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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA





FSICA ELECTRNICA
100414_16



COMPONENTE PRCTICO
TRABAJO COLABORATIVO N
0
2


LEYDY SUSANA VALENCIA RINCON
COD. 38682020








TUTOR
ING. FREDDY TELLEZ



CEAD PALMIRA

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA-UNAD
ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TECNOLOGIA E INGENIERIA
INGENERIA DE SISTEMAS
MAYO DE 2013

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CONTENIDO


Pgina
INTRODUCCIN ...............................................................................................................................
1. OBJETIVOS .............................................................................................................
1.1 Objetivo General ...........................................................................................................................
1.2 Objetivos Especficos .....................................................................................................................
2. Desarrollo de la Fase 1 ..............................................................................................
2 .1 Desarrollo de la Fase 2.
CONCLUSIONES ........................................................................................................
BIBLIOGRAFA ..........................................................................................................

















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INTRODUCCION

El trabajo tiene como propsito investigar sobre los conductores, semiconductores aislantes, en los cuales se
maneja las teoras de cada uno, enunciando las principales caractersticas y diferencias existentes entre un
material aislante, un conductor y un semiconductor; en donde para un mejor anlisis y comprensin damos
ejemplos claros. Conociendo la teora bsica de los aisladores, conductores y semi_conductores. A analizaremos
los diferentes tipos de diodos y su empleo en la electrnica. Estudiar la evolucin y el funcionamiento del
transistor, y la forma que opera en los diferentes equipos electrnicos que utilizan.
La intencin final de este trabajo es que el estudiante comprenda los conceptos bsicos manejados en la fase1 en
Fsica electrnica y asignaturas anteriores, y de esta manera aplicarlos en la prctica de la simulacin de circuitos
electrnicos. Identificar las diferentes variantes que nos permiten realizar en el momento de elaborar un circuito.
Los materiales se pueden dividir en conductores, aislantes o semiconductores.

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1. OBJETIVOS


1.1 Objetivo General:

Analizar cada uno de los circuitos propuestos en la gua de actividades del curso Fsica Electrnica.
Estudiar los semiconductores y sus principales caractersticas,












1.2 Objetivos Especficos:

Realizar la simulacin de circuitos y analizar los resultados obtenidos.
Analizar seales con el osciloscopio de rectificador de Media Onda y de Onda completa con Puente de
Greatz.
Realizar aplicaciones del transistor como amplificador en circuitos.
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FASE 1:
Soluciones los siguientes cuestionamientos reaccionados con los semiconductores. por favor consulte otras
fuentes adicionales al mdulo del curso de fsica electrnica.

1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un
semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.

La siguiente imagen muestra una representacin esquemtica de las bandas de energa en un
slido.




Los electrones puedan ocupar un nmero discreto de niveles de energa, puedan tener solamente aquellas
energas que caen dentro de las bandas permitidas. La banda donde se mueven normalmente los electrones de
valencia se conoce como banda de valencia, y los electrones que se mueven libremente y conducen la corriente
se mueve en la banda de conduccin.








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La siguiente imagen muestra una representacin esquemtica cinta aislante elctrica.



