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DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA
Curso Laboratorio de Electrónica Básica
Código IELE - 2205
Semestre 2013-10
Prerrequisitos
Co-requisitos Electrónica Básica (IELE – 2204)

Profesor
Lorena García
Posada
lm.garcia438@uniandes.edu.co
Asistentes de
Laboratorio
Gerardo
Roque
ga.roque10@uniandes.edu.co

Andrés M.
Asprilla
am.asprilla257@uniandes.edu.co



Práctica de laboratorio 4
Comportamiento en DC de transistores bipolares


OBJETIVOS
Identificar las regiones de operación de un BJT
Calcular diferentes parámetros del transistor y sus curvas de operación
Entender y analizar diferentes configuraciones de polarización de
transistores BJT en sus diferentes regiones
Analizar y diseñar diferentes configuraciones de polarización en región
activa para BJTs.
Trabajar la conmutación de transistores en aplicaciones sencillas.
Identificar el efecto de parámetros externos como temperatura e internos
como tolerancias en resistencias y transistores en el funcionamiento de
circuitos activos
MATERIALES
COMPONENTES
1. Resistencias de 100.
2. Resistencias de 1k.
3. Resistencias de 10k.
4. Resistencias de 100k.
5. Condensador cerámico de 1nF
6. Resistencias de acuerdo a los valores calculados para las figuras 1 y 2.
7. Transistores 2N3904.
8. Transistores 2N2222.
9. Transistor 2N3906.
10. Transistor TIP31C.

EQUIPOS
1. Multímetro digital (DM)
2. Osciloscopio
3. Generador de señales
4. Fuente de tensión


DESCRIPCIÓN GENERAL
En esta práctica el estudiante comprobará experimentalmente los conceptos vistos en clase
con respecto al funcionamiento, regiones de operación, curvas características, polarización y
aplicación en conmutación de los transistores de unión bipolar BJTs.
Para esta práctica se disponen de dos sesiones, y se encuentra dividida en siete (7) etapas
que serán evaluadas a partir del informe final (etapa 7) y el trabajo en clase.
Etapa 1 (Identificación de terminales) 5%
Etapa 2 (Regiones de operación) 10%
Etapa 3 (Característica IC vs VCE) 10%
Etapa de Diseño 10%
Etapa 4 (Polarización con Realimentación) 10%
Etapa 5 (Polarización Divisor de Voltaje) 10%
Etapa 6 (Conmutación) 5%
Etapa 7 (Aplicación de conmutación) 10%
Etapa 8 (Informe) 30%



SESIÓN 1

ETAPA 1 – IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES
Identifique con el multímetro (medición de diodo), las terminales del transistor (E,B,C).
Explique los procedimientos que le permiten distinguir las terminales de cada elemento
(deberá consignarlos en el informe por medio de un diagrama de bloques) y cómo detectaría
fallas en un transistor bipolar NPN y PNP.


ETAPA 2 – REGIONES DE OPERACIÓN
Realice el montaje de la figura 1, usando RB = 1 M, RC = 5 k, RE = 100 y VCC = 5 V.

Figura 1. Montaje para determinar regiones de operación

1. Incremente V
BB
hasta que I
C
= 0.5 mA. Mida V
BE
y V
BC
. En cuál región de operación
se encuentra el transistor?
2. Ahora mida I
B
. Cuál es el valor de β? Compare con los valores dados en la hoja de
datos del transistor (parámetro h
FE
)
3. Con el valor hallado calcule α. Use α para calcular I
E
. Luego, mida I
E
en el circuito y
compare ambos valores.
4. Examine la dependencia de la corriente del colector con respecto a la temperatura.
Ponga sus dedos alrededor del transistor y mida I
B
e I
C
. Se observa algún cambio con
respecto al valor medido anteriormente?. Utilice la ecuación conocida para la
corriente del colector y explique cómo espera que varíe I
C
con la temperatura, y
compare esto con los resultados experimentales.
5. Ajuste V
BB
= 4 V y V
CC
= 2 V. Mida I
B
, I
C
, V
BE
y V
BC
. En cuál región de operación se
encuentra el transistor?
6. Ajuste V
BB
= -3 V y V
CC
= 5 V. Mida I
B
, I
C
, V
BE
y V
BC
. En cuál región de operación se
encuentra el transistor?

ETAPA 3 – MEDICIÓN DE LA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA I
C
vs. V
CE

Realizar, con anterioridad, el montaje del circuito de la figura 2.

Figura 2. Circuito para observar I
C
vs V
CE


Coloque el generador en: onda triángulo, 100 Hz. Varíe el control de ”OFFSET” hasta 5 V y
ajuste la amplitud de la onda triangular a 10 Vpp. Dibuje la gráfica que observa en el
osciloscopio en modo XY indicando las escalas en cada eje.
Varíe el valor del Potenciómetro 6 veces, empezando desde un extremo y llegando al otro, y
mida para cada caso con el Multímetro el voltaje entre Base y Emisor. Observe qué pasa con
la gráfica anterior. Las variaciones en la gráfica determinarán una serie de curvas para el
transistor, cada una de ellas identificada por el valor de voltaje entre Base y Emisor medido
(Familia de curvas). Interprete las distintas regiones de la gráfica.



