INTRODUCCION1

1. ESTADO SOLIDO.2
1.1RESUMEN...................2
1.2 OBJETIVO2
2. POLMEROS..2
Qu son los ol!"#$os%.......................................................................2
2.1. Pol!"#$os n&'u$&l#s(
2.2. Pol!"#$os s#")s)n'')*os..(
2.3. Pol!"#$os s)n'')*os(
C#lulos&.3
Al")+,n..4
S)")l)'u+#s - +).#$#n*)&s/
2./
Pol)"#$)0&*),n1
2.4.1 Tipos de polimerizacin.5
Pol)"#$)0&*),n o$ *on+#ns&*),n1
Los 2o"ool!"#$os..5
Los Cool!"#$os1
Pol)"#$)0&*),n o$ &+)*),n..6
2.5Propiedades fsicas de los polmeros......................6
2.6Las propiedades mecnicas.6
2.3Cl&s).)*&*),n +# los ol!"#$os.3
a. Segn su origen..7
Polmeros naturales. 7
Polmeros semisintticos. 7
Polmeros sintticos...7
B4 S#56n su "#*&n)s"o +# ol)"#$)0&*),n.3
Pol!"#$os +# *on+#ns&*),n.3
Pol!"#$os +# &+)*),n..3
Pol!"#$os .o$"&+os o$ $#&**),n #n *&+#n&..3
Pol!"#$os .o$"&+os o$ $#&**),n o$
#'&&s..8
C) Segn su composicin qumica..8
Polmeros orgnicos.
..8
Polmeros orgnicos vinlicos..8
Poliolefinas.8
Polmeros estirnicos...8
Polmeros vinlicos halogenados8
Polmeros acrlicos8
Polmeros orgnicos no vinlicos8
Polisteres8
Poliamidas.8
Poliuretanos..8
Polmeros inorgnicos.9
D) Segn sus aplicaciones..9
Elastmeros. .9
Plsticos. ...9
Fibras..9
Recubrimientos.9
Adhesivos..9
E) Segn su comportamiento al elevar su temperatura9
Termoplsticos..9
Termoestables..............9
Elastmero.9
2.78UNDAMENTOS DE LA CIENCIA 9 TECNOLO:A DE LOS
POLIMEROS1;
2.<POLIMERI=ACI>N POR PASOS...11
3. ENLACE QUMICO12
(.1 CONCEPTO.12
(.2 T)os +# #nl&*# - $o)#+&+..13
(.2.1 Enl&*# "#'?l)*o.13
(.2.2 Enl&*# *o@&l#n'#...13
(.2.( Enl&*# ),n)*o..14
(.( V&l#n*)&..14
(./ R#son&n*)&.15
4. ENER:IA DE CO2ESION DE LOS SOLIDOS..11
5. Mol*ul&s ol) &',")*&s Ao"onu*l#&$#s.........................................(3
6. O$B)'&l#s A!B$)+os..//
7. ESTRUCTURAS DE LOS CRISTALES../3
3.1 UNIDAD DE LA CELULA.47
7.1.2 NDCES DE MLLER48
7.1.3 PLANES Y DRECCONES 49
3.1./ ESTRUCTURAS CCBICAS..50
3.2CLASI8ICACI>N51
7.2.1 TEJDO DE SSTEMAS ..51
3.2.2 COORDINACI>N AT>MICA...1(
3.2.( CERCA DE EMBALAJE54
7.2.4 Bravais celosas ..54
7.2.5 Los grupos de puntos ..55
7.2.6 LOS GRUPOS DE ESPACO .55
3.( LOS LMITES DE :RANO ..11
3./ LOS DE8ECTOS E IMPURE=AS..1D
3.1 PREDICCI>N DE LA ESTRUCTURA...1D
3.3 POLIMOR8ISMO.17
3.7 PROPIEDADES 8SICAS..1<
8. DETERMINACION DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS.D;
7.1E In'$o+u**),n....60
7.2 DI8RACCI>N DE RA9OS F..61
7.2.2E L#- +# B$&55...61
8.2.2.1: Concepto..D1
7.2.2.2E D#+u**),n +# l& L#- +# B$&55..D2
7.(E An&lo5!&.D(
7./E In'#$.#$#n*)& - +).$&**),n..64
7.1E L& *$)s'&lo5$&.!& +# $&-os F.........D/
7.DE DI8RACCI>N DE RA9OS F DE POLVO CRISTALINA...D1
7.D.1E EL DI8RACT>METRO DE POLVO......DD
7.D.2E IDENTI8ICACI>N DE 8ASESG MHTODO DE POLVO
CRISTALINODD
8.7: Difraccin de neutrones..68
8.7.1: Concepto.68
7.3.2 In*on@#n)#n'#sD7
9. DETERMINACION DE ESTRUCTURA SUPER8ICIAL.D7
<.1 L##+. ..68
<.2E 2)s'o$)& +# +).$&**),n +# #l#*'$on#s....D7
<.(E U')l)0&*),n +# +).$&**),n +# #l#*'$on#s...D<
<./E T#o$!& +# +).$&**),n +# los #l#*'$on#sD<
<./.1E In'#$&**),n +# los #l#*'$on#s *on l& "&'#$)&D<
<./.2E In'#ns)+&+ +#l A&0 +).$&*'&+o69
<./.(: D).$&**),n +# #l#*'$on#s #n un ")*$os*o)o #l#*'$,n)*o +#
'$&ns")s),n..70
<./.(.1E B#n#.)*)os70
<./.(.2E 8un*)on&")#n'o70
EsIu#"& +#l $#*o$$)+o +# un A&0 +# #l#*'$on#s #n un MET...3;
<./.(.(E L)")'&*)on#s.71
<.1E M)*$os*o)o +# #.#*'o '6n#l..72
9.5.1: concepto Microscopio de efecto tnel73
<.1.2E APLICACIONES.74
M)*$os*o)& *on $#solu*),n &',")*& 3/
C&$&*'#$)0&*),n +# +o")n)os "&5n')*os & n)@#l &',")*o3/
<.DE M)*$os*o)o +# .u#$0& &'o")*&.3/
<.D.1E Mo@)#n+o J'o"os *on #l M)*$os*o)o +# 8u#$0&
A',")*&............................................................................................31
9.6.2: Diferentes forms o modos de f!ncionmiento....76
MODO DE CONTACTO .76
MODO DE ALTURA CONSTANTE76
MODO SIN CONTACTO ..77
MODO DINAMICO..77
M)*$os*o)o +# C&"o I,n)*o ..33
<.3.1E D#.)n)*),n.77
<.3.2E $o*#so78
<.7E M)*$os*o)& #l#*'$,n)*&.78
<.7.1E )n'$o+u**),n...78
<.7.2E Co"&$&*),n #n'$# ")*$os*o)os +# lu0 - +#
#l#*'$,n)*o..3<
<.7.(E ")*$os*o)o #l#*'$,n)*o +#
'$&ns")s),n.7;
<.7.(.1E #l )ns'$u"#n'o. 80
10. TEORA DE BANDAS DE LOS S>LIDOS..71
1;.1 MODELO SIMPLE......72
Mo+#lo +# los #nl&*#s *o@&l#n'#s%..........................................72
11. DE8ECTOS DE ESTADO SOLIDO..7(
El #s'&+o s,l)+o..7(
11.1 T)os +# s,l)+os7(
S,l)+os "ol#*ul&$#s.84
S,l)+os "#'?l)*os.84
S,l)+os *o@&l#n'#s84
S,l)+os ),n)*os.84
11.2 Es'$u*'u$& +# los s,l)+os ),n)*os84
"mp#!etmiento compcto de esfers85
$e%l de l relci&n de rdios85
11.( D#.#*'os +# los s,l)+os ),n)*os86
11.(.1 En#$5!& +# .o$"&*),n +# +#.#*'os.86
11.(.2 D#.#*'os #s'#Iu)o"'$)*os.86
11.(.( D#.#*'os S*Ao''K-.86
11.(./ D#.#*'os 8$#nK#l86
11.(.1 D#.#*'os no #s'#Iu)o"'$)*os...87
C#n'$os 8.87
D#.)*)#n*)& +# "#'&l..88
11./ Co"o$'&")#n'o +# los "&'#$)&l#s B&Lo *&$5&88
11.1 L& *u$@& #s.u#$0o M +#.o$"&*),n90
11.D D#.#*'os #n #l &$$#5lo &',")*o *$)s'&l)no #n los
"&'#$)&l#s<1
11.3 D#.#*'os +# l!n#& o
+)slo*&*)on#s.<2
11.7 D#.#*'os
un'u&l#s<(
11.< D#.#*'os +# su#$.)*)#..94
L!")'#s o Bo$+#s +# 5$&no..94
11.1; +#.#*'os )n'#$s')*)&l#s.95
11.1;.1 )"u$#0&s #n s,l)+os95
11.1;.2 In'#$s')*)&l97
11.1;.( D#.#*'o .$#nK#l..........97
11.1;./ D#.#*'o s*Ao''K-.97
11.11 D)slo*&*),n A#l)*o)+&l98
11.12 D)slo*&*)on#s ")N'&s..98
11.1( S)5n).)*&+o +# l&s +)slo*&*)on#s99
11.1/. Mo@)")#n'o &',")*o #n los "&'#$)&l#s...99
11.1/.1 D).us),n..99
11.1/.2 M#*&n)s"os +# +).us),n..99
D).us),n o$ @&*&n'#s..99
D).us),n )n'#$s')*)&l.99
D).us),n o$ )n'#$*&"B)o s)"l#99
11.1/.( En#$5!& +# &*')@&*),n &$& l& +).us),n.100
11.1/./ V#lo*)+&+ +# +).us),n O $)"#$& l#- +# .)*K100
11.1/.1 L& #n#$5!& +# &*')@&*),n - #l "#*&n)s"o +# +).us),n101
12. MECJNICA ESTADSTICA DE LOS CRISTALES..1;1
12.1 ESTRUCTURA CRISTALINA.102
Mono *$)s'&l...102
Pol) *$)s'&l..102
A"o$.os.102
12.2 8o$"&s - $o)#+&+#s +#l *$)s'&l......103
12.3TEORA DE BANDAS.1;1
12./ MODELO DE BANDAS ENER:HTICAS..1;D
12.5 Distribucin probabilstica de los electrones en las
bandas..107
12.D TEORA DE EINSTEIN..108
12.3 Con*#'os $)n*)&l#s.....108
12.3.1 R#l&')@)+&+ #s#*)&l..109
12.3.2 R#l&')@)+&+ 5#n#$&l109
12.7 8o$"&l)s"o +# l& '#o$!& +# l& $#l&')@)+&+110
P&$'!*ul&s..110
C&"os.111
M&5n)'u+#s .!s)*&s.111
12.< El )n'#$@&lo $#l&')@)s'&.112
12.1; EIu)@&l#n*)& "&s&O#n#$5!&..115
12.11 Es'&+!s')*&s +# Bos#OE)ns'#)n116
12.11.1 L& T#o$!& +# C&"o Un).)*&+&....116
INTRODUCCION
Los cuerpos slidos estn formados por tomos densamente empaquetados
con intensas fuerzas de interaccin entre ellos. los efectos de interaccin son
responsables de las propiedades mecnicas, trmicas, elctricas, magnticas y
pticas de los slidos.
Una caracterstica importante de la mayora de los slidos es su estructura
cristalina. Los tomos estn distribuidos en posiciones regulares que se repiten
regularmente de manera geomtrica. la distribucin especfica de los tomos
puede deberse a una variada gama de fuerzas. por ejemplo, algunos slidos
como el cloruro de sodio o sal comn se mantienen unidos por enlaces inicos
debidos a la interaccin electrosttica entre los iones que componen el
material. en otros, como el diamante, los tomos comparten electrones, lo que
da lugar a los llamados enlaces covalentes.
Las sustancias inertes, como el nen, no presentan ninguno de esos enlaces.
su existencia es el resultado de unas fuerzas de atraccin conocidas como
fuerzas de van der waals, as llamadas en honor al fsico holands Johannes
diderik van der waals. Estas fuerzas aparecen entre tomos neutros o
molculas como resultado de la polarizacin elctrica. los metales, se
mantienen unidos por lo que se conoce como gas electrnico, formado por
electrones libres de la capa atmica externa compartidos por todos los tomos
del metal y que definen la mayora de sus propiedades.
La mayora de los materiales slidos no metlicos con los que uno a diario esta
en contacto, encuentra que no hay diferencia caracterstica entre su forma
externa y la de casi todos los objetos metlicos. De aqu que resulte bastante
sorprendente para la mayora de la gente saber que los materiales metlicos
poseen una estructura cristalina, mientras que materiales como la madera,
plsticos, papel, vidrio y otros no la poseen, ste tipo de materiales tienen un
arreglo al azar en sus partculas de manera que logran rigidez a la temperatura
ambiente.
Se puede decir que un slido es un material que posee forma y volumen
definidos y que es una sustancia constituida por tomos metlicos, tomos no
metlicos, iones molculas.
Muchas de las propiedades de los metales tales como la densidad, dureza,
punto de fusin, conductividad elctrica y calorfica estn relacionadas con la
estructura cristalina y tambin con el enlace metlico. Sin embargo, ninguna
depende tanto de la estructura cristalina como las propiedades mecnicas tales
como la maleabilidad, ductilidad, resistencia a la tensin, temple y capacidad
de hacer aleaciones
3. ESTADO SOLIDO
1.1RESUMEN
La fsica del estado slido, rama de la fsica de la materia condensada,
trata sobre el estudio de la materia rgida, o slidos. Estudia las
propiedades fsicas de los materiales slidos utilizando disciplinas tales
como la mecnica cuntica, la cristalografa, el electromagnetismo y la
metalurgia fsica. Forma la base terica de la ciencia de materiales y su
desarrollo ha sido fundamental en el campo de las aplicaciones
tecnolgicas de microelectrnica al posibilitar el desarrollo de
transistores y materiales semiconductores.
La mayor parte de la investigacin en la teora de la fsica de estado
slido se centra en los cristales, en gran parte porque la periodicidad de
los tomos en un cristal, su caracterstica definitoria, facilita el modelado
matemtico, y tambin porque los materiales cristalinos tienen a menudo
caractersticas elctricas, magnticas, pticas, o mecnicas que pueden
ser explotadas para los propsitos de la ingeniera.
El marco de la mayora de la teora en la fsica de estado slido es la
formulacin (de la onda) de Schrdinger de la mecnica cuntica no
relativista. Un importante punto de partida para mucho anlisis es el
teorema de Bloch, que caracteriza las funciones de onda de electrones
en un potencial peridico. Puesto que el teorema de Bloch se aplica
solamente a los potenciales peridicos, y puesto que los incesantes
movimientos al azar de los tomos en un cristal interrumpen la
periodicidad, este uso del teorema de Bloch es solamente una
aproximacin, pero ha demostrado ser una aproximacin enormemente
valiosa, sin la cual la mayora del anlisis de la fsica de estado slido
seran insuperables. Las desviaciones de la periodicidad son tratadas
por la teora de perturbaciones de la mecnica cuntica.
Los slidos se pueden clasificar teniendo en cuenta el arreglo interno de
sus partculas, en amorfos y cristalinos.
1.2 OBJETIVO
Conocer por medio de la investigacin las propiedades de los slidos
4. POLMEROS
Qu son los ol!"#$os%
La materia est formada por molculas que pueden ser de tamao
normal o molculas gigantes llamadas polmeros.
Los polmeros se producen por la unin de cientos de miles de
molculas pequeas denominadas monmeros que constituyen
enormes cadenas de las formas ms diversas. Algunas parecen fideos,
otras tienen ramificaciones. Algunas ms se asemejan a las escaleras
de mano y otras son como redes tridimensionales.
Existen polmeros naturales de gran significacin comercial como el
algodn, formado por fibras de celulosas


C#lulos& #n l& "&+#$&E ol!"#$o n&'u$&l.
11.1. Pol!"#$os n&'u$&l#s
Son aquellos provenientes directamente del reino vegetal o
animal, como la seda, lana, algodn, celulosa, almidn, protenas,
caucho natural (ltex o hule), ?*)+os nu*l#)*os, como el ADN,
entre otros.
11.2. Pol!"#$os s#")s)n'')*os
Se obtienen por transformacin de polmeros naturales. Por
ejemplo, la nitrocelulosa o el caucho vulcanizado.

11.3. Pol!"#$os s)n'')*os
Son los transformados o "creados por el hombre. Estn aqu
todos los l?s')*os, los ms conocidos en la vida cotidiana son el
n-lon, el ol)#s')$#no, el ol)*lo$u$o +# @)n)lo PPVC4 y el
ol)#')l#no. La gran variedad de propiedades fsicas y qumicas de
estos compuestos permite aplicarlos en construccin, embalaje,
industria automotriz, aeronutica, electrnica, agricultura o
medicina.
C#lulos&: La celulosa es un hidrato de carbono que forman
las paredes de las clulas vegetales. Es el principal polmero
constituyente de las plantas y los rboles. La madera, el
papel y el algodn contienen celulosa. La celulosa es una
excelente fibra.
Al")+,n: es un polmero que se encuentra en las plantas y
que forma parte importante de la dieta humana. Alimentos
como el pan, el maz y las papas se encuentran llenos de
almidn.
S)")l)'u+#s - +).#$#n*)&s
El &l")+,n y la *#lulos& son dos polmeros muy similares,
ambos estn constituidas por el mismo monmero, la
5lu*os&. Lo nico que los diferencia es su estructura.
En el almidn, todas las unidades de glucosa repetidas
estn orientadas en la misma direccin. Pero en la celulosa,
cada unidad sucesiva de glucosa esta rotada 180 alrededor
del eje de la columna vertebral del polmero, en relacin a la
ltima unidad repetida.
En nuestro cuerpo existen enzimas especiales que rompen
el almidn en unidades de glucosa, as que nuestro cuerpo
puede quemarla para producir energa.
Si ests siguiendo una dieta sana, consigues as la mayor
parte de tu energa a partir del almidn. Pero el cuerpo
humano no tiene enzimas para destruir la celulosa y as
poder obtener la glucosa.
Algunos animales como las termitas, que comen madera, s
son capaces de romper la celulosa
Al")+,n C#lulos&
El almidn es soluble en agua caliente y con l pueden
hacerse tiles objeto La celulosa, por otra parte, es
altamente cristalina y prcticamente no se disuelve en nada.
El algodn es una forma de celulosa que empleamos en casi
toda nuestra ropa.
El hecho de que sea insoluble en agua caliente es
importante. De lo contrario, nuestra ropa se disolvera al
lavarla.
La celulosa posee tambin otra fantstica propiedad que
hace posible que se vuelva lisa y achatada cuando la
humedecemos y le pasamos una plancha caliente por
encima.
Esto hace que nuestra ropa de algodn se vea elegante (al
menos por un tiempo) pero no obstante permite una fcil
limpieza cada vez que la lavamos.
11.4. Pol)"#$)0&*),n
La reaccin por la cual se sintetiza un polmero a partir de sus
monmeros se denomina polimerizacin. Segn el mecanismo
por el cual se produce la reaccin de polimerizacin para dar
lugar al polmero, sta se clasifica como "polimerizacin por
pasos" o como "polimerizacin en cadena". En cualquier caso, el
tamao de la cadena depender de parmetros como la
temperatura o el tiempo de reaccin, teniendo cada cadena un
tamao distinto y, por tanto, una masa molecular distinta, de ah
que se hable de masa promedio del polmero.
2.4.1 Tipos de polimerizacin
Existen dos tipos fundamentales de polimerizacin:
Pol)"#$)0&*),n o$ *on+#ns&*),n.
En cada unin de dos monmeros se pierde una molcula
pequea, por ejemplo agua. Debido a esto, la masa molecular
del polmero no es necesariamente un mltiplo exacto de la
masa molecular del monmero. Los polmeros de
condensacin se dividen en dos grupos:
Los 2o"ool!"#$os.
Los Cool!"#$os.
2 HOOC--R1--NH2 <----> HOOC--R1--NH + OC--R1--NH2 +
H2O <----> HOOC--R1-NH--CO--R1--NH2 + H2O
Pol)"#$)0&*),n o$ &+)*),n.
En este tipo de polimerizacin a masa molecular del polmero
es un mltiplo exacto de la masa molecular del monmero
Suelen seguir un mecanismo en tres fases, con ruptura
hemoltica:
In)*)&*),n: CH2=CHCl + catalizador CH2CHCl
P$o&5&*),n o *$#*)")#n'o: 2 CH2CHCl CH2CHCl
CH2CHCl
11.5. Propiedades fsicas de los polmeros.
Estudios de difraccin de rayos X sobre muestras de polietileno
comercial, muestran que este material, constituido por molculas
que pueden contener desde 1.000 hasta 150.000 grupos CH2
CH2 presentan regiones con un cierto ordenamiento cristalino, y
otras donde se evidencia un carcter amorfo: a stas ltimas se
les considera defectos del cristal. En este caso las fuerzas
responsables del ordenamiento casi cristalino, son las llamadas
fuerzas de van der Waals. En otros casos (nylon 66) la
responsabilidad del ordenamiento recae en los enlaces de H. La
temperatura tiene mucha importancia en relacin al
comportamiento de los polmeros. A temperaturas ms bajas los
polmeros se vuelven ms duros y con ciertas caractersticas
vtreas debido a la prdida de movimiento relativo entre las
cadenas que forman el material. La temperatura en la cual funden
las zonas cristalinas se llama temperatura de fusin (Tf) Otra
temperatura importante es la de descomposicin y es conveniente
que sea bastante superior a Tf.
11.6. Las propiedades mecnicas
Son una consecuencia directa de su composicin as como de la
estructura molecular tanto a nivel molecular como supermolecular.
Actualmente las propiedades mecnicas de inters son las de los
materiales polmeros y stas han de ser mejoradas mediante la
modificacin de la composicin o morfologa por ejemplo, cambiar
la temperatura a la que los polmeros se ablandan y recuperan el
estado de slido elstico o tambin el grado global del orden
tridimensional. Normalmente el incentivo de estudios sobre las
propiedades mecnicas es generalmente debido a la necesidad
de correlacionar la respuesta de diferentes materiales bajo un
rango de condiciones con objeto de predecir el desempeo de
estos polmeros en aplicaciones prcticas. Durante mucho tiempo
los ensayos han sido realizados para comprender el
comportamiento mecnico de los materiales plsticos a travs de
la deformacin de la red de polmeros reticulados y cadenas
moleculares enredadas, pero los esfuerzos para describir la
deformacin de otros polmeros slidos en trminos de procesos
operando a escala molecular son ms recientes. Por lo tanto se
considerarn los diferentes tipos de respuesta mostrados por los
polmeros slidos a diferentes niveles de tensin aplicados;
elasticidad, viscoelasticidad, flujo plstico y fractura.
11.7. Cl&s).)*&*),n +# los ol!"#$os
Existen varias formas posibles de clasificar los polmeros, sin que
sean excluyentes entre s.
b. Segn su origen
Polmeros naturales. Existen en la naturaleza muchos polmeros
y las biomolculas que forman los seres vivos son
macromolculas polimricas. Por ejemplo, las protenas, los
cidos nucleicos, los polisacridos (como la celulosa y la
quitina), el hule o caucho natural, la lignina, etc.
Polmeros semisintticos. Se obtienen por transformacin de
polmeros naturales. Por ejemplo, la nitrocelulosa, el caucho
vulcanizado, etc.
Polmeros sintticos. Muchos polmeros se obtienen
industrialmente a partir de los monmeros. Por ejemplo, el
nylon, el poliestireno, el Policloruro de vinilo (PVC), el
polietileno, etc.
B. S#56n su "#*&n)s"o +# ol)"#$)0&*),n
En 1929 Carothers propuso la siguiente clasificacin:
Pol!"#$os +# *on+#ns&*),n. La reaccin de
polimerizacin implica a cada paso la formacin de una
molcula de baja masa molecular, por ejemplo agua.
Pol!"#$os +# &+)*),n. La polimerizacin no implica la
liberacin de ningn compuesto de baja masa molecular.
Esta polimerizacin se genera cuando un "catalizador", inicia
la reaccin. Este catalizador separa la unin doble carbono
en los monmeros, luego aquellos monmeros se unen con
otros debido a los electrones libres, y as se van uniendo
uno tras uno hasta que la reaccin termina.
Pol!"#$os .o$"&+os o$ $#&**),n #n *&+#n&. Se requiere
un iniciador para comenzar la polimerizacin; un ejemplo es
la polimerizacin de alquenos (de tipo radicalario). En este
caso el iniciador reacciona con una molcula de monmero,
dando lugar a un radical libre, que reacciona con otro
monmero y as sucesivamente. La concentracin de
monmero disminuye lentamente. Adems de la
polimerizacin de alquenos, incluye tambin polimerizacin
donde las cadenas reactivas son iones (polimerizacin
catinica y aninica).
Pol!"#$os .o$"&+os o$ $#&**),n o$ #'&&s. El peso
molecular del polmero crece a lo largo del tiempo de
manera lenta, por etapas. Ello es debido a que el monmero
desaparece rpidamente, pero no da inmediatamente un
polmero de peso molecular elevado, sino una distribucin
entre dmeros, trmeros, y en general, oligmeros;
transcurrido un cierto tiempo, estos oligmeros empiezan a
reaccionar entre s, dando lugar a especies de tipo
polimrico. Esta categora incluye todos los polmeros de
condensacin de Carothers y adems algunos otros que no
liberan molculas pequeas pero s se forman
gradualmente, como por ejemplo los poliuretanos.
C. Segn su composicin qumica
Polmeros orgnicos. Posee en la cadena principal tomos
de carbono.
Polmeros orgnicos vinlicos. La cadena principal de sus
molculas est formada exclusivamente por tomos de
carbono.
Dentro de ellos se pueden distinguir:
Poliolefinas, formados mediante la polimerizacin de
olefinas.
Ejemplos: polietileno y polipropileno.
Polmeros estirnicos, que incluyen al estireno entre
sus monmeros.
Ejemplos: poliestireno y caucho estireno-butadieno.
Polmeros vinlicos halogenados, que incluyen
tomos de halgenos (cloro, flor...) en su
composicin.
Ejemplos: PVC y PTFE.
Polmeros acrlicos. Ejemplos: PMMA.
Polmeros orgnicos no vinlicos. Adems de
carbono, tienen tomos de oxgeno o nitrgeno en
su cadena principal.
Algunas sub-categoras de importancia:
Polisteres
Poliamidas
Poliuretanos
Polmeros inorgnicos. Entre otros:
Basados en azufre. Ejemplo: polisulfuros.
Basados en silicio. Ejemplo: silicona.
D. Segn sus aplicaciones
Atendiendo a sus propiedades y usos finales, los polmeros
pueden clasificarse en:
Elastmeros. Son materiales con muy bajo mdulo de
elasticidad y alta extensibilidad; es decir, se deforman
mucho al someterlos a un esfuerzo pero recuperan su
forma inicial al eliminar el esfuerzo. En cada ciclo de
extensin y contraccin los elastmeros absorben energa,
una propiedad denominada resiliencia.
Plsticos. Son aquellos polmeros que, ante un esfuerzo
suficientemente intenso, se deforman irreversiblemente, no
pudiendo volver a su forma original. Hay que resaltar que
el trmino plstico se aplica a veces incorrectamente para
referirse a la totalidad de los polmeros.
Fibras. Presentan alto mdulo de elasticidad y baja
extensibilidad, lo que permite confeccionar tejidos cuyas
dimensiones permanecen estables
.Recubrimientos. Son sustancias, normalmente lquidas,
que se adhieren a la superficie de otros materiales para
otorgarles alguna propiedad, por ejemplo resistencia a la
abrasin.
Adhesivos. Son sustancias que combinan una alta
adhesin y una alta cohesin, lo que les permite unir dos o
ms cuerpos por contacto superficial.
E. Segn su comportamiento al elevar su temperatura
Para clasificar polmeros, una de las formas empricas ms
sencillas consiste en calentarlos por encima de cierta
temperatura. Segn si el material funde y fluye o por el contrario
no lo hace se diferencian dos tipos de polmeros:
Termoplsticos, que fluyen (pasan al estado lquido) al
calentarlos y se vuelven a endurecer (vuelven al estado
slido) al enfriarlos. Su estructura molecular presenta
pocos (o ningn) entrecruzamientos. Ejemplos: polietileno
(PE), polipropileno (PP), cloruro de polivinilo PVC.
Termoestables, que no fluyen, y lo nico que conseguimos
al calentarlos es que se descompongan qumicamente, en
vez de fluir. Este comportamiento se debe a una estructura
con muchos entrecruzamientos, que impiden los
desplazamientos relativos de las molculas.
Elastmero, plsticos con un comportamiento elstico que
pueden ser deformados fcilmente sin que se rompan sus
enlaces no modifique su estructura.

