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Instituto Tecnolgico de Len



Ingeniera Electromecnica

Instrumentacin Industrial para
la Manufactura


Presenta:
Lpez Cabrera Carlos Martn

Catedrtico:
Ing. Casillas Araiza Miguel ngel


Investigacin:
Sensores fotoelctricos


Len Guanajuato, Abril de 2012.


2
NDICE
Objetivo general 3
Resea histrica 3
Marco de referencia 5
Espectro electromagntico 5
Rango energtico del espectro 6
Propiedades de las ondas electromagnticas 7
(Reflexin, refraccin, polarizacin, interferencia, transmisin, absorcin)
Marco terico 13
Diodo Emisor de Luz LED 13
Emisores infrarrojos 17
Fotodiodos 19
Celdas fotoconductoras 23
Fototransistores 24
Principio de funcionamiento fsico de los sensores fotoelctricos 26
Sensores sin contacto 26
Introduccin a los sensores fotoelctricos 27
Composicin y funcionamiento de los sensores fotoelctricos 27
Modos de deteccin de los sensores fotoelctricos 29
Ventajas y desventajas de los diferentes sistemas de deteccin fotoelctricos 35
Aplicaciones de sensores fotoelctricos 36
Ejemplos de aplicaciones industriales 37
Usos prcticos de los sensores fotoelctricos 39
Caractersticas o especificaciones principales de los sensores fotoelctricos 42
Caractersticas o especificaciones secundarias de los sensores fotoelctricos 46
Sensores comerciales y hojas de especificaciones 48
Diseo de experimento para determinar las caractersticas principales del sistema de medida 51
Fuentes de informacin consultadas 55
Conclusiones y posibles mejoras adaptaciones 56


3
Sensores para posicin, presencia y desplazamiento
Sensores Fotoelctricos
OBJETIVO GENERAL
Presentar y analizar los diversos dispositivos sensores cuyo funcionamiento se basa en
principios fotoelctricos y que estn dedicados al posicionamiento, detector de presencia
y medidores de distancia en el campo industrial; adems de dar a conocer las hojas de
datos y especificaciones de los fabricantes de dichos sensores.

RESEA HISTRICA
La ciencia avanza, se proponen las teoras, sobre ellas se discute y se las exprime con todo
tipo de suposiciones y experimentos metdicos, coherentes con su estructura, hasta que
son superadas por otras ms perfectas, que sabemos que sern nuevamente superadas.
Esa es la verdadera historia de los grandes descubrimientos ha sido la historia del
descubrimiento de la naturaleza de la luz.
Se atribuye a Euclides el descubrimiento de las leyes de la
reflexin de la luz, sobre el ao 300 a.C, pero fue en el siglo
XVII cuando por una parte el genial cientfico ingls Isaac
Newton, (imagen 1), y por otra el matemtico gemetra
holands Cristian Huygens, desarrollaron dos teoras
contrapuestas sobre la naturaleza de la luz. Newton propuso
una teora corpuscular, mientras que Huygens supona que era
un fenmeno ondulatorio.

Para Newton la luz estaba formada por pequesimos corpsculos o partculas, y
demostr las leyes de la reflexin y la difraccin, en base a esa teora. La luz se reflejara
como lo puede hacer una pelota cuando rebota sobre una superficie, y se refractara al
Imagen 1


4
pasar de un medio a otro por la diferencia de velocidad de transmisin en los dos medios.
De acuerdo con esa explicacin supona que en el medio ms denso se transmitira a
mayor velocidad por ser atradas las partculas luminosas ms fuertemente (precisamente
ocurre al revs).
La teora verdadera era la que supona Huygens, pero el gran prestigio de que gozaba
Newton mantuvo la teora ondulatoria arrinconada durante ms de un siglo, hasta que los
experimentos de Thomas Young y Auguste Jean Fresnel la corroboraron ya en el siglo XIX.
Finalmente, en este caso el tiempo y nuevos descubrimientos, nada menos que el
descubrimiento del cuanto de accin y con l el desarrollo de la mecnica cuntica, le
devolvieron a Newton parte de la razn: la luz es un fenmeno ondulatorio, est formado
por ondas electromagnticas, pero a su vez puede considerarse formada por pequeas
partculas de luz (cuantos) llamados fotones. De esta doble naturaleza corpuscular y
ondulatoria gozan todas las partculas y ondas













5
MARCO DE REFERENCIA
Espectro electromagntico
La radiacin electromagntica es una combinacin de campos elctricos y magnticos
oscilantes, que se propagan a travs del espacio transportando energa de un lugar a otro,
ver imagen 2.







La radiacin electromagntica puede manifestarse de diversas maneras como calor
radiado, luz visible, rayos X o rayos gamma. A diferencia de otros tipos de onda, como el
sonido, que necesitan un medio material para propagarse, la radiacin electromagntica
se puede propagar en el vaco.
El espectro electromagntico (o simplemente espectro) es el rango de todas las
radiaciones electromagnticas posibles. El espectro de un objeto es la distribucin
caracterstica de la radiacin electromagntica de ese objeto por ello sirve para identificar
la sustancia de manera anloga a una huella dactilar.
El espectro electromagntico cubre longitudes de onda muy variadas. Existen frecuencias
de 30Hz y menores; y por otro lado se conocen frecuencias cercanas a 2,910
27
Hz, que
han sido detectadas provenientes de fuentes astrofsicas.


Imagen 2


6
Rango energtico del espectro
La energa electromagntica en una particular longitud de onda (en el vaco) tiene una
frecuencia f asociada y una energa de fotn E. Por tanto, el espectro electromagntico
puede ser expresado igualmente en cualquiera de esos trminos y puede ser expresado
en cualquiera de las siguientes ecuaciones:


tambin como:

Donde : longitud de onda
f: frecuencia de la onda electromagntica
c: constante universal de la velocidad de la luz en el vacio con valor de 299,792,458
m
/
s
(suele aproximarse a 3x10
8

m
/
s
)


Y de manera energtica se define como:


Donde ahora h se refiere a la constante fsica de Planck que representa al cuanto
elemental de accin. Es la relacin entre la cantidad de energa y de frecuencia asociadas
a un cuanto o a una partcula, su valor es de 6.62606896x10
-34
J s como 4.1356673310
-
15 eV s.
Por lo tanto, las ondas electromagnticas de alta frecuencia tienen una longitud de onda
corta y mucha energa mientras que las ondas de baja frecuencia tienen grandes
longitudes de onda y poca energa.


7
Por lo general, las radiaciones electromagnticas se clasifican basndose en su longitud de
onda en ondas de radio, microondas, infrarrojos, visible que percibimos como luz visible
ultravioleta, rayos X y rayos gamma; esto se ilustra en la imagen 3.












El comportamiento de las radiaciones electromagnticas depende de su longitud de onda.
Cuando la radiacin electromagntica interacta con tomos y molculas puntuales, su
comportamiento tambin depende de la cantidad de energa por quantum que lleve.
Propiedades de las ondas electromagnticas
Las ondas electromagnticas no necesitan un medio material para propagarse. As, estas
ondas pueden atravesar el espacio interplanetario e interestelar y llegar a la Tierra desde
el Sol y las estrellas independientemente de su frecuencia y longitud de onda.
Todas las radiaciones del espectro electromagntico presentan las propiedades tpicas del
movimiento ondulatorio, siendo las siguientes las propiedades ms caractersticas:
Imagen 3


8
Reflexin y Refraccin
Polarizacin
Superposicin y/o interferencia
Transmisin
Absorcin
Para cada una se define un coeficiente que nos da el porcentaje correspondiente en tanto
por uno. Son el factor de reflexin (), el de transmisin () y el de absorcin () que
cumplen:


La reflexin es un fenmeno que se produce cuando la luz choca contra la superficie de
separacin de dos medios diferentes (ya sean gases como la atmsfera, lquidos como el
agua o slidos) y est regida por la ley de la reflexin.
Esta establece que cuando un rayo de luz llega a la superficie de separacin de dos
medios, una parte de esta es reflejada alejndose de la barrera y el resto penetra dentro
del material, ver imagen 4.







