Reactivos de Dipositivos 2010

ELECTRNICA-ICE-ESIME-ZACATENCO-IPN REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS
Elizabeth Arvalo Gonzlez -2010 1

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA
UNIDAD PROFESIONAL ADOLFO LOPEZ MATEOS
COL. LINDAVISTA MEXICO, DF.

ACADEMIA:
ELECTRNICA

ASIGNATURA:
DISPOSITIVOS

REACTIVOS
PARA
DIPOSITIVOS

ELABOR:
ELIZABETH ARVALO GONZLEZ

SEMESTRE EN QUE SE IMPARTE:
QUINTO

PROGRAMA DE ESTUDIOS:
2004

FECHA DE ELABORACION:
ENERO-FEBRERO DEL 2010

PERIODO DE APLICACIN:
2 2009/2010 (ENE-JUN/2010), 1 2010/2011 (AGO-DIC/2010), 2 2010/2011 (ENE-JUN/2011), 1
2011/2012 (AGO-DIC/2011), 2 2012 (ENE-JUN/2012), 1 2013 (AGO-DIC/2012)


NDICE
UNIDAD NOMBRE DE LA UNIDAD Pg.
I Conceptos generales de las componentes electrnicas. 3
Bibliografa 7
II Dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos) 8
Bibliografa 12
III Dispositivos de estado slido de tres terminales
(transistores)
13
Bibliografa 17
IV Dispositivos de estado slido, utilizados como
interruptores controlados.
18
Bibliografa 21



Reactivos para apoyar a los alumnos en sus estudios en la evaluacin terica de la materia de
Dispositivos.

Unidad I Conceptos generales de las componentes electrnicas.

OBJETIVO
El alumno distinguir las caractersticas generales de los componentes electrnicos (dispositivos), sus
principales representaciones grficas en el plano X-Y, sus propiedades elctricas, su clasificacin de
acuerdo al nmero de terminales, los procesos de fabricacin, los tipos de encapsulados y su
ejemplificacin como bloques funcionales de acuerdo al proceso matemtico que puede efectuar a la
seal elctrica que se le aplique.

1 Cmo se clasifican las componentes electrnicas?

Respuesta:

En componentes electrnicas discretas e integradas.

2 Identifica los dispositivos elctricos y electrnicos del siguiente circuito colocando el nmero que
le corresponde de acuerdo a la respuesta:

Respuesta:

1. Capacitores electrolticos
2. Potencimetro.
3. Transistor bipolar.
4. Diodos rectificadores.
5. Diodo emisor de luz.
6. Regulador de voltaje LM7XXX
7. Resistores.
8 Capacitor cermico de disco.

3

Identificar la simbologa de los dispositivos electrnicos y elctricos en el siguiente diagrama
electrnico que se muestra. Relacionando el nmero de la respuesta con el dispositivo:


Respuesta:

1. Puente de diodos de de 8A.
2. Capacitor electroltico de 4700F, 100F ambos a125V y de 3.3F a 100V.
3. Diodo Zener de 15V, 30V y 13V.
4. Resistores de 27K, 1K, 10K, 6K8, 8K2, 5K6K, 100K, 9K1, 0.22, 47, 470 y
180K.
5. Capacitor cermico 47nF
6. Potencimetros de 3K, y 5K.
7. Transistor (BJT) PNP: BC327 y BD242A.
8. Transistor (BJT) NPN 2SD110 2SD388 2SD711 2N3055
9. Diodo emisor de luz (LED)
10 Transformador a 5A.
11. Circuito integrado LM723.
12. Tierra elctrica punto de referencia del circuito.
13. Push button NA
14. Diodos de conmutacin 1N4148.

4 Cules son las caractersticas generales de los dispositivos de estado slido?:

Respuesta:
1. Construidos con materiales semiconductores, tipo P y N.
2. Respuesta exponencial.
3. Dispositivos pasivos, es decir, consumen energa elctrica para poder realizar su trabajo.
4. Su funcionamiento depende de la polarizacin (directa e indirecta).
5. Pueden tener dos (como los diodos), tres (como los transistores) ms terminales (como los
circuitos integrados).
6. Existen dispositivos de estado slido de propsito general, de respuesta rpida, de
conmutacin, de potencia, entre otros.



5 Cules son los tipos de encapsulados?

Respuesta:
Existen 2 clasificaciones generales para lo encapsulados, segn contengan circuitos
integrados componentes discretos, encapsulados IC y encapsulados discretos
respectivamente.

