UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTN

FACULTAD DE INGENIERA DE PRODUCCIN Y SERVICIOS

DEPARTAMENTO ACADMICO DE INGENIERA ELECTRNICA







AUDIO CAR 200WATTS RMS
INFORME FINAL

PRESENTADO POR:
PORTUGAL ZVIETCOVICH, JORGE
REVILLA COSSI, EYDER JESUS
FLORES SANA, JHENER
CAMACHO MONROY, EMILIO FERNANDO

AREQUIPA PER

2013

AMPLIFICADOR DE AUDIO PARA AUTOMOVIL.
1) INDICE:
1. INDICE...........................................................................................................................................2

2. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE LA FUENTE. .................................... ..................................4
a. INTRODUCCION. .................................... .........................................................................4
b. TOPOLOGAS. .................................... .... .................................... .... ...............................4
c. REQUERIMIENTOS. .................................... .... .................................... .... ......................6
d. ESPECIFICACIONES FINALES DE LA FUENTE.................................... .... ............................7

3. ETAPA DEL CONVERTIDOR DC-DC. .................................... .... .................................... .... ............7
a. ETAPA OSCILADORA. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... .........8
i. INTEGRADO TL494. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ..........8
ii. DESCRIPCION. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ......9
iii. FORMA SIMULADA. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... .........10
b. ETAPA INVERSORA Y TRANSFORMADORA. ........... ........... ........... ........... ........... .........12
i. DESCRIPCION. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... .....12
ii. CALCULOS PARA LOS MOSFETS. ........... ........... ........... ........... ........... .............14
iii. CALCULOS DEL TRANSFORMADOR. ........... ........... ........... ........... ........... ........15
a. TAMAO DEL NCLEO. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ..17
b. PERDIDAS DE POTENCIA. ........... ........... ........... ........... ........... ...........18
c. VUELTAS DEL PRIMARIO Y SECUNDARIO. ........... ........... ........... ..........18
c. ETAPA RECTIFICADORA. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ....20
d. ETAPA DE FILTRADO. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........21
e. ETAPA DE REALIMENTCION PARA CONTROL DE VOLTAJE. ........... ........... ........... ..........23

4. DETALLES DEL ESQUEMTICO DE LA FUENTE. ........... ........... ........... ........... ........... ..................24
a. BREVE EXPLICACION DEL ESQUEMTICO. ........... ........... ........... ........... ........... ............24
b. ESPECIFICACIONES. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ...........27

5. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL AMPLIFICADOR CLASE D............ ........... ........... ..............27
a. TOPOLOGAS. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........29
i. CLASE-D MEDIO PUENTE........... ........... ........... ........... ........... ........... ............29
a. PUERTA DE CONDUCCIN........... ........... ........... ........... ........... .........29
o TRANSFORMADOR ACCOPLADO........... ........... ........... ..........30
o DRIVER BJT DISCRETO........... ........... ........... ........... ........... ...31
o CIRCUITOS INTEGRADOS DE CONTROL........... ........... ............31
b. REALIMENTACIN........... ........... ........... ........... ........... ........... ..........32
ii. CLASE-D PUNTE COMPLETO........... ........... ........... ........... ........... ........... .......33
b. REQUERIMIENTOS. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ..........34
c. VENTAJAS DE LA ELECCION DE LA TOPOLOGA. ........... ........... ........... ........... ........... ..34
d. ESPECIFICACIONES FINALES. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........34

6. DESCRIPCIN DEL CIRCUITO DEL AMPLIFICADOR CLASE D............ ........... ........... ........... .........35
a. INTRODUCCION. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ..............35
b. BREVE DESCRIPCIN DEL CIRCUITO. ........... ........... ........... ........... ........... ........... .......35

7. ANLISIS DEL AMPLIFICADOR. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... .....35
a. COMPARADOR LM311. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ...35
b. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ....37
c. DRIVER PARA LOS MOSFETS, CI IR2110. ........... ........... ........... ........... ........... .............38
d. CLCULO DE LOS MOSFETS. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........39
e. CLCULO TERICO DE EFICIENCIA DEL AMPLIFICADOR........... ........... ........... ........... ...40
f. FILTRO DE SALIDA. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ...........40
i. ANLISIS DE REPUESTA AL FILTRO EN MATLAB........... ........... ........... ..............42
ii. CALCULO EN LAZO ABIERTO........... ........... ........... ........... ........... ........... ........44

8. COSTOS........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ......45

9. OBSERVACIONES........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ....46

10. CONCLUSIONES. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ...47



11. BIBLIOGRAFIA. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ......48

a. DATASHEETS........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... .........48
b. DOCUMENTOS EN ADOBE READER........... ........... ........... ........... ........... ........... ..........48
c. INFORMACION WEB........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... .........49
d. DOCUMENTOS DE OFFICE........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ............50
e. ANEXOS........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ....50

12. ANEXOS. ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ........... ...

2) PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.

Este amplificador consta de 2 partes importantes. La primera de ellas es la fuente convertidora
DC-DC, y la segunda es el amplificador de clase D. Ahora empezaremos tratando del
amplificador de clase D.

a. INTRODUCCION.

La energa elctrica no se utiliza normalmente en la forma en la que se produce o se
distribuye. Prcticamente todos los sistemas electrnicos requieren alguna forma de
conversin de energa. Un dispositivo que transfiere energa elctrica de una fuente
dada hacia una carga determinada, usando los circuitos electrnicos se conoce como
fuente de alimentacin. Por supuesto, no proporciona realmente el poder, slo
convierte, por lo que " conversor "es un trmino ms preciso para este dispositivo. Una
aplicacin tpica de una unidad de alimentacin de DC, es convertir la tensin alterna de
utilidad en fuentes reguladoras de DC, necesaria para equipos electrnicos. Los
convertidores de DC, originalmente fueron lineales. Hoy en da la mayora de ellos son
de tipo SMPS (Switch Mode Power Suply).
Qu es, exactamente? El flujo de energa en una fuente de alimentacin se controla
con semiconductores (MOSFETs de potencia, integrados, diodos, etc.), que pueden
operar en diferentes modos.
Entre uno de los beneficios principales es que ofrecen una mayor eficiencia en
comparacin con las fuentes lineales, ya que pueden controlar el flujo de energa con
bajas prdidas.

b. TOPOLOGAS.

