UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CRDOBA ARGENTINA

DPTO. ELECTRNICA CTEDRA ELECTRNICA DE POTENCIA 9541-069/10

1
Anlisis de Topologas de Redes Snubber para Transistores de
Potencia en Fuentes Conmutadas

Juan Ignacio Morales
Estudiante Universidad Tecnolgica Nacional, Facultad Regional Crdoba
morales.juan.ignacio@gmail.com


Resumen El propsito de este trabajo es demostrar las
ventajas proporcionadas por las redes snubber aplicadas a
los dispositivos de conmutacin de fuentes conmutadas. Se
abordarn distintas topologas que desempean diferentes
funciones y las ecuaciones que determinan el valor de los
componentes que conforman las redes, respaldadas por
circuitos prcticos y simulacin de los mismos,
demostrando una mejora sustancial en el rendimiento de
los dispositivos de conmutacin, posibilitando un aumento
de eficiencia de la fuente.

Abstract The purpose of this paper is to demonstrate
the advantages provided by the snubber networks
implemented in the switching devices of switching power
supplies. Will approach different topologies that perform
different functions and the equations that determine the
value of the components that make up the networks,
supported by practical circuits and simulation of the same,
showing a substantial improvement in the performance of
switching devices, allowing an increased efficiency of the
power supply.

Index Terms Snubber Networks Design, Converters.

I. INTRODUCCIN

AS redes snubbers son circuitos pequeos pero esen-
ciales en las fuentes conmutadas para controlar la
reactancia del circuito. Las redes snubbers mejoran el
rendimiento de los transistores de potencia proporcionando
mayor eficiencia y menor interferencia EMI, posibilidad de
funcionamiento a una frecuencia de conmutacin ms elevada,
menor tamao y peso del semiconductor.
Bsicamente, una red snubber puede absorber la energa de
los elementos reactivos del circuito. Los beneficios son
amortiguacin del circuito, control de las tasas de cambio de
voltaje (dv/dt) o corriente y (di/dt), o proteccin de sobreten-
siones. Una snubber limita el estrs que debe soportar el
interruptor, mantenindolo dentro de su rea de operacin
segura, aumentando la fiabilidad del mismo. El uso de una
snubber reduce el total de prdidas de conmutacin del
circuito, pero quizs lo ms importante es que reduce las
perdidas en el transistor y por lo tanto las necesidades de
refrigeracin del circuito [1]. Cuando est bien diseada, el
dispositivo interruptor tiene menor disipacin de potencia
promedio y una disipacin de potencia mxima mucho menor.
Las snubber pueden ser combinadas y una aplicacin
determinada puede tener 2 o 3 redes fusionadas para controlar
tanto la corriente como el voltaje del dispositivo interruptor.
Este tipo de redes pueden ser pasivas o activas. En este
trabajo nos enfocaremos en las pasivas, cuyos elementos se
limitan a resistencias, condensadores, inductores y diodos. Las
redes activas incluyen transistores y circuitos adicionales.

II. CLASIFICACIN DE REDES SNUBBER Y DISEO

Existen diversas clasificaciones para las redes snubbers, la
que utilizaremos en este documento ser disipativas y no
disipativas. Una red snubber disipativa transferir la energa a
una resistencia, lo que no es una alternativa eficiente desde el
punto de vista energtico, pero proporciona otro camino para
la energa. Por otro lado, cuando la energa se mueve hacia la
entrada o hacia la salida se le llama red snubber no disipativa,
a pesar de que puede haber algunas pequeas prdidas.
La Fig. 1 muestra los circuitos convertidores bsicos
(buck, boost y buck-boost) elaborados de manera que el
transistor est siempre conectado a tierra. En este enfoque, el
interruptor y la red snubber formarn una sola unidad, un
interruptor amortiguado, que se puede aplicar a la mayora de
las topologas [2].








(a) (b)









(c)

Fig. 1. Circuitos convertidores buck (a), boost (b) y
buck-boost (c).

