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Componentes para electrnica de potencia Resumen: En este artculo se describen las caractersticas principales de los componentes de estado slido

que se utilizan en los circuitos electrnicos de potencia modernos. Desarrollo: Generalidades En la actualidad las distintas formas de conversin electrnica de potencia (CA/CC CC/CA CA/CA ! CC/CC" se realizan principalmente por medio de elementos construidos con #unturas semiconductoras $%& de silicio 'abiendo caido en desuso las v(lvulas de descar)a al vacio o en atmsfera de vapor de mercurio. $ara mane#ar las altas intensidades ! tensiones que requiere la conversin de potencia es 'abitual que deba recurrirse a la refri)eracion de los elementos ! que se dispon)an numerosas ramas en paralelo conteniendo cada una varios elementos conectados en serie. Generalmente a los efectos de mantener la continuidad del servicio se debe sobredimensionar la instalacin de manera que ante la falla de * + ! a veces m(s elementos el semiconductor averiado se separe del circuito ! el equipo conversor prosi)a con su operacin 'asta que el personal de mantenimiento repon)a los elementos averiados. ,ambi-n debe considerarse que los semiconductores presentan una dispersin de sus caractersticas internas que ori)inan conmutaciones no simult(neas ! una distribucin despare#a de las tensiones ! corrientes aplicadas sobre los distintos elementos. .os semiconductores resultan mu! sensibles a las sobreintensidades ! cambios de temperatura presentando una caracterstica lmite de sobrecar)a muc'o mas e/i)ente que la de otros dispositivos por lo que deben prote)erse con fusibles especiales. Estos elementos tambi-n son sensibles a las sobretensiones transitorias que aparecen durante las conmutaciones por lo que cada elemento )eneralmente tiene un circuito 0C en paralelo para evitar un crecimiento mu! r(pido de la tensin en la #untura ! para producir un me#or reparto de la tensin aplicada sobre los elementos conectados en serie considerando la dispersin de sus caractersticas internas. En al)unos casos tambi-n se instalan varistores de /ido met(lico en paralelo con cada elemento. .os re)menes de traba#o para los semiconductores de potencia se establecen sobre las bases de numerosos ensa!os ! e/presan las recomendaciones del fabricante acerca de las m(/imas solicitaciones a que pueden someterse los mismos sin 'acer peli)rar su capacidad de funcionamiento. .a causa principal de sobreintensidad es naturalmente la presencia de un cortocircuito en la car)a debido a diversas causas. 1in embar)o tambi-n pueden aparecer picos de corriente en el caso de arranque de motores cone/in de capacitores utilizacin en r-)imen de soldadura etc. Estas sobrecar)as se traducen en una considerable elevacin de temperatura en la unin que si no es capaz de evacuar el calor )enerado pasa de forma casi instant(nea al estado de cortocircuito (avalanc'a t-rmica". .os dispositivos de proteccin que ase)uran una eficacia elevada o total son pocos ! por eso los m(s empleados actualmente si)uen siendo los fusibles del tipo 2ultrarr(pido2 que se montan directamente en serie con cada elemento semiconductor para proveer un seccionamiento selectivo ! )arantizar la continuidad del servicio citada anteriormente.

El tama3o de la pastilla semiconductora donde se realiza la o las uniones $%& que inte)ran el componente vara principalmente con la intensidad nominal que depende a su vez de la aplicacin de uso. 1u encapsulado ! su forma de monta#e resultan asimismo mu! variados en funcin de dic'a intensidad nominal. En todos los casos para mas detalles siempre resulta aconse#able consultar las 'o#as caractersticas provistas por los fabricantes. 4nin $%& A manera de repaso recordemos que en una #untura semiconductora $%& elemental se pone en contacto un semiconductor de tipo $ (con 'uecos positivos como portadores ma!oritarios" con un semiconductor de tipo & (con electrones como portadores ma!oritarios". 1in tensin aplicada ! debido a un fenmeno de difusin los electrones libres de la re)in & tienden a moverse 'acia la re)in $ atravesando la unin5 ! otro tanto pasa con los 'uecos del tipo $ que tratan de diri)irse 'acia la re)in &. Cada electrn que cruza la unin $%& se combina con un 'ueco del otro tipo de semiconductor neutralz(ndose las car)as. 6)ualmente cada 'ueco que atraviesa la unin se combina con un electrn libre. As forman una fran#a neutra en la zona de unin. 1in embar)o esta mi)racin 'ace que el resto de la re)in $ quede polarizada ne)ativamente ! el resto de la re)in & quede polarizada positivamente. Esta polarizacin impide que prosi)a la difusin por el establecimiento de una barrera de potencial entre ambos lados de dic'a zona de transicin dando lu)ar al 2potencial de unin2. 1i a la unin $%& se le aplica una tensin e/terna que anule la barrera de potencial se renovar( la mi)racin ! la #untura pasar( al estado de conduccin (polarizacin directa". $or el contrario si se aplica una tensin e/terna del mismo sentido que el potencial de unin que refuerce la barrera de potencial la #untura entrar( en el estado de no%conduccin (polarizacin inversa". 1in embar)o si se sobrepasa cierto valor de tensin llamado 2tensin inversa de ruptura2 que depende de las caractersticas fsicas de la unin el paso de portadores minoritarios mu! acelerados arranca nuevos pares al cristal que a su vez incrementan la corriente inversa ori)inando nuevos pares. El proceso es re)enerativo ! puede lle)ar a destruir la #untura por calentamiento en la zona de la unin donde comienza la ruptura o avalanc'a. $or lo visto estas uniones de estado slido de potencia se caracterizan por ser b(sicamente unidireccionales no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de polarizacin directa de la #untura5 presentando as dos estados contrapuestos. En estado de conduccin deben ser capaces de admitir una alta intensidad con una peque3a cada de tensin mientras que en sentido inverso deben poder soportar una fuerte tensin inversa con una intensidad de fu)a mu! peque3a. A continuacin se describen las caractersticas principales de los componentes de estado slido basados en esta unin que se utilizan en los circuitos electrnicos de potencia modernos. Cabe se3alar que tal e/posicin presenta los conceptos b(sicos mu! resumidos con el ob#eto de recordar conceptos )enerales que se suponen familiares para el lector. A % Diodos .os diodos de potencia son componentes electrnicos que permiten el paso de la corriente en una sola direccin ! que por lo tanto se usan para rectificacin. Est(n construidos b(sicamente con una #untura $%& simple cu!o comportamiento b(sico se analiz en el apartado anterior. Complementando tal e/posicin en los p(rrafos si)uientes se analizar(n los par(metros tpicos de los