En la reflexin, el rayo incidente y el reflejado estn en lados opuestos a la normal y sobre
el mismo plano que esta. Y se cumple la ley de reflexin:


Imagen 4


9
La direccin en que sale reflejada la luz viene determinada por el tipo de superficie
(imagen 5). Si es una superficie brillante o pulida se produce la reflexin regular en que
toda la luz sale en una nica direccin. Si la superficie es mate y la luz sale desperdigada
en todas direcciones se llama reflexin difusa. Y, por ltimo, est el caso intermedio,
reflexin mixta, en que predomina una direccin sobre las dems. Esto se da en
superficies metlicas sin pulir, barnices, papel brillante, etc.




La refraccin se produce cuando un rayo de luz es desviado de su trayectoria al atravesar
una superficie de separacin entre medios diferentes segn la ley de la refraccin, imagen
6. Esto se debe a que la velocidad de propagacin de la luz en cada uno de ellos es
diferente.










Imagen 6
Imagen 5


10
Tal que se cumple que


Donde n
i
es el ndice de refraccin del medio que se define como el cociente entre la
velocidad de la luz en el medio (v) y la velocidad de la luz en el vaco (c).


La luz es una onda electromagntica transversal en la que sus componentes, el campo
magntico y el elctrico, son perpendiculares entre s y pueden vibrar en cualquiera de los
planos perpendiculares a la direccin de propagacin. Si vibran siempre en el mismo plano
se llama polarizacin lineal y si lo hacen describiendo crculos se llama circular, ver figura
7.






La interferencia se produce cuando dos o ms ondas se encuentran en un punto del
espacio. Las ondas se superponen pudiendo destruirse mutuamente o combinarse
formando una nueva onda, figura 8. Cuando las ondas interfieren entre s, la amplitud
(intensidad o tamao) de la onda resultante depende de las frecuencias, fases relativas
(posiciones relativas de crestas y valles) y amplitudes de las ondas inciales.



Imagen 7
Imagen 8


11
La transmisin se puede considerar una doble refraccin. Si pensamos en un cristal; la luz
sufre una primera refraccin al pasar del aire al vidrio, sigue su camino y vuelve a
refractarse al pasar de nuevo al aire. Si despus de este proceso el rayo de luz no es
desviado de su trayectoria se dice que la transmisin es regular como pasa en los vidrios
transparentes. Si se difunde en todas direcciones tenemos la transmisin difusa que es lo
que pasa en los vidrios translcidos. Y si predomina una direccin sobre las dems
tenemos la mixta como ocurre en los vidrios orgnicos o en los cristales de superficie
labrada. Estas caractersticas se observan en la imagen 9.






La absorcin es un proceso muy ligado al color. El ojo humano slo es sensible a las
radiaciones pertenecientes a un pequeo intervalo del espectro electromagntico. Son los
colores que mezclados forman la luz blanca. Su distribucin espectral aproximada es:




Cuando la luz blanca choca con un objeto una parte de los colores que la componen son
absorbidos por la superficie y el resto son reflejados. Las componentes reflejadas son las
que determinan el color que percibimos. Si la refleja toda es blanco y si las absorbe todas
es negro. Un objeto es rojo porque refleja la luz roja y absorbe las dems componentes de
Imagen 9


12
la luz blanca (imagen 10). Si iluminamos el mismo objeto con luz azul lo veremos negro
porque el cuerpo absorbe esta componente y no refleja ninguna. Queda claro, entonces,
que el color con que percibimos un objeto depende del tipo de luz que le enviamos y de
los colores que este sea capaz de reflejar.


















Imagen 10


13
MARCO TERICO
Diodo emisor de luz (LED-Light-Emitting Diode)
El uso creciente de pantallas digitales en
calculadoras, relojes y en todas las formas de
instrumentos, ha contribuido a un gran inters sobre
estructuras que emiten luz cuando se polarizan
apropiadamente. Los dos tipos de uso comn que
realizan esta funcin son el diodo emisor de luz (LED,
por sus siglas en ingles; el cual de detallar a
continuacin, ver figura 11) y la pantalla de cristal
liquido (LCD, por sus siglas en ingles).
Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible
invisible (infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unin de materiales
semiconductores p-n polarizada en directa se da, dentro de la estructura y principalmente
cerca de la unin, una recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin
requiere que la energa procesada por los electrones libres se transforme en otro estado.
En todas las uniones p-n semiconductoras una parte de esta energa se libera en forma de
calor y otra en forma de fotones.
En diodos de Si y de Ge el mayor porcentaje de la energa convertida durante la
recombinacin en la unin se disipa en forma de calor dentro de la estructura y la luz
emitida es insignificante. Por esta razn, el silicio y el germanio no se utilizan en la
construccin de dispositivos LED.
En cambio, los diodos construidos de GaAs emiten luz en la zona infrarroja (invisible)
durante el proceso de recombinacin de la unin p-n.
Aun cuando la luz no es visible, los LED infrarrojos tienen numerosas aplicaciones donde la
luz visible no es un efecto deseable.
Imagen 11


14
Mediante otras combinaciones de elementos se puede generar una luz visible coherente.
La siguiente tabla proporciona una lista de semiconductores compuestos comunes y la luz
que generan. Adems comprende tambin el intervalo de potenciales de polarizacin en
directa de cada uno.
Color Construccin Voltaje en directa
tpico (V)
mbar AlInGaP 2.1
Azul GaN 5.0
Verde GaP 2.2
Naranja GaAsP 2.0
Rojo GaAsP 1.8
Blanco GaN 4.1
Amarillo AlInGaP 2.1

En la figura 12 aparece la construccin
bsica de un LED, en a), con el smbolo
estndar utilizado para el dispositivo,
b). La superficie metlica conductora
externa conectada al material tipo p
es ms pequea para permitir la salida
del mximo de fotones de energa
luminosa cuando el dispositivo se
polariza en directa.
Observe tambin en la figura que la recombinacin de los portadores inyectados
producida por la unin polarizada en directa produce luz emitida en el sitio de la
recombinacin. Habr, desde luego, algo de absorcin de los paquetes de energa de
fotones en la estructura misma, pero se puede liberar un gran porcentaje.

Imagen 12


15
Al igual que los diferentes sonidos tienen espectros de frecuencia diferentes, lo mismo es
cierto para las diferentes emisiones de luz. El espectro de frecuencia de la luz infrarroja
se extiende desde 100THz hasta los 400THz, con el espectro de luz visible desde
aproximadamente 400 hasta 750THz. Es interesante sealar que la luz invisible tiene un
espectro de menor frecuencia que la visible.
En general cuando hablamos de la respuesta de dispositivos electroluminiscentes, nos
referimos a sus longitudes de onda y no a su frecuencia, donde ambas cantidades estn
relacionadas mediante la ecuacin:


c=3x10
8 m
/
s
(es la velocidad de la luz en el vacio)
f=frecuencia en Hz
=longitud de onda en metros

Para este caso entonces la luz visible tiene un rango de longitudes de onda que van desde
750nm (400THz) hasta los 400nm (750THz). Por ello, las altas frecuencias producen
longitudes de onda pequeas. Asimismo, la mayora de las graficas utilizan o nanmetros
(nm) o angstroms (). Un angstrom es igual a 10
-10
m.
La respuesta del ojo humano promedio se da en la figura 13. Se extiende desde
aproximadamente 350nm hasta los 800nm con valor pico cercano a 550nm. Es interesante
sealar que la respuesta pico (mxima) del ojo es al color verde, con el rojo y el azul en los
extremos inferiores de la curva acampanada. La curva revela que un LED rojo o azul debe
ser mucho ms eficiente que uno verde para que sean visibles con la misma intensidad.
Todos los colores indicados en la grafica de la figura 13 tienen una respuesta en forma de
curva acampanada, por lo que el verde, por ejemplo, sigue siendo visible a 600nm, pero
con menor nivel de intensidad.