SEGUNDA SESIÓN


Realizar por grupos los siguientes puntos y llevar consignados los procedimientos y
resultados.
1. Para el circuito de la figura 3, calcule Rb y Rc para Ib = 0,1mA y Vce = Vcc/2. Ajuste
estos valores a valores comerciales y realice la simulación con los valores calculados
y ajustados.
2. Para el circuito de la figura 4, si Rb2 = 1kΩ y Re = 100Ω, calcule Rc y Rb1 tal que
Ie= 1mA y Vc = 3V. Ajuste a valores comerciales.
3. ¿Cómo se modifica la polarización si Rb1 y Rb2 se multiplican por 100?
4. Para el circuito de la figura 6:
a. Con base en la hoja de datos del transistor 2N2222, determine el valor de la
resistencia de colector R3 para limitar la corriente a 10mA con un voltaje
Vcc= 12V.
b. Usando el β mínimo del transitor, determine la corriente de base requerida
para llevar a Q1 a saturación con Ic = 10mA.
c. Para garantizar la saturación, calcule el valor de R1 necesario para
proporcionar suficiente corriente de base a Q1. Elija R2 arbitrariamente alta
para garantizar que la base de Q1 esté cerca de tierra cuando no haya
voltaje de entrada.
d. Calcule el valor de R4 de tal forma que se proporcione suficiente corriente de
base a Q2 para garantizar la saturación con una carga que consuma una
carga equivalente a la que consume un LED.
5. Realice las simulaciones respectivas (para cada figura) en Orcad y compare con los
cálculos teóricos. Analice y comente.


ETAPA 4 – POLARIZACIÓN CON RESISTENCIA DE REALIMENTACIÓN
Para el circuito de la figura 3 realice mediciones de Ib, Ic y Vce de acuerdo a los valores de
resistencias calculadas. Repita estas mediciones para diferentes referencias de transistores y
diferentes transistores de la misma referencia para completar la tabla 1.

Figura 3. Circuito de polarización BJT

Transistor Ib Ic Vce β
2N3904
2N2222
TIP31C
2N3904
2N2222
Tabla 1. Mediciones para diferentes transistores

¿Existen variaciones con respecto a los valores teóricos? ¿Por qué?.
¿Por qué varían las mediciones cuando se cambia de transistor?


ETAPA 5 – POLARIZACIÓN CON DIVISOR DE VOLTAJE
Para el circuito de la figura 4, con el transistor 2N3906, Rb2 = 1k y de acuerdo a los valores
calculados en la etapa de diseño, realice las mediciones de Ib, Ic y Vce y consígnelas en la
tabla 2. Aumente las resistencias Rb1 y Rb2 en 100 veces, repita las mediciones y
consígnelas en la tabla 2.

Figura 4. Circuito de polarización BJT

Rb2 Ib Ic Vce β
1K
100K
Tabla 2. Mediciones para diferentes resistencias

Como varían los valores medidos de acuerdo a la resistencia Rb2?


ETAPA 6 – CONMUTACIÓN DE TRANSISTORES


Monte el circuito mostrado en la Figura 5.





Figura 5. Circuito conmutador.


Excite el transistor con una señal de 500KHz, 5Vp y 2.5V de offset en el punto marcado como
V4, y mida la salida sobre el colector.


Coloque el condensador de 1nF cerámico en paralelo con la resistencia R2 y responda las
siguientes preguntas:

¿Qué sucede con la tensión en el colector del transistor?
Explique brevemente por qué ocurre ese fenómeno.


TERCERA SESION

ETAPA 7 – APLICACIÓN EN CONMUTACIÓN
Se desea desarrollar un sistema de alarmas para detectar intromisiones forzadas en un
edificio. Cada zona posee un sensor que detecta si una entrada (puerta, ventanas) ha sido
abierta. La detección de una intrusión es utilizada para iniciar una señal de alarma (audible y
visual). El sistema se construirá a base de transistores funcionando como interruptores. Un
esquema básico se presenta en la figura 6. Esta configuración permite que cuando el sensor
está cerrado (conectado a una señal positiva) la salida esté en circuito abierto, lo que
permite que muchos de estos circuitos (uno por sensor) puedan estar conectados sin
conflicto a la misma carga.
V5
Vdc
V4
R2
100k
0
0
R1
1k
Q1
Q2N2222

Figura 5. Aplicación en conmutación del BJT.

Con los valores encontrados en la etapa de diseño, realice el montaje del circuito y
compruebe su funcionamiento, utilizando un LED a la salida para comprobación.
Presente el circuito al asistente.


ETAPA 8 – INFORME
Tiempo de Ejecución: Inicio de la siguiente sesión
1. Describir los procedimientos realizados para obtener los datos tomados en la práctica de
laboratorio.
2. Presentación ordenada de los datos con su respectivo análisis o comentarios, incluyendo
todas las gráficas solicitadas, y las respuestas a todas las preguntas formuladas. Para
realizar las gráficas del osciloscopio utilice la plantilla dada (Figura 6).
3. Problemas o inconvenientes presentados durante el desarrollo de la práctica.
4. Conclusiones.


Figura 6. Plantilla para graficar las curvas del transistor

Q1
R1
R3
0
R2
0
VCC
R4
Q2
0
Entrada Sensor
Salida Alarma