Material aislante: El aislamiento elctrico se produce cuando se cubre un elemento de una instalacin elctrica
con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material que resiste el paso de la corriente a
travs del elemento que alberga y lo mantiene en su desplazamiento a lo largo del semiconductor. Dicho material
se denomina aislante elctrico.
Caractersticas: La diferencia de los distintos materiales es que los aislantes son materiales que representan
gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen y los conductores tienen cargas libres y que puedan
moverse con facilidad. No existe aislante absoluto. Su resistencia al paso de la corriente elctrica hasta 2,5 *1024
veces mayor que la de los buenos conductores. Los mejores conductores son los elementos metlicos,
especialmente el oro, plata(es el ms conductor), el cobre, el aluminio entre otros Los materiales aislantes
tienen la funcin de evitar el contacto entre las diferentes partes conductoras (aislamiento de la instalacin) y
proteger a las personas frente a las tensiones elctricas (aislamiento protector) La mayora de los no metales es
apropiado para esto pues tienen resistividades muy grandes.
Diferencias: Las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que loe
electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. La magnitud de la banda es muy grande (6 eV), de forma
que todos los electrones de cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que,
al no existir potadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula.
Ejemplo: El diamante, lana de roca, lana de vidrio, poliestireno Expandido, porexpan, agramiza, fibra de vidrio
con aglutinador platico, vidrio, porcelana.
Diferencias: Existen muchos materiales aisladores, pero se debe tener en cuenta sus propiedades para la
aplicacin en al que se necesite, es importante aclarar que la resistencia disminuye con el aumento de
temperatura, por lo tanto cada gama de aisladores tiene un agama de temperaturas de trabajo.
Ejemplo: Cermica, vidrio, plstico, goma, papel seco, aire entre otros.




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La siguiente imagen muestra la figura del material conductor.


Material Conductor: Una propiedad comn a prcticamente todos los materiales, es la de permitir, en algn
grado, la conduccin de la corriente elctrica, pero as como algunos materiales son buenos conductores, otros
son malos conductores de dicha corriente. Desde este punto de vista, los materiales pueden clasificarse en
conductores y no conductores.
Caractersticas: para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el
traspale favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda y conduccin. No existe banda prohibida,
estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de
conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar
la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina. Un material es conductor cuando
desempea esa funcin en un circuito, independiente del valor de su conductividad. Los conductores en general
pueden clasificarse en: metlicos, electrolticos, y gaseosos.
Conductores metlicos: son los portadores de cargas son electrones libres, pertenecen a este grupo los metales
y aleaciones.
Conductores electrolticos: la conduccin es inica; pertenecen a este grupo los llamados electrolitos, es decir
los cidos (bases o sales o fundidos) las molculas de estas sustancias cuando se disuelven o funden, de disocian
total o parcialmente formando iones positivos o negativos y esto iones son portadores de cargas. En estos casos,
el paso de la corriente elctrica corresponde a un desplazamiento de material, y viene acompaado de una
reaccin qumica.
En los conductores metlicos la electricidad circula atreves de la materia, mientras que en los conductores
electrolitos circulan con la materia.
Los gases pertenecen a un tercer grupo de conductores, los conductores gaseoso; en el estado normal, los gases
no son conductores, pero pueden convertirse relativamente en bueno conductores cuando estn ionizados.
Normalmente no se utilizan los gases para conducir corriente, salvo en caso muy especiales la conduccin a
travs de los gases no cumple con la ley de Ohm.
Diferencias: menos de 4 electrones en la capa de valencia todo tomo de metal tiene nicamente un nmero
limitado de electrones de valencia con los que unirse a los tomos vecinos.
Ejemplos: son todos los metales entre ellos tenemos: El agua, con sales como cloruro, sulfuros y carbonatos
que actan como agentes reductores(donantes de electrones), conduce la electricidad , cromo, cobalto, cobre,
hierro, plomo.
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La siguiente imagen muestra la figura del material semiconductor.



Caractersticas:
Los materiales semiconductores son aquellos que estn situados entre los conductores y los aislantes. O
sea tienen un menor coeficiente de conductividad que los materiales conductores, y un mayor coeficiente
de conductividad que los materiales aislantes. Incremento de la conductividad provocado por los
cambios de temperatura, la luz o las impurezas, a temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se
comportan como aislantes.
Diferencias: Existen 2 tipos de semiconductores:
Semiconductores tipo P (Positivo)
El ms utilizado es el Silicio con impurezas de indio.
Semiconductores tipo N (Negativo)
Cuando al Silicio se le aade Arsnico obtenemos un semiconductor tipo N. dentro de los
semiconductores podemos definir los siguientes componentes electrnicos, ms adelante estaremos
dando la definicin ms afondo.
El semiconductor posee 4 electrones en la capa de valencia la magnitud de la banda prohibida es
pequea ( 1 eV), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la
temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa de la banda de conduccin,
aumentndola la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que
habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida.
Ejemplos: Silicio, el germanio, el selenio, el arsnico de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.




