TEORIA DEL TIRISTOR (cap 7 Rashid)

1.- Estructura y smbolo

El tiristor es un nombre genrico de una serie de dispositivos semiconductores de potencia.
Uno de ellos llamado SCR (rectificador controlado de silicio) es un semiconductor slido de silicio
formado por cuatro capas P y N alternativamente, dispuestas como se ve en la figura 1, donde
tambin se representa su smbolo.

Figura 1

El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente como
sigue:
- Rectificacin: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del dispositivo,
el cual realiza entonces la misma funcin de un diodo
- Interrupcin de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los
contactores mecnicos
- Regulacin: la posibilidad de ajustar el momento preciso del encendido permite emplear el
tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida
- Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en comparacin con la
corriente principal, se produce un fenmeno de amplificacin en corriente o en potencia. En
ciertas aplicaciones esta "ganancia" puede ser de utilidad.

2. El tiristor bajo tensin (en estado de bloqueo)

Para simplificar el siguiente anlisis admitiremos que el ctodo del tiristor est siempre a
tierra y que la puerta no est conectada ("flotando").
En estas condiciones, se puede comparar el tiristor a tres diodos conectados en oposicin.
En efecto, las capas P2N2 y P1N2 (ver figura 2) forman diodos que aseguran el aguante en tensin
del dispositivo. De esta forma:
- Si el nodo es positivo, el elemento est polarizado directamente, pero el diodo P1N2
bloquea la tensin aplicada
- Si, por el contrario, el nodo es negativo, los diodos P2N2 y P1N1 tienen polarizacin
inversa. Por ser dbil la tensin de avalancha de P1N1, su papel es despreciable y es P2N2
el que ha de limitar la corriente inversa de fuga.
La tensin mxima viene limitada, prcticamente, por la tensin de avalancha de los diodos P2N2 y
P1N2 en serie.


Los dos terminales principales son el de nodo y el
de ctodo, y la circulacin entre ellos de corriente directa
(electrones que van del ctodo al nodo o corriente que
va de nodo a ctodo) est controlada por un electrodo
de mando llamado "puerta" ("gate" en ingls).

El tiristor SCR es un elemento unidireccional; una
vez aplicada la seal de mando a la puerta, el dispositivo
deja pasar una corriente que slo puede tener un nico
sentido.



Figura 2. Las tres uniones del tiristor pueden representarse mediante tres diodos equivalentes


Figura 3. El tiristor es equivalente a una combinacin de dos transistores, uno PNP y otro NPN.

3. El tiristor bajo tensin directa

Se comprender mejor el funcionamiento del tiristor si nos referimos al montaje con dos
transistores, PNP y NPN, de la figura 3, que resulta equivalente. Estos dos transistores estn
conectados de forma que se obtenga una realimentacin positiva.
Supongamos que sea positiva la regin P2 con relacin a la N1. Las uniones J3 y J1 emiten
portadores positivos y negativos respectivamente hacia las regiones N2 y P1. Estos portadores, tras
su difusin en las bases de los transistores, llegan a la unin J2, donde la carga espacial crea un
intenso campo elctrico.
Siendo 0.3 la ganancia de corriente que da la fraccin de la corriente de huecos inyectada en
el emisor y que llega al colector del PNP, y siendo por otro lado a la ganancia de corriente que da la
fraccin de la corriente de electrones inyectada en el emisor que llega al colector del NPN, podemos
escribir:

e
La corriente total de nodo IA es evidentemente la suma de lc1 e lc2, a la que hay que sumar
la corriente de fuga residual que pasa por la unin central J2 y a la que llamaremos Icx. Se tiene
entonces:



lo que nos da:

Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia es baja para valores reducidos
de corriente, aumentando cuando crece la corriente. Luego, si Icx es reducida, el denominador de la
fraccin anterior se acerca a 1 (para corrientes dbiles) y la corriente IA es apenas mayor que la
corriente de fuga.
Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada
presentando una elevada impedancia.
Cuando aumenta, por cualquier motivo, la corriente de fuga lcx, aumentan la corriente y la
ganancia. La suma
2 1
+ tiende entonces a 1 y la corriente IA tiende a infinito. En realidad, esta
corriente toma un valor muy alto, limitado slo por el circuito externo.
El tiristor est entonces en estado conductor (tambin se dice que est desbloqueado o
disparado).
Hagamos observar que este tipo de encendido por aumento de la corriente de fuga esto es,
en general, por aumento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo del elemento es
desaconsejable en la mayora de los casos.

