Instituto Tecnolgico Superior de Coatzacoalcos

Ingeniera Electrnica
Josu Meja Tpox 6to.EOA
Diseo con transistores
Unidad III.- Respuesta a la frecuencia
3.1. Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador BJT.
La amplificacin es el proceso de aumentar el nivel o fuerza de una seal. sta puede quedar
definida como la relacin entre la seal de entrada y la seal de salida expresada en tensin,
corriente o potencia. El amplificador es un dispositivo o circuito diseado para amplificar una
determinada seal de entrada hasta que alcance un nivel de salida predeterminado. Es oportuno
en este momento la necesidad estudiar linealidad en los amplificadores. Cuando se amplifica una
seal, debe tenerse cuidado para que la informacin contenida en la seal no sea cambiada y no
se introduzca ninguna informacin nueva.
La respuesta en baja frecuencia de los circuitos amplificadores depende de los capacitores o
condensadores externos utilizados para acoplar y desacoplar. La respuesta en alta frecuencia
depende de las capacitancias internas del transistor, y de las capacitancias del alambrado y dems.
En la figura se observa el comportamiento para una red RC en alta frecuencia y en baja frecuencia,
donde en baja dicha frecuencia se considera como nula.



Figura 1 a) Red RC , b) Circuito equivalente a altas frecuencias, c) Circuito equivalente del circuito
anterior a bajas frecuencias (f=0)
Para el anlisis de respuesta a baja frecuencia se emplear la configuracin del BJT a divisor de
voltaje, pero los resultados pueden aplicarse a cualquier configuracin BJT: solo ser necesario
encontrar la resistencia equivalente adecuada para la combinacin R-C. Para el circuito de la
figura 1.1 los capacitores, y determinaran la respuesta a baja frecuencia.


Vcc: Voltaje de alimentacin
Vs: Voltaje de fuente de seal a baja frecuencia
Cs: Capacitor de la fuente
Rs: Resistencia de la fuente
Zi: Impedancia de entrada
R1 y R2: Resistencias del divisor de voltaje
Rc: Resistencia de colector
Cc: Capacitor de colector
Re: Resistencia de emisor
Ce: Capacitor de emisor
RL: Resistencia de carga
Vo: Voltaje de salida

Figura 1.1.Amplificador BJT con capacitores que afectan la respuesta a la frecuencia.






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En el extremo de alta frecuencia, se encuentran dos factores que definirn el punto de -3dB: la
capacitancia de circuito (parsita e introducida) y la dependencia en frecuencia de h
fe
().
Parmetros de la red
En la regin de alta frecuencia el circuito RC tiene la configuracin que aparece en la figura 1.2. Si
las frecuencias son cada vez ms altas, la reactancia disminuir en magnitud, y dar como
resultado un efecto de corto a la salida; por lo mismo, disminuirn la ganancia. La derivacin que
lleva a la frecuencia de esquina para esta configuracin RC sigue lneas similares a las que se
localizan en la regin de baja frecuencia. La diferencia ms significativa est en la forma general de
Av, que aparece a continuacin:




Figura 1.2. . Combinacin R-C que definir una alta frecuencia de corte.

3.1. Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador JFET.
Anlisis en baja frecuencia.
El anlisis del amplificador JFET en la regin de baja frecuencia ser muy parecido al del
amplificador BJT. Tenemos otra vez tres capacitores de inters, como se muestra en el circuito de
la figura 1.3. C
g
, C
c
Y C
S
.





Figura 1.3 Elementos capacitivos que afectan a baja frecuencia de un amplificador JFET







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El anlisis de la respuesta en alta frecuencia del amplificador JFET se har en forma similar a la que
se hizo con el amplificador BJT. Como se seala en la figura 1.7, existen capacitancias
interelectrdicas y de alambrado que determinan las caractersticas de alta frecuencia del
amplificador. Los capacitores C
GS
y C
GD
varan de 1 a 10 pF, mientras que la capacitancia C
ds
por lo
general es bastante ms pequea con valores entre 0.1 y 1 pF.