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2. Como se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o caractersticas
adquieren este material con respecto al semiconductor puro?

Tipo N:
Cuatro de los cinco electrones de tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los
cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedara inicialmente libre, sin una posible unin, y por
tanto se convertir en u8n portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones
portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n.
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no solo aumenta el nmero de electrones sino que
tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro.
Tipo P:
Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impurezas que tenga tres electrones
externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar
lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporciona entonces portadores positivos, ya que crean huecos
que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas
del tipo P
Al contrario de lo suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores
que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro.
A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptadoras se les llama
respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se dominan portadores
mayoritarios y los huecos portadores minoritarios.













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3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el Led, el Zener y el fotodiodo.

La siguiente imagen muestra la figura diodo varactor o varicap

Todos los Didos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una capacitancia que aparece sus
terminales.
Los diodos varactores o varicap. Han sido diseados de manera que su funcionamiento sea similar al de
un capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-tensin dentro de lmites razonables.
En el grafico inferior se muestra las similitudes entre un Diodo y un capacitador.
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la
juntura.
Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ningn carga y flujo de
corriente.

Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tiene portadores de carga (rea semiconductor): Se
puede visualizar sin dificultad la formacin de visualizar sin dificultad la formacin de un capacitador en
el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante):
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementar la tensin inversa aplicada al diodo
con una fuente externa. Esto causa que se aumentar la separacin (aislante) y separa ms las reas
semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
Si la tencin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye
Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta


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La siguiente imagen muestra la figura del smbolo de diodo tnel


El Diodo tnel:
Es un diodo semiconductor que tiene un unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una
conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente tensin.
La representacin del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador). Tambin se conoce como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que un
afuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacion de los portadores de carga a lo largo
de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en
un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como
oscilador o como bi estable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que
involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

La siguiente imagen muestra la figura Un diodo Schottky

Un diodo Schottky :
Es un dispositivo semiconductor que se encuentra formado por una unin metal-semiconductor llamada barrera
Schottky que genera bajas tensiones umbral y altas velocidades de conmutacin entre la conduccin inversa y
directa
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a
inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto,
poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky es la solucin ya que puede conmutar ms rpido que un
diodo normal. El diodo Schottky con polarizacin directa tiene 0,25 V de barrera de potencial frente a los 0,7 V
de un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz.


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La siguiente imagen muestra la figura Diodo Gunn

Dido Gun:
Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin
de tres capas tipo n ms o menos dopadas. En presencia de campos electrnicos elevados, el diodo Gunn es
escenario de oscilaciones a muy alta frecuencia.

La siguiente imagen muestra la figura Diodo Shockley

Diodo Shockley:
Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia.
No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y tipo p, dispuestas alternamente. Es un tipo de tiristor.
Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y
el tiempo de recuperacin. Un diodo Schotthy puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300Mhz.








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4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN
Y uno PNP.
A partir de la invencin de los transistores que fue la aplicacin de los semiconductores que ayudo en gran
medida a revolucionar el mundo tecnolgico, los cuales presentaron como una gran ventaja poder reducir el
tamao de todos los aparatos electrnicos en el mundo. Ahora nuestra sociedad esta marcada en gran parte por la
tecnologa de los semiconductores, los sistemas de control, los lectores pticos, las pantallas con luces y en
general toda la electrnica de los sistemas colectivos de transporte, utiliza semiconductores. Desde las
poderosas computadoras hasta las calculadoras de bolsillo, la mayora de aparatos domsticos, los equipos de
medicin de laboratorio, las asombrosas celdas solares, las fotocopiadoras y una larga serie de otras aplicaciones,
tienen que ver con los semiconductores. Por lo tanto los semiconductores llevan a la innovacin en el mundo
tecnolgico como por ejemplo la Nanotecnologa, nuevas formas de producciones de semiconductores apuntan a
crear sistemas electrnicos que proponen una mejora en la calidad de vida de ser humano, promoviendo el
ahorro de energa y la proteccin del medio ambiente. S espera desarrollos que actualmente estn solo en la
imaginacin de las personas
5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo
Tecnolgico?


















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FASE 2:
Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y
Analice los resultados obtenidos.
1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin
Por medio del software Workbench. Explique lo sucedido. indicador: sonda roja


La siguiente imagen se muestra diagrama esquemtico del circuito


En la figura No1:
La sonda roja no enciende debido a que el diodo esta polarizado en sentido contrario de la corriente de la
fuente de voltaje. No dejando pasar la corriente positiva que proviene de la fuente y por lo tanto est no
llega a la sonda roja, en este orden de ideas como se observa ene le diagrama a la sonda roja solo le est
llegando un flujo de corriente negativa, y para poder que esta encienda debe haber una diferencia
potencial lo cual no hay debido a que no hay por la ausencia de corriente positiva que el diodo no deja
circular.

En la figura No2:
La sonda roja enciende porque ya que el diodo rectificador esta polarizado en forma correcta y su anodo
est ubicado de forma que la corriente positiva que sale de la fuente de voltaje lo atraviese y haga que
este diodo se comporte como un corto circuito, lo que hace este elemento es rectificar que la corriente
este en forma correcta y en el mismo sentido que su anodo, cuando la corriente que sale de la fuente de
voltaje hacia ese anodo es positiva

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2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su
Simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el
Osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.

a) Rectificador de Media Onda


Diodo rectificador:
El voltaje que normalmente hallamos en nuestra casa de 110 o 220 V pero, como la gran mayora de
artefactos electrnicos que tenemos en nuestra casa funciona con un voltaje menor, todos estos poseen
un transformador que lo que hace es disminuir el voltaje a menor escala y transformarlo a corriente
continua la cual no vara. Ya que la corriente alterna que es la que tenemos tiene forma de onda senoidal
que la conforman un semiciclo positivo y un semiciclo negativo, donde su amplitud depende de la
cantidad de voltaje que tenga estos diodos rectificadores normalmente se encuentra a las salidas de estos
transformadores, donde su funcin principal es eliminar la fase negativa de la corriente alterna ya que no
conduce este polarizacin. Se usa principalmente en fuentes de alimentacin elctrica ms
especficamente en la fase de rectificacin donde se pasa de corriente alterna a directa por un arreglo de
diodos llamados puentes de diodos que lo veremos a continuacin
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b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz




Puente rectificador
El puente rectificador es un circuito electrnico usado en la conversin de corriente alterna a corriente
continua, es conocido como puente de greatz en honor a su creador LEO GREATZ, consiste en 4 diodos
comunes que convierten una seal de semi-ciclos negativos Y semi-ciclos positivos en una seal de solo
semi-ciclos positivos ya que no deja circular a travs de l la parte de semi-ciclos negativos, haciendo que
la seal valla en un solo sentido


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3. Aplicacin del transistor como amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su simulacin por
medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la
seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.
Nota: Tenga en cuenta que la seal del Generador de funciones es una onda seno, de 2 mV de amplitud y 60
Hz(ver figura anterior)

























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CONCLUSIONES





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BIBLIOGRAFIA

Modulo Curso Fsica Electrnica.(Freddy Reynaldo Tellez Acua, Unad 2008.)
Aula virtual : fsica electrnica
es.wikipedia.org/wiki/Teora_de_bandas
es.wikipedia.org/wiki/Aislante
ayudaelectronica.com/materiales-conductores/
www.unicrom.com/Tut_diodo_tunnel.asp
www.unicrom.com/Tut_diodo_tunnel.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconduct
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

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