La siguiente tabla resume y compara las caractersticas elctricas y las caractersticas de
los principales circuitos SMPS de una sola etapa.

Topologa del
convertidor
diagrama
DC transfer
function
(Vo/Vi)
Voltaje de
switching
mximo
Pico de
corriente
switching
Voltaje
rectificado
maximo
Corriente
rectificada
promedio
SUR
(switching
utilization
ratio)
Convertidores DC-DC sin aislamiento.
Buck

D

(0<D<1)
Vin Iout Vin Iout x D Vout / Vin
Boost

1/(1-D)

(0<D<1)
Vout
Iout x Vout /Vin

Vout Iout Vin / Vout
Flyback
(buck-boost)

-D/(1-D)

(0<D<1)
Vin + |Vout|
Iout x
(1+ |Vout|/Vin)
Vin+ |Vout| Iout |Vout|/Vin
Cuk

-D/(1-D)

(0<D<1)
Vin + |Vout|
Iout x
(1+ |Vout|/Vin)
Vin+ |Vout| Iout |Vout|/Vin
Sepic

D/(1-D)

(0<D<1)
Vin + Vout
Iout

Vin+ Vout Iout Vout/ (Vin+Vout)
Convertidores DC-DC aislados
Flyback

(2Pout
LpF/Vin)

(0<D<1)
Vin+Vout
(Np/Ns)
DVin/LpF
Vout+
(VinNs/Np)
Iout

2-switch
flyback

(2Pout
LpF/Vin)

(0<D<0.5)
Vin
DVin/LpF
Vout+
(VinNs/Np) Iout D/4
Forward

Ns/NpD

(0<D<0.5)
2Vin IoutNs/Np VinNs/Np
D1: IoutD

D2:
Iout(1-D)
Vout/2Vin
Ns/Np
2-switch
forward

Ns/NpD

(0<D<0.5)
Vin IoutNs/Np VinNs/Np
D1: IoutD

D2:
Iout(1-D)
Vout/2Vin
Ns/Np
Active clamp
forward

Ns/NpD

(0<D<1)
Vin/(1-D) IoutNs/Np VinNs/Np
D1: IoutD

D2:
Iout(1-D)
Vout/Vin (1-
VoutNp/
VinNs)
Half-bridge

Ns/NpD

(0<D<0.5)
Vin IoutNs/Np VinNs/Np 0.5Iout
Vout/2Vin
Ns/Np
Push-pull

2Ns/NpD

(D<0.5)
2Vin IoutNs/Np 2VinNs/Np 0.5Iout
Vout/4Vin
Ns/Np
Full-bridge

2Ns/NpD

(0<D<0.5)
Vin IoutNs/Np 2VinNs/Np 0.5Iout
Vout/2Vin
Ns/Np
Phase
shifted full
bridge

2Ns/NpD

(0<D<0.5)
Vin IoutNs/Np VinNs/Np 0.5Iout
Vout/2Vin
Ns/Np


Como seleccionar una topologa para el convertidor DC-DC?

Debido a que nuestra fuente tiene que superar los 250W pero al mismo tiempo no tener
un valor mayor a 500W, entonces seleccionamos la topologa push pull, aunque hemos
podido escoger las topologas half-bridge y full-bridge, pero con el cuadro anterior,
pudimos deducir q lo mejor para subir las tensiones es la topologa push pull, pues tiene
un voltaje switching igual .

c. REQUERIMIENTOS.

Requerimos hacer una fuente de potencia para un amplificador de audio, que alcance
los 200Wrms, y que tenga una tensin mayor a 28Vrms, y q la tensin de entrada sea la
batera de un carro, o sea que la tensin de entrada ser de 12V, debido a todos estos

0-100 W
Iout<5A
0-100 W
Iout>5A
100-400W 400-1200W 1200-3000W
Single switch
flyback
*
2-switch
flyback
*
Single-switch
forward
* *
2-switch
forward
* * *
Half bridge * *
Full bridge * *
Push pull * *
ZVT full bridge * *
detalle del problema a solucionar se opt por una fuente switching que utiliza un
nmero pequeo de vueltas en el transformador, para obtener una fuente simtrica.

d. ESPECIFICACIONES FINALES DE LA FUENTE.

Tensin de entrada 12V 10%
Tensin de salida +45/-45 10%
Tensin RMS 30Vrms
Potencia de salida 250W
Topologa Push-Pull
Corriente mxima 8 A
Eficiencia 75%
Regulacin por variacin de
ciclo de trabajo (d(max))
0.8
Max tensin de trabajo del
transistor
Vw = 2 Vin(max) 1.41 + tensin de
proteccin
Frecuencia de operacin 65.5kHz
Frecuencia de operacin por
cada rama del push pull
33Khz
Rango de temperatura 0-55 C



3) ETAPA DEL CONVERTIDOR DC-DC.

Como era de suponerse, comenzaremos con los clculos de las etapas pertinentes, y adems de
un minucioso anlisis de cada etapa a manera de introduccin.
La fuente se alimentara con un batera de carro, 12v, y consta tambin de un switch, lo que hace
es habilitar el funcionamiento de la fuente.
Se dispone de un fusible de 30 amperios, la razone de usar un fusible es para evitar un probable
calentamiento debido a la corriente de consumo nuestro amplificador.
Hay un rizado de la batera debido al accionamiento de los dispositivos del vehculo, como
puede ser el motor de arranque, el limpiaparabrisas, etc. Para esto se pone el capacitor C1 de
100 nF, la razn de usar un capacitor de baja capacidad es para disminuir los picos de corriente
generados por los capacitores, pero esto hace que aumente el rizado de la seal, para,
solucionar esto a continuacin se dispone de un filtro LC, lo que hace la bobina es oponerse a las
variaciones de corriente mientras que los capacitores electrolticos se oponen a los cambios de
tensin. El valor de estos capacitores debe ser elevado ya que mientras ms capacidad tenga
menor ser el rizado pero en contraparte mayor sern las fluctuaciones de corriente para lo que
se dispone de los capacitores de 100nF.

a. ETAPA OSCILADORA.

