CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO

CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO ZENER

Un diodo Zener es una funcin P-N construida para trabajar en la zona de ruptura. Actan en
polarizacin inversa y su funcionamiento se basa en el fenmeno denominado de avalancha.

El efecto de avalancha tiene lugar cuando concurren en la unin P-N las dos condiciones
siguientes:
La zona de transicin es ancha.
El campo E en la unin es elevado.
Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el
voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.
Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz),
el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse
constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo
zener, puede variar en un gran rango de valores. A esta
regin se le llama la zona operativa. Esta es la
caracterstica del diodo zener que se aprovecha para
que funcione como regulador de voltaje, pues el
voltaje se mantiene prcticamente constante para una
gran variacin de corriente.
En esta otra imagen tambin se muestra la curva caracterstica del diodo Zener. Cuando el
dispositivo est polarizado directamente, su comportamiento es idntico al diodo
rectificador, pero cuando esta inversamente polarizado, la corriente es muy pequea, hasta
que llega a un valor mnimo para el cual el Zener se comporta como una fuente de voltaje V
z
.
Dicha fuente no es ideal, pues existe una pendiente en la curva, la cual est representada por
una pequea resistencia llamada R
z
.


Cuando el dispositivo est inversamente polarizado presenta un
alto grado de linealidad, lo cual facilita el anlisis. El modelo
equivalente del Zener, en la zona de polarizacin inversa es el
indicado en la figura de la izquierda.

Segn se sabe que en los diodos de unin se puede llegar a un valor de la tensin inversa en
que la intensidad aumenta bruscamente debido al efecto de multiplicacin en avalancha. Se
puede obtener la misma relacin entre la tensin inversa y la intensidad, de forma ms
controlada y mucho ms brusca, mediante el efecto Zener. En diodos muy fuertemente
dopados el campo en la unin es muy intenso y la anchura de la zona de transicin muy
pequea; los portadores de carga la atraviesan en un tiempo demasiado corto para producir
portadores secundarios en cantidad apreciable. Sin embargo, si la intensidad de campo
alcanza valores del orden de 5 x 107 V/m, la fuerza que ejerce sobre los electrones de
valencia es capaz de arrancarlos directamente de sus enlaces, produciendo pares electrn-
hueco que contribuyen a la corriente inversa, sin necesidad de la intervencin de un portador
primario. El fenmeno puede explicarse como un efecto tnel mecanocuntico a travs de
una barrera de potencial que tiene a ambos lados niveles energticos libres para los
electrones.

CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO TUNEL
El diodo tnel basa su actuacin en el denominado efecto tnel o Easaki.
ste se manifiesta debido a que los diodos tnel incluyen una elevada
concentracin de impurezas en ambas zonas de semiconductor (P y N), lo
que se traduce en:
- Una zona de unin ZT muy estrecha.
- Un campo elctrico en la unin (E) considerablemente elevado.
En estas circunstancias el fenmeno que se origina es similar al de
avalancha, con la salvedad de que la ionizacin es producida por el campo
elctrico E. ste, debido a su intensidad, arranca e- de los tomos
presentes en ZT que se ocuparn de propagar la ionizacin en cadena.
La generacin de nuevos portadores (e-) por efecto de la ionizacin es
progresiva. Los referidos portadores establecen una corriente cuyo
crecimiento se prolonga tericamente hasta el infinito, tal como se
observa en la curva caracterstica.
Al igual que el efecto de avalancha, el efecto tnel o Easa ki se manifiesta en polarizacin inversa.

Debido a la elevada concentracin de impurezas, la zona de transicin es de anchura reducida. Ello
impide la ruptura por efecto avalancha, puesto que el espacio no es suficiente para que los
electrones alcancen la aceleracin necesaria para desencadenar la ionizacin.
En polarizacin directa, el diodo tnel presenta una especial particularidad:
- Cuando la tensin VD supera el valor Vp (tensin de pico), la evolucin de la intensidad es
decreciente respecto al incremento de VD.
- Al llegar a VD = Vv (tensin de valle) la grfica vuelve a ser de nuevo ascendente, reflejando
un incremento de I respecto a VD.

El especial trazado de la curva caracterstica del diodo tnel se debe a que sta sintetiza el
efecto tnel y el funcionamiento como diodo normal. El tramo de curva comprendido entre
los puntos de abscisas Vp y Vv es de gran importancia.
A un incremento positivo de la tensin VD, corresponde una decrementacin de la intensidad
I. Ello significa que en este intervalo el diodo tnel presenta una resistencia negativa. Esta
peculiaridad hace que los diodos tnel favorezcan tericamente la no disipacin de energa,
ya que en el intervalo comprendido entre Vp y Vv presentan un efecto de anti-resistencia.
Por este motivo los diodos tnel se utilizan con frecuencia en los circuitos osciladores, con el
fin de contrarrestar la resistencia propia del circuito y minimizar la amortiguacin de la onda
a travs del tiempo.

REFERENCIAS:
Libro Fsica General (Escrito por Santiago Burbano de Ercilla, Carlos Gracia Muoz) en
http://books.google.com.pe/books.
http://www.unicrom.com/Tut_diodozener.asp
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONICA/DEIEEE01.pdf
http://kerchak.com/diodos-especiales/
http://www.ecured.cu/index.php/Diodo_tunel