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C t l 9: Captulo 9 Dispositivos semiconductores en microondas

Casi todos los circuitos de microondas y radiofrecuencia utilizan alg no de estos tres dispositi alguno dispositivos: os: diodos de barrera Schottk Schottky, transistores de unin p-n o transistores de efecto de campo (FETs). Dentro de esta amplia gama hay varios tipos de dispositivos: gran variedad de diodos de barrera Schottky Schottky, transistores de unin bipolar (BJTs), de heterounin bipolar (HBTs), FETs con epitaxia metal semiconductor (MESFET), transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) transistores metal (HEMTs), metal-xido-semiconductor xido semiconductor (MOSFET) y transistores de unin FET (JFET). El presente captulo aporta una descripcin del modelo de los anteriores dispositivos en alta frecuencia. frecuencia
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NDICE
ndice ndice. Introduccin a los dispositivos de estado slido. Diodos basados en dispositivos de barrera Schottky. Varactores. Transistores basados en uniones bipolares. T Transistores i basados b d dispositivos di ii de d efecto f de d campo. Ejemplo de tablas de caractersticas de dispositivos

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INTRODUCCIN A LOS DISPOSITIVOS DE ESTADO SLIDO


La mayor parte de los dispositivos de microondas y de RF se disean en base a: diodos de barrera Schottky, transistores bipolares y transistores de efecto de campo FET. Nomenclatura:
Dispositivos p activos basados en transistores, , FET o bipolares. p Dispositivos pasivos basados en diodos.

De modo general se pueden tomar los siguientes dispositivos y aplicaciones:


Diodo Schottky: mezcladores mezcladores, multiplicadores de frecuencia, frecuencia moduladores Diodos varctores: VCOs, multiplicadores de frecuencia Transistores bipolares (BJT): amplificadores de pequea seal (no de bajo ruido) Transistores bipolares de heterounin (HBT): amplificadores de potencia, potencia osciladores de bajo ruido Transistores de efecto de campo (JFET): amplificadores de bajo ruido, mezcladores, osciladores y conmutadores. conmutadores MESFET: amplificadores de bajo ruido, mezcladores, multiplicadores, y osciladores. HEMT (high electron mobility transistor): igual que el FET con un mayor margen de frecuencias frecuencias.
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RESUMEN DE DISPOSITIVOS DE ESTADO SLIDO (ao 2005) (I)


Dispositivo
Diodo Schottky Varactores y SRDs

Rango de frecuencias
Desde RF a submilimtricas Varactor p-n p n hasta 50 GHz GHz, varactor Schottky hasta cientos de GHz, SRDs hasta 25 GHz. Normalmente hasta banda X

Caractersticas y aplicaciones
Mezcladores, moduladores, detectores y multiplicadores. Multiplicadores de frecuencia. frecuencia Los SRDs para generar pulsos rpidos y para multiplicadores de orden superior. Amplificadores de pequea seal (no de bajo ruido). Dispositivos rpidos digitales. Dispositivos de potencia. Osciladores con bajo ruido de fase (gracias al bajo 1/f) Amplificadores de potencia, osciladores con bajo ruido de fase (para amplificadores de bajo ruido son preferibles los MESFETs o HEMTs)

Bipolares BJT

Bipolares de heterounin (HBTs)

Se puede llegar hasta 70 GHz, aunque lo normal es estar en 40 GHz.

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RESUMEN DE DISPOSITIVOS DE ESTADO SLIDO (ao 2005) (II)


Dispositivo
Transistores JFET

Rango de frecuencias
Slo hasta VHF o UHF

Caractersticas y aplicaciones
Aplicaciones de bajo coste y bajo ruido en amplificadores, mezcladores, osciladores y conmutadores. Amplificadores, osciladores, mezcladores, moduladores, multiplicadores Igual que los MESFETs.

MESFET (metal con semicoductor epitaxial) Transistores de alta movilidad HEMTs MOSFETs (metalxidosemiconductor)

Pueden trabajar hasta unos 30 GHz (a frecuencias superiores se prefieren los HEMTs) Es el dispositivo que llega a una frecuencia mayor, el lmite puede estar en los 300 GHz. Hasta la parte baja de la banda X, lo ms comn es 2-3 GHz.

En RF para aplicaciones de circuitos integrados.