Es importante esta etapa, puesto que no existen transformadores de corriente continua,
para elevar la tensin de entrada, en este caso DC, por lo tanto usaremos un driver tl494
o UC2535, como generador PWM de altas frecuencias(muy superiores a las de corriente
alterna por ejemplo).

i. INTEGRADO TL494.

Este integrado es muy usado en los diferentes tipos de fuente switching, como
por ejemplo las fuentes ATX para computadoras de escritorio, con esta etapa
podemos generar seales cuadradas PWM, que permiten tener esta etapa a
manera de etapa osciladora, el detalle es que esta etapa no nos permite
manejar voltajes altos directamente, para ello se har uso de una etapa
adicional.

A continuacin el esquema interno y patillaje del integrado.









ii. DESCRIPCION.

El oscilador controla la frecuencia del integrado TL494 y est pre-programado
por Rt y Ct de acuerdo con la aproximacin de la siguiente frmula:



Nosotros elegimos un




Tensin de alimentacin 8v a 40v
Referencia de salida de corriente 0 a 20mA
Resistencia tiempo,RT 1.8 k a 100 k
Condensador de temporizacin 0.1Uf
Rango de temperatura ambiente -25 a 85 C




Como se utilizara ambas salidas del CI TL494 independientemente, cada salida
trabajar a la mitad de la frecuencia:

Debemos recordar que para configurar este modo de trabajo, el control de
salida debe estar conectado al voltaje de referencia, esto nos asegura que las
salidas nunca se activen a la vez y entre ellas hay un tiempo muerto que
refuerza esta ltima accin.

iii. FORMA SIMULADA.

La siguiente forma es la que se usa en el interior del integrado TL494, usada
para un solo driver de potencia.



El circuito de proteccin que evita la activacin de los transistores al mismo
tiempo est compuesto por compuertas NOR y el flip-flop D que est
configurado como toggle.
Cuando el voltaje que se realimenta es pequeo, significa que se est
consumiendo mucha corriente y para que el voltaje no se reduzca es necesario
incrementar el ciclo de trabajo, como ya se mencion anteriormente, este ciclo
de trabajo llega al 48% como mximo, la siguiente figura muestra el duty cycle
alto debido a un alto consumo de corriente.
Nuestras salidas del integrado son a travs de los pines 14 y 11 los cuales tienen
una seal de onda cuadrada desfasadas, que van alimentar a la etapa de
potencia que consta de los MOSFETs.

Al hacer la respectiva simulacin del sistema digital, obtendremos las siguientes
formas de onda.
Recordaremos que esta grfica es debida a la realimentacin del sistema, y pues
si nosotros tenemos un alto consumo de corriente a la salida de la fuente SMPS,
obtendremos un seal realimentada ms pronunciada debida a la carga y
descarga del capacitor, y por consiguiente el integrado modulara el pulso en sus
pines de salida.
Pudiendo ser esta modulacin con un mximo de 48% del ciclo de trabajo, as
como se ve en las siguientes imgenes.
Figura de la simulacin con un alto consumo de corriente, el PWM es alto.



La primera forma de onda es el diente de sierra generado por la carga y
descarga del capacitor, esta oscila a una frecuencia de 65.55KHz, entonces la
salida del comparador de error tendr la misma frecuencia que la del oscilador
(2 forma de onda), pero las salidas que excitan a los transistores no se ponen a
1 logico al mismo tiempo, permitiendo el control de una fuente del tipo push-
pull (Cada lado por turnos).
La siguiente figura muestra una realimentacin de alto voltaje, esto ocurre
cuando el consumo es mnimo, entonces no es necesario entregar todo el
porcentaje de duty cycle, por lo que este se reduce.



b. ETAPA INVERSORA Y TRANSFORMADORA.

Para la topologa elegida, habr dos ramas de transistores q al mismo tiempo tendrn
un parte inversora, amplificadora de potencia, posterior a esta est, tendremos la etapa
transformadora, que elevar la tensin de 12V hasta 45V10%

i. DESCRIPCION.

Las seales de la etapa osciladora vienen a travs de los pines 11 y 14 del integrado TL494.
Y el circuito general para nuestra topologa en esta etapa ser:

Internamente el circuito integrado contiene al oscilador, las compuertas NOR y
los transistores Q1 y Q2, estas salidas las podemos utilizar para excitar
componentes que manejen ms potencia. Este circuito enviara una seal a los 4
MOSFETs, los cuales ponen a tierra una terminal del transformador, mientras la
del otro extremo est al aire, y no existe conduccin, la terminal central del
bobinado primario del transformador, est conectada permanentemente a Vcc,
de esta manera uno de los bobinados primarios est activo, luego ambos se
desactivan y el siguiente bobinado se activa, la operacin se repite
continuamente, el tiempo en que cada bobinado permanece activado depende
del tiempo muerto y del porcentaje de modulacin del duty cycle.
El grupo de transistores MOSFETs Q1, Q2 y Q3, Q4 sern encendidos
alternativamente durante cada medio ciclo. Cuando el primer grupo de
transistores esta encendido, se inyecta voltaje a la mitad de la bobina del
primario. Bajo esta condicin la corriente fluye a travs del bobinado
secundario.
La corriente en el primario ahora depender de la corriente reflejada de la carga
mas una pequea componente de la corriente de magnetizacin del primario (
la cual depende de la inductancia del primario), durante el periodo ON
(encendido), la corriente del primario se incrementa como se incrementa la
componente de magnetizacin. Al final del periodo ON, definido por el circuito
de control, el primer grupo de MOSFETs deja de funcionar.
Como resultado de la energa almacenada y las fugas en las inductancias, los
drenadores del primer grupo de MOSFETs se convertirn en positivo y por
accin del transformador, los drenadores del segundo grupo sern negativos.
Cuando el voltaje del segundo grupo de MOSFETs llegue a cero, se puede
realimentar parte de esa energa para que no se pierda nuevamente a los
MOSFETs y ser utilizado luego.
Con el control de ancho de pulso, ahora le sigue un periodo tranquilo, durante
el cual ambos grupos de conmutadores, estn desactivados, durante este
periodo, la bobina del secundario mantiene una corriente fluyendo a travs de
los diodos que conducen el semi-ciclo positivo, hacia la carga, esta corriente
retornara a travs del bobinado central completndose el circuito.
Si la corriente de este inductor excede la corriente magnetizante reflejada en
magnitud (caso normal), ambas salidas rectificadas mantendrn el voltaje
estable o sin mucha variacin durante el periodo de descanso.
Consecuentemente durante el periodo de descanso, la densidad de flujo en el
ncleo no cambiara, el ncleo no llegara a cero mientras los dos grupos de
MOSFETs estn en estado apagado. Esta es una importante propiedad de este
tipo de circuito, que permite utilizar las caractersticas que relacionan Campo
Magntico y Elctrico.
Despus del periodo de descanso el cual es definido por el circuito de control, el
segundo grupo de MOSFETs entra en conduccin, y el proceso previamente
descrito se repite y se completa as un ciclo de operacin.