diodos. * % Caractersticas est(ticas *.* % $ar(metros en conduccin .a conduccin de corriente en sentido directo determina la ma!or parte de las p-rdidas de potencia en el diodo que asimismo contribu!en a su calentamiento. $or lo tanto esta caracterstica resulta fundamental para la ma!ora de los re)menes de m(/ima corriente que tambi-n dependen de la temperatura. Adem(s en los diodos de silicio normalmente se produce una cada de tensin en la barrera de la #untura que oscila entre los 7 8 ! los 7 9 : dependiendo de la temperatura ! de la concentracin de impurezas en la unin. .os valores de corrientes a considerar son: ;6ntensidad media nominal (6<(A:"": es el valor medio de la m(/ima intensidad de impulsos sinusuidales de *97= que el diodo puede soportar. ;6ntensidad de pico repetitivo (6<0>": es aquella que puede ser soportada cada +7 mse) con una duracin de pico a * mse) a una determinada temperatura de la c(psula (normalmente +? =C". ;6ntensidad directa de pico no repetitiva (6<1>": es el m(/imo pico de intensidad aplicable una vez cada *7 minutos con una duracin de *7 mse). 1u valor es importante en el caso de corrientes de cone/in por e#emplo debidas a la maniobra de capacitores. ;6ntensidad directa (6<": es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin. *.+ % $ar(metros en bloqueo Cuando se aplica una tensin inversa 2moderada2 a un rectificador de silicio a trav-s del mismo flu!e una peque3a corriente de fu)a. A medida que la tensin inversa se va incrementando la corriente de fu)a crece lentamente 'asta que en determinado valor se produce un aumento mu! brusco de la corriente de fu)a que en los diodos de potencia da lu)ar a un embalamiento t-rmico que puede destruir al semiconductor. A esta tensin inversa se la llama tensin de ruptura de avalanc'a o de @ener. .os valores de tensiones a considerar son: ;,ensin inversa de pico de traba#o (:0A>": es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada sin peli)ro de entrar en ruptura por avalanc'a. ;,ensin inversa de pico repetitivo (:00>": es la que puede ser soportada en picos de * mse) repetidos cada *7 mse) de forma continuada. ;,ensin inversa de pico no repetitiva (:01>": es aquella que puede ser soportada una sola vez durante *7 mse) cada *7 minutos o m(s. ;,ensin de ruptura (:B0": si se alcanza aunque sea una sola vez durante *7 mse) el diodo puede destruirse o de)radar las caractersticas del mismo. ;,ensin inversa contnua (:0": es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