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CARACTERSTICAS DE LOS MATERIALES (I)


Las caractersticas van relacionadas con propiedades como: concentracin intrnseca de portadores, portadores movilidad de portadores y propiedades trmicas. trmicas Concentracin intrnseca de portadores:
Interesa que no sea muy elevada por dos razones: Tener mayor control sobre la concentracin de impurezas. Para tener un grado de aislamiento importante entre materiales distintos: =q( q(nn+pp) Resulta ventajoso el AsGa frente al Si

Movilidad de portadores: capacidad para transportar corriente.


En aplicaciones de alta frecuencia interesa alta movilidad (mejor AsGa que Si) Tambin es conveniente disear dispositivos con portadores mayoritarios electrones

Efectos trmicos:
A mayor ancho de banda prohibida menores efectos trmicos (mejor AsGa que Si)

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CARACTERSTICAS DE LOS MATERIALES (II): MATERIALES UTILIZADOS


Germanio:
Prcticamente abandonado. abandonado La anchura del gap es menor que en el Si Concentracin de portadores mayor que el Si E complicada Es li d su utilizacin tili i en alta lt frecuencia f i (aunque ( la l sea mayor que el l Si)

Silicio (muy abundante, lo que ha desarrollado una tecnologa de Si):


Ancho del gap importante Buena conductividad trmica y baja concentracin intrnseca Soporta campos de ruptura mayores que el Ge

AsGa
Concentracin intrnseca ms baja que el Si y mayor movilidad de electrones. Menor dependencia con la temperatura Tecnologa ms compleja y de mayor coste. coste Comportamiento deficiente en alta potencia.

PI
Caractersticas importantes en alta frecuencia pero todava no estn explotadas. explotadas
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DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (I)


Un diodo de barrera Schottky es una unin metal-semiconductor (rectificador) Se usa en: mezcladores, detectores y multiplicadores de frecuencia. La combinacin metal-semiconductor presenta dos configuraciones:
Configuracin tipo contacto hmico: el metal acta como interfase Funcin F i d de t trabajo b j d del l metal t l es menor que la l del d l semiconductor. i d t Configuracin tipo contacto rectificante: propiedades similares a una unin p-n Funcin de trabajo del metal es mayor que la del semiconductor. Esto crea una barrera b energtica i en el l sentido id semiconductori d metal. l

Parmetros que caracterizan al metal y al semiconductor:


Metal: Nivel de Fermi: por debajo de ese nivel los estados estn ocupados por e Funcin de trabajo: cantidad de energa que hay que aportar a un e- para pasar al nivel de vaco. Semiconductor: Nivel de Fermi: en la banda prohibida del semiconductor (su posicin depende del tipo de semiconductor. Afinidad electrnica: energa para ir de la banda de conduccin al nivel de vaco
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DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (II)


Por qu se usan, en microondas, diodos Schottky en vez de diodos p-n?
La corriente viene determinada, , fundamentalmente, ,p por los p portadores mayoritarios, y , normalmente, electrones. En los diodos p-n, el mecanismo de conduccin de corriente viene dado por los minoritarios. Cuando un diodo p-n se alimenta en directa, se almacenan portadores minoritarios en la regin de unin; si se polariza repentinamente en inversa, antes de que el diodo entre en corte hay que retirar la carga. Este proceso es lento como para que puedan funcionar como rectificadores en alta frecuencia. frecuencia Suelen tener buen comportamiento como varactores.

Configuracin bsica de un diodo Schottky:


Se construye sobre un substrato n (de Si, ms comn, o de AsGa), nunca p en AF. Por debajo de esa capa hay un contacto hmico que hace de ctodo (Au Ni) Por encima hay una capa gruesa fuertemente dopada n+ que separa la capa epitaxial del substrato. Capa epitaxial levemente dopada sobre la que se deposita el metal que hace de nodo. Se pueden ajustar los siguientes parmetros en el diodo: la seleccin del metal, forma y rea del nodo, densidad del dopaje.
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DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (III): CARACTERSTICAS ELCTRICAS


En ausencia de polarizacin:
El contacto entre nodo y semiconductor hace que fluyan e- del sc al metal creando una regin vaca de carga entre metal y sc (zona de deplexin). Esto ha creado una carga neta positiva en el metal y una neta negativa en el sc lo que origina un campo elctrico que se opone al paso de ms e- de sc a metal.

En presencia de polarizacin:
La carga se mueve entre dos polos (nodo y ctodo) creando una capacidad no lineal. Si se aplica un voltaje positivo al nodo, disminuye la barrera y pueden pasar ms e- del sc al metal. Esta corriente es altamente no lineal.

Ecuacin que define la relacin (I/V):

eV j eV 1 exp I j (V j ) = I s exp nkT kT

eV j exp = I s nkT V j > 3 kT


e 10-20

Is corriente de saturacin, de valor muy pequeo de a 10-8 A; n es el factor de idealidad (cuanto ms ideal sea el diodo, ms prximo a 1); e es la carga del electrn (1.6 (1.6*10 10-19 C); k es la constante de Boltzmann (1.38 (1.38*10 10-23 J/K); T: temperatura absoluta en K
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DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (IV)


Diferencias entre diodos p-n y Schottky:
Corriente de saturacin tiene origen g fsico diferente Diodo p-n: ligada a la constante de difusin; valores muy pequeos. Portadores mayoritarios: valores de corriente elevados con bajas V En la barrera Schottky la conduccin es debida a un nico movimiento de portadores (dispositivo unipolar). No es importante la contribucin de portadores minoritarios, por lo que la capacidad de dif i no es importante difusin i t t (importante (i t t en alta lt frecuencia) f i )

Circuito equivalente del diodo Schottky:


LS depende p del hilo de conexin Cp depende del encapsulado g(Vj) conductancia no lineal Cj(Vj) capacidad de deplexin

g(Vj)

LS

RS Cp

Cj(Vj)

C j 0 : capacidad con V j = 0 C j0 C j (V j ) = V j : polarizacin Vj 1 : diferencia de potencial sc metal

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DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (V)


Seleccin del diodo: consideraciones (Rs, Cj, Is)
A bajas j frecuencias Cj no afecta a la rectificacin p proporcionada p p por g( g(V). ) No obstante en altas frecuencias tiende a ser un cortocircuito por lo que conviene reducir su valor si se quiere mantener la eficiencia de la mezcla. Su valor es proporcional al rea del nodo. Rs es inversamente proporcional al rea del nodo. Su valor est en torno a 10 El producto RsCj es ms o menos constante con el rea del nodo. Se puede definir una figura u gu de mrito, o, llamada d frecuencia ecue c de corte, co e, fc co como: o: 1 fc = 2 Rs C j Una forma incorrecta de seleccionar un diodo es mediante la figura de ruido, prdidas de conversin que proporciona el fabricante ya que el diodo est claramente limitado por las caractersticas del circuito en el que est insertado. De esta forma las medidas proporcionadas sern muy prximas a las del test fixture.

Medidas M did en el l diodo: di d


Determinacin de la pendiente de la curva I/V en milivoltios por dcada de corriente. Para determinar Rs (como se sabe que es del orden de 10) se ve cuando I es del orden de 1 mA cuntas mV se separa de la recta (mV/dcada)
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HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LA FAMILIA DE DIODOS SCHOTTKY DE AVAGOTECH HSM280X: encapsulados p

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LA FAMILIA DE DIODOS SCHOTTKY DE AVAGOTECH HSM280X: circuito equivalente q

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LA FAMILIA DE DIODOS SCHOTTKY DE AVAGOTECH HSM280X: prestaciones p

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DIODOS VARACTORES (I)


Es un diodo con reactancia variable que se deriva de la variacin de la capacidad de deplexin al polarizar en inversa el diodo. diodo Aplicaciones:
Sintonizador fino en frecuencias de microondas para un OL Osciladores controlados por tensin. Amplificadores paramtricos. Conversores y multiplicadores de frecuencia. frecuencia

Dispositivos:
Diodos de unin p-n por su capacidad no lineal. Diodos Schottky: slo cuando las capacidades de difusin son muy altas. SRD (step recovery diodes): son dispositivos de unin p-n pero que funcionan con polarizacin directa. p

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DIODOS VARACTORES (II)


Circuito equivalente:
LS depende d d del d l hilo hil de d conexin i Cp depende del encapsulado Rj resistencia no lineal: en inversa tiende a un abierto Cf es la capacidad de fugas Cj(v) capacidad de deplexin

LS

RS Cf Cp

Rj Cj(Vj)

C j (V j ) =

C j0 Vj 1

Parmetros:

C j 0 : capacidad con V j = 0 V : polarizacin en inversa j : diferencia de potencial sc metal : engloba efectos de parmetros tecnolgic.

