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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA

DPTO. ELECTRÓNICA – CÁTEDRA ELECTRÓNICA DE POTENCIA – 9541-069/10
1
Análisis de Topologías de Redes Snubber para Transistores de
Potencia en Fuentes Conmutadas

Juan Ignacio Morales
Estudiante Universidad Tecnológica Nacional, Facultad Regional Córdoba
morales.juan.ignacio@gmail.com


Resumen – El propósito de este trabajo es demostrar las
ventajas proporcionadas por las redes snubber aplicadas a
los dispositivos de conmutación de fuentes conmutadas. Se
abordarán distintas topologías que desempeñan diferentes
funciones y las ecuaciones que determinan el valor de los
componentes que conforman las redes, respaldadas por
circuitos prácticos y simulación de los mismos,
demostrando una mejora sustancial en el rendimiento de
los dispositivos de conmutación, posibilitando un aumento
de eficiencia de la fuente.

Abstract – The purpose of this paper is to demonstrate
the advantages provided by the snubber networks
implemented in the switching devices of switching power
supplies. Will approach different topologies that perform
different functions and the equations that determine the
value of the components that make up the networks,
supported by practical circuits and simulation of the same,
showing a substantial improvement in the performance of
switching devices, allowing an increased efficiency of the
power supply.

Index Terms – Snubber Networks Design, Converters.

I. INTRODUCCIÓN

AS redes snubbers son circuitos pequeños pero esen-
ciales en las fuentes conmutadas para controlar la
reactancia del circuito. Las redes snubbers mejoran el
rendimiento de los transistores de potencia proporcionando
mayor eficiencia y menor interferencia EMI, posibilidad de
funcionamiento a una frecuencia de conmutación más elevada,
menor tamaño y peso del semiconductor.
Básicamente, una red snubber puede absorber la energía de
los elementos reactivos del circuito. Los beneficios son
amortiguación del circuito, control de las tasas de cambio de
voltaje (dv/dt) o corriente y (di/dt), o protección de sobreten-
siones. Una snubber limita el estrés que debe soportar el
interruptor, manteniéndolo dentro de su área de operación
segura, aumentando la fiabilidad del mismo. El uso de una
snubber reduce el total de pérdidas de conmutación del
circuito, pero quizás lo más importante es que reduce las
perdidas en el transistor y por lo tanto las necesidades de
refrigeración del circuito [1]. Cuando está bien diseñada, el
dispositivo interruptor tiene menor disipación de potencia
promedio y una disipación de potencia máxima mucho menor.
Las snubber pueden ser combinadas y una aplicación
determinada puede tener 2 o 3 redes fusionadas para controlar
tanto la corriente como el voltaje del dispositivo interruptor.
Este tipo de redes pueden ser pasivas o activas. En este
trabajo nos enfocaremos en las pasivas, cuyos elementos se
limitan a resistencias, condensadores, inductores y diodos. Las
redes activas incluyen transistores y circuitos adicionales.

II. CLASIFICACIÓN DE REDES SNUBBER Y DISEÑO

Existen diversas clasificaciones para las redes snubbers, la
que utilizaremos en este documento será disipativas y no
disipativas. Una red snubber disipativa transferirá la energía a
una resistencia, lo que no es una alternativa eficiente desde el
punto de vista energético, pero proporciona otro camino para
la energía. Por otro lado, cuando la energía se mueve hacia la
entrada o hacia la salida se le llama red snubber no disipativa,
a pesar de que puede haber algunas pequeñas pérdidas.
La Fig. 1 muestra los circuitos convertidores básicos
(buck, boost y buck-boost) elaborados de manera que el
transistor está siempre conectado a tierra. En este enfoque, el
interruptor y la red snubber formarán una sola unidad, un
interruptor amortiguado, que se puede aplicar a la mayoría de
las topologías [2].








(a) (b)









(c)

Fig. 1. Circuitos convertidores buck (a), boost (b) y
buck-boost (c).