*.C % >odelos est(ticos del diodo .os distintos modelos del diodo son: ;>odelo ideal: resistencia cero en el sentido directo e infinita en el sentido inverso (diodo ideal". ;>odelo ideal con fuente de tensin: diodo ideal en serie con una fuente de tensin de valor i)ual a la tensin de barrera de la unin o #untura. ;>odelo ideal con fuente de tensin ! resistencia: diodo ideal en serie con una fuente de tensin de valor i)ual a la tensin de barrera ! con una resistencia i)ual a la del diodo en conduccin. Estos modelos facilitan los c(lculos a realizar para lo cual debemos esco)er el modelo adecuado se)Dn el nivel de precisin que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para c(lculos simples reservando modelos m(s comple#os para pro)ramas de simulacin como $1$6CE ! similares. Dic'os modelos suelen ser proporcionados por el fabricante e incluso pueden venir !a en las libreras del pro)rama. + % Caractersticas din(micas +.* % ,iempo de recuperacin inverso El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efectDa instant(neamente. 1i un diodo se encuentra conduciendo una intensidad 6< la zona central de la unin $%& est( saturada de portadores ma!oritarios con tanta ma!or densidad de -stos cuanto ma!or sea 6<. 1i mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt resultar( que despu-s del paso por cero de la corriente e/iste cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento ! permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante dando lu)ar a una peque3a corriente inversa de recuperacin. .a tensin inversa entre (nodo ! c(todo no se establece 'asta despu-s del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento en el que los portadores empiezan a escasear ! aparece en la unin la zona de car)a espacial. .a intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada" en pasar de un valor de pico ne)ativo (600>" a un valor despreciable mientras van desapareciedo el e/ceso de portadores. Entonces: ;,iempo de almacenamiento (ta": es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad 'asta lle)ar al pico ne)ativo. ;,iempo de cada (tb": es el tiempo transcurrido desde el pico ne)ativo de intensidad 'asta que -sta se anula ! es debido a la descar)a de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la pr(ctica se suele medir desde el valor de pico ne)ativo de la intensidad 'asta el *7 E de -ste. ;,iempo de recuperacin inverso (trr": es la suma de ta ! tb. .a relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado 21<2. +.+ % 6nfluencia del trr en la conmutacin 1i el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable : ;1e limita la frecuencia de funcionamiento pues a altas frecuencias disminu!e abruptamente el rendimiento de la rectificacin.

;E/iste una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa que puede lle)ar a producir sobrecalentamiento ! destruccin del diodo. $ara altas frecuencias por lo tanto debemos usar diodos de recuperacin r(pida. <actores de los que depende trr : ;A ma!or 600> menor trr. ;Cuanta ma!or sea la intensidad principal que atraviesa el diodo ma!or ser( la car)a almacenada ! por tanto ma!or ser( trr. +.C % ,iempo de recuperacin directo El tiempo de recuperacin directo (tfr": es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin (nodo%c(todo se 'ace positiva ! el instante en que dic'a tensin se estabiliza en el valor :<. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa ! no suele producir p-rdidas de potencia apreciables. C % $otencias C.* % $otencia m(/ima disipable ($m(/" Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento llamada -sta potencia de traba#o. C.+ % $otencia media disipada ($A:" Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fu)as. Generalmente el fabricante inclu!e tablas en las 'o#as de caractersticas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Ftro dato que puede dar el fabricante son las curvas que relacionan la potencia media con la intensidad media ! el factor de forma (!a que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media". C.C % $otencia inversa de pico repetitivo ($00>" Es la m(/ima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. C.G % $otencia inversa de pico no repetitivo ($01>" 1imilar a la anterior pero dada para un pulso Dnico. G % Caractersticas t-rmicas

G.* % ,emperatura de la unin (,#m(/" Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos 'acer sobrepasar a la unin o #untura del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones en lu)ar de la temperatura de la unin se nos da la 2operatin) temperature ran)e2 (mar)en de temperatura de funcionamiento" que si)nifica que el dispositivo se 'a fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores uno mnimo ! otro m(/imo. G.+ % ,emperatura de almacenamiento (,st)" Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica nin)una potencia. El fabricante suele dar un mar)en de valores para esta temperatura. G.C % 0esistencia t-rmica unin%contenedor (0t'#c" Es la resistencia entre la unin del semiconductor ! el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: 0t'#c H (,#m(/ % ,c" / $m(/ Donde ,c es la temperatura del contenedor ! $m(/ la potencia m(/ima disipable. G.G % 0esistencia t-rmica contenedor%disipador (0t'cd" Es la resistencia e/istente entre el contenedor del dispositivo ! el disipador (aleta refri)erante". 1e supone que la propa)acin se efectDa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante etc". ? % Caractersticas mec(nicas .as mismas comprenden diversas instrucciones particulares de instalacin entre las que por e#emplo se puede citar la cupla de monta#e de las tuercas de fi#acin. 8 % $roteccin contra sobreintensidades .os diodos presentan un lmite de la sobrecar)a que pueden soportar e/presado como un valor 6It que pueden admitir e/presado 'abitualmente para una duracin de *7 mse). Jabitualmente la proteccin se realiza por medio de fusibles del tipo 2ultrarr(pido2 que como su nombre lo indica actDan por la fusin del metal de que est(n compuestos ! tienen sus caractersitcas indicadas en funcin de la potencia que pueden mane#ar5 por esto el fusible no slo se especifica por su valor eficaz de corriente sino tambi-n con su 6It ! su tensin. El par(metro 6It de un fusible depende de la caractersitca de fusin del cartuc'o5 el intervalo de tiempo t se indica en se)undos ! la corriente 6 en Ampere. Debe esco)erse un fusible de valor 6It inferior al del diodo !a que as ser( el fusible el que se destru!a ! no el diodo. Es necesario que e/ista una coordinacin total entre la caracterstica de corte del fusible ! la caracterstica lmite del rectificador considerando la dispersin de esta Dltima.