11.8. 8UNDAMENTOS DE LA CIENCIA 9 TECNOLO:A DE
LOS POLIMEROS.
Los polmeros se sintetizan mediante la unin de muchas
molculas pequeas para formar molculas muy grandes,
llamadas macromolculas, las cuales poseen una estructura en
forma de cadena. Las pequeas unidades llamadas monmeras,
son generalmente molculas orgnicas insaturadas simples como
el etileno, C2H4. Los tomos se mantienen unidos en est
molcula por medio enlaces covalentes, y cuando se unen para
formar el polmero, esos mismos enlaces mantienen unidos a los
eslabones de la cadena. Por tanto, cada molcula grande se
caracteriza por sus enlaces primarios fuertes. La sntesis de la
molcula de polietileno se describe en la Fig. 1 el polietileno, tal
como hemos descrito su estructura, es un polmero lineal y sus
componentes forman una cadena muy larga.
Una masa de material polmero consiste en muchas
macromolculas. Para visualizar la relacin que existe entre las
molculas individuales y el material en su conjunto, se usa
frecuentemente la analoga de un tazn lleno de espagueti recin
cocinado (sin salsa). El enmaraado entre las largas tiras ayuda
a mantener la masa junta, no obstante, los enlaces atmicos son
ms significativos. El enlace entre las macromolculas y la masa
se debe a las fuerzas fe Van der Waals y a otros enlaces
secundarios. Por consiguiente, el material polimrico se mantiene
unido mediante fuerzas que son sustancialmente ms dbiles que
los enlaces primarios. Esto explica la causa de los plsticos en
general no sean tan rgidos y fuertes como los metales o los
materiales cermicos.
8)5u$& 1 Sntesis del polietileno a partir de monmeros de
etileno. (1) n monmeros de etileno producen en (2 a) una
cadena de longitud n; (2b) notacin concisa para describir la
cadena de longitud n

Un polmero termoplstico se suaviza cuando se calienta. La
energa calorfica provoca que las macromolculas se agiten
trmicamente y s exciten para moverse entre ellas a travs de la
masa del polmero (aqu se aplican la analoga del tazn de
espagueti), con lo cual el material comienza a comportarse como
un lquido viscoso; y al aumentar la temperatura, la viscosidad
decrece (o la fluidez se incrementa).

11.9. POLIMERI=ACI>N POR PASOS.
En esta forma de polimerizacin se unen dos monmeros
reaccionantes para formar una nueva molcula del compuesto
deseado. En la mayora de los procesos de polimerizacin por
pasos (ms no en todos), se produce tambin un subproducto de
la reaccin.
El subproducto tpico es el agua, la cual se condensa; de aqu
que se use frecuentemente el trmino de polimerizacin de
condensacin para los procesos que producen un condensado. Al
continuar la reaccin se combinan ms molculas de los reactivos
con las molculas que se sintetizaron primero para formar
polmeros de longitud n = 2, despus los polmeros de longitud n
= 3, y as sucesivamente. De esta forma se crean lentamente,
paso a paso, polmeros de longitudes n creciente. Adems de
esta elongacin gradual de las molculas, los polmeros
intermedios de longitud n1 y n2 tambin se combinan para formar
molculas n = n1 + n2 de manera que ambos tipos de reacciones
ocurren simultneamente una vez que el proceso est en marcha,
como se ilustra en la figura 10.4. por consiguiente, en cualquier
punto del proceso el lote contiene polmeros de varias longitudes.
Y solamente despus que ha transcurrido el tiempo suficiente las
molculas tienen una longitud adecuada.



8)5u$& / Modelo de polimerizacin por pasos mostrando los dos
tipos de reacciones que tienen lugar: (a) un mero-n unido a otro
mero sencillo para formar un mero-(n+1); (b) un mero-n1
combinado con un mero-n2 para formar un mero-(n1+ n2). La
secuencia se muestra por (1) y (2).
12. ENLACE QUMICO
(.1 CONCEPTO
Fuerza entre los tomos que los mantiene unidos en las molculas.
Cuando dos o ms tomos se acercan lo suficiente, puede producirse
una fuerza de atraccin entre los electrones de los tomos individuales y
el ncleo de otro u otros tomos. Si esta fuerza es lo suficientemente
grande para mantener unidos los tomos, se dice que se ha formado un
enlace qumico. Todos los enlaces qumicos resultan de la atraccin
simultnea de uno o ms electrones por ms de un ncleo.
(.2 T)os +# #nl&*# - $o)#+&+E
El comportamiento qumico de los slidos, lquidos y gases que
nos rodean est determinado por las formas en que los tomos
se unen entre s, lo que a su vez depende de las interacciones
entre sus electrones ms externos. Los electrones pueden
transferirse de un tomo a otro (enlace inico), compartirse
entre tomos vecinos (enlace covalente) o moverse libremente
de tomo en tomo (enlace metlico). El moderno conocimiento
de la estructura y comportamiento de la materia a escala
atmica explica con xito las propiedades de la materia a gran
escala.
Los tomos se unen entre s para formar molculas mediante
fuerzas de enlace. Los tipos fundamentales de enlace son el
inico, el covalente y el metlico. A continuacin se describen
cada uno de los tipos de enlace y sus caractersticas
principales.
(.2.1 Enl&*# "#'?l)*o:
La plata, un metal tpico, consiste en una formacin regular
de tomos de plata que han perdido cada uno un electrn
para formar un ion plata. Los electrones negativos se
distribuyen por todo el metal formando enlaces no
direccionales o des localizados con los iones plata positivos.
Esta estructura, conocida como enlace metlico, explica las
propiedades caractersticas de los metales: son buenos
conductores de la electricidad al estar los electrones libres
para moverse de un sitio a otro, y resultan maleables (ver
arriba) porque sus iones positivos se mantienen unidos por
fuerzas no direccionales.
(.2.2 Enl&*# *o@&l#n'#E
En un enlace covalente, los dos tomos enlazados
comparten electrones. Si los tomos del enlace covalente
son de elementos diferentes, uno de ellos tiende a atraer a
los electrones compartidos con ms fuerza, y los electrones
pasan ms tiempo cerca de ese tomo; a este enlace se le
conoce como covalente polar. Cuando los tomos unidos por
un enlace covalente son iguales, ninguno de los tomos
atrae a los electrones compartidos con ms fuerza que el
otro; este fenmeno recibe el nombre de enlace covalente no
polar o apolar
.
(.2.( Enl&*# ),n)*oE
El enlace entre los tomos en la sal comn (cloruro de sodio)
es un tpico enlace inico. En el enlace que se forma, el
sodio se transforma en catin (ion de carga positiva)
entregando su electrn de valencia al cloro, que se convierte
en anin (ion de carga negativa). Este intercambio de
electrones se refleja en la diferencia de tamao entre los
tomos antes y despus del enlace (izquierda). Atrados por
fuerzas electrostticas (derecha), los iones se organizan
formando una red cristalina en la que cada uno es
fuertemente atrado hacia un grupo de 'vecinos prximos' de
carga opuesta y, en menor medida, hacia todos los dems
iones de carga opuesta a travs de todo el cristal.
(.( V&l#n*)&
En la mayora de los tomos, muchos de los electrones son
atrados con tal fuerza por sus propios ncleos que no pueden
interaccionar de forma apreciable con otros ncleos. Slo los
electrones del 'exterior' de un tomo pueden interaccionar con dos
o ms ncleos. A estos se les llama electrones de valencia.
El nmero de electrones de valencia de un tomo es igual al
nmero de su familia (o grupo) en la tabla peridica, usando slo la
antigua numeracin romana. As, tenemos un electrn de valencia
para los elementos de los grupos 1 (o A) y 11 (o B); dos
electrones de valencia para los elementos de los grupos 2 (o A) y
12 (o B), y cuatro para los elementos de los grupos 4 (o VB) y 14
(o VA). Todos los tomos de los gases nobles excepto el helio (o
sea: nen, argn, criptn, xenn y radn) tienen ocho electrones de
valencia. Los elementos de las familias (grupos) cercanas a los
gases nobles tienden a reaccionar para adquirir la configuracin de
ocho electrones de valencia de los gases nobles. Esto se conoce
como la regla del octeto de Lewis, que fue enunciada por el
qumico estadounidense Gilbert N. Lewis.

(./ R#son&n*)&
Una extensin interesante de la estructura de Lewis, llamada
resonancia, se encuentra por ejemplo en los iones nitrato, NO
3
-
.
Cada N tiene originalmente cinco electrones de valencia, cada O
tiene seis, y uno ms por la carga negativa, suman un total de 24
(5 + (3 6) + 1) electrones para cuatro tomos. Esto proporciona
un promedio de seis electrones por tomo, por tanto, si se aplica la
regla del octeto de Lewis, debe producirse un enlace covalente. Se
sabe que el tomo de nitrgeno ocupa una posicin central
rodeado por los tres tomos de oxgeno, lo que proporcionara una
estructura de Lewis aceptable, excepto porque existen tres
estructuras posibles. En realidad, slo se observa una estructura.
Cada estructura de resonancia de Lewis sugiere que debe haber
dos enlaces simples y uno doble. Sin embargo, los experimentos
han demostrado que los enlaces son idnticos en todos los
sentidos, con propiedades intermedias entre las observadas para
los enlaces simples y los dobles en otros compuestos. La teora
moderna sugiere que una estructura de electrones compartidos
localizados, tipo Lewis, proporcionara la forma y simetra general
de la molcula ms un grupo de electrones deslocalizados
(representados por puntos) que son compartidos por toda la
molcula.
13. ENER:IA DE CO2ESION DE LOS SOLIDOS


Energa de cohesin en Cristales

Alcalinos Alcalinos
trreos
Metales de transicin
Post
Gases
nobles
Halgenos
Metales
Nobles
(Cu,Ag,Au)
Metales de transicin
trans.
Tierras raras
/.1Cl&s).)*&*),nE
- Basada en las propiedades de conduccin:
metales,
aisladores,
semiconductores
{
Tipos de uniones
- Basada en la configuracin de electrones de valencia
Elementos
Metlica
!ovalente
{
"
Elementos
!ompuestos
!ovalente
#an der $aals
Molecular
Las mismas % inica
{
"

&r
!l'
!
'
unin metlica
Coalente
d!
Co. "
d!

Metlica
Los electrones se mueven li(remente a
trav)s del material
Metal
Modelo de gas de electrones li(resModelo de gas de electrones li(res
L
*a: +s ,s ,p -s
, , . +
Los electrones de
conduccin
forman el gas
!ovalente
/ensidad electrnica locali0ada entre
tomos vecinos formando 1(onds2

E3.: !, 4i, 5e
Molecular
/ensidad electrnica locali0ada alrededor de los tomos.
4e mantienen las caractersticas atmicas o moleculares.
5ases *o(les
6fcc7 !l
,

Enlace puente 8idrogeno
Estructura cristalina
del 8ielo
a 9 :.;<,- nm
c 9 :.=-.= nm.
c>a 9 +..,? 6+..--7
@actor de llenado: :.-;
del 8ielo
Anica
/ensidad electrnica locali0ada alrededor de
los tomos formado iones
*a *a % e
% -
!l % e
-
!l
-


E
co8esin
9 E
tomos li(res
B E
cristal




!oncentr)monos en los
gases no(les
@orman cristales con
estructura fcc
@uer0a responsa(le de la
co8esion de un gas no(leCCC
Energa de interaccin del dmero de argn


/.( In'#$&**),n +# @&n +#$ Q&&ls
Do8annes van der
$aals
dipolo inducido B dipolo inducido
Eotencial atractivo de origen cuntico
#6F7 G F#6F7 G F
-.
.
,
,
- G 7 6
: inducidos dipolos dos entre Eotential
F
!
E E p F #
Potencial de Lennard-Jones
4ir Do8n EdHard
Lennard-Dones
Eotencial repulsivo emprico


Eropiedades de los cristales CC
Eor e3emplo:
- !onstante de red C
- Energa de co8esin C
- Modulo de (ulI C




/./Co"u#s'os ),n)*os
* mol)culas
,* iones
#
Na $ Cl tienen %
" &
'rimeros ecinos
/onde es el numero de primeros vecinos
!onstante de
Madelung



se'aracin de
e(uilibrio
)* l d l d
)nerg*a de Madelung
)nerg*a total de la red



4.5 ENLACE COVALENTE



+CA,
Molcula H
-
"
+CA,
J9 c
+
K
+
% c
,
K
,
K
i
or(ital +s
centrado en el
nLcleo i






F
o
Fesultado eMacto:
Fo 9 +.:. &
/e 9 ,.=N e#
L!&OL!&O:
/
e
Fo 9 +.-, &
/e 9 +.== e#
L!&O con or(itales s y p:
Fo 9 +.:. &
/e 9 ,.=+ e#
Eotencial clsico para la simulacin de mol)culas:
#6F7 9 / 6+ B e
e
-P6F-Fo7
7
Eotencial de
Morse
Molcula H
-
F
&
F
B
r
+
r
,
F
"
"
e
&
e
&


A'ro.imacin de Heitler/+ondon (0alence 1ond)
or(ital +s
Adem para B
La funcin de onda del sistema con , electrones la escri(imos:
*otar Que:
Condicin de antisimetr*a 222
spin de los electrones
La funcin de onda
puede escri(irse:


Las constantes de
normali0acin son:
La energa se calcula como el valor de eMpectacin de R La energa
se calcula como el valor de eMpectacin de R
donde
Antegral de
coulom(
Antegral de
intercam(io
!ul es menor o C
/epende del signo de
S
S: para R
,


La aproM. de Reitler-London involucra solo configuraciones,
denominadas de valence (ond, donde un electrn est alrededor
del nLcleo & y el otro alrededor del nLcleo B
Comentario
/urante el movimiento de los electrones puede ocurrir Que los dos
electrones est)n en or(itales alrededor del mismo nLcleo atmico
6configuraciones inicas7
A'ro.imacin de Hund&Mulli3en (orbitales moleculares)
Feempla0ar en el caso anterior las funciones de onda atomicas
6T
&
y T
B
7 por or(itales moleculares de un electron
La funcin de onda del estado fundamental Queda:
Esta funcin de onda incluye configuraciones covalentes
6valence (ond7 y ionicas con el mismo peso.


EMperimental:
Fo 9 :.=; &
/e 9 ;.=, e#
Reitler-London:
Fo 9 :.?: &
/e 9 -.,: e#
Rund-MulliIen :
Fo 9 :.?: &
/e 9 ,..? e#
U variacional :
Fo 9 :.=;N &
/e 9 ;.::e#
2. Mol*ul&s ol)&',")*&s
Ao"onu*l#&$#s
Ero(lema :
comparar para una
mol)cula triatmica
lineal triangular


Los niveles se u(ican de a pares
EMcepcin: el de menor y algunas veces el de mayor energa
*umero de nodos de la funcin de onda aumenta con la energa V
Cristal monoatmico unidimensional
condiciones peridicas de contorno:
J6 M % * a 7 9 6 M 7 6 7 6 7 J
345 bonding (orbitales atomicos en 6ase)
3478a antibonding (orbitales atomicos en anti6ase)
otros 3 estados en el medio
9 : 78a no ;a$ nueos estados debido a la 'eriodicidad

Fango de valores de I: -W>a S I S W>a 6+ 0ona Brillouin7
!uantos I diferentes 8ay C
Tantos como tomos en el cristal 6 +:
,-
>cm 7
-
E6I7 E6 I7 E6I7 9 E6-I7
- tomos
% tomos
<5
-=
tomos



Construccin de orbitales moleculares a 'artir de orbitales '
)nlace X
E3.: @
,
@: +s ,s ,p0 ,py ,pM
, , , , +





,rbitales moleculares del ,
-



M,+)C>+A?
H)T)#,N>C+A#)?
MO diagram for HF



3. O$B)'&l#s A!B$)+os
La 8i(ridi0acion es una L!&O pertenecientes a un mismo tomo
para formar otros or(itales atmicos Que reci(e el nom(re de
orbitales ;*bridos. orbitales ;*bridos.
4on muy Ltiles para eMplicar la estereoQumica de las mol)culas
,#1@TA+)? H@1#@A,? ?P



,#1@TA+)? H@1#@A,? ?P
-
Benceno
enlaces W


,#1@TA+)? H@1#@A,? ?P
=
14. ESTRUCTURAS DE LOS CRISTALES
En mineraloga y cristalografa , la estructura de cristal es un arreglo
nico de los tomos o molculas en un cristalino lquido o slido . Una
estructura de cristal se compone de un patrn, un conjunto de tomos
dispuestos de una manera particular, y una red exhibir orden de largo
alcance y la simetra. Los patrones se encuentran en los puntos de una
red , que es una matriz de puntos de repeticin peridica en tres
dimensiones. Los puntos pueden ser considerados como formando
pequeas cajas idnticas, llamadas clulas de la unidad, que llenan el
espacio de la red. Las longitudes de los bordes de la celda unidad y los
ngulos entre ellos se llaman los parmetros de red . La simetra de las
propiedades del cristal se incorporan en su grupo espacial .
La estructura de un cristal y la simetra juega un papel determinante en muchas
de sus propiedades fsicas, tales como divisin , estructura de bandas
electrnicas , y transparencia ptica .
Insul)n& *$)s'&l#s
3.1 UNIDAD DE LA CELULA
La estructura cristalina de un material o la disposicin de los tomos
dentro de un determinado tipo de estructura cristalina puede ser descrita
en trminos de su celda unidad. La celda unidad es una pequea caja
que contiene uno o ms tomos, una disposicin espacial de los tomos.
Las clulas de la unidad apilados en un espacio tridimensional describir
la disposicin a granel de los tomos del cristal. La estructura de cristal
tiene una forma tridimensional. La celda unidad est dada por sus
parmetros de red que son la longitud de los bordes de la celda y los
ngulos entre ellos, mientras que las posiciones de los tomos dentro de
la celda unidad son descritos por el conjunto de las posiciones de los
tomos (x
i,
y
i,

i
) medida desde un punto de la red.