4. Principio de encendido por puerta

El encendido por puerta es el mtodo ms usual de disparo de tiristores. El razonamiento
siguiente aparecer mucho ms claro si nos referimos a la figura 4.
Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de mando en su
puerta (este ataque es en corriente, denominndose lg a esta ltima). El transistor NPN designado
T1 recibe una corriente de base lG, pasando a ser su corriente de colector de
1

G
I , donde
1
es la
ganancia de corriente de este transistor (montaje en emisor comn).


Figura 4

Estas dos condiciones (
2 1
< 1 y
2 1
= 1) caracterizan el estado del tiristor en funcin de la
corriente. En efecto, la ganancia de un transistor de silicio crece normalmente, por lo general, en
funcin de la corriente (figura 5). As pues:
- Si la corriente de puerta es dbil, el producto
2 1
es inferior a la unidad y no se enciende el
dispositivo
Esta corriente se inyecta a su vez en la base del transistor T2
(PNP) que entrega entonces una corriente de
2 1

G
I (siendo
2
la ganancia de corriente de T2). Esta corriente, que
aparece en el colector de T2, vuelve a aplicarse a la base de
T1.
Hay que considerar entonces dos casos:
1. El producto
2 1
es inferior a 1, en cuyo caso el elemento
no se enciende
2. El producto
2 1
tiende a la unidad, con lo que se realiza
el proceso de amplificacin y el elemento pasa al estado de
conduccin.


- Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante elevadas para
que el producto
2 1
tienda a 1.



Figura 5

5. Cmo puede encenderse un tiristor?

Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados:
de bloqueo, cuando est polarizado en sentido inverso;
de bloqueo o de conduccin, cuando la polarizacin es directa, segn que est encendido o no.
En este ltimo caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de conduccin se recurre,
como se ha dicho ya, a la propiedad esencial del transistor de silicio: la de poseer una ganancia de
corriente que crece con la corriente de emisor, le.
Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un aumento de la corriente IE. Los
ms importantes son:

- La tensin. Cuando aumenta la tensin nodo-ctodo del tiristor, llega un momento en que la
corriente de fuga es suficiente para producir un brusco aumento de la corriente IE. Esta forma
de disparo se usa sobre todo con los diodos de 4 capas (diodos- tiristores).

- La derivada de la tensin. Ya se sabe que una unin PN presenta una cierta capacidad. As,
pues, si se hace crecer bruscamente la tensin nodo-ctodo, esta capacidad se carga con
una corriente:

Y, si esta corriente i es suficientemente elevada, provocar el encendido del tiristor.

- La temperatura. La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio aumenta al doble,
aproximadamente, cada 14C (al aumentar la temperatura). Cuando la corriente alcanza un
valor suficiente, se produce el disparo del tiristor por los mismos fenmenos ya vistos.

- El efecto transistor. Es la forma clsica de gobernar un tiristor. En la base del transistor
equivalente se inyectan portadores suplementarios que provocan el fenmeno de disparo (la
base es la puerta del tiristor).

- El efecto fotoelctrico. La luz, otra de las formas de energa, puede tambin provocar el
encendido del tiristor al crear pares electrn-hueco. En este caso se emplea un fototiristor.
que es un tiristor con una "ventana" (esto es una lente transparente que deja pasar los rayos
luminosos) en la regin de puerta.

En cuanto se produce el encendido, la
realimentacin hace que los dos transistores
conduzcan a saturacin (por cuanto la corriente de
colector de uno se inyecta sistemticamente en la
base del otro). Una vez en conduccin, los
transistores se mantienen ya en ese estado, incluso
aunque desaparezca el impulso inicial de puerta,
hasta que el circuito exterior deje de mantener la
corriente IA.

