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ELECTRNICA DE POTENCIA ELECTRNICA DE POTENCIA

INTRODUCCIN
CONCEPTOS PRELIMINARES
La tarea de la electrnica de potencia es
t l l fl j d procesar y controlar el flujo de energa
elctrica en forma ptima para las cargas de
los usuarios los usuarios.
R l i d l El t i d P t i Relacin de la Electrnica de Potencia
con Otras reas
Electrnica
Sistemas
de potencia Electrnica
Generacin,
transmisin y
utilizacin de grandes
cantidades de energa
Se ocupa de los
dispositivos y circuitos
de estado slido
de potencia
Control
Analgico/dig
ital
cantidades de energa
Elctrica
Se encarga del
rgimen permanente y
requeridos en el
procesamiento de
seales para cumplir
con los objetivos de
control deseado
Control
rgimen permanente y
de las caractersticas
dinmicas de los
sistemas de lazo
cerrado
A li i d l El t i d Aplicaciones de la Electrnica de
Potencia
La Electrnica de Potencia se basa en la
t i d l di iti conmutacin de los dispositivos
semiconductores de potencia.
E t l i i l li i t Entre las principales aplicaciones tenemos:
Control de iluminacin
Aplicaciones (Cont.)
Cargadores de bateras
A li i d l El t i d Aplicaciones de la Electrnica de
Potencia en los Sistemas Elctricos
Aplicaciones (Cont.)
Control de motores
Fuentes Conmutadas
Inversores
Fuentes alternas de energa
Rangos de operacin de los
di iti d l l t i d dispositivos de la electrnica de
potencia
Resea histrica
Ao
Hecho relevante
1900 Introduccin del rectificador de arco de mercurio.
1948 Inicio de la primera revolucin electrnica con la invensin del transistor
(Laboratorios de telefona Bell).
1956 Invensin del Rectificador Controlado de Silicio (SCR) en los laboratorios
Bell.
1958 Inicio de la segunda revolucin electrnica, desarrollo del tiristor por
General Electric Company General Electric Company
1970 Varios tipos de semiconductores de potencia fueron desarrollados y
comercializados, entre ellos estan: Diodos de potencia, BJT, Mosfet, IGBT,
SIT, GTO, RCT, LASCR, MCT. Etc.
Resea Histrica
Clasificacin de los Convertidores
A los circuitos de la electrnica de potencia
l ll tid l l se les llama convertidores, los cuales son
empleados para cambiar los parmetros de
voltaje corriente y potencia de la energa voltaje, corriente y potencia de la energa
elctrica.
Acondicionamiento
de potencia
carga
Fuente
de
entrada
Tipos de Convertidores
Rectificador CA/CD
Convertidor CD/CD
Convertidor CA/CA
Ejemplos.-
Rectificador CD/CA
V
i V
o
CA-CD
t
t
V
i V
oo
t
t
Tipos de Convertidores (Cont)
Ejemplos CD-CA
V
i V
o
t
t
V
i V
o
t
t
Ejemplos CA-CA
V
i V
o
t
t
V
i V
o
t
t
Esquema General
Energa de la
lnea (V
i
,F
i
)
S l d
Respuesta
del
sistema
Convertiidor
esttico de
potencia
Sistema a
controlar
Unidad de
control
Comando
Seales de
control
Energa controlada
(V
o
,F
o
)
Ejemplo 1.1 Suponga que se requiere suministrar 100 watts a una carga de
20O desde una fuente de CD a 100v. Como se muestra en la figura 1.9.
V
L
+
-
Dispositivo
semiconductor
Carga
V
s
I
c
+
+
-
Carga
V
s
I
c
+
-
R
L
-
Cl ifi i d l di iti d Clasificacin de los dispositivos de
electrnica de potencia
Por su grado de controlabilidad se clasifican
en:
Diodos
Interruptores controlables.- BJTs,
MOSFETs, SITH, IGBTs
Ti i t Tiristores
Diodos de Potencia
Presentan algunas diferencias estructurales
t l di d d l respecto a los diodos de pequea seal.
Pueden bloquear tensiones de varias
d d il d lt decenas de miles de volts.
Se aplican en rectificadores, diodos volante
en reguladores conmutados inversin de en reguladores conmutados, inversin de
carga de capacitores, aislamiento de voltaje,
recuperacin de energa atrapada recuperacin de energa atrapada.
Curva caracterstica
I
d
Smbolo
I
s
V
f
BV
BD
V
Smbolo
I
d
A C
Donde
f
V
d
V
d
+ -
1
D D
T T
v v
V V
D s s
I I e I e
q q
| |
= ~ |
|
Donde
ID Corriente del diodo
VD Voltaje del diodo cuando esta polarizado directamente
Is- Corriente de fuga (10-6 a 10-15)
- Coeficiente de emisin (valor que depende del material y tipo de
diodo).
V
T
Voltaje trmico
D s s
|
\ .
23
1.3806 10 (298)
258 V

q carga del electrn (1.6022X10-19C)


T Temperatura absoluta en K.
K Constante de Boltzman (1.3806X10-23J/K)
19
( )
25.8
1.6022 10
t
V mv

= =

Construccin y encapsulados
Encapsulados
Encapsulados
Modelos
I
d
Modelo aproximado
V
f
V
d
+ -
I
d
m=1/Ron
V
f
R
on
Modelo ideal
I
d
I
d
V
d
Interruptor ideal
Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inversa
t
rr
se mide a partir del cruce del
cero inicial de la corriente del
I
d
t
rr
diodo con el 25% de la corriente
inversa de pico Irm, el trr esta
formado por dos componentes.
Q
rr
t
1
t
rr
t
2
0.25I
rm
La relacin t
2
/t
1
se le conoce como
Q
rr
0 5
rm
I
rm
1 2 rr
t t t = +
factor de suavidad.
V
d
2
F
t
S =
1
F
t
La corriente inversa pico puede expresarse como:
L d i i Q l tid d
1 RM
di
I t
dt
=
La carga de recuperacin inversa Q
rr
es la cantidad
de carga que fluye a travs del diodo en direccin
inversa debido a un cambio de la conduccin directa
a la condicin de bloqueo inverso Su valor queda a la condicin de bloqueo inverso. Su valor queda
determinado por el rea encerrada por la trayectoria
de la corriente de recuperacin inversa.
1 1
Q I t I t
1 1
1 2
2 2
rr RM RM
Q I t I t ~ +
1 2
1 1
2 2
rr RM RM
Q I t I t ~ +
As
2 2 Q Q
1
2 2
rr rr
rr
RM
Q Q
t
di
I
t
dt
= =
| |
|
\ .
Ejemplos
Ejemplo 1.2 El diodo 1N3879 (Fast Recovery Power Rectifier) diseado para
fuentes de CD opera con una corriente inicial del 20A a una temperatura de la
unin de 100C. El diodo de recupera la capacidad de bloqueo en un circuito
en el cual la corriente disminuye a una razn de 20A/s. Encuentre t
rr
e I
RM
.
Tipos de diodos
1. Diodos rectificadores.- Se caracterizan
d t i d por poseer rangos de tensin y de
corrientes muy elevados:
C i t d 1A il d Corrientes de 1A a miles de ampers
Tensin de 50v a 5KV
T l d d d 25 Trr alrededor de 25s
2. Diodos rpidos.- En esta categora estn los
diodos de recuperacin rpida y suave estos se diodos de recuperacin rpida y suave, estos se
caracterizan por tener rangos de voltaje y
corriente ms reducidos:
Corrientes de 1A a cientos de ampers
Tensin de 50v a 3KV
Se disean para aplicaciones de alta frecuencia, tales como Se disean para aplicaciones de alta frecuencia, tales como
choppers y convertidores DC-DC.
3. Diodo Schottky.- Estos diodos estn
f d l i i d t l formados por la asociacin de un metal y
un semiconductor.
F i l d (d Kh MH ) Frecuencias muy elevadas (de Khz a MHz).
Cadas de tensin muy bajas.
N d bl t i i No pueden bloquear tensiones superiores a
los 100v.
http://www.ixyspower.com/
Features:
Vrrm: 800 to 1600V. If(avg): 2.3A to 110A
DS: Standard DSA:Avalanche rated
Planar glassivated chips
Ideal for 50/60 Hz rectification
Single,Phase leg, common cathode or dual
diode
IFAV IFSM RthJ
PartNumb
er
VRR
M
(V)
IFAV
M
Tota
l
(A)
IFAVM
perDio
de
(A)
@
Tc
(
C)
PRS
M
(kW
)
IFR
MS
(A)
IFSM
10ms
Tvj=45
C
(A)
VT
0
(V
)
rT
(mOhm
s)
Tvj
m
(C
)
RthJ
C
max
(K/
W)
RthC
H
K/W
)
Configurati
on
Ckt
Diag
PackageStyle
DS2-08A 800 3.6 3.6
10
0
2.5 7 120
0.8
5
43 180 Single DS
Axial Hermetic
package 0 5 package
DLA10IM800
UC
800 10 10
14
0
20 80
0.8
0
15 175 3.15 0.50 Single
DLA...I
M...
DPak (TO-252)
DS9-08F 800 11 11
10
0
4.5 18 250
0.8
5
15 180 2.00 1.00 Single DS DO-203AA (DO-4)
DLA20IM800
800 20 20
12
35 200
0.8
19 175 1 80 0 25 Single
DLA...I
TO-263AB (D2Pak)
PC
800 20 20
0
35 200
0
19 175 1.80 0.25 Single
M...
TO-263AB (D2Pak)
DSP8-08A 800 22 11
10
0
17 100
0.8
0
40 180 3.50 0.50 Phase Leg DSP.. TO-220AB
DSP8-08AS 800 22 11
10
0
17 100
0.8
0
40 180 3.50 Phase Leg DSP..
TO-263AA (D2
PAK)
10 0 8 TO 263AB (D2
DSP8-08S 800 22 11
10
0
17 100
0.8
0
40 180 3.50 Phase Leg DSP..
TO-263AB (D2
PAK)
DS17-08A 800 25 25
12
5
7 40 370
0.8
5
8.0 180 1.50 0.60 Single DS DO-203AA (DO-4)
DSI17-08A 800 25 25
12
5
7 40 370
0.8
5
8.0 180 1.50 0.60 Single DS DO-203AA (DO-4)
DSI30-08A 800 30 30 95 35 300
0.8
5
13 150 1.00 0.50 Single DSI TO-220AC
DSI30-08AC 800 30 30 95 60 200
0.8
0
15 150 1.10 0.60 Single DSI ISOPLUS220
DSI30-08AS 800 30 30 95 35 300
0.8
5
13 150 1.00 Single DSI
TO-263AA (D2
PAK)
TRANSISTOR BJT
Los transistores de potencia se pueden
clasificar de manera general en cuatro clasificar de manera general en cuatro
categoras:
Transistor de unin bipolar (BJT). p ( )
Transistor de efecto de campo de metal oxido
y semiconductor (MOSFET).
Transistor de Induccin esttica (SIT) Transistor de Induccin esttica (SIT)
Transistores bipolares de compuerta aislada
(IGBT)
ESTRUCTURA Y CURVAS ESTRUCTURA Y CURVAS
CARACTERSTICAS
REGIONES DE OPERACIN
Zona de corte.- Es aquella donde la corriente de base es nula y
la de colector es de un valor muy pequeo, en esta se pueden y p q p
soportar altos voltajes de colector a emisor.
Zona lineal.- En esta el transistor acta como amplificador, no
es utilizada en aplicaciones de potencia porque produce
d did grandes prdidas.
Zona de quiasi-saturacin.- En esta zona se tienen bajos
voltajes de colector a emisor pero la ganancia del transistor (|)
no es constante no es constante.
Zona de saturacin.- Aqu la corriente de colector es elevada y
se producen cadas de tensin entre colector y emisor muy
pequeas, por lo que la potencia a disipar es muy pequea. p q p q p p y p q
Circuito de conmutacin de un BJT
Del circuito mostrado se derivan las
siguientes ecuaciones: siguientes ecuaciones:
Por LVK
Despejando IC
0
cc C C CEsat
V I R V =
cc CESAT
V V
I

