TECNOLGICO DE ESTUDIOS

SUPERIORES DE JOCOTITLAN

INGENIERA MECATRONICA

ELECTRNICA ANALGICA

PRACTICA 1, 2 y 3

JAIME ROSALES DVALOS

INTEGRANTES:
JUAN ANTONIO CLEMENTE GONZLEZ
JUAN ALEJANDRO NIETO COLN
PAUL BRAYANT CONTRERAS MORALES

IR-501

JOCOTITLAN 13 DE ENERO DE 2013

PRACTICA 1, 2 y 3
TRANSISTOR BIPOLAR CON CORRIENTE DIRECTA.

OBJETIVO
Comprobar los parmetros de un transistor Bipolar de Emisor comn de corriente
directa.
INTRODUCCIN
En estas prcticas se observara el comportamiento de los transistores BJT as
como tambin se tratara de identificar los elementos que lo conforman y su
polarizacin correcta, para su funcionamiento.
As mismo en cada una de las prcticas hubo una variacin en algn elemento del
circuito (resistencia, interruptor, etc.), para poder identificar su funcionamiento en
diversos casos.
MARCO TERICO
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos
capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p
y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor
pnp. Ambos se muestran en la figura 1 con la polarizacin de cd apropiada.


Figura 1.- Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

Con la polarizacin mostrada en la figura 1, las terminales se identificaron por
medio de las letras maysculas E para emisor, C para colector y B para base. La
conveniencia de esta notacin se pondr de manifiesto cuando analicemos la
operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (de bipolar junction transistor)
se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el
hecho de que huecos y electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el
material opuestamente polarizado. Si se emplea slo un portador (electrn o
hueco), se considera que es un dispositivo unipolar.

OPERACIN
La unin p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza
en directa. Figura 2 y 3.


Figura 2.- Unin polarizada en directa de un transistor pnp.


Figura 3.- Unin polarizada en inversa de un transistor pnp.

En la figura 4 se aplicaron ambos potenciales de polarizacin a un transistor pnp,
con los flujos de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados.


Figura 4.- Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 4 como si
fuera un nodo nico obtenemos.

IE = IC + IB

Y hallamos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector
y la base. La corriente del colector, sin embargo, consta de dos componentes, los
portadores mayoritarios y los minoritarios como se indica en la figura 4. El
componente de corriente de portadores minoritarios se llama corriente de fuga y
se le da el smbolo ICO [corriente IC con el emisor abierto (Open)]. La corriente del
colector, por consiguiente, est determinada en su totalidad por:

IC = ICmayoritarios + ICO minoritarios

CONFIGURACIN EN EMISOR COMN

La configuracin de transistor que ms frecuentemente se encuentra aparece en
la figura 5 para los transistores pnp y npn. Se llama configuracin en emisor
comn porque el emisor es comn o sirve de referencia para las terminales de
entrada y salida (en este caso es comn para las terminales base y colector). De
nueva cuenta se requieren dos conjuntos de caractersticas para describir
plenamente el comportamiento de la configuracin en emisor comn: uno para el
circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-
emisor. Ambos se muestran en la figura 6.

Figura 5.- Notacin y smbolos utilizados con la configuracin en emisor comn: (a)
transistor npn; (b) transistor pnp.


Figura 6.- Caractersticas de un transistor de silicio en la configuracin en emisor comn:
(a) caractersticas; (b) caractersticas de base.
Transistor Darlington
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta
ganancia de corriente.
Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es
cascada.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor
T2.

Figura 7.- Transistor Darlington
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de
colector es igual a beta por la corriente de base).
Entonces analizando el grfico:
Ecuacin del primer transistor es: IE1 = 1 x IB1 (1),
Ecuacin del segundo transistor es: IE2 = 2 x IB2 (2)
Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que
la corriente de base del transistor T2.
Entonces IE1 = IB2 (3)
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene:
IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se
obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que
la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores.
(La ganancia se multiplica).
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeas.
Muy importante:
La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4
voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del
primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y
E2 (0.7 voltios).
Desarrollo de la prctica
Material
Tres resistencias (15k, 0.55k, 321)
Dos o tres transistores (BC548)
Transistor Darlington TIP127
Relevador
Dos fuentes de voltaje de corriente directa variables e independientes.
Protoboard.