!L(ica simple 6E7

!entrada en el cuerpo cL(ico 6A7

Centrado en las caras cbicos (F)

7.1.2 NDCES DE MLLER
Planos con diferentes ndices de Miller en cristales cbicos
Vectores y planos atmicos en una red cristalina puede ser descrita por
un valor de tres Miller ndice de notacin (L mn). Los ndices de L, m y n
de direccin estn separados por 90 , por lo que son ortogonales. De
hecho, el componente L es perpendiculares entre s, a los ndices m y n.
Por definicin, (L mn) representa un plano que intercepta los tres puntos
a
1
/ L, una.
2
/ m, y un
3
/ n, o algunos de sus mltiplos Es decir, los
ndices de Miller son proporcionales a los inversos de las intersecciones
del plano con la clula de la unidad (en la base de los vectores de la
red). Si uno o ms de los ndices es igual a cero, simplemente significa
que los aviones no se cortan ese eje (es decir, la interseccin es "en el
infinito").
Considerando solamente (L mn) planos que se cortan uno o ms puntos
de la red (los planos de red), la distancia d perpendicular entre planos
reticulares adyacentes se relaciona con la (corta) red recproca vector
ortogonal a los planos por la frmula:
7.1.3 PLANES Y DRECCONES
Las direcciones cristalogrficas son ficticios lneas que une los nodos (
tomos , iones o molculas ) de un cristal. Del mismo modo, la
cristalografa aviones son aviones ficticia que une los nodos. Algunas
direcciones y los aviones tienen una mayor densidad de nodos. Estos
aviones de alta densidad tienen una influencia en el comportamiento del
cristal de la siguiente manera:
Las propiedades pticas : ndice de refraccin est directamente
relacionada con la densidad (o fluctuaciones peridicas de densidad).
Adsorcin y reactividad : reacciones de adsorcin fsica y qumica se
producen en la superficie o cerca de los tomos o molculas. Estos
fenmenos son por lo tanto sensible a la densidad de los nodos.
La tensin superficial : La condensacin de un material significa que
los tomos, iones o molculas son ms estables si estn rodeados
de otras especies similares. La tensin superficial de una interfaz de
lo que vara en funcin de la densidad en la superficie.
D#nsos l&nos *$)s'&lo5$?.)*os
Microestructural defectos : Los poros y cristales tienden a tener
fronteras hacia los cereales debido a la densidad de los planos
superiores.
Divisin : Esto normalmente se produce preferentemente en paralelo
a los planos de mayor densidad.
Deformacin plstica : Luxacin deslizamiento se produce
preferentemente en paralelo a los planos de mayor densidad. La
perturbacin llevada por la dislocacin ( Hamburguesas vector ) es
denso a lo largo de una direccin. El cambio de un nodo en una
direccin ms densa requiere una distorsin menor de la red
cristalina.
En los sistemas rombodrico, hexagonal, tetragonal y, el plano basal es
el plano perpendicular al eje principal.
3.1./ ESTRUCTURAS CCBICAS
Para el caso especial de simples cristales cbicos, los vectores de la red
son ortogonales y de igual longitud (por lo general denota a), de manera
similar a la red recproca. Por lo tanto, en este caso comn, los ndices
de Miller (L mn) y [L mn] tanto slo denotan normales / direcciones en
coordenadas cartesianas . Para cristales cbicos con una constante de
red, la separacin d entre adyacentes (L mn) planos reticulares es
(desde arriba):
Debido a la simetra de los cristales cbicos, es posible cambiar el lugar
y signo de los nmeros enteros y tienen direcciones equivalentes y
aviones:
Coordenadas entre parntesis angulares, como <100> denotan una
familia de direcciones que son equivalentes debido a las operaciones
de simetra, como [100], [010], [001] o la forma negativa de
cualquiera de esas direcciones.
Coordenadas en llaves o llaves, como {100} denotan una familia de
avin normales que son equivalentes debido a las operaciones de
simetra, de manera muy parntesis angulares indican una familia de
direcciones.
Por la cara cbica centrada (FCC) y centrada en el cuerpo cbico
celosas (BCC), los vectores de la red primitiva no son ortogonales. Sin
embargo, en estos casos, los ndices de Miller que convencionalmente
se define en relacin a los vectores de la red de la cbica superclula y
por lo tanto, de nuevo, simplemente la direcciones cartesianas
3.2CLASI8ICACI>N
La propiedad definitoria de un cristal es su simetra inherente, por lo cual
queremos decir que bajo ciertas 'operaciones' que el cristal se mantiene
sin cambios. Por ejemplo, al girar el cristal de 180 alrededor de un eje
determinado puede resultar en una configuracin atmica, que es
idntica a la configuracin original. El cristal entonces se dice que tienen
una simetra doble rotacin en torno a este eje. Adems de las simetras
de rotacin de este tipo, un cristal puede tener simetras en forma de
planos de simetra y la simetra de traslacin , y tambin el llamado
"simetras compuesto", que son una combinacin de la traduccin y las
simetras de rotacin / espejo. Una clasificacin completa de un cristal
se consigue cuando todas estas simetras inherentes del cristal se
identifican.
[1]

7.2.1 TEJDO DE SSTEMAS
Estos sistemas de red son un conjunto de estructuras cristalinas de
acuerdo con el sistema axial se utiliza para describir su red. Cada
sistema de red se compone de un conjunto de tres ejes en una
disposicin geomtrica particular. Existen siete sistemas de red. Que son
similares pero no exactamente lo mismo que los siete sistemas
cristalinos y las seis familias de cristal .
LOS 3 SISTEMAS
DE RED
PDE MENOS A MJS
SIMHTRICA4
EL 1/ DE BRAVAIS REJAS EJEMPLOS
1. TRCLNCO
(NNGUNO)
2. MONOCLNCA
(1 DAD)
SMPLE
BASE DE
CENTRADO
3.
ORTORRMBCA
(3 DADS
PERPENDCULAR)
SMPLE
BASE DE
CENTRADO
CENTRADA
EN EL
CUERPO
CENTRADO
EN LAS
CARAS
4.
ROMBODRCOS
(1 TRADA)
5. TETRAGONAL
(1 TTRADA)
SMPLE CENTRADA
EN EL
CUERPO
6. HEXAGONAL
(1 HEXAD)
7. CBCOS
(4 TRADAS)
SMPLE
(SC)
CENTRADA
EN EL
CUERPO
(BCC)
CENTRADO
EN LAS
CARAS
(FCC)
La forma ms simple y simtrica, la mayora de los cbicos (o
isomtrico) del sistema, tiene la simetra de un cubo , es decir, presenta
cuatro ejes de rotacin triple orientado a 109,5 (el ngulo tetradrico)
con respecto a la otra. Estos ejes se encuentran a lo largo de tres de las
diagonales del cuerpo del cubo. Los otros seis sistemas de red, son
hexagonales , tetragonales , rombodrica (a menudo confundido con el
sistema cristalino trigonal ), ortorrmbico , monoclnico y triclnico .
3.2.2 C,,#A@NAC@BN ATBM@CA
Al considerar la disposicin de los tomos entre s, sus nmeros de
coordinacin (o el nmero de vecinos ms prximos), las distancias
interatmicas, tipos de enlaces, etc, es posible hacerse una idea general
de las estructuras y formas alternativas de visualizacin de entonces.
HCP red (izquierda) y la red fcc (derecha).
7.2.3 CERCA DE EMBALAJE
Los principios en juego se puede entender teniendo en cuenta la forma
ms eficiente de embalaje junto esferas de igual tamao y apilado de
empaquetamiento planos atmicos en tres dimensiones. Por ejemplo, si
un avin se encuentra por debajo de B avin, hay dos formas posibles
de colocar un tomo adicional en la parte superior de la capa B. Si una
capa adicional se coloca directamente sobre el plano A, esto dara lugar
a las siguientes series:
... ABABABAB ....
Este tipo de estructura cristalina que se conoce como #"B&l&L#
A#N&5on&l PA*4.
Sin embargo, si los tres planos se alternan entre s y no es hasta la
cuarta capa se coloca directamente sobre el plano A que la secuencia se
repite, entonces la secuencia siguiente cuestin:
... ABCABCABC ...
Este tipo de estructura cristalina que se conoce como #"B&l&L# *6B)*o
PPCCA4
La celda unidad de la organizacin del PCCh es la cara cbica centrada
(FCC) de la celda unitaria. Esto no es inmediatamente evidente que las
capas apretadas son paralelos a los planos {111} de la celda unidad de
la FCC. Hay cuatro diferentes orientaciones de las apretadas capas.
La #.)*)#n*)& +# #"B&l&L# podra ser resuelto mediante el clculo del
volumen total de las esferas y dividiendo el resultado por el volumen de
la celda de la siguiente manera:
La eficiencia de empaque del 74% es la mxima densidad posible en las
clulas de la unidad construida de esferas de un solo tamao. Mayora
de las formas cristalinas de los elementos metlicos son hcp, fcc, o CCO
(centrada en el cuerpo cbico). El nmero de coordinacin de hcp y fcc
tiene 12 aos y su factor de embalaje atmica (APF) es el nmero
mencionado anteriormente, 0,74. La APF de la BCC es de 0,68 para la
comparacin.
7.2.4 Bravais celosas
Cuando los sistemas de cristal se combinan con las cimbras red varias
posibles, llegamos a la redes de Bravais . Ellos describen la disposicin
geomtrica de los puntos de la red, y por lo tanto la simetra de
traslacin del cristal. En tres dimensiones, hay 14 redes de Bravais
nicos que son distintos el uno del otro en la simetra de traslacin que
contienen. Todos los materiales cristalinos reconocida hasta ahora (sin
incluir los casi cristales ) encajan en uno de estos acuerdos. El 1403-
dimensional celosas, clasificados por el sistema de cristal, se muestran
arriba. Las redes de Bravais se refieren a veces como celosas espacio.
La estructura cristalina consiste en el mismo grupo de tomos, la base,
situada en torno a punto de la red todos y cada uno. Este grupo de
tomos por lo tanto, se repite indefinidamente en tres dimensiones de
acuerdo a la disposicin de una de las 14 redes de Bravais. La rotacin
caracterstica y simetras espejo del grupo de tomos, o celda unidad ,
es descrito por su grupo de puntos cristalogrficos .
7.2.5 Los grupos de puntos
El grupo de puntos cristalogrficos o clase de cristal es el grupo de
matemticos que comprende las operaciones de simetra que dejan al
menos un punto inmvil y que dejan a la aparicin de la estructura sin
cambios cristal. Estas incluyen las operaciones de simetra
Reflexin, que refleja la estructura a travs de un plano de
reflexin
Rotacin, que hace girar la estructura de una determinada parte
de un crculo alrededor de un eje de rotacin
nversin, la cual cambia el signo de la coordenada de cada punto
con respecto a un centro de la simetra o la inversin
Rotacin impropia, que consiste en una rotacin sobre un eje,
seguido por una inversin.
Ejes de rotacin (correcta o incorrecta), planos de reflexin y centros de
simetra se denominan en conjunto elementos de simetra. Hay 32
clases de cristales posibles. Cada uno de ellos se pueden clasificar en
uno de los siete sistemas cristalinos.
7.2.6 LOS GRUPOS DE ESPACO
El grupo espacial de la estructura cristalina se compone de las
operaciones de simetra traslacional, adems de las operaciones del
grupo de puntos. Estos incluyen:
Traducciones puro que mover un punto a lo largo de un vector
Ejes helicoidales, que giran alrededor de un punto de un eje, mientras
que la traduccin paralela al eje
Glide aviones, que reflejan un punto a travs de un avin, mientras que
la traduccin paralela al plano.
Hay 230 grupos espaciales distintas.
3.( LOS LMITES DE :RANO
Los lmites de grano son interfaces donde los cristales de diferentes
orientaciones se encuentran. Un lmite de grano es una interfaz de una
sola fase, con los cristales en cada lado de la frontera de ser idnticas,
excepto en la orientacin. El trmino "lmite de cristalito" a veces,
aunque raramente, usado. reas de borde de grano contienen los
tomos que han sido perturbadas de sus sitios de red original,
dislocaciones , y las impurezas que han emigrado a la frontera de grano
de energa ms bajo.
El tratamiento de un lmite de grano geomtricamente como una interfaz
de un nico cristal cortado en dos partes, una de las cuales se gira,
vemos que hay cinco variables necesarias para definir un lmite de
grano. Los dos primeros nmeros vienen de la unidad de vector que
especifica un eje de rotacin. El tercer nmero indica el ngulo de
rotacin de los granos. Los dos ltimos nmeros de especificar el plano
de la frontera de grano (o un vector unitario que es normal a este plano).
Los lmites de grano interrumpir el movimiento de dislocaciones a travs
de un material, por lo que la reduccin de tamao de los cristales es una
forma comn para mejorar la fuerza, tal como se describe por el
Ayuntamiento-Petch relacin. Desde los lmites de grano son los
defectos en la estructura cristalina que tienden a disminuir la elctrica y
la conductividad trmica del material. La alta energa interfacial y la
unin relativamente dbil en la mayora de los lmites de grano menudo
que hace que los sitios preferidos para el inicio de la corrosin y por la
precipitacin de nuevas fases de los slidos. Tambin son importantes
para muchos de los mecanismos de fluencia .
Los lmites de grano por lo general slo unos pocos nanmetros de
ancho. En materiales comunes, cristales son lo suficientemente grandes
que los lmites de grano representan una pequea fraccin del material.
Sin embargo, los tamaos de grano muy pequeo se pueden lograr. En
los slidos nanocristalino, los lmites de grano convertido en una fraccin
importante volumen de material, con profundos efectos en las
propiedades tales como la difusin y la plasticidad . En el lmite de los
cristales pequeos, como la fraccin de volumen de los lmites de grano
se aproxima al 100%, el material deja de tener carcter cristalino, y por
lo tanto se convierte en un slido amorfo .
3./ LOS DE8ECTOS E IMPURE=AS
Verdadera funcin de cristales de los defectos o irregularidades en los
acuerdos de ideales descritos anteriormente y es que estos defectos
crticos determinan muchas de las propiedades elctricas y mecnicas
de los materiales reales. Cuando un tomo de sustitutos de uno de los
principales componentes atmicos dentro de la estructura cristalina, la
alteracin en las propiedades elctricas y trmicas de los materiales
puede sobrevenir.
[2]
Las impurezas tambin pueden manifestarse en
forma de impurezas giro en ciertos materiales. La investigacin sobre las
impurezas magnticas demuestra que una modificacin sustancial de
ciertas propiedades, como el calor especfico puede ser afectado por
pequeas concentraciones de impurezas, como por ejemplo las
impurezas en semiconductores ferromagnticos aleaciones puede dar
lugar a diferentes propiedades, como predijo por primera vez a finales de
1960.
[3]

[ 4]
Las dislocaciones en la red cristalina permiten corte a reducir
el estrs que la necesaria para una estructura cristalina perfecta.
[5]

3.1 PREDICCI>N DE LA ESTRUCTURA
Es'$u*'u$& *$)s'&l)n& +#l *lo$u$o +# so+)o Ps&l +# "#s&4
La dificultad de predecir las estructuras cristalinas estables basadas en
el conocimiento de slo la composicin qumica ha sido durante mucho
tiempo una piedra de tropiezo en el camino hacia el diseo de materiales
totalmente computacional. Ahora, con los algoritmos ms potentes y
computacin de alto rendimiento, las estructuras de mediana
complejidad se puede predecir mediante enfoques como los algoritmos
evolutivos , el muestreo aleatorio, o metadynamics.
Las estructuras cristalinas de simples slidos inicos (por ejemplo, NaCl
o sal de mesa) han sido racionalizada en trminos de las reglas de
Pauling , estableci por primera vez en 1929 por Linus Pauling , que
muchos llaman ya el "padre de los enlaces qumicos".
[6 ]
Pauling tambin
se considera la naturaleza de las fuerzas interatmicas en los metales, y
concluy que aproximadamente la mitad de los cinco orbitales d en los
metales de transicin estn implicados en la unin, con la enlazantes
restantes orbitales d ser responsable de las propiedades magnticas.
Por lo tanto, fue capaz de correlacionar el nmero de orbitales d en la
formacin de un vnculo con la longitud del enlace, as como muchas de
las propiedades fsicas de la sustancia. Posteriormente se introdujo el
orbital metlico, un orbital adicional que sea necesario para permitir la
resonancia desinhibida de enlaces de valencia entre las diversas
estructuras electrnicas.
[7]

En la teora del enlace de valencia resonante, los factores que
determinan la eleccin de uno entre estructuras cristalinas alternativa de
un metal o compuesto intermetlico giran en torno a la energa de
resonancia de los enlaces entre las posiciones interatmicas. Est claro
que algunos modos de resonancia se hacen grandes contribuciones
(ms mecnicamente estable que otros), y que en particular, una simple
relacin de nmero de enlaces a diversos cargos de carcter
excepcional. El principio que resulta es que una estabilidad especial se
asocia con la simple relacin o "nmero de bonos": 1 / 2, 1 / 3, 2 / 3, 1 /
4, 3 / 4, etc eleccin de la estructura y el valor de la relacin axial (que
determina las longitudes de enlace relativa) son resultado del esfuerzo
de un tomo de usar su valencia en la formacin de vnculos estables
con simples nmeros fraccionarios de bonos.
[8]

[9]

Despus de postular una correlacin directa entre la concentracin de
electrones y la estructura cristalina de las aleaciones de la fase beta-,
Hume-Rothery analizado las tendencias en los puntos de fusin,
compresibilidad y longitudes de enlace en funcin del nmero de grupo
en la tabla peridica con el fin de establecer un sistema de valencias de
los elementos de transicin en el estado metlico. Este tratamiento lo
que hizo hincapi en la resistencia de la unin cada vez mayor en
funcin del nmero del grupo.
[10]
La operacin de las fuerzas de
direccin se destaca en un artculo sobre la relacin entre los hbridos de
bonos y las estructuras metlicas. La correlacin resultante entre las
estructuras electrnicas y cristalina se resume en un solo parmetro, el
peso de la d-electrones por orbital hbrido metlico. La "d-peso", calcula
a 0,5, 0,7 y 0,9 para el fcc, hcp y estructuras bcc respectivamente. La
relacin entre el d-electrones y la estructura cristalina por lo tanto se
hace evidente.
[11]

3.3 POLIMOR8ISMO
Cu&$0o #s uno +# los @&$)os '#$"o+)n?")*&"#n'# #s'&Bl# *$)s'&l)n& .o$"&s +#
s!l)*# G S)O 2. L&s .o$"&s "?s )"o$'&n'#s +# l& s!l)*# sonE RO*u&$0o G SO*u&$0o G
'$)+)")'& G *$)s'oB&l)'& G *o#s)'& - s')sAo@)'& .
o estructura. Segn Gibbs, "las reglas del equilibrio de fases, estas fases
cristalinas nico depender de variables extensivas como la presin y la
temperatura. Polimorfismo potencialmente se puede encontrar en
muchos materiales cristalinos como los polmeros , los minerales y
metales , y se relaciona con alotropa , lo que se refiere a los slidos
elementales . La morfologa completa de un material es descrito por el
polimorfismo y otras variables como el hbito de cristal , fraccin amorfa
o defectos cristalogrficos . Polimorfos tienen diferentes estabilidades y
espontnea puede convertir de una forma meta estable (o la forma
termodinmicamente inestable) a la estabilidad forma a una temperatura
determinada. Tambin se muestran diferentes puntos de fusin ,
solubilidad, y difraccin de rayos X patrones.
Un buen ejemplo de ello es el cuarzo forma de dixido de silicio , o
SiO2.
En la gran mayora de los silicatos , el tomo de silicio muestra la
coordinacin tetradrica de cuatro tomos de oxgeno. Todas menos una
de las formas cristalinas implican tetraedros SiO
4
unidades unidas entre
s por los vrtices compartidos en diferentes arreglos. En los distintos
minerales los tetraedros muestran diferentes grados de redes y la
polimerizacin. Por ejemplo, se presentan por separado, se unieron en
parejas, en grandes grupos finitos, como los anillos, cadenas, cadenas
dobles, sbanas, y los marcos de tres dimensiones. Los minerales se
clasifican en grupos en funcin de estas estructuras. En cada uno de sus
siete termodinmicamente estable formas cristalinas o polimorfos de
cuarzo cristalino, slo 2 de cada 4 de cada uno de los bordes de los
tetraedros de SiO
4
son compartidos con los dems, dando la frmula
qumica neta de la slice: SiO
2.

