DIODO DE UNIN PN POLARIZADO

Finalidad del applet:

Ayuda para adquirir soltura en
el dibujo del diagrama de
bandas de una unin PN.
Tambin ayuda a familiarizarse
con los principios de la
formacin del diagrama de
bandas, as como con el perfil
de carga y campo elctrico que
se produce.

Descripcin del applet:
En el applet se muestra el flujo
de las corrientes de difusin, las
corrientes inversas de arrastre, y
la variacin del diagrama de
bandas cuando cambia la
polarizacin.

Uso del applet:
Se empieza utilizando los
controles de la parte superior.
Con ellos el usuario puede
familiarizarse con las cuatro
componentes bsicas de
corriente, para lo cual se deben realizar las siguientes acciones:

A. Corriente de arrastre de electrones:
sta es parte de la corriente de saturacin inversa.

1. Desconectar todos los recuadros excepto los de arrastre y electrones.
2. Observar los puntos azules que bajan por la barrera de potencial, son
los electrones de arrastre.

B. Corriente de arrastre de huecos:
Es la otra parte de la corriente de saturacin inversa.

1. Repetir lo mismo para arrastre y huecos,
2. Observar los puntos rojos que suben la barrera de potencial, son los huecos
de arrastre. Hay que hacer notar que en el diagrama de bandas de energa, la
energa de los electrones aumenta conforme se sube. Pero la de los huecos
lo hace al bajar en la banda. Por consiguiente, ambas corrientes de arrastre
(electrones y huecos) fluyen en la direccin de descenso de la energa.

C. Corriente de difusin de electrones:
Una vez inyectados (dentro de la regin-p, roja), los electrones se mueven por
medio de la difusin (debido al gradiente de concentracin en la regin-p.)

1. Para difusin y electrones,
2. observar los puntos azules que se mueven horizontalmente del lado-n al
lado-p , son los electrones inyectados.

D. Corriente de difusin de huecos:
Despus de la inyeccin (dentro de la regin-n neutra, azul), se mueven (hacia fuera
de la unin) por difusin.

1. Para difusin y huecos,
2. Observar los puntos rojos que fluyen en la banda de valencia horizontalmente.
Se mueven del lado-p al lado-n.

E. Corriente de recombinacin de electrones:
Cuando la condicin de equilibrio trmico de un sistema fsico es distribuida, existen
procesos para devolver el sistema al equilibrio. En la unin pn, el mecanismo
existente es la recombinacin banda a banda donde un par electrn-hueco se
recombinan. Esta transicin de un electrn desde la banda de conduccin a la banda
de valencia se hace posible por la emisin de un fotn o mediante transferencia de
energa a otro electrn o hueco libre. Estos electrones forman la corriente de
recombinacin de electrones.

1. Desconectar todos los recuadros excepto los de recombinacin y electrones.
2. Observar los puntos azules que fluyen desde la banda de conduccin a la
de valencia, verticalmente.
3. Variar el nivel de dopaje de Na, observar qu cambios se producen respecto a
la altura inicial de la densidad de portadores minoritarios, la longitud de
difusin, y la longitud donde puede haber recombinacin. Notar cmo
disminuyen las dos ltimas al aumentar el nivel de dopaje.

F. Corriente de recombinacin de huecos:
Es la otra parte de la corriente de recombinacin.

1. Desconectar todos los recuadros excepto los de recombinacin y huecos.
2. Observar los puntos rojos que fluyen desde la banda de valencia a la
de conduccin, verticalmente.
3. Variar el nivel de dopaje de Nd, observar que cambios se producen respecto a
la altura inicial de la densidad de portadores minoritarios, la longitud de
difusin, y la longitud donde puede haber recombinacin. Notar cmo
disminuyen la longitud de difusin y la de la zona donde puede existir
recombinacin al aumentar el nivel de dopaje.

Variables del applet
VARIABL
E
DESCRIPCIN UNIDADES
xp Anchura z.c.e. en el lado p cm
xn Anchura z.c.e. en el lado n cm
V
0

Potencial termodinmico V
V Polarizacin de la unin
V







Controles del applet de Unin PN en equilibrio

NOMBRE T
I
P
O
UNIDA
DES
DEFINICIN
arrastre Checkbox

Corriente de arrastre
difusin Checkbox Corriente de difusin

recombinacin

Checkbox

Corriente de recombinacin
electrones Checkbox Flujo de electrones
huecos Checkbox Flujo de huecos

polarizacin

Barra de
desplazamiento

Voltios
Tensin de polarizacin
Inicio
B
o
t

n

Polarizacin 0 V
Ayuda
B
o
t

n

Ayuda en pantalla
Na Choice
cm
-3
Impurezas aceptoras
Nd Choice
cm
-3
Impurezas donadoras
Parmetros/ Ocultar

Botn

Presentacin de parmetros

E
max
Campo en la unin metalrgica
V/cm
LA LEY DE SHOCKLEY

Finalidad del applet:
En este applet se explica la
ecuacin corriente-tensin de un
diodo ideal PN (tambin
llamada ecuacin de Shockley).
Conociendo la distribucin del
exceso de portadores
minoritarios en ctodo resulta
fcil conocer la corriente
transportada por ellos puesto que
es debida fundamentalmente a
difusin.

Descripcin del applet:
Puntos mviles: rojo = huecos, azul = electrones.
Regiones coloreadas: rojo = tipo-p, azul = tipo-n.
p(x=0) = concentracin de huecos en exceso en la frontera de deplexin n(x=0) = concentracin de
electrones en exceso en la frontera de deplexin Lp = longitud de difusin de huecos.
Ln = longitud de difusin de electrones.
I = corriente total
I
n
(x) = corriente de electrones (curva azul)
I
p
(x) = corriente de huecos (curva roja)

Cuando el applet aparece por primera vez en la pantalla, comenzar automticamente la
animacin. En el panel de control superior tenemos una serie de botones que sirven para
controlar esta animacin.
Si se quiere cambiar algn parmetro hay que pulsar el botn Parar, de este modo se
detiene la animacin y se activan tanto los controles delpanel superior como los inferiores.
En las casillas de verificacin superiores se puede seleccionar los diagramas que se deseen
que aparezcan, as como los parmetros caractersticos dentro de los mismos. Una vez
realizada la seleccin hay que volver a activar la animacin con el botn Inicio para
poder observar los cambios realizados.
Tambin se dispone del botn Pausa para poder detener momentneamente la
animacin. Pero en este caso no se pueden modificar los parmetros. Hay que continuar la
ejecucin pinchando de nuevo en el mismo botn que habr cambiado su etiqueta anterior
y ahora reflejar Continuar.



Uso del applet:

En el panel de control inferior hay cuatro listas desplegables. La primera de ellas es para
cambiar la polarizacin, donde podremos seleccionar tanto valores positivos como
negativos. De este modo se puede estudiar el comportamiento del dispositivo con
polarizacin directa e inversa. En segundo lugar tenemos el control de temperaturas que
servir para observar los cambios relativos respecto a variaciones de 5 en torno a la
temperatura ambiente que se utiliza por defecto. Los dos ltimos controles son de sobra
conocidos ya que no es la primera vez que aparecen en el tutorial. Obviamente
seleccionarn el nivel de las impurezas aceptoras y donadoras en nodo y ctodo
respectivamente.

Controles del applet:
NOMBRE TIPO UNIDADES DEFINICIN
Inicio/ Parar Botn


Detener y reiniciar
Pausa/ Continuar

Botn

Resume la simulacin
Recombinacin Checkbox

Diagrama de bandas
Corrientes Checkbox

Diagrama de corrientes
Polarizacin Choice V Polarizacin de la unin
T Choice K Temperatura
Na Choice
cm
-3
Impurezas aceptoras

Nd

Choice
cm
-3 Impurezas donadoras

Variables del applet:
VARIABLE DESCRIPCIN UNIDADES
x
p0
Anchura z.c.e. en el lado p cm
x
n0
Anchura z.c.e. en el lado n cm
n(x=0) Exceso de electrones minoritarios
cm
-3
p(x=0) Exceso de huecos minoritarios cm-3

L
n

Longitud de difusin de electrones cm
L
p

Longitud de difusin de huecos cm
I Corriente total A
I
n
(0)
Corriente de electrones A
I
n
(0) Corriente de huecos A


CONMUTACION DEL DIODO
En este applet se simula la
conmutacin de un diodo,
pudiendo cambiar la tensin
aplicada en sus bornas de
positiva a negativa y
viceversa. Para ello se
dispone del esquema de un
circuito con dos fuentes de
tensin (una positiva y otra
negativa) y un conmutador,
un circuito de polarizacin
(que incluye una resistencia)
y un diodo de unin. Este
esquema se sita en la parte
superior derecha del applet y
se puede conmutar entre
tensiones haciendo "click"
con el ratn en la zona entre
las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que
seala la mencionada zona sensible.
Uso del applet:
1. El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del
panel superior con el texto "Parmetros circuito".
Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden
introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin
inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R).
Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana
de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

2. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se
representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del
diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda
la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras
del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la
tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el
tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.

3. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula.
Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del
diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de
cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable
por al valor actual que tiene en la simulacin.
Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por
parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el
tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para
estas funciones temporales.

4. Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior
"Parmetros Diodo".
Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los
parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos
medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones,
el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la
unin para inversa.
Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana
de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

5. Debajo de las ecuaciones aparece una imagen donde se representa, instantneamente,
los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de
la zona espacial de carga.
El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como
el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para
todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o
Disrupcin).

6. En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la
zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet.
Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas
de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en
algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras.
Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos
de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los tros dos se puede detener y
avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin
est pausada.