Tipos de Encapsulados
CI Discretos
De insercin Montaje Superficial De insercin Montaje Superficial
DIP SOP SP-8 SC-59 TO-252
SIP TSOP SST SC-62 TO-263
PGA QFP TO-3 SC-70 HVSON
SOJ TO-92 SC-74 HWSON
QFJ TO-126 SC-75 XSOF
QFN Isolated TO-220 SC-84 SOP8
TCP TO-220AB SC-88 TSSOP
BGALGA TO-251 SC-89 MLP
SC-95 EFLIP

7

Dar algunos ejemplos de dispositivos de estado slido de dos, de tres y ms terminales.

Respuesta:

1. Ejemplos de dispositivos de estado slido de dos terminales: Diodo rectificador, Diodo Zener,
Diodo Tnel, Diodo Varactor, Diodo de conmutacin, entre otros.
2. Ejemplos de dispositivos de estado slido de tres terminales: Transistor bipolar (BJT), JFET,
MOSFET, SCR, TRIAC, entre otros.
3. Ejemplo de dispositivos de estado slido de ms de terminales: CI555, CI556, CI174, 74LS00,
74LS02, 74LS04, MOC3031, HC4007, MCT2, MC14544B, entre otros.

8 Explicar qu es un diagrama a bloques.

Respuesta:

Es una representacin grfica y abreviada de la relacin de causa y efecto entre la entrada y la
salida de un sistema fsico.

9 Para qu sirve un diagrama a bloques?

Repuesta:

Proporciona un mtodo til y conveniente para caracterizar las relaciones funcionales ente
diversos componentes de un sistema de control. Los componentes del sistema se llaman de
manera alterna elementos del sistema. La forma ms simple de representar un diagrama a
bloques es con un solo bloque, con una entrada y una salida.

10 Cules son las caractersticas generales del diodo en polarizacin directa e inversa?

Respuesta

1. Polarizacin directa: V
D
pequeo; I
D
mayo a cero, resistencia interna del diodo pequea.

2. Polarizacin inversa: V
D
menor igual a cero; I
D
aproximadamente a cero, resistencia interna


del diodo muy grande.

11 Cmo se representa la grfica de un diodo?, e indicar en que parte de la grfica conduce el
diodo.

Respuesta.

Grfica caracterstica de un diodo.

En el primer cuadrante de la grfica al estar polarizado directamente el diodo conduce, mientras
que en el tercer cuadrante al estar polarizado inversamente el diodo deja de conducir.

12 Dibujar el diagrama a bloques de una fuente de voltaje lineal no regulada (eliminador).

Respuesta:



13 Dibujar el diagrama a bloques de una fuente conmutada.

Respuesta:

BIBLIOGRAFA
Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrnicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA
EDITORES, Balderas 95, Mxico, D.F., 1994.
Garca B. Margarita, Dispositivos Electrnicos, TOMO I, IPN, 1995.
Malvino, Albert, Principios de Electrnica, Mc Graw Hill, Espaa, 2007.


Unidad II Dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos)

OBJETIVO
El alumno analizar y verificar las caractersticas, limitaciones, comportamientos elctricos y
modelos equivalentes, de los principales dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos), as
como, su aplicacin en el procesamiento de seales elctricas en circuitos electrnicos tpicos, como
(rectificadores, limitadores recortadores de voltaje, sujetadores cambiadores de nivel, dobladores,
triplicadores, regulador, voltaje de referencia, indicadores luminosos). Considerando smbolos,
caractersticas elctricas, circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante de cada
dispositivo.

1

Analizar la grfica y calcular la resistencia dinmica y la potencia
mxima, tomando en cuenta los valores de la grfica. Cada divisin
en el eje Y equivale a 5mA, mientras que cada divisin en el eje X
equivale a 1V.

Sol: r
Z
=27.69 y P
Z
=210mW

2

Calcular la potencia que disipa un LED rojo, si su
resistencia interna es de 5, y su voltaje de unin es de
1.8V.

Sol: P
LED
=49.42mW

Vs
R1
R2
LED
120 Ohm
390 Ohm
15V
_

3

Analizar el circuito y calcular la carga, para que esta disipe una
potencia de 500mW, si el transformador tiene una relacin de 6:1.
Dibujar la seal de la carga indicando el valor de la amplitud y el
periodo. Tambin calcular el valor del capacitor que est conectado
en paralelo con la carga, para tener un rizo de 100mV.
Qu pasara si el D1 se abriera? Explica.
Se tendra la respuesta de un circuito rectificador de media
onda.

