la esquina:
X 1
cos 2 2 sen (8/2)
(7.27)
1
cos (180- Y) .fj tan (8/2)
(7.28)
En la fIgUra 7.30 se presenta una grfica de estas dos ecuaciones. Para ayudar a
ilustrar el significado fsico de estas dos ecuaciones, se presentan las figuras 7.31
Y 7.32 del trabajo de C.S. Smith.
1o
Se considerar la figura 7.30 para valores
especficos del ngulo diedro.
1. l). = 180. Aqu X = 120 e Y = 90 de modo que la fase {3 se hace esf-
rica, lo cual corresponde al resultado obtenido antes.
2. l) = 120. Aqu X = Y = 109.5 de modo que los bordes se proyectan
desde la esquina a ngulos iguales en forma similar a los cuatro enlaces
de los enlaces tetradricos simtricos de los grupos Si0
4
La forma del
grano {3 resultante se ilustra en las esquinas de la figura 7 .31a.
Tens'n superficial y energa libre superficial de in tercaras 215
"Yaaa
(h)
Figura 7.29 Vista tridimensional de una segunda fase movindose por un borde
de grano.
180
U)
-E 120
o
.D

90

:;
'"
e
"" 60
30
OL-________ ________ ________ ________
60 90 120
ngulo diedro,
150
Figura 7.30 Grficas de las ecuaciones 7.27 y 7.28.
180
216
[ntercaras
Figura 7.31 Apariencia de una segunda fase en los bordes y esquinas de granos.
[De C. S. Smith, Trans. Met. Soco AIME 175,15 (948).]
Tensin superfIcial y energia libre superficial de in cercaras 217
3. S = 60. Aqu Y = 180 Y X -7 O. En la figura 7.31b puede verse que en
este caso la fase {3 penetrar a lo largo de los bordes de los granos y se ha-
llar presente una "red esque\eto" de la fase {3 a travs de la estructura.
La figura 7.32b muestra una microestructura bajo esta condicin. Ntese
que a partir de una estructura pidimensional no resulta del todo obvio que
la fase {3 est formando una red esqueleto tridimensional e interconec-
tada. Tal red sera en detrimento de las propiedades mecnicas de la
aleacin.
4. S = O. Cuando {) -7 O la fase (3 se dispersa a lo largo de las caras de los l-
mites de grano. Bajo estas condiciones aparecer una microestructura
bidimensional como en la figura 7.32c.
Se ha examinado la forma de la segunda fase en los cuatro tipos de localiza-
ciones, volumen, cara, arista y esquina, pero no se ha dicho en cul de estas 10-
.. -.J ,

..

t
,
*'
," I
.!
,
o.
I
j'
...
~
,,-
'"
,.,
ti
I//J-
. < ~
\


.1
. , , /
:" .. f/. J.:.
,
.
"',
o'
,.1
(b)
; '.- ,
Figura 7.32 microestructura de aleaciones de cobre que contienen una segun-
da fase lquida. El ngulo diedro del lquido es de a) ~ 80, b) ~ 50
0
y c) ~ 0.
El aumento es a) 500X b) 500X y c) 200X. [De C. S. Smith, Trans. Met. Soco
AIME 175,15 (1948).]
218
Intercaras
calizaciones preferira existir la fase de Pb de nuestro ejemplo. Se deja para los
problemas 7.3 Y 7.6 contestar esta pregunta. Se encuentra que el potencial ~
modinmico 'YA disminuye progesivamente de la localizacin del volumen hacIa
la de la cara, hacia la de la arista y hacia la de la esquina. Por consiguiente. se
espera encontrar la fase {j preferencialmente en las esquinas de los granos, supo-
niendo que lj < 180.
C. Aplicaciones
Hay un cierto nmero de casos en los cuales las anteriores idean tienen significa-
do prctico directo y tres de ellos se discutirn aqu.
1. Existen muchas aplicaciones en sinterizacin. Como un ejemplo consi-
drense las mordientes de las herramientas de carburo. En este caso se
liga un carburo pulverizado, como el carburo de tungsteno. WC, con un
metal como Co. Para producir un buen enlace es deseable que el metal
ligante humedezca los carburos y microestructuras tal como se ve en la
figura 7.32c. Por lo tanto, debe ser capaz de producir un ngulo diedro
muy bajo entre el carburo y el metalligante:
2. Contraccin del acero en caliente. El azufre se combina con el Fe para
formar el FeS, el cual funde a 988"<::. Cuando el acero se rola en caliente
este compuesto funde. Ya que un valor bajo de o en el acero humedece los
lmites de grano y el acero se vuelve frgil, provocndose la falla conocida
como fragilidad en caliente. Slo se necesita una cantidad muy pequea
de lquido para cubrir los lmites de grano y, consiguientemente, slo se
requiere una pequea cantidad de impureza de azufre para causar esta
dificultad. La adicin de Mn al acero vence la fragilidad en caliente pues
hace que se forme preferencialmente MnS, y este compuesto funde a
1 610C.
3. Soldadura. Una buena soldadura debe humedecer la superficie de los me
tales que se han de soldar. De aqu que el ngulo diedro de una gota de
soldadura lquida sobre el metal (ver figura 7.28) debe aproximarse a
cero. Como se anot antes, esta condicin requiere que las tensiones
superficiales satisfagan la ecuacin 7.26. Por lo tanto, se requiere un valor
bajo de la tensin superficial entre la soldadura lquida y el metal base.
Un fundente bueno promover esta condicin.
7.3 LAS FORMAS DE WS GRANOS EN DOS Y TRES DIMENSIONES
Existen dos restricciones conocidas que ponen algunas limitaciones a las formas
de los granos:
1. Requisito principal: los granos deb-en llenar el espacio, esto es, no debe
haber huecos.
Las formas de los granos en dos y tres dimensIOnes 219
2. Requisito secundario: Dentro de esta restriccin, el potencial termodi-
nmico 'YA debe ser mnimo.
Se ha visto antes que la minimizacin del potencial termodinmico requiere
que los bordes de grano sen de tres rayas a ngulos de 120 en estructuras mo-
nofsicas y, tambin, las esquinas de grano con 4 rayas a 109.s en estructuras
monofsicas. Estas condiciones deben describir un equilibrio metaestable ya
que el equilibrio completo requerira la eliminacin de todos los lmites. Estas
condiciones de equilibrio metaestable se encuentran generalmente en forma
muy aproximada en estructuras metlicas policristalinas. C.S. Smith 7,10 demos-
tr por combinacin de las restricciones 1 y 2 que la seccin bidimensional pro-
medio de un grano debe ser de seis lados. Combinando este resultado con la
conclusin de que en un material monofsico el ngulo diedro debe ser de 120,
se encuentra que las formas bidimensionales de los granos deben ser como se
muestra en Id figura 7.33, donde las secciones se toman en un plano perpendicu-
lar a los bordes. Este resultado demuestra que los granos con slo unos pocos
lados (granos pequeos) tendrn lmites curveados y la curvatura ser cncava
hacia adentro; y que los granos cOIJ muchos lados (granos grandes) tendrn l-
mites curveados que son cncavos hacia afuera. Despus se ver que este resul-
tado tiene importancia en crecimiento de granos. Habra que preguntarse si la
forma tridimensional promedio de un grano pudiera no aproximarse a alguna
figura polidrica caracterstica. C.S. Smith ha considerado esta cuestion.
7
,lO
No hay ningn poliedro regular que se apile para llenar el espacio y formar
tambin solamente esquinas de cuatro rayas a ngulos de 109 .so. Hay un polie
dro irregular que se acerca mucho a estos requisitos, llamado el tetracaidecaedro;
vase la figura 7.34. Introduciendo la <:urvatura apropiada en los bordes y caras
se obtienen ngulos de 109.s en las esquinas y este poliedro, llamado algunas
veces el Q-tetracaidecaedro, se apila en una red ccc
u
para llenar completamente
el espacio. Podra esperarse que la forma de grano tridimensional promedio se
aproxime a estos Q-tetracaidecaedros. Sin embargo, los experimentos han demos-
de 4 lados de t3 lados
de 12 lados
Figura 7.33 Variacin de la curvatura del lmite de grano con el nmero de lados.
220 [ntercaras
__ -J/
" //
'
"" f/
Figura 7.34 El tetracaidecaedro (que es un octaedro truncado que tiene solamen-
te caras cuadradas y hexagonales, dando por lo tanto un ngulo de esquina pro-
medio de 110'). .
trado que este no es el caso.
7
Todo lo que se puede decir es que el grano tridi-
mensional es un poliedro irregular sin clase definida con caras curveadas y esquinas
de cuatro rayas con ngulos promedio de 109.5. Smith demostr a partir de
las restricciones 1 y 2 que el grano promedio debera tener 5.143 bordes por
cara y esta condicin parece verificarse por experimentacin.
IO
7.4 SEGREGACION EN LIMITES DE GRANO
La figura 7.35a muestra un esquema de dos monocristales de una aleacin de
Cu-l % Sn separados por un lmite de grano simple. A este arreglo se le llama un
bicristal. Si se pudiese medir la composicin a travs del lmite con una micro-
sonda muy fma, el perftl de composicin probablemente aparecera como en la
figura 7.35b. Los tomos de Sn tendern a segregarse en el lmite de grano. Este
fenmeno se llama segregacin en lmite de grano y generalmente produce una
concentracin de soluto en exceso, segn se muestra en la figura 7.35b. Sin em-
bargo, algunas veces ocurre un empobrecimiento de soluto en el lmite.
Para comprender porqu ocurre la segregacin en el lmite de grano se con-
sidera el efecto del tomo de Sn sobre la red de Cu cuando este disuelve a aqul.
La figura 7.36a muestra esquemticamente cmo los tomos ms grandes de Sn
"doblan" los planos de la red del Cu. Por consiguiente, los tomos de Sn produ-
cen una energa de deformacin considerable en sus alrededores. Sea Ed la ener-
ga de deformacin producida en esa forma por un tomo de Sn disuelto. Cmo
vara esta energa de deformacin conforme el tomo de So se aproxima a un
Segregacin en lmites de grano
221
de grano
./1 YI ./
I I
I I
I I
I I
I I
I I
)---- - -J----
'" /'"
11
c:
U'l
*'
-1-----
lmite de grano
Cu-l% Sn
posicin
(a)
(b)
Figura 7.35 Variacin de la concentracin del saluto Sn a travs de un lmite de
grano cobre-cobre.
lmite de grano? Puesto que el lmite de grano tendr regiones que estn bastante
abiertas, la figura 7.3b, es de esperarse que el Sn se site ah y produzca
una energ:.a de muy baja. Por lo tanto, se espera que la energa de
deformaclon, Ed , debida al atomo de Sn disminuya significativamente en ellmi-
te de grano, segn se muestra en la figura 7.36b. El tomo de Sn experimentar
fuerza a variaciones de esta energa, la cual, en una buena aproxima-
Clon, puede escnbuse como F
Sn
= - dEd/dZ. De aqu que en la regin cercana
grano los tomos de Sn experimentarn una fuerza que los jala ha-
cia el Esta fuerza produce una segregacin en el lmite. Despus se ver
que tambin tiene una fuerte influencia sobre la movilidad del lmite de grano.
L I
I I
7 \
I
1--
--

.....;
....J

,......:
t-] -
1--
r-
I
t
I
I
limite de grano
posicin, Z
(a)
(b)
7:36 a) Deformacin de la red producida por un tomo de Sn en Cu y b)
la variacin de esta energa de deformacin con la posicin cerca de un lmite de
grano.
222
Intercaras
Por consideracin de la tennodinmica de superficie
4
se puede obtener la
ecuacin de absorcin de Gibbs
(
dn) 1 [ J'Y ]
dA =-RT JlnN
(7.29)
donde (dn/dA) se defmi para la ecuacin 7.11 Y algunas veces se llama exceso
de superficie, 'Y es la tensin superficial y Ni es la isima fraccin molar en solu
cin en los granos vecinos. La ecuacin 7.29 demuestra que si la adicin de to
mos i disminuye la tensin superficial, la absorcin de i ocurre en la intercara y
viceversa.
7.5 MOVIMIENTO DE LIMITES DE GRANO
Con el objeto de estudiar el movimiento de lmites de grano se har uso del
concepto de movilidad que se introdujo en el captulo 6. Considrese un bicristal
de dos granos de Cu como se muestra en la figura 7.37. Supngase que de algn
modo el potencial qumico, Jl, es mayor en el grano 1 que en el n, segn se mues-
tra en la figura 7.37. En el captulo 6 se demostr que la fuerza que acta sobre
un tomo est dada por el gradiente del potencial qumico de Gibbs, -dJl/dZ. Si
se considera que la intercara tiene un espesor, A, entonces un tomo del grano 1
en la intercara experimenta una fuerza
F= (7.30)
A A
Estos tomos saltarn sobre el grano II haciendo que el lmite emigre hacia la
izquierda. De aqu que el lmite de grano emigrar hacia la izquierda a una velo-
cidad igual a la velocidad promedio de los tomos hacia la
v[lmite de grano] = - v [tomos en el lmite de grano] (7.31)
posicin, Z
Figura 7.37 Una diferencia de potencial qumico a travs de un lmite de JUano.
Movimiento de lmites de grano
223
La velocidad promedio de los tomos en el lmite de grano puede tomarse como
v = BF, donde B es su movilidad y F es la fuerza por la ecuacin 7.30. De aqu
que a partir de la ecuacin 7.31 se tiene
VIg
A
(7.32)
Esta ecuacin sirve muy bien como base para mostrar la velocidad de los lmites
de grano. Demuestra que la velocidad depende de la diferencia de potencial qu-
mico a travs del lmite y de la movilidad de los tomos a travs del lmite. Se
discutir cada uno de estos tnninos separadamente.
A. Fuerzas impulsoras
Para el movimiento de lmite de grano se consideran tres fuerzas impulsoras es-
pecficas, dos de las cuales son de inters prctico y una es principalmente de
inters terico.
1. Energa almacenada. Cuando se trabaja mecnicamente un material en fro,
se introduce una alta densidad de defectos en su red. Estos defectos, principalmen-
te dislocaciones, incrementan la energa de la red. Considrese un bicristal como
el que se muestra en la figura 7.3 8, donde el grano 1 es un grano recocido y el
grano II ha sido fuertemente trabajado en fro. Reconociendo que el potencial
qumico Jl de Gibbs es idntico a la energa libre molal parcial G, se puede es-
cribir la en_el potencial qumico que hay entre los dos granos
tlJl = tlE + P tl V - T tlS. En una buena aproximacin se pueden despreciar
los tnninos volumen y entropa quedando entonces tlJl = En - El. La energa
almacenada del grano recocido es esencialmente cero, de modo que se puede
escribir
(7.33)
donde A es el nmero de Avogadro y Es es la energa almacenada por mol en
el grano n. Esta ecuacin se aplica al problema muy prctico de la recristaliza-
cin e indica que la velocidad del lmite de grano vara linealmente con la can.
tidad de energa almacenada .
..
Figura 7.38 Un lmite de grano entre un grano recocido, 1, y uno trabajado en
fro, 11.
224 Intercaras
2. Energa de defonnacin elstica. En el captulo 4 se demostr que para el
caso simple de tensin uniaxialla energa por unidad de volumen en un material
deformado elsticamente est dada por 1/2u, donde u es el esfuerzo y es la de-
formacin (ecuacin 4.2). Por substitucin de la ley de Hooke esto viene a ser
cr /(2E), donde E es el mdulo de Young. Supngase ahora que dos granos reco-
cidos de un bicristal estn sujetos a un esfuerzo uniaxial u, pero que ambos tie-
nen diferentes mdulos, El y Ell' El esfuezo entonces una diferencia
en la energa por tomo en los dos granos, la cual dara lugar a una velocidad de
lmite de
(7.34)
donde V es el volumen por tomo. Este ejemplo es de poca importancia prctica
debido a su pequea magnitud. Sin embargo, ilustra muy bien que cualquier fe-
nmeno que produzca una diferencia en energa entre los granos dar lugar a una
migracin del lmite.
3. Curvatura de intercara. Debido a que las intercaras poseen un esfuerzo super-
ficial, una superficie curve ada debe. tener una fuerza actuando normalmente a
ella para vencer el esfuerzo superficial que tiende a mantenerla plana. Ahora se
vera que el equilibrio mecnico a travs de una superficie curveaCla requiere una
diferencia de presin a travs de la superficie. Considrese un elemento de una su-
perficie cilndrica como se muestra en la figura 7.39a con un radio de curvatura
r. Una vista de borde de la parte curveada de esta superficie se muestra en la fi-
gura 7.39b. Supngase ahora que el esfuerzo superficial es igual a la tensin su-
perficial "(. Luego la fuerza que acta en la superficie es "(1, segn se muestra en
la figura 7 .39b. Existen dos de esas fuerzas y se ha visto que cada una tiene una
componente horizontal a la izquierda, la cual, para d8 pequeo, es "(1 sen (d8 /2).
El equilibrio mecnico requiere que la presin del lado cncavo de la superficie
sea levemente ms alto que del lado convexo con el objeto de balancear estas
'"tI
w W
Figura 7.39 Un elemento de una superficie con curvatura cilindrica.
Movimiento de limites de grano
225
fuerzas superficiales. Si esta diferencia de presin es Q, entonces se tiene para el
equilibrio mecnico
2 y/sen l rde (7.35)
para un d8 pequeo, el sen (d8 /2) d8/2 y se tiene !:lP = "(/r. En general, las
superficies no son cilndricas y tienen, desde luego, una curvatura ms compleja.
Considrese un baln de futbol americano, del cual puede decirse que es un elip-
soide de revolucin. Su radio de curvatura es diferente a lo largo de un plano a
travs del eje menor y de un plano a travs del eje mayor. Se definen dos radios
de curvatura principales para superficie de la siguiente manera. Cons-
tryanse dos planos tales que ambos pasen a de l misma normal a la su-
perficie y estn a ngulos rectos uno con respecto a otro. El radio de curvatura
de las intersecciones de las superficies sobre estos planos define dos radios prin-
cipales de curvatura, r 1 y r2 . Por similares a los anteriores se' obtiene
(7.36)
Queda claro que para una esfuera s':! obtendra !:lP = 2"(/r, donde r es el radio de
la esfera. De la termodinmica se tiene a temperatura constante
dIJ-= V dP (7.37)
donde Ji es el volumen especfico. Si se toma como constante el volumen espe-
cfico en un lado de la intercara se puede integrar la ecuacin 7.37 a travs de la
intercara para obtener
(7.38)
donde los super ndices 1 y 11 se refieren a los dos granos adyacentes de la figura
7.38. Para un lmite de grano esfrico se tiene, por combinacin de las ecuacio-
nes 7.38 y 7.36
(7.39)
A esta ecuacin frecuentemente se le llama ecuacin de Gibbs-Thomson. Puesto
que la presin es siempre ms alta en el lado cncavo del lmite se ve, por la ecua-
cin 7.37, que el potencial qumico siempre es ms alto de lado cncavo. Este
resultado es evidente tambin en la ecuacin 7.39. Por lo tanto, la diferencia de
potencial qumico har qUt: los tomos se muevan hacia el lado convexo. Se con-
cluye que:
l. La curvatura del lmite de grano da una fuerza impulsora al crecimiento.
2. Puesto que bajo la accin de esta fuerza, los tomos se mueven hacia el
lado convexo, el crecimiento inducido por curvatura mueve el lmite ha-
cia el lado cncavo. Esto se ilustra en la figura 7.40, donde los lmites se
han movido de las posiciones 1 a la 2 durante un tratamiento trmico.
226 Intercaras
Figura 7.40 Crecimiento de grano en aluminio. [De P. A. Beck y Ph. R. Sperry,
J: Appl. Phys. 21,150 (950).]
3. Como un resultado del crecimiento inducido por curvatura los granos
pequeos (de menos de seis lados en un corte bidimensional) se hacen
ms pequeos y los grandes (de ms de seis lados en un corte bidimensio-
nal) se hacen ms grandes, vase la figura 7.33.
Estos resultados se ilustran bastante bien por el crecimiento de un arreglo de
burbujas. Las burbujas mayores crecen a expensas de las ms pequeas, las cuales
'se contraen hacia su centro de curvatura. Vase la figura 7.22. En este caso resul-
ta un crecimiento de burbujas debido a la difusin de los tomos de gas a travs
de las membranas de agua desde un lado de alta presin hacia uno de baja pre-
sin. La diferencia de presin aqu es por un factor de dos mayor que en la ecua-
cin 7.36, debido a que la brubuja es una pelcula con dos superficies.
Con frecuencia, es conveniente hablar de supertlcies curveadas con relacin
a superficies planas. En este caso se puede integrar la ecuacin 7.37 para' el pro-
Movimientv de limites de grano
227
ceso de cambio desde una superficie plana a una curveada. Para una superficie
esfrica se obtiene
J.1(r) - J.1 (plana) =
r
(7.40)
De lo anterior se concluye que un lmite de grano tendr una fuerza impul-
sora para el movimiento en cualquier tiempo en que el potencial qumico de los
tomos en dos granos fronterizos es diferente. Las dos causas comunes de tal
diferencia son:
1. Una diferencia en energa almacenada debida al trabajo mecnico en fro.
2. Lmites de grano curveados.
B. Movilidad
Se explicarn cuatro factores principales que influyen sobre la movilidad de los
lmites de grano.
1. Atomos de impureza. En un conjunto clsico de experimentos llevados a cabo
en los aos 50, Aust y Rutter
12
determinaron la movilidad de los lmites de gra-
no como una funcin de cierto nmero de variables; en la figura 7 Al se muestran
algunos de sus resultados. El punto importante que hay que ver en este resultado
es que incrementando el contenido de impurezas de estao en el plomo, desde
menos de 1 ppm hasta 60 ppm, baja la velocidad de lmite de grano por ms de
4 rdenes de magnitud. Ya que los experimentos se hicieron con una fuerza im-
pulsora constante, esto significa que un incremento del contenido de impurezas
por un factor de 60 causa una disminucin en la movilidad del lmite de grano por
un factor de 10 000. Es sorprenden'e que tan slo 60 ppm de Sn en Pb hagan
caer la movilidad del lmite de grano por un fador de 10 000. El Pb que contie-
ne 60 ppm de Sn estara clasificado como de 99.994% de pureza.
Las teoras recientes
13
han sido muy exitosas en la explicacin de este gran
efecto. Debido a la segregacin de lmite de grano un nivel de impurezas muy
bajo dentro del volumen de los granos da lugar aun a un cf"\ntenido significativo
de impurezas dentro de los lmites de grano. Si el lmite de grano empieza a ale-
jarse de los tomos de impureza ejercer una fuerza sobre los tomos segn se ex-
plic en la seccin 7A utilizando la figura 7.36b. Por consiguiente, conforme se
mueve el lmite tender a arrastrar los tomos de impureza. La fuerza de arras-
tre de esta atmsfera de impurezas reducir en gran medida la movilidad del
lmite debido a que la velocic!ad de estos tomos est limitada por la velocidad
a la que se difunden a travs de la matriz conforme son arrastrados al borde o
justo atrs del lmite. Las teoras de arrastre de impurezas (referencia 13, pgina
256) predicen una velocidad proporcional a la primera potencia de la fuerza im-
pulsora para metales de alta pureza con altas fuerzas impulsoras (ecuacin 7.32),
donde los lmites quedan esencialmente libres de tomos de impureza; tambin
predicen una velocidad linealmente proporcional a la fuerza impulsora para meta-
228
10.0

.....
1.0
o
............ 36-47
............ 23
... .......... 26"-2ff
......
<111>
<111>
<100>
o O
c:
"' C,
'" "O 0.1
2l

Qi
"O
c:
-oU
'0 o
"'0
.
E",

"OE
"' - "00
'(3 c.
.P.E
E
0.0001 L-_--L_---l __
O
Porcentaje en peso de estao
Intercaras
Figura 7.41 Influencia del nivel de impurezas de estao sobre la velocidad de
migracin del lmite de grano en plomo. Los datos de la curva superior ocurrie-
ron slo para aquellos lmites que tienen orientaciones particulares, especifica-
dos aqu por el grado de inclinacin de ngulo pequeo respecto a las direcciones
(111) y (I 10). (De la referencia 12.)
les impuros con bajas fuerzas impulsoras. En la transicin entre estas dos re-
giones la teora predice una relacin compleja entre la velocidad y la fuerza
impulsora. Algunos experimentos (referencia 13, pgina 405) han demostrado
que la velocidad est relacionada con la fuerza impulsora por la relacin v. =
B (o;./"A)m, donde m es mayor que la unidad, llegando a ser tan alto como 12.
El acuerdo entre la teora y los experimentos es moderadamente bueno. Parece
ser que la mayor parte del trabajo experimental ocurre en la regin de transicin.
La ecuacin 7.32 es vlida solamente para metales de ultraalta pureza con altas
fuerzas impulsoras (o sea, energa almacenada ms bien que curvatura de inter-
cara).
2. Presencia de partculas de segunda fase. Cuando un lmite en movimiento
encuentra una partcula de segunda fase, la partcula ejercer una fuerza re.stric-
Movimiento de limites de grano
circunferencia =
2nr cos ,
229
'Y cos [90- (90 + 1> - a)]

(3
zona interfacial
Figura 7.42 Interaccin de una partcula esfrica de una segunda fase con un
lmite de grano. La intercara del lmite de grano se mueve hacia arriba y est
restringida por la partcula .
tora sobre el lmite que har que ste sea jalado de regreso en la posicin de la
partcula, como se muestra en la figyra 7.42. La fueza restrictora se calcula a par-
tir de la componente de la tensin superficial que acta en la direccin vertical. De
la figura 7.42 Y con un poco de geometra, se encuentra que la fuerza restricto-
ra est dada por
(7.41)
Haciendo mxima esta fuerza con respecto a rp se obtiene
l4
Eo,(max) = moy(1 +cos ex) (7.42)
Por lo tanto, dependiendo del valor de ex, la fuerza de anclaje mxima vara a par-
tir de rrry. (Nota: Podr ser posible demostrar, a partir de un balance de tensio-
nes superficiales, que, a menos que la tensin superficial partcula-matriz cambie
conforme pasa la intercara, el valor de Q ser de 90). Es evidente que la fuerza
de anclaje depende principalmente del tamao de las partculas y del nmero de
las mismas y, en menor extensin, del material de la partcula, el cual slo afecta
el valor de Q. Se halla que la magnitud de la fuerza de anclaje concuerda con la
ecuacin 7.42 para algunos sistemas metlicos.1
4
3. Temperatura. Es posible relacionar la movilidad de un tomo que salta a tra-
vs de un lmite de grano con el coeficiente de difusin en el lmite de grano,
B DI g/kT. El coeficiente de difusin en el lmit de grano se incrementa ex-
ponencialmente con la temperatura; vase la figura 6.12b. Por consiguiente, la
dependencia de B de la temperatura sera como e-Q/kT. El trmino exponencial
"anula" esencialmente al trmino lIT y se encuentra as que la movilidad de l-
mite de grano depende mucho de la temperatura.
230
Intercaras
4. Orientacin de los granos a travs del lmite. Conforme el desajuste en la orien-
tacin cae hasta cero, el coeficiente de difusin en el lmite cae desde el valor
del coeficiente de difusin en el lmite de grano hasta el coeficiente de difusin
en la matriz. Por lo tanto, se espera que los lmites de ngulo bajo tengan una
movilidad ms pequea que los lmites de ngulo alto.
Segn se mostr en la figura 7.41, se ha encontrado que ciertos lmites de
ngulo alto tienen movilidades muy grandes en presencia del soluto. Este
tado demuestra que hay una variacin definida en la estructura de los hmltes
de ngulo alto. Estos lmites especiales han sido explicados como lmites coinci-
dentes que tienen un buen ajuste atmico y que por lo tanto no permiten mucha
segregacin de solutO.
15
La alta movilidad resulta del arrastre disminuido de
impurezas.
Para resumir, la velocidad de un lmite de grano puede darse como v = B
(AJl/"A)m, donde m es mayor que 1, excepto para metales de muy alta
La diferencia en el potencial qumico, AJl, se deber generalmente a energla
almacenada o a la curvatura del lmite. La movilidad es una funcin de 1) el
contenido de soluto, 2) la presenci de partculas de segunda fase, 3) la tempe-
ratura y 4) la orientacin relativa del cristal a travs del lmite.
C. Crecimiento normal de grano
Al crecimiento de los granos bajo la accin de la fuerza impulsora de la curvatu-
ra del lmite de grano se le lla,ma aqu crecimiento normal de grano. En ausencia
de energa almacenada debida-a trabajo en fro, sta es la fuerza impulsora que
provoca el crecimiento del grano. Se presentar una derivacin aproximada de la
velocidad de crecimiento normal de grano.
De lo anterior se puede escribir la velocidad de crecimiento de un grano es-
frico como
(7.43)
A temperatura constante, los trminos de esta ecuacin son constantes, por lo
cual se obtiene la velocidad proporcional al radio de curvatura como v = c/rm,
donde c es la constante de proporcionalidad. Si se supone que el radio de curva-
tura de un grano es proporcional al dimetro del grano,D, se puede escribir
(
l)m dD
v=(const) - =-
D dt
(7.44)
Integrando esta ecuacin se obtiene
(7.45)
Movimiento de lmites de grano 231
donde k es una constante y Do es el tamao de grano en el tiempo cero. Para
el caso en que Do es despreciablemente pequeo se tiene
y
1
n=--
m+l
(7.46)
La ecuacin 7.46 fue presentada primero por Hu y Rath
16
y la compararon con
varios estudios experimentales que muestran que n es generalmente menor que
1/2. Unicamente es igual a 1/2 para metales de muy alta pureza a altas tempera-
turas. Esto concuerda con las teoras de arrastre de impurezas ya que se espera
que m = 1 slo para tales condiciones.
Un ejemplo prctico interesante, en el cual son bastante importantes las ideas
anteriores, implica los filamentos de tungsteno de las bombillas elctricas. Puesto
que los filamentos operan a una temperatura extremadamente alta, puede esperar-
se que ocurra un crecimiento de grano considerable_ Cuando los granos grandes
que se extienden a travs de los filamentos, se desarrollan como se muestra en la
figura 7.43, los filamentos. en algunos casos (ver referencia 17, pgina J 38\ se
vuelven frgiles y se agrietan bajo la accin de los esfuerzos producidos por la
expansin trmica del calentamiento y el enfriamiento subsecuente. Por lo tanto,
las partculas de segunda fase de xido de torio se mezclan dentro del tungsteno
para limitar este crecimiento de grano. Para una distribucin aleatoria de partcu-
las de segunda fase de fraccin volumtrica f y radio r, el nmero de partculas
interceptadas por l cm
2
de intercara es 3f/2rrr
2

1
Por consiguiente, estas par-
tculas producirn una fuerza por unidad de rea que restringe el movimiento
del lmite de grano y la cual es de (3f/2rrr
2
) rrry[l+ cos a], segn la ecuacin
7.42. Cuando esta fuerza equilibra la fuerza de presin debida a la curvatura, el
crecimiento de grano se detendr y se obtendr un tamao de grano limitante. Si
(a) (b) (e) (d)
Figura 7.43 Cambio en la micro estructura de un filamento de tungsteno puro
calentado por corriente alterna, (de la referencia 17).
232
Intercaras
F' a 7.44 Barras de tungsteno recocidas a 2 700C d u r n t ~ 2 mino a) tungsteno
P:::' b) con adicin de 0.75% Th02 (lOOX), (de la referenCia 17).
Referencias 233
se suponen intercaras esfricas de radio R y se desarrolla la ecuacin 7.36 se ob-
tiene el radio limitan te de CU11Jatura
R= 4r
3f(1 +cos a)
(7.47)
Suponiendo que el dimetro de grano es proporcional al radio de curvatura, a
partir de la ecuacin 7.47 se ve que el tamao de grano limitan te producido por
partculas de segunda fase depende de su fraccin volumtrica, su radio y el n-
gulo de contacto a. Este resultado fue presentado inicialmente por Zener.! La
efectividad de una pequea cantidad de Th0
2
para limitar el crecimiento del gra-
no en el tungsteno se ilustra en la figura 7.44.
REFERENCIAS
1. D. McLean, Grain Boundaries in Metals, Oxford Univ. Pr., Oxford, 1957
2. J. Weertman y J. R. Weertman, Elementary Dislocation Theory, Macmillan,
Nueva York, 1964.
3. W. T. Read, Jr., Disloeations in Crystals, McGraw-Hill, Nueva York, 1953.
4. a) W. W. Mullins, Solid Surface Morphologies Governed by Capillarity, en
Metal Surfaees, W. D. Robertson y N. A. Gjostein, Eds., American Society
of Metals, Nueva York, 1963, captulo 2. b) R. K. Trivedi, Theory of Capi-
llarity, en Key Topies in the Theory of Phase Transformations, American
Institute of Metallurgical Engineers, Nueva York, 1975, captulo 2.
5. C. Herring, en The Physics of Powder Me tal/u rgy, W. E. Kingston Ed., Mc-
Graw-Hill, Nueva York, 1951, captulo 8.
6. C. Herring, en Structure and Properties of Solid Surfaces, R. Gomer y C. S.
Smith, Eds., Univ. Chicago Press, Chicago, 1953, captulo 1.
7. C. S. Smith, Grain Shapes and Other Metallurgical Applications of Topology,
in Metal Interfaces, American Society of Metals, Nueva York, 1952, pp.
65-113.
8. C. W. Chen, Phys. Stat. Sol. a) 16, 197 (1973 J.
9. J. Basterfield, W. A. Miller, y G. C. Weatherly, Can. Met. Quart. 8, 131
(1969).
10. C. S. Smith, Sorne elementary principies of polycristalline microstructure,
Metallurgical Reviews 9, No. 33,1 (1964).
11. J. H. Westbrook, Segregation at grain boundaries, Metallurgical Reviews 9,
No. 36,415 (1964).
12. K. T. Austy J. W. Rutter, Trans. Met. SOCo ArME 215,119 (1959).
13. The Nature and Behavior of Grain Boundaries, H. Hu, Ed., Plenum, Nueva
York, 1972.
14. M. F. Ashby, J. Harper, y J. Lewi3, Trans. Met. SOCo ArME 245,413 (1969).
15. K. T. Aust y B. Chalmers, Met. Trans. 1,1095 (1970).
16. H. Hu y B. B. Rath, Met. Trans. 1, 3181 (I 97 O).
17. C. J. Smithells, Tungsten, Chapman & Hall, Londres, 1952.
234 Intercaras
LECTURAS RECOMENDADAS
1. C. S. Smith, The shapes of things. Scientific American 190, 58 (1954).
2. C. V. Boys, Soap Bubbles - Their Colours and the Forces Which Mold Them,
Dover, Nueva York, 1959.
PROBLEMAS
7.1 A dos bloques de cobre trabajado en fro (ccc
a
, parmetro de red a) se les
da un tratamiento de recocido de recuperacin y todas las dislocaciones forman
lmites de subgrano.
a) La separacin promedio de las dislocaciones en los lmites es de 4 X 10-4
cm en el bloque A y de 4 X 10-
3
cm en el bloque B. Cul es el ngulo de rota-
cin entre las redes de los subgranos en los dos bloques?
b) Cul bloque tendra la mayor energa de lmite de subgrano? Encun-
trese una proporcin aproximada para la relacin de las energas de los lmites
de subgrano en los dos bloques.
7.2 a) Los tomos del interior de un cristal ccc
a
tienen 12 tomos vecinos ms
prximos. A manera de aproximacin la energa qumica por enlace puede to-
marse como 1/12 del calor latente de vaporizacin, o sea 1/12 de L. Utilizando
esto como una medida de la energa de enlace calclese la tensin superficial de
las superficies (111), (100) Y (011) en un cristal ccc
a
como una funcin de L
y del parmetro de red a. Establzcase cualquier suposicin.
b) Utilizando los resultados de estos clculos, cules caras se esperara que
formasen las superficies de un pequeo poliedro de Cu si ste fuese calentado
justo abajo de su punto de fusin por un largo perodo de tiempo hasta que se
obtuviese su equilibrio superficial?
7.3 Supngase que una pequea cantidad de una segunda fase (B) se halla con-
tenida dentro del volumen de la fase primaria (A) que tiene una forma esfrica.
Desgnese el volumen total de fase B como V. Cuando este volumen totalde fase
B se mueve hacia la esquina de cuatro granos adyacentes A, asume la forma de
un tetraedro regular que tiene una longitud lateral de L.
a) Cul es el ngulo diedro de B en A?
b) Sea 'Y AA la tensin superficial entre los granos A, Y 'Y AB la tensin super-
ficial entre los granos A y B. Demustrese analticamente que B ser estable como
una esfera dentro del volumen de A o como un tetraedro en una esquina de cua-
tro granosA. Establzcanse claramento todas las suposiciones que se hayan hecho
para resolver este problema. Sugerencia: asegrese de considerarel rea dellmi-
te AA que es barrida cuando B se mueve hacia la esquina
volumen del tetraeuro = 0.1178 L 3
superficie del tetraedro = 1.732 L
2
Respuesta: ('YA )volumen/('YA )esquina = 1.671.
7.4 Los cuatro granos mostrados abajo, numerados 1, 2, 3 Y 4 se encuentran a
lo largo de un borde comn O. A este tipo de conjuncin se le llama cuadripo-
Problemas
235
lar. Si el lmite CO se desplaza hacia CP y el lmite DO se desplaza hacia DP la
conjuncin cuadripolar se habr disociado en dos conjunciones tripolares, DPC
y AOB y se habr generado un nuevo lmite, OP.
a) El problema es determinar cul es ms estable. las dos conjunciones tri-
polares o la conjuncin cuadripolar simple. Tmese Q como de 30 y asmase
que todos los lmites de grano son lmites de nglllo alto. Esta ltima suposicin
permite despreciar los trminos torque y tomar 'Y como una constante para los
cinco lmites. Explicar por qu.
b) Supngase que Q fuese de 70. Sera estable ahora la conjuncin cuadri-
polar? Explquese la respuesta.
7.5 A partir de un balance de tensin superficial sobre la conjuncin tripolar de
la figura 7.20, dervese la ecuacin 7.23.
7.6 En el metal A existe una seguuda fase, B. Un pequeo volumen de B tiene
la forma de una esfera cuando se halla enteramente dentro de un grano. Sin em-
grano Al
grano A 11 1
I
I
/
1-1 2r
Volumen de un doble casco esfrico = 2[ c-3;+ S') ]
Area de un doble casco esfrico = s)]
donde s = cos e. r = r.". sen e
bargo, cuando yace en una cara que separa dos granos A tiene la forma de un
doble casco esfrico. Un casco esfrico es simplemente una seccin de una esfera
esto es, un casco de esfera. De aqu que r
AB
es el radio de la esfera a partir de
236
Intercaras
cual se toma el casco, o alternativamente es el radio de curvatura de la interca-
ra A-B. o ,
Pregunta: a) Si el ngulo diedro de B en A es exactamente de 120 .dete:mme-
se analticamente si B preferira estar en la cara del grano o en el mtenor del
mismo.
Respuesta: ('YA )yolumen/('YA )cara = 1.296
b) Reptase la parte a) para el caso en que el ngulo diedro es cero.
7.7 Supngase que la normal a un lmite de grano de ngulo alto en un
de cobre de 0.1 mm de dimetro se inclina hacia el eje del alambre en un angulo
de 20
0
Despus del recocido, qu se podra esperar que le ocurra al lmite de
grano? . . . , .
7.8 En el problema 7.7 el lmite de grano en el estado mlclal es un hmlte de aco-
modo simple de 4. Ocurrir el proceso predicho bajo las condiciones del proble-
ma 7.7? Explquese.
7.9 Deduzcase la relacin
2 sen
l
(0/2)
que se dio como ecuacin 7.27
CAPTULO 8
Nucleacin
En los captulos sucesivos se encontrar que los medios principales que se hallan
a disposicin para el control de las propiedades de las aleaciones son las transfor-
maciones de fase. Entonces, antes de proseguir se presentarn algunas generali-
zaciones breves concernientes a las transformaciones de fase. La tabla 8.1 enlista
los diferentes tipos posibles de transformaciones de fase junto con algunos ejem-
plos comunes. Ntese que cada una de las transformaciones pueden considerarse
tambin cuando proceden en las direcciones opuestas. En estos casos, los ejemplos
1, 2 Y 3 corresponderan a la ebullicin, sublimacin y fusin, respectivamente.
Se pondr atencin especial en las transformaciones 3 y 4, las cuales son lqui-
do -+ slido (solidificacin) y slido -+ slico, respectivamente.
Todas estas transformaciones de fase van acompaadas por un cambio o un
nuevo arreglo en la estructura atmica. Adems del cambio estructural, la trans-
Tabla 8.1 Tipos principales de transformaciones de fase.
Tipo de transformacin
1. Vapor -+ lquido
2. Vapor -+ slido
3. Lquido-+cristal
4. Cristal 1 -+ cristal 2
a) Precipitacin
b) Alotrpica
e) Recristalizacin
Ejemplo
Condensacin de la humedad
Formacin de escarcha en una ven-
tana
Formacin de hielo en el lago
Formacin de Fe3 e por el enfria-
miento de austenita
Fe-<l: -+ Fe-'Y a 910
0
C
Cu trabajado en fro -+ nuevos gra-
nos a altas temperaturas.
238 Nucleacin
Tabla 8.2. Grado de complejidad implicado en transformaciones de fase.
a) Cambio de estructura
b) Cambio de estructura + cambio de composicin
e) Cambio de estructura + deformacin
d) Cambio de estructura + deformacin + cambio de composicin.
formacin de fase puede producir un cambio en la composicin, una
o ambas. En la tabla 8.2 se en listan las transformaciones en orden de complejIdad
desde a) hasta ). "
Con el objeto de ilustrar estos tipos de transformaCiOnes, se presenta en la fI-
gura 8.1 un esquema del diagrama de fases hierro-carbono. El tipo ms simple de
transformacin, a, implica solamente un cambio estructural y se representa en la
figura 8.1 por la solidificacin o fusin del hierro puro. La solidificacin o
de cualquier aleacin representa una transformacin del tipo b, ya esta Im-
plicado siempre un cambio en la composicin. (Hay. algunas raras
a esta regla, como la composicin azetropa de aleaCiOnes como Au-NI, 'y .algu-
nas composiciones en aleaciones In-Tl). En la mayor parte de las transformaCiOnes
slido-slido las dos fases tienen un volumen especfico diferente de modo que
la nueva fas; ocupa un volumen diferente al de la fase madre, lo que ocasiona
una deformacin. La transformacin tipo c, que implica cambios estructurales
y de deformacin, se representa por la transformacin a -+ 'Y en hierro puro y por
...--
...-
Figura 8.1 Varias transformaciones de la tabla 8.2 ilustradas en el sistema Fe-C.
Nuc!eacin
239
la formacin de martensita en el temple de austenita. La mayora de las trans-
formaciones slido-slido son del tipo d (el ms complejo) y en la figura 8.l,
estn tres ejemplos: a -+ a + Fe3 C, 'Y -+ perlita (a + Fe3 C), 'Y -+ Fe3 C + 'Y.
A manera de ejemplo se analizar ahora una transformacin especfica. Con-
sidrese una barra de hierro puro, la cual tiene una estructura ccc
u
a temperatura
ambiente. Si se calienta este metal los tomos vibrarn ms rpidamente y con lo
que provocarn que se incremente la distancia de separacin promedio entre los
tomos. Por 10 tanto, el parmetro de la red se incrementar conforme se expan-
de la red cccu Sin embargo, cuando se alcanza una temperatura de 910C la red
ccc
u
se transforma en una red ccc
a
porque, por razones que no se han compren-
dido completamente, arriba de 910
0
e la estructura ccc
a
tiene una energa libre
ms baja. La transformacin de una estructura ccc
u
a una ccc
a
no se presenta es-
pontneamente en toda la matriz a(ccc
u
) cuando se alcanza una temperatura de
910
0
C. Lo que sucede es que se forman (nuclean) pequeas regiones de hierro 'Y
(ccca) en diferentes localizaciones dentro del hierro a como se ilustra en la figura
8.2. Estos granos nuevos crecen entonces, y la matriz a restante se transforma en
una matriz 'Y pur crecimiento de estos nuevos granos ms la nucleacin y el creci-
miento de granos 'Y adicionales. Esencialmente, todas las transformaciones de fase
se presentan por una nuc!eacin y por el crecimiento de ncleos. La velocidad con
la cual se realiza la transformacin es cdlntrolada por tales procesos, nuc!eacin y
crecimiento. El crecimiento de la nueva fase est descrito por una ecuacin, como
la desarrollada en el captulo 7 para la velocidad del movimiento de intercaras. En
este captulo se describir la velocidad de nucleacin. Defnese esta velocidad de
nuc!eacin 1 para el ejemplo anterior como:
No. de regiones 'Y formadas/unidad de tiempo
1=
volumen de fase a
y el propsito es considerar lo que implica el desarrollo de una expresin para la
velocidad l .
Figura 8.2 Nucleacin de la fase l' ccc
a
en la fase a cec del hierro.
240
NucIeacin
Cuando se nuclea la fase nueva, se forma generalmente en alguna disconti-
nuidad de la fase matriz, como un lmite de grano o una dislocacin, pero puede
formarse tambin dentro de una regin uniforme de la fase matriz. La distincin
entre estos dos tipos de nucleacin es bastante importante y se define como sigue:
Nuc1eacin homognea:
Nucleacin heterognea:
La nueva fase se forma uniformemente en todo
el volumen de la fase madre.
La nueva fase no se forma en toda la fase madre.
8.1 NUCLEACION HOMOGENEA
Se presentar ahora una versin bastante simplificada de lo que se llama la teora
clsica de la nucleacin. Esta teora se origin con las ideas de Volmer y Weber
en 1925.
1
Como un ejemplo de transformacin, se considerar la solidificacin y
se tomar el cambio de energla libre durante la solidificacin como /:!;'G
v
= G
s
-
G donde G
s
y G son la energa libre del slido y del lquido, respectivamente. Si
el lquido se enfra por debajo del punto de fusin, la energa libre del slido se
har ms pequea de modo que .6.G
v
se convierte en un nmero negativo abajo
de la temperatura de fusin. Esto se seala en la grfica de la figura 8.3. Aqu, se
grafica la energa libre del volumen como una funcin de la temperatura para am-
e
.,
E
::J
"O
>
a;
"O
.,