Otro ejemplo es elemental estao (Sn), que es maleable cerca de la
temperatura ambiente, pero es frgil cuando se enfra. Este cambio en
las propiedades mecnicas debido a la existencia de sus dos principales
altropos , d- y el estao. Los dos altropos que se encuentran a
presin y temperatura normales, d- estao y estao, ms comnmente
conocida como esta!o gris y el esta!o blanco, respectivamente. Dos
altropos ms, y y o, existe a temperaturas superiores a 161 C y
presiones superiores a varios GPa.
[12]
de estao blanco es metlica, y
es la forma cristalina estable igual o superior a la temperatura ambiente.
Por debajo de 13.2 C , el estao existe en forma gris, que tiene un
diamante cbico estructura cristalina, similar a la del diamante , silicio o
germanio . Estao gris no tiene propiedades metlicas en todo, es un
material en polvo de color gris opaco, y tiene algunos usos, que no sea
especializado pocos semiconductores aplicaciones.
[13]
A pesar de la
temperatura de transformacin d- del estao es nominalmente 13,2 C,
las impurezas ( por ejemplo, Al, Zn, etc) ms baja la temperatura de
transicin muy por debajo de 0 C, y la adicin de Sb o Bi-la
transformacin no puede ocurrir en absoluto.
[14]

3.7 PROPIEDADES 8SICAS
Veinte de las 32 clases de cristal son los llamados piezoelctricos , y los
cristales que pertenecen a una de estas clases (grupos de puntos)
muestran la piezoelectricidad . Todas las clases piezoelctricos falta un
centro de simetra. Cualquier material desarrolla un dielctrico de
polarizacin cuando un campo elctrico se aplica, sino una sustancia
que tiene una separacin de carga natural, incluso en ausencia de un
campo que se llama un material polar. Si un material es polar est
determinado nicamente por su estructura cristalina. Slo 10 de los 32
grupos de puntos son polares. Todos los cristales polares son
piroelctrico , por lo que las 10 clases de cristales polares se refieren a
veces como las clases piroelctrico.
Hay una estructura cristalina pocos, en particular la estructura de
perovskita , que presentan ferroelctricos comportamiento. Esto es
anlogo a ferromagnetismo , en el que, en ausencia de un campo
elctrico durante la produccin, el cristal ferroelctrico no presenta una
polarizacin. De la aplicacin de un campo elctrico de magnitud
suficiente, el cristal se convierte en permanente polarizada. Esta
polarizacin puede ser revertido por una lo suficientemente grande como
la lucha contra el cargo, de la misma manera que un material
ferromagnticos puede ser revertida. Sin embargo, es importante
sealar que, a pesar de que son llamados ferroelctricos, el efecto se
debe a la estructura del cristal (no la presencia de un metal ferroso).
15. DETERMINACION DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS
7.1E In'$o+u**),n:
Los rayos X para la difraccin son ondas electromagnticas con
longitudes de onda entre 0.05 y 0.25 nm (0.5 y 2.5 ). Para producir
rayos X para propsitos de difraccin es necesario un voltaje de uno 35
KV y se suministra entre un ctodo y un metal diana andico ambos
mantenido en vaco como se presenta en la figura 1. Cuando el
filamento de Wolframio del ctodo se calienta, se liberan electrones por
emisin termoinica y se aceleran a travs del vacio por la gran
diferencia de voltaje entre el ctodo y el nodo, por consiguiente
ganando energa cintica. Cuando los electrones golpean la lmina de
metal se emiten rayos X. Sin embargo, la mayor parte de la energa
cintica (cerca del 98%) se convierte en calor, por tanto, la muestra tiene
que enfriarse externamente.
Como sabemos los electrones externos de un tomo son los que
producen los espectros pticos de los elementos, basta con pequeas
cantidades de energa relativamente pequeas para producir estados
excitados, y a su vuelta al estado normal se emiten longitudes de onda
en ( cerca de la regin visible). Los electrones ms cerca del ncleo
requieren mayor energa para ser separados, por lo tanto cuando el
tomo llega a su estado normal los electrones internos generan
desplazamiento y s d lugar a la emisin de rayos X.
Los electrones al chocar con los tomos del nodo, desplazarn uno de
los electrones internos, por ejemplo, uno de los electrones de la capa K,
esto deja un vaco en la capa k, que es ocupado inmediatamente por un
electrn cualquiera de la capa L, M N. El reajuste de los electrones va
acompaado de una disminucin de energa del tomo, emitindose un
fotn de Rayos X con una energa exactamente igual a dicha
disminucin.
El espectro de rayos X debe ser tambin un espectro de lneas, adems
ha de haber tres lneas en cada serie, correspondientes a las tres
posibilidades de que el espacio vacante pueda ser ocupado por un
electrn de las capas L, M, N. Tambin existe un fondo de radiacin X
continua, procedente del nodo de un tubo cualquiera de rayos X, esto
es debido a la rpida deceleracin de aquellos <electrones de
bombardeo> que no logran expulsar un electrn de un tomo.

7.2 DI8RACCI>N DE RA9OS F
8.2.1: Concepto: Las longitudes de onda de algunos rayos X son ms
menos iguales a la distancia entre planos de tomos de slidos
cristalinos. Cuando una radiacin electromagntica incide sobre una
superficie provista de un gran nmero de elementos espaciados
regularmente a intervalos aproximadamente iguales a la longitud de
onda de la radiacin, se produce el fenmeno de difraccin, consistente
en la separacin del rayo incidente en una serie de haces que se
dispersan en todas direcciones. El dispositivo que produce ste
fenmeno se llama rejilla de difraccin.
Este espaciado es del orden de , que es la misma magnitud de la
longitud de onda de los rayos X, stos ltimos pueden ser difractados
por el slido que acta como rejilla de difraccin. Los elementos de la
rejilla son las partculas constituyentes del slido y ms precisamente
sus electrones, que al recibir la radiacin la reemiten haciendo las veces
de nuevas fuentes de radiacin.
8.2.2: Ley de Bragg:
8.2.2.1: Concepto
P#$")'# #s'u+)&$ l&s +)$#**)on#s #n l&s Iu# l& difraccin +# rayos X
soB$# l& su#$.)*)# +# un cristal $o+u*# )n'#$.#$#n*)&s
*ons'$u*')@&sG +&+o Iu# #$")'# $#+#*)$ los ?n5ulos #n los Iu# los
$&-os F son +).$&*'&+os o$ un "&'#$)&l *on #s'$u*'u$& &',")*&
#$),+)*& P"&'#$)&l#s *$)s'&l)nos4.
Fue derivada por los fsicos britnicos William Henry Bragg y su hijo
William Lawrence Bragg en 1913. La ley de Bragg confirma la existencia
de partculas reales en la escala atmica, proporcionando una tcnica
muy poderosa de exploracin de la materia, la difraccin de rayos X. Los
Bragg fueron premiados con el Premio Nobel de Fsica en 1915 por sus
trabajos en la determinacin de la estructura cristalina del NaCl, el ZnS y
el diamante.
La interferencia es constructiva cuando la diferencia de fase entre la
radiacin emitida por diferentes tomos es proporcional a 2. Esta
condicin se expresa en la ley de Bragg:
Donde:
n es un nmero entero,
/ es la longitud de onda de los rayos X,
d es la distancia entre los planos de la red cristalina y,
0 es el ngulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersin.
D# &*u#$+o &l ?n5ulo +# +#s@)&*),n P2T4G #l *&"B)o +# .&s# +# l&s
on+&s $o+u*# )n'#$.#$#n*)& *ons'$u*')@& P.)5u$& )0Iu)#$+&4 o
+#s'$u*')@& P.)5u$& +#$#*A&4.
7.2.2.2E D#+u**),n +# l& L#- +# B$&55E
Consideramos la figura de abajo conformada por planos de tomos
distanciados a una longitud d. Para el primer plano, las rayos 1 y 1a
golpean los tomos K y P los cuales son dispersados en todas la
direcciones; pero para cierta direccin, estos rayos (1' y 1a') se
encuentran en fase y por lo tanto se cumple que
"# ~ $% = $#cos0 ~ $#cos0 = 0
Esta condicin se cumple para cada plano.
Para analizar los rayos dispersados por tomos en diferentes planos se
toma los rayos 1 y 2 de la figura de arriba. Estos rayos son dispersados
por los tomos K y L, la diferencia en sus caminos pticos es
&' + '( = d'sen (0) + d'sen (0)
As estos rayos estarn completamente en fase si su diferencia de
caminos es igual a un nmero entero (n) de longitudes de onda /, de tal
manera que se cumple que:
n/ = 2d'sen(0)
Otra manera de deducir la Ley de Bragg es considerar ahora una
diferencia de fase. Para dos rayos difractados se tiene que la diferencia
de fase es igual:
2r(#
s
~ #
i
) = 2r%
Donde % = (#
s
~ #
i
), r es la distancia de separacin entre los planos y K
es el vector de onda. Para la Fig de arriba, .
Para que haya una interferencia constructiva R es un mltiplo de uno de
tal manera que
7.(E An&lo5!&E
Se puede expresar esta ley considerando una analoga con un caso ms
simple. Consideremos que los planos cristalogrficos son representados
por espejos semi transparentes en los que la radiacin incidente es
remitida en parte en cada uno de los planos. Las interferencias formadas
entonces se rigen por la ley de Bragg. De hecho, la frmula de Bragg es
idntica a las interferencias producidas en una capa delgada de aire
obtenidas en un interfermetro de Michelson. De manera ms estricta
hay que tener en cuenta que las ondas son dispersadas por tomos
individuales alineados de manera peridica.
In'#$.#$#n*)&s $o+u*)+&s #n un& *&& +#l5&+& +# &)$#. An&lo5!&
*on l& l#- +# B$&55.
7./E In'#$.#$#n*)& - +).$&**),n
Cuando los rayos X alcanzan un tomo interaccionan con sus electrones
exteriores. stos reemiten la radiacin electromagntica incidente en
diferentes direcciones y con la misma frecuencia (en realidad debido a
varios efectos hay pequeos cambios en su frecuencia). Este fenmeno
se conoce como dispersin de Rayleigh (o dispersin elstica). Los
rayos X reemitidos desde tomos cercanos interfieren entre s
constructiva o destructivamente. Este es el fenmeno de la difraccin.
En el diagrama que sigue se esquematizan rayos X que inciden sobre un
cristal. Los tomos superiores reemiten la radiacin tras ser alcanzados
por ella. Los puntos en los que la radiacin se superpone
constructivamente se muestran como la zona de interseccin de los
anillos. Se puede apreciar que existen ngulos privilegiados en los
cuales la interferencia es constructiva, en este caso hacia la derecha con
un ngulo en torno a 45.
La radiacin incidente llega a tomos consecutivos con un ligero desfase
(izquierda). La radiacin dispersada por los tomos (crculos azules)
interfiere con radiacin dispersada por tomos adyacentes. Las
direcciones en las que los crculos se superponen son direcciones de
interferencia constructiva.
7.1E L& *$)s'&lo5$&.!& +# $&-os FE
Es una tcnica consistente en hacer pasar un haz de rayos X a travs de
un cristal de la sustancia sujeta a estudio. El haz se escinde en varias
direcciones debido a la simetra de la agrupacin de tomos y, por
difraccin, da lugar a un patrn de intensidades que puede interpretarse
segn la ubicacin de los tomos en el cristal, aplicando la ley de Bragg.
Es una de las tcnicas que goza de mayor prestigio entre la comunidad
cientfica para dilucidar estructuras cristalinas, debido a su precisin y a
la experiencia acumulada durante dcadas, elementos que la hacen muy
fiable. Sus mayores limitaciones se deben a la necesidad de trabajar con
sistemas cristalinos, por lo que no es aplicable a disoluciones, a
sistemas biolgico sin )i)o, a sistemas amorfos o a gases.
Es posible trabajar con monocristales o con polvo microcristalino,
consiguindose diferentes datos en ambos casos. Para la resolucin de
los parmetros de la celda unidad puede ser suficiente la difraccin de
rayos X en polvo, mientras que para una dilucidacin precisa de las
posiciones atmicas es conveniente la difraccin de rayos X en
monocristal.
La cristalografa de rayos X desempe un papel esencial en la
descripcin de la doble hlice de la molcula de ADN (V&s#
'&"B)nERosalind Franklin, James D. Watson, Francis Crick).
7.DE DI8RACCI>N DE RA9OS F DE POLVO CRISTALINA:
El fenmeno de la difraccin de Rayos X consiste bsicamente en un
proceso de interferencias constructivas de ondas de rayos X que se
produce en determinadas direcciones de espacio. Significa que las
ondas tienen que estar en fase, lo que ocurre cuando su diferencia de
trayectoria es cero o un mltiplo entero de longitudes de onda.
La difraccin de rayos X en muestras de polvo cristalino o muestras
policristalinas se puso de manifiesto primeramente en Alemania por
P.Debye y P.Scherrer en (1916) y casi al mismo tiempo se desarroll a
travs de los estudios de Hull en los Estados Unidos. El descubrimiento
del fenmeno de la difraccin en este tipo de muestras se convierte
rpidamente en una tcnica experimental de extendido uso, debido
bsicamente al amplio campo de aplicacin que podemos encontrar
para el estudio de sustancias cristalinas. Hoy da esta tcnica constituye
una habitual herramienta de trabajo con una extraordinaria utilidad en
muy distintas disciplinas cientficas y tecnolgicas, por el carcter
polifactico en lo que se refiere a la gran variedad de informacin que
proporciona.
La identificacin de fases cristalinas constituye uno de los campos de
aplicacin ms importantes del mtodo de polvo cristalino.
El registro del espectro difractado puede realizarse empleando dos
dispositivos experimentales con caractersticas bien diferenciadas:
Mtodos fotogrficos (cmaras Debye-Scherrer).
Difract metro de polvo.
La diferencia radica en el registro, en las cmaras de polvo el espectro
se registra en una pelcula fotogrfica, en la que la densidad de
ennegrecimiento indica la intensidad de las radiaciones reflejadas. En el
Difractmetro de polvo, se obtiene un registro grfico de las seales que
las reflexiones originan en detectores electrnicos de radiacin.
7.D.1E EL DI8RACT>METRO DE POLVOE
Normalmente posee una geometra de tipo Bragg-Brentano en el que, el
contador electrnico puede formar un ngulo variable (2 = 3-110) con
el haz incidente de rayos X
Cuando la muestra gira un ngulo el contador gira 2, este movimiento
es el que hace que el Difractmetro se denomine "Difractmetro
de dos crculos (Figura 1). En un difractmetro comercial la muestra se
sita en el centro de eje del gonimetro de precisin, cuya velocidad
angular est sincronizada en la relacin anterior 2:1 con el detector.
Figura 1
El registro grfico o difractograma consiste de picos distribuidos en
funcin de los valores angulares, 2, y que corresponden a las de las
reflexiones que representan. Las alturas de estos mximos y ms
concretamente sus reas constituyen magnitudes muy representativas
de las intensidades de las reflexiones correspondientes, las cuales
pueden ser medidas con gran exactitud y reproducibilidad.
7.D.2E IDENTI8ICACI>N DE 8ASESG MHTODO DE POLVO
CRISTALINOE
La identificacin de una fase cristalina por este mtodo se basa en el
hecho de que cada sustancia en estado cristalino tiene un diagrama de
rayos X que le es caracterstico. Estos diagramas estn coleccionados
en fichas, libros y bases de datos del
*oint+ommitteeon$o,der-i.ractionStandards y agrupados en ndices de
compuestos orgnicos, inorgnicos y minerales. Se trata, por lo tanto, de
encontrar el mejor ajuste del diagrama problema con uno de los
coleccionados.
Un mtodo adecuado es el de "Hanawalt, en el que cada diagrama
aparece caracterizado por los tres picos de difraccin ms intensos.
Contiene un sistema de subgrupos resultante de dividir el rango de los
valores de d en 47 regiones, cada una contiene un nmero
aproximadamente igual de diagramas. Cada diagrama con sus tres
lneas ms fuertes est asignado a un grupo. Todos los diagramas
asignados a cada Grupo Hanawalt estn ordenados de forma que en la
primera columna aparece el valor de d correspondiente a la lnea ms
intensa, en la segunda columna aparece el valor de d correspondiente a
la siguiente lnea en intensidad y en la tercera columna aparece el valor
de d correspondiente a la tercera lnea ms intensa y en las cinco
columnas restantes apareen los valores de d siguiendo el mismo orden
decreciente, tanto en su valor como en el de la intensidad. A
continuacin de las columnas correspondientes a los valores de d,
ordenados segn valores decrecientes de intensidad, aparece la frmula
qumica, el nombre y el nmero de la ficha de la sustancia
correspondiente.
Al analizar diagramas desconocidos, los pasos a seguir son los
siguientes:
Se ordenan los valores de d en orden decreciente de intensidad.
Se busca el grupo Hanawalt adecuado en el manual de bsqueda
con el valor de d correspondiente a la lnea ms intensa.
Se comprueba que la d de la segunda lnea ms intensa se ajuste
con el valor de d de la segunda columna del grupo Hanawalt
correspondiente del manual de bsqueda.
Se toma el valor de d de la tercera lnea ms intensa del diagrama
desconocido y se comprueba si se ajusta con el valor de d la tercera
columna Hanawalt del manual de bsqueda.
Si se ajustan los valores de d del diagrama desconocido con los del
grupo de Hanawalt del manual de bsqueda se toma la ficha
correspondiente y se acaba de comprobar el ajuste de todos los
valores de d del diagrama desconocido con los de la ficha.
Si las lneas seleccionadas no dan juntas buen ajuste, se eligen otras
combinaciones de lneas el diagrama desconocido.
En el caso de que el diagrama desconocido corresponda a una
mezcla de sustancias se sustrae el diagrama encontrado del
experimental y se repite de nuevo el proceso (pasos 1 a 6) hasta que
todas las lneas significantes del diagrama experimental se ajusten a
algn diagrama de las fichas. A la hora de repetir el proceso hay que
tener en cuenta que un mismo pico de difraccin puede corresponder
a ms de una sustancia y uno se da cuenta observando las
intensidades del pico del diagrama experimental y de la ficha, pues
cuando el experimental muestra una intensidad muy superior al de la
ficha hay que sospechar que corresponde a ms de una sustancia.
Actualmente existen programas informticos que nos permiten realizar
este proceso de manera automtica; se cuenta adems con las bases
de datos JCPDS, lo cual facilita enormemente la identificacin de fases
cristalinas por el mtodo de polvo.
8.7: Difraccin de neutrones
8.7.1: ConceptoE Los rayos X y electrones son de naturaleza electrnica
e interfieren con el entorno electrnico. Hay elementos con poca corteza
y por tanto hidrgenos y tomos muy ligeros no se pueden determinar
con las tcnicas de difraccin de Rayos X con difraccin de electrones.
La alternativa es utilizar proyectiles que impacten sobre los ncleos y por
ello se desarroll la +).$&**),n +# n#u'$on#s.
Los neutrones caen dentro del campo del ncleo e inciden sobre
objetivos nucleares, y es por ello que es una tcnica utilizada
principalmente por fsicos.
7.3.2 In*on@#n)#n'#s
Se necesita de una muestra relativamente grande.
Se requiere de un reactor nuclear para generar el haz de neutrones.
16. DETERMINACION DE ESTRUCTURA SUPER8ICIAL
<.1 L##+E
Los electrones dan lugar a efectos de difracion cuando son dispersados por la
superficie de un cristal (recuerdece el experimento de davisson-germer). La D).$&**),n
+# #l#*'$on#s es una tcnica utilizada para estudiar la materia haciendo que un haz de
electrones incida sobre una muestra y observando el patrn de interferencia resultante.
Este fenmeno ocurre gracias a la dualidad onda-partcula, que establece que una
partcula de materia (en este caso el electrn que incide) puede ser descrita como una
onda. Por esta razn, un electrn puede ser considerado como una onda muy similar al
sonido o a ondas en el agua. Esta tcnica es similar a la difraccin de los rayos-X o la
difraccin de neutrones.
<.2E 2)s'o$)& +# +).$&**),n +# #l#*'$on#sE
La hiptesis de De Broglie, formulada al final de 1926, propone que las
partculas tambin se comportan como ondas. Tres aos ms tarde, la
frmula de De Broglie se comprob para los electrones (que poseen
masa en reposo) mediante la observacin de la difraccin de electrones
en dos experimentos independientes. Uno realizado por George Paget
Thomson en la Universidad de Aberdeen, quien hizo pasar un haz de
electrones a travs de una delgada capa de metal y observ los
patrones de interferencia predichos. El otro experimento lo realizaron
Clinton Joseph Davisson y Lester Halbert Germen en los Laboratorios
Bell, ellos hicieron pasar un haz de electrones a travs de una rejilla
cristalina. Por este trabajo, Thomson y Davisson compartieron el Premio
Nobel de Fsica en 1937.
<.(E U')l)0&*),n +# +).$&**),n +# #l#*'$on#sE
La Difraccin de electrones es frecuentemente utilizada en fsica y
qumica de slidos para estudiar la estructura cristalina de los slidos.
Estos experimentos se realizan normalmente utilizando un microscopio
electrnico por transmisin (MET o TEM por sus siglas en ingls), o un
microscopio electrnico por escaneo (MES o SEM por sus siglas en
ingls), como el utilizado en la difraccin de electrones por
retrodispersin. En estos instrumentos, los electrones son acelerados
mediante electrosttica potencial para as obtener la energa deseada e
incrementar su longitud de onda antes de que este interacte con la
muestra en estudio.
La estructura peridica de un slido cristalino acta como una rejilla de
difraccin, dispersando los electrones de una manera predecible. A partir
del patrn de difraccin observado es posible deducir la estructura del
cristal que produce dicho patrn de difraccin. Sin embargo, esta tcnica
est limitada por el problema de fase.
Aparte del estudio de los cristales, la difraccin de electrones es tambin
una tcnica til para el estudio de slidos amorfos, y la geometra de las
molculas gaseosas.
<./E T#o$!& +# +).$&**),n +# los #l#*'$on#sE
<./.1E In'#$&**),n +# los #l#*'$on#s *on l& "&'#$)&E
A diferencia de otros tipos de radiacin utilizados en estudios de
difraccin de materiales, tales como los rayos-X y los neutrones, los
electrones son partculas que poseen carga e interactan con la materia
a travs de la fuerza elctrica. Esto significa que los electrones que
inciden son influenciados tanto por la carga positiva del ncleo atmico
como por los electrones que rodean el ncleo. En comparacin, los
rayos-X interactan con la distribucin espacial de los electrones en las
capas exteriores (electrones de valor), mientras que los neutrones son
dispersados por la fuerza de la interaccin nuclear fuerte del ncleo.
Adems, el momento magntico de los neutrones es diferente de cero,
por lo que tambin son dispersados por campos magnticos. La
diferencia en la manera en la que las tres formas de radiacin
interactan con la materia permite que se puedan utilizar en diferentes
tipos de anlisis.
<./.2E In'#ns)+&+ +#l A&0 +).$&*'&+oE
El factor estructural describe la forma en que un haz de electrones ser
dispersado por los tomos de la celda unidad del cristal, tomando en
cuenta las diferencias en la capacidad de dispersin de los elementos en
el trmino .
i
. Dado que los tomos estn distribuidos espacialmente en el
grupo atmico, habr una diferencia en la fase cuando se considere la
amplitud de dispersin de dos tomos dados. Este desplazamiento de la
fase est tomado en cuenta en el trmino exponencial de la ecuacin.
El factor de forma atmico, o capacidad de dispersin, de un elemento
depende del tipo de radiacin que se utilize dado que los electrones
interactan con la materia en forma diferente de como lo hacen, por
ejemplo los rayos-X.
<./.(: D).$&**),n +# #l#*'$on#s #n un ")*$os*o)o #l#*'$,n)*o +#
'$&ns")s),n
La difraccin de electrones en slidos se realiza usualmente con un
microscopio electrnico de transmisin donde los electrones pasan a
travs de una pelcula ultra delgada del material en estudio. El patrn de
difraccin resultante es observado en una pantalla fluorescente,
fotografiado en pelcula o en forma digital.
<./.(.1E B#n#.)*)os
Como se ha mencionado arriba, la longitud de onda de un electrn
acelerado en un microscopio electrnico por transmisin es bastante
ms pequea que la de la radiacin utilizada en los experimentos de
difraccin de rayos-X. Una consecuencia de esto es que el radio de la
esfera Ewald es mayor en la difraccin de electrones que en la difraccin
de rayos-X, con lo que el experimento de difraccin puede revelar ms
de la distribucin bidimensional de los puntos en la trama.
Adems, el lente electrnico permite modificar la geometra del
experimento de difraccin. Conceptualmente, la geometra ms simple
es un haz paralelo de electrones incidiendo perpendicularmente sobre la
muestra. Sin embargo, cuando los electrones inciden sobre el blanco en
forma de cono permiten, en efecto, realizar una difraccin con diferentes
ngulos de incidencia al mismo tiempo. Esta tcnica es llamada
Difraccin de Electrones de Haz Convergente (CBED por sus siglas en
ingls), y puede revelar la simetra tridimensional del cristal.
En un microscopio electrnico de transmisin, se puede seleccionar un
simple grano de cristal o partcula para realizar el experimento de
difraccin. Esto significa que estos experimentos pueden realizarse
sobre cristales de tamao nanomtrico, mientras que otras tcnicas de
difraccin deben utilizar una muestra multicristalina limitando la
observacin. Adems, la difraccin de electrones en un MET puede ser
combinada con imgenes directas de la muestra, incluyendo imgenes
de alta resolucin de la trama del cristal, y otras tcnicas tales como el
anlisis qumico de la composicin de la muestra mediante una
espectroscopa de dispersin de energa con rayos-X, investigacin de la
estructura electrnica y atraccin con una espectroscopa por prdida de
energa electrnica, y estudios del potencial promedio interno con una
holografa de electrones.
<./.(.2E 8un*)on&")#n'oE
EsIu#"& +#l $#*o$$)+o +# un A&0 +# #l#*'$on#s #n un
MET.
P&'$,n +# +).$&**),n '!)*o oB'#n)+o #n un MET *on un A&0 +#
#l#*'$on#s &$&l#lo.
La figura 1 a la derecha es un esbozo simple del camino que sigue un
haz de electrones paralelo en un MET, iniciando justo por encima de la
muestra y hacia abajo hasta la pantalla fluorescente. Conforme los
electrones pasan a travs de la muestra son dispersados por el potencial
electromagntico establecido por los elementos que constituyen la
muestra. Despus que los electrones abandonan la muestra pasan a
travs del objetivo (lente) electromagntico, que colecta los electrones
dispersados en una misma direccin y los enfoca en un solo punto, este
es el plano focal del microscopio y es aqu donde se forma la imagen.
Manipulando el lente magntico del microscopio es posible observar el
patrn de dispersin proyectado en la pantalla en lugar de la imagen. Un
ejemplo de una imagen obtenida en esta forma se muestra en la figura
#2.
Si la muestra se inclina con respecto al haz de electrones, se obtiene un
patrn de difraccin con diferente orientacin. De esta forma, la trama
recproca del cristal puede ser delineado en tres dimensiones.
Estudiando la ausencia sistemtica de puntos de difraccin se puede
determinar la presencia de la trama Bravais, de cualquier eje de rotacin
as como planos de reflexin.
<./.(.(E L)")'&*)on#sE
La difraccin de electrones con un MET tiene varias limitaciones
importante. Primero, la muestra debe ser transparente a los electrones,
lo que significa que el ancho de la muestra de ser del orden de 100 nm o
menos. Por consiguiente, puede que se necesite una preparacin lenta y
cuidadosa de la muestra. Adems, muchas muestras son vulnerables a
los daos de la radiacin del haz de electrones.
El estudio de materiales magnticos es difcil dado que los campos
magnticos desvan los electrones por la fuerza Lorentz. A pesar de que
este fenmeno pude ser utilizado para estudiar el dominio magntico de
los materiales mediante la microscopa de fuerzas de Lorentz, hace
virtualmente imposible determinar la estructura del cristal.
Adems, la difraccin de electrones es a menudo considerada una
tcnica adecuada para determinar simetra, pero inexacta para
determinar parmetros del tramado as como para determinar posiciones
atmicas. En principio, este no es el caso exactamente: se ha
demostrado que se pueden obtener parmetros del tramado con un error
relativo menor al 0.1%. Sin embargo, es muy difcil obtener las
condiciones experimentales adecuadas. Este procedimiento sigue
siendo considerado como lento y los resultados son difciles de
interpretar, por lo que es comn que se prefiera utilizar la difraccin con
rayos-X o de neutrones para determinar parmetros de tramado y
posiciones atmicas.
No obstante, la mayor limitacin de la difraccin de electrones en un
MET es el alto nivel de interaccin que se requiere del usuario,
comparativamente. La difraccin con rayos-X o neutrones est muy
automatizada, al igual que la interpretacin de los datos obtenidos. Por
el contrario, la difraccin de electrones necesita un alto nivel de
interaccin por parte del usuario.
<.1E M)*$os*o)o +# #.#*'o '6n#l
Ernst August Friedrich Ruska (Heidelberg, 25 de diciembre de 1906-
Berln, 25 de mayo de 1988) fue un fsico alemn que en 1931 construy
el primer microscopio electrnico, junto con Max knoll. Sin embargo, el
microscopio de efecto tnel fue el avance que en 1986, junto con Gerd
Binnig y Heinrich Rohrer, les otorg el premio Nobel de Fsica. Muri en
mayo de 1988 en Berln occidental con 81 aos de edad, dos aos
despus de recibir dicho premio.
9.5.1: concepto Microscopio de efecto tnel :
El microscopio de efecto tnel (Scanning Tunneling Microscope STM) es
un poderoso instrumento que permite visualizar superficies a escala del
tomo.
Este sistema basa su funcionamiento en un efecto cuntico, denominado
efecto tnel, que se da en distancias menores a un nanmetro. El control
de este tipo de fenmeno es lo que nos permite hacer topografa de
superficies a nivel atmico. Desde el punto de vista de la mecnica
clsica un electrn no puede superar una barrera de potencial superior a
su energa. Sin embargo, segn la mecnica cuntica, los electrones no
estn definidos por una posicin precisa, sino por una nube de
probabilidad. Esto provoca que en ciertos sistemas esta nube de
probabilidad se extienda hasta el otro lado de una barrera de potencial.
Por tanto el electrn puede atravesar la barrera, y contribuir a generar
una intensidad elctrica.
Esta intensidad se denomina intensidad de tnel y es el parmetro de
control que nos permite realizar la topografa de superficie.
Este efecto cuntico aparece tambin en otras ramas de la fsica.
Gamow lo aplic para dar explicacin a la desintegracin mediante
emisin de partculas alfa en ncleos inestables. En electrnica, hay
transistores que basan parte de su funcionamiento en el efecto tnel.
En una instalacin cuyo fin es tomar medidas en escala atmica es
necesario que el elemento que se usa como sonda de medida tenga una
resolucin de esa misma escala. En un microscopio de efecto tnel la
sonda es una punta conductora, por ejemplo, de Wolframio. La punta se
trata para eliminar los xidos y para que sea lo ms afilada posible. En
condiciones ideales hay un solo tomo en el extremo de la sonda.
La instalacin consiste en un circuito elctrico en el que estn incluidos
la muestra y la punta de medida. Como se ha apuntado anteriormente, el
parmetro de medida es la intensidad de corriente tnel. Esta intensidad
apenas alcanza los nanoamperios y, adems, es muy sensible tanto a la
distancia, como a la diferencia de tensin entre la punta y la muestra.
Debido a esta sensibilidad todo el sistema debe estar controlado
electrnicamente. As, la toma de medidas y los movimientos de la punta
(realizados mediante un dispositivo piezoelctrico con precisiones que
pueden llegar a los 0.05 nm) son controlados por el usuario, a travs de
las interfases correspondientes, por ejemplo: mediante un PC de
sobremesa.
La punta no toca la muestra, sino que se queda a una distancia
equivalente a un par de tomos (del orden de angstroms) de la
superficie. El PC registra la trayectoria de la punta y entonces se puede
desplegar la informacin como una imagen en escala de grises a
manera de mapa de densidades o mapa topogrfico. A la imagen se le
puede agregar color slo para mejorar el contraste y as observar mejor
los cambios detectados.
<.1.2E APLICACIONESE
M)*$os*o)& *on $#solu*),n &',")*&
En esencia, el proceso consiste en realizar una topografa a
intensidad de tnel constante sobre una zona de la superficie de
la muestra. El sistema busca los parmetros en los que es capaz
de medir una intensidad de tnel prefijada y, a partir de estos,
calcula la distancia a la que se encuentra la punta de la superficie.
Repitiendo el proceso mientras la punta recorre una determinada
rea de la superficie problema se obtiene, finalmente, una imagen
relacionada con la topografa y la estructura electrnica de dicha
rea.
C&$&*'#$)0&*),n +# +o")n)os "&5n')*os & n)@#l &',")*o
La topografa de superficies se realiza mediante una punta de
wolframio. Si cambiamos esta punta por una compuesta por un
material magntico seremos capaces de realizar
caracterizaciones de dominios magnticos a escala atmica.
Adems, debido a la especial capacidad de algunos microscopios
de trabajar a temperaturas muy bajas se pueden realizar
caracterizaciones en funcin de la temperatura. Este tipo de
medidas proporcionan informacin adicional sobre las
propiedades magnticas de los materiales en relacin con sus
caractersticas a escala atmica, en lugar de con sus propiedades
macroscpicas.
<.DEM)*$os*o)o +# .u#$0& &'o")*&E
El Microscopio de Fuerza Atmica (AFM) es un instrumento mecano-
ptico capaz de detectar fuerzas del orden de los nanonewton. Al
analizar una muestra, es capaz de registrar continuamente la altura
sobre la superficie de una sonda o punta cristalina de forma piramidal.
La sonda va acoplada a un listn microscpico, muy sensible al efecto
de las fuerzas, de slo unos 200 m de longitud (cantilever, ver figura).
La fuerza atmica se puede detectar cuando la punta est muy prxima
a la superficie de la muestra. Es posible entonces registrar la pequea
flexin del listn mediante un haz laser reflejado en su parte posterior.
Un sistema auxiliar piezoelctrico desplaza la muestra
tridimensionalmente, mientras que la punta recorre ordenadamente la
superficie. Todos los movimientos son controlados por una computadora.
La resolucin del instrumento es de menos de 1 nm, y la pantalla de
visualizacin permite distinguir detalles en la superficie de la muestra
con una amplificacin de varios millones de veces.
Algunas imgenes obtenidas con el Microscopio de Fuerza Atmica son
las siguientes: a) cabello, b) bacilo "anclado" sobre una base de vidrio,
c) plano de clivaje de la mica. Note las diferentes escalas y que en (c)
se resuelven detalles bastante menores de 1 nm.
<.D.1E Mo@)#n+o J'o"os *on #l M)*$os*o)o +# 8u#$0& A',")*&E
Ya en 1989 un equipo de la BM haba demostrado que se poda usar la
punta de un Microscopo de Efecto Tnel (MET) para mover tomos. El
Microscopio de Efecto Tnel funciona midiendo la corriente entre la
aguja y la muestra, a partir de una diferencia de potencial que se
establece entre ambas.
En mayo de 2003 se utiliz la punta de una aguja de un Microscopio
de Fuerza Atmica para levantar un tomo de una superficie y
reemplazarlo por otro. Es el primer experimento donde se han
manipulado tomos individuales usando un mtodo puramente
mecnico, en vez de uno que involucre corriente elctrica.
L& )"&5#n "u#s'$& #l $#sul'&+o +#l #N#$)"#n'o. A l& )0Iu)#$+& s# )n+)*& #l
?'o"o Iu# #s os'#$)o$"#n'# #N'$&)+o P+#$#*A&4. El ?'o"o +# $##"l&0o no s# "u#s'$&.
El Microscopio de Fuerza Atmica provee la imagen de una superficie
sin que intervegan los efectos elctricos, al medir las fuerzas
mecnicas en la punta detectora, por lo que tambin resulta til para
materiales no conductores.