Sol: R
L
=165 y C=7207.07 F

N1
N2
N3
1N4001
1N4001
C
RL



4

Disear el circuito para que un diodo emisor de luz, trabaje
adecuadamente, de acuerdo a los siguientes datos: I
LED
=50mA a
V
LED
=3.3V

Sol: R=114
E = 9 V
R

5

Analizar y calcular V
O
y P
O
del circuito mostrado. Tambin dibujar la
curva de salida y la funcin de transferencia.

V
O
= 5.1V; y Po=72.42mW; semiciclo positivo.
V
O
= 0V; y Po=0W; semiciclo negativo.

+
20Senwt
1k
D (Si )
Vz = 5.1 V
Vo

6

Calcular el voltaje de entrada del circuito si la carga es de 560 y
esta disipa una potencia de 250mw, Dibujar la seal de la carga
indicando el valor de la amplitud y el periodo. Calcular el capacitor
que est conectado en paralelo con la carga, para tener un rizo de
50mV.
Qu pasara si el D2 se pusiera en corto? Explica.

Sol: V
i
=17.8859Vp; y C=5531.522 F

N1
N2
N3
1N4001
1N4001
C
RL

7

Analizar el circuito rectificador de onda completa con puente de
diodos y calcular el valor del capacitor, para un rizo de 100mV, si el
transformador con derivacin central, presenta un voltaje en el
secundario de 12V
rms
; para alimentar una carga que disipa 250mW.
Qu pasa si uno de los diodos se abre? Explica

Sol: C=3029.009F
El circuito rectificador de onda completa se comporta como un
circuito rectificador de onda.
D1
D4
D2
D3
RL
C

8

Analizar y determinar el voltaje pico inverso del diodo, la potencia y
el perodo de salida del rectificador de media onda, si el voltaje del
primario del transformador es de 127 V
rms
, con una relacin 5:1 y
una carga de 560. Dibuje las grficas del secundario y de la
carga, as como la grfica de la funcin de transferencia. En todas
las grficas deben estar expresados los valores y las unidades
correspondientes.

Sol: VPI=36.62Vp; Po=224.448mW; y T
O
=16.66ms

N1 N2
D
RL

9

Analizar el circuito, y calcular el voltaje de salida (V
O
) y dibujar la
grfica de salida, as como la grfica de la funcin de transferencia.
Si el voltaje de la fuente es una seal senoidal con una amplitud de
10V.

Sol: El circuito es un sujetador positivo con V
O
=-0.7V a
V
O
=19.3Vp
+
Vs
D
CH1 CH2
C = 10 u F o 1 u F
+ +
- -



10

Analizar el circuito, y calcular el V
O
y dibujar la grfica de salida, as
como la grfica de la funcin de transferencia.

Sol: de V
O
= 1.7V a V
O
=21.3Vp
+
Vs= 12 Vp sent
C = 1 u F
D (Si)
E = 2 V
+ Vo
--

Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida; dibujar la grfica,
si el voltaje del Zener es de 3.9V y el diodo es de germanio.
Explicar el funcionamiento del circuito e indicar que tipo de circuito
es.

Sol: V
O
=3.9V y V
O
=0V, y se trata de un circuito recortador.

+
20Senwt
1k
D
Z
Vo

11

Analizar el circuito y calcular el voltaje de entrada mnimo necesario
para establecer la regulacin del Zener y la potencia que ste
disipara, si dicho diodo presenta una resistencia interna de 10,
una corriente nominal de 1mA y un voltaje de ruptura Zener de
3.3V.

Sol: V
imn
=22.406V

Vi
560
100

12

Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida (V
O
) del circuito
mostrado. Dibujar la curva de salida y la funcin de transferencia del
circuito.

Sol: V
O
=20Vp y V
O
=-5.8V
+
Vs = 20 Vp
R = 1 Kohm
D (Si )
Vz = 5.1 V
+
_
Vo
500 KHz

13

Analizar el circuito y calcular V
O
del circuito mostrado. Dibuja Si los
diodos Zener ambos son de 5.1V, y la fuente de alimentacin Vs
entrega una seal senoidal con una amplitud de 20Vp a una
frecuencia de 100Hz, y una R1 de 1K.