Despejando IC
La potencia de disipacin esta dada por
cc CESAT
c
C
I
R
=
Para garantizar que el transistor opere en
la regin de saturacin se aplica un factor
CE C BE B
P V I V I = +
I la regin de saturacin se aplica un factor
de sobreexcitacin, el cual se define
como:
B
Bsat
I
ODF
I
=
Configuracin Darlington
En esta estructura la corriente de base es:
C
B
I
I
| |
=
1 2
B
| |
KSP13
Ejemplo 1.3
El transistor bipolar de la figura tiene una | en el rango 8
a 40 La resistencia de carga es 11O El voltaje de a 40. La resistencia de carga es 11O. El voltaje de
alimentacin en cd es de Vcc=200v y el voltaje de
entrada al circuito de VB=10v, si VCEsat =1v y
VBEsat=1.5v. Encuentre:
El valor de RB que resulta en saturacin con un factor
de sobre-excitacin de 5 de sobre excitacin de 5.
La | forzada.
La prdida de potencia Pt en el transistor. p p
Ejemplo 1.4
Un transistor es utilizado en el circuito para
suministrar una corriente a la resistencia de suministrar una corriente a la resistencia de
carga. Las condiciones de operacin son
RL=25O y |f=5. Considerando VCEsat=0.5v, y |
Encontrar:
a) IC
Ic
b) Ib
c) Pt
+
-
IB
Ic
300 V
+
Ic
RB
Vcc
Rc
Ejemplo 1.5
+
-
+
-
Vcc
V
B
El transistor bipolar de la figura tiene una en el
rango de 8 a 40 La resistencia de carga es de 11 rango de 8 a 40. La resistencia de carga es de 11 .
El voltaje de alimentacin en cd es Vcc=200 v y el
voltaje de entrada al circuito base es de VB =10v. Si
VCE=1v y VBE=1.5v Encuentre:
El valor de RB que resulta en saturacin con un
factor de sobreexcitacin de 5 factor de sobreexcitacin de 5.
La f forzada.
La prdida de potencia en el transistor. p p
LIMITACIONES POR y
dv
dt
di
dt
Los transistores requieren ciertos tiempos de
encendido y de apagado.
Las formas de onda resultantes en estas
conmutaciones dependen del tipo de carga
pero, por simplicidad, se considera
solamente cuando se tienen cargas solamente cuando se tienen cargas
fuertemente inductivas (fuente de corriente
constante). constante).
I
I
B(on
)
I
B
+
-
iB
C
I o
iC
Vd
t
V
BE(on)
V
B
E
B
E
Io
t
I
C
V
BE(off)
t
V
C
E
Vd
V
CE(sat)
td
on
Ton
t
tr
i
tf
v1
tf
v12
Ti d t d td l ti d Tiempos de retardo td y los tiempos de
almacenamiento ts
Vcc: Vs
t
Vcc: Vs
IL
t
Ic:Ics
tr tf
l i t d l t t l la corriente de colector aumenta y la
tasa es
di
dt
CS L
I I di
= =
Durante el apagado, el voltaje de colector a emisor debe
aumentar en relacin con la cada de la corriente de colector y
r r
dt t t
aumentar en relacin con la cada de la corriente de colector y
la tasa es.-
dv
dt
s CS
V V dv
dt t t
= =
f f
dt t t
Proteccin para mantener la tasa y de
operacin dentro de los lmites admisible
di
dt
dv
dt
IL IL
IL
R
L
Ls
+
L
Q
1
RB
Cs
-
Vs
Dm
+ Q
1
Rs
Ds
VB
+
-
Si el interruptor esta abierto, en condiciones especiales la
corriente de la carga IL circula a travs del diodo volante Dm, g ,
cuyo tiempo de recuperacin inversa es despreciable.
Cuando se enciende Q1 la corriente de colector sube y la
corriente de diodo Dm cae, en esta condicin el circuito ,
equivalente es mostrado
Ls
+
Ls
+
Vs
On
Off
-
Q1
En este circuito el de encendido es
di
dt
s
s
V di
dt L
=
Sustituyendo la expresin de , tenemos
di
dt
I V
CS s
r s
I V
t L
=
Por lo tanto
s r s r
s
CS L
V t V t
L
I I
= =
Durante el apagado el capacitor Cs se carga
por la corriente de carga, en este caso el
V lt j t d l t i t Voltaje que aparece a travs del transistor y
el es.-
I dv
dv
dt
L
s
I dv
dt C
=
Usando el valor de previamente
d t i d
dv
dt
determinado
CS L
f s
V I
t C
=
Despejando para Cs
L f
I t
C =
Ls
+
Vs
I
L
I
L
s
s
C
V
=
-
On
Una vez cargado el capacitor hasta Vs, el diodo volante se
activa, debido a la energa almacenada en Ls, quedando un activa, debido a la energa almacenada en Ls, quedando un
circuito RLC, el cual se hace crticamente amortiguado para
evitar oscilaciones
R
1
Como en este caso
2L
o =
n
LC
e =
n
o e =
2
1 2 2
2
2
R L L L
R
L C
LC LC LC
= = = =
2
s
s
s
L
R
C
=
IL
I
L
Ls
+
Vs
Dm
Rs
Cs
-
El capacitor debe descargarse a travs del transistor, lo que
aumenta la especificacin de la corriente pico del transistor Se aumenta la especificacin de la corriente pico del transistor. Se
debe evitar la descarga por el transistor si se instala el resistor
Rs a travs de Cs, en lugar de ponerlo a travs de Ds.
En este caso, generalmente es adecuado un
ti d d i l t tiempo de descarga equivalente a:
1
3
s s s
R C T
f
= = i
cs
s
f
1
3
s
R
C f
=
s
t
3
s s
C f
T
t
Ejemplo 1.6 Un transistor opera como un interruptor en
conmutacin a una frecuencia de fs =10KHz, con un arreglo tal g
y como se muestra en la figura 1.29, el voltaje de cd del
pulsador es de Vs=220v, la corriente en la carga de 100A, el
voltaje VCEsat se desprecia, los tiempos de conmutacin son
td =0s tr =3s y tf=1 2s determinar los valores de: td =0s, tr =3s y tf=1.2s. determinar los valores de:
Ls
Cs
Rs para la condicin de amortiguamiento crtico Rs para la condicin de amortiguamiento crtico.
Rs para que el tiempo de descarga se limite a la tercera parte
del periodo de conmutacin.
IL
IL IL
R
L
Ls
+
Vs
Dm
Q
1
Rs
Ds
RB
VB
Cs
-
Vs
+
-
Circuito de aplicacin de Transistores
di d (I M f i d y diodos (Inversor Monofsico de
medio Puente)
Cuando Q
1
=on durante
To/2 el voltaje en la carga To/2 el voltaje en la carga
es Vs/2
Si Q
2
=on durante To/2
el voltaje en la carga el voltaje en la carga
es -Vs/2
Anlisis de Fourier
El voltaje rms se puede encontrar a partir de
0
2 2
T
T
El voltaje Instantneo de Salida se puede expresar
en una serie de Fourier como
2 2
2
2
0 0 0
1 2
( )
4 2
T
s
o
V V
V v t dt dt
T T
= = =
} }
en una serie de Fourier como
0
2
( )
s
V
v t senn t
n
e
t