4na variante de estos semiconductores son los diodos de @ener. 1i bien este componente no suele mane#ar potencia tiene un )ran campo de aplicacin en los circuitos asociados. Estos diodos est(n construidos b(sicamente con una #untura $%& simple dise3ada para que el efecto de ruptura por avalanc'a se produzca a ba#a tensin (normalmente entre C : ! +? :" ! en toda el (rea de la unin al mismo tiempo. .o primero se consi)ue dopando una de las zonas muc'o m(s que la otra con lo que la zona de car)a espacial se estrec'a muc'simo ! el campo el-ctrico acelerador de los portadores minoritarios se eleva aDn con ba#a tensin de polarizacin inversa. .o se)undo e/i)e una )ran uniformidad en estructura cristalina ! dopado. .a curva caracterstica presenta una zona casi vertical en la re)in de polarizacin inversa que es la que normalmente utiliza este tipo de diodo. A partir de un cierto valor de la tensin o 2tensin de @ener :z2 la corriente inversa se eleva apreciablemente. En tales circunstancias el circuito equivalente consta de una fuente de tensin constante :z ! una peque3a resistencia en serie. En conduccin directa ! en bloqueo los circuitos equivalentes son i)uales a los del diodo normal salvo que la cada de tensin de barrera es de * : para el silicio en lu)ar de 7 K:. El diodo de @ener se usa para realizar estabilizadores ! limitadores de tensin aprovec'ando su caracterstica de tensin constante entre sus e/tremos ! se suelen clasificar fundamentalmente por el valor de :z adem(s de la corriente nominal ! la corriente mnima para alcanzar la :z (6z". <inalmente di)amos que como el diodo est( formado por una #untura $%& los restantes componentes de potencia de estado slido comparten )ran parte de las caractersticas tpicas del diodo ! por lo tanto no se reiterar(n. B % ,ransistores El ob#etivo ori)inario de los transistores era la amplificacin de ba#as se3ales pero en la actualidad tambi-n se los utiliza para conmutacin de potencia a )ran velocidad !a que puede cambiar su resistencia r(pidamente en funcin de la se3al in!ectada en su electrodo de control. 1u descripcin m(s frecuente es como un dispositivo de tres terminales construido con una o dos uniones $%& (aunque en ri)or 'a! otros elementos que responden a esta descripcin". El funcionamiento ! utilizacin de los transistores de potencia es id-ntico al de los transistores de ba#a se3al teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar ! por tanto las altas potencias a disipar. Adicionalmente se procura obtener peque3as fu)as ba#os tiempos de respuesta que el efecto avalanc'a se produzca a un valor elevado ! que no se produzcan puntos calientes. .os transistores se clasifican en dos )randes )rupos: los transistores bipolares de unin (BL," ! los de efecto de campo (<E," o unipolares. *% ,ransistores bipolares Este tipo de transistor est( formado por dos uniones $%&. $uede estar construido por una parte de semiconductor & en medio de dos partes de semiconductor $ ($&$" por una parte de semiconductor $ en medio de dos partes de semiconductor & (&$&". Cada una de estas tres secciones que forman el transistor bipolar recibe un nombre diferente: la intermedia es la base ! las e/tremas son el emisor ! el colector que se diferencian por su capacidad.

Este tipo de transistores puede verse como dos diodos en serie. 1e pueden presentar tres modos de traba#o para estos transistores dependiendo del si)no de los tensiones de polarizacin en cada una de las uniones del transistor. 1i el diodo del emisor (Le" est( directamente polarizado ! el diodo del colector (Lc" se encuentra inversamente polarizado est( funcionando en el modo activo. 1i las dos uniones est(n directamente polarizadas se denomina modo de saturacin ! si est(n inversamente polarizadas se dice que el transistor est( en modo de corte. En ri)or tambi-n e/iste un modo activo inverso con polarizacin inversa de Le ! polarizacin directa de Lc pero es usado raramente. En el modo activo la polarizacin directa del diodo del emisor controla la altura de la barrera de potencial respectiva ! por lo tanto la cantidad de portadores que pasan del emisor a la base ! lue)o continDan su via#e 'acia el diodo del colector que se encuentra inversamente polarizado. De esta forma la peque3a corriente de base controla la cantidad de portadores que pasan del emisor al colector. Esta es la re)in de operacin normal del transistor para amplificacin la que se caracteriza por el factor beta que resulta del cociente entre la corriente de colector ! la de la base con tensin emisor%colector nula. BetaH M6c/6bN:ceH7 $or otro lado en el modo de corte la operacin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apa)ado pues el transistor actDa como un interruptor abierto !a que las corrientes que circulan por el transistor son casi nulas pues se deben a la corriente de los diodos en inversa. <inalmente en el modo de saturacin la operacin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido pues el transistor actDa como un interruptor cerrado. 4na limitacin importante de todos los dispositivos de potencia ! concretamente de los transistores bipolares es que el paso de bloqueo a conduccin ! viceversa no se 'ace instant(neamente sino que siempre 'a! un retardo. .as causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector%base ! base%emisor ! los tiempos de difusin ! recombinacin de los portadores. Cuando el transistor est( en saturacin o en corte las p-rdidas son despreciables. $ero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada por lo que la potencia media de p-rdidas en el transistor va a ser ma!or. Estas p-rdidas aumentan con la frecuencia de traba#o debido a que al aumentar -sta tambi-n lo 'ace el nDmero de veces que se produce el paso de un estado a otro. $or eso 'abitualmente se buscan ba#os tiempos de respuesta para conse)uir una alta frecuencia de funcionamiento. + % ,ransistores de efecto de campo El principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo o <E, se basa en el control de la resistencia que presenta un material semiconductor al paso de la corriente por medio de un campo el-ctrico perpendicular a la direccin de esta ultima. As por e#emplo en un <E, con electrodo de control aislado (ver mas adelante" mediante una tensin aplicada a dic'o electrodo por efecto capacitivo se varia la conductancia de una porcin del cuerpo semiconductor o sustrato ubicada deba#o de un diel-ctrico aislador. Dic'a porcin se denomina canal ! las dos re)iones semiconductoras en contacto con sus e/tremos por donde entra ! sale la corriente se desi)nan fuente o source (1" ! drena#e o drain (D". El electrodo de control se denomina compuerta o )ate (G". En la corriente que circula por el canal predominan absolutamente los portadores ma!oritarios siendo los minoritarios irrelevantes para el funcionamiento del transistor. $or esta razn el <E, es un transistor unipolar a diferencia del transistor bipolar de #untura donde ambos tipos de portadores importan especialmente en la base. El transistor de efecto de campo se caracteriza principalmente por la insi)nificante potencia que