ro
~
.,
e
.,
= nmero negativo
G
l
temperatura
Figura 8.3 Dependencia de la temperatura en la energa libre del volumen de las
fases slida y lquida.
Nucleacin homognea 241
bas fases slida y lquida. A la temperatura de solidificacin ambas fases deben
tener la misma energa libre, ya que estn en equilibrio termodinmico a esta tem
peratura. Supngase que el lquido se enfra de alguna forma por debajo del pun-
to de solidificacin una cantidad /:!;. T sin que ocurra solidificacin. A esto se le
llama sobreenfriamiento. El lquido tendr entonces una energa libre que es ma-
yor que en el slido por la cantidad I/:!;'G
v
I segn se ilustra en la figura 8.3. Desde
luego, se esperara que el lquido se solidifique, ya que en esa forma disminuira
la energa libre. Sin embargo, es bastante fcil sobreenfriar ciertos lquidos durante
perodos indefinidos, lo que demuestra que hay alguna barrera para la solidificacin.
Por ejemplo, si se intenta solidificar estao de alta pureza, se encuentra que inva-
riablemente se sobreenfriar 5-20 C antes de que principie la solidificacin. Para
comprender la naturaleza de la barrera se debe considerar lo que ocurre fsica-
mente cuando un lquido solidifica. Se considerar primero la nuc1eacin homo-
gnea. En este caso el lquido empieza a formarse como regiones muy pequeas
a travs del volumen del lquido. Estos pequeos granos se llamarn ncleos y se
considerar que tienen forma esfrica. Cuando estos ncleos se forman, primero
son muy pequeos, probablemente del orden de lOA. en dimetro. Por consiguien-
te, su relacin superficie a volumen es muy alta. Como habr una energa libre
asociada con la formacin de la superficie del ncleo, esta energa superficial ac-
tuar como una barrera para la formacin de ncleos pequeos. Para tomar en
cuenta este efecto superficial se escribe el cambio de energa libre para formar
un ncleo como:
(8.1)
donde la energa libre superficial se ha tomado simplemente como la tensin su-
perucial -y. Lo anterior es correcto en materiales puros, pero introduce un peque-
o error en las aleaciones, el cual no se considerar. -/:!;'G
v
es el cambio de energa
libre del volumen, el cual se define en la figura 8.3, para el caso en que la ordena-
da es energa libre por unidad de volumen. Los dos trminos de la ecuacin 8.1
se grafican en la figura 8.4 mostrando el trmino energa libre del volumen nega-
tivo que hace que se realice el proceso y el trmino energa libre superficial positivo
que lo inhibe, y se ve que el cambio de energa libre total contiene un mximo en
r*. La figur<l 8.4 da el cambio de energa libre total para un proceso en el que un
nmero n de tomos de lquido se combinan entre s para dar un slido de tama-
o r. Se supone que el proceso de nu,cleacin real no se presenta con este tipo de
nucleacin a gran escala donde n tomos de lquido se vuelven repentinamen-
te slidos. Se cree que existe una distribucin de tamaos de pequeos aglomera-
dos de tomos en el lquido en cualquier tiempo y estos aglomerados se consideran
como ncleos potenciales. Debido a fluctuaciones trmicas, dichos aglomerados
ganan y pierden tomos continuamente. El fenmeno de nucleacin se presenta
cuando uno de estos aglomerados gana ms tomos de los que pierde. Consiguien-
temente, la siguiente reaccin es muy importante:
242 Nucleacin
Figura 8.4 Energa libre de formacin de un ncleo como una funcin de su radio.
{
Ncleo de n tomOS}
+ 1 tomo
y de radio r
{
Ncleo de n+ 1 tomo}
y radio r +
Si el cambio de energa libre para esta reaccin es negativo se favorece entonces
el fenmeno de nucleacin. Al observar la figura 8.4 se puede ver que para todos
los valores de r > r* esta reaccin tiene un cambio negativo de energa libre; es
decir, arriba de r* el crecimiento de un ncleo disminuye la energa libre. Por
consiguiente, r* es un radio crtico y su valor se determina derivando la ecuacin
8.1 :
-2'\1
r*=;=--'

(8.2)
El cambio de energa libre para formar un ncleo de tamao crtico, se en-
cuentra substituyendo en la ecuacin 8.1:
(8.3)
La nucleacin resulta del crecimiento de los aglomerados; siempre que un aglome-
rado llegue a alcanzar el radio del tamao crtico se convierte en el ncleo de la
nueva fase.
Ahora, ya se puede determinar una expresin para la velocidad de nuc!eacin
L Sea
Nucleacin homognea
243
No. de ncleos de tamao crtico r*
= volumen
dn No. de tomos qut! se unen a un ncleo

dt segundo
Si cada vez que se una un tomo a un aglomerado de tamao crtico se presenta
el fenmeno de nucleacin, puede escribir
1 = = nucleaciones
dt seg vol.
(8.4)
Primero, considrese la determinacin de una expresin para dn/dt. Este tr-
mino implica la velocidad a la cual se agregan los tomos a un ncleo. Vase la fi-
gura 8.5 a). En principio, se deben considerar dos reacciones:
a) S(n* tomos) + 1 tomo ...... S(n* + 1 tomos)
b) Sen * + 1 tomos) - 1 tomo ...... Sen * tomos)
En la primera aproximacin no se considerar la reaccin inversa b), lo cual es tam-
bin consistente con la forma de la ecuacin 8.4, Esta se llamar suposicin A.
La figura 8.5 b) muestra una curva de energa libre hipottico para un tomo con-
forme se mueve desde el lquido hacia el ncleo slido a una temperatura por
debajo de la temperatura de solidificacin. ser la energa de activacin pa-
ra un tomo que salta del lquido hacia el ncleo slido. Ahora se tiene:
(a)
lq. slido

(b)
Figura 8.S a) Vista esquemitica de tomos que se unen a un ncleo slido a partir
del lquido. b) Variacin de la energa libre por tomo conforme ste se mueve des-
de el lquido hacia el ncleo de slido.
244
Nucleacin
1. e-AGA.lkT = fraccin de tomos de lquido con energa libre mayor que
f1GA.; vase el captulo 6, pgina 182.
2. v = frecuencia de vibracin de un tomo del lquido.
3. s = nmero de tomos del lquido que revisten un ncleo slido a travs
de la interfase.
4. p = loA
I = probabilidad de que el tomo del lquido vibre hacia el ncleo.
A = probabilidad de que rebote debido a una colisin elstica con un
tomo de slido.
Si cada vez que un tomo de lquido que vibrara en la interfase saltara hacia el s-
lido, se tendra dn/dt = vs. Sin embargo, se debe reducir que este nmero por el
factor de probabilidad p del punto 4 y la probabilidad de que un tomo tenga
suficiente energa para saltar, punto 1. De aqu, se tiene:
(8.5)
En la segunda parte del anlisis se determina una expresin para el nmero
de ncleos de tamao crtico, ~ En el captulo 5 se determin una expresin
para el nmero de vacancias de equilibrio, ecuacin 5.9,
(8.6)
dividiendo el lado izquierdo de la ecuacin 8.6 entre el volumen v, se obtiene:
(8.7)
donde c;, es una concentracin volumtrica de vacantes y d es una densidad. Se
puede calcular el nmero de equilibrio de ncleos de tamao crtico mediante
un anlisis similar al presentado para las vacancias en el captulo 5. Se obtiene
en -t.GO'kT
(T=e
(8.8)
donde f1G* es la energa libre de formacin de ncleos de tamao crtico y d es
una densidad local.
Imagnese que existe una distribucin de equilibrio de aglomerados en ll-
quido,
09 ~ 010 ~ O" ... On ~ On+I'" Omx -1 +2 Omx
(8.9)
Nucleacin homognea 245
donde Q" es un aglomerado de n tomos y mx es el aglomerado de mayor ta-
mao. Conforme la temperatura disminuye para producir nucleacin, esta distri-
bucin se desplaza hacia la derecha. Una vez que empieza la nucleacin, se espera
que la concentracin volumtrica de aglomerados vare levemente de sus valores
de equilibrio. Sin embargo, este efecto no se considera aqu y se le llama suposi-
cin B a lo siguiente: La concentracin volumtrica de ncleos de tamao crtico
es igual a su concentracin de equilibrio.
Con la ayuda de esta suposicin, se combinan las ecuaciones 8.4, 8.5 y 8.8
para obtener
1
= K (f1GA +f1G*)
vexp kT
(8.10)
donde Kv = vs "'pd.
Conforme baja la temperatura, la distribucin de equilibrio de la ecuacin
8.9 se desplaza a aglomerados de mayor tamaIJ. Si se supone que este desplaza-
miento se presenta en un estado estacionario Ondependiente del tiempo), enton-
ces es posible eliminar ambas suposiciones A y B. Este desplazamiento a velocidad
constante sera necesariamente en estado cuasiestacionario ya que no podra durar
demasiado. Este anlisis de estado cuasiestacionario fue propuesto originalmente
por Becker y Doring
2
en 1935 y se extendi a slidos por Turnbull y Fischer. 3
Christian
4
hace un anlisis detallado que da:
= vs*pd [ f1G* ]1/2
Kv n* 37TkT
(8.11)
Existe un inters especial en la dependencia de la temperatura en la ecuacin
8.10, ya que las transformaciones de fase se regulan y manipulan por el control
de la temperatura. Se ha estimado que el trmino Kv/v es del orden de una o dos
potencias de 10 para todos los problemas de inters.
3
,4 De aqu que se tomar el
trmino Kv como una constante y se considerar la dependencia de la temperatu-
ra de los dos trminos exponenciales de la ecuacin 8.10. El trmino que implica
f1GA. se grafica en la figura 8.6 y se puede ver que la dependencia de la tempera-
tura de este trmino es similar a la de los coeficientes de difusin. Se puede tomar
f1G
A
como independiente de la temperatura y, por lo tanto, la funcin se eleva
rpidamente con la temperatura. La magnitud de este trmino da una medida de
la movilidad de los tomos.
El trmino que implica f1G* es ms difcil de tratar, ya que f1G* depende de
la temperatura. La ecuacin 8.3 demuestra que f1G* depende de 'Y y f1G
v
. La ten-
sin superficial 'Y es solamente una funcin dbil de la temperatura de modo que
se tiene:
(8.12)
246
Nucleacin
temperatura T,
Figura 8.6 Dependencia de la temperatura del trmino I1GA de la ecuacin 8.10.
Para ilustrar la dependencia de la temperatura de 11GB se examinan las curvas de
energa libre del volumen mostrad;3 en la figura 8.3. Puede velse que I1Gv es ce-
ro a la temperatura de solidificadn y que se incrementa conbrme el metal es
sobreenfriado por debajo de la terr,peratura de :rolidificacin. Por lo tanto, la ecua-
cin 8.12 debe ser cero a la tempeatura de transformacin de fase, T, y se incre-
menta conforme cae la temperatura, segn se muestra en la figura 8.7. Ntese
que este trmino es proporcional a I1G
v
, el cual es realmente el origen de la fuerza
impulsora que hace que ocurra la transformacin. As, este trmino e-/:).G*/kT, es
una medida de la fuerza impulsora. Tomando el producto de los trminos de las
figuras 8.6 y 8.7 se espera que la velocidad de nucleacin de la ecuacin 8.1 O con-
~
. ~
"
<1
I
..
medida de la fuerza
impulsora para la
transformacin
temperatura T,
Figura 8.7 Dependencia de la temperatura del trmino I1G* en la ecuacin 8.10.
NucIeacin heterognea
I
l
1'" '"
1"; (;
I
I ~ .
j 1;: ~
\ ~ ,s
I 1; ~
I li.2
I 1
1
1
1
(al
247
,
~ ~ - - - - - - - - - - - - - -

E
'" f-
:
f
:
tiempo para formar N ncleos, t = NII
(b)
Figura 8.8 a) Dependencia de la temperatura en la velocidad de nucleacin predi-
cha por la ecuacin 8.10. b) Otra grfica de la ecuacin 8.10.
tenga un mximo como se ve en la figura 8.8a. En esta figura, la nucleacin es
nula a bajas temperaturas debido a la baja movilidad atmica, al igual que a altas
temperaturas, la fuerza impulsora se hace pequea eliminndose tambin la nu-
c1eacin, Por lo tanto, se espera que la velocidad de nucleacin alcance un mxi-
mo a temperaturas intermedias entre la temperatura de transformacin y el cero
absoluto. Una forma alternativa de presentar esta dependencia de la temperatura
se muestra en la figura 8.8b, en donde en vez de graficar la velocidad de nuclea-
cin se grafica el tiempo para lograr un cierto nmero de ncleos. Esta curva tiene
la misma forma que las curvas TTT usadas para describir la cintica de las trans-
formaciones de fase, lo cual ser estudiado posteriormente.
8.2 NUCLEACION HETEROGENEA
Quedar claro del anlisis anterior ql' e la razn para que no haga nucleacin in-
mediatamente despus de alcanzar la temperatura de transformacin es la barrera
presentada por los requerimientos de energa libre superficial de los ncleos. Por
consiguiente, los sistemas fsicos que sufren transformaciones de fase intentan re-
ducir esta barrera de energa libre superficial al hacer que la nucleacin se presente
sobre una intercara preexistente. De esta forma, la intercara preexistente se "bo-
rra" y, entonces, el cambio neto de energl'a libre superficial puede reducirse un
poco. Este proceso se ilustra considerando la formacin de una nueva fase, (3, fuera
de la fase madre, a, en la pared del recipiente. La figura 8.9 a muestra la nueva
fase (3 formndose como una cubierta esfrica sobre la pared, es decir, la fase (3
es una porcin de la esfera que tiene radio r a{3' Una vista superior de la figura 8.9
a mostrara la fase (3 como un crculo con radio proyectado R. Cul es el cam-
bio de energa libre superficial producido por la formacin de esta fase {3? Como
antes, se toma la energa libre superficial igual a la tensin superficial y se tiene
Nucleacin
248
(b)
(o)
Figura 8.9 a) Geometra de la capa esfrica. b) Diagrama de tensin superficial
en el borde de la cubierta.
(8.13)
donde AaP es el rea de la intercara ex-(3 y A(3w es el :ea de la intercara (3-w. N-
tese que se debe restar la energa libre superficial de la mterfaseex-w que fue borra-
da cuando se form la fase (3, y el rea de esta interfase ex -w borrada
A(3w. Para proseguir, se construye el "balance de fuerzas de tenslOn superfIcIal
en el borde de las tres fases como se muestra en la figura 8.9 b.
-Y"w = -Y/3w + -Y"/3 cos 8
(8.14)
Sea S = cos {j y haciendo A(3w = rrR
2
se obtiene, al combinar las ecuaciones 8.13
y 8.14.
(8.15)
La expresin para el cambio total de energa libre en la formacin del ncleo de la
cubierta esfrica se escribe como
LlO=LlO(volumen )+LlO (sup.)
= VIl LlOB+(A./l-7TR
2
S)-Ya/3
(8.16)
Para ampliar esta ecuacin se necesitan las expresiones siguientes del volumen y
el rea de la superficie de una cubierta esfrica:
[
2-3S+S
3
)
V/l= 1Tr!/l 3
Aa/l = 2 1Tr!/l[ 1 - S]
R=r"/l sen 8
(8.17)
Nucleacin heterognea 249
Substituyendo en la ecuacin 8.16, se obtiene:
(8.18)
Como sen0
2
{j es 1 - Si. , por lgebra, se obtiene:
(8.19)
Comparando este resultado con la ecuacin 8.1 se ve que la nica diferencia es el
trmino entre corchetes del lado derecho. Para obtener el valor crtico de r* a(3 se
deriva, y, en forma similar a los resultados de la ecuacin 8.1, se obtiene:
* _ 2-Y"/3
r"/3-- t:..G
v
(8.20)
Complrando este resultado con la ecuacin 8.2 se ve que el radio de curvatura de
la cubierta esfrica es idntico al radio de la esfera que se obtendra por nuc!ea-
ci n homcgnea. Entonces, comparando las ecuaciones 8.1 y 8.19 resulta eviden-
te que el t:..G* para la nucleacin heterognea ser idntico al de la nucleacin
homognea, excepto por el trminq de los corchetes que implica S de la ecuacin
8.19
(8.21)
el trmino entre corchetes vara desde O hasta 1 conforme el ngulo diedro {j de
la figura 8.9b vara desde 0
0
hasta 180
0
. Desde luego, t:..G* (het.) < t:..G* (hom.),
lo cual demuestra que para la nuc!eacin heterognea se requiere menor energa
y, por consiguiente, se presenta con mayor facilidad. Este resultado puede verse
tambin si se observa que:
R*= _2-Ya/3 sen8= r*n sen8
t:..G
v

(8.22)
Cuando {j disminuye, el valor de R* se reduce tambin, lo cual indica que el vo-
lumen del ncleo heterogneo se har ms y ms pequeo y, por lo tanto, reque-
rir cada vez menos tomos para su formacin. En {j = O, el volumen se hace cero,
de tal manera que se espera que se produzca la nuc!eacin sin que se requiera nin-
gn sobreenfriamiento.
Hay muchos ejemplos de la aplicabilidad de la nuc!eacin. Quiz el ms fa-
moso la siembra de nubes para provocar lluvias. Las nubes consisten en peque-
as gotas de agua ms vapor de agua. Cuando la temperatura de la nube baja a
250 Nucleacin
0 C las gotitas de agua se sobreenfran y se nuclean cristales de hielo en la nube
y crecen a expensas de las gotitas. Cuando los cristales de hielo son lo suficiente-
mente grandes caen en forma de nieve o se convierten en lluvia o granizo depen-
diendo de la temperatura de la atmsfera.
5
Hacer que una nube sobreenfriada
libere su contenido de agua como lluvia es esencialmente un problema de nuclea-
cin. Se desea sembrar la nube con partculas que hagan que la nuc!eacin" se realice
con un mnimo de sobreenfriamiento. Por lo tanto, se desea un material para
sembrar que forme un ngulo diedro lj muy pequeo con el hielo; vase la figura
8.9b. De la ecuacin 7.26 se ve que se requiere un valor pequeo de 'Y hielo-semilla
De nuestro anlisis del captulo previo est claro que las intercaras de 'Y pequeo
se caracterizan por un ajuste cristalino bastante bueno en la intercara. Entonces, se
,1ecesita un cristal-semilla con una estructura cristalina que contenga planos cris-
talinos similares en estructura y espaciamiento reticular a los planos de la red del
hielo. Los cristales del yoduro de plata han probado ser eficaces para sembrar nu-
bes, y estos cristales satisfacen el requisito del ajuste cristalino. s Sin embargo, los
experim!lntos han demostrad0
6
,7 que en una siembra exitosa hay implicado algo
ms que un buen ajuste cristalino, pero la naturaleza exacta de los factores adi-
cionales contina siendo .9bscura.
Un claro ejemplo que ilustra la nucleacin heterognea es el de la fonnacin
de burbujas de COl en un vaso de cerveza o de champafta. La observacin revela
que las burbujas se originan en ciertos puntos selectos. frecuentemente en la pa-
red del vaso. Estos puntos son probablemente pequeas grietas invisibles u otras
discontinuidades de la pared las cuales actan como sitios de nuc1eacin hetero-
gnea. Se tratarn diferentes tipos de transformaciones de fase slido-slido y, en
estos casos, casi siempre es cierto que la nucleacin se realiza heterogneamente
en los lmites de grano o en los agregados de las dislocaciones en el metal.
La teora clsica de la nucleacin ha sido criticada debido a que los ncleos
son muy pequeos como para estar en la gama de distancias de las fuerzas intera-
tmicas. Por consiguiente. se sospecha que la aplicacin de los conceptos termo-
dinmicos macroscpicos, como en la ecuacin 8.1, no es una extrapolacin vlida.
3sta cuestin
8
va ms all del enfoque de este libro, pero en el presente, la teora
.;lsica de la nucleaciq ofrece el mejor marco de comprensin para este impor-
tante fenmeno.
REFERENCIAS
1. M. Volmer y A. Weber, Z. Physik. Chem. 119,277 (1925).
2. R. Becker y W. Doring, Ann. Phys. 24,719 (1935).
3. D. Turnbul1 y J. C. Fisher, J. Chem. Phys. 17,71 (1949).
4. J. W. Christian, The Theory of Transformations in Metals and Alloys. Per-
gamon, Nueva York, 1965, captulo 10.
5. L. J. Battan, Cloud Physics and Cloud Seeding, Anchor Books, Double-
day and Co., Nueva York, 1962, pp.60-64, 91-95.
6. A. Walton, lnt. Sci. Tech. 2, 28 (diciembre de 1966).
Problemas
251
K. A. Jackson, Ind. Eng. Chem. 57,29 (1965).
. D. R. Ohlmann y B. Chalmers. Ind. Eng. Chem. 57, 19 (1965).
LECTURAS RECOMENDADAS
12'12D'3T8u(rnbull, The unaercooling of Liquids, Scientific American Volumen
, enero de 1965).
2. A. Walton, Nucleation, Int. Sci. Tech. Volumen 2, 28 (diciembre de 1966).
PROBLEMAS
8.1 Se demostr que para un ncleo esfrico
y
Dvemustrese A(; se relaciona con el volumen del ncleo de tama 'ti'
.., por la ecuaClOn o cn co,
V*
AG
2 v
8.2 Tambin, se dedujeron expresiones para LlG* " r* :lara el c l '
cleo tuvi 1 f '. aso en que e nu-
era a Orma de una cubierta esfrica (caso heterogneo) Dem ' t
que para este c A(;. . . ues rese
v.
aso, se relaCIona con el volumen del ncleo de taman- 't'
co con la m' . "' o cn 1-
, '. l8ma ecuaClOn que se encontr en el problema 8 1
8.3 .que. una segunda fase 3 se nuelea a partir de una' orim .
un nietal pobcnstalmo. Considrense dos sitios posibles !)aTa la an
n
da eln
segunda fase. l. e a
i

:
.-
aoble cpSUla
astrica en un
!imlte de qrano
a) Se nuelea como una esfera dentro del volumen de un grano.
De 1 b) Se nuclea como una d<;>ble cubierta esfrica en un lmite de grano.
os problemas 8.1 y 8.2 se henen las siguientes relaciones las cuales se a Ji
en ambos casos a) y b): 'p can
252
v*
AG
2 '-l \1
Nucleacin
-2y
r*=--
t:..G"
La segunda ecuacin demuestra que el radio crtico de curvatura r* es el mismo,
ya sea que el ncleo sea una esfera o una cubierta esfrica doble. Para formar un
ncleo de tamao crtico, un pequeo agregado crece por fluctuaciones hasta
que obtiene un radio crtico de curvatura que sea independiente de su forma. El
volumen crtico no ser independiente de la forma.
Problema: a) Determmese una expresin para la relacin de t:..G* (esfera)/t:..G*
(cubierta esfrica doble).
b) si el ngulo diedro l) fuese de 120
0
se esperara que el ncleo (j se forme
primero en los lmites de grano o en el volumen? Explquese. Cundo se espera-
ra que se forme primero el ncleo dentro del volumen?
8.4 a) Demustrese que cuando la tensin superficial del lmite Q-Q es el doble
de la tensin superficial del lmite Q-{j ('YQQ = 2'Yc43) el volumen crtico V* para
la cubierta doble es cero. b) Se esperara sobreenfriamiento bajo estas condicio-
nes? Si n", explquese por qu no en trminos de las cantidades fsicas implicadas
aqu y, tambin, en trminos de las ecuaciones matemticas.
8.5 La ecuacin 8.2 es una expresin para el radio de un ncleo de tamao crti-
co. En la deduccin el volumen y el rea del ncleo se expresaron como una fun-
cin del radio.
Dedzcase una expresin para el nmero de tomos en un ncleo de tamao
crtico, para los casos en que el ncleo es a) una esfera y b) un cubo. Para la de-
duccin, sea
n = No. de tomos en el ncleo
AGy = cambio de energa libre del volumen por tomo
'Y = energa libre superficial por rea.
V = Volumen por tomo.
La respuesta debe dar el nmero de tomos en un ncleo de tamao crtico n*
como una funcin de AGy, 'Y Y V.
CAPTULO 9
Solidificacin
La de fase slido-lquido es quiz la ms importante de las trans-
formaCIones de que se estudian, ya que casi todos los metales deben sufrir
esta transformacIn antes de convertirse en obJ'etos tiles Se examma' , lid"fi
c' di' . ran so 1 1-
aClOnes e a eaclOnes en bastante detalle debido a su ;,.,.., ort' .
t h . .. "up ancJa comecJaI y a
su es rec a slilllhtud con otras trasnformaciones que se estudiarn despus.
9.1 NUCLEACION
En los 20 aos se han conducido numerosos experimentos acerca de la
nucIeacIOn .de la sol!dificacin en metales lquidos y los principales hallaz os de
estos estudIOS se enlIstan enseguida. g
1. voluminosas (alrededor de 1 lb.) solamente pueden ser sobreen-
fnadas pocos, grados centgrados. (Sin embargo, los metales de estruc-
turas cnstalinas mas complejas tales como Sn B' G .
d '. ' 1, a y otros parecIdos se
ran generalmente de 5 a 1SC). '
2. SI se subdIVIde .un metal en pequeas partculas (por ejemplo, limaduras)
se obtIene un sobreenfriamiento muy grande en algunas de 11
Por ejemplo, Bi, 90C; Ag, 227C; Ni, 3190C" 1 e as.
3. Las voluminosas contenidas en vidrio fundido tambin pueden
sobreenfnarse mucho; por ejemplo Bi 1 02C
2
" A 250C 3 ..
l l " ',., g, "Tamblen
n;uestras vo ummosas solidificadas y suspendidas en una atmo' r d '
hldrog ha 1 d SI era e
n ogra o grandes sobreenfriamientos, por ejemplo, Ni,
253
254 Solidificacin
En el captulo 8 se vio que los metales se sobreenfran debido a que la for-
macin de la superficie del ncleo acta como una barrera para la nucleacin.
Cuanto mayor es el sobreenfriamiento, mayor es la energa libre,AG
v
, disponible
para forzar la transformacin, segn puede verse grficamente en la figura 8.3. A
la temperatura de solidificacin, AG
v
es exactamente cero, as que se tiene
(9.1)
donde el subndice s se refiere a la temperatura de solidificacin. Si las capacida-
des calorficas del metal lquido y del slido son iguales (AC
p
= O) entonces, de
la termodinmica se sabe que los cambios de entalpa y de entropa para la soli-
dificacin son independientes de la temperatua. Como ejemplo, el valor promedio
para la solidificacin del Cu, Fe, Sn, Pb, Ni y Al es solamente de 3.6%. De aqu
que en una buena aproximacin se pueda tomar AH y AS como constantes con
respecto a la temperatura, como AH
s
Y AS s,
Combinando las ecuaciones 9.1 y 9.2, se tiene
AT
AG = AH - = As' AT
v s T :s
s
(9.2)
(9.3)
donde AT = T
s
- T. Esta es una ecuacin muy importante, ya que nos da una
buena aproximacin de primer orden acerca de la cantidad de energa libre dis-
ponible para cualquier transformacin de fase como una funcin del grado de
sobreenfriamiento. Combinando esta ecuacin con la ecuacin 8.2, se obtiene la
dependencia de la temperatura del tamao crtico del ncleo como
r*=
S
f
' T
(9.4)
la cual se grafica en la figura 9.1. Este resultado demuestra que conforme aumenta
el sobreenfriamiento, el del ncleo crtico disminuye. Consiguientemente,
la nucleacin se hace ms fcil a bajas temperaturas debido a que se requieren me-
nos tomos para que se forme un ncleo crtico.
En la nucleacin homognea, el ncleo se forma a partir de un conglomerado
de tomos en el lquido. Estudios de rayos X de los metales lquidos han demos-
trado que no hay orden de largo alcance en el lquido, sino que persiste uno de
corto alcance. En un promedio estadstico, hay un agrupamiento definido de to-
mos alrededor de cualquier tomo dado. Cuando funde un metal ccc
a
' el nmero
de tomos vecinos ms prximos cae de 12 hasta casi 8. Por consiguiente, existe
una distribucin estadstica de conglomerados en el metal lquido, y el conglo-
merado de mayor tamao se tomar como de un radio r a cualquier temperatura.
A medida que disminuya la temperatura, el valor de r se incrementar debido a la
reduccin de energa trmica. La forma de esta curva depender de la estructura del
lquido, pero cualitativamente debe aparecer como en la figura 9.2. La figura 9.1
Nuc/eacin
255
r'
T
Figura 9.1 Variacin del radio de tamao crtico para la nuclea ., 1
peratura. ClOn con a tem-
se superpuesto sobre esta grfica de r, y se puede ver que a temperaturas por
d:bajo de, A '[ H el tamao del conglomerado mximo, r, es nayor que el del
nucleo cnhco,.r . AIH es el sobreenfriamiento requerido
la nucleacIn homogenea. Sena Imposible sobreenfirar por debajo de AT
debIdo a que la estructura del lquido proporciona ncleos mayores que r*
este grado de sobreenfriamiento. Quedar claro que la temperatura de nucleacin
homognea depender de la estructura del lquido.
. En el captulo 8 se vio que la nucleacin heterognea se lleva a cabo ms f-
y, P?r lo con un sobreenfriamiento menor. Una muestra slo
reqUIere un nucleo SImple para solidificar, debido a que una vez nucleado en un
temperatura
Figura 9.2 Ilustracin de la temperatura de nucleacin homoge'ne
d ., . a en un punto
en onde el radIO cntIco es igual al radio del aglomerado de tamao mximo.
256 Solidificacin
lquido sobreenfriado, el slido crece rpidamente para transformar el lquido
total. Consiguientemente, se piensa que la razn para que los lquidos volumino-
sos slo pueden sobreenfriarse unos pocos grados, es que en una muestra volumi-
nosa siempre habr impurezas. Esto requerir purezas del orden de una parte en
105 por volumen. Ya que es difcil lograr purezas del orden de una parte por milln,
parece razonable esperar que est siempre presente un nmero suficiente de par-
tculas en las muestras voluminosas para dar la nucleacin heterognea.
Si se subdivide una muestra voluminosa de alta pureza en pequeas gotas de
lquido, entonces es razonable esperar que algunas de las gotas de lquido estarn
libres de partculas de impureza. Consiguientemente, estas gotas de lquido mani-
festarn nucleacin homognea si no se nuclean en la superficie o por algn otro
efecto. Este razonamiento explica los grandes sobreenfriamientos descritos antes
en el punto 2, y durante cierto tiempo se sinti que estas pequeas gotas de lquido
manifestaban nucleacin homognea.
El hecho de que las muestras voluminosas hayan mostrado recientemente
grandes sobre enfriamientos cuando estn contenidas en vidrio fundido o suspendi-
das en hidrgeno se debe probablemente a la efectiva eliminacin de las partculas
nucleantes en estas condiciones. Ya que los sobreenfriamientos en estas condicio-
nes son realmente mayores que en los experimentos de partcula fina (compa!"ar
2 y 3 anteriores), a la fecha existe cierta duda de si se ha logrado o no la nuclea-
cin homognea verdadera en alguno de estos experimentos. Sin embargo, est
claro que en operaciones comerciales la nucleacin dentro de los metales lquidos
virtualmente siempre ocurre heterogneamente.
Por lo general, es conveniente que en el caso de metales colados se logre un
tamao de grano tan pequeo como sea posible, ya que un tamao de grano pe-
queo mejora significativamente las propiedades mecnicas de las fundiciones me-
tlicas. Puede lograrse un buen refmamiento de grano afadiendo inoculantes al
metal lquido. Estos inoculantes se agregan en una forma conveniente para ser
distribuidos uniformente a travs del lquido y actan como agentes nucleantes
para incrementar la velocidad de nucleacin a travs del colado. Por ejemplo, en
aleaciones de aluminio se fiade Ti y B en la forma de sales de fluoruro de potasio,
las cuales se descomponen para formar Ti y B elementales, los cuales reaccionan
uno con otro y con el Al. Investigaciones recientes
5
indican que el refinamiento
de grano se produce por nucleacin sobre el compuesto TiAh , que se forma por
una reaccin peritctica. El mecanismo exacto por medio del cual los inoculantes
aseguran la nucleacin se desconoce, y los inoculantes ms efectivos se determinan
por mtodos de prueba y error.
En vista del hecho de que los metales lquidos se sobreenfran fcilmente, se
podra preguntar si los metales slidos se pueden sobrecalentar, o sea, calentar-
se por encima de sus puntos de fusin, sin llegar a fundirse. Los experimentos
demuestran que la respuesta a esto generalmente es no. La figura 9.3a muestra
un metal slido en contacto con una fase vapor. Si se forma una pequea cantidad
de metal lquido sobre la superficie slida como en la figura 9.2b, cubrir rpida-
mente la superficie completa segn se muestra en la figura 9.3c, pues se haQbserva-
Nucleacin
257
v
v
v
L
s
s
s
(a)
(b)
(e)
Figura 9.3 Fusin en una superficie libre.
do que los metales lquidos siempre mojan a sus propios slidos. Por consiguiente
si se hace un "balance de tensiones superficiales" sobre la gota, segn se muestra
la f!gura 7-.2
8
, se que la impregnacin requiere que /SV ;;;. /LV + /SL,
segun se VIO en la pagma 193. Supngase ahora que se considera el cambio de
energa libre superficial para la reaccin de fusin ilustrada de 9.3a a 9.3c:
LlG(SUp) = G(final) - G (inicial)
=A[hv +/SL -/sv]
(9.5)
el rea de las intercaras, A, es'la misma para las tres intercaras. De lo anterior
estara que el entre corchetes ser negativo, ya que los metales lqui-
mOjan sus propIOS sohdos. Por consiguiente, para la fusin en la superficie de
slidos con vapor, el cambio de energa libre superficial es negativo,
lo cual SIgnifIca la libre cae debido a la fusin. Desde luego, no habr
de energla superfiCIal para la fusin y tampoco habr sobrecalentamient
SI se puede fundir un slido de modo que el lquido formado no entre en
to con de vapor: entonces es posible sobrecalentar el slido. Sin embargo,
esto es difIcil de lograr aun en experimentos de laboratorio.
. Una aplicacin interesante de estds ideas implica la Curva de enfriamiento
slffiple que se muestra en la figura 9.4, la cual sr obtiene de la solidificacin de
metales puros. El metal lquido se sobreenfriar invariablemente por debajo de I
temperatura de solidificacin antes de que Ocurra la nucleacin. Despus de qu a
I 1" e
ocurre a nuc eaCIon a T = T
nucl
, la temperatura sube rpidamente debido al ca-
lor latente durante la soliditi;;acin. Sin embargo, esta elevacin de
se detIene abruptamente cuando se alcanza la temperatura del punto
de fUSIn, T. Ya que no puede haber sobrecalentemiento, la temperatura slo se
por de T si se funde el slido recin formado. El calor latente
por SI mIsmo es msuficIente para causar esta fusin y as la elevacin de la tem-
peratura se detiene en T-
Hay tres puntos principales en esta seccin:
1. Los metales lquidos se sobreenfran debido a la barrera de energa super-
ficial de los ncleos de slido.
258
'"
a T
f
'" Q;
c.
E
e
Solidificacin
tiempo
Figura 9.4 Una curva de enfriamiento que ilustra el sobreenfriamiento y la falta
de sobrecalentamiento.
2. Los metales slidos no se sobrecalientan debido a que no existe una barrera
de energa superficial cuando se produce la fusin en una superficie.
3. La nucleacin para la solidificacin es casi siempre heterognea. Consi-
guientemente, el sobreenfriamiento se incrementa por la eliminacin de
partculas por medios tales como purificacin o subdivisin. La adicin
de sitios de nucleacin heterogneos convenientes incrementa la nuclea-
ci6n y promueve las estructuras de grano fmo.
9.2 SOLIDIFICACION DE METALES PUROS
Una vez que se forma un ncleo de slido en un metal en proceso de enfriamiento,
la transformacin se completa a menudo por crecimiento de este ncleo slido y
no por nucleacin posterior. Se considerarn ahora varios aspectos del crecimiento
del metal en proceso de solidificacin.
A. Cinticas de los procesos atmicos en la intereara slido-lquido
Considrese una intercara slido-lquido en movimiento, como se muestra en la
figura 9.5. Puede imaginarse que ocurren dos proceso atmicos en esta intercara,
l
s
Figura 9.5 Las reaCCiones atmicas en la irltercara slido-lquido.
Solidificacin de metales puros
259
tomo en el slido -+- tomo en el lquido:
tomo en el lquido -+- tomo en el slido:
reaccin de fusin
reaccin de solidificacin
Por comparacin con la presentaci6n de la pgina 243, se puede escribir la veloci-
dad por rea unitaria para estos dos procesos como
donde
p = Velocidad de fusin (S -+- L) = ppSsvse -t>.G 'kT
P
= Velocidad de solidificacin (L -+ S) = IkT
Ss, SI = numo de tomos/rea en la intercara slido-lquido,
respectivamente;
vs' vI = frecuencia de vibracin de los tomos slido y lquido,
respectivamente;
PP.s = f ps Ap.s
(9.6)
(9.7)
donde fp,s es la probabilidad de que un tomo de energa suficiente se mueva
hacia 12 intercara y Ap.s es la probabilidad de que un tomo no sea regresado por
una colisin elstica al llegar .
!lGp '" energa de activacin para un tomo que salta S -+- L.
!lGs = energa de activacin para un tomo que salta L -* S.
I
El producto sv es la frecuencia de salto por unidad de rea si los tomos saltan
cada vez que vibran. El trmino P explica el hecho de que los tomos saltarn so-
lamente si se mueven en la direccin'correcta y si no brincan de regreso. El trmino
-t:.G{kT 'd .
e cons) era el hecho de que solamente aque Has atomos que tienen suficiente
energa sern capaces de saltar.
En el equilibrio el flujo de tomos que salta hacia el lquido debe igualarse
exactamente con el flujo de tomos hacia el slido, es decir, (dn!dt)p = (dn!dt)s,
a Ts' Consiguientemente, una grfica de las ecuaciones 9.6 y 9.7 debe tener la
forma mostrada en la figura 9.6. Est claro que, con el objeto de tener solidifi-
,
1
I
1
I
i'"'-ATK
temperatur T f
Figura 9.6 La dependencia de la temperatura de las velocidades de fusin y de
solidificacin.
260
Solidificacin
caclOn deben saltar ms tomos del lquido hacia el slido que viceversa, o sea
(dn/dt)s > (dn/dt)F' La figura 9.6 no es posible solidificar un metal
si la temperatura de la .intercara s6hdo-hqUldo es exactamente la temperatura
de solidificacin. Para que la intercara se mueva debe estar a alguna
bajo T
a
con el objeto de satisfacer la condicin (dn/dt)s > (dn/d!)F' ConslgUlen-
temente una intercara de solidificacin siempre debe subenfnarse por alguna
cantidad finita, la cual se denomina I:l.T
k
Se enfatizan los siguientes puntos:
1. La temperatura de una intercara de solidificacin debe ser menor que la
temperatura de solidificacin de equilibrio, Ta
2. Este sub enfriamiento se llama sub enfriamiento cintico, I:l.Tk
3. I:l.T
k
= T
a
- T, es el subenfriamiento en la intercara requerido para pro-
ducir un flujo neto de tomos del lquido al slido.
Generalmente es cierto que hay un subenfriamiento cintico o un sobrecalenta-
miento cintico asociado con cualquier lmite de fase en movimiento, ya sea un
lmite slido-lquido, un lmite slido-slido, un lmite slido-vapor u otro.
B. Distribucin de temperaturas en la intereara slido-lquido
Se ver enseguida que el perfil de temperaturas en la intercara e.s
un factor importante en el control de la forma de la intercara. Por lo tanto, es util
hacer una distincin clara entre dos tipos de perfiles.
1. Gradiente positivo. Por simplicidad, considrese una barra de metal que solidi-
fica en las condiciones de flujo de calor unidireccional. Generalmente, la tempe-
ratura del lquido es ms alta que la del slido y el perfil de temperatura es como
se muestra en la figura 9.7. Ntese que la intercara se subenfra por I:l. Tk con el
objeto de impulsar las reacciones en la intercara, y el gradiente de temperatura
en el lquido es positivo.
.,
T,
(;
c.
E
2:!
s
L
Figura 9.7 El gradiente de temperatura positivo en una intercara slido-lquido.
Solidificacin de metales puros
pared posicin pared
'a)
s + L
I
I
I
I
TI - - -- - - ---=-:.;;-;l===!::=
::l
:o
(;
c.
E
.,
1-
I
I
I
+
(b)
261
Figura 9.8 El gradiente de temperatura negativo en una intercara slido-lquido
a) origen debido al so breenfriamiento; b) caso de flujo de calor unidireccional.
2. Gradiente negativo. Supngase que un lingote de estao lquido puro se enfra
lentamente, de modo que el lingote completo est a una temperatura constante
de alrededor de 15C por debajo de T
a
, segn muestra la curva 1 de la figura 9.8a.
El estao slido se nuelea ahora en las paredes y empieza a crecer hacia adentro. La
temperatura de la intercara slido-lquido ser de T
a
-I:l.T
k
, Y puesto que T
k
generalmente es menor de 1C, el perfil de temperatura despus de la nucleacin
debe ser como muestra la curva 2 de la figura 9 .8a. Se forma un gradiente de tempe-
ratura en el lquido, el cual es negativo para una intercara que se mueve hacia la
derecha, y este caso se ilustra para flujo de calor unidireccional en la figura 9.8b.
De aqu que sea posible lograr gradientes de temperatura negativos y positivos en
el frente lquido de una intercara slido-lquido que va avanzando.
C. Morfologa de la intercara (forma)
El tema de la forma de la intercara se dividir en dos secciones, dependiendo del
tipo de gradiente de temperatura en el lquido de la intercara.
1. Gradiente positivo. Se observan dos tipos distintintos de intercaras, los cuales
se muestran ellla figura 9.9. La intercara facetada de la figura 9.9adespliega una
intercara dentada consistente en planos bien definidos (facetas) que muestran
claramente el earcter cristalino del sli?o. La intercara general slido -lquido yace
paralela a la isoterma de la temperatura de solidificacin, pero los planosfacetados
generalmente forman ngulos con la isoterma T
a
. La intercara no facetada de la fi-
gura 9.9b es simplemente una intercara planar que yace paralela a la isoterma T
a

a) Recu"encia. Debido principalmente al trabajo de K. A. Jackson,6 se sabe
ahora que existe una extremadamente buena correlacin entre la entropa de fu-
262
ro
3
ro
Q;
Q.
E

Solidificacin
Ll __ s __ --=---c:::tisoterma J:::: ...... :s_d:::::::::::.---1j;,...-__ L __ ...J
posicin. Z
(a) Facetado
ro
3
ro
Q;
Q.
E
S
I
I
I
I
I
I
I
I
posicin Z
(b) No facetado
Figura 9.9 Las dos morfologas de intercara observadas en metales puros con gra-
diente positivo. a) La intercara facetada; b) la intercara no facetada o planar.
sin, IlSf' de un material y el hecho de que solidifique con una intercara faceta da
o con una no facetada. Segn se muestra en la tabla 9.1, todos los metales regula-
res solidifican con intercaras no facetadas. Aunque los semimetales y los semicon-
ductores solidifican usualmente con una intercara facetada, solidificarn con una
intercara no facetada ert ciertas condiciones de velocidad de solificacin y gradien-
te de temperatura. En un libro dedicado a los metales se podra tender a descartar
el crecimiento facetado, ya que todos los metales regulares solidifican con una
intercara no facetada. Sin embargo, las dos aleaciones fundidas ms importantes
desde un punto de vista comercial son las fundiciones de hierro y las aleaciones
Al-Si, y los elementos qumicos que determinan sus propiedades tiles, C y Si,
solidifican ambos con una intercara facetada.
b) Subenfriamiento cintico. Aqu los resultados son bastante distintos, y
caen en las siguientes gamas.
Crecimiento facetado: T" = l-2e
Crecimiento no facetado: TI( =OJIl-O.05e
Tabla 9.1 Correlacin de la morfologa de la intercara con la entropa
de fusin, llSf (R = constante de los gases).
Materiales
Todos los metales regulares
y algunos orgnicos
Semimetales y semiconductores
Bi, Sb, Ga, Ge, Si
La mayora de los inorgnicos
llSf/R
<2
2.2-3.2
>3.5
Morfologia
Sin facetas
Facetas observadas
Facetas observadas
Solidificacin de metales puros
263
liquido
(a)
(b)
Figura 9.10 Adhesin atmica a a) la intercara facetada y b) la intercara no face-
tada.