=

Para n=1
1,3,5... n
nt
=

1
2
0.45
2
s
s
V
V V
t
= =
Tarea # 3 (parte 2)
Hacer el anlisis de Fourier de la forma de Onda
mostrada en el inversor mostrada en el inversor.
Determinar las primeras 11 armnicas si Vs=48 volts
MOSFET de Potencia
Los Mosfets de potencia son dispositivos
t l d lt j l ti controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta.
L M f t d d ti Los Mosfets son de dos tipos:
Mosfet de agotamiento.
M f t d i i i t Mosfet de enriquecimiento.
Mosfet de agotamiento
Un mosfet tipo agotamiento de canal n se
f b t t d ili i d ti forma en un substrato de silicio de tipo p,
son dos silicios n+ fuertemente dopados
para tener conexiones de baja resistencia para tener conexiones de baja resistencia.
Polarizacin
Si V
GS
se hace suficientemente negativo
I 0 t d V V I
DS
=0 esto cuando V
GS
=V
p.
Curvas Caractersticas
Simbologa
Canal N
G
D
S
Canal P
S
D
G
S
Mosfet de Enriquecimiento
Un mosfet tipo enriquecimiento de canal n no
ti l f i Si VGS iti tiene un canal fsico. Si VGS es positivo
mayor de V
T
se formar un canal virtual.
Curvas caractersticas
Smbolos
D
D
Canal n Canal P
G
D
S
G
D
S
Canal n Canal P
No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquecimiento, ya que
la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado.
IDSS es cero para VGS=0. Para valores de VGS > VT. p
2
) (
T GS D
V V k i =
I
d
on
Caractersticas
V
ds
off
Alta velocidad de conmutacin (de kHz a Mhz), los tiempos de
conmutacin andan del orden de 30ns a 300ns conmutacin andan del orden de 30ns a 300ns.
No presenta fenmeno de segunda ruptura, por lo que el rea
de trabajo seguro (SOA), mejora respecto al BJT.
El control on-off se realiza mediante la tensin aplicada entre p
las terminales de compuerta y fuente (VGS), lo que reduce la
complejidad del circuito de disparo, as como la potencia.
Las tensiones mximas de bloqueo son relativamente bajas en
l M f t d lt t i ( 1000 ) l i t i los Mosfets de alta tensin (<1000v) y las corrientes mximas
son moderadas (<500A).
Caractersticas de Conmutacin
Circuito de conmutacin
I
D
D
R
D
I
D
C
gd
C
C
ds
+
V
G
+
V
G
S
V
DS
+
_
V
DD
_
+
_
S
C
gs
Modelo de conmutacin
D
G
C
gd
C
gs
C
ds
r
ds
g
m
V
GS
V
GS
+
ode o de co utac
S
_
Tiempos tpicos de conmutacin
Donde:
tdon.- Tiempo de retraso de activacin,
es el tiempo requerido para cargar la resistencia
V
G
V
es el tiempo requerido para cargar la resistencia
de entrada al nivel de entrada umbral.
tr.- Tiempo de elevacin, es el tiempo de carga
de la compuerta desde el nivel de umbral hasta
el voltaje completo de la compuerta VGSp
T t
V
1
el voltaje completo de la compuerta VGSp.
tdoff.- Tiempo de retraso de la desactivacin,
es el tiempo requerido para que la capacitancia
de entrada se descargue desde el voltaje en
sobre excitacin de la compuerta V1 hasta la
i
cs
V
t
V
1
V
GS
p
sobre-excitacin de la compuerta V1 hasta la
regin de estrechamiento VGS debe reproducirse
antes de que VDS empiece a elevarse.
tf.- Tiempo de abatimiento, es el tiempo que se requiere para que se
descargue la capacitancia de entrada desde la regin de estrechamiento hasta
t
f
t
t
don
t
r
t
doff
V
t p
descargue la capacitancia de entrada desde la regin de estrechamiento hasta
el voltaje umbral, si VGS<VT se desactiva.
Aplicaciones Puente H
Un puente H es un tipo de circuito electrnico que permite a un
motor elctrico de corriente directa cambiar de sentido al girar, motor elctrico de corriente directa cambiar de sentido al girar,
le permite ir en ambos sentidos, en el sentido horario y anti
horario.
V
+
V
M3
M1
G3
G1
V
G
V
g1
V
g2
t
-
Vs
M2
M4
G2 G4
V
G
V
g3
V
g4
t
Cambio de
giro
Ejemplo 1.7
Dos mosfets conectados en paralelo similares conducen una
corriente total de IT=20A. El voltaje de drenaje a fuente del corriente total de IT 20A. El voltaje de drenaje a fuente del
mosfet del mosfet M1, es VDs1=2.5v y el del mosfet M2 es de
VDs2=3v. Determinar la corriente de drenaje de cada mosfet
cuando: I
T
Rs1=0.3 y Rs2=0.2
Rs1= Rs2=0.5
R
D
ID
2
ID
1
M
2
M
1
G2
G1
R
V
DD
+
-
V
DS2
+
-
VDS1
+
-
R
s1 R
s2
Transistor de Induccin Esttica (SIT)
El SIT es un dispositivo de alta potencia y
lt f i SIT id ti JFET alta frecuencia, un SIT es idntico a un JFET
excepto por la construccin vertical y de
compuerta enterrada tienen bajo ruido baja compuerta enterrada, tienen bajo ruido, baja
distorsin y capacidad de lata potencia en
audiofrecuencia.
Principios de funcionamiento
El SIT es un dispositivo normalmente activado y desactivado por un
voltaje negativo en la compuerta, puede llegara a manejar voltajes del
orden de 1200v y corrientes de hasta 300A Entre sus principales orden de 1200v y corrientes de hasta 300A. Entre sus principales
caractersticas estn:
Es idntico a un JFET
Baja resistencia en serie de compuerta
B j it i t f t Baja capacitancia compuerta fuente
Resistencia trmica pequea
Bajo ruido
Baja distorsin j
Alta capacidad de potencia en audio frecuencia
Tiempos de activacin y desactivacin muy pequeos (tpicamente de
0.25 microsegundos)
Ventajas
La especificacin de corriente puede llegar hasta los La especificacin de corriente puede llegar hasta los
300A. a los 1200 V. (tiempos de conmutacin 0.25
s )
La velocidad de conmutacin es de hasta 100 KHz La velocidad de conmutacin es de hasta 100 KHz.
Es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia
y alta frecuencia.
Desventajas Desventajas
La cada de voltaje en estado activo es alta,
(tpicamente de 90v para un dispositivo de 180 A y
de 18V para uno de 18 A) Por esa cada se limita su de 18V para uno de 18 A). Por esa cada se limita su
aplicacin en conversiones de potencia en general.
T i t Bi l d C t Transistor Bipolar de Compuerta
Aislada (IGBT).
Los IGBTs (Isolated Gate Bipolar Transistor)
combinan las ventajas de los BJTs y de los combinan las ventajas de los BJT s y de los
Mosfets. Un IGBT tiene una alta impedancia de
entrada, igual que un Mosfet y bajas prdidas de
conduccin en estado on, como los BJT.
Circuito Equivalente
PNP
C
R
mod
G
PNP
C
G
R
B
E
NPN
E
E
Curvas caractersticas
El IGBT es ms rpido que el BJT pero su velocidad de
conmutacin es menor que la de los mosfets q
C t ti d t i d l Caratersticas de conmutacin del
IGBT
La figura muestra las curvas de encendido
d l IGBT l i it t i d d t del IGBT para el circuito anterior, en donde tr
representa el tiempo de crecimiento y tf el
tiempo de decaimiento tiempo de decaimiento.
L
+ VCC
C
E
R
G G
E
+
_ Vy Vy
Vg
s
I
C
on
off
t
on
Ic
V
CE
t
V
CE
t
don
V
CC
t
1
t
2
t
3
t
1
t
2
t
3
t
4
s
I
C
off
t V
CEon
t
r
t
doff
s
V
CE
VENTAJAS
Bajo voltaje en estado encendido. Bajo voltaje en estado encendido.
Son mas estables.
Otra ventaja deriva de su velocidad de transformacin: son tan
rpidos, que la frecuencia de los impulsos que generan supera p , q p q g p
con facilidad el margen de la audicin humana. Por eso se
utilizan para conseguir compresores silenciosos de
acondicionadores o refrigeradores
DESVENTAJAS DESVENTAJAS
Menor capacidad de voltaje en estado apagado.
Limitan la utilizacin en algunas aplicaciones.
APLICACIONES APLICACIONES
Fuentes de Energa Elctrica.
Proteccin de los circuitos.
Los IGBT son utilizados para activar y desactivar los pxeles (elementos
de imagen) en las pantallas de las computadoras.
El control de los motores elctricos es muy importante ya que las
fbricas dependen de mquinas, equipos o robots accionados por
t T bi l t t l t i it t motores. Tambin los trenes y tranvas elctricos necesitan estos
controles (los trenes de alta velocidad llevan hoy control por IGBT)
Para variar la velocidad y la potencia de la mayora de los motores de
corriente alterna (220v) modernos, se altera la frecuencia y la amplitud
de la onda senoidal aplicadas al motor Esta onda puede crearse de la onda senoidal aplicadas al motor. Esta onda puede crearse
mediante grupos de IGBT que emiten impulsos de duracin y amplitud
controladas con precisin.
Tambin contienen IGBT las reactancias de las lmparas fluorescentes
y de arco con el fin de regular la potencia que generan estos tubos y de arco con el fin de regular la potencia que generan estos tubos
cuando descargan a travs de la resistencia elctrica del gas y emiten
radiacin electromagntica.
Ejemplo 1.8 Considere el circuito mostrado con las especificaciones: Vcc=350v, Io=4A.
Seleccione un IGBT apropiado para el circuito mostrado en la figura 1.49, el diodo volante
se asume ideal, el circuito es conmutado a un 50% del ciclo de trabajo de 40KHz. Calcule
l did d t i las prdidas de potencia.
Solucin.- Seleccionando un IGBT de Harris Semiconductors que satisfaga los
requerimientos de Vcc=350v e Io=4A, tenemos el IGBT HGTP10N50C1, cuyos datos del
fabricante son:
BVCES .- Voltaje de ruptura de colector a emisor 500v min
I C i t t d l t 10A Ic.- Corriente contnua de colector 10A
VCEsat.- Voltaje de colector a emisor en saturacin 2.5v
VGE(th).-Voltaje threshold de compuerta 3v
gm.-Transconductancia 6.8
Coss.-50PF (CCE) ( )
Cjss.-500pf (CgE)
Crss.-30 pf (Cgc)
Tiempo de encendido
Tdon.- 50ns
Tr 50ns Tr.-50ns
Tiempo de apagado
Tdoff.- 400ns (t1)
Tf.- 500ns (t2-t1)
Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos ms
i t t d di iti i d t importantes de dispositivos semiconductores
de potencia.
S t d bi t bl Se operan como conmutadores biestables,
pasando de un estado no conductor a un
estado conductor estado conductor.
Tiristor de Control de Fase
Para que esta corriente fluya es necesario aplicarle una
corriente a la terminal de control del SCR (gate) cuando el SCR corriente a la terminal de control del SCR (gate) cuando el SCR
esta polarizado directamente. De manera similar que un diodo,
el SCR tambin bloquea la corriente en polarizacin inversa.
A
K
G
Curva Caracterstica
PARMETROS DEL SCR
Ton .- Tiempo de conduccin (Turn-on time). Es el tiempo de duracin mnima
de la tensin de disparo para pasar El SCR de bloqueo a conduccin,
donde Ton = td + tr donde Ton td tr
Con:
Td es tiempo de retraso (proporcionado por fabricante)
Tr es tiempo de subida (proporcionado por fabricante)
Toff Tiempo de corte (Turn off time).- Es cuando el SCR permanece por Toff Tiempo de corte (Turn off time). Es cuando el SCR permanece por
debajo de las condiciones de mantenimiento, donde Toff = Tq donde:
Tq es tiempo de recuperacin al apagado (proporcionado por fabricante)
It (rms).- Mxima corriente de conduccin. Es la mxima corriente eficaz que
puede circular por el SCR durante el estado de conduccin
/ S dv / dt.- Velocidad de incremento de voltaje al apagado. Son variaciones de
voltaje entre nodo y ctodo que pueden originar un disparo indeseado.
VRDM.- Mxima tensin inversa de cebado (VG = 0)
VFOM.-Mxima tensin directa sin cebado (VG = 0) VFOM. Mxima tensin directa sin cebado (VG 0)
IF.- Mxima corriente directa permitida.
PG.- Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT - Mxima tensin o corriente requerida en la VGT-IGT.- Mxima tensin o corriente requerida en la
compuerta (G) para el cebado
IH.- Mnima corriente de nodo requerida para mantener
cebado el tiristor
di/dt.- Mxima variacin de corriente aceptada antes de
destruir el tiristor.
Ventajas y Desventajas
Ventajas
Interruptor casi ideal.
Soporta tensiones altas Soporta tensiones altas.
Amplificador eficaz.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fcil controlabilidad.
Relativa rapidez Relativa rapidez.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).
Desventajas
La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.
El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del
dispositivo.
La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.
Circuito de aplicacin
R
L
I
A
V
s
I
A
t
V
s
+
-
V
AK
I
G
V
AK
tt
Apagado del SCR
Si durante el intervalo tq se aplica un voltaje directo al
tiristor, el dispositivo se podra encender prematuramente
d l di iti / l i it D t t i t l y daar al dispositivo y/o al circuito. Durante este intervalo
se debe mantener un voltaje a travs del tiristor.
I
A
t
rr
t
V
AK
t
q
t
Aplicaciones
Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo. p
Fuentes de alimentacin reguladas.
Interruptores estticos.
Controles de motores.
R t d Recortadores.
Inversores.
Ciclo conversores.
Cargadores de bateras Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.
METODOS DE ACTIVACIN DEL METODOS DE ACTIVACIN DEL
TIRISTOR
TERMICA
Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el
nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las
corrientes de fuga.
LUZ
Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor,
aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar el
tiristor.
ALTO VOLTAJE ALTO VOLTAJE
Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de
ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para
iniciar una activacin regenerativa iniciar una activacin regenerativa.
VELOCIDAD DE CAMBIO DE VOLTAJE
(d /dt) (dv/dt)
En la unin N1-P2 de la figura al estar
l i d i t l d polarizada inversamente el rea de
agotamiento tiene el comportamiento de un
condensador condensador.
Obsrvese que si cambia bruscamente
( )
j AK
d
i C V
dt
=
j
AK
j AK
dC
dV
i C V
dt dt
= +
AK
dV
Obsrvese que si cambia bruscamente
produciendo una corriente.
AK
dt
CORRIENTE DE COMPUERTA
Si un tiristor est polarizado en directa, la
i i d i t d t l inyeccin de una corriente de compuerta al
aplicar un voltaje positivo de compuerta
entre la compuerta y las terminales del entre la compuerta y las terminales del
ctodo activar al tiristor.
0 9i
T
i
i
T
t
0.1i
T
0.9i
T
T
i
G
0.1i
G
i
G
Tiempo de
activacin
t
t
d
t
r
t
o
n
Di d i it d t l d Diseo de un circuito de control de
compuerta.
La seal de compuerta debe eliminarse
d d ti l ti i t despus de activarse el tiristor.
Mientras est con polarizacin inversa no
d b h b l d t debe haber seal de compuerta.
El ancho de pulso de la compuerta t
G
debe
ser mayor que el tiempo requerido para que ser mayor que el tiempo requerido para que
la corriente del nodo se eleve al valor de
corriente de mantenimiento I
H
corriente de mantenimiento I
H
.
Proteccin di/dt y dv/dt
Normalmente, un pequeo inductor insertado
l i it li it l l d d l i t en el circuito limita el valor de de la corriente
de nodo esto se muestra en la figura
+
L
s
sw
s s
di
V L
dt
~
s
V di
=
V
s
-
s
dt L
=
i
G
t
di/dt
I
o
I
A
V
Ak
t
t
ps
t
r
t
don
t
ps
Proteccin contra
dv
dt
Cuando se aplica un voltaje que polariza directamente a un
tiristor las dos uniones J1 y J3 se polarizan directamente tiristor, las dos uniones J1 y J3 se polarizan directamente,
mientras que la unin J2 lo hace inversamente. Una unin
polarizada inversamente tiene caractersticas similares a un
capacitor. p
AK
dV
i C
A
AK
j
i C
dt
=
K
G
Rs
Ls
Cs
V
s
+
R
i(t)
-
Tipos de Tiristores
Tiristores de conmutacin rpida.
Ti i t d t i d bidi i l (TRIAC) Tiristor de triodo bidireccional (TRIAC).
Tiristor de conduccin inversa (RCT).
Tiristor de desactivacin por compuerta (GTO) Tiristor de desactivacin por compuerta (GTO).
Tiristor de apagado por MOS (MTO).
Rectificador Controlado de silicio activado por luz Rectificador Controlado de silicio activado por luz
(LASCR)
Tiristores de conmutacin rpida.
Estos son usados principalmente en aplicaciones de conmutacin de
alta velocidad con conmutacin forzada. Tienen un tiempo corto de p
desactivacin (5 a 50 s), dependiendo del rango de voltaje. A este
tipo se le conoce tambin como de grado inversor.
Aplicaciones:
1. Se utilizan como rectificadores de
onda.
2 Convertidores de CA-CA 2. Convertidores de CA CA.
3. Reguladores de Potencia mediante el
disparo en cierto Angulo de
conduccin.
4 C id d CD i 4. Convertidores de CD e inversores.
Tiristor de triodo bidireccional (TRIAC)
El TRIAC es un dispositivo electrnico aproximadamente igual
a dos SCR, unidos en paralelo-inverso y sus compuertas a dos SCR, unidos en paralelo inverso y sus compuertas
conectadas.
Este un dispositivo semiconductor de tres terminales que se
usa para controlar el flujo de corriente a una carga, conduce usa para controlar el flujo de corriente a una carga, conduce
en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la
tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento.
EL triac tiene una estructura con seis capas, aunque funciona
siempre como un tiristor de cuatro capas. El Triac acta como siempre como un tiristor de cuatro capas. El Triac acta como
dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo, la
figura muestra dicha estructura y su circuito equivalente.
CURVA CARACTERISTICA VOLTAJE CURVA CARACTERISTICA VOLTAJE
CORRIENTE.
La figura muestra la curva caracterstica TRIAC, en ella se
observa el punto VBD (tensin de ruptura) que corresponde al observa el punto VBD (tensin de ruptura) que corresponde al
punto en cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una
resistencia baja y la corriente, esta crece con un pequeo
cambio en la tensin entre los nodos.
R
L
I
T
V
s
+
-
V
T
I
G
+
-
Ti i t d d ti i Tiristor de desactivacin por
compuerta (GTO)
Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor
est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un
SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente
grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD
excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando q
desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las
aplicaciones de control de motores, al final de los aos
setenta.
nodo
n
+
p
p
n
n
+
p
Ctodo
PRINCIPIOS DE OPERACIN
Un GTO puede ser encendido con un voltaje de polarizacin
directo aplicado al nodo y por un pulso de corriente positiva directo aplicado al nodo y por un pulso de corriente positiva
en la terminal gate, como en el SCR, pero a diferencia de
este, tambin puede ser apagado por un pulso de corriente
negativa en la misma terminal. Ambos estados, son g ,
controlados por la corriente de dicha terminal.
Graficas de encendido
Tiristor de apagado por MOS (MTO)
Fue desarrollado por Silicon Power
C (SPCO) E bi i d Company (SPCO). Es una combinacin de
un GTO y un MOSFET, que juntos superan
las limitaciones de capacidad de apagado las limitaciones de capacidad de apagado
del GTO. El inconveniente principal de los
GTO es que requieren un circuito de q q
encendido con grandes pulsos de corriente,
para la compuerta de baja impedancia.
El MTO es una combinacin de un GTO y un MOSFET, que
juntos mejoran las capacidades de apagado del GTO juntos mejoran las capacidades de apagado del GTO.
Caractersticas
Capacidad de corriente / Voltaje 4500v/500A
Frec encia Ma ima(H ) 5kH Frecuencia Maxima(Hz) 5kHz
Tiempo de conmutacin 80-110s
Resistencia de estado cerrado10.2m
Aplicaciones: aplicaciones de gran potencia desde 1 hasta 20MVA
Tambin tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al GTO tienen una Tambin tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al GTO, tienen una
larga cola de corriente de apagado.
Aplicaciones
-Control de Motores.
-Trenes Elctricos -Trenes Elctricos.
-Fuentes de suministro elctrico.
Desventajas
-Tiene un corto rango de tiempo de conmutacin
Ventajas Ventajas
-Manejo de grandes potencias
R tifi d C t l d d Sili i Rectificador Controlado de Silicio
Activado por Luz (LASCR)
Su nombre tcnico LASCR, que significa "SCR Activado por
Luz". En este dispositivo la terminal gate se deja simplemente Luz . En este dispositivo la terminal gate se deja simplemente
como electrodo para control de sensibilidad.
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el
disco de silicio provocado con luz. disco de silicio provocado con luz.
Estructura
Circuito de polarizacin
Circuitos de disparo de los tiristores
Aislamiento por fotoscr
Ai l i t t f d d Aislamiento por transformador de
pulso
Referencias
1.- ELECTRONICA DE POTENCIA
SEGUNDA EDICIN 1995
MUHAMMAD H RASHID MUHAMMAD H. RASHID
ED. PRENTICE HALL.
2.- COMPONENTES ELECTRNICOS DE POTENCIA
MARCOS PASCUAL MOLT
ED. UNIVERSIDAD POLITCNICA DE VALENCIA-ALFAOMEGA
3 POWER ELECTRONICS 3.- POWER ELECTRONICS
NED MOHAN
THIRD EDITION 2003
ED. WILEY
4.- ELECTRNICA DE POTENCIA
JOS MANUEL BENAVENT GARCA
UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID-ALFAOMEGA 2000
5.- ELECTRNICA DE POTENCIA FUNDAMENTOS BSICOS
SALVADOR SEGUI CHILET
UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID ALFAOMEGA 2004 UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID-ALFAOMEGA 2004
6.- POWER ELECTRONICS SYSTEMS THEORY AND DESIGN
JAI. P. AGRAWAL
ED. PRENTICE HALL 2001
7.- ELECTRONICA DE POTENCIA
DANIEL W. HART
ED. PRENTICE HALL 1997
8.- POWER ELECTRONICS
MARVIN J. FISHER
PWS KENT PUBLISHING COMPANY 1991 PWS-KENT PUBLISHING COMPANY 1991
9.- ELECTRNICA DE POTENCIA BSICA
ENRQUEZ HARPER
ED. LIMUSA 2006
10.- TIRISTORES
R. K. SUGANHI R. K. SUGANHI
ED. LIMUSA 1994
11.- ELECTRONICA INDUSTRIAL MODERMA
THIMOTY J. MALONEY
ED. PEARSON 2006
ELECTRNICA DE POTENCIA
Captulo
CRCUTOS DE
CONMUTACN
NATURAL
Captulo
CRCUTOS DE
CONMUTACN
NATURAL
Definicin de conceptos bajo
condiciones no senoidaIes
+
V
-
i
Carga no
lineal
, )
( )
m
J t J scn t =
, )
1
( )
N
m n
n
i t I scn n t
=
= +
_
ConsIderando el cIrcuIto no lIneal alImentado por una fuente
no senoIdal como el mostrado en la fIgura, se tIene que su
respuesta es no senoIdal, en donde:
Se tiene entonces que la potencia instantnea es
dada por.-
, ) , )
1
( ) ( ) ( )
N
m n n
n
P t v t i t J scn t I scn n t
=
= = +
_
, ) , )
1
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N
m n n
n
P t v t i t J scn t I scn n t
=
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1
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N
m n n
n
P t J I scn t scn n t
=
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_
La cual por IdentIdades trIgonomtrIcas se transforma en:
, ) , ) , ) , ) , )
1
( ) cos 1 cos 1
2
N
m n
n n
n
J I
P t n t n t
=