ii. CALCULOS PARA LOS MOSFETS.

Para poder calcular que MOSFETs usar en etapa, esto es muy importante
porque de acuerdo a la potencia que usaremos sabremos si poner un solo
transistor, o varios. Para ello calcularemos la corriente que esperamos obtener a
travs de ellos:

Usamos el MOSFET IRFZ48N que tiene una capacidad de 20Amp, y por lo tanto
colocamos 2 MOSFETS en paralelo, pudiendo obtenerse una corriente mxima
de 40Amp pico, y por consiguiente tambin no obtendremos mucha
temperatura en los mosfets a baja potencia, pero a alta se llegar a
temperaturas entre 0C - 55C.

iii. CALCULOS DEL TRANSFORMADOR.

Puesto que necesitamos de algunos clculos extras, se analizar esta parte por
etapas como sigue.


Como se espera obtener una potencia de 200Wrms, entonces:

Para un parlante de 4 Ohms entonces requerimos un voltaje de:

Por consiguiente la fuente tiene q entregar un voltaje mayor a los 28.28 volts
Ahora, una salida de 30.35Volts asegura una salida de de 200Wrms
Ahora tomaremos el valor de 45 volts rms, pues esto es lo ms comn en
amplificadores de potencia.


Ya que la eficiencia de la fuente no es 100%, generalmente va por el 90%,
tomaremos un factor de potencia de 0.8 para el clculo de la potencia mxima
de deber entregar la fuente.

Pero pero para asegurarnos la eficiencia de nuestra fuente conmutada,
usaremos un valor de 300 WRMS para la entrada de la fuente.

Entonces, como la batera de los autos no tiene un valor fijo, sino un valor de
10.5-13.5 volts, podemos hacer el clculo para un valor de 12Vrms. Y la
potencia hallada anteriormente es de 300Wrms.
Entonces:

Por lo tanto para la proteccin del circuito podremos usar un fusible de un
nivel mayor al que se all, usaremos uno de 30Amp.
Nuestros MOSFET tienen que poder conducir


Se escogi un modulador de pulsos PWM, tl494, usado en muchas de las
fuentes switching de computadora, y adems en muchas fuentes ATX.
Hallando la frecuencia de trabajo, revisaremos el datasheet, obteniendo la
siguiente informacin:

TAMAO DEL NCLEO.

La eleccin se realiza para una temperatura adecuada y alcanzar una
optima eficiencia. El mximo incremento de la temperatura permitida
es en 40 C, esto nos da una temperatura de superficie de 95C en un
ambiente de 55C.Para una operacin balanceada push-pull con la
capacidad de suministrar 300W a 65KHz de vemos elegir:
La figura de abajo muestra la eleccin de acuerdo a las caractersticas
dadas (frecuencia y potencia). Para este caso podemos elegir cualquiera
de los dos materiales, aqu elegimos el EE42/42/20.
El rango de la resistencia trmica para este tipo de transformador se
muestra en la siguiente figura:
Se observa que este vara desde 10 hasta 11.5 C/W.



PERDIDAS DE POTENCIA.

Si la resistencia trmica es 10.75C y la mxima variacin de
temperatura es 40C entonces la disipacin de potencia interna es:

Para ptima eficiencia, las perdidas en el ncleo Pc deben ser el 44%
de Pid, la cual sera:

VUELTAS DEL PRIMARIO Y SECUNDARIO.

Revisando algunos textos, llegamos a la conclusin de que la manera
ms sencilla de obtener estos clculos es de la siguiente manera:

Donde:
Np=numero de vueltas del transformador.
Vp= valor nominal de la fuente.
f=frecuencia de trabajo.
Ac=Area de la seccin central del ncleo del transformador (cm).
Bac=campo magntico (Teslas).
Kf=valor designado por la topologa de conmutacin (push-pull).

Para el clculo de las vueltas de la salida, tenemos:

Para el clculo de esta salida, no afectar mucho las aproximaciones,
puesto que el lazo de la realimentacin ir calibrando el valor de la
fuente a tiempo real.
Pero a esto se tomar 3 vueltas ms para compensar la realimentacin
por lazo cerrado.



Corriente a la entrada del transformador, como ya se vio, tendr una
corriente de entrada.

Corriente de salida del transformador ser

Entonces los conductores que usarn en el diseo del transformador
sern:
Para la corriente secundaria usaremos un solo conductor AWG #18.
Ya que el conductor primario conduce triple corriente, entonces
usaremos 3 conductores AWG #18.

c. ETAPA RECTIFICADORA.

Lo que obtenemos del secundario del transformador es un voltaje en forma de pulsos,
en esta etapa se rectifica la seal mediante el diodo Schottky o diodo de barrera
Schottky.
Este un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre
los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de
3 vueltas
3 vueltas
18 vueltas
18 vueltas
5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral. La tensin de codo es la diferencia de
potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito
abierto esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando existe una diferencia de
potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa
ste opere de forma similar a como lo hara regularmente. A diferencia de los diodos
convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa
a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin
umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V.




d. ETAPA DE FILTRADO.