16












El uso del GaAs para el desarrollo de este tipo de dispositivos LED se puede justificar como
sigue: la brecha de energa ms alta (debido a su configuracin semiconductora) que
corresponde al GaAs es de 1.43eV, este valor es adecuado para la radiacin
electromagntica de luz visible, en tanto que el Si con 1.1 eV disipa calor durante la
recombinacin. El efecto de esta diferencia en las brechas de energa se puede explicar a
cierto grado teniendo en cuenta que mover un electrn de un nivel de energa discreto a
otro requiere una cantidad de energa especifica. La energa implicada est dada por:


Al considerar que 1eV=1.6x10
-19
J se obtiene una longitud de onda de 869nm. Este valor
ciertamente coloca al GaAs en la zona de longitud de onda utilizada en dispositivos
infrarojos. Para un material compuesto como el GaAsP con una brecha de energa de
Imagen 13


17
1.9eV la longitud de onda resultante es de 654nm, la cual se encuentra en el centro de la
zona roja.
Es por ello que la longitud de onda y la frecuencia de la luz de un color especfico estn
directamente relacionadas con la brecha de la banda de energa del material. Un primer
paso, por consiguiente, en la produccin de un semiconductor compuesto que puede ser
utilizado para generar luz es combinar elementos que generen la brecha de la banda de
energa del la unin semiconductora deseada.
Emisores infrarrojos
Los diodos emisores infrarrojos son dispositivos de
arseniuro de galio (GaAs) de estado slido que
emiten un rayo de flujo radiante cuando se
polarizan en directa. La construccin bsica del
dispositivo se muestra en la figura 14.

Cuando la unin se polariza en directa, los electrones de la regin n se recombinan con los
huecos excedentes del material p en una regin de recombinacin diseada en especial y
situada entre los materiales p y n. Durante este proceso de recombinacin, el dispositivo
irradia energa en forma de fotones. Los fotones generados se reabsorben en la estructura
o abandonan la superficie del dispositivo como energa radiante, como se muestra en la
figura 14.

El flujo radiante en miliwatts contra la
corriente en directa de cd de un
dispositivo tpico aparece en la imagen 15.
Observe la relacin casi lineal entre estos
dos.

Imagen 14
Imagen 15


18
En la figura 16 se da un patrn interesante para dichos dispositivos; observe el patrn muy
angosto para los dispositivos con un sistema de alineacin interna. Un dispositivo como
ese aparece en la figura 17, con su construccin interna y smbolo grafico.

Algunas reas de aplicacin de estos dispositivos incluyen lectores de tarjetas y cintas de
papel; codificadores de haces de luz, sistemas de transmisin de datos y alarmas contra
intrusos.
Un uso muy comn es el que hacen los mandos a distancia ( telecomandos) que
generalmente utilizan los infrarrojos en vez de ondas de radio ya que no interfieren con
otras seales como las seales de televisin. Los infrarrojos tambin se utilizan para
comunicar a corta distancia los ordenadores con sus perifricos.
Se ilustran fotografas de estos elementos en la imagen 18 siguiente, algunos son
elementos con ventanas de cristal planas y otros son con sistemas de alineacin internos.





Imagen 16
Imagen 17
Imagen 18


19
Fotodiodos
El inters en los dispositivos sensibles a la luz ha ido en aumento a un ritmo exponencial
inusitado en aos recientes. El nuevo campo de la optoelectrnica ha despertado gran
inters y ha sido objeto de mucha investigacin y se estn haciendo esfuerzos para
mejorar sus niveles de eficiencia. Las fuentes luminosas constituyen una fuente de energa
nica. sta, transmitida como paquetes individuales llamados fotones, tiene un nivel
directamente relacionado con la frecuencia de la onda luminosa viajera determinado por
las ecuaciones energticas y de longitud de onda de la luz, antes determinadas en este
documento.
La longitud de onda es importante porque determina el material que se tiene que utilizar
en el dispositivo opto electrnico. Las respuestas espectrales relativas del germanio, silicio
y selenio se dan en la siguiente imagen 19. Se incluye el espectro de luz visible junto con
una indicacin de la longitud de onda asociada a diversos colores.
Imagen 19


20
El nmero de electrones libres generados en cada material es proporcional a la intensidad
de la luz incidente. La intensidad luminosa mide la cantidad de flujo luminoso que incide
en un rea de superficie particular. Por lo comn, el flujo luminoso se mide en lmenes
(lm) o watts. Las dos cantidades estn relacionadas por:


La intensidad luminosa se suele medir en lm/pie
2
, candelas-pie (fc) o W/m
2
, donde:


El fotodiodo es un dispositivo de unin p-n semiconductor cuya regin de operacin se
limita a la regin de polarizacin en inversa. La configuracin de polarizacin bsica, la
construccin y el smbolo del dispositivo aparecen en la figura 20 siguiente.







Por lo descrito en secciones anteriores, se vio que lo comn es que la corriente de
saturacin en inversa est limitada a algunos microamperes. Esto se debe solo a los
portadores minoritarios trmicamente generados en los materiales tipo n y p. La
aplicacin de la luz a la unin hace que se transfiera energa de las ondas luminosas
viajeras incidentes (en forma de fotones) a la estructura atmica, y el resultado es una
cantidad incrementada de portadores minoritarios y un nivel incrementado de corriente
en inversa. Esto se muestra con claridad en la figura 21 a diferentes niveles de intensidad.

Imagen 20


21









La corriente oscura es la que se dar sin iluminacin aplicada. Observe que la corriente
solo regresar a cero con una polarizacin aplicada positiva igual a V
T
. Adems, la figura 20
demuestra el uso de una lente para concentrar la luz en la regin de la unin. En la imagen
22 se muestran algunos fotodiodos comerciales.








La separacin casi igual entre las curvas con el mismo incremento del flujo luminoso
revela que la corriente en inversa y el flujo luminoso estn casi linealmente relacionados.
Imagen 21
Imagen 22


22
En otras palabras, un aumento en la intensidad luminosa producir un incremento similar
de la corriente en inversa.
En la imagen 23 aparece una grafica de los dos parmetros anteriores para demostrar esta
relacin casi lineal para un voltaje fijo V

de 20V. Con una base relativa, podemos suponer


que la corriente en inversa es en esencia cero sin luz incidente. Como los tiempos de
levantamiento y cada (parmetros de cambio de estado) son muy pequeos `para este
dispositivo (en el intervalo de los nanosegundos), puede utilizarse el dispositivo en
aplicaciones de conteo o conmutacin de alta velocidad.








Volviendo a la imagen 19, observamos que el Ge abarca un espectro ms amplio de
longitudes de onda que el Si. Esto lo convierte en un elemento adecuado para la luz
incidente en la regin infrarroja provista por lseres y fuentes luminosas IR (infrarrojas).
Desde luego, el Ge tiene una corriente escura ms alta que el Si, pero tambin un nivel
ms alto de corriente en inversa. El nivel de corriente generado por la luz incidente en un
fotodiodo no es adecuado para utilizarla como control directo, pero se puede amplificar
para este propsito.


Imagen 23


23
Celdas fotoconductoras
La celda fotoconductora es un dispositivo
semiconductor de dos terminales cuya resistencia
terminal vara (linealmente) con la intensidad de la luz
incidente. Por razones obvias, con frecuencia se llama
dispositivo fotoresistivo (tambin llamado elemento
LDR-Light Dependent Resistors). En la imagen 24 se
ilustra la construccin tpica de una celda fotoconductora
junto con el smbolo grafico ms comn.

Entre los materiales fotoconductores de uso ms frecuente estn el sulfuro de cadmio
(CdS) y el seleniuro de cadmio (CdSe). La respuesta espectral pico ocurre a
aproximadamente 5100 para el CdS y a 6150 para CdSe (observar la figura 19 de la
seccin anterior). El tiempo de las unidades de CdS es de alrededor de 100ms y el de las
celdas de CdSe es de 10ms.
La celda fotoconductora no tiene una unin como el fotodiodo. Una delgada capa de
material conectada entre las terminales simplemente se expone a la energa luminosa
incidente.
A medida que la iluminacin que incide en el dispositivo se hace ms intensa, el estado
energtico de un mayor nmero de electrones en la estructura tambin se incrementar
debido a la disponibilidad incrementada de los paquetes de fotones de energa. El
resultado es un nmero cada vez mayor de electrones libres en la estructura y la
reduccin de la resistencia terminal. La curva de sensibilidad de un dispositivo
fotoconductor tpico aparece en la siguiente imagen 25; observe la linealidad (usando una
escala logartmica) de la curva resultante y el gran cambio en la resistencia (100k a
100) para el cambio indicado de iluminacin.
Imagen 24


24







Fototransistores
El comportamiento fundamental de los dispositivos fotoelctricos se present junto con la
descripcin del fotodiodo. Ahora ampliaremos este anlisis para incluir el fototransistor,
el cual tiene una unin p-n de colector a base fotosensible. La corriente inducida por
efectos fotoelctricos es la corriente base del transistor. Si le asignamos la notacin I

a la
corriente de base foto inducida, la corriente de colector que resulta, aproximadamente,
es:


En la figura 26 se dan algunas caractersticas representativas para un fototransistor junto
con la representacin simblica del dispositivo. Se observan las semejanzas entre estas
curvas y las de un transistor bipolar tpico. Como se esperaba, al aumentar la intensidad
de la luz se incrementa la corriente en el colector.





