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Universidad de Los Andes

Facultad de Ciencias
Departamento de Fsica
Laboratorio de Fsica 21
I 2011.













DIODO SEMICONDUCTOR














Integrantes
Williams Cceres
C.I.20.200.726
Hernando Torres
C.I. 24.854.469

RESUMEN

En esta prctica se estudiaran las propiedades esenciales de los
semiconductores para comprender sus aplicaciones en el campo de la
electrnica. Se entendi el principio fsico que rige las propiedades del
mismo y como rectificar el diodo. Finalmente se obtuvieron las curvas
caractersticas del diodo mediante una grafica y se determin el factor
de rizado del mismo, obteniendo un valor de r = 0,320 el cual discrepa
un 7,76 % del terico.







INTRODUCCION

En electrnica, es fundamental la presencia de un dispositivo que
transforme o modifique la corriente inicial en la cantidad de corriente
alterna o continua que necesitan los diferentes tipos de circuitos
elctricos. Es a este dispositivo al que se le llama "fuente de
alimentacin". Toda fuente de alimentacin est constituida por tres
elementos fundamentales:

a) Circuito transformador: est constituido por dos o ms
bobinas de alambre devanadas sobre un ncleo de hierro. Su funcin
es la de transformar el voltaje de AC y elevarlo o disminuirlo, esto
segn el nmero de espiras del alambre de la bobina.

b) Circuito rectificador: este circuito transforma el voltaje de AC
en voltaje DC pulsatoria. Estos circuitos funcionan en base a
rectificadores, los cuales son dispositivos que permiten circular a la
corriente en un sentido solamente, actuando como conductores para el
paso de corriente en un sentido y como aisladores en el sentido
contrario.

Existen varios tipos de rectificadores, entre ellos los tubos
rectificadores de vaco y los metlicos secos. Los rectificadores
metlicos secos basan su funcionamiento en la combinacin de dos
materiales semiconductores. En este sentido, como es sabido, existen
dentro de la naturaleza materiales para los cuales la circulacin de
corriente elctrica es proporcional a la tensin aplicada entre dos
puntos de este. Esta relacin lineal permite hablar de la constante
resistencia R. Se dice son hmicos estos materiales que cumplen
con la ley de Ohm ( V = IR ). Para materiales no hmicos, como
los semiconductores, an aunque la resistencia R se define a partir de
la relacin R = V/i, sta no es generalmente una constante, sino que
depende del valor de la intensidad i. Para la mayora de los materiales
no hmicos la explicacin de la no linealidad de la relacin V - i esta
en la modificacin de la temperatura, que hace variar
significativamente el coeficiente trmico de la resistividad r del
material. Sabiendo en este sentido, que en forma microscpica la ley
de Ohm se define por la relacin: E = r j ; donde "E" es el campo
elctrico, "j" la densidad de corriente y "r" es la resistividad del
material, la cual es una caracterstica intrnseca del mismo.

Ahora bien, para otros materiales o para otras combinaciones de
stos, la relacin no lineal de V - i, es consecuencia de la distribucion
electrnica interna de cada material. Tal es el caso de los
rectificadores metlicos de diodo semiconductor.

En un material semiconductor, los electrones de valencia "n" por
tomo, participan en enlaces covalentes con n tomos vecinos,
existiendo electrones libres de moverse a causa del rompimiento de
algunos de esos enlaces. La liberacin de un electrn dentro de la
configuracin electrnica, deja un dficit de carga negativa que es
compensado por otro electrn de algn enlace vecino, desplazndose
as este dficit "hueco" en direccin opuesta al movimiento del
electrn. Esta situacin puede ser alterada al introducirse tomos de
otros elementos a manera de impurezas en el semiconductor. El
nmero de electrones de valencia del tomo introducido, determinar
las nuevas caractersticas del semiconductor, generando un
semiconductor con un exceso de portadores negativos, si el tomo de
impureza tiene un nmero de electrones de valencia mayor que el del
semiconductor, y un semiconductor con un exceso de portadores
positivos o huecos si el tomo de impureza tiene un nmero menos de
electrones de valencia que el del semiconductor.

Figura 1 estructura molecular de un semiconductor

El diodo se basa en la combinacin de dos semiconductores,
uno con exceso de portadores negativos y otro con exceso de huecos.
Esta combinacin de electrones y huecos que producen la aparicin
de un campo elctrico E que reducir el nmero de nuevas
recombinaciones. Un campo elctrico externo en la direccin de E
impedir an ms el paso de carga: "paso difcil del diodo", y un
campo en la direccin opuesta de E favocer las recombinaciones,
permitiendo un paso de intensidad grande a travs del diodo: "paso
fcil del diodo".

Curva caracterstica del diodo

Figura 2 curva caracterstica del diodo
Tensin umbral, de codo o de partida (V

).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona
de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor
del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa
supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de
forma que para pequeos incrementos de tensin se producen
grandes variaciones de la intensidad de corriente.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre
todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco
debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada
incremento de 10 en la temperatura.
.
Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes
de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la
corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un
determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin
abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha.
.

