SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA SISTEMA INTEGRADO DE GESTIN Procedimiento Ejecucin de la Formacin Profesional Integral

GUA DE APRENDIZAJE

Versin: 02 Fecha: 27/03/2014 Cdigo: F004-P006GFPI 04

GUA DE APRENDIZAJE N

1. IDENTIFICACIN DE LA GUIA DE APRENDIZAJE Programa de Formacin: Nombre del Proyecto: Fase del proyecto: Actividad Proyecto: (es) del Actividad (es) de Aprendizaje: Cdigo: 224206 Versin: 100 Cdigo: 489846 Tecnlogo en Mantenimiento de equipo Biomdico Mantenimiento y Actualizacin de Equipo Biomdico del Centro Industrial de Mantenimiento Integral Anlisis Ambiente de MATERIALES DE FORMACIN formacin DEVOLUTIVO CONSUMIBLE ESCENARIO: (Herramienta (unidades - equipo) empleadas Ambiente durante el Electrnica de Televisor, programa) Potencia computadores Transistores, porttiles y resistencias. Competencia:

Reconocer funcionamiento de sistemas y dispositivos electrnicos.

Analizar e identificar los transistores MOSFET y el los algunas de sus aplicaciones.

Resultados de Aprendizaje:

Identificar los componentes elctricos, electrnicos, circuitos de potencia, fuentes conmutadas y convertidores de los equipos biomdicos, sus caractersticas y funciones; para realizar anlisis, pruebas y montajes de circuitos donde se involucren.

Herramientas del Ambiente. Establecer las actividades operativas para el mantenimiento de equipo biomdico teniendo en cuenta especificaciones tcnicas y reglamentacin existente.

Duracin de la gua ( en horas):

12 Horas

2. INTRODUCCIN

En su gran mayora, las seales de informacin que se encuentran en el mundo son anlogas las cuales por medio de sistemas electrnicos pueden ser procesadas transformando por medio de sensores las seales

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en una onda de corriente o tensin. La electrnica analgica se dedica al estudio de estos sistemas cuyas variables varan de forma continua en el tiempo. Algunos de los componentes electrnicos bsicos utilizados en estos sistemas son resistencias, Capacitores, inductores, Diodos y Transistores. En esta gua de aprendizaje estudiar los transistores MOSFET como elementos de circuito, su modo de operacin y analizar algunas de sus aplicaciones ms comunes. Desarrolle todas las actividades de la gua y apyese en el instructor para resolver sus inquietudes.

3. ESTRUCTURACION DIDACTICA DE LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

3.1 Actividades de Reflexin inicial. Un transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que produce una seal de salida controlada por pequeos cambios generados en una tensin de entrada y son ampliamente utilizados en la industria. En todos los elementos electrnicos que tenemos a nuestra disposicin encontraremos transistores cumpliendo diferentes tipos de funciones, en nuestros celulares, computadores, radios o televisores. Por su modo de operacin las funciones ms comunes son como conmutador y como amplificador. A principios de los aos sesenta, al producirse el cambio del material Ge al Si los investigadores D. Kahng y J, Atala construyeron el primer transistor de efecto de campo MOS, tambin conocido como MOSFET por las siglas correspondientes en ingls (Metal Oxide Semiconductor Fielf Effect Transistor). El MOSFET es un dispositivo de 4 terminales: Drenador (D), Compuerta (G), Fuente (S) y sustrato (B, Bulk) aunque generalmente el sustrato se encuentra conectado internamente al surtidor, lo cual nos permite encontrar dispositivos MOSFET de 3 terminales (D, G, S).

Transistor MOSFET

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Conociendo los diferentes componentes de circuito y las aplicaciones en las que se pueden utilizar, el tcnico en mantenimiento de equipo biomdico estar en capacidad de identificar dichos elementos en los dispositivos y saber si estn operando de manera correcta o no, en cuyo caso estar en capacidad de resolver las diferentes situaciones a las que pueda enfrentar en el mbito laboral. Teniendo en Cuenta la lectura dada por el instructor, en grupos de 3 aprendices, discuta y consulte los siguientes numerales: Compare el transistor MOSFET con el Transistor BJT e identifique algunas diferencias. Consultar una de las aplicaciones del transistor MOSFET y proponga un ejemplo.

3.2 Actividades de contextualizacin e identificacin de conocimientos necesarios para el aprendizaje. Realice la investigacin del significado de los siguientes trminos relacionadas con el tema a estudiar: FET Drenador Compuerta Fuente Semiconductor Canal N Canal P Regin de Corte Regin de Trodo Regin de Saturacin Consulte las ecuaciones que describen la corriente del Drenador para las regiones de Trodo y Saturacin del transistor MOSFET identificando cada uno de sus trminos. Actividades de apropiacin del conocimiento (Conceptualizacin y Teorizacin).