Imagen 25
Imagen 26


25
Para proporcionar un mayor grado de conocimiento de la unidad de medicin de
intensidad luminosa, miliwatts por centmetro cuadrado, se da una curva de corriente de
base contra densidad de flujo en la imagen 27; se detalla el incremento exponencial de la
corriente de base al aumentar la densidad de flujo. En la misma imagen se ilustra un
fototransistor junto con la identificacin de las terminales y la alineacin angular. En la
imagen 28 se muestran algunas de las configuraciones a base de dispositivos
fototransistores ms comercialmente empleados.
















Imagen 27
Imagen 28


26
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO FSICO DE LOS SENSORES
FOTOELCTRICOS
Sensores sin contacto
Conforman un grupo de sensores muy amplio.
Como su nombre lo indica, la caracterstica principal
es el hecho de que permiten detectar el objeto sin
que se necesario el contacto fsico. Esto confiere
una capacidad de maniobra mucho mayor y adems
permite mantener inalterable el sistema de control.
Se muestran algunos ejemplos en la imagen 29.
Estos sensores presentan las siguientes caractersticas con respecto a los sensores de
contacto fsico directo con su sistema a controlar.
Detectan objetos a distancia, sin necesidad de contacto fsico.
Suelen poseer nicamente capacidad de deteccin y no son a la vez elementos
de corte de corriente.
Son verstiles en sus caractersticas de uso, pudiendo dar informacin directa
o indirectamente de varias magnitudes fsicas.
Pueden ofrecer ventajas selectivas de funcionamiento con ciertos materiales
sin verse afectados por otros.
Es un grupo muy heterogneo de sensores, pero engloba sensores con
principios de funcionamiento muy diferentes, desde sensores que se basan en
la transmisin de sonido hasta los que se fundamentan en la induccin
electromagntica (se incluyen los de funcionamiento ptico o fotoelctricos
que emplean ondas electromagnticas para su tarea).
Todos necesitan alimentacin externa para su funcionamiento.

Imagen 29


27
Introduccion a los sensores fotoelectricos
Usar sensores que empleen un haz de luz ha sido popular desde 1950. El sensor
fotoelctrico de hoy es uno de los ms verstiles dispositivos de sensado de no contacto
conocido por el hombre. La fiabilidad de los sensores fotoelctricos dieron un gran salto
en los aos 70 cuando la luz del diodo emisor (LED) reemplazo la luz incandescente.
En comparacin con los dems sensores de proximidad, los sensores fotoelctricos
presentan las siguientes ventajas:
Distancias de deteccin mucho ms grandes que en el caso de los capacitivos e
inductivos. Se pueden obtener hasta 500 metros en tipo separado y 5 metros en
reflexin.
Permiten la identificacin de colores y objetos de pequeo tamao (decimas de
milmetro).
Composicin y funcionamiento de los sensores fotoelctricos
Un sensor fotoelctrico se compone bsicamente de un emisor de luz asociado a un
receptor sensible a la cantidad de luz recibida; ste detecta cuando el objetivo penetra el
haz luminoso emitido y modifica, de forma suficiente, la cantidad de luz que recibe el
detector para provocar un cambio de estado a la salida.
Este tipo de sensores tienen como funcin principal la deteccin de todo tipo de objetos
independientemente de la distancia, ellos son generalmente utilizados como detectores
de posicin o presencia.
Los elementos que conforman su
construccin se muestran en la
imagen 30 siguiente. Segn el tipo de
deteccin, las etapas emisoras y
receptoras pueden estar en conjunto
en un solo dispositivo o separadas
entre ellas.
Imagen 30


28
Los detectores fotoelctricos utilizan diodos emisores LED que transforman la seal
elctrica en luz monocromtica. Para insensibilizar el sistema a la luz ambiente, la
corriente que atraviesa el LED se modula para obtener una emisin de luz pulsada. Los
sensores fotoelctricos de pulso modulado responden nicamente a la luz emitida por su
propia fuente de luz. Modular la luz de un LED simplemente significa encenderlo y
apagarlo en alta frecuencia, observe la imagen 31.
El secreto de la eficiencia de un sistema modulado es que el fototransistor del sensor (de
la etapa receptora) y el amplificador estn sintonizados a la frecuencia de la modulacin
(etapa de tratamiento de la seal), dando como resultado, que nicamente la luz
modulada es amplificada, y toda la otra luz que alcanza al fototransistor es ignorada. Esto
es anlogo a un radio receptor el cual sintoniza fuertemente a una estacin mientras que
ignora las otras ondas de radio que estn presentes en el lugar.
La tasa de modulacin o frecuencia a menudo excede los 5kHz, una velocidad mucho
mayor a la que puede detectar el ojo humano.
Los sensores fotoelctricos conmutan o modulan rpidamente la corriente conducida por
un LED. Un ciclo de trabajo suave o poco intenso (normalmente inferior al 5%, ver imagen
32) permite que la cantidad de corriente y, por tanto, la cantidad de luz emitida excedan
con creces el lmite permisible en una operacin continua.

Imagen 31
Imagen 32


29
Generalmente, los LED emiten luz y los fotodetectores son sensibles a la luz en una amplia
zona. Para estrechar o definir zona de deteccin se utilizan lentes con los LED y
fotodetectores. A medida que se estrecha la zona, el alcance del LED o de los
fotodetectores aumenta, tal como se muestra en la imagen 33 siguiente. En consecuencia,
las lentes aumentan la distancia de deteccin de los sensores fotoelctricos.








El haz de luz de una combinacin de LED y lente suele tener forma cnica. En la mayora
de los sensores, el rea del cono aumenta con la distancia.

Modos de deteccin de los sensores fotoelctricos
Este tipo de sensores generalmente incorporan un circuito que permite la activacin de
sensores por la presencia o por la ausencia del objeto, a estos modos se les denomina
Light ON y Dark ON.
1. Light ON (Activacin por Luz); El objeto por si mismo debe reflejar el haz de luz al
lente del receptor.
2. Dark ON (Activacin por Obscuridad); El objeto debe romper o disminuir un haz de
luz existente entre la fuente de luz y el lente receptor.
Imagen 33


30
Otro tipo de clasificacin de estos sensores se basa en la forma de cmo se realiza el
sensado. El sistema ptico de un sensor fotoelctrico est diseado para uno de los cuatro
modos de sensado:
Transmisin (Separado) o tipo barrera
Retrorreflectivo o rflex (con seal sin polarizar o polarizada)
Reflexin Difusa o de proximidad
Reflexin definida
Sistemas de fibra ptica
Muchas situaciones de sensado pueden ser resueltas por la eleccin de uno de estos
modos. Sin embargo, hay usualmente un mejor modo para cada variable a sensar. Estos
mtodos se describirn a continuacin:
Transmisin (Separado) o tipo barrera
En este modo de deteccin, la fuente de luz (emisor) y el receptor se encuentran en
carcasas distintas. Las dos unidades se colocan una frente a la otra de manera que la luz
del emisor ilumine directamente al receptor. Para detectar el objeto, el haz que se
extiende entre la fuente de luz y el receptor no puede verse interrumpido. (Imagen 34).



