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Instituto Tecnolgico de Costa Rica Laboratorio de Circuitos Discretos

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Objetivos1) Probar experimentalmente configuraciones
avanzadas de uso de transistores en la regin lineal.

2) Medir voltajes y corrientes en las configuraciones avanzadas
de transistores.
I. EQUIPO REQUERIDO
Instrumentos:
Multmetro Digital (DMM)
Osciloscopio
Generador de seales
Fuente de CD
Componentes:
Resistencias:
o 20 [1]
o 80 [1]
o 100 [1]
o 50 [1] 1W
o 150 [1]
o 1 k [1]
o 1.2k [2]
o 1.8 k [1]
o 3.6 k [1]
o 4.3 k [2]
o 4.7 k [1]
o 5 k [1]
o 5.6 k [1]
o 6.8 k [1]
o 7.5 k [1]
o 9.1 k [1]
o 10 k [1]
o 100 k [1]
o 50 k [1] Potencimetro.
Capacitores:
o 10 F [4]
o 1 nF [1]
Transistores:
o 2N3904 equivalente (3)
o 2N3823 equivalente (1)
o TIP120 Darlington equivalente (1)
II. RESUMEN TERICO
Darlington: Una conexin de transistores en Darlington,
como se muestra en el circuito de la figura E11-1, utiliza un
par de transistores BJT con ganancias
1
y
2,
respectivamente


un solo encapsulado con un beta efectivo
D
=
1
*
2.

Utilizar un transistor Darlington para construir un seguidor
de emisor, hace que este tenga una impedancia de entrada
mayor que si se construyera con un transistor convencional,
dado que:

||(

) (1)

Mientras que la impedancia de salida queda dada por:

(2)

La ganancia de voltaje (Av) queda dada por (3):


(3)


Figura E11-1: Transistor Darlington, en configuracin
Seguidor de Emisor

Cascode: En este tipo de circuito, como se muestra en la
figura E11-2, provee un amplificador de emisor comn (AEC)
conformado por el transistor Q1, directamente conectado a un
amplificador de base comn (ABC) conformado por Q2.
La ganancia de voltaje dada por AEC es aproximadamente
1 pero con carcter inversor: A
V1
=-1. Mientras que la ganancia
de voltaje dada por el ABC es: A
V2
=R
C
/r
e2
La ganancia de voltaje total queda dada por (4):

2

(4)
Donde r
e
se usa para denotar la resistencia dinmica del
transistor y se calcula como: r
e
=26mV/I
E
Experimento 11 Configuraciones Darlington, Cascode,
Fuente de Corriente y Espejo de corriente con transistores
BJ T.
Rosales, Luis
Instituto Tecnolgico de Costa Rica Laboratorio de Circuitos Discretos

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Fuente de Corriente: La figura E11-3 muestra una forma
simplificada de un transistor JFET utilizado como fuente de
corriente. Al conectar su terminal de Gate directo a tierra, el
transistor opera en estado de saturacin con una corriente
Drain-Source casi constante independientemente de la carga
que se conecte (R
L
).
La figura E11-3 muestra tambin una fuente de corriente
construida mediante un transistor BJT. En este caso, el voltaje
en la base est dado por:

1
+
2

(5)

Si se considera que V
E
=V
B
-0.7V, entonces, la corriente I
E
,
se mantiene casi constante y dada por:


(6)


Figura E11-2: Amplificador Cascode


Figura E11-3: Fuentes de Corriente

Espejo de Corriente: En la figura E11-4 se muestra un
espejo de corriente, en el cual la corriente que se establece
ajustando el valor de la resistencia R
X
se refleja en la corriente
que se hace pasar a travs de la carga R
L
.


(7)

La misma figura E11-4 muestra como el efecto del espejo
de corriente se puede extender a ms de una corriente de
carga.


Figura E11-4: Espejos de corriente

III. PROCEDIMIENTO
Parte A Seguidor de emisor con transistor Darlington

A-1 Arme el circuito de la figura E11-1.
Ajuste el potencimetro en R
B
de manera que el voltaje
en el emisor (V
E
) sea 5V.
Analice tericamente el circuito y obtenga los valores
calculados para llenar la tabla E11-1

A-2 Realice las mediciones experimentales de V
B
y V
E
.
Anote en la tabla E11-1 y compare contra los valores
calculados.

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Tabla E11-1: Seguidor Emisor Darlington
Calculado Medido % Diferencia
V
B
(v)
V
E
(v)
A
V

Zi()
Zo()
A-3 Ponga un voltaje de entrada (V
Gen
) de 10mV
RMS
a
1kHz. Mida el voltaje en la salida y ajuste V
Gen
hasta que no se
presente distorsin en la salida Vo.
Estime el valor experimental de ganancia de voltaje
comparando los valores pico de Vi y Vo.
Anote en la tabla E11-1 y compare contra el valor
calculado.

A-4 Conecte una resistencia de prueba R
X
de 100k entre
Vi y la terminal izquierda de C1.
Mida el voltaje V1 en la terminal izquierda de C1.
Usando V1 y V
Gen
, estime el valor medido Zi usando (8).
Anote en E11-1 y compare contra el valor calculado

=

1

1
+


(8)

Retire la resistencia Rx.

