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Electrnica General y Aplicada 2008 Unidad 1b-c- Pgina 1

Eduardo Iriarte Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de Cuyo



Unidad 1

b - Teora de semiconductores. Juntura P-N

Estructura cristalina
El carbono, el silicio y el germanio, elementos del grupo IVa de la tabla peridica, pueden formar
estructuras cristalinas en las que los tomos comparten los 4 electrones de valencia con 4 tomos vecinos.
A travs de estos enlaces covalentes cada tomo completa los 8 electrones de su ltimo nivel.
Estos cristales son aislantes perfectos a 0K, pues todos los electrones estn fuertemente atrapados en los
enlaces covalentes de la estructura. El silicio cristaliza en fase cbica, con los tomos dispuestos en las
caras, aunque es posible identificar un patrn tetradrico ms pequeo. Por simplicidad se suele utilizar
una representacin plana de la estructura.
















Electrones y huecos. Generacin y recombinacin
A temperatura ambiente algunos electrones adquieren suficiente energa para liberarse de los enlaces.
Cuando esto ocurre queda un electrn libre que puede moverse por la red cristalina, y un hueco
(electrn ausente en el enlace covalente) que tambin se desplaza. El movimiento del hueco es en
realidad el paso de electrones de enlaces covalentes adyacentes, pero se interpreta como el movimiento
de una partcula ficticia de carga elctrica positiva. En ausencia de influencias externas el movimiento de
ambos tipos de partculas ser aleatorio a travs de la estructura cristalina.

















Cuando un electrn libre y un hueco coinciden en un tomo, se produce la recombinacin: el electrn
libre vuelve al enlace, desapareciendo ambos portadores (electrn libre y hueco).
La velocidad con que se generan pares electrn-hueco crece con la temperatura, pues a mayor energa
media aumenta la probabilidad de que se rompa un enlace. Haciendo una aproximacin lineal podemos
escribir
Figura 1: Estructura cristalina de C, Si, Ge,
e-
h+
Figura 2: Movimiento de electrones y huecos en el semiconductor
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Generacin trmica G=K
G
. T [portadores/(cm
3
.segundo)] [1]
con K
G
constante de proporcionalidad
T temperatura en K

La velocidad de recombinacin es a su vez proporcional a la concentracin de electrones n
i
y a la
concentracin de huecos p
i
, pues a mayor concentracin de uno u otro tipo aumenta la probabilidad de
que se encuentren. El subndice i hace referencia a que estamos analizando el Silicio ntrnseco, que
equivale a decir Silicio puro, en contraposicin al impurificado que veremos ms adelante.

Recombinacin R = K
R
.n
i
.p
i
[portadores/(cm
3
.segundo)] [2]
con K
R
constante de proporcionalidad

A cierta temperatura, se producirn K
G
. T y desaparecern K
R
.n
i
.p
i
electrones y huecos por segundo.
Las concentraciones n
i
y p
i
crecern hasta que generacin y recombinacin se equilibren es decir:

En el equilibrio G = R K
G
.T=K
R
.n
i
.p
i
[3]

A temperatura ambiente la concentracin relativa de huecos y de electrones en el Silicio es del orden de
10
-12
(10
-9
en el Germanio) y aproximadamente se duplica cada 10C.

n
i
= p
i
10
-12
(Si) [4]

As a temperatura ambiente el silicio intrnseco conduce dbilmente, debido a estos portadores libres.

Bandas de Energa
Algunos textos abordan el estudio de los semiconductores desde el enfoque de Bandas de Energa,
aplicando conclusiones de la Fsica Cuntica. Brevemente repasaremos este concepto pero intentaremos
relacionarlo con la visualizacin ms intuitiva que estamos realizando.

En un tomo suelto de un elemento del grupo IV los ltimos niveles de energa se completan
como s
2
p
2
, esto significa el orbital s completo y el orbital p con 4 vacantes.

[C s
2
-p
2
]
[Si 2s
2
-2p
2
]
[Ge 3s
2
-3p
2
] [5]

A medida que dos o ms tomos se aproximan sus electrones interaccionan, y por el Principio
de Exclusin de Pauli - que impide que dos electrones posean el mismo estado cuntico- estos niveles se
desdoblan. En un cristal, por la proximidad de los tomos, se producen mltiples desdoblamientos de
niveles que se transforman en bandas, y que resultan prcticamente continuas por la gran cantidad de
niveles que las constituyen.
En la figura 3 se observa que segn sea la distancia entre los tomos ser el comportamiento del
material. En a (tomo suelto) las distancias interatmicas son grandes y no hay interaccin, los niveles no

-E
p



s
d c b a
d c b a
0/4 2/6



4/4 4/8 2/2
Figura 3: Desdoblamiento de los niveles de energa permitidos (izquierda), y cortes a distintas
distancias interatmicas de formacin del slido (derecha). El color amarillo ilustra el grado de
ocupacin de las bandas. El rayado indica bandas no permitidas
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estn desdoblados, los electrones del nivel s slo pueden pasar al p si adquieren la energa
correspondiente a la diferencia entre ambos niveles. Por ejemplo absorbiendo un fotn de la longitud de
onda exacta. En b hay desdoblamiento y aparecen bandas, la banda p est semi-poblada (2 de 6) y por
tanto los electrones all pueden moverse con cierta libertad entre niveles muy prximos de energa. En c
el desdoblamiento provoca que se mezclen los niveles en una nica banda semipoblada (4 de 8). La gran
amplitud de la banda significa un muy amplio rango de energas absorbibles, que resulta en una gran
movilidad de los electrones.
Aqu el material sera un buen conductor, con un comportamiento semejante al de un metal.
Finalmente en d , a la distancia interatmica que corresponde a los cristales de los semiconductores,
aparecen nuevamente dos bandas, cada una con 4 estados permitidos por tomo, pero la inferior
completamente ocupada (4 de 4) y la superior completamente vaca (0 de 4).
Cmo se relaciona movilidad con niveles de energa permitidos?Por qu una banda
continua de energa, no completa, permite movilidad por la red cristalina, y una banda completa no?
Suponga que describimos de manera clsica la Energa Total E
T
de un electrn como la suma de
una Energa Cintica E
C
, relacionada con la velocidad, ms una Energa Potencial E
P
, esta ltima
relacionada con la distancia al ncleo del tomo. La energa potencial E
P
es mxima a medio camino
entre dos tomos vecinos, y es tambin la energa total E
T
que como mnimo deber tener un electrn
para transitar de un tomo a otro. Un electrn con mucha energa E
T
, al alejarse del ncleo (aumenta E
P
)
pierde velocidad (disminuye E
C
), pero alcanza a escapar y entrar en la rbita del tomo vecino. Este
proceso puede repetirse permitiendo un desplazamiento por la estructura cristalina. Un electrn con E
T

insuficiente perder toda su E
C
antes de escapar. En una banda continua de niveles de energa permitidos
(posicin c del diagrama anterior), este electrn puede absorber fotones de cualquier frecuencia,
incrementando gradualmente su E
T
hasta que pueda entrar en la zona de influencia de un tomo vecino.
En una banda completamente ocupada como la banda de valencia de un semiconductor a 0K (posicin
d) no es posible que un electrn adquiera energa gradualmente, puesto que todos los niveles de energa
permitidos dentro de esa banda estn ocupados.
Es importante relacionar estos diagramas de energa con el proceso fsico de generacin y
recombinacin de electrones y huecos. El diagrama d de la derecha corresponde al semiconductor a 0K.
La distancia entre bandas se denomina banda prohibida, y es el valor mnimo de energa que debe
adquirir un electrn atrapado en el enlace covalente para liberarse. Una vez liberado el electrn ser un
portador de carga. La banda inferior se denomina Banda de Valencia y la superior Banda de Conduccin.
La banda prohibida es de 5,5 eV (electrn-voltios) para el Carbono, 1,1 eV para el Silicio y 0,7 eV para
el Germanio.
El semiconductor tipo N
Hasta aqu hemos descripto el comportamiento de semiconductores puros o intrnsecos. Para que el
Silicio tenga utilidad en electrnica se lo debe dopar con impurezas de tomos de grupos adyacentes en
la tabla peridica, es decir del grupo III o V.
Suponga que en la estructura cristalina se reemplaza un tomo de Silicio por un tomo del grupo
V, por ejemplo Arsnico. El tomo dador forma 4 enlaces covalentes con los tomos de Silicio
adyacentes. El electrn sobrante queda ligado muy dbilmente y es fcilmente liberado con muy poca
energa. Dada una concentracin relativa de impurezas de 10
-6
, es decir 1 tomo de As por cada
1.000.000 de tomos de Si, a temperatura ambiente prcticamente todos los electrones sobrantes estarn
libres y los tomos dadores estarn ionizados (+). El cristal es macroscpicamente neutro.















N
Figura 4: El agregado de tomos dadores (en amarillo) aporta electrones (en celeste) que sern
portadores negativos libres a temperatura ambiente, formando as un semiconductor tipo N. Los
tomos dadores estarn ionizados (+), y el cristal es macroscpicamente neutro.
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La mayor concentracin de electrones libres implica una mayor probabilidad de recombinacin,
por lo que la concentracin de huecos bajar hasta reestablecer el equilibrio dinmico generacin-
recombinacin. De acuerdo a la [4], para el Silicio.