Imagen 34


31
Retrorreflectivo o rflex (sin polarizar y polarizado)
Los modos de deteccin ms comunes son el retrorreflectivo y el retrorreflectivo
polarizado. Un sensor retrorreflectivo tiene el emisor y el receptor en una sola carcasa. El
haz de luz del emisor rebota en un reflector (o material reflectivo especial) y es detectado
por el receptor. El objeto es detectado cuando interrumpe este haz de luz, tal como se
observa en la imagen 35.

Para la deteccin retrorreflectiva se utilizan reflectores especiales o cintas reflectantes
como los mostrados en la figura 36. Al contrario que los espejos u otras superficies
reflectivas planas, estos materiales reflectivos no tienen que estar perfectamente
alineados en perpendicular con el sensor. Existe una amplia gama de reflectores. La
distancia de deteccin mxima disponible con un sensor retrorreflectivo depende en parte
del tamao y de la eficacia del reflector.

Imagen 35
Imagen 36


32
Los sensores retrorreflectivos polarizados contienen filtros polarizantes delante del emisor
y del receptor que orientan la luz a un solo plano. Estos filtros estn colocados en
perpendicular o con un desfase de 90 entre s.
El haz de luz se polariza cuando pasa por el
filtro. Cuando la luz polarizada se refleja en
un objeto, sigue permaneciendo polarizada
y cuando se refleja en un reflector
despolarizante, se despolariza; se observa el
detalle de esta polarizacin en la imagen 37.
El receptor slo puede detectar la luz
reflejada que se haya despolarizado. Por
ello, el receptor no ve (no recibe) la luz de
objetos reflectivos que no hayan
despolarizado la luz.
Reflexin difusa
La deteccin retrorreflectiva y la deteccin de haz transmitido crean un haz de luz entre el
emisor y el receptor, o entre el sensor y el reflector. En este caso es necesario poder
acceder a ambos lados del objeto.
A veces es difcil, o incluso imposible,
acceder a ambos lados de un objeto. En
estas aplicaciones, es necesario detectar un
reflejo que proceda directamente del
objeto. La superficie del objeto esparce la
luz en todas direcciones y slo una pequea
parte se refleja hacia el receptor. Este modo
de deteccin se llama deteccin difusa, se ve el funcionamiento en la figura 38.

Imagen 37
Imagen 38


33
El propsito de la deteccin difusa es lograr un margen relativamente alto al detectar el
objeto. Cuando el objeto no est presente, los reflejos de cualquier fondo deben
representar un margen lo ms cercano a cero.
Los objetos difusos reales a menudo son bastante menos reflectivos, como se muestra en
la siguiente tabla.









Hay diversos tipos de deteccin difusa. La ms sencilla es la difusa normal, si bien existen
otros tipos como difusa de corte abrupto, difusa con supresin de fondo, difusa de foco
fijo y difusa gran angular. Todas ellas poseen cierta variedad de ventajas o desventajas y
algunas aplicaciones las cuales se mencionaran ms delante.
Reflexin definida
Los sensores con reflexin definida son
aquellos que permiten la deteccin de objetos
con ciertas cualidades fsicas, ms
especficamente del color de los mismos (y en
ciertas ocasiones de la forma o tamao).
Emplean bsicamente las propiedades de
absorcin de determinadas longitudes de onda
Imagen 39


34
de los objetos (segn del material y color de que estn formados) para nicamente
reflejar y detectar las solicitadas por el receptor. Este tipo de deteccin permite al
sensor conocer que material o qu condiciones del mismo se tienen en el producto, ver
imagen 39. Su campo de accin es muy grande, desde la industria alimenticia, para la
calidad de los productos, hasta las industrias de embalaje y paquetes para lectura de
cdigos y marcas de colores, entre otras.
Sistemas de fibra ptica
Los sensores de fibra ptica permiten el acoplamiento de tubos de luz llamados cables
de fibra ptica. La luz que proviene desde el emisor se enva a travs de las fibras
transparentes de los cables y sale por el otro extremo de la fibra. El haz transmitido o
reflejado regresa al receptor a travs de fibras diferentes.
Los cables de fibra ptica se pueden montar en lugares que de otra manera seran
inaccesibles para los sensores fotoelctricos. Se pueden utilizar en lugares donde la
temperatura ambiente es elevada y en aplicaciones donde sean necesarios choques y
vibraciones extremos o movimientos continuos en el punto de deteccin (como se
describe ms abajo). Los cables de fibra ptica tambin se pueden utilizar para detectar
objetos pequeos y son los que ofrecen la respuesta ms rpida, se detalla ms
claramente en algunas aplicaciones mostradas en las figuras de la imagen 40.
Para los cables de fibra ptica se utiliza tanto vidrio como plstico. Las fibras de vidrio se
pueden utilizar con LED infrarrojos o visibles. Las fibras de plstico absorben la luz
infrarroja y por ello son sumamente eficaces cuando se usan con LED rojos visibles.
Imagen 40


35
Ventajas y desventajas de los diferentes sistemas de deteccin fotoelctricos
En la siguiente tabla se mencionan algunas aplicaciones prcticas, las ventajas y
desventajas o inconvenientes de los diversos sistemas de deteccin fotoelctricos con el
fin de tener una comparacin simple de los diversos sistemas.





















36
APLICACIONES DE SENSORES FOTOELCTRICOS
Las aplicaciones de los sensores fotoelctricos, como se ha mencionado a lo largo de este
documento, son muy variadas pero principalmente son usadas para la deteccin,
proximidad y presencia de los objetos y productos en las lneas de produccin; los
inconvenientes de algunas configuraciones de sensado ptico son compensados por otras
configuraciones diferentes, por lo que todas las tecnologas en conjunto tienen una gran
gama de aplicacin.
Entre sus principales ventajas son accesibilidad de deteccin en ambientes muy
contaminados, no importa la naturaleza del material (metlico o no metlico), pueden
detectar materiales opacos y transparentes (segn la configuracin a usar), entre otras
muchas.
A continuacin se detallan algunos de las caractersticas de aplicacin ms generales:
o Deteccin de fines generales
o Conteo de piezas
o Deteccin de marcas de color y lectura de cdigos
o Deteccin de objetos a una distancia especifica
o Ofrecen ventajas de espacio respecto a otros tipos de sensores segn la
configuracin elegida
Segn los modelos de los detectores y los requisitos segn la aplicacin la emisin se
puede realizar con:
Luz infrarroja (es el caso ms habitual de deteccin)
Ultravioletas (uso en materiales luminiscentes)
Luz visible roja (con longitud de onda desde 627 hasta 770nm)
Luz visible verde (aplicaciones de lectores de cdigos, longitud de onda entre 495 a
566nm)
Laser rojo (aplicaciones de focalizacin reducida)



37
Imagen 41
Sistema de deteccin de doble hoja en un
sistema de imprenta, se observa el
empleo de un sistema fotoelctrico de
transmisin o tipo barrera, el uso de un
amplificador de la seal y el actuador final
(alarma).
EJEMPLOS DE APLICACIONES INDUSTRIALES
A continuacin se ilustran (desde la imagen 41 hasta la 50) algunas aplicaciones bsicas de
los sistemas de deteccin fotoelctricos u pticos.




















Imagen 42
Dispositivo para la deteccin de flancos o
bordes mecnicamente convergentes, se
emplea una configuracin tipo barrera, se
detectan bordes o discrepancias en el
acabado de los cortes realizados por una
sierra mecnica.
Imagen 43
Sistema empleado para la deteccin de
residuos en rodillos de sistemas de
produccin, de manera semejante para la
deteccin de productos en una lnea de
produccin, se observa el uso de un
sistema retroreflectivo sin polarizar.
Imagen 44
Deteccin de paquetes opacos (costales
de harina) por medio de la reflexin
difusa del objeto; aunque tambin es
aplicable la deteccin de color del
producto con esta misma base de
construccin.