En 1989, utilizando el microscopio tnel, el equipo BM logr
deletrear las letras "-B-M" con 35 tomos individuales de xenn sobre
una superficie de nquel. A partir de tal hecho los microscopios
tnel se han popularizado por mover tomos en patrones ms
complicados, pero hasta este momento nadie haba logrado
manipular tomos individuales en una superficie no conductora .
9.6.2: Diferentes forms o modos de f!ncionmiento:
MODO DE CONTACTO E Este modo de barrido requiere
retroalimentacin, de manera que la repulsin entre el listn y
la muestra permanece constante. De la intensidad de la retro-
alimentacin se mide la altura. Este es el modo ms comn de
barrido.

MODO DE ALTURA CONSTANTE : En este modo de barrido
la altura del cantilever se mantiene constante durante el
barrido. Se mide la flexin del listn. Al no haber
retroalimentacin, es posible barrer a alta velocidad.
MODO SIN CONTACTO E Este modo de barrido requiere
retroalimentacin, y la atraccin entre la muestra y el listn
(que vibra cerca del punto de resonancia) permanece
constante. De la intensidad de la retro-alimentacin se mide la
altura. La resolucin es un poco menor debido a la distancia
entre el listn y la muestra.
MODO DINAMICO E Este modo provee retroalimentacin, en
tanto que la repulsin entre la muestra y el cantilever (que
vibra cerca del punto de resonancia) permanece constante. De
la intensidad de la retroalimentacin se mide la altura. Dado
que hay poco "rozamiento" de la superficie, este modo es ideal
para muestras que se mueven con facilidad.
<.3E M)*$os*o)o +# C&"o I,n)*o
<.3.1E D#.)n)*),nE El microscopio de iones en campo es una variedad de
microscopio que puede ser usado para visualizar la ordenacin de los
tomos que forman la superficie de la punta afilada de una aguja de
metal. Fue la primera tcnica con la que se consigui resolver
espacialmente tomos individuales. La tcnica fue desarrollada por
Erwin Mller.
<.3.2E $o*#soE se produce una aguja de metal afilada y se coloca en
una cmara de ultra alto vaco, que despus se llena con un gas
visualizador tal como el helio o el nen. La aguja se enfra hasta
alcanzar temperaturas criognicas (20-100 K). Luego se aplica un voltaje
positivo que va de 5.000 a 10.000 voltios sobre la punta. Los tomos de
gas absorbidos por la punta se ven ionizados por el fuerte campo
elctrico que existe en las proximidades de ella. La curvatura de la
superficie cercana a la punta provoca una magnetizacin natural; los
iones son repelidos bruscamente en direccin perpendicular a la
superficie (un efecto de "proyeccin de punto"). Se coloca un detector de
modo que pueda recoger esos iones repelidos; y la imagen formada por
todos los iones repelidos puede tener la resolucin suficiente como para
mostrar tomos individuales en la superficie de la punta.
<.7E M)*$os*o)& #l#*'$,n)*&E
<.7.1E )n'$o+u**),nE
Un microscopio es, bsicamente, un sistema ptico que transforma un
objeto en una imagen, la cual amplifica (magnifica) detalles
caractersticos del objeto.
Con el microscopio de luz se resuelven detalles del orden del micrn,
mientras que con el microscopio electrnico se alcanzan a resolver
objetos del orden de los angstrom.
En el microscopio electrnico, un haz de electrones incide sobre una
muestra y de la interaccin de estos electrones con los tomos de la
misma, surgen seales que son captadas por algn detector o bien,
proyectadas directamente sobre una pantalla.
Dentro de la familia de microscopios electrnicos, se encuentran el
microscopio electrnico de transmisin (TEM) y el microscopio
electrnico de barrido (SEM). Cada uno de ellos, permite el estudio de
diferentes caractersticas de una muestra. El SEM provee informacin
sobre morfologa y caractersticas de la superficie, mientras que con el
TEM podemos observar la estructura interna y detalles ultra
estructurales.
Un gran avance se ha alcanzado con la incorporacin de tcnicas de
procesamiento de imgenes para revelar detalles especficos de inters,
algunos de ellos ligados a la ultra estructura de la muestra.
<.7.2E Co"&$&*),n #n'$# ")*$os*o)os +# lu0 - +# #l#*'$,n)*oE
Los microscopios de luz y electrnico son esencialmente, idnticos.
Tanto uno como otro nos permiten amplificar aquellos objetos que son
indistinguibles a nuestro ojo. La diferencia fundamental entre los dos es
la fuente de iluminacin. Mientras el microscopio de luz utiliza un haz
de luz en el rango de las longitudes de onda del visible, el microscopio
electrnico emplea un haz de electrones de muy corta longitud de onda
que permite obtener una mayor resolucin.
Una tabla comparativa, entre ambos microscopios se muestra a
continuacin. Cabe destacar que la misma, involucra caractersticas
generales de los microscopios electrnicos y no considera las
diferencias particulares entre TEM y SEM.