6. Curva caracterstica del tiristor

En la figura 6 se ha dibujado la curva caracterstica tpica de un tiristor (elemento
unidireccional), representndose la corriente IA en funcin de la diferencia de tensin nodo-ctodo.
Cuando es nula la tensin V, lo es tambin la corriente IA. Al crecer la tensin V en sentido
directo se la designar como VF, siendo F la inicial de "forward" (directo, en ingls) se alcanza
un valor mnimo (Vd) que provoca el encendido; el tiristor se hace entonces conductor y cae la
tensin nodo-ctodo mientras aumenta la corriente IA. Por lo mismo que hemos dicho de la tensin,
a esta corriente directa la llamaremos IF.


Figura 6. Curva caracterstica del tiristor


7. Definicin de los smbolos

La curva caracterstica del tiristor puede pues dividirse en 6 regiones, de las que 4 estn
situadas en el primer cuadrante. A continuacin definiremos los smbolos principales relativos a
puntos notables de esta curva.
Debido a que la mayor parte de la bibliografa existente sobre tiristores procede de Estados
Unidos, se han conservado aqu las designaciones simblicas del ingls. Las magnitudes directas
llevarn el ndice F (de forward) y las inversas R (de reverse). El siguiente cuadro resume el
significado de las abreviaturas usadas:

CORRIENTE DIRECTA MEDIA
Se define as el valor medio de los valores instantneos de corriente directa nodo-ctodo en el
tiristor, para un intervalo dado de tiempo. Su smbolo es IF(AV).

CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO
Es el valor que puede alcanzar un pico de corriente nodo-ctodo en forma accidental, esto es
transitoriamente y no de modo recurrente. Su smbolo es IFSM y define pues el valor mximo
admisible de las extracorrientes, en el curso de regmenes transitorios aleatorios. Normalmente se
especifica para , 1, o 10 ciclos a una frecuencia dada.


Si se polariza inversamente el tiristor,
aplicndole una tensin VR (donde R es la inicial
de "reverse", esto es, inverso en ingls)
observaremos la existencia de una dbil
corriente inversa de fuga (esta corriente inversa
recibir el smbolo IR) hasta que se alcanza un
punto de tensin inversa mxima que provoca la
destruccin del elemento.
El tiristor es pues conductor slo en el
primer cuadrante. El disparo ha sido provocado
en este caso por aumento de la tensin directa.

La aplicacin de una corriente de mando
en la puerta desplaza, como veremos, hacia la
derecha el punto de disparo Vd.

CORRIENTE MXIMA DE PUERTA
La corriente mxima de puerta se simboliza
IGFS
, y es el valor mximo instantneo que puede
alcanzar un pico de corriente en el electrodo de mando del tiristor. Este valor define tambin el valor
mximo de la corriente de mando en rgimen de impulsos de muy corta duracin.

TENSIN DIRECTA DE DISPARO
La tensin directa de disparo Vd (o tambin VBO) es la tensin directa por encima de la cual se
enciende el tiristor por disparo directo.

TENSIN INVERSA DE RUPTURA
La tensin inversa que produce la ruptura del elemento se designa como VRR.

TENSIN INVERSA REPETITIVA
La tensin inversa recurrente es VRWM. Se define as el valor mximo que puede tomar la amplitud
de la tensin inversa peridica aplicada entre el nodo y ctodo del tiristor.

TENSIN INVERSA REPETITIVA DE PICO
La tensin inversa recurrente de pico es VRPM y es el valor mximo que pueden alcanzar las punas
recurrentes de tensin inversa. Este valor es numricamente superior al valor mximo de tensin
inversa del tiristor (valor de pico mximo).

TENSIN INVERSA TRANSITORIA O ACCIDENTAL
La tensin inversa transitoria o accidental es VRSM. Este valor limita la tensin inversa ctodo-nodo
a la que puede someterse el tiristor, durante un intervalo dado de tiempo.

TENSIN DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO
La tensin directa de pico en estado de bloqueo es VDWM (o tambin VFDM). Su valor fija un lmite a la
tensin mxima aplicable entre nodo y ctodo del tiristor, con puerta flotante, sin riesgo de disparo.
Esta tensin es pues ligeramente inferior a la tensin de disparo en ausencia de seal de mando.