Sol: V
O
=5.8V y V
O
=-5.8V

+
Vs
R1
Z1
Z2

14

En un circuito regulador con diodo Zener, por el cual circula una
corriente de 5mA, con una fuente de alimentacin de 15V que
alimenta a una resistencia limitadora y a una carga, ambas de
330. Calcular el voltaje del Zener.

Sol: V
Z
=6.675V

15 V
RS
RL
Z



15

Analizar el circuito y determinar la I
zmx
y la potencia que disipara
un Zener de 9.1V, con una fuente de alimentacin que vara desde
0V a 20V, si la resistencia limitadora es igual la resistencia de carga
mnima, con un valor de 270, y resistencia de carga mxima de
10K.

Sol: I
Zmx
=40.36663mA y P
Z
=367.3336mW

E
RS
RL
Z

16

Analizar el circuito y determinar el valor de la R
Lmin
necesaria para
que el Zener de 10V regule, con una corriente nominal de 2mA,
cuya resistencia limitadora es de 390 y la fuente de alimentacin
es de 25V.

Sol: R
Lmn
=274.26

25 V
RS
RL
Z

17

Analizar el circuito y determinar el valor del resistor limitador en el
circuito regulador con diodo Zener de 5.1V a una corriente nominal
de 1mA, si se desea alimentar una carga de 150, y la fuente de
alimentacin tiene una variacin del 20% de su valor que es de
20V. Tambin calcular la potencia de disipacin del Zener.

Sol: R
S
=302.777 y P
Z
=144.953mW

20 V
RS
RL
Z

18

Analizar el circuito y determinar los voltajes de entrada mnimo y
mximo que pueden regularse por el diodo Zener, si la I
ZK
es de
1mA, 15mA de corriente de Zener mxima, el voltaje del Zener es
de 5.6V y una r
Z
de 10, para una carga infinita y una resistencia
limitadora de 560.

Sol: E
mn
=6.17V y E
mx
=14.15V

E
RS
Z
Vo

19

Analizar el circuito y calcular las corrientes de carga mnima y
mxima para las cuales el diodo Zener se mantenga en regulacin.
Calcular la resistencia de carga mnima para que el Zener regule,
considerando V
Z
=9.1V, R
S
= 330, I
ZK
=3mA e I
Zmx
=90mA, con una
r
Z
=10, si la fuente de alimentacin es de 24V.

Sol: Para R
Lmx
=, I
Lmn
=0A e I
Zmx
=43.824mA
R
Lmin
=202.62, I
Lmx
=45.06mA e I
Zmn
=3mA

24 V
RS
Z
RL

20

Un diodo Zener de 8.2V a 25
o
C, tiene un coeficiente en temperatura
positivo de 0.062%, calcular la variacin del voltaje a una
temperatura de 75
o
C.

Sol: V
Z
=0.542V, V
Z(75
o
C)
=8.4542V



21

Analizar el circuito y calcular el valor de la resistencia de carga para
que el diodo Zener regule, si V
i
es igual 20V con una variacin de
20%, con V
Z
de 9.1v @ 5mA y R
S
de 100.

Sol: R
Lmn
=142.1875

20V
100
9.1V
RLmn



BIBLIOGRAFA


Unidad III Dispositivos de estado slido de tres terminales (transistores)

OBJETIVOS
El alumno analizar y comprobar las caractersticas, limitaciones, comportamientos elctricos y
modelos equivalentes, de los dispositivos de estado slido de tres terminales conocidos como
transistores, as como, su aplicacin en circuitos electrnicos de polarizacin con Transistores
bipolares y Transistores de efecto de campo (considerando smbolos, caractersticas elctricas,
circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante).

Circuitos de polarizacin con transistores bipolares y transistores de efecto de campo.

1

Analizar el circuito y calcular los voltajes y corrientes en cada
uno de los dispositivos y uniones del transistor, si este es de
silicio y tiene una =0.99, calcular la potencia que disipa el
transistor.

Sol. V
RC
=8.0336V, V
CE
=1.9664V,
V
R1
=V
CB
=0.845V,V
R2
=V
BE
=0.7V, I
RC
=8.0336mA, I
1
=256.05A,
I
2
=179.4872A, I
B
=76.56A, I
C
=7.7776A y P
T
=15.3475mW

3. 3 Kohm
1 Kohm
3. 9 Kohm
10 V

2

Analizar el circuito y calcular: V
CB
, V
CE
, V
E
, V
B
, V
C
, I
B
, I
C
, I
1
, I
2
,
e I
E
, para una beta de 45 y con el potencimetro en 0 de su
valor.
Con base en los resultados escribir en que regin se
encuentra trabajando el transistor, e indicar la configuracin
del transistor, as como las caractersticas de esta.