En la prctica los rectificadores tienen poca resistencia en un sentido y
una muy elevada en el sentido contrario. Esta resistencia para los
rectificadores metlicos pueden ser medidas con el ohmetro.

Dentro de los circuitos rectificadores pueden encontrarse dos
tipos:
b.1) Circuitos rectificadores de media onda: el circuito bsico
rectificador de media onda, consiste en un rectificador conectado en
serie entre la fuente de tensin AC y la resistencia del circuito. En este
tipo de circuito la salida de DC no est formada por un voltaje
constante, sino que se eleva y cae al ritmo del voltaje de AC de
entrada; solamente se permite el paso a travs del rectificador a los
semiciclos positivos del voltaje de entrada. Los semiciclos negativos
no pueden pasar en absoluto.

b.2) Circuitos rectificadores de Onda completa: este circuito utiliza
ambos semiciclos de la tensin AC aplicada para obtener DC
pulsatoria. El circuito rectificador en puente, es un circuito tpico de
rectificacin de onda completa. Este consta de cuatro rectificadores
ligados entre s con la entrada de AC. Cuando la tensin de AC de
entrada oscila hacia el semiciclo positivo, la corriente circula desde un
lado de entrada a travs del rectificador hasta completar el circuito. Lo
mismo sucede cuando la tensin oscila hacia el semiciclo negativo. La
corriente a travs de la resistencia es la misma durante los dos
semiciclos de la onda de entrada.

b.3) Circuito de Filtro: este circuito busca suavizar las
pulsaciones de salida del rectificador y entregar una tensin con muy
poca o ninguna ondulacin. Los circuitos de filtro estn constitudos
por varias combinaciones de inductores y condensadores
resistencias y condensadores. En este sentido se habla del factor de
"rizado" como una medida de la efectividad de un filtro y viene definido
por la relacin:
dc
eff
V
V
r
(1)
Donde el valor eficaz del rizado viene dado por:

3 2
Vriza
V
eff

(2)



RESULTADOS
1) Curva caracterstica del diodo semiconductor: Las
diferencias de potencial medidas se expresan en la tabla . El valor de
la intensidad de corriente del circuito viene dado por la relacin: I
=V
R
/R (con un respectivo error de I = V
R
/R + RV
R
/R
2
). Fue tomada
la DDP de la resistencia para hallar a "I", puesto que la resistencia es
un material que cumple con la ley de Ohm, a diferencia del diodo.
R= (2000 5) x 10
-1

TABLA 1

Voltaje Voltaje R
(Volt)
Voltaje Diodo
(Volt)
Intensidad
(mA)
1.0 0.608 3.690 3.040
3.0 0.687 3.904 3.435
5.0 0.714 4.351 3.570
7.0 0.729 6.335 3.645
9.0 0.739 8.380 3.695
11.0 0.748 10.290 3.740
13.0 0.754 12.420 3.770
15.0 0.760 14.425 3.800
17.0 0.765 16.346 3.825
19.0 0.768 18.359 3.850

TABLA 2 (POLARIDAD INVERTIDA)

Voltaje Voltaje R
(Volt)
Voltaje Diodo
(Volt)
Intensidad
(mA)
1.0 -1.057 0.001 -5.285
3.0 -3.056 0.019 -15.280
5.0 -5.059 0.022 -25.290
7.0 -7.050 0.022 -35.250
9.0 -9.000 0.023 -45.000
11.0 -11.070 0.024 -55.350
13.0 -13.090 0.025 -65.450
15.0 -15.100 0.025 -75.500
17.0 -17.060 0.026 -85.300
19.0 -19.080 0.026 -95.400


2.- Circuitos rectificadores: Se procedi a ver la imagen aparecida
en la pantalla del osciloscopio y luego a compararla con la imagen de
la resistencia. No es necesario el empleo de 2 osciloscopios pues
colocando las 2 seales una en cada canal del osciloscopio fue
suficiente. Luego se procede al estudio de las ondas cualitativamente.

La primera seal corresponde a la seal de salida de la fuente de
poder. Mientras tanto, la seal inferior corresponde a la medida del
voltaje de la resistencia, colocando al osciloscopio en posicin AC.
Esta seal est rectificada pero el resto de la onda negativa no se
aprovech con este tipo de circuitos, de manera que el voltaje
esperado en DC es menor que si se hubiese empleado un rectificador
de onda completa. Lgicamente la amplitud de esta seal es menor
que la amplitud de la seal de salida por haber una resistencia que
altera el valor del voltaje aplicado.

