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TRANSISTORES

-DEFINICIN.
TRANSISTOR: Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos.
Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin se realiza
por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales ms
frecuentemente utilizados para elementos semiconductores. Los transistores
pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los tubos electrnicos,
incluyendo la ampliacin y la rectifcacin. continuacin vamos a observar
algunos tipos de transistores!
". El transistor de unin bipolar #$%&'.
2.1 Introduccin al BJT y principios de construccin.
2.2 Con!uracin de "ase co#$n.
2.% Con!uracin de e#isor co#$n.
2.& Con!uracin de colector co#$n.
2.' ()#ites de operacin del transistor.
2.* +o,a de especicaciones del transistor.
(. )olarizacin de *D del $%&.
%.1 -unto de operacin o punto .uiescente.
%.2 Circuito de polari/acin ,a.
%.% Circuito de polari/acin esta"ili/ada de e#isor.
%.& -olari/acin con di0isor de 0olta,e.
%.' 1i0ersas con!uraciones de polari/acin.
%.* Con#utacin con transistores.
%.2 El transistor -N-
+. ,odelado del transistor $%&.
&.1 A#plicador en el do#inio de CA.
&.2 3odelado del transistor BJT.
&.% -ar4#etros i#portantes5 Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io .
6Redes de dos puertos7.
&.& El #odelo r e del transistor.
&.' El #odelo e8ui0alente 9)"rido.
-. nlisis de peque.a se.al del $%&.
'.1 -olari/acin por di0isor de 0olta,e.
'.2 Con!uracin de polari/acin de e#isor para e#isor
co#$n.
'.% Con!uracin de e#isor se!uidor.
Ap:ndice al cap)tulo '
/. &ransistor de efecto de campo #0E&'.
*.1 Introduccin al transistor de e;ecto de ca#po.
*.2 Construccin y caracter)sticas de los J<ET.
*.% Caracter)sticas de trans;erencia.
1. )olarizacin de *D del 0E&.
2.1 Con!uracin de polari/acin ,a.
2.2 Con!uracin de auto polari/acin.
2.1 INTRO1=CCI>N A( BJT ? -RINCI-IOS
1E CONSTR=CCI>N.
Durante el periodo "23-4"2-5, el tubo de vac6o fue sin duda el dispositivo
electrnico de inter7s y desarrollo. En "23-, el diodo de tubo de vac6o fue
introducido por %. . 0leming. )oco despu7s, en "231, Lee, De 0orest agreg
un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vac6o, lo que
origin el primer amplifcador! el triodo. En los a.os siguientes, la radio y la
televisin brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrnicos. La
produccin aument de cerca de " milln de tubos en "2(( hasta
apro8imadamente "33 millones en "2+5. principios de la d7cada de los
treinta el t7trodo de cuatro elementos y el p7ntodo de cinco elementos se
distinguieron en la industria de tubos electrnicos. Durante los a.os
subsecuentes, la industria se convirti en una de primera importancia y se
lograron avances rpidos en el dise.o, las t7cnicas de manufactura, las
aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.
9in embargo, el (+ de diciembre de "2-5 la industria electrnica atestigu
el advenimiento de una direccin de inter7s y desarrollo completamente
nueva. 0ue en el transcurso de la tarde de ese d6a que :alter ;. $rattain y
%ohn $ardeen demostraron el efecto amplifcador del primer transistor en los
$ell &elephone Laboratorios. El transistor original #un transistor de punto de
contacto' se muestra en la fgura +.". De inmediato, las venta<as de este
dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el tubo electrnico
fueron evidentes! era ms peque.o y ligero= no ten6a requerimientos de
flamentos o p7rdidas t7rmicas= ofrec6a una construccin de mayor
resistencia y resultaba ms efciente porque el propio dispositivo absorb6a
menos potencia= instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir
un periodo de calentamiento= adems, eran posibles volta<es de operacin
ms ba<os. >bs7rvese en la presentacin anterior que este cap6tulo es
nuestro primer estudio de dispositivos con tres o ms terminales. El lector
descubrir que todos los amplifcadores #dispositivos que incrementan el
nivel de volta<e, corriente o potencia' tendrn al menos tres terminales con
una de ellas controlando el ?u<o entre las otras dos.
<i!ura %.1 El pri#er transistor.

CONSTR=CCION 1E( TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya
sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material
tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que
el @ltimo recibe el nombre de transistor pnp. mbos se muestran en la
fgura +.( con la polarizacin de cd adecuada. En el cap6tulo +
encontraremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer una
regin de operacin apropiada para la amplifcacin de ca. Las capas
e8teriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles
de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al
material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en
la fgura +.(, la relacin entre el ancho total y el de la capa central es de
3."/3A3.33" B "/3!". El dopado de la capa emparedada es tambi7n
considerablemente menor que el de las capas e8teriores #por lo general de
"3!" o menos'. Este menor nivel de dopado reduce la conductividad
#incrementa la resistencia' de este material al limitar el n@mero de
portadores ClibresC.
En la polarizacin que se muestra en la fgura +.(, las terminales se han
indicado mediante letras may@sculas, E para el emisor, C para el colector y
B para la base. Dna <ustifcacin respecto a la eleccin de esta notacin se
presentar cuando estudiemos la operacin bsica del transistor. La
abreviatura $%& (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar' se
aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El t7rmino bipolar
re?e<a el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso
de inyeccin en el material polarizado opuestamente. 9i slo uno de los
portadores se emplea #electrn o hueco', se considera que el dispositivo es
unipolar.
<i!ura %.2 Tipos de transistores5 6a7 pnp@ 6"7 npn.

>)EE*F>G DEL &EG9F9&>E
La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el
transistor pnp de la fgura +.(a. La operacin del transistor npn es
e8actamente igual si se intercambian los papeles que desempe.an los
electrones y los huecos. En la fgura +.+ se ha redibu<ado el transistor pnp
sin la polarizacin base a colector. Gtense las similitudes entre esta
situacin y la del diodo polarizado directamente en el cap6tulo ". El ancho
de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin
aplicada, lo que produce un denso ?u<o de portadores mayoritarios del
material tipo p al tipo n.
<i!ura %.% =nin polari/ada directa#ente de un transistor pnp.
Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la
fgura +.(a como se indica en la fgura +.-. Eecu7rdese que el ?u<o de
portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un ?u<o de
portadores minoritarios, como se ilustra en la fgura +.-. En resumen, por
tanto!
Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto ue
la otra presenta polarizacin directa.
En la fgura +./ ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un
transistor pnp, con un ?u<o de portadores mayoritario y minoritario que se
indica. En la fgura +./ ntense los anchos de las regiones de agotamiento,
que indican con toda claridad qu7 unin est polarizada directamente y cul
inversamente. *omo se indica en la fgura +./, un gran n@mero de
portadores mayoritarios se difundirn a trav7s de la unin p!n polarizada
directamente dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos
portadores contribuirn en forma directa a la corriente de base "B o pasarn
directamente hacia el material tipo p. )uesto que el material tipo n
emparedado es sumamente delgado y tiene una ba<a conductividad, un
n@mero muy peque.o de estos portadores seguir la trayectoria de alta
resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base
es por lo general del orden de microamperes en comparacin con los
miliamperes de las corrientes del emisor y del colector. El mayor n@mero de
estos portadores mayoritarios se difundir a trav7s de la unin polarizada
inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal del
colector, como se indica en la fgura +./. La causa de la relativa facilidad
con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unin polarizada
inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo
polarizado en forma inversa, los portadores mayoritarios inyectados
aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras
palabras, ha habido una inyeccin de portadores minoritarios al interior del
material de la regin base de tipo n. *ombinando esto con el hecho de que
todos los portadores minoritarios, en la regin de agotamiento cruzarn la
unin polarizada inversamente, se e8plica el ?u<o que se indica en la fgura
+./.
<i!ura %.& =nin polari/ada in0ersa#ente de un transistor pnp.

<i!ura %.' <lu,o de portadores #ayoritarios y #inoritarios de un transistor
pnp.

plicando la ley de corriente de HirchhoI al transistor de la fgura +./ como
si fuera un solo nodo, obtenemos
"E = "C # "B
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en
el colector y la base, 9in embargo, la corriente en el colector est formada
por dos componentes! los portadores mayoritarios y minoritarios como se
indica en la fgura +./. La componente de corriente minoritaria se denomina
corriente de $u%a y se simboliza mediante "C& #corriente "C con la terminal del
emisor abierta B open'. )or lo tanto, la corriente en el colector se determina
completamente mediante la ecuacin #+.('.
"C = "Cmayoritaria J "C&minoritaria
En el caso de transistores de propsito general, "C se mide en miliamperes,
en tanto que "C& se mide en microamperes o nanoamperes. "C& como "s para
un diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe
e8aminarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos
amplios de temperatura. 9i este aspecto no se trata de manera apropiada,
es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a
elevadas temperaturas. Las me<oras en las t7cnicas de construccin han
producido niveles bastante menores de "C&, al grado de que su efecto puede
a menudo ignorarse.
2.2 CON<IA=RACI>N 1E BASE
CO3BN.
La notacin y s6mbolos que se usan en con<unto con el transistor en la
mayor parte de los te8tos y manuales que se publican en la actualidad, se
indican en la fgura +.1 para la confguracin de base com@n con
transistores pnp y npn, La terminolog6a relativa a base com@n se desprende
del hecho de que la base es com@n a los lados de entrada y salida de la
confguracin. dems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en
un potencial de tierra. lo largo de estos apuntes todas las direcciones de
corriente se referirn a la convencional #?u<o de huecos' en vez de la
correspondiente al ?u<o de electrones. Esta eleccin se fundamenta
principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible
en las instituciones educativas y empresariales hace uso del ?u<o
convencional, de que las ?echas en todos los s6mbolos electrnicos tienen
una direccin defnida por esta convencin. Eecu7rdese que la ?echa en el
s6mbolo del diodo defne la direccin de conduccin para la corriente
convencional. )ara el transistor!
'a (ec)a del s*mbolo %r+co de+ne la direccin de la corriente de emisor
((ujo convencional, a trav-s del dispositivo.
<i!ura %.* Notacin y s)#"olos en la con!uracin de "ase co#$n.

&odas las direcciones de corriente que aparecen en la fgura +.1 son las
direcciones reales, como se defnen con base en la eleccin del ?u<o
convencional. Gtese en cada caso que "E = "C # "B. &ambi7n advi7rtase que
la polarizacin aplicada #fuentes de volta<e' es de modo que se establezca la
corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la
direccin de "E con la polaridad o .EE para cada confguracin y la direccin
de "C con la polaridad de "CC.
)ara describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, tales como los amplifcadores de base com@n de la fgura +.1, se
requiere de dos con<untos de caracter6sticas, uno para los parmetros de
entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El con<unto de
entrada para el amplifcador de base com@n, como se muestra en la fgura
+.5, relacionar una corriente de entrada #"E' con un volta<e de entrada #.BE '
para varios niveles de volta<e de salida #.CB'.
<i!ura %.2 Caracter)sticas del punto de eCcitacin para un transistor
a#plicador de silicio de "ase co#$n.

El con<unto de salida relacionar una corriente de salida #"C' con un volta<e
de salida .CB para diversos niveles de corriente de entrada #"E', como se
ilustra en la fgura +.K. El con<unto de caracter6sticas de salida o colector
tiene tres regiones bsicas de inter7s, como se indican en la fgura +.K! las
regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin
empleada normalmente para amplifcadores lineales #sin distorsin'. En
particular! En la re%in act*va la unin colector-base est inversamente
polarizada, mientras ue la unin base-emisor se encuentra polarizada en
$orma directa.
La regin activa se defne por los arreglos de polarizacin de la fgura +.1.
En el e8tremo ms ba<o de la regin activa la corriente de emisor ("E, es
cero, la comente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa
de saturacin "C& , como se indica en la fgura +.K. La corriente "C& es tan
peque.a #del orden de microamperios' en magnitud comparada con la
escala vertical de "C #del orden de los miliamperios', que aparece
virtualmente sobre la misma l6nea horizontal que "C B 3. Las condiciones del
circuito que e8isten cuando "E = 3 para la confguracin base com@n se
ilustran en la fgura +.2. La notacin usada con ms frecuencia para "C&, en
ho<as de datos y de especifcaciones es "CB& como se indica en la fgura +.2.
causa de las t7cnicas me<oradas de construccin, el nivel de "CB& para
transistores de propsito general #especialmente silicio' en los intervalos de
potencia ba<o y medio es por lo general tan reducido que su efecto puede
ignorarse. 9in embargo, para unidades de mayor potencia "CB& a@n aparecer
en el intervalo de los microamperios. dems, recu7rdese que "CB& para el
diodo #ambas corrientes inversas de fuga' es sensible a la temperatura.
mayores temperaturas el efecto de "CB& puede llegar a ser un factor
importante ya que se incrementa muy rpidamente con la temperatura.
<i!ura %.D Saturacin de corriente in0ersa.

Gtese, en la fgura +.K, que conforme la corriente del emisor aumenta
sobre cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente
igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas del
transistor4corriente. dvi7rtase tambi7n el casi desde.able efecto de .CB
sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas indican
claramente que una primera apro/imacin a la relacin entre "E e "C en la
re%in activa la da
"C " _ E
*omo se deduce de su nombre, la regin de corte se defne como aquella
regin donde la corriente de colector es de 3 , como se demuestra en la
fgura +.K. En suma!
En la re%in de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un
transistor estn inversamente polarizadas.
La regin de saturacin se defne como la regin de las caracter6sticas a la
izquierda de .CB = 3 L. La escala horizontal en esta regin se ampli para
mostrar claramente el gran cambio en las caracter6sticas de esta regin.
Gtese el incremento e8ponencial en la comente de colector a medida que
el volta<e .CB se incrementa ms all de los 3 L.
En la re%in de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn
polarizadas directamente.
Las caracter6sticas de entrada de la fgura +.5 muestran que para valores
f<os de volta<e de colector (.CB,, a medida que el volta<e de base a emisor
aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se
aseme<a mucho a las caracter6sticas del diodo. De hecho, los niveles de
aumento de .CB tienen un efecto tan insignifcante sobre las caracter6sticas
que, como una primera apro8imacin, la variacin debida a los cambios en
.CB puede ignorarse y se dibu<an las caracter6sticas como se ilustra en la
fgura +."3a. 9i aplicamos entonces el m7todo del modelo de segmentos
lineales del diodo ideal, se obtendrn las caracter6sticas de la fgura +."3b.
delantando un paso ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto
la resistencia asociada con la unin directamente polarizada, se obtendrn
las caracter6sticas de la fgura +. l>c. )ara los siguientes anlisis en estos
apuntes, el modelo equivalente de la fgura +.l3c se emplear para todos los
anlisis de cd para redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor
esta en el estado CencendidoC o de conduccin, se supondr que el volta<e
de base a emisor ser el siguiente!
.BE = 0.1 .

Al;a 6 7
En el modo de cd los niveles de "C e "E debidos a los portadores mayoritarios
estn relacionados
por una cantidad denominada al$a y que se defne por medio de la siguiente
ecuacin!
cd B "C 2 "E
donde "C e "E son los niveles de corriente al punto de operacin. un cuando
las caracter6sticas de la figura +.K parecen sugerir que B ", para
dispositivos prcticos el nivel de alfa se e8tiende t6picamente de 3.23 a
3.22K, apro8imndose la mayor parte al e8tremo superior del intervalo. Ma
que alfa se defne @nicamente por los portadores mayoritarios, la ecuacin
#+.(' se convierte en
"C = " E # "CB&
)ara las caracter6sticas de la fgura +.K cuando "E B 3 m, "C es por tanto
igual a "CB&, pero como se mencion con anterioridad el nivel de "CB& es por "o
general tan peque.o que es virtualmente indetectable en la grfca de la
fgura +.K. En otras palabras, cuando "E B 3 m en la fgura +.K, "C aparece
tambi7n con 3 m para el intervalo de valores de .CB.
)ara las situaciones de ca en donde el punto de operacin se mueve sobre
la curva de caracter6sticas, un alfa de ca se defne por
El alfa de ca se denomina formalmente el $actor de ampli+cacin de base
com3n en corto circuito, por razones que sern obvias cuando e8aminemos
los circuitos equivalentes de transistor en el capitulo -. )or el momento,
admitamos que la ecuacin #+.5' especifca que un cambio relativamente
peque.o en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente
en "E manteniendo constante el volta<e colector a base. )ara la mayor6a de
las situaciones las magnitudes de ca y de cd se encuentran bastante
cercanas, permitiendo usar la magnitud de una por otra.

-olari/acin
La polarizacin adecuada de la base com@n puede determinarse
rpidamente empleando la apro8imacin "C _ "E y suponiendo por el
momento que "B 3 u. El resultado es la configuracin de la figura +."" _
para el transistor pnp. La ?echa del s6mbolo defne la direccin del ?u<o
convencional para "C _ "E. Las alimentaciones de cd se insertan entonces con
una polaridad que sostendr la direccin de la comente resultante. En el
transistor npn las polaridades estarn invertidas.
<i!ura %.11

algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la ?echa del
s6mbolo del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras
del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases Capuntando
hacia adentroC o Capuntando hacia afueraC.