El sub enfriamiento cintico en el crecimiento no faceta do es tan pequeo que en
la actualidad no ha habido una medicin exacta de l. En consecuencia, en metales
puros la intercara slidos-lquido caer esencial sobre la isoterma T
s
del sistema.
c) Mecanismo. La diferencia en las morfologas se debe a un mecanismo at-
mico diferente por el cual los tomos de lquidos se agregan a s mismos a la interca-
ra slida. Se piensa que la intercara facetada crece por el movimiento de pequeos
bordes segn se muestra en la figura 9.10a. Los tomos se aaden solamente en
los bordes de modo que la intercara avanza solamente cuando pasa un borde a lo
largo de ella. Se piensa que de la intercara no facetada avanza por adicin de to-
en todos los puntos de su superficie, como se indica en la figura 9.10b. La
mtercara no facetada se denomina algunas veces intercara difusa; se sabe muy poco
acerca de la estructura de tales intercaras.
d) Orientacin preferencial. Los planos que forman facetas de la intercara face-
tada son ciertos planos cristalogrficos preferenciales, o sea, ciertos planos {hkl}.
Consiguientemente, las intercaras facetadas exhiben una orientacin preferencial
definida a la estructura del cristal slido con relacin al plano de la intercara.
La intercara no facetada puede yacer sobre cualquier plano cristalino. Sin
embargo, si el cristal slido ha crecido en una distancia de unos pocos centme-
tros, generalmente girar hasta hacer que una familia de planos {hkl} preferencia-
les se hallen en el plano de la intercara SIL. Consiguientemente, el crecimiento
no facetado exhibe una dbil orientacin preferencial, la cual se ha encontrade
que es sensible a adiciones muy pequeas de im purezas. 7
2. Gradiente negativo. Se considera primero el caso de materiales no facetados.
En la figura 9.11 puede verse que se sobreenfra el lquido al frente de la intercara
que avanza, ya que el gradiente de temperatura es negativo. Defnase la cantidad
de sobreenfriamiento como S = T
s
- T. Se ha determinado experimentalmente
que cuando dS/dZ> O, la intercara planar se vuelve inestable y degenera en una
intercara dendrtica. Dendrita es una palabra griega que significa rbol y describe
264 Solidificacin
s L s
l I


dendrita
distancia, Z ____ +
Figura 9.11 a) Sobreenfriamiento con un gradiente de temperatura negativo. b)
morfologa dendrtica resultante.
las proyecciones tipo arbreo que se forman sobre la superficie slida despus de
hacerse inestable. Para el caso en que el sobreenfriamicnto es bastante pequeo,
se obtienen las morfologas intermedias de intercaras entre planares y dendrticas.
Estas morfologas se llaman celulares y se estudiarn brevemente ms tarde.
Ahora considrese el caso de los materiales faceta dos que crecen en un gra-
diente negativo. El que las dendritas se formen o no depende del valor de .1S/R.
Los materiales facetados del intervalo inferior de .1S/R, forman dendritas en un
gradiente negativo, mientras que los materiales facetados del intervalo superior
de .1S/R solidifican con la morfologa faceta da en lugar de la dendrtica.
La figura 9.11 muestra un esquema de una dendrita que ilustra una rama prin-
cipal y algunas ramas laterales secundarias. Las dendritas exhiben una orientacin
preferencial. Cada dendrita es un monocristal, y se ha encontrado que en cada
sistema cristalino la direccin cristalogrfica paralela al eje de la dendrita es la
misma siempre. Esto lo ilustran los datos presentados en la tabla 9.2.
El subenfriarniento cintico en las puntas de la intercara dendrtica que avanza
es del mismo orden de magnitud que para el caso del gradiente positivo. Sin em-
Tabla 9.2 Direcciones CrIstalogrficas preferencia
les de crecimiento en dendritas.
Estructura
cristalina
CCC
a
CCC
u
tcc (Sn)
ehc
Direccin cristalogrfica a lo
largo de los ejes de las dendri-
tas
(100)
(100)
casi (110)
(1010)
Solidificacin de aleaciones
265
oargo, ser algo mayor, ya que las dendritas generalmente crecen a una velocidad
ms alta que las intercaras planares.
D. Velocidad de intercara controlada por flujo trmico
Puesto que el subenfriarniento cintico, .1 T
k
, es bastante pequeo en los metales
la temperatura de la intercara estar siempre muy cercana a la isoterma de la tem:
peratura del sistema. La situacin de la isoterma de la tempera-
tura de solidificaclOn se controla por las condiciones de transferencia de calor del
la velocidad de solidificacin se controla por el flujo
trrruco. Esto puede ilustrarse por un balance trmico simple en la intercara de
una barra de solidificacin tal como la que se muestra en la figura 9.9. El balance
trmico implica tres trminos:
1. desde el lquido hacia la intercara, -k(dT/dZ).
2. FlUJO termlco difUSIVO desde la intercara hacia el slido, -ksCdT/dZ)s'
3. Flujo trmico generado por el calor latentp. en la intercara, -Lp. R, donde
es el calor latente por gramo, p es la densidad, R es la velocidad de la
y ks Y k son las conductiviuades trmicas del slido y del lquido,
respectIvamente:
(9.8)
Los tre.s se con un signo menos, ya que los flujos estn todos
en la drrecclOn negatIva y cada uno de los trminos individuales son cantidades
positivas. Resolviendo para la velocidad de la intercara se tiene
R k,(dT/dZ),-k,(dT/dZ),
(9.9)
Esta ecuaci.n de la velocidad de avance de una intercara que solidifica y se aplica
en general SI se reemplazan las derivadas con derivadas normas en la intercara en
cuestin. Se encontrar que la velocidad de las transformaciones de fase slido-sli-
do no son controladas generalmente por el fluj o trmico como en este caso de
transformacin slido-lquido.
9.3 SOLIDIFICACION DE ALEACIONES
Cuando una aleacin solidifica, el slido que se forma generalmente tiene una
composicin diferente a la del lquido del cual est solidificando. Por tal motivo
la de en el slido generalmente ser diferente a la que ten;
antes de solIdIficar. Esta redistribucin del soluto producida por solio
difIca.cI?n se denom.ina frecuentemente segregacin. En esta seccin se pretende
deSCrIbIr la segregacIn en una forma cuantitativa. La discusin se limitar a alea.
ciones binarias con el objeto de simplificar la presentacin.
266
Solidificacin
lquido
T,
slido
composicin fraccional, X
Figura 9.12 Un diagrama de fases.
A. Solidificacin de equilibrio
La figura 9.12 presenta la regin slido-lquido de un de
eutctico. A cierta temperatura, cualquiera tal como TI' este diagrama
composiciones fraccionales del slido y del lquido en mutuo eqUlhbno.
El coeficiente de distribucin de esquilibrio, ko, se defme como la razn de las
composiciones de equilibrio del slido y del lquido.
k = .X[ solidus en T] = X,
o X[Iiquidus en T] XI
(9.10)
Consiguientemente, ko la relacin de las composiciones solidus a /iquidus a
cualquier temperatura de inters. Se puede demostrar que ko es una constante
independiente de la composicin si las lneas son rectas.
Si se enfra un volumen de lquido de composlclon uniforme Xo a la tempe-
ratura T entonces la composicin del slido koXo empezar a formarse si no
interfier: ia barrera de nuc!eacin. Si la temperatura disminuye a T
2
, Y si
la solidificacin de quilibrio, entonces de la bien conocida ley de la palanca se tIene
longitud A -B
Fraccin de lquido en peso =
longitud A-e
(9.11 )
Este resultado se obtiene a partir de balances de masa en el slido y el lquido
para 1) el componente soluto y 2) ambos juntos. Se obtienen dos
ecuaciones que se combinan para dar la eCuaClOn 9.11, la ley de la palanca. Al
Solidificacin de aleaciones 267
derivar este resultado, se supone que todo el lquido es de composicin Cy todo
el sliclo es de composicin A. Consiguientemente, la ley de la palanca requiere
que todo el lquido y todo el slido tengan composicin uniforme. Este ltimo
requisito se obtiene frecuentemente en la solidificacin, de modo que la ley de la
palanca slo tiene utilidad muy limitada para describir la solidificacin de los sis-
temas reales. Por ejemplo, la ley de la palanca indica que el ltimo lquido solidi-
fica a la temperatura T
3
yen este pJnto todo el slido tiene composicinX
o
. Con
frecuencia esta condicin no se obtiene debido al primer slido formado con una
composicin koX
o
, y es difcil para este slido incrementar su composicin a X
o
al
tiempo que el ltimo lquido solidifica.
B. Solidificacin de no equilibrio
En esta discusin se hacen dos suposiciones principales que se examinarn des-
pus en detalle:
1. Composicin uniforme del lquido
n. Una intercara slido-lquido plana
Considrese ahora un cilindro horizontal de aleacin lquida que tiene composicin
uniforme X
o
. Esta composicin uniforme inicial se grafica bajo la aleacin en la
figura 9.13a. Ahora enfrese el extremo izquierdo de la barra permitiendo que se
forme una pequea cantidad de slido. Entonces se localiza la intercara slido-l-
quido en la posicin l. El rea bajo la curva de la figura 9 .l3a entre dos puntos
cualesquiera Z I y Z2 es proporcional a la masa del soluto en la barra entre los pun-
tos ZI y Z2. Despus de que solidifica el pequeo volumen inicial, la composicin
c:
-o
'
';
o
o.
E
o
u
I
t
1
t
liquido I
2
t
posicin, Z--+-
(a) (b)
Figura 9.13 a) Perfil de composicin a lo largo de una barra solidificada desde el
extremo izquierdo. b) Diagrama de fases correspondiente para la aleacin de a).
268 Solidificacin
en este volumen ha cado desde X
o
hasta koX
o
. Despus luego, se ha rechazado
una masa de soluto desde el slido, proporcional al rea sombreada de la izquierda
de la posicin 1 en la figura 9 .13a, y ha pasado al lquido. Esto debe hacer que la
composicin del lquido se eleve por encima de X
o
por una pequea cantidad,
segn se muestra en dicha figura. De la seccin previa, se sabe que la temperatura
en la intereara slido-lquido estar a O.Ol-O.OSoC de la temperatura de equili-
brio. De aqu que se considere que existe un equilibrio local en la intercara s-
lido-lquido. Esto significa que la ecuacin 9.1 O se aplica a la intercara de tal modo
que se puede escribir X
s
= koX,. Las composiciones del slido y del lquido estn
"ligadas" en la intercara por esta relacin de equilibrio. Consiguientemente, con-
forme la composicin del1quido se eleva debido al rechazo de soluto en la inter-
cara, la composicin del slido debe elevarse tambin. Despus de que la inter.cara
ha avanzado a la posicin 2, la composicin del slido se habr elevado gradual.
mente como se muestra en la figura 9 .13a debido al incremento en la composicin
del lquido, y la temperatura de la intereara habr cado de 1 a 2 segn se muestra
en la figura 9.13b. Ntese que esta no es una solidificacin de equilibrio ya que
el slido no tiene una composicin uniforme. Una composicin uniforme del slido
slo puede obtenerse por difusin de estado slido, la cual frecuentemente es tan
pequea que tiene un efecto sin importancia sobre el perfil de composicin del sli-
do. Despus de que la barra completa ha solidificado el perftl de composicin apare-
cer como en la figura 9.14. Ntese que se obtiene una purificacin en el extremo
izquierdo de la barra y una consiguiente segregacin de soluto en el lado derecho
extremo. Este tipo de segregacin se llama macrosegregacin debido a que se
extiende por distancias largas, del orden de la longitud de la barra. A este tipo de
comportamiento se le llama frecuentemente solidificacin normal, debido a que
e
..,
'
.;
o
a.
E
o
(J
o posici6n, Z -
L
Figura 9.14 Perfil de composicin despus de que ha solidificado la barra completa
de la figura 9.13 a, para ilustrar la solidificacin normal.
Solidificacin de aleaciones
269
se espera que la primera parte de la barra solidificada tenga slido
de CO:nposlclon cercana a koXo. Despus, cuando se flexibilice la suposicin 11
se vera que realmente se puede invertir la figura 9.14. '
1. . Derivacin la "Ecuacin de solidificacin normal". Es bastante sencillo
denvar la ecuaClOn para la curva de la fioura 9 14 En esta der' "' h'
d ." " lva CIO n se ara uso
e la volumtrica, e, en vez de la composicin fraccional, X, en
peso. La relaclon entre las dos es simplemente e = X (densidad), Se har un
balance de, del soluto dentro de un volumen diferencial del lquido, A dZ,
el cual sobdiflca. Esta cantidad de soluto se da en la ecuacl'n 9 12
. 1 l' . y es propor,
Clona a area sombreada de la figura 9 .ISa:
dM[ antes de solidificar 1 = C
l
A dZ
(9.12)
Despus de el soluto se redistribuye entre el lquido y el slido como
se muestra en la fgura 9.1Sb, as que se puede escribir
dM[despus de solidificarl = es A dZ + dC,' A [L-Z -dZ]

,
L
Z

I
561.
m
lquido
CI
rO
E
..,
E
.g
>
__________ ______
'

E
.,
(J
e
o
(J
dCI
(9.13)
- (a)
_ (h)
Figura 9.15 del soluto durante la solidificacin de un elemento
de volumen a) PerfIl de soluto antes de que solidifique el elemento de volu-
men, b) Perfll de soluto despus de que solidifique el elemento de volumen.
Solidificacin
270
ha
'tl'do que ninguna cantidad de soluto se difunda hacia
Ntese que no se perrm . . 'd . t d-
el slido fuera del elemento de volumen. De aqu que la denv.aclon o a
. . d t d sl'do Ahora se supondrn iguales densIdades del hqUldo y
difuSIn e es a o 1
del lquido Y del slido, as que
x, e,
k
o
=-=-
XI e
(9.14)
. 9 12 Y 9 13 Y empleando la ecuacin 9.l4, se obtiene
Igualando las ecuacIones. :
despus por medio de un poco de algebra
J
z (1- ko) dZ J
C
' de
o L-Z CO e
(9.15)
. b ue en Z = O la composicin del lquido
Para integrar la ecuacl6n 9.l5 se sa e q ha formado slido an. Su-
. ., .. l e ya que no se
debe ser la composlclon ongm
a
, o, .
poniendo que ko es constante, se integra esta ecuacIn para obtener

e(Z) = eOL-r=-
(9.16)
Ya que la composicin en cualquier posicinZ es simplemente koC(Z), se obtiene
la ecuacin de solidificacin normal,
(
Z]ko-l (9.17)
c,(Z) = koeo 1-I
Adems de las suposiciones 1 Y 11, esta ecuacin est restringida a
IlI. Difusin de estado slido insignificante
IV. ka = constante , . .
V. Densidades del slido y del hqUldo Iguales
., volumtrica C por la concentracin fraccional
Si se reeemplaza la en peso de ia solidificada, se
en peso, X, y Z/L PI. ., 9 17 se obtiene en trminos de estas vanables
P
uede demostrar que a ecuaClOn . . f f n-
I
."' V Las suposiciones III Y IV se satIs acen recue
'n necesidad de a suposlclon . . ., d .
SI la rctica La ecuacin 9.17 representa una aprOJumaclOn e pnmera
temente en I de no equilibrio, la cual es bastante adecuada para al-
mano para a s
gunos casoS.
C. Fusin de zona
Se hizo notar antes que la solidificacin normal produce una
. orcin de la barra que solidifica, segn se muestra en a 19ura . .
p G Pfann8,9 public un famoso escrito, en el cual demuestr.a que se
una forma mucho ms efectiva de purificaciri por .Ia tcmca de fuslon
de zona. En esta tcnica se funde una pequea zona de longItud 1 en la barra y
Solidificacin de aleaciones 271
561. 561.
Figura 9.16 Variacin de la composicin a lo largo de una barra producida por
fusin de zona; n es igual al nmero de pasos de zona.
hace viajar a lo largo de la barra, como se ilustra en la figura 9.16. Despus de que
la zona ha recorrido la barra por primera vez (n = 1), se obtiene una purificacin.
Una vez realizado un balance de masas similar al anterior para el so luto de la zona,
se puede demostrar que despus de un paso de la zona, la concentracin en la
barra sera
(9.18)
La purificacin despus de un paso es menor que la obtenida por solidificacin
normal. Sin embargo, con la solidificacin de zona se puede pasar repetidamente
la zona a lo largo de la barra y se obtiene una purificacin cada vez mayor despus
de cada paso, hasta que despus de muchos pasos se alcanza una ltima distribu-
cin. Las ecuaciones de concentracin contra longitud despus de ms de un paso
de la zonas son ms complejas que la ecuacin 9.18 y no se discutirn aqu.
La fusin de zona es un mtodo extremadamente efectivo para la elimina-
cin de elementos de impurezas que tienen valores de ko menores de 0.5. Por
ejemplo, con una impureza de ko = 0.1 la concentracin promedio de la impureza
en la primera mitad de la barra se reduce por un factor de alrededor de ] 000 des-
pus de solamente 5 pasos (referencia 8, pgina 287). Sin embargo, es importante
que este resultado, as como la ecuacin 9.18, est sujeto a las mismas cinco res-
tricciones que se aplican a la ecuacin de solidificacin normal enlistadas antes.
De nuevo, las ltimas tres suposiciones tienen generalmente muy poca influencia
en la prctica. Sin embargo, las primeras dos restricciones, I y Il, son bastante
importantes y se tratarn por sepaddo en las prximas dos secciones.
D. Mezcla en el lquido
En las derivaciones de las ecuaciones de solidificacin normal (9.17) y de fusin
de zona (9.18) se emple la suposicin de composicin uniforme del lquido (su
272 Solidificacin

capa
limite

(a) (b)
Figura 9.17 El perfil de velocidad a travs de un tubo para el flujo de un fluido. a)
Flujo laminar. b) Flujo turbulento.
posicin 1, pgina 267). Esto viene a ser una restriccin muy severa, como se ver
ahora.
Las corrientes de conveccin en la fraccin de lquido de una aleacin que
solidifica tendern a producir una composicin uniforme del lquido. La convec
cin natural es muy difcil de eliminar de las aleaciones metlicas lquidas debido
a su baja viscosidad y alta densidad, as que se podra esperar que se obtuviera
generalmente una composicin uniforme del lquido. Sin embargo, hay una carac
terstica fundamental del flujo de fluidos que impide esto. Cuando un fluido fluye
por una superficie slida, se encuentra siempre que la velocidad del fluido justa-
mente sobre la superficie es cero. Esta condicin se llama de no deslizamiento.
No es del todo obvio que se debera obtener esta condicin. Si se pasa un fluido
a baja velocidad por una tubera como se indica en la figura 9.l7a, fluir pa-
ralelamente a la pared de la tubera en todos los puntos y esto se denomina
flujo laminar. La velocidad de flujo es un mximo en el centro y caeparablica-
mente a cero conforme se llega a la pared. A velocidades muy altas el flujo se
vuelve turbulento, implicando mucho giros y remolinos en el centro de la tubera
donde la velocidad media es casi constante a travs del dimetro. Sin embargo, la
velocidad debe caer siempre a cero en la pared. De aqu que siempre est presente
en ll!- pared una capa lmite de fluido fluyendo laminarmente. Una capa lmite tal
est siempre presente en el lquido yen la intercara slido-lquido, e inhibe una
composicin uniforme del lquido.
Como se explic antes, durante la solidificacin el saluto es rechazado con-
tinuamente del slido hacia el lquido en la intercara slido-lquido. Con el objeto
de obtener una composicin uniforme del lquido, este so luto debe transportarse
muy rpidamente a travs del lquido. Hay dos mecanismos de transporte dispo-
nibles para mezclar este so luto en el lquido: difusin y flujo del fluido (convec-
cin). De los dos, la difusin es un mecanismo mucho ms lento. En la capa lmite
de la intercara no puede haber transporte convectivo normal a la intercara debido ato
flujo laminar paralelo a la misma. El soluto solamente puede transportarse a travs
de la capa lmite hacia el lquido en conveccin por el lento mecanismo de la di-
fusin. Consiguientemente, se produce una acumulacin de so luto en la regin
de la capa lmite, segn se muestra por la curva a rayas de la figura 9.18a. Ms
all de la capa lmite, la composicin de la masa del lquido es uniforme y tiene el
Solidificacin de aleaciones
s61.
ea con
acumulaci6n j (e ).
/,", s,
//
/
(a)
IIq.
273
(el Ji
(el )8
(b)
9.18 a) Efecto de una acumulacin de so luto en el lquido con la com o-
SICIon de la barra solidificada. b) Establecimiento del efecto de acumulaci/d
soluto durante el transitorio inicial. e
valor (e)v .debido a la mezcla. Ya que casi se alcanza el equilibrio local en la in-
tereara, se tlene (es) i. = ko (e,) i (donde se utilizan concentraciones volumtricas
y se una denSIdad constante). La acumulacin de soluto hace que (e)- se
eleve y; aqu (es) debe subir rpidamente tambin. Desde
la del solIdo se eleva ms rpidamente que para el caso en que no ha;
tal se ilustra en la figura 9.18a. Resulta evidente que esta acu-
mulaCIn en la reglOn de la capa lmite tiene un efecto muy fuerte sobre el perfIl
de composicin del slido.
la regin de la capa lmite al principio de la solidificacin. El so-
luto SIendo rechazado hacia la regin de la capa lmite desde la intercara en
10 cual hace que el soluto se concentre en esta regin como se muestra
en la ftgura 9.18b. Conforme la cantidad de soluto aumenta sm' emb
d' t d' ' argo,sugra-
len e concentraclOn a travs de la capa lmite se hace ms escarpado y la
de a la capa lmite por difusin aumenta que
se obttene un equt1lbno entre la entrada y la salida de la regin de la
capa hnute. En este punto se detiene el incremento de la concentracin de modo
que la se hace constante. La regin sobre la cual 'ocurre la
se. transitorio inicial; vase la figura 9.l8b.
Es utd defmrr un termmo llamado el coeficiente de distribucin efectiva, k
e
:
le. = (X.), = (e.),
(X,)s (C)v (9.19)
Despus de completarse el transitorio inicial, el coeficiente de distribucin efectiva
es constante .. El valor de ke dice mucho acerca del efecto de la mezcla de lquido
sobre el perfil de saluto que solidifica hacia el slido. Los dos casos limtantes se
en las 9.19a y 9.19b. En el primer caso, ke = 1, de modo que
( s) - (e,) v AqUI, el efecto de acumulacin conduce la composicin del slido
274
(a) k. = 1
(b) k. = ka
e
<>
'

E
Q)
o
e
o
o
e
<>
'

e
Q)
o
e
o
o
e
<>
'
(e) ka < k. < 1
E
Q)
o
e
o
o
Solidificacin
561. lq.
ka Ca
Ca
ka Ca
distancia a lo largo de la barra.
Figura 9.19 Perfiles de soluto para diferentes valores del coeficiente de distribu-
r:in efectiva ke.
hasta la composicin original, e
o
, y la mezcla no es suficiente para elevar (el) v
por encima de e
o
. Este resultado se obtiene para el caso de muy poca o ninguna
mezcla. En el caso (b), ke = ko, se debe tener (el); = (el) v (igualarlas ecuaciones
9.10 y 9.19), lo cual significa que no hay efecto de acumulacin. De aqu que hay
una composicin uniforme del lquido y se tiene el resultado de la ecuacin 9.17
estudiado antes. Para el caso intermedio, figura 9.19c, altransitorio inicial le sigue
una elevacin gradual de la composicin del slido similar al caso (b) pero a un
nivel ms alto de composicin. Puesto que ke es muy importante, ahora se deriva
una ecuacin para su dependencia de parmetros medibles.
l. Derivaci6n de la ecuaci6n para ke. Para proseguir es necesario primero derivar
la ecuacin diferencial que gobierna la concentracin del liquido, el, en la capa
lmite (flgura 9.20). La intercara se toma como punto de referencia. El lquido
fluye hacia un observador situado en la intercara, de modo que el flujo de soluto
Solidificacin de aleaciones
561.
e
<>
'
!'!?
E
Q)
o
e
o
o
275
lq.


I difusin
distancia, Z +
Figura 9.20 Los flujos de soluto en el lquido con relacin a la intercara slido-l-
quido.
debido al flujo del lquido en cualquier P:.lnW del liquido es -Re
l
, donde el es
la concentracin volumtrica local del lquido, y R es la velocidad a la cual se
mueve el lquido hacia el observador (velocidad de la intercara). Se requiere el
signo menos, ya que este flujo se dirige en la direccin Z y se toma R como un
nmero positivo. El flujo total debido a la difusin y al flujo de fluido es
(9.20)
Ahora se aplica la ecuacin de continuidad (ecuacin 6.7) tal como se hizo en la
pgina 160 para obtener la segunda ley de Fick; aqu se obtiene
D a
2
c+ R ac= ac
az
2
az at
(9.21)
Despus de que ha pasado el transitorio inicial, la cantidad de soluto en la capa
lmite permanece relativamente constante y entonces se supone a erl at = o despus
del transitorio. Esta es una suposicin ya que el valor de (el) v sigue elevndose
despus del transitorio. Sin embargo, el perfil de soluto en la capa lmite se vuel-
ve casi constante despus del transitorio, y los experimentos han demostrado que
esta suposicin es bastante buena. Desde luego, la ecuacin diferencial que des-
cribe el nivel de soluto, el, en la capa lmite despus del transitorio viene a ser
d
2
C+ R dC= O
dZ
2
D dZ
(9.22)
Se debe resolver est ecuacin para las condiciones que prevalecen en los dos
lmites de la regin de la capa limite. El lmite del lado izquierdo es la intercara
276
slido
(CI Ji
interfase.
z=o
I
I
I

I
z = eS
Solidificacin
lquido
(CIJB
Figura 9.21 Modelo de capa lmite para transporte de soluto en el lquido agitado.
slido-lquido y se obtiene esta condicin lmite a partir de un balance de flujos
de soluto a travs de la intercara,
I Flujo dirigido hacia la intercaral = I Flujo dirigido hacia fuera de la intercara I
(9.23)
De nuevo, se toma la intercara como punto de referencia, y de la flgura 9.21 se
ve que el nico mecanismo por medio del cual entra el soluto a la intercara es el
flujo de fluido desde el lquido, as que se tiene
I Flujo dirigido hacia la intercara I = R (e,) i (9.24)
Sin embargo, ntese que un flujo se aleja de la intercara por tres mecanismos: flujo
hacia el slido, difus:5n hacia el lquido y tambin difusin hacia el slido. Como
antes, se ha pasado por alto la difusin hacia el slido y se obtiene
I Flujo dirigido hacia lJfuera de la intercara 1= R( c,) - D (9.25)
Se necesita el signo menos en trmino difusin debido a que (dC/dZ) es negati-
vo. Combinando las ecuaciones 9.23, 9.24 y 9.25 con la relacin (es) = ko (C)
se obtiene
Condicin de frontera 1: D( + R( Ct)(l- ko) = O a Z = O
(9.26)
(Se notar que se han supuesto implcitamente densidades iguales del slido ydel
lquido). Como se mostr en la figura 9.21, el espesor de la capa lmite se define
como o y se supone que ms all de una distancia o la concentracin en el lquido
es uniforme en (C)v. De aqu que se tiene
Condicin de frontera 2: e, = (e,) v a Z = o (9.27)
Solidificacin de aleaciones 277
Es ahora algo simple resolver la ecuacin 9.22 para las condiciones de frontera
9.26 y 9.27 Y obtener e=funcin [R, D, ko, 0, Z, (e}v]. Dela solucinenZ= O,
es cuestir. de lgebra demostrar
k. = ko
ko+(l-ko)e
RSID (9.28)
,
Esta es una famosa ecuacin derivada primero en 1953 por Burton, Prim y Slich-
ter.
10
Demuestra que el coeficiente de distribucin efectiva es una funcin de ko Y
el grupo adimensional Ro/D. En la figura 9.22 se muestra una grfica de la ecua-
cin 9.28 para un valor especfico de ko. Se ilustra que ke se extiende desde un
valor mnimo de ko hasta un mximo de 1 conforme se incrementa Ro/D.
Considrese la solidificacin normal de una barra bajo dos condiciones:
1. Ro /D suficientemente pequeo para dar ke = ko.
2. Ro/D tal que ke = 2 ko (pero ke < 1 si ko < 1).
Al analizar la figura 9.19b se demostr que la condicin ke = ko corresponde a no
acumulacin, y el perfil de composicin del slido que solidifica fuera sigue la
ecuacin de solidificacin normal (ecuacin 9.17), como se muestra en la figura
9.23. Sera bueno tener una ecuacin para el perfil de composicin cuando k
, e
> ko tal como el caso 2 aqu. El anlisis anterior ha demostrado que despus de
que el transitorio inicial ha terminado, el valor de ko se hace constante segn
se da por la ecuacin 9.28. Desde luego, para el caso de acumulacin de soluto se
puede ejecutar un balance de masas similar al hecho en la figura 9.15, y si se su-
pone que el contenido total de soluto en la regin lmite es constante, se obtiene
(9.29)
Esta ecuacin de la curva para el caso (2) mostrado en la figura 9.23 para todos
los puntos ms all del transitorio inicial. Ya que el transitorio inicial por lo general
es nicamente de alrededor de 1 mm de largo cuando hay mezcla presente, la
ecuacin 9.29 es bastante adecuada usualmente para dar el perfil de soluto en casos
donde ke > ko.
Por un razonamiento similar se puede demostrar que para este caso de ke > ko
la ecuacin para la fusin de zona (ecuacin 9.18) se modifica para dar
(9.30)
Ahora se consideran dos casos de aplicacin de las ecuaciones 9.28, 9.29 y 9.30.
Pero se recalca el hecho de que estas ecuaciones estn aun sujetas a la restriccin
de una intercara planar, o sea, la suposicin 11, pgina 267. Primero, considrese
el caso en que se prodcir la mxima purificacin, es decir, fusin de zona.
Quedar claro de 10 anterior, particularmente de la figura 9.23, que se desea que
ke se aproxime a ko tanto como sea posible. De la flgura 9.22, entonces, se ve
que se desea que Ro/D sea tan pequeo como sea posible. De aqu que se requie-
278
Solidificacin
-----------=-:::;;-------

(RID)
Figura 9.22 Una grfica de la ecuacin de Burton-Prim-Slichter, ecuacin 9.28.
(2) k e = 2ko k -1
es = k
e
e
o
[1-i 1 e
(1) k e = ko
k -1
e., = k
o
Co[1-fl o
o L
Figura 9.23 Perfiles de soluto con 1) mezcla completa, ke = k o , Y 2) mezcla par-
cial, ke = 2ko
re una baja velocidad del movimiento de la intercara y un alto grado de mezcla
para minimizar el espesor de la capa lmite, o. Segundo, considrese el problema
en el que se desea una barra de composicin constante, el cualrequerir ke = 1. De
nuevo, en referencia a la figura 9.22, se ve que se requiere una alta velocidad de in-
tercara y que no haya mezcla, con el fin de producir un o mximo. Se obtiene
entonces una composicin constante despus del transitorio inicial, el cual, para
este caso de no mezcla, puede ser del orden de uno o dos centmetros.
11
Resulta
que a menos que la aleacin contenga menos de alrededor del 1% de soluto, ge-
neralmente no es posible mantener una intercara plana (la suposicin II 'iueda
violada), y ninguno de los ejemplos anteriores se aplica entonces por razones que
se darn en la siguiente seccin.
E. Forma de la intercara
Debe recordarse que en los metales puros que solidifican bajo un gradiente negati-
vo de temperatura, la intercara plana se volva inestable y se formaban dendritas
Solidificacin de aleaciones 279
debido a que dS/dZ era positivo, segn se muestra en la figura 9.11. Para compren-
der por qu es inestable la intercara, considrese lo que sucede cuando se forma
una pequea ampolla sobre la superficie. La velocidad de la punta de la ampolla
estar dada por la ecuacin 9.9 escrita as:
_ -k,(dT/dZ),
Vpunta de ampoIla - Lp
(9.31)
donde no se considera el gradiente de temperatura del slido, ya que es casi cero
y (dT/dZ) es el gradiente de temperatura en el lquido normal a la punta de la
ampolla. Debido al pequeo sub enfriamiento cintico, D. T K, la temperatura en
la punta de la ampolla estar bastante cercana a la temperatura de solidificacin,
T
a
Desde luego, cuando la ampolla se mueve hacia el frente de la intercara plana,
el valor de (dT/dZ) se incrementa como lo muestra la curva a rayas de la figura
9.24. Esto har que la velocidad de la ampolla se incremente (ver la ecuacin
9.31), y al ser dS/dZ positivo se espera que la ampolla se propague al frente de la
intercara general.
En metales puros solamente se puede obtener sobreenfriamiento al frente de
la inten.:ara si la temperatura real T
R
tiene un gradiente negativo, de modo que
cae por rlebajo de la temperatura de solidificacin, T
a
Sin embargo, en aleacio-
nes la temperatura de solidificacin no es una constante, sino que ms bien es
una funcin de la composicin dada por la lnea liquidus del diagrama de fases.
De aqu que en aleaciones se puede obtener un sobreenfriamiento con un gradiente
de temperatura positivo. Esto se ilustra en la figura 9.25.l..a figura superior muestra
ca
a
ca
Q;
c.
E
.'!l
interfase
general
s61.
I
,
I
protuberancia
lq.
:r s = (T
s
- TRI
T, _-=-::... - J.- - --