Figura 3 imagen observada en el osciloscopio

Cabe destacar que la onda rectificada puede ser superpuesta
perfectamente a las onda de la resistencia tal como se muestra en la
figura 4.
Figura 4 ondas superpuestas
A la resistencia del circuito de la experiencia anterior se le conect en
paralelo una caja decdica de condensadores (colocando un valor
cualquiera puesto que el estudio a realizar por ahora es cualitativo),
con la intencin de filtrar la seal negativa no aprovechada por el
dispositivo rectificador de media onda. La imagen obtenida
(aproximadamente) en la pantalla del osciloscopio fue:

La seal dibujada en trazo continuo muestra lo que se llama una
seal DC con rizo. La seal en trazo discontnuo muestra lo que sera
la seal rectificada sin un condensador. Claramente se observa ( como
tambin se ve en una seal rectificada para ondas completas) la
ganancia de potencial de la onda con este tipo de dispositivos. La
seal debera idealmente ser una lnea recta; sin embargo la descarga
del capacitor impide la linealizacin completa de la onda.


3) Rectificador de Onda completa: La onda correspondiente al
voltaje de la fuente fue idntica a la observada en la experiencia
anterior. Ahora la onda rectificada se ve as:

En la figura 3 se puede observar que a diferencia del rectificador
de media onda, el semiciclo negativo de la onda no es aprovechado.
Al introducirle un condensador en paralelo se observa lo siguiente:

Figura 5 onda rectificada

El condensador se descarga mucho menos que con el
rectificador de media onda, puesto que al empezarse a descargar se
encuentra con un nuevo semiciclo: el valor absoluto del semiciclo
negativo. De esta forma obtenemos una lnea mucho ms recta y por
lo tanto el valor DC medido es superior que en el caso anterior.
Sin embargo, la curva obtenida no es totalmente una lnea recta.
Este efecto, llamado rizado, se puede disminuir al aumentar la
capacitancia del condensador utilizado, puesto que as, el
condensador tardara ms tiempo en descargarse.
El factor de rizado es una medida de la efectividad de un filtro y
viene dado por:
r =
V
V
eff
dc

Para nuestro caso en particular el valor eficaz medido
experimentalmente con la ayuda de un voltmetro fue de
aproximadamente 7.071 Voltios, mientras que el valor DC medido con
el oscilocopio fue de 20 voltios; de esta forma el factor de rizado
hallado experimentalmente corresponde a: 0,353

Tericamente para nuestros valores particulares el factor de
rizado es igual a:
f = 600 Hz; R = 50 x 10
3
y C= 0,03 F
r =
1
2 3
1
f RC .
; r = 0,320

Asi la discrepancia entre las dos medidas es de 7,76 % que es
razonablemente pequea tomando en cuenta lo difcil que resulta
medir estos valores.
Se puede decir que el factor de rizo se hace menor a medida que
la capacitancia es mayor; de manera que el rizo se hace ms pequeo
mientras el filtro es ms eficaz como demuestran los valores hallados.
Concluimos este tramo diciendo que la linealidad de una onda
rectificada depende de la cantidad de energa que suministra el
capacitor, mientras sea mayor, resulta ms eficaz el proceso.

CONCLUSIONES

1. Analizando la grfica (ver APENDICE I) obtenida para la intensidad en
funcin del voltaje que atraviesa un diodo semiconductor, se corrobor
como el diodo permite con facilidad el paso de corriente para valores
positivos de voltaje (paso fcil), mientras que para voltajes muy
pequeos negativos el paso de corriente permitido por este es
mnimo, casi nulo (paso difcil).
2. La utilizacin de diodos semiconductores en la construccin de
dispositivos rectificadores de corriente alterna result muy eficiente,
pues tanto para los circuitos rectificadores de media onda como para
los de onda completa, se logr observar de una forma ms o menos
clara las caractersticas de la seal de corriente continua de salida.
3. Se logr comprobar como la utilizacin de filtros para la conversin de
corriente continua pulsatoria a corriente continua pura, era ms
eficiente para los voltajes de salida de circuitos rectificadores de onda
completa que el voltaje de salida para los de media onda. De igual
manera se corrobor como la conversin de DC pulsatoria a DC
continua es ms eficiente con el uso de condensadores de alta
capacitancia, para as lograr que se descarguen ms lentamente.
4. Se puede concluir que el factor de rizo se hace menor a medida que la
capacitancia es mayor; de manera que el rizo se hace ms pequeo
mientras el filtro es ms eficaz como demuestran los valores hallados.
5. Por ltimo, se comprob que al colocar un condensador no se obtiene
corriente continua pura sino que queda presenta una cierta
"interferencia" que es denominada rizado. Este efecto de rizado se
puede reducir al colocar condensadores que se descarguen ms
lentamente, es decir, que su valor de capacidad sea elevado.







BIBLIOGRAFIA
http://es.wikipedia.org/wiki/Rizado
http://energytel.info/portal_telecom/articulos-tecnicos/38-ariculos-tecnicos-de-
interes/80-rectificadores-de-corriente-primera-parte
http://www.forosdeelectronica.com/tutoriales/rectificadores.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
- GUIA DE LABORATORIO 2 DE FISICA. ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO
PARTE B. Universidad de lo Andes, Facultad de Ciencias, Departamento de
Fsica.












APENDICE I

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