A-4 Mantenga el generador a 10mV
RMS
a 1kHz con el
ajuste necesario para evitar distorsin en V
O
.
Mida el voltaje de salida en vaco V
O
(sin resistencia de
carga conectada)
Conecte una resistencia de carga R
L
=100 y mida el voltaje
de salida con carga: V
OL
.
Estime el valor medido para la impedancia de salida Zo
usando (9). Anote en la tabla E11-1 y compare contra el valor
calculado.


(9)

Parte B Amplificador Cascode

B-1 Arme el circuito de la figura E11-2.
Analice el circuito tericamente y calcule los valores
indicados en la tabla E11-2.

B-2 Experimentalmente mida todos los valores indicados en
la tabla E11-2. Compare la diferencia respecto a los valores
calculados.
Para medir las resistencias dinmicas r
E
, utilice el mtodo
indirecto: r
E
=26mV/I
E
.
Para medir la ganancia de voltaje, utilice el mtodo
conocido de aplicar un voltaje de entrada
(Vi=10mV
RMS
@1kHz) y ajustarlo hasta que la salida no
presente distorsin. Compare con el osciloscopio Vi y Vo para
determinar el valor de la ganancia.
Recuerde que si Vo aparece desfasado 180 de Vi, significa
que la ganancia de voltaje Av es inversora, y por lo tanto tiene
un valor negativo.
Grafique los valores de Vi y Vo en la figura E11-5.


Figura E11-5 Vi y Vo en Amplificador Cascode

Tabla E11-2: Caracterizacin del Amplificador Cascode
Calculado Medido % Diferencia
V
B1
(v)
V
C1
(v)
V
E1
(v)
V
B2
(v)
V
C2
(v)
V
E2
(v)
I
E1
(mA)
I
E2
(mA)
r
E1
()
r
E2
()
Av

Parte C Fuente de corriente JFET

C-1 De la figura E11-3, arme el circuito que utiliza al
transistor JFET. Utilice R
L
=50
C-2 Mida el voltaje V
DS
y calcule la corriente I
L
como:


(10)

C-3 Repita los pasos C-1 y C-2 sustituyendo el valor de R
L

por los indicados en la tabla E11-3

Tabla E11-3:Fuente de corriente JFET
R
L
() Calculado Medido
20
50
80
100
150

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Parte D Fuente de corriente BJT

D-1 De la figura E11-3, arme el circuito que utiliza al
transistor BJT. Analice y calcule el valor de I
L
.
D-2 Mida experimentalmente los valores de V
E
, V
C
, I
L
e I
E
.
D-3 Reemplace R
L
por los valores indicados en la tabla
E11-4. En cada caso, calcule de nuevo I
E
y mida nuevamente
V
E
, V
C
, I
L
e I
E.
Anote en la tabla E11-4.

Tabla E11-4:Fuente de corriente BJT
R
L
(k) 3.6 4.3 5 7.5
V
E
(V)
V
C
(V)
I
E
(mA)
I
E-Med
(mA)
I
E-Calc
(mA)


Parte E Espejo de corriente

E-1 De la figura E11-4, arme el espejo de corriente simple
(el circuito de 2 transistores).
E-2 Mida los valores indicados en la tabla E11-5 para los
valores de resistencia R
L
indicados en la tabla.

Tabla E11-5:Espejo de corriente BJT simple
R
L
(k) 10 3.6 1
V
B1
(V)
V
C2
(V)
I
X-Calc
(mA)
I
X-Med
(mA)
I
L
(mA)

Parte F Espejo de corriente mltiple

F-1 De la figura E11-4, arme el espejo de corriente mltiple
(el circuito con 3 transistores).

F-2 Mida los valores indicados en la tabla E11-6 para los
valores de resistencia R
1
y R
2
indicados en la tabla.

Tabla E11-6:Espejo de corriente BJT mltiple
R
1
(k) 10 3.6
R
2
(k) 3.6 10
V
B1
(V)
V
C2
(V)
V
C3
(V)
I
X
(mA)
I
L1
(mA)
I
L2
(mA)

IV. PROBLEMAS Y EJ ERCICIOS
A) Comparado con un seguidor de emisor con un transistor BJ T
comn, Cunto mejora el circuito con el uso del Darlington?
Refirase en particular a las impedancias de entrada, salida y
ganancia de voltaje Av.
B) Analice la ganancia de voltaje compuesta para el amplificador
Cascode. Cmo influye cada etapa en la composicin de Av
global?
C) Cmo influye la variacin de la resistencia de carga R
L
en la
fuente de corriente J FET? A partir de los resultados
experimentales determine: Cul es el valor mnimo de R
L

que garantiza un valor constante de I
L
?
D) Compare las fuentes de corriente J FET y BJ T Cul resulta
ms estable en mantener un valor constante de I
L
? J ustifique.
E) Cmo influye la variacin de R
L
en los espejos de corriente?
Se afecta de alguna manera a I
X
? J ustifique.
BIBLIOGRAFA
[1] Boylestad, R. & Naschelsky, L. "Electrnica: Teora de Circuitos".

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