ACCION A3-(I<ICA1ORA 1E( TRANSISTOR
hora que se ha establecido la relacin entre "C e "E, la accin bsica de
amplifcacin del transistor se puede introducir en un nivel superfcial
utilizando la red de la fgura +."(. La polarizacin de cd no aparece en la
fgura puesto que nuestro inter7s se limitar a la respuesta de ca. )ara la
confguracin de base com@n, la resistencia de entrada de ca determinada
por las caracter6sticas de la fgura +.5 es bastante peque.a y var6a
t6picamente de "3 a "33 ohms. La resistencia de salida determinada por las
curvas de la fgura +.K es bastante alta #cuanto ms horizontal est7 la curva
mayor ser la resistencia' y var6a normalmente de /3 Nohms a " ,ohms, La
diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en la
entrada #base a emisor' y la unin polarizada inversamente en la salida
#base a colector'. Dsando un valor com@n de (3 ohms para la resistencia de
entrada, encontramos que
9i suponemos por el momento que ca B ",
"' = "i = "3 m
.' = "'4
= #"3 m'#/ Nohms'
B /3 L
<i!ura %.12

La amplifcacin de volta<e es

Los valores t6picos de amplifcacin de volta<e para la confguracin de base
com@n var6an de /3 a +33. La amplifcacin de corriente #"C2"E' siempre es
menor que " para la confguracin de base com@n. Esta @ltima
caracter6stica debe ser evidente ya que "C = " E y siempre es menor que
".
La accin bsica de amplifcacin se produ<o trans+riendo una corriente " de
un circuito de ba<a resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos
t7rminos en cursivas produce el nombre de transistor, es decir,
trans$erencia J resistor 56 transistor

2.% CON<IA=RACI>N 1E E3ISOR
CO3BN.

La confguracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se
muestra en la fgura +."+ para los transistores pnp y npn. 9e denomina
con+%uracin de emisor com3n porque el emisor es com@n tanto a las
terminales de entrada como a las de salida #en este caso, es tambi7n
com@n a las terminales de la base y del colector'. De nuevo se necesitan
dos con<untos de caracter6sticas para describir en forma completa el
comportamiento de la confguracin de emisor com@n! una para la entrada
o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. mbas se
muestran en la fgura +."-.
<i!ura %.1%

<i!ura %.1&

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de
comente convencional real. un cuando la confguracin del transistor ha
cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes
desarrolladas antes para la confguracin de base com@n.
En la confguracin de emisor com@n las caracter6sticas de la salida sern
una grfca de la corriente de salida ("C, versus el volta<e de salida (.CE, para
un rango de valores de la corriente de entrada ("B,. Las caracter6sticas de la
entrada son una grfca de la comente de entrada ("B, versus el volta<e de
entrada (.BE , para un rango de valores del volta<e de salida (.CE,.
>bs7rvese que en las caracter6sticas de la fgura +."- la magnitud de "B es
del orden de microamperes comparada con los miliamperes de "C. Gtese
tambi7n que las curvas de "B no son tan horizontales como las que se
obtuvieron para "E en la confguracin de base com@n, lo que indica que el
volta<e de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de colector.
La regin activa en la confguracin de emisor com@n es aquella parte del
cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin
en la que las curvas correspondientes a "B son casi l6neas rectas y se
encuentran igualmente espaciadas. En la fgura +."- a esta regin se
localiza a la derecha de la l6nea sombreada vertical en .CEsat por encima de la
curva para "B igual a cero. La regin a la izquierda de .CEsat se denomina
regin de saturacin. En la re%in activa de un ampli+cador emisor com3n
la unin colector-base est polarizada inversamente, en tanto ue la unin
base-emisor est polarizada directamente.
9e recordar que 7stas fueron las mismas condiciones que e8istieron en la
regin activa de la confguracin de base com@n. La regin activa de la
confguracin de emisor com@n puede emplearse en la amplifcacin de
volta<e, corriente o potencia.
La regin de corte en la confguracin de emisor com@n no est tan bien
defnida como en la confguracin de base com@n. Gtese, en las
caracter6sticas de colector de la fgura +."- que "C no es igual a cero cuando
"B B 3. En la confguracin de base com@n, cuando la corriente de entrada "E
B 3, la corriente de colector fue slo igual a la corriente de saturacin
inversa "C&, por lo que la curva "E B 3 y el e<e de volta<e fueron #para todos
los propsitos prcticos' uno.
La razn de esta diferencia en las caracter6sticas del colector puede
obtenerse mediante la manipulacin adecuada de las ecuaciones #+.+' y
#+.1'. Es decir,
Ecuacin #+.1'! "C B "E J "CB&
La sustitucin da Ecuacin #+.+'! "C B # "C J "B' J "CB&
Eeordenando obtenemos!
9i consideramos el caso discutido anteriormente, donde "B B 3 , y
sustituimos un valor t6pico de a
tal como 3.221, la corriente de colector resultante es la siguiente!
9i icbo fuera de " u, la corriente de colector resultante con "B B 3 sena (/3
#" p' B 3.(/
m, como se re?e<a en las caracter6sticas de la fgura +."-.
)ara referencia futura, a la corriente de colector defnida por la condicin "B
B 3 u se le asignar
la notacin indicada por la ecuacin #+.2'!
En la fgura +."/ las condiciones que envuelven a esta corriente defnida
nuevamente se muestran con su direccin de referencia asignada.
7ara propsitos de ampli+cacin lineal (la menor distorsin, el corte para la
con+%uracin de emisor com3n se determinar mediante "C B "CE&
En otras palabras, la regin por deba<o de "B B 3 u deber evitarse si se
requiere una se.al de salida sin distorsin.
*uando se emplea como interruptor en la circuiter6a lgica de una
computadora, un transistor tendr dos puntos de operacin de inter7s! uno
en el corte y el otro en la regin de saturacin. La condicin de corte, en el
caso ideal, ser6a "C B > m para el volta<e .CE elegido. )uesto que "CE& es por
lo general de peque.a magnitud para los materiales de silicio, el corte
e/istir para propsitos de conmutacin cuando "B = > u o "C B "CE&
3nicamente en el caso de transistores de silicio. En los transistores de
%ermanio, sin embar%o, el corte para propsitos de conmutacin se de+nir
como auellas condiciones ue e/isten cuando "C = "CB&. Esta condicin
puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando
inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo regular en forma
directa a unos cuantos d7cimos de volt.
Eecu7rdese para la confguracin de base com@n que el con<unto de
caracter6sticas de entrada se apro8im por una l6nea recta equivalente que
result en .BE B 3.5 L para cualquier nivel de "E mayor de > m. )ara la
confguracin de emisor com@n puede tomarse la misma apro8imacin,
resultando en el equivalente apro8imado de la fgura +."1. El resultado
apoya nuestra anterior conclusin de que para un transistor en la regin
CactivaC o de conduccin el volta<e de base a emisor es 3.5 L. En este caso
el volta<e se a<usta para cualquier nivel de la corriente de base.

Beta6 7
En el modo de cd los niveles de "C e "B se relacionan por una cantidad
denominada beta y defnida por la siguiente ecuacin!
cd B "C A "B
El nombre formal para _ ca es $actor de ampli+cacin de corriente directa de
emisor com3n. )uesto que la corriente de colector es por lo general la
corriente de salida para una confguracin de emisor com@n y la corriente
de base es la corriente de entrada, el t7rmino ampli+cacin se incluye en la
nomenclatura anterior.
unque no son e8actamente iguales, los niveles de _ ca, y de _ cd estn por
lo general razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma
intercambiable.
9e puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones _
bsicas presentadas con anterioridad. Dtilizando B _ "C 2"B obtenemos "B =
"C A , y de B _ "C2"E tenemos que "E B F* A 9ustituyendo en
"E B "C J "B
"C A B "C J #"C A ' _
y dividiendo ambos lados de la ecuacin por "C resultar en
"C A B " J #" A ' _
de modo que
encontramos que
"CE& B # J "' _ "CB&
"CE& _ _ "CB&
como se indica en la fgura +."-a. La beta es un parmetro particularmente
importante porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente
de los circu6 Los de entrada y salida para una confguracin de emisor
com@n. Es decir,
"C _ _ "B
M puesto que
"E B "C J "B
B _ "B J "B
"E B # J "' _ "B
2.& CON<IA=RACI>N 1E CO(ECTOR
CO3BN.
La tercera y @ltima confguracin de transistores la de colector com3n,
mostrada en la fgura +.(3 con las direcciones apropiadas de corriente y la
notacin de volta<e. La confguracin de colector com@n se emplea
fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que
tiene una elevada impedancia de entrada y una ba<a impedancia de salida,
que es lo opuesto a las confguraciones de base com@n y de emisor com@n.
<i!ura %.2E Notacin y s)#"olos en la con!uracin de colector co#$n.
La confguracin del circuito de colector com@n se muestra en la fgura +.("
con la resistencia de carga del emisor a tierra. Gtese que el colector est
conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera
similar a la confguracin de emisor com@n. Desde el punto de vista de
dise.o, no es necesario elegir para un con<unto de caracter6sticas de
colector com@n, los parmetros del circuito de la fgura +.(". )ueden
dise.arse empleando las caracter6sticas de emisor com@n de la seccin +.1.
)ara todos los propsitos prcticos, las caracter6sticas de salida de la
confguracin de colector com@n son las mismas que las de la confguracin
de emisor com@n. En la confguracin de colector com@n las caracter6sticas
de salida son una grfca de "E versus .EC para un intervalo de valores de "B.
)or ellos, la corriente de entrada es la misma tanto para las caracter6sticas
de emisor com@n como para las de colector com@n. El e<e de volta<e para la
confguracin de colector com@n se obtiene cambiando simplemente el
signo de volta<e de colector a emisor de las caracter6sticas de emisor
com@n. )or @ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical de
"C de las caracter6sticas de emisor com@n si "C se reemplaza por "E en las
caracter6sticas de colector com@n #puesto que B "'. En el circuito de
entrada de la confguracin de colector com@n, las caracter6sticas de la base
de emisor com@n son sufcientes para obtener la informacin que se
requiera.
<i!ura %.21 Con!uracin de colector co#$n e#pleada para propsitos de
acopla#iento de i#pedancia

2.' (F3ITES 1E O-ERACI>N 1E(
TRANSISTOR.

)ara cada transistor e8iste una regin de operacin sobre las caracter6sticas,
la cual asegurara que los valores nominales m8imos no sean e8cedidos y la
se.al de salida e8hibe una distorsin m6nima. Dna regin de este tipo, se ha
defnido para las caracter6sticas de transistor de la fgura +.((. &odos los
l6mites de operacin se defnen sobre una t6pica ho<a de especifcaciones de
transistor descrita en la seccin (.1.
lgunos de los l6mites se e8plican por s6 mismos, como la corriente m8ima
de colector #denominada, por lo general, en la ho<a de especifcaciones,
como corriente continua de colector' y el volta<e m8imo de colector a
emisor #abreviada a menudo como vCeo.' )ara el transistor de la fgura +.((,
"Cm/ se especifc como de /3 m y vCeo como de (3 L. La linea vertical de
las caracter6sticas defnida como vCEsat especifca la m6nima vCE que puede
aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.
<i!ura %.22

El nivel de .CEsat est regularmente en la vecindad de los 3.+ L especifcada
para este transistor. El m8imo nivel de disipacin se defne por la siguiente
ecuacin!
7Cm/ = .CE"C

)ara el dispositivo de la fgura +.((, la disipacin de potencia de colector se
especifc como de +33 m:. 9urge entonces la cuestin de cmo grafcar la
curva de disipacin de potencia de colector especifcada por el hecho de
que
7Cm/ = .CE"C B +33 m:

En cualquier punto sobre las caracter6sticas el producto de .CE e "C debe ser
igual a +33 m:. 9i elegimos para "C el valor m8imo de /3 m y lo
sustituimos en la relacin anterior, obtenemos
.CE"C B +33 m:
.CE#/3 m' B +33 m:
.CE B 1 L

*omo un resultado encontramos que si "C B /3 m, entonces .CE B 1 L sobre
la curva de disipacin de potencia, como se indica en la fgura +.((. 9i ahora
elegimos para .CE su valor m8imo de (3 L, el nivel de "C es el siguiente!
#(3 L'"C B +33 m:
"C B "/ m

defniendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. 9i ahora
escogemos un nivel de "C a la mitad del intervalo como (/ m, resolvemos
para el nivel resultante de .CE obtenemos
.CE#(/ m' B +33 m:
.CE B "( L

como tambi7n se indica en la fgura +.((. Dna estimacin apro8imada de la
curva real puede dibu<arse por lo general empleando los tres puntos
defnidos con anterioridad. )or supuesto, entre ms puntos tenga, ms
precisa ser la curva, pero una apro8imacin es generalmente todo lo que
se requiere. La regin de corte se defne como la regin ba<o "C = "CE&. Esta
regin tiene que evitarse tambi7n si la se.al de salida debe tener una
distorsin m6nima. En algunas ho<as de especifcaciones se proporciona
solamente "CB&. Entonces uno debe utilizar la ecuacin "CE& B _ "CB& para
establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de caracter6sticas no
est disponible. La operacin en la regin resultante de la fgura +.((
asegurar una m6nima distorsin de la se.al de salida y niveles de volta<e y
corriente que no da.arn al dispositivo. 9i las curvas de caracter6sticas no
estn disponibles o no aparecen en la ho<a de especifcaciones #como ocurre
con frecuencia', uno simplemente debe estar seguro que "C, .CE y su
producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin!
"CE& - "C - "cm/
.CEsat - .CE - .CEm/
.CE"C - 7Cm/

)ara las caracter6sticas de base com@n la curva de potencia m8ima se
defne por el siguiente producto de cantidades de salida=
7Cma/ B .CB"C
2.* +OJA 1E ES-ECI<ICACIONES 1E(
TRANSISTOR.

)uesto que la ho<a de especifcaciones es el enlace de comunicacin entre el
fabricante y el usuario, es de particular importancia que la informacin
proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. unque no se
han presentado todos los parmetros, un amplio n@mero ser ahora familiar.
Los parmetros restantes se introducirn en los cap6tulos siguientes. 9e
har referencia a esta ho<a de especifcaciones para revisar la manera en la
cual se presenta el parmetro.
La informacin proporcionada en la fgura +.(+ se ha tomado directamente
de la publicacin 8mall-8i%nal 9ransistors, :E9s, and ;iodes preparada por
,otorola Fnc. El (G-"(+ es un transistor npn de propsito general con el
encapsulado y la identifcacin de terminales que aparecen en el e8tremo
superior derecho de la fgura +.(+a. La mayor6a de las ho<as de
especifcaciones se dividen en valores nominales m/imos, caracter*sticas
t-rmicas v caracter*sticas el-ctricas. Las caracter6sticas el7ctricas se
subdividen adems en caracter6sticas en estado CencendidoC, en estado
CapagadoC y de peque.a se.al. Las caracter6sticas en estado activo y pasivo
se referen a los limites de cd, mientras que las caracter6sticas de peque.a
se.al incluyen los parmetros de importancia para la operacin de ca.
Gtese en la lista de valores nominales m8imos que vcema/ B .CE& B +3 L
con "Cma/ B (33 m. La m8ima disipacin de colectora . B 1(/ m:. El factor
de degradacin ba<o los valores nominales m8imos especifca que el valor
nominal m8imo debe descender / m: por cada grado de incremento en la
temperatura sobre los (/O*. En las caracter6sticas durante el estado
CapagadoC "CB& se especifca como de /3 n y durante el estado CencendidoC
.CEsat B 3.+ L. El nivel de ):E tiene un intervalo de /3 hasta "/3 a una "C B (
m y .CE B" L y un valor m6nimo de (/ a una corriente mayor de /3 m
para el mismo volta<e.
Los limites de operacin se han defnido ahora para el dispositivo y se
repiten a continuacin en el formato de la ecuacin #+."5' empleando ):E B
"/3 #el l6mite superior'. En realidad, para muchas aplicaciones, los 5./ u B
3.335/ m se pueden considerar como 3 m sobre una base apro8imada.
'*mites de &peracin
1.< u= - "C - >00 m=
0.? . - .CE - ?0 .
.CE"C - @<0 mA

En las caracter6sticas de peque.a se.al el nivel de )$e # _ ca' se proporciona
<unto con una grfca de cmo var6a con la corriente de colector en la fgura
+.(+f. En la fgura +.(+< se demuestra el efecto de la temperatura y la
comente de colector sobre el nivel de ):E # _ ca'. temperatura ambiente
#(/O*', advi7rtase que ):E # _ cd' tiene un valor m8imo de " en la vecindad
alrededor de los K m. medida que "C, se incrementa ms all de este
nivel, ):E cae a la mitad de su valor con "C igual a /3 m. &ambi7n decae a
este nivel si "C disminuye al nivel inferior de 3."/ m. )uesto que esta es una
curva normalizada, si tenemos un transistor con _ cd B ):E = /3 a
temperatura ambiente, el valor m8imo a K m es de /3. "C B /3 m
habr deca6do a /3A ( B (/. En otras palabras, la normalizacin revela que
el nivel real de ):E a cualquier nivel de "C se ha dividido por el valor m8imo
de ):E a esa temperatura e "C B K m.
<i!ura %.2% +o,a de especicaciones del transistor.