No todas las snubber son aplicables a un problema
particular. Básicamente existen redes para control de tasas de
cambio de tensión y corriente, y para control de resonancias.

A. Snubber Disipativas
1) Snubber RC de Tensión: La Fig. 2a muestra una
snubber RC que proporciona amortiguación de resonancias
parásitas en la etapa de potencia y se utiliza comúnmente en el
secundario de transformadores, inductores de salida, y a través
de diodos y transistores. Es aplicable también para reducir la
disipación de potencia en el interruptor. La Fig. 2b muestra su
aplicación en el dispositivo de conmutación en un convertidor.



L
L0
D0
0 0
V
RL C0
L0
D0
0 0
V
RL C0
RL C0
L0
D0
V
0
0
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(a) (b)

Fig. 2. Red snubber RC (a), y su aplicación en un mosfet (b).

En la Fig. 3 se representa un convertidor flyback aislado,
donde al conmutar el interruptor la energía almacenada en la
inductancia de dispersión del primario del transformador
resuena con la capacidad de salida del mosfet (Coss), si no hay
una red snubber. Como el circuito resonante tiene pérdidas, la
oscilación será máxima en la conmutación e irá disminuyendo
en los siguientes ciclos (Fig. 4).














Fig. 3. Convertidor flyback con red RC.










Fig. 4. Oscilación en la tensión drenador surtidor (VDS), graficada en
un intervalo de 10us.

La frecuencia de oscilación está dada por:
LpCp
f
P
 2
1

(1)
donde:
Lp – Inductancia parásita
Cp – Capacidad parásita

Para el mosfet IRF840, un valor típico de capacitancia de
salida es Coss=140pF. A partir de la simulación se observa
una frecuencia de oscilación de f
P
=14.3MHz, entonces despe-
jando se obtiene una Lp=885nH. En un circuito RLC, el valor
de la resistencia puede ser determinado en función de la
amortiguación del sistema [3]:
C
L
R
 2
1

(2)

Una amortiguación razonable se produce con ζ=0.5.
Reemplazando en la fórmula obtenemos el valor de la
resistencia snubber R
S
:
Cp
Lp
R
S

(3)

Se puede aumentar el valor de ζ y minimizar aún más las
oscilaciones a costa de incrementar la potencia disipada en la
resistencia R
S
. Valores más pequeños de ζ también disminu-
yen las oscilaciones, aunque en menor medida. Para la
selección del capacitor C
S
, se elige una frecuencia de corte del
filtro RC (Ec. 4) aproximadamente 10 veces menor que la
frecuencia de oscilación, para que ésta sea fuertemente
atenuada y no afectar en gran medida la forma de onda (Ec. 5).
S S
S
C R
f
 2
1

(4)
S
P P
P S
S
R
C L
f R
C
10
2
10
 

(5)

Siguiendo estos lineamientos, se diseñó la red snubber con
R
S
=78Ω y C
S
=1.5nF, eliminando en su totalidad la oscilación
causada por los elementos parásitos (Fig. 5). Para eliminar el
pico máximo de tensión en la conmutación, se puede
disminuir el valor de la resistencia R
S
y aumentar el valor de
C
S
manteniendo la constante de tiempo. Con R
S
=35Ω y
C
S
=3.3nF (Fig. 6), la sobretensión es sólo del 15% de V
DS
.










Fig. 5. Forma de onda de VDS amortiguada, graficada en un intervalo
de 10us, para RS=78Ω y CS=1.5nF.










Fig. 6. Forma de onda de VDS amortiguada, graficada en un intervalo
de 10us, para RS=35Ω y CS=3.3nF.

