TRANSISTOR BIPOLAR:

Transistor por unin Bipolar BJT

Tipos de transistores BJT
Funcionamiento del transistor BJT
Caractersticas del transistor BJT
Concepto de punto de trabajo y recta de carga esttica
..
Transistor por unin Bipolar - BJT
Un transistor bipolar de unin esta formado por dos uniones PN
en contraposicin.
El transistor esta constituido por tres regiones semiconductoras -
emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada
(< 1m).


Tipos de Transistores BJT
Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor tipo PNP.
Si el transistor tiene la capa P en el medio es un transistor tipo NPN.
Los tres terminales son: E = Emisor, B = Base, C = Colector
1. ZONA ACTIVA. El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta
como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de
base (ganancia de corriente). Este parmetro lo suele proporcionar el
fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector
dada (Ic).

2. ZONA DE CORTE. La operacin en sta regin corresponde a
aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el
modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC=0).
IB=IE=IC=0.
3.-ZONA DE SATURACIN. En este caso el transistor conduce la mxima
corriente de colector IC posible sin daarse, o sea que se comporta "casi"
como un interruptor cerrado Vce=0. Esta definida para tensiones Colector-
emisor de 0.1v a 0.4v. La corriente Ic es mxima o esta saturada. Un
aumento de ib no produce aumento de IC. El transistor es utilizado para
aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.)
Zonas del Transistor BJT
4.- ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.
Zonas del Transistor BJT
Zonas del Transistor BJT
Si la Vbe (Tensin base-emisor) es menor a 0,6V el transistor est en Corte.

Si la Vbe est entre 0,6V y 0,7V el transistor se encuentra en la zona Activa.

Si la Vbe est en 0,7V el transistor se encuentra en Saturacin.

Despus de que Vbe supera los 0,7V el transistor se daa de forma
permanente.
Zonas del Transistor BJT
Funcionamiento de un transistor
BJT NPN
En este esquema (condicin directa), la
unin Base Emisor (BE) acta como un
diodo normal.
Note en la grfica el flujo de electrones y
huecos, siendo la corriente de huecos menor.
A partir de ese momento, mediante el
mismo mecanismo del diodo, se produce una
corriente de base a emisor.
Funcionamiento de un transistor
BJT NPN
Conectemos ahora en forma inversa la conexin
Base Colector (BC).
Los electrones emitidos por el emisor se dividen
en dos: unos que se dirigen hacia la base,
recombinndose con los huecos, y otros que pasan
esta zona y se dirigen al colector.
La Base se construye muy angosta, as la
probabilidad de paso es mayor.
Aparece un flujo neto de corriente
(convencional) de colector al emisor.
La corriente que fluye al colector es mayor que
la que fluye a la base del circuito exterior.
De acuerdo con la I Ley de Kirchoff:
y adems:
donde es el factor de amplificacin (0.9 600)
Caractersticas de un transistor
BJT NPN


Para analizar la caracterstica i v de un
transistor se debe tomar los siguientes
pares:
Este ltimo par origina una familia de
curvas.
CE C
BE B
v i
v i

Caractersticas de un transistor
BJT NPN

En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal I
BB

inyecta una corriente en la base, en conexin directa
B
i
BE B
v i
BE
v
Caractersticas de un transistor
BJT NPN

De este modo, variando v
CC
, variamos el
voltaje v
CE
y por consiguiente la corriente en el
colector. Esto adicionalmente a la variacin de
i
B
. Se genera toda una familia de curvas, una
para cada valor de i
B
.
CE C
v i
Concepto de punto de trabajo y
recta de carga esttica
Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos:
- proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el
transistor opere en la regin lineal
- suministrar energa al transistor que va a ser convertida en potencia
En este circuito se verifica que
B
BE CC
B
R
V - V
I
El punto de trabajo del circuito en ese caso seria :
C CQ CC CEQ
BQ CQ
B
BE CC
BQ
R I - V V
I I
R
V - V
I

Este punto se encuentra localizado dentro de una

recta denominada recta de carga esttica
Prueba de Transistores
Prueba de Transistores
1.-base
2.- emisor
3.- colector
Prueba de Transistores
Prueba de Transistores
Transistores - Encapsulados
Los distintos encapsulados de estos transistores dependen del nivel
de potencia que tengan que disipar.


Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico.


Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias
ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una
rosca para fijar este a un disipador y as ayudar al transistor a disipar
el calor producido por esas altas corrientes.