No todas las snubber son aplicables a un problema
particular. Bsicamente existen redes para control de tasas de
cambio de tensin y corriente, y para control de resonancias.

A. Snubber Disipativas
1) Snubber RC de Tensin: La Fig. 2a muestra una
snubber RC que proporciona amortiguacin de resonancias
parsitas en la etapa de potencia y se utiliza comnmente en el
secundario de transformadores, inductores de salida, y a travs
de diodos y transistores. Es aplicable tambin para reducir la
disipacin de potencia en el interruptor. La Fig. 2b muestra su
aplicacin en el dispositivo de conmutacin en un convertidor.



L
L0
D0
0 0
V
RL C0
L0
D0
0 0
V
RL C0
RL C0
L0
D0
V
0
0
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2









(a) (b)

Fig. 2. Red snubber RC (a), y su aplicacin en un mosfet (b).

En la Fig. 3 se representa un convertidor flyback aislado,
donde al conmutar el interruptor la energa almacenada en la
inductancia de dispersin del primario del transformador
resuena con la capacidad de salida del mosfet (Coss), si no hay
una red snubber. Como el circuito resonante tiene prdidas, la
oscilacin ser mxima en la conmutacin e ir disminuyendo
en los siguientes ciclos (Fig. 4).














Fig. 3. Convertidor flyback con red RC.










Fig. 4. Oscilacin en la tensin drenador surtidor (VDS), graficada en
un intervalo de 10us.

La frecuencia de oscilacin est dada por:
LpCp
f
P
2
1

(1)
donde:
Lp Inductancia parsita
Cp Capacidad parsita

Para el mosfet IRF840, un valor tpico de capacitancia de
salida es Coss=140pF. A partir de la simulacin se observa
una frecuencia de oscilacin de f
P
=14.3MHz, entonces despe-
jando se obtiene una Lp=885nH. En un circuito RLC, el valor
de la resistencia puede ser determinado en funcin de la
amortiguacin del sistema [3]:
C
L
R
2
1

(2)

Una amortiguacin razonable se produce con =0.5.
Reemplazando en la frmula obtenemos el valor de la
resistencia snubber R
S
:
Cp
Lp
R
S

(3)

Se puede aumentar el valor de y minimizar an ms las
oscilaciones a costa de incrementar la potencia disipada en la
resistencia R
S
. Valores ms pequeos de tambin disminu-
yen las oscilaciones, aunque en menor medida. Para la
seleccin del capacitor C
S
, se elige una frecuencia de corte del
filtro RC (Ec. 4) aproximadamente 10 veces menor que la
frecuencia de oscilacin, para que sta sea fuertemente
atenuada y no afectar en gran medida la forma de onda (Ec. 5).
S S
S
C R
f
2
1

(4)
S
P P
P S
S
R
C L
f R
C
10
2
10

(5)

Siguiendo estos lineamientos, se dise la red snubber con
R
S
=78 y C
S
=1.5nF, eliminando en su totalidad la oscilacin
causada por los elementos parsitos (Fig. 5). Para eliminar el
pico mximo de tensin en la conmutacin, se puede
disminuir el valor de la resistencia R
S
y aumentar el valor de
C
S
manteniendo la constante de tiempo. Con R
S
=35 y
C
S
=3.3nF (Fig. 6), la sobretensin es slo del 15% de V
DS
.










Fig. 5. Forma de onda de VDS amortiguada, graficada en un intervalo
de 10us, para RS=78 y CS=1.5nF.










Fig. 6. Forma de onda de VDS amortiguada, graficada en un intervalo
de 10us, para RS=35 y CS=3.3nF.

