Simulacin de Semiconductores en el Software PC1D5

Miguel Yermo Garca

Ra Xos Mara Surez Nez, s/n. Campus Vida
15782 Santiago de Compostela
miguelyermo@gmail.com
Resumen. Mediante la utilizacin del software PC1D5, se han simulado los comportamientos
de un semiconductor de Silicio bajo la influencia de distintos parmetros externos, tales como la
temperatura, distintos niveles de dopado y la accin de una diferencia de potencial. Para cada
caso, se han recopilado los datos asociados a las concentraciones de portadores, tanto huecos
como electrones, la concentracin intrnseca, el potencial electrosttico, as como su campo
elctrico asociado y la distancia relativa entre las bandas de conduccin, valencia, la energa
intrnseca y los niveles de fermi. Finalmente, todo esto se ha comparado con los clculos tericos
y se han redactado las conclusiones.
1. Semiconductor en equilibrio.
A la hora de realizar los clculos para el conductor en equilibrio, se asume y esto aplica a todos los
subapartados de esta seccin- un semiconductor intrnseco, no degenerado y, en caso de existir dopado,
ionizacin total. Adems, los clculos tericos estn realizados de tal manera que se toma el origen de las
energas de banda en

, mientras que en la simulacin el origen se sita en el nivel intrnseco o en la

energa de Fermi, segn corresponda.
1.1. Pieza de Si de 2 sin dopar a 300
La energa de gap del Si a esta temperatura es un dato tabulado, cuyo valor es E
g
= 1,12 eV. Adems, se
cumple que n = p = n
i
. El clculo de n
i
se obtiene mediante n
i
= N
c
N
v
e
E
g
/2
, resultando un valor de
n
i
= 0,955 10
10
cm
3
. Por tanto, n = p = 0,955 10
10
cm
3
.

En este caso, la energa intrnseca coincide con la energa de Fermi, ya que n = p = n
i
. La energa
intrnseca viene dada por E
F
= E
i
=
E
G
2
+
3
4
KTln(0,69) = 0,552804 eV

Introduciendo E
G
, n
i
y T en el software PC1D5, se obtienes las siguientes grficas:



Figura 1. A la izquierda, representacin de la energa de bandas a lo largo de todo el semiconductor. Se han obtenido los valores de las
energas de banda:

= 0,5608 y

= 0,5592 , lo que arroja una

= 0,56 , prcticamente igual a la calculada tericamente. A

la derecha, representacin de las densidades de portadores, as como de la energa intrnseca. Para la simulacin, se ha utilizado

= 10
10

3
, y el clculo terico nos arroja un valor de

= 0,995 10
10

3
.

Nmeros de pg.
1
_____
Falta ntroduccin
ok
ok
ok
La grfica de concentracin no es muy relevante pues son
ctes y se puede resumir en una tabla.
Mejor resumir resultados del simulador en una tabla. Y la compracin no realizarla tampoco en el ttulo.
Nota: 8.5








1.2. Pieza de Si de 2 con dopado

= 3,2 10
16

3
a 300 .
Dado que se trata de un dopado con aceptores, tenemos un semiconductor de Tipo P. Es de esperar ahora
que la concentracin de huecos y electrones no sea igual. De hecho, la de huecos ser aproximadamente la
del dopado. Adems, el nivel de Fermi debera desplazarse ligeramente hacia abajo. Tericamente, se ha
obtenido un valor de n = 3,093 10
3
cm
3
, la cual es muy inferior al caso anterior. Al no haber variado la
tempertura, n
i
y E
i
mantienen los valores del apartado anterior. El nuevo nivel de Fermi es E
F
= E
i

0,3885 eV = 0,1643 eV. Recordemos que este valor es situando el origen en E

v
. Si este valor es mayor
que 3KT, estaremos ante un conductor no degenerado. As, 3KT = 0,07 eV < 0,1643. Se cumple por
tanto la condicin de no degenerado.


En la simulacin se han obtenido las siguientes grficas:

Tanto la densidad de corriente como el potencial son nulos en este caso, ya que estamos en equilibrio.

1.3. Pieza de Si de 2 con dopado

= 3,2 10
16

3
a 300 .
En este caso el dopado es con donadores, con lo que cabe esperar un aumento de la concentracin de
electrones en la banda de conduccin, ya que el semiconductor pasa a ser de tipo N. Por tanto, tenemos que
=

= 3,2 10
16

3
. El clculo de la concentracin de huecos arroja un valor de = 3,093
10
3

3
. Ahora, el nivel de Fermi se situar cerca de la banda de conduccin. El valor calculado es

= 0,941304 , mientras que

permanece invariante con respecto a los casos anteriores. En este

caso,

3 >

1,05 > 0,94.Estamos por tanto en un caso no degenerado.