T
R
= temperatura
real en el
Hquido
Figura 9.24 Efecto de la formacin de una ampolla sobre la intercara en el perfil
de temperatura para el caso de solidificacin con un gradiente negativo en un me
tal puro.
280
.g
'0
lo'!
E
CD
"
c:
o
"
slido
(C,).
I
interfase
I
I
I
I
(C,),
dT
c
pendiente = --z = GCR
I
I T
R
(en el liquido)
I
I
Solidificacin
Figura 9.25 La regin sobreenfriada (rea sombreada) producida por la acumula-
cin de soluto en la solidificacin de una aleacin con un gradiente positivo.
el perfil de concentracin de soluto en la capa lmite de la intercara. Se considera
un sistema euictico, ko < 1, como se muestra a la derecha. Desde luego, el efecto
de acumulacin de soluto debe disminuir la temperatura de solidificacin debido
a la relacin inversa que existe entre T
s
y C para sistemas con ko < l. La figura
inferior muestra cmo debe variar la temperatura de solidificacin, Ta, debido a
la acumulacin de soluto. Ahora se superpone una grfica de la temperatura real,
T
R
, suponiendo un gradiente positivo. Puesto que D. T K es bastante pequea, la
temperatura real del sistema debe estar a la temperatura de solidificacin en donde
ocurre solidificacin, es decir, en la intercara. Desde luego, las dos curvas deben
coincidir en la intercara, y para las condiciones de la figura 9.25 se ve que una
regin del lquido est sobreenfriada. Esto se ha llamado sobreenfriamiento cons-
titucional. Supngase que el gradiente de temperatura en el lquido se denomina
GI' De la figura 9.25 se puede ver que si G
I
;;;;. (dTs/dZ){, dnde (dTs/dZ) es la
pendiente de la curva de la temperatura de solidifioacin en la intercara, entonces
no ocurre sobreenfriamiento. Consiguientemente, (dTs/dZ) es un valor crtico
del gradiente de temperatura y se define
(
d
Ts
)
GCR= dZ i
(9.32)
Ahora supngase que la pendiente de la curva liquidus es m, segn se muestra por
una lnea liquidus recta en la figura 9.25. Entonces se tiene GCR = m (dC/dZ){,
donde ambos trminos de la derecha son negativos. La derivada de la concentra-
Solidificacin de aleaciones 281
cin del lquido en la intercara ya ha sido determinada a partir del balance de
flujos en la intercara, ecuacin 9.26. Por consiguiente, se obtiene
-mR [l-ko]
GCR = --s- (C.); z;- (9.33)
donde se ha tomado (C/)ide la ecuacin 9.26 como (Cs)/k
o
. Esta es una conocida
ecuacin derivada primero esencialmente por Tiller, J ackson, Rutter y Chalmers
en 1953.
12
Numerosos experimentoshan demostrado que prediceremarcadamente
bien la estabilidad de intercaras planares en solidificacin.
En la derivacin dada aqu se utiliz la concentracin volumtrica C y se su-
puso implcitamente que las densidades del slido y del lquido eran iguales, o sea,
PI = Ps' La derivacin puede obtenerse sin ninguna suposicin respecto a densidad
constante 13 y se puede obtener el resultado en trminos de la composicin frac-
cional X como
G
CR
= -mR (x,);[1- ka]. E!
D ka PI
(9.34)
Hay un problema fundamental en esta teora del sobreenfriamiento consti-
tucional, el cual puede demostrarse por una analoga. Supngase que se sabe que
el cambio de energa libre para alguna reaccin qumica, D.G, es un nmero ne-
gativo grande. Esta informacin por s sola no es suficiente para decir si la reaccin
va a ocurrir o no de hecho. Tal vez alguna barrera cintica inhibir la reaccin im-
pidindole seguir a la posicin de energa libre ms baja. Por ejemplo, la energa
de activacin para alguna parte de los procesos atmicos implicados en el meca-
nismo de reaccin puede ser demasiado alta a la temperatura de inters. Similar-
mente, el hecho de que en el ejemplo presente dS/dZ sea positivo hacia el lquido
solamente indica que la intercara ser inestable dado que no hay barrera cintica
que inhiba la formacin de una ampolla sobre la intercara planar. Consiguiente-
mente, se debe ejecutar alguna clase de anlisis de los procesos cinticos que ocu-
rren cuando se forma una perturbacin (una ampolla) sobre una intercara plana.
Supngase que se forma una ampolla pequea sobre una intercara planar, co-
m0 se muestra en la figura 9.26a. Tambin se muestra el perfil de temperatura a lo
largo de la lnea central de la ampolla. Se sabe que la temperatura de la intercara
en la punta, Ti (punta), debe ser menor que la temperatura de solidificacin del
lquido en la punta, Tipunta), para hacer que la ampolla crezca (vase la pgina
259). Por otra parte, la velocidad a la cual crece la ampolla debe ser proporcional
a este sub enfriamiento cintico, Vo: [Ts(punta) - T(punta)]. Hay dos efectos
que influirn sobre la temperatura de solidificacin en la punta de la
ampolla, TsCpunta), y de aqu sobre la velocidad de la ampolla.
l. Efecto de la curvatura. Si la ,ampolla se hace ms aguda, su radio de cur-
vatura disminuye, y esto cambia la energa libre de la regin de la punta
de acuerdo cop la ecuacin 7.40:
AG=2/,s-IV
r
(7.40)
282
Solidificacin
slido
n
liquido
T s(puntal
T
s
(punta)
Ti (punta)
(a)
efecto de el (punta)
difusin
(b)
Figura 9.26 a) Relacin de una ampolla sobre la intercara con el
ratura. b) Influencia del efecto de difusin sobre la temperatura de solidllcacl0n
de la punta de la ampolla.
derivada en el captulo 7. Aqu, 'Ys-I es la tensin superficial slido-lqui-
do j7 es el volumen especfico del lquido y r es el radio de curvatura de
la Este cambio en energa libre reduce la temperatura de
cin de la punta, T
s
(punta), por la cantidad b..G/b..Ss (vase la ecuacin
9.3 y las pginas 393-396). Consiguientemente, una curvatura aumentada
(r ms pequeo) tiende a reducir Ts(punta), lo cual a su vez reduce la velo-
cidad de una perturbacin sobre una intercara plana. As, la curvatura
tiende a aumentar el valor de la estabilidad planar.
2. Efecto de difusin. Si la ampolla se hace ms aguda, entonces mayor can-
tidad de soluto del rechazado de la punta de la ampolla puede difundirse
hacia sus lados en vez de apilar se al frente de la punta que avanza. Esta
difusin lateral reduce el efecto de acumulacin al frente de la punta y,
consiguientemente, reduce la concentracin en el lquido en la punta,
C (punta), lo cual a su vez eleva Ts(punta), como se aprecia en la figura
Un incremento en la Ts(punta) tender a aumentar la velocidad
de la perturbacin. Desde luego, el efecto de difusin tiende a reducir la
estabilidad planar.
Puede verse que los dos efectos anteriores actan en opuestas. El
efecto de curvatura reduce la temperatura de la punta por 2'Ys-I Vlr b..Ss , y el efecto
de difusin incrementa la temperatura de la punta por m b..C, donde m es la
pendiente de la lnea liquidus y b..C es la disminucin en la composicin en la pu.nta
producida por la forma de la ampolla. Un anlisis terico correcto debe
ambos cfedos y determino)' las condiciones fsicas bajo las cuales la velOCidad de
la perturbacin es menor que la velocidad de la intercara planar que avanza, y estas
" Solidificacin de aleaciones 283
condiciones definen entonces la gama de estabilidad de la intercara planar. El anli
sis de estabilidad para este problema se present primero en 1963, y los valores
del gradiente" de temperatura crtico por encima de los cuales es estable una interca
ra planar estn dados como 14
(9.35)
donde S es una constante que depende del valor de 'Ys-l> Y ks Y k son las conducti-
vidades trmicas del slido y del lquido, respectivamente. Para composiciones
por encima de unos pocos porcentajes en peso el valor de S es esencialmente la
unidad. La relacin ks/kl cambia desde alrededor de 2 para los metales hasta t para
los semiconductores. De aqu que el criterio de estabilidad de la ecuacin 9.35
es casi el mismo que el criterio de sobreenfriamiento constitucional de la ecuacin
9.33. De hecho, los valores predichos de GCR a partir de estas dos ecuaciones
son tan cercanos y los experimentos tan difciles, que hasta la fecha no se ha de-
mostrado que en aleaciones metlicas la ecuacin 9.35 d un mejor ajuste de los
datos aunque su validez ha sido demostrada en sistemas no metlicos. 15
Se han llevado a cabo muchos experimentos, en los cuales se han controlado
G
I
R Y C
s
y la forma de la intercara que solidifica ha sido determinada por una
variedad de tcnicas. Estos experimentos demuestran que el modo de transicin
de una intercara plana a una dendrtica depende de la composicin de la aleacin.
Considrese un sistema eutctico simple representado por el diagrama de fases de
la figura 9.27.
1. Aleaciones de composicin C
o
< Ca. Se encuentra que, para esta gama de
aleaciones, a medida que G
I
cae por debajo de G
CR
, la intercara planar sufre una
transicin gradual de planar a dendrtica. La primera inestabilidad ocurre en los
lmites de grano y se dispersa por la superficie, formando lo que se conoce como
intercara celular.
16
,17 Las secciones longitudinales de las clulas las revelan co-
ci
E
..
f-
L
I
" + {3
1
I
Figura 9.27 Un dilgrallla dc fases culcl ieo definiendo las COI11 rosiciones Ca y (',.:
Solidificacin
284
slido
liquido

celdas alargadas celdas cillndricas
(h)
(a) 1 . d'
Figura 9.28 Ilustraciones esquemticas de intercaras celulares. a) VIsta ongltu 1-
nal y b) Vista transversal.
d fonna parablica como se muestra en la figura 9.28a. Las
mo de lados suaves Y e ' , ue difieren de acuerdo
secciones transversales revelan dos morfologIas comunes q 1 fi a 9 28b
. alar adas o cilndricas segn se muestra en a 19ur . .
de G
"
las clulas se vuelven Y
mente de!:aITollan ramas laterales, caractersticas de la morfOlogl.adendn;ca.
,. 'amente crecen con una orientacin cristalografica pre erenC1a
clulas no necesan . . 1 .
a lo largo de sus ejes como lo hacen las dendritas. La tranSICIn para estas a eaClOnes
puede caracterizarse como
1. G;;:.GCR
2. G ligeramente menor que GCR
3.
intercara plana
intercara celular
intercara dendrtica
. d composiciones e < C
o
< CE' Estas aleaciones producirn un
n AleaCIones e Q t do la inter-
slido de dos fases que consta de las fases a y Por conslgUIen. e, cuan

f P r
1 nar esta
s aleaciones tendrn una microestruttura tipo eut c lCO. o
cara es p a
. . h encontrado que 18,19 la morfologa celular no siempre se
estudIOS reCIentes se a . . al d G IR La intercara se trans-
presenta, dependierfndlo d,e u:a dendrtica. El
forma de una mo o ogla p an 1 .
, . l t bilidad de la intercara planar de estas a eaCIOnes no
gradiente cntico para a es a 1 d d e aplica
est dado por la ecuaci6n 9.32. Este caso presenta un ejemp o on e de per
.' .' 1 Y se debe usar un ana SIS -
el criterio de sobreenfnam1ento conStltuclOn\ ' 935 La estabilidad de
turbaci6n como se hizo antes con respecto a a ecuaCI n ., ,. 298
la morfologa planar en estas aleaciones se considera despus en lalPagma d' ..
til evaluar numricamente la ecuaci6n 9.34 para as
Es muy lmente en colados y lingotes. Se consideran los SIgUIentes
que prevalecen genera
valores:
D 10-5 cm2 /seg a la temperatura de liquidus para la mayora de los me-
tales
Iml > oC/% en peso
R > 2.5 X (f3 cm/seg (2.2 in./hr) para lingotes y colados
Solidificacin de aleaciones eutcticas
Tabla 9.3 Valores de GCR para diferentesk
o
y valores de (X
s
) calcula-
dos a partir de la ecuacin 9.34, suponiendo Ps = Pr.
kO 10% en peso 1 % en peso 0.01% en peso (lOO-ppm)
-------
0.4
0.1
3750C/cm 375C/cm 3.75C/cm
18500C/cm 1850C/cm 18.50C/cm
285
En la tabla 9.3 se dan las evaluaciones para tres composiciones y dos valores de ka.
Puesto que se consideraron los valores mnimos de R y m puede verse que se re
quieren gradientes extremadamente altos para suprimir las dendritas. Pueden
extraerse dos conclusiones.
1. Los gradientes de temperatura necesarios para intercaras planas general-
mente son demasiado altos para ser obtenidos al menos que a) Se utilicen
velocidades muy bajas y b) el c0ntenido de soluto sea menor dell %.
2. Los gradientes en lingotes y colados generalmente son menores de 3 a
SOC/cm. Desde luego, en la prctica comercial las aleaciones casi siempre
solidifican con intercaras dendrticas. Los experimentos confIrman esta
conclusin.
9.4 SOLIDIFICACION DE ALEACIONES EUTECfICAS
La diferencia bsica en la solidificacin de aleaciones autcticas y las que se aca-
ban de explicar resulta del hecho de que en el crecimiento del eutctico se forman
dos fases slidas simultneamente a partir del lquido. Quiz las dos aleaciones
ms importantes desde un punto de vista comercial sean las aleaciones de composi-
cin cercana al autctico, como elhierro colado y el Al-Si. Las aleaciones eutcticas
fundidas tambin son de inters por su posible uso como materiales compuestos.
A. Microestructura
Una de las interesantes caractersticas de las aleaciones eutcticas es su gran varie-
dad de microestructuras muy interesantes y bellas. Con el paso de los aos se ha
propuesto cierto nmero de esquemas diferentes para clasificar las microestruc-
turas eutcticas. Aqu se presentar un esquema que ha ganado favor en aos re-
cientes. Las microestructuras se clasifican en tres categoras.
1. Regular. Existen bsicamente eros tipos de microestructuras regulares: lami-
nares o fibrosas. La estructura laminar consiste en placas paralelas a las dos fases,
como se muestra en la figura 9.29a. La microestructura fibrosa consiste de barras
(algunas veces hojas delgadas) de una fase contenidas en una matriz de la segunda
fase, como se muestra en la figura 9.29b. Este ltimo tipo de microestructura tiene
Solidificacin
286
" 1 ) Compuesto eutctico laminar,
Figura 9.29 Estructuras eutectlcas reg
u
ares. a ,. d b as Sn-18% en
cr1 d Cd (2S0X) b) Compuesto eutectlco e arr ,
Pb-23/o en peso e .
peso de Pb (1 SOX).
Solidificacin de aleaciones eutcticas
287
Figura 9.30 Estructura eutctica cqmplejo-regular. Eutctico aluminio-germanio,
Al-3S% en peso de Ge (SOOX). La fase obscura es germanio.
muchas aplicaciones potenciales como un material compuesto. Si la fase de la ba-
rra es muy fuerte y la fase de la matriz es lo bastante dctil, se puede obtener un
material compuesto de alta resistencia y ductilidad.
2o
Tambin hay muchas apli-
caciones electromagnticas.
21
Sin embargo, tales ma teriales tienen que ser crecidos
cuidadosamente debido a que las barras o laminillas tienen que crecer en arreglos
paralelos.
II. Regular complejo. En la micrestructura regular compleja se observan dos
tipos de regiones: 1) regiones de un patrn regular repetitivo y 2) regiones de
orientacin aleatoria. Estas dos regiones se puede:l ver en la figura 9.30. (Las fotos
tpicas se pueden encontrar en la referencia 22, figuras 41, SO Y 54, Y en la refe-
rencia 23, figuras 15 y 37.)
m. Irregular. En el tipo de microestructura irregular, la estructura consiste
esencialmente en una orientacin aleatoria de las dos fases (vense por ejemplo
las figuras 8 y 39 de la referencia 23).
Se puede obtener una correlacin buena entre el tipo de microestructura y
el hecho de que las fases individuales forman intercaras facetadas o no facetadas
cuando crecen como fases nicas. Esta correlacin se ilustra en la tabla 9.4. Por
2H8 Solidificacin
Tabla 9.4 Correlacin entre la morfologa eutctica y la tendencia de las fa-
ses a facetarse.
Microestru e tu ro
(1) Regular
(11) Complejo-regular
(I1I) a) Irregular
b) Irregular
Morfologa de crecimiento
de fases eutcticas
No facetada/No facetada
No facetada/facetada
No facetada/facetada
F acetada/facetada
Ejemplos
Sn - Pb, Al-Zn
Al-Si, Sn-Bi
Al-Si, Fe-C
ejemplo, en la tabla 9.1 se vio que todos los metales regulares forman intecaras
no facetadas y que la mayora de los semiconductores forman intercaras facetadas.
Las aleaciones eutcticas compuestas de una fase metlica y de una de semiconduc-
tor tienen generalmente una estructura tipo 11 o I1I,porejemplo, Al-Si o AI-Ge. La
razon para la correlacin de la tabla 9.4 es probablemente el diferente subenfria-
miento cintico que hay entre las materiales facetados y losnofacetados. Cuando
ambas fases son no facetadas, las puntas de cada fase estn dentro de casi O.02e
de la temperatura eutctica y la intercara slido-lquido general es esencialmente
isotrmica y desde luego planar, como se muestra en la figura 9 .31a. Sin embargo,
para el caso facetado- no facetado las puntas de la fase facetada deben sub enfriarse
alrededor de 1 2
Q
C en comparacin con O.02C para la fase no facetada. Consi-
guientemente, las puntas de la intercara facetada deben crecer a temperaturas de
1 a 2C ms fras que las puntas de la fase no facetada. Con un gradiente de tem-
peratura positivo, esto significa que las fase facetada se rezagar ligeramente de
la fase no facetada segn se muestra en la figura 9.31 b. Aparentemente esta con-
figuracin es inestable y la fase no facetada lder sobrepasa en crecimiento a la fase


liquido slido liquido
I
11
1 11
1 11
(a) (b)
Figura 9.31 El perfil de intercara para a) eutcticos no facetado-no facetado y b)
eutcticos no facetado-facetado.
Solidificacin de aleaciones ellrcricas
289
de una manera aleatoria. Esto hace que la face facetada se ramifique donde
a ser sobrepasada, y esta ramificacin conduce a las microestructuras
lITegulares. Aunque no es evidente de la figura 9.30, todas las partculas de Ce
facetadas (:ase estn interconectadas tridimensionalmente.
bl Hay numero de excepciones importantes a la correlacin dada en la
ta a ha encontrado que en algunos sistemas facetados- no facetados
se obtIene una mlcroestructura regular por eJ'emplo Ag-Bi Al Al N' I
c' T e La '" - 3 1, supera ea-
IOnes a- '. s razones de que estos sistemas se desven de la regla general no
se conocen bIen hasta la fech La . .
.. . a. ocurrenCIa de una mlcroestructura regular eH
ultImo SIstema es bastante fortuita por razones prcticas. La solidificacin direc-
CIOnal produce fibras de Ta-C alineadas en la matriz de n y la I "'
l
. " , a eaCIOn
compuesta resu tante tIene propiedades a la tensin y de esfu d
joradas.24 erzo e rotura me-
B. Cinticas del crecimiento laminar
Hay tres tipos comunes de transformaciones de fase que producen un m' t
t o I a lcroes ruc-
ur" ar de do.s fases apareadas. Estos son la eutctica, la eutectoide o sea
perlita) y reacciones de precipitacin discontinua. En
trans ormaCIOnes se obtIene un patrn de difusin muy interesante en la intercara
que se transforma, el cual controla el espaciamiento de fases acopladas ue se f _
man durante la transformacin. q or
El diagrama de fases autctico, tal como en la figura 9 37b m t
1 rdT .. d . - , ues ra que en
a llcaCIOn e equilibrio del lquido se transforma lquido de com-
poslclon CE, en dos fases slidas, a y {3, de composiciones C y C T b"' l
P
. d I Oi (3' am len as
roporclOnes e as dos fases deben ser tales que su composicin promedio sea la
Oi
13
a-
IJ
Oi
13
Oi
11
(a)
A
Ca
CE
CIJ B
%8 __
(b)
F' 93 .
. 2 a.) Los cambiOS de fase producidos conforme solIdifica un eutctico
lammar. b) DIagrama de fases correspondiente.
290
Cp ---------

Solidificacin
-----{3
concentracin a lo
largo de {J-(J
concentracin a lo
largo de a-a
Figura 9.33 El camino de la difusin requerido para producir la redistribucin
de soluto, y los perfiles de concentracin a lo largo de las lneas centrales de las
laminillas a Y
misma que la del lquido del cual se formaron, CE' Considrese ahora el movimien-
to de la intercara slido -lquido durante el crecimiento eutctico regular, corno se
muestra en la figura 9.32a. En los puntos 1 y 2 la composicin del lquido es la\
del eutctico, CE' En el punto 3 se espera una composicin del slido de C{3 y en
el punto 4 una compOSicin del slido de Ce:' Despus de que la intercara avanza
a la posicin II, la composicin en la regin 1 debe incrementarse desde CE hasta
C{3 y la composicin en la regin 2 debe disminuir desde CE hasta Ce:' Esto significa
que la composicin en la regin 2 debe caer repentinamente hasta alrededor del
15% B a medida que la intercara pasa, mientras que en 1 debe incrementarse a
aproximadamente eI80%B. Este drstico cambio en composicin entre las regio-
nes 1 y 2 debe ocurrir por difusin de B desde enfrente de la placaa hasta enfrente
de la placa como se muestra en la parte de arriba de la figura 9.33. Conforme las
placas a solidican expulsan tomos B, los cuales se difunden alrededor frente a
las placas mientras que las placas extraen tomosB conforme solidifican. Esta
disusin requiere que la concentracin del lquido frente a las placas a sea mayor
que frente a las placas ya que es necesario un gradiente de concentracin para
la difusin. Consiguientemente, la concentracin del lquido frente a las placas
a y no puede ser la misma, CE, como se indica por el diagrama de quilibrio de
fases, figura 9.32b. La intercara realmente se subenfra por una pequea canti-
dad, f:lTE, como se muestra en la figura 9.34. Por simple extrapolacin de"los
lmites del diagrama de fases, se ve que la composicin del lquido sobreenfriado
frente a la placa a, C;!, ser mayor que frente a la placa tal como se req uiere pa-
ra la difusin. Ntese tambin que las fases slidas tendrn composiciones slo
Solidificacin de aleaciones eutcticas 291
Figura 9.34 Extrapolacin de los lmites de fase hacia la temperatura de la inter-
cara sobreenfriada. (Llamada a menudo extrapolacin de Hultgren, en memoria
de A. Hultgren, Hardenablilty of Alloy Steels, American Society for Metals, Cle-
veland, 1938, pg. 55).
ligeramente diferentes de las composiciones de equilibrio (es decir, > Ce: Y c;
< C{3; comprense las figuras 9.32b y 9.34).
En la figura 9.33, el perfil de soluto se muestra a lo largo de la lnea central
de las placas a y Ntese que los gradientes de concentracin del lquido hacen
que los tomos B se muevan desde la placa a y hacia la Las composiciones
del lquido y estn realmente muy cercanas a CE debido a que el espacia-
miento de placas es tan pequeo que no se requieren grandes diferencias de con-
centracin para producir difusin suficiente. Estar claro que cuando ms rpida
sea la velocidad del movimiento de la intercara, ms pequeo ser el espacia-
miento de la placa con el objeto de que se lleve a cabo la difusin requerida. El
flujo de tomos B que es rechazado de la placa a puede escribirse corno
(
_ 1 dm _ (' ,
J rechaz')--A -d -R C,-C,)=R(CE-C)
" t
(9.36)
donde A'} es el rea de la superficie del lquido a, R es la velocidad de movimiento
de la intercara y CE Y Ce: se definenen en la figura 9 .32b. Para calcularla difusin
lateral de este soluto rechazado una manera rigurosa, se requiere determinar
ahora el perfil de soluto tridimensional en el lquido. Para hacer esto, es necesario
escribir la ecuacin 9.22 para difusin tridimensional y resolverla para las condi-
ciones lmite de la regin de la intercara. Tales anlisis se han llevado a cabo,25 pero
aqu solamente se presentar un anlisis superficial a partir de las ideas de Zener. 26
292 Solidificacin
Il--
()(
Il
Figura 9.35 Modelo de crecimiento eutctico laminar.
La difusin lateral entre las placas o: y (3 se realizar predominantemente en la di-
reccin Y de la figura 9.35 y es aproximadamente

(dif.) =D So/2
(9.37)
donde tle es alguna diferencia en composicin media en el Iquido entre los
a: (3 y la distancia de difusin se ha tomado como So/2. En el estado
ri: ei flujo de tomos B rechazados de una placa a: ser igual al de dIfusIon
lateral que transporta estos tomos hacia las placas (3, de modo que Igualando las
ecuaciones 9.36 y 9.37 se obtiene
(9.38)
En la seccin 9.2A se demostr que con el objeto de que.solidifique un me-
1 ., 1 -+- s debe exceder la reaccin s 1 en la mtercara, y esto se tal puro a reaCClon '.
1 o; medio de un pequeo sobreenfriamiento, tl T K, el :ual se ha
cintico. Cuando el metal solidifica debIdo a un
miento de tlT K' se libera la energa libre tlG = Mil' tl T
K
durante la
, libre se requiere para provocar una velocidad de reaCClOn atomlca
Esta energla . t' l'
t d 11 'quido al slido, un proceso que es irreversIble. Cuando un eu ec ICO so-
producen dos procesos irreversibles de. modo que para el
crecimiento autctico se deben tener tres procesos meverslbles.
a) Una velocidad de reaccin atmica neta del lquido al slido.
b) Difusin en el lquido al frente de las fases o: y (3. , .
) G "' d 1 a'rea de intercara o: - (3 entre las dos fases sobdas. e eneraClOn e
b)
Y
e) ['equerirn tanta energa como lo requiera el proceso a). Esta
Los procesos . b f' . nt
' d' 'onal para el crecimiento eutctico se obtIene por so reen flamle energla a lCl
Solidificacin de aleaciones eutcticas
293
adicional, de modo que cuando un eutctico solidifica la energa libre liberada
est dada por
(9.39)
donde Mil es la entropa de solidificacin por volumen del eutctico lquido y
tl TE es el subenfriamiento del lquido en la intercara de solidificacin para este
caso de solidificacin eutctica.
Considrese la regin interfacial mostrada en la figura 9.35, la cual tiene una
altura de So Y una profundidad hacia la pgina de l cm. Ntese que So es el es-
paciamiento entre las placas (3, y el rea So 1 es un rea "celda unitaria". La
energa libre liberada, tlGv, se usa para impulsar los tres procesos irreversibles
descritos antes y nominados a), b) Y e). Para el caso del proceso de crecimiento
eutctico regular (no facetado-no faceta do), el proceso a) es despreciable compa-
rado con los procesos b) Y e), as que se despreciar en este lugar. La intercara de
la figura 9.35 avanz una distancia dZ y se lleva a cabo un balance de energa para
el volumen [So' 1 dZ] :
1. La energa libre liberada est dada por tlG
v
So 1 dZ.
n. La energa libre que produce dos intercaras c: -- (3 est dada por 210</3'1
dZ.
III. La energa libre que impulsa la difusin est dada por tlG
d
So 1 dZ.
Aqu se ha tomado tlGd como la energa libre por volumen utilizada para impul-
sar el proceso de difusin. Efectuando el balance de energa libre, se obtiene
(9.40)
Ahora supngase que toda la energa libre liberada se utilizase para generar inter.
cara 0:- (3. En este caso hipottico tlG
d
sera cero, el espaciamiento tendra que
ser un mnimo, So = Srnn, debido a que se tiene la mxima rea de intercara. Ha-
ciendo estas dos substituciones en la ecuacin 9.40 se tiene
S
' _ 2)'al'
rnn---
tlG
v
(9.41)
Esta ecuacin dice cul es el espaciamiento mnimo posible de las placas eutcti-
caso Subst ituyendo las ecuaciones 9.39 Y 9.41 en la 9.40 se obtiene para la energa
libre que impulsa la difusin
tlG
d
= tlSII tl TE[ 1-SS:" ] (9.42)
Ahora se interpreta el significado de esta en trminos de sObreenfriamiento
por debajo de la temperatura del autctico. El sobreenfriamiento total, tlT
E
, de-
termina la cantidad de energa libre disponible para la reaccin eutctica; vase la
Solidificacin
294
lempo del eutctico
/ ........
/ "'-"",


Figura 9.36 Relacin del subenfriamiento total, t.TE, con el diagrama de fases.
ecuacin 9.39. Se puede dividir el sobre enfriamiento total en una parte que su mis-
tra la energa libre para generar superficie, flTs, y una parte que suministra la
energa libre para impulsar la difusin, flTd ; vase la ecuacin 9.43b:
t.Gv=LlGd+LlG
s
(9.43 a)
flS
a
LlT
E
= LlS
a
LlT
d
+ Ms AT
s
(9.43b)
Este resultado puede desplegarse geomtricamente sobre un diagrama de fases
como se muestra en la figura 9.36. La diferencia de concentracin disponible para
la difusin, t.C, se muestra en la figura 9.36, y puede calcularse a partir de las
pendientes de las lneas lquidus, mOl Y m{3, como
(9.44)
La ecuacin 9.42 se puede reescribir en trminos de subenfriamiento como
y substituyendo esta expresin y la ecuacin 9.44 en la ecuacin 9.38 se obtiene
R _ (-1-+.1-1 2D Ll TE (1-Srnfn1 (9.45)
- I m.. I m/3 (CE-C,,)SO So
Esta ecuacin se reescribe en la forma siguiente:
So
(9.46)
En la solidificacin de aleaciones eutcticas, la velocidad de solidificacin se con-
trola por el flujo de calor como se explic en la pgina 265. De aqu que se puede
Solidificacin de Jleaciones eutcticas
I
I
I
I
I S6pt.
Figura 9.37 Dependencia de la temperatura de la ecuacin 9.46.
295
hacer crecer fcilmente un eutctico a una velocidad constante R. En tales condi-
ciones, la ecuacin 9.46 demuestra que el subenfriamiento t.T es slo un
f ., dI' E, a
uncIa n e espaciamiento So, como muestra grficamente en la figura 9 37
las ideas de Zener,26 Tille! 27 sugiri primeramente que el
se probablemente para minimizar el subenfriamiento en la intercara.
ha mucho respecto a la validez de este principio de optimizacin al paso
de los anos, pero se usa aun cuando no hay un principio terico claro en el cual
se base. El espaciamiento ptimo correspondiente al flT E mnimo de la figura
9.37 se encuentra por derivacin de la ecuacin 9.46 con respecto a So e igualan.
do a cero. Se obtiene
(9.47)
Es posible obtener una ecu'cin de velocidad substituyendo en la ecuacin 9.45
Smn =Spt/2, So =SPt, y MsflTE = t.Gv = 2'Ya{3 /Sm{n = 4 'YO/ {3/SPt :
R = [_1_+_1_] 4)'''/3D . _1_
I m.. I mil Ms(eE-COI )
El resultado final puede escribirse en la forma
S' =const
Opt JR.
(9.48)
(9.49)
Este resultado predice que el espaciamiento observado, S6Pt, vara en forma in-
versamente proporcional con R. El espaciamiento disminuye con el incremento
de la velocidad con el objeto de permitir que la difusin redistribuya el soluto
entre las dos fases. Un anlisis ms completo de este problema
25
da el mismo re-
sultado que la ecuacin 9.49 pero con una constante diferente.
En aos recientes se han realizado numerosos experimentos sobre la solidifi-
cacin eutctica, y los resultados generalmente concuerdan bastante bien con la
ecuacin 9.49. Los resultados para los experimentos con Pb-Sn se muestran en
la figura 9.38. Ntese que la ecuacin es vlida hasta para velocidades de crecimien-
296 Solidificacin
E
-=
CI)
10-
1
velocidad de crecimiento (m/seg)
Figura 9.38 Resumen de datos experimentales sobre el espaciamiento laminar ver
sus velocidad de soldificacin en aleaciones de Pb-Sn [De H. E. CHne y J. D. L
vingston, Trans. Met. Soco AIME 245, 1990 (1969)1.
to de cuatro rdenes de magnitud. Sin embargo, parece haber una gama limitada
de espaciamientos sobre los cuales es posible lograr estructuras eutcticas regulares.
Se halla generalmente que por encima de S-lO J.lm las placas laminares se vuelo
ven onduladas y empiezan a romperse. Por debajo de S - 0.5 J.lm generalmente es
muy difcil evitar qu'e la estructura regular se rompa. Consiguientemente, el es
paciamiento eutctico usual es del orden de l 3 J.lm. Este es un espaciamiento
muy pequeo que requiere aumentos hasta de 500 X para verse con facilidad en
un microscopio ptico.
C. Estabilidad de intercaras eutcticas
La estabilidad de la intercara slido-lquido planar durante el crecimiento de
aleaciones monofsicas se estudi en la seccin 9.3E. Se demostr que el anlisis
de sobreenfriamiento constitucional y el anlisis de perturbacin dan valores nu-
mricos muy parecidos de los gradientes crticos requeridos para la estabilidad de
la intercara planar. Sin embargo, este no es el caso para la estabilidad de la inter-
cara slido-lquido planar durante el crecimiento de aleaciones bifsicas. El enfo-
que del sobreenfriamiento constitucional no funciona muy bien, dependiendo de
la y el anlisis de perturbacin es mucho ms complejo para este
caso. Se considerarn tres condiciones especficas.
1. Eutctico binario puro. Cuando un lquido binario de composicin eutctica
solidifica, la composicin promedio del slido es igual a la composicin del lquido
del cual procede. Consiguientemente, no hay efecto de acumulacin de soluto, tal
como el que se muestra en la figura 9.25 y no hay sobreenfriamiento constitucio-
nal debido a tal acumulacin. * Sin embargo, hay una pequea acumulacin de
soluto frente a las placas a y una disminucin de soluto frente a las como
*Los anlisis tericos
25
muestran que en algunos casos puede estar presente una capa lmite
de soluto muy pequea aun cuando el lquido completo sea de composicin eutctica.
Solidificacin de aleaciones eutcticas
297
se muestra en la figura 9.33, y estos perfiles de soluto pueden producir sobreen.
fria miento constitucionaL Sin embargo, este pequeo sobreenfriamiento consti.
tucional generalmente no es una condicin suficiente para la inestabilidad planar,
y encuentran los siguientes resultados.
1. Para microestructuras regulares [no facetado no facetado 1 ' la intercara pla.
nar es estable para todo GI ;;;. O. De aqu que por lo general no se encuentren
dendritas en las coladas de estas aleaciones.
IL Las microesturcturas conlplejo, regulares [no facetadas faceta das 1
veces se vuelven inestables y forman dendritas a baja G/.
28
2. Eutctico binario impuro. Si se aade un elemento de impureza a una aleacin
eutctica pura, aqul tendr algn coeficiente de distribucin promedio entre las
dos fases slidas y el lquido, k
prom
. Si k
prom
< 1, el elemento de impureza se
acumular frente a la intercara lquida del eutctico y puede dar lugar a un sobre.
enfriamiento constitucional. Weart y Mack
29
demostraron que esta condicin
vuelve celular a la intercara planar, segn se muestra en la figura 9.39a de forma
similar a aquella para el crecimiento monofsico, figura 9.28. La laminilla tiende
a crecer perpendicularmente a la intercara slido lquido, como se muestra en la
figura 9.39a y, consiguientemente, cada clula es fcilmente distinguible en una
seccin transversal, como se ilustra en la figura 9.39b. Se ha hecho costumbre
llamar a estas clulas colonias y referirse a este tipo de crecimiento como crecimien.
to de colonias. (Vase la figura '14 de la referencia 23 para micrografas reales).
Si se aade suficiente impureza para formar dendritas, generalmente se halla
que dendritas se componen de fase pura a, fase pura o una fase de la impu.
reza. Sm embargo, los experimentos realizados sobre los sistemas ternarios30 han
demostrado que las dendritas se forman algunas veces con una subestructura bif.
sica o parecida al eutctico, tal como las clulas de la figura 9.39. (En las figuras
1015 de la referencia 30, se pueden ver micrografas reales).
3. Estructuras eutcticas fuera de las composiciones eutcticas. Considrese
una aleacin de composicin Co sobre el diagrama de fases de la figura 9AOa. A
slido
I,quido

Figura 9.39 Representacin esquemtica del crecimiento celular, llamado creci-
miento de colonias. a) Vista longitUdinal de la intercara slido-lquido. b) Vista
transversal de la estructuctura de colonias.
298 SolidificaCin
Ifquido
Ca I-------J

la)
(b)
Figura 9.40 a) Una composicin fuera de la eutctica, C
o
. b) Acumulacin de so-
luto requerida para el crecimiento de una estructura eutctica regular a una com-
posicin fuera de la eutctica.
nenudo se supone que esta aleacin consistira de fase a ms eutctico, en donde
la friccin de eutctico est dada por la ley de la palanca como (C
o
- Co<)/(Ce- CeJ.
En una aleacin fundida la fase a t.stara presente como dendritas con el eutctico
ente ellas (vase la ftgura 2.1). Sin embargo, se ha demostrado
18
recientemente
que a menudo es posible solidificar esta aleacin de composicin C
o
de modo
que no haya dendritas presentes y la microestructura completa sea exactamente
similar a la micro estructura eutctica. Se har referencia a una estructura tal como
la descrita como un compuesto eutctico. La composicin de un compuesto eu-
tctico es necesariamente una composicin promedio, e, de las dos fases del com-
puesto, C= fo< Co< + (1- donde fo< es la fraccin volumtrica de la fase a en el
compuesto eutctico, y Co< y son las concentraciones volumtricas de las fases
a y [3 en el compuesto eutctico, segn se determin a partir del diagrama de
fases, figura 9.40a. Para un slido de composicin eutctica, CE, el valor de fo< se
determina a partir del diagrama de fases como - - Co<). Sin embargo,
si se pueden hacer ms gruesas las placas a de la aleacin eutctica, entonces la frac-
cin volumtrica de la fase a, fo<' se incrementar y la composicin promedio del
compuesto eutctico, e, caer por debajo de CE. De aqu que un compuesto eu-
tctico puede, en principio, tener alguna composicin promedio entre Co< y
dependiendo solamente de las fracciones volumtricas relativas de las placas a y
[3 en la microestructura del compuesto. La ftgura 9.29 presenta dos ejemplos de
compuestos eutcticos. La composicin de la aleacin Sn-Pb est 20% fuera del
eutctico y la de la aleacin Pb-Cd est 6% fuera del eutctico.
La siguiente pregunta es saber cmo se puede producir un compuesto eutc-
tico tal a composiciones fuera de la eutctica. Considrese la barra de composicin
C
o
que solidifica a la derecha en la figura 9.40b. Para que el slido se obtenga
con una microestructura regular, es que
l. el lquido de la intercara slido-lquido sea de una composicin cercana a
la eutctica, CE, y
2. la intercara planar debe ser estable (sin dendritas).
Solidificacin de aleaciones eutcticas
299
El primer criterio se cumple por la presencia de una acumulacin de soluto en la
intercara como se muestra en la figura 9.40b. Esta acumulacin de soluto en el
lquido puede producir sobreenfriamiento constitucional dependiendo del valor
de G/R: como en la seccin 9.3E, es un poco sencillo demostrar que
la cnhca para el sobreenfriamiento constitucional es G
CR
= - mR (CE
- Co)/D. Sm embargo, se ha encontrado experimentalmente que la presencia de
constitucional no siempre es una condicin suficiente para
hacer que la mtercara planar degenere a dendrtica. Los recientes resultados ex-
perimentales
l9
demuestran que el criterio de sobreenfriamiento constitucional
trabaja bastante bien si Co tiene un valor cercano a Co<. Sin embargo, para C
o
cerca-
no a CE a menudo es posible mantener una intercara planar a valores de G mucho
ms bajos que los predichos por el criterio del sobreenfriamiento constitucional.
Actualmente es tema de debate considerable un criterio correcto de estabilidad
basado en un anlisis de perturbacin cintica.
no hay, a priori, forma de conocer las condiciones que
producrran una mlcroestructura de compuesto eutctico a composiciones diferen-
tes la del eutctico. Sin embargo, a menudo hay resultados experimentales dis-
pontbles en la forma que se muestra en la figura 9.41. Si se sobreenfra la aleacin
de la regin sombreada en el diagrama de fases se hallar que solidifica con una mi.
croestructura de compuesto eutctico; fuera de esta regin tendr una microes.
tructura de compuesto eutctico adems de una dendrtica. La regin sombreada
se lIam.a regin de "crecimiento acoplado". El diagrama de la figura 9.41 es uno
que no dice nada de la temperatura a la cual se produce el
creCImIento real. Sm embargo, en Ip condiciones a las cuales se determinan estos
diagoramas, el gradiente de temperatura es muy bajo (probablemente menor de
1- 5 C( cm). Desde luego, los diagramas muestran las composiciones a las cuales
creceran los compuestos eutcticos a gradientes muy bajos y velocidades bastan-
te altas.
Figura 9.41 La regin de crecimiento acoplado (parte som breada) en el diagrama
de fases.
300
plano
interfacial
direccin de
crecimiento
So Iidificacin
Figura 9.42 La relacin cristalogrfica preferencial entre las laminillas de Pb y Sn
en el eutctico plomo-estao.
D. Cristalografa
Se encuentra generalmente que existe una orientacin cristalogrfica preferencial
entre los planos de las d9s fases de una estructura eutctica regular. La figura 9.42
muestra las relaciones que se han hallado para el sistema plomo-estao.
23
Estos
resultados se pueden escribir como,
Plano interfacial
1I
(1H) Pb 11 (011) Sn
[211] Pb 11 [211] Sn
Ntese que los cinco grados de libertad del lmite estn especificados por estas
dos relaciones. Hay ev.idencia bastante buena de que las orientaciones preferencia-
les tienen el fm de red\lcir la energa superficial de las intercaras.
Los eutcticos exhiben una dbil direccin de crecimiento preferencial. Por
una distancia de unos ~ u n t o s centmetros, los granos que tienen la orientacin
preferencial tendern a apretar a sus vecinos. Por ejemplo, en la aleacin Pb -Sn
la direccin [211] es la direccin de crecimiento preferencial para ambas fases?3
9.5 METALES COLADOS
La mayora de los objetos metlicos producidos cada da en todo el mundo se
forman por algn tipo de proceso de conformado mecnico y slo cerca del 20% se
usan directamente en su forma como recin colados. Estos productos moldeados
se forman a partir de planchas metlicas que a su vez se produjeron por solidifi-
cacin de lingotes o de cilindros de colada continua del metal madre. Las propie
Metales colados
301
dades del producto metlica final frecuentemente dependen en gran medida de la
calidad del metal colado original. Consiguientemente, la calidad de los metales
fundidos es importante no slo en productos de fundicin sino en casi todos los
productos metlicos.
El proceso de solidificacin ejerce una influencia muy fuerte sobre las siguien-
tes tres propiedades de los metales fundidos:
l. La segregacin de elementos aleables.
2. La microestructura (o sea, tamao de grano y fases presentes).
3. La solidez (o sea, porosidad en el metal).
Un anlisis completo del vaciado de los metales constituye en s todo un estudio.
Consiguientemente, el objetivo de este tema es indicar de una manera algo cuali-
tativa los principales factores fsicos que controlan las tres propiedades anteriores.
A. Solidificacin dendrtica
En la seccin 9.3 se puso nfasis en que las aleaciones metlicas casi siempre soli-
difican con una intercara dendrtica. La figura 9.43 es una seccin longitudinal
que .muestra un arreglo de dendritas de estao en una aleacin Sn-Pb que avanza
verticalmente hacia dentro del lquido. Un temple rpido ha hecho que se conser-
ven las formas de dendritas, as como el frente eutctico que avanza como un
frente planar en la base dendrtica. En la figura 2.1 se muestra una seccin trans-
versal a la figura 9.43 por debajo del punto eutctico. En ella se aprecia una sec-
cin transversal de las dendritas en una matriz de eutctico.
puntas de dendrit,,-...... .,.
frente nutctico en
base dendrrtica
Figura 9.43 Un arreglo de dendriqas de estao creciendo verticalmente. Las den-
dritas fueron preservadas por un enfriamiento rpido del lquido de la nteTcara
slido-Iquido. Aleacin Sn-20% en peso de Pb, velocidad J 2 .;.m/seg gradiente
=3JOC/cm,(38 X). '
302
Tiempo. mino
(a)
arreglo de
dendritas
(b)
Solidificacin
0.5 min
4 min
8 min
Figura 9.44 a) Avance del frente de solidificacin de un acero cOlado de 0.6%C
en un molde cuadrado de hierro colado de 7 pulgadas de lado (de la referencia
31). b) Vista esquemtica del avance del arreglo dendrtico desde la pared hacia
la lnea central del molde.
Los metales fundidos normalmente solidifican con gradientes de temperatu-
ra mucho ms bajos que para esta aleacin Sn -Pb, Y las dendritas son, desde luego,
mucho ms largas. En la figura 9.44a se ilustra un caso prctico, el cual presenta
datos sobre la solificacin de un acero de 0.6% de carbono vaciado en un molde
cuadrado de hierro gris de 7 pulgadas de lado.
31
Tal como se ilustr en la figura
9.44b, el metal empieza a solidificar en la pared del molde y la intercara slido-
lquido consiste de un arreglo de dendritas que avanza hacia el centro del lingote
a medida que prosigue la solidificacin. La localizacin de la punta y de la base
del arreglo de dendritas se encontr con termopares y se grafica en la figura 9.44a
como las curvas de inicio de solidificacin y de fin de solidificacin, respectiva-
mente. Estas curvas permiten determinar la longitud del arreglo de dendritas en
cualquier momento y en cualquier lugar del lingote. La longitud de dicho arreglo
es probablemente el parmetro ms importante en el control de las caractersticas
de vaciado de una aleacin y se estudiarn despus con cierto detalle.
Una descripcin cuantitativa de la solidificacin dendrtica es bastante difcil
debido a la compleja morfologa de las dendritas. Si se supone una forma muy
simplificada para las dendritas, se obtiene una descripcin de una solidificacin
dendrtica que es cualitativamente correcta. Se toman las dendritas como placas
simples que se adelgazan hasta puntas sin ramas laterales, como se muestra en la
figura 9.45a, El elemento de volumen mostrado en la figura 9.45a puede imagi-
narse como en "celda unitaria", ya que cuando se apila despus de la solidifica-
cin genera la estructura completa del slido. A medida que el arreglo avanza hacia
la derecha, el elemento de volumen solidifica desde abajo hacia arriba segn se
muestra en la figura 9.46a. Ntese que se puede analizar la segregacin dentro de"
este elemento tal como se hizo para la barra solidificada unidireccionalmente de la
figura 9.14. Primero se hacen dos suposiciones que han demostrado ser razonable-
Metales colados
c:i.
E
(!!.
slido