%.1 -=NTO 1E O-ERACI>N O -=NTO
.=IESCENTE.

El anlisis o dise.o de un amplifcador de transistor requiere del
conocimiento de la respuesta del sistema, tanto de cd como de ca. *on
demasiada frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mgico
que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia de
una fuente de energ6a e8terna. En realidad, el nivel me<orado de potencia de
salida de ca es resultado de una transferencia de energ6a de las fuentes
aplicadas de cd. )or lo tanto, el anlisis o dise.o de cualquier amplifcador
electrnico tiene dos componentes! la parte de cd y la correspondiente de
ca. fortunadamente, el teorema de superposicin es aplicable y la
investigacin de las condiciones de cd puede separarse por completo de la
respuesta de ca. 9in embargo, hay que tener presente que durante el dise.o
o etapa de s6ntesis, la seleccin de los parmetros para los niveles de cd
requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa.
El nivel de cd de operacin de un transistor se controla por varios factores,
incluyendo el rango de posibles puntos de operacin sobre las
caracter6sticas del dispositivo. Dna vez que se han defnido los niveles
deseados de corriente y volta<e de cd, debe construirse una red que
establecer el punto de operacin deseado #algunas de estas redes se
analizan en este cap6tulo'. *ada dise.o tambi7n determinar la estabilidad
del sistema, es decir, qu7 tan sensible es el sistema a las variaciones de
temperatura #otro tema que se investiga en una seccin posterior de este
cap6tulo'. unque se analizan diversas redes en este cap6tulo, e8iste una
similitud fundamental en e' anlisis de cada confguracin, debida al uso
recurrente de las siguientes relaciones bsicas importantes para un
transistor!
.BE = 0.1 .
"E = ( # B," _ B " _ C
"C = " _ B
De hecho, una vez que el anlisis de las redes iniciales se comprenda con
claridad, la ruta por seguir hacia la solucin de las redes comenzara a ser
ms evidente. En la mayor6a de los casos la corriente de base "B es la
primera cantidad que se determina. Dna vez que "B se conoce, las relaciones
de las ecuaciones anteriores pueden aplicarse para encontrar las restantes
cantidad de inter7s. Las similitudes en el anlisis sern inmediatamente
obvias a medida que avancemos en este cap6tulo. Las ecuaciones para "B
son tan similares para diversas confguraciones que una ecuacin puede
derivarse de otra sencillamente quitando o agregando un t7rmino o dos. La
funcin primordial de este capitulo es desarrollar cierto nivel de familiaridad
con el transistor $%&, el cual permitir6a un anlisis de cd de cualquier sistema
que deba emplear el amplifcador $%&.

-=NTO 1E O-ERACI>N
El t7rmino polarizacin que aparece en el titulo de este cap6tulo es un
vocablo que incluye todo lo referente a la aplicacin de volta<es de cd para
establecer un nivel f<o de corriente y volta<e. )ara amplifcadores de
transistor, el volta<e y la comente de cd resultantes establecen un punto de
operacin sobre las caracter6sticas, el cual defne la regin que se emplear
para la amplifcacin de la se.al aplicada. Ma que el punto de operacin es
un punto f<o sobre las caracter6sticas, se le conoce tambi7n como punto
uiesciente #abreviado punto C,. )or defnicin, uiesciente signifca quieto,
inmvil, inactivo. La fgura -." muestra una caracter6stica general de salida
de un dispositivo con cuatro puntos de operacin indicados. El circuito de
polarizacin puede dise.arse para establecer la operacin del dispositivo en
cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la re%in activa. Los valores
nominales m8imos se indican sobre las caracter6sticas de la fgura -,", por
una linea horizontal para la corriente de colector m8ima "Cm/ y por una
l6nea vertical para el volta<e de colector4emisor m8imo .CEma/. La m8ima
potencia de operacin m8ima se defne por la curva 7cm/ en la misma
fgura. En el e8tremo inferior de las escalas se localizan la re%in de corte,
defnida por "B 3 - u=, y la re%in de saturacin, defnida por .CE - .CEsat.
<i!ura &.1 1i0ersos puntos de operacin dentro de los l)#ites de
operacin de un transistor.

El dispositivo $%& podr6a polarizarse para operar fuera de estos puntos limite
m8imos, pero el resultado de tal operacin causar6a ya sea el acortamiento
de la vida de servicio del dispositivo, o bien su destruccin.
*oncentrndonos en la regin activa es posible elegir muchas reas o
puntos de operacin diferentes. El punto C depende a menudo del uso que
se dar al circuito. Go obstante, es posible considerar algunas diferencias
entre la operacin en puntos diferentes de la fgura -." para presentar
algunas ideas bsicas en tomo al punto de operacin y, por ello, al circuito
de polarizacin.
9i no se utilizara la polarizacin, el dispositivo estar6a al principio totalmente
cortado #desactivado', lo cual producir6a la =, esto es, corriente cero a
trav7s del dispositivo #y volta<e cero a trav7s del mismo'. Es necesario
polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o cambiar sus valores
de corriente y volta<e en todo el intervalo de una se.al de entrada. En tanto
que el punto no resultara apropiado, el punto $ proporciona esta
operacin deseada. 9i se aplica una se.al al circuito, ademas del nivel de
polarizacin, el dispositivo variar sus valores de corriente y volta<e a partir
del punto de operacin B, lo que permite que el dispositivo reaccione #y
posiblemente amplifque' tanto la parte positiva como la parte negativa de
la se.al de entrada. 9i, como podr6a suceder, la se.al de entrada es
peque.a, el volta<e y la corriente del dispositivo variarn, pero no lo
sufciente para llevarlo al nivel de corte o saturacin. El punto C permitir6a
cierta variacin positiva y negativa de la se.al de salida, pero el valor pico a
pico ser6a limitado por la pro8imida de vCE = 0.2"C = 0m=. La operacin en el
punto C tambi7n tiene algo que ver con las no linealidades introducidas por
el hecho de que el espacio entre las curvas "B cambia rpidamente, en esta
regin. En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es
ms constante #o lineal', de tal modo que la cantidad de amplifcacin en
toda la e8cursin de la se.al de entrada es la misma. El punto B es una
regin de espaciamiento ms lineal y, por consiguiente, su operacin tiene
un mayor grado de linealidad, como se indica en la fgura -.". El punto D f<a
el punto de operacin del dispositivo cerca del valor de volta<e y potencia
m8imo. La e8cursin del volta<e de salida en la direccin positiva est de
este modo limitada si no se e8cede el volta<e m8imo. En consecuencia, el
punto B aparece como el me<or punto de operacin en t7rminos de la
ganancia lineal o de la e8cursin de volta<e y corriente ms grande posible.
Esta es casi siempre la condicin que se desea en los amplifcadores de
peque.a se.al, pero no necesariamente para los amplifcadores de
potencia. En este anlisis, nos concentramos fundamentalmente en la
polarizacin del dispositivo para la operacin de amplifcacin de seDales
peueDas.
Debe considerarse otro factor de la polarizacin muy importante. ;abiendo
seleccionado y polarizado un $%& en un punto de operacin deseado,
tambi7n debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. La
temperatura provoca cambios en las caracter6sticas del dispositivo, tales
como la ganancia de corriente # _ ca' y la corriente de fuga del transistor
("CE&,. Las altas temperaturas conducen a un incremento de corrientes de
fuga en el dispositivo, por lo que cambian la condicin de operacin
establecida por la polarizacin de la red. El resultado es que el dise.o de la
red tambi7n debe proporcionar un grado de estabilidad de temperatura de
modo que los cambios de temperatura resulten en cambios m6nimos en el
punto de operacin. Este mantenimiento del punto de operacin puede
especifcarse por un $actor de estabilidad, 8, el cual indica la magnitud del
cambio en el punto de operacin debido a una variacin de temperatura. Es
deseable un circuito altamente estable y se comparar la estabilidad de
algunos circuitos de polarizacin bsicos. )ara el $%& que se polarizar en su
regin de operacin lineal o activa debe cumplirse!
". La unin de base a emisor debe estar polarizada
directamente #volta<e de la regin p ms positivo' con un
volta<e resultante de polarizacin directa entre la base y el
emisor de apro8imadamente 3.1 a 3.5 L.
(. La unin de base a colector debe estar polarizada
inversamente #regin n ms positiva', estando el volta<e de
polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los l6mites
m8imos del dispositivo.
PGtese que en la polarizacin directa el volta<e en la unin p-n es p4
positivo, en tanto que en la polarizacin inversa es opuesto #inverso' con n4
positiva. El 7nfasis que se hace sobre la letra inicial debe brindar un medio
que ayude a memorizar la polaridad de volta<e necesaria.Q
La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la
caracter6sticas del $%& se obtienen de acuerdo con lo siguiente!
". &peracin en la re%in linealE Dnin base4colector con polarizacin
directa, Dnin base4colector con polarizacin inversa
(. &peracin en la re%in de corteE Dnin base4emisor con polarizacin
inversa
+. &peracin en la re%in de saturacinE Dnin base4emisor con
polarizacin directa, Dnin base4colector con polarizacin directa

%.2 CIRC=ITO 1E -O(ARIGACI>N <IJA.

El circuito de polarizacin f<a de la fgura -.( proporciona una introduccin
relativamente directa y simple al anlisis de polarizacin de cd de transistor.
un cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y clculos se
aplican en forma correcta por igual a una confguracin pnp con slo
cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades de volta<e. Las
direcciones de corriente de la fgura -.( son las direcciones de corriente
reales, y los volta<es se defnen por la notacin estndar de sub6ndice doble.
)ara el anlisis de cd la red puede aislarse de los niveles de ca indicados,
remplazando los capacitores por un circuito abierto equivalente. dems, la
fuente de cd .CC puede dividirse en un par de fuentes #para propsitos del
anlisis solamente', como se ilustra en la fgura -.+, para permitir una
separacin de los circuitos de entrada y de salida. Esto reduce tambi7n el
enlace entre las dos a la corriente de base "B. La separacin es ciertamente
vlida, como observamos en la fgura -.+, ya que .CC se conecta
directamente a 4B y 4C del mismo modo,que en la fgura -.(.
<i!ura &.2 Circuito de polari/acin ,a.

<i!ura &.% E8ui0alente de cd de la !ura &.2

-O(ARIGACI>N 1IRECTA 1E BASEHE3ISOR
*onsid7rese primero la malla circuito base4emisor que se muestra en el
diagrama de circuito parcial de la fgura -.-. Escribiendo la ecuacin de
volta<e de H6rchhoI para la malla obtenemos

.CC F "B4B - .BE = 0
Gtese la polaridad de la ca6da de volta<e a trav7s de 4B, como se establece
por la direccin indicada de "B. Eesolviendo la ecuacin para la corriente "B se
tendr el siguiente resultado!
"B = (.CC - .BE, 2 4B
En realidad, la ecuacin #-.-' no es dif6cil de recordar si se considera
simplemente que la corriente de base es la corriente a trav7s de 4B y, por la
ley de >hm, esa corriente es el volta<e a trav7s de 4B dividido entre la
resistencia 4B. El volta<e a trav7s de 4B es el volta<e aplicado .CC en uno de
los e8tremos menos la ca6da a trav7s de la unin base4emisor (.BE,.
<i!ura &.& 3alla de "aseHe#isor

demas, puesto que la fuente de volta<e .CC y el volta<e de base a emisor .BE
son constantes, la seleccin de un resistor de base, 4B, establece el nivel de
la corriente de base para el punto de operacin.

3alla de colectorHe#isor
La seccin de colector4emisor de la red aparece en la fgura -./ con la
direccin indicada de la corriente "C y la polaridad resultante a trav7s de 4C.
La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con "B por
medio de
"C = " _ B

Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla
por el nivel de 4B e "C se relaciona con "B por una constante la magnitud de _
"C no es una funcin de la resistencia 4C. El cambio de 4C a cualquier nivel no
afectar el nivel de "B o "C en tanto que permanezcamos en la regin activa
del dispositivo. 9in embargo, como veremos posteriormente, el nivel de 4C
determinar la magnitud de .CE, el cual es un parmetro importante.
plicando la ley de volta<e de HirchhoI en la direccin de las manecillas del
relo< a lo largo de la malla indicada en la fgura -./, se obtendr el resultado
siguiente
.C # "C4C - .CC = 0
.CE = .CC - "C4C
el que establece en palabras que el volta<e a trav7s de la regin de colector4
emisor de un transistor en la confguracin de polarizacin f<a es la fuente
de volta<e menos la ca6da a trav7s de 4C. *omo un breve repaso de la
notacin de sub6ndice y doble sub6ndice, recu7rdese que
.CE = .C - .E
donde .CE es el volta<e de colector a emisor y .C y .E son los volta<es de
colector y emisor a tierra, respectivamente. )ero en este caso, ya que .E B 3
L, tenemos
.CE = .C
dems, puesto que
.BE = .B - .E
y .E = 3 L, entonces
.BE = .B
&7ngase en cuenta que los niveles de volta<e como el de .CE se determinan
situando la punta ro<a #positiva' del volt6metro en la terminal de colector con
punta negra #negativa' en la terminal del emisor, como se ilustra en la
fgura -.1. .C es el volta<e del colector a tierra y se mide como se muestra
en la misma fgura. En este caso, las dos lecturas son id7nticas, pero en las
redes que se vern ms adelante, ambas pueden llegar a ser bastante
diferentes. *omprender con claridad la diferencia entre las dos mediciones
probar ser de suma importancia en la deteccin de fallas de las redes de
transistores.
<i!ura &.' 3alla de colectorHe#isor

<i!ura &.* 3edicin de VCE y VC.

Saturacin del transistor
El termino saturacin se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han
alcanzado sus valores m8imos. Dna espon<a saturada es aquella que no
puede contener una gota ms de liquido. )ara un transistor que opera en la
regin de saturacin, la corriente es un valor m8imo para el diseDo
particular. ,odif6quese el dise.o y el correspondiente nivel de saturacin
podr elevarse o decaer. )or supuesto, el mayor nivel de saturacin se
defne por la m8ima corriente de colector, tal como se proporciona en la
ho<a de especifcaciones.
Las condiciones de saturacin se evitan por lo general debido a que la unin
de base a colector ya no est inversamente polarizada y la se.al
amplifcada de salida estar distorsionada. Dn punto de operacin en la
regin de saturacin se representa en la fgura -.Ka. Gtese que se
encuentra en una regin donde se unen las Ccurvas de caracter6sticas y el
volta<e de colector a emisor se halla en o sobre .CEsat . dems, la corriente
de colector es relativamente alta sobre las caracter6sticas.
<i!ura &.I Re!in de saturacin 6a7 real 6"7 aproCi#ada

9i <untarnos las curvas de la fgura -.Ka con las que aparecen en la fgura
-.Kb, se llegar a un m7todo rpido y directo para determinar el nivel de
saturacion.Enlafgura-.Kb la corriente es relativamente alta y se supone que
el volta<e .CE es de cero voltios. l aplicar la ley de >hm, la resistencia entre
las terminales de colector y emisor se puede determinar como sigue!
4CE = .CE 2 "C = 0 . 2 "Csat = 0 o)ms
plicando los resultados al esquema de la red resultar6a la confguracin de
la fgura -.2.
0igura -.2 Determinacin de "Csat.

)or consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la
corriente m8ima de colector apro8imada #nivel de saturacin' para un
dise.o en particular, simplemente inserte un corto circuito equivalente entre
el colector y el emisor del transistor y calcule la corriente de colector
resultante. En resumidas cuentas, haga .CE = 3L. )ara la confguracin de
polarizacin f<a de la fgura -."3, se utiliz el corto circuito, ocasionando
que el volta<e a trav7s de 4C sea el volta<e aplicado .CC. La corriente de
saturacin resultante para la confguracin de polarizacin f<a es!
"Csat = .CC 2 4C

<i!ura &.1E 1eter#inacin de ICsatJ para la con!uracin de polari/acin
,a.
Dna vez que se conoce "Csat, tenemos una idea de la m8ima corriente de
colector posible para el dise.o elegido y del nivel ba<o el cual permanecer si
esperamos una amplifcacin lineal.