= + +
]
_
Esta ecuacIon muestra se tIene una componente constante
solo para n=1 y otras componentes del doble, trIple, etc. 0e la
frecuencIa fundamental de la fuente.
Calculando la potencIa promedIo, tenemos
Esta ecuacIon muestra se tIene una componente constante
solo para n=1 y otras componentes del doble, trIple, etc. 0e la
frecuencIa fundamental de la fuente.
Calculando la potencIa promedIo, tenemos
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0 0
1 1
1 1
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2 2
N N
T T
m n m n
n n
n n
J I J I
P t n t dt n t dt
T T

= =
= + +
] ]
_ _
} }
1
1
cos
2
m
J I
P =
Dbsrvese que la Integral anterIor es dIferente de cero solo para
cuando n=1, entonces se obtIene:
VaIores PhS
Sea f(t) de la forma
1
( ) ( )
N
n n
n
f t F scn n t
=
= +
_
Entonces se tIene
, ) , )
2
1 1
( )
N N
n n m m
n m
f t F scn n t F scn m t
= =
= + +
_ _
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n m n m
n m
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__
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N
n
n
n
F
f t n t
=
= +
]
_
Entonces se tIene
Usando IdentIdades trIgonomtrIcas y sImplIfIcando
0ado que n=m se reduce a:
Calculando la integral
Potencia aparente
En este caso se tiene
, )
2
0
1
1
1 cos 2 2
2
N
T
n
rms n
n
F
F n t dt
T

=
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_
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2
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m
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J
J =
2
1
2
N
n
n
rms
I
I
=
=
_
2
1
2
N
m n
n
rms rms
J I
S J I
=
= =
_
Entonces
Factor de potencia
Utilizando las expresiones anteriores se
obtiene:
Donde
1
1
1
2 2
1 1
cos
2
cos
2
m n
N N
m n n
n n
J I
I P
fp
S
J I I

= =
= = =
_ _
Utilizando las expresiones anteriores se
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n n
J I
I P
fp
S
J I I

= =
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_ _
1
Factor de desplazamiento cos =
1
2
1
Factor de Distorsion 1
N
n
n
I
I
=
= s
_
Potencia Reactiva y de Distorsin
Defiendo a Q como la potencia reactiva
Donde
1
1
2
m
J I
Q scn =
Defiendo a Q como la potencia reactiva
Donde
1
1
2
m
J I
Q scn =
2 2
2 2 1 1
1 1
2 2
m m
J I J I
P Q Cos scn
| | | |
+ = +
| |
\ . \ .
, )
2
2
2 2 2 2 1
1 1
cos
2
m
J I
P Q scn
| |
+ = +
|
\ .
2 2
2 2
1
4
m
J I
P Q + =
2
1
2
N
m n
n
rms rms
J I
S J I
=
= =
_
2 2 2 2
2 2 2 1
1 2
4 4 4
N N
m m m
n n
n n
J J I J
S I I
= =
= = +
_ _
Y como
2 2 2 2
2 2 2 1
1 2
4 4 4
N N
m m m
n n
n n
J J I J
S I I
= =
= = +
_ _
2 2 2 2
S P Q D = + +
2 2 2 2
2
2
N
m
n
n
J
D I S P Q
=
= =
_
Por lo que
0onde 0 queda defInIda como una potencIa de dIstorsIon, la cual
esta dada por la multIplIcacIon de las magnItudes de corrIente y
voltaje de dIferentes frecuencIas.
EI trianguIo de potencias para
sistemas no senoidaIes
Vad
Var
Watts
D
P
Q
S
Circuitos con interruptores y diodos
Cuando se realiza el estudio del
funcionamiento de los circuitos de potencia
de un convertidor, frecuentemente nos
encontramos con que ste est formado por
una serie de semiconductores trabajando en
conmutacin, cada una con sus propias
caractersticas, y la combinacin serie o
paralelo de resistencia, bobinas y
capacitares.
Cuando se realiza el estudio del
funcionamiento de los circuitos de potencia
de un convertidor, frecuentemente nos
encontramos con que ste est formado por
una serie de semiconductores trabajando en
conmutacin, cada una con sus propias
caractersticas, y la combinacin serie o
paralelo de resistencia, bobinas y
capacitares.
Circuito de CD con carga RC
SI C est InIcIalmente descargado, el swItch se cIerra en t=0,
se abre en t=t1 y se vuelve a cerrar en t=t2.
sw
c
i
+
-
F
+
-
V
R
Vcc
+ -
sw
c
+ -
i
Para 0<t<t2
0
1
t
cc c R
J J J idt Ri
C
= + = +
}
Como el voltaje InIcIal del capacItor es cero, tenemos:
( )
t
cc RC
J
i t c
R

=
0tt
1
0<t<t1
Como el voltaje InIcIal del capacItor es cero, tenemos:
( )
t
cc
RC
J
i t c
R

=
0tt
1
( )
t
cc
RC
J
i t c
R

=
Para determInar el voltaje del capacItor aplIcamos una L7K al cIrcuIto
( ) ( )
c cc
J t J i t R =
Como el voltaje InIcIal del capacItor es cero
( ) (1 )
t
RC
c cc
J t J c

=
0tt
1
Para t
1
tt
2
En este caso I(t)=0, adems
1
1
( ) ( ) (1 )
t
RC
c c cc
J t J t J c

= =
|Ientras que el voltaje del sw ser
( )
t
RC
s cc c cc
J J J t J c

= =
Para tt2
, )
2
2
( ) ( )
t t
RC
i t i t c

+
=
2
( )
1
( ) ( )
t t
RC
i t i t c

=
, )
2 1
( )
t t t
RC RC
c cc cc
J t J J c c

| |
=
|
\ .
Vc
c
R
i
t
V
cc
V
c
t
Vc
c
R
t
1
t
2
t
1
t
2
Circuito de CD con carga inductiva
ConsIderando el cIrcuIto de la fIgura, en donde el swItch se cIerra
en t=0 y se abre en t=t1.
sw i
L cc
J J =
+
-
L
V
L
V
cc
+ -
Vs
+
-
Al cerrar el Interruptor para el Intervalo 0tt
1
Como en un Inductor se cumple que
L
di
J L
dt
=
Entonces
cc
di
L J
dt
=
cc
J di
dt L
=
Por lo que
ntegrando
cc
J
di dt K
L
= +
} }
( )
cc
J t
i t K
L
= +
ntegrando
(0)
(0 )
cc
J
i K K
L
+
= + = , ) ( ) 0
cc
J
i t t i
L
+
= +
( )
cc
J
i t t
L
=
Para t=0
+
SI I(0
+
)=0
(0) 0 i =
( ) 0
L
J t =
Para tt
1
SIn embargo, obsrvese que en t=t
1
, sI I(t) cambIa Instantneamente
de I(t) a 0 se tendria.
1
( )
L
di
J t L
dt
= =
1
( ) ( )
s cc L
J t J J t = = +
SIn embargo, obsrvese que en t=t
1
, sI I(t) cambIa Instantneamente
de I(t) a 0 se tendria.
Y
i
t
t
1
t
Vcc
V
L
t
1
t
Vs
t
1
+
Circuito inductivo con diodo voIante
La solucIon al problema de la aparIcIon de un voltaje elevado
en el Interruptor en el cIrcuIto anterIor es la IncorporacIon de
un dIodo en paralelo con la carga (dIodo volante o fwd free
WheelIng dIode).
La solucIon al problema de la aparIcIon de un voltaje elevado
en el Interruptor en el cIrcuIto anterIor es la IncorporacIon de
un dIodo en paralelo con la carga (dIodo volante o fwd free
WheelIng dIode).
+
-
L
V
L
V
cc
+ -
Vs
+
-
sw
i
V
d
+
-
i
d
i
L
Cuando el Interruptor se cIerra en t=0, suponIendo una
corrIente InIcIal del Inductor o. La corrIente en el dIodo es
cero por estar polarIzado Inversamente.
cc L
di
J J L
dt
= =
0
( ) ( )
cc
L
J
i t i t t I
L
= = +
Como Id=0
Para tt1 cuando se abre el sw, tenemos:
0
L d
J J = =
0 ( ) ( )
L d
di
L i t ctc i t
dt
= = =
0
d s cc
J J J = =
t
t
1
V
L V
d
i
t
1
t
t
1
i
d
i
o
t
1
i
L
t
t
t
V
L
t
1
Circuito de diodo con carga RL
ConsIdere el cIrcuIto con dIodo y carga FL de la fIgura, en
donde el sw se cIerra en t=0 y se abre en t=t1.
+
-
F
+
-
V
R
Vcc
+ -
sw
c
+ -
i
V
d V
L
ConsIdere el cIrcuIto con dIodo y carga FL de la fIgura, en
donde el sw se cIerra en t=0 y se abre en t=t1.
+
-
+
-
V
R
cc L R
J J J = +
0
s
J =
L
di
J L
dt
=
Para 0tt
1
Como
cc
di
J L Ri
dt
= +
cc
J di R
i
dt L L
+ =
SustItuyendo
cc
J di R
i
dt L L
+ =
Cuya solucin es
( )
f N
i t i i = +
En este caso la respuesta forzada if se obtiene como
cc
f
J
i
R
=
Mientras que la respuesta natural
R
t
L
N
i Kc

=
Sustituyendo
( )
R
t
cc
L
J
i t Kc
R

= +
Usando la condicin inicial
(0 ) (0 ) 0 i i
+
= =
Usando la condicin inicial
(0 ) (0 ) 0 i i
+
= =
Sustituyendo para t=0+
(0 ) 0
cc
J
i K
R
+
= = +
, ) 0
cc
J
K i
R
+
=
Asi
( ) (0 )
R
t
cc cc L
J J
i t i c
R R

+
| |
= +
|
\ .
SI la corrIente InIcIal es cero.
( ) 1
R
t
cc L
J
i t c
R
| |
=
|
\ .
R
t
cc L
L
J di R
J L L c
dt R L
| |
= =
|
\ .
( )
R
t
L
L cc
J t J c

=
Y como
Asi
( )
R
t
L
L cc
J t J c

=
( ) 0 i t = ( ) 0
L
J t = ( ) 0
R
J t =
Para tt
1
el Interruptor al abrIrlo se destruye por el alto
voltaje generado por el Inductor, en este caso:
|Ientras que para t=t
1
( )
L s
J t J +
Respuesta deI sistema RL
i
t
t
1
t
t
1
V
L
cc
J
R
V
cc
Circuito de diodo con carga LC
ConsIdere el sIguIente cIrcuIto con dIodo y con carga LC, sI el
Interruptor se cIerra en t=0.
sw
i
+
-
L
+
-
V
L
Vcc
+ -
C
+ V
d
V
C
-
La corrIente I es obtenIda de la sIguIente forma, aplIcando una L7K.
1
(0)
s c
di
J L idt J
dt C
= + +
}
Cuya solucin es:
, )
( ) 1 cos
c s m
J t J t =
, )
( ) 1 cos
c s m
J t J t =
t
1
t
1
t
1
/2
2V
s
2V
s
V
c
i
c
V
s
t t
Rectificadores no controIados
Rectificador de media onda monofsico
con carga resistiva
V
s
V
s
+
-
i
V
RL
V
d
+
t
t
t

2
2
2
V
s
V
L
i
s
-
Parmetros deI rendimiento deI
convertidor
Valor promedio del voltaje de salida, Vcd.
Valor promedio de corriente de salida, cd.
Potencia de salida en CD.
Valor rms del voltaje de salida
Valor rms de la corriente de salida
Valor promedio del voltaje de salida, Vcd.
Valor promedio de corriente de salida, cd.
Potencia de salida en CD.
Valor rms del voltaje de salida
Valor rms de la corriente de salida
cd cd cd
P J I =
CA rms rms
P J I =
Potencia de salida en CA
Eficiencia de un rectificador
Factor de la Forma
Factor de componente ondulatoria
Factor de utilizacin del transformador
cd
CA
P
P
=
Potencia de salida en CA
Eficiencia de un rectificador
Factor de la Forma
Factor de componente ondulatoria
Factor de utilizacin del transformador
cd
CA
P
P
=
rms
cd
J
FF
J
=
2
1
CA
CD
J
RF FF
J
= =
CD
s s
P
TUF
J I
=
Rectificador de media onda con carga
RL
V
s
+
-
R
+
-
R
L
sw
L
+
i
V
d
V
o
t=0
+
-
+ -
V
L
t =V
s
-
R
+
-
R
L
V
o
-
, ) ( )
R
t
p
L
J
i scn t c scn
Z


= +
(
]
0 t < <
As para
2 t < <
Para
( ) 0 i t =
debIdo al dIodo
Para determInar el fIn del perIodo de conduccIon I=0 cuando
t =
,
t =
s ( ) 0
R
L
cn scn c



+ =
V
p
Vs

2
wt 0
(1 cos )
2
p
J
I
R

wt
wt
wt
wt
wt
i

max

2 V
L
V
R
Vo
V
p

2
0
(1 cos )
2
p
J
I
R

=
j
0
1 cos
2
p
o
J
J I R

= =
SImuIncIon con IsIco SImuIncIon con IsIco
El El programa programa SPICE SPICE (~Simulation (~Simulation Program Program with with Integrated Integrated Circuit Circuit
Emphasis) Emphasis) es es un un programa programa para para simulacin simulacin yy anlisis anlisis de de circuitos circuitos..
PSpice PSpice es es una una versin versin de de SPICE SPICE desarrollada desarrollada por por MicroSim MicroSim
Corporation Corporation para para computadoras computadoras personales personales.. Este Este programa programa es es muy muy
til til para para simular simular los los diseos diseos de de circuitos circuitos antes antes de de construirlos construirlos..
El El programa programa SPICE SPICE (~Simulation (~Simulation Program Program with with Integrated Integrated Circuit Circuit
Emphasis) Emphasis) es es un un programa programa para para simulacin simulacin yy anlisis anlisis de de circuitos circuitos..
PSpice PSpice es es una una versin versin de de SPICE SPICE desarrollada desarrollada por por MicroSim MicroSim
Corporation Corporation para para computadoras computadoras personales personales.. Este Este programa programa es es muy muy
til til para para simular simular los los diseos diseos de de circuitos circuitos antes antes de de construirlos construirlos..
Procedimiento para simular circuitos.
1.- Formular el circuito a analizar
2.- Descripcion topologica del Circuito
3.- Simulacion del Circuito usando Pspice
4.- Mostrar los resultados de simulacion usando Probe
5.- VeriIicar que los resultados de simulacion sean correctos
6.- Interpretar resultados
Los circuitos pueden ser creados con cualquier editor de textos, pero el archivo de texto no
debe tener caracteres de control (como cdigos relativos a los mrgenes, tipo de letra,
interlineado, etc.).
!so do IsIco. !so do IsIco.
Procedimiento para simular circuitos.
1.- Formular el circuito a analizar
2.- Descripcion topologica del Circuito
3.- Simulacion del Circuito usando Pspice
4.- Mostrar los resultados de simulacion usando Probe
5.- VeriIicar que los resultados de simulacion sean correctos
6.- Interpretar resultados
Los circuitos pueden ser creados con cualquier editor de textos, pero el archivo de texto no
debe tener caracteres de control (como cdigos relativos a los mrgenes, tipo de letra,
interlineado, etc.).
EjempIo
1. Primeramente se realiza sobre el papel un esquema del circuito que
queremos someter a estudio. El esquema ha de estar
completamente definido: es decir, con los valores de todos sus
componentes.
1. Primeramente se realiza sobre el papel un esquema del circuito que
queremos someter a estudio. El esquema ha de estar
completamente definido: es decir, con los valores de todos sus
componentes.
2200uF
100mH
60kHz
-127/127V
10
2.- A continuacin a cada nodo del circuito se le asigna un nombre (que
generalmente ser un nmero), sin tener que seguir ningn orden
especial. Solamente hay que tener en cuenta que el nodo
correspondiente a tierra ser siempre el nmero cero.
2.- A continuacin a cada nodo del circuito se le asigna un nombre (que
generalmente ser un nmero), sin tener que seguir ningn orden
especial. Solamente hay que tener en cuenta que el nodo
correspondiente a tierra ser siempre el nmero cero.