MICROSCOPIO
DE LU=
MICROSCOPIO
ELECTRONICO
Ilu")n&*),n Haz de luz Haz de electrones
Lon5)'u+ +# on+& 2000 - 7500 0.037 - 0.086
L#n'#s Vidrio Electromagnticas
M#+)o Atmsfera Vaco
R#solu*),n 2000 3
M&5n).)*&*),n 10 x - 2000 x 100 x - 450000 x
8o*&l)0&*),n Mecnica Elctrica
Con'$&s'# Absorcin - Reflexin Scattering
<.7.(E ")*$os*o)o #l#*'$on)*o +# '$&ns")s)onE
<.7.(.1E #l )ns'$u"#n'o
El sistema ptico-electrnico del microscopio electrnico de transmisin
est constituido por las siguientes partes:
Can de electrones
Sistema de lentes
Pantalla fluorescente
Estos componentes estn ensamblados en una columna vertical la cual
se encuentra en alto vaco.
El can de electrones, es la fuente emisora del haz de electrones. Se
encuentra ubicado en la parte superior de la columna. Est constituido
por un filamento (ctodo), un cilindro con una apertura central, llamado
cilindro de Wehnelt que rodea al filamento y tiene un potencial
ligeramente ms negativo que ste. El nodo se encuentra por debajo
del cilindro de Wehnelt.
El filamento es calentado por el pasaje de corriente (alrededor de 2800
K). Los electrones emitidos termoinicamente por el ctodo son
acelerados hacia el nodo, pasan por la apertura circular central de ste
y un haz de alta energa es emitido hacia la columna del microscopio.
El sistema de lentes est formado por lentes condensadores objetivo,
intermedia y proyectora. Las lentes condensadoras, en los microscopios,
ms modernos son dos. La primera, proyecta la imagen punto de
entrecruzamiento de magnificada (spot size), mientras que la segunda
controla su dimetro y el ngulo de convergencia en que incide sobre la
muestra. limita al haz que incide sobre la muestra.
La lente objetivo forma la primera imagen, localizada debajo del
espcimen. Es considerada el componente ms importante del
microscopio electrnico. Cualquier defecto en sta, ser magnificado y
transmitido al resto del sistema ptico. Por lo tanto, de ella dependen, en
gran medida, la resolucin final y la correccin de las aberraciones.
Las lentes intermedia y proyectora son las encargadas de amplificar la
imagen dada por la lente objetivo y proyectarla sobre la pantalla
fluorescente.
La pantalla del microscopio electrnico de transmisin est recubierta
por una pintura de fluoruros de Zn y Cd, que fluoresce cuando es
bombardeada por electrones, generando una imagen en el rango de las
longitudes de onda del visible.
Mediante el microscopio electrnico de transmisin podemos estudiar la
ultraestruacura de un material orgnico oinorgnico. Para esto, existen
diferentes formas de operacin que posibilitan el estudio de una
caracterstica en particular. Entre las aplicaciones del TEM para el
estudio de materiales no- biolgicos y biolgicos podemos nombrar :
Determinacin de estructura cristalina en minerales, metales, etc.
Estudio de catalizadores.
Determinacin de impurezas, precipitados,etc.
dentificacin de bordes de grano e interfaces en metales.
Estudio de fases y zonas cristalinas en polmeros.
Determinacin de tamao de partcula en catalizadores,
minerales, etc.
dentificacin de planos cristalinos.
Cambios estructurales de materiales sometidos a diferentes
tratamientos trmicos.
Realizacin de estudios de histoqumica para identificar
compuestos especficos.
Estudios de ultra estructura de tejidos vegetales y animales.
Reconocimiento de virus.
Estudios de citoqumica.
Estudios de estructuras moleculares.
17. TEORA DE BANDAS DE LOS S>LIDOS
El comportamiento de los electrones est regido por las leyes de la
mecnica cuntica, por lo tanto:
Los electrones no pueden tener cualquier nivel de energa: los
estados de energa estn cuantificados. A un conjunto de niveles
de energa muy cerca entre s se lo denomina B&n+& +# #n#$5!&
y se la considera continua.
No todas las bandas se ocupan uniformemente, sino que algunas
tienen ms probabilidades de ser ocupadas que otras, incluso hay
bandas totalmente desocupadas, o sea que la probabilidad de
que un electrn tenga ese nivel de energa es nula o muy cercana
a cero.
1;.1 MODELO SIMPLE
Mo+#lo +# los #nl&*#s *o@&l#n'#s%
El modelo de Drude permita explicar el comportamiento como
conductor de algunos slidos basndose en la aplicacin de la teora
cintica a los electrones en un slido. Sin embargo este modelo era
insuficiente a la hora de explicar el comportamiento de otros
materiales que hoy da se conocen como semiconductores. En
respuesta al modelo de Drude surgi el modelo de bandas
energticas que, basndose en las distribuciones de los electrones
en sus orbitales a modo de regiones discretas, poda entenderse el
comportamiento de la conductividad en los materiales.
Usualmente, se presenta este esquema basado en el modelo
atmico de Bohr y el principio de exclusin de Pauli
Supngase una red cristalina formada por tomos de silicio. Cuando
los tomos estn aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones)
y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrn
una cierta energa E
s
y E
p
respectivamente (punto A). A medida que
disminuye la distancia interatmica comienza a observarse la
interaccin mutua entre los tomos, hasta que ambos orbitales llegan
a formar, por la distorsin creada, un sistema electrnico nico. En
este momento se tienen 8 orbitales hbridos sp con cuatro electrones
y cuatro vacantes (punto B).
Si se contina disminuyendo la distancia interatmica hasta la
configuracin del cristal, comienzan a interferir los electrones de las
capas internas de los tomos, formndose bandas de energa (punto
Z). Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son:
B&n+& +# @&l#n*)&. 4 estados, con 4 electrones.
B&n+& $oA)B)+&. No puede haber electrones con esos
valores de energa en el cristal.
B&n+& +# *on+u**),n. 4 estados, sin electrones.
18. DE8ECTOS DE ESTADO SOLIDO
El #s'&+o s,l)+o
Las molculas de un slido tienen, en general, prcticamente impedido
el movimiento de traslacin debido a la accin las fuerzas
intermoleculares. Sin embargo, los movimientos de rotacin y vibracin
no quedan totalmente impedidos. Esta ausencia de los movimientos de
traslaciones impone una rigidez a estas sustancias con lo que ocupan un
lugar definido en el espacio.
Los gases y los lquidos en condiciones normales, se presentan
constituidos por molculas (H2O, CO, N2) o tomos (gases nobles, Hg).
A estas sustancias se les denomina sustancias atmicas o moleculares y
cuando solidifican siguen manteniendo estas unidades. Estos slidos se
caracterizan porque sus unidades integrantes se unen entre s por
fuerzas interatmicas, interinicas o intermoleculares.
11.1 T)os +# s,l)+os
S,l)+os "ol#*ul&$#s
Son los slidos formados por molculas que se mantienen unidas
mediante fuerzas de /an der 0aals. Se estudiarn con motivo de
examinar la naturaleza de esas fuerzas.
S,l)+os "#'?l)*os
Los metales y aleaciones son generalmente slidos en
condiciones normales. En ellos los tomos permanecen unidos
por intensas fuerzas debidas al enlace metlico.
S,l)+os *o@&l#n'#s
Un ejemplo es el diamante. Es una variedad alotrpica del
carbono al igual que el grafito. En el diamante cada tomo de
carbono utiliza sus cuatro hibridos sp1 tetradricos, para unirse a
otros cuatro carbonos iguales que se unen a otros tomos
vecinos para dar un slido formado por tomos fuertemente
enlazados mediante enlace covalente. Otras formas alotrpicas
del carbono, los fulerenos*, son formas cerradas a base de
pentgonos y hexgonos. El ms representativo es el fulereno
C60, que tiene la forma de baln de ftbol con doce pentgonos y
veinte hexgonos. El C70 es similar a un baln de rugby. Nombre
tomado de 2uc3minster 4uller, filsofo e ingeniero que diseo las
cpulas geodsicas para la EXPO 67 en Montreal. Se obtiene en
las descargas elctricas entre electrodos de grafito. 5n
compuesto, #1+67, es metlico y superconductor por debajo de
18K.
S,l)+os ),n)*os
Cuando el Cl2 gaseoso y el sodio metlico, con diferente
electronegatividad, reaccionan conducen a la formacin de un
slido inico en el cual existen iones Cl- y Na+, Estos iones se
atraen por fuerzas en todas las direcciones, no estando
impedidas totalmente las rotaciones o vibraciones de los iones
dentro del slido.
Los puntos de fusin y ebullicin de los slidos moleculares son
generalmente bajos. Sin embargo, para las sustancias metlicas,
covalentes y inicas estos puntos tienen valores altos. Esto he
hecho est en consonancia con la mayor o menor fortaleza de las
fuerzas entre las unidades constituyentes de los diferentes
slidos.
11.2 Es'$u*'u$& +# los s,l)+os ),n)*os
La mayora de los compuestos inorgnicos son slidos inicos entre los
que se incluyen sales, xidos, hidrxidos y sulfuros. Se forman
principalmente con los elementos de los extremos del Sistema Peridico,
es decir haluros, xidos y sulfuros de los elementos de los grupos 1, 2, 3
y elementos de transicin. Tambin con oxoaniones como sulfato,
carbonato nitrato etc. La fuerza atractiva mxima se consigue cuando
cada ion se rodea del mximo nmero posible de iones de carga
contraria. Este nmero se denomina nmero de coordinacin (NC).
Cationes y aniones poseen el mismo NC cuando en la estequiometria de
la sustancia hay el mismo nmero de ambos tipos de iones (NaCl).
Factores que condicionan la estructura de un slido inico son: carga y
radios o relacin de radios de los iones
a) La carga de los iones determina la estequiometria del compuesto, que
debe ser elctricamente neutro. Las estequiometrias ms frecuentes son
MX (NaCl, CsCl, ZnS), MX2 (TiO2, CaF2 o fluorita), M2X (estructuras
'anti'; Na2O, anti fluorita).
b) La relacin de radios hace que los iones, que suponemos de forma
esfrica, tiendan a ordenar se en un arreglo geomtrico con las mximas
atracciones y mnimas repulsiones. Se puede ilustrar con el siguiente
esquema con un catin que tiende a rodearse de cuatro aniones como
arreglo ms favorable
Las redes cristalinas de iones se denominan con el nombre de un
compuesto o mineral tipo. As la coordinacin cuatro se da para dos
estructuras, blenda y ,urtita, ambas sulfuro de cinc.
"mp#!etmiento compcto de esfers
El empaquetamiento u ordenacin ms compacto utilizando esferas, que
en este caso sern iones, consiste en reunir tres esferas tangentes entre
s. Al repetir el proceso tenemos una capa de esferas en la cual cada
esfera est en contacto con otras seis vecinas (capa A). Esta disposicin
es anloga a la que adoptan espontneamente esferas de igual tamao
cuando se agrupan sobre una superficie plana. Para formar la estructura
tridimensional colocaremos sucesivas capas sobre esta primera. Una
segunda capa (B), se colocar sobre la primera de manera que cada
esfera de esta segunda capa se site en las depresiones de la primera
para lograr empaquetamiento compacto mximo.
La tercera capa de esferas puede colocarse de dos maneras. en un caso
las esferas de esta tercera capa caen sobre las esferas de la primera,
dando lugar al empaquetamiento 8exagonal compacto, con una
sucesin de capas ABAB...
Hay otra posibilidad de colocacin para la tercera capa de modo que no
coincida con la primera y llenando las depresiones de la segunda. Esta
ordenacin sera una repeticin de estas tres capas, ABCABC... El
empaquetamiento se denomina, en este caso, cbico compacto.
Frecuentemente se contemplan los slidos inicos como estructuras de
esferas de empaquetamiento compacto, situndose el ion ms pequeo
en los huecos de este ordenamiento.
Estos huecos pueden ser octadricos y tetradricos. Los huecos
octadricos se sitan entre dos tringulos formados por esferas,
opuestos y pertenecientes a capas adyacentes. Para N tomos en el
cristal hay N huecos octadricos. Un hueco tetradrico se forma cuando
a un tringulo de esferas se le coloca en el centro otra esfera de la capa
contigua, formando un tetraedro que puede apuntar hacia arriba o hacia
abajo. En un cristal de N tomos hay 2N de estos huecos.
Un cristal con N tomos contiene N huecos octadricos y 2N huecos
tetradricos.
$e%l de l relci&n de rdios
En muchos casos se puede racionalizar la estructura de los compuestos
inicos teniendo en cuenta la relacin de radios r, o relacin del in ms
pequeo r< con el mayor r>. Generalmente r< y r> se refieren al radio
del catin y del anin (r+ y r-) r = r</r>
La mnima relacin de radios que puede tolerar un determinado nmero
de coordinacin viene dado por el problema de empaquetar
compactamente esferas de distinto tamao.
11.( D#.#*'os +# los s,l)+os ),n)*os
En un slido inico perfecto los iones estn en las correctas posiciones
determinadas por su estructura cristalina. Pero esta situacin ideal solo
se da en el cero absoluto. Por encima de esta temperatura ocurren
defectos extendidos por la estructura como dislocaciones en la
estructura que afectan a la resistencia del material. Otros defectos, que
son los que veremos con ms detalle son los de.ectos puntuales que
ocurren en posiciones aisladas de la estructura y que pueden deberse a
la presencia de un ion extrao en una posicin no prevista para l en la
red, o existencia de posiciones vacantes en la red en un sitio donde se
espera la presencia de un determinado ion.
11.(.1 En#$5!& +# .o$"&*),n +# +#.#*'os
Todos los slidos tienen tendencia termodinmica a adquirir defectos
debido a que estos suponen un incremento positivo de la entropa o
desorden en el slido, especialmente al principio. La energa libre de un
slido con defectos, G = H - TS, tiene sumandos de la contribucin de la
entalpa y de la entropa. Por efecto de la entropa esta contribuye
negativamente al valor de la energa libre. La formacin de defectos es
un proceso endotrmico de manera que H aumenta linealmente con el
aumento de defectos. Ambos sumandos proporcionan una variacin de
G que tiene un mnimo de energa para un cierto nmero de defectos
que le proporciona estabilidad en el equilibrio. La formacin de defectos
es un proceso espontneo. De este modo los slidos reales tienen un
nmero de defectos, que le proporcionan una estabilidad frente al slido
perfecto.
11.(.2 D#.#*'os #s'#Iu)o"'$)*os
Los compuestos estequiomtricos son aquellos que contienen siempre
los mismos elementos en la misma proporcin en peso. Se les denomina
tambin 'daltnidos' (de -alton), en contraste con los no
estequiomtricos o 'bertlidos' (de 2ert8ollet). Se observan en los
compuestos estequiomtricos dos tipos de defectos: Schottky y Frenkel.
En el cero absoluto estos cristales inicos estan perfectamente
ordenado pero a medida que aumenta la temperatura algunos iones
abandonan sus posiciones correctas creando un defecto.
11.(.( D#.#*'os S*Ao''K-
Un ion positivo y otro negativo estn ausentes de la red, no alterando ni
la neutralidad ni la composicin. Se producen dos agujeros o huecos en
los que no existen tomos, a la vez que se mantiene la estequiometria.
Ocurre en los compuestos inicos cuyo catin y anin son de tamao
similar y nmero de coordinacin 6 u 8, como en NaCl, KCl. CsCl, KBr.
El nmero de estos defectos por cm2 (NS), est relacionado con el
trabajo necesario para crear ese defecto (DHS) y con la temperatura
mediante la expresin:
NS = Nexp [-DHS/2kT]. k es la constante de Boltzman
11.(./ D#.#*'os 8$#nK#l
Es una vacante en un sitio donde debera estar situado un ion. Este ion
pasa a una posicin intersticial. Los cationes suelen ser ms pequeos
que los aniones por lo que son estos los que suelen faltar de sus
posiciones correctas. Se dan en compuestos con gran diferencia de
tamaos del anin y catin: AgX (X, haluro), ZnS. El nmero de estos
defectos por unidad de volumen es: NF = (NN')1/2 exp[-DHF/2kT],donde
N y N' es el nmero de tomos y de posiciones intersticiales por unidad
de volumen.
El que en un cristal se presenten un tipo u otro de defectos depende de
la entalpa de formacin de estos defectos. En algunos cristales pueden
presentarse ambos tipos.
Como consecuencia de estos defectos los compuestos inicos pueden
presentar algn grado de conductividad elctrica. Si un ion se mueve a
un nuevo agujero deja un agujero. El proceso se 70 puede repetir con lo
que se produce una migracin de cargas o conduccin. Este tipo de
semiconduccin es la responsable del ruido de fondo producido por los
transistores.
11.(.1 D#.#*'os no #s'#Iu)o"'$)*os
Los compuestos no estequiomtricos tienen un determinado rango de
composicin. Son abundantes entre los xidos y sulfuros de los metales
de transicin. As en FeO, FeS o CuO, la relacin metal/no metal es
prxima a 1. Puede haber exceso o defecto de metal. En el caso de FeO
hay en la estructura algo de Fe3+. Ejemplo, el FeO tiene composicin
desde Fe0,84O hasta Fe0,94O, pero debe ser elctricamente neutro y
de ah que exista algo de Fe3+. Si desaparece un Fe2+ deben aparecer
dos Fe3+. Exceso de metal El exceso de metal puede darse en dos
modalidades: centros F y, iones y electrones intersticiales.
C#n'$os 8
Un ion negativo est ausente de la red y su lugar ocupado por un
electrn. Cuando un cristal de NaCl se calienta en exceso de su metal o
es sometido a una radiacin muy energtica (rayos X), aparece defecto
de anin y su frmula es NaCl1-x Es semejante al defecto Sc8ott3y pero
aqu aparece un solo agujero en vez de un par. La forma no
estequiomtrica del NaCl es amarilla y la correspondiente al KCl azul-
lila. Los sitios de los aniones ocupados por los electrones se llaman
centros 4 (de .arbe, color en alemn), y son responsables del color.
Estos slidos son: paramagnticos y cuando se irradian con luz se
vuelven fotoconductores. Al absorber energa estos electrones son
promovidos desde la banda de valencia a la banda de conduccin
originando un semiconductor de tipo n, negativo o conduccin por
electrones. ones y electrones intersticiales
Defectos con un exceso de metal puede ocurrir cuando hay cationes en
exceso y una cantidad equivalente de electrones, ambos situados en los
intersticios de la red. La composicin puede representarse como M1+xX.
Es parecido al defecto 4ren3el pero no quedan huecos vacos y hay
tambin electrones intersticiales. Este tipo de defectos es ms frecuente
que el anterior y aparecen en cristales susceptibles de tener los defectos
4ren3el, como ZnO, CdO, Fe2O3 y Cr2O3. Al calentar estos xidos en
presencia de oxgeno disminuye su conductividad debido a que el
oxgeno oxida a los iones intersticiales y por lo tanto hace desaparecer
los electrones intersticioles responsables de la conductividad. Los
electrones libres pueden ser excitados a niveles superiores con lo cual
los compuestos se vuelven coloreado; as el ZnO es de color blanco a
temperatura ambiente pero se vuelve amarillento al calentar.
D#.)*)#n*)& +# "#'&l
A su vez esta deficiencia puede estar originado por dos vas.
' Puede ocurrir una ausencia de iones positi)os que se compensa
porque un catin adyacente tenga carga positiva extra que compense la
deficiencia de carga. Ejemplos FeO, NiO, d-TiO. Cristales con estos
defectos son semiconductores, ya que un electrn puede fcilmente
saltar de un A+ a otro A2+. De esta manera el catin A2+ se convierte en
otro cation A+ y el efecto es un desplazamiento de cationes A+ o cargas
positivas a lo largo de la red. As el electrn va en una direccin y el
hueco positivo en la contraria dando lugar a una conduccin tipo p o
positiva.
B4 Tambin puede 8aber aniones extra en una posicin intersticial que
queda compensados con un estado de oxidacin ms elevado en un
catin adyacente. Como los aniones son grandes es difcil que ocupen
los intersticios. No se conocen compuestos con estos defectos.
Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos
de imperfecciones y defectos, que afectan a muchas de sus propiedades
fsicas y mecnicas y tambin influyen en algunas propiedades de los
materiales a nivel de aplicacin ingenieril tal como la capacidad de
formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la corrosin.
Las imperfecciones se clasifican segn su geometra y forma as:
Defectos puntuales o de dimensin cero
Defectos lineales o de una dimensin llamados tambin
dislocaciones
Defectos de dos dimensiones
Tambin deben incluirse los defectos macroscpicos tales como fisuras,
poros y las
inclusiones extraas.
11./ Co"o$'&")#n'o +# los "&'#$)&l#s B&Lo *&$5&E
Los materiales, en su totalidad, se deforman a una carga externa. Se
sabe adems que, hasta cierta carga lmite el slido recobra sus
dimensiones originales cuando se le descarga. La recuperacin de las
dimensiones originales al eliminar la carga es lo que caracteriza al
comportamiento elstico. La carga lmite por encima de la cual ya no se
comporta elsticamente es el lmite elstico. Al sobrepasar el lmite
elstico, el cuerpo sufre cierta deformacin permanente al ser
descargado, se dice entonces que ha sufrido deformacin plstica.
El comportamiento general de los materiales bajo carga se puede
clasificar como dctil o frgil segn que el material muestre o no
capacidad para sufrir deformacin plstica. Los materiales dctiles
exhiben una curva Esfuerzo - Deformacin que llega a su mximo en el
punto de resistencia a la tensin. En materiales ms frgiles, la carga
mxima o resistencia a la tensin ocurre en el punto de falla. En
materiales extremadamente frgiles, como los cermicos, el esfuerzo de
fluencia, la resistencia a la tensin y el esfuerzo de ruptura son iguales.
En la figura 2.1. se muestra el comportamiento Esfuerzo - Deformacin
de materiales frgiles y dctiles.
La deformacin elstica obedece a la Ley de Hooke . La constante
de proporcionalidad 9 llamada mdulo de elasticidad o de Young,
representa la pendiente del segmento lineal de la grfica Esfuerzo -
Deformacin, y puede ser interpretado como la rigidez, o sea, la
resistencia del material a la deformacin elstica. En la deformacin
plstica la Ley de Hooke deja de tener validez.
A escala atmica, la deformacin elstica macroscpica se manifiesta
como pequeos cambios en el espaciado interatmico y los enlaces
interatmicos son estirados. Por consiguiente, la magnitud del mdulo
de elasticidad representa la resistencia a la separacin de los tomos
contiguos, es decir, a las fuerzas de enlace interatmicas.
A escala atmica, la deformacin plstica corresponde a la rotura de los
enlaces entre tomos vecinos ms prximos y a la reformacin de stos
con nuevos vecinos, ya que un gran nmero de tomos o molculas se
mueven unos con respecto a otros; al eliminar la tensin no vuelven a
sus posiciones originales.
FGURA 2.1.Diagrama Esfuerzo - Deformacin para materiales dctiles y
frgiles
11.1 L& *u$@& #s.u#$0o M +#.o$"&*),nE
La curva usual Esfuerzo - Deformacin (llamada tambin convencional,
tecnolgica, de ingeniera o nominal), expresa tanto el esfuerzo como la
deformacin en trminos de las dimensiones originales de la probeta, un
procedimiento muy til cuando se est interesado en determinar los
datos de resistencia y ductilidad para propsito de diseo en ingeniera.
Por otra parte, este tipo de representacin no es tan conveniente para
mostrar la naturaleza del proceso de endurecimiento por trabajo en los
metales, en otras palabras no proporciona una indicacin de las
caractersticas de deformacin en el metal.
La curva Esfuerzo real - Deformacin real (denominada frecuentemente,
curva de fluencia, ya que proporciona el esfuerzo necesario para que el
metal fluya plsticamente hacia cualquier deformacin dada), muestra
realmente lo que sucede en el material. Por ejemplo en el caso de un
material dctil sometido a tensin este se hace inestable y sufre
estriccin localizada durante la ltima fase del ensayo y la carga
requerida para la deformacin disminuye debido a la disminucin del
rea transversal, adems la tensin media basada en la seccin inicial
disminuye tambin producindose como consecuencia un descenso de
la curva Esfuerzo - Deformacin despus del punto de carga mxima.
Pero lo que sucede en realidad es que el material contina
endurecindose por deformacin hasta producirse la fractura, de modo
que la tensin requerida debera aumentar para producir mayor
deformacin. A este efecto se opone la disminucin gradual del rea de
la seccin transversal de la probeta mientras se produce el
alargamiento. La estriccin comienza al alcanzarse la carga mxima.
Los parmetros de ambas curvas son:
Esfuerzo de ingeniera : Es la carga dividida por el rea transversal
original.
Esfuerzo real : Es la carga dividida por el rea transversal instantnea.
Deformacin de ingeniera : Relacin de la variacin de la longitud
respecto a la longitud inicial.
Deformacin real : Relacin de la variacin de la longitud respecto al
valor instantneo de esta.
Relacionando ambos esfuerzos y deformaciones tenemos:
Estas ecuaciones son vlidas hasta el punto de esfuerzo mximo; a
partir de este punto el esfuerzo y la deformacin reales deben ser
calculadas a partir de las medidas de la carga, secciones transversales y
longitudes de pruebas reales. En la figura 2.2., ntese que el esfuerzo
real necesario para aumentar la deformacin contina aumentando una
vez superado el punto M hasta el punto de fractura, formando
aproximadamente una lnea recta. Coincidiendo con la formacin de la
estriccin se origina un estado complejo de esfuerzos en esta zona (es
decir, existen otras componentes del esfuerzo adems del esfuerzo
axial). Por consiguiente, el esfuerzo axial correcto en la regin de la
estriccin es ligeramente menor que la calculada a partir de la carga
aplicada y del rea de la seccin de la estriccin.
FGURA 2.2.Comparacin entre curvas Esfuerzo - Deformacin de ingeniera y
Esfuerzo - Deformacin real
11.D D#.#*'os #n #l &$$#5lo &',")*o *$)s'&l)no #n los "&'#$)&l#s
Todos los materiales tienen defectos en el arreglo atmico cristalino, las
cuales tienen efecto en el comportamiento del material. Controlando las
irregularidades reticulares se hacen ms resistentes los metales y sus
aleaciones.
El trmino defecto o imperfeccin se utiliza generalmente para describir
cualquier desviacin de una disposicin ordenada de puntos reticulares.
Cuando la desviacin de la disposicin peridica de la red que est
localizada en la proximidad de unos pocos tomos solamente, se
denomina defecto o imperfeccin de punto. Sin embargo, si el defecto se
extiende a travs de zonas del cristal, se denomina defecto o
imperfeccin reticular. Los defectos reticulares se pueden dividir en
defectos de lnea y defectos de superficie o plano.
11.3 D#.#*'os +# l!n#& o +)slo*&*)on#sE
Son imperfecciones lineales o unidimensionales en una red en torno a
algunos tomos desalineados, que de otra manera sera perfecta.
Es posible identificar dos tipos de dislocaciones:
1-Dislocacin de borde, de arista, de lnea, de cua o de Taylor -
Orowan: Es un defecto lineal centrado alrededor de la lnea definida por
el extremo del semiplano de tomos extra. La lnea de la dislocacin se
mueve en la direccin de la tensin de cizalladura aplicada.
2-Dislocacin de alabeo, de tornillo o helicoidal: Es el resultado de una
distorsin de cizalladura; la lnea de la dislocacin pasa a travs de una
espiral formado por rampas de planos atmicos. El movimiento de la
lnea de dislocacin es perpendicular a la direccin de la tensin.
La formacin de un escaln sobre la superficie de un cristal se da en
ambos casos como se puede apreciar en la figura 2.3.
FGURA 2.3.Dislocaciones de cua y helicoidal
El proceso por el cual se mueve una dislocacin y causa que un metal
se deforme se denomina deslizamiento. La direccin en la cual se
mueve la lnea de la dislocacin, o sea, la direccin de deslizamiento, es
la direccin del vector de Burgers para dislocaciones de cua (el vector
de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin). Durante el
deslizamiento la dislocacin de borde barre el plano formado por el
vector de Burgers y la dislocacin; este se llama plano de deslizamiento.
La combinacin de la direccin y el plano de deslizamiento constituye el
sistema de deslizamiento.
En el caso de dislocaciones helicoidales se produce el mismo resultado,
pero la dislocacin se mueve en direccin paralela al vector.
El proceso de deslizamiento es til para comprender el comportamiento
mecnico de los metales ya que:
1-Explica por que la resistencia de los metales es mucho ms baja que
el valor calculado a partir de la unin metlica.
2-El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, caso contrario si
no existieran dislocaciones los metales seran frgiles y no podran ser
conformados en formas tiles por los variados procesos de conformado
de materiales que existe, tales como la forja.
3-Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin
interfiriendo el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo
introducido en el cristal impide que se deslice una dislocacin a menos
que se apliquen fuerzas elevadas; en este caso el metal debe ser ms
resistente.
El esfuerzo cortante resultante puede producirse en el sistema de
deslizamiento, ocasionando que la dislocacin se mueva sobre el plano
de deslizamiento en la direccin de deslizamiento. El esfuerzo cortante
crtico es el esfuerzo cortante mnimo requerido para romper suficientes
enlaces metlicos a fin de que ocurra el deslizamiento.
11.7 D#.#*'os un'u&l#sE
Son discontinuidades de la red que involucran uno o varios tomos,
distorsionando el acomodamiento perfecto de los tomo circundantes.
Se produce un hueco o vacante cuando se pierde un tomo en un nodo
normal. Las vacantes o huecos se producen en la estructura cristalina
durante la solidificacin a elevadas temperaturas, o como consecuencia
de una dao por efectos de radiacin. En la figura 2.4. se aprecian los
tipos de defectos puntuales.
La adicin intencional de tomos intersticiales y sustitucionales en la
estructura de un material es la base para el endurecimiento por solucin
slida de los materiales.
FGURA 2.4.Defectos puntuales
11.< D#.#*'os +# su#$.)*)#E
Son los lmites que separan a un material en regiones, cada una de ellas
teniendo la misma estructura cristalina pero diferentes orientaciones.
L!")'#s o Bo$+#s +# 5$&noE
La microestructura de los metales consta de muchos granos o cristales
contiguos. Un grano es un monocristal dentro la cual el ordenamiento de
los tomos es idntico, pero la orientacin del arreglo atmico o de la
estructura cristalina para cada grano contiguo es diferente. Un borde de
grano es la superficie que separa los granos individuales, siendo una
zona donde los tomos no se encuentran espaciados de manera
apropiada, tal como lo muestra la figura 2.5.
Se puede controlar las propiedades de un metal a travs del
endurecimiento por tamao de grano. Reduciendo el tamao de grano
se incrementa el nmero de granos por unidad de volumen, y por
consiguiente la cantidad de fronteras o bordes de grano. Cualquier
dislocacin encontrar un lmite de grano al solo moverse un poco,
incrementndose la resistencia del metal al obstaculizar el movimiento
de las dislocaciones. La ecuacin Hall - Petch relaciona el tamao de
grano con el esfuerzo de fluencia del metal
Son posibles varios grados de desalinea miento cristalogrfico entre
granos vecinos. Cuando la diferencia de orientacin es pequea del
orden de unos pocos grados, se denomina lmite de grano de ngulo
pequeo, el cual se genera al alinearse dislocaciones de cua. Este tipo
de defecto se denomina lmite de inclinacin. Lmites de grano de ngulo
pequeo torsionados se generan al formarse dislocaciones helicoidales.
Frecuentemente se denomina subgranos a las regiones del material
separadas por lmites de grano de ngulo pequeo.
FGURA 2.5.Arreglo de los tomos en los lmites de
grano
11.1; +#.#*'os )n'#$s')*)&l#sE
Algunas veces, un tomo extra se inserta dentro de la estructura de la
red en una posicin que normalmente no est ocupada formando un
defecto llamado "Defecto intersticial .
Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes
distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el tomo es
sustancialmente ms grande que la posicin intersticial en la que se
sita. Consecuentemente la formacin de este defecto no es muy
probable. Se pueden introducir en una estructura por radiacin.
Defectos intersticiales:
11.1;.1 )"u$#0&s #n s,l)+osE
Este defecto se introduce cuando un tomo es reemplazado por un
tomo diferente. El
tomo sustituyente puede ser ms grande que el tomo original y en ese
caso los tomos alrededor estn a compresin puede ser ms
pequeo que el tomo original y en este caso los tomos circundantes
estarn a tensin. Este defecto puede presentarse como una impureza o
como una adicin deliberada en una aleacin.