2) Snubber RCD de Tensión: La Fig. 7a presenta una
snubber RCD aplicable al control de subida de tensión. Las
redes RCD se suelen utilizar para controlar la tasa de aumento
de tensión en el colector o drenador de un transistor de
conmutación en un convertidor forward, flyback o boost (Fig.
RS
CS
0
RS
CS
RS
CS
D
MUR140
V2
50V RL
2
C
300uF
0
TX2
COUPLING = 0.99
L1_VALUE = 45uH
L2_VALUE = 2uH
R2
1meg
0
IRF840
V TD = 0
TF = 0
PW = 2u
PER = 5u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
0
Time
3.501ms 3.502ms 3.503ms 3.504ms 3.505ms 3.506ms 3.507ms 3.508ms 3.509ms 3.510ms
V(TX1:2)
0V
100V
200V
Time
3.506ms 3.507ms 3.508ms 3.509ms 3.510ms 3.511ms 3.512ms 3.513ms 3.514ms 3.515ms 3.516ms
V(TX1:2)
0V
100V
200V
Time
3.511ms 3.512ms 3.513ms 3.514ms 3.515ms 3.516ms 3.517ms 3.518ms 3.519ms 3.520ms 3.521ms
V(TX1:2)
0V
100V
200V
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3
RS
DS
LS
RS
DS LS
0
7b). En el apagado, la snubber deriva la mayor parte de la
corriente del transistor y la potencia disipada se traslada a la
red amortiguadora. Esto aumenta la fiabilidad del interruptor,
ya que la disipación de potencia pico se reduce y se controla la
subida de tensión, además de disminuir la EMI de alta
frecuencia (generada por una conmutación sin control).







(a) (b)
Fig. 7. Red snubber RCD (a), y su aplicación en un mosfet (b).

En la Fig. 8 se muestra un convertidor boost y una red
snubber RCD diseñada como en la Fig.7a, la cual sólo actúa
durante la conmutación. Cuando el transistor se apaga, la
corriente del inductor se deriva a través de diodo D
S
y el
capacitor C
S
hasta que el mismo se carga a la tensión del
punto. Luego el diodo principal D entra en conducción.
Cuando el transistor se enciende, C
S
se descarga a través de R
S

y el transistor. C
S
debe ser completamente descargado en cada
ciclo para ser efectivo el control de la tasa dv/dt.








Fig. 8. Convertidor boost con red RCD.
En la Fig. 9 se representa la forma de onda de V
DS
en su
flanco ascendente, y la forma de onda de la corriente drenador
surtidor (I
DS
) en su flanco descendente para el circuito de la
Fig. 8 sin red RCD.










Fig. 9. VDS sin amortiguar e IDS (magnificada 2 veces), graficadas en
un intervalo de 100ns. El tiempo de subida de VDS es 15ns.

La elección de los componentes de la red snubber
comienza por el valor de capacidad. Utilizando la fórmula:
V
t I
C
S



(6)
donde:
Δt – Tiempo de subida de la tensión
ΔV – Tensión a la que se carga el capacitor C
S

I – Corriente máxima del inductor L

El tiempo de subida se elige de acuerdo a las características
del semiconductor y se calcula C
S
. Luego se adopta una
constante de tiempo RC aproximadamente 10 veces menor
que el semiperíodo de conmutación, para asegurar la correcta
carga y descarga del capacitor en cada ciclo. Despejando R
S
:
CONM S S
CONM
S
f C C
t
R
20
1
10
2
 
(7)
donde:
f
CONM
– Frecuencia de conmutación del convertidor

Para el convertidor boost planteado, I=6.0A y ΔV=35.8V.
Eligiendo un Δt=400ns, el valor del capacitor snubber es
C
S
=67nF y el de la resistencia snubber R
S
=15Ω.
En la Fig. 10 puede observarse el efecto de la red snubber
RCD aplicada, minimizando la potencia disipada en el
transistor en el instante de la conmutación.










Fig. 10. VDS amortiguada e IDS (magnificada 2 veces), graficadas
en un intervalo de 1000ns. El tiempo de subida de VDS es 400ns.