; : elemento
I I volumtrico
-=:::==;1----'--'---
lquido
: I
L.--L I
I ----...,
I __
I Tp
(a)
I
I
I
I
TE r! a !
I I
I I
I I
I I
I I
303
lquido
(b)
Figura 9.45 a) El modelo de placas para el arreglo dendrtico. b) Diagra d f-
ses mostrando la composicin inicial e
o
. ma e a
te buenas.
3
Se supone que a) todo el soluto rechazado desde el slido en cada
e. volumen queda dentro del mismo elemento de volumen y b)la com o
slcI?n del lIquido permanece uniforme. La suposicin b) es vlfd;
debIdo a que el espacIamIento dendrtico (n.) es tan pequeo que 1 df .,
el!' ud lb' a I USlOn en
. loes o rapIda como para mantener la composicin uniforme Con-
sIderese una aleaclOn de composicin C
o
como se muestra en la figura 9.45b
Conforme. ,el elemento de volumen solidifica, su composicin se eleva de acuerd .
a la ecuaclOn de solidificacin, hasta que la composicin del slido
Ca En este punto todo el lIqUIdo interdendrtico ha llegado a la composici
CE" que el lquido remanente en el elemento de volumen solidifica
eutechco soh.do a la temperatura TE y con composicin CE segn se muestra or
la curva contmua de la figura 9 .46b. (Puede resultar til trabajar con el probler:na
9.4 antes de tratar este tema). a que el lquido fmal debe solidificar todo
a una temperatura, TE, la base mterdendrtica debe ser plana como se encontr'
en la figura 9.43 Y tambin como se muestra en la figura 9 .45a. La
fmal en este de dendritas rodeadas por eutcticos interdendr-
En la 9 .45b, obse.r,vese que la de equilibrio para la composi-
f.o. ser una aleaclOn a: monofasica. En el anlisis se utiliz la ecuacin
e so Idlflc,aclOn normal para la segregacin en el elemento de volumen De a '
que se paso ??: alto la difusin de estado slido, la cual es una
buena sUPoslcl?n este caso a que A es demasiado pequeo. Cuando
se produce la dlfuslOn de estado solido, la segregacin en el elemento de volumen
304
Solidificacin
Z = __ ------il
liquido z=O Z=A
interdendrtico
CE
dendrita t
2
slida t
1
Z = O
(a) .....
-- -- slida
..... _ con difusin
brazo de la
dendrita
---
(h)
sin difusin
slida
liquido
interdendritico
Figura 9.46 a) Posicin de la intercara n el de
en los tiempos tI Y t
2
. b) Perfiles de compoSlclOn producIdos por la solidifica-
cin del elemento de volumen.
disminuye como se muestra por la curva a rayas de la figura 9 .. Ntese que
con suficiente difusin de estado slido para aleaciones de composIcin Co en la
f
945b no se formar eutctico interdendrtico. A partir del concepto de
Igura. , . . d d"
segregacin normal, quedar claro que si Co Ca las regIOnes mter en ntlcas
siempre contendrn algn eutctico. Para con Co.< el que se
o no eutctico interdendrtico depende del coefIciente de difUSIn de estado slI-
do, del valor de ko y de otros factores. Por lo general, no es posible predecir ma-
temticamente si se formar o no el eutctico cuando Co < Ca A menudo hay
alguna composicin C
o
< Ca por debajo de la cual no se formar eutctico
dendrtico. El eutctico interdendrtico introduce una segunda fase en la aleaclOn
slida, y si no se elimina sta por recocido, puede actuar detrimento de
propiedades mecnicas del metal. Esto es particularmente cierto para las aleacIO-
nes endurecidas por precipitacin, en donde se desea fortalecer una fase por forma-
cin controlada de la segunda fase, y la forma no controlada de la segunda fase
introducida entre las dendritas sirve como un concentrador de esfuerzos.
B. Longitud de la Dendrita
La longitud del arreglo de dendritas se denominar L, segn se muestra en la fi-
gura 9.45a. Si se define la temperatura en la punta y en la base del arreglo, como
se muestra, entonces se puede escribir
T punta - T base
L------
(9.50)
Gp
Metales colados 30S
donde Gp es el gradiente de temperatura promedio en el arreglo de dendritas bi-
fsico.
Considrese una dendrita que avanza en un lquido de composicin C
o
. Todo
el soluto es rechazado lateralmente hacia ellquido interdendrtico, como lo indi-
can las flechas pequeas de la figura 9.45a. Por consiguiente, solamente hay una
acumulacin de soluto muy pequea en la punta de la dendrita, como se muestra
en la figura 9.47a. Esto significa que la temperatura de liquidus en las puntas de
la dendrita es bastante cercana a'la temperatura de liquidus de la aleacin de com-
posicin C
o
, y as, la temperatura en la punta del arreglo de dendritas debera estar
cercana a la temperatura de liquidus correspondiente a C
o
. Los experimentos han
demostrado que para las condiciones de crecimiento dendrtico normal la tempe-
ratura en la punta est dentro del intervalo de 1 a 2C de la temperatura de liqu-
dus Co, de modo que se toma T punta = T Iiquidus' (Adems de la supresin de la
temperatura de la punta por debajo de la tempera tura de liquidus debido a la acu
mulacin de soluto, se espera una depresin causada por subenfriamiento cintico,
6.T
K
, y tambin debida a curvatura, como se explic en la pgina 281. Estos
efectos son bastante pequeios, por lo Que no se considerarn; son principalmente
de inters terico). Ahora se derne el intervalo de solidificacin de una aleacin
como 6.T
s
, en donde
6. Ts = Tliquidus - T\ase (9.51)
y ahora se tiene L = 6. T
s
/ G p. La temperatura en la base de las dendritas ser TE si
se forma eutctico en el lquido interdendrtico. Como se indic antes, habr
alguna composicin de Ca en la cual ya no se forma eutctico, de modo que
por debajo de esta composicin T
base
se incrementa. Desde luego, 6.T
s
pasa
a travs de un mximo en alguna composicin por debajo de Ca' como se mues-
tra en la figura 9.4 7b. Pt.;ede verse que 6.T
s
se determina principalmente por el
diagrama de fases. Consiguientemente, de la ecuacin 9.50, quedar claro que
la longitud de la dendrita es una funcin de dos factores principales:
1. El intervalo de solidificacin de aleacin, 6. T
s
' Las aleaciones que tienen
una amplia separacin de /iquidus a so/idus tendrn L grande.
2. La transferencia de calor en la aleacin. Las variables que favorecen un
gradiente pequeo en la zona del arreglo, Gp , incrementan el valor de L.
Por ejemplo, L se incrementa ms por un molde de arena que por uno
metlico o por una aleacin de baja temperatura de solificacin ms que
por una de alta temperatura de solidificacin.
En general, la mayora de las aleaciones de Al y Mg tienen altos valores de L
y los aceros tienen bajos valores mientras que las aleaciones de Cu translapan a
ambos. Se ver que la longitud de la dendrita juega un papel muy importante en
el control de la estructura, la segregacin y la porosidad de los metales colados.
306
--:y:,---
brazo de Icabdendrlta r
= kO Cp _
concentracin a lo largo del
eje central de la dendrita
(a)
Solidificacin
(b)
Figura 9.47 a) Perfil de composicin a lo largo de la lnea central de una dendri-
ta. b) El intervalo de solidificacin t..T
s
como una funcin de la composicin en
relacin con el diagrama de fases.
zona de
enfriamiento brusco
zona columnar
zona equiaxial
molde
Figura 9.48 La estructura de tres zonas de un lingote. (Para fotografas reales ver
la referencia 50, pgs. 320-32I).
C. Estructura
Se estudia la estructura de las fundiciones metlicas para comprender la estructura
producida en lingotes. La figura 9.48 presenta un aspecto esq uemtico general del
tipo de estructuras obtenidas en lingotes. Aparecen tres zonas bastante distintas
en la estructura, como se muestra en dicha figura.
Metales colados 307
/<001>
11
___ < 001 >
(a) (b)
Figura 9.49 El arreglo dendrtico del frente de avance de los granos columnares.
l. Zona de solidificacin rpida. La estructura en esta zona consiste en muchos
granos pequeos casi equiaxiales. Aparentemente la nucIeacin por lo general se
produce a partir de sitios muy pequeos a lo largo de la pared del molde provo-
cndose esta fina estructura de grano. Sin embargo, esta estructura no crece mucho
hacia dentro antes de que emerja la estructura columnar.
2. Zona columnar. Los granos de la zona de enfriamiento rpido tienen inter-
caras dendrticas. Algunos de estos granos tendrn sus dendritas orientadas per-
pendicularmente a la pared, mientras que otros tendrn sus ejes dendrticos en
un ngulo con la pared del molde como se muestra en la figura 9.49a para losgra-
nos 1 y 11. Por un proceso de crecimiento competitivo los granos con dendritas
perpendiculares a la pared del molde tienden a presionar a los otros granos, de
modo que la zona columnar consiste en granos relativamente largos orientados
cristalogrficamente con sus direcciones dendrticas paralelas a la direccin del
flujo de calor. Los granos columnares crecen hacia el centro dcllingote a lo largo
de las direcciones de flujo trmico atrs de una intercara dendrtica que avanza
como se muestra en la figura 9.49b. En los metales cbicos las dendritas crecen
en las direcciones (00 I>, por lo cual las direcciones (00 I> yacen paralelas al eje
largo de los granos columnares. Este hecho se pone de manifiesto en la produccin
de aleaciones de hierro para magnetos. La inauccin magntica es anisotrpica,
siendo mayor a lo largo de las direcciones (OOI>. Con un severo enfriamiento en
el fondo de un lingote es posible solidificar dircccionalmente desde el fondo a la
parte superior, producindose as un lingotz que es virtualmente columnar en su
totalidad (colado unidireccional). En tal lingote, todos los granos tienen una di-
reccin (001) alineada y, por consiguiente, esta tcnica se usa bastante para pro-
ducir magnetos de alto grado para fines tales como obtencin de altoparlantes.
3. Zona equiaxial. Dentro del lquido del centro del lingote generalmente hay
muchos pequeos granos eq11iaxiales suspendidos en todas partes. A medida que
308
Solidificacin
contina la solidificacin, estos pequeos granos empiezan a crecer juntos hasta
que finalmente bloquean en forma efectiva el movimiento hacia de los
granos columnares. Este punto se llama transicin de columnar a De nue
vo las intercaras slido-lquido de estos granos flotantes son dendntlcas.
, Por medio de un control apropiado es posible obtener granos ya sea total-
mente columnares o totalmente equiaxiales en un lingote. Para comprender cmo
se realiza esto, se enfocar la atencin en granos equiaxiales. A fin
transicin de columnar a equiaxial en un lingote, es evidente que granos
xiales deben a) ser producidos en el centro del lingote y b) no fundir en la reglOn
central ms caliente.
Ahora se explicar cada uno de estos requisitos por separado.
a) Fuente de granos equiaxiales. Cuando se vierte metal lquido en un mol
de, la temperatura del lquido cae rpidamente en la del Este metal
fro es ms denso que el metal caliente del centro del lmgote y tiende por ello
a hundirse mientras que el metal caliente sube, produciendo lo que se conoce
como conveccin natural, vase la figura 9.50a. En el metal lquido estn presen
tes corrientes de conveccin muy grandes muy poco despus del vertido y se ate-
nan conforme el metal adquiere una temperatura constante. Las dendritas son
muy frgiles, como puede verse en el esquema de la figura 9.50b, siendo las ramas
laterales a menudo ms estrechas en su base (para una explicacin vase
la referencia 33). En la actualidad se piensa que hay dos fuentes pnnclpales de
granos equiaxiales.
l. Las dendritas formadas en la pared del molde sobre los granos de la zona
de enfriamiento rpido son simplemente arrancadas de estos granos por
las corrientes de conveccin iniciales, y entonces los fragmentos dendr
(a)
(b)
Figura 9.50 a) Corrientes de conveccin en el metal lquido en un molde.
b) Vista esquemtica de una dendrita mostrando el estrechamiento de las ramas
laterales en sus bases.
Metales colados 309
ticos resultantes son llevados hacia el centro del lingote por las corrientes
de conveccin para que formen la fuente de los granos equiaxiales.
2. Despus de que se desarrolla la zona columnar, las dendritas tambin
pueden ser separadas desde estos granos columnares por corrientes de
conveccin de la misma manera como se acaba de describir. Sin embargo,
tambin es posible que los brazos laterales simplemente fundan las dendri-
tas columnares debido a las fluctuaciones de temperatura, ya que los brazos
laterales tienen un contenido de soluto ms alto y, desde luego, una tem-
peratura de fusin ms baja en sus bases pequeas. Este mecanismo se
estudia en la referencia 33.
3. Durante cierto tiempo se pens que una tercera fuente de granos equiaxia-
les era la nucleacin heterognea de granos en el centro del lingote, debido
al sobreenfriamiento constitucional al frente del arreglo de dendritas. En
la actualidad se cree que esto sucede slo rara vez y que el mecanismo 1 es
por lo general la fuente predominante de granos equiaxiales. La solidifica-
cin de un lingote sera algo fascinante de observar si los metales fuesen
transparentes. Esto se ha ilustrado por medio de experimentos con mezo
c1as H
2
0NH
4
Cl que forman un diagrama de fases eutctico. El progreso
de la solidificacin se observa haciendo dos lados del molde de Plexigls.
La figura 9.51 a ilustra los arreglos de dendritas que conducen los granos
columnares conforme crecen desde las paredes y hacia arriba desde el fondo
del molde fro. La fuente de los granos equiaxiales se ilustra en la figura
9.5! b, en donde los pequeos aglomerados dendrticos se observan caer
Figura 9.51 Solucin de NH
4
CI-H
2
O vaciada en un molde de aluminio enfriado
rpidamente a temperaturas del N
2
, lquido. a) 1.7 mino despus del vertido, b)
4.2 mn. despus del vertido. Cortesa de Wayne P. Bosze).
310 Solidificacin
del arreglo de dendritas en las paredes, llegar hasta el fondo y ser llevados
hacia el centro del lquido por las corrientes de conveccin. Vanse las re-
ferencias 33 y 50 para esquemas semejantes y estudio ms detallado.
b) Supervivencia de los granos equiaxiales. Con el fin de comprender cmo
sobreviven los granos equiaxiales en la regin central supuestamente ms caliente
del lingote, es necesario comprender primero un poco respecto al flujo trmico
en un lingote. Cuando se vierte el metal caliente en un molde fro se esperan gra-
dientes de temperatura muy marcados y altas velocidades de solidificacin. Sin
embargo, de la ecuacin 9.9 se puede ver que una alta velocidad de solidificacin
requiere un alto gradiente de temperatura del slido pero un bajo gradiente de
temperatura del lquido. Para maximizar la velocidad de solidificacin, el siste
ma ajusta rpidamente el gradiente de temperatura del lquido hacia abajo y se
ayuda este ajuste por las corrientes de conveccin en el lquido. Por consiguiente, el
gradiente de temperatura en el lquido cae hasta casi cero en forma sorprenden-
temente rpida, como se ilustra en la figura 9.52a, la cual muestra datos para el
acero de los mismos experimentos de la figura 9.44a. Ntese que el acero se ver-
ti con un sobrecalentamiento de 155
0
F, y despus de solamente t minuto este
sobrecalentamiento casi se haba eliminado, de modo que el gradiente de tempe-
ratura en el lquido de la intercara es casi de cero.
En referencia de nuevo a la figura 9.45a, es posible ver que se puede dividir
el colado en tres regiones: 1) SlitlO, 2) arreglo de dendritas y 3) lc.uido. Desde
luego, se puede considerar un gradiente de temperatura promedio en cada una
de estas tres regiones, G
i
, Gp y G l. Cuando un colado solidifica, el valor de G 1 es
bastante pequeo, siendo menor de 1 a 2C/cm despus de que se forma solamente
una pequea cantidad de; slido en la pared del molde. Los valores de G s y G p se
determinan por la velocidad de extraccin de calor, siendo G s mayor que G p co
mo se muestra en la figura 9.45a.
La figura 9.52b presenta un dibujo de un lingote en el perfil de temperatura
sobrepuesto para dos tiempos diferentes. Despus de que se ha formado una pe-
quea longitud de granos columnares, la temperatura habr cado hasta un valor
casi constante en el lquido segn se muestra. Esta temperatura del lquido debe
ser casi igual a la temperatura de la intercara slido-lquido que avanza hacia l;
as, la temperatura del lquido ser esencialmente la temperatura de las puntas de
dendrita que avanza sobre los granos columnares. Ahora considrese el esquema
del perfil de soluto en la punta de una dendrita que crece hacia el1q uido de compo-
sicin C
o
como se muestra en la figura 9.53. Una pequea acumulacin de soluto
estar presente en la punta, dando C
punta
> C
o
. La composicin del lquido en
el centro del lingote permanecer en C
o
, ya que no puede producirse macrosegre-
gaci6n que la eleve por encima de C
o
puesto que la intercara es dendrtica (ver
pgina 314). Desde luego, la temperatura de solidificacin en la punta de la den-
drita estar unos pocos grados por debajo de la temperatura de solidificacin del
lquido en C = C
o
, como se ilustra en el lado inferior izquierdo de la figura 9.53.
Debido a que la temperatura del lquido ha cado a la temperatura de la punta de
molde metlico
300 o
r--
-
%
1 y,- colada
O 280
'-..." 0.
2

liquidus
O
I

":,
solidus
'8\
1
O temperatura de colada
---....."
1"0\

2890F .
-"
espesor de la capa de
O enfriamiento brusco, en
12

pulgadas. '-
O
14 anlisis del acero
26
240
220
200

e 0.62
O
Mn 0.64
Si 0.48
180
,; 160 O
800
-molde -;..


'"
e
]

- S
:;;
o-
'"


::::::: 14 min-
i--
"""
'--lingote
;12
r-::

:;;
o-
E
.!!
140
1200
1000


1--6
1'--.
600
\\
'"
"2 400
'\

1"--1
""

r-y,
(a) 200
5 4 3 2
O 2 3 4 5
distanCia desde la interfase, en pulgadas.
temperatura en el momento I
de vaciar el metal fundIdo. :::::--.
(b)
tempera tura poco
despus de vaciar
I
I
I
Figura 9.52 a). Perfiles tiem,p0-teJIlperatura en un lingote de acero vertido con un
sobrecalentamIento de 155 F. Molde de hierro colado con un espesor de pared
de pulgadas (de la referencia 31). b) Perfiles de temperatura en el instante del
vertIdo y un poco despus. '
311
312 Solidificacin
----t
Cpunta
1'-------ca


c: o Cbrazo


-" j"tl
uO
COl

Figura 9.53 a) Perfil de concentracin a lo largo de la lnea central de una den-
drita y el correspondiente perfil de temperatura de solidificacin. b) Diagrama de
fases localizando la composicin inicial de la aleacin, C
o
.
la dendrita, todo el lquido del centro se sobreenfra un poco, como se indica en la
ftgura 9.52b. Pero, lo que es ms importante, cualquier ncleo slido que tenga
C <
C tendr una temperatura de fusin por encima de la temperatura del
troncos
lquido central de T
s
(punta); vase el diagrama de fases de la figura 9.53. Los
fragmentos de dendrita formados en la zona de enfriamiento rpido se habran
formado ms rpidamente desde el lquido de C = C
o
y tendrn C < Ctroncos' De
aqu que, si estos fragmentos resistieron hasta que el sobrecalentamiento inicial
se disip, se volvern a la postre granos equiaxiales centrales.
Todo lo que sea benfico para la produccin y resistencia de fragmentos den-
drticos incrementar el tamao de la zona equiaxial. Por ejemplo,
l. Sobrecalentamiento pequeo. Un gran sobrecalentamiento tiende a fundir
los fragmentos de dendrita.
2. Aleacin de intervalo de solidificacin largo, b. T
s
grande. Esto favorece
la formacin de dendritas ms largas, que son ms frgiles Y se fragmentan
fcilmente.
3. Molde de arena en vez de molde metlico. Un valor bajo de G p favorece
la formacin de dendritas frgiles ms largas.
4. Aleaciones de bajo punto de fusin. Igual que en 3.
5. Mezcla rpida. Aqu hay dos efectos:
a) El incremento del flujo de fluido ayuda en la fragmentacin de las den-
dritas.
b) El sobrecalentamiento se disipa ms rpidamente, por lo cual se incrementa
la posibilidad de supervivencia de los fragmentos de dendrita.
Metales colados
313
ct
t-----c:==Il 1] lIiihll
=',.-
(a)
(e)
(b)
Figura 9.54 Vista esquemtica de la solidificacin desde la pared del molde hacia
la lnea central. a) Formacin de capa, b) un caso intermedio y e) formacin dis-
persa (adaptado de la referencia 35).
En este punto es conveniente relacionar lo an terior con las aleaciones Comer-
ciales ms importantes. Es comn clasificar los metales colados en dos categoras,
dependiendo de su modo de solidificacin, 1) formacin de capa y 2) formacin
dispersa. Estos se ilustran en la figura 9.54a y 9.54c respectivamente, y el caso in-
termedio se muestra en la figura 9.54b.
4. Aleaciones de formacin de capa. Una aleacin solidificar en el modo de
capa si la longitud de la dendrita es pequea. En referencia a la figura 9.53, se ve
que este modo de solidificacin est favorecido por aleaciones que tienen un in-
tervalo de bajo, b.T
s
' Y por un alto gradiente de temperatura en el
arreglo de dendritas, Gp . Ejemplos de tales aleaciones son los aceros al carbono y
de baja aleacin, bronce al aluminio y bronce al manganeso.
5. Aleaciones de formacin dispersa. En este tipo de solidificacin nunca se
observa una capa substancial en la pared o en un arreglo de dendritas que avanza.
La transicin columnar a equiaxial se produce inmediatamente en la pared. Este
modo de solidificacin es de aleaciones que tienen dendritas largas,
nominalmente un b.Ts alto y un Gp bajo. Se puede considerar que si el arreglo den-
drtico se form en la pared y creci hacia adentro, las dendritas seran tan largas
como para extenderse desde la pared hasta el centro del colado. Sin embargo, esto
n? .sucede debido a que las dendritas son muy delgadas y frgiles y se fragmentan
facllmente por causa de la conveccin del lquido. y de ah que se producen pe-
queos ncleos slidos a travs del colado muy poco despus de verter (vacia-
do), como se muestra en la figurQ 9.54c. Ejemplos de aleaciones que solidifican
principalmente en el modo disperso son el aluminio. las aleaciones de magnesio y
algunos la tones.
314
Solidificacin
Quedar claro que el hecho de que una aleacin solidifique en el modo de capa
o disperso depende del intervalo de solidificacin de la aleacin y de las condicio-
nes de transferencia de calor. Por lo tanto, una aleacin puede solidificar en el
modo de capa en un molde metlico y en el modo disperso cuando se vacan en
un molde de arena. Ejemplos especficos para moldes de arena son:
Aleaciones de Al y Mg
Aleaciones de Cu
a) bronce al fsforo, latn rojo
b) bronce al Al, latn amarillo
Aceros de baja aleacin
Modo disperso
Modo disperso
Modo de capa
Modo de capa
En la referencia 34 se da una presentacin grfica excelente de aleaciones de los
modos disperso y de capa.
D. Segregacin en aleaciones metlicas coladas
En la seccin 9.3 se demostr que cuando una barra de aleacin solidifica desde
un extremo con una intercara slido-lquido plana, se produce una considerable se-
gregacin en toda la longitud de la barra. En metales vaciados comercialmente la
intercara slido-lquido es dendrtica, y esto altera por completo el tipo de se-
gregacin desde la intercara planar de la seccin 9.3. En la figura 9.55 se mostr
que la morfologa dendrtica da lugar a rechazo lateral de soluto y rechazo longi-
tudinal de soluto desde el slido que solidifica. El transporte longitudinal de so luto
da lugar a macrosegregacin a lo largo de las direcciones paralelas al eje dendrti-
co, y el transporte lateral de soluto da lugar a microsegregacin a lo largo de di-
recciones perpendiculares a los ejes dendrticos.
1. Macrosegregacin. Durante el desarrollo de la regin de crecimiento colum-
nar a veces sucede que las dendritas crecen con una longitud aproximadamente
constante. Por ejemplo, la longitud de la dendrita es casi constante en la regin
L
e
liquido
slido
e \ -
".
de saluto de saluto
Figura 9.55 Vista esquemtica del arreglo dendrtico mostrando las direcciones
de transporte del soluto.
Metales colados 315


pared I
I !
I
pared de la pieza de fundiCin.
Figura 9.56 Establecimiento del arreglo dendr't'co de estado estacionario y la
correspondiente segregacin inversa producida.
del lingote entre las pulgadas l y 3 desde la pared en el colado de acero de la fi-
gura En estas condiciones, las dendritas tienen una forma casi de estado
estaclOnano. Los experimentos han demostrado que cuando un arreglo de dendri-
tas a longitud casi constante hay muy poca macro segregacin en la direccin
longltudmal, aun cuando haya conveccin severa en el lquido al frente del arre-
que Todo ,soluto se rechaza lateralmente, de modo que slo se ob-
tIene una. en la direccin lateral. Sin embargo, cuando el arreglo
dendntas .esta cambio en longitud, se observa una macro segrega-
clOn la longItudmal, como se ilustra en la figura 9.56. En la parte
de la fIgura se observa una seccin delgada del colado. El arreglo den
dn tIC? se forma en la pared y conforme avanza hacia la derecha contina incre-
menta.ndose. en longitud (tiempo t ) hasta que la base del arreglo se ha movido
una dIstancIa l. Despus de este punto el arreglo de dendritas avanza una longi-
tud constante (estado estacionario tiempos [2 y [3)' Cuando las puntas de la
316
Tabla 9.5 Porcentaje del cambio volu-
mtrico en la solidificacin V.
Al 6.0%
Mg 5.1%
Cu 4.1%
Fe 2.2%
Solidificacin
dendrita alcanzan la lnea central, encuentran dendritas que avanzan en la di-
reccin opuesta (suponiendo que no hay granos equiaxiales). En consecuencia,
el arreglo de dendritas disminuye en longitud en una regin de longitud L a
uno u otro lado de la lnea central del colado. La macrosegregacin observada
conforme cambia la longitud del arreglo se muestra en la parte inferior de la fi-
gura 9.55 para una aleacin de ko < l. La composicin es mayor que la com-
posicin original C
o
en la regin en donde las dendritas se alargan en la pared.
Tambin es ms alto que C
o
en donde las dendritas se acortan en la regin de
la lnea central, dado que hay alimentacin de lquido adecuada hacia esta re-
gin de la lnea central, como es frecuentemente el caso. La segregacin en la pared
se llama segregacin inversa debido a que se invierte con respecto a la segregacin
normal que se origina con una intercara plana. La segregacin en el centro se lla-
ma segregacin de fnea central.
Este fenmeno ha sido bastante bien analizado tericamente.
36
Los metales
sufren una contraccin volumtrica, V, con la solidificacin. Por consiguiente,
cuando el metal de la base del arreglo dendrtico solidifica, el fluido fluye por los
canales interdendrticos para llenar el V de solidificacin. Los anlisis
36
demues-
tran que la segregacin es una funcin de la relacin de esta velocidad de flujo in-
terdendrtico a la velocidad de avance de la intercara. Cuando la relacin es menor
que el valor de estado estacionario, se obtiene una segregacin inversa positiva
como se muestra en la figura 9.56. La cantidad de segregacin es una funcin de
la contraccin volumtrica al solidificar y de la longitud de la dendrita. La tabla
9.5 en lista los porcentajes de cambio volumtrico 'debidos a solidificacin para los
principales metales comerciales. De aqu que la macrosegregacin debida al flujo
de fluido interdendrtico se encuentra principalmente en aleaciones de Al y Mg.
Sin embargo, aun en estas aleaciones este efecto no es muy grande, y cambia
generalmente la concentracin desde C
o
por solamente unas pocas unidades de
porcentaje en peso.
2. Microsegregacin. Como se vio antes, en la solidificacin dendrtica virtual-
mente todo el soluto es rechazado en la direccin lateral mostrada en la figura
9.55. Esto da origen a una segregacin en la direccin lateral desde el tronco de
dendrita hacia el lquido, como se muestra en la figura 9.46. Esta segregacin se de-
nomina microsegregacin debido a que se extiende por una longitud del orden
de medio espaciamiento dendrtico, alrededor de 0.015-0.15 mm.
Metales colados
317
B N N
___ j_;r--, I
C
prom
t/ \t
-----r---,---
/ \
Cmin , /' ,,/
---.,..,... ....... _"
(a)
(b) 1< n .1
A B
9.57 a) transversal de troncos cbicos de dendrita en un lingote
b) La vanaClOn de solu to a travs de la dendrita desde el punto A al B
ilustrando la microsegregacin.
. De la puede verse que una forma de caracterizar la cantidad de
mlcrosegregacIOn sena determinar la fraccin volumtrica de la segunda fase S'
en !a difusin de estado slido es suficiente par;
pedir la de mterdendrtico; vase la curva de rayas de la figura
9.46. un metodo .::omn de caracterizar la cantidad de microse-
gregacIOn es medir la relacin de segregacin, RS, definida como
RS = conc. mx. (region
conc. mn. (troncos de dendrita)
Esta d.e segregacin puede determinarse muy fcilmente con una micro-
sonda Las dendritas en los materiales cbicos a menudo aparecen en
las seCCIOnes tran.sv.ersales c?mo pequeas cruces, como se muestra en la figura
9.57a. Un trazo tlplCO de mlcrosonda a travs de un tronco de dendrita tal como
desde A hasta B en la figura 9.57 a podra dar una variacin de intensidad para el
componente de. soluto como se muestra en la figura 9.57 b. Puesto que la intensi-
dad es proporCIOnal a la concentracin se puede determinar el valor de RS a par-
tir de la relacin cresta a valle. En la tabla 9.6 se presentan algunos datos de valores
Tabla 9.6 Variacin de la relacin de RS, con la distancia
a la pared del molde. El espaciamiento dendrtico se hace ms amplio
hacia el centro del molde (vase tabla 9.8).
Dist. desde la pared del
molde (pulgadas)
RS
Material
Mn en acero 4340
37
Ni en acero 4340
37
Cr en acero 52100
38
Ni en Fe-IO% Ni
38
Solidificacin
318
de RS medidos en aceros. Estos datos se tomaron a diferentes distancias de la pa-
red del molde, de modo que suministran una medida del efecto de la velocidad
de solidificacin y, por lo tanto, del espaciamiento dendrtico con la segregacin.
Puede verse que el RS se incrementa a velocidades ms bajas, pero el increment?
es bastante pequeo. De aqu que el grado de microsegregacin es bastante um-
forme en un metal colado.
Desde un punto de vista prctico, a menudo se desea eliminar la microsegre-
gacin en una aleacin colada por homogeneizacin a altas temperaturas. P?r
consiguiente, la difusin debe hacer que un tomo promedio. mueva una
tancia A, donde 2A es el espaciamiento dendrtico. De la ecuaClOn 6.49 se escnbe
,\,=2.45JDt
El tiempo de homogeneizacin ouede, por lo tanto, escribirse como
,\,2
t(homog.)=O.167 D
(9.52)
(9.53)
Este resultado demuestra que es muy importante minimizar el espaciamiento en-
tre dendritas debido a que el tiempo de homogeneizacin vara con el cuadrado
de A. Una forma un poco ms satisfactoria de enfocar este problema de homoge-
neizacin es reconocer que la micro segregacin puede aproximarse frecuentemente
por una onda senoidal. Por ejemplo, llmese Z a la a lo largo d.e la lnea
A-E de la figura 9.57a. Entonces se puede escribir la ecuaClOn para la mlcrosegre-
gacin de la figura 9.57 b como
C(Z) = C + Ao sen rrZ
prom -
(9.54)
A
En donde A es la amplitud de la segregacin en la aleacin de colada, Ao ::: Cmx
_ C . S: tom la posicin en donde C(Z) ::: Cprom , como el origen para Z =
O, se muestra en la figura 9.57 b. Conforme, ocurra la durante el
recocido, la amplitud de la onda senoidal decaera pero la longitud .de onda no
cambiar. (Considrese por qu no cambia la longitud de onda y SI, de
esta afirmacin requiere una suposicin). Por consiguiente, se escnblr
dos ecuaciones que forman las condiciones de frontera para el decaimiento,
C(Z=O, t)= Cprom. (9.55)
dC t)=O (9.56)
dZ 2'
La ecuacin 9.55 establece simplemente que la concentracin permanece cons-
t nte en C en la posicin Z::: O, y la ecuacin 9.56 establece que la cresta de
a prom E 1 -' 162
la onda senoidal permanece en Z ::: A/2 durante el decaimiento. n a ..
se hizo notar que se necesitan dos condiciones de frontera y una condlclon mlclal
para resolver la segunda ley de Pick de la difusin, ecuacin 6.9. Usando las ecua-
Metales colados 319
ciones 9.55 y 9.56 como condiciones de frontera y la ecuacin 9.54 como la con-
dicin inicial, se halla que la solucin de la ecuacin 8.9 es
C(Z, t) ::: C
prom
+ Ao sen (9.57)
A partir de esta ecuacin es algo simple demostrar que la amplitud de la onda se-
noidal, A = C(A/2) - C(O), decae segn la relacin sencilla
(9.58)
Ahora se puede preguntar: cunto le tomara a la amplitud de la segregacin de-
caer a alguna fraccin arbitraria de su valor original de colada, Ao? Por ejemplo,
se puede demostrar, a partir de la ecuacin 9.58, que el tiempo requerido para
que la amplitud decaiga al 1 % de su valor original est dada por
t(99% decain,iento) = 0.467 A
2
ID (9.59)
Puede verse que este resultado concuerda bastante bien con el enfoque muy sen-
cillo que conduce a la ecuacin 9.53.
Estos resultados demuestran que es muy importante minimizar el espacia-
miento entre las dendritas debido a que el tiempo de homogeneizacin vara con
el cuadrado de A. Los experimentos han demostrado que el espaciamiento dendr-
tico es una funcin de la velocidad de solidificacin, de manera muy semejante a
como lo es el espaciamiento eutctico. Los datos
32
para muchas de
aluminio se muestran en la figura 9.58. En esta grfica el espaciamiento es para
brazos secundarios de dendritas, los cuales son muchos ms abundantes en los
metales colocados que los brazos primuios. El tiempo de solidificacin local es
(velocidades altas) (velocidades bajas)

__ ____ __ ____ __ ____ -L ____ __
0.1 10
6
10
7
tiempo de solidificacin local, seg.
Figura 9.58 Variacin del espaciamiento de brazo secundario de dendrita como
una funcin del tiempo de solidificacin local (de la referencia 32).
320 Solidificacin
el tiempo necesario para que el arreglo de dendritas pase cualquier punto en el
colado y es, desde luego, una medida de la velocidad de solidificacin. Tal como
se esperaba, altas velocidades producen espaciamientos ms pequeos. El espacia-
miento dendrtico final observado generalmente no es el mismo que el espaciamien-
to en el arreglo dendrtico que solidifica originalmente desde el lquido, aunque
estn estrechamente relacionados. Esto se debe a que al irse enfriando lentamen-
te el slido, algunas de las dendritas mayores tienden a engrosar por difusin de
estado slido a expensas de las dendritas ms pequeas.
En conclusin, hay dos puntos importantes: 1) el grado de micro segregacin es
solamente una funcin dbil de la velocidad de solidificacin, y 2) la homogeneiza-
cin de la microsegregacin depende en gran medida del espaciamiento dendrtico,
el cual a su vez puede reducirse significativamente a velocidades de solidificacin
ms altas.
E. Porosidad
Hay dos fuentes primarias de porosidad en los metales colados. La primera, po-
rosidad por cavidad, se debe a alimentacin impropia. La segunda, microporosi-
dad, es un resultado del modo disperso de solidificacin en algunas aleaciones. A
continuacin se explicar la causa de cada una de estas formas de porosidad.
1. Porosidad de cavidad. Supngase que se desea vaciar una placa metlica pun-
tiaguda y que se coloca un depsito de metal (llamado alimentador) en un extremo
de la placa, como se muestra en la figura 9.59a. A medida que solidifica el metal,
se mueve hacia adentro a casi la misma velocidad desde cada una de las paredes
del molde; vase tI' En el tiempo t'2 , las intercaras slido-lquido que avanzan se
encuentran y forman un puente que atrapa una cavidad de metal lquido, como
se muestra en la figura 9.59a. Cuando este lquido atrapado solidifique, formar
una cavidad de contraccin debida al i1V de solidificacin. Debido a que el ali-
mentador se coloc en el extremo derecho de la placa, el puente pudo evitar que
el metal del alimentador alimentase la contraccin de solidificacin. Sin embargo,
colocando el alimentador en el extremo grueso de la placa se asegura que no ocu-
liquido
atrapado
(a)
formacin del puente
alimentador
(b)
Figura 9.59 a) Diseo impropio de un mazarota que conduce a puenteo y poro
sidad de cavidad. b) Diseo apropiado de la mazarota.
Metales colados
321
2

(a) (b)
lquido
slido
Figura 9.60 La regin bifsica, lquido ms slido en metales colados.
entre el metal de alimentacin del alimentador y el frente de soli-
dflcaclOn; la 9.59b. Por consiguiente, se puede definir un principio
general de apropi.a,da: se debe extender un canal abierto de hquido
desde los fuentes de allmentaclOn del metal (alimentadores) hacia todos 1 ir _
tes de solidificacin. os en
La de cavidad resulta de alimentacin inapropiada y puede elimi.
narse por un dIseno adecuado del alimentador. Este es un problema de inge' ,
de d' . mena
Ise o muy Interesante y es uno de los principales tpicos de libros dedicados
a 39 En la referencia 40 se estudian en forma concisa y excelente
vanados y faSCInantes problemas implicados en el diseo apropiado de colados.
2: Microporosidad. Ahora se considera de nuevo el diseo de alimentacin aproo
de la 9.59b tomando en cuenta el hecho de que la intercara slido-l-
qUIdo es dendntlca. Cuando los arreglos dendrticos que avanzan se encuentran
en el .centro se tiene una seccin central final que consta de finas
dendntas y de hquldo Interdendrtico; vase la figura 9.60a. Conforme sol'd'f'
t l' 'd . I I Ica
es ,o. Interdendrtico final, la alimentacin debe ocurrir a travs de esta
reglOn blfaslca. Para comprender lo que est implicado aqu' f' . t .
d' . lSlcamen e, Consl'
fIgura 9.60b, la cual muestra un par de dendritas largas que resaltan en
un. lIqUIdo .. Conforme OCurre la solidificacin en el punto 1, es necesario tener
flUJO de flUIdo el punto 2 hasta el punto 1 Con el objeto de llenar el vol u-
men .. de contracclOn, i1 V, aS0ciado con esta solidificacin. Esto significa que la
preSIGn en 1 debe ser menor que en 2, y se puede escribir
LlP=P(2)-P(1)
(9.60)
Para tratar este problema se ha considerad0
41
que la regin dispersa final consis-
te en n can31es de radio R, y el anlisis da
&0: (LlV de s91idificacin) (longitud del canal)2(factor de tortuosidad) (9.61)
(rea total del canal, IlrrR2)
en d.onde el factor de tortuosidad es uIl trmino ajustable que permite ajustar la
longItud del de flujo para tomar en cuenta el hecho de que el fluido debe
moverse a traves de un canal en circuito y no de un canal recto.
322 Solidificacin
La presin en el punto 2 generalmente estar cercana a la presin atm?,sfri-
ca, dependiendo de la cantidad de frente lquido. Esto significa la en
el punto 1 debe estar bajo la presin atmosfrica, o sea, una preslOn negatlva,P(1)
= P
2
- M. Los metales lquidos generalmente contienen una cierta cantidad de gas
disuelto. Por consiguiente, cuando la presin en el lquido cae por debajo de al-
guna presin de nucleacin, llmese P*, se nuclear una burbuja de gas. Por lo
tanto, cuando PO) cae por debajo de P* se obtiene microporosidad. As, para
evitar porosidad se requiere
P(1) = P2 - p* (9.62)
Este resultado ilustra que la microporosidad es una funcin de dos variables prin-
cipales: a) P*, la cual es una funcin de la cantidad de gas disuelto en el metal y
b) M, la cual es una funcin de las variables de la ecuacin 9.61.
La microporosidad es un resultado inherente de la naturaleza de la solidifi-
cacin de las estructuras dendrticas, y puede estar presente aun con un diseo
apropiado del alimentador. La ecuacin 9.61 muestra que la micro porosidad est
favorecida en aleaciones que tienen 1) un gran cambio de volumen de solidifica-
cin, y 2) dendritas muy largas (esto incrementa la longitud del canal y la
tortuosidad). Por lo tanto, se espera que las aleaciones de aluminio sean bastante
susceptibles a la microporosidad y los aceros menos susceptibles a ella .Ia
tabla 9.5 y la seccin 9.5B), y se encuentra que este es el caso. De la ecuaClOn
9.62 ntese que la microporosidad puede reducirse vaciando bajo una presin ex-
terna alta ya que esto eleva P 2' Tambin la desgasificacin al vaco ayuda a evitar
este defecto disminuyendo P*.
Se observaron dos tipos caractersticos de microporosidad. En el primer ti-
po, la microporosidad se dispersa uniformemente por toda la seccin; a sta se le
llama microporosidad dispersa. En el segundo tipo la porosidad se distribuye en
capas a travs de la seccin; a sta se le llama microporosidad en capas. Ya que
estos poros se originan en situaciones interdendrticas, es de esperarse que sean
bastante pequeos. Los tamaos son de 5-10 ,um para la microporosidad en gra-
nos columnares y de 25 ,um para poros en granos equiaxiales. Estos tamaos son
tan pequeos que los poros son algunas veces difciles de detectar.
Hay otras fuentes de porosidad bastante interesantes en metales vaciados, ta-
les como porosidad puntiforme subsuperficial en aceros y sopladuras en aceros
efervescentes. Sin embargo, las dos fuentes anteriores de porosidad son, con mu-
cho, las causas ms generales de porosidad en metales colados.
Se le sugiere al estudiante trabajar del problema 9.10 a19.13 para compren-
der mejor la relacin de los diagramas de fase con la presencia de porosidad y de
segregacin en fundiciones.
F. Propiedades mecnicas
Despus de vaciado, un metal se usa generalmente en una de cuatro condiciones:
1) de colada, 2) tratado trmicamente despus de la colada, 3) trabajado mecni-
Metales colados
323
camente despus de la colada y 4) trabajardo y tratado trmicamente. En todos
los casos, el proceso de colado tiene una fuerte influencia sobre las propiedades
mecnicas, pero mucho ms en los casos I y 2. Hay cuatro variables principales de
fundicin que influyen en las propiedades mecnicas de aleaciones coladas: 1) po-
rosidad, 2) presencia de una segunda fase. 3) espaciamiento dendrtico y 4) ta-
mao de grano.
1. Porosidad. Se encuentra que tanto la porosidad ::le cavidad como la porosidad
en capas daan ms las propiedades mecnicas que la microporosidad dispersa. El
efecto perjudicial de la porosidad se debe principalmente a 1) concentracin de es-
fuerzos en los poros, lo cual depende de la forma del poro, y 2) reduccin en el
rea que soporta la carga, lo cual depende de la fraccin volumtrica de la poro-
sidad. En la figura 9.61 se muestran algunos datos experimentales tomados de un
de .un acero de baja aleacin (similar al AISI 4130). En este trabajo, la
mlcroporosldad se mide por la densidad, o sea, una densidad alta es equivalente
a una porosidad baja. De la figura 9.61a se ve que tanto en la condicin de reco-
cido como en la de tratamiento trmico la resistencia a la tensin disminuye por
la microporosidad, mientras que la resistencia a la cedencia slo es efectada le-
vemente. La ductilidad es afectada en forma bastante fuerte por la microporosi-
dad, segn se muestra en la figura 9.61 b. El principal efecto de un incremento de
la microporosidad es disminuir la ductilidad y la resistencia a la tensin.
160
6
o
140
x
120
"
g
100
e
"
il
u 80
!'!
'"
>
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!'!
'"

.
60
40
20
O

"?
.....
'
densidad
templado y revenido
a 600 oC
ce <t O <O
<O <O
'Ll
LO
,..: ..... ..... ,..:
(g/cm) )
20
18
16
recocido
14
e
12
O>
e
o
10 -
"
"C
f. 8
6
4
2
\ templado y revenido

........