consume en conmutacin ! su alta impedancia de entrada. 4na primera clasificacin de los <E, contempla la forma en que se ori)ina ! controla el campo el-ctrico5 pudiendo ser: ,ransistor de efecto de campo de unin o L<E, en el cual el campo el-ctrico de una #untura inversamente polarizada constituida por el canal ! otro material semiconductor unido a la compuerta controla la conductancia del primero se)Dn el valor de la tensin inversa aplicada. ,ransistor de efecto de campo con electrodo de control aislado o 6G<E, caracterizado por tener la compuerta aislada del canal por una capa de o/ido de silicio. Actualmente se fabrican entre otros los si)uientes dispositivos 6G<E,: ,ransistor de efecto de campo % metal % o/ido O semiconductor o >F1<E, cu!o nombre deriva de los tres materiales que aparecen al realizar un corte vertical en su estructura. Jasta 'ace poco los t-rminos 6G<E, ! >F1 eran sinnimos. 16.6CF& GA,E <E, difiere de >F1 en que la compuerta es de silicio policristalino en lu)ar de ser met(lica. 1e consi)ue as controlar la conductividad del canal a partir de tensiones de compuerta mas ba#as. 1F1 (21ilicon Fn 1ap'ire <E,2" en el cual el canal semiconductor de silicio esta depositado sobre un sustrato aislante de zafiro en lu)ar de un sustrato semiconductor de silicio. De esta manera se alcanzan velocidades de conmutacin mas altas. D>F1 (>F1 de Doble Difusin" que presenta un canal de corta lon)itud para permitir mu! altas velocidades de conmutacin )racias al breve tiempo de transito de los portadores por el citado canal. 4na se)unda clasificacin tiene en cuenta la conductancia del canal cuando a la compuerta no se le aplica nin)una tensin. Asi se tiene: <E, de canal normalmente conductor o de vaciamiento (2Depletion <E,2" que permite en las condiciones mencionadas el pasa#e de corriente entre los e/tremos fuente ! drena#e del canal cuando entre los mismos se aplica tensin. .os L<E, solo admiten este tipo de funcionamiento que tambi-n puede darse en los 6G<E,. <E, de canal normalmente abierto o no conductor o de enriquecimiento (2en'ancement <E,2": en este <E, sin tensin en la compuerta no circula pr(cticamente corriente entre los terminales fuente ! drena#e al aplic(rseles tensin. $or Dltimo por la naturaleza del canal conductor los transistores de efecto de campo pueden ser de dos tipos: <E, de canal $: .os portadores ma!oritarios que circulan por el canal son 'uecos. <E, de canal &: .os portadores que circulan por el canal son electrones. En los circuitos di)itales inte)rados se emplean los 6G<E,. En conmutacin se prefiere el <E, de 2enriquecimiento2 que conduce corriente solo cuando la tensin aplicada a la compuerta supera cierto nivel. C % Consideraciones adicionales .a diferencia entre un transistor bipolar ! un transistor unipolar o <E, es el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar 'a! que in!ectar una corriente de base para re)ular la corriente de colector mientras que en el <E, el control se 'ace mediante la aplicacin de una tensin entre compuerta ! fuente.

