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OBJETIVO GENERAL

Estudiar y analizar las diferentes configuraciones de los amplificadores con base en


transistores BJT y FET.


OBJETIVOS ESPECFICOS

Hacer el montaje respectivo en protoboard del diseo de los amplificadores discretos a
base de transistores BJT y FET.
Identificar la ganancia por etapa de cada uno de los circuitos.
Medir las diferentes seales generadas por las etapas de amplificacin en cada uno de
los ejemplos.




MARCO TERICO

Abstract
A discrete amplifier is one that is built, transistor by transistor, ie each stage transistor is
independent, built element by element. A transistor amplifier can have many transistors
and several stages of amplification.


Amplificador Bjt en Cascada:

Un amplificador en cascada est compuesto de dos bloques amplificadores diseados
de manera de obtener una alta impedancia de entrada y una ganancia baja de voltaje
para asegurar que la capacitancia Miller de entrada sea mnima, permitindole operar
adecuadamente a altas frecuencias. Esta prctica de laboratorio contiene un BJT en su
configuracin de emisor comn, y un BJT en base comn.

Amplificador Bjt-Jfet en Cascada:

Un amplificador en cascada est compuesto de dos bloques amplificadores con el fin de
obtener una ganancia mayor que si se utilizara un solo amplificador. Esta prctica de
laboratorio contiene un BJT y un FET conectados en cascada.

Darlington:

La conexin Darlington consiste de dos BJTs conectados de tal manera que la ganancia
de corriente resultante es el producto de las ganancias de corriente de los transistores
individuales.
Espejo de Corriente:

El circuito espejo de corriente proporciona una corriente constante igual a una corriente
constante de referencia desarrollada dentro del circuito. Este circuito requiere que el par
de BJTs utilizados tengan cadas de voltaje Base-Emisor y Betas idnticas. Por esta
razn, estos circuitos son desarrollados dentro de circuitos integrados.
MATERIALES

Fuente de alimentacin DC.
Multmetro digital.
Protoboard.
Pinzas.
Alambre de Cobre.
Transistores: 2N3904 (7)
2N5459 Reemplazo (K105)

Resistencias: 6.8 k
5.6 k
4.7 k (2)
1 k (3)
10 k (4)
2.4 k
3.3 M (2)
680
390
2.2 k
15 k

Condensadores: 4.7 F (3)
0.47 F (3)
0.047 F
100 F
10 F (2)
22 F (2)






PROCEDIMIENTO

Se analiza mediante un esquema el circuito a elaborar.
Se desarrollan sus respectivos clculos por medio de un anlisis de mallas,
nodos o la forma que se crea ms eficaz.
Una vez hecho el anlisis se calculan los valores de las corrientes voltajes y
ganancias.
Antes de proceder al montaje en la protoboard se recomienda estudiar el
datasheet y entender la naturaleza de los transistores BJT-FET y dems
elementos a trabajar.
Una vez identificados todos los elementos proceder al montaje del mismo en la
Protoboard.
Alimentar el circuito con los respectivos valores DC y generar las seales AC que
se piden.
Una vez terminado el montaje se procede a probar todo el circuito para verificar
que todo funcione y los clculos concuerden con los obtenidos tericamente.
Se identifican seales de entrada y salida adems de medir corrientes y voltajes
en DC.
Se comparan valores con los tericos y se sacan conclusiones a partir de ellos.



CIRCUITOS EJECUTADOS


Amplificador Bjt en Cascada:





Seal de Entrada Seal de Salida



Simulacin:







Amplificador Bjt en Cascada con R5 (500k):


Se calcula la Ganancia:

Voltaje pico a pico = 160mV

Seal (Etapa 1) = 420mV
Seal (Etapa 2) = 420mV



2.7 de ganancia total en ambas etapas.
Observacin: En ambas configuraciones las seales de salida son iguales por lo tanto
Al variar nuestra resistencia de carga podremos modificar la corriente de salida sin
alterar el voltaje.

Amplificador Bjt en Cascada sin R5:




Amplificador Bjt-Jfet en Cascada:






Seal de Entrada Seales de Salida






Simulacin:




CLCULOS DEL CIRCUITO


Seal de entrada=160mV
Salida Etapa 1 = 1.4v
Salida Etapa 2 = 16v

Ganancias por Etapas:

Ganancia Etapa 1:

= 7.5
Ganancia Etapa 2:

= 100


VG = 0.82v
VG = - ID x RS
0.82 = - ID x(680)
ID = 1.2mA

VD = Vdd - ID x Rd
VD = (20v) (1.12mA) x (2.4k)
VD = 17.3v

V1 = (20 x 4.7k)/(15k+4.7k) = 4.77v
IC = 0.7mA
VC = Vcc - IC * RC
VC = (20v) - (0.7mA) x (2.4k)
VC = 18.32v

Av Etapa 1 = 17.3v / -0.82v = - 21.1
Av Etapa 2 = 18.32v / 4.77v = 3.84
Av Total = (21.1) x (3.84) = 81.03

Observacin: Los resultados de la prctica con la teora implicada varia un poco
pero no significativamente debido al cambio del transistor FET el cual se tuvo
que utilizar un k105.
Par Darlington:


Seal de Entrada y Salida


Simulacin:







CLCULOS DEL CIRCUITO



Q1
y
Q2
= 300
Ganancia total =
Q1
*
Q2
= 90000










( )
( )







Seal de Par Darlington sin resistencia de carga:






Observacin: En el primer circuito observamos como la seal de entrada y salida son iguales, al
retirar la resistencia de carga la seal de salida queda totalmente contina al quedar conectada
a tierra al igual que los ejercicios anteriores.

Espejo de Corriente:


CLCULOS DEL CIRCUITO












Valores Reales








Observacin: Al realizar las medidas de corriente se observa que al compararlas con la
terica existe una variacin a causa de las caractersticas el transistor k105 el cual
acta como reemplazo del 2N5459.

V
1
10.18 v
V
2
5.03 v
I
x
3.1 mA
IDSS 2.9 mA
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES


Se puso en funcionamiento los conocimientos adquiridos dentro del curso de
fuentes y amplificadores.
Se estudiaron y analizaron los transistores BJT y FET como amplificadores
discretos en sus diferentes configuraciones.
Siempre tratar de conseguir exactamente los materiales de la gua ya que para
algunos procesos los reemplazos no son tan efectivos e incluso te arrojan datos
significativamente diferentes debido a las caracteriscas de cada elemento.
Se monto el respectivo circuito en protoboard del esquema a base de
transistores BJT y FET como amplificador discreto en sus diferentes
configuraciones.
Probar la continuidad de todos los puentes hechos con el cobre en la protoboard
antes de sacar conclusiones.
Se lograron calcular las ganancias que ejercen los transistores BJT-FET en las
diferentes etapas dentro de una configuracin de amplificacin.
Se aprendi a identificar seales amplificadas por elementos discretos.