An4lisis por recta de car!a
;asta aqu6, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de _
correspondiente con el punto C
resultante. hora investigaremos cmo los parmetros de la red defnen el
posible rango de puntos
C y cmo se determina el punto C real. La red de la fgura -.""a establece
una ecuacin. para la
salida que relaciona las variables "C y .CE de la siguiente manera!
.CE = .CC - "C4C
Las caracter6sticas de salida del transistor tambi7n relacionan las mismas
dos variables "C y .CE,
como se ilustra en la fgura -.""b. )or Ro tanto, tenemos, en esencia, una
ecuacin de red y un
con<unto de caracter6sticas que utilizan las mismas variables. La solucin
com@n de las dos ocurre
donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen
simultneamente. En otras palabras,
esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas! una
establecida por la
red y otra por las caracter6sticas del dispositivo.
<i!ura &.11 An4lisis de recta de car!a 6a7 la red 6"7 las caracter)sticas del
dispositi0o.

Las caracter6sticas del dispositivo de "C contra .CE se proporcionan en la
f6gura -.""b. hora
debemos sobreponer la linea recta defnida por la ecuacin -."( sobre las
caracter6sticas. El m7todo
ms directo para trazar la ecuacin #-."(' sobre las caracter6sticas de salida
es empleando el hecho
de que una recta est defnida por dos puntos. 9i ele%imos "C con un valor de
3 m, estaremos
especifcando el e<e horizontal como la l6nea sobre la cual se localizar un
punto. l sustituir "C B 3
m en la ecuacin #-."(', encontraremos que
.CE = .CC para "C B 3 m
defniendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la fgura -."(.
<i!ura &.12 Recta de car!a de polari/acin ,a.

9i ahora esco%emos el valor de 3 L para .CE, con el que se establece el e<e
vertical como la l6nea sobre la cual se defnir el segundo punto,
encontraremos que "C se determina por la siguiente ecuacin! como aparece
en la fgura -."(. La l6nea resultante sobre la grfca de la fgura -."( se
denomina recta de car%a, puesto que est defnida por el resistor de carga
4C. l resolver para el nivel resultante de "B, el punto C real se puede
establecer como se ilustra en la fgura -."(, 9i el nivel de "B se modifca al
variar el valor de 4B, el punto C se mueve hacia arriba o hacia aba<o de la
recta de carga, como se muestra en la fgura -."+. 9i .CC se mantiene f<o y
4C cambia, la recta de carga subir como se representa en la fgura-,"-. 9i "B
es la que se mantiene constante, el punto C se trasladar como se ilustra en
la misma fgura. 9i 4C se f<a y .CC var6a, la recta de carga se desplazar
como se muestra en la fgura -,"/.
<i!ura &.1% 3o0i#iento del punto . con respecto al incre#ento en los
ni0eles de IE

<i!ura &.1& E;ectos del incre#ento en los ni0eles de RC so"re la recta de
car!a y el punto ..

<i!ura &.1' E;ecto de la dis#inucin en los 0alores de VCC so"re la recta de
car!a y el punto ..

%.% CIRC=ITO 1E -O(ARIGACI>N
ESTABI(IGA1A 1E E3ISOR.

La red de polarizacin de cd de la fgura -."5 contiene un resistor en el
emisor para me<orar el nivel de estabilidad sobre el de la confguracin de
polarizacin f<a. La estabilidad me<orada se demostrar ms adelante en
esta seccin mediante un e<emplo num7rico. El anlisis se realizar
e8aminando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los
resultados, se investigar la malla de colector a emisor.
<i!ura &.12 Circuito de polari/acin BJT con resistor de e#isor.

3alla de "aseHe#isor
La malla de base a emisor de la red de la fgura -."5 se puede volver a
dibu<ar, como se ilustra en la fgura -."K. l aplicar la ley de volta<e de
HirchhoI alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del
relo<, obtendremos como resultado la siguiente ecuacin!
.CC - "B4B - .BE - "E4E = 0
Eecordando del capitulo ( que
"E = ( # B," _ B
9ustituyendo a "E en la ecuacin #-."/' da por resultado
.CC - "B4B - .BE - ( # B," _ B4E = 0
grupando t7rminos, nos da lo siguiente!
-"B(4B # ( # B,4 _ E, # .CC - .BE = 0
,ultiplicando todo por #4"', obtenemos
"B(4B # ( # B,4 _ E, - .CC # .BE = 0

y resolviendo "B llegamos a
"B = (.CC - .BE,2(4B # (4 _ C#4E,,
Gtese que la @nica diferencia entre esta ecuacin para "B y la obtenida para
la con figuracin de polarizacin fi<a es el t7rmino # J "' _ 4E. ;ay un
resultado interesante que puede derivarse de la ecuacin #-."5' si la
ecuacin se utiliza para trazar una red en serie que resultar6a en la misma
ecuacin. &al es el caso para la red de la 0igura -."2. Eesolviendo para la
corriente "B resultar la misma ecuacin obtenida anteriormente. dvi7rtase
que al lado del volta<e de base a emisor .BE el resistor 4E es re(ejado a la
entrada del circuito de base por un factor ( # _ "'. En otras palabras, el
resistor de emisor, el cual es parte de la malla de colector4emisor, Cparece
comoC # _ # " '4E en la malla de base4emisor. )uesto que es por lo _
general /3 o ms, el resistor de emisor parece ser mucho ms grande en el
circuito de base= tanto, para la confguracin de la fgura -.(3.
<i!ura &.1I 3alla de "aseHe#isor

<i!ura &.1D

<i!ura &.2E Ni0el de i#pedancia reKe,ada de RE

La ecuacin #-."K' probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho,
proporciona una manera bastante fcil de recordar la ecuacin #-."5'.
Empleando la ley de >hm, sabemos que la corriente a trav7s de un sistema
es el volta<e dividido entre la resistencia del circuito. )ara el circuito de
base4emisor, el volta<e neto es .CC - .BE. Los niveles de resistencia son 4B
ms 4E refle<ado por # _ # "'. El resultado es la ecuacin #-."5'.

3alla de colectorHe#isor
La malla de colector4emisor se vuelve a dibu<ar en la fgura -.(". plicando
la ley de volta<e de HirchhoI para la malla indicada en direccin de las
manecillas del relo<, resultar que
"E4E # .CE #"C4C - .CC = 0
9ustituyendo "E ="C y agrupando t7rminos, se obtiene
.CE - .CC # "C(4C # 4E, = 0
.CE = .CC # "C(4C # 4E,
El volta<e con sub6ndice sencillo .E es el volta<e de emisor a tierra y se
determina por
.E = "E4E
mientras que el volta<e de colector a tierra puede determinarse a partir de
.CE = .C - .E
.C = .CC - "C4C

E" volta<e en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de
.B = .CC - "B4B
.B = .BE # .E

Esta"ilidad de polari/acin #e,orada
La adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del $%&
proporciona una me<or estabilidad= esto es, las corrientes y volta<es de
polarizacin de cd se mantienen ms cerca de los puntos donde fueron
f<ados por el circuito aun cuando cambien las condiciones e8ternas como el
volta<e de alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor.
unque el anlisis matemtico se brinda en la seccin -."(, puede
obtenerse cierta comparacin del me<oramiento como lo muestra el
siguiente e<emplo.

E,e#plo
Elabore una tabla en la que se comparen el volta<e y las corrientes de
polarizacin de las figuras -.5 y -.(( para el valor de B /3 y para un _
nuevo valor de = _ "33. *ompare los cambios en "C. para el mismo
incremento en . _
Solucin
Empleando los resultados obtenidos en el e<emplo -." y repitiendo despu7s
para un valor de B "33, se produce lo siguiente! _
9e observa que la corriente de colector del $%& cambia en un "33S debido a
un cambio de "33S en el valor de . _ "B es igual y .CE se decrementa en un
51S.
Dtilizando los resultados que se calcularon en el e<emplo -.- y repitiendo
despu7s para el valor de B "33, obtenemos lo siguiente! La corriente de _
colector del $%& aumenta a cerca del K"S debido al cambio del "33S en _ .
Gtese que el decremento de "B ayuda a mantener el valor de "C, o al menos
a reducir el cambio total en "C. debido al cambio en . _

Ni0el de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la comente del colector m8ima para un
dise.o polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo
enfoque empleado en la confguracin de polarizacin f<a! aplicar un corte
circuito entre las terminales colector4emisor, como se ilustra en la fgura
-.(+, y calcular la corriente del colector resultante. )ara la fgura -.(+!
"Csat = .CC 2 (4C #4E,
La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor
deba<o del nivel que se obtiene con una confguracin de polarizacin f<a
por medio del mismo resistor del colector.
<i!ura &.2% 1eter#inacin de ICsat para el circuito de polari/acin de
e#isor.

%.& -O(ARIGACI>N CON 1ILISOR 1E
LO(TAJE.
En las confguraciones polarizadas precedentes, la comente de polarizacin
"CC y del volta<e .ce eran una funcin de la ganancia de corriente ( , _ del
transistor. 9in embargo, ya que es sensible a la temperatura, _
especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta
normalmente no est bien defnido, ser6a deseable desarrollar un circuito de
polarizacin menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del
transistor. La confguracin de polarizacin con divisor de volta<e de la fgura
-.(/ es una red de ese tipo. 9i se analiza sobre una base e8acta, la
sensibilidad a los cambios en beta es bastante peque.a. 9i los parmetros
del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de "CC y vCEC
pueden ser casi totalmente independientes de beta. Eecuerde, de las
discusiones anteriores, que un punto C se defne por un nivel f<o de "CC y
.CEC, como se ilustra en la fgura -.(1. El nivel de "BC se modifcar con el
cambio en beta, pero el punto de operacin sobre las caracter6sticas,
defnido por "CC y .CEC puede permanecer f<o si se utilizan los parmetros
apropiados del circuito.
*omo se observ anteriormente, e8isten dos m7todos que se pueden aplicar
al anlisis de la confguracin con divisor de volta<e. La razn para la
eleccin de los nombres para esta confguracin se har evidente en cuanto
avancemos en los anlisis siguientes. El primero que se demostrar es el
m-todo e/acto que puede aplicarse a cualuier confguracin con divisor de
volta<e. El segundo se denominar como m-todo apro/imado, y puede
aplicarse slo si se satisfacen ciertas condiciones especifcas. El enfoque
apro8imado permite un anlisis ms directo con un ahorro en tiempo y
energ6a. Es tambi7n particularmente @til en el modo de dise.o que se
describir en una seccin posterior. 9obre todo, el enfoque apro8imado
puede aplicarse a la mayor6a de las situaciones= por ello, debe e8aminarse
con el mismo inter7s que el m7todo e8acto.
<i!ura &.2' Con!uracin de polari/acin con di0isor de 0olta,e.

<i!ura &.2* 1enicin del punto . para la con!uracin de polari/acin
con di0isor de 0olta,e.

An4lisis eCacto
La parte de entrada de la red de la fgura -.(/ puede volverse a dibu<ar,
como se muestra en la fgura -.(5, para el anlisis de cd. La red de
&h7venin equivalente para la red a la izquierda de la terminal de base puede
hallarse entonces de la siguiente manera!
E&h! La fuente de volta<e se reemplaza por un corto circuito equivalente,
como se ilustra en la fgura -.(K.
49) = 4B _ _ 4>
E&h! La fuente de volta<e .CC se reintegra a la red y el volta<e &h7venin del
circuito abierto de la fgura -.(2 se determina como sigue! plicando la
regla del divisor de volta<e!
E9) = .4> = 4>.CC 2 (4B # 4>,
La red &h7venin se vuelve a dibu<ar entonces, como se ilustra en la fgura
-.+3,e "BC se puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de volta<e de
HirchhoI en direccin de las manecillas del relo< para la malla indicada!
E9) - "B49) - .BE -"E4E = 0
9ustituyendo "E B ( _ J "'"B y resolviendo "B, llegamos a
unque inicialmente la ecuacin #-.+3' parece distinta de las desarrolladas
con anterioridad, ntese que el numerador es de nueva cuenta una
diferencia de dos niveles de volta<e, mientras que el denominador es la
resistencia de base ms el resistor de emisor refle<ado por # J "', en _
verdad muy parecido a la ecuacin #-."5'.
Dna vez que se conoce "B, las cantidades restantes de la red pueden
encontrarse del mismo modo que se hizo para la confguracin polarizada
de emisor. Esto es!
.CE = .CC - "C(4C # 4E,
que es e8actamente igual que la ecuacin #-."2'. Las ecuaciones restantes
para .E, .C y .B son tambi7n las mismas que se obtuvieron para la
confguracin polarizada de emisor.
<i!ura &.22 1etalle del eCtre#o de entrada para la red de la !ura &.2'

<i!ura &.2I 1eter#inacin de RTh

<i!ura &.2D 1eter#inacin de ETh

<i!ura &.%E Insercin del circuito e8ui0alente de T9:0enin


An4lisis aproCi#ado
La seccin de entrada de la confguracin con divisor de volta<e puede
representarse por medio de la red de la fgura -.+(. La resistencia 4G es la
resistencia equivalente entre base y tierra para el transistor con un resistor
de emisor 4E. Eecuerde que la resistencia re?e<ada entre la base y el emisor
se defne por 4i B ( _ J "' 4E, 9i 4i es mucho mayor que la resistencia 4>, la
corriente "B ser mucho menor que "> #la corriente siempre busca la
trayectoria de menor resistencia' e "> ser apro8imadamente igual a "B. 9i
aceptamos la apro8imacin de que "B es de 3 amperios comparada con "B o ">
entonces "B B "> y 4B y 4> pueden considerarse elementos en serie. El volta<e
a trav7s de 4>, que es en realidad el volta<e de base, puede determinarse
por medio de la regla del divisor de volta<e #y de aqu6 proviene el nombre
para la confguracin'. Es decir,
.B = 4>.CC 2 (4B # 4>,
)uesto que 4B B # J "' _ 4E = 4 _ E la condicin que defnir si el enfoque
apro8imado puede aplicarse ser la siguiente!
_ 4E B0 4 _ >
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por 4E es al menos "3
veces el valor de 4>, el enfoque apro8imado puede aplicarse con un alto
grado de precisin. Dna vez que se determina .B, el nivel de .E se puede
calcular a partir de
.E = .B - .BE
y la comente de emisor se puede determinar a partir de
"E = .E 2 4E
"CC " _ E
El volta<e de colector a emisor se determina por
.CE = .CC - "C4C - "E4E
pero, ya que "E B "C,
.CEC = .CC - "C(4C # 4E,
dvierta que en la secuencia de los clculos, de la ecuacin #-.++' a la
ecuacin #-.+5', no aparece beta e "B no fue calculada. El punto C #como se
determina por "CC y .CEC' es por tanto independiente del valor de beta.

Saturacin del transistor
El circuito colector4emisor de salida para la confguracin con divisor de
volta<e tiene el mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor
analizado en la seccin -.-. La ecuacin resultante para la corriente de
saturacin #cuando .CE se establece a cero voltios en el diagrama' es, por
tanto, la misma que se obtiene para la confguracin polarizada de emisor.
Es decir,
"Csat = "Cm/ = .CC 2 (4C # 4E,
An4lisis por recta de car!a
Las similitudes con el circuito de salida de la confguracin polarizada de
emisor resultan en las mismas intersecciones para la recta de carga de la
confguracin con divisor de volta<e. La recta de carga tendr por
consiguiente el mismo aspecto que la de la fgura -.(-, con
El nivel de "B se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la
polarizacin con divisor de volta<e y las confguraciones polarizadas de
emisor.

%.' 1ILERSAS CON<IA=RACIONES 1E
-O(ARIGACI>N.

;ay un n@mero de confguraciones de polarizacin $%& que no coinciden con
el molde bsico d7 las que se han analizado en las secciones precedentes.
De hecho, e8isten variaciones de dise.o que requerir6an muchas ms
pginas de las que son posibles en un te8to de esta clase. qu6, sin
embargo, el propsito primordial es enfatizar aquellas caracter6sticas del
dispositivo que permitan un anlisis de cd de la confguracin y que
establezcan un procedimiento general para encontrar la solucin deseada.
)ara cada confguracin discutida hasta aqu6, el primer paso ha sido la
derivacin de una e8presin para la corriente de base. Dna vez que se
conoce la corriente de base, la comente de colector y los n i veles de volta<e
del circuito de salida se pueden determinar ya directamente. Esto no implica
que todas las soluciones tomarn este rumbo, pero s6 sugiere una posible
ruta por seguir si llega a encontrarse una nueva confguracin.
El primer e<emplo es simplemente uno donde el resistor de emisor se ha
retirado de la, confguracin de retroalimentacin de volta<e de la fgura
-.+-. El anlisis es bastante similar, pero requiere eliminar 4E de la ecuacin
aplicada.