Voltaje de ruptura: mximo voltaje inverso antes de que se produzca disrupcin. 1 Frecuencia de corte en esttica: para una tensin de ruptura fija

fc =

Frecuencia de corte en dinmica: se mide en funcin de la variacin de la capacidad cuando fc = se aplica una tensin inversa al diodo
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1 1 C C jmx jmn f mx = Cmx 2 Rs f mn Cmn


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2 Rs C jv

TRANSISTORES BIPOLARES BJT (I)


Los BJTs se fabrican, fundamentalmente, en Si y cubre una banda desde DC hasta valores bajos de microondas. Las prestaciones de un BJT de AsGa o InP son peores debido a que el control de dopantes, mediante difusin, de la base es ms difcil. Hay dos opciones:
De homounin(BJT): el dopaje se controla por difusin, creando regiones relativamente uniformes. Slo se puede aplicar, con resultados apreciables, en Si. De D h heterounin t i (HBT): (HBT) el ld dopaje j se realiza li mediante di t epitaxia it i de d haces h moleculares, l l creando perfiles de dopaje muy abruptos y estrechos. Se puede realizar en materiales como AsGa y permite alcanzar unas frecuencias bastante mayores (10GHz).

Operacin:
Como una unin p-n con un terminal adicional. La corriente en la unin p p-n est controlada p por VBE, p pero esta corriente se recoge g p por un tercer terminal: colector, con una amplificacin de dicha corriente:

IC IB
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TRANSISTORES BIPOLARES BJT (II)


Estructura y funcionamiento:
La regin de base es muy estrecha para reducir la resistencia y en microondas, tipo p. La base est levemente dopada. Las regiones de colector y emisor son largas y en microondas con dopaje tipo n. El emisor est fuertemente dopado. p Esta estructura hace que (bajo polarizacin directa de la unin base-emisor, VBE>0.7) se inyecten e- en la base, reduciendo la inyeccin de huecos en emisor. Como la base es estrecha estos e- la atraviesan sin casi recombinarse. recombinarse Una polarizacin inversa de la unin base colector (VBC< varios voltios) hace que el colector recoja dichos electrones. B Base Emisor n++ Colector n p

VBC<0
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VBE>0.7
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TRANSISTORES BIPOLARES BJT (III)


Dificultades al funcionamiento anterior:
La corriente de base (debida a inyeccin de huecos o recombinacin) es baja pero no es 0 (se limita la ganancia de corriente) El tiempo de paso por la base es finito por lo que se almacena carga en la base empeorando las prestaciones debido a la capacidad base-emisor. El BJT puede funcionar en inversa creando una unin p-n semejante a la basecolector. Existen elementos parsitos como capacidades de deplexin y resistencias en los terminales.

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TRANSISTORES BIPOLARES: CARACTERSTICAS ELCTRICAS (I) ()


Caractersticas I/V en esttica establecida por la caracterstica I/V de la unin p-n base emisor: e VBE La corriente total de colector ser: e VBE e VBC I c = I cf I cr = I sf exp exp kT kT
e VBC I = I En operacin inversa tendramos una expresin equivalente: cr sr exp kT 1

I cf = I sf exp e p 1 kT

e VBE I exp = sf kT

e VCE 1 exp kT

El primer trmino establece el pico de la corriente de colector (VCE grande) El segundo modela la corriente en funcin de la VCE

La transconductancia ser:

IC

Aumento de Ib VCE
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Gm =

dI c dVBE

VCE >> kT e

e Ic kT

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TRANSISTORES BIPOLARES: CARACTERSTICAS ELCTRICAS (II) ( )


Capacidades:
De D d deplexin, l i dada d d por las l capacidades id d del d l diodo di d

C jje =

C je 0 1 VBE

; C jjc =

C jc 0 1 VBC

BE

BC

De difusin originada por el almacenamiento de carga en la base

Cbe ,
Capacidad total:

I sf e dQb e VBE = = exp dVBE kT kT


ft = Gm 2Cbe

Cbe = Cbe, + C je Figuras de mrito en un transistor bipolar:

Frecuencia de corte para ganancia de corriente unidad: Frecuencia mxima (fmax) a la que el producto ganancia ancho de banda es 1.