3.3

Actividad 1: Reconocimiento del Dispositivo a) Solicite al instructor un transistor de referencia IRF510 y un multmetro para realizar la identificacin de las terminales del Dispositivo

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Una vez su grupo de trabajo cuente con los elementos necesarios, seleccione la funcin probador de diodos en el multmetro y conecte la punta negra (com) al pin central del dispositivo quien en la mayora de casos para estos elementos es el Dreno y la punta roja (+) al pin 3 o Fuente del elemento. Anote el valor marcado por el multmetro. Luego desconecte el (+) del multimetro de la Fuente del dispositivo y conectela al pin 1 o Compuerta del dispositivo. Qu marca el multmetro?. Finalmente devuelva la punta roja del tester al pin 3 del transistor. Compare la nueva medida obtenida con la que anoto en la primera toma. Con estos datos concluya como diferenciar los terminales del transistor utilizando el elemento de medida. b) Monte el siguiente circuito en Proteus y realice las mediciones que seala el montaje

Que observa al pulsar el interruptor?

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c) Monte en Proteus el siguiente circuito y utilice el osciloscopio para observar la seal de entrada y la seal de salida medida en la resistencia de 10k. ( 100mVpp , Frecuencia = 1k)

De acuerdo con las medidas realizadas en el simulador Qu puede concluir? Actividad 2: Practica 1 Para esta actividad, solicite al instructor los elementos necesarios para realizar los montajes de los circuitos simulados en Proteus en el numeral anterior. Actividad 5: Trabajo de Investigacin Realice una investigacin describiendo los diferentes tipos de Diodos, con sus caractersticas y consulte algunas aplicaciones en las que pueda utilizarlos. El instructor solicitara al azar 5 estudiantes del curso para que socialicen la consulta y se complemente la informacin adquirida por cada aprendiz.

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3.4 Actividades de transferencia del conocimiento.

Actividad 1: Control de Velocidad de un Motor Conformar grupos de 3 personas y con los conocimientos adquiridos durante el proceso de aprendizaje disee un circuito que le permita controlar la velocidad de un motor utilizando un transistor Mosfet, su circuito debe permitir observar el aumento y la velocidad del motor.

3.5

Actividades de evaluacin. Criterios de Evaluacin Tcnicas e Instrumentos de Evaluacin

Evidencias de Aprendizaje

Evidencias de Conocimiento: Preguntas para evaluar conocimientos adquiridos. Dibuja e interpreta tcnicamente los diferentes componentes elctricos y electrnicos de una mquina de acuerdo con las especificaciones tcnicas de dibujo.

Cuestionario

Evidencias de Desempeo:

Diferencia los elementos electrnicos de acuerdo con los manuales. Lista de Chequeo Selecciona y opera tcnicamente los instrumentos de medicin de acuerdo con la actividad de mantenimiento.

Evidencias de Producto:

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4. RECURSOS PARA EL APRENDIZAJE

Materiales de formacin devolutivos: (Equipos/Herramientas) ACTIVIDADES DEL PROYECTO DURACIN (Horas) Descripcin Cantidad

Materiales de formacin (consumibles)

Talento Humano (Instructores)

AMBIENTES DE APRENDIZAJE TIPIFICADOS ESCENARIO (Aula, Laboratorio, taller, unidad productiva) y elementos y condiciones de seguridad industrial, salud ocupacional y medio ambiente
Ambiente de Electrnica de Potencia del CIMI

Descripcin

Cantidad

Especialidad

Cantidad

Televisor Computador

Ingeniero Electrnico

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GUA DE APRENDIZAJE 5. GLOSARIO DE TERMINOS

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MOSFET de enriquecimiento de CANAL N Se trata de una estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado (n+). MOSFET de enriquecimiento de CANAL P Responde a una estructura dual de la del MOS de canal N: intercambian las regiones dopadas n por regiones dopadas p y viceversa. En este caso el canal se forma gracias a la existencia de cargas positivas libres (huecos, p+).

6. REFERENTES BIBLIOGRFICOS [1]. Circuitos Microelectrnicos, Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith, Quinta Edicin. Mc Graw Hill.

7. CONTROL DEL DOCUMENTO (ELABORADA POR) Manuel Fernando Daz Nio. Ingeniero electrnico UIS, Instructor SENA CIMI. Red de Electrnica, Instrumentacin y Automatizacin Industrial. Centro Industrial de Mantenimiento Integral. Marzo de 2014.

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