Es una caracterstica comDn sin embar)o el 'ec'o de que la potencia que consume el terminal de control (base o compuerta" es siempre m(s peque3a que la potencia mane#ada en los otros dos terminales. .os transistores tienen un modelos equivalentes que permiten aplicar los m-todos tradicionales de an(lisis de circuitos (mallas nodos". Estos modelos se obtienen del estudio de las ecuaciones que ri)en el comportamiento de los transistores. E/isten varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna pero el m(s popular es el modelo de cuadripolo en par(metros '. En el mismo a la entrada la se3al se encuentra con una resistencia 'ie en serie con una fuente de tension dependiente de la tension colector%emisor ('re P :ce". A la salida una fuente de corriente refle#a la dependencia entre la corriente de colector ! la corriente de base ('fe P ib" ! la resistencia */'oe en paralelo con la fuente representa la resistencia de salida. ,raba#ar con los par(metros ' constitu!e una )ran venta#a !a que se puede sustituir el transistor por este sencillo circuito que permite 'allar la e/presin de la se3al de salida en funcin de la se3al de entrada ! de los par(metros del transistor. El transistor tiene unos limites electrnicos que condicionan su utilizacin. ,eniendo en cuenta que el transistor se compone de diodos es de suponerse que los limites ser(n parecidos a los del diodo. A modo de e#emplo presentamos al)unos: Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (e#. 6cav corriente media por el colector". Corriente m(/ima: es la m(/ima corriente admisible de colector (6cm" o de drenador (6dm". Con este valor se determina la m(/ima disipacin de potencia del dispositivo. :cbo: tensin entre los terminales colector ! base cuando el emisor est( en circuito abierto. :ebo: tensin entre los terminales emisor ! base con el colector en circuito abierto. ,ensin m(/ima: es la m(/ima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector ! emisor con la base abierta en los bipolares drenador ! fuente en los <E,". C % ,iristores .os tiristores se utilizan en forma e/tensa en los circuitos electrnicos de potencia operando como conmutadores biestables pasando de un estado conductor a un estado no conductor. $ara muc'as aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores ideales aunque los tiristores pr(cticos e/'iben ciertas limitaciones. 4n tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas alternadas de estructura $&$& con tres uniones $%& intermedias ! tiene tres terminales accesibles denominados (nodo c(todo ! compuerta (o )ate". El (nodo corresponde al e/tremo $ el c(todo al e/tremo & ! la compuerta de control )eneralmente corresponde a la capa intermedia $. Este semiconductor funciona b(sicamente como un diodo rectificador controlado permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Cuando la tensin del (nodo se 'ace li)eramente positiva con respecto al c(todo las uniones L* ! LC quedan con polarizacin directa. .a unin intermedia L+ tiene polarizacin inversa ! en consecuencia slo fluir( una peque3a corriente de fu)a del (nodo al c(todo. 1e dice entonces que el tiristor est( en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llam(ndose a la corriente de fu)a correspondiente como corriente de estado inactivo 6d.

1i la tensin (nodo a c(todo :ac se incrementa 'asta un valor suficientemente )rande la unin L+ polarizada inversamente entrar( en ruptura al lle)ar a su tensin de @ener. Esto se conoce como ruptura por avalanc'a ! la tensin correspondiente se llama tensin de ruptura directa :bo. Dado que las uniones L* ! LC !a tienen polarizacin directa 'abr( un movimiento libre de portadores a trav-s de las tres uniones que provocar( una )ran corriente directa del (nodo. 1e dice entonces que el dispositivo est( en estado de conduccin o activado. .a cada de tensin en conduccin se deber( a la cada o'mica de las cuatro capas ! ser( peque3a por lo comDn *:. .a corriente del (nodo debe ser ma!or que un valor conocido como corriente de en)anc'e 6l a fin de mantener la cantidad requerida de flu#o de portadores a trav-s de la unin5 de lo contrario al reducirse la tensin del (nodo al c(todo el dispositivo re)resar( a la condicin de bloqueo. .a corriente de en)anc'e 6l es la corriente del (nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despu-s de que 'a sido activado ! no posee se3al de la compuerta. 4na vez que el tiristor es activado se comporta como un diodo en conduccin ! !a no 'a! control sobre el dispositivo. El tiristor se)uir( conduciendo porque en la unin L+ no e/iste una capa de a)otamiento de vida para los movimientos libres de los portadores. 1in embar)o si se reduce la corriente directa del (nodo por deba#o de un nivel conocido como corriente de mantenimiento o reposo 6' se )enera una re)in de a)otamiento alrededor de la unin L+ debida al nDmero reducido de portadores5 el tiristor estar( entonces en estado de bloqueo. .a corriente de mantenimiento 6' es la corriente del (nodo mnima para mantener el tiristor en estado de r-)imen permanente. En la pr(ctica la corriente de mantenimiento resulta ser menor que la corriente de en)anc'e 6l. Cuando la tensin del (nodo es ne)ativa con respecto a la del c(todo la unin L+ tiene polarizacin directa pero las uniones L* ! LC tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un volta#e inverso a trav-s de ellos. El tiristor estar( en estado de bloqueo inverso ! una corriente de fu)a inversa 6r fluir( a trav-s del dispositivo. Cuando se dispone un tiristor en un circuito electrnico traba#ando en conmutacin para cebarlo se utiliza un pulso de compuerta que )enera una corriente inicial entre la compuerta ! el c(todo para despu-s propa)ar la conduccin al resto del dispositivo de forma mu! r(pida. 4na de las formas de analizar este funcionamiento es considerar al tiristor como dos transistores complementarios unidos de manera que la base del $&$ se une al colector del &$& la base del &$& se une al colector del $&$ formando la compuerta el emisor del $&$ actDa como (nodo ! el emisor del &$& opera como el c(todo del tiristor. Al aplicar un potencial positivo a la compuerta (base del &$&" se produce la conduccin del &$&. Como la intensidad de salida de su colector es la de la base del $&$ le aumenta su conduccin ! esto a su vez aumenta la intensidad de su colector que es la base del &$& 'aci-ndole conducir m(s repiti-ndose este ciclo 'asta que el tiristor pierde casi toda su resistencia entre (nodo ! c(todo. 4na vez arrancado en condiciones normales se puede anular la tensin de compuerta ! el tiristor continuar( conduciendo 'asta que la corriente de car)a pase por cero5 por ello traba#ando en c.a. el tiristor se dese/cita en cada alternancia o ciclo. Adem(s 'a! que considerar que el tiristor no tendr( un cebado efectivo 'asta que la corriente de (nodo alcance el valor de la corriente de en)anc'e 6l por lo que no debe suprimirse el pulso de puerta antes de alcanzar dic'o valor. En esta condicin la e/tincin del tiristor tambi-n se produce cuando la corriente de (nodo cae por deba#o de la corriente de mantenimiento 6'.

1i durante el cebado el circuito e/terior )enera un crecimiento r(pido de la corriente como la cada de tensin entre (nodo ! c(todo no disminu!e de forma instant(nea puede producirse un consumo de potencia importante que puede llevar a la destruccin del tiristor por variacin de la corriente (di/dt". Cuando se produce un crecimiento mu! r(pido de la tensin entre (nodo ! c(todo en el bloqueo esta dv/dt puede producir el cebado del tiristor aDn en ausencia de la se3al de compuerta. 4n valor alto de corriente puede da3ar el tiristor por lo que el dispositivo debe prote)erse contra dv/dt alto. .os fabricantes especifican el dv/dt m(/imo permisible de los tiristores. $or otro lado si la temperatura de un tiristor es alta 'abr( un aumento en el nDmero de pares electrn%'ueco lo que aumentar( las corrientes de fu)a. Este aumento en las corrientes puede dar lu)ar a una accin re)enerativa que puede producir el cebado del tiristor. Este tipo de activacin puede causar una fu)a t-rmica que por lo )eneral se evita. 1i se permite que la luz lle)ue a las uniones de un tiristor aumentaran los pares electrn%'ueco pudi-ndose activar el tiristor. .a activacin de tiristores por luz se lo)ra permitiendo que esta lle)ue a los discos de silicio (fototiristores". Como valores importantes para definir el funcionamiento de un tiristor se suelen considerar: %,ensin m(/ima inversa admisible (:invma/" entre (nodo ! c(todo. %,ensin directa m(/ima admisible (:dma/". %Cada de tensin directa durante la conduccin (:d". %Corriente de continua o eficaz en funcionamiento (6c". %Corrientes de fu)a directa (6f" e inversa (6r". %Corriente de reposo (6'". %,emperatura de funcionamiento (,". Adem(s es importante analizar las caractersticas de mando del tiristor que permitir(n definir la potencia necesaria para el arranque. 1e deben considerar los si)uientes par(metros: %,ensin m(/ima directa de compuerta (:)ma/". %,ensin inversa m(/ima de compuerta (:)inma/". %Corriente m(/ima de compuerta (6)ma/". %$otencia m(/ima disipable ($)dis". %,ensin mnima directa de compuerta (:)min". %Corriente mnima de compuerta (6)min". Entre los tiristores se pueden encontrar diferentes cate)oras atendiendo a sus distintos procedimientos de fabricacin ! constitucin propios. .os tiristores se fabrican casi e/clusivamente por difusin ! para controlar el di/dt el tiempo de activacin ! el tiempo de desactivacin los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construccin fsica ! del comportamiento de activacin ! desactivacin en )eneral los tiristores pueden clasificarse en nueve cate)oras: *. ,iristores de control de fase (1C0". +. ,iristores de conmutacin r(pida (1C0". C. ,iristores de desactivacin por compuerta (G,F". G. ,iristores de triodo bidireccional (,06AC". ?. ,iristores de conduccin inversa (0,C". 8. ,iristores de induccin est(tica (16,J". K. 0ectificadores controlados por silicio activados por luz (.A1C0" o fototiristores. 9. ,iristores controlados por <E, (<E,%C,J" Q. ,iristores controlados por >F1 (>C,"