2200uF
100mH
60kHz
-127/127V
10
3.- Posteriormente a cada elemento del circuito se asigna un
nombre o un nmero (sin tener en cuenta los nmeros de los
nodos), que nos servir para hacer referencia a dicho
elemento.
3.- Posteriormente a cada elemento del circuito se asigna un
nombre o un nmero (sin tener en cuenta los nmeros de los
nodos), que nos servir para hacer referencia a dicho
elemento.

C1
2200uF
L1
100mH
D1
60kHz
V1
-127/127V
R1
10
* CIRCUITO RECTIFICADOR EJEMPLO1.CIR.
* FUENTE DE VOLTAJE, COLOCADA ENTRE LOS NODOS 1 YTIERRA, QUE GENERAUNA
* SEAL SINUSOIDAL CON UNATENSION DE OFFSET NULA, UNAAMPLITUD DE 127 VOLTIOS
* DE PICO Y UNAFRECUENCIADE 60Hz
V1 5 0 SIN(0 127 60)
D1 5 4 D1 ; DIODO RECTIFICADOR
C1 4 0 2200UF ; CONDENSADOR DE FILTRO
L1 4 3 100MH ; BOBINA DE FILTRO
R1 3 0 10HM ; RESISTENCIADE CARGA
* FINAL DEL CIRCUITO
.MODEL D1 D(IS2.2E-15 BV1800VTT0) ;MODELO DEL DIODO (LIBRERIA)
.TRAN 10ns 50ms 0 ;PARAREALIZARANALISIS TRANSITORIO
.PROBE ;FUNCION PARA GRFICAR
.END ;FIN DEL CIRCUITO

C1
2200uF
L1
100mH
D1
60kHz
V1
-127/127V
R1
10
* CIRCUITO RECTIFICADOR EJEMPLO1.CIR.
* FUENTE DE VOLTAJE, COLOCADA ENTRE LOS NODOS 1 YTIERRA, QUE GENERAUNA
* SEAL SINUSOIDAL CON UNATENSION DE OFFSET NULA, UNAAMPLITUD DE 127 VOLTIOS
* DE PICO Y UNAFRECUENCIADE 60Hz
V1 5 0 SIN(0 127 60)
D1 5 4 D1 ; DIODO RECTIFICADOR
C1 4 0 2200UF ; CONDENSADOR DE FILTRO
L1 4 3 100MH ; BOBINA DE FILTRO
R1 3 0 10HM ; RESISTENCIADE CARGA
* FINAL DEL CIRCUITO
.MODEL D1 D(IS2.2E-15 BV1800VTT0) ;MODELO DEL DIODO (LIBRERIA)
.TRAN 10ns 50ms 0 ;PARAREALIZARANALISIS TRANSITORIO
.PROBE ;FUNCION PARA GRFICAR
.END ;FIN DEL CIRCUITO
5.- Ejecutar el subprograma PSpice A/D lite Edition` de la version de Orcad
Family Release 9.2 Lite Edition`.
PSpice AD Lite Edition (2).lnk
Corriendo la simulacin
Explorando la salida
Cambiando la variable de salida
Explorando el archivo de salida
RegIas sobre Ios archivos de texto que describen
Ios circuitos.
1. La primera lnea ser siempre el ttulo y/o comentario del circuito.
2. La ltima lnea ser la sentencia .END (de final).
3. Las lneas que sean un comentario deben empezar con un asterisco ( * ).
4. Las lneas que sean una continuacin de la sentencia de la lnea anterior deben
empezar con un signo de suma (+).
5. El orden de las lneas que describen el circuito no importa, excepto para el ttulo,
definiciones de subcircuitos y la lnea con la sentencia .END.
6. PSpice no diferencia letras maysculas de minsculas, por lo que podemos utilizar
cualquiera de ellas.
7. Para separar los distintos parmetros de una sentencia, podemos utilizar espacios,
tabuladores o comas, que son equivalentes y no importa cuntos se usen.
1. La primera lnea ser siempre el ttulo y/o comentario del circuito.
2. La ltima lnea ser la sentencia .END (de final).
3. Las lneas que sean un comentario deben empezar con un asterisco ( * ).
4. Las lneas que sean una continuacin de la sentencia de la lnea anterior deben
empezar con un signo de suma (+).
5. El orden de las lneas que describen el circuito no importa, excepto para el ttulo,
definiciones de subcircuitos y la lnea con la sentencia .END.
6. PSpice no diferencia letras maysculas de minsculas, por lo que podemos utilizar
cualquiera de ellas.
7. Para separar los distintos parmetros de una sentencia, podemos utilizar espacios,
tabuladores o comas, que son equivalentes y no importa cuntos se usen.
NOMBRES DE LOS ELEMENTOS Y NODOS DE CONEXIN
Los nombres de los elementos deben comenzar con una letra, que identifica el tipo de
elemento al que pertenecen, seguidos del nombre del elemento en s, pudiendo ser letras,
nmeros o los caracteres $, _, *, /, %, y aunque pueden tener hasta 131 caracteres de
longitud, es aconsejable no superar los 8.
Los nombres de los elementos deben comenzar con una letra, que identifica el tipo de
elemento al que pertenecen, seguidos del nombre del elemento en s, pudiendo ser letras,
nmeros o los caracteres $, _, *, /, %, y aunque pueden tener hasta 131 caracteres de
longitud, es aconsejable no superar los 8.
VALORES DE LOS ELEMENTOS
Los valores de los componentes, los escribiremos en notacin de punto flotante estndar (
ej. 1E-3 = 1x10
-3
), y opcionalmente con sufijos multiplicadores y escalas, unidos al valor
sin dejar espacios intermedios.
Estos son los sufijos multiplicadores reconocidos por PSPCE:
SUFIJO NOMBRE POTENCIA SUFIJO NOMBRE POTENCIA
I FENTO 10
-15
p PICO 10
-12
n NANO 10
-9
u MICRO 10
-6
m MILI 10
-3
K KILO 10
3
MEG MEGA 10
6
G GIGA 10
9
T TERA 10
12
MIL 0.001 25.4*10
-6
Por ejemplo:
1050000 = 1.05MEG = 1.05E3K = 0.00105G
Todos representan el mismo valor en PSpice.
Si los sufijos tienen otras letras, por ejemplo en 10mA y 60Hz, las letras adicionales sern
ignoradas.
Los sufijos para las unidades normalmente utilizados son:
Por ejemplo:
1050000 = 1.05MEG = 1.05E3K = 0.00105G
Todos representan el mismo valor en PSpice.
Si los sufijos tienen otras letras, por ejemplo en 10mA y 60Hz, las letras adicionales sern
ignoradas.
Los sufijos para las unidades normalmente utilizados son:
SuIijo Nombre
V Voltios
A Amperios
HZ Hertzios
OHM Ohmios
H Henrios
F Faradios
DEG Grados
PARMETROS
En ciertas aplicaciones es conveniente usar parmetros globales (es decir, una variable),
en lugar de valores numricos; as, al darle un valor a un determinado parmetro, este
valor aparecer en todos los lugares donde est ese parmetro.
Los parmetros pueden ser definidos usando la sentencia .PARAM, y sern globales a
todo el circuito, incluidos los subcircuitos; es decir, se podrn utilizar en la definicin de
componentes en todo el circuito.
Para definir parmetros locales, vlidos slo dentro de un subcircuito, habr que hacerlo
cuando se defina el subcircuito (esto es, en la misma sentencia) y darles un valor por
defecto a cada uno. A la hora de llamar al subcircuito para insertarlo en el circuito principal,
se podrn cambiar los valores por defecto de los parmetros locales. ncluso el valor de un
parmetro puede ser otro parmetro.
En ciertas aplicaciones es conveniente usar parmetros globales (es decir, una variable),
en lugar de valores numricos; as, al darle un valor a un determinado parmetro, este
valor aparecer en todos los lugares donde est ese parmetro.
Los parmetros pueden ser definidos usando la sentencia .PARAM, y sern globales a
todo el circuito, incluidos los subcircuitos; es decir, se podrn utilizar en la definicin de
componentes en todo el circuito.
Para definir parmetros locales, vlidos slo dentro de un subcircuito, habr que hacerlo
cuando se defina el subcircuito (esto es, en la misma sentencia) y darles un valor por
defecto a cada uno. A la hora de llamar al subcircuito para insertarlo en el circuito principal,
se podrn cambiar los valores por defecto de los parmetros locales. ncluso el valor de un
parmetro puede ser otro parmetro.
Cuando un valor numrico es sustituido por un parmetro, este se escribir entre llaves, {PARMETRO}.
Por ejemplo, si las resistencias R3 y R5 de un circuito dado tienen el mismo valor, digamos 1KW,
podemos definirlas mediante las sentencias:

R3 4 6 1K; Resistencia colocada entre los nodos 4 y 6, de valor 1K.


R5 3 8 1K; Resistencia colocada entre los nodos 3 y 8, de valor 1K.

o bien, utilizando un parmetro, podemos definirlas mediante:

.PARAM CARGA=1K; Definicin del parmetro con su valor correspondiente.


R3 4 6 {CARGA}
R5 3 8 {CARGA}

Cuando un valor numrico es sustituido por un parmetro, este se escribir entre llaves, {PARMETRO}.
Por ejemplo, si las resistencias R3 y R5 de un circuito dado tienen el mismo valor, digamos 1KW,
podemos definirlas mediante las sentencias:

R3 4 6 1K; Resistencia colocada entre los nodos 4 y 6, de valor 1K.


R5 3 8 1K; Resistencia colocada entre los nodos 3 y 8, de valor 1K.

o bien, utilizando un parmetro, podemos definirlas mediante:

.PARAM CARGA=1K; Definicin del parmetro con su valor correspondiente.


R3 4 6 {CARGA}
R5 3 8 {CARGA}

EXPRESIONES Aritmticas
Adems de parmetros, los valores de los elementos se puedensustituir por expresiones
aritmticas que pueden contener parmetros.
Siguiendo el ejemplo del apartado anterior, si la resistencia R4 tiene un valor de 4K, se
puede definir como:
R4 7 10 {4*CARGA}; Resistencia colocada entre los nodos 7 y 10, de valor 4K.
Las expresiones deben tener una longitud mxima de una lnea de texto y pueden tener
contener las operaciones bsicas de suma (+), resta (-), multiplicacin (*) y divisin (/)
adems de los parntesis necesarios y las funciones mostradas en la siguiente tabla:
Adems de parmetros, los valores de los elementos se puedensustituir por expresiones
aritmticas que pueden contener parmetros.
Siguiendo el ejemplo del apartado anterior, si la resistencia R4 tiene un valor de 4K, se
puede definir como:
R4 7 10 {4*CARGA}; Resistencia colocada entre los nodos 7 y 10, de valor 4K.
Las expresiones deben tener una longitud mxima de una lnea de texto y pueden tener
contener las operaciones bsicas de suma (+), resta (-), multiplicacin (*) y divisin (/)
adems de los parntesis necesarios y las funciones mostradas en la siguiente tabla:
Sentencia .IC
La sentencia .C se usa para establecer las condiciones iniciales para el punto de trabajo,
tanto de pequea seal como para el anlisis transitorio. La sintaxis de la sentencia es:

.C V(nodo) = valor

El (valor) es una tensin asignada al (nodo) durante el clculo del punto de trabajo. Una
vez calculado el mismo, durante el anlisis transitorio la tensin del (nodo) puede ir
variando, dependiendo de las fuentes del circuito. Esta sentencia de establecimiento de
condiciones iniciales no afecta al anlisis .DC.
EJEMPLO:
Definir unas condiciones iniciales para el circuito, de forma que la tensin de los nodos 2,
20 y 4 sean 4V, 0V y -1.3V respectivamente, una vez calculado el punto de trabajo:
.C V(2)=4 V(20)=0 V(4)=-1.3
La sentencia .C se usa para establecer las condiciones iniciales para el punto de trabajo,
tanto de pequea seal como para el anlisis transitorio. La sintaxis de la sentencia es:

.C V(nodo) = valor

El (valor) es una tensin asignada al (nodo) durante el clculo del punto de trabajo. Una
vez calculado el mismo, durante el anlisis transitorio la tensin del (nodo) puede ir
variando, dependiendo de las fuentes del circuito. Esta sentencia de establecimiento de
condiciones iniciales no afecta al anlisis .DC.
EJEMPLO:
Definir unas condiciones iniciales para el circuito, de forma que la tensin de los nodos 2,
20 y 4 sean 4V, 0V y -1.3V respectivamente, una vez calculado el punto de trabajo:
.C V(2)=4 V(20)=0 V(4)=-1.3
SENTENCIAS DE LOS ANLISIS TRANSITORIO
A continuacin entraremos en el estudio de las sentencias de PSPCE que nos permiten especificar los
anlisis transitorios al circuito. stos son, el anlisis transitorio o de respuesta a lo largo del tiempo y el
anlisis de la descomposicin de una forma de onda en la serie de Fourier.
Anlisis transitorio (respuesta en el tiempo)
Para introducir un anlisis transitorio en la descripcin del circuito, usaremos la sentencia:
.TRAN(/OP)* (paso pres) (tiempo final) (tiempo inicial)* (paso calc)* (UC)*
Paso pres.- incremento de tiempo para presentar los resultados
Tiempo final.-Tiempo final de simulacin
Tiempo inicial.-Tiempo inicial (usado cuando es distinto de cero)
Paso calc.- Define el paso para relizar los calculos (El paso interno para realizar los clculos tiene un
valor por defecto de (tiempo final)/50. )
UC.- Se utiliza paraq incluir las condiciones iniciales del capacitor e inductor
Si incluimos en la sentencia .TRAN la opcin /OP, obtendremos en la salida una informacin detallada
sobre este punto de trabajo.
A continuacin entraremos en el estudio de las sentencias de PSPCE que nos permiten especificar los
anlisis transitorios al circuito. stos son, el anlisis transitorio o de respuesta a lo largo del tiempo y el
anlisis de la descomposicin de una forma de onda en la serie de Fourier.
Anlisis transitorio (respuesta en el tiempo)
Para introducir un anlisis transitorio en la descripcin del circuito, usaremos la sentencia:
.TRAN(/OP)* (paso pres) (tiempo final) (tiempo inicial)* (paso calc)* (UC)*
Paso pres.- incremento de tiempo para presentar los resultados
Tiempo final.-Tiempo final de simulacin
Tiempo inicial.-Tiempo inicial (usado cuando es distinto de cero)
Paso calc.- Define el paso para relizar los calculos (El paso interno para realizar los clculos tiene un
valor por defecto de (tiempo final)/50. )
UC.- Se utiliza paraq incluir las condiciones iniciales del capacitor e inductor
Si incluimos en la sentencia .TRAN la opcin /OP, obtendremos en la salida una informacin detallada
sobre este punto de trabajo.
EJEMPLOS:
Definir una anlisis transitorio del circuito de forma que se presenten los resultados del mismo desde el
instante inicial hasta el instante de tiempo T=100nSg, con un intervalo de presentacin de resultados de
1nSg:

.TRAN 1NS 100NS

Definir una anlisis transitorio al circuito de forma que aparezcan en la salida los resultados desde el
instante de tiempo T=20nSg hasta el instante T=100nSg, con un intervalo de presentacin de 1nSg, as
como un listado de la informacin del punto de trabajo. Para el anlisis se debern utilizar las condiciones
iniciales de carga de los condensadores y bobinas:

.TRAN/OP 1NS 100NS 20NS UC

Definir un anlisis transitorio de forma que se presenten los resultados desde el instante de tiempo inicial
hasta el instante T=10uSg, con un intervalo de presentacin de datos de 1nSg, y asegurndonos que el
intervalo de tiempo entre clculos no sobrepasa los 0.1nSg:

.TRAN 1N 10U 0 .1N


Definir una anlisis transitorio del circuito de forma que se presenten los resultados del mismo desde el
instante inicial hasta el instante de tiempo T=100nSg, con un intervalo de presentacin de resultados de
1nSg:

.TRAN 1NS 100NS

Definir una anlisis transitorio al circuito de forma que aparezcan en la salida los resultados desde el
instante de tiempo T=20nSg hasta el instante T=100nSg, con un intervalo de presentacin de 1nSg, as
como un listado de la informacin del punto de trabajo. Para el anlisis se debern utilizar las condiciones
iniciales de carga de los condensadores y bobinas:

.TRAN/OP 1NS 100NS 20NS UC

Definir un anlisis transitorio de forma que se presenten los resultados desde el instante de tiempo inicial
hasta el instante T=10uSg, con un intervalo de presentacin de datos de 1nSg, y asegurndonos que el
intervalo de tiempo entre clculos no sobrepasa los 0.1nSg:

.TRAN 1N 10U 0 .1N


ELEMENTOS PASIVOS
Los elementos pasivos disponibles en PSPCE son: resistencias, condensadores, bobinas y
transformadores inductancias acoladas. Estos componentes se definen con las letras R, C, L y K,
respectivamente. Los cuales se modelan idealmente de la siguiente manera.
Donde xxx representan otras letras o nmeros.
Los formatos para especificar cada uno de los componentes pasivos es como sigue:
R(nombre) (nodo +) (nodo -) (valor)
L(nombre) (nodo +) (nodo -) (valor) (C = condiciones iniciales)*
C(nombre) (nodo +) (nodo -) (valor) (C = condiciones iniciales)*
ELEMENTO DESCRIPCION
Rxxx RESISTENCIA
Los elementos pasivos disponibles en PSPCE son: resistencias, condensadores, bobinas y
transformadores inductancias acoladas. Estos componentes se definen con las letras R, C, L y K,
respectivamente. Los cuales se modelan idealmente de la siguiente manera.
Donde xxx representan otras letras o nmeros.
Los formatos para especificar cada uno de los componentes pasivos es como sigue:
R(nombre) (nodo +) (nodo -) (valor)
L(nombre) (nodo +) (nodo -) (valor) (C = condiciones iniciales)*
C(nombre) (nodo +) (nodo -) (valor) (C = condiciones iniciales)*
Rxxx RESISTENCIA
Cxxx CONDENSADOR
Lxxx INDUCTANCIA
Kxxx INDUCTANCIAS MUTUAS
Fuentes independientes.
La sintaxis general para definir una fuente independiente es como sigue:

(nombre) (nodo +) (nodo -) (tipo) (especificaciones)

Donde en la opcin "tipo contiene las siguientes opciones para una seal de directa y de
alterna

(DC (valor)) (AC (amplitud) (fase))

La primera letra del nombre identifica a la fuente de la siguiente manera.


Vxxx indica una fuente independiente de voltaje.
xxx indica una fuente independiente de corriente.
La sintaxis general para definir una fuente independiente es como sigue:

(nombre) (nodo +) (nodo -) (tipo) (especificaciones)

Donde en la opcin "tipo contiene las siguientes opciones para una seal de directa y de
alterna

(DC (valor)) (AC (amplitud) (fase))

La primera letra del nombre identifica a la fuente de la siguiente manera.


Vxxx indica una fuente independiente de voltaje.
xxx indica una fuente independiente de corriente.
EjempIos
Fuentes independientes de Voltaje Fuentes ndependientes de Corriente
Seal sinusoidal
Una fuente de voltaje sinusoidal se describe con el trmino:
SN((voff) (vampl) (freq) (td) (df) (fase))
ejemplo.- Vs 2 0 sin(2 2 4 1 1 10)
Donde aparecen los trminos:
El tiempo de retardo es el tiempo en que empieza a atenuarse la seal. Desde 0 a (td) la
seal tendr un valor constante de voff+(1/2)(vampl).
Una fuente de voltaje sinusoidal se describe con el trmino:
SN((voff) (vampl) (freq) (td) (df) (fase))
ejemplo.- Vs 2 0 sin(2 2 4 1 1 10)
Donde aparecen los trminos:
El tiempo de retardo es el tiempo en que empieza a atenuarse la seal. Desde 0 a (td) la
seal tendr un valor constante de voff+(1/2)(vampl).
Time
0s 0.5s 1.0s 1.5s 2.0s 2.5s 3.0s 3.5s 4.0s 4.5s 5.0s
V1(R1)
0V
1.0V
2.0V
3.0V
4.0V
Seal definida por tramos
Una fuente de tensin definida por el usuario por tramos rectos, se describe mediante el
trmino:
PWL((t1) (v1) (t2) (v2) ..... (tn) (vn))
Donde aparecen los parmetros:
Una fuente de tensin definida por el usuario por tramos rectos, se describe mediante el
trmino:
PWL((t1) (v1) (t2) (v2) ..... (tn) (vn))
Donde aparecen los parmetros:
Parametro SigniIicado
tn Tiempo de un punto en segundos
Vn Voltaje de un punto en volts
Seal pulsante
Una fuente de voltaje pulsante, como la mostrada en la figura anterior, se define con el
trmino:
PULSE ((V1) (V2) (td) (tr) (tf) (pw) (per))
Donde aparecen los siguientes parmetros:
Una fuente de voltaje pulsante, como la mostrada en la figura anterior, se define con el
trmino:
PULSE ((V1) (V2) (td) (tr) (tf) (pw) (per))
Donde aparecen los siguientes parmetros:
Seal exponencial
Una fuente de voltaje exponencial, como la mostrada en la figura anterior, se define con el
siguiente trmino:
EXP((V1) (V2) (TD1) (TC1) (TD2) (TC2))
Donde los trminos mostrados aparecen en la siguiente tabla:
Una fuente de voltaje exponencial, como la mostrada en la figura anterior, se define con el
siguiente trmino:
EXP((V1) (V2) (TD1) (TC1) (TD2) (TC2))
Donde los trminos mostrados aparecen en la siguiente tabla:
PARMETRO SIGNIFICADO VALOR POR DEFEC.
(V1) Tension inicial en voltios. Ninguno.
(V2) Tension de pico en voltios. Ninguno.
(TD1) Tiempo de retardo para la subida. 0 Sg.
(TC1) Constante de tiempo de subida. PASO PRES Sg.
(TD2) Tiempo de retardo para la bajada. (td1)PASO PRES Sg.
(TC2) Constante de tiempo de bajada. PASO PRES Sg.
FUENTES CONTROLADAS
Fuentes de tensin y de corriente controladas por tensin
Para introducir una fuente de tensin controlada por tensin en la descripcin del circuito,
utilizaremos una de las siguientes sentencias:
E(nombre) (nodo+) (nodo-) (nodo control+) (nodo control-) (ganancia)
Para introducir una fuente de corriente controlada por voltaje se antepone la letra G envs
de la E del nombre de la fuente.
Fuentes de tensin y de corriente controladas por tensin
Para introducir una fuente de tensin controlada por tensin en la descripcin del circuito,
utilizaremos una de las siguientes sentencias:
E(nombre) (nodo+) (nodo-) (nodo control+) (nodo control-) (ganancia)
Para introducir una fuente de corriente controlada por voltaje se antepone la letra G envs
de la E del nombre de la fuente.
Fuentes de corriente y de voltaje controladas por corriente
Para introducir en la descripcin del circuito una fuente de corriente controlada por
corriente, utilizaremos una de las siguientes sentencias:
F(nombre) (nodo+) (nodo-) (fuente de control) (ganancia)
Para introducir una fuente de voltaje controlada por corriente se antepone la letra H
envs de la F del nombre de la fuente controlada.
Para introducir en la descripcin del circuito una fuente de corriente controlada por
corriente, utilizaremos una de las siguientes sentencias:
F(nombre) (nodo+) (nodo-) (fuente de control) (ganancia)
Para introducir una fuente de voltaje controlada por corriente se antepone la letra H
envs de la F del nombre de la fuente controlada.
EjempIo
*Ejemplo de circuito
*Ejemplo de circuito
VE 1 0 15V
H 3 0 VX 0.5
R1 1 2 10
R2 2 20 5
R3 3 4 25
R4 4 0 25
VX 20 0 0
.OP
.END
*Ejemplo de circuito
*Ejemplo de circuito
VE 1 0 15V
H 3 0 VX 0.5
R1 1 2 10
R2 2 20 5
R3 3 4 25
R4 4 0 25
VX 20 0 0
.OP
.END
ModeIo de un interruptor controIabIe por voItaje
Se modela como una resistencia controlada por voltaje, la resistencia
entre el nodo + y el nodo depende del voltaje entre la entrada + y la
entrada -.
Formato
SXXX. N+ N- NC+ NC- nombre
Para definir el modelo
.model nombre del modelo vswitch (parmetro=valor)
Parmetro SIgnIfIcado 7alor por default
Fon FesIstencIa de
conduccIon
1 0 FesIstencIa de
conduccIon
Foff FesIstencIa de
apagado
1 | 0
7on 7oltaje de control
para encendIdo
1 7
7off 7oltaje de control
para apagado
0 7
EjempIo
Considere el siguiente circuito y simular que el interruptor se
cierra en t=0 y se abre en t=100 s y se vuelve a cerrar en
t=150 s.
modelo del interruptor
Considere el siguiente circuito y simular que el interruptor se
cierra en t=0 y se abre en t=100 s y se vuelve a cerrar en
t=150 s.
modelo del interruptor
+

7cc F
L
5O
+ Vs -
sw
10v
150
101
100
102
103
Circuito para pspice
sw
Rcont
+

Vcont
1MC
50
0
Vcont
+

7cc F
L
5O
+ Vs -
sw
10v
0
0
1 2
1 100 150
5
t
s
vcont se usan para accionar el interruptor, utilizando una fuente tipo pulso.
Pulse (v1 v2 TD TR TF PW PER)
*Circuito de CD con interruptor y carga resistiva
.subckt switch 101 103 150 100
*definicin del interruotor controlable
sw 101 102 150 100 AC_switch
DSW 102 103 power_diode
.model AC_switch Vswitch (Ron 0.01)
.model power_diode D(CJO=0.001ff S=1E-6 RS=0.01)
.ENDS
Vcont 50 0 pulse (0 5 0 1u 1u 99u 150u)
Rcont 50 0 1MEG
Vcc 1 0 DC 100
XSW 1 2 50 0 switch
RL 2 0 5
.tran 0.5us 200us 0s 0.5us
.probe
.end
*Circuito de CD con interruptor y carga resistiva
.subckt switch 101 103 150 100
*definicin del interruotor controlable
sw 101 102 150 100 AC_switch
DSW 102 103 power_diode
.model AC_switch Vswitch (Ron 0.01)
.model power_diode D(CJO=0.001ff S=1E-6 RS=0.01)
.ENDS
Vcont 50 0 pulse (0 5 0 1u 1u 99u 150u)
Rcont 50 0 1MEG
Vcc 1 0 DC 100
XSW 1 2 50 0 switch
RL 2 0 5
.tran 0.5us 200us 0s 0.5us
.probe
.end
+
-
+
-
80V
+
-
Vc(t)
20 O
10 O 8 O
Vc(t)
4
0.5mF
t1
t0
*circuito RC ejemplo 3
vs1 1 0 80
E1 5 0 3 0 0.25
R1 2 3 8
R2 3 0 20
R3 3 + 10
C1 3 0 0.5m !C=+0
* definicin del interruptor que abre en t=0
Sa 1 2 a 0 Smod
va a 0 pwl(0,1 1u,0)
* Definicin del interruptor que opera en t=1
Sb + 5 b 0 Smod
vb b 0 pwl(1,1 1.000001,0)
.model Smod vswitch
.tran 30m 30m
.probe
.end
*circuito RC ejemplo 3
vs1 1 0 80
E1 5 0 3 0 0.25
R1 2 3 8
R2 3 0 20
R3 3 + 10
C1 3 0 0.5m !C=+0
* definicin del interruptor que abre en t=0
Sa 1 2 a 0 Smod
va a 0 pwl(0,1 1u,0)
* Definicin del interruptor que opera en t=1
Sb + 5 b 0 Smod
vb b 0 pwl(1,1 1.000001,0)
.model Smod vswitch
.tran 30m 30m
.probe
.end
CONVERTIDOR DC-DC
FectIfIcador monofsIco de onda completa con carga
FL y fuente de cd.
i
L
Este circuito se utiliza para modelar una carga tipica en un entorno industrial, algunas
posibles aplicaciones de este modelo son de un motor de Cd y un cargador de baterias.
0 0
2,4...
( ) cos( )
n
n
v t J J n t