En la simulacin, se han obtenido las siguientes grficas.
Figura 2. A la izquierda, est representado el campo elctrico en el semiconductor. Ntese que la escala de abscisas es 10
18
, por lo que
podemos considerarlo prcticamente nulo. A la derecha, la densidad de corriente, que es igualmente nula ya que estamos en un semiconductor
en equilibrio. Tanto el campo elctrico como la densidad de corriente sern nulas a lo largo de toda esta seccin.

Figura 3. A la izquierda, se muestra la energa de bandas. Ntese ahora que el nivel de fermi est desplazado hacia abajo, con un valor de

= 0,1720 sobre la banda de valencia, lo cual coincide muy bien con los datos tericos. Los valores de las bandas energticas son

= 0,9480 y

= 0,1720 . En la derecha, tenemos la densidad de portadores, as como la concentracin de portadores

intrnseca, con unos valores de = 3,2 10
16

3
, = 3,125 10
3

3

= 10
10

3
.

2
Estas grficas tambin se podran omitir pues no son tan relevantes. El potencial se puede ver en la curvatura
de las bandas de energa, y la corriente es una constante nula. Se podra resumir en una tabla.
___
ok
________________________________
___________________________








Nuevamente, la densidad de corriente, el potencial electrosttico y el campo elctrico son nulos por tratarse
de un conductor en equilibrio.

1.4. Pieza de Si de 2 con dopado

= 3,2 10
16

3
a 300
En este caso, tenemos un semiconductor compensado. Al tener el mismo dopaje de aceptores y de
donadores, promocionarn el mismo nmero de ellos a sus respectivas bandas, por lo que se vuelve a
cumplir la ecuacin n = p = n
i
. Los valores numricos para este apartado son los mismo que para el
1.1.

Cuando simulamos esta situacin, obtenemos:

Nuevamente, tanto el campo elctrico como la densidad de corriente son nulas.

2. Semiconductor con diferente temperatura.
Se va a analizar ahora el caso del mismo semiconductor anterior, pero esta vez a una temperatura de
= 600 . Seguiremos bajo los supuestos de semiconductor no degenerado, intrnseco e ionizacin
total.

Dado que ahora la temperatura ha cambiado, es de esperar que el gap entre las bandas sea de un
valor menor, de tal manera que los electrones de la banda de conduccin sean capaz de promocionar en
mayor nmero a la banda de valencia, por lo que
600
>
300


El nuevo gap vendr dado por E
G
(T) = 1,17
4,7310
4
T
2
T+636
, por lo que tendremos que la energa de
gap es E
G
= 1,03 eV. Para calcular la concentracin intrnseca, se sigue el mismo procedimiento que
en 1.1, obteniendo un valor de n
i
= 3,249 10
15
cm
3




Figura 4. A la izquierda, la energa de bandas. Se han obtenido valores de

= 0,1735 y

= 0,9465 . El nivel intrnseco permanece

igual, y la energa de Fermi se corresponde con

= 0,9465 , ya que hay que trasladar nuestro origen. El valor coincide perfectamente
con el clculo terico. En la derecha, tenemos la densidad de portadores, donde

= 10
10

3
sigue mantenindose, ya que es funcin
exclusivamente del material y la temperatura. En cambio, ahora = 3,2 10
16

3
y = 3,125 10
3

3
, valores en total acuerdo con
lo calculado tericamente.

Figura 5. A la izquierda, los niveles de bandas, que coinciden exactamente con el primer caso. Tenemos que

= 0,5608 y

=
0,5592 V. En la derecha, se aprecia la concentracin de portadores, cuyos valores son

= = = 10
10

3
.