00 (O<OtOl.{)
r---: r--." ,....: ,.....: r-.:
denSidad (g/cm))
Figura 9.61 Veriacin de las propiedades mecnicas con la densidad. Vaciado de
para producir una porosidad de contraccin de 0-3% . Acero de baja
aleaclOn: 0.25C, 0.3 Si, 0.5Mn, 0.2 Ni, 3.1 Cr, 0.5 Mo (de la referencia 42).
324 Solidificacin
Tabla 9.7 Variacin de las propiedades mecnicas de una aleacin de alu-
minio AISI 7075 como una funcin del % en volumen de la segunda fa-
se (de la referencia 43). ____ ._._
.. -.-.-----.. RUT RC RA
% vol. de la 2a. fase
1.2
!
0.1
(lb/pU Ig2 ) (lb/pulg
2
) (%)
66000
!
84000
60000
!
72 000
7
!
32
2
!
13
2 P . d una segunda fase El efecto de una segunda fase sobre las pro-
resencla e. _ . .
iedades mecnicas lo ilustra un estudi0
43
sobre una 707':> de
f5.7 Zn, 2.3 Mg, 1.3 Cu, 0.18 Cr, 0.15 Ti). Esta. alta
endurecible por envejecimiento utilizada en aVlaclon. La aleaclon se colo
. 1 ente lo cual da como resultado la presencia de una segunda fase, pnn-
reCClOna m , . . .. 1 't'
cipalmente CuAI
2
, dentro de las regiones interdendntlcas. La fracclOn vo ume nca
de la segunda fase se vari entonces entre 0.1 % 1.2% ?o.r un proceso te.rmo-
mecnico que implic tratamiento trmico, reducclOn mecafllca y un tratam.lento
trmico final. Los resultados se resumen en la tabla 9.7. Se ve que hay un
mento significativo en la ductilidad conforme se elimina la fase. Notese
tambin que en este caso hay una mejora significativa en la resistencia a la
cia y en la resistencia ltima a la tensin. Esto se debe aparentemente al
miento de la matriz conforme se disuelve el Cu de la fase CuAb .. ObVlO que
el control de la segunda fase extremadamente importante para optImizar las pro-
piedades mecnicas de algunas aleaciones.
3 E . . to dendrl'tico Algunos estudios han hecho notar recientemen-
spaclamlen. ... C
te el efecto del espaciamiento dendrtico sobre las amo
un ejemplo tpico, considrese un estudi.o de l.a Al-SI,
[Al-7% Si-0.5% Mg-0.2% Ti]. La ale3cion sohdlflco se \le
l" a 540
0
C durante 10 hr se templ y se enveJeclo a 160 C por 3 hr. El
va a so uClon , d l.d.f.....d
. " t dendrtico aument al alejarse de la pare de so I I IcaClOn rapl a.
espaclamle.l.o d .
Los especmenes se tomaron a diferentes distancias de .esta pared etermmar
el efecto del espaciamiento dendrtico sobre las propiedades mecafllcas y los re-
Tabla 9.8 Variacin de las propiedades mecnicas con el
dendrtico en una aleacin de aluminio colado A356 (de la referenCia 44).
Dist. a la Espaciamiento
pared dendrtico RUT RC Elong.
(pulgadas) (/lm) (lb/pulg
2
) (lb/pulg
2
(%)
8 100 46000 42000 1
! ! ! ! !
1 35 52000 42000 11
Metales colados
325
sultados se resumen brevemente en la tabla 9.8. Resulta evidente que el espacia-
miento dendrtico ms pequeo mejora significativamente la ductilidad. Esto se
acompaa por un incremento en la resistencia ltima a la tensin pero con una resiso
tencia a la cedencia constante, al encontrarse con porosidad. Las propiedade5
mecnicas mejoradas en las muestras que tienen espaciamiento dendrtico menor,
se deben principalmente al mejor recocido que se obtuvo en estas muestras como
un resultado de la longitud de onda ms corta de la periodicidad de la micro.
segregacin.
4. Tamao de grano. Se encuentra generalmente que conforme disminuye el tao
mao de grano se incrementa la resistencia de un metal. Hay una relacin muy
conocida llamada la ecuacin de Petch, la cual muestra que la resistencia es pro-
porcional al recproco de la raz cuadrada del dimetro del grano (ver la pgina
543). Sin em bargo, para metales colados no siempre es cierto aue la resistencia me-
jora con la disminucin del tamao de grano. Como un principio general, se puede
decir: un tamao pequeo de grano mejorar las propiedades mecnicas de un
metal colado slo si la produccin del tamao de grano no:
l. incrementa la cantidad de microporosidad
2. hace que la microporosidad se vuelva del tipo de capas
3. incrementa el porcentaje en volumen de la segunda fase
4. incrementa el espaciamiento dendrtico
En general, es posible determinar si alguno de estos efectos dainos acompaa un
tamao reducido de grano niCamente por un proceso de prueba y error. Sin em-
bargo, se encuentra frecuentemente que un tamao pequeo de grano mejora las
propiedades mecnicas de los metales vaciados, aunque algunos bronces y bronce
de can [88 Cu-8 Sn-4 Zn 1 constituyen excepciones a esta regla, aparentemen-
te debido a que se produce porosidad en capas en el material de grano ms fino. Se
piensa que las propiedades mejoradas de las fundiciones de grano fino no se deben
a un bloqueo ms efectivo de las dis!0caciones por una densidad de lmite de gra-
no ms alta. Ms bien se deben a la distribucinn nls fina de micro porosidad y de
partculas de segunda fase. En la figura 9.62 se da un ejemplo del efecto del ta-
mao de grano de aleacin de aluminio 195 [AI-4.5 Cu l, y puede verse que se ob-
tiene un incremento significativo en la ductilidad y en la resistencia ltima a la
tensin Con tamaos ms pequeos de grano. El tamao de grano del metal de
colada puede disminuirse por un incremento en el tamao de la ZOna equiaxial.
A partir de lo estudiado en la seccin 9.5C se concluye que el tamao de grano
puede ser reducido por
l. una disminucin de la cantidad de sobrecalentamiento
2. produccin de turbulencia en el lquido
3. la utilizacin de un molde de baja conductividad trmic<:
4. la adicin de refinadores de grano (llamados inoculan tes)
Solidificacin
326
18
(5 48
o
o
16
x
44
14
"3
c.
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40
12
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20
O
<J)
'"
O
2 3 4 5
O
2 3 4 5
dim. del grano (mm) :lim. del grano (mm)
Figura 9.62 Variacin de la resistencia a la tensin Y de la elongacin con el ta-
mao de grano en una aleacin Al-4.5 CU (de la refp.rencia 45).
Puesto que se encuentra que
4S
un sobrecalentamiento demasiado bajo reduce a
menudo la solidez interna de la fundicin, los metales se vierten frecuentemente
con sobrecalentamiento moderado Y con la adicin de inoculantes. Deber notar-
se que el tamao final de grano puede cambiarse de la condicin colada por UII
tratamiento trmico si la aleacin sufre un cambio de fase de estado slido (por
ejemplo, aceros) o si el material ser trabajado mecnicamente para permitir la
recristalizacin.
En conclusin, resulta evidente que por lo general se desea
1. un tamao de dendrita pequeo
2. baja porosidad
3. una pequea cantidad de una segunda fase
4. un tamao de grano pequeo si se puede lograr dentro de las limitaciones
anteriores.
Los principales efectos benficos de estos aspectos son las mejores en la ductilidad
y en la resistencia ltima a la tensin, y estas mejoras se logran por la eliminacin
de los defectos de porosidad y de segregacin.
Hay algunas aplicaciones en las cuales no se desea un tamao pequeo de grano.
Por ejemplo, los labes de turbina en la etapa caliente de los motores de reaccin
operan bajo carga a muy altas temperaturas. A altas temperaturas, la coherencia
a travs de los lmites de grano se reduce, Y la presencia de los lmites de grano tien-
de a reducir la resistencia a la termofluencia. La figura 9.63 presenta datos de ter-
mofluencia para una aleacin de labes de una turbina convencional, MAR-M200
[Ni + 9 Cr, 10 Co, 12.5 W, 2 Ti, 5 Al, 1 Nb, 1.5 Cj. Tambin se presentan los da-
Metales colados
f. 30
.,
'
e
'" :J 20
'g
E

colado
tiempo Ihl
monocristal
--"//
/
)
100
327
F' 19ura 9.63 Propiedades de termofluencia de .
mente,o vaciadas direccionalmente y mo . vacIadas convencional-
a 1800 F Y 30 000 1b/pulg2 (195 MN/ 2 n)o(cdTlSltalinas de. MAR-M200 probadas
m e a referenCIa 46),
tos para materiales monocristalinos, as como ara m ' ., .
nalmente. Es bastante fcil vacia I '1 b d
P
atenal solIdIfIcado direccio
I
ros a a es e turbina u 'd' ,
ta manera que se desarrollen g 1 ni Irecclonalmente de
d
ranos co.umnares relativa t '
e sus longitudes, Como puede ve I fi men.e grandes a lo largo
rse en a Igura Q 63 tale t" f
nas posibilidades de mejorar el c ," , s ermmos o recen bue-
d d omportamlento de un mot r d "
o una eterminada aleacin de '1 b d ' , 1) e reaCClOn utilizan-
a a . es e turhna; vease la referencia 46.
G, Hierros colados
un punto de vista comercial, las aleacion ' ,
fundIciones de hierro, Desde un unto de v' mas Importantes son las
dificacin de los hierros col d p Ista clentlflco, la naturaleza de la soli- .
a os es extremadam t '
comprendida como se deseara Las f d" en e mteresante y no tan bien
, un IClones de h'e l'
mente ternarias de Fe-C-S' d . " I rro son a eaClOnes esencial-
I e compOSlClOn cercana 1 "
principales de fundiciones de hierro 1) '2) a eutectlco, Hay cuatro tipos
Un buen resumen de la qumic d' Ir nodular, 3) blanca y 4) maleable,
h
' a y e "mlsroestructura d t f "
Ierro se presenta en el captulo 18 d I f,' e es as undlClOnes de
p e a re erencu' 47
.ara comprender el papel del silicio en fund'" ,
exammar primero el diagrama de f b' , IClones de hIerro, es conveniente
9 64 N' ases mano F e-C que
. . otese que el hierro eutcticol' 'd (430' se muestra en la figura
mo austenita+grafito o como o b . 70(C) puede ya sea co-
se forma a 1148 C, lo cual es 60 C d uro Fe3C o cementlta), El carburo
grafito, A esta diferencia de tem pOt
r
e aJlo de la temperatura de formacin del
f
' pera ura se e llama f::.T. ' ,
Igura 9,64, Cuando el eutctl'cO r G-C, como se mdlca en la
se lorrra con grafito l' '
do se forma con Fe3 C, se tiene un hierro bla ,se un hIerro gris; cuan-
micamente estable mientras que el F C El grafIto es la fase termodin-
se forma a una inf' pe
3
es re mente una fase metaestable ya que
enor. or razones de cintica es ma's dif' il , IC que se
328
Solidificacin
1600
1538 r
I
- 28
liquido + hierro d
liquido
r::s:;.
14%-
r--.....
7
26
rO
d
N.2723)
t---....
7-
e. hierro d +""

liquidus
austenlta
24
1394

liquido + Fe,C 1-
(2541) t-
"'-
liquido + austenita'

I
J
22 1154
[';Jl k.r:
O
'"
..,[2.08%1
1
(2109)
austenita
1?L"2.11% 1148 -1:"4.30% T
/.
00
1500
00
1400
1300
00
120
00
1- 2
(2098)

7
I
linea
O
"
;; 110
000 !'"
ci
E
1-
<1
-
hierro-FeJe
(calculadal
ci

-1
,1
1000
800 1-
912
austenita + Fe) e
(1674)
-;1
00
I\:ernta + V
austnita /
738
00
_3LIh.68% (1360) -
L-.
-- - .-
-- -
600
9
8
1400
727
700
1S"0.0218% _0.77%
(1341) 1--
ferrita
(hierro alfal - 1200
I
600
I I
---- equilibrio hierro-grafit.o
perlita I
perlita I Fe,C
--1-
I
+ I
I
J
3.5 4.0 4.5 5. .0
500 Fe
1.0 0.5 1.5 2.0 2.5 3 O
Carbono. %
. b (Reproducido bajo permiso de
Figura 9.64 El diagrama ,fases Society for Metals, Clave-
Metals Handbook, 8a. edlclon, vo umen ,
land, 1973).
. Por consiguiente, cuando solidifica una aleacin eu-
forme el grafIto que el Fe3 C. l l so'lido eutctico contiene Fe3C. El
" b de una manera norma, e l
tctlca hlerro-car ono l l de AT como se muestra en a
d i il" es aumentar e va or GC
principal efecto e s ICIO . t l fuerza termodinmica impulsora
65 C e .1T. se mcremen a a . ,
figura 9. . onlorme GC . 1 e ., de Fe C se incrementa tamblen,
.' d fto prevIa a a lormaclOn 3
P
ara la formaclOn e gra 1 c" de un eutctico graftico en vez
. 1 b bilidad de JormaClon
por lo que aumenta a pro a l S. mueve la formacin de grafito.
' . d carburo Por lo tanto, e l pro _ ,_
de un eutectlco e . _ t ctura de fundicin de hierro gns ti pIca.
fi 9 71 para una mlcroes ru . .
Vase la gura . a 1 d 1 odelo de solidificacin de las fundIcIones
Para comprender la natura eza e m d 19unas caractersticas de los diagra-
de hierro, es necesario primero compren er a
mas ternarios de fase.
Metales colados
40
30
u
o
20
.... "
<1
10
__ -L ________ __________ u
O
0.5
1.0
1.5
silicio, % en peso
2.0
329
Figura 9.65 Diferencia de las temperaturas eutcticas D.T
G
_
C
, como una funcin
del contenido de silicio (adaptado de la referencia 50, pgina 189).
1. Diagramas de fases temarios.
48
En el diagmma de fases ternario las composi-
ciones de la aleacin se grafican sobre una malla triangular como se muestra en la
figura 9.66a. Una aleacin de cualquier composicin estara representada como
un punto de esta malla. Por ejemplo, la aleacin que representa el punto 1 en la
figura 9.66a tiene la composicin 40% A, 20% B, 40% C. Los tres diagramas bi-
narios de fases A-B, A-e, y B-e se grafican a lo largo de las aristas del tringulo
como se muestra en la figura 11.60b. Ntese que A-B y A-e forman eutcticos,
mientras que B-e forma solucines slidas continuas. Este es un diagrama terna-
rio bastante simple con el interior formado como se muestra. Ntese tambin que
mientras elliquidus de una aleacin binaria es una lnea, elliquidus de la aleacin
ternaria es una superficie bidimensional.
La figura 9.66c presenta un corte isotrmico a travs del diagrama de fases a
la temperatura TI. Considrese ahora una aleacin 1 quida de composicin L 1, la
cual, cuando se enfra a la temperatura TI, est sobre la superficie liquidus. Cul
es la composicin del slido que solidificar a partir de este lquido? Se sabe que
debe estar en la traza de la superficie solidus Con la isoterma TI, pero, a menos
que se tengan las lneas de unin, no se sabe a cul composicin sobre esta traza.
Por lo tanto, en diagramas ternarios deben suministrarse lneas de unin en cada
temperatura, mientras que en los diagramas binarios no se presenta esta dificultad
ya que las lneas de unin se determinan automticamente al especificar la tem-
peratura.
Ahora se considerar lo que ocurre cuando solidifica unidireccionalmente una
aleacin de composicin L I suponiendo una intercara slido-lquido planar. En
referencia a la figura 9.66b se ve que el primer slido se forma en 0:
1
Al progresar
la solidificacin, la composicin lquido debe cambiar ya que el slido est
solidificando a una composicin diferente. La composicin del lquido cambia
de LI a L
2
y la composicin del slido desde 0:
1
hasta 0:
2
La composicin dell-
quido se halla ahora en el canal. Los liquidos que se hallan en el canal estn en
330
traza de la
superficie
solidus de"
(e) e Isoterma T.
e
(b)
Figura 9.66 Diagrama de fases ternario.
Solidificacin
B
e
a Reticula
(a) triangular
Tb' con las fases o: Y Si se pasa un plano isotrmico a travs del punto L
2
este plano interseca el lmite de la fase y la fase
aL" n de estos tres puntos forma un tnangulo de umon sobre e
en 1'2, a conexlO . . d 1
plano isotrmico Y las tres composiciones conectadas dlln las composiciones e as
Metales colados 331
fases o: y en equilibrio con L
2
a esta temperatura. Consiguientemente, una vez
que el lquido alcanza la composicin L
2
, el slido empezar a solidificar jun-
to con 0:2, de modo que se forma un eutctico bifsico, tal como sucede en el
punto eutctil:o en los diagramas binarios. Ahora solamente hay una diferencia
fundamental. En un eutctico binario, el lquido del eutctico siempre solidifica
a una misma temperatura, TE, del diagrama binario. Esto no es cierto para este
eutctico ternario. Los libros de textolsobre diagramas de fase
48
muestran que III
composicin promedio del eutctico, 0:2 + deben estar en algn punto de la l-
nea de unin que conecta 0:2 y Esto significa que la composicin promedio
del eutctico slido debe ser diferente a la composicin del lquido
a partir del cual solidifica, L
2
. Consiguientemente, conforme progresa la solidifi-
cacin, la composicin de! lquido se mueve por el canal hasta una posicin tal
como L
3
, en donde la composicin de la fase o: del eutctico slido se ha movido
desde 0:2 hasta 0:3 y la composicin de la fase lo ha hecho desde hasta .
Ya que la temperatura del eutctico de la aleacin binariaA-B, Te(A-B), es mayor
que la de A-C, TE(A-C), la lnea del canal cae con la temperatura de L
2
a L3' Es-
to significa que el eutctico solidifica en un intervalo de temperatura. L3 se colo-
ca de tal manera que L
2
est sobre la lnea de unin entre 0:3 y Desde luego,
la solidificacin de equilibrio de un lquido de composicin L
2
producira un eu-
tctico con una fase o: de composicin 0:3 y una fase de composicin ya que
estas son las nicas dos composiciones o: y conectadas por una lnea de unin
que contiene a L 2 Puesto que la aleacin no solidifica en equilibrio, el lquido
final solidificar desde alguna composicin ms all de L 3 tal como L4. El prin-
cipal punto de esta discusin ha sido demostrar que en eutcticos ternarios en los
cuales el eutctico consiste en dos fases la temperatura de solidificacin no es fi-
ja, como ocurre en eutcticos binarios, sino que vara dependiendo de la pendiente,
debida a temperatura, del canal en diagramas de fase ternarios.
El diagrama de fases ternario Fe-C-Si es muy complejo y difcil de visualizar.
Por lo tanto, resulta til presentar una especie de pseudodiagrama de fase (figura
9.67), el cual simplifica la interpretacin y conduce las ideas principales. El eje
de composicin de este diagrama se llama el equivalente de carbono, definido co-
mo CE = % C + t % Si. Las aleaciones con CE < 4.3 se denominan hipoeutcti-
cas, y aquellas que tienen CE > 4.3 se denominan hipereutcticas. Ntese que el
eutctico solidifica sobre un intervalo de temperaturas.
2. Hierros grises. La mayora de las fundiciunes de hierro gris son hipoeutcti-
cas y por ello se discutir la manera en la cual solidifican estos hierros. La figura
9.68a muestra la forma progresiva de solidificacin de una fundicin de hierro
de CE = 3.86 que solidific con un sobrecalentamiento de 285
0
F en un molde de
arena de 7 pulgadas.
49
Considrese un punto en el molde a 1.5 pulgadas de la pa-
red. Despus de aproximadamente 11 minutos, las puntas de la dendrita alcanzan
este punto, y continan creciendo hasta que a alrededor de 55 minutos despus
alcanzan un tamao Iimitante. Veinte minutos despus, a los 75 minutos, el l-
quido interdendrtico empieza a solidificar como eutctico. El eutctico contina
332
2800
2500
u..
o
2000
x
o
a.
'"
ci.
E