PRACTICA 1
DESARROLLO
1. Construir el circuito de la figura 8.



Figura 8. Transistor Bipolar en corriente directa

2. Realizar los clculos tericamente de la tabla 1 del circuito de la figura 1 y
agregar los clculos tericos (escaneados).
3. Realizar las mediciones de corriente y voltaje del circuito de la figura 1 y
llenar la tabla 1.
4. Simular el circuito de la figura 1 en el software Multisim y realizar las
mediciones de corriente y voltaje. Completar la tabla 1.


Q1
BC548B
R1
15k
V1
5 V
V2
10 V
R2
321
R3
.55k
Tabla 1. Resultados de las mediciones en los puntos 1, 2 y 3 del desarrollo de la
prctica.
Parmetro
Zona Activa
Valor Simulado Valor Real Valor Terico
I
B
23.093 A 22.1 A 22.053 A
I
C
7.173 mA 7.21 mA 7.194 mA
I
E
7.196 mA 7.12 mA 7.194 mA
V
R1
0.351 V 0.330 V .330 V
V
R2
2.301 V 2.78 V 2.309 V
V
R3
3.955 V 3.98 V 3.956 V
V
C
7.69 V 7.17 V 7.691 V
V
E
3.95 V 3.98 V 3.957 V
V
B
4.64 V 4.67 V 4.657 V
V
CE
3.74 V 3.19 V 3.734 V
417

PREGUNTAS DESPUS DE LA PRCTICA
1. En el circuito de la figura 8, se le agrega un interruptor normalmente abierto
antes de la resistencia de la base como se observa en el circuito de la
figura 9.

Figura 9. Transistor bipolar con interruptor en la base
3.- Realizar los clculos tericamente del circuito de la figura 7 y llenar la tabla
2
4.- Realizar las mediciones de manera prctica de corriente y voltaje y llenar la
tabla 2.
5.- Simular el circuito de la figura 2 en el software Multisim y complementarla
tabla 2.
Q1
BC548B
R1
15k
V1
5 V
V2
10 V
R2
321
R3
.55k
J1
Key = A
Tabla 2. Mediciones del transistor bipolar en la zona de corte
Parmetro
Zona Corte
Valor Terico Valor Simulado Valor Real
I
B
0 A 0 A 0 A
I
C
0 A 0 A 0 A
I
E
0A 401.29 nA 0 A
V
R1
0 V 673 V 0 V
V
R2
0 V 1.94 mV 0 V
V
R3
0 V 3.34 mV 0 V
V
C
10 V 9.99 V 10 V
V
E
0 V 3.30 mV 0 V
V
B
.7 V 506 V 0 V
V
CE
10V 9.99 v 10 V


6.- Compare la tabla 1 y 2 y explique el porqu de los valores?
El hecho de que los valores de la tabla 2 sean cero o muy pequeos, es
porque, ya que al no alimentarse la base con una corriente, no se cierra
ningn circuito.
7.- Qu sucede cuando disminuye el valor de la R2 y R3 y explique qu relacin
hay entre V y I?
En el caso del primer circuito al disminuir el valor de las resistencias, el
valor de la corriente aumenta y el voltaje vara. En el caso del circuito con el
interruptor, no hay cambio alguno
8.- Qu sucede cuando aumenta el valor Re y Rc y en qu le afecta, explique
qu relacin hay entre V y I?
Sucede lo contrario que el caso anterior. La corriente disminuye.
9.- Qu efectos causa cuando el valor de la resistencia R1 disminuye con el
orden de los en relacin con V y I en cada una de las terminales del transistor?
La corriente va aumentando, y si se disminuye la resistencia lo suficiente,
llegara el punto en que la corriente entregada pasara el lmite del transistor,
y este no se activara.


PRACTICA 2
DESARROLLO
1. Construir el circuito de la figura 10.