2) Snubber RCD de Tensin: La Fig. 7a presenta una
snubber RCD aplicable al control de subida de tensin. Las
redes RCD se suelen utilizar para controlar la tasa de aumento
de tensin en el colector o drenador de un transistor de
conmutacin en un convertidor forward, flyback o boost (Fig.
RS
CS
0
RS
CS
RS
CS
D
MUR140
V2
50V RL
2
C
300uF
0
TX2
COUPLING = 0.99
L1_VALUE = 45uH
L2_VALUE = 2uH
R2
1meg
0
IRF840
V TD = 0
TF = 0
PW = 2u
PER = 5u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
0
Time
3.501ms 3.502ms 3.503ms 3.504ms 3.505ms 3.506ms 3.507ms 3.508ms 3.509ms 3.510ms
V(TX1:2)
0V
100V
200V
Time
3.506ms 3.507ms 3.508ms 3.509ms 3.510ms 3.511ms 3.512ms 3.513ms 3.514ms 3.515ms 3.516ms
V(TX1:2)
0V
100V
200V
Time
3.511ms 3.512ms 3.513ms 3.514ms 3.515ms 3.516ms 3.517ms 3.518ms 3.519ms 3.520ms 3.521ms
V(TX1:2)
0V
100V
200V
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3
RS
DS
LS
RS
DS LS
0
7b). En el apagado, la snubber deriva la mayor parte de la
corriente del transistor y la potencia disipada se traslada a la
red amortiguadora. Esto aumenta la fiabilidad del interruptor,
ya que la disipacin de potencia pico se reduce y se controla la
subida de tensin, adems de disminuir la EMI de alta
frecuencia (generada por una conmutacin sin control).







(a) (b)
Fig. 7. Red snubber RCD (a), y su aplicacin en un mosfet (b).

En la Fig. 8 se muestra un convertidor boost y una red
snubber RCD diseada como en la Fig.7a, la cual slo acta
durante la conmutacin. Cuando el transistor se apaga, la
corriente del inductor se deriva a travs de diodo D
S
y el
capacitor C
S
hasta que el mismo se carga a la tensin del
punto. Luego el diodo principal D entra en conduccin.
Cuando el transistor se enciende, C
S
se descarga a travs de R
S

y el transistor. C
S
debe ser completamente descargado en cada
ciclo para ser efectivo el control de la tasa dv/dt.








Fig. 8. Convertidor boost con red RCD.
En la Fig. 9 se representa la forma de onda de V
DS
en su
flanco ascendente, y la forma de onda de la corriente drenador
surtidor (I
DS
) en su flanco descendente para el circuito de la
Fig. 8 sin red RCD.










Fig. 9. VDS sin amortiguar e IDS (magnificada 2 veces), graficadas en
un intervalo de 100ns. El tiempo de subida de VDS es 15ns.

La eleccin de los componentes de la red snubber
comienza por el valor de capacidad. Utilizando la frmula:
V
t I
C
S

(6)
donde:
t Tiempo de subida de la tensin
V Tensin a la que se carga el capacitor C
S

I Corriente mxima del inductor L

El tiempo de subida se elige de acuerdo a las caractersticas
del semiconductor y se calcula C
S
. Luego se adopta una
constante de tiempo RC aproximadamente 10 veces menor
que el semiperodo de conmutacin, para asegurar la correcta
carga y descarga del capacitor en cada ciclo. Despejando R
S
:
CONM S S
CONM
S
f C C
t
R
20
1
10
2

(7)
donde:
f
CONM
Frecuencia de conmutacin del convertidor

Para el convertidor boost planteado, I=6.0A y V=35.8V.
Eligiendo un t=400ns, el valor del capacitor snubber es
C
S
=67nF y el de la resistencia snubber R
S
=15.
En la Fig. 10 puede observarse el efecto de la red snubber
RCD aplicada, minimizando la potencia disipada en el
transistor en el instante de la conmutacin.










Fig. 10. VDS amortiguada e IDS (magnificada 2 veces), graficadas
en un intervalo de 1000ns. El tiempo de subida de VDS es 400ns.