Sol. V
CE
=-31.743V, V
C
=-28.04V, V
CB
=31.743V,V
B
=5.1V,
V
BE
=0.7V, V
E
=4.4V, I
C
=43.0435mA, I
1
=4.5mA, I
2
=3.5435mA,
I
B
=956.522A, I
E
=44mA

R1
Z
TI P 41
RE
P
1 k
2.2 K
5.1 V
100
10 k
Vcc= 15 V

3

Analizar el circuito y calcular el voltaje de entrada, las
corrientes y potencias de disipacin en cada uno de los
dispositivos, considerando = 0.99 y un V
CE
= 3V para un
transistor de silicio.

Sol: V
S
=3.54V, I
B
=76.77A, I
C
= 7.6mA, I
E
=7.677mA,
V
RB
=2.073V, V
RC
=6.232V, V
CB
=2.3V, P
RB
=159.14W,
P
RC
=47.36mW, P
RE
=5.894mW, P
T
22.8mW

Vs
RB =27 K
RC = 820
T1
RE = 100
Vcc = 10V



4

Analizar el circuito y calcular los resistores para que el
transistor trabaje en el regin de saturacin, el cual tiene
V
CEsat
=0.25V, una I
Csat
de 25mA, un factor de ganancia en
corriente de 110 y el V
I
es igual al V
CC
. Considerando un LED
de rojo de 1.5V.

Sol: R
B
=18K y R
C
=120
RB
RC
Vcc=+5V
+
_
Vo
Vi
BC547A

5

Analizar el circuito y calcular los valores de V
CE
, I
C
e I
B

considerando R
B
=18K y R
C
=120 del circuito, el cual tiene,
un factor de ganancia en corriente de 110 y el V
I
es igual al
V
CC
. Considerando un LED de rojo de 1.5V.

Sol: I
B
=238.89A, I
C
=26.278mA y V
CE
=0.347V

BC547A
RB
Vcc = + 5 V
Vo
Vi
RC
LED

6

Analizar el circuito y calcular los resistores para el circuito
considerando V
E
de 2V, V
CE
=5V e I
C
=12 mA, para un factor
de corriente de 180.

Sol: R
1
=68K, R
2
=47K, R
C
=390, y R
E
=150

R1
BC548B
RC
+ Vcc = 12V
R2
RE

7

Analizar el circuito y calcular: V
CB
, V
CE
, V
E
, V
B
, V
C
, I
B
, I
C
, I
1
, I
2
,
e I
E
, para un factor de corriente de 180. Considerando
R
1
=68K, R
2
=47K, R
C
=390, y R
E
=150.

Sol. V
CE
=4.55V, V
C
=6.63V, V
CB
=3.85V, V
B
=4.9V, V
BE
=0.7V,
V
E
=2.08V, I
C
=13.775mA, I
1
=1.12mA, I
2
=1.043mA,
I
B
=76.626A, I
E
=13.851mA.
R1
BC548B
RC
+ Vcc = 12V
R2
RE

8

Analizar el circuito y calcular R
B
, R
E
y R
C
para el circuito
bsico de polarizacin con transistor bipolar, con, V
CC
=15V,
I
C
=10mA, V
BE
=0.7V, V
CE
=5V, y una =200. Considere V
E
=2V.

Sol: R
B
=246K, R
C
=800, y R
E
=199

RB RC
RE
VCC



9

Analizar el circuito y calcular R
1
, R
2
,

R
E
y R
C
para el circuito
del transistor bipolar de silicio a baja potencia con, V
CC
=15V,
I
C
=20mA, V
CE
=5V, I
R1
= (1/10) I
C
y una =180. Considere
V
E
=2V.

Sol: R
1
=1.8K, R
2
=1.5K, R
C
=330, y R
E
=100

R1
RC
RE
VCC
R2

10

Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes; para un
transistor de silicio con =180 y un V
CC
=15V.

Sol. I
B
=126.324A, I
E
=22.865mA, I
C
=22.7384mA,
I
1
=2.11mA, I
2
=1.983mA, I
RC
=24.8473mA, V
CE
=4.498V,
V
C
=6.7845V, V
CB
=V
R1
=3.798V, V
B
=V
R2
=2.9865V, y
V
E
=2.2865V.