1500
1000
2.0
IIq.
+
aust.
Irq. + aust. + eut.
Aust.
+
eut.
Aust ..... perlita (o ferrita)
e + perlita lo ferrita)
3.0
%C + t % Si
I
I
'4.3
Solidificacin
C+
eut.
_--1.. ___ _
5.0
Figura 9.67 Diagrama esquemtico que muestra los intervalos aproximados
temperatura de diferentes campos de fases en hierros. (De la
47, COpyright McGraw-Hill Book Co., 1967. Usado baJo permiso de McGraw-Hl11
Book Co.).
solidificando conforme cae la temperatura, hasta que casi a los 93 minutos la so-
lidificacin se completa en este punto, a 1.5 pulgadas de la pared del molde. Este
procedimiento de solidificacin se muestra esquemticamente en la figura
en donde se ilustra qu .. el lingote que solidifica puede dividirse en tres zonas consls-
dendritas de
tiempo, mino
(a)
(h)
Figura 9.68 a) Progreso de la solidificacin de un hierro colado en molde de
(de la r
eferencia 49). b) Vista esquemtica de tres estados de un lingote des-
a
de la pared de un molde hacia la lnea central.
Metales colados 333
tentes en 1) dendritas de austenita slido ms eutctico, 11) dendritas de austenita
ms lquido ms eutctico en solidificacin y nI) lquido ms dendritas de aus-
tenita en solidificacin. Las dendritas de austenita parecen alcanzar el centro del
lingote despus de 17 minutos. El lquido interdendrtico del centro no solidifica
completamente sino hasta casi 1.5 horas despus, de modo que se deben conside-
rar las aleaciones de hierro como aleaciones de solidificacin de intervalo amplio
que solidifican ms en el modo disperso que en el modo de capa.
Un aspecto muy interesante de la solidificacin de fundiciones de hierro im-
plica la manera en el cual el lquido interdendrtico forma eutctico slido. El
eutctico no solidifica con un frente continuo cerca de la base de las dendritas de
austenita en forma similar a la figura 9.43. Ms bien, el grafito en realidad se nuclea
directamente fuera del lquido interdendrtico, segn se muestra esquemtica-
mente en la figura 9.68b. Investigaciones recientes indican que la nuc!eacin no
OCUire en los brazos de la dendrita austentica sino dentro del lquido interden-
drtico de una manera que an no se comprende bien. Entonces crece un terrn
esfrico de eutctico desde el ncleo graftico formando lo que se llama, variable-
mente, clulas de eutctico o colonias de eutctico. Estas clulas generalmente
son ms grandes con relacin a las dendritas que las mostradas en la figura 9.68 b.
En la figura 9.69 se muestra una ilustracin esquemtica de una clula eutctica. El
crecimiento ae esta clula es un ejemplo de un frente de crecimiento eutctico
facetado-no facetado y resulta en una estructura altamente irregular. Muchos
experimentos han demostrado que todo el grafito dentro de la clula est inter-
conectado. Vanse fotografas exceleqtes en la referencia 50, pginas 185 y 195.
3. Efectos cinticos. Conforme aumenta la velocidad de enfriamiento, las hojue-
las de grafito se dispersan ms finamente hasta que a velocidades suficientemente
altas el carbn solidifica como carburo, cementita. Las hojuelas de grafito se cla-
sifican progresivamente desde la ms gruesa (tipo A) a la ms fina (tipo D), sien-
do el tipo A llamado usualmente grafito en hojuelas y el tipo D grafito subenfriado
hojuelas de
grafito
Figura 9_69 Una colonia de eutctico en hierro colado gris [no confundir con la
estructura de colonia descrita en la figura 9.39].
334
ci.
E
.,
1-
Solidificacin
--------1------
9r"",0 l1T
G
_ C (no Si)
----- - ------
----
velocidad de crecimiento
Figura 9.70 Temperatura de la como una, d,e
velocidad de crecimiento para el crecumento de eutectlco cemenhtlco y eutectI-
co graftico.
debido a que se forma a una temperatura inferior. En la referencia 51 se encuen-
tran excelentes fotografas que ilustran estas estructuras. .
Las cinticas de solidificacin del hierro colado pueden comprenderse a partn
de la grfica de la figura 9.70. Las solidificacin del eut.cti.co parece
ocurrir de una manera acoplada similar al modo de crecimiento eutectIco
que se estudi en la seccin 9.4. La curva de la la de la
intercara como una funcin de la velocidad de sohdl[caclon del eutectIco auste-
nita-cementita. Se tiene una curva similar para el eutctico graftico. Lo que se
espera observar es que cualquier forma de eutctico puede crecer a la temperatura
ms alta para una velocidad dada. Por ejemplo, supngase que formas eu-
tcticas estuviesen presentes a una velocidad dada. La que crecIese a la tempera-
tura mayor conducira a la otra y, por lo tanto, la presionara. Por lo tanto, el
punto de cruce de la figura 9.70 da la velocidad por encima de la cual se
el eutctico cementtico (hierro blanco), y se ve de la curva a rayas que al mcre-
mentar b.Tc_c se eleva la velocidad requerida para formar hierro. colado
De aqu que el silicio permite la formacin de hierro colado gns a velOCIdades
ms altas. Por modificacin de las ecuaciones 9.45 y 9.48, se puede obtener una
expresin para la curva de cementita de la figura 9.70. Quedar claro que la tran-
sicin gris-blanca es una funcin de las ecuaciones de cintica. que d.escriben las
velocidades de la intercara contra temperatura para los dos tipos diferentes de
eutctico. En la actualidad, estas ecuaciones se conocen slo cualitativamente (re-
ferencia 50, pgina 203).
Los hierros colados generalmente contienen algunas impurezas de azufre que
Cenen una fuerte influencia sobre las formas de crecimiento. Se encuentra que el
alzufre produce tres efectos obvios: 1) produce hojuelas ms
el subenfriamiento, o sea, disminuye la temperatura de sohdlflcaclOn de la nter-
Metales colados 335
cara eutctica y 3) incrementa la densidad de la colonia. Estos efectos se ilustran
bien por las fotografas de la referencia 50, pgma 198 y de la referencia 51, pgina
590. Los efectos del azufre estn conectados aparentemente con el hecho de que
el coeficiente de distribucin en equilibrio del azufre es aproximadamente 0.02
en austenita y casi 1 en grafito. Por lo tanto, en la solidificacin, el azufre debe
redistribuirse en el grafito casi tanto como el carbono. Esto dara una concentra-
cin de azufre lquido alta enfrente de la fase austenita, la cual podra influir en
la cintica de crecimiento eutctico afectando la cintica de la intercara b.T
K
la
tensin superficial slido-lquido o el campo de difusin en el lquido. La
cia relativa de estos tres factores en el control de los efectos del azufre se desco-
nocen hasta la fecha.
4. Hierros nodulares. En 1948 la Interna ti ) na I N ickel inform que la adicin
de 0.02-0.1 % Mg haca que las hojuelas de :'::Ifito tomaran la forma de esferas'
vase la figura 9.71. En ese mismo ao, la British Cast Iron Research
inform que la adicin de 0.2-0.4% Ce tambin produca formas esfricas de gra-
fito. En la actualidad, la industria usa el proceso del Mg, y al hierro nodular produ-
cido se le llama por lo general hierro colado dctil. La industria del hierro colado
dctil crece a una velocidad fabulosa, habiendo crecido desde un tonelaje de 18 000
en 1954 a un estimado de 1.4 millones de toneladas en 1971.
Puede decirse que el proceso de crecimiento del hierro colado dctil es bas-
tante similar al del hierro colado gris, excepto que el lquido interdendrtico soli-
difica como esferas de grafito en vez de colonias eutcticas. Estas esferas se llaman
frecuentemente esferulitas. El grado de sobreenfriamiento para el crecimiento de
esferulitas es mayor que el de clulas eutcticas y el nmero de esferulitas por
centmetro cbico es casi 200 veces mayor que para las clulas eutcticas de hierro
gris. La esferulita en s es esencialmente grafito slido puro, el cual es un agrega-
do esferoidal compuesto de un arreglo de pequeos cristales de grafito que crecen
radialmente y que se originan en un centro comn. La figura 9. na presenta una
ilustracin esquemtica de la apariencia de las esferulitas. Los pequeos cristales
individuales crecen hacia afuera de modo que mantengan sus ejes e paralelos a la
direccin de crecimiento (el grafito tiene una estructura cristalogrfica hexagonal).
Por lo tanto, la superficie de la esferulita est compuesta de los planos basales de
los pequeos cristales de grafito, y recientemente se han puesto disponibles bellas
fotografas de MEB de estas superficies. 52
En la actualidad hay tres reas en las cuales no se comprende la solidificacin
del hierro dctil:
1. Se sabe muy poco acerca cmo se nuclean las esferulitas.
2. Se sabe que las hojuelas en el hierro gris crecen en sus ejes a paralelos a la
direccin de crecimiento, mientras que el grafito crece paralelo al eje e
en el crecimiento esferultico. Los elementos Mg y Ce son capaces de for-
zar este cambio en el eje de crecimiento, pero no se sabe cmo lo hacen.
El grafito crece con una intercara facetada, como se muestra en la figura
336 Solidificacin
Figura 9.71 a) Hierro colado gris. Hojuelas de grafito (en negro) rodeadas de fe-
rrita (color blanco) en una matriz de perlita (250X). b) Hierro colado nodu)ar
(con adicin de Mg). Ndulos de grafito (esferas negras) rodeados de ferrita (en
blanco) y algunas regiones perlticas (COlor negro), (250 X). (Cortesa de Harlan
Baker).
Metales colados
cristalitas
individuales
10(01)
esferulita
(a)
337
(0001)
(b)
Figura 9.72 a) Una esferulitli de grafito en hierro colado nodular. b) Crecimiento
de esferulitas ilustrando la regin de austenita circundante, 'Y.
9.lOa, y es evidente que si los tomos de so luto tuviesen la tendencia a
absorberse preferencialmente en los bordes, podran "envenenar" este ti-
po de crecimiento. Estar claro que lo que se sepa de la morfologa del
grafito depende de lo que se sepa de la cintica de las reacciones de la in-
tercara que ocurren cuando el grafito cristaliza desde el metal fundido.
3. Cuando se examinan ndulos de colada, se observa que por lo comn estn
rodeados por una capa de hierro. Evidencia experimental muy buena in-
dica que la esferulita est rodeada por una cscara de austenita y que es-
ferulita y cscara crecen simultneamente a partir del lquido como se
muestra en la figura 9.72b. Sin embargo, este tipo de crecimiento es dif-
cil de explicar tericamente debido a que todo el carbono agregado a la
esferulita debe difundirse a travs de la cscara de la austenita. Este es un
proceso lento y, tambin, se deberan esperar tremendas presiones en la
cscara debidas al incremento de volumen conforme el grafito se va for-
mando. Se han propuesto nuevas teoras para tomar en cuenta estas di-
ficultades, so pero aun queda mucho por aprender acerca de uno de los cua-
tro metales ms comunes, eL hierro colado.
5. Propiedades mecnicas. Un hierro colado gris es esencialmente un material
compuesto, que consta de grafito ms hierro al alto carbono. Consiguientemente,
las propiedades mecnicas estn bastante influidas por la cantidad de grafito y por
su tamao, forma y distribucin. El hierro gris con hojuelas tipo A tiene una re-
sistencia a la tensin ms alta que los hierros ms finos del tipo D. Las propieda-
des elsticas de los hierros grises requieren consideraciones especiales debido a que
son algo diferentes a las de otros materiales de ingeniera, 53 Los hierros colados
grises son extremadamente frgiles. La concentracin de esfuerzos en las puntas
de las hojuelas de grafito provocan flujo plstico local a cargas externas bajas. La
resistencia a la cedencia convencional al 0.2% de deformacin dar valores que
son bastante cercanos a la resistencia ltima a la tensin. Por consiguiente, la re-
sistencia a la cedencia y la ductilidad de los hierros colados grises no se especifican.
Las resistencias a la tensin de los hierros colados grises comunes varan desde
20000 hasta 60 000 lb/pulg
2
(136-409 MN/m
2
).
338
Solidificacin
El cambio en la morfologa del grafito de hojuelas a nodular tiene una gran
influencia sobre las propiedades mecnicas. Por ejemplo, en algunos hierros este
cambio en morfologa puede hacer saltar la resistencia a la tensin desde 20 000
hasta ms de 100000 Ib/pulg
2
con un concurrente incremento en la ductilidad.
Este es quiz uno de los ejemplos ms ilustrativos del efecto de la microestructura
sobre las propiedades de un material. La mayora de los hierros dctiles comer-
ciales tienen propiedades dentro de los siguientes intervalos:
Ductilidad:
Tensin:
Cedencia:
2-30% elongacin en 2 pulgadas.
55000 a 120000 Ib/pulg
2
(375-818 MN/m
2
)
30000 a 90 000 Ib/pulg
2
(205-614 MN/m
2
)
Los hierros colados maleables no se han tratado debido a que se obtienen por tra-
tamiento trmico del hierro blanco. Sin embargo, en sus propiedades mecnicas
son similares a los hierros dctiles, y el estudiante se referir a otros textos
47
,s3
para profundizar ms acerca de los hierros colados.
REFERENCIAS
1. D. Tumbull y R. E. Cech, J. Appl. Phys. 21, 805 (1950).
2. G. Colligon, J. Aust. Inst. Meta1s 10,277 (1965).
3. G. L. F. Powell, J. Aust.lnst. Metals 10, 223 (1965).
4. D. Gomersall, S. Shiraishi y R. Ward, J. Aust. Inst. Metals lO, 220 (1965).
5. J. Marcantonio Y L. Mondolfo, Met. Trans. 2,465 (1971).
6. K. Jackson, D. Uhlmann y J. Hunt, J. Crystal Growth 1, 1 (1967).
7. G. F. Bolling, J. J. Kramer y W. A. Tiller, Trans. Met. Soco AIME 227, 1453
(1963).
8. W. G. Pfann, Zone Melting, Wiley, Nueva York, 1966.
9. W. G. Pfann. ScL American, 217,63 (diciembre, 1967).
10. 1. A. Burton, R. C. Prim y W. C. Slichter, J. Chem. Phys. 21,1987 (1953).
11. C. Elbaum, in Progress in Metal Physics, Vol. 8, B. Chalmers y R. King,
Eds., Pergamon Pressr Nueva York, 1959, pg. 203.
12. W. A. Tiller, K. A. Jackson, J. W. Rutter y B. Chalmers, Acta Met. 1,428
(1953).
13. J. C. Wamer y J. D. Verhoeven, Met. Trans. 4,1255 (1973).
14. R. F. Sekerka, J. Crystal Growth 3- 4, 71 (1968).
15. S. C. Hardy y S. R. Coriell, J. Crystal Growth 7, 147 (1970).
16. L. R. Morris y W. C. Winegard, J. Crystal Growth S, 361 (1969).
17. R. J. Schaefer y M. E. Glicksman, Met. Trans. 1, 1973 (1970).
18. F. R. Mollard y M. C. Flemings, Trans. AIME 239,1534 (1967).
19. J. D. Verhoeven y E. D. Gibson, Met. Trans. 4, 2581 (1973).
20. R. W. Kraft, J. Metals 18, 192 (1966).
21. F. S. Galasso, J. Metals 19,17 (1967).
22. G. A. Chadwick, in Progress in Materials Science, Vol. 12, No. 2 B. Chalmers
y W. Hume-Rothery, Eds., Pergamon Press, Nueva York, 1963.
Problemas 339
23. L. M. Hagan, R. W. Kraft y F. D. Lemkey, in Techniques of Chalmers y W.
Hume-Rothery, Eds" Pergamon Press, Nueva York.
24. J. L. Walter y H. E. Cline, Met. Trans. 4,1775 (1973).
25. K. A. Jackson y J. D. Hunt, Trans. Met. Soco AIME 236, 1129 (1966).
26. C. Zener, Trans. Met. Soco AIME 167,405 (1946).
27. W. A. Tiller, in Liquid Metals (md Solidification, ASM, Cleveland, 1958, pg.
276.
28. H. W. Kerr y W. C. Winegard, Can. Met. Quarterly 6, 55 (1967).
29. W. H. Weart y J. D. Mack, Trans. Met. Soco AIME 212, 664 (1958).
30. M. D. Rinaldi, R. M. Sharp y M. C. Flemings, Met. Trans. 3, 3139 (1972).
31. A. F. Bishop, F. A. Brandt y W. S. Pellini, Trans. Am. Foundry. Soco 59 439
(1951). '
32. T. F. Bower, H. D. Brody y M. C. Flemings, Trans. Met. Soco AIME 236 624
(1966). '
33. K. A. Jackson, J. D. Hunt. D. R. Uhlmann y T. P. Seward, Trans. AIME 236
149 (1966). '
34. H. F. Bishop y W. S. Pellini, FounJry 80,86 (febrero, 1952).
35. R. W. Ruddle, Trans. Am. Foundry. Soco 68. 685 (1960).
36. M. Flemings y G. Nereo, Trans. AIME 242,41,51 (1968).
37. H. Thresh, M. Bergeron, F. Weinburg y R. K. Buhr Trans AIME 242 853
(1968). ,. ,
38. M. Fl:mings y colaboradores,J. Iron y Steel Inst., 208, 371 (abri11970).
39. R. Flmn, Fundamentals of Metal Casting, Addison-Wesley Reading Mass
1963. ' ,.,
40. FR. BFlinnh' hCasting Techniques, b Techniques of Metals Research, Vol. 1 R.
. uns a ,Ed., Wiley, Nueya York, 1968, captulo 21.
41. J. Campbell, Cast Metals Res. J. 5, 1 (marzo 1969).
42. S. J. Walker, Foundary Trade J. 127,943 (diciembre 1969).
43. S. N. Singh ~ M. Flemings, Trans. AIME 245, 1811 (agosto, 1969).
44. S. F. !"redenck y W. A. Baily, Trans. AIME 242, 2063 (octubre, 1968).
45. A. CIbula, Grain Control, University of Sussex Institute of Metallurgists
Londres, 1969, pgs. 2244. '
46. F. L. yersnyder y M. E. Shank, Materia1s ScL Eng. 6,213 (1970).
47. R. Heme, C. Loper y P. Rosenthal, Principies of Metal Casting, McGraw-Hill
Nueva York, 1967. '
48. F. N. Rhines, Phase Diagrams in Me tallu rgy , McGraw-Hill Nueva York 1956
49. R. P. Dunphy y W. S. Pellini, Trans. Am. Foundry, Soco 59,425 (195i). .
50. The Solidification of Metals, lron y Steel Institute London 1968 Publ
110. ' , , .
51. B. Lux, M. Grages y D. Sapey, Prac. Metallog. 5,587 (1968).
52. B. Lux, W. Kurz y M. Grages, Prac. Metallog. 6,464 (1969).
53. C. F. Walton, Ed., [ron Castings Handbook, Iron Founders' Society, Cleve-
land,1971.
PROBLEMAS
9.1 En la pgina 266 se estableci que si los lmites solidus y liquidus son lneas
r ~ c t a s el coeficiente de distribucin de equilibrio, l<iJ , es una constante indepen-
dIente de la composicin. Presntese una prueba de esto.
Solidificacin
340
9.2 Presntese una derivacin de la ecuacin 9.1,l.
9.3 a) Dervase la ecuacin 9.18. Sugerencia: hgase un balance masas
luto dentro de la zona conforme avanza una distancia dZ. Esto dara una ecuaClOn
diferencial que puede integrarse para obtener la ecuacin 9.18.
b) Esta ecuacin es vlida nicamente desde ,las posiciones, Z = O a Z.:= L - 1,
en donde L es la longitud total de la barra. Exphquese por que la ecuaClOn no es
vlida para todo Z.
9.4
900
u
.
d 500
E
!-
A 3040 60
%8-
85 B
Una aleacin que tiene el diagrama de fases anterior de una to-
tal del 40% B se mantiene en estado fundido en un bote largo y se solidifica lenta-
mente desde el extremo izquierdo. El gradiente de temperatura es bastant;
de modo que la intercara slido-lquido permanece plana. La mezcla en el
es muy fuerte, de modo que no hay acumulacin al de la mter-
cara en el lquido; por 10 tanto, la composicin del hquldo es uniforme.
a) Cul es el valor de ko para esta aleacin? cul es el valor de ke para es-
te experimento? , ' "'
b) Utilizando la ecuacin de solidificacin normal, que
de la barra ser eutctico. Constryase un dibujo de la barra despues de la solidi-
ficacin y mustrese dnde se distribuye el ., .. .
c) Con la ley de la palanca se describe la de
tao UtiliZando la ley de la palanca, cul es la fracclOn que e:-
tctico despus de la solidificacin si se tuviese esta .
d) Cul es la respuesta a las partes b) Y c) si la compoSlclon mlcial de la alea-
cin es S%B solamente? .. , ., .
e) Supngase que se hiciese una gran fundiclOn de esta aleaclOn de S%B ..
se hace un corte en la fundicin y se observa al microscopio, ha! alguna
dad de que se vea algo de eutctico? Basado en mO,delo de
dendrtico que se estudi en este captulo, cul sena la fracclon. en
e11ingote, ocupada por la fase P? Supngase que ex y P tienen la misma denSidad.
Problemas 341
9.5 Supngase que se desea obtener una barra larga de la aleacin del problema
9.4 con una composicin uniforme del 20% B. Para hacer esto se decide partir
de un lq1:ido de 20%B solidificndolo. Se tienen dos opciones:
1. Se solidifica desde un extremo con una intercara plana en condiciones en
las que ke se aproxima a 1 (por ejemplo, 0.99).
2. Se templa la aleacin rpidamente y se obtiene una estructura dendrtica.
Entonces se cuece la barra a la ms alta posible para eliminar la mi-
crosegregacin.
a) El valor usual de fJD es de alrededor de 1000 seg/cm y el valor de D de
alrededor de 10-5 cm
2
/seg. De aqu que la opcin 1 no es realmente prctica.
Explquese por qu no lo es. Sugerencia: considrese la estabilidad de la inter-
cara.
b) El espaciamiento interdendrtico es inversamente proporcional a la velo-
cidad de solidificacin. Supngase que el espaciamiento promedio entre los troncos
de dendrita es de 100J,Lm. Estmese cunto tiempo se debera tratar trmicamen-
te la barra con el objeto de remover la micro segregacin si se caliente a a) 100 C
por debajo de la temperatura del eutctico y b) S e por debajo de la temperatu-
ra del eutctico. El coeficiente de difusin de B en A est dado por D = 0.085
exp [-32 600/2T] cm
2
fseg.
9.6
semilla de
( monoe.istal f20 % BI
U
\. aleacin liquida f20% BI
Supngase que se requiere hacer crecer un monocristal de la aleacin del proble-
ma 9.4 con una composicin de120%B. Esto se hace colocando un pequeo mo-
no cristal de la aleacin deseada en un extremo de un bote horizontal en contacto
con la aleacin lquida como se muestra en la ilustracin anterior, y luego se deja
solidificar lentamente el lquido. El lquido solidifica sobre el cristal semilla dando
un mono cristal de la misma orientacin que la semilla"
a) Calclese el gradiente de temperatura del lquido de la intercara necesario
para asegurar que la intercara permanezca plana durante la solidificacin si la ve-
locidad de solidificacin fuese de 1 cm/hr y D :..: 2 X 10-5 cm
2
/seg.
b) Se esperara obtener un mono cristal si la intercara slido-lquido fuese
dendrtica? Explquese.
9.7 Utilcese el diagrama de fases de la figura 9.64 para resolver este problema.
Para determinar los valores de k
e
, aproxmense las lneas solidus y liquidus con
lneas rectas. Supngase que se tuviese una barra larga de acero lquido con una
composicin de 0.4% C. Este lqaido solidifica desde un extremo con una inter-
cara slido-lquido plana (no dendritas) a una velocidad de 10-
3
cm
2
fseg en con-
diciones de mezcla completa en"ellquido.
342 Solidificacin
a) El problema es obtener una grfica que muestre composicin contra dis-
tancia a lo largo de la barra. Calclese la composicin para los valores de Z/L de
0.0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8, 0.9 Y 0.10. Tambin distngase la frac-
cin de la barra que es fase 8, la que es fase 'Y y la que es eutctico, suponiendo
que la fase 8 y la fase 'Y permaneciesen estables en el enfriamiento. Nota: se debe
suponer como insignificante la difusin de estado slido con el objeto de utilizar
la ecuacin de solidificacin normal. Se esperara que esta suposicin fuese vli-
da en este caso?
b) Con el enfriamiento, la fase 8 y la fase 'Y sufrirn las transformaciones de
estado slido mostradas en el diagrama de fases. En algunas regiones de la barra
se tendr perlita ms Fe3 C intergranular. Localcese esta regin en la barra. Tam-
bin estmense las micro estructuras en las regiones restantes. (Si no se est fami-
liarizado con la formacin de perlita, vase la seccin 12.2B).
e) Supngase que hay una acumulacin de soluto en el lquido y que el va-
lor de 8/D es de 200 seg/cm. Calclese la fraccin de la barra que solidifica antes
de que la fase 'Y empiece a solidificar a partir del lquido. Puede haber un transi-
torio cuando la fase 'Y empieza a formarse, debido a que el coeficiente de distri-
bucin ko es diferente entre lquido/8 y lquidofr. Cul ser la composicin del
slido que solidifica desde el lquido al completarse este transitorio?
9.8 a) Supngase que se repite el experimento anterior con un acero del 1 % en
condiciones de no mezcla en el lquido. Tomando el coeficiente de difusin del
carbono en hierro lquido como D = 0.016 exp (-14 OOO/RT) cm
2
/seg, calcle-
se el gradiente de temperatura requerido para evitar que la intercara forme den-
dritas en un punto en londe ha solidificado el 50% de la barra. Usese R = 2 cal/
mol- "K. ..
b) Reptase el clculo para las condiciones en que se agita el lquido para
dar un espesor de capa lmite de 0.01 cm.
e) A partir del anlisis, explquese el efecto de la agitacin sobre la estabili
dad de las intercaras slido-lquido.
9.9 a) Supngase que la aleacin del problema 9.8 se vaca en un molde rectan-
gular que tiene dimensiones interiores de 20 X 10 pulgadas en condiciones en las
cuales no se forman equiaxiales. Los granos columnares crecern a travs de
la dimensin estrecha y se tocarn uno a otro en el plano central. Cuando las pun-
tas de las dendritas sobre estos granos columnares se llegan a tocar en el centro,
cuf es la longitud de los troncos de dendrita primaria si el gradiente de tempe-
ratura es:
1. 100 C/cm y
2. 10 OC/cm
b) Cul es el efecto de la longitud de la dendrita sobre 1) la microporosi-
dad? y 2) la transicin de columnar a equiaxial?
e) Cul es el efecto que se esperara tuviese un alto coeficiente de difusin
de estado slido sobre la longitud de la dendrita? Explicar el razonamiento en
forma clara.
El latn para cartuchos es una aleacin de 30% en peso de Zn y 70% en peso de
Cu. Vase el diagrama de fases anterior. Supngase que fuese a solidificar una ba-
rra larga de esta aleacin desde un extremo. Supngase:
Problemas
343
porcentaje atmico de zinc
10 20
1100 2000
oc
1000
L
900
800
700
600
500
400
(J'
+ "Y + f
300 .
l. Que la intercara slido-lqllido es plana (no dendritas).
2. Hay mezcla completa en el lqUido (k
e
= ko J.
F
1800
punto de
ebullicin
1600
1400
1200
1000
600
Zn
.. a) Dibjese un esquema de la composicin del slido contra la fraccin soli-
de la barra. Indquense claramente las siguientes tres composiciones sobre
la graf!ca, la composicin inicial del slido que ha de solidificar, 32.5% en peso y
36.9% en peso.
b) Estmese el valor de ka entre la fase a y el lquido a partir del diagrama
de fases. Ahora calclese la fraccin de la barra que solidifica a partir del lquido
como fase a pura.
.. e) que el valor de ko entre la fase (J y el lquido es de 0.95. Tam-
bIen supongase que con el enfriamiento hasta temperatura ambiente las fases de
se forman como se en el diagrama de fases. Calclese qu frac-
ClOn de la barra contendra al menos alguna fase (J I despus de enfriar hasta tem-
peratura ambiente.
E.l bronce al fsforo es una aleacin de esencialmente 10% Sn-90% Cu. Vase el
dIagrama de fases anterior. Hganse las suposiciones 1 y 2 del problema anterior.
Supngase tambin que ka entre la fase a y el lquido es constante e igual a 0.36
y ko entre la fase (J yellquido es constante tambin e igual a 0.87. Ahora
calculese:
Solidificacin
344
F
38.2
59.0 415
0
400
C< +
350 37.8
1/ + L 11.0
32.6
+ 1/
300
227
C< +
38.2 189
0 1/ + I! 186"
100
Cu 10 20
porcentaie de estano. en peso
. lidifica directamente desde el lquido como
a) La fracclon de la barra que so
fase a pura. lidif'ca desde el lquido como
b) La fraccin de la barra que so 1
fase 'Y pura. . . d n las dos aleaciones de los problemas 9.1 O Y
9.12 Supngase que se conSI er:u
a
.... .
9 11 Para una aplicacin potencIal en "Cul
. a) dara lugar a ms problemas de poroSldad . ?
b) tendra ms de una opcin de una segunda fase.
.' a la segregaclon mversa?
e) sena mas propensa . to discutiendo los factores que dan lu-
Explquese .en forma clara inversa, y explquese cmo
gar a poroSldad, a una segun a as
d
al . es respecto a estos factores.
difieren estas os eaClon 1 aliz ., de la lnea central de cuatro dendritas,
9 13 Abajo se muestra la oc aClon
cuales crecen desde la pgina hacia afuera.
, mo se iensa que debera variar la composicin
a) Hgase un esquema de cOI d que se forman en las aleaciones del
desde el punto A al punto B para as en
problema 9.10.
Problemas
D
+
+
A
e
+
+
B
b) Reptase para la aleacin del problema 9.11.
345
e) Ahora hgase un esquema de las fases que deberan estar presentes en una
aleacin de colada del problema 9.10 a lo largo de la lnea desde el punto A al B.
Supngase que la aleacin est a temperatura ambiente y considrese cuidadosa-
mente el diagrama de fases que muestra algunas transformaciones de fase de esta-
do slido.
d) Reptase la parte e) para el problema 9.11. Las transformaciones mostra-
das en el lado rico en Cu del diagrama de fases Cu-Sn por debajo de 500
0
e no
ocurren en metales colados. (Son demasiado lentas y solamente ocurren con un
prolongado recocido). Por 10 tanto, se puede obtener un diagrama de fases opera-
cional extendiendo simplemente todos los lmites de fase verticales que estn en
500
0
e a la temperatura ambiente.
e) Se pueden verificar las respuestas de las partes e) y d) comparando las fi-
guras 60 y 66 del libro Annotated Metallographie Specimens de A. R. Bailey y L. E.
Samuels, Metallurgical Services, Surrey, England, 1971.
9.14 Hgase un juicio de cmo se pensara que las siguientes variables afectaran
la longitud de la zona dendrtica, y luego explquese el razonamiento utilizado
para llegar a este juicio.
a) Un incremento en la composicin de la aleacin.
b) Una disminucin de la conductividad trmica del material del molde.
e) Un incremento del calor latente de la aleacin.
d) Un incremento de la mezcla convectiva dentro del lquido al frente de la
intercara.
9.15
barras a acomodadas
en un arreglo hexagonal
/"
placas a
<:
A
T
L
iJ
iJ
iJ
----
346 Solidificacin
Supngase que un eutctico particular puede existir con una estructura tan-
to tipo barra como tipo laminar.
Se supondr que las anteriores representaciones fotomicrogrficas yacen per-
pendiculares a las barras y a las laminillas y que la distancia de separacin es A en
am bos casos.
a) Calclese el rea por centmetro cuadrado de la intercada a -(3 de la foto-
micrografa en ambos casos. Se encontrar que el rea de la intercara a-(3 es una
funcin de A nicamente para el caso laminar. Sin embargo, para el caso de la barra
es un funcin de A y de la fraccin de rea de fotomicrograf a ocupada por las barras
a. La respuesta para el caso de la barra debera resultar de 3,809X..j AlA, en donde
A es la fraccin de rea de las barras a.
b) Tmese la fraccin de rea de a sobre la fotomicrografa como igual a la
fraccin volumtrica de a en el eutctico. Luego, con base en la respuesta a la par-
te a), explquese porqu podra esperarse una morfologa laminar si la fraccin
volumtrica a fuese mayor de 27.6% y una tipo barra si fuese menor a 27.6%.
Explquense las suposiciones hechas. [Nota: se ha tomado la misma A para ambos
casos, barra y laminar. Esta suposicin puede eliminarse y en vez de 27.6% se
obtiene 31.8% ; vase J. D. Hunt y J. P. Chilton, J. Inst. Metals 91,342 (1962-
1963)].
9.16 Considrese una aleacin de composicin de 10% B que tiene los diagra-
mas de fase del problema 9.4. Una barra larga de esta aleacin solidifica lentamente
desde un extremo en condiciones en las cuales se aplica la ecuacin de solidificacin
normal, X
s
= X o k o (1 - f)ko -1 , en donde f es la fraccin de la barra solidificada
y X
s
y X
o
son las concentraciones fraccionales (opuestas a las concentraciones
volumtricas usadas en la derivacin de la ecuacin 9.17).
a) Demustrese que despus de que la fraccin f de la barra ha soliaificado,
la composicin promedio del slido es
x. = [1- (1- f)ko]
b) Conforme solidifica la barra, la composicin del lquido se incrementa.
Esto a su vez disminuye la temperatura de solidificacin del lquido. Demustre-
se que la temperatura de solidificacin del lquido vara con la fraccin solidificada
de la barra segn
donde m es la pendiente de la lnea liquidus del diagrama de fases y T
p
es la tem-
peratura de solidificacin del solvente (el componente A en el diagrama de fases).
e) Hgase un esquema del diagrama de fases. Sobre este diagrama, grafque-
se la composicin promedio del slido, X s' para condiciones en las cuales las tem-
peraturas de solidificacin del lquido, Ts, son 750,700,600 y 500
0
C. Cul frac-
cin de la barra solidificar como eutctico?
d) La solidificacin de no equilibrio se describe a menudo graficando X
s
so-
bre el diagrama de equilibrio como se hizo en la parte e). Para ejemplos, vanse
las pginas 42 y 86 de la referencia 48.
CAPTULO 10
Recuperacin y recristalizacin
Ahora se analizar cierto nmero de tipos diferentes de transformaciones de fase
slido-slido que permiten controlar la estructura de las aleaciones. La prime-
ra de es la El fenmeno general de la re cristalizacin puede
descnbrrse como SIgue. Prrrnero se deforma plsticamente un metal una cantidad
importante. Esto hace que los granos se alarguen como se muestra' a la izquierda
de la figura 10.1. Ahora, se calienta el metal hasta una temperatura del orden de
la mitad de su temperatura de fusin y se mantiene a sta. Se genera una se-
cuencia muy interesante de eventos como se indica en la figura 10.1. Si se
observara la estructura con un microscopio ptico de platina caliente se encon-
trara que no sucede nada hasta que en el tiempo ti empiezan a nuclearse nuevos
granos dentro de los granos de la matriz trabajados en fro. Estos granos crecen
entonces en forma bastante rpida hasta que todos los granos trabajados en fro
llegan al tiempo t2 Luego, estos granos nuevos crecen en forma ms lenta hasta
que, en el tiempo t3 , se obtiene un tamao final. Aun cuando se ve que no pa-
recuperacin
recristalizacin
crecimiento de grano
o
tiempo a la temperatura dada
Figura 10.1 Representacin esquemtica de la secuencia recuperacin-recristali-
zacin-crecimiento de grano.
347
348
Recuperacin Y re cristalizacin
sa nada hasta el tiempo t2 en un microscopio ptico, se sabe que s est ocu-
rriendo mucho durante este intervalo. A esto se le llama recuperacin y se muestra
en la figura 10.1:
l!ecuperaci6n: Todos los fenmenos de recocido que se presentan antes de
la aparicin de granos nuevos sin deformacin.
El proceso que ocurre desde el tiempo t1 hasta el tiempo t2 se denomina recrista-
lizacin y se defme como sigue.
Recristalizaci6n: Es la nucleacin de los granos nu"evos sin deformacin Y
el consumo gradual de la matriz trabajada en fro debido al crecimiento
de estos granos. .
La fuerza que provoca impulsa el crecimiento de los granos nuevos sin defor-
macin desde el tiempo t
1
al tiempo t2 es la energa almacenada de la matriz
trabajada en fro. Despus del tiempo t2, la fuerza que impulsa el crecimiento
viene a ser nicamente la curvatura de los lmites del grano. La diferencia en la
naturaleza de estas dos fuerzas impulsoras y cmo las mismas afectan el movi-
miento de los lmites del .grano se estudi en la seccin 7.5. El proceso que se
presenta despus de t2' se conoce generahnente como un crecimiento de grano,
simplemente; vase la figura 10.1. Por consiguiente, se ve que los procesos que se
realizan durante el recocido de un metal trabajado en fro se dividen en tres
etapas: recuperacin, re cristalizacin Y crecimiento de grano. . .
Cuando se deforma plsticamente un metal se consume una cantidad conSI-
derable de energa. La mayor parte de esta energa se convierte en calor, pero
una pequea fraccin permanece en el metal como energa almacenada; vase
13
7 12
o
E
6
11
'iij
" .;
5
10 ..
..,
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9
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4

E
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8 ee
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3
'
7
e -'"
..
2
6

10 20 40
trabajo de deformacin. cal/mol
Figura 10.2 Cantidad de energa almacenada durante la deformacin del Cu (datos
de la referencia 1).
Energia almacenada 349
figura 10.2. energa da lugar a las dos etapas de relaja-
del calentamIento, recuperacIn y re cristalizacin. La tercera etapa, creci-
rruento del grano, est relacionado slo indirectamente como estas dos etapas y
se consider en el captulo 7.
. la para estos dos procesos de relajacin es la
e?erga libre de GIbbs por tomo, G, el potencial qumico analizado en la p
gma 171. Por definicin, se tiene que
(10.1)
y para los procesos a temperatura y presin constantes se obtiene:
"
llGo=IlE+P II V-T IlS (10.2)
El trmino P II V representa por lo comn slo un pequeo porcentaje de !lE, co
mo se muestra en el problema 10.1. Este resultado es vlido generalmente para pro
cesos de estado slido a la presin atmosiric,a debido a que llVes pequeo en el
estado slido. De la ecuacin 5.2, resulta evidente ql.e con el fm de evaluar el trmi-
no debe determinar el grado de desorden prvducido en la red por defor-
plstica. ver, los defectos principales producidos por el tlujo
plastico son las dislocaCIones. trmino er.tropa se puede estimar a partir de
y el trmino T AS es slo un pequeo porcentaje de !lE (referen-
CIa 2, pgma 15). De qu, que en una aproximacin bastante buena la fuerza
que provoca la recuperacin y la recristalizacin puede tomarse simplemente
como la energa almacenada llG >'::: llE = Es'
10.1 ENERGIA ALMACENADA
Cuando una aleacin se deforma plsticamente, se producen muchos defectos en
la red cristalina y, estos defectos, junto con la deformacin elstica sirven como
mecanismos para el almacenamiento de energa en la aleacin.
A. Mecanismos de almacenamiento de energa
1. Deformacin elstica. En la pgina 112 se seal que si se deforma la red una
tendr energa de deformacin por unidad de volumen dada co
E/2, en es mdulo de Young. La deformacin reticular produci-
ra un desplazamIento de lmea en las radiografas de rayos X de un metal, de modo
que se puede calcular la deformacin y, de aqu, la energa de deformacin
a partir del examen por rayos X de los metales. Los experimentos indican que la
energa de deformacin elstica representa solamente de un 5 a 10% de la ener-
ga total que se ha almacenado.
2. Defectos reticulares. La deformacin plstica producir los defectos siguientes
en la red cristalina: dislocaciones, vacancias, tomos intersticiales, fallas de apila-
350 Recuperacin y recristalizacin
miento y lmites de macla. La fraccin de energa almacenada que es producida
por cada uno de estos defectos depende de dos factores, la energa por defecto
y la densidad de defectos producida por deformacin. Los dos defectos ms
importantes producidos por deformacin a temperatura ambiente son las disloca-
ciones y las vacancias. Las vacancias son solamente una pequea fraccin de la
energa almacenada total de modo que la porcin principal de esta energa, gene-
ralmente alrededor de un 80 a 90%, se debe a la generacin de dislocaciones.
Como se mencion en la pgina 137, el trabajo mecnico severo en fro de
un metal recocido incrementar la densidad de dislocaciones desde alrededor
de 10
7
a 10
11
dislocaciones por centmetro cuadrado. La distribucin de dislo-
caciones en la matriz trabajada en fro puede observarse con un microscopio
electrnico de transmisin; vanse los ejemplos en la pgina 32<; de la referen-
cia 3. Se observa que si las dislocaciones tienen una baja movilidad a la tempe
ratura de deformacin, aparecen como un arreglo bastante aleatorio en el metal
deformado. Sin embargo, si las dislocaciones pueden tener deslizamiento trans-
versal (alta energa de falla de apilamiento) inmediatamente empiezan a conden-
sarse en grupos, de modo que el metal tiene regiones de alta y baja densidad de
dislocaciones. Vase la figura 10.3a. Las regiones de baja densidad de dislocacio-
nes se llaman clulas o subgranos. El aluminio deformado a temperatura ambiente
forma una estructura de subgrano o celular distinta, debido a que su alta energa
de falla de apilamiento no inhibe el deslizamiento transversal. Por lo tanto, si se
examinara un grano de aluminio trabajado en fro, en un microscopio electrnico
de transmisin (MET), el grano no aparecera como un pequeo monocristal,
sino que se llenara con subgranos como se ilustra en la figura 10.3a. En general,
se observa que si despus de la deformacin no estn ya presentes en grupos o
laberintos de dislocaciones distintas en un metal, el recocido har que se formen
y el recocido adicional condensar los grupos para formar lmites de subgrano
claramente definidos. Vase la figura 10.3b. Estos resultados muestran que la
red de las dislocaciones puede disminuir su energa al formar grupos en vez de
arreglos al azar. Es muy difcil calcular exactamente la energa de los arreglos
de las dislocaciones producidos por deformacin debido a la complejidad de
micrografla ptica de Al conformado en fro, :::: 100 X
recocer

fotografas con
MET de un grano,
= 20000 X
(b)
Figura 10.3 Representacin esquemtica de la estructura del grano y del subgrano
en el aluminio.
Liberacin de la energZQ almacenada durante el recocido
351
los mismos y fa incertidumbre en las ener as d ' , ,
nes. Es importante tener en cuent J g e mteraccIOn entre las dislocacio-
a que os granos traba'ad f '
Como pequeos monocristales perfectos b ' ,J os no que aparecen
consistir de millanes de subgranos _ , ,aJo un microscopIO ptico pueden
levemente difereptes separados peqUendlSImOS con orientaciones cristalogrficas
d d
' ' por pare es celulares
os e dislocaciones condensadas. compuestas de conglomera-
B.
Variables que afectan la cantidad de'energa almacenada
1. Pureza. La adicin de tomos de im I
de energa almacenada para una d pur,e,za a un metal incrementa la cantidad
, e ormaClOn determinada A
atomos de impureza estorban el " ' parentemente, los
d
movimiento de las dislo '
ucen una multiplicacin aumentada de d' l' caClOnes y, por eso, pro-
IS ocaCIOnes,
2 Deform ., L
- aClOn. os procesos ms com le' os d d f ' ,
almacenadas ms altas Una t ' , , P J e e ormaClOn producen energas
. enslOn sImple pued t' l '
mente sobre dos planos de desliz' e ac lVar e deslizamiento nica-
d
amiento en un metal c '
elormacin ms compleJ'a co la' cca' mIentras que una
, , mo extrusln act" 1m
mIento en las cuatro posibles fa '1' di' Ivara genera ente el desliza-
mI las e p anos de d r '
caso, la interseccin de dislocacl'on' es lZamlento. En el ltimo
d
' es sera mucho ms f
ensldades ms altas de dislocac" recuente, dando lugar a
IOn.
3. Temperatura_ La deformacin a tem " ,
dad de energa almacenada E t d b peraturas mas bajas mcrementa la canti-
. s o se e e a que hay ro ' ,
ayude a la liberacin de ene' d ,enos energla termica que
durante la deformacin. rgla y re uzca la mteraccin entre los defectos
4. Tamafio de grano. La cantidad de ene ' al '
nuir el tamao de grano Co 'd' rgla macenada se mcrementa al dismi-
. nSI erese un grano g d
cantidad dada. Ahora imagl'nes t' ran e que es deformado una
, e es e mismo volum d' 'd'd
pequeos y, luego, deformado la misma fj d E
en
IVI loen muchos granos
macin generara muchas ma's ' t ' can I a n este segundo caso, la defor-
, , m eraCCIOnes grano-I 't d' l "
limites de grano son eficaces para blo ue l ' m! ,e- IS ocaClOn, Ya que los
grano ayuda a la interaccin la m ,ar dislocacIOnes, el tamao menor de
trado que la densidad de de las dislocaciones. Se ha demos-
IS ocaCIOnes producida por d f "
mente proporcional al tamao del , , e ormaClOn es inversa-
grano relerenr.a 3, pagina 124),
10.2
LIBERACION DE LA ENERGIA ALMACENADA
DURANTE EL RECOCIDO
Hay cierto nmero de diferentes tcnicas '
de energa almacenada en un me; l 2 Al para medir la cantidad
la energa almacenada se libera a d l ca entarse un metal trabajado en fro,
Cuan o a temperatura es SufiCiente para permi-
352 Recuperacin y re cristalizacin
temperatura
Figura 10.4 Tres tipos de curvas de liberaci6n de energa.
tir que se efecten los procesos de relajacin. Esta liberacin de energa puede
medirse comparando el comportamiento de recocido de un espcimen trabajado
en fro y uno recocido. Una tcnica implica calentar una muestra trabajada en
fro y otra que haya sido recocida en tanto que se mide la diferencia de potencia,
M, requerida para incrementar la temperatura de ambas muestras en igual forma.
Utilizando esta tcnica se obtienen diferentes tipos de curvas como las graficadas
en la figura 10.4. En relacin con estas curvas hay tres puntos importantes:
1. En cada caso los granos tecristalizados aparecen primero en el inicio de
un mximo de potencia.
2. La fraccin de.energa al..t;nacenada que es liberada durante la recuperacin
es pequea para el tipo A y grande para el tipo C.
3. Las curvas del tipo A se obtienen por 10 general para metales puros, y las
del tipo B o C para metales impuros.
Sea S la energa almacenada total y Sr la energa liberada durante la recupera-
cin, de modo que Sr/S es la fraccin de energa almacenada que se libera durante
la recuperacin. En un estudi0
3
se encontr que esta fraccin vara desde 0.03
para metales de alta pureza hasta 0.7 para algunas aleaciones. Es evidente que
los tomos de impureza inhiben la nucleacin de los granos re cristalizados y,
por ello, permiten que una fraccin mayor de la energa almacenada sea libera
da por procesos de recuperacin antes de que se inicie la recristalizaci6n.
A. Cambios de propiedad
Los cambios en las propiedades fsicas que se presentan durante el'recocido se
ilustran en la figura 10.5 para un metal policristalino, en donde la curva de
liberacin de energa se muestra en la parte inferior como referencia.
1. Dureza. Por 10 general, slo hay un pequeo cambio en dureza durante la
recuperacin, cerca de una quinta parte del cambio total. Puesto que la dureza (y
Liberacin de la energia almacenada durante el recocido
353
la resistencia) disminuye con la reduccin de l o o
figura 10 5 nd o l as densIdades de dIslocaciones la
durante ia uea cada en la densidad de las
, ena a una gran cada du t 1 o 1iz o,
Se espera el ltimo resultado debod l ran e a recnsta aCIOno
tienen esencialmente deformaco, loa que os nuevos granos recristalizados no
IOno
2. Resistividad. La resistividad elctrica de los me l o
tencia presentada por la red metlica al fl o d l ta es es una medIda de la resis-
campo elctrico. Los defectos de la red u
J
:
e
: e ectrones que por un
para los electrones movilizados en como SItIOS de dispersin
Los defectos puntuales como y por e
o
o puleden Incrementar la resistividado
fi
,s vacanCIas y os tomos int r al
e 1caces para la dispersin que la di l o ers lC1 es, son ms
b
o s s ocaCIOnes de tal man l
lOS en la resistividad reflejan camb o l ' o, era que os cam-
tomos intersticiales. La cada en de y de
se muestra en la figura 10.5 significa que debe la o que
concentracin de defectos puntuales dura t l er una notable en
n e a recuperacIOno
3. Densidad. La densidad de un metal trabaoado f' o o o
generacin de vacanciaso Las dislocaciones de a la
duccin de la densidad debido a la dilatacin de la red c n TI d
uyen
la re-
erca e este tIpo de dIsloca-
recupera Jo n
recristalizacin
temperatura
Figura 10.5 Variacin de algunas r o d do.
la recristalizaci6n. p ople a es fSIcas durante la recuperacin y
354 Recuperacin y recristalizacin
cin. Los datos de densidad de la figura 10.5 muestran que los mecanismos de
recuperacin deben implicar una disminucin en la concentracin de vacancias
y, probablemente, alguna disminucin en la densidad de las dislocaciones de
borde.
4. Tamao de la celda. Los datos de tamao de celda de la figura 10.5 se expli
can por s mismos. El tamao de la celda aumenta ligeramente slo en la primera
parte de la etapa de recuperacin, pero muestra un incremento definido justo
antes de la recristalizacin.
B. Mecanismos de recuperacin
Se han realizado muchos experimentos en un esfuerzo de determinar cules
mecanismos operan durante la etapa de recuperacin. En la tabla 10.1 se presen-
ta un resumen. Los mecanismos que operan en el intervalo de temperatura baja
implican movilizacin de vacancias; los que operan en el intervalo de temperaturas
medias implican movilizacin de dislocaciones sin trepado; aquellos del intervalo
alto de temperatura implican movilizacin de dislocaciones con trepado. Este
orden de recurrencia es un reflejo de la relativa activacin trmica que se re-
quiere para los diferentes mecanismos; por ejemplo, como se analiz en el
captulo 4, el "trepado" de las dislocaciones es ms difcil que el deslizamiento.
La tabla 10.l ilustra la extrema complejidad de la etapa de recuperacin.
l. Crecimiento de subgranos. El origen de los subgranos se estudi con la figu-
ra 10.3. Despus de la deformacin, los laberintos de dislocaciones aslan regiones
de la celda con densidad de dislocaciones relativamente baja, segn se muestra
en la figura 10.3a. Estas celdas estn levemente desalineadas entre s (unos po-
cos grados) y su tamao es del orden de 0.1 a 1 Ilm. Con el recocido, los laberin-
Tabla 10.1 Mecanismos de recuperacin.
Temp. Mecanismos operantes
Baja
Intermedia
Alta
l..Migracin de defectos puntuales hacia sumideros
(lmites de grano, dislocaciones, etc.).
2" Combinacin de defectos puntuales.
1. Nuevo arreglo de las dislocaciones dentro de los grupos.
2. Aniquilacin de dislocaciones.
3. Crecimiento de subgranos.
l. "Trepado" de dislocaciones.
2. Aglutinacin de subgranos.
3. Poligonizacin.
Liberacin de la energia almacenada durante el recocido
355
tos de dislocaciones se condensan en lmites bidimensionales agudos y disminuye la
densidad de dislocaciones dentro de las celdas; vase la figura lO.3b. Cerca del
final de la etapa de recuperacin, estos subgranos empiezan a aumentar de tamao
(vanse las fotografas de la referencia 3, pgina 331).
2. Aglutinacin de subgranos. Estudios de microscopa electrnica han demos-
trado que, en algunos casos, los lmites entre los subgranos simplemente desapa-
recen durante la etapa de recuperacin. El proceso se ilustra esquemticamente
en la figura 10.6. Por procesos que no estn claros aun, desaparece el desajuste en
la orientacin entre los dos granos vecinos. Esto probablemente se efecta por
el movimiento de las dislocaciones de la intercara, el cual implica "trepado"
por lo que se requiere la difusin.
3. Poligonizacin_ Al utilizar rayos X, se descubri que cuando un monocristal
se dobla ligeramente como se muestra en la figura 10.7 a y, luego se r e ~ o c e se
fragmenta en pequeos bloques monocristalinos como se indica en la figura 10.7b.
El registro de Laue de un cristal, como el de la figura 10.7a muestra una man-
cha de los puntos de difraccin debida a los planos cristalinos curvados. Con el
recocido, cada punto manchado se fragmenta en una serie de puntos bien defi-
nidos, pero ms pequeos, los cuales indican la estructura poligonizada de la
figura 10.7 b. Despus de que se dobla el monocristal se genera un exceso de
al
Estructura original del grano
antes de la aglutinacin
el
Estructura del subgrano
inmediatamente
despus de la aglutinacin
Subgrano sometido a
rotacin
Estructura final del subgrado
despus de una migracin de
los sublmites
Figura 10.6 Representacin esquemtica de la aglutinacin de subgranos debiOa
a rotacin de los mismos. [De J.C.M. Li, J. Appl. Phys. 33,2959, (1962).]
3S6
Recuperacin y re cristalizacin
- --
(a)
(b)
Figura 10.7 a) Un monocristal doblado y el correspondiente patrn de puntos de
Laue. b) El cristal poligonizado y su correspondiente patrn de puntos de Laue.
dislocaciones positivas de borde segn se muestra en la figura 10.8a. El recocido
hace que estas dislocaciones de borde se alineen una con otra en lmites de ngu
lo pequeo segn se seala en la figura 10.8b. Este proceso ha sido verificado
utilizando tcnicas de ataque por picado para localizar los arreglos de dislocaciones
durante el proceso. En la referencia 5 se puede hallar un grupo clsico de experi-
mentos que utilizan las tcnicas de ataque por picado para seguir el arreglo de
dislocaciones en una aleacin de Fe-Si. Quedar claro que para que las dislocacio-
nes se alineen debe haber deslizamiento y "trepado". La poligonizacin no est
bien definida en los materiales policristalinos debido a la complejidad de la defor-
macin. Sil embargo, se puede decir que, en general, a) la poligonizacin requiere
un exceso de dislocaciones de borde, b) se produce nicamente a temperaturas
de recuperacin ms altas debido a que est implicado el "trepado" de disloca-
ciones, y c) produce subgrados que son casi 10 veces ms grandes que los que se
producen va condensacin de los laberintos o grupos de dislocaciones.
.l..
.l..
.l.. l. l. .1.
.L
.l..
1-
1. 1. .1..
.1..
.1.
1-
1-
.1 .1 .1.. .L
.1.
1-
1-
.1 .1. .1.. 1
1
1-
1 .1 .1 l.
1 1
(a)
(b)
Figura 10.8 a) El exceso de dislocaciones de borae producidas por doblez. b) Ali-
neacin de las dislocaciones de borde despus de la poligonizacin.
Cintica de la recuperacin 357
10.3 CINETICA DE LA RECUPERACION
Es posible obtener informacin concerniente a los mecanismos de recuperacin a
partir del anlisis de la cintica de la recuperacin. Sea P alguna propiedad fsi-
ca que cambia durante la etapa de recuperacin (por ejemplo, la resistividad). Se
puede escribir
(10.3)
Donde Po es el valor de la propiedad fsica en el estado de recocido antes de la
deformacin, y P
d
es el incremento en la propiedad fsica debido a los defectos
producidos por la deformacin. Se supondr que P
d
es proporcional a la concen-
tracin volumtrica de defectos, C
d
, producidos por deformacin, as que se puede
escribir
P=Po+const e (l0.4)
Es de inters la velocidad de cambio con respecto al tiempo de la propiedad fsica,
de modo que se puede escribir
d(P-Po) dCd
const .--
dt dt
(10.5)
La velocidad de decaimiento de los defectos es una funcin de la concentracin
y de la movilidad de los mismos. Este problema puede tratarse como en la teora
de velocidad de reaccin qumica y obtenerse
6
dCd= -K(c)n -O/kT
dt d e
(10.6)
Donde Q es la energa de activacin para el proceso que se est llevando a cabo
que es el de eliminar los defectos y n es un entero, siendo 1 para cintica de pri-
mer orden, 2 para cintica de segundo orden y as sucesivamente, y K es una
constante. Combinando las ecuaciones (lOA), (l0.5) y (10.6) se obtiene
d(P-Po)
(P-Pot
_Ae-
O
/
kT
dt
donde A es una constante. Para la cintica de primer orden se obtiene
In (P- Po)-const= -Ae-O/kTt
(10.7)
(10.8)
donde se ha introducido una constante de integracin. Las ecuaciones 10.7 y
10.8 describen la dependencia del tiempo de las propiedades fsicas durante la
recuperacin; muestran que se espera un tipo de decaimiento exponencial
para cintica de primer orden. A partir de los anlisis de datos de la cintica
de la recuperacin y utilizando estas ecuaciones es posible algunas veces obte-
ner datos importantes sobre la energa de activacin para el efecto que provoca
la recuperacin.
Se presentar un ejemplo excelente sobre la recuperacin de monocristales
2
de Zn. Como se muestra en la figura 1O.9a los monocristales de Zn fueron defor-
mados en corte puro por alguna cantidad 'Yl . Esto aument el esfuerzo de cedencia
358 Recuperacin y recristalizacin
1'mx
TO ---------------------

