Está en la página 1de 5

DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperacin rpida) y
Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 6000 V, 4500 A, con un tiempo de recuperacin
inversa de 25 s y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 6000 V, 1100 A.
El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 s. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales
para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un
ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin
muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus
especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que
el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V.
Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo.
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (V
RWM
): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma
continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (V
RRM
): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos
cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (V
RSM
): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante
10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (V
BR
): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (V
R
): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (I
F(AV)
): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales
de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (I
FRM
): es aqulla que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin
de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (I
FSM
): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada
10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (I
F
): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de
conduccin.
Tiempo de recuperacin inverso


El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se
encuentra conduciendo una corriente I
F
, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores
mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea I
F
. Si mediante la aplicacin de una tensin
inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por
cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten
que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no
se establece hasta despus del tiempo t
a
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores
empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La corriente todava tarda un tiempo t
b

(llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (I
RRM
) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.
El fenmeno de recuperacin inversa determina la mxima frecuencia de operacin del diodo de acuerdo con
la expresin:
rr
t
f
* 2
1
=
en herz.
t
a
(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
t
b
(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se
anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se
suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 25 % de ste.
t
rr
(tiempo de recuperacin inversa): es la suma de t
a
y t
b
.

Q
rr
: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de
recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
I
rr
: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre t
b
/t
a
es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Q
rr
por el rea de un tringulo :

De donde :
y
Temperatura de la unin (T
jmx
)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si
queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo
de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Es importante tener en cuenta
los parmetros de temperatura a la hora de dimensionar el disipador de calor.

Temperatura de almacenamiento (T
stg
)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante
suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-encapsulado (
JC
TH
R ) tambin llamada (
JC
)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este
dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
JC
TH
R = (T
jmx
- T
c
) / P
mx
siendo T
c
la temperatura del encapsulado y P
mx
la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica encapsulado-disipador (
CS
TH
R ) tambin llamada (
CS
)
Es la resistencia existente entre el encapsulado del dispositivo y el disipador. Se supone que la propagacin
se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).
Principales causas de sobre corrientes
La causa principal de sobre corriente es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a
cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores,
carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de
evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha
trmica).
rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los
ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus
caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se
da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I
2
t y su tensin.
Parmetro I
2
t
La I
2
t de un fusible es la caracterstica de fusin del filamento; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y
la corriente I en amperios. Matemticamente: dt wt sen I t i
t
FSM
) (
2
0
2 2

=
Debemos escoger un fusible de valor I
2
t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no
el diodo.

EVALUACION

1. mencione algunas caractersticas de los tres tipos de diodos de potencia
2. que son los parmetros de bloqueo, mencione y defina 3
3. que es el fenmeno de recuperacin inversa
4. que son los parmetros de conduccin, mencione y defina 2
5. cual es la causa de una sobre corriente en un diodo, como se protege ante un corto?
6. porque es importante conocer el valor de los parmetros de temperatura para un diodo
rectificador?
7. si A I
FSM
3300 = , calcule el parmetro I
2
t para 60Hz y medio ciclo.


8. PROBLEMA

Dada la siguiente figura correspondiente a la respuesta de un diodo con la corriente determine grficamente:

a.
t
I


b.
RR
t

c.
RR
I

d.
RR
Q
e. la frecuencia mxima de operacin del diodo



7. identificar por lo menos 10 parmetros de diodos en la siguiente hoja de datos: