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Aplicando la ley de Kirchhoff de corriente al transistor se tiene
combinando estas dos ecuaciones, la corriente de base ser:
El smbolo | se utiliza para representar la relacin entre las corrientes de colector y de
base.
Amplificacin de corriente en el transistor
En la seccin anterior se ha hecho una descripcin muy abreviada de la forma en que
circula la corriente en el transistor de unin. Ello es suficiente para permitirnos deducir
algunas de las relaciones entre las magnitudes en los terminales del transistor para
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Profesora Lucelly Reyes H
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funcionamiento lineal. En esta seccin la discusin se ampla a la explicacin de cmo se
realiza la amplificacin de corriente.
Brevemente, el proceso puede explicarse de esta manera; considerando las ecuaciones 1
y 2 se ve que si o ~ 1 y I
CBO
es pequea, un cambio en la corriente de emisor I
E
produce
un cambio de aproximadamente la misma cantidad en la corriente de colector
y un
cambio mucho menor en la corriente da base.
Un cambio de
produce un cambio de
tal que,
C
B
B
B B
B
B
B
i
i
i
i i
i
i
i
A
A
A
A
A
A
A
A
~
+ = + |
|
|
|
Esta razn se llama factor de amplificacin de corriente para seales dbiles h
fe
.
Por consiguiente,
La figura indica la variacin tpica de | y hfe con la corriente de colector. Ntese que
dentro de una gama de funcionamiento tpica de 1 a 100 mA, h
fe
es aproximadamente
igual a | y es relativamente independiente de los cambios en la corriente de colector. Para
simplificar el anlisis a menudo se hace la solucin de que | = h
fe
= constante. Haremos
esta suposicin a lo largo del curso.
fe
B
B
B
B FE h
i
i si
i
i h
= + < = |
| |
| |
A
A
A
A
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Hay tres circuitos bsicos a transistores, ellos son:
- Emisor comn
- Base comn y
- Colector comn
Estas configuraciones provienen de la eleccin de los terminales que sirven de entrada y
de salida. En cada una de ellas las condiciones de polarizacin han sido satisfechas; es
decir, la juntura del colector con la base esta polarizada en contra y la del emisor con la
base est a favor de la conduccin. (Por supuesto que las polarizaciones de los voltajes de
polarizacin depende de si el transistor es PNP o NPN).
Caractersticas estticas
Si reemplazamos las fuentes de polarizacin
por fuentes variables se producirn cambios
en los parmetros de entrada y salida, las
cuales se pueden resumir en grficas como
las de configuracin de emisor comn.
(curvas dadas generalmente por el
fabricante).
Estas curvas de entrada representan
, con
, con
como parmetro.
En las caractersticas de salida del transistor se distinguen tres regiones:
- Regin activa (I): En esta regin la unin de colector se polariza inversamente y la
del emisor directamente, y es en esta regin es donde se obtiene la amplificacin
lineal. La regin activa tiene lmites superiores e inferiores de corriente de colector
que puede correr sin daar fsicamente el transistor. Este valor esta siempre
especificado por el fabricante. El lmite inferior se llama corriente de corte de
colector, y ms abajo de este lmite no circula corriente. Generalmente se toma cero
como valor de la corriente de corte.
- Regin de saturacin (III): Las uniones de colector y emisor se polarizan
directamente. La tensin de saturacin colector emisor que define esta regin es
generalmente de 0.1 a 0,2 V para los transistores de baja potencia (menos de 1 W), y
puede llegar hasta 1 y 2 V para transistores de alta potencia. En esta regin un
incremento de la corriente de base no acarrea un incremento proporcional de la
corriente de colector. As, en proyectos de amplificadores lineales, se evita la regin de
saturacin.
- Regin de corte (II): Las uniones de colector emisor de polarizan inversamente. Su
caracterstica es que la corriente de emisor es nula (I
E
=0).
Procedimiento
Verificacin del dispositivo
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Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales
(base, emisor y colector) usando el hmetro en la opcin de continuidad y prueba de
diodos, reporte las mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente);
verifique los resultados comprobndolos con la configuracin indicada en las hojas de
especificacin del dispositivo.
Terminales Z
pol directa
() Z
pol inversa
()
Base - Emisor
Base - Colector
Colector - Emisor
Curva Caracterstica Base-Emisor
Arme el circuito; coloque V
BB
a cero y ajuste V
CC
hasta tener un voltaje V
CE
= 1 V, mida V
BE
e I
B
(aplique ley de ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); para cada nuevo
valor de V
BB
reajuste V
CC
para mantener V
CE
= 1 V y complete la tabla.
V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 1V
Ajuste de nuevo V
BB
= 0V y repita el procedimiento manteniendo V
CE
= 3V, luego para V
CE
= 5V y por ltimo para V
CE
= 7V.
V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 3V
V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 5V
V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 7V
Grafique V
BE
vs I
b
(las 4 curvas en el mismo grfico).
Curva Caracterstica Colector-Emisor
VBB
100k
1k
1k
VCC
VCE
B
C
E
Ib
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Arme el circuito; coloque V
CC
a +12 Volts y ajuste V
BB
hasta tener una corriente de base
I
b
=3 A (aplique ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); ajuste V
CC
a
cero y complete la tabla.
V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 3A
Ajuste de nuevo V
CC
en +12 Volts y repita el procedimiento para I
b
= 7 A, 8 A y 12 A.
V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 7A
V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 8A
V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 12A
Grafique V
CE
vs I
C
(las 4 curvas en el mismo grfico).
Simulacin
Haga en multisim todos los pasos anteriores y verifique sus resultados experimentales.
VBB
100k
1k
1k
VCC
VCE
B
C
E
Ib
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Profesora Lucelly Reyes Notas de clase
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Cuestionario
1. A que se le conoce como modelo hbrido de un transistor bipolar, en que se utiliza
dicho modelo?
2. Investiga que otros modelos equivalentes para el transistor bipolar existen
3. Explique el significado fsico de los parmetros indicados as como la situacin en la
que se utilizan:
a) h
FE
b) h
fe
c) f
T
d) f
4. Investigue el significado de las siguientes siglas (indicadas en hojas de
especificacin de transistores).
a) SW
b) AF
c) RF
d) PW
Conclusiones