Caracterizacion de semiconductores

Kaufman Bruno, Pelli Pablo Nahuel

Fsica Experimental II
Instituto Balseiro, CNEA
UNCuyo
23 de abril de 2014
En este estudio se determin o el comportamiento de un diodo semiconductor 1N4007 de
silicio, mediante medici on de curvas corriente-tension. Se estudi o el comportamiento frente
a la temperatura del mismo. Se obtuvo que la Energa de activaci on del mismo es de
E
g
= (1, 21 0, 08)eV. Tambien se comprob o experimentalmente que el mismo puede ser
explotado como un medidor de temperatura en un rango de 100 300K donde su tasa de
cambio a una corriente constante (8 mA) es de
V
T
= (1, 62 0, 02)
mV
K
.
1. Introducci on
Desde el punto de vista electronico existen 3 grupos
de materiales: los conductores, los aislantes y los
semiconductores. Un material conductor es aquel material
donde las bandas de valencia y de conduccion estan
superpuestas. Un material aislante tiene sus bandas
distanciadas por una distancia muy grande (ver gura
1). En los materiales semiconductores, se tiene que los
electrones en niveles energeticos debajo de un nivel
determinado existen en la llamada banda de valencia,
mientras que los niveles superiores a esta, donde los
electrones se pueden mover libremente, existen en la
llamada banda de conduccion. Estos dos niveles estan
separados por una energa entre bandas E
g
, a veces
denominada la energa de gap semiconductor.
Figura 1: Distintas bandas en materiales aislantes,
semiconductores y conductores
Existen en general 2 grandes grupos de semiconductores.
Los semiconductores Intrnsecos y extrnsecos. Un
semiconductor intrnseco es un semiconductor puro.
El mismo a temperatura ambiente se comporta como un
aislante ya que tiene pocos electrones libres y huecos debido
a su energa termica.
Un semiconductor extrnseco es aquel material intrnseco
que mediante procesos se modican sus propiedades
electronicas, este proceso se denomina dopaje. Existen dos
tipos de semiconductores extrnsecos. Los llamados tipo p y
los tipo n. Los tipo p son elementos a los cuales mediante un
Figura 2: Ejemplo de dopaje tipo n (a) y
tipo p (b) del silicio. Imagen extrada de
http://www.lmscanner.info/es/CCDSensoren.html
dopaje positivo se aumenta el n umero de huecos. Los tipo
n son elementos a los cuales mediante un dopaje negativo
se logra aumentar el n umero de electrones o portadores
de carga libre. Por ejemplo para dopar negativamente un
semiconductor es com un que se agreguen atomos de fosforo
o arsenico al material. (ver gura 2).
Una juntura p-n se forma cuando se ponen en contacto un
material semiconductor tipo p, con exceso de portadores de
carga positivos, y uno tipo n, con exceso de los mismos,
pero negativos. Al moverse los portadores a la region entre
los dos, se forma un campo electrico que los devuelve a
sus respectivas zonas, de manera que la region entre el
semiconductor p y el n se encuentra sin portadores, y se
denomina la zona de decaimiento[1].
En particular en un diodo de tipo p-n. Se tiene que
existe una corriente, denominada corriente de saturacion,
independiente del voltaje a traves del mismo, que aparece
como I
0
en la ecuacion caracterstica del diodo[2].
I(V, T) = I
s
[Exp[
eV
D
nKT
] 1] (1.1)
donde K es la constante de Boltzmann (8, 65E 5
eV
K
),
T la temperatura absoluta, y e la carga elemental (e =
1, 6x10
19
C). n es un parametro que depende del material
del que esta compuesto el diodo, normalmente vara entre 1
y 2.
1
Caracterizacion de semiconductores
Para producirse esta corriente, se deben producir portadores
de carga que puedan atravesar el espacio entre bandas.
Los portadores se producen por excitacion termica, y la
proporcion de electrones dentro de la banda de valencia con
una determinada energa queda descrita por la distribucion
de energas cineticas de acuerdo a la distribucion de
Maxwell-Boltzmann. En forma simplicada, esto signica
que la cantidad de portadores de carga producidos
sera proporcional a:
n
i
Exp[
E
g
2nKT
] (1.2)
Internamente en el diodo, se tienen dos tipos de corriente
que dependen de esta produccion de portadores de carga.