K
G
.T/ K
R
= n.p =n
i
.p
i
=10
-24
si n = 10
-6
ser p = 10
-18
[6]

Es decir, los electrones son aqu portadores mayoritarios, mientras que los huecos son portadores
minoritarios, en mucha menor concentracin que en el material intrnseco a igual temperatura. Este
material conduce ms que el silicio intrnseco. y se denomina Silicio tipo N (de portadores mayoritarios
negativos).

El semiconductor tipo P
Reemplazando tomos de Silicio por tomos del grupo III, por ejemplo Indio, el tomo aceptor forma 3
enlaces covalentes, quedando un enlace incompleto (hueco) que se propagar entre tomos adyacentes,
Los tomos aceptores quedarn ionizados (-) pero el cristal es macroscpicamente neutro.


















Ahora la mayor concentracin de huecos implica una mayor probabilidad de recombinacin, por lo que
la concentracin de electrones libres bajar hasta reestablecer el equilibrio dinmico generacin-
recombinacin. Los huecos son aqu portadores mayoritarios, mientras que los electrones son portadores
minoritarios, en mucha menor concentracin que en el material intrnseco a igual temperatura. Este
material conduce ms que el silicio intrnseco y se denomina Silicio tipo P (de portadores mayoritarios
positivos).

Cmo sera la concentracin de electrones libres en este caso?



















P
Figura 5: El agregado de tomos aceptores (en celeste) aporta huecos (en amarillo) que sern
portadores positivos libres a temperatura ambiente, formando as un semiconductor tipo P. Los
tomos aceptores estarn ionizados (-), y el cristal es macroscpicamente neutro.
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Juntura didica

Qu sucede si una regin N y una P son puestas en contacto ?. A la superficie lmite se la denomina
unin o juntura P-N.
En realidad no es la unin de dos cristales, porque debe haber una continuidad de la estructura
cristalina. La juntura se logra con un mismo cristal impurificado por etapas con tomos aceptores y
dadores de modo que queda con una regin P y una N.





T=T
0




T
1
>T
0





T
2
>T
1







T=T
0




T
1
>T
0





T
2
>T
1






Suponiendo un instante T
0
de la formacin de dicha unin, los portadores libres huecos y
electrones se comportarn como si fueran dos gases distintos separados por un tabique y levantramos
dicho tabique. Se producir la difusin hacia ambos lados.
En gases elctricamente neutros la difusin continuara hasta igualar las concentraciones. Pero aqu los
gases de electrones y huecos tienen carga elctrica: qu ocurrir?
Los electrones de la regin N prxima a la unin se difunden a la regin P, dejando en la regin
N tomos dadores ionizados (+) (en amarillo) , y contribuyendo en la regin P con una carga (-). Adems
existe muy alta probabilidad de que estos electrones que han pasado a la zona P se recombinen por la alta
concentracin de huecos en dicha zona.
Los huecos de la regin P prxima a la unin se difunden a la regin N, dejando en la regin P
tomos aceptores ionizados (-) (en azul), y contribuyendo en la regin N con una carga (+). Existe
tambin muy alta probabilidad de que estos huecos se recombinen por la alta concentracin de electrones
de la zona N.
Es decir en la vecindad del lmite desaparecern los portadores libres y crecer la zona de cargas
inicas inmviles, llamada zona de deplexin.
A medida que se produce esta difusin-recombinacin, va creciendo la concentracin masiva de
de cargas de igual signo (-) y (+) a cada lado de la unin, y por ello un campo elctrico.
N P
N P
N P
N P
N P
N P
Figura 6: Formacin de la barrera de potencial en la juntura P-N
Barreras de potencial para electrones y huecos Campo elctrico resultante de la carga espacial
Distribucin de electrones y huecos Carga espacial resultante positiva y negativa
E
E
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N P
I
e
I
E
I
H
I
h
I
e
I
E
I
H
I
h
Figura 7: Corrientes en la juntura P-N en equilibrio. Abajo se grafican las barreras de potencial para
electrones (en verde) y para huecos (en rojo)
La concentracin de portadores alcanza un equilibrio dinmico cuando la fuerza del campo
elctrico equilibra a la difusin. El campo elctrico produce as una barrera de potencial presente en
toda la zona de transicin o zona de deplexin , en la vecindad a ambos lados de la unin.
En esta unin habr an paso de electrones y huecos hacia ambos lados:
1) Electrones minoritarios de la zona P, generados trmicamente en la vecindad o dentro de la zona de
deplexin, son impulsados hacia la zona N, donde transitarn libremente. A nivel macroscpico forman
una corriente I
e


2) Electrones mayoritarios de la zona N con suficiente energa para remontar el campo elctrico
adverso y llegar a la zona P, se recombinarn con uno de los tantos huecos que hay en la regin P ms
all de la desrtica zona de deplexin. A nivel macroscpico forman una corriente I
E


3) Huecos minoritarios de la zona N, generados trmicamente en la vecindad o dentro de la zona de
deplexin son atrados hacia la zona P, donde transitarn libremente. A nivel macroscpico forman una
corriente I
h


4) Huecos mayoritarios de la zona P con suficiente energa para remontar el campo elctrico adverso y
llegar a la zona N, se recombinarn con uno de los tantos electrones que hay en la regin N ms all de la
zona de deplexin. A nivel macroscpico constituyen una corriente I
H


Observamos que tanto I
e
como I
h
son corrientes de portadores minoritarios generados trmicamente en la
zona de deplexin. Como son portadores de cargas opuestas y que se desplazan en sentidos opuestos, los
efectos se suman provocando una corriente llamada corriente de saturacin (inversa), muy dependiente
de la temperatura, y que en sentido convencional circula de la zona N a la zona P.

I
e
+ I
h
= I
S
[7]

Por otra parte tanto I
E
como I
H
son corrientes de portadores mayoritarios que superan la barrera de
potencial y se difunden a la otra zona opuesta donde por ser minoritarios se recombinan rpidamente.
Ambas corrientes constituyen la llamada corriente de recombinacin (directa) con sentido convencional
de la zona P a la zona N.

I
E
+ I
H
= I
R
[8]

En ausencia de estmulo externo existir un equilibrio dinmico de ambas corrientes, pues si fuera I
S
>I
R

la zona de deplexin y la barrera de potencial se reduciran, aumentando as la I
R
, y lo contrario si I
S
<I
R
.
Es decir la corriente directa de recombinacin en ausencia de estmulo externo que denominaremos I
Ro

se mantiene igual a la corriente de saturacin inversa y de sentido contrario. Es decir

|I
R0
|

= |I
S
| [9]

y la corriente resultante ser
I = |I
R0
| |I
S
| = 0 [10]
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c - El Diodo. Rectificadores monofsicos


Si a la juntura P-N se le conectan electrodos en cada regin, se obtiene un dispositivo llamado diodo P-
N. Al terminal P o positivo se lo denomina nodo (A) , y al negativo Ctodo (K).








Qu pasa si a travs de estos electrodos se somete al diodo a un voltaje externo, en uno u otro sentido?.

El diodo con polarizacin directa

Si se aplica un voltaje positivo entre nodo y ctodo, se contrarresta el campo elctrico adverso de la
zona de deplexin, disminuye la barrera de potencial y se permite que la difusin de ambos tipos de
portadores contine. En la grfica se ilustra el fenmeno para los electrones de la regin N, que pueden
continuar difundindose hacia la zona P aumentando as la corriente I
E
, mientras que la I
e
se mantiene
aproximadamente igual. Para los huecos la grfica sera similar, con un incremento de I
H
) .

Al mismo tiempo en el ctodo se inyectan electrones y en el nodo se extraen (se inyectan huecos). As
se establece una corriente importante, denominada corriente directa.
Debido a la forma exponencial de la distribucin de energa de los portadores, I
R
crece
exponencialmente con el voltaje aplicado. A esta forma de excitar al diodo se la llama polarizar en
directo.

El diodo con polarizacin inversa

Si en cambio se aplica voltaje negativo entre nodo y ctodo, esto es polarizar en inverso al diodo, se
aumenta el campo elctrico adverso, aumenta la barrera de potencial y la zona de deplexin. Se tendr
prcticamente slo la corriente debida a portadores minoritarios, es decir la corriente de saturacin
inversa I
S
= I
e
+ I
h
.

K A
N P
K A
Smbolo
Figura 8: Esquema fsico y smbolo elctrico del diodo semiconductor
I
e

I
E
V
+
Figura 9: El diodo con polarizacin directa (ilustrado para los electrones)
I
e

I
E
V
+
Figura 10: El diodo con polarizacin inversa (ilustrado para los electrones)
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Tambin ahora, debido a la forma exponencial de la distribucin de energa de los portadores, I
R
decrece
exponencialmente con el voltaje aplicado en sentido inverso.
Es decir el voltaje slo aumenta o disminuye la barrera de potencial, y con ello aumenta o disminuye
exponencialmente el valor de I
R
. Un anlisis considerando la influencia de la temperatura conduce a la
siguiente ecuacin:

I
R
= I
R0
. e
q.V/K.T
[11]

con q carga del electrn, V voltaje aplicado, K cte de Boltzmann, T temperatura absoluta, siendo I
R0
el
valor de I
R
sin voltaje aplicado.
La corriente total del diodo es entonces:

I = I
R
I
S
= I
R0
. e
q.V/K.T
I
S
= I
S
. (e
q.V/K.T
1) [12]

Donde se ha reemplazado I
R0
por I
S
pues numricamente son iguales (segn ec. [9])

La ecuacin [12] nos permite describir el funcionamiento del diodo.