POTENCIA TOTAL DISIPADA
La potencia total disipada en el tiristor es Pav. En ella se consideran todas las corrientes: directa,
media e inversa (IFAV e IRR); de fuga, directa e "inversa (IFD e IR); de mando (IG); corriente capacitiva,
etc. Su valor permite calcular el radiador, si es que el tiristor precisa de uno.

POTENCIA MEDIA DISIPABLE DE PUERTA
La potencia media disipable de puerta es PGAV. Es el valor de la potencia disipada en la unin
puerta-ctodo.

POTENCIA DE PICO DE PUERTA
La potencia de pico de puerta es PGFS. Corresponde a la potencia mxima disipada en la unin
puerta-ctodo, en el caso de aplicarse una seal de disparo no continua. Su valor es superior al de
PGAV y su lmite depende de las condiciones de encendido.

CORRIENTE DE ENGANCHE
La corriente de enganche IL es la corriente IA mnima que hace bascular el tiristor del estado de
bloqueo al de conduccin. Su valor es por lo general de dos o tres veces la corriente de
mantenimiento, definida a continuacin.

CORRIENTE DE MANTENIMIENTO
Para conservar su estado de conduccin el tiristor debe suministrar una comente de nodo, IA,
mnima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento, IH. A veces se denomina tambin a
esta corriente, corriente hipo-esttica.

TENSIN DE ENGANCHE
A la corriente
L
I , de enganche le corresponde una tensin de enganche VL.

TENSIN DE MANTENIMIENTO
Del mismo modo, se podra definir una tensin de mantenimiento VH que sera la tensin que,
aplicada al nodo, permitira el paso de la corriente In de mantenimiento.

CORRIENTE DE PUERTA
La corriente de puerta se designa
G
I . En una serie dada de tiristores teniendo en cuenta la
dispersin de las caractersticas el valor mximo necesario para asegurar el encendido de
cualquier elemento se designa lGT.

TENSIN DE ENCENDIDO
A esta corriente
IGT
le corresponde una tensin de encendido VGD (que en los dispositivos de uso
corriente se aproxima a 1 V).

TENSIN MXIMA EN LA PUERTA SIN DISPARO
Finalmente, la tensin mxima aplicable a la puerta sin provocar el disparo se simboliza por VGD.
Esta tensin se define a la temperatura mxima y es siempre muy inferior a la tensin de encendido
(puede ser, por ejemplo, de 0,3 V).

8. Accin de la puerta

Si se aplica una seal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensin de encendido de
ste, tal como muestra las curvas de la figura 7.

Figura 7

Para prevenir los posibles encendidos espordicos del tiristor se puede conectar un resistor
en paralelo con la unin puerta-ctodo (siguiente figura). Esto es especialmente interesante cuando
Cuando es nula la corriente lG de puerta,
el tiristor no se ceba hasta que se alcanza la
tensin de disparo entre nodo y ctodo del
elemento.
A medida que aumenta la corriente de
puerta lG, disminuye el valor de la tensin de
disparo del tiristor. En el lmite, el tiristor se
comporta como un diodo, esto es, para una
corriente de puerta suficientemente elevada, la
menor tensin de nodo provoca la conduccin
en el tiristor.

la ganancia del transistor NPN (del par equivalente) es elevada. (Por lo general suele ser ms
elevada que la ganancia del PNP.)


Figura 8






























Por otra parte, casi todos los fabricantes
integran ya un resistor de difusin entre la
puerta y el ctodo del tiristor; esta tecnologa
es la que se conoce como "shorted emitter",
con un cortocircuito puerta-emisor.
Al aumentar el valor de la corriente de puerta
necesaria para el encendido del tiristor, este
resistor en paralelo mejora las caractersticas
del elemento en bloqueo, y aumenta la
inmunidad ante transitorios parsitos. La
resistencia depende de la temperatura y de las
tolerancias de fabricacin, y vara entre los
valores extremos RG, (mn.) y RG (mx.).