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PRCTICA 5:

POLARIZACIN EN DC DEL TRANSISTOR BJT


RESUMEN:

Uno de los pilares fundamentales que han determinado la evolucin de la tecnologa hasta nuestros
das, es el empleo de los circuitos transistorizados, cuyo elemento principal es obviamente el
transistor de ah la vital importancia de conocer el modo de operacin, en las diferentes
aplicaciones tecnolgicas, as como las caractersticas ms importantes de los elementos que
constituyen un circuito que emplee transistores.
Los dispositivos constituidos por materiales semiconductores, tienen el gran inconveniente de ser
demasiado sensibles a las variaciones de la temperatura, evidenciando esta situacin en la
variacin del denominado punto de operacin, para el cual se diseara y determinaran los
componentes ptimos para trabajar con los parmetros previamente definidos por el punto de
operacin.
Para visualizar la estabilidad del punto de operacin de un transistor se proceder con el armado
de diferentes circuitos en los cuales se analizaran las polarizaciones y la forma de comportamiento
del transistor. Especialmente la forma de reaccionar en cada polarizacin a variaciones de la
temperatura,en la presente practica se medirn valores de los parmetros de salida,de un transistor
y se realizaran un comparacin de los datos obtenidos en cada uno de las polarizaciones descritas a
continuacin.
Adems procederemos al anlisis del punto de operacin mediante el mtodo de la lnea de
carga,con cada unos de los circuitos de polarizacin.
INTRODUCCIN:

En los primeros aos de las aplicaciones de la electrnica, el dispositivo que dominaba en los
aos de 1904,se denominaba tubo de vaco ,que a pesar de sus inconvenientes tales como su
tamao, la energa necesaria para su funcionamiento y la potencia disipada ,se experiment
un considerable aumento de la demanda de estos dispositivos ,ya que nicamente en un lapso
de 15 aos se increment de 1 milln de bulbos hasta llegar a los 100 millones de bulbos en un
mercado creciente.
Sin embargo al final del ao 1947 la electrnica experimentara una revolucin sin
precedentes, ya que en los laboratorios Bell ,un conjunto de cientficos haba inventado el
primer transistor (transistor de punto de contacto),que evidenciaba claras ventajas sobre sus
antecesores, los denominados tubos de vaco (L.BOYLESTAD, 2009)
Polarizaciones de un transistor.

Configuracin de polarizacin fija:
El circuito de polarizacin fija se observa en la ilustracin 1.

Ilustracin 1.Polarizacin Fija
Configuracin de polarizacin de emisor:

Ilustracin 2.Polarizacin de Emisor
Configuracion de realimentacin del colector.

Ilustracin 3.Polarizacin de Realimentacin
Configuraciond e polarizacin por medio del divisor de voltaje.

Ilustracin 4.Polarizacin de Divisor de Voltaje
Para cada una de las polarizacin se determinara los elementos del circuito que permitan
establecer un punto de operacin plenamente establecido

Objetivo General:

Analizar y comparar los diversos tipos de circuitos de polarizacin para un
transistor BJT.
Objetivos Especficos:

Definir el concepto y utilidad de un circuito de polarizacin para un transistor
BJT.
Conocer los diversos tipos de polarizacin.
Analizar y calcular un circuito de polarizacin.
Determinar mediante clculos y mediciones, el punto de operacin de un
transistor BJT.
Analizar y comparar la dependencia del factor beta, en un circuito de
polarizacin.
Comparar y analizar el comportamiento de los distintos circuitos de
polarizacin, en funcin de la estabilidad del punto de trabajo.
Identificar, conectar y comprobar correctamente el funcionamiento de un
transistor.
Materiales:

Cantidad Elemento
1 Fuente Corriente Continua
1 Multmetro
4 Transistores 2N3904
1 Protoboard
Varios Cables d Conexin
Varias Resistencias
1 Datasheet Transistor 2N3904

DESARROLLO DE LA PRCTICA

1. Completar la siguiente tabla, en relacin a los circuitos de polarizacin.


POLARIZACION


Ecuacin para la
IB


Ecuacin para el
VCE


Ecuacin para la
IC


Punto Saturacin
ICSAT


Circuito de
Polarizacin Fija




VCE





Circuito de
Polarizacin
Estabilizado en
Emisor



Circuito de
Polarizacin por
Divisor de Voltaje



Circuito de
Polarizacin DC por
Retroalimentacin
de Voltaje



2. Regular Vcc=10v, en la fuente de alimentacin variable, disponible en el laboratorio.
Defina un valor para la intensidad de colector de saturacin ICSAT, a emplearse en
los clculos, tome en cuenta que la mxima intensidad de colector para el transistor
2N3904 es 200mA. (Sugerencia: emplee un valor de hasta 20mA).