3) Snubber RLD de corriente: La Fig. 11 muestra una
snubber RLD utilizada para controlar la tasa de crecimiento de
la corriente en el transistor. La inductancia en serie permite
retardar el momento en que la corriente del interruptor alcanza
su valor operativo. Esto reduce la disipacin de potencia
promedio y potencia pico, aumentando la fiabilidad. La
adicin de un diodo en serie con una resistencia reduce
efectivamente la disipacin de la energa, y la convierte en una
red snubber polarizada.







(a) (b)
Fig. 11. Red snubber RLD (a), y su aplicacin en un mosfet (b).
El inductor funciona normalmente luego de encendido el
transistor, y la corriente fluye a travs del diodo y la resisten-
cia cuando es necesario disipar la energa almacenada en el
inductor, en el apagado del transistor.

RS
CS
DS
RS
CS
DS
0
Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(M2:D) I(M2:D)*2
0
20
40
0
RS
RL
15
CS
C
200u L
200uH
DS
D
MUR140
0
0
V2
20Vdc
0
V
TD = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
IRF840
Time
3.51000ms 3.51001ms 3.51002ms 3.51003ms 3.51004ms 3.51005ms 3.51006ms 3.51007ms 3.51008ms 3.51009ms
V(M2:D) I(M2:D)*2
0
20
40
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L
D
D1
D3
D2
C2
C1
LS
0














Fig. 12. Convertidor boost con red RLD.

La eleccin de los componentes de la red snubber RLD
comienza por el valor de inductancia. Utilizando la frmula:

I
t V
L
S

(8)
donde:
t Tiempo de subida de la corriente
V Tensin a la que est sometido el inductor
I Corriente mxima que atraviesa el inductor

El tiempo de subida se elige de acuerdo a las caracterticas
del semiconductor y se calcula L
S
. Se adopta una constante de
tiempo L/R aproximadamente 10 veces menor que el semipe-
rodo de conmutacin, para garantizar la correcta descarga de
la energa almacenada en el inductor en cada ciclo.
Despejando R
S
:
CONM S
CONM
S
S
f L
t
L
R 20
2
10

(9)
donde:
f
CONM
Frecuencia de conmutacin del convertidor

Para el convertidor boost analizado, I=6.0A y V=35.8V.
Eligiendo un t=400ns, el valor del inductor snubber es
L
S
=2.4uH y el de la resistencia snubber R
S
=2.4. En la Fig.
13 puede verse la forma de onda de V
DS
en su flanco descen-
dente y la forma de onda de I
DS
en su flanco ascendente, para
el circuito de la Fig. 12 sin red RLD.









Fig. 13. VDS e IDS sin red snubber RLD, graficadas en un intervalo de
200ns. El pico de IDS alcanza los 27A en un tiempo de 60ns.

En la Fig. 14 puede observarse el efecto de la red snubber
RLD aplicada, minimizando la potencia disipada en el
transistor en el instante de la conmutacin.












Fig. 14. VDS e IDS amortiguada (magnificada 2 veces), graficadas en
un intervalo de 1000ns. El tiempo de subida de IDS es 420ns.

B. Snubber No Disipativas
Los principios bsicos de las snubbers no disipativas son
los mismos que los de las disipativas, diferencindose de stas
por el hecho de no proporcionar amortiguacin.
1) Snubber 3D-2C-1L de tensin: Una red snubber de
tensin controla la tensin mediante la transferencia de
energa a un condensador; cuando la snubber es no disipativa
esa energa se recicla de nuevo hacia la fuente o hacia la carga.
Existen pocos tipos bsicos de snubbers de tensin no
disipativas, que operan en un solo flanco de la forma de onda
de conmutacin y se restablecen en el otro extremo. Todas las
snubbers no disipativas son polarizadas y en algunas aplica-
ciones el diseo se vuelve muy complejo cuando se combina
con redes snubbers de corriente.
La Fig. 15 presenta la aplicacin de una red 3D-2C-1L en
un circuito convertidor genrico, con funcin de controlar la
dv/dt. En general, los capacitores C1 y C2 son iguales en
valor y la frecuencia de resonancia de la snubber (2C+1L) es
mucho mayor que la frecuencia de conmutacin.