La siguiente grfica ha sido obtenida utilizando en Matlab aplicando la ecuacin [12] con

Is = 10
-8
y 2.10
-8
[A] corriente inversa de saturacin, que se duplica cada 10C
q = 1.602 .10
19
[C] carga elemental
K= 1.38 .10
-23
[J/K] constante de Boltzmann
T=300 y 310 [K ] temperatura ambiente
La curva en azul corresponde a T=300 y en rojo a T=310


















Modelos para el anlisis de circuitos con diodos

Se observa que el diodo polarizado en inverso prcticamente bloquea la corriente, es decir se comporta
como un interruptor abierto, mientras que polarizado en directo conduce cuando se supera un valor de
tensin del orden de 0,5 a 0,6 volts. A este voltaje se lo denomina tensin umbral o tensin de arranque
del diodo (V
ON
) y es de unos 0,5 a 0,7 volts en el Silicio, y de unos 0,2 volts en el Germanio. Es un dato
a tener en cuenta en el anlisis y diseo de circuitos.
Cuando un diodo se utiliza en circuitos en los que los voltajes son de unos 10 volts o ms, puede
simplificarse el clculo despreciando la cada de tensin de 0,6 volts que se produce entre nodo y ctodo
del diodo en directo, es decir considerando que en directo se comporta como una llave cerrada. Este es el
modelo ms simple del diodo, que llamaremos primera aproximacin, que se observa en la figura 12(a).
En (b) se ilustra la segunda aproximacin, considerando la cada de tensin en directo. En (c) se
considera adems la resistencia hmica del diodo en directo (tercera aproximacin).




-3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I [A]
V [V]
Figura 11: Corriente del diodo en funcin de la tensin aplicada,
con T=300K (azul) y T=310K (rojo)
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Tensin de ruptura. Efecto Zener y efecto avalancha

Volviendo al diodo con polarizacin inversa, si el voltaje aplicado se aumenta lo suficiente puede
aparecer uno de los siguientes fenmenos:

1) Efecto Avalancha: Los portadores minoritarios que caen por la barrera de potencial, es decir
que son acelerados a travs de la zona de deplexin, alcanzan a adquirir gran cantidad de
energa cintica, de manera que al impactar eventualmente en tomos de la red cristalina de
dicha zona rompen enlaces covalentes, generando a su vez nuevos portadores. Si el factor de
multiplicacin es mayor que 1, se desencadena un efecto avalancha. Este efecto se da en
junturas normales recin a partir de voltajes mayores a 6 volts, y con adecuados perfiles de
impurificacin de la juntura puede disearse diodos con tensiones de ruptura por efecto
avalancha del orden de decenas o cientos de volts. La tensin de ruptura por efecto avalancha
crece con la temperatura: una mayor agitacin trmica de la estructura cristalina disminuye el
recorrido medio entre colisiones de los portadores, dificultando que adquieran suficiente energa
cintica para romper enlaces.

2) Efecto Zener: En junturas fuertemente dopadas, la zona de carga espacial es ms densa, es
decir la zona de deplexin es ms estrecha, y por ello el campo elctrico es ms intenso. Esto
provoca que al aplicar una tensin inversa el campo elctrico se haga suficientemente intenso
como para romper los enlaces covalentes, creando abruptamente una gran cantidad de pares
electrn-hueco. Es decir los electrones son arrancados directamente de sus enlaces, aqu no hay
efecto avalancha. Desde el enfoque cuntico, se trata de un caso particular del efecto tnel. La
ruptura por efecto zener se da a voltajes muy bajos, entre 4 y 6 volts, y disminuye ligeramente
con la temperatura, pues los enlaces estn ms flojos por la agitacin trmica.

























A


K
A


K
A


K
A




K
A


K
A







K
(a) (b) (c)
Figura 12: Modelos aproximados del diodo. (a) Primera aproximacin, (b) Segunda
aproximacin (considerando V
ON
), (c) Tercera aproximacin (considerando V
ON
y R
ON
)
V
I
Vruptura
Figura 13: Curva del diodo considerando la ruptura por efecto zener o por efecto avalancha
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Los diodos comunes no estn preparados para trabajar en la zona de ruptura. En stos la ruptura provoca
la destruccin del dispositivo. Comercialmente los diodos presentan tensiones de ruptura desde decenas
hasta miles de volts.
Hay diodos especiales denominados genricamente diodos Zener, o diodos de avalancha, diseados para
trabajar en la zona de ruptura. Se los utiliza como referencias de tensin, limitadores (protecciones) etc.
Se los consigue comercialmente en valores estndar desde 2.0 volts hasta cientos de volts, damos
algunos: 2,0 2 ,2 2 ,4 2 ,7 3 ,0 3 ,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 .... 27 30 33 ... 200.
Resumen
El silicio puro en estado cristalino es un conductor muy pobre a temperatura ambiente, aunque la
conductividad aumenta con la temperatura por generacin trmica de portadores (electrones y huecos).
Mediante silicio dopado con elementos del grupo III y V se obtienen semiconductores tipo P y N, en los
que prevalece la conduccin por huecos o electrones respectivamente.
La unin monocristalina de una zona P y una zona N da lugar a una difusin cruzada de portadores
mayoritarios y a la aparicin de una barrera de potencial para huecos y electrones.
Agregando electrodos a esta juntura P-N se obtiene el diodo semiconductor, que conduce de manera
distinta cuando se lo polariza en directo o en inverso.
El comportamiento del diodo se puede describir mediante modelos con distintos grados de aproximacin.
Existe un fenmeno de ruptura en un diodo polarizado en inverso, por efecto Zener o por efecto
avalancha. Los diodos comunes se destruyen en la ruptura, otros estn preparados para trabajar en esa
zona.
Rectificadores monofsicos

Una de las aplicaciones ms comunes e importantes de un diodo es la de rectificador. Los rectificadores
son circuitos que permiten transformar voltajes alternos (que alternan de positivo a negativo) en voltajes
siempre positivos o siempre negativos. Con el agregado de filtros capacitivos (y a veces inductivo
capacitivos) es posible obtener tensiones prcticamente continuas.
Vamos a estudiar los denominados rectificadores monofsicos, aunque existen tambin
rectificadores para tres o ms fases. En particular ejemplificaremos circuitos que rectifican la alterna
proveniente de transformadores conectados a la red de distribucin elctrica, de 50 Hz y 12 volts eficaces
de salida (aproximadamente 17 volts de valor pico).

Rectificador de media onda

Consiste en un diodo en serie con la carga. Aqu la resistencia R
L
representa la carga, es decir el equipo
al que hay que entregarle la energa de la fuente. Puede ser una batera que hay que recargar, un motor de
corriente continua, un equipo de audio etc. Segn el sentido en que se coloque el diodo, se dejarn pasar
los hemiciclos positivos o negativos.
50 Hz
-17/17V
D1
RL
1k
A
B
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms 100.0ms
20.00 V
15.00 V
10.00 V
5.000 V
0.000 V
-5.000 V
-10.00 V
-15.00 V
-20.00 V
A: v1_1
B: rl_2
Figura 14: Rectificador de media onda
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Se puede apreciar en la figura 14 que los hemiciclos positivos de salida son ligeramente ms bajos que
los de entrada, debido a la cada de aproximadamente 0,6 volts que se produce en el diodo en directo.
Esta salida tiene un valor medio de Vpico/, es decir en este caso unos 5,5 volts. Adems tiene
una fuerte componente alterna, por lo que no se puede utilizar para alimentar un equipos electrnicos que
requieren de tensin continua. Para aproximarse a una tensin continua se le agregan filtros, comnmente
capacitivos, y en algunos casos L-C.

Agregado de capacitor

Mediante un capacitor en paralelo con la carga, de valor adecuado, es posible disminuir la componente
de alterna de la salida. Al mismo tiempo el valor medio se acerca al valor pico. Se observa que en el
primer hemiciclo positivo de alterna el capacitor se carga hasta el valor pico (menos la cada del diodo), y
luego se descarga a travs de R mientras el diodo permanece bloqueado. Recin cuando la tensin de
entrada supera la de salida (ms la cada en el diodo), el capacitor vuelve a cargarse.
La descarga del capacitor ocurre con una constante de tiempo

= R
L
.C [13]

A valor pico a pico de la tensin de salida se lo denomina rizado o ripple.

Para una cierta demanda de corriente (dada por R
L
), con capacitores ms grandes se obtienen tensiones
de salida con menor ripple.
Obsrvese que la recuperacin de la carga se produce durante un lapso muy breve, lo que da
lugar a picos de corrientes para recargar el capacitor. Mientras mayor sea la capacidad en parelelo, ms
angostos y altos sern estos picos. Compare los valores pico de la corriente de la figura 15 (unos 300
mA) con los de la figura 14 (17/1kohm=17mA), es decir con el agregado de este capacitor la corriente
pico es prcticamente 20 veces ms grande. El diodo a utilizar debe estar preparado para soportar la
corriente pico repetitiva que le exige la aplicacin.
Obsrvese adems que el pico de corriente del primer ciclo es an ms alto y largo, y se debe a
que inicialmente el capacitor est totalmente descargado. El diodo a utilizar debe soportar esta corriente
pico no repetitiva.
C1
100uF
50 Hz
-17/17V
D1
RL
1k
A B
Figura 15: Rectificador de media onda con capacitor de filtrado. Voltajes de entrada y salida
(arriba) y corriente en el diodo (abajo)
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms 100.0ms
A: v1_1
B: c1_2
20.00 V
-20.00 V
C: d1[id]
700.0mA
-100.0mA
Vrizado
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Rectificador de onda completa tipo puente

El propsito del rectificador de onda completa es aprovechar los dos hemiciclos de la alterna de entrada.
El tipo puente consiste en 4 diodos en configuracin puente. De acuerdo al esquema de la figura 16, La
carga R
L
se conecta entre las dos ramas del puente, con el terminal positivo a los ctodos de D1 y D4, y
el negativo a los nodos de D2 y D3. En el hemiciclo positivo conducen D1 y D3, mientras que en el
negativo conducen D2 y D4. La corriente en la carga R
L
circula siempre en el mismo sentido.