38























Imagen 45
Deteccin de piezas con cables de fibra
ptica individuales en lugares donde el
espacio o las condiciones del lugar limitan
el uso de otra configuracin ptica u otros
sistemas de deteccin (inductivos,
capacitivos).
Imagen 46
Aplicaciones del rea farmacutica,
embalaje: ausencia de pastillas en el
blster. Empleo de sistemas de deteccin
tipo barrera.
Imagen 47
Sistemas de aplicacin en el rea
metalrgica, lneas de produccin para
detectar piezas defectuosas o
caractersticas indeseables; empleo de
sistemas retroreflectivo, difusos o de fibra
ptica.
Imagen 48
Produccin en el rea alimenticia, de
envases transparentes u opacos, deteccin
botellas en una determinada posicin
(empleo de sistema lgico de deteccin);
empleo de sistemas retroreflectivo
polarizado.


39













USOS PRCTICOS DE LOS SENSORES FOTOELCTRICOS
A continuacin se mencionan un par de casos prcticos del uso de sensores pticos o
fotoelctricos.
1. Sensores pticos en soldadura de alta velocidad
La tecnologa busca constantemente incrementar la velocidad de la soldadura a la vez que
se mejoran las garantas del proceso. VRV-Evans ha desarrollado narrow gap welding
technology que puede depositar capas de soldadura a velocidades por encima de 1
m
/
min
.
Sin embargo, tales velocidades altas amenazan los lmites de las costuras de arco. La
compaa tambin identifica que los procesos de unin de la tubera total pueden
mejorarse dramticamente si se obtiene informacin sobre la unin y la preparacin que
requiere la soldadura.
Los investigadores mostraron que eran posibles velocidades de 2
m
/
min
.
Imagen 49
Produccin en el rea alimenticia,
deteccin de color para la condicin y
calidad de los alimentos (frutas,
vegetales, galletas, pasteles, etc),
caractersticas de los sistemas definidos
de deteccin.
Imagen 50
Sistemas de deteccin de marcas y
cdigos por medio de etiquetas de
colores empleando mtodo de reflexin
definida.


40
El diseo del sensor consiste en una cmara de Megapixel
CMOS con un dispositivo de integracin de escala muy
grande, incluyendo un FPGA y un poderoso DSP. El sistema
de visin tiene un campo de vista de 50 mm y una
resolucin horizontal en pixels de 0,05 y una resolucin de
pixel vertical de 0,07mm, ver imagen 51.


El sensor en si mismo tiene un diseo completamente digital y est diseado para una
fcil integracin dentro del control digital y sistemas de comunicacin, tanto con ethernet
de alta velocidad como con interfaces de bus CAN. Estos enlaces externos proporcionan la
interface digital-a-digital al sistema de soldadura CRC.
Aplicaciones
Este tipo de soldadura tiene especiales aplicaciones en soldadura de tuberas, donde hay
cambios permanentes en geometra y posicin. El Smart Laser Sensor mide estos cambios
en tiempo real durante el proceso de soldadura. Los datos son enviados va comunicacin
de alta velocidad al sistema de control del movimiento preciso.
2. Sensores pticos para detectar pequeos objetos en movimiento rpido
Los sensores controlan presencia/posicin y realizan mediciones en una gran variedad de
aplicaciones industriales. Para aplicaciones sensoras que impliquen distancias de hasta
200 mm, Baumer ha introducido recientemente el nuevo Long-Range ParCon, un sensor
de la lnea ptica analgica que proyecta ancho continuo de 24 mm de luz paralela a un
reflector, y permiten detectar de forma rpida y fiable partes mviles tan pequeas como
0,5 mm. El sensor puede tambin medir objetos anchos independientemente de la
posicin del objeto en el campo de medicin, ver imagen 52.
Imagen 51


41
Se trata de una alternativa efectiva en costes a la
tecnologa de cortinas de luz, que detectan con
exactitud y miden objetos metlicos y no metlicos a
tasas de procesamiento de alta velocidad de hasta 1
kHz con resoluciones de hasta 0,1 mm. Long-Range
Parcon est diseado para detectar con exactitud
bordes de materiales en aplicaciones tales como
embalajes, fabricacin textil, produccin de papel,
grfica/impresin.

Este sensor tambin puede utilizarse en fabricacin de PCB, embalaje de alimentos y
bebidas, automatizacin de laboratorio, fabricacin de dispositivos mdicos y aplicaciones
de metalmecnica.
El sensor se caracteriza por un haz de luz paralelo ancho de 24 mm que permite la
deteccin exacta y medicin del espesor de objetos independientemente de su
localizacin en el rea sensora. Dimensionado a 67 x 34 x 16.5 mm, la carcasa de Long-
Range ParCon contiene el emisor, receptor, y especialmente la ptica. Solamente un
reflector es necesario para operar el sensor, por lo cual se monta rpidamente en
pequeas aplicaciones espaciales.







Imagen 52


42
CARACTERSTICAS O ESPECIFICACIONES PRINCIPALES
DE LOS SENSORES FOTOELCTRICOS
Todas las caractersticas que se describen a continuacin aparecen normalmente en las
hojas de especificaciones de los fabricantes de los diversos sensores existentes en el
mercado, algunos agregan estas caractersticas con nombres diferentes, mientras que
algunos otros muestran ciertas caractersticas ms especficas de instrumentacin
industrial como exactitud y precisin.
Salida de operacin por luz/en oscuro
Los trminos operacin por luz y operacin por oscuridad se usan para describir la
accin de la salida de un sensor cuando un objeto est presente o ausente.
Una salida de operacin con luz se activar (activada, nivel de lgica uno) cuando el
receptor pueda ver la luz proveniente de la fuente de luz.
Para la deteccin de retrorreflectiva y de haz transmitido, una salida de operacin por luz
se activar cuando el objeto est ausente y la luz pueda viajar de la fuente de luz al
receptor. Para la deteccin difusa (todos los tipos), la salida se activar cuando el objeto
est presente y refleje la luz de la fuente de luz al receptor.
Una salida de operacin en oscuro se activar (activada, nivel de lgica uno) cuando el
receptor no pueda ver la luz proveniente de la fuente de luz.
Para la deteccin de retrorreflectiva y de haz transmitido, una salida de operacin en
oscuro se activar cuando el objeto est presente y la luz que proviene de la fuente de luz
sea bloqueada y no pueda llegar al receptor. Para la deteccin difusa (todos los tipos), una
salida de operacin en oscuro se activar cuando el objeto est ausente.
Distancia mxima de deteccin
Esta especificacin se refiere a la distancia de deteccin de:
El sensor al reflector, en sensores retrorreflectivos y retrorreflectivos
polarizados.


43
El sensor al objeto especificado, en todos los tipos de sensores difusos.
La fuente de luz al receptor, en sensores de haz transmitido.
La mayora de los entornos industriales producir contaminacin de las lentes del sensor y
de los reflectores u objetos. Los sensores se deben aplicar a distancias ms cortas para
aumentar el margen para un valor aceptable y mejorar la confiabilidad de la aplicacin.
Distancia mnima de deteccin
Muchos sensores retrorreflectivos, retrorreflectivos polarizados y
difusos (la mayora de los tipos) tienen una pequea rea ciega
cerca del sensor (Figura 53).
Los reflectores, las cintas reflectivas o los objetos difusos se deben
colocar a una distancia mayor del sensor que esta distancia mnima
de deteccin a fin de obtener un funcionamiento confiable.
Tiempo de respuesta
El tiempo de respuesta de un sensor es la cantidad de tiempo que transcurre entre la
deteccin de un objeto y el cambio de estado del dispositivo de salida de activado a
desactivado o viceversa, esta es la caracterstica dinmica principal de los sistemas y
elementos de medida.
Corresponde igualmente a la cantidad de tiempo que se necesita para que el dispositivo
de salida cambie el estado una vez que el objeto ya no es detectado por el sensor.
Los tiempos de respuesta estn en funcin del diseo del sensor y de la eleccin del
dispositivo de salida. Los sensores ms lentos usualmente ofrecen rangos de deteccin
ms largos. Los sensores muy rpidos normalmente tienen rangos de deteccin ms
cortos.
Los tiempos de las respuestas de un sistema estn en funcin de los compuestos del que
estn hechos el receptor y emisor, en los fotodiodos la velocidad de respuesta est
dentro del orden de los nanosegundos, en los elementos fotoresistivos tienen velocidades
de respuesta desde los 100ms hasta solo 10ms; los fototransistores, al igual que los
Imagen 53


44
fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir que pueden responder a
variaciones muy rpidas en la luz.
Campo de visin
Para la mayora de los sensores fotoelctricos, el haz de luz proveniente de la fuente de
luz y el rea de deteccin frente al receptor se proyectan lejos del sensor en forma cnica.
El campo de visin es una medida (en grados) de esta rea cnica.
El campo de visin es una especificacin til para determinar el rea de deteccin
disponible a una distancia fija alejada de un sensor fotoelctrico, en la imagen 54 se
muestra un esquema de cmo varia relativamente el campo de visin en estos tipos de
sensores respecto a la distancia relativa de deteccin.