Fig. 15. Red snubber 3D-2C-1L aplicada en un convertidor tpico.

El funcionamiento del circuito de la Fig. 15 es el siguiente:
suponemos que el transistor est apagado y el inductor L est
conduciendo a travs del diodo principal D, mientras que C1 y
C2 estn descargados.
Cuando el transistor se enciende, la snubber se debe
restablecer. D1 y D2 no conducen y los condensadores C1 y
C2 se cargarn a V a travs del camino formado por C1, L
S
,
D3 y C2. La corriente fluir a travs de L
S
y resonar con C1 y
C2 hasta que la corriente llegue a cero y D3 se apague.
En este punto, ambos condensadores estn cargados a V y
la snubber est lista para funcionar durante el apagado del
interruptor. Cuando esto suceda, la corriente del inductor
principal fluir a travs de C1 y C2. D1 y D2 estn en serie
con los capacitores y ahora conducen, de modo que C1 y C2
estn en paralelo. Los capacitores controlan la tasa de cambio
del voltaje del transistor, y la disipacin en el apagado del
mismo es muy pequea ya que los capacitores toman toda la
corriente del inductor. El diodo principal D enclava la tensin
IRF840
RS
DS
0
RL
15
C
200u
L
200uH
D MUR140
V1 TD = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
0
V2
20Vdc
0
LS
Time
3.51990ms 3.51995ms 3.52000ms 3.52005ms 3.52010ms 3.52015ms 3.52020ms 3.52025ms 3.52030ms 3.52035ms
V(M3:D) I(M3:D)
0
20
40
Time
3.5198ms 3.5199ms 3.5200ms 3.5201ms 3.5202ms 3.5203ms 3.5204ms 3.5205ms 3.5206ms 3.5207ms
V(L3:1) I(M3:D)*2
0
20
40
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de snubber cuando C1 y C2 estn totalmente descargados y el
ciclo est listo para comenzar de nuevo.















Fig. 12. Convertidor boost con red 3D-2C-1L.

La eleccin de los componentes de la red snubber
comienza por determinar algunos parmetros de trabajo en el
transistor:
- Corriente mxima
- V mxima
- Tiempo de subida deseado

El valor de los capacitores de la red snubber se calcula a
partir de la ecuacin:
V
t I
C
S

2
(10)
donde:
C Valor de cada uno de los capacitores
t Tiempo de subida de la tensin
V Tensin mxima en el transistor
I Corriente mxima en el transistor

El tiempo para la carga de C1 y C2 es la mitad del perodo
de resonancia (C1 y C2 en serie con L
S
). El perodo de
resonancia deber ser inferior al mnimo tiempo de encendido
del transistor para que la red snubber pueda restablecerse
plenamente y la disipacin de energa en el interruptor sea
mnima.
Una vez fijado el tiempo de restablecimiento (o tiempo de
reset), el valor de inductancia L
S
puede calcularse a partir de:
2
2
2

S
R
S
C
t
L
(11)
donde:
t
R
Tiempo de restablecimiento

Es necesario encontrar la corriente pico del inductor L
S

para poder dimensionarlo, valor que tambin es til para la
eleccin del diodo D3. La corriente pico se calcula igualando
la energa inductiva y capacitiva, cuando cada una est en su
punto mximo durante el ciclo. Despejando:
S
S
LS
L
V C
I
2
) (
2

(12)
donde:
I
LS
Corriente pico del inductor L
S


Es importante tener en cuenta que cuando el interruptor se
enciende, el impulso de corriente debe fluir a travs del mismo
para restablecer la snubber. El transistor debe ser capaz de
manejar esta corriente, adems de la corriente de carga. El
inductor L
S
puede ser una espiral grabada en el circuito
impreso, dado su pequeo valor de inductancia y de corriente
en la mayora de los casos, ahorrando as espacio en el diseo
[4].
Para el convertidor boost analizado, I=6.0A y V=35.8V.
Eligiendo un t=400ns, el valor de los capacitores snubber es
C
S
=33.5nF. Eligiendo un tiempo de restablecimiento t
R
=1us,
el valor del inductor snubber es L
S
=6.05uH. El inductor
debe ser diseado para soportar una corriente mxima de
I
LS
=1.8A.










