UNIVERSIDAD AUTNOMA DE ZACATECAS

UNIDAD ACADMICA DE INGENIERA ELCTRICA

INGENIERA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA
LABORATORIO DE ELECTRNICA II
PROYECTO FINAL
AMPLIFICADOR A PEQUEA SEAL CON EL JFET
DOCENTE
Dr. ENRIQUE DE LA ROSA MIRANDA
INEGRANTES
ROBERTO TORRES RENTERA
LUIS GARCA ESTRADA
SALVADOR MIRAMONTES DVILA
GRUPO Y GRADO
6 B
FECHA DE ENTREGA
13 JUNIO 2014
Introduccin
Una de las aplicaciones importantes de los transistores de
efecto de campo es la capacidad de amplificar pequeas seales
de corriente y/o voltaje variantes en el tiempo. Por ejemplo,
los
amplificadores con JFET se emplean como amplificadores de bajo
nivel en una primera etapa en receptores de radiocomunicacin;
o en circuitos de alarma de contacto, por citar algunos
ejemplos.
Dada su polarizacin eficiente tambin son utilizados en
amplificadores de potencia y en circuitos de conmutacin. En el
caso de amplificacin de seales sin distorsin se requiere que
el transistor opere en la regin activa. Existen tres
configuraciones bsicas de amplificadores JFET de una sola
etapa: amplificador en fuente comn, amplificador en drenador
comn y amplificador en compuerta comn.
Amplificador en fuente comn
Un amplificador en fuente comn es aquel en el que se aplica una
seal de entrada de CA a la compuerta y la seal de salida de CA se
toma de la terminal del drenador. La terminal de fuente es
comn tanto para la seal de entrada como para la de
salida. Las configuraciones bsicas para este amplificador
pueden incluir un resistor de fuente RS; o dos resistores
Rs en serie (RS=RS1+RS2), donde slo uno de ellos cuenta
con un capacitor en derivacin (conectado en paralelo a
este); o puede ser una configuracin donde Rs=0.
Amplificador en surtidor comn
El FET, por sus caractersticas especiales, (alta impedanciade
entrada, mejor respuesta de frecuencia que los transistores bipolares,
bajo ruido) se utiliza con frecuencia en amplificadores.
La batera VGG se utiliza para polarizar la compuerta del
transistor. La tensin en la compuerta ser negativa (-VGG),
pues no hay cada de tensin, en corriente continua, en la
resistencia RG.
(Acordarse de que no hay paso de corriente entre la compuerta G
y el surtidor S y la corriente que suministra la fuente Vin es
de corriente alterna). De esta manera la tensin en la compuerta ser
ms negativa que la tensin en el surtidor.
Amplificador en drenador comn
Alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida, ganancia
cercana a 1, salida en fase con la entrada. Circuito adaptador
de impedancias.
Si bien en configuracin fuente comn se puede usar para
adaptar impedancias, se usa ms como amplificador dada su
ganancia y en drenador comn, slo se usa para adaptar
impedancias dada su poca ganancia y salida en fase.
Amplificador en compuerta comn
Esta ser una aplicacin mas del FET y es la de compuerta
comn. Como se mostrar, este circuito posee una baja
impedancia de entrada, impedancia de salida similar a la de
fuente comn y una ganancia no invertida con la misma magnitud
que la de fuente comn.
Objetivo
Disear amplificadores usando el JFET usando un micrfono
electret y una bocina a la salida para verificar la ganancia de
voltaje.
Material y equipo
protoboard
multimetro
puntas de prueba
cables caimn
Desarrollo.
Se construy en fsico el circuito de la imagen 1.1, no sin
antes comprobar con su simulacin que en efecto se tiene una
considerable ganancia de voltaje y por tanto una muy buena
amplificacin:
Figura 1.1. Diagrama del circuito amplificador a construir.
Observaciones: se sustituyeron los capacitores de 0.47uF por
capacitores de 1uF y se us una fuente de voltaje a 12v.
Se hicieron los clculos pertinentes y se lleg a la conclusin
del resultado de la ganancia del voltaje del circuito,
arrojando este una ganancia de:
Av=Vo/Vi= 41.5.
Simulacin:
Utilizando el entorno desarrollador de circuitos multisim
Se procedi a la simulacin de dicho circuito, construyndolo y
aplicando un osciloscopio a la salida para la observacin de
los resultados. La antes mencionada se muestra a continuacin
en la figura 1.2.
Resultados.
Se obtuvo la ganancia de voltaje calculada para este circuito,
probndolo en protoboard, obtebiendo el ya mencionado resultado
de 41.5 en la ganancia.
Salida del circuito:
Como se puede observar, el voltaje pico a pico en la salida del
circuito es de 415mV, y como tenemos una entrada de 10mV:
Av=Vo/Vi=415mV/10mV=41.5.
Enseguida se muestra la grfica de relacin salida-entrada
del circuito:
Se observa en color verde la seal de entrada y con rojo la
seal de salida en este circuito, con una escala de 2ms en por
divisin de tiempo de la simulacin, y una escala de voltaje de
100mV por divisin en ambas seales.
Imgen del Circuito Fsico:
Se observa un electred a la entrada del circuito, el cual nos
sirvi para transmitir la seal de audio a amplificar; y una
bocina que es el receptor de nuestra seal amplificada.
Tambin se comprobaron las medidas en la amplitud de las
seales con un multmetro, observando el voltaje en ambas
seales para verificar la ganancia a la salida.
Conclusiones.
Los FET`s:
1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia
de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de
entrada es considerablemente mayor que la de los BJ! se
pre"ieren los #$ a los BJ para la etapa de entrada de un
ampli"icador multi%etapa.
2. &os #$ 'eneran un nivel de ruido menor que los BJ.
3. &os #$ so m(s estables con la temperatura que los BJ.
4. &os #$ son! en 'eneral! m(s "(ciles de "abricar que los
BJ pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y
di"usiones. $s posible "abricar un mayor n)mero de
dispositivos en un circuito inte'rado (es decir! puede
obtener una densidad de empaque mayor).
5. &os #$ se comportan como resistores variables controlados
por tensin para valores peque*os de tensin de drena+e a
"uente.
6. &a alta impedancia de entrada de los #$ les permite
almacenar car'a el tiempo su"iciente para permitir su
utili,acin como elementos dealmacenamiento.
7. &os #$ de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes 'randes.
Fuentes.
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_aplicac
iones.htm
http://www.uned.es/fac-
fisi/cdrom_cfisicas/asig/2ciclo/fisiind/cuarto/elect1/2pp/Tema8
/Prob_8-5.pdf
http://conocimientosfet.blogspot.mx/2010/01/jfet_30.html
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