=
= + +
_
E
R
L
+
-
V
s
+
-
i
L
V
L
+
-
D
1
D
4
D
3
D
2
0 0
2,4...
( ) cos( )
n
n
v t J J n t

=
= + +
_
2 1 1
1 1
m
n
J
J
n n
| |
=
|
+
\ .
0
0
2
m
J
E
J E
I
R R

= =
0
2
m
J
J E

=
n n
n
n
J J
I
Z R fn L
= =
+
AnIisis de Fourier
Anlisis de FOURIER
Para introducir un anlisis de Fourier en la descripcin del circuito usaremos la sentencia:
.FOUR (frecuencia fundamental) (variables de salida)
Recurdese que una seal peridica puede expresarse en una serie de Fourier como:
Donde: q = 2pft (siendo f = frecuencia en Hz).
Co = componente DC de la seal.
Cn = componente del armnico nmero n.
fn = fase del armnico nmero n.
De PSpice puede proporcionar ms de 10 coeficientes de Fourier si la instruccin .FOUR se
especifica de la siguiente manera:
.FOUR (frecuencia fundamental) (numero de coeficientes) (variables de salida)
Distorsin armnica total
Anlisis de FOURIER
Para introducir un anlisis de Fourier en la descripcin del circuito usaremos la sentencia:
.FOUR (frecuencia fundamental) (variables de salida)
Recurdese que una seal peridica puede expresarse en una serie de Fourier como:
Donde: q = 2pft (siendo f = frecuencia en Hz).
Co = componente DC de la seal.
Cn = componente del armnico nmero n.
fn = fase del armnico nmero n.
De PSpice puede proporcionar ms de 10 coeficientes de Fourier si la instruccin .FOUR se
especifica de la siguiente manera:
.FOUR (frecuencia fundamental) (numero de coeficientes) (variables de salida)
Distorsin armnica total
2 2 2
2 3
1
100
n
I
I I I
THD
I
+ + +
=

Archivo de simuaIcin
*CRCUTO RECTFCADOR DE ONDA COMPLETA Y CARGA RL CON FUENTE DE CD
VS 1 0 SN(0 169.7 60)
R 3 5 0.5
L 5 6 6.5MH
VX 6 4 DC 0; FUENTE DE VOLTAJE PARA MEDR LA CORRENTE DE LA CARGA
VY 1 2 DC 0; FUENTE PARA MEDR LA CORRENTE DE ENTRADA
D1 2 3 DMOD
D3 0 3 DMOD
D2 4 0 DMOD
D4 4 2 DMOD
.MODEL DMOD D(S=2.22E-15 BV=1200V BV=13E-3 CJO=2PF TT=1US)
.TRAN 10US 150MS 33.33MS 10US
.FOUR 60HZ (VY)
.PROBE
*.OPTONS ABSTOL=1N RELTOL=0.01 VNTOL=1M TL5=10000; PARAMETROS DE
CONVERGENCA
.END
*CRCUTO RECTFCADOR DE ONDA COMPLETA Y CARGA RL CON FUENTE DE CD
VS 1 0 SN(0 169.7 60)
R 3 5 0.5
L 5 6 6.5MH
VX 6 4 DC 0; FUENTE DE VOLTAJE PARA MEDR LA CORRENTE DE LA CARGA
VY 1 2 DC 0; FUENTE PARA MEDR LA CORRENTE DE ENTRADA
D1 2 3 DMOD
D3 0 3 DMOD
D2 4 0 DMOD
D4 4 2 DMOD
.MODEL DMOD D(S=2.22E-15 BV=1200V BV=13E-3 CJO=2PF TT=1US)
.TRAN 10US 150MS 33.33MS 10US
.FOUR 60HZ (VY)
.PROBE
*.OPTONS ABSTOL=1N RELTOL=0.01 VNTOL=1M TL5=10000; PARAMETROS DE
CONVERGENCA
.END
Rectificador trifsico
El generador trifsico de tensin est equilibrado y la secuencia de fases es a-
b-c. En el anlisis inicial del circuito se supondr que el generador y los diodos
son ideales.
(377 30 )
(377 150 )
(377 90 )
=
=
= +

on n
In n
cn n
V V scn t
V V scn t
V V scn t
F
- Van +
- Vbn +
- Vcn +
01
04
0J
06
05
02
a
b
c
+
-
(377 30 )
(377 150 )
(377 90 )
=
=
= +

on n
In n
cn n
V V scn t
V V scn t
V V scn t
3 (377 )
3 (377 120 )
3 (377 240 )
=
=
=

oI n
Ic n
co n
V V scn t
V V scn t
V V scn t
Formas de onda
V
m
30

150

270

360

V
cn
V
an
V
bn
wt
V
ab
wt
3
m
J
-90

30

150

270

360

180

-60

120

300

480

V
bc
60

420

240

V
ca
56 61 12 23 34 45 56 61
V
bc
V
ab
V
ca
V
bc
V
ab
V
ca
V
bc
Para comprender mejor el funcionamiento del circuito,
conviene tomar en cuenta lo siguiente:
La LVK aplicada al circuito muestra que slo puede conducir
un diodo a la vez en la mitad superior del puente (D1, D3 y D5).
El diodo en estado de conduccin tendr su nodo conectado
a la tensin de fase de mayor valor en ese instante.
La LVK tambin muestra que slo puede conducir un diodo a la
vez en la mitad inferior del puente (D2, D4 y D6). El diodo en
estado de conduccin tendr su ctodo conectado a la tensin
de fase de menor valor en ese instante.
Para comprender mejor el funcionamiento del circuito,
conviene tomar en cuenta lo siguiente:
La LVK aplicada al circuito muestra que slo puede conducir
un diodo a la vez en la mitad superior del puente (D1, D3 y D5).
El diodo en estado de conduccin tendr su nodo conectado
a la tensin de fase de mayor valor en ese instante.
La LVK tambin muestra que slo puede conducir un diodo a la
vez en la mitad inferior del puente (D2, D4 y D6). El diodo en
estado de conduccin tendr su ctodo conectado a la tensin
de fase de menor valor en ese instante.
Si analizamos de 0 a 60, observamos que el voltaje instantneo de lnea a
lnea ms grande es Vbc (en su semiciclo negativo), el cual producir una
corriente a travs de los diodos 5 y 6.
F
01
04
0J
06
05
02
a
b
c
+
-
+
-
60
120
t
56
3
m
J
3
m
i
V
L
i
L
D1
D4
360

60
120 180
240 300 360
t
56 61
34
12 23
45
Vcb Vab Vac Vbc Vba Vca
a
V
L
i
L
3
m
J
R
b
180

D4
D3
D6
D2
D5
D5
180

360

180

360

c
t
3
m
J
R

3
m
J
R
3
m
J
R
3
m
J
R

3
m
J
R

t
t
Para calcular el valor eficaz de la seal de salida podemos
considerar la figura 2.28, en donde cambiando la referencia del
eje del tiempo se puede considerar la seal como cosenoidal.
2
0
1
( )
T
rms
J v t dt
T
=
}
( ) 3 cos
m
v t J t =
2 2
6
0
2
3 cos ( )
2
6
rms m
J J t d t

=
}
2
1 1
cos cos 2
2 2
A A = +
Como
Entonces
Usando la IdentIdad trIgonomtrIca
V
L
wt
0'
V'
L
6

2
3

60

120

0
, )
6
2
0
6 2
3
2 4
rms m
t scn t
J J


= +
(
]
AplIcando
0esarrollando
2
2
18 6
6
0
2 4
m
rms
scn
J
J

| | | |
| |
\ .
| = +
|
|
\ .
0esarrollando
2
18 3
12 8
m
rms
J
J

| |
= +
|
|
\ .
3 9 3
1.6554
2 4
rms m m
J J J

= + =
SImplIfIcando
FInalmente
2 2
6
0
4
cos ( )
2
r m
I I t d t

=
}
0.518
r m
I I =
Por otro lado la corrIente rms del dIodo es
FesolvIendo
0.518
r m
I I =
, )
6
0
2
3 cos
2
6
cd m
J J t d t

=
}
j
6
0
6 3(6)
3 ( )
6
cd m m
J J scn t J scn


| | | |
= =
| |
\ . \ .
, ) 3 6 1 3 3
2
cd m m
J J J

| |
= =
|
\ .
1.654
cd m
J J =
El valor del voltaje promedIo es.
Este rectificado de 6 pulsos introduce armnicos de
orden 5,7,11,13,., las componentes armnicas se
expresan en trminos de la fundamental.
Donde
h.- orden de la armnica
La cual esta en trminos de la componente
fundamental.
Este rectificado de 6 pulsos introduce armnicos de
orden 5,7,11,13,., las componentes armnicas se
expresan en trminos de la fundamental.
Donde
h.- orden de la armnica
La cual esta en trminos de la componente
fundamental.
1 s
sh
I
I
h
=
1
1
6 0.78
s L L
I I I

= =
SimuIacin
*CRCUTO RECTFCADOR TRFASCO
VAN 1 0 SN(0 169.7 60)
L1 1 4 0.5MH
VBN 2 0 SN(0 169.7 60 0 0 120)
L2 2 5 0.5MH
VCN 3 0 SN(0 169.7 60 0 0 240)
L3 3 6 0.5MH
R 7 9 0.5
L 9 10 6.5MH
VX 10 8 DC 0
D1 4 7 DMOD
D3 5 7 DMOD
D5 6 7 DMOD
D2 8 6 DMOD
D6 8 5 DMOD
D4 8 4 DMOD
.MODEL DMOD D(S=2.22E-15 BV=1200V); BV=13E-3 CJO=2PF TT=1US)
.TRAN 10US 50MS 33.33MS 10US
.PROBE
*.OPTONS ABSTOL=1.0N RELTOL=0.01 VNTOL=1M TL5=4000
.END
*CRCUTO RECTFCADOR TRFASCO
VAN 1 0 SN(0 169.7 60)
L1 1 4 0.5MH
VBN 2 0 SN(0 169.7 60 0 0 120)
L2 2 5 0.5MH
VCN 3 0 SN(0 169.7 60 0 0 240)
L3 3 6 0.5MH
R 7 9 0.5
L 9 10 6.5MH
VX 10 8 DC 0
D1 4 7 DMOD
D3 5 7 DMOD
D5 6 7 DMOD
D2 8 6 DMOD
D6 8 5 DMOD
D4 8 4 DMOD
.MODEL DMOD D(S=2.22E-15 BV=1200V); BV=13E-3 CJO=2PF TT=1US)
.TRAN 10US 50MS 33.33MS 10US
.PROBE
*.OPTONS ABSTOL=1.0N RELTOL=0.01 VNTOL=1M TL5=4000
.END
Referencias
1.- ELECTRONCA DE POTENCA
SEGUNDA EDCN 1995
MUHAMMAD H. RASHD
ED. PRENTCE HALL.
2.- ELECTRONCA DE POTENCA
DANEL W. HART
ED. PRENTCE HALL 1997
3.- POWER ELECTRONCS
NED MOHAN
THRD EDTON 2003
ED. WLEY
4.- POWER SEMCONDUCTORES
S. B. DEWAN
WLEY 1975
5.- SPCE FOR POWER ELECTRONCS AND ELECTRC POWER
MUHAMMAD H. RAHD
ED. PRENTCE HALL 1993
6.- POWER ELECTRONCS
MARVN J. FSHER
PWS-KENT PUBLSHNG COMPANY 1991
7.- ELECTRNCA DE POTENCA
JOS MANUEL BENAVENT GARCA
UNVERSDAD POLTECNCA DE MADRD-ALFAOMEGA 2000
8.- POWER ELECTRONCS SYSTEMS THEORY AND DESGN
JA. P. AGRAWAL
ED. PRENTCE HALL 2001
9.- ELECTRNCA DE POTENCA BSCA
ENRQUEZ HARPER
ED. LMUSA 2006
10.- ELECTRONCA NDUSTRAL
J.A. GUALDA
ED. ALFAOMEGA
11.- ELECTRONCA NDUSTRAL MODERMA
THMOTY J. MALONEY
ED. PEARSON 2006
1.- ELECTRONCA DE POTENCA
SEGUNDA EDCN 1995
MUHAMMAD H. RASHD
ED. PRENTCE HALL.
2.- ELECTRONCA DE POTENCA
DANEL W. HART
ED. PRENTCE HALL 1997
3.- POWER ELECTRONCS
NED MOHAN
THRD EDTON 2003
ED. WLEY
4.- POWER SEMCONDUCTORES
S. B. DEWAN
WLEY 1975
5.- SPCE FOR POWER ELECTRONCS AND ELECTRC POWER
MUHAMMAD H. RAHD
ED. PRENTCE HALL 1993
6.- POWER ELECTRONCS
MARVN J. FSHER
PWS-KENT PUBLSHNG COMPANY 1991
7.- ELECTRNCA DE POTENCA
JOS MANUEL BENAVENT GARCA
UNVERSDAD POLTECNCA DE MADRD-ALFAOMEGA 2000
8.- POWER ELECTRONCS SYSTEMS THEORY AND DESGN
JA. P. AGRAWAL
ED. PRENTCE HALL 2001
9.- ELECTRNCA DE POTENCA BSCA
ENRQUEZ HARPER
ED. LMUSA 2006
10.- ELECTRONCA NDUSTRAL
J.A. GUALDA
ED. ALFAOMEGA
11.- ELECTRONCA NDUSTRAL MODERMA
THMOTY J. MALONEY
ED. PEARSON 2006
ELECTRNICA DE POTENCIA
Captulo
CRCUTOS DE
CONMUTACN
FORZADA
Captulo
CRCUTOS DE
CONMUTACN
FORZADA
Convertidores monofsicos
Rectificador controIado de media onda
V
T1
V
s
+
-
i
o
V
0
V
T1
+
-
R
L

cd
V
cd

0
V
0
V
s
1
( )
2
cd m
J J sen t d t

=
}
Para calcular el voltaje promedIo de este
convertIdor hacemos lo sIguIente:
t
t
t