E,e#plo5
)ara la red de la fgura -.+2!
a. Determine "c y vce.
b. Encuentre .B, .C, .E y .BC.
<i!ura &.%D Retroali#entacin en colector con RE M Eo9#s.
Solucin
La ausencia de 4E reduce la re?e8in de los niveles resistivos a simplemente
el nivel de 4C, y la ecuacin para "B se reduce a

En el siguiente e<emplo, el volta<e aplicado se conecta a la terminal del
emisor, y 4C directamente a tierra. l principio, la t7cnica parece un tanto
heterodo8a y bastante diferente a las empleadas hasta ahora= sin embargo,
una aplicacin de la ley de volta<e de HirchhoI al circuito de base dar por
resultado la corriente de base deseada.

E,e#plo5
Determine .C y .B para la red de la fgura -.-3.
<i!ura &.&E E,e#plo
9olucin
l aplicar la ley del volta<e de HirchhoI en el sentido de las manecillas del
relo< a la malla de base a emisor, el resultado es

El siguiente e<emplo emplea una red conocida como confguracin de
emisor-se%uidor. *uando la misma red se analiza sobre una base de ca,
encontraremos que las se.ales de entrada y salida estn en fase #una
siguiendo a la otra' y el volta<e de salida es ligeramente menor que la se.al
aplicada. )ara el anlisis de cd, el colector se conecta a tierra y el volta<e
aplicado est en la terminal del emisor.

E,e#plo5
Determine .CEC e "E para la red de la fgura -.-"

Solucin
plicando la ley de volta<e de HirchhoI al circuito de entrada obtenemos
9ustituyendo valores tenemos

plicando la ley de volta<e de HirchhoI al circuito de salida obtenemos


;asta aqu6, todos los e<emplos han empleado una confguracin de colector
com@n o de emisor com@n. En el siguiente e<emplo, investigaremos la
confguracin de base com@n. En esta situacin se utilizar el circuito de
entrada para determinar "E ms que "B. La corriente de colector est
disponible entonces para realizar un anlisis del circuito de salida.

E,e#plo
Determine el volta<e .CB y la corriente "B para la confguracin de base
com@n de la fgura -.-(.
Solucin
plicando la ley de volta<e de HirchhoI al circuito de entrada obtenemos
-.EE # "E4E # .BE = 0
"E = (.EE - .BE, 2 4E
9ustituyendo valores obtenemos
"E = #- L 4 3.5 L' A "( Hohms B (.5/ m

plicando la ley de volta<e de HirchhoI al circuito de salida obtenemos
-.CE # "C4C - .CC = 0
.CB = .CC - "C4C con "C = "E
B +.+- L
"B B "C 2 = _ (.5/ m A 13 B -/.K u

El e<emplo anterior emplea una fuente de alimentacin doble y requerir la
aplicacin del teorema de &h7venin para determinar las incgnitas
deseadas.

E,e#plo5

Determine .C y .B para la red de la fgura -.-+
<i!ura &.&%

Solucin
La resistencia de &h7venin y el volta<e determinan para le red a la izquierda
de la terminal de base, como se muestra en las fguras -.-- y -.-/
<i!ura &.&&

<i!ura &.&'

La red puede volverse a dibu<ar, como se ilustra en la fgura -.-1 y al
aplicarle la ley de volta<e de HirchhoI, da por resultado
-E9) - "B49) - .BE - "E4E # .EE = 0

<i!ura &.&*

l sustituir "E = ( # B," _ B obtenemos


O-ERACIONES 1E 1ISENO
;asta este punto las discusiones se han enfocado en el anlisis de las redes
e8istentes. &odos los elementos estn en su lugar y es simplemente asunto
de resolver para los niveles de volta<e y corriente de la confguracin. El
proceso de dise.o es donde puede especifcarse una comente yAo un volta<e
y donde deben determinarse los elementos requeridos para establecer los
niveles Fdeados. Este proceso de s6ntesis supone un claro entendimiento de
las caracter6sticas del Fmpositivo, las ecuaciones bsicas para la red y un
frme conocimiento de las leyes bsicas del anlisis de circuitos, la ley de
>hm, la ley de volta<e de HirchhoI, etc. En la mayor6a de las situaciones el
proceso mental se pone a prueba en alto grado en la operacin de dise.o
ms que en la secuencia de anlisis. La trayectoria hacia una solucin es
menos defnida y de hecho puede requerir algunas suposiciones bsicas que
no se pueden hacer analizando sencillamente una red.
La secuencia de dise.o es obviamente sensible a los componentes que ya
se han especifcado y los elementos que van a determinarse. 9i se
especifcan el transistor y las fuentes, el proceso de dise.o simplemente
determinar los resistores requeridos para un dise.o particular. Dna vez que
se determina el valor terico de los resistores, se elige por lo general el
valor comercial estndar ms cercano y cualquier variacin debida a no usar
el valor e8acto de la resistencia se acepta como parte del dise.o. Esto es
ciertamente una apro8imacin vlida si se toma en consideracin las
tolerancias normalmente asociadas con los elementos resistivos y los
parmetros del transistor.
9i se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones ms
poderosas es sencillamente la ley de >hm en la forma siguiente!
4desconocida = .4 2 "4
En un dise.o particular, el volta<e a trav7s de un resistor puede
determinarse a menudo a partir de los niveles especifcados. 9i otras
especifcaciones defnen el nivel de comente, la ecuacin #-,--' puede
entonces utilizarse para calcular el nivel de resistencia requerido. Los
e<emplo iniciales demostrarn cmo elementos particulares pueden
determinarse a partir de nivel especifcados. Luego se introducir un
procedimiento completo de dise.o para un par de confguraciones comunes.
E,e#plo5
Dadas las caracter6sticas del dispositivo de la fgura -.-5a, determine L**, 4B
y 4C para la confguracin de polarizacin f<a de la fgura -.-5b.
<i!ura &.&2
Solucin
De la recta de carga

E,e#plo!

Dados "CC B ( m y .CEC B "3 L, determine 4B y 4C para la red de la fgura
-.-K
0igura -.-K
Solucin

Los valores comerciales estndar ms pr8imos para 4B son K( N y 2" _
N . 9in embargo, haciendo uso de la combinacin en serie de los valores _
estndar de K( N y -.5 N B K1.5 N resultar6a en un valor muy cercano _ _ _
al nivel dise.ado.

E,e#plo5
La confguracin con la polarizacin de emisor de la fgura -.-2 tiene las
siguiente s especifcaciones! "CC = T "Csat, "Csat = H m=, .C = BH . y B ""3. _
Determine 4C, 4E y 4B.
<i!ura &.&D
Solucin


El anlisis siguiente presenta una t7cnica para dise.ar un circuito completo
para operar en un punto de polarizacin especifco. *on frecuencia las ho<as
de especifcaciones de los fabricantes brindan informacin que establece un
punto de operacin apropiado #o regin de operacin' para un transistor
particular. dems, otros factores del circuito relacionados con la etapa del
amplifcador dado pueden dictar tambi7n algunas condiciones de la
e8cursin de corriente, e8cursin de volta<e, el valor de volta<e de
alimentacin com@n, etc., los cuales pueden utilizarse para la determinacin
del punto C en un dise.o.
En la prctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y pueden
in?uir en la seleccin del punto de operacin que se desea. 9in embargo,
por el momento nos concentraremos en la determinacin de los valores de
los componentes para obtener un punto de operacin especifcado. El
anlisis se limitar a las confguraciones de polarizacin de emisor y de
polarizacin de divisor de volta<e, aun cuando el procedimiento puede
aplicarse a otros circuitos de transistores.

1iseOo de un circuito de polari/acin con resistencia de
retroali#entacin en e#isor
*onsid7rese primero el dise.o de los componentes de polarizacin de cd de
un circuito amplifcador que tiene estabilizacin de polarizacin por
resistencia de emisor #v7ase la fgura -./3', El volta<e de alimentacin y el
punto de operacin se seleccionarn a partir de la informacin del
fabricante sobre el transistor utilizado en el amplifcador.
<i!ura &.'E Circuito de polari/acin con esta"ili/acin de e#isor para
consideraciones de diseOo.

0igura -./3 *ircuito de polarizacin con estabilizacin de emisor para
consideraciones de dise.o.
La seleccin de las resistencias de colector y emisor no puede desprenderse
directamente de la informacin que acaba de especifcarse. La ecuacin que
relaciona los volta<es alrededor de la malla colector4emisor, tiene dos
cantidades desconocidas! los valores de las resistencias de colector y
emisor, 4C y 4E. En este punto debe hacerse alguna evaluacin de
ingenier6a, como la del nivel del volta<e de emisor comparado con el volta<e
de la fuente aplicada. Eecu7rdese que la necesidad de incluir un resistor del
emisor a tierra fue brindar un medio de estabilizacin de la polarizacin de
cd de manera que el cambio de la comente de colector debido a las
corrientes de fuga en el transistor y la del mismo no ocasionar6an un gran _
corrimiento #si lo hay' en el punto de operacin. La resistencia del emisor no
puede ser irrazonablemente grande porque el volta<e que se genera en 7l
limita el nivel de la e8cursin del volta<e del colector al emisor #que se
mencionar cuando se discuta la respuesta de ca'. Los e<emplos
e8aminados en este capitulo revelan que el volta<e de emisor a tierra esta
por lo regular alrededor de una cuarta o una d7cima parte de la fuente de
volta<e. 9eleccionando el caso conservador de una d7cima parte, nos
permitir calcular el resistor de emisor 4E y el resistor 4C de manera
seme<ante a los e<emplos apenas vistos. En el siguiente e<emplo
realizaremos un dise.o completo de la red de la fgura -.-2 empleando los
criterios recientemente introducidos para el volta<e de emisor.

E,e#plo
Determine los valores de los resistores para la red de la fgura -./3, para la
fuente de volta<e y el punto de operacin indicados.
9olucin

1iseOo de un circuito de !anancia en corriente esta"ili/ada
6independiente de 7
El circuito de la fgura -./" brinda estabilizacin tanto para la corriente de
fuga como para los cambios en la ganancia de corriente . El valor de las _
cuatro resistencias que se muestran debe obtenerse para un punto de
operacin especifcado. El criterio de ingenier6a en la seleccin deU un valor
para el volta<e de emisor, .E, como en el criterio de dise.o previo conduce a
una simple solucin directa para todos los valores de la resistencia. &odos
los pasos de dise.o se muestran en el siguiente e<emplo.
<i!ura &.'1 Circuito con esta"ili/acin de !anancia de corriente para
consideraciones de dideOo.


E,e#plo5
Determine los niveles 4C, 4E, 4B y 4> para la red de la fgura -./", para el
punto de operacin indicado.
Solucin

Las ecuaciones para los clculos de los resistores de base 4B y 4> requerirn
de un poco de consideracin. Dsando el valor del volta<e de base calculado
anteriormente y el valor de la fuente de volta<e se obtendr una ecuacin,
pero e8isten dos incgnitas, 4B y 4>. 9e puede tener una ecuacin adicional
mediante el conocimiento de la operacin de estos dos resistores al proveer
el volta<e de base necesario. )ara que el circuito opere con efcacia, se
supone que la corriente a trav7s de 4B y 4> debe ser apro8imadamente igual
y mucho mayor que la corriente de base #al menos en proporcin de "3!"'.
Este hecho y la ecuacin de di visor de volta<e para el volta<e de base
proporcionan las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de
base. Es decir,

%.* Con#utacin con transistores.
La aplicacin de los transistores no se limita solamente a la amplifcacin de
las se.ales. )or medio de un dise.o adecuado pueden utilizarse como
interruptor para aplicaciones de control y computadoras. La red de la fgura
-./(a puede emplearse como un inversor en circuitos lgicos de
computadoras. Gtese que el volta<e de salida .C es opuesto al que se aplica
a la base o terminal de entrada. dems, advi7rtase la ausencia de una
fuente de cd conectada al circuito de base. La @nica fuente de cd est
conectada al e8tremo de colector o salida, y para las aplicaciones de
computadoras es t6picamente igual a la magnitud del ?anco de subida de la
se.al de salida, en este caso. de / L.
<i!ura '.'2 In0ersor de transistor

El dise.o adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de
operacin cambie desde el estado de corte hasta el de saturacin, a lo largo
de la recta de carga trazada en la fgura -./(b. )ara nuestros propsitos
supondremos que "C = "CE B 3 m cuando "B = 3 u #una e8celente
apro8imacin a la luz de las t7cnicas me<oradas de construccin', como se
muestra en la fgura -./(b. dems, supondremos .CE B vcesat = 3 L en lugar
del nivel t6pico de 3." a 3.+ L.
*uando .i B / L, el transistor estar en estado CencendidoC y el dise.o debe
asegurar que la red est completamente saturada con un nivel de "B mayor
que el asociado con la curva de "B que aparece cerca del nivel de saturacin.
En la fgura -./(b esto requiere que "B V /3 u. El nivel de saturacin para la
comente de colector del circuito de la fgura -./(a se defne como
"Csat = .CC 2 4C
El nivel de "B en la regin activa, <usto antes de que se presente la
saturacin puede apro8imarse mediante la siguiente ecuacin!
"Bm/ = "Csat 2 _ cd
)or tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la
condicin siguiente!
"B V "Csat 2 _ cd

Saturacin Sua0e
$%& saturado ligeramente
4B = (.i - 0.1.,2"B
"B " _ Csat 2 _ m*n
4B = (.i - 0.1., _ m*n 2"Csat

Saturacin 1ura
$%& debe saturarse para cualquier valor de beta.
_ = B0
4B = (.i - 0.1.,"3 2"Csat

)ara "Csat hay que tomar en cuenta la caida de volta<e de la carga
"Csat = (.CC - .car%a,24C

%.2 El transistor -N-.
;asta este punto el anlisis se ha limitado e8clusivamente a los transistores
npn para asegurar que el anlisis inicial de las confguraciones bsicas fuera
lo ms claro posible y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes
tipos de transistores. fortunadamente, el anlisis de los transistores pnp
sigue el mismo patrn establecido para los transistores npn. El nivel de "B se
determina en primer lugar, seguido por la aplicacin de las relaciones de
transistor apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas.
De hecho, la @nica diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una
red en la que se ha reemplazado un transistor npn por otro de tipo pnp es el
signo asociado a cantidades particulares.
*omo se advierte en la fgura -.1+, la notacin de sub6ndice doble contin@a
como fue defnida normalmente. 9in embargo, las direcciones de la
corriente se han invertido para re?e<ar las direcciones de conduccin reales.
Empleando las polaridades defnidas de la fgura -.1+, tanto .BE como .CE
sern cantidades negativas.
plicando la ley de volta<e de HirchhoI a la malla de base a emisor
obtendremos la siguiente ecuacin para la red de la fgura -.1+!
4"E4E # .BE -"B4B #.CC = 0
9ustituyendo "E B # _ # " '"B y resolviendo para "B, llegamos a
La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin #-."5', a e8cepcin del
signo para .BE 9in embargo, en este caso .BE = 43.5 L y la sustitucin de los
valores resultar en el mismo signo para cada t7rmino de la ecuacin #-.-2',
como la ecuacin #-."5'. Eecu7rdese que la direccin de "B se defne ahora
como opuesta a la de un transistor pnp, como se ilustra en la fgura -.1+.
)ara .CE, la ley de volta<e de HirchhoI se aplica a la malla de colector a
emisor, lo que da por resultado la siguiente ecuacin!
4"E4E # .CE -"C4C #.CC = 0
9ustituyendo "E B "C, obtenemos
.CE = -.CC # "C#4C #4E'
La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin #-."2', pero
el signo enfrente de cada t7rmino a la derecha del signo de igualdad ha
cambiado. )uesto que .CC ser mayor que la magnitud del t7rmino siguiente,
el volta<e tendr un signo negativo, como se advirti en un prrafo anterior.

