El oscilador de Gunn sirve para generar potencias de microondas, se basa
en el diodo Gunn presenta la caracterstica de oscilar cuando se alcanza una determinada densidad del campo elctrico, est conformado por un semiconductor que genera un efecto llamado el efecto Gunn. El dispositivo recibe su nombre del cientfico britnico, nacido en Egipto, John Battiscombe Gunn quien produjo el primero de estos diodos basado en los clculos tericos del profesor y cientfico britnico Cyril Hilsum. Fue descubierto por John B. Gunn en 1963. Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fsforo de Indio (InP) El efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores, es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnticos. Cuando se aplica un pequeo voltaje continuo a travs de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto bajo la condicin de que el voltaje en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm. EL DIODO GUNN: Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Presenta la caracterstica de oscilar cuando se alcanza una determinada intensidad del campo elctrico (son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas hasta Terahertz) . Esta regin de alta intensidad decampo se mueve en el camino ctodo-nodo, donde desaparece generndose inmediatamente otra similar en el ctodo y as sucesivamente. Dimensiones menores en el camino darn lugar a menores tiempos de oscilacin, o lo que es lo mismo mayores frecuencias. Para que se produzcan oscilaciones y todo el conjunto se pueda utilizar como oscilador y mantener estable la oscilacin se debe acoplar o conectar el diodo (o la plaquita) a un circuito sintonizado o cavidad resonante construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro), que ser en ltima instancia la que determine la frecuencia de resonancia del conjunto. Se puede generar as un amplio rango de frecuencias, entre 1 y ms de 100 GHz, con potencias de emisin entre 5 y 800 mW.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. Este efecto Gunn slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua.
Resistencia negativa en el diodo Gunn El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energa vaca ms alta que la ms elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente.
Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje a la plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensin, la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento tpico y el grfico tensin-corriente es similar al que dicta la ley de Ohm.
Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje, se les comunica a los electrones una mayor energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones saltan a una banda de energa ms elevada, que normalmente esta vaca, disminuyen su velocidad y por ende la corriente. De esta manera una elevacin del voltaje en este elemento causa una disminucin de la corriente. Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energa y menor movilidad, por lo que la corriente aumentar de nuevo con el voltaje.
Aplicaciones: Debido a su capacidad de alta frecuencia, diodos Gunn se utilizan principalmente en frecuencias de microondas y superiores. Se pueden producir algunos de la potencia de salida ms alta de todos los dispositivos semiconductores en estas frecuencias. Su uso ms comn es en los osciladores, pero tambin se utilizan en los amplificadores para amplificar las seales de microondas. Debido a que el diodo es un dispositivo de un puerto, un circuito amplificador debe separar la seal amplificada de salida de la seal de entrada entrante para evitar acoplamiento. Un circuito comn es un amplificador de reflexin que utiliza un circulador para separar las seales. Se necesita una camiseta de sesgo para aislar la corriente de las oscilaciones de alta frecuencia sesgo. Sensores e instrumentos de medicin Gunn osciladores diodos se utilizan para generar energa de microondas para: aerotransportado de radar anticolisin, frenos antibloqueo, sensores para monitorear el flujo de trfico, detectores de radar coche, los sistemas de seguridad de los peatones, "distancia recorrida" grabadores, detectores de movimiento, "de baja velocidad "sensores, controladores de semforos, puertas automticas, puertas automticas de trfico, equipos de control de procesos para supervisar rendimiento, alarmas antirrobo y equipos para detectar intrusos, los sensores para evitar el descarrilamiento de trenes, detectores de vibraciones a distancia, tacmetros rotacin, monitores de humedad.
El uso aficionado Radio En virtud de su funcionamiento a baja tensin, los diodos Gunn pueden servir como generadores de frecuencia de microondas para transmisores de microondas muy baja potencia. A finales de 1970 estaban siendo utilizados por algunos radioaficionados en Gran Bretaa. Diseos para transmisores fueron publicados en revistas. Por lo general consistan simplemente de una gua de ondas de aproximadamente 3 pulgadas en el que estaba montado el diodo. Una fuente de alimentacin de corriente continua de baja tensin que podra ser modulada adecuadamente se utiliza para conducir el diodo. La gua de ondas se bloque en un extremo para formar una cavidad resonante y el otro extremo idealmente alimentados con una antena parablica.
Materiales para un Oscilador Gunn.
El oscilador Gunn sirve para generar potencia de microondas. Estn compuestos por los siguientes componentes:
- Modulo diodo-Gunn, longitud aprox. 27 mm - Pared posterior de la cubierta - Diafragma perforado con abertura de 8 mm de dimetro - Adaptador para gua de ondas, 32 mm
Es posible operar el equipo como oscilador de frecuencia variable empleando adicionalmente las unidades de sintona a dielctrico, De sintona a varactor o el cursor de cortocircuito, en el rango de frecuencia de aprox. 8,5 GHz...11 GHz.
Fuente de alimentacin Gunn con medidor SWR.
La fuente de alimentacin Gunn suministra la tensin de c.c. y la tensin de control requeridas para el funcionamiento del oscilador Gunn y del modulador PIN, y facilita una evaluacin cuantitativa de la seal demodulada de microondas. Este equipo est provisto adems de diferentes entradas y salidas para ensayos de modulacin y trazo de curvas caractersticas.
Antena de bocina grande.
Radiador de bocina que se emplea como radiador primario excitador de una antena de reflexin, as como para mediciones en antenas.
Diseo: En aluminio, lacado en rojo. Rango de frecuencia: 8 GHz...12 GHz Ganancia: 15 dB a 10 GHz Tipo de gua de ondas: R100
Accesorios para fsica de microondas
Este juego de accesorios es necesario para efectuar ensayos bsicos de polarizacin, transmisin, reflexin, difraccin, etc.
El juego est compuesto de:
1 Rejilla de alambres paralelos, con escala angular, 210 mm de dimetro 1 Placa metlica de aluminio, 230 x 230 mm 1 Placa de PVC, 230 x 230 mm, 3 mm de espesor 1 Lamina, material esponjoso, 230 x 230 mm 1 gua de ondas, flexible, 1 m de largo, con dimetro interior 23 mm 1 Soporte para placa
Atenuador variable.
Se requiere para la reduccin de la potencia disponible de microondas, p.ej. para hacer que el detector opere en la zona cuadrtica de su curva caracterstica. Para este fin, a lo largo del eje de la gua de ondas y paralela al campo elctrico, se coloca una paleta de atenuacin, la que se regula mediante un tornillo micromtrico. Atenuador, fijo.
Los atenuadores fijos se emplean para reducir la potencia de microondas en un valor determinado. Se pueden emplear para la proteccin de componentes muy sensibles o para desacoplar partes de un circuito. Para reducir la potencia de microondas se emplea un elemento de atenuacin hecho de un material absorbente. Gua de ondas de 200 mm. Gua de ondas de latn, niquelada. Tipo de gua de ondas: R100
Terminal para gua de ondas: Este componente se emplea para la absorcin de ondas TE10 en guas de ondas rectangulares. Para ello se requiere en lo posible un factor de reflexin muy pequeo (ideal r = 0).