3
ok
Quitar algunas grficas te permitir hacer ms grandes las otras.
ok
a)
b)
ok






2.1. Pieza de Si de 2 sin dopar a 600
Una vez tenemos n
i
y E
G
, podemos calcular la concentracin de portadores y la energa de las bandas
para esta temperatura, con mtodos similares a 1.1. Dado que estamos en equilibrio, se cumple que n =
p = n
i
, y que la densidad de corriente, el potencial electrosttico y el campo elctrico son nulos. La
energa de fermi coincidir con la energa intrnseca, con un valor de E
i
= 0,500 eV.
Introduciendo estos datos en el simulador, obtenemos las siguientes grficas:

2.2. Pieza de Si de 2 con dopado

= 3,6 10
16

3
a 600 .
Al igual que antes, caben esperar diferencias con respecto al caso de T = 300K. Al ser el salto intrnseco
menor, tambin es de esperar que existan ms huecos en la banda de valencia a esta temperatura que a
T = 300K. De igual manera, el nivel de Fermi estar ms prximo a la banda de valencia que
anteriormente. Vemoslo.

Recordemos que E
i
no vara con el dopado, con lo cual E
F
= E
i
0,1224 eV E
F
600K
= 0,3776 eV,
cuando antes habamos obtenido, tericamente, E
F
= 0,3885 eV. Este nivel de Fermi cumple la
condicin de no degeneracin, ya que 3KT = 0,15516 eV < 0,3776 eV.

Adems, como estoy asumiendo ionizacin total, puedo hacer la aproximacin N
A
p = 3,2
10
16
cm
3
. Con esto, calculo la concentracin de electrones en la banda de valencia, que arroja un valor
de n
600K
= 2,8125 10
14
cm
3
, muy superior al obtenido para el caso anterior de n = 3,093
10
3
cm
3
.

En este caso, tanto la densidad de corriente como el campo elctrico y el potencial del que deriva son
cero.
Las grficas obtenidas para esta simulacin son:


Figura 5. A la izquierda est representada la energa de bandas para un semiconductor de Si, en equilibrio, a = 600 . Los valores
obtenidos para las bandas de conduccin y valencia son

600
= 0,5158 y

600
= 0,5142 , por lo que

600
= 0,515 y

600
= 1,03 En el caso de = 300,

= 1,12 , por lo que se aprecia una ligera disminucin del gap. En la derecha, la densidad
de portadores. Se ha obtenido un valor experimental de

600
= 3,10
15

3
, el cual es cinco rdenes de magnitud mayor que la
concentracin intrnseca a = 300,

= 10
10

3
.

Figura 6. Grficas obtenidas en la simulacin de un semiconductor de Si TIPO P a = 600 . A la izquierda, se muestra la energa de bandas,
que arroja unos valores de

600
= 0,5772 ,

600
= 0,4528 . Las energas obtenidas para = 300 fueron

= 0,9480 y

= 0,1720 . Como era de esperar, los datos para = 600 son menores. A la izquierda, se muestra la densidad de los portadores, con

600
= 3 10
15

3
,
600
= 3,288 10
16

3
y
600
= 2,788 10
14

3
, que difieren mucho de los calculados para =
300 , = 3,2 10
16

3
= 2,85 10
3

3
. Ntese que la concentracin p es ligeramente mayor ahora. Esto se debe a la
reduccin del salto intrnseco, que permite la promocin de electrones a esta temperatura desde la banda de conduccin, sumndose as a los
promocionados debido al dopado.
4
__
a)
b)
ok
Poner la informacin de los resultados (y anlisis de los mismos) fuera del ttulo.






3. Semiconductor bajo tensin elctrica.
En este caso considerar una pieza de Silicio, de longitud = 2, con un dopado

= 3,2
10
16

3
, al que se le aplicar una diferencia de potencial entre sus extremos de = 4 .
Considerar adems que el potencial crece de forma lineal entre ambos extremos. Por la existencia de
dicho potencial, ya no se podr aplicar la condicin de equilibrio, y en lugar de tener un nivel de Fermi
tendremos dos pseudo-niveles de Fermi. Realizar los clculos para una temperatura de = 300 .

Con esto, puedo suponer que

= 3,2 10
16

3
, por lo que se cumple que

,
y por tanto =

= 3,093 10
3

3
. Con las concentraciones de portadores, puedo calcular los
pseudo-niveles de Fermi:

= 0,552804 + (

) = 0,552804 0,387484 = 0,166380

= 0,552804 (

) = 0,552804 0,387477 = 0,165327

Donde se ha utilizado el dato de la energa intrnseca del primer apartado.

El campo elctrico derivar del potencial aplicado como = =

. Sabemos que el
crecimiento del campo es lineal (suposicin) y la longitud del semiconductor, por tanto
=
2
0
= 2/
4
0
es nuestro campo elctrico.