4na variante de estos dispositivos de cuatro capas semiconductoras alternadas es el diodo 1'ocRle! que es como el tiristor pero sin cone/in de compuerta. Cuando se polariza directamente con una tensin reducida las uniones L* ! LC tienen polarizacin directa la unin intermedia L+ tiene polarizacin inversa ! solo fluir( una peque3a corriente de fu)a del (nodo al c(todo. 1i la tensin crece 'asta un valor suficientemente )rande la unin L+ entrar( en ruptura. ! 'abr( un movimiento libre de portadores a trav-s de las tres uniones que provocar( una )ran corriente directa del (nodo. 1e dice entonces que el dispositivo est( en estado de conduccin o activado. Cuando el diodo 1'ocRle! se polariza inversamente se comporta e/actamante i)ual que un diodo con dic'a polarizacin. <inalmente di)amos que en lo que respecta a la electrnica de potencia la variante mas importante del tiristor es el triac. D % ,riac El triac (triode AC conductor" es un rectificador controlable por compuerta similar al tiristor con la particularidad de que es capaz de conducir en ambos sentidos ! puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por deba#o del valor de mantenimiento. 1e puede considerar a un triac como si fueran dos tiristores conectados en paralelo ! en oposicin (antiparalelo" con una cone/in de compuerta comDn que controla el cebado de ambos. Es un componente sim-trico en cuanto a conduccin ! estado de bloqueo se refiere. Dado que es un dispositivo bidireccional no es posible identificar sus terminales como (nodo ! c(todo llam(ndoselos simplemente ,* ! ,+. El triac tiene fu)as en bloqueo ! cada de tensin en conduccin pr(cticamente i)uales a las de un tiristor ! el 'ec'o de que entre en conduccin si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido lo 'ace inmune a destruccin por sobretensin. &o es necesario que esten presentes ambas polaridades en las se3ales de la compuerta ! un triac puede ser activado con una sola se3al positiva o ne)ativa de compuerta. En la pr(ctica la sensibilidad vara de un cuadrante a otro. El triac normalmente opera en el cuadrante 6 (tensin ! corriente de compuerta positivos" o en el cuadrante 666 (tensin ! corriente de compuerta ne)ativos". El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes 6 ! 666 mediante la aplicacin entre los terminales puerta ! ,* de un impulso positivo o ne)ativo. Esto le da una facilidad de empleo )rande ! simplifica muc'o el circuito de disparo. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt" aDn sin conduccin previa el triac puede entrar en conduccin directa. Cuando se encuentra en conmutacin la dv/dt puede producir tambi-n el cebado. En lo referente a la variacin di/dt aparecen dificultades id-nticas a las de los tiristores. El triac se desactiva autom(ticamente cada vez que la corriente pasa por cero por lo que con c.a. es necesario redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la se3al de control activada durante el tiempo que se considere oportuno.

http://www.paginadigital.com.ar/articulos/2002rest/2002terc/tecnologia/sica84.html

http://library.abb.com/GLOBAL/ !O"/scot2#$.ns%/&erity'isplay/'(B((!)0'#0***4)!$2+ #2(,00((--4A/.-ile/(4/()02041*#*2 3A#2dpi.pd%

Semiconductores de potencia. Primera parte: bases y aplicaciones


Autores: 1tefan .inder Localizacin: 0evista ABB 611& *7*C%C*C? &= G +778 p()s. CG%CQ Enlaces o ,e/to completo (pdf" Resumen:
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'urante4los45ltimos4$04a4$+4a6os74y4a4ra894del4r:pido4progreso4alcan9ado4en4la4 tecnolog8a4de4semiconductores74los4interruptores4de4potencia4de4silicio4se4han4 con;ertido4en4dispositi;os4muy4e%icientes74%iables4y4de4c<moda4aplicaci<n.4 ,stos4dispositi;os4han4arraigado4%irmemente4en4aplicaciones4de4alta4tensi<n4y4 alta4intensidad4para4controlar4potencias4de4salida4de4entre4un4mega;atio4y4;arios4 giga;atios.4Los4dispositi;os4semiconductores4de4potencia4han4puesto4en4marcha4 una4re;oluci<n4tran=uila74en4el4curso4de4la4cual4se4est:n4per%eccionando4 soluciones4electromec:nicas4mediante4la4adici<n4de4electr<nica4de4potencia74o4 incluso4son4sustituidas4por4completo4por4sistemas4electr<nicos4de4potencia.4,ste4 art8culo74dirigido4a4lectores4con4ciertos4conocimientos4de4este4tema74es4la4 primera4de4dos4partes4=ue4>e;ista4ABB4dedicar:4a4los4semiconductores4de4alta4 potencia.4,n4esta4parte4presentamos4di%erentes4clases4de4dispositi;os74 especialmente4el4?GB"4e4?G!".4!omparamos4sus4;enta@as4y4des;enta@as4 espec8%icas74as84como4algunos4aspectos4importantes4relati;os4a4su4aplicaci<n.4,n4 la4segunda4parte4anali9aremos4aspectos4tArmicos4y4cuestiones4relati;as4al4dise6o4 del4encapsulado.4Adem:s74intentamos4hacer4un4pron<stico4sobre4los4desarrollos4 %uturos4y4sobre4la4importancia4=ue4tendr:n4en4este4campo4de4la4alta4potencia4 materiales4de4Bamplio4salto4de4bandaB4como4el4 i!4Ccarburo4de4silicioD74el4GaE4 Cnitruro4de4galioD4y4el4diamante.