Primero, se tiene la corriente de generacion, denominada
as porque constituye a los pares electron-hueco que se
generan. Esta es directamente proporcional a la cantidad
de portadores de carga, y por ende tiene la forma:
I
gen
Exp[
E
g
2nKT
] (1.3)
En cambio, la segunda, denominada la corriente de difusion,
depende de la difusion de los portadores de carga ya
generados, entre la region p y la region n del semiconductor.
Esta depende del cuadrado de la densidad de portadores, y
por lo que su forma sera:
I
diff
Exp[
E
g
nKT
] (1.4)
La corriente de saturacion inversa nombrada previamente
es una suma de estas dos corrientes, pero en general las dos
corrientes se diferencian en ordenes de magnitud una de otra.
Por lo que la corriente de saturacion inversa puede escribirse
como:
I
s
C Exp[
E
g
xnKT
] (1.5)
Donde x es una constante que puede tomar los valores 1 o 2
dependiendo del termino dominante. Ahora si se considera
el logaritmo en ambos miembros de 1.5 tendremos:
Ln(I
s
) ln(c)
E
g
xnKT
(1.6)
De manera que se puede encontrar la energa de gap
semiconductor con encontrar la corriente de saturacion
para distintas temperaturas. En este experimento, se
estudi o un diodo semiconductor 1N4007 de silicio. Mediante
la determinacion de curvas I-V a distintas temperaturas se
obtuvo su energa de activacion.
2. Metodo experimental
Para realizar este experimento, se utilizo un criogenerador
con el cual se redujo la temperatura de trabajo al orden
de 10 K. Para Asegurar el correcto funcionamiento del
criogenerador se debio realizar vaco en la camara de ensayo.
Al estar en vaco el dedo frio se evita la transmision de
calor por medio de conduccion y conveccion, y solo afecte la
radiacion. Dado que la radiacion depende de la temperatura
a la cuarta potencia[3], el dedo fro esta dentro de otra
camara que esta al vaco, de esta manera se logra que el
efecto de la radiacion sobre la muestra sea mnimo.
Mediante un controlador de temperatura (Neocera LTC11)
con sistema PID se mantuvo las distintas temperaturas
de trabajo. Se trabajo en un rango de temperaturas
de 30 K hasta los 300 K, no se comenzo a medir a
partir de los 10 K debido a que era difcil mantener la
temperatura en estos puntos y por otro lado el medidor
de temperatura estaba cerca de su medicion mnima, por
lo que podra haber error de medicion a esas temperaturas.
Por tanto se decidio trabajar a partir de los 30 K. Para
controlar la temperatura se utilizo el sistema Auto PID. El
mismo, controla los parametros PID automaticamente para
mantener la temperatura jada en un cierto rango. En este
estudio la temperatura se mantuvo en un rango de 5mK.
Se realizo un circuito como el que se muestra en la gura
3. Los voltmetros mostrados en esta gura corresponden
a los dos canales (CH1 y CH2) de un nanovoltimetro
Agilent 34420 A utilizado en la experiencia. Para controlar
el sistema se utilizo una rutina de medicion programada en
LabView, la misma se encuentra detallada en el apendice.
Mediante esta rutina se realizaba un barrido de tension
(ida y vuelta entre dos valores de tension) con el diodo
conectado en directo. La resistencia mostrada en el circuito
se utilizo para limitar la corriente circulante en el sistema.
Este valor de resistencia no es unico, se utilizaron en total 3
resistencias para cada rango de medicion.