La ultima parte es la de filtrado para tener el menor porcentaje de rizado y el nivel de
voltaje sea lo ms continuo posible.

El filtro que se utiliza es un LC, adems de fusibles de 5A para proteccin, ya que cuando
la carga est consumiendo demasiada corriente el nivel de voltaje se baja, tambin hay
una configuracin de una resistencia con un LED, el cual indicara que a la salida se est
entregando un nivel de voltaje.

Este es el filtro utilizado, para lo cual calcularemos los valores para filtrar los valores de
las frecuencias de los armnicos en la fuente switching.
Usando la transformada de laplace, y obteniendo la ganancia:

Procedemos a calcular la bobina:

Vmax: la tension de entrada mxima (50 V).
f: la frecuencia de trabajo (33Khz+armnicos).
Bmax: densidad mxima de flujo en el ncleo de saturacin de gauss.
A: rea de la seccin transversal del ncleo de saturacin en cm^2.

Calculo de la inductancia:

e. ETAPA DE REALIMENTCION PARA CONTROL DE VOLTAJE.

Como bien sabemos tenemos una etapa realimentada, que consta de diodos zener y un
optocomplador, adems de un regulador de tensin TL431, comnmente usados en
fuentes ATX, adems de su fcil adquisicin, se organizan de la siguiente manera:



Esta seal va hacia el primer comparador del integrado TL494, haciendo que si tenemos
una carga o descarga en los capacitores de salida de la fuente, se genera una seal a
modo de diente de sierra, que tiene que ser adaptada al nivel de voltaje del integrado, y
ese el motivo de los zener (bajan la tensin), y el integrado TL431 es un regulador de
voltaje que tambin tiene la funcin de bajar la tensin pero una forma regulada por el
potencimetro, para as colocar en el optocoplador el diente de sierra a nivel ya
comparable para el integrado TL494. Y as modular el ancho de pulso.
Debiendo ser el ancho de pulso el que permite obtener un alto consumo de corriente, o
bajo consumo de corriente, sin alterar el valor de voltaje de salida.

4) DETALLES DEL ESQUEMTICO DE LA FUENTE.

El esquemtico de la fuente lo agregamos como un anexo a este informe, para su anlisis y
mejor acceso.

a. BREVE EXPLICACION DEL ESQUEMTICO.

El circuito de esta fuente fue diseado para poder elevar la tensin procedente de una
batera para automvil, y poder usarla en un amplificador para audio de clase, de gran
eficiencia y muy buena calidad de sonido.
Adicionalmente a lo ya explicado, podemos observar un par de LEDs que estn muy
prximos al integrado TL494, estos indican si el integrado est funcionando de manera
correcta, el LED verde, indica que la fuente est operando con normalidad, y si enciende
el LED rojo, indica que el circuito a entrado en modo proteccin (se cortocircuita
automticamente), posiblemente por una causa como la demanda de no equilibrada de
carga (algn MOSFET daado o una carga no equilibrada colocada a la salida).
Algo ya explicado es el funcionamiento del TL494 y la conmutacin de los MOSFETs,
aunque quedan algunos puntos pendientes sobre el transformador, por ejemplo que
tipo de salida obtendremos a los bornes de los secundarios de los transformadores,
entonces:


Esquema en PROTEUS.


La siguiente figura hace referencia a las salidas en los bornes del secundario del
transformador (las 2 ltimas seales de la figura).
All se puede observar algo muy importante y estos son los armnicos que se generan
en el rebote del cambio de nivel de tensin, usaremos un filtro EMI para evitar que este
ruido no deseable pas a otros aparatos conectados a la misma batera de auto. Y un
filtro de salida con un CHOPER y condensadores, para evitar q estos armnicos (60Khz,
30Khz, 15Khz, 7.5Khz, etc), pasen a nuestro amplificador, puesto que sera muy
perjudicial para la calidad del sonido.



b. ESPECIFICACIONES FINALES.

Tamao y peso. 250 gr Apox.
Voltaje de entrada -12 V
Voltaje de salida. +45 V
-45 V
0 V (GND)
Eficiencia. 72 %
Calor. 0-55 C
Potencia mxima 350W
Corriente de entrada mxima 30Amp
Corriente mxima de salida 6Amp
Frecuencia de trabajo 60Khz
Frecuencia por mosfet 30Khz
Energa disipada.
Interferencia por radiofrecuencia Ausente.
Ruido electrnico Mnimo.
Ruido acstico Audible.
Factor de potencia 0.72
Ruido elctrico Mnimo.

5) PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL AMPLIFICADOR CLASE D.

Una tecnologa completamente nueva para la amplificacin de sonido ha ido evolucionando
durante los ltimos aos 15-20 que tiene un claro beneficio en la Clase-A de corriente
generalizada, y topologas AB. Estamos hablando de la llamada "clase D". Este beneficio es sobre
todo su alta eficiencia energtica.
La figura muestra las curvas de eficiencia tpica vs Potencia de salida para los diseos de la Clase
AB y Clase D-.



La eficiencia mxima terica de clase-D en diseos es 100%, y ms del 90% es alcanzable en la
prctica. Tenga en cuenta que esta eficiencia es alta en los niveles de potencia muy moderada
hasta saturacin, mientras que el mximo del 78% en la Clase B se obtiene en el inicio de la
saturacin. Una eficiencia de menos del 50% se realiza en el uso prctico con seales musicales.
Alimentacin de alta eficacia del amplificador PWM se traduce en menor consumo de energa
para una potencia de salida dada, pero, ms importante, que reduce los requisitos de disipador
de calor drsticamente. Cualquier persona que ha construido o ha visto un amplificador de
audio de alta potencia se ha dado cuenta de que las extrusiones de aluminio grandes son
necesarias para mantener la electrnica relativamente fresca. La carga en el transformador de
potencia tambin se reduce en una cantidad considerable, lo que permite el uso de un
transformador ms pequeo para la misma potencia.
Estos disipadores representan una parte importante del peso, el costo y el tamao de los
equipos. A medida que profundizar en los detalles de esta topologa, nos daremos cuenta de
que un comportamiento as (baja distorsin, rango completo) amplificador Clase-D deben
operar a frecuencias muy altas, en el rango de 100 kHz a 1 MHz, que necesitan de energa muy
alta velocidad y la seal dispositivos. Esto ha relegado histricamente esta clase de usos en los
que no es necesaria el ancho de banda y mayores niveles de distorsin son tolerables - es decir,
subwoofer y usos industriales.
Sin embargo, esto ha cambiado y gracias a la ms rpida de hoy cambia, el conocimiento y el
uso de tcnicas avanzadas de informacin que es posible el diseo de la Clase-D muy buen
desempeo amplificadores que cubre toda la banda de audio. Estos niveles incluyen una alta
energa, pequeo tamao y baja distorsin, comparable a la de un buen diseo de una clase AB.

a. TOPOLOGAS.

Bsicamente tenemos solo dos topologas de Clase-D - medio puente (2 dispositivos de
salida se utilizan) y puente completo (4 dispositivos de salida). Cada uno tiene sus
propias ventajas.

i. Clase-D - medio puente (half bridge).

Obviamente medio puente es ms simple y tiene ms flexibilidad como un
amplificador de medio puente se puede salvar como con topologas clsicas.
a. Puerta de conduccin (cuando no se usa simetra complementaria)

Para garantizar la rpida subida/cada de los MOSFET, la puerta del
conductor debe proporcionar una alta corriente para la carga y descarga
de la capacitancia de la puerta durante el intervalo de conmutacin. Por
lo general, 20 - 50 ns de subida / cada es lo que se necesita, que
requiere un aproximado de 1 A de corriente de compuerta.
Tenga en cuenta que los esquemas se muestra el uso tanto de N-
MOSFETs. Aunque algunos diseos utilizan N y P dispositivos de canal
complementario, no es ptimo implementarlos, debido a la dificultad de
obtener los dispositivos adecuados P y N pares. As que vamos a
concentrar en la de canal-N de slo el medio puente. Tenga en cuenta
que, con el fin de conducir un MOSFET de una tensin por encima de

debe estar presente entre su puerta y la fuente. El MOSFET inferior
tiene su fuente conectada a Vss, por lo que su circuito de control tiene
que ser referido a ese nodo en lugar de GND.
Sin embargo, el MOSFET superior es ms difcil de conducir, ya que su
origen es continuamente variable entre +Vdd y Vss (menos cae debido
a la resistencia). Sin embargo, su conductor debe estar tambin
conectado al nodo de conmutacin y, por lo que es ms, para el control
sobre el estado, la tensin debe estar varios voltios por encima de +Vdd
para una tensin Vgs positivo se crea cuando est en el Q1. Esto
tambin implica un cambio de voltaje para el circuito modulador se
puede comunicar correctamente con el controlador.
Esta es una de las principales dificultades de la clase D de diseo:
control de puerta. Para resolver este problema, varios mtodos se
toman:

o Transformador acoplado: til en fuentes de alimentacin de medio
puente, donde un ciclo de servicio no varan mucho. En los
amplificadores de audio sin embargo, los rangos del ciclo de trabajo
del 0% al 100%, por lo que este mtodo crea un problema porque la
seal est acoplado en AC. Un DC de restauracin del circuito (no
mostrado) que se necesita.



o Driver BJT discreto: algunos diseos utilizan transistores para llevar
a cabo tanto en el cambio de nivel y la unidad de IC. Una vez ms,
hay un problema: necesitamos una tensin que es superior a Vdd +.



o Circuitos integrados de control: hay una serie de controladores
MOSFET en el mercado, optimizado para alta velocidad, que pueden
ser utilizados. Una vez ms, una tensin superior a Vdd es necesaria,
as como cambio de nivel.



b. Realimentacin.

Como ya se ha dicho anteriormente, los errores de tiempo puede
conducir a la distorsin y un ruido mayor. Esto no puede ser omitido, y
mientras este punto se mantenga ms preciso, ser mejor es el diseo
realizado. De todos modos, en lazo abierto, los amplificadores Clase-D
no son buenos para satisfacer las especificaciones ms exigentes, por lo
que la retroalimentacin (negativa) es casi obligatoria. Existen varios
enfoques. El ms simple y ms comn es tomar una fraccin de la seal
de conmutacin, es condicin previa a travs de un filtro de paso bajo
RC pasivo y se alimentan de vuelta al amplificador de error.
En pocas palabras, el amplificador de error es un OPAMP que adquiere
seal antes el comparador PWM, que compara la seal de entrada con
la seal de retroalimentacin para generar una seal de error que los
amplificadores reducen automticamente.
En la siguiente figura se ve una realimentacin tpica, para esta
topologa.


ii. Clase-D - puente completo (full bridge).

Puente completo requiere que los dispositivos de salida nominal de la mitad de
la tensin como un amplificador de puente de la mitad de la misma potencia,
pero es ms complicado.
Es como si se conectarn 2 dispositivos half bridge, tambin es llamada de
simetra complementaria.




b. REQUERIMIENTOS.

Requerimos un amplificador de audio de alta fidelidad de sonido, y que puedo
amplificar una seal de audio, hasta alcanzar una potencia mxima de 250W, con una
alta eficiencia, y que sea capaz de tener una banda de tolerancia muy baja.
Para ellos elegiremos el amplificador de clase-D half bridge, por su simplicidad y
eficiencia.

c. VENTAJAS DE LA ELECCION DE LA TOPOLOGA.

La ventaja principal de elegir esta topologa, es su alta eficiencia, ya que puede tener
una eficiencia de hasta 98%, y en la prctica hasta 97%, por otro lado una ventaja que
tambin es muy importante es la distorsin de la seal, pues la calidad y fidelidad del
amplificador se verifican por la distorsin que este genera.
Adems del muy bajo costo que representa el usar solo 2 MOSFETs para poder
amplificar a nivel de potencia elevados, con la respectiva fuente podramos amplificar
tranquilamente potencias superiores a 1 kW, claro q hacerlo podra traer problemas al
costo, tamao, etc.
El tamao es reducido, son circuitos pequeos con conducciones de corrientes elevadas,
superiores a los 10Amp en la salida, para muy altas potencias, y adems de ser
tecnologa relativamente nueva.

d. ESPECIFICACIONES FINALES.