*Los valores de ICSAT y Vcc, definidos, se emplearn para todos los circuitos de
polarizacin
ICSAT = 20mA
VCC= 10 V
3. CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA

3.1 Empleando la opcin hFE, del multmetro, determine la ganancia del transistor
2N3904. Complete la Tabla 1.

Tabla 1. Medicin de hFE, transistor 2N3904
TRANSISTOR hFE (Beta)
Q1 212

3.2 Para el circuito de polarizacin fija de la figura 1. Defina el punto de
trabajo del transistor en Q. De acuerdo a los valores fijados en el punto 2.

Figura 1.Circuito de Polarizacin Fija

a) Realice los clculos necesarios y determine los valores de las resistencias para
establecer el punto de trabajo requerido. Armar el circuito de polarizacin, medir
ICQ; VCEQ. Completar la Tabla 2.
(

Despejando, obtenemos:








Tabla 2.Medicin del Punto de Trabajo Circuito de Polarizacin Fija
Parmetro Valores
Medidos(Simulacion)
%Variacin
ICQ 7.8(mA) 28%
VCEQ 5.9(V) 18%


Parametro Valores
Medidos
%Variacin
ICQ 8.39(mA) 19.18%
VCEQ 5.64(V) 11.34%

b) Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos:
Saturacin, Corte y Trabajo (Medido y Calculado).



c) Conectar y acercar el cautn al transistor. Medir Q(ICQ; VCEQ.); de acuerdo al
incremento de temperatura. Acotar la nueva ubicacin del punto de trabajo, en el
grfico del punto anterior. Completar la tabla 3.

Tabla 3.Variacin del Punto de Trabajo debido al incremento de temperatura
Parametro Valores Medidos
Incremento
T=10C
%Variacion
ICQ 9.06(mA) 10.37%
VCEQ 5.6(V) 10.71%


d) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas 2 y 3. Realice un anlisis del
comportamiento de un circuito de polarizacin fija.

Debido a un cambio de temperatura de 1OC produce las siguientes variaciones:

TEMPERATURA ICQ(mA) VCEQ(V)
20C 8.39 5.64
30C 9.06 5.6
% Variacin 12% 0.71%

TEMPERATURA ICQ(mA) VCEQ(V)
20C 8.39
20C
% Variacin

4. CIRCUITO DE POLARIZACIN ESTABILIZADO EN EMISOR

4.1 Empleando la opcin hFE, del multmetro, determine la ganancia del transistor
2N3904. Complete la Tabla 4.

Tabla 4.Medicin de hFE, transistor 2N3904
TRANSISTOR hFE (Beta)
Q1 165

4.2 Para el circuito de polarizacin estabilizado en emisor de la figura 2. Defina el
punto de trabajo del transistor con los mismos valores que el circuito de
polarizacin fija.

Figura 2. Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor.

(

)

a) Realice los clculos necesarios y determine los valores de las resistencias para
establecer el punto de trabajo requerido. Armar el circuito de polarizacin, medir
ICQ; VCEQ. (Incluir los clculos realizados en el informe). Completar la Tabla 5.

Vcc=10v Vce=5V Ic=10 mA


Por otra parte se sabe que:






Tabla 5.Medicin del Punto de Trabajo Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor

Parmetro Valores
Medidos(simulacin)
%Variacin
ICQ 11(mA) 9,09%
VCEQ 5.85(V) 14.52%

Parmetro Valores
Medidos
%Variacin
ICQ 9.82(mA) 1.83%
VCEQ 5.11(V) 2.2%
b) Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos:
Saturacin, Corte y Trabajo (Medido y Calculado).

c) Conectar y acercar el cautn al transistor. Medir Q(ICQ; VCEQ.); de acuerdo al
incremento de temperatura. Acotar la nueva ubicacin del punto de trabajo, en el
grfico del punto anterior. Completar la tabla 6.



Tabla 6.Variacin del Punto de Trabajo debido al incremento de temperatura
Parametro Valores Medidos
Incremento T=12C
%Variacion
ICQ 10.38(mA) 3.66%
VCEQ 4.92(V) 1.6%
d) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas 5 y 6. Realice un anlisis del
comportamiento de un circuito de polarizacin estabilizado en emisor.
Debido a un cambio de temperatura de 12C produce las siguientes variaciones:
TEMPERATURA ICQ(mA) VCEQ(V)
20C 9.82 5.11
32C 10.38 4.92
% Variacin 5.7% 3.86%
Aqu varia menos icq
5. CIRCUITO DE POLARIZACIN DC POR RETROALIMENTACION
DE VOLTAJE
5.1 Empleando la opcin hFE, del multmetro, determine la ganancia del transistor
2N3904. Complete la Tabla 7.