2
2
2
V
o

1
( )
2
cd m
J J sen t d t

=
}
, ) cos
2
m
cd
J
J t

=
(1 cos )
2
m
cd
J
J

= +
cd
cd
L
J
I
R
=
FealIzando operacIones
(J.1)
El voltaje de salIda rms est dado por
2 2
1
( )
2
Orms m
J J sen t d t

=
}
, )
2
0
1 cos 2
4
m
rms
J
J t d t

=
}
0
1 2
2 2
m
rms
J sen
J

1 | |
= +
| 1
\ . ]
Usando IdentIdades trIgonomtrIcas, obtenemos:
FealIzando la Integral
SimuaIcin en Pspice
Para el rectIfIcado de medIa onda controlado mostrado en la
fIgura, consIdere un para una fuente de CA de 60 HZ el
cual equIvale a un retardo en el pulso aplIcado al gate de
2777.8s, sI el voltaje pIco es de 169.7 y F=2.50.
60 =

Para el rectIfIcado de medIa onda controlado mostrado en la
fIgura, consIdere un para una fuente de CA de 60 HZ el
cual equIvale a un retardo en el pulso aplIcado al gate de
2777.8s, sI el voltaje pIco es de 169.7 y F=2.50.
*Ejemplo de un rectificador controlado de media onda carga resistiva
*Subcircuito para simular un SCR
.SUBCKT SCR 1 2 3
2
* MODEL ANODO CATODO +CONTROL -CONTROL
S1 1 5 6 2
SMOD ;SWTCH
RG 3 4 50
VX 4 2 DC 0V
VY 5 7 DC 0V
DT 7 2 DMOD
RT 6 2 1
CT 6 2 10UF
F1 2 6 POLY(2) VX
VY 0 50 11
.MODEL SMOD VSWTCH (RON=0.0105 ROFF=10E+5 VON=0.5V VOFF=0V)
.MODEL DMOD D (S=2.2E-15 BV=1200V TT=0
CJO=0)
.ENDS SCR
*Parmetros de la seal de control triangular creada a partir de una seal cuadrada
*Descripcin del circuito pulsador reductor a simular
Vs 1 0 SN (0
169.7v 60Hz) ;voltaje de alimentacin de CD
*definicin de la fuente de control
R 1 2 2.5
Vg 4 0 PULSE(0 10V 2777.8US 1N 1N 100US 16666.7us)
VX 2 3 DC 0
XT1 3 0 4 0 SCR
.TRAN 1US 50MS
.PROBE
.END
*Ejemplo de un rectificador controlado de media onda carga resistiva
*Subcircuito para simular un SCR
.SUBCKT SCR 1 2 3
2
* MODEL ANODO CATODO +CONTROL -CONTROL
S1 1 5 6 2
SMOD ;SWTCH
RG 3 4 50
VX 4 2 DC 0V
VY 5 7 DC 0V
DT 7 2 DMOD
RT 6 2 1
CT 6 2 10UF
F1 2 6 POLY(2) VX
VY 0 50 11
.MODEL SMOD VSWTCH (RON=0.0105 ROFF=10E+5 VON=0.5V VOFF=0V)
.MODEL DMOD D (S=2.2E-15 BV=1200V TT=0
CJO=0)
.ENDS SCR
*Parmetros de la seal de control triangular creada a partir de una seal cuadrada
*Descripcin del circuito pulsador reductor a simular
Vs 1 0 SN (0
169.7v 60Hz) ;voltaje de alimentacin de CD
*definicin de la fuente de control
R 1 2 2.5
Vg 4 0 PULSE(0 10V 2777.8US 1N 1N 100US 16666.7us)
VX 2 3 DC 0
XT1 3 0 4 0 SCR
.TRAN 1US 50MS
.PROBE
.END
Voltaje en la carga
Rectificador controIado de onda
compIeta
ConsIdere un rectIfIcador no controlado de onda completa con
carga resIstIva, en donde los dIodos han sIdo reemplazados
por SCF's, como el que se muestra en la fIgura J.J. En este
cIrcuIto los SCF's son controlados y dIsparados en parejas con
un ngulo de retraso .
ConsIdere un rectIfIcador no controlado de onda completa con
carga resIstIva, en donde los dIodos han sIdo reemplazados
por SCF's, como el que se muestra en la fIgura J.J. En este
cIrcuIto los SCF's son controlados y dIsparados en parejas con
un ngulo de retraso .
R
V
s
+
-
i
L
V
L
+
-
T
1
T
3
T
2
T
4
i
s
Formas de onda
V
s
V
m
wt
2
T
T
i
s
wt
V
L
wt

L
2
T
T
T
2
T
2
T
+
2
T
+

T
2
T
2
T
+

wt
V
m

m
Ecuaciones
, )
1 cos
m
cd
J
J

= +
cd
cd
J
I
R
=
Voltaje y corriente promedio
, )
1 cos
m
cd
J
J

= +
cd
cd
J
I
R
=
Corriente y voltaje rms
0
1 (2 )
2 2 4
m
rms
J sen
I
R


= +
0 0 rms rms
J I R =
Rectificador controIado de onda
compIeta y carga RL
i
0
i
s
+
V
0
R
V
s
+
-
T
1
T
4
T
3
T
2
i
s
V
L
+
-
L

cd
V
cd

0
-V
cd
Formas de onda
a) caso dIscontInuo para la corrIente
b) caso contInuo para la corrIente.
a)
b)
a) caso dIscontInuo para la corrIente
b) caso contInuo para la corrIente.
0 0
1
( ) cos( )
n n
n
J t J J n t

=
= + +
_
Para determInar el voltaje y corrIente de salIda en el caso de
corrIente contInua se utIlIza la serIe de FourIer, dada por.
(J.15)
En donde el valor promedIo en contInua es
0 0
1
( ) cos( )
n n
n
J t J J n t

=
= + +
_
, )
2
2
cd m
J J sen t d t

+
=
}
j j
2
cos cos( ) cos
2
m m
cd
J J
J t



+
= = + +
FesolvIendo
, ) cos cos + =
2
cos( )
m
cd
J
J

=
Por IdentIdades trIgonomtrIcas
2 2
n n n
J a b = +
Las amplItudes de los trmInos de alterna se calculan a partIr de
2 2
n n n
J a b = +
2 cos( 1) cos( 1)
1 1
m
n
J n n
a
n n

+ 1
=
1
+
]
2 ( 1) ( 1)
1 1
m
n
J sen n sen n
b
n n

+ 1
=
1
+
]
0onde
Para n=2,4,6,..
La serIe de FourIer para la corrIente se determIna utIlIzando
superposIcIon. La amplItud de la corrIente para cada
frecuencIa se obtIene utIlIzando:
2
2
0 0
2,4,6...
2
n
rms
n
I
I I

=
| |
= +
|
\ .
_
0
0
J
I
R
=
n n
n
n
J J
I
Z R fn L
= =
+
0onde
Rectificador controIado de onda compIeta
con carga RL y Fuente de CD.
+
i
0
T
1 T
3
i
s
+
L
V
cd
V
0
R
V
s
+
-
T
4
T
2
+
-
V
L
-
E

cd
0
-V
cd
0
2
cos
m
J
J

=
0
0
J E
I
R

=
En el caso de la corrIente contInua, la tensIon y corrIente de salIda del puente es.
Los trmInos del voltaje de CA no cambIan con respecto al rectIfIcador controlado con carga FL
Rectificador controIado de onda compIeta con
carga RL con diodo voIante.
SI modIfIcamos el cIrcuIto anterIor Incluyendo un dIodo
volante en paralelo con la carga FL. La presencIa del dIodo 01
prevIene valores negatIvos en 7o, pues est condIcIon el dIodo
queda polarIzado dIrectamente.
SI modIfIcamos el cIrcuIto anterIor Incluyendo un dIodo
volante en paralelo con la carga FL. La presencIa del dIodo 01
prevIene valores negatIvos en 7o, pues est condIcIon el dIodo
queda polarIzado dIrectamente.
R
V
s
+
-
i
0
T
1
T
4
T
3
T
2
i
s
V
L
+
-
L
D1
Formas de onda
V
s
V
m
wt
2
T
T
, )
0
1 cos
m
J
J

= +
El voltaje promedIo en este caso esta dado por.
V
L
wt

L
wt

s
2
T T
T
2
T
2
T
+
2
T
+

T
2
T
2
T
+

wt
V
m
T
2
T
2
T
+

wt

D
, )
0
1 cos
m
J
J

= +
0 0 rms rms
J I R =
Convertidor monofsico operando
como inversor.
En las secciones anteriores los circuitos operan como rectificadores,
en los que el flujo de potencia va del generador a la carga.
Tambin es posible que la potencia fluya de la carga al generador de
alterna y, en ese caso, el circuito se clasificar como un inversor.
R
V
s
+
-
i
0
T
1
T
4
T
3
T
2
i
s
+
-
V
L
+
-
L
E
En las secciones anteriores los circuitos operan como rectificadores,
en los que el flujo de potencia va del generador a la carga.
Tambin es posible que la potencia fluya de la carga al generador de
alterna y, en ese caso, el circuito se clasificar como un inversor.
0
0 90 0 J < < >

0
90 180 0 J < < <

operacIon como rectIfIcador
operacIon como Inversor
En la figura muestra la forma de onda de la tensin para y
corriente continua en la bobina.
150 =

si la bobina es lo suficientemente grande y el puente no tiene prdidas,
la potencia absorbida por el puente y transferida al sistema de alterna es:
0 0 puente CA
P P I J = =
Convertidor trifsico de media onda
Los convertIdores trIfsIcos proporcIonan mayor voltaje
promedIo de salIda, y adems, la frecuencIa de los rIzos de
voltaje de salIda es mayor en comparacIon con la de los
convertIdores monofsIcos.
Los convertIdores trIfsIcos proporcIonan mayor voltaje
promedIo de salIda, y adems, la frecuencIa de los rIzos de
voltaje de salIda es mayor en comparacIon con la de los
convertIdores monofsIcos.
Formas de onda deI convertidor
3 3
cos
2
cd
J

=
1
2
0
1 3
3 cos 2
6 8
rms m
J J

1
= +
1
]
Convertidor trifsico de onda compIeta
- Van +
o
i
a
carga
- Van +
- Vbn +
- Vcn +
T1
T2
TJ
T4
T5
T6
a
b
c
+
-
Vo
i
b
i
c
Formas de onda
( )
an m
J J sen t =
2
( )
3
bn m
J J sen t

=
las fuentes de alImentacIon son:
2
( )
3
bn m
J J sen t

=
2
( )
3
cn m
J J sen t

= +
3 ( )
6
ab an bn m
J J J J sen t

= = +
3 ( )
2
bc bn cn m
J J J J sen t

= =
5
3 ( )
6
ca cn an m
J J J J sen t

= = +
Y
El Voltaje promedio de salida es:
3 3
cd m
J J Cos

=
1
2
0
1 3 3
3 cos 2
2 4
rms m
J J

| |
= +
|
|
\ .
el Voltaje rms de la salida es
Referencias
1.- ELECTRONCA DE POTENCA
SEGUNDA EDCN 1995
MUHAMMAD H. RASHD
ED. PRENTCE HALL.
2.- ELECTRONCA DE POTENCA
DANEL W. HART
ED. PRENTCE HALL 1997
3.- POWER ELECTRONCS
NED MOHAN
THRD EDTON 2003
ED. WLEY
4.- SPCE FOR POWER ELECTRONCS AND ELECTRC POWER
MUHAMMAD H. RAHD
ED. PRENTCE HALL 1993
5.- POWER ELECTRONCS
MARVN J. FSHER
PWS-KENT PUBLSHNG COMPANY 1991
6.- ELECTRNCA DE POTENCA
JOS MANUEL BENAVENT GARCA
UNVERSDAD POLTECNCA DE MADRD-ALFAOMEGA 2000
7.- POWER ELECTRONCS SYSTEMS THEORY AND DESGN
JA. P. AGRAWAL
ED. PRENTCE HALL 2001
8.- ELECTRNCA DE POTENCA BSCA
ENRQUEZ HARPER
ED. LMUSA 2006
9.- CONVERTDORES ALTERNA-CONTNUA CON TRSTORES
JOAN PERACAULA ROURA
MARCOMBO BOXAREU EDTORES 1990
1.- ELECTRONCA DE POTENCA
SEGUNDA EDCN 1995
MUHAMMAD H. RASHD
ED. PRENTCE HALL.
2.- ELECTRONCA DE POTENCA
DANEL W. HART
ED. PRENTCE HALL 1997
3.- POWER ELECTRONCS
NED MOHAN
THRD EDTON 2003
ED. WLEY
4.- SPCE FOR POWER ELECTRONCS AND ELECTRC POWER
MUHAMMAD H. RAHD
ED. PRENTCE HALL 1993
5.- POWER ELECTRONCS
MARVN J. FSHER
PWS-KENT PUBLSHNG COMPANY 1991
6.- ELECTRNCA DE POTENCA
JOS MANUEL BENAVENT GARCA
UNVERSDAD POLTECNCA DE MADRD-ALFAOMEGA 2000
7.- POWER ELECTRONCS SYSTEMS THEORY AND DESGN
JA. P. AGRAWAL
ED. PRENTCE HALL 2001
8.- ELECTRNCA DE POTENCA BSCA
ENRQUEZ HARPER
ED. LMUSA 2006
9.- CONVERTDORES ALTERNA-CONTNUA CON TRSTORES
JOAN PERACAULA ROURA
MARCOMBO BOXAREU EDTORES 1990