Voltaje de entrada 45V
Potencia de salida 200

Corriente de conduccin mxima 6Amp
Distorsin Menor a 1%




6) DESCRIPCIN DEL CIRCUITO DEL AMPLIFICADOR CLASE D.

a. INTRODUCCION.

Para fines de estudio, se ha realizado el circuito:
amplificador Hi-Fi clase D de hasta 1250

sobre parlante de 8/4de ohm

Este circuito lo estamos adjuntando en los anexos del documento.

b. BREVE DESCRIPCIN DEL CIRCUITO.

Amplificador clase-D para la obtencin de un alto rendimiento y al mismo tiempo una
potencia considerablemente alta.
Este circuito contiene un comparador OPAM para comparar una realimentacin con la
seal de entrada, aqu colocamos un amplificador diferencial para manejar
correctamente la seal del OPAM, posterior a este contiene un driver para los MOSFETs
de conmutacin, la salida se toma del punto medio, entre los MOSFETs, colocamos un
filtro pasa bajos para reducir la banda de respuesta en frecuencia hasta unos 2HZ-
200KHz, de aqu sale la realimentacin al OPAM.
Existen anexos para regulacin de voltaje de alimentacin, en la parte inferior izquierda
vemos un circuito q regula la tensin para la alimentacin del OPAM, lo hace por medio
de diodos zener, y se regula hasta una tensin de 3V.
En la parte inferior derecha se observa un circuito que contiene el transistor TIP31C,
este es un regulador de tensin para la alimentacin del IR2110, pero al mismo tiempo
le cambia el valor del voltaje de referencia a Vdd.

7) ANLISIS DEL AMPLIFICADOR.

a. COMPARADOR LM311.

Este circuito es como cualquier OPAM, su esuqema se ve en la siguiente figura:



Por lo visto anteriormente, los errores de tiempo pueden conducir a la distorsin y el
ruido mayor. De todos modos, en lazo abierto amplificadores Clase-D no son muy
recomendables, por lo que (negativa) la retroalimentacin es casi obligatoria. Existen
varios enfoques. El ms simple y ms comn es tomar una fraccin de la seal de
conmutacin, es condicin previa a travs de un filtro de paso bajo RC pasivo y se
alimentan de vuelta al amplificador de error.
En pocas palabras, el amplificador de error es un OPAMP coloca en el camino de la seal
(antes de que el comparador PWM) que resume la seal de entrada con la seal de
retroalimentacin para generar una seal de error, que los amplificadores reducen
automticamente (este es el concepto de cada sistema de retroalimentacin negativa).

As se mejora la fidelidad, corrigiendo el error y haciendo la seal ms parecida a la
entrada.
b. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

Implementar este circuito, es muy til para todo amplificador de audio, ya que
disminuye el ruido comn y solo amplifica la seal de audio, el clculo se presenta a
continuacin.

Este circuito es fcil de analizar y se proceder a explayar los resultados

Por lo tanto:

Se ve que al utilizar los transistores para obtener

la ganancia en modo comn se

hace despreciable.
Tomando segn el datasheet un
Por la simplicidad del circuito tenemos:

c. DRIVER PARA LOS MOSFETS, CI IR2110.

Para nuestro proyecto no se uso la simetra complementaria, ya que encontrar 2
MOSFETs N y P con las mismas caractersticas es casi imposible, as que se utilizo 2
MOSFETs IRFP250 de canal N. Para aislar picos negativos de positivos, se utilizo el Driver
IR2110 para as dejar de usar la simetra complementaria.
Bsicamente los MOSFETs de arriba trabajan con picos positivos, y los MOSFETs de
abajo trabajan con los picos negativos. As que nuestro driver solo tiene la sencilla tarea
de aislar los picos positivos de los negativos.
Para nuestro caso tenemos:




d. CLCULO DE LOS MOSFETS.

Para los MOSFETs he de decir que con una carga de , si fuese uno solo tendra que
soportar picos de 10A.
La potencia nominal pedida es de 200Wrms.
Entonces:

Se ve segn el cuadro que a medida que se trabaje a mayor temperatura los transistores
sern capaces de disipar menor potencia, para la corriente de drenador a 25c I=33, y
para 100C se tiene una corriente I=20A.

Para este diseo se decidi disminuir la carga de los MOSFETS utilizando 2 en paralelo
para una mejor disipacin de calor, y por lo tanto el circuito calentara menos.


e. CALCULO TERICO DE EFICIENCIA DEL AMPLIFICADOR.

Para los clculos de Potencia tenemos una Topologia de medio Puente.
El clculo de la potencia es el siguiente:

Segn el Datasheet tenemos:

Asumiendo, la peor opcin:

Tenemos una eficiencia del 98%

f. FILTRO DE SALIDA.

Empezare describiendo el filtro que se utiliza en este circuito para la seal de salida. Se
tiene el siguiente filtro de salida de la seal PWM de los Mosfets, sin realimentar:

El filtro tiene la siguiente funcin de transferencia en el dominio de Laplace:

Donde la frecuencia de resonancia es:

De un criterio de diseo de filtros (Circuitos Electrnicos Norbert R. Malik), la frecuencia
de corte debe ser por lo menos 4 veces la mxima frecuencia de entrada.
Esto limita a la mxima frecuencia de la seal a:

i. Anlisis de la respuesta en frecuencia en MATLAB:

a. Filtro Pasa bajos LC con carga

>> g=TF([10^(12)],[45 7.5*10^(6) 10^12])

Transfer function:
1e012
--------------------------
45 s^2 + 7.5e006 s + 1e012

>> bode(g)
>> grid on




Aqu tenemos presente la respuesta en frecuencia del filtro LC cuando la
carga es

, Podemos apreciar una respuesta plana a nuestro filtro

de segundo orden.
La eleccin de una frecuencia de corte tan alta con respecto a la seal
amplificada es que se produce mucha distorsin, a pesar de tener una
respuesta plana en la grafica de bode.