Al agregar un capacitor del mismo valor que en el circuito anterior, el ripple es menor, aproximadamente
la mitad. Adems las corrientes en los diodos son menores que en el de media onda de la figura 15.




















C1
100uF
D4
D3
D2
50 Hz
-17/17V
D1
RL
1k
A
B
C
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms 100.0ms
A: d1_k
17.50 V
-2.500 V
B: d4[id]
C: d1[id]
700.0mA
100 0 A
Figura 17: Rectificador de onda completa tipo puente con capacitor.
Figura 16: (a) Esquema de rectificador de onda completa tipo puente. (b) voltaje de salida (punto A)
y corriente en los diodos D1-D3 (verde) y D2-D4 (violeta)
D4
D3
D2
50 Hz
-17/17V
D1
RL
1k
A
B
C
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms 100.0ms
A: d4_k 17.50 V
-2.500 V
B: d1[id]
C: d4[id]
17.50mA
-2 500mA
(a)
(b)
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Rectificador de onda completa con transformador de punto medio

En este caso se utiliza un transformador cuyo secundario tiene una derivacin central o punto medio.
El transformador debe ser del doble de tensin total. Se puede interpretar como dos transformadores de
los utilizados en el circuito puente, conectados en serie. De acuerdo al esquema de la figura 18, La carga
R
L
se conecta con el terminal positivo a los ctodos de D1 y D2, y el negativo al punto medio. En el
hemiciclo positivo conduce D1 y en el negativo conduce D2. La corriente en la carga R
L
circula siempre
en el mismo sentido. Se muestran dos formas de esquematizarlo, la de la derecha es ms usual.






















Con el agregado del capacitor el comportamiento es prcticamente el mismo que en el tipo puente






















0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms 100.0ms
A: d1_k 17.50 V
-2.500 V
B: d1[id]
C: d2[id]
17.50mA
-2.500mA
50 Hz
-17/17V
50 Hz
-17/17V
D2
D1
R1
1k
A
B
C
R2
1k
50 Hz
-17/17V
50 Hz
-17/17V
D2
D1
Figura 18: (a) Esquema de rectificador de onda completa con transformador de punto medio. (b)
voltaje de salida (punto A) y corriente en los diodos D1 (verde) y D2 (violeta)
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms 100.0ms
A: r1_2 17.50 V
-2.500 V
B: d1[id]
C: d2[id]
700.0mA
-100.0mA
C1
100uF
50 Hz
-17/17V
50 Hz
-17/17V
D2
D1
R1
1k
A
B
C
Figura 17: Rectificador de onda completa tipo puente con capacitor.
Electrnica General y Aplicada 2008 Unidad 1b-c- Pgina 14
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Consideraciones prcticas

Eleccin de un tipo de rectificador

El rectificador de media onda prcticamente no se utiliza para construir fuentes de alimentacin de
continua, dado que para obtener una respuesta semejante a la de uno de onda completa debera duplicarse
el valor de la capacidad, y el capacitor suele ser ms caro que el diodo, el cual adems debera soportar
una corriente pico muy alta.
Dado que el comportamiento del tipo puente y del tipo transformador con punto medio son
similares, cabe preguntarse cul tipo conviene ms desde el punto de vista econmico.
Los transformadores son semejantes en costo, el disponer de una derivacin no encarece
especialmente el transformador. En el tipo punto medio la tensin de salida debe ser el doble, pero dado
que sus secundarios entregan corriente alternativamente en los hemiciclos (mientras que en el tipo puente
el secundario lo hace en ambos hemiciclos), la corriente de salida es la mitad. Es decir ambos
transformadores son semejantes en potencia y por ello en tamao y en costo.
Por el lado de los diodos, en un circuito deben utilizarse 4 diodos y en el otro 2. Sin embargo
estos 2 diodos estn ms exigidos porque cuando estn bloqueados deben soportar el doble de tensin
inversa. En bajas tensiones y bajas corrientes no hay grandes diferencias, los diodos son el componente
ms econmico de la fuente, pero en altas tensiones y/o altas corrientes deber evaluarse con las hojas de
datos y la lista de precios en mano, un diodo de 2000 volts de tensin pico inversa repetitiva puede
costar ms que dos diodos de 1000 volts.
En estos rectificadores con capacitor, los picos de corriente consumida de la lnea tienen dos
efectos indeseables en la instalacin elctrica: Introducen ruido (armnicos) en la lnea y desmejoran el
cos dado que estn retrasados respecto a la onda de tensin.


Diodos lentos y diodos rpidos

Hemos visto aplicaciones del diodo como rectificador de seales alternas de lnea, es decir de frecuencias
de 50 a 60 Hz. Estas frecuencias son sumamente bajas comparadas con las velocidades de los procesos
electrnicos.
En frecuencias mayores que 1 kHz, empieza a notarse un efecto en los diodos comunes, que es
la capacitancia de la juntura P-N. Existen dos fenmenos de almacenamiento de cargas, uno es el
crecimiento de la zona de deplexin o transicion al aplicar polarizacin inversa, el otro es la difusin de
cargas al aplicar polarizacin directa. Ambos efectos determinan una Capacitancia de Transicin y una
Capacitancia de Difusin respectivamente, y producen un efecto por lo general indeseable: el bloqueo del
diodo no es instantneo, sino que primero debe terminar de descargarse la capacidad de difusin y
cargarse la de transicin. En un diodo lento (ej 1N5402) la capacidad de juntura del diodo es del orden de
50 pf, en un diodo rpido (ej 1N4148) del orden de 4 pf. Los fabricantes la especifican en sus hojas de
datos.

Diodos de potencia y diodos de seal

En el caso de fuentes de alimentacin los diodos deben ser capaces de manejar tensiones y corrientes
importantes. Estas son aplicaciones de potencia. El diodo 1N5402 es un ejemplo de diodo de potencia,
con 3 A de corriente media y 200 A de corriente pico no repetitiva .
Existen otras aplicaciones del diodo en los que el propsito no es rectificar una onda de alta
potencia, sino una seal, por ejemplo en receptores econmicos de AM. Un diodo de este tipo es el
1N4148, que soporta 300 mA de corriente media y 1 A de corriente pico no repetitiva.

Hay una relacin directa entre corriente soportada y capacitancia de la juntura, ya que la mayor
corriente se consigue aumentando la superficie de la juntura. Hay otro tipo de diodos rpidos muy
utilizados que utilizan una juntura metal-semiconductor en vez de semiconductor-semiconductor
(normalmente se reemplaza la zona P por un metal) denominados diodos Schotttky. Estos tienen adems
la ventaja de menor tensin umbral (cada en directo).






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d - Transistor bipolar
Introduccin a los componentes activos

Una de las aplicaciones en la que la Electrnica es prcticamente insustituible es en amplificacin de
seales. Amplificar una seal consiste bsicamente en realizar una rplica aumentada en voltaje, en
corriente o ambas cosas simultneamente. Por ejemplo para que la voz captada por un micrfono pueda
llegar a mover un altoparlante de unos 100 vatios, en necesario aumentar el voltaje de unos 0,1 volts
hasta unos 30 volts (300 veces), y la corriente de unos 5 mA hasta unos 3 amperes (600 veces), es decir
debe realizarse una rplica de la seal original, pero con una potencia 180000 veces mayor.
Para comprender el concepto de amplificacin considere la (figura 18a) una analoga con una
llave de paso: una seal de poca potencia la necesaria para mover la llave controla su grado de
apertura, regulando el paso de una potencia mayor (en este caso la que desarrolla la cada de agua).
En Electrnica (figura 18b), la seal a amplificar, esto es un voltaje o una corriente pequea que
vara, controla mediante un amplificador la cantidad de potencia que una fuente (de energa elctrica)
entrega a una carga. Como resultado de esto, la carga recibe una seal con la misma forma que la seal
original, pero con mayor potencia (puede ser mayor corriente, mayor tensin o ambas cosas).





