Otros parsitos:
Resistencias en todos los terminales Capacidades asociadas a la unin colector-substrato
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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE AVAGO AT32063: encapsulados p y caractersticas

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE AVAGO ( (www.avagotech.com) g ) AT32063: g grficas y tablas

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE AVAGO (www.avagotech.com) AT32063: parmetros S (I)

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE AVAGO (www.avagotech.com) AT32063: parmetros S (II)

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (I)


Los JFETs son el punto de partida para el estudio de todos los dispositivos FET aunque las prestaciones que tienen en microondas, microondas los hacen inservibles. inservibles Tipos de FET:
JFET: control en p puerta p por medio de una unin p p-n MOSFET: contacto metal-xido-semiconductor en puerta MESFET: control en puerta por medio de una barrera Schottky HEMT: barrera Schottky en puerta actuando sobre un gas de electrones con una alta movilidad. Son de heteroestructura.

Estructura:
Sustrato de baja conductividad de tipo p Se difunde un canal tipo n sobre dicho sustrato con regiones n+ en los extremos para realizar los contactos hmicos. Finalmente, se difunde una regin p+ en el canal n que constituir la puerta.

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (II)


Funcionamiento:
La unin puerta-canal (p+-n) crea una regin de vaciamiento en el canal que depende del voltaje entre puerta y fuente siempre que est por encima de un voltaje de estrangulamiento (de pinch-off) Un voltaje entre drenador y fuente (VDS) crea una corriente en el canal: Si VDS es pequeo, el canal funciona como una resistencia operando el FET lineal Conforme crece VDS: Inicialmente aumenta la corriente. VGD llega a ser mayor que VGS haciendo que se estrangule el canal por el terminal de drenador. drenador Esto hace que se inyecte una corriente fija en el drenador dicindose que est saturado en corriente. Proceso de funcionamiento de un FET: Primero Pi se crea el l canal l Segundo se modela la corriente en funcin de VDS

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (III): CARACTERSTICAS ELCTRICAS


La corriente de drenador, en zona lineal, viene dada por el modelo de Shockley:
1.5 1.5 ( ) ( ) + V V V 2 ds gs gs I ds (Vgs , Vds ) = Go Vds 0 . 5 3 ( ) V p

El JFET normalmente opera en saturacin, dicha corriente es independiente de Vds:

Transconductancia: una alta transcontranscon ductancia es necesaria para conseguir alta ganancia en dispositivos de pequea seal

Vgs I ds (Vgs , Vds ) = I dss 1 Vp I

DS

Saturacin Lineal

VGS=0 VGS VDS

dI ds Gm = dVgs
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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (IV): PRESTACIONES


Circuito equivalente de pequea seal
Ventajas:
Trabaja bien para muchas aplicaciones Puerta

Rg Vg

Cgd Cgs GmVg

Rd Rds
Drenador

pero en bajas b j frecuencias. f i Inconvenientes:

El tiempo de trnsito es elevado lo Rs que reduce el valor de la transconductancia Surtidor y la mxima frecuencia de utilizacin. La capacidad de puerta a canal es elevada lo que reduce la mxima frecuencia de utilizacin. Esta capacidad est compuesta de Cgd y Cgs y su aportacin depende de la regin de funcionamiento. El proceso de fabricacin es la difusin de dopantes lo que implica trabajar con Si que tiene caractersticas de movilidad menores que el AsGa o el InP. InP El proceso de difusin crea perfiles mucho menos abruptos. Se crea otra unin p-n entre canal y substrato

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (V): MESFET


Caractersticas. De los inconvenientes anteriores se derivan las exigencias:
Utilizacin de un material semiconductor con mayor movilidad que el Si. Si Esto conlleva a la utilizacin de uniones Schottky que evitan los procesos de difusin y reducen el tiempo de trnsito. Empleo p de tcnicas con capacidad p de crear perfiles p ms abruptos. p Esto lleva a controlar las dimensiones de forma mucho ms precisa (epitaxia haces moleculares) Evitar el uso de una puerta tipo p (lo hace la unin metal semiconductor) Cambio del substrato p p por uno de alta resistividad. El conjunto de estas caractersticas ha hecho acudir a otros materiales: AsGa o InP