Histresis
Los sensores fotoelctricos cuentan con
histresis (o diferencial).
La histresis de un sensor fotoelctrico es la
diferencia entre la distancia a la que se puede
detectar el objeto mientras se mueve hacia el
sensor y la distancia a la que se tiene que
alejar del sensor para dejar de ser detectado.
Cuando el objeto se acerca al sensor, se lo detecta a una distancia X. Cuando se aleja, se lo
sigue detectando hasta que llega a la distancia Y; tal como se muestra en la imagen 55.
Imagen 54
Imagen 55


45
La elevada histresis de la mayora de los sensores fotoelctricos es til para detectar
grandes objetos opacos en aplicaciones retrorreflectivas, retrorreflectivas polarizadas y
de haz transmitido.
La histresis elevada no suele verse afectada por la colocacin del objeto dentro del haz
efectivo. En las aplicaciones difusas, una gran diferencia en la luz reflejada del objeto y el
fondo tambin permite el uso de sensores de histresis elevada.
La histresis reducida requiere cambios menores en el nivel de luz.
Algunos sensores fotoelctricos estn diseados para poder seleccionar una histresis
baja. Los sensores de histresis baja se utilizan sobre todo para detectar objetos
transparentes, marcas de registro de bajo contraste y objetos que no interrumpen todo
el haz efectivo.
Algunas de estas caractersticas vienen indicadas en las Hojas de especificaciones del
fabricante, mientras que algunas otras no, esto es debido a que las aplicaciones a las que
estn dedicadas son de criterio industrial y de produccin. Esta seccin respecto a las hojas
de especificaciones se detallar en una seccin ms delante.











46
CARACTERSTICAS O ESPECIFICACIONES SECUNDARIAS
DE LOS SENSORES FOTOELCTRICOS
Dentro de las caractersticas secundarias que se dan en las hojas de especificaciones de los
sensores fotoelctricos (aunque se dan las mismas para todos los sensores sin importar el
tipo de deteccin, ya sea inductivo, capacitivo, ultrasnico, etc.) se pueden mencionar las
siguientes:
Voltaje nominal de alimentacin o de suministro para su correcta operacin en
volts (V).
Intensidad de corriente del sensor en amperes (A).
Tipos de conexin para las juntas o cables de transmisin de datos.
Tipo de conductor a emplear para su correcto funcionamiento.
Tipo de sujecin o conexin para el lugar donde ser montado (tipo de rosca de la
junta).
Caractersticas de ajuste del sensor, si las tiene (sensibilidad, tipo de retardo, tipo
de operacin a luz/oscuridad, ajustes de mono o multi-impulsos del emisor).
Diagramas del
Caractersticas del entorno de operacin (segn las normatividades NEMA, CSA,
IEC y CE).
Certificaciones de directivas (NEMA, CSA, CE, IEC, entre otras).
Condiciones trmicas lmite y de servicio para el correcto funcionamiento del
elemento en C ( en F, o en ambas u otras como K y R).
Condiciones de trabajo mecnico y de resistencia bajo las cuales se someter el
sensor en su ubicacin final (vibraciones, esfuerzos, impacto, etc.)
Condiciones de humedad ambiente de operacin, humedad relativa.
Conjeturas sobre los indicadores externos, tales como indicadores luminosos o
sonoros.
Indicaciones sobre protecciones extras de los sensores, tales como sobrecarga,
cortocircuito, falsa deteccin, inversin de polaridad.


47
Material de la envolvente del elemento o carcasa.
Material con el que esta manufacturada la lente.
Accesorios suministrados por el fabricante al adquirirlo.
Accesorios extras u opcionales del dispositivo sensor.
Diagramas de conexin de los elementos al sistema de control.
Esquemas de las dimensiones del sensor.
Caractersticas de peso del sensor.
Notificaciones de los cuidados y mantenimientos sobre el sensor.
Graficas de operacin o de respuesta de los elementos sensores ante cambios de
iluminacin, temperatura, entre otras).
Algunas aplicaciones generales de uso.
Grados de proteccin segn dependencias y normatividades (NEMA, CSA, IEC, CE,
DIN).
Otras particularidades y Notaciones extras a las antes mencionadas respecto al
montaje y cuidados.
Estas caractersticas de detallan con mayor claridad sobre las hojas de especificaciones. En
los sensores, algunas de estas propiedades y caractersticas no son publicadas mientras
que otras si estn en las hojas de datos, segn indique el fabricante.










48
SENSORES COMERCIALES Y HOJAS DE ESPECIFICACIONES
Existe una gran variedad de fabricantes y consultores internacionales que disean y crean
una diversidad de sensores, algunos de estos estn dedicados a solo ciertos tipos ya sea
inductivos, capacitivos, fotoelctricos, laser, magnticos, ultrasnicos, entre otros;
mientras que las ms grandes empresas dedican sus actividades a toda la gama de
sensores para la industria de automatizacin y produccin.
A continuacin se mencionan algunas de las empresas ms importantes en desarrollar
sensores de tipo fotoelctrico y ptico. Adems se anexa un respectivo link hacia uno de
los catlogos principales de la empresa, hojas de especificaciones de los sensores tipo
fotoelctrico y/o lista de accesorios que ofrecen:

a) Rockwell Automation - Allen Bradley
Catalogo general y manual de operarios
Catalogo de sensores fotoelctricos

b) BALLUFF
Catalogo de sensores fotoelctricos
Catalogo accesorios

c) OMRON
Catalogo de sensores fotoelctricos

d) PEPPERL FUCHS Visolux
Catalogo general de empresa y aplicaciones
Catalogo de sensores fotoelctricos

e) BANNER-TURCK
Catalogo de sensores fotoelctricos


49
f) Schneider Electric (Telemecanique)
Catalogo general de sensores
Otros fabricantes son:
g) OPTEX FA
h) DATALOGIC
i) IFM Electronic
j) EMX Industries, inc.
k) Carlo Gavazzi
l) Telco Sensors
m) Di-soric
n) Leuze Electronic
o) Sensor Instruments
p) AECO
q) Rechner Sensors
r) Red Ion
s) Bernstein
t) CEDES
u) DELTA


50
v) EGE
w) Braun
x) Sick, Sensor Intelligence
y) Dinel
z) Eltrotec
aa) Wenglor
bb) Riko
cc) Baumer
Las empresas antes mencionadas pueden ser buscadas en internet o con los respectivos
distribuidores, la pgina siguiente: http://www.directindustry.es/tab/sensor-
fotoelectricos.html es propiedad del servidor Direct Industry, y este facilita a los
diseadores de sistemas de control la ubicacin de dispositivos sensores. En esta pgina
uno puede acceder y encontrar las diversas hojas de especificaciones de los dispostivos
sensores segn la empresa.