3) Snubber RLD de corriente: La Fig. 11 muestra una
snubber RLD utilizada para controlar la tasa de crecimiento de
la corriente en el transistor. La inductancia en serie permite
retardar el momento en que la corriente del interruptor alcanza
su valor operativo. Esto reduce la disipación de potencia
promedio y potencia pico, aumentando la fiabilidad. La
adición de un diodo en serie con una resistencia reduce
efectivamente la disipación de la energía, y la convierte en una
red snubber polarizada.







(a) (b)
Fig. 11. Red snubber RLD (a), y su aplicación en un mosfet (b).
El inductor funciona normalmente luego de encendido el
transistor, y la corriente fluye a través del diodo y la resisten-
cia cuando es necesario disipar la energía almacenada en el
inductor, en el apagado del transistor.

RS
CS
DS
RS
CS
DS
0
Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(M2:D) I(M2:D)*2
0
20
40
0
RS
RL
15
CS
C
200u L
200uH
DS
D
MUR140
0
0
V2
20Vdc
0
V
TD = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
IRF840
Time
3.51000ms 3.51001ms 3.51002ms 3.51003ms 3.51004ms 3.51005ms 3.51006ms 3.51007ms 3.51008ms 3.51009ms
V(M2:D) I(M2:D)*2
0
20
40
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4
L
D
D1
D3
D2
C2
C1
LS
0














Fig. 12. Convertidor boost con red RLD.

La elección de los componentes de la red snubber RLD
comienza por el valor de inductancia. Utilizando la fórmula:

I
t V
L
S



(8)
donde:
Δt – Tiempo de subida de la corriente
V – Tensión a la que está sometido el inductor
ΔI – Corriente máxima que atraviesa el inductor

El tiempo de subida se elige de acuerdo a las caracteríticas
del semiconductor y se calcula L
S
. Se adopta una constante de
tiempo L/R aproximadamente 10 veces menor que el semipe-
ríodo de conmutación, para garantizar la correcta descarga de
la energía almacenada en el inductor en cada ciclo.
Despejando R
S
:
CONM S
CONM
S
S
f L
t
L
R 20
2
10
 
(9)
donde:
f
CONM
– Frecuencia de conmutación del convertidor

Para el convertidor boost analizado, ΔI=6.0A y V=35.8V.
Eligiendo un Δt=400ns, el valor del inductor snubber es
L
S
=2.4uH y el de la resistencia snubber R
S
=2.4Ω. En la Fig.
13 puede verse la forma de onda de V
DS
en su flanco descen-
dente y la forma de onda de I
DS
en su flanco ascendente, para
el circuito de la Fig. 12 sin red RLD.









Fig. 13. VDS e IDS sin red snubber RLD, graficadas en un intervalo de
200ns. El pico de IDS alcanza los 27A en un tiempo de 60ns.

En la Fig. 14 puede observarse el efecto de la red snubber
RLD aplicada, minimizando la potencia disipada en el
transistor en el instante de la conmutación.












Fig. 14. VDS e IDS amortiguada (magnificada 2 veces), graficadas en
un intervalo de 1000ns. El tiempo de subida de IDS es 420ns.

B. Snubber No Disipativas
Los principios básicos de las snubbers no disipativas son
los mismos que los de las disipativas, diferenciándose de éstas
por el hecho de no proporcionar amortiguación.
1) Snubber 3D-2C-1L de tensión: Una red snubber de
tensión controla la tensión mediante la transferencia de
energía a un condensador; cuando la snubber es no disipativa
esa energía se recicla de nuevo hacia la fuente o hacia la carga.
Existen pocos tipos básicos de snubbers de tensión no
disipativas, que operan en un solo flanco de la forma de onda
de conmutación y se restablecen en el otro extremo. Todas las
snubbers no disipativas son polarizadas y en algunas aplica-
ciones el diseño se vuelve muy complejo cuando se combina
con redes snubbers de corriente.
La Fig. 15 presenta la aplicación de una red 3D-2C-1L en
un circuito convertidor genérico, con función de controlar la
dv/dt. En general, los capacitores C1 y C2 son iguales en
valor y la frecuencia de resonancia de la snubber (2C+1L) es
mucho mayor que la frecuencia de conmutación.