mpurezas o re-emplazamientos:

Dependiendo de la clase de impureza que se halle en el cristal, de su
concentracin y de la temperatura se formar en el cristal una
SOLUCN SLDA. Cuando se habla de solucin slida hay que hacer
claridad sobre algunos trminos:
Soluto: Es el elemento o compuesto dentro de la solucin slida,
que se encuentra
en menor concentracin
Solvente: Es el elemento dentro de la solucin slida, que se
encuentra en mayor
concentracin.
Una solucin slida se forma cuando tomos de soluto se adicionan al
material y la estructura cristalina original se mantiene. Se puede asimilar
a una solucin lquida en la
que tambin los tomos que constituyen las impurezas (soluto) estn
distribuidos al azar y uniformemente dispersos dentro del slido.
Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones slidas
pueden generarse por dos mecanismos:
Sustitucin: Aqu el soluto o las impurezas reemplazan a tomos
originales. Esto se da cuando los tomos que constituyen el soluto y
el solvente cumplen los siguientes requerimientos (Reglas de Hume-
Rothery):
Los radios atmicos no difieran ms del 15%
Las estructuras cristalinas deben ser las mismas
Las electronegatividades deben ser similares ya que de otra
manera
reaccionaran y se formaran nuevos compuestos
Deben tener la misma valencia
Un ejemplo de solucin slida en metales lo constituyen el Cobre y el
Nquel.
Solucin slida por sustitucin de Cobre y Nquel
11.1;.2 In'#$s')*)&lE