Pero amplificar no es slo para seales de audio. Es indispensable en comunicaciones de todo
tipo (seales de radio y de cable), en medicina (seales biolgicas), en la industria (seales de sensores
para medir, seales para controlar procesos), en navegacin etc.
Otro muy vasto campo de aplicacin de la Electrnica es el de los sistemas digitales, que son
sistemas electrnicos que realizan procesamiento de datos haciendo uso de nmeros binarios y lgica
proposicional, con la que usted puede estar familiarizado a travs de la llamada lgica de llaves. Para
procesar en binario se realiza la apertura y cierre de llaves electrnicas. A diferencia del caso anterior,
aqu las llaves se abren o cierran totalmente.
El diodo es un dispositivo que tiene un comportamiento como llave abierta o cerrada, pero no es
posible controlar este comportamiento, ya que slo depende del sentido en que se lo polarice, es decir no
cuenta con una entrada de control.
Por todo esto, abordamos el estudio del dispositivo fundamental de la Electrnica para las
aplicaciones antes mencionadas: el Transistor.
Comenzamos con el estudio del Transistor Bipolar, que aunque no fue el primero en concebirse
es el que primero pudo construirse con xito.
Figura 18: De manera anloga a una llave de paso (a) , amplificar es controlar el paso de
potencia de una fuente a una carga, siguiendo la forma de la seal a amplificar (b).
Seal de
control
vlvula de
paso
CARGA

Fuente
Fuente

amplificador
CARGA
Seal a
amplificar
(a)
(b)
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El transistor bipolar: dos junturas P-N

Tomemos un semiconductor en el que se han creado 2 junturas P-N, tal como se muestra en la figura.
Hay dos posibilidades, fabricar un P-N-P o un N-P-N. Supongamos esta ltima. En ambas junturas
tendrn lugar los mismos procesos de formacin que en el diodo de la figura 6 (fig. 19)


























Se observa que se forman dos barreras de potencial para los electrones de las zonas N y dos
barreras de potencial para los huecos de la zona P. En un transistor P-N-P las barreras estaran invertidas.
Para los electrones de las zonas N la barrera de potencial aparece como una compuerta. Si se
puede controlar la altura de esta barrera es posible comunicar gradualmente ambas zonas N. Para que
exista una circulacin de corriente neta de una zona N a la otra debera crearse un desnivel entre
ambas. Aplicando voltajes entre las zonas es posible crear estos desniveles. Para ello se colocan
terminales a cada regin.
El dispositivo construido se denomina transistor bipolar. Los terminales reciben los nombres de
Emisor, Base y Colector. Para optimizar su funcionamiento se lo construye con una geometra particular
y nieveles de dopado distintos para emisor y colector (ms dopado el emisor). En la figura 20b se
muestra un dispositivo ms prximo a uno real.
















Polarizacin del transistor

Figura 19: Formacin de las barreras de potencial en un semiconductor N-P-N
Distribucin de electrones y huecos




Carga espacial resultante positiva y negativa





Campo elctrico debido a la carga espacial





Barrera de potencial para electrones y huecos
Para los electrones de las zonas N la barrera es
una especie de loma o compuerta de paso.



Regulando la altura de esta compuerta se
lograra comunicar ambas zonas N, y los
electrones pasaran hacia uno y otro lado.
N N P
N P N
E
E
(a)
(b)

N
N P
Emisor
Base
Colector
Figura 20: Transistor bipolar. (a) modelo terico de estudio (b) un dispositivo ms realista
(c) Smbolos del transistor NPN y PNP
Emisor Base
Colector
(c)
Q4
PNP
Q3
PNP
Q1
NPN
C
B
E
Q2
NPN
C
B
E
C
B
E
C
B
E
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Si se aplica un voltaje entre emisor y colector, V
CE
conseguimos el desnivel necesario para que la
corriente circule. En el transistor N-P-N se aplica potencial positivo al colector y negativo al emisor. En
estas condiciones los electrones del emisor que superen la barrera de potencial de la juntura base-emisor,
y que no se recombinen en la base (donde son portadores minoritarios) caern al colector.
Mediante un voltaje entre los terminales de base y emisor, V
BE
se podr controlar la altura de la
barrera de potencial, y por lo tanto la circulacin de electrones de emisor a colector. El voltaje V
BE

funciona de manera similar al voltaje en el diodo, de hecho se est aplicando al diodo base-emisor. Es
decir, mientras ms se polarice en directo a dicho diodo, ms disminuye la altura de la barrera de
potencial y los electrones del emisor se difundirn en mayor cantidad hacia la base. Dado que la base es
muy angosta, prcticamente todos los electrones difundidos logran atravesarla y llegar al colector,
formando la denominada corriente de colector Ic. Un porcentaje muy pequeo se recombinar con los
huecos de la base, formando la corriente de base Ib. La suma de ambas corrientes es el total de
electrones que parten del emisor, o corriente de emisor Ie. Es decir:

I
E
=I
C
+I
B
[14]

A la relacin entre I
C
e I
B
, se la denomina ganancia de corriente en Emisor Comn

= I
C
/I
B
[15]

Al (beta) tambin se lo encuentra como h
FE
, nomenclatura que proviene de un modelo lineal
del transistor.
El beta puede ser del orden de 100 a 500 en transistores de seal, en los que la base es muy
angosta, y de tan slo 5 a 10 en transistores de alta tensin en los que la base debe ser muy ancha. Por
Figura 21: Polarizacin del transistor. Para el funcionamiento del transistor, la juntura base-emisor
debe polarizarse en directo y la colector-base en inverso.
N N P
E
B
C
V
BE

V
CE

E B C
V
CE
V
B
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ejemplo en un transistor con un =100, para controlar una corriente del orden de de 1 A es necesario que
la fuente V
BE
pueda suministrar 0,01 A, es decir 10 mA.
Debe notarse que, si bien hay que aplicar una V
CE
para desnivelar E y C y que as circule una
corriente entre emisor y colector, una vez que V
CE
es suficiente, por ms que se incremente su valor no
se podr aumentar significativamente la corriente, pues el control del paso de electrones se ejerce
variando la altura de la barrera de potencial, es decir, el valor de I
C
es controlado por V
BE

Curvas del transistor

Se puede graficar el comportamiento de Ic en funcin de V
BE
y de V
CE
. A la grfica de I
C
vs V
BE

se la denomina curva de transferencia, y a la I
C
vs V
CE
, se la denomina curva de salida.
Dado que es I
C
es tan dependiente de V
BE
, se grafica la familia de curvas de salida, con V
BE

como parmetro. Otra alternativa (la ms usual) es graficar con I
B
(en vez de V
BE
) como parmetro, dada
la relacin ms lineal entre I
C
e I
B
, es decir el es un parmetro relativamente constante.






















La curva de transferencia es tipo exponencial, similar a la curva de un diodo, pues al disminuir la barrera
de potencial mediante V
BE
, los electrones del emisor, cuya concentracin sigue una ley exponencial, se
difunden a la base. Pero a diferencia del diodo, estos electrones en su gran mayora atraviesan la base y
llegan al colector, creando la corriente I
C
. Slo una pequea cantidad se recombina en la base, formando
la corriente I
B
.
Como ya se explic, para que circule una corriente I
C
es necesario mantener un voltaje V
CE
, pero
su valor no es determinante. Esto se aprecia en las curvas de salida. La lnea punteada vertical
corresponde al valor de V
CE
aplicado para permitir que se establezca la I
C
.
Dado un valor de polarizacin V
BE
( por ejemplo tome la curva d ), si se aumenta o disminuye
V
CE
, la corriente I
C
prcticamente no vara. Por eso las curvas son en esta zona prcticamente
horizontales
1
. Slo cuando V
CE
se acerca a 0, lo que equivale a desnivel 0 entre emisor y colector, la
corriente IC disminuye hasta 0. Es lgico pues no se tendr un gradiente de concentraciones entre Emisor
y Colector, luego no podr haber un flujo en un sentido aunque se baje la barrera de potencial mediante
V
BE
. Se dice que el transistor est saturado, por lo a esta parte de las curvas se la llama zona de
saturacin.
A la zona en la que la I
C
es independiente de V
CE
se la denomina zona activa, y finalmente a la
zona en la que I
C
todava no se establece porque V
BE
es demasiado pequea se la denomina zona de
corte.
La zona de ruptura por avalancha implica la destruccin del dispositivo.


1
Esto da lugar a una muy importante aplicacin del transistor como Fuente de Corriente. A diferencia de una Fuente de Tensin,
que entrega menos corriente a medida que la Resistencia de Carga aumenta, la Fuente de Corriente entrega la misma corriente
desde el cortocircuito hasta valores de resistencia de carga grandes. El lmite de funcionamiento est dado por la saturacin si la
cada en la resistencia de carga se acerca a la Vcc, pero puede aumentarse dicho lmite con una mayor Vcc.
Curva de transferencia Curvas de salida con V
BE
como parmetro
(con V
CE
aplicado)

Figura 22. Curvas del transistor. Se han marcado adems las zonas activa, de corte, de saturacin y
de ruptura. Esta ltima se debe al fenmeno de avalancha en la juntura colector-base.
I
C
I
C

V
BE
V
CE
a b c d e f
f



e


d


c

b
a
V
BE

V
CE
aplicado
saturacin
corte
Zona activa
ruptura
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e- El transistor en Rgimen Lineal. Amplificacin

Se ha visto cmo es posible establecer la corriente Ic aplicando una V
CE
suficiente y variando su
intensidad con V
BE
. Se estudiar ahora cmo utilizar este control de corriente para amplificar una seal.
Recuerde el esquema de la figura 18 y los conceptos introductorios, por qu es necesario amplificar.
Haremos algunas modificaciones sobre el circuito bsico de la figura 21.
Reemplazamos la fuente variable V
BE
por una fuente V
BB
ajustada a un valor fijo, en serie con
la seal que se quiere amplificar, representada por V
S
. Ahora V
BE
ser la suma V
BB
+V
S
. La V
BB
se
denomina tensin de polarizacin.
Reemplazamos la fuente variable V
CE
por una fuente V
CC
de un valor fijo, y entre sta y el
colector conectamos una resistencia de carga R
C
. Esta resistencia puede representar el modelo de una
carga real, o puede ser una resistencia puesta con el propsito de transformar variaciones de corriente en
variaciones de tensin. Vamos a suponer esto ltimo, y veremos cmo cambiando su valor es posible
elegir cunto amplificar una seal. En la figura 23 (a) se muestra el conexionado, y en (b) el esquema
elctrico equivalente, empleando el smbolo del transistor NPN y una disposicin ms habitual, que es
con los potenciales ms positivos arriba.




