1.8 K
330
100
VCC
1.5K

11

Analizar el circuito y disear el circuito para una I
C2
=30mA y
un V
CE2
=1.5V, si
1
=110 y
2
=45; y el diodo emisor de luz
tiene un voltaje de 3.3V.

Sol. I
B1
=6.006A, I
E1
=I
B2
=666.667A, R
B
=1.2654M y
R
C
=140.
En valor comercial R
B
=1.2M y R
C
=120.
RB
BC547
TIP41
RC
9 V

12

Para un JFET con polarizacin mediante divisor de voltaje,
analizar el circuito y calcular: voltajes y corrientes del circuito,
dado un V
GS
= -1.1v, R
1
=10M, R
2
=2.2M, R
D
=820,
R
S
=390 y un V
DD
=9 V.

Sol: V
G
=1.62V, V
S
=2.72V, I
D
=6.97mA, V
DS
=0.5663V y
V
D
=3.2863V

10 M
820
390 2.2 M
9 V

13

Analizar y calcular el circuito de polarizacin con I
DSS
=6mA,
V
GSOFF
=-4V, V
DD
=12, considerando las condiciones del punto
medio.

Sol: R
S
=390, R
D
=1.8K y R
G
=1M
RD
RS
RG
VDD
T1



14

Analizar el circuito y calcular V
D
, V
S
, V
DS
, V
GSQ
, V
G
g
m
e I
DQ
,
mediante el mtodo grafico. Considerando R
S
=390,
R
D
=1.8K y R
G
=1M

Sol: V
D
=6.42V, V
S
=1.2V, V
DS
=7.62V, V
GSQ
=-1.2V, V
G
=0V e
I
DQ
=3.1mA y g
m
=2.1mS
RD
RS
RG
VDD
T1

15

Analizar y disear el circuito para I
DSS
=8mA, V
GSoff
=-5V y un
V
GS
de 1V

Sol: R
3
=1M, R
2
=11.5M y R
1
=651.04
R1
R2
R3
VD=5V
VDD=12.5V

16

Con base en el mtodo analtico, analizar el circuito y
calcular: V
DS
, I
D
, V
S
, V
GS
, y V
G
, considerando V
D
de 6V.

Sol: V
DS
=3.585V, I
D
=7.38mA, V
S
=2.415V, V
GS
=0.03554V, y
V
G
=2.45V
12 V
820
330
3.9 M
1 M

17

Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes del circuito
e indicar de qu transistor se trata y en qu regin est
trabajando. Si V
DS
es de 5V.

Sol: I
D
=0.784mA, V
S
=2.588V, V
GS
=-0.965V, V
D
=7.588V y
V
G
=1.623V

10 M
1.8 K
3.3 K 2.2 M
9 V

18

Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes empleando
en mtodo analtico, e indica en que regin se encuentra
trabajando el dispositivo semiconductor y de que dispositivo
se trata. Considerando un voltaje de drenador de 5V, una
I
Don
=1mA para una V
GSumb
de 1.5V, y una K=5.42mA/V
2

Sol: I
D
=4.892mA, V
S
=0V, V
GS
=2.45V, V
G
=2.45V y
V
DS
=7.989V

12V
R1 RD
R2
3M9
1M
820



19

Analizar el circuito y calcular los valores de los resistores del
circuito, para un V
GS
de 5V y una I
D
de 5mA.

Sol: RD=1.4K, y RG=1M
12V
RG
RD

20

Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes en cada
dispositivos del circuito considerando que el transistor tiene
un V
D
=5V, un V
Don
de 1.5V y una y una K=5.42mA/V
2

Sol: V
G
=V
R2
=V
GS
=0.923V, I
D
= 1.804mA, V
RD
=7.04V,
V
DS
=4.96V, I
1
=923.1nA e I
2
=936nA
RD
R1
R2
12 V
3K9
12M
1M

BIBLIOGRAFIA
Garca B. Margarita, Dispositivos Electrnicos, TOMO II, IPN, 1995.


Unidad IV Dispositivos de estado slido, utilizados como interruptores controlados.

OBJETIVOS
El alumno analizar y comprobar las caractersticas, limitaciones, comportamientos elctricos y
modelos equivalentes, de los principales dispositivos de estado slido utilizados en el procesamiento
conmutado de las seales elctricas, as como, su aplicacin en circuitos electrnicos como
Interruptor elctrico y electrnico, con SCR, TRIAC y Optoacopladores. Considerando smbolos,
caractersticas elctricas, circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante, de cada
dispositivo.

1

Calcular el valor de las resistencias para un ngulo de
conduccin de 135
0
y 90
0
, empleando un SCR con I
GT
=
60A, V
GT
=0.6V, V
BR
=400V, con diodo de silicio,
RL=50. Siendo el diodo de silicio.

Sol. R
1
=4.00976M, R
2
=866.036K
RL
D
R2
R1
120 Vrms
a 60 Hz

2

Calcular el valor de las resistencias, considerando que el
SCR, tiene un V
GT
de 1.2V, I
GT
de 200A, y un V
BR
de
200V, para una conduccin que se encuentre entre 5 y
90. Considerando el diodo de silicio.

Sol. R
1
=906.053K, R
2
=4.6341M
R2
R1
D (Si)
120Vca
60Hz
Lmpara

3

Calcular las resistencias del circuito de la figura y el
ngulo de conduccin. Si las caractersticas del SCR
son: V
GT
=3V, V
DRM
=V
BR
=400V, I
GT
=200A, I
H
=5mA,
P
G
=1.3W y el diodo es de silicio. Describir el
funcionamiento del circuito.

Sol. R
1
=705.27K, R
2
=359.94K;
Cmn
=90
0
,
cmx
=175.945
0

P1
R1
D1
RL=20
100Vrms
60Hz



4

Calcular las resistencias del circuito, para que tenga un
ngulo de conduccin de
0 0
170 90 . Si las
caractersticas del SCR son: V
GT
=3V, V
DRM
=200V,
I
GT
=200A, I
H
=5mA, P
G
=1.3W y el diodo es de silicio

Sol. R
1
=784.9743K, R
2
=1.566M
P1
R1
D1
RL=20
100Vrms
60Hz

5

Analizar el circuito y calcular R1 y R2 para un ngulo de
disparo de 90 y de 10, considerando una I
GT
de 15mA y
V
DRM
de 330V un V
GT
de 2V.

Sol: V
SCR
=169.71Vp, V
dmx
=169.71V, I
Gmn
=7.28591mA,
V
dmn
=29.47V, I
Gmx
=13.6605mA, R1=12.28K,
R2=10.63K.
SW1
R2
R1
Rcarga
120Vca

6

Del ejercicio anterior si se elige R1 de 12K, en que
valor de estar el ngulo de conduccin y de disparo.
Tambin calcular el V
d
y la I
G
y el ngulo de disparo.

Sol: I
Gmx
=13.976mA, V
dmn
=22.528V,
disparo
=7.6282,
conduccin
=172.372. SW1
R2
R1
Rcarga
120Vca
12K

7

Proponer un circuito con transistor bipolar que controle la
corriente en la compuerta de un SCR.

Respuesta
Rcarga
T2
RE
R2
R1
20V
R3
120Vca

8

Proponer un circuito que controle la intensidad de
iluminacin, que emplee dispositivos tiristores.

Repuesta
Lmpara
L=100mH
R1=100K
C1=0.1uF
C1=0.1uF
R2=15K
DIAC
TRIAC
a 250V
a 200V
120Vca
a 60Hz

9

Proponer un circuito que permita controlar los ngulos de
conduccin y de disparo, as como los tiempos de
conduccin y de disparo, en un SCR.

Repuesta


SCR
R3
R2=5K
R1
Rcarga
+
12VpSent
100
1K
330
Vi

10

Analizar el circuito para verificar el funcionamiento,
tomando en cuenta que en el optoacoplador se tiene un
V
CE
de 10V, para un a I
F
de 10mA, e I
Cmx
de 100mA,
mientras que el diodo emisor se tiene una I
Fmx
=100mA,
I
Ftyp
=10mA, para un V
Ftyp
=1.18V.

Sol: I
Fi
=10.375mA, I
C
=10.375mA, V
CE
=3.963V

Vi = 24V
R1 = 2.2 K
4N26
R2=100
5 V

11

Analizar el circuito de la fig. 2, considerando en el emisor
del optoacoplador V
F
de 1.18V; mientras que para el
detector se tiene V
CEsat
de 0.3V, y el SCR presenta un
V
DRM
de 400V, I
GTtyp
de 60A y un V
GTtyp
de 0.6V.