Para el rango de 30 K 100 K se utilizo una resistencia
de 1M
Para el rango de 110 K 210 K se utilizo una resistencia
de 220k
Para el rango de 210 K 290 K se utilizo una resistencia
de 10k
Con este sistema se midio la tension que caa en el
diodo y la tension sobre la resistencia. Dado que la
resistencia solo depende de la temperatura y esta tiene
valor constante en la medicion, podemos determinar la
corriente circulante por el sistema. De esta manera con los
valores de tension y corriente que circulan por el diodo,
se genero un graco LnIvsV . Luego mediante la ecuacion
1.1 y los datos obtenidos se realizo un ajuste de forma
LnI
med
vs(Exp[qV
D
/nKT] 1). De esta manera se obtuvo
el valor de I
s
para cada valor de temperatura. Con los
Figura 3: Esquema del circuito utilizado.
valores obtenidos de la corriente de saturacion, utilizando la
Fsica Experimental II, Abril 2014 2 Kaufman - Pelli
Caracterizacion de semiconductores
ecuaci on 1.6, se realizo un graco de Arrhenius[2]. De esta
manera se obtuvo el valor de E
g
del diodo estudiado. Para
analizar el comportamiento del diodo con la temperatura,
se j o un valor de corriente arbitrario (8 mA) y se midio la
tensi on en el diodo a distintos valores de temperatura. Con
estos datos se realizo un graco de V
D
vsT. Mediante este
gr aco se determino la variacion de tension en funcion de la
temperatura[4].
3. Resultados
En las guras 4 y 5 se pueden ver las curvas caractersticas
I-V a distintas temperaturas. Para poder determinar el valor
de I
s
se decidio trabajar con las curvas con el eje de las
corrientes logartmico como se muestra en las guras 6 y 7.
Al trabajar con estas curvas se considero un ajuste lineal con
los datos medidos pasada la tension de codo del diodo (zona
donde la corriente del diodo comienza a ser apreciable).
Figura 4: Curvas I-V obtenidas a partir de los datos medidos en
el rango de temperaturas 100 - 210 K
Figura 5: Curvas I-V en escala logartmica obtenidas a partir de
los datos medidos en el rango de temperaturas 210 - 300 K
Figura 6: Curvas I-V en escala logartmica obtenidas a partir de
los datos medidos en el rango de temperaturas 100 - 210 K
Figura 7: Curvas I-V en escala logartmica obtenidas a partir de
los datos medidos en el rango de temperaturas 210 - 300 K
Como se puede ver en las gura 6 en el orden 0, 1A
aparece una curvatura en los datos que no es esperada. Por lo
que para realizar las aproximaciones lineales se considero los
valores inferiores a estas curvaturas. De esta manera a partir
de los ajustes realizados se determino el valor de la corriente
de saturacion a distintas temperaturas.
Los valores se presentan en la Tabla 1, como se ve en la
misma se descarto los valores medidos a bajas temperaturas,
esto se debe a que los valores que se obtuvieron para este
rango eran peque nos y no tenan mucha diferencia entre s,
lo que aparejo un error en la determinacion de la energa de
activacion, por ese motivo se descartaron esos valores.
De cada temperatura medida se obtuvo el valor
correspondiente a la corriente de saturacion. Luego con estos
datos se realizo un graco de Arrhenius de estos datos como
se observa en la gura 8. En esta gura se puede ver la
aproximacion lineal realizada a partir de los datos. De esta
regresion se obtuvo que la energa de activacion del diodo es
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Caracterizacion de semiconductores
Temperatura I
s
K A
290 1,92E-090, 02E 09
275 7,2E-100, 5E 10
250 4,0E-110, 5E 11
225 8,1E-130, 5E 13
210 7,5E-140, 5E 14
200 2,4E-160, 2E 16
190 9,7E-170, 3E 17
180 1,0E-170, 2E 17
170 7,8E-210, 8E 21
160 1,2E-210, 2E 21
150 2,00E-190, 5E 19
140 8,8E-270, 7E 27
120 5E-281E 28
110 3,3E-260, 5E 27
Tabla 1: Valores de Corriente de saturaci on para las temperaturas
medidas
de:
E
g
= (1, 20 0, 08)eV
Para determinar el comportamiento con la temperatura,
Figura 8: Valores de corriente de saturacion medidos para los
valores de temperatura mostrados en un gr aco de Arrhenius, en
el mismo se ve la regresion lineal realizada a partir de los datos
medidos
se le entrego al diodo una corriente constante de 8mA y se
midio la tension en el mismo como se explico anteriormente.