Fig. 15. Red snubber 3D-2C-1L aplicada en un convertidor típico.

El funcionamiento del circuito de la Fig. 15 es el siguiente:
suponemos que el transistor está apagado y el inductor L está
conduciendo a través del diodo principal D, mientras que C1 y
C2 están descargados.
Cuando el transistor se enciende, la snubber se debe
restablecer. D1 y D2 no conducen y los condensadores C1 y
C2 se cargarán a ΔV a través del camino formado por C1, L
S
,
D3 y C2. La corriente fluirá a través de L
S
y resonará con C1 y
C2 hasta que la corriente llegue a cero y D3 se apague.
En este punto, ambos condensadores están cargados a ΔV y
la snubber está lista para funcionar durante el apagado del
interruptor. Cuando esto suceda, la corriente del inductor
principal fluirá a través de C1 y C2. D1 y D2 están en serie
con los capacitores y ahora conducen, de modo que C1 y C2
están en paralelo. Los capacitores controlan la tasa de cambio
del voltaje del transistor, y la disipación en el apagado del
mismo es muy pequeña ya que los capacitores toman toda la
corriente del inductor. El diodo principal D enclava la tensión
IRF840
RS
DS
0
RL
15
C
200u
L
200uH
D MUR140
V1 TD = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
0
V2
20Vdc
0
LS
Time
3.51990ms 3.51995ms 3.52000ms 3.52005ms 3.52010ms 3.52015ms 3.52020ms 3.52025ms 3.52030ms 3.52035ms
V(M3:D) I(M3:D)
0
20
40
Time
3.5198ms 3.5199ms 3.5200ms 3.5201ms 3.5202ms 3.5203ms 3.5204ms 3.5205ms 3.5206ms 3.5207ms
V(L3:1) I(M3:D)*2
0
20
40
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de snubber cuando C1 y C2 están totalmente descargados y el
ciclo está listo para comenzar de nuevo.















Fig. 12. Convertidor boost con red 3D-2C-1L.

La elección de los componentes de la red snubber
comienza por determinar algunos parámetros de trabajo en el
transistor:
- Corriente máxima
- ΔV máxima
- Tiempo de subida deseado

El valor de los capacitores de la red snubber se calcula a
partir de la ecuación:
V
t I
C
S



2
(10)
donde:
C – Valor de cada uno de los capacitores
Δt – Tiempo de subida de la tensión
ΔV – Tensión máxima en el transistor
I – Corriente máxima en el transistor

El tiempo para la carga de C1 y C2 es la mitad del período
de resonancia (C1 y C2 en serie con L
S
). El período de
resonancia deberá ser inferior al mínimo tiempo de encendido
del transistor para que la red snubber pueda restablecerse
plenamente y la disipación de energía en el interruptor sea
mínima.
Una vez fijado el tiempo de restablecimiento (o tiempo de
reset), el valor de inductancia L
S
puede calcularse a partir de:
2
2
2

S
R
S
C
t
L 
(11)
donde:
t
R
– Tiempo de restablecimiento

Es necesario encontrar la corriente pico del inductor L
S

para poder dimensionarlo, valor que también es útil para la
elección del diodo D3. La corriente pico se calcula igualando
la energía inductiva y capacitiva, cuando cada una está en su
punto máximo durante el ciclo. Despejando:
S
S
LS
L
V C
I
2
) (
2


(12)
donde:
I
LS
– Corriente pico del inductor L
S


Es importante tener en cuenta que cuando el interruptor se
enciende, el impulso de corriente debe fluir a través del mismo
para restablecer la snubber. El transistor debe ser capaz de
manejar esta corriente, además de la corriente de carga. El
inductor L
S
puede ser una espiral grabada en el circuito
impreso, dado su pequeño valor de inductancia y de corriente
en la mayoría de los casos, ahorrando así espacio en el diseño
[4].
Para el convertidor boost analizado, I=6.0A y V=35.8V.
Eligiendo un Δt=400ns, el valor de los capacitores snubber es
C
S
=33.5nF. Eligiendo un tiempo de restablecimiento t
R
=1us,
el valor del inductor snubber es L
S
=6.05uHΩ. El inductor
debe ser diseñado para soportar una corriente máxima de
I
LS
=1.8A.