(a)










(b)








(c)
Fig. 16. Tensin VDS (a), tensin en los capacitores snubber VCS
(b), corriente a travs de los capacitores ICS (c). Formas de onda
durante el flanco de subida de VDS, en un intervalo de 1us.










(a)


Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(L2:1)
0V
10V
20V
30V
40V
Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(D5:1,C4:1)
0V
20V
40V
Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
I(D5)
0V
20V
40V
Time
3.5180ms 3.5185ms 3.5190ms 3.5195ms 3.5200ms 3.5205ms 3.5210ms 3.5215ms 3.5220ms 3.5225ms
V(M1:D)
0V
10V
20V
30V
40V
0
R2
15 C3
200u
L
200uH
D
MUR140
V1 TD = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
0
V2
20Vdc
0
D1
D3
D2
C2
LS
IRF840
C1
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(b)










(c)
Fig. 17. Tensin VDS (a), tensin en los capacitores snubber VCS (b),
corriente a travs de los capacitores ICS (c). Formas de onda durante el
flanco de bajada de VDS, en un intervalo de 5us.
En la Fig. 16a se puede observar como la red snubber controla
la tasa de subida de tensin, que se realiza en un tiempo
t=400ns como fue calculado. La Fig. 16c muestra como la
corriente del inductor L es absorbida por la red y no causa
disipacin de potencia en el transistor. La Fig. 17 exhibe cmo
durante el encendido del transistor ste tiene que soportar un
incremento de la corriente (17a), durante un tiempo t
R
=1us
mientras la red snubber se restablece (17b y 17c).

III. CONCLUSIONES

En este trabajo fue presentada una recopilacin de las
topologas ms utilizadas de redes snubber aplicadas en
fuentes conmutadas, y las ecuaciones necesarias para el diseo
de las mismas. Las simulaciones realizadas demostraron la
importancia del correcto diseo de las redes para eliminar
resonancias parsitas y sobrepicos de tensin y corriente,
resultando en una disminucin de la disipacin de potencia en
los dispositivos de conmutacin. Es preciso destacar, que la
implementacin de snubbers est ampliamente difundida y sin
embargo el diseo de las mismas generalmente se realiza de
forma emprica, por lo que el presente trabajo intenta brindar
informacin fehaciente para mejorar el rendimiento de los
convertidores DC/DC.

BIBLIOGRAFA

[1] Daniel W. Hart, Electrnica de Potencia, Pearson
Educacin, 1
era
Edicin en espaol, Madrid, 2001.
[2] Philip C. Todd, Snubber Circuits: Theory, Design &
Application, TI Application Note: SLUP100, May 93.
[3] Jim Hagerman, Calculating Optimum Snubbers,
Hagerman Technology, December 12, 1994.
[4] Marty Brown, Power Supply Cookbook, Newnes, 2
nd

Edition, Woburn, MA, 2001.


DATOS BIOGRFICOS

Juan Ignacio Morales, nacido en Chacabuco, Buenos
Aires, el 12/07/1988. Estudiante de Ingeniera en Electrnica,
Universidad Tecnolgica Nacional, Facultad Regional
Crdoba, Argentina. Actualmente es becario de servicios en el
Laboratorio de Comunicaciones del Dpto. de Ingeniera
Electrnica, UTN-FRC. Sus intereses son: electroacstica,
procesamiento de seales, telecomunicaciones y microcontro-
ladores. E-mail: 51836@electronica.frc.utn.edu.ar.


Time
3.5180ms 3.5185ms 3.5190ms 3.5195ms 3.5200ms 3.5205ms 3.5210ms 3.5215ms 3.5220ms 3.5225ms
V(D5:1,C4:1)
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-I(C6)
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