Prestaciones:
Sobre las caractersticas del circuito en que se utiliza: Mnima figura de ruido para valores de Ids del 10 al 25% de Idss Mnima distorsin para valores de Ids en torno al 50% de Idss Mxima M i ganancia i para valores l de d Ids en torno t a Idss La impedancia de fuente que proporciona mnimo ruido es completamente diferente de la que proporciona la mejor ganancia. La ganancia y la distorsin son bastante insensibles a la impedancia de fuente. fuente
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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (VI): MESFET, ,p prestaciones


Prestaciones en la polarizacin de un MESFET

IDS 0.9 IDSS

Alta ganancia

VGS=0

Mnima distorsin 0.5 IDSS 0.15 IDSS

VGS ote c a Potencia

VDS Potencia, alto rendimiento Bajo ruido

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (VII): MESFET, ,p prestaciones


Prestaciones (continuacin):
Impedancia de entrada: En continua, es muy alta, igual que en los JFET En frecuencias de microondas, el MESFET, tiene una impedancia baja. Como los parsitos resistivos son pequeos la Q de entrada es alta lo que hace difcil su adaptacin, directa, en banda ancha. Resistencia drenador-surtidor del MESFET es alta en bajas frecuencias (igual que JFET y MOSFET) pero es baja para frecuencias por encima de unos pocos de MHz.

Forma de polarizacin (importante):


Tiene un voltaje de ruptura relativamente bajo con lo que hay que aislarlo fuertemente de las posibles descargas electrostticas que puedan existir. Es FUNDAMENTAL formar primero el canal (polarizar primero la puerta) y despus modelar la corriente Ids (polarizar el drenador). Por lo tanto a la hora de polarizar un MESFET: Comenzar C a subir bi suavemente t a partir ti del d l pinch-off i h ff l la t tensin i de d puerta t hasta h t que se forme el canal. Conectar la tensin de drenador y subir suavemente hasta alcanzar el valor de VDS Reducir R d i la l tensin t i de d puerta t hasta h t alcanzar l el l valor l de d IDS deseado d d
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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MESFET DE AVAGO ATF34143: encapsulados p y caractersticas

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MESFET DE AVAGO ATF34143: caractersticas elctricas

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MESFET DE AVAGO ATF34143: grficas g

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MESFET DE AVAGO ATF34143: p parmetros S

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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MESFET AVAGO ATF34143: modelo no lineal y caractersticas de p potencia

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POLARIZACIN DE AMPLIFICADORES
Funciones:
Fija el punto de polarizacin del circuito: Circuito de polarizacin (fija Vg y Vd) (1) La seal RF no debe introducirse en el circuito DC (2) El circuito RF no debe verse afectado por el circuito DC: reduce el efecto de las descargas transitorias y garantiza un corto en RF (3) Los circuitos RF exteriores no deben verse afectados por la polarizacin del circuito i it en cuestin: ti asla l etapas t de d RF (4) (4) (2)

VG

VD

Se pueden utilizar dos fuentes de polarizacin l i i o una (autopolarizado) ( t l i d ) Estructura:


Elementos concentrados. Elementos distribuidos.
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(1)

(3)
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EJEMPLO DE TRAZADO FSICO PARA UN RADIADOR ACTIVO EN RECEPCIN (AMPLIFICADOR SIN RED DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA

Punto P t de d conexin i a antena Red de radiofrecuencia di f i

Red de polarizacin

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CONCLUSIONES
Se han presentado las caractersticas y aplicaciones de los dispositivos semiconductores para circuitos de microondas. microondas Son tres los dispositivos que, de forma general, se han presentado: diodos Schottky, transistor bipolar (normalmente de heteroestructura), transistores de tipo FET (normalmente HEMT y MESFET). Los diodos se utilizan para mezcladores, multiplicadores y moduladores. Los elementos bipolares se utilizan para aplicaciones de baja frecuencia (por debajo de 8 GHz, generalmente) y donde las especificaciones de ruido no son importantes. Tambin se utilizan para osciladores porque su ruido de fase es bajo. Los elementos de efecto de campo se utilizan en frecuencias mucho ms elevadas que los bipolares y donde las caractersticas de ruido han de ser bajas. Aplicaciones: p amplificadores p de bajo j ruido, , mezcladores y multiplicadores. p

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Tema 9:Dispositivos semiconductores en Microondas

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BIBLIOGRAFA
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Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Tema 9:Dispositivos semiconductores en Microondas

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