Qu es lo que ocurre al agregar la seal Vs y la carga Rc a este circuito?

La barrera de potencial disminuye cuando Vs aumenta, y aumenta cuando Vs disminuye. Luego
Ic aumenta cuando Vs aumenta, y disminuye si Vs disminuye. Es decir, I
C
est en fase con V
S
.
Dado que el voltaje en R
C
es I
C
.R
C
, dicho voltaje tambin est en fase con V
S
.

Qu ocurre con V
CE
?. Observe que

V
CE
= V
CC
I
C
.R
C
[16]

Esto significa que V
CE
disminuye cuando aumenta I
C
, luego V
CE
est en contrafase con V
S
.
En sntesis, con R
C
se ha logrado lo siguiente: una pequea variacin de tensin (la seal V
S
)
provoca una gran variacin de tensin en la R
C
(I
C
.R
C
) en fase con V
S
y con una forma similar, es decir
se ha conseguido amplificar V
S
.
Observe cul es el objeto de poner el voltaje V
BB
, llamado tensin de polarizacin. Si no se
pusiera V
BB
, la corriente I
C
slo podra circular durante los ciclos positivos de V
S
. O ms correctamente,
slo podra circular cuando V
S
supere la tensin umbral de unos 0,6 volts. Luego I
C
slo podra seguir la
forma de la parte positiva de V
S
, y la parte negativa se perdera o recortara, lo cual significa que la
seal amplificada est distorsionada por estar muy cerca de la zona de corte. Por este motivo se coloca
V
BB
con un valor de tensin suficiente (algo mayor que 0,6 volts) como para establecer un valor de I
C

intermedio, I
CQ
, a partir del cual pueda variar hacia arriba y abajo copiando la forma de V
S
.
Por supuesto debe cuidarse que I
CQ
no sea tan grande, pues de acuerdo a la [16] disminuira
tanto V
CE
que se perdera el desnivel entre emisor y colector impidiendo que I
C
crezca ms all de un
valor algo menor queV
CC
/R
C
. La seal amplificada estar distorsionada o recortada" por estar muy cerca
de la zona de saturacin.
Figura 23: El transistor como amplificador de tensin
I
C I
E


E
B
C
V
BB

V
CC

V
S

R
C

I
B

Vcc
+ -
Vs
+
Vbb
Rc
+
I
B

I
C

I
E

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Recta de carga

Para apreciar mejor los conceptos anteriores, retomamos las curvas de salida del transistor y graficamos
sobre ellas la recta que se obtiene graficando la ecuacin 16. En el plano V
CE
vs I
C
es una recta que puede
obtenerse haciendo:

I
C
= 0 V
CE
= V
CC
punto sobre eje V
CE

V
CE
= 0 I
C
= V
CC
/R
C
punto sobre eje I
C
[17]


















Esta recta se denomina Recta de Carga, porque para obtenerla slo es necesario conocer los valores de
R
C
y V
CC
, no se requiere conocer el transistor que se est utilizando.
Sin embargo impone una restriccin a los posibles valores de V
CE
e I
C
. Cuando el transistor tiene
conectada la R
C
, su V
CE
disminuir a medida que aumente I
C
, es decir los posibles valores simultneos
de I
C
y V
CE
son los que se encuentran sobre la recta de carga.
Amplificacin de tensin

Si sobre estas curvas graficamos la seal V
S
, la polarizacin V
BB
y proyectamos su efecto sobre
I
C
y luego sobre V
CE
, es posible comprender el efecto de amplificacin de tensin, la necesidad de
polarizar con V
BB
y el problema de que V
BB
(y por ello I
C
) sea demasiado grande.
























Figura 22. Sobre las curvas de salida se ha trazado la recta de carga para los valores dados de
V
CC
y R
C
.
I
C
I
C

V
BE
V
CE

a b c d e f
V
CC

V
CC
R
C

I
C
I
C

V
BE
V
CE
a b c d e f
V
CC

V
CC
R
C

V
BB

V
S
t
i
e
m
p
o

I
C


I
CQ

V
CEQ

V
CEQ

t
i
e
m
p
o

Figura 23. La seal V
S
provoca variaciones de I
C
, y sta a su vez produce variaciones de V
CE
.
La onda inclinada representa la evolucin del punto (V
CE
, I
C)
sobre la recta de carga
Electrnica General y Aplicada 2008 Unidad 1b-c- Pgina 21
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Se puede ver que mediante la polarizacin V
BE
= V
BB
se establece un valor de I
C
= I
CQ
, y por la cada en
R
C
se obtiene un valor de V
CE
= V
CEQ

Al aplicar la seal V
S
, I
C
vara en fase con V
S
, y V
CE
vara en contrafase con V
S
. En V
CE
se
obtiene una onda que es la suma de V
CEQ
ms la variacin que tiene la misma forma que V
S
pero en
contrafase y de valor mucho mayor que V
S
. Esta variacin de V
CE
es la seal de salida.
En la grfica de la figura 23 las escalas de V
BE
y V
CE
no son iguales, V
BE
puede ser del orden de
0,6 a 0,8 volts, mientras que V
CE
puede estar en una escala de decenas o cientos de volts, por ejemplo
puede ser V
CC
= 12 volts. Es entonces evidente que la seal de salida est muy amplificada respecto a la
seal de entrada V
S
. Un parmetro importante de un amplificador es el factor de amplificacin,
denominado amplificacin de tensin o ganancia de tensin, y que se calcula como:

A
V
=
Vsalida
/
Ventrada
= V
CE
/V
S
[18]

Por ejemplo si V
CE
es de unos 6 volts, y V
S
es de unos 200 milivolts pico a pico, la amplificacin de
tensin es de 6/0,2 = 30

Piense sobre las siguientes cuestiones con la ayuda de la grfica de la figura 23:

Qu pasara si V
BB
fuera menor, por ejemplo que estuviera en el punto a?
Qu pasara si V
BB
fuera mayor, por ejemplo que estuviera en el punto e o f ?
Qu pasara si R
C
fuera de la mitad del valor que la utilizada? Y si fuera el doble?
Cmo se puede aumentar A
V
al doble?. Cmo evitara aqu que se recorte la seal?

Un circuito prctico de amplificador Acoplamiento entre etapas

La seal de salida es solamente la parte variable de V
CE
. La parte constante V
CEQ
, as como la I
CQ
, son un
mal necesario para que el transistor pueda trabajar como amplificador, recuerde que se debi establecer
una corriente media I
CQ
para poder seguir la forma de V
S
tanto de las partes positivas como negativas, as
como la V
CEQ
es necesaria para mantener el desnivel que permita la circulacin de I
C
.
Para entregar la seal a la salida debe filtrarse la V
CEQ
. Esto se logra agregando un capacitor en
la salida, llamado capacitor de acoplamiento, porque permite acoplar la seal alterna a la etapa siguiente,
mientras que bloquea la componente de continua.
Por otra parte, no es prctico tener que utilizar dos fuentes de alimentacin para polarizar el
transistor. Lo que se hace es extraer de la V
CC
, mediante un divisor de tensin, una fraccin de tensin
para polarizar la base. Es posible calcular los valores de las resistencias para lograr el voltaje V
BB

deseado, aplicando el Teorema de Thevenin.












Finalmente para conectar la seal V
S
, en vez de intercalarla en serie con la V
BB
, se acopla a la
base a travs de un capacitor. As se obtiene el circuito de la figura 25(a), en el que C1 es el capacitor de
acoplamiento de entrada, C2 el de salida, y R1-R2 son las resistencias de polarizacin.
En la figura 25(b) se muestra un amplificador de 2 etapas. La amplificacin de tensin de un
circuito de este tipo es el producto de las amplificaciones de tensin individuales. Por ejemplo si la
primera etapa amplifica por 50 y la segunda por 20, la amplificacin total es de 1000. Observe adems
que si la seal sufre un nmero par inversiones (eomo en este caso), en la salida estar en nuevamente en
fase con la entrada.
En la primera etapa, donde se trabaja con una seal muy pequea, se utiliza un transistor de
seal , con corrientes I
C
de unos 10 a 100 mA. El desafo en estas etapas es minimizar el ruido.
A
A
+
V1.R2/(R1+R2)
+
V1
R1//R2
R2
R1
Figura 24. Mediante el Teorema de Thevenin aplicado a un divisor de tensin, se obtiene
un modelo simplificado de una batera en serie con una resistencia.
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La ltima etapa puede trabajar con seales grandes, por lo que se utilizara un transistor de
potencia, con corrientes de hasta decenas de amperes. En esta etapa cobra importancia la disipacin del
transistor dada principalmente por el producto V
CE
.I
C
.


