Podemos observar las siguientes simulaciones:

Para f=6KHz



Para f=10KHz


Para f=18KHz


Para f=23.7KHz


ii. Para lazo abierto


>> g=TF([10^(12)],[45 0 10^12])
Transfer function:
1e012
--------------
45 s^2 + 1e012
>> bode(g)
>> grid on




Se observa el fenmeno de resonancia al estar solo el circuito LC con
resistencia de carga infinita.


8) COSTOS Y FIDELIDAD.



9) OBSERVACIONES.

o Es muy desfavorable para este amplificador, la ausencia de carga en la salida del mismo, ya que
se observa el fenmeno de resonancia, y esto puede ser muy desfavorable para los mosfets.
Para solucionar el problema, se coloc una resistencia de una valor superior a la carga RL del
parlante, Aproximadamente

, por lo tanto se coloc una resistencia de 4.7K en

paralelo a

y no afectamos su respuesta en frecuencia.

o Se ha observado que el circuito en ausencia de seal de entrada, genera un ruido parecido a un
zumbido, investigando al respecto se ha llegado a una solucin a este problema, y recomiendan
q en ausencia de seal se cortocircuite la entrada. Pues este efecto agregado al efecto de
resonancia es perjudicial para el funcionamiento normal del sistema realimentado.
o Varios componentes fueron difciles de conseguir, pero haciendo la investigacin pertinente,
hemos podido reemplazar estos componentes por otros ms comerciales. Como por ejemplo el
uso de diodo fast recovery, en vez de los schootky de alta velocidad, y el mismo caso para el
capacitor de salida, q fue reemplazado por 3 de condensadores de polietileno de 1 uF, 2 en
paralelo y 1 en serie.
o La diseador agrega informacin acerca de usar resistencia de precisin en la realimentacin, as
como en la entrada de audio, pero hemos llegado a ver que la respuesta est libre de ruido y
otros efectos al colocar la resistencias comunes de tolerancia = 5 %. Adems del uso de
capacitores cermicos, se ha usado capacitores de polietileno pues estos pueden aguantar
potenciales mayores, el inconveniente sera q son ms grandes, pero no generan ruido ni
efectos perjudiciales visibles.

10) CONCLUSIONES.

o Este amplificador es ideal para altas potencias, por su alta eficiencia, que se refleja en un ahorro
de energa.
o La respuesta en frecuencia est limitada por la velocidad de conmutacin de los MOSFETs, el
driver y sobre todo por el filtro pasa bajos LC, factores que lo limitan para aplicaciones de
subwoofer e industriales.
o El hardware adicional (modulador PWM y driver para MOSFETs y filtro LC) lo que lo hace ms
difcil de implementar, vale la pena porque su eficiencia es notoria.
o Se ha logrado conseguir una eficiencia muy alta, adems de tener un pequeo equipo bastante
barato, y una fidelidad de audio impresionante.

11) BIBLIOGRAFIA.
a. DATASHEETS
b. DOCUMENTOS EN ADOBE READER.
0.-Designing Switching Voltage Regulators With the TL494 - TEXAS INSTRUMENT
1.-cAPACITORES DE DISCO-dicopel
2.- ELECTRONICA ANALOGICA TECSUP- CAP3
3.-ELECTRONICA ANALOGICA TECSUP- CAP 4
4.-Amplificador-Ucd-Hasta-1250w-Rms
5.-Filtros-EMI
6.-ALAMBRES Y CINTAS DE NICROM
7.- CODIGOS DE CAPACITORES
8.-Circuitos_microelectronicos_Sedra_Smith
9.-DISEO DE FUENTES DE ALIMENTACION-Clase9
10.-CIRCUITO EN EL QUE SE HA BASADO EL DISEO DE LA FUENTE SMPS
dog_amp_car_smps_978
11.- Electronica De Potencia - Rashid - En Espaol
12.-formaletas PARA TRANSFORMADORES
13.-push pull transformer-CALCULOS PUSH PULL Y TRANSFORMADOR
14.-tabla_peso_x_metro_y_metros_x_kg PARA ALAMBRES DE COBRE
15.-Toroidales Nucleos Algunos Clculos y Datos

c. INFORMACION WEB

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supply-12vdc-3251/
ii. http://www.forosdeelectronica.com/f21/fuente-conmutada-switching-
8558/index3.html
iii. http://www.smps.us/topologies.html
iv. http://www.forosdeelectronica.com/f31/amplificador-highend-clase-d-25w-
1250wrms-solo-2-mosfets-n-24854/
v. http://mexico.newark.com/international-rectifier/irfp250npbf/n-ch-mosfet-
200v-30a-to-247ac/dp/63J6859?in_merch=Popular%20Products
vi. http://www.forosdeelectronica.com/f31/amplificador-200w-ampliable-400w-
3234/
vii. http://www.forosdeelectronica.com/f31/diagramas-amplificadores-3225/
viii. http://www.forosdeelectronica.com/f36/preguntas-frecuentes-sobre-clase-d-
25w-1250wrms-solo-2-mosfets-n-86176/
ix. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfz44n.pdf
x. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfz48n.pdf
xi. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfz250n.pdf
xii. http://construyasuvideorockola.com/proyect_fuente_dual_variable.php
xiii. http://construyasuvideorockola.com/transformador.php
xiv. http://www.circuits.dk/powersupply_resources_ti_smps.htm
xv. http://pablin.com.ar/
xvi. Festo - Soporte y descargas - Medios de comunicacin corporativos
xvii. www.tutoelectro.com
xviii. Foro general de electrnica ANALGICA
xix. http://www.pronine.ca/multind.htm ---CALCULADORA INDUCTOR DE AIRE.

d. DOCUMENTOS OFFICE.
0.- switching.PPT
1.- tema-2-modulacion-de-pulsos.PPT
2.- Tipos de capacitores y sus caractersticas .XDOC
e. FOTOGRAFAS IMPORTANTES.

Fuente terminada, una vez corregida y limadas imperfecciones.



Amplificador primera versin con defecto e inductor toroidal de polvo de hierro. Este modelo
aun tena una serie de imperfecciones.


12) ANEXOS.
Se agregar a este informe un CD, conteniendo toda la informacin usada, adems de fotos, y
los datasheet de los componentes utilizados.