Tabla 7.Medicin de hFE, transistor 2N3904
Transistor hfe (Beta)
Q1 200


5.2 Para el circuito de polarizacin dc por retroalimentacin de voltaje, de la figura
3. Defina el punto de trabajo del transistor con los mismos valores que el circuito de
polarizacin fija.

Figura 3. Circuito de Polarizacin DC por Retroalimentacin de Voltaje
(

)
(

)

a) Realice los clculos necesarios y determine los valores de las resistencias para
establecer el punto de trabajo requerido. Armar el circuito de polarizacin, medir
ICQ; VCEQ. (Incluir los clculos realizados en el informe). Completar la Tabla 8.
Vcc=10(V) Vce=5(V ) Ic=10 (mA)
De la ecuacin IC=IB, se despeja IB:


Una vez determinado VE se puede hallar:


De la ecuacin:


Encontramos:


IB se calcula de la siguiente expresin:



Despejando:




Tabla 8. Medicin del Punto de Trabajo Circuito de Polarizacin DC Por Retro alimentacin de Voltaje.
Parmetro Valores
Medidos
%Variacin
ICQ 9.5(mA) 5.26%
VCEQ 4.5(V) 11.11%

Parmetro Valores
Medidos
%Variacin
ICQ 8.74(mA)
VCEQ 4.68(V)

a) Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos:
Saturacin, Corte y Trabajo (Medido y Calculado).



b) Conectar y acercar el cautn al transistor. Medir Q(ICQ; VCEQ.); de acuerdo al
incremento de temperatura. Acotar la nueva ubicacin del punto de trabajo, en el
grfico del punto anterior. Completar la tabla 9.

Tabla 9..Variacin del Punto de Trabajo debido al incremento de temperatura
Parmetro Valores Medidos
Incremento T=13C
%Variacin
ICQ 9.36(mA) 6.4%
VCEQ 4.52(V) 9.6%

d) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas 8 y 9. Realice un anlisis del
comportamiento de un circuito de polarizacin dc por retroalimentacin de voltaje.
Debido a un cambio de temperatura de 13C produce las siguientes variaciones:
TEMPERATURA ICQ(mA) VCEQ(V)
20C 9.5 4.6
33C 9.36 4.52
% Variacin 1.49% 1.76%

6. CIRCUITO DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

6.1. Empleando la opcin hFE, del multmetro, determine la ganancia del
transistor 2N3904. Complete la Tabla 10.

Tabla 10. Medicin de hFE, transistor 2N3904
Transistor hfe (Beta)
Q1 181

6.2. Para el circuito de polarizacin por divisor de voltaje, de la figura 4. Defina el punto de
trabajo del transistor con los mismos valores que el circuito de polarizacin fija.


Figura 4.Circuito de Polarizacin por Divisin de Voltaje
(

)
(

)
a) Realice los clculos necesarios y determine los valores de las resistencias para establecer
el punto de trabajo requerido. Armar el circuito de polarizacin, medir ICQ; VCEQ. (Incluir los
clculos realizados en el informe). Completar la Tabla 11.



Tabla 11.Medicin del Punto de Trabajo Circuito de Polarizacin DC por Divisin de Voltaje.
Parmetro Valores
Medidos
%Variacin
ICQ 10(mA) 0%
VCEQ 4.8(V) 4%

Parmetro Valores Medidos %Variacin
ICQ (v
res)=4.0310(mA)

VCEQ 4.88(V)

b) Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos: Saturacin, Corte
y Trabajo (Medido y Calculado).

c) Conectar y acercar el cautn al transistor. Medir Q(ICQ; VCEQ.); de acuerdo al incremento de
temperatura. Acotar la nueva ubicacin del punto de trabajo, en el grfico del punto
anterior. Completar la tabla 12.

Tabla 12.Variacin del Punto de Trabajo debido al incremento de temperatura.
Parametro Valores Medidos
Incremento T=12C
%Variacion
ICQ 10.3(mA) 4.87%
VCEQ 4.83(V) 3.4%

d) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas 11 y 12. Realice un anlisis del
comportamiento de un circuito de polarizacin por divisor de voltaje.
Debido a un cambio de temperatura de 12C produce las siguientes variaciones:
TEMPERATURA ICQ(mA) VCEQ(V)
20C 10 4.8
32C 10.15 4.83
% Variacin 1.47% 0.62%