E,e#plo5
Determine .CE para la confguracin de polarizacin con divisor de volta<e de
la fgura -.1
<i!ura &.*& Transistor -N- en una conO!uracin de polari/acin con
di0isor de 0olta,e.
Solucin
)robando la condicin
_ 4E "3 _ 4>
"+( N "33 N _ _ _ (satis$actorio,
Eesolviendo para .B, tenemos que
Gtese la similitud en el formato de la ecuacin con el volta<e negativo
resultante para .B.
plicando la ley de volta<e de HirchhoI a lo largo de la malla de base a
emisor, nos lleva a
.B - .BE -.E = 0
.E = .B - .BE
.E = 4+."1 L 4 #43.5 L'
B 4(.-1 L
dvierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de
sub6ndice sencillo y doble )ara un transistor npn la ecuacin .E. B .B - .BE
ser6a e8actamente la misma. La @nica diferencia surge cuando se sustituyen
los valores. La corriente
"E = .E 2 4E = (.-1 L 2 "." N B (.(- m _
)ara la malla de colector a emisor!
4"E4E # .CE -"C4C #.CC = 0
9ustituyendo "E = "C y agrupando t7rminos, tenemos que
.CE = -.CC # "C#4C #4E'
9ustituyendo valores, obtenemos
.CE = -"K L # #(.(- m'#(.- N J "." N ' B 4"3."1 L _ _

&.1 A#plicador en el do#inio de CA.
La construccin bsica, aspectos y caracter6sticas del transistor se
presentaron en el capitulo ". Despu7s, en el capitulo ( se e8amin en
detalle la polarizacin de cd del dispositivo. Empezaremos ahora a estudiar
la respuesta ca a peueDa seDal del amplifcador $%& revisando los modelos
que se utilizan con mayor frecuencia para representar el transistor en el
dominio de ca senoidal.
Dna de nuestras primeras inquietudes en el anlisis de ca senoidal en redes
de transistores es la magnitud de la se.al de entrada. Ello determinar si
deben aplicarse t7cnicas de peueDa seDal o t-cnicas de %ran seDal. Go
e8iste una l6nea divisoria entre las dos, peso la aplicacin, as6 como la
magnitud de las variables de inter7s relativas a las escalas de las
caracter6sticas del dispositivo, determinarn casi siempre con bastante
claridad cul m7todo es el apropiado. La t7cnica de peque.a se.al se
presenta en este capitulo.
;ay dos modelos que se utilizan por lo com@n en el anlisis de ca de
peque.a se.al de redes de transistor! el modelo euivalente )*brido y el
modelo re. Este capitulo no slo presenta ambos modelos, sino que defne el
papel que cada uno desempe.a y la relacin que e8iste entre ellos.
En el cap6tulo " se demostr que el transistor puede emplearse como un
dispositivo amplifcador. Es decir, la se.al de salida senoidal es mayor que la
se.al de entrada o, estableci7ndolo de otra manera, la potencia de ca de
salida es mayor que la potencia de ca de entrada. La pregunta que surge
entonces es Wcmo la salida de potencia de ca puede ser mayor que la
potencia de ca de entradaX La conservacin de la energ6a dicta que en
funcin del tiempo, la salida de potencia total, 7o de un sistema no puede
ser mayor que su entrada de potencia, 7i y que la eficiencia definida por _
B 7o27G no puede ser mayor que ". El factor que no se considera en la
discusin anterior, que permite una salida de potencia de ca mayor que la
potencia de entrada de ca, es la potencia aplicada de cd. Eepresenta una
contribucin a la potencia de salida total aun cuando parte de ella se disipa
a trav7s del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, e8iste
un intercambioC de potencia de cd al dominio de ca, el cual permite
establecer una muy alta potencia de salida de ca. De hecho, una e+ciencia-
de conversin se define por medio de B )o#ca'A)i#cd' donde _ 7o(ca, es la
potencia de ca en la carga, y 7G(cd, la potencia suministrada de cd.
Yuizs el papel que <uega la fuente de cd se describa me<or al considerar
primero la red simple de cd de la fgura 5.". La direccin resultante del ?u<o
se muestra en la fgura con una grfca de la corriente i contra el tiempo.
Fnsertemos ahora un mecanismo de control, como se muestra en la fgura
5.(. El mecanismo de control se constituye de tal forma que la aplicacin de
una se.al relativamente peque.a al mecanismo de control puede resultar
en una oscilacin mucho ms grande en el circuito de salida.
<i!ura 2.1 Corriente estacionaria esta"lecida por una ;uente de cd.

)ara el sistema de la fgura 5.( el valor pico de la oscilacin se controla
mediante el nivel establecido de cd. *ualquier intento de e8ceder el l6mite
establecido por el nivel de cd resultar en un CrecorteC aplanado de la
regin pico de la se.al de salida. )or lo tanto, en su totalidad, un dise.o
apropiado de amplifcador requiere que los componentes de cd y de ca sean
sensibles a cada uno de los otros requerimientos y limitaciones. 8in
embar%o, es en verdad un )ec)o a$ortunado ue los ampli+cadores de
peueDa seDal de transistor puedan considerarse lineales para la mayor*a
de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de superposicin para
separar el anlisis de cd del anlisis de ca.
<i!ura 2.2 E;ecto de un ele#ento de control so"re el Ku,o en estado
estacionario del siste#a el:ctrico de la !ura 2.1


(FNEA 1E CARAA 1E CA.
E8cursin m8ima de salida de ca al volta<e de ca pico a pico m8imo, sin
recortes, que puede proporcionar un amplifcador.
La l6nea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operacin con
se.ales grandes.

&.2 3odelado del transistor BJT.
La clave del anlisis de peque.a se.al de transistor es el empleo de los
circuitos equivalentes #modelos' que sern introducidos en este cap6tulo. Un
modelo es la combinacin de elementos de circuito, seleccionados
adecuadamente, ue mejor apro/iman el comportamiento real de un
dispositivo semiconductor en condiciones espec*+cas de operacin,
Dna vez determinado el circuito equivalente de ca, el s6mbolo grfco del
dispositivo puede sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se
pueden aplicar los m7todos bsicos del anlisis de circuitos de ca #anlisis
de nodos, anlisis de mallas y el teorema de &h7venin' para determinar la
respuesta del circuito.
;ay dos teor6as actuales acerca de cul ser el circuito equivalente que ha
de sustituir al transistor. Durante muchos a.os la industria y las
instituciones educativas confaron ampliamente en los parmetros )*bridos
#que se presentarn en breve'. El circuito equivalente de parmetros
h6bridos seguir siendo muy popular, aun cuando en la actualidad debe
competir con un circuito equivalente derivado directamente de las
condiciones de operacin del transistor, el modelo re. Los fabricantes siguen
especifcando los parmetros h6bridos para una regin de operacin
particular en sus ho<as de especifcaciones. Los parmetros #o
componentes' del modelo re pueden derivarse directamente de los
parmetros h6bridos en esta regin. 9in embargo, el circuito equivalente
h6brido adolece de estar limitado a un con<unto particular de condiciones de
operacin si se considerara preciso. Los parmetros del otro circuito
equivalente pueden determinarse para cualquier regin de operacin dentro
de la regin activa y no estn limitados por un solo grupo de parmetros
incluidos en la ho<a de especifcaciones. su vez, no obstante, el modelo re
no tiene un parmetro que defna el nivel de impedancia de salida del
dispositivo y el efecto de retroalimentacin de la salida a la entrada.
)uesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera e8tensa,
los dos se e8aminan en detalle en este libro. En algunos anlisis y e<emplos
se emplear el modelo h6brido, en tanto que en otros se utilizar en forma
e8clusiva el modelo re. Go obstante, en el te8to se har todo lo necesario
para mostrar la forma tan estrecha en que se relacionan los dos modelos y
cmo la habilidad en el mane<o de uno de ellos conduce a una destreza
natural en el mane<o del otro.
*on el fn de mostrar el efecto que tendr el circuito equivalente de ca sobre
el anlisis que sigue, consid7rese el circuito de la fgura 5.+. 9upongamos
por eQ momento que el circuito equivalente de ca de peque.a se.al para el
transistor ya ha sido determinado. )uesto que slo nos interesa la respuesta
de ca del circuito, todas las alimentaciones de cd pueden sustituirse por
equivalentes de potencial cero #corto circuito', ya que determinan
@nicamente el nivel de cd #nivel quiesciente' o de operacin del volta<e de
salida y no la magnitud de la e8cursin de la salida de ca. Esto se muestra
claramente en la fgura 5.-. Los niveles de cd fueron importantes
simplemente para determinar el punto C de operacin adecuado. Dna vez
determinado, es posible ignorar los niveles de cd en el anlisis de ca de la
red. dems, los capacitores de acoplamiento CB y C> y el capacitor de
desv6o C?III se eligieron de modo que tuvieran una reactancia muy
peque.a a la frecuencia de aplicacin. )or lo tanto, es posible tambi7n
reemplazarlos para todos los propsitos prcticos por medio de una
trayectoria de ba<a resistencia #corto circuito'. Gtese que esto producir el
Ccorto circuitoC de la resistencia de polarizacin de cd, 4E. Eecu7rdese que
los capacitores tienen un equivalente de circuito abierto en condiciones de
estado estable cd, permitiendo un aislamiento entre etapas en los niveles
de cd y las condiciones de operacin.
<i!ura 2.% Circuito de transistor eCa#inado en este an4lisis introductorio.

<i!ura 2.& Red de la !ura 2.% despu:s de eli#inar la ali#entacin de cd.

La cone8in com@n de tierra y el rearreglo de los elementos de la fgura 5.-
dar como resultado una combinacin en paralelo de los resistores 4B, 4>, y
4C que aparecer del colector al emisor como se muestra en la fgura 5./.
*omo los componentes del circuito equivalente del transistor insertado en la
fgura 5./ son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado #resistores,
fuentes controladas, etc.', las t7cnicas de anlisis tales como superposicin
y el teorema de &h7venin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las
cantidades deseadas.
<i!ura 2.' Circuito de la !ura redi"u,ado para el an4lisis de pe8ueOa
seOal ca.

E8aminaremos a@n ms la fgura 5./ e identifquemos las cantidades
importantes que se determinarn en el sistema. )uesto que sabemos que el
transistor es un dispositivo amplifcador, esperar6amos alguna indicacin de
cmo se relacionan el volta<e de salida .o y el de entrada .i, es decir, la
%anancia en voltaje. Gote en la fgura 5./ que para esta confguracin "i B "b,
e "o B "c lo cual defne la %anancia en corriente =i B "o 2 "i. La impedancia de
entrada Ji y la impedancia de salida Jo probarn ser de particular
importancia en el anlisis que se detalla a continuacin. 9e proporcionar
mucha ms informacin acerca de estos parmetros en las secciones
siguientes. )or tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene por
medio de!
B. El establecimiento de todas las $uentes de cd a cero y su
reemplazo por un corto circuito euivalente
>. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito
euivalente
?. 'a eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto
circuitos euivalentes introducidos en los pasos B y >
K. El dibujar de nuevo la red en una $orma ms l%ica y conveniente.
En las secciones siguientes se presentarn los circuitos equivalentes re e
h6brido para completar el anlisis de ca de la red de la fgura 5./

&.% -ar4#etros i#portantes5 Zi, Zo,
Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. 6Redes de dos
puertos7.
ntes de investigar los circuitos equivalentes para $%& con ms detalle,
concentr7monos en los parmetros de un sistema de dos puertos que son
de capital importancia desde un punto de vista de anlisis y dise.o. )ara el
sistema de dos puertos #dos pares de terminales' de la fgura 5.1, el
e8tremo de entrada #el lado donde normalmente se aplica la se.al' se
encuentra a la izquierda y el e8tremo de salida #donde se conecta la carga'
se halla a la derecha. De hecho, para la mayor6a de los sistemas el7ctricos y
electrnicos el ?u<o general se tiene normalmente de izquierda a derecha.
)ara ambos con<untos de terminales la impedancia entre cada par de
terminales en condiciones normales de operacin es bastante importante.
<i!ura 2.* Siste#a de dos puertos.

I#pedancia de entradaJ Zi
)ara el e8tremo de entrada, la impedancia de entrada JG se defne por la ley
de >hm como se indica a continuacin!
Ji = .i 2 "i
9i se modifca la se.al de entrada .i, la corriente "i, puede calcularse
mediante el uso del mismo nivel de impedancia de entrada. En otras
palabras!
7ara el anlisis de peueDa seDal una vez ue se )a determinado la
impedancia de entrada, el mismo valor num-rico puede utilizarse para
modi+car los niveles de la seDal aplicada.
De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de
entrada de un transistor puede determinarse apro8imadamente por medio
de las condiciones de polarizacin de cd, condiciones que no cambian slo
porque la magnitud de la se.al aplicada de ca se haya modifcado.
Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de
los valores ba<os a los medios #normalmente Z"33 N;z'!
'a impedancia de entrada de un ampli+cador de transistor BL9 es de
naturaleza puramente resistiva y, dependiendo de la manera en ue se
emplee el transistor, puede variar de unos cuantos o)ms )asta el orden de
los me%ao)ms.
dems!
Mo puede emplearse un )metro para medir la impedancia de entrada de
peueDa seDal de ca puesto ue el )metro opera en modo de cd.
La ecuacin #5."' es particularmente @til en la medida en que proporciona
un m7todo para medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. )or
e<emplo, en la fgura 5.5 se ha agregado un resistor sensor al e8tremo de
entrada para permitir una determinacin de Fi[[[ empleando la ley de >hm.
Dn osciloscopio o un multimetro digital #D,,' sensible puede utilizarse para
medir el volta<e .s y .G. mbos volta<es pueden ser de pico a pico, pico o
valores rms, siempre que ambos niveles empleen el mismo patrn. La
impedancia de entrada se determina entonces de la siguiente manera!
"i = (.s - .i, 2 4sensor
y
Ji = .i 2 "i

<i!ura 2.2 1eter#inacin de Zi.
La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede
demostrarse me<or mediante la red de la fgura 5.K. La fuente de se.al tiene
una resistencia interna de 133 el sistema #posiblemente un amplificador _
de transistor' tiene una impedancia de entrada de ".( N . _
<i!ura 2.I 1e#ostracin del i#pacto de Zi so"re una respuesta de
a#plicador.

I#pedancia de salidaJ Zo
La impedancia de salida se defne en forma natural para el con<unto de
salida de las terminales, pero la manera en la cual se defne es bastante
diferente de la correspondiente a la impedancia de entrada. Es decir,
'a impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo
)acia atrs. dentro del sistema con la seDal aplicada +jada en cero.
En la fgura 5."3, por e<emplo, la se.al aplicada se ha establecido a cero
voltios. )ara determinar Jo, se aplica una se.al, .s, a las terminales de
salida, y el nivel de .o se mide con un osciloscopio o D,, sensible. La
impedancia de salida se determina entonces de la siguiente manera!
"o = (. - .o, 2 4sensor
y
Jo = .o 2 "o

<i!ura 2.1E 1ete#inacin de Zo.

En particular, para las frecuencias de rango ba<o y medio #normalmente Z
"33 N;z'! 'a impedancia de salida de un ampli+cador de transistor BL9 es
resistiva por naturaleza y depende de la con+%uracin y de la colocacin de
los elementos resistivos, Jo puede variar entre unos cuantos o)ms y un
nivel ue puede e/ceder los >N . _
dems!
Mo puede utilizarse un )metro para medir la impedancia de salida de
peueDa seDal de ca debido a ue el )metro opera en modo de cd.

Aanancia de 0olta,e Av
Dna de las caracter6sticas ms importantes de un amplifcador es la
ganancia de volta<e de peque.a se.al de ca, que se determina por
=v = .o 2 .i
)ara el sistema de la fgura 5."+, no se ha conectado una carga a las
terminales de salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuacin
#5.1' se denomina como la ganancia de volta<e sin carga. Es decir,
<i!ura 2.1% 1eter#inacin de la !anancia de 0olta,e sin car!a

7ara ampli+cadores de transistor, la %anancia de voltaje sin car%a es mayor
ue la %anancia de voltaje con car%a.

Aanancia de corrienteJ Ai
La @ltima caracter6stica num7rica por discutir es la ganancia de corriente
defnida por
=i = "o 2 "i
unque por lo regular recibe menos atencin que la ganancia de volta<e, es,
sin embargo, una cantidad importante que puede tener un impacto
signifcativo en la efciencia global de un dise.o. En general!
7ara ampli+cadores BL9, la %anancia de corriente oscila entre los valores
apenas menores ue " y un nivel ue puede e/ceder los B00.
)ara la situacin con carga presente de la fgura 5."/,
"i = .i 2 Ji
y
"o = .o 2 4'
<i!ura 2.1' 1eter#inacin de la !anancia de corriente con car!a.

=i = -=v(Ji 2 "i,
La ecuacin anterior permite la determinacin de la ganancia de corriente a
partir de la ganancia de volta<e y los niveles de impedancia.

Relacin de ;ase
La relacin de fase entre las se.ales senoidales de entrada y salida es
importante por una variedad de razones prcticas. 9in embargo y por
fortuna! 7ara el ampli+cador de transistor t*pico, a $recuencias ue permiten
i%norar el e$ecto de elementos reactivos, las seDales de entrada y salida
estn ya sea en $ase o des$asadas por BH0O.
La razn de esta situacin ambivalente con respecto a la fase se aclarar en
los cap6tulos siguientes.
Resu#en
Los parmetros de principal importancia para un amplifcador ya se han
presentado= la impedancia de entrada Ji, la impedancia de salida Jo, la
ganancia de volta<e =v, la ganancia de corriente =i y las relaciones de fase
resultantes. >tros factores, tales como la frecuencia aplicada para los
l6mites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarn algunos de
estos parmetros. En las secciones y cap6tulos siguientes, todos los
parmetros se determinarn para una variedad de redes de transistores con
el fn de permitir una comparacin de las venta<as y desventa<as de cada
confguracin.

&.& 3odelado re del transistor.
El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para
duplicar el comportamiento de un transistor en la regin de inter7s.
Eecu7rdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aqu7lla
donde los parmetros de la fuente de corriente se controlan por medio de
una corriente en otra parte de la red. De hecho,en general!
'os ampli+cadores de transistor BL9 se conocen como dispositivos
controlados por corriente.