Figura 10. Transistor Bipolar en corriente directa

2. Realizar los clculos tericamente de la tabla 3 del circuito de la figura 10 y
agregar los clculos tericos (escaneados).
3. Realizar las mediciones de corriente y voltaje del circuito de la figura 10 y
llenar la tabla 3.
4. Simular el circuito de la figura 10 en el software Multisim y realizar las
mediciones de corriente y voltaje. Completar la tabla 3.
Tabla 3. Resultados de las mediciones en los puntos 1, 2 y 3 del desarrollo de la
prctica.
Parmetro
Zona Activa
Valor Simulado Valor Real Valor Terico
I
B
284.217 A 281A 286.666 A
I
C
30.725mA 29.1Ma 30.989 mA
I
E
31.09 mA 29.1mA 30.989 mA
V
R1
4.246 V 4.19V 4.299 V
V
R2
9.863 V 9.61V 9.947 V
V
C
137.4 mV 0.366V 52.531 mV
V
E
0 V 0V 0 V
V
B
0.736V 0.814V 0.7 V
V
CE
137.4 mV .325V 52.531 mV
B 108.104
Q1
BC548BP
R1
15k
R2
321
V1
5 V
V2
10 V
PREGUNTAS DESPUS DE LA PRCTICA
5.- Qu sucede cuando disminuye el valor de la R2?
La corriente aumenta en el colector, y a su vez en el transmisor.
6.- Qu sucede cuando aumenta el valor en Rc?
Sucede lo contrario que el caso anterior. La corriente disminuye.
7.- Qu efectos causa cuando el valor de la resistencia R1 disminuye con el
orden de los en relacin con V y I en cada una de las terminales del transistor?
La corriente va aumentando, y si se disminuye la resistencia lo suficiente,
llegara el punto en que la corriente entregada pasara el lmite del transistor,
y este no se activara.
















PRACTICA 3
DESARROLLO
1. Construir el circuito de la figura 12.



Figura 12. Transistor Bipolar en corriente directa

2. Realizar los clculos tericamente de la tabla 4 del circuito de la figura 12 y
agregar los clculos tericos (escaneados).
3. Realizar las mediciones de corriente y voltaje del circuito de la figura 12 y
llenar la tabla 4.
4. Simular el circuito de la figura 12 en el software Multisim y realizar las
mediciones de corriente y voltaje. Completar la tabla 4.
Tabla 4. Resultados de las mediciones en los puntos 1, 2 y 3 del desarrollo de la
prctica.
Parmetro
Zona Activa
Valor Simulado Valor Real Valor Terico
I
B
251.354 A 245 A 240 A
I
C
127.615 mA 114 mA 121.704 mA
I
E
127.866 mA 112 mA 121.704 mA
V
R1
3.816 V 3.72 V 3.6 V
V
R2
9.517 V 4.24 V 9.006 V
V
C
.556 V .724 V .993 V
V
E
0 V 0 V 0 V
V
B
1.229 V 1.74 V .7 V
V
CE
.556 V .707 V .993 V
507

Q1
TIP127G
R1
12k
R2
225
V1
5 V
V2
10 V
PREGUNTAS DESPUS DE LA PRCTICA
5.- Qu sucede cuando aumenta el valor de Rc?
Disminuir su corriente y a su vez tambin en el emisor
6.- Qu efectos causa cuando el valor de la resistencia R1 disminuye con el
orden de los en relacin con V y I?
La corriente va aumentando, y si se disminuye la resistencia lo suficiente,
llegara el punto en que la corriente entregada pasara el lmite del transistor,
y este no se activara.


















CLCULOS











CONCLUSIONES
Observamos que para el funcionamiento de este tipo de transistores, la corriente
de la base debe de estar en el orden de los microamperios, es por ello que se
limita a travs de una resistencia alta.
De igual manera comprobamos que la configuracin Darlington se comporta como
un amplificador de corriente.
Y a su vez constatamos que internamente el transistor est constituido por dos
diodos. Y que su buen funcionamiento depende de su correcta polarizacin, lo
cual afecta en su zona de trabajo, saturacin o corte.

















BIBLIOGRAFA

Boylestad, R. L. (1997). Electroni: Teoria de Circuitos. En R. L. Boylestad. Mexico:
Pearson Educacion.
INSTRUMENTS, E. (2012). Multimetro Extech 470. Mexico.
UNICROM. (s.f.). Electronica Unicrom. Obtenido de
http://www.unicrom.com/tut_darlington.asp