Los datos obtenidos de esta medicion se ven volcados en la
gura 9. En este graco puede verse que hay una zona entre
los 50 K y los 290 K que puede considerarse lineal.
Por lo cual se realiz o un ajuste lineal con estos datos. El
mismo se muestra en la gura 10. De esta regresion se obtuvo
que el cambio de voltaje con la temperatura tiene un valor
de:
V
T
(@I = 8mA) = (1, 62 0, 02)
mV
K
Figura 9: Valores de Tensi on del diodo en funci on de la
temperatura medidos a una corriente constante de 8 mA
Figura 10: Ajuste lineal realizado a partir de los datos de
la tensi on en funci on de la temperatura. Los par ametros del
ajuste obtenidos fueron pendiente:(1, 68 0, 02)
mV
K
y ordenada
al origen:(1, 171 0, 002)V . Los errores se encuentran contenidos
en los puntos
4. Discusi on
Como se vio se obtuvieron los valores caractersticos del
diodo ensayado, pero el valor de E
g
obtenido es mayor
que el valor tabulado. Esto se debe a que se cometieron
errores a la hora de medir, provocando autocalentamiento
en el diodo. A mediciones futuras sera importante tener en
cuenta lo siguiente:
1. Tener en cuenta el posible autocalentamiento del diodo
dentro de la recamara dada la potencia disipada por el
mismo. Esto implicara tener un control mas preciso
tanto de la corriente como de la temperatura de
medicion.
2. Tambien es necesario tener en cuenta el posible efecto
termocupla que se genera entre los cables que conectan
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Caracterizacion de semiconductores
el interior del dedo fro en el criogenerador con el
exterior. Para corregir este problema, se propone
agregar en el sistema de medicion un bloque que mida
tension en ambos canales con la fuente de tension
apagada (V=0). Y luego, reste ese valor de tension al
valor obtenido de tension y de corriente en ese punto
de medicion.
V
corregida
= V
medida
V
fuenteapagada
Esto lograra en principio anular los efectos antes
nombrados punto a punto.
3. Por ultimo, se noto que la calidad de la soldadura
entre los contactos de la resistencia limitadora es muy
inuyente en los valores de corriente medidos cuando el
diodo no conduce, produciendo ruido en la medicion. Si
bien esto no afecta a los valores de corriente alto, debe
tenerse en cuenta que cuando el diodo no conduce los
valores de resistencia de contacto (en el orden de los )
puede producir una corriente del orden de los pA que
es la zona donde se estaba trabajando. Este fenomeno
se puede ver en las guras 11 y 12.
Figura 11: Dispersi on de los datos medidos a bajas corrientes con
una resistencia soldada al circuito con una terminacion pobre
5. Conclusiones
Se obtuvo una buena aproximacion de la energa del gap
del diodo E
g
= (1, 21 0, 08)eV y k = 0, 136 0, 004
podemos concluir que el material del que esta compuesto
el diodo efectivamente es Silicio en su mayora. Tambien
se comprobo experimentalmente el comportamiento con la
temperatura del diodo a corriente constante. Lo cual dice
que puede ser aprovechado como un medidor de temperatura
en un rango de 100 300 K donde su respuesta se puede
considerar lineal.
V (@I = 8mA) = (1, 68 0, 02)mV T
Figura 12: Dispersi on de los datos medidos a bajas corrientes con
una resistencia soldada al circuito con una terminaci on
Referencias
[1] Dr. Alistair Sproul. Understanding the p-n junction.
[2] California Polytechnic State University Solid State
Physics Laboratory. Experiment 15: Temperature
dependence of the saturation current of a junction diode.
[3] Francis Weston Sears. Introduccion a la termodinamica,
Teora cinetica de los gases y mecanica estadstica.
[4] A.; Adler R. B.; Hurting C. R.; Martindale R. B.; Mason
S. J.; Nelson R. E. Zimmerman H. J.; Jackson W.
D.; Lipsky. Transistor and diode studies.
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Caracterizacion de semiconductores
Apendices
A. Apendice: Programa de
medicion
A.1. Diagrama de Bloques del sistema de
medicion

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A.2. Diagrama de Bloques Sistema de
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A.3. Diagrama de Bloques Sistema de
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