Con!uracin de "ase co#$n
En la fgura 5."1a se ha insertado un transistor pnp de base com@n dentro
de la estructura de dos puertos empleada en nuestra discusin de las
recientes secciones. En la fgura 5."1b se ha colocado el modelo re para el
transistor entre las mismas cuatro terminales. *omo se observ en la
seccin 5.+, el modelo #circuito equivalente' se escoge de una forma tal que
se tenga una apro8imacin del comportamiento del dispositivo al
reemplazarlo en la regin de operacin de inter7s. En otras palabras, los
resultados obtenidos al colocar el modelo deber6an estar relativamente
cercanos a los obtenidos con el transistor real. Dsted recordar, del cap6tulo
", que una de las uniones de un transistor en operacin se polariza en forma
directa mientras que la otra se polariza inversamente. La unin
directamente polarizada se comportar de manera muy parecida a un diodo
#despreciando los efectos de los niveles cambiantes de .CE,, como se verifc
mediante las curvas de la fgura +.5. )ara la unin de base4emisor del
transistor de la fgura 5."1a, el diodo equivalente de la fgura 5."1b entre
las mismas dos terminales parece ser bastante apropiado. )ara el e8tremo
de salida, recu7rdese que las curvas horizontales de la fgura +.K revelaban
que "C B "e #como se dedu<o de "c B "e, para el intervalo de valores de vce.
La fuente de corriente de la fgura 5."1b establece el hecho de que "c B "e
con la corriente de control "e que aparece en el e8tremo de entrada del
circuito equivalente, como se indica en la fgura 5."1a. )or consiguiente,
hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida
con la fuente controlada por corriente, proporcionando un v6nculo entre las
dos #una revisin inicial sugerir6a que el modelo de la fgura 5."1b es un
modelo vlido del dispositivo real'.
<i!ura 2.1* 6a7 Transistor BJT de "ase co#$n@ 6"7 #odelo re para la
con!uracin de la !ura 2.1*a.

Eecu7rdese del capitulo ", que la resistencia de ca de un diodo puede
determinarse mediante la ecuacin rca = (1 mLA";, donde "; es la corriente
de cd a trav7s del diodo en el punto C #esttico'. Esta misma ecuacin
puede utilizarse para encontrar la resistencia de ca del diodo de la fgura
5."1b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se muestra a
continuacin!
re = (1 mL A "E
El sub6ndice e de re se eligi para enfatizar que es el nivel cd de la corriente
de emisor que determina el nivel ca de la resistencia del diodo de la fgura
5."1b. l sustituir el valor resultante de re en la fgura 5."1b se obtendr el
modelo de suma utilidad que se muestra en la fgura 5."5!
<i!ura 2.12 Circuito e8ui0alente re de "ase co#$n.

causa del aislamiento e8istente entre los circuitos de entrada y de salida
de la fgura 5."5, deber6a ser bastante obvio que la impedancia de entrada
Ji para la confguracin de base com@n de un transistor fuera simplemente
re. Es decir,
Ji = re
7ara la con+%uracin de base com3n, los valores t*picos de \, var*an entre
unos cuantos o)ms y un valor )asta de alrededor de <0 . _
)ara la impedancia de salida, si establecemos la se.al a cero, entonces "e B
> e "C B "e B (0 ' B > , resultando en un equivalente de circuito
abierto en las terminales de salida. El resultado es que para el modelo de la
fgura 5."5,
Jo - _
En realidad!
7ara la con+%uracin de base com3n, los valores t*picos de \o se )allan en
el orden de los me%ao)ms.
La resistencia de salida de la confguracin de base com@n se determina por
medio de la pendiente de las l6neas caracter6sticas de las caracter6sticas de
salida, como se muestran en la fgura 5."K. 9uponiendo que las l6neas sean
perfectamente horizontales #una e8celente apro8imacin' resultar6a en la
conclusin de la ecuacin #5."+'. 9i se tuviera el cuidado de medir Jo
grfca o e8perimentalmente, se obtendr6an los niveles t6picos en el
intervalo de " a ( , _ .
<i!ura 2.1I 1enicin de Zo.

En %eneral, para la con+%uracin de base com3n, la impedancia de entrada
es relativamente peueDa mientras ue la impedancia de salida es bastante
alta.
La ganancia de volta<e se determinara ahora para la red de la fgura 5."2.
.o = -"o4' = -(-"C,4' = " E4'
.i = "EJi = "ere
=v = .o 2 .i = " e4' 2 "ere
=v = 4 ' 2 re 4' 2 re
)ara la ganancia de corriente
=i = "o 2 "i = -"C 2 "e = " e 2 "e
=i = - 4"
2.1D 1enicin de Av para la con!uracin de "ase co#$n.

El hecho de que la polaridad del volta<e .o tal como se determina a partir de
la corriente "C sea la misma que se defne mediante la fgura 5."2 #o sea, el
e8tremo negativo est al potencial de referencia, o tierra' revela que vo y
.G estn en $ase para la confguracin de base com@n. El equivalente para
un transistor M7M en la confguracin de base com@n aparecer6a como se
ilustra en la fgura 5.(3.
<i!ura 2.2E 3odelo aproCi#ado para una con!uracin de transistor NN
de "ase co#$n.

Con!uracin de e#isor co#$n
)ara la confguracin de emisor com@n de la fgura 5.("a, las terminales de
entrada son las terminales de base y emisor, pero el con<unto de salida lo
componen ahora las terminales de colector y emisor. dems, la terminal de
emisor es ahora com@n entre los puertos de entrada y salida del
amplifcador. 9ustituyendo el circuito equivalente re para el transistor npn
dar por resultado la confguracin de la fgura 5.("b. dvi7rtase que la
fuente controlada por corriente a@n esta conectada entre las terminales de
colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de emisor. En
esta confguracin, la corriente de base es la corriente de entrada, mientras
que la corriente de salida aun es "c. Eecuerde, del cap6tulo ", que las
corrientes de base y de colector estn relacionadas por la siguiente
ecuacin!
"c = " _ b
La comente a trav7s del diodo se determina por lo tanto mediante
"e = ( # B," _ b

9in embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que ",
haremos uso de la siguiente apro8imacin para el anlisis de comente!
"e " _ b
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin!
Ji = .i 2 "i = .be 2 "b
El volta<e .be se halla a trav7s de la resistencia del diodo, como se muestra
en la fgura 5.((. El nivel de re todav6a se determina por la corriente de cd
"EIII. El uso de la ley de >hm conduce a
.i = .be = "e re " _ bre
<i!ura 2.21 6a7 Transistor BJT de e#isor co#$n 6"7 #odelo aproCi#ado
para la con!uracin de la !ura 2.21P

<i!ura 2.22 1eter#inacin de Zi e#pleando el #odelo aproCi#ado.

La sustitucin nos lleva a
Ji r _ e
En esencia, la ecuacin #5."2' establece que la impedancia de entrada para
una situacin tal como la mostrada en la fgura 5.(+ es beta veces el valor
de re. En otras palabras, un elemento resistivo en la terminal del emisor se
refle<a en el circuito de entrada por un factor multiplicativo . )or e<emplo, _
si re B 1./ ohms como en el e<emplo 5.-, re B "13 #situacin bastante
com@n a la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de
Ji _ re = (B@0,(@.< o)ms, = ".3- Nohms
<i!ura 2.2% I#pacto de re so"re la i#pedancia de entrada.

7ara la con+%uracin de emisor com3n, los valores t*picos de \i ue se
de+nen mediante re, oscilan desde unos cuantos cientos de o)ms )asta el
orden los Pilo)ms, con valores m/imos de entre @ y 1 Pilo)ms.
)ara la impedancia de salida las caracter6sticas de inter7s son el con<unto de
salida de la fgura 5.(-, >bs7rvese que la pendiente de las curvas se
incrementa con el aumento en la comente de colector. *uanto ms elevada
sea la pendiente, menor ser el nivel de la impedancia de salida #Jo'. El
modelo re de la fgura 5.(" no incluye una impedancia de salida, pero si se
halla disponible a partir de un anlisis grfco o de ho<as de datos, puede
incluirse como se ilustra en la fgura 5.(/.
<i!ura 2.2& 1enicin de ro para la con!uracin de e#isor co#$n.

<i!ura 2.2' Insercin de ro en el circuito e8ui0alente de transistor.
7ara la con+%uracin de emisor com3n, valores t*picos de Jo se encuentran
en el intervalo ue va de los K0 a los <0 Po)ms.
)ara el modelo de la fgura 5.(/, si se establece a cero la se.al aplicada, la
corriente es de > y la impedancia de salida es
Jo = ro

)or supuesto, si la contribucin debida a ro se ignora como en el caso del
modelo re la impedancia de salida se defne por Jo B . - _
La ganancia de volta<e para la confguracin de emisor com@n se
determinar ahora por la confguracin de la fgura 5.(1 haciendo uso de la
suposicin que Jo B . El efecto de incluir - _ ro se considerar en el
cap6tulo 1. )ara la direccin defnida por "o y polaridad de .o,
.o = -"o4'
<i!ura 2.2* 1eter#inacin de la !anancia de 0olta,e y corriente para el
a#plicador de transistor de e#isor co#$n.

El signo menos re?e<a simplemente el hecho de que la direccin de "o en la
fgura 5.(1 establecer un volta<e .o con polaridad opuesta. l continuar
llegamos a
.o = -"o4' = -"C4' = - " _ b4'
.i = "iJi = "b _ re
=v = .o 2 .i = - " _ b4' 2 "b _ re
=v = -4' 2 re
El signo menos resultante para la ganancia de volta<e revela que los volta<es
de entrada y salida se encuentran desfasados en "K3O. La ganancia de
corriente para la confguracin de la fgura 5.(1!
=i = "o 2 "i = "C 2 "b = " _ b 2 "b
=i = _
Dtilizando el hecho de que la impedancia de entrada es _ re que la
corriente de colector es _ "b y que la impedancia de salida es ro el modelo
equivalente de la fgura 5.(5 puede ser una herramienta efectiva para el
anlisis que sigue a continuacin. )ara valores de parmetros t6picos la
confguracin de emisor com@n puede considerarse como aquella que
disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un volta<e y una
ganancia de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener
que incluirse en el anlisis de la red.
<i!ura 2.22 3odelo re para la con!uracin de transistor de e#isor
co#$n.

Con!uracin de colector co#$n
)ara la confguracin de colector com@n normalmente se aplica el modelo
defnido para la confguracin de emisor com@n de la fgura 5.(", en vez de
defnir un modelo propio para la confguracin de colector com@n. En
cap6tulos subsecuentes se investigarn varias confguraciones de colector
com@n y llegara a ser evidente el efecto de utilizar el mismo modelo.

&.' El #odelo e8ui0alente 9)"rido.
En la seccin -.- se se.al que el modelo re para un transistor es sensible al
nivel de operacin de cd del amplifcador. El resultado es una resistencia de
entrada que variar en el punto de operacin de cd. )ara el modelo
equivalente h6brido que se describir en esta seccin se defnen los
parmetros en un punto de operacin que puede o no re?e<ar "as
condiciones de operacin reales del amplifcador. Esto se debe al hecho de
que las ho<as de especifcaciones no pueden proporcionar los parmetros
para un circuito equivalente para todo punto de operacin posible. Los
fabricantes deben escoger las condiciones de operacin que creen que
re?e<arn las caracter6sticas generales del dispositivo.
<i!ura 2.%2 Circuito e8ui0alente 9)"rido co#pleto.

'.1 -olari/acin por di0isor de
0olta,e.
Los modelos de transistores que se presentan en el cap6tulo + se utilizarn
ahora para realizar el anlisis de ca de peque.a se.al de un buen n@mero
de confguraciones estndar de redes con transistor. Las redes que se
analizarn representan la mayor parte de las que aparecen en la prctica
actual. Las modifcaciones de las confguraciones estndar se e8aminarn
con relativa facilidad una vez que el contenido de este capitulo se haya
revisado y entendido.
Ma que el modelo re es sensible al punto de operacin real, ser nuestro
modelo principal para el anlisis que se realizar. 9in embargo, para cada
confguracin se e8amina el efecto de una impedancia de salida como se
proporciona mediante el parmetro )oe del modelo equivalente h6brido. )ara
demostrar las seme<anzas que e8isten en el anlisis entre los modelos, se
ha dedicado una seccin al anlisis de peque.a se.al de redes $%&
empleando @nicamente el modelo equivalente h6brido.
*ircuito equivalente para *D

*ircuito equivalente para *.




Zi:
Zo:
Jo = 4c

Av:
.o B 4"&4'
"& = ("C4C,2(4C#4', . _ & = -("C4C,4' 2(4C#4',
.o = .i4Q' 2 re . _ o 2 .i = -4Q' 2 re
=v = -4Q' 2 re
Ai: 0recuentemente el valor de 4Q es muy cercano a _ re por lo tanto
no puede ser ignorado.
"b = 4Q"i 2 (4Q # r _ e,

"b 2 "i = 4Q 2 (4Q # r _ e,


En la salida

E;ecto de ro5 Ji no cambia pero Jo = ro 4c
ro B " A )oe
=i = "o 2 "i

E,e#plo5
*alcule el punto Y, re, Ji, Jo, =v, =i para el amplifcador que se muestra!
$ = " N;z
Rc - 3." 4
CB B0 2 > $ 0.>> u: _ _
C> B.? u: _
C? B.0@ u: _

An4lisis de C15
_ 4E = #23'#"./ N ' B "+/ N _ _
"34> B #"3'#K.( N ' B K( N , _ _ _ _ 4E V "34>
_ se puede emplear el anlisis apro8imado

.E = .B - .BE = (.K" 4 3.5 B (."" Lcd
"E = .E 2 4E =(."" L A "./ N B ".-" m _
.CE = .CC - "C(4C # 4E,, donde "C " _ E
.CE = (( 4 #".-"m'#1.K N J "./ N ' B "3.(25 Lcd _ _
-unto .cd5 61E.2D2 LJ 1.&1 #A7

An4lisis de CA5
re = (1 mL A "E = (1 mL A ".-" m
re M 1I.&&
_ re =#23'#"K.--' B ".11 N _
Zi ! 1.%' Q
Zo ! R" ! *.I Q , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el
(G-"(+! )oe = "- u para "c _ ".-" m
Av ! **.*&

Ai ! 'D.I&



'.2 Con!uracin de polari/acin de
e#isor para e#isor co#$n.

*ircuito equivalente de *D


*ircuito equivalente de *



*omo .i est en paralelo con 4B y con la suma de _ re J _ 4E .i = " _ 4B 4B
.i = "b _ re # "e4E = "b _ re # ( # B," _ b4E
Jb = .i 2 "b = r _ e # ( #B,4 _ E
Jb (r _ _ e # 4E,, si 4E 66 re J _ b 4 _ _ E

Z i:


E,e#plo
Dado el siguiente circuito encuentre!
a. )unto Y y valor e8acto para "E
b. Ji
c. Jo #sin ro y con ro' suponga que )oe B // uD
d. =v
e. =i


a'
"E = ( # B," _ B = #"("'#-1./ u' B /.1+ m
"c = " _ B =#"(3'#-1./ u' B /./K m
.CE = .cc - "c #4c # 4E' B (3 4 #/./K m'#".+N J ".(N' B 1.3/ Lcd
-unto . 6*.E' LcdJ '.'I #A7
IE ! '.*% #A

b'
re = (1 mL A /.1+ m B -.1( ohms
Zi ! D&.*' Qo9#s

c'
Jo = 4c
Zo ! 1.% Q #sin ro'

9i ro B " A )oe B" A // uD B"K."K N _
Zo ! 1.21 Q #con ro'

d'
Av ! HE.%

e'
Ai ! &E.'2


Z o :
9i .i B 3, "b B 3 y _ "b es un corto circuito
Jo = 4c

A v :

A v : 0recuentemente la magnitud de 4B es muy cercana a Jb,
por lo tanto no se puede apro8imar "b = "i. Es necesario aplicar
la regla del divisor de corriente.
E#e"to $e r o : La colocacin de ro para esta confguracin es
tal que para los valores de parmetros t6picos, el efecto de ro
sobre la impedancia de salida y ganancia de volta<e se pueden
ignorar!

'.% Con!uracin de e#isor
se!uidor.
*uando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de en el
colector, la red recibe el nombre de emisor seguidor.
El volta<e de salida #*' siempre es un poco menor que la se.al de entrada,
debido a la ca6da de base a emisor, a pesar de esto la apro8imacin =v _ "
casi siempre es satisfactoria.
diferencia del volta<e en el colector, el volta<e en el emisor est en fase
con la se.al .i, de ah6 el nombre de Cemisor seguidorC.