Para el clculo de las corrientes elctricas, hay que tener en cuenta que el dopado es uniforme, de tal
manera que no tendremos componente debida a la difusin. Adems, la corriente debida a los huecos
debe ser mayor que la debida a los electrones, al tratarse de un semiconductor TIPO P. Los datos para
las movilidades de ambos tipos de portadores se han sacado directamente del programa, bajo las
condiciones de dopado y temperatura dadas. Tengo que

= 901,1

= 325,8

. Ntese que
la movilidad de los huecos es menor. Esto se debe a que existe un gran nmero de ellos y se interfieren
entre s. Con esto, las corrientes sern:

= 1,602 10
19
901,1 3,093 10
3
2 0
2

= 1,602 10
19
325,8 3,2 10
16
2 = 3340,36
2


La corriente de arrastre de los electrones es prcticamente nula, debido a que existe un nmero
insignificante de ellos.

En la simulacin, se han obtenido las siguientes grficas:

Figura 7. A la izquierda, se muestra el diagrama de bandas correspondiente al caso en el que tenemos un voltaje aplicado. Ntese que las
bandas aparecen curvadas, puesto que el campo elctrico que aparece debido al potencial provoca una situacin de no equilibrio. Esto
significa que, a lo largo del semiconductor, la energa de los portadores no es siempre la misma. El voltaje aplicado de = 4 se puede
calcular a partir del diagrama de bandas. Tomando como referencia

( = 0) = 0,9171

( = 2) = 3,021 , tenemos que

= 3,9381 = 3,9381 . Adems, la energa del gap debera ser la correspondiente a un semiconductor en equilibrio a =
300 , por lo que

= 1,12. Si tomo por ejemplo, el punto = 1, tengo que

= 1,061 y

= 2,181 , por lo tanto

=
1,061 + 2,181 = 1,12 . Esto se cumple para gran parte del semiconductor, excepto cuando la energa de los electrones empieza a
deformarse. En la derecha, se muestra la densidad de los portadores. Para los huecos, tenemos un valor de = 3,201 10
16

3
, lo que
coincide tanto con el dopaje como con los resultados tericos. Fijmonos ahora en los electrones: hacia el final del conductor, vemos que la

se vuelve prcticamente constante, a un valor de

= 3,842 tomando como referencia la energa intrnseca.

5
En el ttulo poner a qu corresponde cada color de las grficas.
ok
ok
signo negativo






Fijmonos ahora en los electrones: hacia el final del conductor, vemos que la E
v
se vuelve
prcticamente constante, a un valor de E
v
= 3,842 eV tomando como referencia la energa intrnseca.
Justo en ese punto, la concentracin de electrones empieza a crecer muy rpidamente. Esto es
probablemente debido al campo elctrico generado por el potencial: Si, como ya dije, tengo aplicado
( = 0) = 0 = ( = 2) = 4, se crea un campo elctrico de sentido negativo. Dado que
los electrones tienen carga negativa, se movern en sentido contrario al campo, es decir, hacia el extremo
derecho del semiconductor. Es por eso que la concentracin intrnseca, as como la energa
(compensndose con la cada constante) aumentan en el extremo derecho del semiconductor. Esto no
ocurre con los huecos debido al gran nmero de ellos y, por tanto, a su poca movilidad.

El campo elctrico obtenido a lo largo del conductor se muestra en la Figura 8.

4. Conclusiones
Mediante las simulaciones, hemos observado los cambios que sufre un semiconductor bajo diferentes
condiciones externas. Se han obtenido resultados para = 300 y = 600 , y se ha comprobado
que las bandas de energa se hacen ms prximas a medida que se aumenta la temperatura, lo que, con
una temperatura lo suficientemente alta, llevar a que el semiconductor tenga un comportamiento
intrnseco a pesar de su dopaje. Adems, se ha visto como el nivel de Fermi se acerca a la banda de
energa correspondiente a los portadores mayoritarios. Finalmente, se ha visto como se desplazan los
portadores a lo largo del semiconductor dependiendo de su movilidad y el campo elctrico aplicado,
creando as densidades de corriente.
Referencias
[1] Software de simulacin PC1D5


Figura 8. Campo elctrico a lo largo del semiconductor. Ntese que, simplificando en las unidades de las ordenadas, tendramos = /. Este
apenas vara a lo largo del semiconductor, pudiendo asumir un valor constante de = 19,35 /. A la derecha, se muestran las densidades de
corriente de los portadores. Como ya hemos visto tericamente,

0 , para los huecos, obtenemos un valor de

= 3087
2
, lo cual se
aproxima a los valores tericos.

6