Algunas consideraciones sobre Respuesta en Frecuencia

Dado que la reactancia capacitiva Xc a una frecuencia f de un capacitor de capacitancia C es

Xc=1/(2..f.C) [18]

El capacitor presenta reactancia infnita a la componente de continua (f=0) evitando que se
pierda la polarizacin lograda con R1 y R2. Pero tambin presenta una reactancia importante a bajas
frecuencias. El capacitor debe elegirse de un valor de C suficientemente grande para que las
componentes de baja frecuencia de la seal (por ejemplo los graves de una seal de audio) no sean
atenuadas apreciablemente.
El amplificador visto es un amplificador de alterna, no puede amplificar componentes de
continua o de muy baja frecuencia, como pueden ser las seales de un sensor que mide variables fsicas
que cambian muy lentamente, (por ejemplo temperatura). Para esto hay otros esquemas de
amplificadores a transistores acoplados en continua que se estudiarn en la unidad 5.
La figura 26 muestra cmo es la respuesta en frecuencia del amplificador de alterna. Es una
grfica de Amplificacin de tensin Av en funcin de la frecuencia f. Se hace siempre en escala doble
logartmica.
Av puede estar expresada en unidades [Volt/Volt], o en decibeles [dB], que se obtiene haciendo
20.log
10
(Av) . Una amplificacin de 10 es 20dB, 100 es 40dB 1000 es 60 dB etc.



















C1
Vs
Vsalida
C2
Vcc
R2
R1
Rc
Q1
NPN
Figura 25. (a) Amplificador de tensin acoplado en alterna (b) Amplificador de 2 etapas
Vsalida
Vcc
Vs
Vcc
(a) (b)
Banda de paso
Ancho de banda
o BW
f
1
f
2

A
BP
-3dB 70%
Figura 26: Respuesta en frecuencia de un amplificador acoplado en alterna. El
amplificador tiene una frecuencia de corte inferior f
1
=30 Hz una frecuencia de corte
superior f
2
=10kHz un ancho de banda BW=f2-f1=10.000-30=9970 Hz (aprox 10kHz),
una amplificacin de 40 dB (100 volt/volt) en la banda de paso.
A[dB]

40


20


0


-20
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4

Ganancia




Atenuacin
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A bajas frecuencias, debido a los capacitores de acoplamiento, presenta un efecto pasa-alto,
que es como se denomina a los filtros que dejan pasar las componentes de alta frecuencia y atenan las
de baja frecuencia.
A altas frecuencias, debido a los efectos capacitivos de las junturas Colector-Base y Emisor-
Base (recuerde las consideraciones sobre diodos lentos y diodos rpidos), y debido al tiempo de trnsito
de los portadores por la base, el control de corriente en el transistor comienza a ser deficiente,
disminuyendo la amplificacin. Se presenta aqu un efecto pasa-bajo, es decir las altas frecuencias se
atenan. En las hojas de datos de los transistores se especifica un parmetro denominado frecuencia de
transicin, que es la frecuencia a la que la ganancia de corriente cae a 1 ( =1).
Preste atencin a los conceptos definidos en la grfica.
Se denominan frecuencias de corte o frecuencias cuadrantales a las frecuencias a las que la
amplificacin cae 3dB (o al 70%) en relacin con la amplificacin en la Banda de Paso.
La frecuencia de corte inferior f
1
es debida al efecto pasa-alto, y la superior f
2
al efecto pasa-
bajo. El ancho de banda BW se calcula como la diferencia entre ambas frecuencias.

BW = f
2
f
1
[19]

El concepto de ancho de banda BW es fundamental para caracterizar multiplicidad de dispositivos y
equipos electrnicos, lneas de transmisin, seales etc.

Las tres configuraciones bsicas. EC. BC . CC

Para que el transistor trabaje como amplificador hay que mantener el desnivel de potencial entre emisor y
colector, controlar la altura de la barrera de potencial entre la base y el emisor, y aplicar la corriente
generada a una carga. Es posible conseguir esto en tres configuraciones bsicas:
Emisor Comn (EC)
En la configuracin que hemos visto, denominada Emisor Comn, la seal de entrada Vs vara el
potencial en la base mientras que el potencial de emisor se mantiene constante. El voltaje de salida se
toma entre colector y emisor. Vs tiene que suminitrar una corriente muy pequea, correspondiente a las
variaciones de I
B
, de acuerdo a las variaciones de I
C
producidas en la carga.
Se dice que la configuracin Emisor Comn amplifica tensin y amplifica corriente.















Base Comn (BC)
Otra posibilidad es mantener el potencial de base constante y variar el potencial de emisor. Esta
configuracin se denomina Base Comn. De manera similar a la configuracin EC, con pequeas
variaciones de la tensin de base se lograrn grandes variaciones en la tensin de salida, es decir se tiene
amplificacin de tensin. Sin embargo la fuente de seal Vs debe suministrar tanta corriente como
solicite la carga, (en rigor, la carga solicita I
C
y la fuente debe entregar I
E
= I
C
+I
B
).
Luego, la configuracin Base Comn amplifica tensin pero no amplifica corriente.
Esta configuracin tiene importantes ventajas en aplicaciones de alta frecuencia. se puede demostrar que
dado un cierto transistor, en CC se consiguen frecuencias de corte superior veces ms altas que en EC.
Por ejemplo suponga que la grfica de la figura 26 corresponde a un amplificador EC con un transistor
que tiene un =100, si con el mismo transistor realiza un amplificador BC, la frecuencia de corte superior
ser 10kHz . 100 = 1MHz. Adems la seal de salida est en fase con la seal de entrada.
+
Vcc
+
-
Vs
+
Vbb
Rc
Rc
+
-
Vs
Cb
Vsalida
C2
Vcc
+
-
Vs R2
R1
Rc
Figura 27: Amplificador en emisor comn. (a) Esquema terico (b) Circuito equivalente para
seal (c) Montaje real. La seal se acopla a la base y la carga al colector.
(a) (b) (c)
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Colector Comn (CC)
En esta configuracin la entrada Vs se aplica como en la de EC, es decir en la base. La modificacin es
que la carga, en vez de ponerse del lado del Colector, se conecta del lado del Emisor.
En este circuito ocurre lo siguiente: cuando Vs aumenta, aumenta V
B
. Suponiendo que V
E
se
mantiene constante, aumenta la polarizacin directa V
BE
, luego I
E
crece. Pero si I
E
crece aumentar la
cada de tensin en R
E
, y por tanto aumentar V
E
, lo que disminuye la polarizacin directa!. Es decir el
efecto final (aumento de V
E
) se opone a la causa que lo produce (aumento V
BE
). Este fenmeno de en el
que la salida influye compensando el efecto de la entrada se denomina realimentacin negativa.
Si cuando aumenta V
S
aumenta V
E
prcticamente en igual cantidad, significa que la tensin de
la seal de salida es igual que la tensin de la seal de entrada. En apariencia este circuito no tiene
utilidad porque no amplifica tensin. Sin embargo tiene una importante caracterstica: muy alta
impedancia de entrada. Qu significa esto y para qu sirve?.
Al igual que en fuentes de tensin continua, una seal real puede ser representada como una
fuente de tensin en serie con una resistencia, o mejor dicho, impedancia interna. A sta se la denomina
impedancia de salida. Si la impedancia de salida es alta significa que cuando se intenta medir el
potencial de la seal, si el voltmetro utilizado no es ideal (impedancia infinita) habr una cada de
tensin significativa en dicha impedancia. Hay seales que presentan muy alta impedancia de salida, por
ejemplo las seales biolgicas son potenciales que slo pueden ser captados por instrumentos con muy
alta impedancia de entrada.
El amplificador de Colector Comn presenta una impedancia de entrada que es prcticamente la
resistencia de Emisor multiplicada por (+1). Por ejemplo si R
E
=10kohm y =400, la impedancia de
entrada es de 10kohm.400 = 4Mohm. Hay aplicaciones de potencia en las que la carga tiene muy baja
impedancia y tambin se utiliza esta configuracin.
Dicho de otra manera, la configuracin Colector Comn amplifica corriente pero no
amplifica tensin.
Por otra parte, debido al efecto de realimentacin negativa, tiene la misma ventaja en
aplicaciones de alta frecuencia - respecto al de EC- que el BC. Hay un circuito muy utilizado en alta
frecuencia llamado amplificador Cascode, que acopla una etapa de Colector Comn con una de Base
Comn, consiguiendo as amplificacin de Tensin y de Corriente y gran ancho de banda.















Figura 28: Amplificador en base comn. (a) Esquema terico. (b) Circuito equivalente para seal
(c) Montaje real. Observe que es similar al de EC, pero la base se acopla a masa para la seal,
y Vs se acopla al emisor mediante C1 y Re.
Vcc
(a)
+
Rc
+
-
Vs
+
Vbb
Cb
Vsalida
C2
C1
Re
R2
R1
Vcc
+
-
Vs
Rc
(b)
Rc
+
-
Vs
(c)
Vsalida
+
Vcc
Re
+
-
Vs
+
Vbb
Vsalida
Cb
C1
Re
R2
R1
Vcc
+
-
Vs
Figura 29: Amplificador en Colector Comn. (a) Esquema terico (b) Circuito equivalente para
seal. Montaje real. Vs se acopla a la base mediante Cb, como en el EC, pero la carga se
conecta en el emisor.
(a) (b) (c)
Re
+
-
Vs
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Resumen de las tres configuraciones
En la tabla se resumen las principales caractersticas de las tres configuraciones bsicas.