En la fgura se muestra la confguracin ms com@n de emisor seguidor.
*omo se puede observar, para anlisis de * el colector est conectado a
tierra, as6 que 7sta es una confguracin de colector de colector com@n.
Esta confguracin se utiliza con propsitos de acoplamiento de impedancia.
)resenta una elevada impedancia de entrada y una ba<a impedancia de
salida, lo cual es opuesto por completo a las confguraciones anteriores. El
efecto resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador.

*ircuito equivalente de *D


,alla de Entrada

,alla de 9alida


*ircuito equivalente de *
Gtese que .i est en paralelo con 4B, pero tambi7n con _ re # 4Q _ ', as6
que! .i = Jb"b

Zi:
s6 que

Zo:
, y en t7rminos de "e multiplicando por _ # "
9i se dibu<ara un circuito representando a esta ecuacin!

Eecuerde que para obtener Jo, .i se establece a cero volts, as6 que!
9i se toma en cuenta ro _ 4Q' est en paralelo con ro

Av: De la fgura anterior se puede obtener la ganancia de
volta<e.

Ai: De la fgura del circuito equivalente!


La siguiente es tambi7n una red de emisor seguidor, pero se polariza por
divisor de volta<e.


En este caso para * se sustituye 4B por 4B paralela a 4> y para *D se aplica
lo visto para la polarizacin por divisor de volta<e, si _ 4E _ "34> _
nlisis apro8imado. En el caso contrario se aplica el anlisis e8acto.

La siguiente tambi7n es una red de emisor seguidor, la cual utiliza
polarizacin por divisor de volta<e y adems se incluye una resistencia en el
colector para controlar el .CE.

)ara el anlisis en *, la 4C incluida no tiene efecto, ni en Jo, ni en la
ganancia y 4B se sustituye por 4B paralela a 4>.
)ara *D es un circuito de polarizacin por divisor de volta<e.

E,e#plo5
)ara la red de emisor seguidor que se muestra en la fgura calcule!
a. )unto Y
b. re
c. )armetros! Ji, Jo, =v, =i.
a' *ircuito equivalente de *D!

b'
c'

Ap:ndice al cap)tulo '.

CON<IA=RACI>N 1E E3ISOR CO3BN CON -O(ARIGACI>N <IJA
*ircuitos Equivalentes de *
Zi:

Zo: Fmpedancia de salida B Jo para .i B 3 _ "b B 3, Jo = 4c

Av:
El signo menos indica que la polaridad de .o es opuesta a la defnida por la
direccin indicada de "o.

Ai:

E#e"to $e r o : Ji no cambia, pero


TRANSISTORES DE %ARRERA S&ERFICIA'.
-Transistor (i$ire""iona): realiza la funcin de conmutacin en ambos sentidos del ?u<o de
se.ales, a trav7s de un circuito. mpliamente utilizado en los circuitos conmutacin
telefnica.
-Transistor (ipo)ar: transistor de punta en el que el emisor y el colector son electrodos de
contacto de punta que hacen presin en los centros de las caras de un disco delgado de
material semiconductor que sirve de base.
-Transistor $e a)ea"i*n-$i#+si*n: es el combinado de las t7cnicas de aleacin y difusin de
un modo diferente a la de un transistor de difusin4aleacin.
-Transistor $e a),a"ena,iento $e "ar-a: es el que la unin base4colector se carga
cuando se aplica polarizacin directa estando la base a nivel alto y el colector a nivel ba<o.
-Transistor $e (arrera $e +ni*n: construido por aleacin de la base con el material
terminal de un conductor.
-Transistor $e (arrera intr.nse"a: transistor triodo en el que las barreras superfciales
estn constituidas sobre los lados opuestos de una lmina de germanio tipo n por
depresiones grabadas, y ulterior electromoldeo de los puntos de colector y emisor que
funcionan como contactos rectifcadores.
TRANSISTORES DE %ASE DIF&SA.
-Transistor $e (ase $i#+sa: transistor en el que es obtenida una regin no uniforma de
base por difusin gaseosa. La unin base4colector est tambi7n formada por difusin
gaseosa, por tanto la unin base4emisor es una unin convencional de aleacin.
-Transistor $e (ase ,et/)i"a: consistente en una base constituida por una pel6cula
metlica delgada interpuesta entre dos semiconductores tipo n, estando el semiconductor de
emisor ms dopado que la base a fn de conseguir una mayor relacin entre la corriente de
electrones y la corriente de huecos. La respuesta de frecuencia es mucho ms elevada que la
de los transistores convencionales.
-Transistor $e "a,po: transistor unipolar.
-Transistor $e "a,po interno: tiene dos uniones planas paralelas, con un apropiado
gradiente de resistividad en la regin base entre las uniones para me<orar las respuestas a
elevadas frecuencias.
-Transistor $e "apa a-ota$a: funciona por el movimiento de los cortadores a trav7s de las
capas desiertas o capas agotadas tal como un espacistor.
-Transistor $e "apa $e $i#+si*n: transistor de unin en las que las uniones fnales estn
constituidas por difusin de impurezas cerca de una unin de crecimiento.
-Transistor $e "+atro "apas: tiene cuatro regiones conductores pero solo tres terminales.
Dn e<emplo de este tipo es el tiristor.
-Transistor $e $i#+si*n: transistor en el que el ?u<o de corrientes es resultado de la difusin
de portadores donadores o aceptadores, como en un transistor de unin.
-Transistor $e $i#+si*n ,i"roa)ea$o: transistor en el que el cuerpo semiconductor es
previamente sometido a difusin gaseosa a fn de producir una regin de base no uniforme.
-Transistor $e $o()e $i#+si*n: est formado de dos uniones en la pastilla de
semiconductor, por difusin gaseosa de ambos de impurezas p y n. )uede tambi7n formarse
una regin intr6nseca.
-Transistor $e $o()e e,isor: transistor epita8ial planal pasivado p-n-p de silicio que tiene
dos emisores para su utilizacin en interruptores de ba<o nivel.
-Transistor $e $o()e s+per0"ie: transistor de puntas en los que buscadores de emisor y
colector estn en contacto con los lados opuestos de la base.
-Transistor $e e#e"to $e "a,po: transistor en el que la resistencia al paso de la corriente
desde el electrodo fuente al electrodo drenador se modula por aplicacin de un campo
el7ctrico transversal entre los electrodos de graduador o puerta. El campo el7ctrico modifca
la densidad de la capa empobrecida entre las puertas, reduciendo por tanto la conductancia.
TRANSISTORES DE 1OD&'ACIN DE COND&CTIVIDAD.
-Transistor $e e#e"to $e "a,po ,eta)-*2i$o-se,i"on$+"tor: transistor de efecto de
campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de
8ido de sicilio. *uando en el modo de empobrecimiento, una tensin negativa de puerta
reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con
polarizacin nula de puerta. *uando funciona en el sentido de enriquecimiento, la puerta se
polariza en sentido directo para incrementar la carga del canal y aumentar la conductancia
de este. 9e pueden obtener ambos tipos de funcionamientos de un sustrato de tipo n o de
tipo p, respectivamente.
-Transistor $e e#e"to $e "a,po ,+)ti"ana): es en el que se aplica tensiones adecuadas a
la puerta de entrada para controlar el espacio entre los canales de ?u<o de corriente. La
utilizacin de ms de un canal permite el empleo de corrientes ms intensas sin reducir la
respuesta de frecuencia lo que normalmente ocurre cuando se aumenta el tama.o de un
dispositivo de canal @nico para acomodarlo a mayor intensidad.
-Transistor $e e,isor 3 "on$+"tor $i#+sos: es el que tanto el emisor como el colector han
sido constituidos por difusin.
-Transistor $e $i#+si*n: transistor de unin, obtenido por enfriamiento brusco despu7s de
la funcin de una determinada regin.
-Transistor $e -an"ho: tiene cuatro capas alternadas tipo p y n, con una capa ?otante
entre la base y el colector. Esta disposicin da lugar a altas ganancias de la corriente de
entrada de emisor.
TRANSISTORES DE 1&'TIE1ISOR.
-Transistor $e ,+)tie,isor: tiene uno o ms emisores adicionales. Dtilizado principalmente
en los circuitos lgicos.
-Transistor $e pe)."+)a $e)-a$a: transistor de efecto de campo construido enteramente
mediante t7cnicas de pel6culas delgadas para su utilizacin en circuitos de esta naturaleza.
Dn electrodo de puerta, de metal delgado, est separado por una pel6cula delgada
semiconductor que por lo general est constituida por sulfuro de cadmio la corriente circula a
lo largo de un canal por la capa del semiconductor. Entre dos electrodos denominados
#+ente 3 $rena$or. La intensidad de corriente se consigue mediante la tensin aplicada a la
puerta aislada.
-Transistor $e poten"ia: transistor de unin que puede traba<ar con corrientes y potencias
elevadas. 9e usa principalmente en circuitos de audio y conmutacin.
-Transistor $e pre"isi*n $e a)ea"i*n $e si)i"io: Es en el cual las t7cnicas de aleacin y
grabado se combinan para producir una elevada frecuencia de respuesta y un estrecho
control de los parmetros de transistor, tal como se requiere para aplicaciones de
conmutacin de ba<o nivel y elevada resolucin.
-Transistor $e p+erta $e "ontro): Es en el que un electrodo de puerta cubre las uniones
del emisor y el colector, permitiendo la aplicacin de un campo electrnico a la superfcie de
la regin de la base.
-Transistor $e p+ntas: tiene un electrodo base y dos o ms puntos de contacto poco
separadas entre si, sobre la superfcie del germanio tipo n. La presin de los contactos crea
una peque.a zona de material tipo p ba<o cada contacto produciendo las uniones necesarias
para un transistor.
-Transistor $e p+nta 3 $e +ni*n: tiene un electrodo base y una punta de contacto adems
de electrodos de unin.
-Transistor $e #+si*n: transistor de unin en que esta se obtiene por fusin de un
semiconductor dopado en forma apropiada, permitiendo su solidifcacin ulterior
repetidamente.
-Transistor $e s+per0"ie pasiva$a: transistor cuya superfcie semiconductoras han sido
protegidas contra el agua, los iones y otras condiciones ambientales por pasivacin, en la
cual un compuesto protector est qu6micamente unido a la superfcie del cristal
semiconductor.
TRANSISTORES DE &NIN E'ECTRO4&51ICA.
-Transistor $e +ni*n: construido de un transistor de unin de aleacin que se fabrica
colocando grnulos de una impureza tipo p, tal como el indio, encima y deba<o de una lmina
de germanio tipo n, y luego calentando la lmina hasta que la impureza se alee con el
germanio dando lugar a un transistor de tipo p-n-p.
-Transistor $e +ni*n $i#+sa: es en el que los electrodos del emisor y del colector han sido
obtenidos por difusin de una impureza metlica en el cuerpo del semiconductor sin
calentamiento.
-Transistor $e tres +niones: tiene tres uniones y cuatro regiones de conductividad
alternadas. La cone8in del emisor puede tener lugar en la regin p a la izquierda la cone8in
de la base en la regin adyacente n.
-Transistor $e +ni*n e)etro6+.,i"a: construido por ataques de las dos caras opuesto a
una placa de germanio tipo n por chorros de una solucin salina tal como cloruro de indio, la
placa , primeramente positiva con respecto a los de proyeccin, pasa entonces a ser negativa
con relacin al deposito de indio sobre los caracteres formados.
TRANSISTORES DE &NIN 7RAD&A'.
-Transistor $e +ni*n -ra$+a): transistor por crecimiento variable.
-Transistor $e +ni*n intr.nse"a: de cuatro capas una de las cuales est formada por
semiconductores de tipo i y situada entre la base y el colector, como los transistores p-
n-i-p, n-p-i-n, p-n-i-n y n-p-i-p.
-Transistor $e 8ona $esierta: transistor de capa agotada.
-Transistor $e) tipo $e e,po(re"i,iento: transistor metal48ido de efecto de campo en
el que los portadores de carga e8istentes presentan una polarizacin de entrada nula, si bien
estas cargas son neutralizadas por la aplicacin de una polaridad inversa.
-Transistor $e) tipo $e enri6+e"i,iento: transistor 1OS de efecto de campo en el que la
puerta est polarizada en sentido directo y cubre todo el canal a fn de enriquecer su carga e
incrementa su conductancia.
-Transistor $o()e,ente $opa$o: transistor de unin por crecimiento, formado por adicin
sucesiva de impurezas tipo p y tipo n o la fusin durante el crecimiento del cristal.
-Transistor epita2ia) $e +ni*n $i#+sa: transistor de unin obtenido por crecimiento por
una capa delgada de elevada pureza de un material semiconductor fuertemente dopada del
mismo tipo.
-Transistor epita2ia) ,esa $i#+so: en el que la capa epita8ial delgada de elevada
resistividad est depositada sobre el sustrato, sirviendo como colector.
-Transistor 0)i#or,e: transistor de modulacin de conductividad cuya longitud es mucho
mayor que sus dimensiones transversales.
-Transistor ,esa: obtenido sometiendo una lmina o pastilla de germanio o sicilio a ataque
qu6mico de modo que las regiones correspondientes a la base y al emisor aparezcan
escalonadamente como mesetas por encima de la regin de colector.
-Transistor 1OS $e e#e"to $e "a,po: &ransistor de efecto de campo metal48ido4
semiconductor.
TRANSISTORES N--N.
-Transistor n-p-n: &ransistor de unin que tiene una base tipo p entre un emisor tipo n y un
colector tipo n. El emisor debe entonces ser negativo con respecto a la base , y el colector
positivo.
-Transistor n-p-i-n: &ransistor de unin intr6nseca en el que la regin intr6nseca est
interpuesta entre la base tipo p y las capas tipo n del colector.
-Transistor n-p-i-p: &ransistor de unin intr6nseca en el que la regin intr6nseca est entre
regiones p.
TRANSISTORES N--N-.
-Transistor n-p-n-p: &ransistor de unin n-p-n que tiene adems una capa de transicin o
?otante entre los regiones p y n, en la que no se establece cone8in hmica. Denominado
tambi7n transistor p-n-p-n.
-Transistor pasiva$o: )rotegido contra fallos prematuros por pasivacin.
-Transistor pento$o $e e#e"to $e "a,po: tiene cinco terminales que tiene tres puertas.
)uede traba<ar como pentodo, si se polarizan independientemente cada una de las puertas.
-Transistor p)anar $e si)i"io: 0abricado por la t7cnica planar, que implica una serie de
ataques qu6micos y difusiones, y que producen un transistor de silicio con una capa de 8ido.
-Transistor p)anar $e +ni*n: parecido al de unin difusa, pero en el cual se consigue una
penetracin localizada de las impurezas recubriendo algunas partes de la superfcie del
cristal con un compuesto de 8ido tal como di8ido de silicio. Este proceso se llama
pasivacin de superfcie.
-Transistor p-n-i-n: transistor de unin intr6nseca en el que la regin intr6nseca est situada
entre regiones n.
-Transistor p-n-i-p: &ransistor de unin intr6nseca en la cual la regin intr6nseca est entre la
base tipo n y el colector tipo p.
-Transistor por "re"i,iento varia()e: de unin en la cual las impurezas #tales el galio y el
antimonio' se disuelven a la vez, y la temperatura asciende y desciende repentinamente
para producir capas alternas de tipo p y n. 9e llama tambi7n transistor de unin gradual.
-Transistor si,9tri"o: de unin en lo que los electrodos emisor y colector son id7nticos y
sus terminales intercambiables.
-Transistor tetro$o: transistor de cuatro electrodos, tal como un transistor tetrodo de
puntas o un transistor de unin de doble base.
-Transistor tetro$o $e e#e"to $e "a,po: con cuatro conductores con dos puertas que
permiten el funcionamiento del tetrodo si se utiliza polarizacin separada para cada puerta.
-Transistor tetro$o $e p+ntas: transistor de puntas con un colector y dos emisores.
-Transistor tetro$o $e +ni*n: transistor de unin de doble base.
-Transistor +nipo)ar: transistor que utiliza portadores de carga de una sola polaridad, tal
como ocurre en un transistor de efecto de campo.
-Transistor +ni+ni*n: barra de semiconductor tipo n con una regin de aleacin tipo p en
un lado. Las cone8iones se establecen en los contactos de las bases situados en ambos
e8tremos de la barra y en la regin p. El transistor tiene una caracter6stica anloga a la de un
tiratrn entre el terminal de la regin p y el terminal de la base negativa.
TRANSISTOR CO1'E1ENTARIOS.
-Transistor "o,p)e,entario: dos transistores $ opuesta conductividad #p-n-p y n-p-n'
incorporados en la misma unidad funcional.
TRANSISTORES EN CASCADA.
-Transistor $e "as"a$a: dos transistores montados en una misma cpsula y conectados en
serie.
-Transistor en "one2i*n "o,p+esta: disposicin de dos transistores en la que la base de
uno se conecta al emisor del otro y los dos colectores se conectan entre s6. La combinacin
debe ser considerada como un transistor simple que posee un elevado factor de
amplifcacin de corriente.