deformacin por corte, y tiempo. t
(a) (b)
Figura 10.9 a) La relacin esfuerzo cortante-deformacin para los mono cristales
de Zn. b) Variacin tiempo-temperatura del esfuerzo de cedencia durante la
recuperacin.
desde T hasta T ' La recuperacin hace que el esfuerzo de cedencia decai-
o max'
ga desde Tmx hasta T
o
, Y la velocidad es una funcin del tiempo y la temperatura
como se ilustra en la figura 1 0.9b. Las curvas de la figura 10.9b se obtienen
despus del recocido de los cristales que sigue a la deformacin inicial para dife-
rentes tiempos a temperaturas dadas. Entonces, se determina el esfuerzo de ceden-
cia recuperado para cada espcimen volviendo a aplicar la carga para determinar
T(t). Vase la figura 10.9a. La solucin general de la ecuacin 10.7 puede escri-
birse as.
(10.9)
donde f es una funcin no especificada que depende de n de la ecuacin 10.6. Si
ahora T se hace constante, segn se muestra en la figura 1O.9b, el lado izquier-
do de la ecuacin 10.9 se vuelve constante, de modo que, tomando logaritmos,
se obtiene
Q
In t=const+ kT
(10.10)
De una grfica de in t contra lIT a un valor constante de T, como puede obtener-
se de la figura 1O.9b, se determina un valor de Q a partir de la pendiente. Los
datos sobre el Zn dieron una relacin lineal entre In t y lIT que indicaba que
estaba implicado solamente una energa de activacin y, de aqu, nicamente un
proceso de aniquilacin de defectos. Se encontr que el valor de Q es aproximada-
Mecanismos de nucleacin para la recristalizacin
359
el que la energa de activacin para la autodifusin. A partir de
anlisIs de la pagma 183 se puede escribir:
Q (autodifusin) = E (migracin de vacancias)
+ E (formacin de vacancias)
(l0.11)
Por consiguiente, se concluye que en el proceso de recuperacin estn implicadas
tanto la formacin como la migracin de vacancias. Desde luego, se cree que el
proceso de recuperacin implica "trepado" de dislocaciones.
Algunos experimentos interesantes sobre el hierr0
2
dan un valor de Q cerca-
no a E (migracin de vacancias) en tiempos cortos de recuperacin y cercano a
Q (aut?difusin) en tiempos largos de recuperacin. Este resultado indica que el
mecamsmo de recuperacin es dependiente del tiempo, implicando migracin de
vacancias en tiempos cortos y "trepado" de dislocaciones en tiempos largos.
Conclusiones
1. La recuperacin se comporta usualmente en forma exponencial con res-
pecto al tiempo.
2. Un anlisis apropiado de datos de cintica permite determinar Q en algu-
nos casos.
3. Generalmente, opera ms de un mecanismo de recuperacin, de modo
que Q no es una constante.
10.4 MECANISMOS DE NUCLEACION PARA LA
RECRISTALIZACION
En el captulo 8 se analiz la teora clsica de la nucleacin en la cual un ncleo
de la nueva fase, el cual tiene algn tamao crtico para crecimiento se forma
por fluctuacin estadstica en la distribucin de tamaos del aglomer;do dentro
de la fase madre. Los experimentos han demostrado que esta teora no puede
aplicarse a la de los nuevos granos recristalizados debido principal-
mente a que el radIO del aglomerado de tamao crtico predicho por la ecuacin 8.2
es demasiado grande comparado con los resultados experimentales (vase la refe-
rencia 7, pgina 720). Se han observado dos mecanismos para el fenmeno de
n.ucleacin en la recristalizacin dependiendo del metal y del grado de deforma-
CIn. El metal deformado contiene dos tipos principales de intercaras.los lmites
de grano preexistentes y los lmites de subgrano que resultan de la deformacin.
Se ha observado que la "nucleacin" se origina por el crecimiento repentino de
uno u dtro de estos dos tipos de lmite.
1. Crecimiento repentino de lmites de grano preexistentes. Se ha observado
este mecanismo con el microscopio electrnico y con rayos X. El lmite entre
360 Recuperacin y recristalizacin
un grano original de alta densidad de dislocaciones y un grano original de baja
densidad de dislocaciones crece repentinamente como se muestra en la figu-
ra lO.IOa (vase fIgura 14.4 de la referencia 7). De aqu, que el fenmeno de
"nucleacin" es esencialmente un fenmeno de crecimiento. Un modelo basado
en observaciones en el microscopio electrnico supone que el lmite mvil est
anclado a dos puntos conforme se va combando; ver la fIgura IO.IOb. Sea dVel
cambio de volumen que ocurre al pasar de la posicin 1 a la II y t:.G el cambio
total de energa libre por unidad de volumen. La energa libre superfIcial del
lmite se toma como r, y la energa almacenada por unidad de volumen en el grano
trabajado en fro es Ea. Para el lmite que se mueve de la posicin 1 a la II un balan-
ce de energa libre da
(10.12)
en donde la energa almacenada del nuevo grano formado tras el lmite en movi-
miento se toma como cero. Con un modelo geomtrico simple se puede demostrar
que para el movimiento de cualquier superfIcie de rea A,
dA=l+l
dV r r2
(10.13)
en donde '1 y '2 son los radios de curvatura definidos en la pgina 225. De aqu
que para intercaras esfricas se tiene
t:.G=-E
a r
(10.14)
para que haya crecimiento el valor de t:.G debe ser negativo, .por lo cual Ea debe
ser mayor que 2r/'. Ya que el lmite est anclado a una distancia de 2a, del anli-
sis de la generatriz de Frank-Read (pgina 137) se deduce que el radio de curvatura
pasar por un mnimo, 'mm = a. Por lo tanto, para que haya crecimiento del
lmite que sobresale es necesario que
E
a a
. (10.15)
11
(a) (b)
Figura 10.10 a) Crecimiento repentino de un lmite en un grano de alta densidad
de dislocaciones. b) Modelo que explica este fen6meno de' "nucleaci6n".
Mecanismos de nucleacin para la recristalizacin
361
En este modelo, entonces, la "nucleacin" se lleva a cabo a lo largo de un lmite
preexistente en puntos en donde resalta una protuberancia de 2a una distancia
mayor a. El tiempo de incubacin sera el tiempo requerido para que la pro.
a la posicin crtica de 'mm = a. La velocidad del lmite puede
escnbuse a p<,rtlr de la ecuacin 7.32 como
(10.16)
De esta ecuacin resulta evidente que la "nucleacin" por este mecanismo de
crecimiento se llevar acabo en lmiter.; que tienen una alta movilidad de grano,
por ejemplo, lmites de ngulo pronunciado o, quiz, los lmites coincidentes
especiales.
2. Crecimiento repentino de los lmites del subgrano. Parece haber dos meca.
nismos esenciales que conducen al crecimiento repentino de los lmites del sub.
grano. En el primero, los subgranos crecen ya sea por el mecanismo de aglutina-
cin analizado previamente o por la migracin del lmite del subgrano. Finalmente
se forma un lmite de alta movilidad (quiz un lmite de ngulo pronunciado)
el cual crece de pronto si se satisface una condicin, como la ecuacin 10.15.
En las pginas 79-85 de la referencia 2, se puede encontrar un anlisis detallado
de la .evidencia experimental para este mecanismo. Los detalles del segundo
son aun obscuros. Parece ser, por los estudios de microscopa electr-
Illca de transmisin y que utilizan pelculas de cine
8
, que hay ajustes dentro
de los sublmites a una escala atmica. Estos ajustes modifican un lmite existen-
te de alta movilidad, el cual crece entonces dando lugar al fenmeno de "nuclea-
cin". Este mecanismo es ms comn en metales muy deformados, debido tal
vez a. que requieren la preexistencia de un lmite de alta movilidad (ngulo pro-
nuncIado). Es necesaria una gran deformacin para producir desajustes grandes
en la orientacin entre los subgranos con los consiguientes sublmites de ngulo
pronunciado.
Conclusiones generales
La nucleacin de los granos resulta del crecimiento repentino de un lmite de
movilidad alta. Estos lmites son:
1. Un lmite original de ngulo pronunciado.
2. a) Un lmite de subgrano de ngulo pronunciado formado por un mecanis-
mo de alargamiento de subgranos.
b) Un lmite ya formado cor: subgrano de ngulo modificado por nuevos
arreglos atmicos desconocidos.
Los mecanismos 1 y 2a son los !l1s comunes en metales levemente deformados
y el mecanismo 2b es el ms comn en metales muy deformados.
362 Recuperacin y recristalizacin
La "nucleacin" parece ser un fenmeno de crecimiento, de tal manera que
las variables que provocan el crecimiento, intervendrn tambin en la "nucleacin"
de manera similar. Aun cuando los nuevos granos no se nuclean espontneamente
en el sentido clsico de la nucleacin, se puede decir todava que la transforma-
cin por re cristalizacin est compuesta por las etapas de nucleacin y crecimiento.
10.5 CINETICA DE LA RECRIST ALlZACION
La etapa de recristalizacin se produce por la nucleacin de granos nuevos sin
deformacin que crecen y consumen la matriz trabajada en fro como se indic
en la figura 10.1. La velocidad a la cual se transformar el volumen en granos
nuevos es una funcin de la velocidad de nucleacin y de la velocidad de creci-
miento de dichos granos.
A. Ecuaciones de velocidad de nucleaci6n y de crecimiento
Considrese un metal trabajado en fro que se recoce isotrmicamente a una
temperatura dada. Despus de un tiempo l' se nuclea un nuevo grano en algn
punto de la matriz trabajada en fro y empieza a crecer. Con frecuencia, este nuevo
grano incrementar su tamao a una velocidad constante hasta que choca contra
un grano vecino. Por consiguiente, su radio vara con el tiempo lo que se ilustra en
la figura 10.11. En la parte lineal se puede tomar el radio de un ncleo como
R= G(t-T) (10.17)
en donde G es la velocidad de crecimiento definida como dRjdt. Si se toma el
ncleo como una esfera se puede escribir:
Volumen transformado por ncleo = 1- 1T G 3 (t - 1')3 (10.18)
Esta ecuacin proporciona una expresin para el volumen transformado por
ncleo, de modo que ahora se debe determinar el nmero de ellos. Como en la
pgina 239, se define una velocidad de nucleacin
= nmero de ncleos formados/unidad de tiempo
Volumen no transformado
(l0.i9)
El nmero de ncleos formados en el intervalo dt es N' dt V
n
, en donde V
n
es
el volumen no transformado. El valor de V
n
ser una funcin del tiempo y, desde
luego, ser difcil de determinar. Supngase que se considera la funcin N dt V,
en donde Ves el volumen total de la muestra. Esta funcin abarca el nmero.de
ncleos formados en los volmenes transformados y en los no transformados
de la muestra. Como los ncleos no pueden formarse en el volumen ya transfor-
Cintica de la recristalizacin
363
choque
pendiente = = G
tiempo,
Figura 10.11 Variacin con el tiempo del radio de un grano nuevo.
mado, se les llama ncleos fantasmas. Vase la figura 10.12. Se define entonces
un nmero de ncleos imaginario, n
imag
, como la suma de los ncleos reales n
r
, y
los ncleos fantasmas, nf'
00.20)
El volumen asociado con los ncleos puede expresarse como sigue:
Volumen imaginario transformado =,C' hrG.1(t- r).1 . NV dt
Jo '-v---'
vol/ncleo No de ncl.
imag. formados
(10.21)
Para ver como se obtiene esta ecuacin, considrese la figura 10.13. El tiempo
durante el cual ocurri la transformacin se divide arbitrariamente en intervalos
de duracin lit. El nmero de ncleos formados durante cada uno de estos inter-
valos es NVdt. El volumen de los ncleos formanos en el ltimo intervalo es
[NV lit] 41TG\lit - 1')3/3. El volumen de los ncleos formados durante el
ncleo
real
ncleo
fantasma


volumen no
, {j'" ':J@.tranSformadO
,a:}
..
. . . ..
, , .
.. . .
. . ,
volumen
transformado
Figura 10.12 Los ncleos real y fantasma en una matriz que se transforma.
364
Recuperacin Y recristalizacin
e
al
E
" 15
>
tiempo_
Figura 10.13 Volumen asociado con los ncleos formados durante intervalos
especficos.
primer intervalo es [NV Llt] 41TC
j
(N Llt - T)J/3, en donde N es el nmero too
tal de intervalos considerado. Si fI es el nmero de intervalos, el volumen imagi
nario que se transforma puede escribirse como:
N .
Vol. imag. transformado = L hrG
3
(n; Llt-T)3[NV Llt]
",-1
(10.22)
Entonces, este resultado conduce directamente a la ecuacin 10.21.
Resulta ms conveniente trabajar con la fraccin de volumen transformado,
la cual se llama X,
Vol. imag. transf. = r
'
57TG
3
(t-T)3 dt
Vol. total Jo
(10.23)
Ahora se podra relacionar X. con la fraccin de volumen real transformado,
, unag
X. Los ncleos real y fantasma que se forman en algn intervalo dt, tendrn el
volumen/ncleo, 4/3 1T C
3
(t - T)3, por lo que se puede escribir
dn,. dV
r
dX
r
dnimag = dV
imag
= dXma!!
(10.24)
Sea dp el nmero de ncleos formados por unidad de volumen en un tiempo
dt, de tal manera que se tiene dn,. = V
n
dp Y dn
imag
= V dp. Ahora, supngase
que los ncleos se forman aleatoriamente en toda la matriz. Esto significa que
dp ser independiente de la composicin, por lo que se puede escribir:
dn,.
V - V
transf
.
V =1-Xr
(10.25)
Vn
= JI=
Combinando las ecuaciones 10.24 Y 10.25,
dX =l-X
dXmag
(10.26)
Cintica de la recristalizacin 365
Al resolver esta ecuacin diferencial simple
(10.27)
en donde se halla que la constante de integracin es cero ya que X y X. son
1
.. .' r tmag
cero en e tlempo cero. SI se supone que G y N son constantes y que T es muy
pequeo, se puede integrar la ecuacin 10.23 para obtener
(10.28)
Combinando las ecuaciones 10.27 y 10.28 se obtiene
X
(
7T. 34)
,= l-exp -3 NG t = frac. vol. transf. (10.29)
Esta ecuacin se conoce frecuentemente como la ecuacin de Johnson-Mehl" y
se aplica a cualquier transformacin de fase que est sujeta a las cuatro restric-
ciones de nucleacin aleatoria, N constante, G constante y T pequeo. Muchas
transformaciones de fase de estado slido se nuclean en los lmites de grano,
de modo que no hay una distribucin aleatoria de la nucleacin. Se han conside-
rado modificaciones apropiadas a la ecuacin 10.29 para estos casos (referencias
10 y 7, captulo 12). Si se desea saber otra forma de deducir la ecuacin 10.29,
vase la referencia 10, pgina 134.
En la figura 10.14 se muestra una grfica de la ecuacin 10.29 para valores
diferentes de la velocidad de crecimiento G y de la velocidad de nucleacin N.
Estas curvas demuestran el hecho obvio de que la fraccin volumtrica transforma-
es una funcin mucho ms dependiente de G que de . Se dice que estas curvas
tIenen una forma "sigmoidal" y es caracterstica de las transformaciones de
nucleacin y crecimiento.
Se observa a menudo que la velocidad de crecimiento G es una constante
pero que la velocidad de nucleacin i no es por lo comn constante en
maciones de fase de estado slido, por lo que no se esperara aplicar estrictamente
la ecuacin 10.29. Avrami consider el caso en que la velocidad de nucleacin
x,
o
log t
Figura 10.14 Una grfica de la ecuacin de Johnson-Mehl (ecuacin 10.29) para
diferentes valores de G y de .
366
Recuperacin Y recristalizacin
. . nte con el tiempo. En este caso, el anlisis anterior con
vanaba I '0' n 10 30 en donde k Y n son constantes. Para un
la variable N con uce a a ecuaCI ., - 4 ( , se
decaimiento rpido, los resultados predicen n = 3, Y para uno lento, n-vea
la referencia 7, captulo 1).
(10.30)
X,= 1-e-
kl
'
., se conoce a menudo como la ecuacin de Avrami. La mayor
de transformacin de fase de estado slido pueden
pa ., n pero el valor de n no siempre se encuentra entre y .
narse con esta ecuaCIO , ,. 'il I des
, I 10 30 es una buena ecuacin fenomenologIca ut ,para a -
cinticas de de las
t do slido Los valores de n se determman a partIr e P
es a . X) versus lo t Los valores de n pueden compararse con
grfica de log (1- TI deJohnson-Mehl y el de Avrami presentados
modelos teoncos, como os
antes o con teoras ms recientes
7

10
; ver pgina 466.
B.
Determinacin experimental de G y de
d
." n de la velocidad de crecimiento de los granos recristalizados G
La etermmacIO , .' h
de su velocidad de nuc1eacin N es un proceso muy tedIoSO Y reqUIere o
metalogrfico. Una serie de muestras idnticas se def?rman el
do luego se recocen a una temperatura dada. Despues de
se templan individualmente. En cada muestra, a partIr de e':,a-
metalogrficos, se determinan los radios de los granos mayor
que no hayan chocado contra otros, y se grafican contra el tIempo durante e
1.0
0.8
E
0.6
E
<5
'5
0.4
0.2
o
o
tiempo, seg
. 350C
. O 1 S Radio del grano mayor contra tiempo de calentaml.ento a ,
FIgura l. . t d 2 8 Y de 5 1% en aluminio (de la referenCIa 11).
para un alargamlen o e . .
Cintica de la recristalizacin

100
E
80
o
:5 60
o,
<:,'" 40
20
__ __
6,000 8,000 10,000
tiempo, seg
367
0.07 r--.-,---.-,-,.----,--.--,
C)
Q)
0.06
'? 0.05
E
-a 0.04
Q;
E 0.03
.:;
e
; 0.02
,;;:
0.01

O 2000 4000 6000 8000
tiempo, seg
(a) (b)
Figura 10_16 Aluminio recocido a 350 Oc despus de un alargamiento del 5%.
a) Variacin con el tiempo de la densidad de 6Tano superficial. b) Variacin con
el tiempo de la velocidad de nucleacin superficial (de la referencia 11).
cual se recoci la muestra. Vase la figura 10.15. Se supone que los granos mayores
se nuc1earon primero; la pendiente de la curva de la figura 10.15 da la velocidad
de crecimiento y la interseccin con el eje del tiempo es el tiempo de incubacin.
Ntese que la velocic!.ad de crecimiento era una constante en este estudio. 11
A partir del examen metalogrfico de las muestras templadas, se obtiene
tambin el nmero de los granos re cristalizados nuevos, como una funcin
del tiempo, segn se ilustra en la figura 10.16a. La pendiente de esta curva deter-
mina entonces una velocidad de nuc1eacin superficial, N
s
= nmero de gra-
nos/rea-seg, como se observa en la figura 10.16b. Ntese que en este estudio
l
!
la velocidad de nucleacin estaba lejos de ser constante como lo requiere la ecua-
cin de Johnson-Mehl, y que, en lugar de disminuir como lo requiere el modelo
de Avrami, se incrementa con el tiempo.
En los exmenes metalogrficos se obtiene una vista bidimensional a partir
de la cual se podra determinar el esquema tridimensional. En el caso presente se
mide una densidad superficial N
s
' a partir de la cual se podra deducir la densidad
volumtrica N. .. Supngase que 1) todos los granos son esfricos y que 2) todos
los granos son del mismo tamao. A partir de un examen metalogrfico se puede
determinar el radio mximo de los granos y. si se dispone de una buena muestra
estadstica de granos, este radio, rmx ser igual al radio verdadero de los gra-
nos esfricos. Considrese un rea unitaria que es superficial como se muestra
en la figura 10.17, la cual se examina metalogrficamente. Cualquier grano cuyo
centro se halle dentro del 'mx de esta superficie aparecer sobre la superficie.
Desde luego, todos los granos cuyos centros se hallen dentro del volumen mostrado,
1 1 ' 2r
m
x' tocarn la superficie, as que se puede escribir
(I0.31)
Con este resultado se puede determinar la densidad volumtrica de los granos, N
v
'
a partir de la densidad superficial que se ha medido, N . En general, los granos no
368
Recuperacin y recn'stalizacin
Figura 10.17 Un volumen para el anlisis de densidad de grano.
sern esfricos por las razones expuestas en la seccin 7.3 y, tambin, los tamaos
de los granos tendrn cualquier distribucin. Por consiguiente, la ecuacin 10.31
es solamente una primera aproximacin para este problema. Una consideracin
ms completa del importante problema de cmo relacionar las caractersticas
bidimensionales de muestras cristalogrficas con el esquema tridimensional corres-
l
'b b 1 af' ti 12 13
pondiente, se puede encontrar en 1 ros so re meta ogr la cuan tativa. '
C. Efecto de la defonnacin, pureza, tamao del grano y
temperatura sobre G y
1. Velocidad de crecimiento. La velocidad de crecimiento de un grano recrista-
lizado puede describirse con la ecuacin 7.32 para el lmite entre el grano
recristalizado y la matriz trabajada en fro,
G = B . !I!: (10.32)
A
En este caso, la diferencia de potencial qumico es esencialmente la energa alma-
cenada por mol, Ea' como se analiz en la seccin 10.1, Y se escribe
. . D
L
Ea
G = kT . A (10.33)
en donde se define Ea por mol en vez de por volumen como en la ecuacin 10.12
Y D
L
es el coeficiente de autodifusin del lmite de grano. El efecto de diferentes
variables sobre la velocidad de crecimiento puede comprenderse utilizando la
ecuacin 10.33. Aunque se observ que la velocidad de crecimiento es constante
en el trabajo de la figura 10.15, algunas veces, se ha observado que vara con el
tiempo.3 Se supone que la razn es que durante el recocido de la re cristalizacin
presentan procesos de recuperacin, los cuales cambian la energa almacenada, Ea'
y, por 10 tanto, la velocidad de crecimiento. Vase la ecuacin 10.33.
De la ecuacin 10.33 est claro que al incrementarse la energa almacenada
se incrementar tambin la velocidad de crecimiento. Por consiguiente, la velod:
dad de crecimiento se incrementar aumentando la deformacin o disminuyendo
Cintica de la recristalizacin
15
Ol
al
en
E
.u 10
b
x
(J 5
O 5
Utl
elongacin
10 15
JO
10
__
o 0.10 0.15 0.20
a) deformacin efectiva
20
Al, recocido a
350 oC, 5% de
elongacin
200 400
369
600
b) (tamai'\o inicial del grano)- lI, granos/mm'
Figura 10.18 Variacin de la velocidad de crecimiento G durante la re cristaliza-
cin del aluminio corno una funcin de a) deformacin previa y b) tamao de
grano original (de la referencia 11).
el tamao del grano, pues, por cualquiera de lOS dos caminos, se incrementa Ea.
En las figuras 10.15 Y 10.18 se presen tan los datos que ilustran estos efectos. El
hecho de que la velocidad de crecimiento no se incremente mucho a deforma-
ciones mayores del 15% es un reflejo del hecho de que ms all del 15% de
deformacin se obtuvo solamente un pequeo incremento de energa almacenada.
En la figura 10.18a tambin se muestra el tiempo de incubacin como una fun-
cin de la deformacin. El tiempo de incubacin cae drsticamente con la defor-
macin hasta ser casi cero al 15% de deformacin, lo cual indica que la nucleacin
es ms fcil a altas deformaciones.
El efecto de la pureza sobre la velocidad de crecimiento de los granos recrista-
!izados es muy notable. Esto se ilustra en la figura 7041 en la cual se observa que
al agregar slo 60 ppm de Sn al Pb disminuye la velocidad de crecimiento de la
intercara por un factor de casi 5000. Como se estudi en la seccin 7.5, las im-
purezas tienen una fuerte influencia en la movilidad del lmite del grano, debido
aparentemente a un efecto de arrastre.
Se halla que la dependencia de la temperatura por parte de la velocidad de
crecimiento, sigue una ecuacin de Arrhenius.
(10.34)
El nico trmino de la ecuacin 10.33 que depende en gran medida de la tempe-
ra tura es D
L
, de 13 cual se espera se comporte segn Doe - Q/R T. De aqu que se
espere que los valores medidos de para el crecimiento de grano (ecuacin 10.34)
correspondan a la energa de activacin para la autodifusin del lmite del grano.
Se encuentra que este caso es nicamente para metales de pureza muy alta. Los
valores de O-g medidos eri metales nominalmente puros (unas 1 OOppm de impure-
370
.
Recuperacin y recristalizacin
30 r------,----r------,,------, 7,5
x
o
10
,,'"
o -""
o 5 10 15
PorcentaJe de elongacin
5,0
o
20
'O
-
x
Figura 10.19 Variacin de la velocidad de crecimiento G y de la de nucleacin f.
durante la re cristalizacin del aluminio a 350C corno una funcin del alargamien-
to previo (de la referencia 11),
zas) son mucho ms altos que las energas de actIvacin para la autodifusin de
los lmites del grano. Aparentemente, es ocasionado por una dependencia de la
temperatura que tiene el efecto de arrastre de impurezas.
2. Velocidad de nucleacin. La velocidad de nuc1eacin de la re cristalizacin
se incrementa con la deformacin, En la figura 10.19 se muestran los resultados
de un estudio, los cuales sealan tarribinque es necesaria una cantidad crtica de
deformacin para hacer que haya recristalizacin. Estos resultados son general-
mente ciertos para sistemas metlicos.
El efecto del tamao de los granos en la: velocidad de nucleacin es bastante
notable. En la figura 10.20 se presentan datos del estudio de Anderson y Mehl
ll
para ilustrar este punto. Se observa que el tamao de grano ms pequeo provoca
una velocidad de nuc1eacin ms alta, y, tambin, hace que la nuc1eacin se pro-
duzca ms pronto. Los granos ms pequeos produce'n un modelo de esfuerzos
ms complejo que ocasJ)na deformaciones locales ms altas, lo cual aumenta la
velocidad de nuc1eacin.
El efecto de la pureza sobre la velocidad de nuc1eacin no parece haber sido
bien estudiado. Sin embargo, puesto que las impurezas incrementan la cantidad
de energa almacenada para una deformacin dada, se espera que la velocidad de
nuc1eacin se incrementa con la presencia de impurezas.
Se ha estudiado la dependencia a la temperatura que tiene la velocidad
de nuc1eacin y se encontr que esta velocidad sigue tambin una ecuacin de
Arrhenius.
= Noe -Q./RT
(10.35)
El estudio de Anderson y Mehl
ll
encontr que la energa de activacin para y
G es casi la misma, excepto a deformaciones bajas, en una cantidad del orden
del 5% .
Control de la temperatura de recristalizacin
10-
1
5
2
1\)-2
t,
Q)
'"
10-
3

c'
-o
'
10-4
'
:>
c
Q)
'O
'O
ro
.
\
. Al, 5% de
deformacin,
recocido a 350 o e

-t 0.1
>
tiempo, min (escala log,)
371
Figura 10.20 Variacin con el tiempo de la velocidad de nucleacin durante la
re cristalizacin de dos muestras de aluminio con diferentes tamaos originales
de grano, deformados ambos un 5% (de la referencia 11).
10.6 CONTROL DE LA TEMPERATURA DE RECRISTALIZACION
y EL TAMAO DEL GRANO
Desde un punto de vista prctico, existe con gran inters en el control de la
temperatura de recristalizacin y del tamao de grano recristalizado. Se utilizar
la ecuacin de Johnson-Mehl (ecuacin 10.29) para describir las cinticas de re-
cristalizacin con el objeto de estimar de qu manera son afectados estos factores
por los parmetros que se pueden controlar.
A. Temperatura de recristalizacin
La temperatura de re cristalizacin se define como ;a temperatura a la cual se pro-
duce la recristalizacin en un tiempo especificad, frecuentemente en 1 hora. A
partir de la ecuacin de Johnson-Mehl se puede demostrar que el tiempo requeri.
do para obtener el 95% del volumen transformado, t
O

95
, est dado por
[
2.85J1/'
to,)s= NGJ (10.36)
Para los propsitos presentes se considerar e195% de transformacin como una
transformacin completa. Como se sabe que i y G se incrementan con la tempe-
ratura, se espera que la ecuacin 10.36 vare con la temperatura segn se seala
372 Recuperacin y recristalizacin
---
Temperatura ----7-
Figura 10.21 Definicin de la temperatura de recristalizacin de 1 hora.
en la figura 10.21. A partir de la grfica se puede establecer la temperatura de
re cristalizacin en 1 hora.
Supngase que de alguna forma se pueden aumentar y G_ Esto disminuira la
curva del tiempo de recristalizacin como lo indican las lneas a rayas de la figu-
ra 10.21, lo cual, a su vez, disminuye la temperatura de recristalizacin a 1 hora
segn se seala. De aqu que exista una relacin inversa entre T
recri
Y las veloci-
dades G y N; vase el problema lOA.
B. Tamao del grano recristalizado
Utilizando la ecuacin de Johnson-Mehl se puede demostrar que el tamao de
grano recristalizado, d, vara segn
[
G]I/'
d= (const) (10.37)
V ase el problema 10.3. Esta ecuacin demuestra que, cualitativamente, se espera:
que una alta velocidad de nuc1eacin y una baja velocidad de crecimiento hagan
posible un grano re cristalizado de tamao pequeo, es decir, los granos se nuc1ean
a una densidad alta y crecen muy poco.
Los factores predominantes que afectan N y G son 1) la cantidad de defor-
macin previa, 2) la temperatura de recocido, 3) el tamao previo de grano y
4) la pureza. Se utilizarn las ecuaciones 10.36.y 10.37 para estudiar cmo
influyen estos factores sobre a) el valor de T
recri
y b) el valor de d.
1. Deformacin previa. Los efectos de la deformacin previa se ilustran en la fi-
gura 10.19.11) T recri disminuye con las deformaciones altas. ya que stas aumentan
N y G. Este efecto se ilustra en la figura 10.220, la cual presenta la tempera-
tura de recristalizacin de 1 hora para el hierro y el aluminio. b) Las deforma-
ciones altas disminuyen el tamao del grano recristalizado, d, debido a que N/G
Control de la temperatura de recristalizacin

1200
!;'- 1000
,,;
a 900
f!!
1i
E
800
Q)
1-
700
600
- ------
Temperatura de recristalizaci6n
__ __
o 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
cantidad de trabajo en fro. %
(a)
0.1,-------r------,---__ ::--;
g-,O.Ol
f!!o
"'-
".!!!
'O.,
u
O"
>ca>
.,-
EE

lat6n de cartucho.
70 Cu. 30 Zn
0.001 '=:--------i.----------..L _____ --.J
0.001 0.01 0.1
1.0
tamao inicial del grano. mm (escala log)
(h)
373
Figura 10.22 a) Variacin de la temperatura de re cristalizacin de 1 hora con
la cantidad de deformacin (de la referencia 14). b) Variacin en el tamao de
grano recristalizado como una funcin del tamao inicial del grano para varias
deformaciones previas (de la referencia 15).
se incrementa con la deformacin, segn se ilustra en la figura 10.19. Los datos
que ilustran este efecto en el latn a se presentan en la figura 10.22b.
2. Temperatura de recocido. a) No es muy importante hablar del efecto de la
temperatura de recocido sobre la temperatura de recristalizacin, pero se puede
decir que las temperaturas de recocido ms altas producen re cristalizaciones ms
rpidas, ya que N y G se incrementan con la temperatura. b) El efecto de la
temperatura de recocido sobre el tamao del grano recristalizado no parece estar
bien fundamentado. Ya que tanto como G siguen una ecuacin de Arrhenius
con casi el mismo Q, se espera que N/G sea casi constante con respecto a la
374 Recuperacin y recristalizacin
temperatura. De aqu que d sea probablemente una funcin dbil de la tempera-
tura de recocido.
3. Tamao previo de grano. Para una deformacin dada se espera que haya ms
energa almacenada en un metal de grano fmo debido d la deformacin ms comple-
ja requerida por los dichos granos. a) r..ecri disminuye con los granos finos, ya
que i y G se incrementan debido al aumento de la energa almacenada b) d dis-
minuye debido a los granos finos, segn se ilustra en la figura 10.22b para el
latn 0:. Los granos ms pequeos hacen que se incremente la difusin local, lo
cual aumenta ms rpido a que a G, segn se ilustra en la figura 10.19.
4. Impurezas. La adicin de impurezas incrementa la cantidad de energa alma-
cenada para una deformacin' determinada, as que se podra esperar que se
incremente la velocidad de crecimiento; vase la ecuacin 10.33. Sin embargo,
las impurezas son extremadamente eficaces para disminuir la movilidad de la
intercara. Como se ha visto (figura 7.41) la adicin de nicamente 60 ppm de
Sn al Pb disminuye la movilidad de la intercara por un factor de 5 000. Este lti-
mo efecto sobresale, de modo que se espera que las impurezas disminuyan la
velocidad de crecimiento y la de nucleacin. a) T recri aumenta con la adicin de
impurezas. Este efecto se indica en la tabla 10.2. Los datos de esta tabla ilustran
tambin que la temperatura de recristalizacin es del orden de la mitad del punto
de fusin. b) Para una deformacin dada, la presencia de impurezas permite una
energa almacenada ms alta. Ya que N/G se incrementa con la cantidad de ener-
ga almacenada, entonces, es posible que las impurezas ayuden a lograr un grano
re cristalizado de tamao ms oequeo.
Tabla 10.2 Valores aproximados de temperaturas de re cristalizacin a I hora.
Cobre 14
Aluminio 14
Nquel 14
Tungsteno
26
Estao 14
Material
(99.999%)
(OFRC)
5%Zn
(Refinado por zona)
(99.999% )
(99.0 +%)'
Aleaciones
(99.99%)
(99.4%)
(Alta pureza)
(contiene microporos)
aValores en 'lo; valores en parntesis, 't.
Temperatura de recristalizacin
o
250 (120)
400 (210)
600- (320)
50 (lO)
175 (85)
550 (240)
,600 (320)
700 (370)
1100 (630)
2200-2400 (1200-1300)
2900-4200 (1600-2300)
25 (-4)
Temas afines 375
5. Temperatura de la deformacin previa. La deformacin a altas temperaturas
permite que haya ms recuperacin, por lo que se espera que menos energa
almacenada impulse a i y a G. De aqu que es posible que a) el incremento de
las temperaturas de deformacin aumente T
recri
debido a que disminuirn G y .
b) El aumento de la temperatura de deformacin disminuir /C debido a que
disminuyen las deformaciones locales, lo cual aumentar d.
6. Tcnica de deformacin-recocido. La re cristalizacin puede utilizarse como
una tcnica para producir monocristales en los metales. En este caso, es muy
importante un d mximo, y mucho mejor si es igual a varios centmetros. Est
claro, segn la figura 10.19, que para minimizar /G se debe deformar ajustamente
la cantidad crtica requerida para producir nucleacin. Esto se hace por una
tcnica de tanteos y se requieren usualmente deformaciones del orden de 2-5% pa-
ra optimizar el tamao de grano. En la referencia 16 se presentan algunos resulta-
dos especficos y en la referencia 17 se presenta un anlisis detallado del uso de
dicha tcnica de deformacin-recocido para metales diferentes.
En resumen, se puede ver que la re cristalizacin es un medio para controlar
el tamao del grano. El tamao del grano re cristalizado y la temperatura de
re cristalizacin se controlan por i y G. Al saber cmo afectan las variables fsi-
cas a i y a G se puede determinar cmo afectan a T
recri
y a d por medio de las
ecuaciones 10.36 y 10.37.
10.7 TEMAS AFINES
A. Trabajo en caliente
Si se somete una barra de soldadura blanda a una serie de dobleces alternados en
uno y otro sentido varias veces, se encuentra que la barra permanece blanda aun
despus de los dobleces. Con la misma operacin realizada sobre una barra de
cobre recocido se produce un endurecimiento rpido de manera que despus
de algur.os dobleces el cobre ya no puede doblarse en forma manual. El endure-
cimiento por trabajo mecnico se analiz en la pgina 140 y se indic que se
debe a que las dislocaciones se inmovilizan debido a varios mecanismos. En este
lugar, la cuestin de inters es saber por qu la soldadura no se endurece por
trabajo mecnico. La razn es que 1, temperatura de re cristalizacin de la solda-
dura es lo. suficientemente baja como para permitir que se produzca la recristali-
zacin durante el doblez. Los nuevos granos sin deformacin tienen una densidad
de dislocaciones baja, por lo cual evftan el endurecimiento por trabajo mecnico
que se presentara en el caso contrario. Durante el trabajado en caliente se pro-
ducen simultneamente la recristalizacin y la deformacin, lo cual se ilustra en
la figura 10.23.
376
Recuperacin Y recristalizacin
estructura
compuesta
completa
mente de.
Figura 10.23 Recristalizacin durante el laminado en (De Making, Sha-
ping, and Treating o[ Steel, 7a ed. Copyright 1957, Umted States Steel Corp.,
pgina 386).
B. Textura
En la pgina 85 se hizo notar que cuando un metal es severam.ente en
fro, los granos tendern a girar de manera de que haya una cTl.stalo-
grfica de marcada preferencia en la direccin de la deformaclOn .. esta orienta-
cin elegida se le conoce generalmente como textura de de[0rm.
aclOn
.
Cuando un metal que contiene una textura de deformacin se rec?ce para
producir recristalizacin se podra esperar que los nuevos granos se onenten. al
azar. Por lo general, este no es el caso y, a menudo, se obtiene lo denomma
textura de recocido o textura de recristalizacin. Este resultad?,
granos nuevos re cristalizados deben formarse con una :nstalogrf;;a
preferida con relacin a los granos deformad?s. La orientaclOn elegida de los gra-
nos recristalizados debe originarse por una de las siguientes dos causas o por
ambas. a) El ncleo se forma con una orientacin preferida. b)
granos que tienen orientacin preferida crecen un
la movilidad de los otros granos es demasiado baja y son creCI-
miento competitivo. Existen .controversias acerca de los mentos re.latlvos de
dichos mecanismos; para un anlisis posterior consltense las referenCIas y 21.
El actual trabajo experimental indica que el mecanismo b) e.s el
pero no la nica causa 'de las texturas de recocido 21, pagma :51).
En el captulo 7 se hizo notar (pgina 230) que .. ciertos desajustes en la orlenta-
' fonnan lmites de grano que tienen movilidades desusadamente altas (ver
Cl n l"t . c'dentes La
la figura 7.41). Estos lmites especiales se denominan lml es ColO 1 .
'd' rimental4 ,21 sugiere que la textura de recocido proviene del
eVl enCla expe li' .. d t s ton
crecimiento preferido por aquellos granos que forman mltes comcl en e
Temas afines 377
los granos de la textura primaria. La alta movilid;d de estos granos particulares
explicara su crecimiento elegido, y sus orientadones especiales con relacin a
los granos de deformacin explicara la textura de recristalizacin.
La textura cbica se obtiene a menudo como la textura de recristalizacin en
metales ccc
a
Un ejemplo particular, en donde esta textura es ventajosa, est
en las aleaciones de Fe-Si. Debido ; la anisotropa de las propiedades magnticas
del hierro, la textura cbica hace un material muy superior para hoja de transfor-
mador
C. Recristalizaein secundaria
El tipo de re cristalizacin que hasta ahora se ha estudiado y que se ilustra en la
figura 10.1 se denomina frecuentemente recristalizacin primaria. En algunos
casos, durante la etapa de crecimiento de grano que se seala en la figura 10.1,
se formarn algunos granos grandes que crecern siguiendo una direccin y, de
ah, darn lugar a la estructura ms pequea de grano recristalizados. Este fen-
meno se llama generalmente recristalizacin secundaria. Su apariencia es muy
similar a la re cristalizacin primaria, segn se ilustra esquemticamente en la
figura 10.24. En la pgina" n de la referencia 4 se puede encontrar una serie
de excelentes fotografas.
La recristalizacin secundaria se encuentra por lo comn en metales que han
alcanzado un tamao pequeo de grano relativamente estable. Tal condicin se
obtiene por tres formas comunes. 1) El metal se trabaja lo suficiente como pa-
ra obtener una textura de deformacin y, luego, se forma una textura de recrista-
lizacin despus de la recristalizacin primaria. Ya que los granos recristalizados
tienen una orientacin similar, no hay lmites de ngulo alto. Por lo tanto,
las movilidades de los lmites son bajas y la estructura de grano es relativamente
estable. 2) El metal contiene inclusiones que provocan un tamao limitativo
de grano, como se analiz en el captulo 7. En l a pgina 231 se demostr que la
fuerza restringente por rea de intercara producida por las partculas de radio r
que tienen fraccin volumtrica [estara dada por (3[/211r2) 11r 'Y( 1 + cos 0:).
t,
Figura 10.24 Ilustracin esquemtica de la recristalizacin secundaria.

Recuperacin Y recristalizacin
1"
1\ t
L-__ ____ __
I \
ro:
limite de grano
hoja
Figura 10_25 Un lmite de grano vertical emigrando hacia la derecha en una mustra
delgada.
A partir de las ecuaciones 7.32 Y 7.38 se puede escribir la velocidad del lmite
como:
BVLlP
veg=--lo.-
(10.38)
en donde LlP es la diferencia de presin a travs del lmite. diferencia de pre-
sin debida a la curvatura del lmite, 2r/r (vanse las 7.38 Y
que provoca el crecimiento del grano, se opone a la fuerza restnngente por um-
dad de rea, por lo que se tiene
BV[2"'V 3f ]
v =- =-.L __ r(l +cos a)
eg A , 2,
(10.39)
1
tam
ao limitativo de grano cuando el trmino entre corchetes es
y se ogra un l' . . t
cero. 3) El metal tiene la forma de una laminilla delgada .. Los imItes que ID
la su erficie tienden a formar ranuras en las interseCCIOnes con la superficie, las
cualts retardan el movimiento del lmite. Un anlisis de este problema (r:feren-
. 4 ,. a 466) ha mostrado que para que un lmite, como el que se senala en
Cla ,pagm 1 l' . 1 1 a la
1 f
10 25 emigre hacia la derecha, el ngulo de imIte con a norma
a 19ura . , . . 'd t d t'
superficie debe ser mayor que el valor crtico Oc' :ara mlgracIOn e es a o es
naTo (velocidad constante) este ngulo debe ser Igual a Oc y se observa que la ex
presin para la velocidad del lmite de grano es
v =BV(:1._
2ecr
]
eg A '1 t
(10.40)
d d
es el radio del lmite de grano en el plano de la laminilla y t es el
en on e rl d /(6) n donde 1. es
espesor de la laminilla.[Se observa el valor e e es r. rs ,e , .s
la tensin superficial de la intercara slido-vapor, y se ha tomado aqUl mIsma
b nos] La
ecuacin 10 40 muestra que la fuerza que restnnge por
1. para am os gra. , . . . . / 1
uSnidad de rea debida a la interseccion superficial es a.c. t, y,por o
tanto, se formar un tamao limitativo de grano en lammillas delgadas cuan-
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do esta fuerza equilibre la fuerza impulsora debido a la curvatura. El radio de
curvatura del tamao limitativo de grano y, de aqui, al dimetro limitativo de grano
es proporcional a t/O
c
'
Si un metal que tenga una estructura de grano relativamente estable, y que
ha sido producida por uno de los tres procesos anteriores se calienta a una tempera-
tura ms alta, a menudo, se origina en l un crecimiento exagerado de unos pocos
granos selectos (recristalizacin secundaria). En la pgina 980 de la referencia 21
hay un estudio del mecanismo mediante el cual se nuclean tales granos selectos
en una matriz estabilizada por dispersin. Como puede verse en la figura 7.33,
los granos grandes sern cncavos hacia afuera y la fuerza que impulsa sus creci-
mientos ser la curvatura de intercara al igual que para el crecimiento normal de
grano estudiado en las pginas 225 y 230. Estos granos selectos crecen ms rpido
que los granos estabilizados ms pequeos debido a que son cncavos hacia afuera
en todos sus puntos y, tambin, en algunos casos debido a que tienen una movili-
dad alta. Esta ltima condicin sera particularmente cierta para el caso de los
granos de textura estabilizada. El estudiallte debe consultar el captulo 10 de la
referencia 4 para analizar con ms detalle este fenmeno.
D. Ejemplo
Un ejemplo fascinante que involucra much"s de las ideas de este captulo se
encuentra en el alambre de un filamento firme de tungsteno. En el captulo 7
(pgina 231) se hizo notar que aadiendo partculas de torio al alambre de tungs-
teno se podra reducir notablemente el crecimiento del grano. El tamao ms
pequeo del grano evita que los lmites de grano se extiendan por todo el dimetro
del filamento, reducindose por lo tanto las fallas del filamento debidas a la forma-
cin de salientes como las ilus!radas en. la figura 7.4. Por lo tanto, los filamentos
de tungsteno con torio disperso tienen una resistencia a la termofluencia mucho
mejor que el tungsteno no toriado. Vase la figura 10.26. Sin embargo, se han
producido filamentos firmes de tungsteno desde hace alrededor de 40 aos, los
cuales tienen una resistencia a la termofluencia mucho mayor que los filamentos
con torio, lo cual se ha logrado por medio de la adicin de pequeas cantidades de
K, Al y Si como impurezas (vase la referencia 20,