(a)










(b)








(c)
Fig. 16. Tensión VDS (a), tensión en los capacitores snubber VCS
(b), corriente a través de los capacitores ICS (c). Formas de onda
durante el flanco de subida de VDS, en un intervalo de 1us.










(a)


Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(L2:1)
0V
10V
20V
30V
40V
Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(D5:1,C4:1)
0V
20V
40V
Time
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
I(D5)
0V
20V
40V
Time
3.5180ms 3.5185ms 3.5190ms 3.5195ms 3.5200ms 3.5205ms 3.5210ms 3.5215ms 3.5220ms 3.5225ms
V(M1:D)
0V
10V
20V
30V
40V
0
R2
15 C3
200u
L
200uH
D
MUR140
V1 TD = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
V1 = 0
TR = 0
V2 = 10
0
V2
20Vdc
0
D1
D3
D2
C2
LS
IRF840
C1
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(b)










(c)
Fig. 17. Tensión VDS (a), tensión en los capacitores snubber VCS (b),
corriente a través de los capacitores ICS (c). Formas de onda durante el
flanco de bajada de VDS, en un intervalo de 5us.
En la Fig. 16a se puede observar como la red snubber controla
la tasa de subida de tensión, que se realiza en un tiempo
Δt=400ns como fue calculado. La Fig. 16c muestra como la
corriente del inductor L es absorbida por la red y no causa
disipación de potencia en el transistor. La Fig. 17 exhibe cómo
durante el encendido del transistor éste tiene que soportar un
incremento de la corriente (17a), durante un tiempo t
R
=1us
mientras la red snubber se restablece (17b y 17c).

III. CONCLUSIONES

En este trabajo fue presentada una recopilación de las
topologías más utilizadas de redes snubber aplicadas en
fuentes conmutadas, y las ecuaciones necesarias para el diseño
de las mismas. Las simulaciones realizadas demostraron la
importancia del correcto diseño de las redes para eliminar
resonancias parásitas y sobrepicos de tensión y corriente,
resultando en una disminución de la disipación de potencia en
los dispositivos de conmutación. Es preciso destacar, que la
implementación de snubbers está ampliamente difundida y sin
embargo el diseño de las mismas generalmente se realiza de
forma empírica, por lo que el presente trabajo intenta brindar
información fehaciente para mejorar el rendimiento de los
convertidores DC/DC.

BIBLIOGRAFÍA

[1] Daniel W. Hart, Electrónica de Potencia, Pearson
Educación, 1
era
Edición en español, Madrid, 2001.
[2] Philip C. Todd, “Snubber Circuits: Theory, Design &
Application”, TI Application Note: SLUP100, May 93.
[3] Jim Hagerman, “Calculating Optimum Snubbers”,
Hagerman Technology, December 12, 1994.
[4] Marty Brown, Power Supply Cookbook, Newnes, 2
nd

Edition, Woburn, MA, 2001.


DATOS BIOGRÁFICOS

Juan Ignacio Morales, nacido en Chacabuco, Buenos
Aires, el 12/07/1988. Estudiante de Ingeniería en Electrónica,
Universidad Tecnológica Nacional, Facultad Regional
Córdoba, Argentina. Actualmente es becario de servicios en el
Laboratorio de Comunicaciones del Dpto. de Ingeniería
Electrónica, UTN-FRC. Sus intereses son: electroacústica,
procesamiento de señales, telecomunicaciones y microcontro-
ladores. E-mail: 51836@electronica.frc.utn.edu.ar.


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