Emisor Comn Base Comn Colector Comn o
Seguidor de Emisor
Ganancia de
tensin
>>1
(proporcional a Rc)
>>1
(proporcional a Rc)
=1

Ganancia de
corriente
>>1
(aproximadamente )
<1
( = I
C
/I
E
)
>>1
(aproximadamente )
Impedancia
de entrada
Media Baja Alta

Respuesta en
frecuencia
Limitada por transistor a f
T/


Muy buena
f
T (frecuencia de transicin)

Muy buena
f
T (frecuencia de transicin)

Aplicacin
General Alta frecuencia Alta frecuencia y
adaptacin de impedancias
Tabla 1. Resumen de las configuraciones bsicas del amplificadores a transistor

f- El transistor como llave. Rgimen de conmutacin

Hemos visto cmo haciendo trabajar al transistor en la zona activa es posible amplificar seales. Sin
embargo las aplicaciones que ms han crecido en los ltimos aos utilizan al transistor en rgimen de
conmutacin. Adems de ser parte fundamental de los sistemas digitales (recuerde lo dicho sobre lgica
de llaves), tambin se utiliza el rgimen de conmutacin en las fuentes de las PC, en amplificadores de
muy alta eficiencia para reproductores porttiles (por el bajo consumo necesario), en amplificadores de
muy alta potencia, y lo que ms interesa en nuestra especialidad: el control de potencia en la industria.
La potencia total que disipa por efecto Joule un elemento de dos terminales, como una
resistencia, se calcula como P = V.I siendo I la corriente que conduce y V la tensin entre terminales. En
el transistor, siendo un dispositivo de tres terminales, deben sumarse las disipaciones V
CE
.I
C
y V
BE
.I
B
, que
prcticamente es V
CE
.I
C
(V
BE
e I
B
son comparativamente muy pequeas).
En la figura 30 se muestran tres puntos de funcionamiento del transistor. En el punto A, en
mitad de la zona activa, el transistor disipa la mxima potencia, representada por el rea del rectngulo.
Numricamente en este punto P = I
C
.V
CE
= V
CC
/(2.R
C
).V
CC
/2=V
CC
2
/(4.R
C
).
En el punto de corte C disipa una potencia P= V
CC
.Icorte ~ V
CC
.0 = 0, se comporta como una
llave abierta.



















En el punto S (saturacin) P = V
CEsat
.I
SAT
~ 0. V
CC
/R
C
= 0, se comporta como una llave cerrada.
Es decir en los puntos S y C la disipacin es mnima.
Para que el transistor trabaje slo como llave abierta o cerrada la V
BE
debe pasar de V
BES
a V
BEC

en un tiempo muy breve. Para esto la seal V
S
, debe ser una onda rectangular o cuadrada de amplitud
suficiente.
En estas aplicaciones, salvo algunos casos especiales, no se utiliza polarizacin. Por eso
tampoco se requiere capacitor de acoplamiento, por lo que la seal se conecta directamente a la entrada.
Figura 30: Potencia disipada por el transistor en los puntos de saturacin (S), Corte (C) y de
mxima disipacin (A), representada por las reas de los rectngulos respectivos.
V
CE
I
C

V
CC
R
C

S
A
C
V
BE
= V
BEC
= 0
V
BE
= V
BES

V
CC
V
CC
2
V
CC
2.Rc
V
CEsat

I
SAT

Electrnica General y Aplicada 2008 Unidad 1b-c- Pgina 26
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En aplicaciones de potencia la resistencia Rc es la carga a la que se suministra la energa, por
ejemplo un motor, la bobina de un rel, un primario de transformador elevador, etc. En aplicaciones
digitales Rc es una resistencia que se coloca para que el circuito trabaje como inversor lgico,
transformando los unos (niveles altos) en ceros (niveles bajos) y viceversa. Esta aplicacin se ver en
la unidad 3.
Asegurando la conmutacin

El punto de corte se consigue fcilmente haciendo Vs=0. Conseguir que el transistor llegue a
saturacin es relativamente sencillo colocando una R
B
ms bien baja, pero si se quiere un diseo ms
preciso debe realizarse el siguiente clculo:

Calcular la I
C
de saturacin, dada aproximadamente por I
Csat
~ V
CC
/R
C

De la hoja de datos del transistor tomar el h
FE
(el mnimo garantizado) y calcular I
Bsat
=I
Csat
/
El valor del nivel alto de V
S
, o el valor de R
B
(o ambas cosas) se obtiene de

I
B
= (V
S
-0,6)/R
B
[20]
I
B
> I
Bsat


Ejemplo: Se quiere alimentar un motor de 12 volts y 4 Amperes con un transistor 2N3055.
La seal a aplicar V
S
es de 5 volts.

I
Csat
~ 4 amperes

El 2N3055 tiene garantizado un h
FE
mnimo de 20 (aunque tpico de 70), luego ser

I
Bsat
= I
Csat
/h
FE
= 4/20 =0,2 A
(5 - 0,6)/R
B
> 0,2 A RB < (5-0,6)/0,2 A = 22 ohms

Notas:
Vs debe poder entregar los 0,2 A. Si no es as puede
intercalarse otro transistor como seguidor de tensin en la entrada,
formando un circuito conocido como Darlington.
El diodo en paralelo con el motor evita la sobretensin que se
produce al conmutar una carga inductiva, que podra provocar
la ruptura del transistor.
Caractersticas dinmicas del transistor en conmutacin

Un transistor ideal excitado con onda cuadrada debera pasar de corte a saturacin de manera instantnea.
En la prctica el transistor presenta efectos capacitivos en las junturas Colector-Base y Emisor-Base
adems de un tiempo de trnsito de portadores por la base, lo que se traduce en retardos en la
conmutacin.
Adems del inconveniente referido a la prdida de velocidad que esto supone, est el problema
de que mientras el transistor pasa del corte a la saturacin y de la saturacin al corte, transita por la
Vcc
Rb
+
-
Vs
Rc
Figura 31: El transistor en conmutacin trabaja como una llave que abre y cierra
Vcc
+
-
Vs
Rc
Rb
+
-
Vs
12
M
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zona activa disipando potencia. A mayor frecuencia de conmutacin, ms cantidad de veces pasa por la
zona activa y mayor disipacin de potencia sufrir.
Si la excitacin es de mayor amplitud que la estrictamente necesaria para pasar a la saturacin, o
la R
B
se hace ms chica, el paso de corte a saturacin ser ms rpido, pero se alarga el tiempo para pasar
de saturacin a corte. Esto se debe a que la sobresaturacin implica ms portadores transitando por la
base, que demorarn ms en terminar de difundirse al colector.
Lo que se suele hacer es colocar un capacitor en paralelo con la R
B
, lo que provoca una corriente
inicial mayor pero que se reduce a un valor menor antes de que se quiera pasar nuevamente al corte.




























Resumen
En Electrnica hay 2 modos bsicos de funcionamiento: rgimen lineal y rgimen de conmutacin. El
primero se utiliza en sistemas analgicos de baja y media potencia, mientras que el segundo se utiliza en
sistemas digitales y en sistemas de media y alta potencia.
En ambos casos se utiliza el transistor, trabajando de manera diferente:
En rgimen lineal trabaja como una fuente de corriente controlada. Debe polarizarse la
juntura Base-Emisor, para colocar el punto de trabajo en una zona conveniente que permita reproducir la
forma de la seal a amplificar y evitar las distorsiones por saturacin o corte. Se ha visto cmo realizar la
polarizacin con una nica fuente Vcc y resistencias formando un divisor de tensin, aplicando el
teorema de Thevenin. Para acoplar seal y carga se han utilizado capacitores, que producen un efecto
pasa-alto en bajas frecuencias. Si se precisa amplificar seales muy lentas debe recurrirse a otro tipo de
montajes que se vern en la unidad 5. En la zona de alta frecuencia las capacidades propias del transistor
producen un efecto pasa-bajo.
Las otras configuraciones vistas adems de la de Emisor Comn, esto es las de Base Comn y
Colector Comn, aunque no parecen ventajosas desde el punto de vista de la ganancia de corriente o
tensin, tienen mejor respuesta en alta frecuencia, y utilizadas en conjunto pueden reemplazar con
ventaja a una nica etapa de Emisor Comn.
Para rgimen de conmutacin no se polariza, y la seal es tipo rectangular. El transistor trabaja
como llave abierta o cerrada y la disipacin es menor, pero por los retardos propios del transistor puede
producirse una disipacin importante durante la conmutacin. Para mejorar esto puede utilizarse un
capacitor de bajo valor en paralelo con la resistencia de base. El transistor en conmutacin se utiliza en
circuitos digitales que se vern en la unidad 3 y en circuitos de potencia que se vern en la unidad 2.
Entonces conoceremos una tcnica denominada Modulacin de Ancho de Pulso, que permite un control
gradual de la potencia, pero con transistores trabajando en conmutacin.
+
V2
10V
100kHz
V1
0/5V
BC547C
R1
1k
Rb
100k
A
B
C
D
0.000us 5.000us 10.00us 15.00us 20.00us 25.00us 30.00us 35.00us 40.00us 45.00us 50.00us
A: v1_1
5.000 V
0.000 V
B: q1_3
12.00 V
0.000 V
C: q1[ic]
11.00mA
-1.000mA
D: q1[p]
35.00mW
-5.000mW
C1
10pf
+
V2
10V
100kHz
V1
0/5V
BC547C
R1
1k
Rb
220k
A
B
C
D
0.000us 5.000us 10.00us 15.00us 20.00us 25.00us 30.00us 35.00us 40.00us 45.00us 50.00us
A: v1_1
5.000 V
0.000 V
B: q1_3
12.50 V
-2.500 V
C: q1[ic]
12.50mA
-2.500mA
D: q1[p]
90.00mW
-30.00mW
Figura 32: Disipacin en el transistor en rgimen de conmutacin. El agregado de un capacitor en
paralelo con la resistencia de base acelera los tiempos de carga y descarga de las capacidades
parsitas del transistor.