Aqu los tomos de las impurezas llenan los vacos o intersticios dentro
del material original. En la mayora de los materiales metlicos el
empaquetamiento atmico es alto y los intersticios son pequeos.
Consecuentemente los dimetros de los tomos que constituyen las
impurezas intersticiales deben ser sustancialmente ms pequeas que
los del material original, razn por la cual este defecto es mucho menos
comn. Un ejemplo de este tipo de impureza por sustitucin lo
constituyen el carbn y el hierro. En una solucin slida de estos dos
elementos, el carbn puede sustituir al hierro en no mas del 2%.
mpurezas intersticiales de Carbn en hierro
11.1;.( D#.#*'o .$#nK#lE
Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial. Ocurre
cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a un sitio
intersticial dejando entonces una vacancia.
Defecto Frenkel
11.1;./ D#.#*'o s*Ao''K-E
Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para
mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como
un anin.
Defecto Schottky
Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una carga
reemplaza otro ion de diferente carga. Por ejemplo un ion de valencia +2
reemplaza a un ion de valencia +1. En este caso una carga extre
positiva se introduce dentro de la estructura. Para mantener un balance
de carga, se debe crear una vacante de una carga positiva (Enlaces
inicos).
Defecto por reemplazamiento por iones de diferente carga
11.11 D)slo*&*),n A#l)*o)+&l
Esta dislocacin se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura
en un cristal perfecto que ha sido separado por un plano cortante.
Dislocacin helicoidal
11.12 D)slo*&*)on#s ")N'&sE
Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones
anteriores. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la
lnea de dislocacin, pero mantiene una orientacin fija en el espacio. La
estructura atmica local en torno a la dislocacin mixta es difcil de
visualizar, pero el vector de Burgers proporciona una descripcin
conveniente y sencilla.
Dislocacin mixta
11.1( S)5n).)*&+o +# l&s +)slo*&*)on#sE
Aunque los deslizamientos o desplazamientos atmicos pueden ocurrir
en cermicos y polmeros, estos procesos son particularmente tiles
para entender el comportamiento mecnico de los metales. Primero que
todo, el deslizamiento atmico explica por que la resistencia de los
metales es mucho mas baja que el valor terico predicho de los enlaces
metlicos. Cuando los deslizamientos ocurren, solo una pequea
fraccin de todos los enlaces metlicos a lo largo de la interfase necesita
ser roto y la fuerza requerida para deformar el metal es pequea.
Segundo, los deslizamientos proveen ductilidad en los metales. Si no
estuvieran presentes las dislocaciones, una barra de hierro sera frgil y
los metales no podran ser moldeados por varios procesos tales como
forjado. Tercero, es posible controlar las propiedades mecnicas de un
metal o aleacin interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un
obstculo introducido dentro del cristal evita que una dislocacin se
deslice a menos de que se aplique una fuerza muy grande.
Es posible encontrar un gran nmero de dislocaciones en los materiales.
La densidad de las dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por
unidad de volumen, se usa generalmente para representar la cantidad
de dislocaciones presentes. Densidades de dislocaciones de 10 m . mm-
3 son tpicas de los metales ms suaves, mientras que densidades de
dislocaciones superiores a 1000 Km . mm-3 se pueden conseguir
deformando el material.
11.1/. Mo@)")#n'o &',")*o #n los "&'#$)&l#sE
11.1/.1 D).us),nE
Es el movimiento de los tomos en un material en forma ordenada,
tendiendo a eliminar las diferencias de concentracin y producir una
composicin homognea en el material.
11.1/.2 M#*&n)s"os +# +).us),n
D).us),n o$ @&*&n'#s
mplica la sustitucin de tomos, un tomo deja su lugar en la red
para ocupar una vacante (creando un nuevo sitio vaco en su
posicin original en la red).
D).us),n )n'#$s')*)&l
Donde un tomo se mueve de un intersticio a otro. No requiere de
vacantes para llevarse a cabo. En ocasiones un tomo sustitucional
deja su lugar en la red normal y se traslada a un intersticio muy
reducido.
D).us),n o$ )n'#$*&"B)o s)"l#
El tomo se mueve describiendo un movimiento circular. Es llamado
tambin intercambio cclico.
FGURA 2.6.Mecanismos de difusin
11.1/.( En#$5!& +# &*')@&*),n &$& l& +).us),nE
Un tomo que se difunde debe escurrirse entre los tomos circundantes
para ocupar su nueva posicin. El tomo que est un sitio de baja
energa estable, para desplazarse a otro lugar el tomo debe atravesar
una barrera de energa potencial que requiere una energa de
activacin . El calor proporciona esta energa para vencer esta barrera.
Normalmente se necesita menos energa para forzar un tomo
intersticial a que pase entre los tomos circundantes; en consecuencia,
la energa de activacin es menor en la difusin intersticial que en la
difusin por vacantes. Una energa baja de activacin revela una
difusin fcil.
11.1/./ V#lo*)+&+ +# +).us),n O $)"#$& l#- +# .)*KE
La velocidad a la cual los tomos se difunden en un material se mide por
la densidad de flujo J, la cual se define como el nmero de tomos que
pasa a travs de un plano de rea unitaria por unidad de tiempo.
Cuando se incrementa la temperatura de un material, el coeficiente de
difusin y la densidad de flujo de tomos tambin se incrementan. A
temperaturas mayores, la energa trmica proporcionada a los tomos
que se difunden les permite superar la barrera de energa de activacin
y poder desplazarse ms fcilmente a otros sitios en la red. Por esta
razn los tratamientos trmicos de los metales y el procesamiento de los
cermicos se realizan a temperaturas elevadas, donde los tomos se
mueven rpidamente para concluir las reacciones o alcanzar las
condiciones de equilibrio.
11.1/.1 L& #n#$5!& +# &*')@&*),n - #l "#*&n)s"o +# +).us),nE
Un valor pequeo de la energa activacin " incrementa el coeficiente
de difusin y la densidad de flujo, puesto que se necesita menos energa
trmica para superar la barrera de energa de activacin, que es menor.
La difusin intersticial, con baja energa de activacin, ocurre
normalmente a un orden de magnitud menor, o ms rpidamente que la
difusin por vacantes o por tomos sustitucionales. Las energas de
activacin son usualmente menores en los tomos que se difunden a
travs de estructuras cristalinas abiertas, en comparacin con las
estructuras cristalinas compactas.
Las energas de activacin son tambin menores para la difusin de los
tomos en los materiales con temperaturas bajas de fusin y son
generalmente menores en los tomos sustitucionales pequeos
comparados con los tomos ms grandes.
12. MECJNICA ESTADSTICA DE LOS CRISTALES
La mecnica estadstica +#l #s'&+o s,l)+o, rama de la fsica de la
materia condensada, trata sobre el estudio de la materia rgida, o
slidos. Estudia las propiedades fsicas de los materiales slidos
utilizando disciplinas tales como la mecnica cuntica, la cristalografa,
el electromagnetismo y la metalurgia fsica. Forma la base terica de la
ciencia de materiales y su desarrollo ha sido fundamental en el campo
de las aplicaciones tecnolgicas de microelectrnica al posibilitar el
desarrollo de transistores y materiales semiconductores.*
La mayor parte de la investigacin en la teora de la fsica de estado
slido se centra en los cristales, en gran parte porque la periodicidad de
los tomos en un cristal, su caracterstica definitoria, facilita el modelado
matemtico, y tambin porque los materiales cristalinos tienen a menudo
caractersticas elctricas, magnticas, pticas, o mecnicas que pueden
ser explotadas para los propsitos de la ingeniera.
El marco de la mayora de la teora en la fsica de estado slido es la
formulacin (de la onda) de Schrdinger de la mecnica cuntica no
relativista. Un importante punto de partida para mucho anlisis es el
teorema de Bloch, que caracteriza las funciones de onda de electrones
en un potencial peridico. Puesto que el teorema de Bloch se aplica
solamente a los potenciales peridicos, y puesto que los incesantes
movimientos al azar de los tomos en un cristal interrumpen la
periodicidad, este uso del teorema de Bloch es solamente una
aproximacin, pero ha demostrado ser una aproximacin enormemente
valiosa, sin la cual la mayora del anlisis de la fsica de estado slido
seran insuperables. Las desviaciones de la periodicidad son tratadas
por la teora de perturbaciones de la mecnica cuntica.
12.1 ESTRUCTURA CRISTALINA
La Fsica del estado slido constituye una parte importante de la Fsica
cuntica. Con su ayuda podemos comprender las propiedades
mecnicas, trmicas, elctrico-magnticas y pticas propias de los
slidos.
La existencia de la materia en un estado u otro depende de las
condiciones de presin y temperatura en las que se formaron. De la
misma forma, estos parmetros condicionan la formacin de la
estructura interna del slido.
Cada elemento tiene sus propias curvas de cambio de fase, de manera
que dependiendo del elemento se necesitarn unas condiciones u otras
para la formacin del slido o para realizar cualquier otro cambio de
fase. Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura
interna en la materia y su distribucin en la misma podemos distinguir
entre:
Mono*$)s'&l: Presenta una fuerte interaccin entre sus componentes los
cuales describen una mnima oscilacin con poca energa potencial. Las
partculas estn dispuestas de acuerdo a un orden en el espacio que est
determinado de acuerdo con una red estructural formada por la
:recreacin: geomtrica de la celdilla unidad en toda la estructura del
slido. Presentan lo que se conoce como Anisotropa.
Pol)*$)s'&l: Est compuesto por diversas regiones en las que
individualmente se recrea un monocristal aunque las disposiciones de cada
una de estas regiones no son simtricas entre s. Presenta lo que se llama
sotropa estadstica.
A"o$.os: No presentan una estructura o distribucin en el espacio, lo cual
los determina como una estructura espacial tridimensional no definida. No
se trata de una estructura cristalina.
12.2 8o$"&s - $o)#+&+#s +#l *$)s'&l.
En un modelo de slido en el que los tomos estn conectados entre s
mediante una especie de :muelles: (los cuales representaran la energa
potencial que los une), la energa interna del slido se compone de
energa potencial elstica y energa cintica de sus tomos. La presin
es una medida del grado de compresin de sus tomos y la temperatura
una medida de la energa cintica interna del conjunto de los mismos.
Esto nos permite determinar que de acuerdo con las caractersticas
externas del medio en que se encuentre, permitirn al elemento en
cuestin poder adoptar un estado u otro e incluso formar o no una
estructura cristalina.
Sin embargo la formacin de una estructura cristalina no es un proceso
fijo en un mismo elemento, ya que incluso tratndose as las condiciones
de formacin del slido podran determinar dos estructuras cristalinas
diferentes para un mismo elemento, la cul otorga las propiedades tanto
fsicas y elctricas como pticas al nuevo slido formado. Por ejemplo, el
carbono puede cristalizar en grafito en determinadas condiciones y en
otras cristaliza en el diamante, sin duda las caractersticas de uno frente
a otro difieren bastante para tratarse en ambos casos de carbono
cristalizado.
Este proceso no slo es dependiente de la presin y la temperatura en s
mismos, sino tambin del tiempo aplicado en cada uno de dichos
factores. De esta forma se sabe que la formacin de cristales requiere
un calentamiento del material a alta temperatura, aproximadamente
200 C, lo que se conoce como '#"#$&'u$& +# *$)s'&l)0&*),n, a partir
de la cual el elemento se funde para posteriormente, despus de un
tiempo lo suficientemente largo, cristalice. Al aadir temperatura al
material, realmente le estamos damos energa, permitiendo que las
partculas que lo componen oscilen a mayor velocidad con una mayor
#n#$5!& '$")*&, logrando que se funda(cambie al estado lquido).
Luego mediante un enfriamiento lento conseguimos dar tiempo a las
partculas que, de forma natural, tienden a retomar una forma
geomtrica y ordenada en la red interna consiguiendo as que se forme
un cristal.
De igual forma, si repetimos el proceso pero aplicando un tiempo de
enfriamiento demasiado corto impedimos que las partculas pueda "re-
colocarse" en una red cristalina homognea haciendo as que la
solidificacin de lugar a un amorfo.
El policristal es el caso ms tpico de los que puedan encontrarse en la
naturaleza, ya que un monocristal es un caso que rara vez se da. Un
cristal posee diferentes zonas que no pueden homogeneizarse entre si,
pero se puede hacer que sean como monocristales individuales en cada
una de sus regiones.
Siguiendo el ejemplo del carbono, la cualidad de que un mismo
elemento pueda cristalizar en diferentes formas nos lleva al hecho de
que es la red cristalina que forman la que determina sus propiedades.
En la naturaleza existen 14 tipos de redes cristalinas (otras ms
complejas son combinaciones de estas ms simples) que son conocidas
como Redes de Bravais.
Estas redes son organizaciones geomtricas tridimensionales en el
espacio caractersticas de las partculas del slido. As pueden
estudiarse las distribuciones en la red de los elementos.
Por ejemplo: El fsforo(P) cristaliza en una estructura cbica, el hierro
(Fe) en una bcc (:2ody +enter +ubic") y la plata (Ag) en una fcc ("4ace
+enter +ubic"). Otros cristalizan en redes compuestas como por ejemplo
los elementos del grupo V(C, Si, Ge...) o del de la tabla peridica que
lo hacen en una #s'$u*'u$& +# ')o +)&"&n'#, que es la combinacin de
dos redes fcc con una distancia interatmica de 1/4 de la diagonal.
R#$#s#n'&*),n +# un& *#l+)ll& #n l& +)sos)*),n 5#o"'$)*& +# sus &$'!*ul&s.
Segn cada una de estas distribuciones, cada una de las partculas
situadas en los nodos de la estructura, contribuye en una parte a la
formacin del nmero de tomos contenido en su interior. Se trata del
nmero de partculas por celdilla elemental que puede obtenerse como:
Siendo "nv" el nmero de partculas en los vrtices, "ni" en el interior y
"nf" en las caras del tetraedro.
Debido a que muchos de los compuestos elementales presentan
simetra esfrica podemos visualizarlas considerando stas como
empa;uetamientos espaciales de es.eras rgidas. Partiendo de esta
idea, podemos determinar la llamada Fraccin de Empaquetamiento que
nos proporciona una medida de lo "llena" que est la estructura reticular:
Para observar la estructura interna que posee un cristal generalmente
puede determinarse a partir del anlisis de la difraccin ondulatoria
producida cuando los fotones inciden en el cristal.
Gracias a estas observaciones W.L.Bragg propuso la conocida L#- +#
B$&55, que permite ver superficialmente la posicin de los planos que
forman los tomos.. Ley de Bragg:
Estas mismas propiedades pertenecientes a los slidos cristalinos y el
fundamento de los cambios de fase es el utilizado en el proceso de
grabacin de CD-RW y DVD-RW mediante cambios en la estructura
cristalina, haciendo zonas amorfas o policristalinas, segn los datos
(bits) que se desean grabar. Otras propiedades y teoras estn
relacionadas con la fsica de los cristales como las bandas de energas o
los modelos que explican las propiedades elctricas de conductores
metlicos y semiconductores.
12.3TEORA DE BANDAS
Representacin esquemtica de las bandas de energa en un slido.
En fsica de estado slido, teora segn la cual se describe la estructura
electrnica de un material como una #s'$u*'u$& +# B&n+&s
#l#*'$,n)*&s, o simplemente #s'$u*'u$& +# B&n+&s +# #n#$5!&. La
teora se basa en el hecho de que en una molcula los orbitales de un
tomo se solapan produciendo un nmero discreto de orbitales
moleculares.
Cuando una gran cantidad de tomos se unen, como en las estructuras
slidas, el nmero de orbitales de valencia (los niveles de energa ms
altos) es tan grande y la diferencia de energa entre cada uno de ellos
tan pequea que se puede considerar como si los niveles de energa
conjunta formaran bandas continuas ms que niveles de energa como
ocurre en los tomos aislados. Sin embargo, debido a que algunos
intervalos de energa no contienen orbitales, independiente del nmero
de tomos agregados, se crean ciertas brechas energticas entre las
diferentes bandas.
Dentro de una banda los niveles de energa son tan numerosos que
tienden a considerarse continuos si se cumplen dos hechos:
1. Si la separacin entre niveles de energa en un slido es comparable
con la energa que los electrones constantemente intercambian en
fotones;
2. Si dicha energa es comparable con la incertidumbre energtica
debido al principio de incertidumbre de Heisenberg, para periodos
relativamente largos de tiempo.
La banda de )alencia (BV): est ocupada por los electrones de )alencia
de los tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la
ltima capa o nivel energtico de los tomos. Los electrones de
valencia son los que forman los enlaces entre los tomos, pero no
intervienen en la conduccin elctrica.
La banda de conduccin (BC): est ocupada por los electrones libres,
es decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden
moverse fcilmente. Estos electrones son los responsables de conducir
la corriente elctrica.
En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la
corriente elctrica debe haber poca o ninguna separacin entre la BC y
la BV (que pueden a llegar a solaparse), de manera que los electrones
puedan saltar entre las bandas. Cuando la separacin entre electrones
sea mayor, el material se comportar como un aislante. En ocasiones, la
separacin entre bandas permite el salto entre las mismas de solo
algunos electrones. En estos casos, el material se comportar como un
semiconductor. Para que el salto de electrones entre bandas en este
caso se produzca deben darse alguna o varias de las siguientes
situaciones: que el material se encuentre a altas presiones, a una
temperatura elevada o se le aadan impurezas (que aportan ms
electrones). [[Archivo:[1]]]
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona
denominada banda pro8ibida o gap, que separa ambas bandas y en la
cual no pueden encontrarse los electrones.
12./ MODELO DE BANDAS ENER:HTICAS
El comportamiento de los electrones est regido por las leyes de la
mecnica cuntica, por lo tanto:
Los electrones no pueden tener cualquier nivel de energa: los estados de
energa estn cuantificados. A un conjunto de niveles de energa muy cerca
entre s se lo denomina B&n+& +# #n#$5!& y se la considera continua.
No todas las bandas se ocupan uniformemente, sino que algunas tienen
ms probabilidades de ser ocupadas que otras, incluso hay bandas
totalmente desocupadas, o sea que la probabilidad de que un electrn
tenga ese nivel de energa es nula o muy cercana a cero.
Modelo simple
El modelo de Drude permita explicar el comportamiento como conductor
de algunos slidos basndose en la aplicacin de la teora cintica a los
electrones en un slido. Sin embargo este modelo era insuficiente a la
hora de explicar el comportamiento de otros materiales que hoy da se
conocen como semiconductores. En respuesta al modelo de Drude
surgi el modelo de bandas energticas que, basndose en las
distribuciones de los electrones en sus orbitales a modo de regiones
discretas, poda entenderse el comportamiento de la conductividad en
los materiales.
Usualmente, se presenta este esquema basado en el modelo atmico de
Bohr y el principio de exclusin de Pauli.
Supngase una red cristalina formada por tomos de silicio. Cuando los
tomos estn aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones) y el
orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrn una
cierta energa E
s
y E
p
respectivamente (punto A). A medida que
disminuye la distancia interatmica comienza a observarse la interaccin
mutua entre los tomos, hasta que ambos orbitales llegan a formar, por
la distorsin creada, un sistema electrnico nico. En este momento se
tienen 8 orbitales hbridos sp con cuatro electrones y cuatro vacantes
(punto B).
Si se contina disminuyendo la distancia interatmica hasta la
configuracin del cristal, comienzan a interferir los electrones de las
capas internas de los tomos, formndose bandas de energa (punto Z).
Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son:
1. B&n+& +# @&l#n*)&. 4 estados, con 4 electrones.
2. B&n+& $oA)B)+&. No puede haber electrones con esos valores de energa
en el cristal.
3. B&n+& +# *on+u**),n. 4 estados, sin electrones.
12.5 Distribucin probabilstica de los electrones en las bandas
Los electrones no se distribuyen uniformemente en las diferentes
bandas, sino que algunas son ms probables a ser ocupadas que otras.
La probabilidad de ocupacin de las bandas est dada por la estadstica
de Fermi-Dirac, y el parmetro ms importante es la energa de Fermi.
Conductividad elctrica
La conduccin elctrica en un slido se presenta cuando el mismo tiene
parcialmente llena su banda de conduccin. Tambin hay conduccin
elctrica cuando la banda de conduccin est vaca y adems sta se
traslapa con la banda de valencia.
12.D TEORA DE EINSTEINE
La teora de la relatividad incluye dos teoras (la de la relatividad
especial y la de la relatividad general) formuladas por Albert Einstein a
principios del siglo XX, que pretendan resolver la incompatibilidad
existente entre la mecnica newtoniana y el electromagnetismo.
La primera teora, publicada en 1905, trata de la fsica del movimiento de
los cuerpos en ausencia de fuerzas gravitatorias, en el que se hacan
compatibles las ecuaciones de Maxwell del electromagnetismo con una
reformulacin de las leyes del movimiento. La segunda, de 1915, es una
teora de la gravedad que reemplaza a la gravedad newtoniana pero
coincide numricamente con ella en campos gravitatorios dbiles. La
teora general se reduce a la teora especial en ausencia de campos
gravitatorios.
S#llo +# *o$$#os so@)')*o *u-o "o')@o #s AlB#$' E)ns'#)n *on su .&"os& #*u&*),n " U
mc
2
.
12.3 Con*#'os $)n*)&l#s
La idea esencial de ambas teoras es que dos observadores que se
mueven relativamente uno al lado del otro con distinta velocidad, (si la
diferencia es mucho menor que la velocidad de la luz, no resulta
apreciable), a menudo obtendrn diferentes medidas del ')#"o
(intervalos de tiempo) y el #s&*)o (distancias) para describir las
mismas series de eventos. Es decir, la percepcin del espacio y el
tiempo depende del estado de movimiento del observador o es relativa
al observador. Sin embargo, a pesar de esta relatividad del espacio y el
tiempo, existe una forma ms sutil de invariancia fsica, ya que el
contenido de las leyes fsicas ser el mismo para ambos observadores.
Esto ltimo significa que, a pesar de que los observadores difieran en el
resultado de medidas concretas de magnitudes espaciales y temporales,
encontrarn que las ecuaciones que relacionan las magnitudes fsicas
tienen la misma forma, con independencia de su estado de movimiento.
Este ltimo hecho se conoce como principio de covariancia.
12.3.1 R#l&')@)+&+ #s#*)&l
La teora de la relatividad especial, tambin llamada teora de la
relatividad restringida, publicada por Einstein en 1905, describe la fsica
del movimiento en el marco de un espacio-tiempo plano, describe
correctamente el movimiento de los cuerpos incluso a grandes
velocidades y sus interacciones electromagnticas y se usa bsicamente
para estudiar sistemas de referencia inerciales. Estos conceptos fueron
presentados anteriormente por Poincar y Lorentz, que son
considerados como originadores de la teora. Si bien la teora resolva un
buen nmero de problemas del electromagnetismo y daba una
explicacin del experimento de Michelson-Morley, esta teora no
proporciona una descripcin relativista del campo gravitatorio.
Tras la publicacin del artculo de Einstein, la nueva teora de la
relatividad especial fue aceptada en unos pocos aos por la prctica
totalidad de los fsicos y los matemticos, de hecho personas como
Poincar o Lorentz haban estado muy cerca de llegar al mismo
resultado que Einstein. La forma geomtrica definitiva de la teora se
debe a Hermann Minkowski, antiguo profesor de Einstein en la
Politcnica de Zrich; acu el trmino "espacio-tiempo" (%aumeit) y le
dio la forma matemtica adecuada.
4
El espacio-tiempo de Minkowski es
una variedad tetradimensional en la que se entrelazaban de una manera
insoluble las tres dimensiones espaciales y el tiempo. En este espacio-
tiempo de Minkowski, el movimiento de una partcula se representa
mediante su lnea de universo (0eltlinie), una curva cuyos puntos vienen
determinados por cuatro variables distintas: las tres dimensiones
espaciales ( , , ) y el tiempo ( ). El nuevo esquema de Minkowski
oblig a reinterpretar los conceptos de la mtrica existentes hasta
entonces. El concepto tridimensional de un'o fue sustituido por el de
#@#n'o. La magnitud de +)s'&n*)& se reemplaza por la magnitud de
)n'#$@&lo.
12.3.2 R#l&')@)+&+ 5#n#$&l
La relatividad general fue publicada por Einstein en 1915, y fue
presentada como conferencia en la Academia de Ciencias Prusiana el
25 de noviembre. La teora generaliza el principio de relatividad de
Einstein para un observador arbitrario. Esto implica que las ecuaciones
de la teora deben tener una forma de covariancia ms general que la
covariancia de Lorentz usada en la teora de la relatividad especial.
Adems de esto, la teora de la relatividad general propone que la propia
geometra del espacio-tiempo se ve afectada por la presencia de
materia, de lo cual resulta una teora relativista del campo gravitatorio.
De hecho la teora de la relatividad general predice que el espacio-
tiempo no ser plano en presencia de materia y que la curvatura del
espacio-tiempo ser percibida como un campo gravitatorio.
Debe notarse que el matemtico alemn David Hilbert escribi e hizo
pblicas las ecuaciones de la covarianza antes que Einstein. Ello result
en no pocas acusaciones de plagio contra Einstein, pero probablemente
sea ms, porque es una teora (o perspectiva) geomtrica. La misma
postula que la presencia de masa o energa curva al espacio-tiempo,
y esta curvatura afecta la trayectoria de los cuerpos mviles e incluso la
trayectoria de la luz.
EsIu#"& +# l& *u$@&'u$& +#l #s&*)oO')#"o &l$#+#+o$ +# un& "&s& *on s)"#'$!&
#s.$)*&.
12.7 8o$"&l)s"o +# l& '#o$!& +# l& $#l&')@)+&+
Representacin de la lnea de universo de una partcula. como no es
posible reproducir un espacio-tiempo de cuatro dimensiones, en la figura
se representa slo la proyeccin sobre 2 dimensiones espaciales y una
temporal.
9spacio<tiempo, +uadri<)ector y =ensor
P&$'!*ul&s
En teora de la relatividad una partcula puntual queda representada por
un par , donde es una curva diferenciable, llamada lnea
de universo de la partcula, y m es un escalar que representa la masa en
reposo. El vector tangente a esta curva es un vector temporal llamado
cuadrivelocidad, el producto de este vector por la masa en reposo de la
partcula es precisamente el cuadrimomento. Este cuadrimomento es un
vector de cuatro componentes, tres de estas componentes se
denominan espaciales y representan el anlogo relativista del momento
lineal de la mecnica clsica, la otra componente denominada
componente temporal representa la generalizacin relativista de la
energa cintica. Adems dada una curva arbitraria en el espacio-tiempo
puede definirse a lo largo de ella el llamado intervalo relativista, que se
obtiene a partir del tensor mtrico.
C&"os
Cuando se consideran campos o distribuciones continuas de masa, las
anteriores magnitudes no estn bien definidas y se necesita algn tipo
de generalizacin para ellas. As el concepto de cuadrimomento se
generaliza mediante el llamado tensor de energa-impulso que
representa la distribucin en el espacio-tiempo tanto de energa como de
momento lineal. A su vez un campo dependiendo de su naturaleza
puede representarse por un escalar, un vector o un tensor. Por ejemplo
el campo electromagntico se representa por un tensor de segundo
orden totalmente antisimtrico o 2-forma. Si se conoce la variacin de un
campo o una distribucin de materia, en el espacio y en el tiempo
entonces existen procedimientos para construir su tensor de energa-
impulso.
M&5n)'u+#s .!s)*&s
En relatividad, estas magnitudes fsicas son representadas por vectores
4-dimensionales o bien por objetos matemticos llamados tensores, que
generalizan los vectores, definidos sobre un espacio de cuatro
dimensiones. Matemticamente estos 4-vectores y 4-tensores son
elementos definidos del espacio vectorial tangente al espacio-tiempo (y
los tensores se definen y se construyen a partir del fibrado tangente o
cotangente de la variedad que representa el espacio-tiempo).
Co$$#son+#n*)& #n'$# E(
5
- M/
6
Es&*)o '$)+)"#ns)on&l #u*l)+#o Es&*)oO')#"o +# M)nKoVsK)
Punto G Evento
Distancia ntervalo
Velocidad Tetravelocidad
Momentum Tetramomentum
12.< El )n'#$@&lo $#l&')@)s'&E
El intervalo relativista puede definirse en cualquier espacio-tiempo sea
este plano como en la relatividad especial o curvo como en relatividad
general. Sin embargo por simplicidad discutiremos inicialmente el
concepto de intervalo para el caso de un espacio-tiempo plano. El tensor
mtrico del espacio-tiempo plano de Minkowski se designa con la letra
y en coordenadas galileanas o inerciales toma la siguiente forma:
7
El )n'#$@&lo, la distancia tetradimensional, se representa mediante la
expresin se calcula del siguiente modo:
Los intervalos pueden ser clasificados en tres categoras: ntervalos
#s&*)&l#s (cuando ds
2
es negativo), '#"o$&l#s (si ds
2
es positivo) y
nulos (cuando ). Como el lector habr podido comprobar, los
intervalos nulos son aquellos que corresponden a partculas que se
mueven a la velocidad de la luz, como los fotones: La distancia dl
2
recorrida por el fotn es igual a su velocidad (c) multiplicada por el
tiempo y por lo tanto el intervalo se hace nulo.
Reproduccin de un cono de luz, en el que se representan dos
dimensiones espaciales y una temporal (eje de ordenadas). El
observador se sita en el origen, mientras que el futuro y el pasado
absolutos vienen representados por las partes inferior y superior del eje
temporal. El plano correspondiente a t > 7 se denomina plano de
simultaneidad o 8ipersuper.icie de presente. Los sucesos situados
dentro de los conos estn vinculados al observador por inter)alos
temporales. Los que se sitan fuera, por inter)alos espaciales.
Los intervalos nulos pueden ser representados en forma de *ono +#
lu0, popularizados por el celebrrimo libro de Stephen Hawking, ?istoria
del =iempo. Sea un observador situado en el origen, el .uturo absoluto
(los sucesos que sern percibidos por el individuo) se despliega en la
parte superior del eje de ordenadas, el pasado absoluto (los sucesos
que ya han sido percibidos por el individuo) en la parte inferior, y el
presente percibido por el observador en el punto 0. Los sucesos que
estn fuera del cono de luz no nos afectan, y por lo tanto se dice de ellos
que estn situados en zonas del espacio-tiempo que no tienen $#l&*),n
+# *&us&l)+&+ con la nuestra.
maginemos, por un momento, que en la galaxia Andrmeda, situada a 2
millones de aos luz de nosotros, sucedi un cataclismo csmico hace
100.000 aos. Dado que 1) la luz de Andrmeda tarda 2 millones de
aos en llegar hasta nosotros y 2) nada puede viajar a una velocidad
superior a la de los fotones, es evidente, que no tenemos manera de
enterarnos de lo que sucedi en dicha Galaxia hace tan slo 100.000
aos. Se dice por lo tanto que el intervalo existente entre dicha
hipottica catstrofe csmica y nosotros, observadores del presente, es
un )n'#$@&lo #s&*)&l (ds
2
< 0), y por lo tanto, no puede afectar a los
individuos que en el presente viven en la Tierra: Es decir, no existe
relacin de causalidad entre ese evento y nosotros.
An?l)s)s El nico problema con esta hiptesis, es que a el entrar en un
agujero negro, se anula el espacio tiempo, y como ya sabemos, algo que
contenga algn volumen o masa, debe tener como mnimo un espacio
donde ubicarse, el tiempo en ese caso, no tiene mayor importancia, pero
el espacio juega un rol muy importante en la ubicacin de volmenes,
por lo que esto resulta muy improbable, pero no imposible para la
tecnologa.
magen de la 5&l&N)& An+$,"#+& tomada por el telescopio Spitzer.
Pueden llegar hasta nosotros sucesos acaecidos tan slo 100.000
aos atrs? Evidentemente no. Se dice por tanto que entre tales eventos
y nosotros existe un inter)alo espacial.
Podemos escoger otro episodio histrico todava ms ilustrativo: El de la
estrella de Beln, tal y como fue interpretada por Johannes Kepler. Este
astrnomo alemn consideraba que dicha estrella se identificaba con
una supernova que tuvo lugar el ao 5 a. C., cuya luz fue observada por
los astrnomos chinos contemporneos, y que vino precedida en los
aos anteriores por varias conjunciones planetarias en la constelacin
de Piscis. Esa supernova probablemente estall hace miles de aos
atrs, pero su luz no lleg a la tierra hasta el ao 5 a. C. De ah que el
intervalo existente entre dicho evento y las observaciones de los
astrnomos egipcios y megalticos (que tuvieron lugar varios siglos antes
de Cristo) sea un inter)alo espacial, pues la radiacin de la supernova
nunca pudo llegarles. Por el contrario, la explosin de la supernova por
un lado, y las observaciones realizadas por los tres magos en Babilonia
y por los astrnomos chinos en el ao 5 a. C. por el otro, estn unidas
entre s por un inter)alo temporal, ya que la luz s pudo alcanzar a
dichos observadores.
El tiempo propio y el intervalo se relacionan mediante la siguiente
equivalencia: , es decir, el intervalo es igual al tiempo local
multiplicado por la velocidad de la luz. Una de las caractersticas tanto
del tiempo local como del intervalo es su invarianza ante las
transformaciones de coordenadas. Sea cual sea nuestro punto de
referencia, sea cual sea nuestra velocidad, el intervalo entre un
determinado evento y nosotros permanece invariante.
Esta invarianza se expresa a travs de la llamada 5#o"#'$!&
A)#$B,l)*&: La ecuacin del intervalo tiene la estructura de una
hiprbola sobre cuatro dimensiones, cuyo trmino independiente
coincide con el valor del cuadrado del intervalo ( ), que como
se acaba de decir en el prrafo anterior, es constante. Las asntotas de
la hiprbola vendran a coincidir con el cono de luz.
12.1; EIu)@&l#n*)& "&s&O#n#$5!&
L& .&"os& #*u&*),n #s "os'$&+& #n T&)#) 1;1 +u$&n'# #l #@#n'o +#l &Wo "un+)&l +# l& .!s)*& #n 2;;1.
El cuarto artculo de aquel ao se titulaba st die Trgheit eines Krpers
von seinem Energieinhalt abhngig y mostraba una deduccin de la
ecuacin de la relatividad que relaciona masa y energa. En este artculo
se expona que "la variacin de masa de un objeto que emite una
energa L, es:
Donde / era la notacin de la velocidad de la luz usada por Einstein en
1905.
Esta ecuacin implica que la energa 9 de un cuerpo en reposo es igual
a su masa m multiplicada por la velocidad de la luz al cuadrado:
Muestra cmo una partcula con masa posee un tipo de energa,
"energa en reposo", distinta de las clsicas energa cintica y energa
potencial. La relacin masaenerga se utiliza comnmente para explicar
cmo se produce la energa nuclear; midiendo la masa de ncleos
atmicos y dividiendo por el nmero atmico se puede calcular la
energa de enlace atrapada en los ncleos atmicos. Paralelamente, la
cantidad de energa producida en la fisin de un ncleo atmico se
calcula como la diferencia de masa entre el ncleo inicial y los productos
de su desintegracin, multiplicada por la velocidad de la luz al cuadrado.
R#l&')@)+&+ 5#n#$&lE En noviembre de 1915 Einstein present una serie
de conferencias en la Academia de Ciencias de Prusia en las que
describi la teora de la relatividad general. La ltima de estas charlas
concluy con la presentacin de la ecuacin que reemplaza a la ley de
gravedad de Newton. En esta teora todos los observadores son
considerados equivalentes y no nicamente aquellos que se mueven
con una velocidad uniforme. La gravedad no es ya una fuerza o accin a
distancia, como era en la gravedad newtoniana, sino una consecuencia
de la curvatura del espacio-tiempo. La teora proporcionaba las bases
para el estudio de la cosmologa y permita comprender las
caractersticas esenciales del Universo, muchas de las cuales no seran
descubiertas sino con posterioridad a la muerte de Einstein.
[cita re;uerida]
La relatividad general fue obtenida por Einstein a partir de
razonamientos matemticos, experimentos hipotticos (@edan3en
experiment) y rigurosa deduccin matemtica sin contar realmente con
una base experimental. El principio fundamental de la teora era el
denominado principio de equivalencia. A pesar de la abstraccin
matemtica de la teora, las ecuaciones permitan deducir fenmenos
comprobables. En 1919 Arthur Eddington fue capaz de medir, durante un
eclipse, la desviacin de la luz de una estrella al pasar cerca del Sol, una
de las predicciones de la relatividad general. Cuando se hizo pblica
esta confirmacin la fama de Einstein se increment enormemente y se
consider un paso revolucionario en la fsica. Desde entonces la teora
se ha verificado en todos y cada uno de los experimentos y
verificaciones realizados hasta el momento
A pesar de su popularidad, o quizs precisamente por ella, la teora
cont con importantes detractores entre la comunidad cientfica que no
podan aceptar una fsica sin un Sistema de referencia absoluto
12.11 Es'&+!s')*&s +# Bos#OE)ns'#)n
En 1924 Einstein recibi un artculo de un joven fsico indio, Satyendra
Nath Bose, describiendo a la luz como un gas de fotones y pidiendo la
ayuda de Einstein para su publicacin. Einstein se dio cuenta de que el
mismo tipo de estadsticas podan aplicarse a grupos de tomos y
public el artculo, conjuntamente con Bose, en alemn, la lengua ms
importante en fsica en la poca. Las estadsticas de Bose-Einstein
explican el comportamiento de los tipos bsicos de partculas
elementales denominadas bosones.
12.11.1 L& T#o$!& +# C&"o Un).)*&+&
Einstein dedic sus ltimos aos a la bsqueda de una de las ms
importantes teoras de la fsica, la llamada Teora de Campo Unificada.
Dicha bsqueda, despus de su Teora general de la relatividad,
consisti en una serie de intentos tendentes a generalizar su teora de la
gravitacin para lograr unificar y resumir las leyes fundamentales de la
fsica, especficamente la gravitacin y el electromagnetismo. En el ao
1950, expuso su Teora de campo unificada en un artculo titulado
Sobre la teora generalizada de la gravitacin (An t8e @eneralied
=8eory o. @ra)itation) en la famosa revista Scienti.ic Bmerican.
Aunque Albert Einstein fue mundialmente clebre por sus trabajos en
fsica terica, paulitinamente fue aislndose en su investigacin, y sus
intentos no tuvieron xito. Persiguiendo la unificacin de las fuerzas
fundamentales, Albert ignor algunos importantes desarrollos en la
fsica, siendo notablemente visible en el tema de las fuerzas nuclear
fuerte y nuclear dbil, las cuales no se entendieron bien sino despus de
quince aos de la muerte de Einstein (cerca del ao 1970) mediante
numerosos experimentos en fsica de altas energas. Los intentos
propuestos por la Teora de cuerdas o la Teora M, muestran que an
perdura su mpetu de alcanzar demostrar la gran teora de la unificacin
de las leyes de la fsica.