51
DISEO DE EXPERIMENTOS PARA DETERMINAR LAS CARACTERSTICAS
PRINCIPALES DEL SISTEMA DE MEDIDA
Caractersticas estticas del sistema de medida
A continuacin se describen unos breves experimentos que podran emplearse para la
determinacin de las caractersticas estticas del sistema de deteccin que emplea
elementos fotoelctricos.
Exactitud y precisin
Un experimento para la determinacin de la exactitud y precisin consiste en hacer pasar
un objeto, de tamao proporcional al haz de luz, de forma transversal o perpendicular al
rayo del sensor a una determinada distancia un gran nmero de veces; esto con el fin de
saber bajo que distancias y caractersticas estadsticas del objeto, el sensor es capaz de
detectarlo sin problemas y con un intervalo de confianza mayor al 95%.
Segn la aplicacin del sensor se pueden tener los siguientes casos de experimentacin:
Si el sensor de desea implementar para la deteccin de objetos pequeos, marcas,
color y/o cdigos (sistemas de deteccin difusa), determinar primeramente el
tamao y caractersticas de reflexin estndar del objeto a emplear segn la
focalizacin del haz de luz del sensor (si se tienen lentes para mejorar o enfocar el
rango de visin) para despus de manera estadstica establecer aquellas distancias
mnima y mxima bajo las cuales el sensor es capaz de realizar la deteccin con
una confiabilidad de al menos el 95% o mayor (se prefiere una confianza muy
cercana al 100% debido a que estos sensores son empleados en sistemas de alta
velocidad de conmutacin).
Si el sistema a emplear es necesario para la deteccin de objetos relativamente
grandes (en comparacin al haz de luz emitido) que entran a una zona de
operacin o trabajo (es el caso de zonas de seguridad para operarios o aplicaciones
para interpretacin de la forma y caractersticas de un objeto, sistemas de
deteccin retroreflectivos y de barrera); determinar de manera estadstica, bajo


52
qu condiciones de forma y tamao es sensor es capaz de realizar la deteccin sin
problemas con una confianza de al menos un 95%. Aqu implicaran mucho las
caractersticas de transparencia del objeto a detectar y la cantidad de luz a
bloquear que sea necesaria para que el sensor entre en operacin.
Sensibilidad
El experimento empleado para determinar sta caracterstica del sensor consiste en
colocar la pieza de caractersticas estndar a detectar en una posicin cercana al umbral
de conmutacin (nico cuando el sensor es de sistema difuso y mltiple cuando el
sensado es de tipo barrera o retroreflectivo) de manera de poder determinar bajo que
rango de histresis de movimiento del objeto (caracterstica normal de estos tipos de
sensores) el sensor pasa de un estado a otro, determinando esta caracterstica de manera
estadstica por medio de varias lecturas de desplazamiento.
Linealidad, resolucin e histresis
Debido a que la mayora de estos sensores trabajan mediante pasos discretos de
deteccin, un experimento para comprobar la curva de calibracin terica del sensor con
respecto a la real consiste en desplazar la pieza desde la posicin mnima de deteccin
hasta la mxima, realizando sta actividad un nmero determinado de veces con el fin de
tener un anlisis estadstico y poderlo comparar con el terico esperado, conociendo las
fronteras reales de conmutacin.
La resolucin esperada para este tipo de sensores debe ser mnima, pues se espera que al
detectar el objeto se tenga el todo en la seal de salida, con una mxima ganancia del
sistema sin pasos intermedios.
Otro de los fines de esta prueba seria el inspeccionado de la continuidad de la curva en el
rango activo de operacin, debido a la configuracin de la pieza a detectar; esto es, que la
curva de calibracin real no presente ruido o discrepancias significantes en su seal.




53
Caractersticas dinmicas del sistema de medida
La caracterstica dinmica principal de un sistema de medida por elementos fotoelctricos
consiste en el grado de velocidad de respuesta del sistema ante la alta frecuencia de
operacin o conmutacin, tales son debidas sobre todo a los elementos acondicionadores
que son empleados para la amplificacin de la seal de las configuraciones fotoelctricas
(configuraciones de amplificadores operacionales u otros circuitos internos a los mismos).
Tericamente la velocidad de respuesta de los elementos fotoelctricos es muy alta
debido a que la seal empleada para su activacin es la misma luz, pero en los sensores
reales sta es restringida por los otros bloques constituyentes del sensor. Adems, el
sistema de deteccin fotoelctrico puede no tener oscilacin alguna de respuesta ante la
luz que lo irradia (sistema de orden cero).
Un experimento que puede ser empleado para
la determinacin de la capacidad mxima de
conmutacin o de respuesta del sistema, es
hacer pasar el haz de luz del sensor a travs de
un disco que gira a una determinada velocidad
angular y que cuenta con un nmero N de
ventanas o marcas que el sensor es capaz de
detectar en comparacin del mismo disco; en el
momento que la salida no sea capaz de realizar
la conmutacin de alta velocidad, se habr
llegado al lmite o umbral de la frecuencia
mxima de operacin del sensor, observe la
figura 56.
Para determinar el tiempo de respuesta del sistema, se determina el inverso de la
frecuencia a la que trabajara el sensor por medio de las siguientes suposiciones.
La velocidad angular de operacin del disco est dada por la expresin:

Imagen 56


54
Despejando la frecuencia se tiene que:


Donde f representa la velocidad a la que se realiza una revolucin el disco, pero por cada
revolucin del disco se tienen N elementos detectores es decir que la frecuencia debe de
aumentar de manera proporcional al nmero N de ventanas o marcas, por lo tanto:


Para determinar la velocidad de conmutacin, se invierte la frecuencia con el fin de
obtener el periodo o transcurso de tiempo entre cada ventana, el cual es el tiempo de
conmutacin, y cuando se tiene la velocidad limite o mxima de deteccin se tendr el
tiempo mnimo de respuesta, tal como:
















55
FUENTES DE INFORMACIN CONSULTADAS

Bibliografas:
BOYLESTAD Robert L., NASHELSKY Louis; Electrnica: Teora de circuitos y
dispositivos electrnicos; Dcima edicin, Prentice Hall, Mxico 2009. Link
ROCKWELL Automation Allen Bradley; Fundamentos del sensado o deteccin de
presencia (manual de capacitacin); Rockwell International, publicacin enero
2000. Link

Pginas de internet:
http://labellateoria.blogspot.mx/2007/02/la-luz-algo-sobre-su-historia.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Radiaci%C3%B3n_electromagn%C3%A9tica
http://es.wikipedia.org/wiki/Espectro_electromagn%C3%A9tico
http://www.espectrometria.com/espectro_electromagntico
http://rabfis15.uco.es/lvct/tutorial/21/Propiedades%20de%20las%20ondas.html
http://edison.upc.es/curs/llum/luz_vision/luz.html
http://todoproductividad.blogspot.mx/2010/03/sensores-opticos-para-detectar-
pequenos.html
http://todoproductividad.blogspot.mx/2010/06/sensores-laser-en-soldadura-de-
alta.html








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CONCLUSIONES Y POSIBLES MEJORAS ADAPTACIONES
Los sensores fotoelctricos poseen algunas de las caractersticas ms deseables de un
sistema de sensado, alta precisin y elevada rapidez de respuesta, es por ello que se ha
aumentado su uso en las industrias y lneas de produccin.
Su elevado uso y aplicacin es tambin debido a que estos sensores se pueden usar en
objetos en los que no importa su naturaleza (metlica y no metlica), su tamao o su
forma, solo en ciertas aplicaciones importa su color; adems que no importan las
condiciones del ambiente.
Algunas de las posibles mejoras que yo podra considerar para estos sensores podra ser la
adicin de elementos o indicadores que faciliten su alineacin en el momento del
montaje, esto para el caso de sensores infrarrojos ( ultravioletas), los cuales no visibles
por el ojo humano (aunque es posible que algn fabricante ya tenga implementados estos
elementos).
Otra adaptacin que podra considerarse estara en el uso de multisensores en una sola
unidad, consistiran en la implementacin de un conjunto de unidades receptoras con
diferentes caractersticas o cualidades de deteccin (deteccin del color, consideraciones
de calidad y forma de los objetos, simple deteccin de presencia, entre otras) con el fin de
emplear un nico sensor para ello; esto podra ser posible empleando mltiples filtros de
polarizacin de las ondas de luz reflejadas desde los objetos y diferentes materiales de
composicin en los elementos de los receptores con el fin de detectar seales de
diferentes longitudes de onda.
En caso de ser posible la anterior adaptacin, acondicionar estas seales independientes
de manera que puedan ser transportadas en una nica lnea de conduccin de fibra ptica
con el fin de ahorrar material y espacio en los elementos; esto debido a que la fibra ptica
es capaz de transportar un conjunto de seales sin mezclarse ni interrumpirse.
Para que estas mejoras fuesen realizables sera necesario tener un alto conocimiento en
ptica y en comunicaciones de seales para realizar experimentaciones y primeros
modelos tiles.

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