Sol: I
Fi
=9.795mA, V
120K
=8.1V, I
120K
=67.7A, V
82K
= 0.6V,
I
82K
=7.32A, V
18K
=8.7V, I
18K
=483.3A, I
E
=560.83A,
I
G
=60.183A Y V
d
=-1.22V

1 K
4N26
1 k
1 k
C106
SW
1N4004
9 V
+
0V 5V

12

Analizar el circuito, para verificar el funcionamiento,
considerando en el emisor del optoacoplador (4N26):
V
Ftyp
de 1.15V para una I
Ftyp
de 10mA, y una I
Fmx
de
60mA; mientras que para el detector se tiene una I
Cmx
de
150mA y una de 500; y para el 2N3904 una beta
mnima de 60.

Sol: I
FI
= 8.191mA, I
RE1
I
C1
=20.5mA, V
CE1
=1.925V,
I
B2
=158.33mA, I
C1
=20.5mA, I
C2
=9.4998mA,
V
CE2
=0.5351V,

optoacoplador abierto
2N3904
470
150
470
5 V
15 K

13

Explicar el funcionamiento del circuito. Calcular: voltajes,
corrientes del diodo emisor de luz, del transistor y del
Zener, as como . Si el diodo emisor de luz tiene un
voltaje tpico de V
F
=1.2V, una I
FMx
=80mA, mientras que
el fototransistor presenta un punto de operacin de
voltaje entre colector y emisor de 0.4V, para una
I
F
=10mA, y una I
CMx
=100mA. El transistor es de silicio y
tiene una ganancia en corriente de 40.

Sol: Para V
I
=5V; I
FI
= 2.8mA, V
CE1sat
= 0.4V, I
C1
=4.75mA,
V
CE2
= 1.1V, por lo que V
RL
=22.4V.
Para Para V
I
=0V; I
FI
= 0mA, V
CE1corte
= V
Z
-V
BEO2
, I
C1
=0mA,
V
CE2
= V
Z
, por lo que V
RL
=24V-V
Z
.

4N37
Z 24V
RL
24V,5A
1K
10K
+
0V a 5V



14

Analizar y explicar el funcionamiento del circuito.

Respuesta:

El circuito permite acoplar un voltaje de CC externo a la
entrada del dispositivo digital (compuerta), mediante el
optoacoplador 4N33. El circuito convierte un voltaje de
entrada de 12V
CD
en un nivel alto de 5V y uno nivel bajo
de aproximadamente 0V. Este circuito se puede emplear
para monitorear una batera de automvil.
Cuando de aplica la seal de 12V
CD
, circula una corriente
IF a travs de la resistencia R1, se energiza el LED y el
fotodarlington conduce. Como resultado, circulara una
corriente de colector I
C
a travs del resistor R2. Esta
corriente causa una cada de voltaje de
aproximadamente 5V que es interpretada por la entrada
de la compuerta inversora como un nivel alto 1 lgico.
Cuando se retira la seal de entrada, no circula corriente
a travs del LED y el fotodarlington no conduce. Como
consecuencia, la entrada de la compuerta inversora
queda puesta a tierra y recibe un nivel bajo de
aproximadamente 0V.
Los valores de R1 y R2 deben elegirse de modo que la
corriente de entrada I
F
y de salida I
C
no excedan los
valores mximos especificados por el fabricante. Siendo
para el optoacoplador 4N33 I
Fmx
de 80mA e I
Cmx
de
100mA.

R1
L
E
D
R2 TTL o CMOS
5V
10K
470
4N33

15

Analizar y explicar el funcionamiento del circuito.

Respuesta:

El circuito sirve para interfazar una salida digital a cargas
de CA de baja potencia utilizando un optoacoplador
MOC3010. El fototriac acta como un interruptor en serie
con la lmpara, conectndola a la red de 120V
CA
cuando
la salida de la compuerta inversora es de nivel bajo (0V)
y desconectndola cuando es de nivel alto (5V).
El fototriac se dispara (entra en conduccin) cuando la
corriente a travs del LED (I
F
) supera un cierto umbral
denominado I
FT
. Para el MOC3010, la I
Fmx
es de 50mA e
I
FTmx
de 8mA. Tpicamente la I
FT
es de 8mA e I
F
de
10mA.

TTL o CMOS
R
L
E
D
5V
Lmpara
Fusible
Vlnea
Entrada
120Vca
a 10W
120Vca
a 60Hz
MOC3010
1k

BIBLIOGRAFIA


Garca B. Margarita, Dispositivos Electrnicos, TOMO II, IPN, 1995.
CEKIST S.A. Cursos prcticos de electrnica digital.
Almendarez A. Domingo, Curso de Electrnica II, IPN, Mxico, D.F., 1998.

Reactivos de Dipositivos 2010

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